FR3074917A1 - DIAGNOSTIC METHOD FOR MONITORING THE HEALTH STATUS OF A SEMICONDUCTOR COMPONENT PRESENT IN AN INVERTER - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un procédé de diagnostic en vue de suivre l'état de santé des composants semi-conducteurs d'un onduleur (1) placé dans une installation électrique, ladite installation électrique comportant des moyens de génération d'une tension continue, dite de production (Vdc_p), appliquée en entrée dudit onduleur (1) lors d'un mode de production dans lequel l'onduleur est commandé pour convertir ladite tension continue de production reçue en entrée en une tension alternative, le procédé comportant des étapes de : Emission par l'unité de traitement et de commande d'une première commande en déconnexion de l'onduleur (1) en vue de supprimer ladite tension continue de production (Vdc_p) appliquée en entrée et stopper ledit mode de production, Emission par l'unité de traitement et de commande d'une deuxième commande configurée pour appliquer en entrée de l'onduleur une tension continue dite de diagnostic (Vdc_d), distincte de ladite tension d'entrée de production, lors d'un mode de diagnostic.The invention relates to a diagnostic method for monitoring the state of health of the semiconductor components of an inverter (1) placed in an electrical installation, said electrical installation comprising means for generating a DC voltage, so-called of production (Vdc_p), applied at the input of said inverter (1) during a production mode in which the inverter is controlled to convert said input DC output voltage to an AC voltage, the method comprising steps of: Transmitting by the processing and control unit of a first command disconnected from the inverter (1) in order to suppress said output DC voltage (Vdc_p) applied to the input and stop said production mode, transmission by the processing and control unit of a second control configured to apply to the input of the inverter a DC voltage called diagnostic (Vdc_d), distinct from said input voltage of pro duction, in a diagnostic mode.
Description
(57) L'invention concerne un procédé de diagnostic en vue de suivre l'état de santé des composants semi-conducteurs d'un onduleur (1) placé dans une installation électrique, ladite installation électrique comportant des moyens de génération d'une tension continue, dite de production (Vdc_p), appliquée en entrée dudit onduleur (1) lors d'un mode de production dans lequel l'onduleur est commandé pour convertir ladite tension continue de production reçue en entrée en une tension alternative, le procédé comportant des étapes de :(57) The invention relates to a diagnostic method for monitoring the state of health of the semiconductor components of an inverter (1) placed in an electrical installation, said electrical installation comprising means for generating a voltage. continuous, called production (Vdc_p), applied to the input of said inverter (1) during a production mode in which the inverter is controlled to convert said continuous production voltage received at input into an alternating voltage, the method comprising stages of:
Emission par l'unité de traitement et de commande d'une première commande en déconnexion de l'onduleur (1) en vue de supprimer ladite tension continue de production (Vdc_p) appliquée en entrée et stopper ledit mode de production, Emission par l'unité de traitement et de commande d'une deuxième commande configurée pour appliquer en entrée de l'onduleur une tension continue dite de diagnostic (Vdc_d), distincte de ladite tension d'entrée de production, lors d'un mode de diagnostic.Emission by the processing and control unit of a first command to disconnect the inverter (1) in order to remove said continuous production voltage (Vdc_p) applied at the input and stop said production mode, Emission by processing and control unit of a second command configured to apply a so-called diagnostic voltage (Vdc_d), distinct from said production input voltage, at the input of the inverter during a diagnostic mode.
Procédé de diagnostic pour suivre l'état de santé d'un composant semiconducteur présent dans un onduleurDiagnostic method for monitoring the state of health of a semiconductor component present in an inverter
Domaine technique de l'inventionTechnical field of the invention
La présente invention se rapporte à un procédé de diagnostic mis en oeuvre pour suivre l'état de santé d'au moins un composant semi-conducteur présent dans un onduleur employé dans une installation électrique. L'invention concerne également un système de diagnostic adapté pour mettre en oeuvre ledit procédé.The present invention relates to a diagnostic method implemented for monitoring the state of health of at least one semiconductor component present in an inverter used in an electrical installation. The invention also relates to a diagnostic system suitable for implementing said method.
Etat de la techniqueState of the art
Beaucoup d'installations électriques utilisent un convertisseur de type DC/AC, appelé également onduleur. Un onduleur comporte plusieurs bras de commutation qui sont commandés pour convertir une tension continue reçue en entrée en une tension alternative en sortie. Les bras de commutation comportent plusieurs composants semiconducteurs, tels que transistors et diodes. A titre d'exemple, un tel onduleur peut être employé dans une installation électrique de type production électrique par module photovoltaïque ou éolienne, dans une installation électrique de type commande de moteur électrique ou dans une installation électrique de type alimentation sécurisée (UPS).Many electrical installations use a DC / AC converter, also called an inverter. An inverter has several switching arms which are controlled to convert a DC voltage received at the input into an AC voltage at the output. The switching arms include several semiconductor components, such as transistors and diodes. By way of example, such an inverter can be used in an electrical installation of the electrical production type by photovoltaic or wind module, in an electrical installation of the electric motor control type or in an electrical installation of the secure supply type (UPS).
Actuellement, le diagnostic de l'état de santé de chaque composant semiconducteur présent dans un onduleur est réalisé en déconnectant l'onduleur de l'installation et en le reconnectant sur un banc de test adapté.Currently, the diagnosis of the state of health of each semiconductor component present in an inverter is carried out by disconnecting the inverter from the installation and reconnecting it on a suitable test bench.
L'état de santé d'un composant semi-conducteur tel qu'un transistor de type IGBT employé dans un onduleur est déterminé à partir de plusieurs paramètres de diagnostic qui sont :The state of health of a semiconductor component such as an IGBT type transistor used in an inverter is determined from several diagnostic parameters which are:
La résistance dynamique du composant, définie par la relation :The dynamic resistance of the component, defined by the relation:
Dans laquelle Vce0 et Vcel correspondent à deux valeurs de la tension Collecteur-Emetteur du transistor, obtenues à deux instants successifs et Io et deux valeurs du courant qui traverse le transistor à ces deux instants.In which V ce0 and V cel correspond to two values of the collector- emitter voltage of the transistor, obtained at two successive instants and I o and two values of the current which crosses the transistor at these two instants.
L'impédance thermique du composant définie par la relation :The thermal impedance of the component defined by the relation:
„ _ Tj_end ^j_start ^th —„_ Tj_ e nd ^ j_start ^ th -
Dans laquelle T}_end correspond à une valeur de la température de jonction du transistor déterminée après un chauffage du composant et Tjstart correspond à une valeur instantanée de la température de jonction du transistor déterminée avant ladite phase de chauffage du composant. P correspond à la puissance moyenne dissipée par le composant.In which T } _ end corresponds to a value of the junction temperature of the transistor determined after heating of the component and T jstart corresponds to an instantaneous value of the junction temperature of the transistor determined before said phase of heating of the component. P corresponds to the average power dissipated by the component.
En comparant ces deux paramètres avec des valeurs seuils, il est possible d'en déduire l'état de santé du composant.By comparing these two parameters with threshold values, it is possible to deduce the state of health of the component.
Les publications citées ci-dessous décrivent des solutions de diagnostic de l'état de santé des composants semi-conducteurs employés dans un onduleur :The publications cited below describe solutions for diagnosing the state of health of semiconductor components used in an inverter:
J. Due, S. Munk-Nielsen, and R. Nielsen, “Lifetime investigation of high power IGBTmodules,”in Proc. 2011- 14th European Conférence on Power Electronics and Applications (EPE 2011), 2011, pp. 1-8.J. Due, S. Munk-Nielsen, and R. Nielsen, “Lifetime investigation of high power IGBTmodules,” in Proc. 2011- 14th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE 2011), 2011, pp. 1-8.
A. R. de Vega, P. Ghimire, K. B. Pedersen, I. Trintis, S. Beczckowski, S. Munk-Nielsen, B. Rannestad, and P. Thogersen, “Test setup for accelerated test of high power IGBT modules with online monitoring of Vce and Vf voltage during converter operation,” in Proc. 2014 International Power Electronics Conférence (IPEC-Hiroshima 2014-ECCE-ASIA), 2014, pp. 2547-2553.AR de Vega, P. Ghimire, KB Pedersen, I. Trintis, S. Beczckowski, S. Munk-Nielsen, B. Rannestad, and P. Thogersen, “Test setup for accelerated test of high power IGBT modules with online monitoring of Vce and Vf voltage during converter operation, ”in Proc. 2014 International Power Electronics Conference (IPEC-Hiroshima 2014-ECCE-ASIA), 2014, pp. 2547-2553.
B. Thollin, L. Dupont, Y. Avenas, J. C. Crebier, Z. Khatir and P. O. Jeannin, Numerical and Experimental Evaluation ofthe Microsecond Pulsed Heating Curve Technique Dedicated to Die Interconnection Characterization, IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, vol. 6, no. 6, pp.835-845, 2016.B. Thollin, L. Dupont, Y. Avenas, J. C. Crebier, Z. Khatir and P. O. Jeannin, Numerical and Experimental Evaluation ofthe Microsecond Pulsed Heating Curve Technique Dedicated to Die Interconnection Characterization, IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, vol. 6, no. 6, pp. 835-845, 2016.
Comme évoqué ci-dessus, certaines de ces solutions connues utilisent un banc de test adapté, ce qui oblige à stopper l'installation électrique et à retirer le composant semi-conducteur de l'installation pour le reconnecter sur le banc de test. Ce mode opératoire est donc peu pratique et nécessite du temps pour réaliser le diagnostic. Par ailleurs, elles ne tiennent pas forcément toutes compte de tous les paramètres de diagnostic décrits ci-dessus.As mentioned above, some of these known solutions use a suitable test bench, which makes it necessary to stop the electrical installation and to remove the semiconductor component from the installation in order to reconnect it to the test bench. This operating mode is therefore impractical and requires time to carry out the diagnosis. Furthermore, they do not necessarily take all of the diagnostic parameters described above into account.
Le but de l'invention est de proposer une solution pour réaliser un diagnostic de l'état de santé des composants semi-conducteurs qui composent un onduleur, qui soit facile à mettre en œuvre et qui permette de palier les inconvénients des solutions antérieures.The object of the invention is to provide a solution for diagnosing the state of health of the semiconductor components that make up an inverter, which is easy to implement and which makes it possible to overcome the drawbacks of the previous solutions.
Exposé de l'inventionStatement of the invention
Ce but est atteint par un procédé de diagnostic mis en œuvre dans un système de diagnostic en vue de suivre l'état de santé des composants semi-conducteurs employés dans au moins deux bras de commutation d'un onduleur placé dans une installation électrique, ladite installation électrique comportant des moyens de génération d'une tension continue, dite de production, appliquée en entrée dudit onduleur lors d'un mode de production dans lequel l'onduleur est commandé pour convertir ladite tension continue de production reçue en entrée en une tension alternative, ledit système de diagnostic comprenant une unité de traitement et de commande, le procédé comportant des étapes de :This object is achieved by a diagnostic method implemented in a diagnostic system with a view to monitoring the state of health of the semiconductor components employed in at least two switching arms of an inverter placed in an electrical installation, said electrical installation comprising means for generating a DC voltage, called production voltage, applied at the input of said inverter during a production mode in which the inverter is controlled to convert said DC production voltage received at input into an AC voltage , said diagnostic system comprising a processing and control unit, the method comprising steps of:
Emission par l'unité de traitement et de commande d'une première commande en déconnexion de l'onduleur en vue de supprimer ladite tension continue de production appliquée en entrée et stopper ledit mode de production,Transmission by the processing and control unit of a first command to disconnect the inverter with a view to eliminating said continuous production voltage applied at the input and stopping said production mode,
Emission par l'unité de traitement et de commande d'une deuxième commande configurée pour appliquer en entrée de l'onduleur une tension continue dite de diagnostic, distincte de ladite tension d'entrée de production, lors d'un mode de diagnostic.Transmission by the processing and control unit of a second command configured to apply a so-called diagnostic voltage at the input of the inverter, distinct from said production input voltage, during a diagnostic mode.
Selon une particularité, les moyens de génération de la tension continue de production comportent un convertisseur d'entrée de type AC/DC ou DC/DC comprenant plusieurs interrupteurs, ladite première commande en déconnexion étant appliquée auxdits interrupteurs du convertisseur d'entrée et configurée pour déconnecter ledit onduleur dudit convertisseur d'entrée, ladite deuxième commande étant appliquée auxdits interrupteurs du convertisseur d'entrée et configurée pour générer ladite tension continue de diagnostic.According to one particular feature, the means for generating the DC production voltage comprise an AC / DC or DC / DC type input converter comprising several switches, said first disconnection command being applied to said switches of the input converter and configured for disconnecting said inverter from said input converter, said second command being applied to said switches of the input converter and configured to generate said diagnostic DC voltage.
Selon une autre particularité, la première commande et la deuxième commande sont appliquées à des premiers moyens de commutation agencés pour connecter l'entrée de l'onduleur, soit auxdits moyens de génération de la tension continue de production, soit à une source de tension continue.According to another particular feature, the first command and the second command are applied to first switching means arranged to connect the input of the inverter, either to said means for generating the DC production voltage, or to a DC voltage source. .
Selon une autre particularité, la source de tension continue comporte un convertisseur de type AC/DC et une source d'alimentation électrique.According to another particular feature, the DC voltage source comprises an AC / DC type converter and an electrical power source.
Selon une autre particularité, la source d'alimentation électrique est formée du réseau électrique fournissant une tension alternative.According to another particular feature, the electrical power source is formed from the electrical network supplying an alternating voltage.
Selon une autre particularité, la source de tension continue à l'entrée de l'onduleur comporte au moins une batterie.According to another particular feature, the DC voltage source at the input of the inverter comprises at least one battery.
Selon un aspect particulier de l'invention, lors du mode de diagnostic, le procédé comporte des étapes de :According to a particular aspect of the invention, during the diagnostic mode, the method comprises steps of:
Détermination d'une valeur de résistance dynamique et d'une valeur d'impédance thermique d'un premier composant semi-conducteur dudit onduleur,Determination of a dynamic resistance value and a thermal impedance value of a first semiconductor component of said inverter,
Diagnostic de l'état de santé dudit premier composant semi-conducteur par une première comparaison de ladite valeur de résistance dynamique avec une première valeur seuil et par une deuxième comparaison de ladite valeur d'impédance thermique avec une deuxième valeur seuil.Diagnosis of the state of health of said first semiconductor component by a first comparison of said dynamic resistance value with a first threshold value and by a second comparison of said thermal impedance value with a second threshold value.
L'étape de détermination de la valeur de résistance dynamique dudit premier composant semi-conducteur de l'onduleur consiste à :The step of determining the dynamic resistance value of said first semiconductor component of the inverter consists in:
- Connecter une inductance entre lesdits au moins deux bras de l'onduleur,- Connect an inductor between said at least two arms of the inverter,
- Commander lesdits composants semi-conducteurs de l'onduleur pour réaliser, par application d'un courant, une charge de ladite inductance à travers ledit premier composant semi-conducteur suivie d'une décharge en roue libre de ladite inductance à travers ledit premier composant semiconducteur,- Control said semiconductor components of the inverter to carry out, by applying a current, a charge of said inductor through said first semiconductor component followed by a freewheeling discharge of said inductor through said first component semiconductor,
- Mesurer la tension aux bornes du premier composant semi-conducteur et le courant qui traverse ledit premier composant semi-conducteur à au moins deux instants distincts lors de ladite décharge en vue d'obtenir une première valeur de tension et une première valeur de courant à un premier instant et une deuxième valeur de tension et une deuxième valeur de courant à un deuxième instant,- Measure the voltage across the first semiconductor component and the current flowing through said first semiconductor component at least two separate times during said discharge in order to obtain a first voltage value and a first current value at a first instant and a second voltage value and a second current value at a second instant,
- Calculer la valeur de la résistance dynamique du premier composant semiconducteur à partir de la première valeur de tension, de la deuxième valeur de tension, de la première valeur de courant et de la deuxième valeur de courant.- Calculate the value of the dynamic resistance of the first semiconductor component from the first voltage value, the second voltage value, the first current value and the second current value.
L'étape de détermination de la valeur de l'impédance thermique du premier composant semi-conducteur consiste à :The step of determining the value of the thermal impedance of the first semiconductor component consists in:
- Connecter une inductance entre lesdits au moins deux bras de l'onduleur, Estimer la température dudit premier composant semiconducteur avant une phase de chauffage,- Connect an inductor between said at least two arms of the inverter, Estimate the temperature of said first semiconductor component before a heating phase,
- Commander lesdits composants semi-conducteurs de l'onduleur pour réaliser, par application d'un premier courant, une charge de ladite inductance à travers ledit premier composant semi-conducteur suivie d'une décharge en roue libre de ladite inductance à travers ledit premier composant semi-conducteur,- Controlling said semiconductor components of the inverter to achieve, by application of a first current, a charge of said inductor through said first semiconductor component followed by a freewheeling discharge of said inductor through said first semiconductor component,
- Mettre en oeuvre ladite phase de chauffage du premier composant semiconducteur pendant une durée déterminée, en réalisant plusieurs cycles, chaque cycle comprenant une charge et une décharge de ladite inductance,- Implementing said heating phase of the first semiconductor component for a determined period, by carrying out several cycles, each cycle comprising a charge and a discharge of said inductance,
- A l'issue de ladite durée déterminée, mettre en oeuvre une phase de refroidissement du premier composant semi-conducteur par déconnexion de ladite inductance et connexion d'une source de courant configurée pour fournir un deuxième courant, plus faible que ledit premier courant, à travers ledit premier composant semi-conducteur,- At the end of said determined duration, implementing a cooling phase of the first semiconductor component by disconnecting said inductor and connecting a current source configured to supply a second current, lower than said first current, through said first semiconductor component,
- Mesurer la tension aux bornes du premier composant semi-conducteur pendant la phase de chauffage et pendant la phase de refroidissement, Déterminer la valeur de température de jonction du premier composant semi-conducteur à l'issue de ladite phase de chauffage,- Measure the voltage across the first semiconductor component during the heating phase and during the cooling phase, Determine the junction temperature value of the first semiconductor component at the end of said heating phase,
Déterminer l'impédance thermique du premier composant semi-conducteur à partir de ladite valeur de température de jonction avant ladite phase de chauffage, de ladite deuxième valeur de température de jonction à l’issue de la phase de chauffage et d'une puissance moyenne dissipée par ledit premier composant pendant la phase de chauffage du premier composant semi-conducteur.Determine the thermal impedance of the first semiconductor component from said junction temperature value before said heating phase, from said second junction temperature value after the heating phase and from an average power dissipated by said first component during the heating phase of the first semiconductor component.
L'invention concerne également un système de diagnostic configuré pour suivre l'état de santé des composants semi-conducteurs employés dans au moins deux bras de commutation d'un onduleur placé dans une installation électrique, ladite installation électrique comportant des moyens de génération d'une tension continue, dite de production, appliquée en entrée dudit onduleur lors d'un mode de production dans lequel l'onduleur est commandé pour convertir ladite tension continue de production reçue en entrée en une tension alternative, ledit système de diagnostic comprenant une unité de traitement et de commande, ledit système comportant :The invention also relates to a diagnostic system configured to monitor the state of health of the semiconductor components used in at least two switching arms of an inverter placed in an electrical installation, said electrical installation comprising means for generating a DC voltage, called production voltage, applied to the input of said inverter during a production mode in which the inverter is controlled to convert said DC production voltage received at input into an AC voltage, said diagnostic system comprising a processing and control, said system comprising:
Un module de diagnostic configuré pour être exécuté par ladite unité de traitement et de commande,A diagnostic module configured to be executed by said processing and control unit,
Un premier module de commande exécuté par ledit module de diagnostic et configuré pour commander une déconnexion de l'onduleur en vue de supprimer ladite tension continue de production appliquée en entrée et stopper ledit mode de production et pour appliquer en entrée de l'onduleur une tension continue dite de diagnostic, distincte de ladite tension d'entrée de production, lors d'un mode de diagnostic.A first control module executed by said diagnostic module and configured to command a disconnection of the inverter in order to suppress said continuous production voltage applied at input and stop said production mode and to apply a voltage at input of the inverter continuous so-called diagnostic, distinct from said production input voltage, during a diagnostic mode.
Selon une particularité, les moyens de génération de la tension continue de production comportent un convertisseur d'entrée de type AC/DC ou DC/DC comprenant plusieurs interrupteurs, ledit premier module de commande étant configuré pour commander lesdits interrupteurs du convertisseur d'entrée pour déconnecter ledit onduleur dudit convertisseur d'entrée et pour générer ladite tension continue de diagnostic.According to a particular feature, the means for generating the DC production voltage comprise an AC / DC or DC / DC type input converter comprising several switches, said first control module being configured to control said switches of the input converter for disconnect said inverter from said input converter and to generate said diagnostic DC voltage.
Selon une autre particularité, le système comporte des premiers moyens de commutation agencés pour connecter l'entrée de l'onduleur soit auxdits moyens de génération de la tension continue de production soit à une source de tension continue.According to another particular feature, the system comprises first switching means arranged to connect the input of the inverter either to said means for generating the DC production voltage or to a DC voltage source.
Selon une autre particularité, la source de tension continue comporte un convertisseur de type AC/DC et une source d'alimentation électrique.According to another particular feature, the DC voltage source comprises an AC / DC type converter and an electrical power source.
Selon une autre particularité, la source d'alimentation électrique est formée du réseau électrique fournissant une tension alternative.According to another particular feature, the electrical power source is formed from the electrical network supplying an alternating voltage.
Selon une autre particularité, la source de tension continue à l'entrée de l'onduleur comporte une batterie.According to another particular feature, the DC voltage source at the input of the inverter comprises a battery.
Selon une autre particularité, le système comporte une inductance et une source de courant et des deuxièmes moyens de commutation agencés pour connecter lesdits au moins deux bras de commutation de l'onduleur, soit à ladite inductance, soit à ladite source de courant.According to another particular feature, the system comprises an inductor and a current source and second switching means arranged to connect said at least two switching arms of the inverter, either to said inductor or to said current source.
Selon une autre particularité, le système comporte un deuxième module de commande exécuté par ledit module de diagnostic et configuré pour commander lesdits deuxièmes moyens de commutation.In another feature, the system includes a second control module executed by said diagnostic module and configured to control said second switching means.
Selon une autre particularité, le système comporte un troisième module de commande exécuté par ledit module de diagnostic et configuré pour commander lesdits composants semi-conducteurs de l'onduleur pour réaliser, par application d'un courant, une charge de ladite inductance à travers ledit premier composant semi-conducteur suivie d'une décharge en roue libre de ladite inductance à travers ledit premier composant semi-conducteur.According to another particular feature, the system comprises a third control module executed by said diagnostic module and configured to control said semiconductor components of the inverter to carry out, by application of a current, a charge of said inductance through said first semiconductor component followed by freewheeling discharge of said inductor through said first semiconductor component.
Selon un aspect particulier de l'invention :According to a particular aspect of the invention:
Ledit module de diagnostic est configuré pour déterminer une valeur de résistance dynamique et une valeur d'impédance thermique d'un premier composant semi-conducteur dudit onduleur,Said diagnostic module is configured to determine a dynamic resistance value and a thermal impedance value of a first semiconductor component of said inverter,
Ledit module de diagnostic est configuré pour effectuer une première comparaison de ladite valeur de résistance dynamique obtenue avec une première valeur seuil et par une deuxième comparaison de ladite valeur d'impédance thermique obtenue avec une deuxième valeur seuil.Said diagnostic module is configured to perform a first comparison of said dynamic resistance value obtained with a first threshold value and by a second comparison of said thermal impedance value obtained with a second threshold value.
Selon une autre particularité, le système comporte un premier module d'acquisition de la tension aux bornes du premier composant semi-conducteur et un deuxième module d'acquisition du courant qui traverse ledit premier composant semiconducteur, ledit premier module d'acquisition et ledit deuxième module d'acquisition étant configurés pour obtenir une première valeur de tension et une première valeur de courant à un premier instant et une deuxième valeur de tension et une deuxième valeur de courant à un deuxième instant lors d'une décharge de ladite inductance.According to another particularity, the system comprises a first module for acquiring the voltage across the terminals of the first semiconductor component and a second module for acquiring the current which passes through said first semiconductor component, said first acquisition module and said second acquisition module being configured to obtain a first voltage value and a first current value at a first instant and a second voltage value and a second current value at a second instant during a discharge of said inductance.
Selon une autre particularité, le système comporte un module de calcul de la valeur de la résistance dynamique du premier composant semi-conducteur à partir de la première valeur de tension, de la deuxième valeur de tension, de la première valeur de courant et de la deuxième valeur de courant.According to another particularity, the system comprises a module for calculating the value of the dynamic resistance of the first semiconductor component from the first voltage value, the second voltage value, the first current value and the second current value.
Selon une autre particularité, le module de diagnostic est configuré pour : Déterminer une première valeur de température de jonction du premier composant semi-conducteur avant une phase de chauffage dudit composant,According to another particular feature, the diagnostic module is configured to: Determine a first junction temperature value of the first semiconductor component before a heating phase of said component,
Exécuter le troisième module de commande afin de mettre en oeuvre ladite phase de chauffage du premier composant semi-conducteur pendant une durée déterminée, en réalisant plusieurs cycles, chaque cycle comprenant une charge et une décharge de ladite inductance,Execute the third control module in order to implement said heating phase of the first semiconductor component for a determined period, by carrying out several cycles, each cycle comprising a charge and a discharge of said inductance,
- A l'issue de ladite durée déterminée, exécuter le troisième module de commande pour mettre en oeuvre une phase de refroidissement du premier composant semi-conducteur par déconnexion de ladite inductance et connexion de ladite source de courant configurée pour fournir un deuxième courant, plus faible que ledit premier courant, à travers ledit premier composant semi-conducteur,- At the end of said fixed duration, execute the third control module to implement a cooling phase of the first semiconductor component by disconnecting said inductor and connecting said current source configured to supply a second current, more weaker than said first current, through said first semiconductor component,
Déterminer une deuxième valeur de température de jonction du premier composant semi-conducteur à l'issue de ladite phase de chauffage, Déterminer l'impédance thermique du premier composant semi-conducteur à partir de ladite première valeur température de jonction, de ladite deuxième valeur de température de jonction et d'une puissance moyenne dissipée par ledit premier composant pendant la phase de chauffage du premier composant semi-conducteur.Determining a second junction temperature value of the first semiconductor component at the end of said heating phase, Determining the thermal impedance of the first semiconductor component from said first junction temperature value, of said second value of junction temperature and an average power dissipated by said first component during the heating phase of the first semiconductor component.
Brève description des figuresBrief description of the figures
D'autres caractéristiques et avantages vont apparaître dans la description détaillée qui suit faite en regard des dessins annexés dans lesquels :Other characteristics and advantages will appear in the following detailed description given with reference to the appended drawings in which:
La figure 1 représente de manière schématique un onduleur de type monophasé ;Figure 1 shows schematically a single-phase type inverter;
La figure 2 représente de manière schématique le système de diagnostic de l'invention appliqué à un onduleur ;FIG. 2 schematically represents the diagnostic system of the invention applied to an inverter;
Les figures 3A à 3C représentent trois configurations distinctes du système de diagnostic de l'invention employé dans une installation électrique ;FIGS. 3A to 3C represent three distinct configurations of the diagnostic system of the invention used in an electrical installation;
Les figures 4A à 4E illustrent les différentes configurations de fonctionnement de l'onduleur lors d'une séquence de diagnostic d'un composant semi-conducteur de l'onduleur ;FIGS. 4A to 4E illustrate the different operating configurations of the inverter during a diagnostic sequence of a semiconductor component of the inverter;
La figure 5 représente deux courbes montrant la variation du courant à travers un composant semi-conducteur de l'onduleur pendant la séquence de diagnostic et de variation de la tension à ses bornes ;FIG. 5 represents two curves showing the variation of the current through a semiconductor component of the inverter during the diagnostic sequence and of variation of the voltage across its terminals;
La figure 6 illustre le principe de détermination de la tension Vceend aux bornes d'un composant semi-conducteur de type transistor IGBT pendant la séquence de diagnostic ;FIG. 6 illustrates the principle of determining the voltage V ceend at the terminals of a semiconductor component of the IGBT transistor type during the diagnostic sequence;
La figure 7 représente un exemple de courbe de variation de la température de jonction d'un composant semi-conducteur de type transistor IGBT de l'onduleur en fonction de la tension Vce à ses bornes ;FIG. 7 represents an example of a variation curve of the junction temperature of a semiconductor component of the IGBT transistor type of the inverter as a function of the voltage V ce at its terminals;
Description détaillée d'au moins un mode de réalisationDetailed description of at least one embodiment
En référence à la figure 1, un onduleur 1, appelé également convertisseur DC/AC comporte les caractéristiques suivantes :With reference to FIG. 1, an inverter 1, also called a DC / AC converter, has the following characteristics:
Plusieurs bras de commutation 10, 11 en parallèle ;Several switching arms 10, 11 in parallel;
- Chaque bras de commutation 10, 11 comporte au moins deux modules de puissance, connectés entre eux par un point milieu de connexion et commandés en complémentaire ; chaque point milieu de connexion est connectée sur une phase de sortie ;- Each switching arm 10, 11 comprises at least two power modules, connected to each other by a connection midpoint and controlled in addition; each connection midpoint is connected to an output phase;
L'onduleur 1 peut être de type monophasé et il comporte alors deux bras de commutation ou triphasé et il comporte alors trois bras de commutation ;The inverter 1 can be of the single-phase type and it then comprises two switching arms or three-phase and it then comprises three switching arms;
- Chaque module de puissance comporte des composants semiconducteurs, c'est-à-dire un transistor (T1 à T4 pour un onduleur monophasé) et une diode (D1 à D4) ;- Each power module includes semiconductor components, that is to say a transistor (T1 to T4 for a single-phase inverter) and a diode (D1 to D4);
Le transistor peut être de tous types tels que par exemple de type IGBT, MOSFET, JFET,...The transistor can be of all types such as for example of the IGBT, MOSFET, JFET type, etc.
Une tension continue Vdc est appliquée en entrée de l'onduleur 1, aux bornes de chaque bras de commutation ;A direct voltage Vdc is applied at the input of the inverter 1, at the terminals of each switching arm;
Les transistors de l'onduleur sont commandés à l'état passant ou à l'état bloqué pour convertir la tension continue Vdc reçue en entrée en une tension alternative ;The transistors of the inverter are controlled in the on state or in the off state to convert the DC voltage Vdc received at input into an AC voltage;
Une unité de traitement et de commande UC est chargée de commander les transistors entre leurs deux états de manière adaptée pour fournir la tension alternative voulue en sortie ;A processing and control unit UC is responsible for controlling the transistors between their two states in a manner suitable for supplying the desired alternating voltage at the output;
Pour la suite de la description, on définit l'entrée de l'onduleur 1 comme située du côté DC et la sortie de l'onduleur 1 comme située du côté AC.For the rest of the description, the input of inverter 1 is defined as located on the DC side and the output of inverter 1 as located on the AC side.
De manière non limitative et à titre d'exemple, un tel onduleur 1 peut être employé dans une installation électrique telle qu'une installation de production électrique employant des modules photovoltaïques ou une éolienne, une installation de commande d'un moteur électrique, l'onduleur étant alors intégré à un variateur de vitesse, une installation de type alimentation sécurisée (appelée également UPS).Without limitation, by way of example, such an inverter 1 can be used in an electrical installation such as an electrical production installation employing photovoltaic modules or a wind turbine, an installation for controlling an electric motor, the the inverter then being integrated into a variable speed drive, a secure power supply type installation (also called UPS).
Selon son application, cet onduleur 1 pourra être un redresseur actif par exemple employé dans un mode de régénération d'électricité vers le réseau électrique lors du freinage d'un moteur électrique.Depending on its application, this inverter 1 could be an active rectifier, for example used in a mode of regeneration of electricity to the electrical network when braking an electric motor.
Dans la suite de la description, de manière non limitative, on considérera que les transistors employés dans l'onduleur 1 sont de type IGBT.In the following description, without limitation, it will be considered that the transistors used in the inverter 1 are of the IGBT type.
Pour la suite de la description, on définit une tension continue, dite de production Vdc_p, reçue en entrée de l'onduleur dans son mode de fonctionnement normal, appelé mode de production. Cette tension continue de production est générée par des moyens de génération de l'installation. Ces moyens de génération de la tension continue de production peuvent comporter un convertisseur 2 de type DC/DC ou AC/DC connectée à une source d'alimentation électrique et un bus continu d'alimentation placé entre le convertisseur des moyens de génération et l'onduleur. Le bus continu d'alimentation comporte deux lignes d'alimentation connectées à l'entrée de l'onduleur et un condensateur de bus Cbus connecté entre les deux lignes d'alimentation pour stabiliser la tension continue appliquée entre les deux lignes.For the remainder of the description, a DC voltage, called the production voltage Vdc_p, is received at the input of the inverter in its normal operating mode, called the production mode. This continuous production voltage is generated by means of generating the installation. These means for generating the DC production voltage may include a converter 2 of the DC / DC or AC / DC type connected to an electrical power source and a DC power bus placed between the converter of the generation means and the inverter. The DC power bus has two power lines connected to the input of the inverter and a Cbus bus capacitor connected between the two power lines to stabilize the DC voltage applied between the two lines.
L'invention vise à proposer un système de diagnostic de l'état de santé des composants semi-conducteurs d'un onduleur. Ce système de diagnostic est configuré pour mettre en oeuvre un procédé de diagnostic de l'état de santé des composants semiconducteurs de l'onduleur 1 lors d'un mode de diagnostic, différent dudit mode de production. La solution de l'invention est adaptée pour fonctionner directement sur site, c'est-à-dire qu'elle ne nécessite pas de retirer l'onduleur pour le placer sur un banc de test. De plus, elle peut être mise en oeuvre en ajoutant peu de matériels supplémentaires.The invention aims to propose a system for diagnosing the state of health of the semiconductor components of an inverter. This diagnostic system is configured to implement a method for diagnosing the state of health of the semiconductor components of the inverter 1 during a diagnostic mode, different from said production mode. The solution of the invention is suitable for operating directly on site, that is to say that it does not require removing the inverter to place it on a test bench. In addition, it can be implemented by adding few additional materials.
En référence à la figure 2, le système de diagnostic de l'invention comporte une unité de traitement et de commande UC. Cette unité de traitement et de commande UC pourra être identique à celle employée pour la commande de l'onduleur 1 dans son fonctionnement normal.With reference to FIG. 2, the diagnostic system of the invention comprises a processing and control unit UC. This processing and control unit UC may be identical to that used for controlling the inverter 1 in its normal operation.
L'unité de traitement et de commande UC comporte plusieurs modules configurés pour la mise en oeuvre du procédé de diagnostic.The processing and control unit UC comprises several modules configured for the implementation of the diagnostic method.
L'unité de traitement et de commande comporte un module de diagnostic Mdiag configuré pour mettre en oeuvre le diagnostic de chaque composant semi-conducteur de l'onduleur 1, ce module étant configuré pour déterminer des paramètres représentatifs de l'état de santé du composant semi-conducteur visé et réaliser le suivi de ces paramètres.The processing and control unit comprises a diagnostic module Mdiag configured to implement the diagnosis of each semiconductor component of the inverter 1, this module being configured to determine parameters representative of the state of health of the component target semiconductor and monitor these parameters.
L'unité de traitement et de commande UC comporte un premier module de commande Mcd_1 exécuté par le module de diagnostic Mdiag et configuré pour commander une application de la tension continue de production Vdc_p en entrée de l'onduleur 1 ou d'une tension continue, dite de diagnostic Vdc_d en entrée de l'onduleur. La tension continue de diagnostic Vdc_d est très inférieure à la tension continue de production. La tension continue de production Vdc_p pourra être choisie dans un intervalle allant de quelques dizaines de Volts à quelques kilovolts.The processing and control unit UC comprises a first control module Mcd_1 executed by the diagnostic module Mdiag and configured to command an application of the DC production voltage Vdc_p at the input of the inverter 1 or of a DC voltage, so-called diagnostic Vdc_d at the input of the inverter. The DC diagnostic voltage Vdc_d is much lower than the DC production voltage. The DC production voltage Vdc_p can be chosen in an interval ranging from a few tens of Volts to a few kilovolts.
L'unité de traitement et de commande UC peut comporter un premier module d'acquisition Macq_1 du courant i qui traverse chaque module de puissance de l'onduleur.The processing and control unit UC can comprise a first acquisition module Macq_1 of the current i which passes through each power module of the inverter.
L'unité de traitement et de commande UC peut comporter un deuxième module d'acquisition Macq_2 de la tension (Vce ou Vf) aux bornes de chaque composant semiconducteur de l'onduleur.The processing and control unit UC can comprise a second module for acquiring the voltage Macq_2 (Vce or Vf) at the terminals of each semiconductor component of the inverter.
L'unité de traitement et de commande peut comporter un deuxième module de commande Mcd_2 exécuté par le module de diagnostic Mdiag pour commander l'application d'un courant faible ou d'un courant fort à travers un composant semiconducteur de l'onduleur lors d'une séquence de diagnostic de ce composant. De manière non limitative, le courant faible pourra être choisi compris entre quelques milliampères et quelques centaines de milliampères (par exemple 100mA dans la description ci-dessous) et le courant fort pourra être choisi dans un intervalle de quelques ampères à quelques centaines d'ampères. On aura avantageusement au moins un rapport de dix entre les deux courants appliqués.The processing and control unit may include a second control module Mcd_2 executed by the diagnostic module Mdiag to control the application of a low current or a high current through a semiconductor component of the inverter during 'a diagnostic sequence for this component. Without limitation, the low current can be chosen to be between a few milliamps and a few hundred milliamps (for example 100mA in the description below) and the high current can be chosen in the range from a few amps to a few hundred amps . Advantageously, there will be at least a ratio of ten between the two applied currents.
L'unité de traitement et de commande UC peut comporter un troisième module de commande Mcd_3 exécuté par le module de diagnostic Mdiag pour commander les transistors (T1 à T4) de l'onduleur 1 de manière adaptée lors de la séquence de diagnostic. Ce module de commande Mcd_3 est configuré pour envoyer les ordres de commande aux unités de pilotage des transistors afin de mettre chaque bras de commutation 10, 11 dans un état donné. La séquence de commande mise en oeuvre lors de la séquence de diagnostic sera explicitée ci-après.The processing and control unit UC can comprise a third control module Mcd_3 executed by the diagnostic module Mdiag to control the transistors (T1 to T4) of the inverter 1 in an appropriate manner during the diagnostic sequence. This control module Mcd_3 is configured to send control orders to the control units of the transistors in order to put each switching arm 10, 11 in a given state. The command sequence implemented during the diagnostic sequence will be explained below.
A partir de ce système, plusieurs configurations peuvent être envisagées pour mettre en oeuvre le mode de diagnostic.From this system, several configurations can be envisaged to implement the diagnostic mode.
Pour l'application de la tension continue de diagnostic Vdc_d, plusieurs solutions sont envisageables :For the application of the DC diagnostic voltage Vdc_d, several solutions are possible:
En référence à la figure 3A, le système de diagnostic peut s'appuyer sur les moyens de génération de la tension continue qui sont déjà présents dans l'installation pour générer la tension continue de production Vdc_p. Le premier module de commande Mcd_1 est alors configuré pour envoyer des ordres de commande aux transistors du convertisseur d'entrée 2 et régler le rapport cyclique de commutation pour adapter sa tension de sortie afin que celle-ci ne soit plus égale à la tension continue de production Vdc_p mais à la tension continue de diagnostic Vdc_d. Dans ce cas, il sera nécessaire d'alimenter le convertisseur d'entrée. La source pourra être le réseau électrique ou un panneau photo voltaïque si l'installation électrique est une installation de production électrique de type photovoltaïque. Dans ce dernier cas, il faudra tout de même que le panneau photo voltaïque soit éclairé pour produire de l'électricité.With reference to FIG. 3A, the diagnostic system can rely on the means for generating the DC voltage which are already present in the installation to generate the DC production voltage Vdc_p. The first control module Mcd_1 is then configured to send control orders to the transistors of the input converter 2 and adjust the switching duty cycle to adapt its output voltage so that it is no longer equal to the DC voltage of production Vdc_p but at the DC diagnostic voltage Vdc_d. In this case, it will be necessary to supply the input converter. The source could be the electrical network or a photovoltaic panel if the electrical installation is an installation of electrical production of photovoltaic type. In the latter case, the photo voltaic panel will still have to be lit to generate electricity.
En référence aux figures 3B et 3C, le système de diagnostic peut comporter une source de tension continue spécifique pour le diagnostic. La source de la tension continue de diagnostic Vdc_d peut comporter une batterie connectée sur l'entrée de l'onduleur, en parallèle du condensateur de bus (figure 3C). La batterie peut être chargée lors du fonctionnement de l'installation électrique en mode de production. La source de tension continue de diagnostic peut également comporter un convertisseur 3 de typeWith reference to FIGS. 3B and 3C, the diagnostic system may include a specific DC voltage source for the diagnosis. The source of the DC diagnostic voltage Vdc_d may include a battery connected to the input of the inverter, in parallel with the bus capacitor (Figure 3C). The battery can be charged during the operation of the electrical installation in production mode. The DC diagnostic source may also include a converter 3 of the type
AC/DC connecté à une source d'alimentation électrique fournissant une tension alternative (figure 3B). Cette source de tension alternative peut être le réseau électrique.AC / DC connected to an electrical power source providing an alternating voltage (Figure 3B). This alternative voltage source can be the electrical network.
Le système de diagnostic peut comporter des premiers moyens de commutation S1 agencés entre l'entrée de l'onduleur 1 et les moyens de génération de la tension continue de production Vdc_p et les moyens de génération de la tension continue de diagnostic Vdc_d. Ces premiers moyens de commutation S1 sont agencés pour connecter l'entrée de l'onduleur, soit aux moyens de génération de la tension continue de production lors du mode de production soit à la source fournissant la tension continue de diagnostic.The diagnostic system may include first switching means S1 arranged between the input of the inverter 1 and the means for generating the DC production voltage Vdc_p and the means for generating the DC diagnostic voltage Vdc_d. These first switching means S1 are arranged to connect the input of the inverter, either to the means for generating the DC production voltage during the production mode or to the source providing the DC diagnostic voltage.
Le système de diagnostic peut comporter des deuxièmes moyens de commutation S2 agencés entre le réseau électrique 4 et le convertisseur AC/DC 3 (figure 3B).The diagnostic system may include second switching means S2 arranged between the electrical network 4 and the AC / DC converter 3 (FIG. 3B).
Pour l'application du courant faible ou du courant fort, les solutions ci-dessous sont envisageables :For the application of weak current or strong current, the solutions below are possible:
Le système de diagnostic peut comporter au moins une inductance L destinée à être connectée entre les points milieu de deux bras de commutation 10, 11 de l'onduleur lors du diagnostic sur l'état de santé d'un composant semi-conducteur présent dans l'un de ces deux bras. L'application de la tension continue de diagnostic Vdc_p et les ordres de commande sur les transistors permettent de générer la création du courant fort dans les composants et dans l’inductance pendant des temps déterminés par l’utilisateur.The diagnostic system may comprise at least one inductor L intended to be connected between the midpoints of two switching arms 10, 11 of the inverter during the diagnosis on the state of health of a semiconductor component present in the 'one of these two arms. The application of the DC diagnostic voltage Vdc_p and the control commands on the transistors make it possible to generate the creation of strong current in the components and in the inductor for times determined by the user.
En parallèle de ladite inductance, le système de diagnostic peut comporter au moins une source de courant SC de faible valeur, destinée à être connectée entre les points milieu de connexion des deux bras de commutation 10, 11 de l'onduleur 1 lors du diagnostic sur l'état de santé d'un composant semi-conducteur présent dans l'un de ces deux bras. Cette source de courant SC peut être réalisée selon différentes solutions. La source de courant SC peut être générée de manière indépendante de la tension continue de diagnostic Vdc_d appliquée en entrée de l'onduleur. La source de courant SC peut être générée à partir de la tension continue de diagnostic Vdc_d appliquée en entrée de l'onduleur. Dans la suite de la description et de manière non limitative, on considérera que la source de courant est créée à partir de la tension continue de diagnostic Vdc_d appliquée en entrée de l'onduleur.In parallel with said inductor, the diagnostic system may comprise at least one low-value current source SC, intended to be connected between the midpoints of connection of the two switching arms 10, 11 of the inverter 1 during the diagnosis on the state of health of a semiconductor component present in one of these two arms. This current source SC can be produced according to different solutions. The current source SC can be generated independently of the DC diagnostic voltage Vdc_d applied at the input of the inverter. The current source SC can be generated from the DC diagnostic voltage Vdc_d applied at the input of the inverter. In the following description, and in a nonlimiting manner, it will be considered that the current source is created from the DC diagnostic voltage Vdc_d applied at the input of the inverter.
Le système de diagnostic comporte des troisièmes moyens de commutation S3 agencés pour connecter auxdits deux bras de commutation ladite inductance L ou ladite source de courant SC lors du diagnostic, afin de faire circuler un courant fort ou un courant faible dans les composants semi-conducteurs de l'onduleur.The diagnostic system comprises third switching means S3 arranged to connect said inductance L or said current source SC during said diagnosis to said two switching arms, in order to circulate a strong current or a weak current in the semiconductor components of the inverter.
En référence aux figures 3A à 3C, l'installation électrique peut comporter un filtre connecté sur la sortie de l'onduleur 1, comprenant au moins une inductance L1, L2, L3 connectée sur chaque phase de sortie de l'onduleur 1. Le système de diagnostic peut alors comporter des quatrièmes moyens de commutation S4 agencés pour déconnecter le filtre de l'installation et connecter lesdites inductances entre elles, de manière à former l'inductance L qui est employée dans le mode de diagnostic. Pour un onduleur 1 à trois phases de sortie, chaque bras de commutation se trouve alors connecté par son point de milieu de connexion au point milieu de connexion de chacun des deux autres bras de commutation à travers deux inductances en série.With reference to FIGS. 3A to 3C, the electrical installation may include a filter connected to the output of the inverter 1, comprising at least one inductance L1, L2, L3 connected to each output phase of the inverter 1. The system diagnostic may then include fourth switching means S4 arranged to disconnect the filter from the installation and connect said inductors therebetween, so as to form the inductor L which is used in the diagnostic mode. For an inverter 1 with three output phases, each switching arm is then connected by its midpoint of connection to the midpoint of connection of each of the other two switching arms through two inductors in series.
Selon la configuration qui est adoptée, le premier module de commande Mcd_1 de l'unité de traitement et de commande UC est configuré pour commander les premiers moyens de commutation S1 et les deuxièmes moyens de commutation S2.According to the configuration which is adopted, the first control module Mcd_1 of the processing and control unit UC is configured to control the first switching means S1 and the second switching means S2.
De même, le deuxième module de commande Mcd_2 de l'unité de traitement et de commande UC est configuré pour commander les troisièmes moyens de commutation S3 et les quatrièmes moyens de commutation S4.Likewise, the second control module Mcd_2 of the processing and control unit UC is configured to control the third switching means S3 and the fourth switching means S4.
Le système de diagnostic peut comporter un capteur de mesure du courant qui est par exemple agencé au niveau de l’inductance et un capteur de mesure de la tension aux bornes de chaque composant semi-conducteur de l'onduleur.The diagnostic system may include a current measurement sensor which is for example arranged at the inductance and a voltage measurement sensor at the terminals of each semiconductor component of the inverter.
Le premier module d'acquisition Macq_1 et le deuxième module d'acquisition Mac_2 de l'unité de traitement et de commande UC sont connectés aux capteurs en vue de recevoir les données de mesure de courant et de tension.The first acquisition module Macq_1 and the second acquisition module Mac_2 of the processing and control unit UC are connected to the sensors in order to receive the current and voltage measurement data.
De manière non limitative et plus précise, les figures 3A à 3C illustrent ainsi trois configurations distinctes du système de diagnostic, employées dans une installation électrique de type production électrique via des panneaux photovoltaïques PV. Ce type d'installation électrique comporte des moyens de génération électrique qui comportent en entrée un convertisseur de type DC/DC permettant de convertir la tension continue fournie par un panneau photovoltaïque en la tension continue de production Vdc_p sur le bus continu d'alimentation. L'onduleur 1 est connecté au bus continu d'alimentation pour recevoir la tension continue de production Vdc_p. Un filtre est connecté à la sortie de l'onduleur 1. Ce filtre peut être composé de plusieurs inductances, une inductance distincte étant connectée en série sur chaque phase de sortie. La sortie de l'onduleur 1 est connectée au réseau électrique 4 via ledit filtre.In a nonlimiting and more precise manner, FIGS. 3A to 3C thus illustrate three distinct configurations of the diagnostic system, used in an electrical installation of the electrical production type via photovoltaic PV panels. This type of electrical installation includes electrical generation means which include at the input a DC / DC type converter making it possible to convert the direct voltage supplied by a photovoltaic panel into the direct production voltage Vdc_p on the direct supply bus. The inverter 1 is connected to the DC supply bus to receive the DC production voltage Vdc_p. A filter is connected to the output of the inverter 1. This filter can be composed of several inductors, a separate inductor being connected in series on each output phase. The output of the inverter 1 is connected to the electrical network 4 via said filter.
Figure 3AFigure 3A
Cette première configuration s'appuie directement sur le convertisseur DC/DC 2 placé en entrée de l'installation pour générer la tension continue de diagnostic Vdc_d à appliquer en entrée de l'onduleur 1 lors du diagnostic sur l'état de santé d'un composant semi-conducteur de l'onduleur 1. Le premier module de commande Mcd_1 de l'unité de traitement et de commande UC génère les ordres de commande adaptés pour commander le convertisseur DC/DC et règle le rapport cyclique de manière à obtenir la tension continue de diagnostic Vdc_d.This first configuration is based directly on the DC / DC converter 2 placed at the input of the installation to generate the DC diagnostic voltage Vdc_d to be applied at the input of the inverter 1 during the diagnostic on the state of health of a semiconductor component of the inverter 1. The first control module Mcd_1 of the processing and control unit UC generates the control orders suitable for controlling the DC / DC converter and regulates the duty cycle so as to obtain the voltage continuous diagnostic Vdc_d.
Le système de diagnostic comporte lesdits quatrièmes moyens de commutation S4 commandés par le deuxième module de commande et agencés pour former l'inductance.The diagnostic system comprises said fourth switching means S4 controlled by the second control module and arranged to form the inductance.
Le système de diagnostic comporte également les troisièmes moyens de commutation S3 agencés pour commuter entre l'application d'un courant fort ou l'application d'un courant faible lors de la séquence de diagnostic d'un composant. Ces troisièmes moyens de commutation ainsi que la source de courant SC ne sont pas représentés sur cette figure 3A.The diagnostic system also includes the third switching means S3 arranged to switch between the application of a high current or the application of a low current during the diagnostic sequence of a component. These third switching means and the current source SC are not shown in this FIG. 3A.
Figure 3BFigure 3B
Dans cette deuxième configuration, le système de diagnostic comporte un convertisseur 3 de type AC/DC pour générer la tension continue de diagnostic en entrée de l'onduleur. Ce convertisseur est connecté au réseau électrique 4 via les deuxièmes moyens de commutation S2 et à l'entrée de l'onduleur 1, en parallèle du bus continu d'alimentation, via les premiers moyens de commutation S1. Le premier module de commande Mcd_1 est adapté pour commander les premiers moyens de commutation S1 afin de connecter ou déconnecter ce convertisseur 3 à l'entrée de l'onduleur 1 et sélectionner ainsi entre le mode de production ou le mode de diagnostic, les deuxièmes moyens de commutation S2, et pour commander le convertisseur 3 afin d'obtenir la tension continue de diagnostic Vdc_d.In this second configuration, the diagnostic system includes a converter 3 of AC / DC type to generate the DC diagnostic voltage at the input of the inverter. This converter is connected to the electrical network 4 via the second switching means S2 and to the input of the inverter 1, in parallel with the direct supply bus, via the first switching means S1. The first control module Mcd_1 is adapted to control the first switching means S1 in order to connect or disconnect this converter 3 to the input of the inverter 1 and thus select between the production mode or the diagnostic mode, the second means S2, and to control the converter 3 in order to obtain the DC diagnostic voltage Vdc_d.
Le système de diagnostic comporte également lesdits quatrièmes moyens de commutation S4 commandés par le deuxième module de commande Mcd_2 et agencés pour former l'inductance L.The diagnostic system also includes said fourth switching means S4 controlled by the second control module Mcd_2 and arranged to form the inductor L.
Le système de diagnostic comporte également les troisièmes moyens de commutation S3 agencés pour commuter entre l'application d'un courant fort ou l'application d'un courant faible lors de la séquence de diagnostic d'un composant. Ces troisièmes moyens de commutation S3 ainsi que la source de courant SC ne sont pas représentés sur cette figure 3B.The diagnostic system also includes the third switching means S3 arranged to switch between the application of a high current or the application of a low current during the diagnostic sequence of a component. These third switching means S3 as well as the current source SC are not shown in this FIG. 3B.
Figure 3CFigure 3C
Dans cette troisième configuration, le convertisseur de type AC/DC de la deuxième configuration est remplacé par une batterie BATT connectée en parallèle du condensateur de bus Cbus et sélectionnée via les premiers moyens de commutation S1 lors du passage en mode de diagnostic. La batterie BATT est configurée et dimensionnée pour générer une tension égale à la tension continue de diagnostic Vdc_d. Les premiers moyens de commutation S1 sont agencés pour connecter l'entrée de l'onduleur 1 soit au bus continu d'alimentation pour recevoir la tension continue de production Vdc_p lors du mode de production, soit à la batterie BATT pour recevoir la tension continue de diagnostic Vdc_d lors du mode de diagnostic. Dans cette dernière configuration, la tension Vdc_d sera égale à la tension Vdc_p lors de la charge de la batterie BATT.In this third configuration, the AC / DC type converter of the second configuration is replaced by a BATT battery connected in parallel with the bus capacitor Cbus and selected via the first switching means S1 when switching to diagnostic mode. The BATT battery is configured and dimensioned to generate a voltage equal to the DC diagnostic voltage Vdc_d. The first switching means S1 are arranged to connect the input of the inverter 1 either to the DC supply bus to receive the DC production voltage Vdc_p during the production mode, or to the BATT battery to receive the DC voltage Vdc_d diagnostic during diagnostic mode. In this last configuration, the voltage Vdc_d will be equal to the voltage Vdc_p when charging the BATT battery.
Le système de diagnostic comporte également lesdits quatrièmes moyens de commutation S4 commandés par le deuxième module de commande et agencés pour former l'inductance.The diagnostic system also includes said fourth switching means S4 controlled by the second control module and arranged to form the inductance.
Le système de diagnostic comporte également les troisièmes moyens de commutation S3 agencés pour commuter entre l'application d'un courant fort ou l'application d'un courant faible lors de la séquence de diagnostic d'un composant. Ces troisièmes moyens de commutation S3 ainsi que la source de courant SC ne sont pas représentés sur cette figure 3C.The diagnostic system also includes the third switching means S3 arranged to switch between the application of a high current or the application of a low current during the diagnostic sequence of a component. These third switching means S3 as well as the current source SC are not shown in this FIG. 3C.
Lorsque le mode de diagnostic est activé, le module de diagnostic Mdiag exécute le troisième module de commande Mcd_3 de manière à mettre en oeuvre le diagnostic sur chaque composant semi-conducteur de l'onduleur. Pour cela, le module de diagnostic Mdiag exécute une séquence de diagnostic.When the diagnostic mode is activated, the diagnostic module Mdiag executes the third control module Mcd_3 so as to implement the diagnosis on each semiconductor component of the inverter. For this, the Mdiag diagnostic module executes a diagnostic sequence.
Lors du fonctionnement du mode de diagnostic, le module de diagnostic Mdiag est configuré pour connecter deux bras de commutation de l'onduleur à l'inductance L ou la source de courant SC, de manière à employer un courant fort ou un courant plus faible (par exemple 100mA) selon l'étape de la séquence de diagnostic à effectuer.When operating the diagnostic mode, the Mdiag diagnostic module is configured to connect two switching arms of the inverter to the inductor L or the current source SC, so as to use a high current or a weaker current ( for example 100mA) depending on the stage of the diagnostic sequence to be performed.
Lors du diagnostic sur l'état de santé d'un composant, le module de diagnostic Mdiag exécute un module de calcul configuré pour déterminer deux paramètres qui sont :When diagnosing the state of health of a component, the Mdiag diagnostic module executes a calculation module configured to determine two parameters which are:
La résistance dynamique rd du composant, définie par la relation :The dynamic resistance r d of the component, defined by the relation:
kceO — Vcel rd= J — JkceO - Vcel r d = J - J
Jo hJo h
Dans laquelle Vce0 et Vcel correspondent à deux valeurs de la tension Collecteur-Emetteur du transistor, obtenues à au moins deux instants distincts et Io et deux valeurs du courant qui traverse le transistor à ces deux instants.In which V ce0 and V cel correspond to two values of the collector- emitter voltage of the transistor, obtained at at least two distinct times and I o and two values of the current which crosses the transistor at these two times.
L'impédance thermique Zth du composant définie par la relation :The thermal impedance Z th of the component defined by the relation:
v _ Tj end. Tj_start — p v _ Tj end. Tj_ s tart - p
Dans laquelle Tjend correspond à une valeur de la température de jonction du transistor déterminée après un chauffage du composant pendant une durée déterminée et Tj_start correspond à une valeur de la température de jonction du transistor déterminée avant la phase de chauffage du composant.In which T jend corresponds to a value of the junction temperature of the transistor determined after heating the component for a determined period and Tj_start corresponds to a value of the junction temperature of the transistor determined before the heating phase of the component.
Les deux valeurs de tension Collecteur-Emetteur du composant, référencées Vce0 et la Vcel, et les deux valeurs de courant correspondantes sont mesurées à au moins deux instants distincts pour le composant semi-conducteur surveillé lors de l'application d'un courant fort et lors d'une phase de décharge de l'inductance L et en roue libre.The two Collector-Emitter voltage values of the component, referenced V ce0 and V cel , and the two corresponding current values are measured at least two separate times for the semiconductor component monitored during the application of a current. strong and during a discharge phase of the inductor L and coasting.
Par ailleurs, lors de la séquence de diagnostic, le module de diagnostic Mdiag s'appuie sur une courbe de variation de la température de jonction Tj d'un composant en fonction de la tension Vce à ses bornes, par exemple sa tension Collecteur-Emetteur pour un transistor IGBT. Cette courbe peut présenter le profil représenté sur la figure 7. Elle peut être obtenue lors d'une phase de calibration. Cette phase de calibration peut consister à faire varier la température de jonction Tj du composant puis à mesurer la tension Vce à ses bornes à différentes températures pour reconstruire la courbe. La température du composant peut être estimée à partir d'un capteur de température placé sur le refroidisseur des modules de puissance. La courbe tension-température obtenue est mémorisée par l'unité de traitement et de commande UC.Furthermore, during the diagnostic sequence, the Mdiag diagnostic module is based on a curve for variation of the junction temperature Tj of a component as a function of the voltage V ce at its terminals, for example its collector voltage- Emitter for an IGBT transistor. This curve can have the profile shown in Figure 7. It can be obtained during a calibration phase. This calibration phase can consist in varying the junction temperature Tj of the component then in measuring the voltage V ce at its terminals at different temperatures to reconstruct the curve. The component temperature can be estimated from a temperature sensor placed on the power module cooler. The voltage-temperature curve obtained is memorized by the processing and control unit UC.
En référence aux figures 4A à 4C, la séquence de diagnostic est décrite cidessous pour le transistor T1 de l'onduleur. II faut comprendre que cette séquence sera identique pour tout autre composant semi-conducteur de l'onduleur, de type transistor ou diode et quel que soit le type de transistor en adaptant le paramètre thermosensible choisi.With reference to FIGS. 4A to 4C, the diagnostic sequence is described below for the transistor T1 of the inverter. It should be understood that this sequence will be identical for any other semiconductor component of the inverter, of the transistor or diode type and whatever the type of transistor by adapting the thermosensitive parameter chosen.
Lors de l'application de la séquence de diagnostic, le mode de diagnostic est bien entendu activé et la tension d'entrée de diagnostic Vdc_d est appliquée en entrée de l'onduleur 1 selon l'une des méthodes décrites ci-dessus.When applying the diagnostic sequence, the diagnostic mode is of course activated and the diagnostic input voltage Vdc_d is applied to the input of the inverter 1 according to one of the methods described above.
La séquence de diagnostic consiste principalement à :The diagnostic sequence mainly consists of:
Exécuter le deuxième module de commande Mcd_2 pour commander les troisièmes moyens de commutation S3 afin de sélectionner entre l'application du courant fort ou du courant faible ;Execute the second control module Mcd_2 to control the third switching means S3 in order to select between the application of the strong current or the weak current;
Exécuter le troisième module de commande Mcd_3 afin de commander les transistors T1 àT4 de l'onduleur 1 de manière adaptée.Run the third control module Mcd_3 in order to control the transistors T1 to T4 of the inverter 1 appropriately.
La séquence de diagnostic de l'état de santé du transistor T1 est la suivante :The sequence for diagnosing the state of health of transistor T1 is as follows:
Etape 1 - Figure 4A :Step 1 - Figure 4A:
Commander les troisièmes moyens de commutation S3 pour connecter les deux bras de commutation à la source de courant SC ;Control the third switching means S3 to connect the two switching arms to the current source SC;
- Commander les transistors T1 et T4 à l'état passant et laisser les transistors T2, T3 à l'état ouvert ;- Order the transistors T1 and T4 in the on state and leave the transistors T2, T3 in the open state;
- Mesurer la tension Vce entre les bornes Collecteur et Emetteur du transistor T1 sous le courant faible i_sc émis par la source de courant SC ;- Measure the voltage V ce between the Collector and Emitter terminals of the transistor T1 under the weak current i_sc emitted by the current source SC;
Estimer la température de jonction du transistor T1 à partir de la courbe de variation de température en fonction de la tension mesurée (figure 7) ;Estimate the junction temperature of transistor T1 from the temperature variation curve as a function of the measured voltage (Figure 7);
- Mémoriser la température de jonction obtenue, référencée Tj start ;- Memorize the junction temperature obtained, referenced Tj start;
Etape 2 - Figure 4B :Step 2 - Figure 4B:
Déconnecter la source de courant SC et connecter l'inductance L entre les deux bras de commutation afin d'appliquer un courant fort ;Disconnect the current source SC and connect the inductance L between the two switching arms in order to apply a strong current;
- Commander T1, T4 à l'état passant et laisser T2, T3 à l'état ouvert afin de charger l'inductance ;- Order T1, T4 in the on state and leave T2, T3 in the open state in order to charge the inductance;
Une forte augmentation du courant se produit à travers le transistor T1 jusqu'à une valeur i_L 1 ;A large increase in current occurs through the transistor T1 to a value i_L 1;
Etape 3 - Figure 4C :Step 3 - Figure 4C:
- Après une durée déterminée pour terminer le cycle de charge de l'inductance, commander T4 à l'état ouvert pour décharger l'inductance et enclencher une phase de roue libre ; La tension Vce aux bornes du transistor- After a determined period of time to complete the inductor charge cycle, order T4 in the open state to discharge the inductor and initiate a freewheeling phase; The voltage V ce across the transistor
T1 diminue ; Le courant i_L2 circule alors à travers le transistor T1 et à travers la diode D3 en roue libre ;T1 decreases; The current i_L2 then flows through the transistor T1 and through the freewheeling diode D3;
- Mesurer la tension Vce aux bornes du transistor T1 et le courant qui traverse le transistor T1 lors de la phase de roue libre à par exemple deux instants distincts en vue d'en déduire Vce0, Vcei et Io, I± ;- Measure the voltage V ce across the transistor T1 and the current flowing through the transistor T1 during the freewheeling phase at, for example, two separate instants in order to deduce V ce0 , V cei and I o , I ± ;
Déterminer la résistance dynamique du transistor T1 à partir de la relation :Determine the dynamic resistance of transistor T1 from the relationship:
Etape 4 - Figures 4B et 4C :Step 4 - Figures 4B and 4C:
Réaliser plusieurs cycles de charge/roue libre successifs tels que décrits cidessus en commutant le transistor T4 de l'état passant à l'état ouvert et inversement ;Carry out several successive charge / freewheel cycles as described above by switching the transistor T4 from the state passing to the open state and vice versa;
La durée ce cette étape, donc le nombre de cycles de charge/roue libre appliqué, est choisie en fonction du niveau d'endommagement que l'on souhaite mettre en évidence :The duration of this step, therefore the number of charge cycles / freewheeling applied, is chosen according to the level of damage that one wishes to highlight:
o Pour des durées courtes < 100ms, il sera possible de mettre en évidence la dégradation dans le module de puissance ;o For short durations <100ms, it will be possible to highlight the degradation in the power module;
o Pour des durées comprises entre 1s et 10s, il sera possible de mettre en évidence la dégradation de l’interface thermique entre le module de puissance et le refroidisseur ;o For durations between 1s and 10s, it will be possible to highlight the degradation of the thermal interface between the power module and the cooler;
o Pour des durées plus longues, il sera possible de mettre en évidence la dégradation du dissipateur ;o For longer durations, it will be possible to highlight the degradation of the dissipator;
Etape 5 - Figure 4C :Step 5 - Figure 4C:
- A l'issue de la durée écoulée à l'étape précédente, mesurer la tension Vce aux bornes du transistor T1 à la fin de la phase de chauffage du transistor ; Déterminer la puissance moyenne P dissipée par le transistor T1 à partir de la valeur de la tension Vce mesurée sous courant fort et de la valeur correspondante du courant qui traverse le composant ;- At the end of the time elapsed in the previous step, measure the voltage V ce at the terminals of the transistor T1 at the end of the heating phase of the transistor; Determine the average power P dissipated by the transistor T1 from the value of the voltage V ce measured under strong current and the corresponding value of the current flowing through the component;
Etape 6 - Figure 4D :Step 6 - Figure 4D:
- Commander les transistors T2 et T3 à l'état passant pour annuler le courant fort dans T1 ;- Control the transistors T2 and T3 in the on state to cancel the strong current in T1;
Etape 7 - Figure 4E :Step 7 - Figure 4E:
Enclencher une phase de refroidissement du composant en déconnectant les deux bras de commutation de l'inductance L et en leur connectant la source de courant SC afin de passer d'un courant fort i_L1 à un courant faible i_sc (par exemple 100mA) ;Initiate a component cooling phase by disconnecting the two switching arms of the inductor L and connecting the current source SC to them in order to pass from a strong current i_L1 to a weak current i_sc (for example 100mA);
- Commander T1 à l'état passant et T2, T3 et T4 à l'état ouvert ;- Order T1 in the on state and T2, T3 and T4 in the open state;
- Mesurer la tension Vce aux bornes du transistor T1 lors la phase de refroidissement et déterminer, pour chaque tension Vce, une valeur instantanée de température correspondante ;- Measure the voltage V ce across the transistor T1 during the cooling phase and determine, for each voltage V ce , a corresponding instantaneous temperature value;
Extraire une valeur Vceend de la tension à ses bornes en réalisant une extrapolation de la courbe de la tension Vce (figure 6) ;Extract a value V ceend of the voltage across its terminals by performing an extrapolation of the curve of the voltage V ce (Figure 6);
- A partir de la courbe de relation tension-température (figure 7), déterminer une température Tjend à partir de la tension Vceend, cette température correspondant à la température du composant à l'issue de la phase de chauffage ;- From the voltage-temperature relationship curve (Figure 7), determine a temperature T jend from the voltage V ceend , this temperature corresponding to the temperature of the component at the end of the heating phase;
Déterminer l'impédance thermique du transistor T1 à partir de la relation :Determine the thermal impedance of transistor T1 from the relation:
v _ Tj_end Tj_start — p v _ Tj_end Tj_start - p
Etape 8 :Step 8:
Réaliser le diagnostic sur l'état de santé du transistor T1 :Carry out the diagnosis on the state of health of transistor T1:
o En comparant la valeur de la résistance dynamique rd obtenue avec une première valeur seuil ;o By comparing the value of the dynamic resistance r d obtained with a first threshold value;
o En comparant la valeur de l'impédance thermique Zth obtenue avec une deuxième valeur seuil ;o By comparing the value of the thermal impedance Z th obtained with a second threshold value;
Emettre une alerte pour indiquer une défaillance lorsque la résistance dynamique dépasse la première valeur seuil et/ou lorsque l'impédance thermique dépasse la deuxième valeur seuil ;Issue an alert to indicate a failure when the dynamic resistance exceeds the first threshold value and / or when the thermal impedance exceeds the second threshold value;
En cas d'alerte, l'installation pourra être arrêtée ;In the event of an alert, the installation may be stopped;
Etape 9 :Step 9:
Lorsqu'un diagnostic a été réalisé sur chacun des composants de l'onduleur ou sur une partie d'entre eux (si le diagnostic est réalisé en plusieurs phases distinctes) et qu'aucun composant n'a été jugé défaillant, le mode de diagnostic est stoppé et le mode de production peut reprendre ;When a diagnosis has been carried out on each of the components of the inverter or on a part of them (if the diagnosis is carried out in several distinct phases) and no component has been judged to be faulty, the diagnostic mode is stopped and the production mode can resume;
L'application de la tension continue de diagnostic Vdc_d est stoppée et la tension continue de production Vdc_p est de nouveau appliquée ;The application of the diagnostic DC voltage Vdc_d is stopped and the DC production voltage Vdc_p is again applied;
La figure 5 permet, grâce aux courbes du courant et de la tension Vce de mieux comprendre la séquence de diagnostic qui est mise en oeuvre. Sur cette figure, on distingue notamment chaque phase d'application du courant faible (LC) par la source de courant SC. On peut également remarquer la phase d'application du courant fort (HC) et les cycles de charge/décharge successifs de l'inductance formant un profil en dents de scie. Dans ce profil, une pente descendante est obtenue lors de la phase de roue libre, c'est-à-dire lorsque T1 est à l'état passant et que T2 et T4 sont à l'état ouvert, le courant circulant alors à travers la diode D3. Une pente ascendante est obtenue lorsque T1 et T4 sont à l'état passant et T2 et T3 sont à l'état ouvert. La mesure de Vce0 et de Vcel est réalisée à deux instants distincts sur une pente descendante de la tension Vce, c'est-àdire lorsque l'on est en phase de roue libre. La puissance moyenne dissipée par le composant est déterminée lors de la phase d'application du courant fort. On peut également voir que la valeur Vceend de la tension est issue d'une mesure effectuée à la fin de la phase d'application du courant fort.FIG. 5 makes it possible, thanks to the curves of the current and of the voltage V ce, to better understand the diagnostic sequence which is implemented. In this figure, we distinguish in particular each phase of application of the low current (LC) by the current source SC. We can also notice the phase of application of the strong current (HC) and the successive charge / discharge cycles of the inductor forming a sawtooth profile. In this profile, a downward slope is obtained during the freewheeling phase, that is to say when T1 is in the on state and T2 and T4 are in the open state, the current then flowing through diode D3. An ascending slope is obtained when T1 and T4 are in the on state and T2 and T3 are in the open state. The measurement of V ce0 and Vcel is carried out at two separate times on a downward slope of the voltage V ce , that is to say when one is in freewheeling phase. The average power dissipated by the component is determined during the application phase of the strong current. It can also be seen that the value V ceend of the voltage comes from a measurement carried out at the end of the phase of application of the strong current.
La figure 6 explique le principe de détermination de la valeur Vceend pour la tension, par extrapolation linéaire en fonction de la racine carrée du temps de la tension Vce mesurée à l'issue de la période de chauffage. A cette période, on peut voir que la tension Vce n'est pas stabilisée et il est donc nécessaire d'effectuer plusieurs mesures successives pour en déduire la valeur Vceend souhaitée.FIG. 6 explains the principle of determining the value V ceend for the voltage, by linear extrapolation as a function of the square root of the time of the voltage V ce measured at the end of the heating period. During this period, it can be seen that the voltage V ce is not stabilized and it is therefore necessary to carry out several successive measurements in order to deduce therefrom the desired value V ceend .
Pour réaliser le diagnostic sur l'état de santé de tous les composants de l'onduleur (type monophasé), quatre séquences de diagnostic successives devront être mises en oeuvre pour les quatre couples de composants (T1, D3), (T2, D4), (T3, D1) et (T4, D2). Pour une diode, la tension mesurée est alors sa tension directe Vf. Le calcul des pertes dans ce composant devra faire intervenir les pertes par commutation, contrairement au calcul pour les IGBT. Si le transistor est d'un autre type, par exemple MOSFET, il s'agira d'une tension Drain-Source IbsDans le cadre d'une installation électrique de type photovoltaïque, le diagnostic sur l'état de santé d'un ou plusieurs composants semi-conducteurs de l'onduleur peut être mis en oeuvre pendant la nuit, période où l'onduleur ne fonctionne pas et où il est donc plus facile d'obtenir la stabilité thermique du composant.To carry out the diagnostic on the state of health of all the components of the inverter (single-phase type), four successive diagnostic sequences must be implemented for the four pairs of components (T1, D3), (T2, D4) , (T3, D1) and (T4, D2). For a diode, the measured voltage is then its forward voltage V f . The calculation of losses in this component will have to involve switching losses, unlike the calculation for IGBTs. If the transistor is of another type, for example MOSFET, it will be a Drain-Source voltage Ibs. As part of an electrical installation of photovoltaic type, the diagnosis on the state of health of one or more semiconductor components of the inverter can be used overnight, when the inverter does not work and therefore it is easier to obtain the thermal stability of the component.
La solution de l'invention présente ainsi de nombreux avantages, parmi lesquels :The solution of the invention thus has many advantages, including:
Elle ne nécessite pas de déconnecter l'onduleur et de le retirer de l'installation électrique, car elle peut être mise en oeuvre in situ ;It does not require disconnecting the inverter and removing it from the electrical installation, as it can be implemented in situ;
Elle est simple à mettre en oeuvre ;It is simple to implement;
Elle peut, dans certaines configurations, ne nécessiter l'emploi que de très peu de composants supplémentaires ;It may, in certain configurations, require the use of very few additional components;
La résistance dynamique du composant ciblé est déterminée sans employer de source de courant externe, en se basant uniquement sur la tension continue de diagnostic (Vdc_d) générée en entrée de l'onduleur ;The dynamic resistance of the target component is determined without using an external current source, based solely on the continuous diagnostic voltage (Vdc_d) generated at the input of the inverter;
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2023198505A1 (en) * | 2022-04-15 | 2023-10-19 | Safran Electronics & Defense | System for controlling at least one actuator of an aircraft turbine engine, the system comprising a flight test computer, and flight test method |
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