FR3061801A1 - METHOD FOR ELECTRICAL CONNECTION BETWEEN AT LEAST TWO ELEMENTS - Google Patents

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FR3061801A1
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FR
France
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electrical connection
assembly
connection members
heating
members
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Francois Marion
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Thales SA
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Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Thales SA
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
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Abstract

Le procédé de connexion électrique comprend une étape de formation (E1) d'un ensemble (3) comportant un premier élément (1) muni d'une face de connexion (4) au niveau de laquelle sont agencés des premiers organes de connexion électrique (5), et un deuxième élément (2) muni d'une face de connexion (6) au niveau de laquelle sont agencés des deuxièmes organes de connexion électrique (7). Ledit ensemble (3) formé est tel que la face de connexion (6) du deuxième élément (2) est orientée vers la face de connexion (4) du premier élément (1) de sorte à former des couples comprenant chacun un des premiers organes de connexion électrique (5) et un des deuxièmes organe de connexion électrique (7) à lier entre eux par fusion. Le procédé comporte au moins une étape de chauffage (E2) d'une partie seulement de l'ensemble (3) à une température telle qu'il en résulte la formation d'au moins une liaison (9), entre des premier et deuxième organes de connexion électrique (5, 7) d'un des couples, obtenue par fusion.The electrical connection method comprises a step of forming (E1) an assembly (3) comprising a first element (1) provided with a connection face (4) at which first electrical connection members are arranged ( 5), and a second element (2) provided with a connection face (6) at which second electrical connection members (7) are arranged. Said assembly (3) formed is such that the connection face (6) of the second element (2) is oriented towards the connection face (4) of the first element (1) so as to form couples each comprising one of the first organs electrical connection (5) and one of the second electrical connection member (7) to be merged together. The method comprises at least one step of heating (E2) only part of the assembly (3) to a temperature such that the result of the formation of at least one connection (9), between first and second electrical connection members (5, 7) of one of the pairs, obtained by melting.

Description

© Titulaire(s) : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES Etablissement public, THALES Société anonyme.© Holder (s): ATOMIC AND ALTERNATIVE ENERGY COMMISSIONER Public establishment, THALES Public limited company.

® Mandataire(s) : INNOVATION COMPETENCE GROUP.® Agent (s): INNOVATION COMPETENCE GROUP.

(54) PROCEDE DE CONNEXION ELECTRIQUE ENTRE AU MOINS DEUX ELEMENTS.(54) METHOD FOR ELECTRICALLY CONNECTING BETWEEN AT LEAST TWO ELEMENTS.

©) Le procédé de connexion électrique comprend une étape de formation (E1 ) d'un ensemble (3) comportant un premier élément (1 ) muni d'une face de connexion (4) au niveau de laquelle sont agencés des premiers organes de connexion électrique (5), et un deuxième élément (2) muni d'une face de connexion (6) au niveau de laquelle sont agencés des deuxièmes organes de connexion électrique (7). Ledit ensemble (3) formé est tel que la face de connexion (6) du deuxième élément (2) est orientée vers la face de connexion (4) du premier élément (1 ) de sorte à former des couples comprenant chacun un des premiers organes de connexion électrique (5) et un des deuxièmes organe de connexion électrique (7) à lier entre eux par fusion. Le procédé comporte au moins une étape de chauffage (E2) d'une partie seulement de l'ensemble (3) à une température telle qu'il en résulte la formation d'au moins une liaison (9), entre des premier et deuxième organes de connexion électrique (5, 7) d'un des couples, obtenue par fusion.©) The electrical connection method comprises a step of forming (E1) an assembly (3) comprising a first element (1) provided with a connection face (4) at the level of which are arranged first connection members electrical (5), and a second element (2) provided with a connection face (6) at the level of which are arranged second electrical connection members (7). Said assembly (3) formed is such that the connection face (6) of the second element (2) is oriented towards the connection face (4) of the first element (1) so as to form couples each comprising one of the first members electrical connection (5) and one of the second electrical connection member (7) to be bonded together. The method comprises at least one heating step (E2) of only part of the assembly (3) to a temperature such that the formation of at least one connection (9) between first and second electrical connection members (5, 7) of one of the pairs, obtained by fusion.

Figure FR3061801A1_D0001
Figure FR3061801A1_D0002

Procédé de connexion électrique entre au moins deux élémentsMethod of electrical connection between at least two elements

Domaine de l’invention [001] Le domaine de l’invention concerne la connexion d’au moins deux éléments à relier électriquement entre eux, notamment dans le domaine de l’électronique, et plus particulièrement de la microélectronique.Field of the invention The field of the invention relates to the connection of at least two elements to be electrically connected together, in particular in the field of electronics, and more particularly of microelectronics.

Etat de la technique [002] Dans le domaine de l’électronique, et plus particulièrement de la microélectronique, il est commun de chercher à hybrider des éléments entre eux, notamment pour les connecter électriquement, par exemple avant de les encapsuler dans un boîtier.STATE OF THE ART In the field of electronics, and more particularly of microelectronics, it is common to seek to hybridize elements with one another, in particular to connect them electrically, for example before encapsulating them in a box.

[003] Le document US2002/0130164 décrit une machine à passage permettant l’hybridation d’éléments électroniques entre eux par connexion d’organes de connexion électrique portés par les éléments électroniques. Ici, l’assemblage d’éléments électroniques passe dans un poste permettant la montée en température de la totalité de l’assemblage. Il en résulte que des organes de connexion électrique sont tous chauffés simultanément pour réaliser la fusion de matériaux entre eux.The document US2002 / 0130164 describes a passage machine allowing the hybridization of electronic elements with one another by connection of electrical connection members carried by the electronic elements. Here, the assembly of electronic elements passes through a station allowing the temperature rise of the entire assembly. As a result, the electrical connection members are all heated simultaneously to achieve the fusion of materials together.

[004] La solution décrite dans le document ci-dessus peut poser des problèmes quant à la qualité des connexions électriques. En effet, lorsque deux éléments électroniques sont soumis à une température permettant de réaliser des soudures entre eux, cette température peut provoquer une dilatation telle au niveau des éléments qu’il en résulte un désalignement des organes de connexion électrique à souder. Dans le pire des cas, le désalignement peut être tel que deux organes de connexion qui devraient être en contact électrique ne le sont pas, ou qu’un organe de connexion va provoquer un court-circuit car il sera soudé à deux organes de connexion au lieu d’un à cause de la dilatation. De plus, cette solution peut être difficilement applicable lorsque l’un des éléments électroniques est tel qu’il ne peut pas supporter des températures élevées.The solution described in the document above can cause problems with the quality of the electrical connections. In fact, when two electronic elements are subjected to a temperature allowing them to be welded together, this temperature can cause such expansion in the elements that it results in misalignment of the electrical connection members to be welded. In the worst case, the misalignment can be such that two connection members that should be in electrical contact are not, or that a connection member will cause a short circuit because it will be welded to two connection members to the instead of one due to dilation. In addition, this solution can be difficult to apply when one of the electronic elements is such that it cannot withstand high temperatures.

[005] Le document US2015/0333097 décrit une solution semblable d’organes de connexion électrique qui sont tous chauffés simultanément.Document US2015 / 0333097 describes a similar solution of electrical connection members which are all heated simultaneously.

[006] On comprend de ce qui a été dit ci-dessus qu’il existe des besoins tels que remédier à des désalignements ou à l’endommagement d’éléments à relier électriquement. Par ailleurs, il existe aussi un besoin de trouver des solutions alternatives à l’existant.We understand from what has been said above that there are needs such as remedying misalignments or damaging elements to be electrically connected. In addition, there is also a need to find alternative solutions to the existing one.

Objet de l’invention [007] L’ invention a pour but un procédé de connexion électrique d’éléments entre eux répondant à tout ou partie des besoins identifiés ci-dessus.OBJECT OF THE INVENTION The aim of the invention is to provide a method for the electrical connection of elements to one another, meeting all or part of the needs identified above.

[008] On tend vers ce but grâce à un procédé de connexion électrique comprenant une étape de formation d’un ensemble comportant un premier élément muni d’une face de connexion au niveau de laquelle sont agencés des premiers organes de connexion électrique, et un deuxième élément muni d’une face de connexion au niveau de laquelle sont agencés des deuxièmes organes de connexion électrique, ledit ensemble formé étant tel que la face de connexion du deuxième élément est orientée vers la face de connexion du premier élément de sorte à former des couples comprenant chacun un des premiers organes de connexion électrique et un des deuxièmes organe de connexion électrique à lier entre eux par fusion. Ce procédé est caractérisé en ce qu’il comporte au moins une étape de chauffage d’une partie seulement de l’ensemble à une température telle qu’il en résulte la formation d’au moins une liaison, entre des premier et deuxième organes de connexion électrique d’un des couples, obtenue par fusion.We tend towards this goal through an electrical connection method comprising a step of forming an assembly comprising a first element provided with a connection face at which are arranged first electrical connection members, and a second element provided with a connection face at which second electrical connection members are arranged, said assembly formed such that the connection face of the second element is oriented towards the connection face of the first element so as to form couples each comprising one of the first electrical connection members and one of the second electrical connection members to be bonded together by fusion. This method is characterized in that it comprises at least one step of heating only part of the assembly to a temperature such that the formation of at least one connection, between first and second organs of electrical connection of one of the couples, obtained by fusion.

[009] Selon une réalisation, ladite au moins une étape de chauffage peut comporter l’utilisation d’un rayonnement coopérant avec ladite partie de l’ensemble, d’où il résulte la diffusion de chaleur en direction des premiers et/ou deuxièmes organes de connexion électrique pour former une liaison, obtenue par fusion, entre les premier et deuxième organes de connexion électriques de chaque couple. [0010] Selon une autre réalisation, ledit ensemble peut comporter différentes parties comportant chacune au moins un des couples de premier et deuxième organes de connexion électrique, et le procédé comporte, pour chaque partie de l’ensemble, une étape de chauffage de ladite partie de l’ensemble à une température telle que :According to one embodiment, said at least one heating step may include the use of radiation cooperating with said part of the assembly, from which the heat diffusion towards the first and / or second members results. of electrical connection to form a connection, obtained by fusion, between the first and second electrical connection members of each pair. According to another embodiment, said assembly may comprise different parts, each comprising at least one of the pairs of first and second electrical connection members, and the method comprises, for each part of the assembly, a step of heating said part. of the assembly at a temperature such as:

- pour chaque couple de premier et deuxième organes de connexion électrique de ladite partie de l’ensemble, il résulte la formation d’une liaison, obtenue par fusion, entre les premier et deuxième organes de connexion électrique dudit couple,- for each pair of first and second electrical connection members of said part of the assembly, this results in the formation of a connection, obtained by fusion, between the first and second electrical connection members of said pair,

- chaque autre partie dudit ensemble reste à une température strictement inférieure à la température à laquelle est chauffée ladite partie de l’ensemble.- each other part of said assembly remains at a temperature strictly lower than the temperature to which said part of the assembly is heated.

[0011] Notamment, le procédé peut comporter l’utilisation d’un élément de chauffage, les étapes de chauffage des parties de l’ensemble étant mises en œuvre par le même élément de chauffage, la position de l’élément de chauffage vis-à-vis de l’ensemble étant différente pour chaque étape de chauffage.In particular, the method may include the use of a heating element, the steps of heating the parts of the assembly being implemented by the same heating element, the position of the heating element vis- with respect to the assembly being different for each heating step.

[0012] De préférence, l’élément de chauffage peut être configuré pour émettre un rayonnement, et chaque étape de chauffage est telle que le rayonnement émis par l’élément de chauffage traverse au moins une partie du premier élément et/ou du deuxième élément et est absorbé par un élément d’absorption situé dans la partie de l’ensemble d’où il résulte la diffusion de chaleur au sein de ladite partie de l’ensemble permettant de former, pour chaque couple de ladite partie de l’ensemble ladite liaison correspondante.Preferably, the heating element can be configured to emit radiation, and each heating step is such that the radiation emitted by the heating element passes through at least part of the first element and / or of the second element. and is absorbed by an absorption element located in the part of the assembly from which it results in the diffusion of heat within said part of the assembly making it possible to form, for each couple of said part of the assembly, said corresponding link.

[0013] Selon une mise en œuvre du procédé, ledit ensemble peut comporter différentes parties comportant chacune au moins un des couples de premier et deuxième organes de connexion électrique, et le procédé comporte, pour chaque partie de l’ensemble, une étape de chauffage de ladite partie de l’ensemble, lesdites étapes de chauffage étant mises en œuvre à des instants temporels différents par un élément de chauffage, et, pour chaque instant temporel, l’élément de chauffage adopte une position différente par rapport à l’ensemble pour former ladite au moins une liaison obtenue par fusion seulement au niveau de chaque couple de premier et deuxième organes de connexion électrique de ladite partie de l’ensemble.According to an implementation of the method, said assembly may comprise different parts each comprising at least one of the pairs of first and second electrical connection members, and the method comprises, for each part of the assembly, a heating step of said part of the assembly, said heating steps being implemented at different time instants by a heating element, and, for each time instant, the heating element adopts a different position relative to the assembly for forming said at least one connection obtained by fusion only at each pair of first and second electrical connection members of said part of the assembly.

[0014] De manière applicable à tout ce qui a été dit ci-avant, l’étape de formation de l’ensemble peut comporter une étape d’association des premier et deuxième éléments d’où il résulte la mise en contact de premiers organes de connexion électrique avec des deuxièmes organe de connexion électrique, puis une étape de sollicitation du deuxième élément vers le premier élément d’où il résulte un maintien mécanique du premier élément par rapport au deuxième élément.As applicable to all that has been said above, the step of forming the assembly may include a step of association of the first and second elements from which it results in bringing the first organs into contact. electrical connection with second electrical connection member, then a step of biasing the second element towards the first element where it results in mechanical maintenance of the first element relative to the second element.

[0015] De préférence, l’étape de sollicitation peut être telle que, pour chaque couple de premier et deuxième organes de connexion électrique mis en contact, le premier organe de connexion électrique et/ou le deuxième organe de connexion électrique s’est déformé à l’interface entre lesdits premier et deuxième organes de connexion électrique dudit couple.Preferably, the stressing step can be such that, for each pair of first and second electrical connection members brought into contact, the first electrical connection member and / or the second electrical connection member is deformed at the interface between said first and second electrical connection members of said pair.

[0016] Selon une réalisation applicable à tout ce qui a été dit ci-avant, chaque étape de chauffage peut provoquer l’obtention d’au moins un eutectique liquide d’indium et d’étain pour former la liaison correspondante entre les premier et deuxième organes de connexion électriques d’un couple correspondant.According to an embodiment applicable to all that has been said above, each heating step can cause obtaining at least one liquid eutectic of indium and tin to form the corresponding bond between the first and second electrical connection members of a corresponding torque.

[0017] De préférence, ladite liaison obtenue à partir de chaque eutectique liquide est formée par un alliage ln51Sn49.Preferably, said bond obtained from each liquid eutectic is formed by an alloy ln51Sn49.

[0018] Le procédé peut en outre comporter une étape de fourniture d’une plaque comportant une pluralité de premiers éléments et une étape de fourniture d’une pluralité de deuxièmes éléments, chaque premier élément étant destiné à être associé avec un deuxième élément correspondant, l’étape de formation de l’ensemble étant mise en œuvre pour chaque association de premier et deuxième éléments d’où il résulte la formation d’une pluralité d’ensembles, et ladite au moins une étape de chauffage est mise en œuvre pour chaque ensemble.The method may also include a step of supplying a plate comprising a plurality of first elements and a step of providing a plurality of second elements, each first element being intended to be associated with a second corresponding element, the step of forming the assembly being implemented for each association of first and second elements from which it results in the formation of a plurality of assemblies, and said at least one heating step is implemented for each together.

[0019] De préférence, au cours de chaque étape de chauffage les premiers et deuxièmes organes de connexion électrique sont exposés à un fluide désoxydant, par exemple liquide ou gazeux.Preferably, during each heating step the first and second electrical connection members are exposed to a deoxidizing fluid, for example liquid or gaseous.

[0020] L’ invention est aussi relative à un dispositif pour connecter électriquement des premier et deuxième éléments. Ce dispositif comporte un poste de montage configuré pour récupérer au moins un premier élément muni d’une face de connexion au niveau de laquelle sont agencés des premiers organes de connexion électrique et au moins un deuxième élément muni d’une face de connexion au niveau de laquelle sont agencés des deuxièmes organes de connexion électrique. Ce dispositif est aussi configuré pour former un ensemble tel que la face de connexion du deuxième élément est orientée vers la face de connexion du premier élément de sorte à former des couples comprenant chacun un des premiers organes de connexion électrique et un des deuxièmes organes de connexion électrique à lier entre eux par fusion. Le dispositif comporte par ailleurs un convoyeur, de préférence à bande, destiné à amener ledit ensemble dans un poste de chauffage après sa formation dans le poste de montage. Le dispositif comporte aussi le poste de chauffage comprenant un élément de chauffage destiné à réaliser des liaisons, entre les premiers et deuxièmes organes de connexion électrique, obtenues par fusion. L’élément de chauffage est choisi de sorte à permettre une montée en température d’une partie seulement dudit ensemble au-dessus d’une température permettant de former au moins une desdites liaisons.The invention also relates to a device for electrically connecting first and second elements. This device comprises an assembly station configured to recover at least a first element provided with a connection face at the level of which are arranged first electrical connection members and at least a second element provided with a connection face at the level of which are arranged with second electrical connection members. This device is also configured to form an assembly such that the connection face of the second element is oriented towards the connection face of the first element so as to form couples each comprising one of the first electrical connection members and one of the second connection members electric to bond them by fusion. The device also comprises a conveyor, preferably a belt, intended to bring said assembly into a heating station after it has been formed in the assembly station. The device also includes the heating station comprising a heating element intended to produce connections between the first and second electrical connection members, obtained by fusion. The heating element is chosen so as to allow a temperature rise of only part of said assembly above a temperature making it possible to form at least one of said connections.

[0021] Selon une réalisation, l’élément de chauffage est apte à émettre un rayonnement, et le poste de chauffage comporte un système destiné à générer une atmosphère contrôlée dans un espace de traitement dudit ensemble, ledit système comportant :According to one embodiment, the heating element is capable of emitting radiation, and the heating station comprises a system intended to generate a controlled atmosphere in a processing space of said assembly, said system comprising:

un injecteur de gaz configuré pour injecter un gaz réducteur dans ledit espace de traitement, un extracteur de gaz configuré pour récupérer les effluents liés au gaz réducteur depuis l’espace de traitement, une plaque transparente audit rayonnement pour lui permettre d’atteindre ledit ensemble à chauffer localement pour former lesdites liaisons.a gas injector configured to inject a reducing gas into said treatment space, a gas extractor configured to recover the effluents linked to the reducing gas from the treatment space, a plate transparent to said radiation to enable it to reach said assembly at heating locally to form said bonds.

Description sommaire des figures [0022] L’ invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d’exemple non limitatif et faite en se référant aux dessins sur lesquels :Brief description of the figures The invention will be better understood on reading the description which follows, given solely by way of nonlimiting example and made with reference to the drawings in which:

- La figure 1 illustre schématiquement des étapes de mise en œuvre du procédé de connexion,FIG. 1 schematically illustrates steps for implementing the connection method,

- La figure 2 illustre selon un exemple une étape de formation de l’ensemble selon une vue de côté de l’ensemble,FIG. 2 illustrates, according to an example, a step of forming the assembly according to a side view of the assembly,

- Les figures 3 et 4 illustrent deux mises en œuvre différentes d’étape de chauffage selon une vue de côté de l’ensemble,- Figures 3 and 4 illustrate two different implementations of the heating stage according to a side view of the assembly,

- La figure 5 illustre l’évolution de la température en fonction du temps pour deux courbes C1 et C2,- Figure 5 illustrates the evolution of the temperature as a function of time for two curves C1 and C2,

- Les figures 6 et 7 illustrent deux réalisations, vues en coupe, permettant de former des ensembles à cadence élevée,FIGS. 6 and 7 illustrate two embodiments, seen in section, making it possible to form assemblies at high rate,

- Les figures 8 à 10 illustrent des réalisations différentes d’organes de connexion électrique,- Figures 8 to 10 illustrate different embodiments of electrical connection members,

- Les figures 11 et 12 illustrent des vues différentes d’un dispositif permettant la connexion d’éléments entre eux.- Figures 11 and 12 illustrate different views of a device allowing the connection of elements together.

[0023] Dans ces figures, les mêmes références sont utilisées pour désigner les mêmes éléments.In these figures, the same references are used to designate the same elements.

[0024] Par ailleurs, les éléments représentés sur les figures ne sont pas à l’échelle.Furthermore, the elements shown in the figures are not to scale.

Description de modes particuliers de réalisation [0025] Le procédé décrit ci-après diffère de l’art antérieur en ce qu’il permet une hybridation de deux éléments permettant de les relier électriquement entre eux par liaison d’organes de connexion électrique mise en œuvre par un apport localisé de chaleur au niveau d’un ou plusieurs couples d’organes de connexion électrique à lier/souder : on parle de liaison ou soudure obtenue par fusion. Ceci permet d’éviter les désalignements connus lors d’apport de chaleur globalisé, les casses ou l’endommagement d’éléments du fait des contraintes liées à une chaleur trop importante vue par la globalité des deux éléments.Description of particular embodiments The method described below differs from the prior art in that it allows a hybridization of two elements making it possible to electrically connect them to each other by connecting electrical connection members implemented by a localized supply of heat at the level of one or more pairs of electrical connection members to be bonded / welded: this is called a bond or weld obtained by fusion. This makes it possible to avoid known misalignments during globalized heat supply, breakages or damage to elements due to the constraints linked to excessive heat seen by the totality of the two elements.

[0026] Dans la présente description, on entend par « soudure » ou « souder » la définition au sens large de ces termes à savoir la formation d’une liaison entre deux pièces, par exemple des organes de connexion électrique (cette liaison permettant notamment d’assurer un maintien mécanique et une continuité électrique entre les deux pièces) sans préjuger de la technique utilisée pour obtenir cette liaison. En ce sens, de manière plus générale, on parle de liaison obtenue par fusion ce qui implique que la liaison a été obtenue par fonte d’un matériau ou de plusieurs matériaux. Cette liaison obtenue par fusion peut par exemple être une soudure au sens large, ou plus particulièrement une brasure. On comprend que la liaison obtenue par fusion peut, par exemple, l’être par des techniques de soudage ou de brasage. Par « liaison obtenue par fusion », on entend donc notamment qu’il y a eu une fonte, notamment d’au moins une partie de l’un des premier ou deuxième organes de connexion électrique d’un couple tel que décrit ci-après, pour réaliser cette liaison.In the present description, the term "soldering" or "soldering" means the definition in the broad sense of these terms, namely the formation of a connection between two parts, for example electrical connection members (this connection allowing in particular to provide mechanical support and electrical continuity between the two parts) without prejudging the technique used to obtain this connection. In this sense, more generally, we speak of a bond obtained by fusion, which implies that the bond was obtained by melting a material or several materials. This connection obtained by fusion can for example be a weld in the broad sense, or more particularly a solder. It is understood that the connection obtained by fusion can, for example, be obtained by welding or brazing techniques. By “connection obtained by fusion”, it is therefore understood in particular that there has been a melting, in particular of at least part of one of the first or second electrical connection members of a couple as described below. , to make this connection.

[0027] En particulier, comme illustré en figures 1 à 4, le procédé de connexion électrique va permettre de connecter un premier élément 1 avec un deuxième élément 2. Le procédé comprend une étape de formation E1 d’un ensemble 3 comportant le premier élément 1 muni d’une face de connexion 4 au niveau de laquelle sont agencés des premiers organes de connexion électrique 5. Ledit ensemble 3 formé comporte aussi le deuxième élément 2 muni d’une face de connexion 6 au niveau de laquelle sont agencés des deuxièmes organes de connexion électrique 7. Par ensemble 3, on entend l’association des premier et deuxième éléments 1, 2 de sorte à former une unité qui sera ensuite traitée. Notamment, on dit que l’ensemble 3 est un assemblage comportant les premier et deuxième éléments 1, 2, de préférence pour lequel des premiers organes de connexion électrique 5 sont en contact avec des deuxièmes organes de connexion électriques 7 comme il le sera vu ci-après. En particulier, par « face de connexion au niveau de laquelle sont agencés des (premiers ou deuxièmes) organes de connexion électrique », on entend que les premiers organes de connexion électrique 5 s’étendent depuis la face de connexion 4 du premier élément 1 et sont fixes par rapport au premier élément 1 (on dit alors que le premier élément 1 porte les premiers organes de connexion électrique 5), et que les deuxièmes organes de connexion électrique 7 s’étendent depuis la face de connexion 6 du deuxième élément 2 et sont fixes par rapport au deuxième élément 2 (on dit alors que le deuxième élément 2 porte les deuxièmes organes de connexion électrique 7). Bien entendu, les premiers et deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7 sont électriquement conducteurs. Ledit ensemble 3 formé est tel que la face de connexion 6 du deuxième élément 2 est orientée vers la face de connexion 4 du premier élément 1 de sorte à former des couples comprenant chacun un des premiers organes de connexion électrique 5 et un des deuxièmes organes de connexion électrique 7. Pour chaque couple, les premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 dudit couple sont à lier/souder entre eux par fusion, notamment par fusion (c’est-à-dire fonte) d’une partie du premier organe de connexion électrique et/ou d’une partie du deuxième organe de connexion électrique. De préférence, au sein de l’ensemble 3 formé, les faces de connexion 4, 6 des premier et deuxième éléments 1, 2 sont sensiblement parallèles entre elles, et sont en vis-à-vis. Par « sensiblement parallèles entre elles » lorsque l’on parle de deux faces, on dit préférentiellement que ces deux faces sont exactement parallèles ou parallèles à plus ou moins 10%. Les faces de connexion 4, 6 sont notamment incluses chacune dans un plan correspondant. De manière générale, dans la présente description par sensiblement parallèle, on entend exactement parallèle, ou parallèle à plus ou moins 10%.In particular, as illustrated in Figures 1 to 4, the electrical connection method will allow a first element 1 to be connected with a second element 2. The method comprises a step E1 of forming an assembly 3 comprising the first element 1 provided with a connection face 4 at the level of which the first electrical connection members are arranged 5. Said assembly 3 also formed comprises the second element 2 provided with a connection face 6 at the level of which the second members are arranged of electrical connection 7. By assembly 3 is meant the association of the first and second elements 1, 2 so as to form a unit which will then be treated. In particular, it is said that the assembly 3 is an assembly comprising the first and second elements 1, 2, preferably for which first electrical connection members 5 are in contact with second electrical connection members 7 as will be seen below. -after. In particular, by “connection face at the level of which are arranged (first or second) electrical connection members”, it is meant that the first electrical connection members 5 extend from the connection face 4 of the first element 1 and are fixed relative to the first element 1 (it is said that the first element 1 carries the first electrical connection members 5), and that the second electrical connection members 7 extend from the connection face 6 of the second element 2 and are fixed relative to the second element 2 (it is then said that the second element 2 carries the second electrical connection members 7). Of course, the first and second electrical connection members 5, 7 are electrically conductive. Said assembly 3 formed is such that the connection face 6 of the second element 2 is oriented towards the connection face 4 of the first element 1 so as to form couples each comprising one of the first electrical connection members 5 and one of the second members electrical connection 7. For each pair, the first and second electrical connection members 5, 7 of said pair are to be bonded / welded together by fusion, in particular by fusion (that is to say cast) of a part of the first electrical connection member and / or part of the second electrical connection member. Preferably, within the assembly 3 formed, the connection faces 4, 6 of the first and second elements 1, 2 are substantially parallel to each other, and are opposite. By "substantially parallel to each other" when we speak of two faces, we preferentially say that these two faces are exactly parallel or more or less 10% parallel. The connection faces 4, 6 are in particular each included in a corresponding plane. In general, in the present description by substantially parallel, is meant exactly parallel, or more or less 10% parallel.

[0028] Les organes de connexion électrique 5, 7, aussi appelés bornes de connexion électrique, permettent de relier des éléments distincts entre eux.The electrical connection members 5, 7, also called electrical connection terminals, used to connect separate elements together.

[0029] Plus particulièrement, l’ensemble formé 3 peut être tel qu’avant formation des liaisons/soudures :More particularly, the formed assembly 3 can be such that before formation of the connections / welds:

- Aucun des premiers organes de connexion électrique 5 n’est en contact avec un deuxième organe de connexion électrique 7 : on dit que alors que, pour chaque couple, le premier organe de connexion électrique 5 dudit couple est en vis-à-vis du deuxième organe de connexion électrique 7 dudit couple. Notamment, le vis-à-vis est tel que ledit premier organe de connexion électrique 5 dudit couple est séparé du deuxième organe de connexion électrique 7 dudit couple d’une distance telle que le chauffage en vue de lier/souder lesdits premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 dudit couple permet de déformer l’un et/ou l’autre des premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 dudit couple jusqu’à formation d’une liaison/soudure : de la matière peut par exemple fluer, suite à sa montée en température, par gravité de sorte à réaliser la liaison/soudure, ou- None of the first electrical connection members 5 is in contact with a second electrical connection member 7: it is said that while, for each pair, the first electrical connection member 5 of said pair is opposite the second electrical connection member 7 of said pair. In particular, the opposite is such that said first electrical connection member 5 of said pair is separated from the second electrical connection member 7 of said couple by a distance such as heating in order to bond / weld said first and second members of electrical connection 5, 7 of said couple makes it possible to deform one and / or the other of the first and second electrical connection members 5, 7 of said couple until a bond / weld is formed: material can for example creep, following its rise in temperature, by gravity so as to carry out the connection / welding, or

- Chacun des premiers organes de connexion électrique 5 est en contact avec un deuxième organe de connexion électrique 7 correspondant. Ce contact peut être simplement physique sans assurer une continuité électrique suffisante à la connexion électrique des premier et deuxième éléments. Ce contact peut permettre d’assurer un maintien mécanique entre les premier et deuxième éléments 1, 2, ou- Each of the first electrical connection members 5 is in contact with a second corresponding electrical connection member 7. This contact can be simply physical without ensuring sufficient electrical continuity to the electrical connection of the first and second elements. This contact can provide mechanical support between the first and second elements 1, 2, or

- Seulement une partie des premiers organes de connexion électrique 5 sont en contact avec des deuxièmes organes de connexion électrique 7 pour assurer un maintien mécanique entre les premier et deuxième éléments 1,- Only part of the first electrical connection members 5 are in contact with second electrical connection members 7 to provide mechanical support between the first and second elements 1,

2.2.

La figure 2 illustre à la fois des couples pour lesquels les premier et deuxième organes de connexion électrique sont en contact, et des couples pour lesquels les premier et deuxième organes de connexion électrique ne sont pas en contact. [0030] En particulier, on dit que pour chaque couple formé de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7, lesdits premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 sont alignés selon un axe d’alignement A1 correspondant audit couple. Cet axe d’alignement A1 est préférentiellement sensiblement orthogonal ou perpendiculaire aux faces de connexion 4, 6 des premier et deuxième éléments 1, 2. Dans la présente description, par « sensiblement perpendiculaire » on entend exactement perpendiculaire ou perpendiculaire selon une tolérance acceptable, par exemple de plus ou moins 10%. Dans la présente description, par « sensiblement orthogonal» on entend exactement orthogonal ou orthogonal selon une tolérance acceptable, par exemple de plus ou moins 10%.FIG. 2 illustrates both couples for which the first and second electrical connection members are in contact, and couples for which the first and second electrical connection members are not in contact. In particular, it is said that for each pair formed by first and second electrical connection members 5, 7, said first and second electrical connection members 5, 7 are aligned along an alignment axis A1 corresponding to said couple. This alignment axis A1 is preferably substantially orthogonal or perpendicular to the connection faces 4, 6 of the first and second elements 1, 2. In the present description, by "substantially perpendicular" is meant exactly perpendicular or perpendicular according to an acceptable tolerance, by example of plus or minus 10%. In the present description, by “substantially orthogonal” is meant exactly orthogonal or orthogonal according to an acceptable tolerance, for example of plus or minus 10%.

[0031] Par ailleurs, le cas échéant, pour chaque couple dont les premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 sont mis en contact, il existe une interface 8 (figures 2 et 4) entre lesdits premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 dudit couple. La face de connexion 6 du deuxième élément 2 étant orientée vers la face de connexion 4 du premier élément 1, les interfaces 8 sont formées entre les premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 de chaque couple de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 mis en contact. Selon une réalisation, on dit que des premiers organes de connexion électrique 5 sont en contact avec des deuxièmes organes de connexion électrique 7 et en particulier, au sein de l’ensemble 3 formé, avant de former les liaisons obtenues par fusion, chaque premier organe de connexion électrique 5 est contact avec un unique deuxième organe de connexion électrique 7 et chaque deuxième organe de connexion électrique 7 est en contact avec un unique premier organe de connexion électrique 5.Furthermore, if necessary, for each pair whose first and second electrical connection members 5, 7 are brought into contact, there is an interface 8 (Figures 2 and 4) between said first and second electrical connection members 5, 7 of said couple. The connection face 6 of the second element 2 being oriented towards the connection face 4 of the first element 1, the interfaces 8 are formed between the first and second electrical connection members 5, 7 of each pair of first and second electrical connection members 5, 7 brought into contact. According to one embodiment, it is said that first electrical connection members 5 are in contact with second electrical connection members 7 and in particular, within the assembly 3 formed, before forming the connections obtained by fusion, each first member of electrical connection 5 is in contact with a single second electrical connection member 7 and each second electrical connection member 7 is in contact with a single first electrical connection member 5.

[0032] On comprend de tout ce qui a été dit ci-dessus que les liaisons sont à former entre les faces de connexion 4, 6 des premier et deuxième éléments 1, 2 ce qui rend difficile l’accès aux organes de connexion électrique 5, 7 pour réaliser ces liaisons par fusion.It is understood from all that has been said above that the connections are to be formed between the connection faces 4, 6 of the first and second elements 1, 2 which makes access to the electrical connection members 5 difficult. , 7 to make these fusion connections.

[0033] Dans la présente description, un élément (formant notamment le premier élément 1 ou le deuxième élément 2) peut être un élément électronique, en particulier un élément microélectronique, formé par exemple par une puce électronique ou encore un circuit imprimé. En ce sens, on comprend que le premier élément 1 peut être un élément électronique formé par une puce électronique et que le deuxième élément 2 peut être un élément électronique formé par une puce électronique : la connexion électrique du premier élément 1 avec le deuxième élément 2 permet, par exemple, l’échange d’informations ou d’électricité entre les puces électroniques. Alternativement, le premier élément 1 comporte une puce électronique et le deuxième élément 2 comporte un circuit imprimé - ou inversement, par exemple formé à partir d’un substrat en céramique ou en FR4/PCB de l’anglais « Flame Résistant 4/Printed Circuit Board » permettant la connexion de ladite puce électronique audit substrat. Un élément au sens de la présente description peut aussi, par exemple, être une diode électroluminescente, ou un photodétecteur, ou un ASIC (pour l’anglais « Application Spécifie Integrated Circuit » ou circuit intégré propre à une application en français). Autrement dit, on comprend que les premiers organes de connexion électrique 5 sont reliés électriquement à des conducteurs électriques du premier élément 1 et que les deuxièmes organes de connexion électrique 7 sont reliés électriquement à des conducteurs électriques du deuxième élément 2. En particulier, le procédé de connexion peut s’appliquer :In the present description, an element (in particular forming the first element 1 or the second element 2) may be an electronic element, in particular a microelectronic element, formed for example by an electronic chip or a printed circuit. In this sense, it is understood that the first element 1 can be an electronic element formed by an electronic chip and that the second element 2 can be an electronic element formed by an electronic chip: the electrical connection of the first element 1 with the second element 2 allows, for example, the exchange of information or electricity between electronic chips. Alternatively, the first element 1 comprises an electronic chip and the second element 2 comprises a printed circuit - or vice versa, for example formed from a ceramic or FR4 / PCB substrate from the English “Flame Résistant 4 / Printed Circuit Board ”allowing the connection of said electronic chip to said substrate. An element within the meaning of this description may also, for example, be a light-emitting diode, or a photodetector, or an ASIC (for the English "Application Specifies Integrated Circuit" or integrated circuit specific to an application in French). In other words, it is understood that the first electrical connection members 5 are electrically connected to electrical conductors of the first element 1 and that the second electrical connection members 7 are electrically connected to electrical conductors of the second element 2. In particular, the method may apply:

- dans les techniques d’hybridation de puce à puce individualisées : le premier élément 1 et le deuxième élément 2 sont des puces individualisées,- in individual chip-to-chip hybridization techniques: the first element 1 and the second element 2 are individual chips,

- dans les techniques d’hybridation de puces individualisées formant chacune un deuxième élément 2 correspondant sur un substrat comportant une pluralité de puces liées à ce substrat et formant chacune un premier élément 1,- in the hybridization techniques of individualized chips each forming a second corresponding element 2 on a substrate comprising a plurality of chips linked to this substrate and each forming a first element 1,

- dans les techniques hybridation de deux substrats comprenant respectivement chacun des premiers éléments 1 et des deuxièmes éléments 2,in hybridization techniques of two substrates each comprising first elements 1 and second elements 2 respectively,

- dans les techniques d’assemblage dit « CSP » où la puce est montée sur céramique, CSP correspondant à l’anglais « Chip Size Packaging » soit en langue française une puce de même taille que le boiter où elle vient s’hybrider.- in assembly techniques called "CSP" where the chip is mounted on ceramic, CSP corresponding to English "Chip Size Packaging" is in French a chip the same size as the box where it comes to hybridize.

[0034] En particulier, dans les différentes techniques citées ci-dessus, et de manière plus générale appliquée au procédé de connexion décrit, le premier élément présente un coefficient de dilatation différent de celui du deuxième élément.In particular, in the different techniques mentioned above, and more generally applied to the connection method described, the first element has a coefficient of expansion different from that of the second element.

[0035] Il résulte de l’ensemble 3 décrit ci-dessus que la réalisation de liaisons par chauffage de la totalité de l’ensemble 3 comme dans le document US2002/0130164 peut, d’une part, abîmer certaines zones des éléments 1, 2 si elles ne sont pas adaptées pour supporter la température nécessaire à la formation des liaisons entre les organes de connexion électrique 5, 7 et, d’autre part, provoquer un décalage au cours de la formation des liaisons, ou l’apparition de contraintes après formation des liaisons si les premier et deuxième éléments 1, 2 présentent des coefficients de dilatation différents. On comprend ainsi que, selon un mode de réalisation, le premier élément 1 présente un coefficient de dilatation différent du coefficient de dilatation du deuxième élément 2, d’où il résulte qu’une montée globale en température de l’ensemble 3 aurait pour conséquence de désaligner les premiers et deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7, notamment jusqu’à rompre leurs liaisons.It follows from the assembly 3 described above that the production of connections by heating the entire assembly 3 as in document US2002 / 0130164 can, on the one hand, damage certain areas of the elements 1, 2 if they are not adapted to withstand the temperature necessary for the formation of the connections between the electrical connection members 5, 7 and, on the other hand, cause a shift during the formation of the connections, or the appearance of stresses after formation of the bonds if the first and second elements 1, 2 have different expansion coefficients. It is thus understood that, according to one embodiment, the first element 1 has a coefficient of expansion different from the coefficient of expansion of the second element 2, from which it follows that an overall rise in temperature of the assembly 3 would have the consequence to misalign the first and second electrical connection members 5, 7, in particular until their connections are broken.

[0036] En ce sens, le procédé comporte (figures 1, 3 et 4), après l’étape de formation E1 de l’ensemble 3, au moins une étape de chauffage E2 d’une partie Z1 (représentée schématiquement par un ovale en pointillés aux figures 3 et 4) seulement de l’ensemble 3 à une température telle qu’il en résulte (c’est-à-dire que cette température provoque) la formation d’au moins une liaison 9 (ou plusieurs liaisons 9), entre des premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 d’un des couples, obtenue par fusion. Notamment, on dit que la liaison 9 est obtenue à l’interface 8 entre les premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 correspondants lorsque ces derniers étaient en contact avant formation de la liaison 9. Autrement dit, l’étape de chauffage E2 peut comporter une étape d’apport E2-1 de chaleur suffisante localisée pour permettre de former une ou des liaisons 9 obtenues par fusion. Il en résulte que le reste de l’ensemble 3 peut conserver une température strictement inférieure à celle atteinte au niveau des premier et deuxième organes de connexion 5, 7 au cours de la formation de la ou des liaisons 9 correspondantes. L’objectif de cette étape de chauffage E2 est de créer, du fait d’une liaison 9 obtenue par fusion résultante, un intermétallique stable entre les premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 correspondants. Par « la formation d’au moins une liaison 9, entre des premier et deuxième organes de connexion électrique d’un des couples, obtenue par fusion », on entend qu’au moins une partie de l’un des premier ou deuxième organes de connexion électrique 5, 7 fond sous la chaleur pour former, après solidification de ladite au moins une partie ayant fondu, ladite liaison 9 entre les premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 correspondants : après formation de la liaison 9, l’interface 8 correspondante est formée par la liaison 9 alors qu’avant, le cas échéant, l’interface 8 pouvait être formée par un simple contact entre matériaux ou collage entre matériaux. Alternativement, chacun des premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 d’un couple de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 peut comporter une partie qui fond, le cas échéant à l’interface 8, pour former une liaison 9 (bien entendu après solidification desdites parties ayant fondu) entre les premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 dudit couple. L’homme du métier est à même de choisir les matériaux des organes de connexion électrique 5, 7 pour réaliser les liaisons 9 de manière adaptée, de préférence les matériaux seront choisis de sorte à être de bon conducteurs électriques, et pour fondre à une température relativement basse, par exemple inférieure à 350°C et notamment comprise entre 135°C et 350°C. Notamment, ces températures de fusion sont données à la pression atmosphérique.In this sense, the method comprises (FIGS. 1, 3 and 4), after the step of forming E1 of the assembly 3, at least one step of heating E2 of a part Z1 (represented diagrammatically by an oval in dotted lines in FIGS. 3 and 4) only of the assembly 3 at a temperature such that it results (that is to say that this temperature causes) the formation of at least one bond 9 (or several bonds 9 ), between first and second electrical connection members 5, 7 of one of the pairs, obtained by fusion. In particular, it is said that the connection 9 is obtained at the interface 8 between the first and second corresponding electrical connection members 5, 7 when the latter were in contact before formation of the connection 9. In other words, the heating step E2 may include a step of supplying E2-1 with sufficient localized heat to allow one or more bonds 9 obtained by fusion to be formed. As a result, the rest of the assembly 3 can maintain a temperature strictly lower than that reached at the first and second connection members 5, 7 during the formation of the corresponding link (s) 9. The objective of this heating step E2 is to create, due to a connection 9 obtained by resulting fusion, a stable intermetallic between the first and second corresponding electrical connection members 5, 7. By “the formation of at least one connection 9, between first and second electrical connection members of one of the pairs, obtained by fusion”, it is meant that at least part of one of the first or second members of electrical connection 5, 7 melts under heat to form, after solidification of said at least one part having melted, said connection 9 between the first and second corresponding electrical connection members 5, 7: after formation of connection 9, the interface 8 corresponding is formed by the connection 9 while before, if necessary, the interface 8 could be formed by a simple contact between materials or bonding between materials. Alternatively, each of the first and second electrical connection members 5, 7 of a pair of first and second electrical connection members 5, 7 may comprise a part which melts, where appropriate at the interface 8, to form a connection 9 (of course after solidification of said parts having melted) between the first and second electrical connection members 5, 7 of said pair. A person skilled in the art is able to choose the materials of the electrical connection members 5, 7 to make the connections 9 in an appropriate manner, preferably the materials will be chosen so as to be good electrical conductors, and to melt at a temperature relatively low, for example less than 350 ° C and in particular between 135 ° C and 350 ° C. In particular, these melting temperatures are given at atmospheric pressure.

[0037] Autrement dit, on comprend qu’une liaison 9 obtenue par fusion peut être réalisée par fonte, suivie d’une solidification, d’une partie du premier organe de connexion électrique 5 et/ou d’une partie du deuxième organe de connexion électrique 7 d’un couple correspondant. En ce sens, on a d’abord une fusion qui permet de former, après refroidissement, ladite liaison 9 obtenue par fusion qui lie alors mécaniquement et électriquement les premier et deuxième organe de connexion électrique 5, 7 d’un couple correspondant.In other words, it is understood that a connection 9 obtained by fusion can be produced by melting, followed by solidification, of a part of the first electrical connection member 5 and / or of a portion of the second member of electrical connection 7 of a corresponding torque. In this sense, there is first a fusion which makes it possible to form, after cooling, said connection 9 obtained by fusion which then mechanically and electrically links the first and second electrical connection members 5, 7 of a corresponding torque.

[0038] De préférence, et de manière applicable à toutes les liaisons 9 obtenues par fusion, au cours de chaque étape de chauffage E2 décrite dans la présente description, les premiers et deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7 sont tous placés dans un environnement contrôlé, par exemple sous une atmosphère réductrice ou désoxydante. Autrement dit, au cours de chaque étape de chauffage E2 les premiers et deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7 sont exposés à un fluide désoxydant, par exemple liquide ou gazeux, permettant de former cette atmosphère réductrice, ou à un environnement réducteur. Plus généralement, on dit qu’au cours de chaque étape de chauffage E2, au moins chaque couple de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 à lier, et notamment tous les premiers et deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7, sont exposés à un fluide désoxydant (aussi appelé fluide réducteur), le fluide pouvant être un liquide ou un gaz. Le fluide peut être en mouvement, c’est à dire qu’au cours de chaque étape de chauffage E2 il est mis en œuvre une étape d’injection E2-2 (figurePreferably, and applicable to all the connections 9 obtained by fusion, during each heating step E2 described in this description, the first and second electrical connection members 5, 7 are all placed in an environment controlled, for example under a reducing or deoxidizing atmosphere. In other words, during each heating step E2, the first and second electrical connection members 5, 7 are exposed to a deoxidizing fluid, for example liquid or gaseous, making it possible to form this reducing atmosphere, or to a reducing environment. More generally, it is said that during each heating step E2, at least each pair of first and second electrical connection members 5, 7 to be linked, and in particular all the first and second electrical connection members 5, 7, are exposed to a deoxidizing fluid (also called a reducing fluid), the fluid possibly being a liquid or a gas. The fluid can be in movement, that is to say that during each heating step E2, an injection step E2-2 is implemented (figure

1) du fluide pour que ce dernier enveloppe les premiers et deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7 et une étape d’aspiration E2-3 (figure 1) du fluide pour extraire les effluents du fluide qui peuvent être nocifs : on dit alors que les premiers et deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7 sont exposés à un flux de fluide désoxydant. En fait, le fluide réduit l’oxyde qui se forme de manière naturelle en surface des matériaux à lier, le fluide permet de mettre en contact un matériau pur et un matériau mouillable (or, platine, argent, nickel, etc.) ou deux matériaux purs. Le fluide peut être introduit avant de former l’ensemble 3, par exemple par mise en contact des premiers organes de connexion électrique 5 avec les deuxièmes organes de connexion électrique 7, et le fluide peut assurer une fonction additionnelle de maintien mécanique temporaire, en particulier lorsque le fluide est liquide (il s’agit de réaliser un collage connu sous le terme anglais « tacking »), entre les premier et deuxième éléments 1, 2 avant de réaliser la ou les étapes de chauffage E2. Lorsque le fluide est gazeux, il peut par exemple s’agir d’acide formique, d’hydrogène, ou d’acide acétique.1) of the fluid so that the latter envelops the first and second electrical connection members 5, 7 and a suction step E2-3 (FIG. 1) of the fluid to extract the effluents from the fluid which can be harmful: it is said that the first and second electrical connection members 5, 7 are exposed to a flow of deoxidizing fluid. In fact, the fluid reduces the oxide which forms naturally on the surface of the materials to be bonded, the fluid makes it possible to bring into contact a pure material and a wettable material (gold, platinum, silver, nickel, etc.) or two pure materials. The fluid can be introduced before forming the assembly 3, for example by bringing the first electrical connection members 5 into contact with the second electrical connection members 7, and the fluid can provide an additional function of temporary mechanical maintenance, in particular when the fluid is liquid (this involves making a bonding known under the English term "tacking"), between the first and second elements 1, 2 before carrying out the heating step or steps E2. When the fluid is gaseous, it may for example be formic acid, hydrogen, or acetic acid.

[0039] Préférentiellement, lorsque des premiers organes de connexion électrique 5 sont en contact avec des deuxièmes organes de connexion électrique 7, il en résulte que chaque interface 8 entre un premier organe de connexion électrique 5 et un deuxième organe de connexion électrique 7 peut participer au maintien mécanique du premier élément 1 par rapport au deuxième élément 2 avant réalisation des liaisons 9 obtenues par fusion. Pour cela, l’étape de formation E1 de l’ensemble 3 peut, par exemple, comporter une étape d’association E1-1 (figure 1) des premier et deuxième éléments 1, 2 d’où il résulte la mise en contact de premiers organes de connexion électrique 5 avec des deuxièmes organes de connexion électrique 7. On comprend ici que tout ou partie des premiers organes de connexion électrique peut être mis en contact avec des deuxièmes organes de connexion électrique correspondants, ceci permettant par exemple de former des liens mécaniques. De préférence, au terme de l’étape d’association E1-1, chaque premier organe de connexion électrique 5 est en contact avec l’un des deuxièmes organes de connexion électrique 7. Après l’étape d’association, l’étape de formation de l’ensemble 3 peut comporter une étape de sollicitation E1-2 (figure 1) du deuxième élément 2 (figure 2 flèche F1) vers le premier élément 1 d’où il résulte un maintien mécanique du premier élément 1 par rapport au deuxième élément 2. Autrement dit, chaque interface 8, à laquelle les premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 correspondants sont en contact, participe au maintien mécanique du premier élément 1 par rapport au deuxième élément 2. Cette étape de sollicitation E1-2 est notamment réalisée à température ambiante (la température ambiante est notamment comprise entre 10°C et 40°C) et permet de réaliser ce que l’on appelle un collage (ou soudure) à froid. Au cours de cette étape de sollicitation E1-2, et notamment aussi au cours de l’étape d’association E1-1, un liquide peut être placé au niveau des couples de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 de l’ensemble 3 (on dit alors que les couples de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 sont enrobés par le liquide) : ce liquide permet d’améliorer le maintien du premier élément 1 par rapport au deuxième élément 2 (phénomène de « tacking » en anglais). Notamment, au moins l’un, voire les deux, des premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 peut se déformer au cours de l’étape de sollicitation E1-2 d’où il résulte que l’interface 8 formée entre les premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 mis en contact assure en tout ou partie la fonction de liaison mécanique évoquée ci-dessus permettant de fixer le premier élément 2 au deuxième élémentPreferably, when first electrical connection members 5 are in contact with second electrical connection members 7, it follows that each interface 8 between a first electrical connection member 5 and a second electrical connection member 7 can participate to the mechanical maintenance of the first element 1 relative to the second element 2 before making the connections 9 obtained by fusion. For this, the step of forming E1 of the assembly 3 can, for example, include a step of association E1-1 (FIG. 1) of the first and second elements 1, 2 from which it results in the contacting of first electrical connection members 5 with second electrical connection members 7. It is understood here that all or part of the first electrical connection members can be brought into contact with corresponding second electrical connection members, this for example making it possible to form links mechanical. Preferably, at the end of the association step E1-1, each first electrical connection member 5 is in contact with one of the second electrical connection members 7. After the association step, the step of formation of the assembly 3 may include a step of biasing E1-2 (FIG. 1) of the second element 2 (FIG. 2 arrow F1) towards the first element 1 from which it results in mechanical retention of the first element 1 relative to the second element 2. In other words, each interface 8, to which the first and second corresponding electrical connection members 5, 7 are in contact, participates in the mechanical maintenance of the first element 1 relative to the second element 2. This stressing step E1-2 is in particular carried out at ambient temperature (the ambient temperature is in particular between 10 ° C. and 40 ° C.) and makes it possible to produce what is called cold bonding (or welding). During this stressing step E1-2, and in particular also during the association step E1-1, a liquid can be placed at the level of the pairs of first and second electrical connection members 5, 7 of the assembly 3 (it is then said that the pairs of first and second electrical connection members 5, 7 are coated with the liquid): this liquid makes it possible to improve the maintenance of the first element 1 relative to the second element 2 (phenomenon of "tacking" " in English). In particular, at least one, or even both, of the first and second electrical connection members 5, 7 can be deformed during the stressing step E1-2 where it follows that the interface 8 formed between the first and second electrical connection members 5, 7 brought into contact provides all or part of the mechanical connection function mentioned above enabling the first element 2 to be fixed to the second element

3. Autrement dit, l’étape de sollicitation E1-2 peut être telle que pour chaque couple de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 mis en contact, au moins l’un des premier ou deuxième organes de connexion électrique 5, 7 s’est déformé au contact de l’autre. Selon une autre formulation, l’étape de sollicitation E1-2 peut être telle que, pour chaque couple de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 mis en contact, le premier organe de connexion électrique 5 et/ou le deuxième organe de connexion électrique 7 s’est déformé à la l’interface 8 entre lesdits premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 dudit couple. En ce sens, il est possible de choisir les matériaux des organes de connexion électrique 5, 7 pour qu’au moins une partie de l’un de ces organes soit plus ductile que l’autre organe avec lequel il doit être lié. On comprend ici que l’homme du métier sera à même de choisir les matériaux des premiers et deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7 à mettre en contact pour réaliser les fonctions décrites ci-dessus, à titre d’exemple les couples de matériaux à mettre en contact pour former les interfaces 8 peuvent être choisis parmi Indium/lndium, Or/indium, Indium/Etain, Or/Etain.3. In other words, the stressing step E1-2 can be such that for each pair of first and second electrical connection members 5, 7 brought into contact, at least one of the first or second electrical connection members 5, 7 is deformed in contact with the other. According to another formulation, the stressing step E1-2 can be such that, for each pair of first and second electrical connection members 5, 7 brought into contact, the first electrical connection member 5 and / or the second electrical connection 7 is deformed at the interface 8 between said first and second electrical connection members 5, 7 of said pair. In this sense, it is possible to choose the materials of the electrical connection members 5, 7 so that at least part of one of these members is more ductile than the other member with which it must be linked. It is understood here that a person skilled in the art will be able to choose the materials of the first and second electrical connection members 5, 7 to be brought into contact in order to carry out the functions described above, by way of example the pairs of materials to be put in contact to form the interfaces 8 can be chosen from Indium / lndium, Gold / indium, Indium / Tin, Gold / Tin.

[0040] Le maintien mécanique décrit ci-dessus entre les premier et deuxième éléments 1, 2 est avantageux dans le sens où il va participer au maintien de l’alignement des premier et deuxième éléments 1, 2, et donc des premiers et deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7 lors de la réalisation des liaisons par fusion entre organes de connexion électrique.The mechanical maintenance described above between the first and second elements 1, 2 is advantageous in the sense that it will participate in maintaining the alignment of the first and second elements 1, 2, and therefore of the first and second members of electrical connection 5, 7 during the production of fusion connections between electrical connection members.

[0041] Bien que la sollicitation soit préférée pour assurer un bon maintien mécanique, alternativement, l’étape E1 peut comporter simplement l’étape d’association E1 -1 des premier et deuxième éléments 1,2 permettant de mettre en contact des premiers organes de connexion électrique 5 (notamment tout ou partie de ces derniers) avec des deuxièmes organes de connexion électrique 7 correspondants, par exemple par la technique placement de puces aussi connu dans le domaine sous la terminologie « pick and place » en anglais. Dans ce cas, la gravité peut suffire pour assurer le maintien du premier élément 1 par rapport au deuxième élément 2 avant formation des liaisons 9 obtenues par fusion. De préférence, le maintien peut être amélioré par l’utilisation d’un liquide tel que décrit ci-avant placé entre les premier et deuxième éléments 1, 2.Although the stress is preferred to ensure good mechanical support, alternatively, step E1 may simply include the step of association E1 -1 of the first and second elements 1,2 making it possible to bring the first organs into contact of electrical connection 5 (in particular all or part of the latter) with corresponding second electrical connection members 7, for example by the chip placement technique also known in the field under the terminology "pick and place" in English. In this case, gravity may be sufficient to maintain the first element 1 relative to the second element 2 before forming the connections 9 obtained by fusion. Preferably, the maintenance can be improved by the use of a liquid as described above placed between the first and second elements 1, 2.

[0042] Selon un premier mode de réalisation illustré en figure 3, il est possible d’utiliser un élément de chauffage 10, par exemple apte à effectuer un tir laser traversant au moins une portion/zone de l’ensemble 3 et étant absorbé par un élément d’absorption 40, situé à proximité d’une des faces de connexion 4, 6, notamment de la longueur d’onde du laser de sorte à échauffer ledit élément d’absorption 40. De manière préférée, l’élément de chauffage 10 peut être un élément de chauffage optique. La chaleur absorbée par l’élément d’absorption 40 se diffuse aux organes de connexion électriques 5, 7 associés à ladite une des faces de connexion 4, 6. Selon cette réalisation, il peut être possible de lier (formation de liaisons 9 obtenues par fusion) à partir d’un même tir laser la totalité des premiers organes de connexion électrique 5 aux deuxièmes organes de connexion électrique 7 sans faire chauffer la totalité de l’ensemble 3. Autrement dit, ladite au moins une étape de chauffage E2 peut alors comporter l’utilisation d’un rayonnement, de préférence issu d’un laser (le rayonnement peut alors être un faisceau laser), coopérant avec la partie de l’ensemble 3 chauffée par l’étape de chauffage, par exemple avec l’élément d’absorption 40 de la longueur d’onde du rayonnement, ledit élément d’absorption 40 étant présent au sein de la partie de l’ensemble 3. Dans la présente description, un élément d’absorption 40 permet d’absorber un rayonnement, et de monter en température consécutivement à l’absorption du rayonnement. Autrement dit, de manière plus générale, il résulte de l’utilisation du rayonnement la diffusion de chaleur en direction des premiers et/ou deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7 pour former une liaison 9, obtenue par fusion, entre les premier et deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7 de chaque couple. En particulier, avant d’atteindre l’élément d’absorption 40, le rayonnement traverse une zone de l’ensemble 3 qui est transparente au rayonnement. L’élément d’absorption 40 peut comporter du, ou être une couche de, Ti, Al, Cu, Mo, TiN, TiW, Ag, Cr, ou Ni. L’élément d’absorption 40 peut aussi être en carbone, en polymère d’enrobage absorbant à la longueur d’onde comme de l’époxy ou du silicone. D’autre matériaux peuvent aussi être compatibles du moment qu’ils permettent la fonction recherchée d’échauffement de l’élément d’absorption. De préférence, l’élément d’absorption 40 est formé dans l’un des premier ou deuxième éléments 1,2, avantageusement à proximité des organes de connexion électrique correspondants. Sur la figure 3, il est représenté un rayonnement focalisé (faisceau 11) sur l’élément d’absorption 40 (ce rayonnement focalisé peut aussi se déplacer de sorte à balayer l’élément d’absorption 40) mais il est aussi possible d’utiliser un rayonnement dont le faisceau est large de sorte à couvrir tout l’élément d’absorption 40. La liaison 9 obtenue par fusion est obtenue, pour chaque couple de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7, par fonte d’au moins une partie de l’un desdits premier ou deuxième organes de connexion électrique 5, 7 notamment à l’interface 8 correspondante, ou par fonte d’au moins une partie du premier organe de connexion électrique 5 et d’au moins une partie du deuxième organe de connexion électrique 7 notamment à l’interface 8 correspondante. On dit alors que chaque liaison obtenue par fusion lie électriquement les premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 d’un couple correspondant.According to a first embodiment illustrated in Figure 3, it is possible to use a heating element 10, for example capable of performing a laser shot passing through at least a portion / area of the assembly 3 and being absorbed by an absorption element 40, located near one of the connection faces 4, 6, in particular of the wavelength of the laser so as to heat said absorption element 40. Preferably, the heating element 10 may be an optical heating element. The heat absorbed by the absorption element 40 diffuses to the electrical connection members 5, 7 associated with said one of the connection faces 4, 6. According to this embodiment, it may be possible to bond (formation of bonds 9 obtained by fusion) from a single laser shot all of the first electrical connection members 5 to the second electrical connection members 7 without heating all of the assembly 3. In other words, said at least one heating step E2 can then include the use of radiation, preferably from a laser (the radiation can then be a laser beam), cooperating with the part of the assembly 3 heated by the heating step, for example with the element of absorption 40 of the wavelength of the radiation, said absorption element 40 being present within the part of the assembly 3. In the present description, an absorption element 40 makes it possible to absorb radiation, and rise in temperature following absorption of radiation. In other words, more generally, it results from the use of radiation the diffusion of heat towards the first and / or second electrical connection members 5, 7 to form a connection 9, obtained by fusion, between the first and second electrical connection members 5, 7 of each pair. In particular, before reaching the absorption element 40, the radiation passes through an area of the assembly 3 which is transparent to the radiation. The absorption element 40 may comprise, or be a layer of, Ti, Al, Cu, Mo, TiN, TiW, Ag, Cr, or Ni. The absorption element 40 can also be made of carbon, of a wavelength absorbing coating polymer such as epoxy or silicone. Other materials can also be compatible as long as they allow the desired heating function of the absorption element. Preferably, the absorption element 40 is formed in one of the first or second elements 1,2, advantageously near the corresponding electrical connection members. In FIG. 3, there is shown a focused radiation (beam 11) on the absorption element 40 (this focused radiation can also move so as to sweep the absorption element 40) but it is also possible to use a radiation whose beam is wide so as to cover the entire absorption element 40. The connection 9 obtained by fusion is obtained, for each pair of first and second electrical connection members 5, 7, by melting at least at least part of one of said first or second electrical connection members 5, 7 in particular at the corresponding interface 8, or by melting at least a portion of the first electrical connection member 5 and at least part of the second electrical connection member 7 in particular at the corresponding interface 8. It is then said that each connection obtained by fusion electrically links the first and second electrical connection members 5, 7 of a corresponding torque.

[0043] Dans la présente description, la transparence à un rayonnement, ou facteur de transmission, est défini comme laissant passer au moins 80% de ce rayonnement, et de préférence au moins 90% de ce rayonnement. Dans la présente description, la qualité d’absorption d’un rayonnement pour l’élément d’absorption 40 est conférée par le fait que ledit élément d’absorption 40 absorbe au moins, ou que son facteur d’absorption est d’au moins, 20% de ce rayonnement, et de préférence entre 50% et 90% de ce rayonnement d’où il résulte une montée en température dudit élément d’absorption 40.In the present description, the transparency to radiation, or transmission factor, is defined as letting at least 80% of this radiation, and preferably at least 90% of this radiation. In the present description, the quality of absorption of radiation for the absorption element 40 is conferred by the fact that said absorption element 40 absorbs at least, or that its absorption factor is at least , 20% of this radiation, and preferably between 50% and 90% of this radiation from which it results a rise in temperature of said absorption element 40.

[0044] Selon un deuxième mode de réalisation, les liaisons 9 sont réalisées en plusieurs temps de sorte à éviter la montée en température de la totalité de l’ensemble 3 à une température nécessaire à la fusion. Dans ce deuxième mode, ledit ensemble 3 comporte différentes parties comportant chacune au moins un des couples de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7. Notamment, un couple de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 appartient à une seule partie de l’ensemble 3 qui peut par contre comporter un ou plusieurs couples de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7. La figure 4 illustre justement différentes parties de l’ensemble 3 situées respectivement dans des zones Z1, Z2, Z3, Z4, Z5, Z6 (représentées en pointillés à la figure 4), et le procédé comporte pour chaque partie de l’ensemble 3, une étape de chauffage E2 de ladite partie de l’ensemble 3 à une température (aussi appelée température de chauffe ou température de fusion) telle que :According to a second embodiment, the connections 9 are produced in several stages so as to avoid the temperature rise of the whole of the assembly 3 at a temperature necessary for melting. In this second mode, said assembly 3 comprises different parts each comprising at least one of the pairs of first and second electrical connection members 5, 7. In particular, a pair of first and second electrical connection members 5, 7 belongs to a single part of the assembly 3 which can on the other hand comprise one or more pairs of first and second electrical connection members 5, 7. FIG. 4 precisely illustrates different parts of the assembly 3 located respectively in zones Z1, Z2, Z3, Z4 , Z5, Z6 (shown in dotted lines in FIG. 4), and the method comprises for each part of the assembly 3, a step of heating E2 of said part of the assembly 3 to a temperature (also called heating temperature or melting temperature) such that:

- Pour chaque couple de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 de ladite partie de l’ensemble 3, il résulte la formation d’une liaison 9, obtenue par fusion, entre les premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 dudit couple. Chaque liaison 9 étant obtenue, pour chaque couple de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 de ladite partie de l’ensemble 3, par fonte d’au moins une partie de l’un desdits premier ou deuxième organes de connexion électrique 5, 7, notamment à l’interface 8, ou par fonte d’au moins une partie du premier organe de connexion électrique 5 et d’au moins une partie du deuxième organe de connexion électrique 7, notamment à l’interface 8. On dit alors que chaque liaison 9 obtenue par fusion lie électriquement les premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 d’un couple correspondant.- For each pair of first and second electrical connection members 5, 7 of said part of the assembly 3, it results in the formation of a connection 9, obtained by fusion, between the first and second electrical connection members 5, 7 of said couple. Each link 9 being obtained, for each pair of first and second electrical connection members 5, 7 of said part of assembly 3, by melting at least a part of one of said first or second electrical connection members 5 , 7, in particular at the interface 8, or by melting at least a portion of the first electrical connection member 5 and at least a portion of the second electrical connection member 7, in particular at the interface 8. It is said while each connection 9 obtained by fusion electrically links the first and second electrical connection members 5, 7 with a corresponding torque.

- Chaque autre partie dudit ensemble 3 reste à une température strictement inférieure à ladite température à laquelle est chauffée ladite partie de l’ensemble (c’est-à-dire à la température de chauffe ou de fusion), en particulier on dit que chaque premier organe de connexion électrique 5 et chaque deuxième organe de connexion électrique 7 situés hors de ladite partie de l’ensemble 3 restent à une température strictement inférieure à la température de chauffe d’où il résulte que la fusion de toute ou partie des premiers et/ou deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7 situés hors de ladite partie de l’ensemble 3 pour laquelle ladite étape de chauffage E2 est mise en œuvre est inhibée. On comprend alors que hors de ladite partie de l’ensemble 3 qui est chauffée de manière adaptée au cours de ladite étape de chauffage E2, aucune formation de liaison par fusion - ou aucune fusion de matière de l’ensemble 3, n’est possible.- Each other part of said assembly 3 remains at a temperature strictly lower than said temperature to which said part of the assembly is heated (that is to say at the heating or melting temperature), in particular it is said that each first electrical connection member 5 and each second electrical connection member 7 located outside said part of the assembly 3 remain at a temperature strictly lower than the heating temperature where it results that the fusion of all or part of the first and / or second electrical connection members 5, 7 situated outside said part of the assembly 3 for which said heating step E2 is implemented is inhibited. It is then understood that outside of said part of the assembly 3 which is suitably heated during said heating step E2, no bonding formation by melting - or no melting of material from the assembly 3, is possible. .

On comprend donc qu’il y a ici une mise en œuvre d’une pluralité d’étapes de chauffage E2. En particulier, au terme de la mise en œuvre des étapes de chauffage E2, chaque premier organe de connexion électrique 5 est lié par une liaison 9 obtenue par fusion avec un deuxième organe de connexion électrique 7. Notamment, les étapes de chauffage E2 sont mises en œuvre par l’utilisation d’un même élément de chauffage 10 qui peut se déplacer par rapport à l’ensemble 3. Selon une autre formulation, chaque étape de chauffage E2 peut comporter l’utilisation d’un élément de chauffage 10, par exemple générant un rayonnement traversant au moins une zone du premier élément 1, ou le cas échéant au moins une zone du deuxième élément 2, et étant absorbé au niveau d’une zone de liaison Z1 formant la partie de l’ensemble 3 telle que définie ci-dessus, l’élément de chauffage 10 étant configuré de telle sorte que :It is therefore understood that there is here an implementation of a plurality of heating steps E2. In particular, at the end of the implementation of the heating steps E2, each first electrical connection member 5 is linked by a link 9 obtained by fusion with a second electrical connection member 7. In particular, the heating steps E2 are set implemented by the use of the same heating element 10 which can move relative to the assembly 3. According to another formulation, each heating step E2 can include the use of a heating element 10, for example example generating radiation passing through at least one zone of the first element 1, or if necessary at least one zone of the second element 2, and being absorbed at the level of a connection zone Z1 forming the part of the assembly 3 as defined above, the heating element 10 being configured so that:

- les premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 de chaque couple situé dans la zone de liaison Z1 soient chauffés, notamment à leurs interfaces de liaison 8, à une température supérieure à la température de liquidus de la soudure/liaison souhaitée,the first and second electrical connection members 5, 7 of each pair located in the connection zone Z1 are heated, in particular at their connection interfaces 8, to a temperature higher than the liquidus temperature of the desired weld / connection,

- que les premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 de chaque couple situés hors de la zone de liaison Z1 restent à une température strictement inférieure à la température de liquidus.- That the first and second electrical connection members 5, 7 of each pair located outside of the connection zone Z1 remain at a temperature strictly below the liquidus temperature.

L’élément de chauffage 10 peut effectuer un balayage, de préférence en veillant que les premier et deuxième éléments 1, 2 restent globalement à une température moyenne strictement inférieure à un seuil de température qui impliquerait une différence de dilatation trop importante entre les deux éléments ou un endommagement de certaines zones de l’ensemble 3 si ce seuil était dépassé. Ce seuil de température peut être différent selon les applications, il peut être calculé en fonction de la structure de l’ensemble 3 et en fonction des coefficients de dilatation des premier et deuxième éléments 1, 2.The heating element 10 can sweep, preferably while ensuring that the first and second elements 1, 2 remain overall at an average temperature strictly below a temperature threshold which would imply an excessively large difference in expansion between the two elements or damage to certain areas of assembly 3 if this threshold was exceeded. This temperature threshold can be different depending on the applications, it can be calculated as a function of the structure of the assembly 3 and as a function of the expansion coefficients of the first and second elements 1, 2.

[0045] De manière générale, les interfaces 8 de l’ensemble 3 au niveau desquelles les liaisons 9 n’ont pas encore été réalisées, et le cas échéant chaque couple de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 déjà liés par fusion, et situés hors d’une partie de l’ensemble 3 chauffée au cours d’une étape de chauffage E2, assurent un lien mécanique entre les premier et deuxième éléments 1, 2 qui permet d’encaisser une dilatation locale de l’ensemble 3 due à l’étape de chauffage E2 en cours. Autrement dit, même si le premier élément 1 et/ou le deuxième élément 2 se dilate localement, les couples de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 restent solidaires mécaniquement : lors du retour à la température ambiante ces éléments conserveront leur position initiale respective ainsi que le stress nul initial.In general, the interfaces 8 of the assembly 3 at which the connections 9 have not yet been made, and where appropriate each pair of first and second electrical connection members 5, 7 already linked by fusion , and located outside a part of the assembly 3 heated during a heating step E2, provide a mechanical link between the first and second elements 1, 2 which makes it possible to collect local expansion of the assembly 3 due to the heating step E2 in progress. In other words, even if the first element 1 and / or the second element 2 expands locally, the pairs of first and second electrical connection members 5, 7 remain mechanically integral: when returning to ambient temperature these elements will retain their initial position respective as well as the initial zero stress.

[0046] On comprend de ce qui a été dit ci-dessus que, dans le cadre du deuxième mode de réalisation, le procédé peut comporter une utilisation d’un élément de chauffage 10, notamment un élément de chauffage optique, les étapes de chauffage E2 des parties de l’ensemble 3 étant mises en œuvre par le même élément de chauffage 10, la position de l’élément de chauffage 10 vis-à-vis de l’ensemble 3 étant différente pour chaque étape de chauffage E2. On comprend alors que l’élément de chauffage 10 peut réaliser un balayage d’où il résulte la mise en œuvre de la totalité des étapes de chauffage E2. Le balayage peut être réalisé dans un plan sensiblement parallèle aux faces de connexion des premier et deuxième éléments 1,2, notamment via un faisceau 11 (figure 4) d’un rayonnement sensiblement orthogonal/perpendiculaire aux faces de connexion 4, 6 des premier et deuxième éléments de l’ensemble 3 formé. Ce balayage (flèche F2 figure 4) peut être mis en œuvre tout en veillant que la température de la totalité de l’ensemble 3 reste en moyenne strictement inférieure à une température seuil. La température seuil peut être différente selon les applications, elle peut être calculée en fonction de la structure de l’ensemble 3 et en fonction des coefficients de dilatation des premier et deuxième éléments. En particulier, on estime que le reste de l’ensemble voit sa température monter globalement de moins de 20% par rapport à sa température d’origine avant le chauffage, la température pourra être contrôlée grâce à une sonde collée sur une face arrière de l’ensemble et le procédé pourra s’adapter en vitesse de balayage, en puissance thermique apportée ou en focalisation en cas d’utilisation d’un laser en fonction de la valeur de température issue de la sonde.It is understood from what has been said above that, in the context of the second embodiment, the method may include the use of a heating element 10, in particular an optical heating element, the heating steps E2 of the parts of the assembly 3 being implemented by the same heating element 10, the position of the heating element 10 with respect to the assembly 3 being different for each heating step E2. It will then be understood that the heating element 10 can carry out a scanning, from which it results in the implementation of all of the heating steps E2. The scanning can be carried out in a plane substantially parallel to the connection faces of the first and second elements 1, 2, in particular via a beam 11 (FIG. 4) of radiation substantially orthogonal / perpendicular to the connection faces 4, 6 of the first and second elements of the assembly 3 formed. This scanning (arrow F2 in FIG. 4) can be implemented while ensuring that the temperature of the whole of the assembly 3 remains on average strictly below a threshold temperature. The threshold temperature can be different depending on the applications, it can be calculated according to the structure of the assembly 3 and according to the coefficients of expansion of the first and second elements. In particular, it is estimated that the rest of the whole sees its temperature rise overall by less than 20% compared to its original temperature before heating, the temperature can be controlled using a probe glued to a rear face of the The assembly and the method can be adapted in scanning speed, in thermal power brought in or in focusing when using a laser as a function of the temperature value coming from the probe.

[0047] Toujours dans le cadre de la deuxième réalisation, chaque partie de l’ensemble 3 à chauffer peut comporter deux, ou plus, couples de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7.Still in the context of the second embodiment, each part of the assembly 3 to be heated may include two or more pairs of first and second electrical connection members 5, 7.

[0048] Selon une mise en œuvre du procédé qui peut aussi s’appliquer à ce qui a été dit dans le cadre du deuxième mode de réalisation, ledit ensemble 3 comporte différentes parties comportant chacune au moins un des couples de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7, et le procédé comporte, pour chaque partie de l’ensemble 3, une étape de chauffage E2 de ladite partie de l’ensemble 3. Lesdites étapes de chauffage E2 sont mises en œuvre à des instants temporels différents par un élément de chauffage 10 (notamment un élément de chauffage optique), et, pour chaque instant temporel, l’élément de chauffage 10 adopte une position différente par rapport à l’ensemble 3 pour former ladite au moins une liaison 9 obtenue par fusion seulement au niveau de chaque couple de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 (c’est à dire entre les premier et deuxièmes organes de connexion électrique dudit couple) de ladite partie de l’ensemble 3 chauffée par l’étape de chauffage au cours d’un instant temporel correspondant. On comprend donc ici que les liaisons 9 peuvent être obtenues par un balayage localisé d’un élément de chauffage 10.According to an implementation of the method which can also be applied to what has been said in the context of the second embodiment, said assembly 3 comprises different parts each comprising at least one of the pairs of first and second members of electrical connection 5, 7, and the method comprises, for each part of the assembly 3, a heating step E2 of said part of the assembly 3. Said heating steps E2 are implemented at different time instants by a heating element 10 (in particular an optical heating element), and, for each time instant, the heating element 10 adopts a different position relative to the assembly 3 to form said at least one connection 9 obtained by fusion only at level of each pair of first and second electrical connection members 5, 7 (that is to say between the first and second electrical connection members of said pair) of said part of the ’Assembly 3 heated by the heating stage during a corresponding time instant. It is therefore understood here that the connections 9 can be obtained by localized scanning of a heating element 10.

[0049] Notamment, l’élément de chauffage 10 peut être configuré pour émettre un rayonnement, par exemple l’élément de chauffage 10 peut être un laser dont est issu ledit rayonnement, et chaque étape de chauffage E2 est telle que le rayonnement émis par l’élément de chauffage 10 traverse au moins une partie du premier élément 1 et/ou du deuxième élément 2 (autrement dit, ladite au moins une partie du premier élément 1 et/ou du deuxième élément 2 est transparente audit rayonnement), et est absorbé par un élément d’absorption 40 situé dans ladite partie de l’ensemble 3 chauffée au cours de l’étape de chauffage E2. En particulier, le rayonnement traverse ladite au moins une partie du premier élément 1 et/ou du deuxième élément 2 avant d’être absorbé par l’élément d’absorption 40. L’élément d’absorption 40 peut comporter un matériau adapté à l’absorption du rayonnement et apte à s’échauffer du fait de l’absorption du rayonnement d’où il résulte une diffusion de chaleur au sein de la partie de l’ensemble 3 permettant de former, pour chaque couple de premier et deuxième organes de connexion électrique de ladite partie de l’ensemble 3, la liaison 9 correspondante obtenue par fusion. Par exemple, l’élément d’absorption 40 peut être tel que celui visé dans le premier mode de réalisation : l’élément d’absorption 40 peut comporter du, ou être une couche de, Ti, Al, Ou, Mo, TiN, TiW, Ag, Cr, ou Ni. L’élément d’absorption 40 peut aussi être en carbone, en polymère d’enrobage absorbant à la longueur d’onde comme de l’époxy ou du silicone. L’élément d’absorption 40 peut être situé à proximité de l’un des premier ou deuxième organes de connexion électrique comme illustré en figure 4. Plus particulièrement, sur la figure 4 chaque deuxième organe de connexion électrique 7 est associé à un élément d’absorption 40 formé dans le deuxième élément 2. Alternativement, pour chaque couple, au moins une partie de l’un des premier et/ou deuxième organes de connexion électrique 5, 7 peut être formée en un, ou comporter un, matériau absorbant du rayonnement pour permettre une montée en température suffisante pour former une liaison obtenue par fusion entre lesdits premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7. [0050] De manière plus générale, l’élément de chauffage 10 peut être une source thermique ponctuelle ou peut adopter la forme d’une barrette pour pouvoir chauffer plusieurs couples d’organes de connexion électrique à la fois. L’élément de chauffage 10 peut être un laser ponctuel permettant par exemple de ne former qu’une liaison 9 pour chaque position relative du laser par rapport à l’ensemble 3, ou une barre de lasers permettant par exemple de former des liaisons 9 pour chaque position relative de la barre de lasers par rapport à l’ensemble 3.In particular, the heating element 10 can be configured to emit radiation, for example the heating element 10 can be a laser from which said radiation is produced, and each heating step E2 is such that the radiation emitted by the heating element 10 passes through at least part of the first element 1 and / or of the second element 2 (in other words, said at least part of the first element 1 and / or of the second element 2 is transparent to said radiation), and is absorbed by an absorption element 40 located in said part of the assembly 3 heated during the heating step E2. In particular, the radiation passes through said at least part of the first element 1 and / or of the second element 2 before being absorbed by the absorption element 40. The absorption element 40 may comprise a material suitable for the absorption of the radiation and able to heat up due to the absorption of the radiation from which it results in a diffusion of heat within the part of the assembly 3 making it possible to form, for each pair of first and second organs of electrical connection of said part of the assembly 3, the corresponding connection 9 obtained by fusion. For example, the absorption element 40 can be such as that aimed in the first embodiment: the absorption element 40 can comprise, or be a layer of, Ti, Al, Ou, Mo, TiN, TiW, Ag, Cr, or Ni. The absorption element 40 can also be made of carbon, of a wavelength absorbing coating polymer such as epoxy or silicone. The absorption element 40 can be located near one of the first or second electrical connection members as illustrated in FIG. 4. More particularly, in FIG. 4 each second electrical connection member 7 is associated with an element of absorption 40 formed in the second element 2. Alternatively, for each pair, at least part of one of the first and / or second electrical connection members 5, 7 can be formed into one, or include a material absorbing radiation to allow a rise in temperature sufficient to form a connection obtained by fusion between said first and second electrical connection members 5, 7. More generally, the heating element 10 may be a point heat source or may adopt the form of a strip to be able to heat several pairs of electrical connection members at the same time. The heating element 10 can be a point laser making it possible, for example, to form only one connection 9 for each relative position of the laser with respect to the assembly 3, or a laser bar making it possible, for example, to form connections 9 for each relative position of the laser bar relative to the assembly 3.

[0051] De manière applicable aux premier et deuxième modes de réalisation décrits ci-dessus, pour permettre de ne chauffer qu’une partie de l’ensemble 3 en un endroit en particulier, ledit premier ou deuxième élément 1, 2 comporte des matériaux transparents au rayonnement évoqué précédemment, et notamment à la longueur d’onde du laser afin que le rayonnement issu du laser puisse atteindre sa cible (c’est-à-dire l’élément d’absorption 40). Pour cela le ou les matériaux formant une zone transparente au rayonnement de l’élément concerné peuvent être formés en saphir ou silicium, en particulier lorsque le laser est un laser émettant dans l’infrarouge. Lorsque le laser émet dans les ultraviolets sa longueur d’onde peut être de 320nm, et lorsqu’il émet dans l’infrarouge, sa longueur d’onde peut être de 1,3pm ou 10,6pm. Autrement dit, lorsqu’un laser est évoqué, il s’agit notamment d’un laser dont le faisceau est émis selon une longueur d’onde comprise dans l’infrarouge. En ce sens, pour permettre de chauffer l’ensemble 3 de manière localisée, au moins une partie du premier ou deuxième élément 1, 2 qui doit être traversée par le faisceau du laser peut comporter un substrat en saphir ou silicium qui peut laisser passer les infrarouges issus du laser.Applicable to the first and second embodiments described above, to allow to heat only part of the assembly 3 in a particular place, said first or second element 1, 2 comprises transparent materials to the radiation mentioned above, and in particular to the wavelength of the laser so that the radiation coming from the laser can reach its target (that is to say the absorption element 40). For this, the material or materials forming a zone transparent to the radiation of the element concerned can be formed from sapphire or silicon, in particular when the laser is a laser emitting in the infrared. When the laser emits in ultraviolet light, its wavelength can be 320nm, and when it emits in the infrared, its wavelength can be 1.3pm or 10.6pm. In other words, when a laser is mentioned, it is in particular a laser whose beam is emitted according to a wavelength included in the infrared. In this sense, to allow the assembly 3 to be heated in a localized manner, at least part of the first or second element 1, 2 which must be traversed by the laser beam may include a sapphire or silicon substrate which can allow the infrared from the laser.

[0052] De manière applicable à tout ce qui a été dit précédemment, avant de mettre en œuvre ladite au moins une, ou la totalité des, étape(s) de chauffage E2, le procédé peut comporter une étape de préchauffage E3 (figure 1) de l’ensemble 3 à une température strictement inférieure à celle permettant de former les liaisons obtenues par fusion.As applicable to all that has been said previously, before implementing said at least one, or all of, heating step (s) E2, the method may include a preheating step E3 (Figure 1 ) of the assembly 3 at a temperature strictly lower than that making it possible to form the bonds obtained by fusion.

[0053] Selon un exemple particulier issu d’une simulation, le premier élément comporte un substrat en silicium d’épaisseur de 725pm sur lequel est formé un organe de connexion électrique en cuivre. Le deuxième élément comporte un substrat en saphir d’épaisseur de 500pm et comporte une structure en GaN d’épaisseur de 5pm formée sur le substrat en saphir et liée à un organe de connexion électrique formé dans un matériau pour soudure destiné à fondre pour former une soudure avec le cuivre de l’organe de connexion électrique du premier élément. Ce matériau pour soudure est notamment un alliage étain-argent. Les propriétés des matériaux utilisés sont résumées dans le tableau ci-dessous :According to a particular example from a simulation, the first element comprises a silicon substrate with a thickness of 725pm on which a copper electrical connection member is formed. The second element comprises a sapphire substrate with a thickness of 500 μm and comprises a GaN structure with a thickness of 5 μm formed on the sapphire substrate and linked to an electrical connection member formed in a solder material intended to melt to form a soldering with copper of the electrical connection member of the first element. This solder material is in particular a tin-silver alloy. The properties of the materials used are summarized in the table below:

Conductivité thermique (W/m.K) Thermal conductivity (W / m.K) Densité (Kg/m3)Density (Kg / m 3 ) Capacité thermique (J/kg.K) Thermal capacity (J / kg.K) Silicium Silicon 150 150 2329 2329 700 700 Cuivre Copper 400 400 8960 8960 380 380 Matériau pour soudure Welding material 60 60 7370 7370 228 5118* 228 5118 * GaN GaN 130 130 6150 6150 490 490 Saphir Sapphire 40 40 7610 7610 778 778

Avec 5118* représentant la valeur de capacité thermique équivalente en prenant en compte la chaleur latente de fusion soit 5118J/Kg.K en considérant qu’à 20°C 1Kg du matériau pour soudure est à l’état solide, et qu’à 230°C ce même kilogramme du matériau pour soudure est à l’état liquide. Concernant le laser, son faisceau traverse le saphir et % de sa puissance, soit 100W, est injectée dans le GaN, le reste étant perdu par réflexion parasite aux interfaces et par absorption. Le faisceau présente une forme carrée de 1mm par 1mm, et est activé pendant 30ps. La chaleur reste majoritairement confinée dans un parallélépipède dont les dimensions latérales correspondent à la forme carrée du faisceau, et se diffuse le long du faisceau. La figure 5 montre avec la courbe C1 la température du matériau pour soudure à sa base à l’interface avec le substrat en silicium en fonction de la durée d’application du faisceau laser, et la courbe C2 montre la température dans le substrat de silicium à 23pm en dessous de son interface avec le matériau pour soudure. Ainsi, on constate que l’utilisation d’un laser est tout particulièrement adaptée pour éviter la montée en température de la totalité d’un ensemble à une température critique : il est ainsi possible de lier par fusion des organes de connexion électrique entre eux même si ces derniers sont situés entre deux éléments et donc difficilement accessibles. Dans l’exemple de simulation la base du substrat de silicium est maintenue à 20°C.With 5118 * representing the value of equivalent thermal capacity taking into account the latent heat of fusion, ie 5118J / Kg.K considering that at 20 ° C 1Kg of the material for welding is in the solid state, and that at 230 ° C this same kilogram of the material for welding is in the liquid state. Concerning the laser, its beam crosses the sapphire and% of its power, ie 100W, is injected into GaN, the rest being lost by parasitic reflection at the interfaces and by absorption. The beam has a square shape of 1mm by 1mm, and is activated for 30ps. The heat remains mainly confined in a parallelepiped whose lateral dimensions correspond to the square shape of the beam, and is diffused along the beam. FIG. 5 shows with the curve C1 the temperature of the material for welding at its base at the interface with the silicon substrate as a function of the duration of application of the laser beam, and the curve C2 shows the temperature in the silicon substrate at 23pm below its interface with the material for welding. Thus, it can be seen that the use of a laser is particularly suitable for avoiding the rise in temperature of the whole of an assembly at a critical temperature: it is thus possible to bond by means of the electrical connection members together if the latter are located between two elements and therefore difficult to access. In the simulation example, the base of the silicon substrate is maintained at 20 ° C.

[0054] Dans le cadre de la formation d’ensembles/assemblages à grande cadence, le procédé de connexion peut comporter (Figures 6 et 7) une étape de fourniture d’une plaque 12, par exemple une plaque de semi-conducteur, un circuit imprimé ou une céramique, comportant une pluralité de premiers éléments 1 associés à des (ou portant des) premiers organes de connexion électrique 5. Le procédé comporte aussi une étape de fourniture d’une pluralité de deuxièmes éléments 2 associés à des (ou portant des) deuxièmes organes de connexion électrique 7, chaque premier élément 1 étant destiné à être associé avec un deuxième élément 2 correspondant, l’étape de formation de l’ensemble 3 E1 étant mise en œuvre pour chaque association de premier et deuxième éléments 1,2 d’où il résulte la formation d’une pluralité d’ensembles 3, ladite au moins une étape de chauffage E2 étant mise en œuvre pour chaque ensemble 3. En particulier, il est ici possible de distinguer deux cas. Dans un premier cas (figure 6), les deuxièmes éléments 2 sont fournis de manière individualisée et sont positionnés par montage par transfert pour former des ensembles 3 correspondant. Dans un deuxième cas (figure 7), les deuxièmes éléments 2 sont tous intégrés à une plaque additionnelle 13, notamment en semi-conducteur(s), qui est reportée et alignée par rapport à la plaque 12 portant les premiers éléments 1 de sorte à former simultanément les ensembles 3, par exemple par mise en contact de chaque premier organe de connexion électrique 5 avec un deuxième organe de connexion électrique 7 correspondant.As part of the formation of assemblies / assemblies at high speed, the connection method may include (Figures 6 and 7) a step of providing a plate 12, for example a semiconductor plate, a printed circuit or ceramic, comprising a plurality of first elements 1 associated with (or carrying) first electrical connection members 5. The method also includes a step of supplying a plurality of second elements 2 associated with (or carrying des) second electrical connection members 7, each first element 1 being intended to be associated with a second corresponding element 2, the step of forming the assembly 3 E1 being implemented for each association of first and second elements 1, 2, from which the formation of a plurality of assemblies 3 results, said at least one heating step E2 being implemented for each assembly 3. In particular, it is here pos can distinguish two cases. In a first case (FIG. 6), the second elements 2 are supplied individually and are positioned by transfer mounting to form corresponding assemblies 3. In a second case (FIG. 7), the second elements 2 are all integrated into an additional plate 13, in particular in semiconductor (s), which is deferred and aligned with respect to the plate 12 carrying the first elements 1 so as to simultaneously forming the assemblies 3, for example by bringing each first electrical connection member 5 into contact with a second corresponding electrical connection member 7.

[0055] Il est décrit ci-après différents exemples de premiers et deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7 pouvant être utilisés dans le cadre de la présente invention, bien entendu l’invention ne se limite pas à ces exemples particuliers.It is described below different examples of first and second electrical connection members 5, 7 can be used in the context of the present invention, of course the invention is not limited to these particular examples.

[0056] Selon une première mise en œuvre, chacun des premiers et deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7 (figure 8) comporte une base 13a, 13b, notamment en cuivre, qui s’étend depuis la face de connexion 4, 6 associée, et comporte une extrémité 14a, 14b, opposée à la face de connexion 4, 6 à partir de laquelle ladite base s’étend, formée par un plot d’indium (aussi appelé dans le domaine « microbump » en indium en langue anglaise) agencé dans le prolongement de la base. Notamment, la hauteur h1 de chaque base peut être de l’ordre de 2pm et la hauteur h2 de chaque plot d’indium formé dans le prolongement de chaque base peut être de l’ordre de 1pm. Par ailleurs, chaque base peut comporter un diamètre de 2,5pm. Plus généralement, selon la première mise en œuvre, on dit que les premiers et deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7 comportent tous de l’indium et les liaisons peuvent être obtenues par fonte d’indium issu des premiers et deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7. En particulier, chaque interface 8, avant obtention de la liaison par fusion à ladite interface 8, peut être réalisée par mise en contact d’indium issu du premier organe de connexion électrique correspondant et du deuxième organe de connexion électrique correspondant. Cette première mise en œuvre peut être appliquée à des matrices de détecteurs infrarouges dont les détecteurs forment les deuxièmes éléments assemblés à des premiers éléments portés par un substrat commun. Par « de l’ordre de » associé à une valeur, on entend par exemple dans la présente description cette valeur ou cette valeur plus ou moins 10%.According to a first implementation, each of the first and second electrical connection members 5, 7 (Figure 8) has a base 13a, 13b, in particular made of copper, which extends from the associated connection face 4, 6 , and has one end 14a, 14b, opposite the connection face 4, 6 from which said base extends, formed by an indium pad (also called in the field "microbump" in indium in English) arranged in the extension of the base. In particular, the height h1 of each base can be of the order of 2pm and the height h2 of each indium block formed in the extension of each base can be of the order of 1pm. In addition, each base can have a diameter of 2.5pm. More generally, according to the first implementation, it is said that the first and second electrical connection members 5, 7 all comprise indium and the connections can be obtained by melting indium from the first and second electrical connection members 5, 7. In particular, each interface 8, before obtaining the fusion bond to said interface 8, can be produced by bringing indium from the first corresponding electrical connection member and the corresponding second electrical connection member into contact. This first implementation can be applied to arrays of infrared detectors, the detectors of which form the second elements assembled to first elements carried by a common substrate. By “of the order of” associated with a value, we mean for example in the present description this value or this value more or less 10%.

[0057] Selon une deuxième mise en œuvre (figure 9), les premiers organes de connexion électrique 5 comportent chacun une base 13a, notamment en cuivre, qui s’étend depuis la face de connexion 4 du premier élément 1, et comportent chacun une extrémité 14a, opposée à la face de connexion 4 du premier élément 1, formée par un plot d’indium agencé dans le prolongement de la base 13a. Notamment, la hauteur h1 de la base 13a du premier organe de connexion électrique 5 peut être de 2pm et la hauteur h2 du plot d’indium formé dans le prolongement de base 13a du premier organe de connexion électrique 5 peut être de 1pm. Par ailleurs, selon cette deuxième mise en œuvre, les deuxièmes organes de connexion électrique 7 (agencés à la face de connexion 6 du deuxième élément 2) sont formés par des plots en or, par exemple d’épaisseur de 0,2pm. Bien entendu, les formes et matériaux des premier et deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7 peuvent être inversés. Autrement dit, de manière plus générale, l’ensemble formé peut être tel que chaque premier organe de connexion électrique 5 est lié à un deuxième organe de connexion électrique 7 par mise en contact, ou par mise en simple visà-vis, d’indium et d’or. Selon cette deuxième mise en œuvre, les liaisons obtenues par fusion, par exemple au niveau des interfaces 8, ont été obtenue par fusion d’indium issu, le cas échéant des premiers ou des deuxièmes organes de connexion électrique. Cette deuxième mise en œuvre peut être appliquée à des matrices de détecteurs infrarouges dont les détecteurs forment les deuxièmes éléments assemblés à des premiers éléments portés par un substrat commun. [0058] Selon une troisième mise en œuvre (figure 8), chacun des premiers et deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7 comporte une base 13a, 13b, notamment en cuivre de hauteur h1 par exemple égale à 2 pm, qui s’étend depuis la face de connexion associée 4, 6. Pour chaque premier organe de connexion électrique 5, un plot en étain 14a, de hauteur h2 par exemple égale à 1 pm, est formé à l’extrémité de sa base opposée à la face de connexion 4 du premier élément 1 à partir de laquelle s’étend ladite base 13a. Le plot en étain appartient alors au premier organe de connexion électrique correspondant. Pour chaque deuxième organe de connexion électrique 7, un plot en indium 14b, de hauteur h2 par exemple égale à 1 pm, est formé à l’extrémité de sa base 13b opposée à la face de connexion 6 du deuxième élément 2 à partir de laquelle s’étend ladite base 13b. Le plot en indium appartient alors au deuxième organe de connexion électrique correspondant. Bien entendu, les matériaux des premier et deuxième organes de connexion électrique peuvent être inversés. Autrement dit, de manière plus générale, l’ensemble formé peut être tel que chaque premier organe de connexion électrique 5 peut être lié à un deuxième organe de connexion électrique 7 par mise en contact d’indium et d’étain ou par mise en vis-à-vis d’indium et d’étain, l’indium appartenant au premier organe de connexion électrique 5 et l’étain appartenant au deuxième organe de connexion électrique 7, ou alternativement l’indium appartenant au deuxième organe de connexion électrique 7 et l’étain appartenant au premier organe de connexion électrique 5. En particulier, de manière générale et notamment applicable à cette troisième mise en œuvre, chaque étape de chauffage E2 provoque l’obtention d’au moins un eutectique liquide d’indium et d’étain pour former la liaison correspondante entre les premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 d’un couple correspondant, notamment à une interface 8 correspondante. Notamment, ici ladite liaison obtenue à partir de chaque eutectique liquide est formée par un alliage d’indium et d’étain, notamment un alliage ln51Sn49. Un tel eutectique présente l’avantage de limiter encore plus l’apport thermique nécessaire pour réaliser la liaison : il en résulte que les problématiques liées à l’apport de température pour former les liaisons s’en retrouvent encore diminuées. Selon cette troisième mise en œuvre, les liaisons 9 ont été obtenues par fusion d’indium et d’étain se présentant sous la forme d’un eutectique. Cette troisième mise en œuvre peut être appliquée typiquement lorsque les éléments comportent des matériaux ll-VI qui sont relativement fragiles lorsqu’ils sont chauffés (par exemple lorsqu’ils sont traversés par un faisceau laser) : dans ce cas l’eutectique permet d’encore baisser la température nécessaire pour lier les organes de connexion électrique de deux éléments entre eux. En particulier, l’eutectique ln51Sn49 présente un point de fusion à 120°C, en ce sens, la température appliquée à la partie de l’ensemble peut-être de 130°C. Le point de fusion est notamment donné ici à la pression atmosphérique.According to a second implementation (Figure 9), the first electrical connection members 5 each comprise a base 13a, in particular made of copper, which extends from the connection face 4 of the first element 1, and each comprise a end 14a, opposite the connection face 4 of the first element 1, formed by an indium pad arranged in the extension of the base 13a. In particular, the height h1 of the base 13a of the first electrical connection member 5 can be 2pm and the height h2 of the indium pad formed in the base extension 13a of the first electrical connection member 5 can be 1pm. Furthermore, according to this second implementation, the second electrical connection members 7 (arranged at the connection face 6 of the second element 2) are formed by gold studs, for example 0.2 μm thick. Of course, the shapes and materials of the first and second electrical connection members 5, 7 can be reversed. In other words, more generally, the assembly formed can be such that each first electrical connection member 5 is linked to a second electrical connection member 7 by bringing into contact, or by putting in simple opposite, indium and gold. According to this second implementation, the connections obtained by fusion, for example at the interfaces 8, were obtained by fusion of indium derived, where appropriate from the first or from the second electrical connection members. This second implementation can be applied to arrays of infrared detectors, the detectors of which form the second elements assembled with first elements carried by a common substrate. According to a third implementation (Figure 8), each of the first and second electrical connection members 5, 7 has a base 13a, 13b, in particular of copper of height h1 for example equal to 2 pm, which extends from the associated connection face 4, 6. For each first electrical connection member 5, a tin stud 14a, of height h2 for example equal to 1 μm, is formed at the end of its base opposite the connection face 4 of the first element 1 from which extends said base 13a. The tin stud then belongs to the first corresponding electrical connection member. For each second electrical connection member 7, an indium stud 14b, of height h2 for example equal to 1 μm, is formed at the end of its base 13b opposite the connection face 6 of the second element 2 from which extends said base 13b. The indium pad then belongs to the second corresponding electrical connection member. Of course, the materials of the first and second electrical connection members can be reversed. In other words, more generally, the assembly formed can be such that each first electrical connection member 5 can be linked to a second electrical connection member 7 by bringing indium and tin into contact or by screwing with respect to indium and tin, the indium belonging to the first electrical connection member 5 and the tin belonging to the second electrical connection member 7, or alternatively the indium belonging to the second electrical connection member 7 and the tin belonging to the first electrical connection member 5. In particular, generally and in particular applicable to this third implementation, each heating step E2 causes obtaining at least one liquid eutectic of indium and tin to form the corresponding connection between the first and second electrical connection members 5, 7 of a corresponding torque, in particular to a corresponding interface 8. In particular, here said bond obtained from each liquid eutectic is formed by an alloy of indium and tin, in particular an alloy ln51Sn49. Such an eutectic has the advantage of limiting even more the heat input necessary to make the connection: it follows that the problems linked to the supply of temperature to form the connections are further reduced. According to this third implementation, the bonds 9 were obtained by fusion of indium and tin in the form of a eutectic. This third implementation can be applied typically when the elements comprise ll-VI materials which are relatively fragile when they are heated (for example when they are crossed by a laser beam): in this case the eutectic makes it possible to further lower the temperature necessary to link the electrical connection members of two elements together. In particular, the ln51Sn49 eutectic has a melting point at 120 ° C, in this sense, the temperature applied to the part of the assembly may be 130 ° C. The melting point is in particular given here at atmospheric pressure.

[0059] Selon une quatrième mise en œuvre (figure 10), les premiers organes de connexion électrique 5 comportent chacun une base 13a, notamment en cuivre, qui s’étend depuis la face de connexion 4 du premier élément 1, et de hauteur h1 par exemple égale à 2 μπι. A une extrémité de chaque base 13a, opposée à la face de connexion associée, il est agencé un plot d’indium 14a (de hauteur h2 par exemple égale à 1 μπι) dans le prolongement de la base 13a. Le plot d’indium appartient donc à un premier organe de connexion électrique correspondant. Selon cette quatrième mise en œuvre, les deuxièmes organes de connexion électrique 7 se présentent sous la forme d’insert creux de préférence en or (notamment de hauteur h3 égale à 1 μπι) qui comportent chacun une ouverture délimitée par un bord qui vient pénétrer le plot en indium pour former une interface entre des premier et deuxième organes de connexion électrique lors de la formation de l’ensemble 3. En particulier, les deuxièmes organes de connexion électrique 7 creux peuvent être formés chacun par une paroi circulaire s’étendant depuis la face de connexion 6 du deuxième élément 2. Bien entendu, les formes et matériaux des premiers et deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7 peuvent être inversés. Autrement dit, de préférence, l’ensemble formé est tel que chaque premier organe de connexion électrique 5 est lié à un deuxième organe de connexion électrique 7 par contact, ou mise en vis-à-vis, d’indium et d’une paroi délimitant un creux, l’indium appartenant au premier organe de connexion électrique 5 et l’insert appartenant au deuxième organe de connexion électrique 7, ou alternativement l’indium appartenant au deuxième organe de connexion électrique 7 et l’insert appartenant au premier organe de connexion électrique 5. Cette quatrième mise en œuvre peut être appliquée à des matrices de détecteurs infrarouges dont les détecteurs forment les deuxièmes éléments assemblés à des premiers éléments portés par un substrat commun.According to a fourth implementation (Figure 10), the first electrical connection members 5 each have a base 13a, in particular made of copper, which extends from the connection face 4 of the first element 1, and of height h1 for example equal to 2 μπι. At one end of each base 13a, opposite the associated connection face, an indium pad 14a (of height h2 for example equal to 1 μπι) is arranged in the extension of the base 13a. The indium block therefore belongs to a first corresponding electrical connection member. According to this fourth implementation, the second electrical connection members 7 are in the form of a hollow insert preferably made of gold (in particular of height h3 equal to 1 μπι) which each have an opening delimited by an edge which penetrates the indium pad to form an interface between first and second electrical connection members during the formation of the assembly 3. In particular, the second hollow electrical connection members 7 can each be formed by a circular wall extending from the connection face 6 of the second element 2. Of course, the shapes and materials of the first and second electrical connection members 5, 7 can be reversed. In other words, preferably, the assembly formed is such that each first electrical connection member 5 is linked to a second electrical connection member 7 by contact, or placed opposite, of indium and a wall delimiting a hollow, the indium belonging to the first electrical connection member 5 and the insert belonging to the second electrical connection member 7, or alternatively the indium belonging to the second electrical connection member 7 and the insert belonging to the first electrical connection member electrical connection 5. This fourth implementation can be applied to arrays of infrared detectors, the detectors of which form the second elements assembled to first elements carried by a common substrate.

[0060] Les figures 8 à 10 illustrent les premier et deuxième éléments avant mise en contact des organes de connexion électrique entre eux. Le pas de séparation p1 des organes de connexion électrique est d’ici 5 μητ [0061] Dans les mises en œuvres ci-dessus, les bases en cuivre sont communément appelés en langue anglaise « copper pillar », et les techniques pour les obtenir sont bien connues.Figures 8 to 10 illustrate the first and second elements before contacting the electrical connection members therebetween. The separation pitch p1 of the electrical connection members is here by 5 μητ In the above embodiments, the copper bases are commonly called in English “copper pillar”, and the techniques for obtaining them are well known.

[0062] Il a été évoqué précédemment que l’élément d’absorption pouvait appartenir aux organes de connexion électrique, le cuivre permet par exemple d’assurer cette fonction.It was previously mentioned that the absorption element could belong to the electrical connection members, copper for example to perform this function.

[0063] De manière générale, pour les matériaux listés ci-dessus dans les quatre mises en œuvre pour former les premiers et deuxièmes organes de connexion électrique, une compression (l’étape de sollicitation E1-2 décrite ci-avant) appliquée sur l’un des éléments en direction de l’autre de l’ordre de 10MPa au niveau de chaque couple de premier et deuxième organes de connexion électrique permet de déformer l’indium de manière satisfaisante pour obtenir une liaison mécanique entre les premier et deuxième éléments 1,2. Pour obtenir cette pression de 10MPa, il faut appliquer une force de compression F sur le deuxième élément par exemple alors que le premier élément repose sur un support, la force F satisfaisant l’équation suivante : F = NixpasixN2xpas2 lorsque le deuxième élément compte une matrice de N1XN2 deuxièmes organes de connexion électrique à lier aux premiers organes de connexion électrique, pasi étant le pas de séparation des deuxièmes organes de connexion électrique selon les lignes de la matrice et pas2 étant le pas de séparation des deuxièmes organes de connexion électrique selon les colonnes de la matrice. Sur les figures 8 à 10, le pas est représenté par la référence p1.In general, for the materials listed above in the four implementations to form the first and second electrical connection members, compression (the stressing step E1-2 described above) applied to the one of the elements towards the other of the order of 10 MPa at the level of each pair of first and second electrical connection members makes it possible to deform the indium in a satisfactory manner in order to obtain a mechanical connection between the first and second elements 1 , 2. To obtain this pressure of 10MPa, it is necessary to apply a compressive force F on the second element for example while the first element rests on a support, the force F satisfying the following equation: F = NixpasixN2xpas2 when the second element has a matrix of N1XN2 second electrical connection members to be linked to the first electrical connection members, pasi being the separation pitch of the second electrical connection members along the lines of the matrix and pas2 being the separation pitch of the second electrical connection members according to the columns of the matrix. In FIGS. 8 to 10, the pitch is represented by the reference p1.

[0064] Le présent procédé permet avantageusement de repousser les limites des tailles d’éléments, ou composants, électroniques destinés à être hybridés. Par exemple il sera possible d’hybrider des matrices de 2000 points par 2000 points selon les dimensions de premiers et deuxièmes organes tels que données cidessus : on entend ici la formation d’un assemblage à 4 millions de couples. Dans cet exemple, la force à appliquer pour permettre le maintien mécanique de l’assemblage formé sera alors de lOOONewton.The present method advantageously makes it possible to push the limits of the sizes of electronic elements or components intended to be hybridized. For example, it will be possible to hybridize matrices of 2000 points by 2000 points according to the dimensions of first and second organs as given above: here we mean the formation of an assembly of 4 million couples. In this example, the force to be applied to allow the mechanical retention of the assembly formed will then be 100 NOwton.

[0065] L’ invention est aussi relative à un dispositif de connexion, ou dispositif pour connecter électriquement des premier et deuxième éléments 1, 2 tel qu’illustré en figures 11 et 12. Ce dispositif comporte un poste de montage 100 (non visible en figure 12) configuré pour récupérer au moins un premier élément 1 muni d’une face de connexion 4 au niveau de laquelle sont agencés des premiers organes de connexion électrique 5 et au moins un deuxième élément 2 muni d’une face de connexion 6 au niveau de laquelle sont agencés des deuxièmes organes de connexion électrique 7 (sur les figures 11 et 12, les organes de connexion électrique ne sont pas représentés pour des raisons de clarté mais peuvent notamment être tels que ceux visibles en figures 2 à 4). Ce poste de montage est aussi configuré pour former un ensemble 3 (ou plusieurs ensemble 3) tel que la face de connexion 6 du deuxième élément 2 est orientée vers la face de connexion 4 du premier élément 1 de sorte à former des couples comprenant chacun un des premiers organes de connexion électrique 5 et un des deuxièmes organes de connexion électrique 7 à lier entre eux par fusion. L’ensemble 3 formé correspond donc à l’ensemble 3 décrit dans le cadre du procédé. On dit alors que le poste de montage 100 est configuré pour aligner les premier et deuxième éléments 1, 2 de telle sorte que chaque premier organe de connexion électrique 5 soit aligné avec un deuxième organe de connexion électrique 7, notamment selon un axe passant par les premier et deuxième organes de connexion électrique et sensiblement orthogonal/perpendiculaire aux faces de connexion 4, 6. Par ailleurs, le dispositif comporte un convoyeur 101, de préférence à bande, destiné à amener ledit ensemble 3 dans un poste de chauffage 102 après sa formation dans le poste de montage 100. Le poste de chauffage 102 comprend un élément de chauffage 10 destiné à réaliser des liaisons, entre les premiers et deuxièmes organes de connexion électrique, obtenues par fusion (notamment au niveau d’interfaces entre les premiers et deuxièmes organes de connexion électrique), l’élément de chauffage 10 étant choisi de sorte à permettre une montée en température d’une partie seulement dudit ensemble 3 au-dessus d’une température permettant de former au moins une desdites liaisons, et notamment tout en permettant au reste dudit ensemble de conserver une température strictement inférieure à la température permettant de former ladite au moins une desdites liaisons. On comprend donc que le poste de chauffage 102 est configuré pour mettre en œuvre l’étape de chauffage E2, et notamment chaque étape de chauffage E2.The invention also relates to a connection device, or device for electrically connecting first and second elements 1, 2 as illustrated in Figures 11 and 12. This device comprises a mounting station 100 (not visible in FIG. 12) configured to recover at least a first element 1 provided with a connection face 4 at the level of which are arranged first electrical connection members 5 and at least one second element 2 provided with a connection face 6 at the level which are arranged second electrical connection members 7 (in Figures 11 and 12, the electrical connection members are not shown for reasons of clarity but may in particular be such as those visible in Figures 2 to 4). This assembly station is also configured to form an assembly 3 (or several assembly 3) such that the connection face 6 of the second element 2 is oriented towards the connection face 4 of the first element 1 so as to form couples each comprising a first electrical connection members 5 and one of the second electrical connection members 7 to be bonded together. The set 3 formed therefore corresponds to the set 3 described in the context of the process. It is then said that the mounting station 100 is configured to align the first and second elements 1, 2 so that each first electrical connection member 5 is aligned with a second electrical connection member 7, in particular along an axis passing through the first and second electrical connection members and substantially orthogonal / perpendicular to the connection faces 4, 6. Furthermore, the device comprises a conveyor 101, preferably with a belt, intended to bring said assembly 3 into a heating station 102 after its formation in the assembly station 100. The heating station 102 comprises a heating element 10 intended to make connections between the first and second electrical connection members, obtained by fusion (in particular at the level of interfaces between the first and second members electrical connection), the heating element 10 being chosen so as to allow a temperature rise of one only part of said assembly 3 above a temperature making it possible to form at least one of said bonds, and in particular while allowing the rest of said assembly to maintain a temperature strictly below the temperature making it possible to form said at least one of said bonds. It is therefore understood that the heating station 102 is configured to implement the heating step E2, and in particular each heating step E2.

[0066] L’ élément de chauffage 10 peut être mobile au sein du poste de chauffage 102 de telle sorte que lorsqu’un ensemble 3 est présent dans le poste de chauffage 102, ledit élément de chauffage 10 puisse effectuer un balayage permettant de lier l’intégralité des couples de premier et deuxième organes de connexion électrique dudit ensemble 3.The heating element 10 can be movable within the heating station 102 so that when an assembly 3 is present in the heating station 102, said heating element 10 can carry out a scan making it possible to link the all of the pairs of first and second electrical connection members of said assembly 3.

[0067] Alternativement, l’élément de chauffage peut former une ligne de chauffage, il peut alors comporter une barre de lasers ou de diodes électroluminescentes focalisées en ligne, dans ce cas soit la barre se déplace, soit l’ensemble défile sous la barre.Alternatively, the heating element can form a heating line, it can then include a bar of lasers or light-emitting diodes focused in line, in this case either the bar moves, or the whole scrolls under the bar .

[0068] Le poste d’assemblage 100 peut comporter un bras de placement 100a permettant de saisir un deuxième élément 2 et de venir le positionner de manière adaptée par rapport au premier élément pour former l’ensemble 3 correspondant. Ce bras de placement 100a peut aussi appliquer une force sur le deuxième élément 2 en direction du premier élément 1 pour réaliser l’étape de sollicitation E1-2 évoquée précédemment. Le poste d’assemblage peut aussi interposer le fluide liquide évoqué précédemment entre les premier et deuxième éléments 1,2.The assembly station 100 may include a placement arm 100a making it possible to grasp a second element 2 and to position it in a suitable manner relative to the first element to form the corresponding assembly 3. This placement arm 100a can also apply a force on the second element 2 in the direction of the first element 1 to carry out the stressing step E1-2 mentioned above. The assembly station can also interpose the liquid fluid mentioned above between the first and second elements 1,2.

[0069] De préférence, l’élément de chauffage 10, par exemple optique, est apte à émettre un rayonnement : il peut comporter un (ou plusieurs) laser, et le poste de chauffage 102 comporte un système 103 destiné à générer une atmosphère contrôlée dans un espace de traitement 104 dudit ensemble 3, ledit système 103 comportant (figure 12) :Preferably, the heating element 10, for example optical, is capable of emitting radiation: it may include one (or more) laser, and the heating station 102 comprises a system 103 intended to generate a controlled atmosphere in a processing space 104 of said assembly 3, said system 103 comprising (FIG. 12):

- un injecteur de gaz 105 configuré pour injecter un gaz réducteur dans ledit espace de traitement 104,a gas injector 105 configured to inject a reducing gas into said treatment space 104,

- un extracteur de gaz 106 configuré pour récupérer les effluents liés au gaz réducteur depuis l’espace de traitement 104,- a gas extractor 106 configured to recover the effluents linked to the reducing gas from the treatment space 104,

- une plaque transparente 107 audit rayonnement, c’est à dire préférentiellement au faisceau 11 du laser 10, pour lui permettre d’atteindre ledit ensemble 3 à chauffer notamment localement pour former lesdites liaisons obtenues par fusion.- A transparent plate 107 to said radiation, that is to say preferably to the beam 11 of the laser 10, to allow it to reach said assembly 3 to be heated in particular locally to form said bonds obtained by fusion.

Selon l’exemple illustré en figure 12, l’injecteur de gaz 105 et l’extracteur de gaz 106 sont montés à la périphérie de la plaque transparente 107. Selon une variante, l’extracteur de gaz entoure toute la plaque transparente et l’injecteur de gaz est agencé sur la plaque transparente.According to the example illustrated in FIG. 12, the gas injector 105 and the gas extractor 106 are mounted on the periphery of the transparent plate 107. According to a variant, the gas extractor surrounds the entire transparent plate and the gas injector is arranged on the transparent plate.

[0070] Comme évoqué précédemment dans le cadre du procédé, l’élément de chauffage 10 peut être ponctuel ou linéaire, le but étant de conserver des zones de l’ensemble 3 non insolées par l’élément de chauffage 10 d’où il résulte que ces zones restent à une température proche de la température ambiante. En sortie du poste de chauffage 102, chaque couple de premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 est passé à une température ayant permis une fusion entre les premier et deuxième organes de connexion électrique 5, 7 dudit couple.As mentioned above in the context of the method, the heating element 10 can be punctual or linear, the aim being to keep areas of the assembly 3 not exposed by the heating element 10 from which it results that these areas remain at a temperature close to room temperature. At the outlet from the heating station 102, each pair of first and second electrical connection members 5, 7 is passed to a temperature which has allowed a fusion between the first and second electrical connection members 5, 7 of said pair.

[0071] Notamment, le poste de montage est configuré pour récupérer un substrat, ou plaque de semi-conducteur dans le domaine, sur lequel sont formés une pluralité de premiers éléments 1. Par ailleurs, le poste de montage 100 comporte alors au moins un bras de placement 100a destiné à placer chaque deuxième élément 2 en face d’un premier élément 1 correspondant et, le cas échéant, à appliquer une compression pour lier mécaniquement les premier et deuxième éléments 1, 2, notamment via les premiers et deuxièmes organes de connexion électrique 5, 7 de l’ensemble 3.In particular, the mounting station is configured to recover a substrate, or semiconductor plate in the field, on which are formed a plurality of first elements 1. Furthermore, the mounting station 100 then comprises at least one placement arm 100a intended to place each second element 2 in front of a corresponding first element 1 and, if necessary, to apply compression to mechanically link the first and second elements 1, 2, in particular via the first and second members of electrical connection 5, 7 of the assembly 3.

[0072] Sur les figure 11 et 12, il est aussi représenté un poste de préchauffage 108 agencé au-dessus du convoyeur 101 et configuré pour permettre une montée en température de chaque ensemble 3 présent dans le poste de préchauffage. Ceci permet d’augmenter les cadences de fabrication.In Figures 11 and 12, there is also shown a preheating station 108 arranged above the conveyor 101 and configured to allow a rise in temperature of each assembly 3 present in the preheating station. This increases the production rates.

[0073] Selon un exemple particulier, le dispositif décrit permet de mettre en oeuvre une fusion locale à une grande cadence. L’utilisation du dispositif peut être la suivante :According to a particular example, the device described makes it possible to implement local fusion at a high rate. The use of the device can be as follows:

- un substrat est fourni, par exemple un wafer 300mm comportant les premiers éléments dont les faces de connexion sont munies de plots (formant les premiers organes de connexion électrique) par exemple comportant de l’indium,a substrate is provided, for example a 300mm wafer comprising the first elements, the connection faces of which are provided with studs (forming the first electrical connection members), for example comprising indium,

- le poste de montage permet de former les ensembles à partir de deuxièmes éléments individualisés et comportant par exemple des puces destinées à réaliser du microaffichage, les deuxièmes éléments présentent chacun une face de connexion où des plots (formant les deuxièmes organes de connexion électrique) comportant de préférence de l’indium sont formés,the assembly station makes it possible to form the assemblies from second individualized elements and comprising for example chips intended to produce micro-display, the second elements each have a connection face where studs (forming the second electrical connection members) comprising preferably indium are formed,

- en sortie du poste de montage, le substrat est placé sur le convoyeur à bande (ou tapis roulant) de sorte à conduire le substrat fonctionalisé par les deuxièmes éléments à l’entrée du poste de chauffage qui peut être caractérisé par :- at the outlet of the assembly station, the substrate is placed on the conveyor belt (or conveyor belt) so as to conduct the substrate functionalized by the second elements at the entrance to the heating station which can be characterized by:

o une atmosphère contrôlée située sous un capot transparent, o un élément de chauffage permettant la fusion locale qui peut réaliser un balayage (ou formé par une barre linéaire de refusion focalisée), o chaque deuxième élément est balayé par l’élément de chauffage qui est calibré par l’homme de l’art (en temps ou en puissance ou en focalisation) pour conserver les zones non insolées à une température réduite proche de la température ambiante.o a controlled atmosphere located under a transparent cover, o a heating element allowing local fusion which can carry out a sweep (or formed by a linear bar of focused reflow), o each second element is swept by the heating element which is calibrated by those skilled in the art (in time or in power or in focus) to keep the non-exposed areas at a reduced temperature close to room temperature.

A l’issue du passage dans le poste de chauffage, toutes les connexions - c’est-àdire tous les couples de premier et deuxième organes de connexion électrique, sont passées à une température supérieure ou égale à la température de fusion sans que le substrat ou que les deuxièmes éléments n’aient subis une dilatation globale importante. En particulier, la résistance mécanique en cisaillement présentée par les organes de connexion électrique avant soudure/liaison par fusion (à température ambiante) peut être telle sorte que les connexions ne se déforment pas ou très peu en cas de réchauffement « global » de la puce hybridée, pourvu que réchauffement reste strictement inférieur à une température limite au dessus de laquelle réchauffement aurait pour conséquence d’obtenir les soudures/liaison par fusion. Sans tenue mécanique suffisante (par exemple en cas de dépôt d’une puce simple sur site avant fusion locale) on évitera de préchauffer le wafer.At the end of the passage in the heating station, all the connections - that is to say all the couples of first and second members of electrical connection, passed to a temperature higher or equal to the melting temperature without the substrate or that the second elements have undergone significant overall expansion. In particular, the mechanical shear strength presented by the electrical connection members before soldering / fusion bonding (at ambient temperature) can be such that the connections do not deform very or very little in the event of “global” heating of the chip. hybridized, provided that heating remains strictly below a limit temperature above which heating would have the consequence of obtaining welds / fusion bonding. Without sufficient mechanical strength (for example in the event of a simple chip being deposited on site before local melting), the wafer will not be preheated.

[0074] De manière générale, l’élément de chauffage 10 apte à émettre le rayonnement peut comporter un ou plusieurs lasers dont la ou les activations permettent de former ledit rayonnement. En particulier, le rayonnement est tel qu’il se propage selon un axe qui est sensiblement orthogonal/perpendiculaire aux faces de connexion 4, 6 qui sont alors sensiblement parallèles entre elles. La propagation du rayonnement se fait selon un chemin tel que le rayonnement traverse préférentiellement une zone de l’ensemble 3 transparente audit rayonnement avant d’être absorbé par l’élément d’absorption 40.In general, the heating element 10 capable of emitting radiation may include one or more lasers whose activation or activations make it possible to form said radiation. In particular, the radiation is such that it propagates along an axis which is substantially orthogonal / perpendicular to the connection faces 4, 6 which are then substantially parallel to one another. The propagation of the radiation takes place along a path such that the radiation preferentially crosses an area of the assembly 3 transparent to said radiation before being absorbed by the absorption element 40.

[0075] On comprend que le dispositif décrit comporte tous les moyens logiciels et matériels de mise en œuvre du procédé de connexion décrit. Ainsi, tout ce qui a été dit en relation avec le procédé peut s’appliquer au dispositif de connexion, et inversement.It is understood that the device described comprises all the software and hardware means for implementing the connection method described. Thus, everything that has been said in connection with the process can be applied to the connection device, and vice versa.

[0076] Le procédé décrit ci-avant, et donc le dispositif associé, sont tout particulièrement adaptés pour connecter à cadence élevée des puces à fonctions optiques sur des circuits de lecture ou de commande silicium (CMOS par exemple pour l’anglais « Complementary Métal Oxide Semiconductor »). Notamment, il est possible de réaliser des imageurs ou des microafficheurs (aussi appelés microdisplays dans le domaine) compacts à très grand nombre de pixels ou des hybridations de type « puce retournée », ou « Flip Chip » en anglais dans le domaine, de composants divers sur des substrats à fort coefficient de dilatation comme des céramiques ou du FR4/PCB.The method described above, and therefore the associated device, are particularly suitable for connecting chips at high speed with optical functions on silicon reading or control circuits (CMOS for example for English "Complementary Metal Oxide Semiconductor ”). In particular, it is possible to produce compact imagers or micro-displays (also called microdisplays in the field) with very large number of pixels or hybridizations of the “flip chip” type, or “Flip Chip” in English in the field, of components various on substrates with high coefficient of expansion such as ceramics or FR4 / PCB.

[0077] Dans la présente description, un rayonnement peut notamment être un rayonnement électromagnétique.In the present description, radiation can in particular be electromagnetic radiation.

[0078] Les applications industrielles peuvent être multiples et permettent selon d’autres exemples de former des matrices ou des barrettes :Industrial applications can be multiple and allow, according to other examples, to form dies or bars:

• d’émission de très grande taille pour le domaine des écrans émissifs par exemple de type microafficheurs en GaN sur substrat de saphir hybridé sur CMOS ou • de détection comme par exemple des matrices de détection de rayons X pour le domaine médical, ou encore de détection infrarouge CMT pour tellurure de cadmium et de mercure - refroidi, OWIP pour « Ouantum well infrared photodetector » soit en français photodétecteur infrarouge à puits quantiques, etc.• very large emission for the field of emissive screens, for example of GaN micro-display type on sapphire substrate hybridized on CMOS or • detection such as for example x-ray detection matrices for the medical field, or CMT infrared detection for cadmium and mercury telluride - cooled, OWIP for “Ouantum well infrared photodetector” or in French infrared photodetector with quantum wells, etc.

On notera en outre que la variante de réalisation permettant de former un eutectique entre de l’indium et de l’Etain est particulièrement bien adaptée à la fabrication de grands plans focaux infrarouge car elle présente les avantages majeurs suivants : la croissance de plots en Etain est disponible dans les fonderies CMOS (pour former les premiers éléments), la croissance de billes d’indium est disponible dans les fonderies infrarouges (pour former les deuxièmes éléments), la formation de soudures/liaisons par fusion à température la plus basse possible compatible avec les matériaux utilisés dans le domaine de l’infrarouge.It will also be noted that the alternative embodiment making it possible to form a eutectic between indium and tin is particularly well suited to the manufacture of large infrared focal planes because it has the following major advantages: the growth of tin pads is available in CMOS foundries (to form the first elements), the growth of indium beads is available in infrared foundries (to form the second elements), the formation of welds / fusion bonds at the lowest possible temperature compatible with the materials used in the infrared field.

Claims (2)

RevendicationsClaims 1. Procédé de connexion électrique comprenant une étape de formation (E1) d’un ensemble (3) comportant un premier élément (1) muni d’une face de connexion (4) au niveau de laquelle sont agencés des premiers organes de connexion électrique (5), et un deuxième élément (2) muni d’une face de connexion (6) au niveau de laquelle sont agencés des deuxièmes organes de connexion électrique (7), ledit ensemble (3) formé étant tel que la face de connexion (6) du deuxième élément (2) est orientée vers la face de connexion (4) du premier élément (1) de sorte à former des couples comprenant chacun un des premiers organes de connexion électrique (5) et un des deuxièmes organe de connexion électrique (7) à lier entre eux par fusion, caractérisé en ce qu’il comporte au moins une étape de chauffage (E2) d’une partie seulement de l’ensemble (3) à une température telle qu’il en résulte la formation d’au moins une liaison (9), entre des premier et deuxième organes de connexion électrique (5, 7) d’un des couples, obtenue par fusion.1. Method of electrical connection comprising a step of forming (E1) an assembly (3) comprising a first element (1) provided with a connection face (4) at the level of which are arranged first electrical connection members (5), and a second element (2) provided with a connection face (6) at the level of which are arranged second electrical connection members (7), said assembly (3) formed such that the connection face (6) of the second element (2) is oriented towards the connection face (4) of the first element (1) so as to form couples each comprising one of the first electrical connection members (5) and one of the second connection members electric (7) to be bonded together, characterized in that it comprises at least one heating step (E2) of only part of the assembly (3) to a temperature such that the formation thereof results at least one link (9), between first and second electrical connection members (5, 7) of one of the pairs, obtained by fusion. 2. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ladite au moins une étape de chauffage (E2) comporte l’utilisation d’un rayonnement coopérant avec ladite partie de l’ensemble (3), d’où il résulte la diffusion de chaleur en direction des premiers et/ou deuxièmes organes de connexion électrique (5, 7) pour former une liaison (9), obtenue par fusion, entre les premier et deuxième organes de connexion électriques (5, 7) de chaque couple.2. Method according to the preceding claim, characterized in that said at least one heating step (E2) comprises the use of radiation cooperating with said part of the assembly (3), from which the diffusion of heat towards the first and / or second electrical connection members (5, 7) to form a connection (9), obtained by fusion, between the first and second electrical connection members (5, 7) of each pair. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit ensemble (3) comporte différentes parties comportant chacune au moins un des couples de premier et deuxième organes de connexion électrique (5, 7), et en ce qu’il comporte, pour chaque partie de l’ensemble (3), une étape de chauffage (E2) de ladite partie de l’ensemble (3) à une température telle que :3. Method according to claim 1, characterized in that said assembly (3) comprises different parts each comprising at least one of the pairs of first and second electrical connection members (5, 7), and in that it comprises, for each part of the assembly (3), a step of heating (E2) of said part of the assembly (3) to a temperature such that: pour chaque couple de premier et deuxième organes de connexion électrique (5, 7) de ladite partie de l’ensemble (3), il résulte la formation d’une liaison (9), obtenue par fusion, entre les premier et deuxième organes de connexion électrique (5, 7) dudit couple, chaque autre partie dudit ensemble (3) reste à une température strictement inférieure à la température à laquelle est chauffée ladite partie de l’ensemble.for each pair of first and second electrical connection members (5, 7) of said part of the assembly (3), it results in the formation of a connection (9), obtained by fusion, between the first and second members of electrical connection (5, 7) of said pair, each other part of said assembly (3) remains at a temperature strictly lower than the temperature to which said part of the assembly is heated. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu’il comporte l’utilisation d’un élément de chauffage (10), les étapes de chauffage (E2) des parties de l’ensemble (3) étant mises en œuvre par le même élément de chauffage (10), la position de l’élément de chauffage (10) vis-à-vis de l’ensemble (3) étant différente pour chaque étape de chauffage (E2).4. Method according to claim 3, characterized in that it comprises the use of a heating element (10), the stages of heating (E2) of the parts of the assembly (3) being implemented by the same heating element (10), the position of the heating element (10) vis-à-vis the assembly (3) being different for each heating step (E2). 5. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l’élément de chauffage (10) est configuré pour émettre un rayonnement, et en ce que chaque étape de chauffage (E2) est telle que le rayonnement émis par l’élément de chauffage (10) traverse au moins une partie du premier élément (1) et/ou du deuxième élément (2) et est absorbé par un élément d’absorption (40) situé dans la partie de l’ensemble (3) d’où il résulte la diffusion de chaleur au sein de ladite partie de l’ensemble (3) permettant de former, pour chaque couple de ladite partie de l’ensemble (3) ladite liaison (9) correspondante.5. Method according to the preceding claim, characterized in that the heating element (10) is configured to emit radiation, and in that each heating step (E2) is such that the radiation emitted by the heating element (10) passes through at least part of the first element (1) and / or of the second element (2) and is absorbed by an absorption element (40) located in the part of the assembly (3) from which it results in the diffusion of heat within said part of the assembly (3) making it possible to form, for each pair of said part of the assembly (3), said corresponding connection (9). 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit ensemble (3) comporte différentes parties comportant chacune au moins un des couples de premier et deuxième organes de connexion électrique (5, 7), et en ce que le procédé comporte, pour chaque partie de l’ensemble (3), une étape de chauffage (E2) de ladite partie de l’ensemble (3), lesdites étapes de chauffage (E2) étant mises en œuvre à des instants temporels différents par un élément de chauffage (10), et, pour chaque instant temporel, l’élément de chauffage (10) adopte une position différente par rapport à l’ensemble (3) pour former ladite au moins une liaison (9) obtenue par fusion seulement au niveau de chaque couple de premier et deuxième organes de connexion électrique (5, 7) de ladite partie de l’ensemble (3).6. Method according to claim 1, characterized in that said assembly (3) comprises different parts each comprising at least one of the pairs of first and second electrical connection members (5, 7), and in that the method comprises, for each part of the assembly (3), a heating step (E2) of said part of the assembly (3), said heating steps (E2) being implemented at different time points by a heating element ( 10), and, for each time instant, the heating element (10) adopts a different position relative to the assembly (3) to form said at least one connection (9) obtained by fusion only at the level of each pair first and second electrical connection members (5, 7) of said part of the assembly (3). 7. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l’étape de formation (E1) de l’ensemble (3) comporte une étape d’association (E1-1) des premier et deuxième éléments (1, 2) d’où il résulte la mise en contact de premiers organes de connexion électrique (5) avec des deuxièmes organe de connexion électrique (7), puis une étape de sollicitation (E1-7. Method according to any one of the preceding claims, characterized in that the step of forming (E1) of the assembly (3) comprises a step of association (E1-1) of the first and second elements (1, 2) whereby the first electrical connection members (5) are brought into contact with second electrical connection members (7), then a biasing step (E1- 2) du deuxième élément (2) vers le premier élément (1) d’où il résulte un maintien mécanique du premier élément (1) par rapport au deuxième élément (2).2) from the second element (2) to the first element (1), whereby the first element (1) is mechanically held relative to the second element (2). 8. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l’étape de sollicitation (E1-2) est telle que, pour chaque couple de premier et deuxième organes de connexion électrique (5, 7) mis en contact, le premier organe de connexion électrique (5) et/ou le deuxième organe de connexion électrique (7) s’est déformé à l’interface (8) entre lesdits premier et deuxième organes de connexion électrique (5, 7) dudit couple.8. Method according to the preceding claim, characterized in that the stressing step (E1-2) is such that, for each pair of first and second electrical connection members (5, 7) brought into contact, the first member of electrical connection (5) and / or the second electrical connection member (7) is deformed at the interface (8) between said first and second electrical connection members (5, 7) of said pair. 9. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que chaque étape de chauffage (E2) provoque l’obtention d’au moins un eutectique liquide d’indium et d’étain pour former la liaison (9) correspondante entre les premier et deuxième organes de connexion électriques (5, 7) d’un couple correspondant.9. Method according to any one of the preceding claims, characterized in that each heating step (E2) causes obtaining at least one liquid eutectic of indium and tin to form the corresponding bond (9) between the first and second electrical connection members (5, 7) of a corresponding torque. 10. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ladite liaison (9) obtenue à partir de chaque eutectique liquide est formée par un alliage ln51Sn49.10. Method according to the preceding claim, characterized in that said connection (9) obtained from each liquid eutectic is formed by an alloy ln51Sn49. 11. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’il comporte une étape de fourniture d’une plaque (12) comportant une pluralité de premiers éléments (1) et une étape de fourniture d’une pluralité de deuxièmes éléments (2), chaque premier élément (1) étant destiné à être associé avec un deuxième élément (2) correspondant, l’étape de formation (E1 ) de l’ensemble (3) étant mise en œuvre pour chaque association de premier et deuxième éléments (1, 2) d’où il résulte la formation d’une pluralité d’ensembles (3), et en ce que ladite au moins une étape de chauffage (E2) est mise en œuvre pour chaque ensemble (3).11. Method according to any one of the preceding claims, characterized in that it comprises a step of supplying a plate (12) comprising a plurality of first elements (1) and a step of supplying a plurality of second ones elements (2), each first element (1) being intended to be associated with a second corresponding element (2), the step of forming (E1) of the assembly (3) being implemented for each association of first and second elements (1, 2) from which it results in the formation of a plurality of assemblies (3), and in that said at least one heating step (E2) is implemented for each assembly (3). 12. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu’au cours de chaque étape de chauffage (E2) les premiers et deuxièmes organes de connexion électrique (5, 7) sont exposés à un fluide désoxydant, par exemple liquide ou gazeux.12. Method according to any one of the preceding claims, characterized in that during each heating step (E2) the first and second electrical connection members (5, 7) are exposed to a deoxidizing fluid, for example liquid or gaseous. 13. Dispositif pour connecter électriquement des premier et deuxième éléments caractérisé en ce qu’il comporte :13. Device for electrically connecting first and second elements, characterized in that it comprises: un poste de montage (100) configuré pour récupérer au moins un premier élément (1) muni d’une face de connexion (4) au niveau de laquelle sont agencés des premiers organes de connexion électrique (5) et au moins un deuxième élément (2) muni d’une face de connexion (6) au niveau de laquelle sont agencés des deuxièmes organes de connexion électrique (7), et pour former un ensemble (3) tel que la face de connexion (6) du deuxième élément (2) est orientée vers la face de connexion (4) du premier élément (1) de sorte à former des couples comprenant chacun un des premiers organes de connexion électrique (5) et un des deuxièmes organes de connexion électrique (7) à lier entre eux par fusion, un convoyeur (101), de préférence à bande, destiné à amener ledit ensemble (3) dans un poste de chauffage (102) après sa formation dans le poste de montage (100), le poste de chauffage (102) comprenant un élément de chauffage (10) destiné à réaliser des liaisons, entre les premiers et deuxièmes organes de connexion électrique, obtenues par fusion, l’élément de chauffage (10) étant choisi de sorte à permettre une montée en température d’une partie seulement dudit ensemble au-dessus d’une température permettant de former au moins une desdites liaisons (9).an assembly station (100) configured to recover at least a first element (1) provided with a connection face (4) at the level of which are arranged first electrical connection members (5) and at least one second element ( 2) provided with a connection face (6) at the level of which second electrical connection members (7) are arranged, and to form an assembly (3) such as the connection face (6) of the second element (2 ) is oriented towards the connection face (4) of the first element (1) so as to form couples each comprising one of the first electrical connection members (5) and one of the second electrical connection members (7) to be linked together by fusion, a conveyor (101), preferably a belt, intended to bring said assembly (3) into a heating station (102) after its formation in the assembly station (100), the heating station (102) comprising a heating element (10) intended to make connections, ent re the first and second electrical connection members, obtained by fusion, the heating element (10) being chosen so as to allow a temperature rise of only part of said assembly above a temperature making it possible to form at at least one of said links (9). 14. Dispositif selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l’élément de chauffage (10) est apte à émettre un rayonnement, et en ce que le poste de chauffage (102) comporte un système (103) destiné à générer une atmosphère contrôlée dans un espace de traitement (104) dudit ensemble (3), ledit système (103) comportant :14. Device according to the preceding claim, characterized in that the heating element (10) is capable of emitting radiation, and in that the heating station (102) comprises a system (103) intended to generate a controlled atmosphere in a processing space (104) of said assembly (3), said system (103) comprising: un injecteur de gaz (105) configuré pour injecter un gaz réducteur dans ledit espace de traitement (104), un extracteur de gaz (106) configuré pour récupérer les effluents liés au gaz réducteur depuis l’espace de traitement (104), une plaque transparente (107) audit rayonnement pour lui permettre d’atteindre ledit ensemble (3) à chauffer localement pour former lesdites liaisons.a gas injector (105) configured to inject a reducing gas into said treatment space (104), a gas extractor (106) configured to recover the effluents bound to the reducing gas from the treatment space (104), a plate transparent (107) to said radiation to allow it to reach said assembly (3) to be heated locally to form said bonds. 1/41/4
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5611481A (en) * 1994-07-20 1997-03-18 Fujitsu Limited Integrated electronic device having flip-chip connection with circuit board and fabrication method thereof
FR2795199A1 (en) * 1999-06-15 2000-12-22 Gemplus Card Int DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICES COMPRISING AT LEAST ONE CHIP MOUNTED ON A SUPPORT
US6394158B1 (en) * 1997-11-20 2002-05-28 Pac Tech Packaging Technologies Gmbh Method and device for thermally bonding connecting surfaces of two substrates
US20030224581A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-04 Robert Bosch Gmbh Flip chip packaging process using laser-induced metal bonding technology, system utilizing the method, and device created by the method
JP2006303357A (en) * 2005-04-25 2006-11-02 Ricoh Microelectronics Co Ltd Packaging method of electronic component
US20140027418A1 (en) * 2011-02-02 2014-01-30 Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh Method and device for electrically contacting terminal faces of two substrates by laser soldering using a gaseous flux medium
US20150163903A1 (en) * 2012-07-04 2015-06-11 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Electronic component-mounted structure, ic card and cof package

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5611481A (en) * 1994-07-20 1997-03-18 Fujitsu Limited Integrated electronic device having flip-chip connection with circuit board and fabrication method thereof
US6394158B1 (en) * 1997-11-20 2002-05-28 Pac Tech Packaging Technologies Gmbh Method and device for thermally bonding connecting surfaces of two substrates
FR2795199A1 (en) * 1999-06-15 2000-12-22 Gemplus Card Int DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICES COMPRISING AT LEAST ONE CHIP MOUNTED ON A SUPPORT
US20030224581A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-04 Robert Bosch Gmbh Flip chip packaging process using laser-induced metal bonding technology, system utilizing the method, and device created by the method
JP2006303357A (en) * 2005-04-25 2006-11-02 Ricoh Microelectronics Co Ltd Packaging method of electronic component
US20140027418A1 (en) * 2011-02-02 2014-01-30 Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh Method and device for electrically contacting terminal faces of two substrates by laser soldering using a gaseous flux medium
US20150163903A1 (en) * 2012-07-04 2015-06-11 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Electronic component-mounted structure, ic card and cof package

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