FR3043254A1 - METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC DEVICE - Google Patents
METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC DEVICE Download PDFInfo
- Publication number
- FR3043254A1 FR3043254A1 FR1560573A FR1560573A FR3043254A1 FR 3043254 A1 FR3043254 A1 FR 3043254A1 FR 1560573 A FR1560573 A FR 1560573A FR 1560573 A FR1560573 A FR 1560573A FR 3043254 A1 FR3043254 A1 FR 3043254A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- substrate
- regions
- layer
- portions
- detachment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 107
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 23
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 128
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 229910016909 AlxOy Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Hydrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1892—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Procédé de réalisation d'un dispositif électronique, comprenant au moins les étapes suivantes consistant à : a) former sur une face d'un premier substrat des premières régions de collage et des secondes régions de détachement, b) assembler le premier substrat et un second substrat (51) par collage des premières régions de collage avec des portions (53) d'une face (55) du second substrat, et c) détacher du second substrat des portions du premier substrat comportant les secondes régions de détachement par une étape de traitement thermique non localisé de l'ensemble.A method of producing an electronic device, comprising at least the following steps: a) forming on one face of a first substrate first gluing regions and second detaching regions, b) assembling the first substrate and a second substrate (51) by bonding the first bonding regions with portions (53) of a face (55) of the second substrate, and (c) detaching from the second substrate portions of the first substrate having the second detachment regions by a step of non-localized heat treatment of the assembly.
Description
PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF ELECTRONIQUEMETHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC DEVICE
DESCRIPTIONDESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUETECHNICAL AREA
La présente invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif électronique. La présente invention concerne plus particulièrement un procédé de réalisation d'un dispositif photovoltaïque comportant des cellules photovoltaïques intégrées sur un même substrat support.The present invention relates to a method of producing an electronic device. The present invention more particularly relates to a method for producing a photovoltaic device comprising photovoltaic cells integrated on the same support substrate.
ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURESTATE OF THE PRIOR ART
Un module photovoltaïque dit « conventionnel » est couramment réalisé à partir de cellules photovoltaïques individuelles, formées indépendamment les unes des autres sur des substrats différents. Les cellules photovoltaïques sont ensuite assemblées de façon mécanique sur un support de façon à former un module photovoltaïque.A photovoltaic module called "conventional" is commonly made from individual photovoltaic cells, formed independently of each other on different substrates. The photovoltaic cells are then assembled mechanically on a support so as to form a photovoltaic module.
Il a été proposé des dispositifs photovoltaïques comportant des cellules photovoltaïques intégrées sur un même substrat support. De tels dispositifs photovoltaïques sont dits « à haute tension » lorsque les cellules photovoltaïques sont connectées en série. Les dispositifs photovoltaïques à haute tension permettent de diminuer le courant généré sous éclairement afin de réduire les pertes résistives dans les métallisations, tout en augmentant la tension via la mise en série des différentes cellules photovoltaïques. De tels dispositifs photovoltaïques présentent l'avantage de réduire le coût des systèmes disposés en aval des dispositifs photovoltaïques.It has been proposed photovoltaic devices comprising photovoltaic cells integrated on the same support substrate. Such photovoltaic devices are called "high voltage" when the photovoltaic cells are connected in series. The high-voltage photovoltaic devices make it possible to reduce the current generated under illumination in order to reduce the resistive losses in the metallizations, while increasing the voltage via the series connection of the different photovoltaic cells. Such photovoltaic devices have the advantage of reducing the cost of the systems arranged downstream of the photovoltaic devices.
Les dispositifs photovoltaïques comportant des cellules photovoltaïques intégrées sur un même substrat support requièrent la formation de zones d'isolation électrique entre les différentes cellules photovoltaïques. Ces zones d'isolation électrique peuvent être réalisées par ablation laser, activation de dopage sélectif, compensation de dopants, formation de caissons isolants par activation de donneurs thermiques.Photovoltaic devices comprising photovoltaic cells integrated on the same support substrate require the formation of electrical insulation zones between the different photovoltaic cells. These areas of electrical insulation can be achieved by laser ablation, selective doping activation, compensation of dopants, formation of insulating boxes by activation of thermal donors.
La demande de brevet FR 2 953 330 décrit un procédé de réalisation d'un dispositif photovoltaïque comportant des cellules photovoltaïques intégrées sur un même substrat support, dans lequel les zones d'isolation électrique entre les différentes cellules sont formées par ablation laser.The patent application FR 2 953 330 describes a method for producing a photovoltaic device comprising photovoltaic cells integrated on the same support substrate, in which the areas of electrical insulation between the different cells are formed by laser ablation.
La figure 1 est une vue en coupe représentant de façon schématique un dispositif photovoltaïque comportant des cellules photovoltaïques 1 intégrées sur un même substrat de silicium fritté 3.FIG. 1 is a sectional view schematically showing a photovoltaic device comprising photovoltaic cells 1 integrated on the same sintered silicon substrate 3.
Les cellules photovoltaïques 1 sont toutes formées à partir d'un même substrat source 2 assemblé avec le substrat de silicium fritté 3. Afin d'isoler électriquement les différentes cellules photovoltaïques entre elles, des tranchées 5 sont formées par ablation laser pour éliminer toutes les couches du substrat source jusqu'à atteindre le silicium fritté 3. Eventuellement, des caissons isolants 7 sont ensuite réalisés par oxydation du silicium fritté 3. Les cellules photovoltaïques 1 sont connectées en série par l'intermédiaire de métallisations 9 formées par exemple par sérigraphie.The photovoltaic cells 1 are all formed from the same source substrate 2 assembled with the sintered silicon substrate 3. In order to electrically isolate the different photovoltaic cells from each other, trenches 5 are formed by laser ablation to eliminate all the layers. from the source substrate until it reaches the sintered silicon 3. Optionally, insulating boxes 7 are then produced by oxidation of the sintered silicon 3. The photovoltaic cells 1 are connected in series by means of metallizations 9 formed for example by screen printing.
Un tel procédé de formation de zones d'isolation entre les cellules par ablation laser requiert l'élimination de toutes les couches du substrat source jusqu'à atteindre le silicium fritté. Cela requiert une grande maîtrise des procédés d'ablation par laser, car les couches à éliminer présentent des absorptivités différentes (notamment pour un matériau diélectrique par rapport à de l'aluminium ou à du silicium), et donc des conditions expérimentales différentes. Pour éliminer les différentes couches, il convient alors d'utiliser plusieurs sources laser, et des passages successifs. Le nombre d'étapes par traitement laser peut être élevé.Such a method of forming isolation areas between the cells by laser ablation requires the removal of all layers of the source substrate until reaching the sintered silicon. This requires a great deal of control of laser ablation processes, since the layers to be eliminated have different absorptivities (especially for a dielectric material with respect to aluminum or silicon), and therefore different experimental conditions. To eliminate the different layers, it is then necessary to use several laser sources, and successive passages. The number of steps per laser treatment can be high.
Ce problème se retrouve également dans d'autres domaines de la microélectronique lorsqu'il est nécessaire de détacher des parties d'un premier substrat assemblé avec un second substrat support.This problem is also found in other fields of microelectronics when it is necessary to detach parts of a first substrate assembled with a second support substrate.
EXPOSÉ DE L'INVENTIONSTATEMENT OF THE INVENTION
La présente invention vise notamment à proposer un procédé de réalisation d'un dispositif électronique permettant de détacher, par une autre méthode que l'ablation laser, des parties d'un premier substrat assemblé avec un second substrat support.The present invention aims in particular to provide a method of producing an electronic device for detaching, by a method other than laser ablation, portions of a first substrate assembled with a second support substrate.
La présente invention concerne un procédé de formation de zones d'isolation entre des zones conductrices d'un substrat source (ou couche active) assemblé avec un substrat support par le biais de décollements contrôlés et localisés du substrat source.The present invention relates to a method of forming isolation zones between conductive regions of a source substrate (or active layer) assembled with a support substrate by controlled and localized detachments of the source substrate.
La présente invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif électronique, comprenant au moins les étapes suivantes : a) former sur une face d'un premier substrat des premières régions de collage et des secondes régions de détachement, b) assembler le premier substrat et un second substrat par collage des premières régions de collage avec des portions d'une face du second substrat, et c) détacher du second substrat des portions du premier substrat comportant les secondes régions de détachement par une étape de traitement thermique non localisé de l'ensemble.The present invention relates to a method for producing an electronic device, comprising at least the following steps: a) forming on a face of a first substrate of the first bonding regions and second detachment regions, b) assembling the first substrate and a second substrate by bonding the first bond regions with portions of a face of the second substrate, and c) detaching from the second substrate portions of the first substrate having the second detachment regions by a non-localized heat treatment step of the 'together.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, les premières régions de collage comportent au moins un premier matériau apte à former un alliage eutectique avec au moins un deuxième matériau desdites portions de ladite face du second substrat, et l'assemblage des premier et second substrats est réalisé par collage eutectique.According to one embodiment of the present invention, the first bonding regions comprise at least one first material capable of forming a eutectic alloy with at least one second material of said portions of said face of the second substrate, and the assembly of the first and second substrates is made by eutectic bonding.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, ladite face du premier substrat est recouverte d'une couche isolante de passivation, et des ouvertures sont formées à travers la couche isolante de passivation au moins aux emplacements des premières régions de collage.According to one embodiment of the present invention, said face of the first substrate is covered with an insulating passivation layer, and openings are formed through the passivation insulating layer at least at the locations of the first bonding regions.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'étape a) comporte au moins la mise en œuvre des étapes suivantes : -former une couche d'accroche sur la couche isolante de passivation et dans les ouvertures, et -former des portions du premier matériau sur des parties de la couche d'accroche localisées aux emplacements des premières régions de collage.According to one embodiment of the present invention, step a) comprises at least the implementation of the following steps: forming a tie layer on the insulating passivation layer and in the openings, and forming portions of the first material on parts of the attachment layer located at the locations of the first bonding regions.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'étape a) comporte au moins la mise en œuvre des étapes suivantes : -former des portions d'accroche aux emplacements des premières régions de collage dans les ouvertures et sur des parties de la couche isolante de passivation, et -recouvrir d'une couche du premier matériau les portions d'accroche et la couche isolante de passivation.According to one embodiment of the present invention, step a) comprises at least the implementation of the following steps: forming hooking portions at the locations of the first bonding regions in the openings and on parts of the layer passivation insulator, and -scouvrir a layer of the first material the attachment portions and the passivation insulating layer.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le procédé comporte en outre, après l'étape c) de détachement, une étape de retrait de portions restantes de la couche du premier matériau ou de la couche d'accroche révélées par le détachement des portions du premier substrat.According to one embodiment of the present invention, the method further comprises, after the detachment step c), a step of removing remaining portions of the layer of the first material or the attachment layer revealed by the detachment of the portions of the first substrate.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'étape a) comporte au moins la mise en œuvre des étapes suivantes : -former des portions d'accroche aux emplacements des premières régions de collage dans les ouvertures et sur des parties de la couche isolante de passivation, et -former des portions du premier matériau au moins sur les portions de semi-conducteur.According to one embodiment of the present invention, step a) comprises at least the implementation of the following steps: forming hooking portions at the locations of the first bonding regions in the openings and on parts of the layer passivation insulator, and -forming portions of the first material at least on the semiconductor portions.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'étape a) comporte au moins la mise en œuvre des étapes suivantes : -former des régions de nitrure de semi-conducteur et/ou d'oxyde de semi-conducteur sur des parties de la couche isolante de passivation localisées aux emplacements des secondes régions de détachement, -former une couche de semi-conducteur sur la couche isolante de passivation et dans les ouvertures, et -former une couche du premier matériau sur la couche de semi-conducteur et sur les régions de nitrure de semi-conducteur et/ou d'oxyde de semi-conducteur.According to one embodiment of the present invention, step a) comprises at least the implementation of the following steps: forming regions of semiconductor nitride and / or semiconductor oxide on parts of the passivation insulating layer located at the locations of the second detachment regions, forming a semiconductor layer on the passivation insulating layer and in the openings, and forming a layer of the first material on the semiconductor layer and the regions of semiconductor nitride and / or semiconductor oxide.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le procédé comporte en outre, après l'étape c) de détachement, une étape de retrait des régions de nitrure de semi-conducteur et/ou d'oxyde de semi-conducteur et de portions restantes de la couche isolante de passivation et du premier matériau révélées par le détachement des portions du premier substrat.According to an embodiment of the present invention, the method further comprises, after the detachment step c), a step of removing the regions of semiconductor nitride and / or semiconductor oxide and of portions remaining layers of the passivation insulating layer and the first material revealed by detaching portions of the first substrate.
Le second substrat peut être un substrat de silicium fritté ou un substrat de verre comportant une couche d'accroche.The second substrate may be a sintered silicon substrate or a glass substrate having a tie layer.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le dispositif électronique est un dispositif photovoltaïque et, après l'étape c) de détachement, des parties restantes du premier substrat font partie de jonctions p-n de cellules photovoltaïques du dispositif photovoltaïque. L'étape c) de détachement peut être réalisée par traitement thermique lors d'une étape de réalisation des jonctions p-n des cellules photovoltaïques. La mise en œuvre du détachement de portions du premier substrat au cours d'une étape de fabrication déjà existante du dispositif photovoltaïque présente l'avantage de réduire la durée de réalisation du dispositif. L'étape c) de détachement peut être réalisée par traitement thermique avant une étape de réalisation des jonctions p-n des cellules photovoltaïques.According to an embodiment of the present invention, the electronic device is a photovoltaic device and, after the detachment step c), the remaining portions of the first substrate are part of the p-n junctions of photovoltaic cells of the photovoltaic device. The detachment step c) can be carried out by heat treatment during a step of making the p-n junctions of the photovoltaic cells. The implementation of the detachment of portions of the first substrate during an existing manufacturing step of the photovoltaic device has the advantage of reducing the duration of embodiment of the device. The detachment step c) can be carried out by heat treatment before a step of making the p-n junctions of the photovoltaic cells.
La présente invention concerne en outre un dispositif électronique comprenant des zones d'un premier substrat intégrées sur un second substrat, lesdites zones étant isolées les unes des autres par des cavités, des régions de collage étant disposées entre lesdites zones et le second substrat, les régions de collage comportant un alliage eutectique d'un matériau semi-conducteur et d'un matériau conducteur.The present invention furthermore relates to an electronic device comprising zones of a first substrate integrated on a second substrate, said zones being isolated from each other by cavities, bonding regions being disposed between said zones and the second substrate, the bonding regions comprising a eutectic alloy of a semiconductor material and a conductive material.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le dispositif électronique est un dispositif photovoltaïque et lesdites zones font partie de jonctions p-n de cellules photovoltaïques du dispositif photovoltaïque.According to one embodiment of the present invention, the electronic device is a photovoltaic device and said zones are part of p-n junctions of photovoltaic cells of the photovoltaic device.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront plus clairement à la lecture de la description suivante et en référence aux dessins annexés, donnés à titre uniquement illustratif et nullement limitatif.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Other characteristics and advantages of the invention will emerge more clearly on reading the following description and with reference to the accompanying drawings, given by way of illustration only and in no way limiting.
La figure 1 est une vue en coupe représentant de façon schématique un dispositif photovoltaïque comportant des cellules photovoltaïques intégrées sur un même substrat support.Figure 1 is a sectional view schematically showing a photovoltaic device comprising photovoltaic cells integrated on the same support substrate.
Les figures 2A à 2G sont des vues en coupe illustrant de façon schématique des étapes successives d'un procédé de réalisation selon l'invention d'un dispositif photovoltaïque comportant des cellules photovoltaïques intégrées sur un même substrat support.FIGS. 2A to 2G are cross-sectional views schematically illustrating successive steps of a production method according to the invention of a photovoltaic device comprising photovoltaic cells integrated on the same support substrate.
La figure 3 est une vue de dessus représentant de façon schématique un exemple de motifs réalisés en face arrière de la couche active pour permettre le détachement de zones de la couche active dans un procédé tel que celui des figures 2A-2G.FIG. 3 is a top view schematically showing an example of patterns formed on the rear face of the active layer to enable the zones of the active layer to be detached in a process such as that of FIGS. 2A-2G.
La figure 4 est une vue en coupe illustrant de façon schématique une variante d'une étape de formation de motifs en face arrière de la couche active pour permettre le détachement de zones de la couche active, dans un procédé tel que celui des figures 2A-2G.FIG. 4 is a sectional view schematically illustrating an alternative of a backside pattern formation step of the active layer to allow the detachment of areas of the active layer, in a method such as that of FIGS. 2G.
La figure 5 est une vue en coupe illustrant de façon schématique le détachement, après une étape à haute température, de zones d'un substrat source assemblé par collage eutectique avec un substrat support.FIG. 5 is a sectional view schematically illustrating the detachment, after a high temperature step, of zones of a source substrate assembled by eutectic bonding with a support substrate.
Les figures 6A à 6C sont des vues en coupe illustrant de façon schématique des étapes successives d'une variante d'un procédé de réalisation selon l'invention d'un dispositif photovoltaïque comportant des cellules photovoltaïques intégrées sur un même substrat support.FIGS. 6A to 6C are cross-sectional views schematically illustrating successive steps of a variant of a production method according to the invention of a photovoltaic device comprising photovoltaic cells integrated on the same support substrate.
Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre.Identical, similar or equivalent parts of the different figures bear the same numerical references so as to facilitate the passage from one figure to another.
Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles.The different parts shown in the figures are not necessarily in a uniform scale, to make the figures more readable.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERSDETAILED PRESENTATION OF PARTICULAR EMBODIMENTS
Il est décrit ci-dessous un procédé de formation de zones d'isolation entre des zones conductrices dans le cadre de la formation d'un dispositif photovoltaïque. Le procédé décrit ci-dessous pourra s'appliquer dans d'autres domaines de la microélectronique où il est intéressant d'utiliser une couche semiconductrice de haute qualité électronique sur un substrat bas coût. On peut utiliser un tel procédé pour isoler des diodes électroluminescentes (LEDs, « Light-Emitting Diode ») formées sur un même substrat par un procédé similaire.There is described below a method of forming insulating areas between conductive areas in the context of forming a photovoltaic device. The method described below can be applied in other fields of microelectronics where it is advantageous to use a semiconductor layer of high electronic quality on a low cost substrate. Such a method can be used to isolate light-emitting diodes (LEDs) formed on the same substrate by a similar method.
Le procédé décrit ci-dessous de réalisation de zones d'isolation entre des cellules photovoltaïques intégrées sur un même substrat support repose sur la formation, sur la face arrière d'une couche active destinée à être collée sur un substrat support, de premières régions de collage et de secondes régions de détachement. Une couche d'accroche ou de collage est formée de façon localisée dans les premières régions afin d'obtenir ultérieurement un détachement localisé de la couche active aux emplacements des secondes régions.The method described below for producing isolation zones between photovoltaic cells integrated on the same support substrate is based on the formation, on the rear face of an active layer to be bonded to a support substrate, of first regions of collage and second regions of detachment. A tack or bonding layer is formed in a localized manner in the first regions to subsequently provide localized detachment of the active layer at the locations of the second regions.
Les figures 2A à 2G sont des vues en coupe illustrant de façon schématique des étapes successives d'un procédé de réalisation d'un dispositif photovoltaïque comportant des cellules photovoltaïques intégrées sur un même substrat support.FIGS. 2A to 2G are sectional views schematically illustrating successive steps of a method for producing a photovoltaic device comprising photovoltaic cells integrated on the same support substrate.
La figure 2A représente un substrat 21 poreux en surface, par exemple un substrat de silicium. Le substrat 21 comprend deux faces principales 23, 25. Des ions hydrogène sont implantés par la face 25 à une certaine profondeur dans le substrat 21, proche de la face 25, par exemple à une profondeur p inférieure à environ 2 μιτι. Ceci permet de former une zone de fragilisation 27 dans le substrat 21.FIG. 2A represents a surface-porous substrate 21, for example a silicon substrate. The substrate 21 comprises two main faces 23, 25. Hydrogen ions are implanted by the face 25 at a certain depth in the substrate 21, close to the face 25, for example at a depth p less than about 2 μιτι. This makes it possible to form an embrittlement zone 27 in the substrate 21.
La figure 2B illustre la formation d'une couche semi-conductrice 29, par exemple en silicium monocristallin, par épitaxie sur le substrat 21. La formation par épitaxie de la couche 29 est effectuée à haute température afin d'obtenir une couche 29 de monocristal de haute qualité de transport volumique. La couche 29 est destinée à servir de couche active (ou absorbeur ou couche de conversion photoélectrique) pour les cellules photovoltaïques. L'épaisseur de la couche semi-conductrice 29 dépend de l'application envisagée. L'épaisseur de la couche semi-conductrice 29 est par exemple de l'ordre de 50 pm.FIG. 2B illustrates the formation of a semiconductor layer 29, for example of monocrystalline silicon, by epitaxy on the substrate 21. The epitaxial formation of the layer 29 is carried out at high temperature in order to obtain a layer 29 of single crystal high quality volume transport. The layer 29 is intended to serve as an active layer (or absorber or photoelectric conversion layer) for the photovoltaic cells. The thickness of the semiconductor layer 29 depends on the intended application. The thickness of the semiconductor layer 29 is for example of the order of 50 μm.
Une fine couche 31 fortement dopée in-situ est formée par épitaxie sur la couche 29. La couche 31, couramment désignée par l'acronyme d'origine anglo-saxonne BSF (« Back Surface Field »), est destinée à servir de barrière aux porteurs de charges minoritaires. L'épaisseur de la couche 31 est par exemple comprise entre 200 nm et 2 pm. Dans le cas où la couche 31 est uniquement destinée à servir de barrière aux porteurs de charges minoritaires, l'épaisseur de la couche 31 peut être comprise entre 200 nm et 1 pm. Dans le cas où la couche 31 présente une épaisseur supérieure à 1 pm, la couche 31 joue le rôle de double barrière à la diffusion de métal, par exemple de l'aluminium, lors du collage et lors d'étapes réalisées à une température supérieure à la température minimale permettant d'initier le détachement, par exemple à une température supérieure à environ 580 °C.A thin layer 31 heavily doped in situ is formed by epitaxy on the layer 29. The layer 31, commonly referred to by the Anglo-Saxon acronym BSF ("Back Surface Field"), is intended to serve as a barrier to bearers of minority charges. The thickness of the layer 31 is, for example, between 200 nm and 2 μm. In the case where the layer 31 is only intended to serve as a barrier to the minority charge carriers, the thickness of the layer 31 may be between 200 nm and 1 pm. In the case where the layer 31 has a thickness greater than 1 μm, the layer 31 acts as a double barrier to the diffusion of metal, for example aluminum, during bonding and during steps carried out at a higher temperature. at the minimum temperature to initiate the detachment, for example at a temperature above about 580 ° C.
La figure 2C illustre la formation d'une couche isolante de passivation 33 sur la couche 31. La couche 33 est par exemple une couche d'oxyde de silicium. La couche de passivation 33 est destinée à servir de barrière à la diffusion de métal dans les couches 29 et 31 et à diminuer les recombinaisons de porteurs de charge. Des ouvertures 35 sont formées dans la couche de passivation 33, par exemple par photolithographie et gravure ou par ablation laser, aux emplacements des futures premières régions de collage. Les ouvertures 35 sont destinées à la prise de contacts électriques.FIG. 2C illustrates the formation of an insulating passivation layer 33 on the layer 31. The layer 33 is for example a silicon oxide layer. The passivation layer 33 is intended to serve as a barrier to the diffusion of metal in the layers 29 and 31 and to reduce the recombination of charge carriers. Apertures 35 are formed in the passivation layer 33, for example by photolithography and etching or by laser ablation, at the locations of the future first bond regions. The openings 35 are intended for taking electrical contacts.
La figure 2D illustre le dépôt d'une couche d'accroche 37, notamment à base de silicium (par exemple en Si), dans les ouvertures 35 et sur la couche de passivation 33. La couche d'accroche 37 est notamment destinée à protéger la couche 31. La couche 37 est également destinée à favoriser le collage eutectique réalisé lors de l'étape illustrée en figure 2F, par exemple dans le cas de la formation d'un alliage eutectique aluminium-silicium. La couche 37 peut être optionnelle selon le type de matériau de collage utilisé.FIG. 2D illustrates the deposition of an attachment layer 37, in particular based on silicon (for example in Si), in the openings 35 and on the passivation layer 33. The attachment layer 37 is especially intended to protect the layer 31. The layer 37 is also intended to promote the eutectic bonding produced during the step illustrated in FIG. 2F, for example in the case of the formation of an aluminum-silicon eutectic alloy. The layer 37 may be optional depending on the type of bonding material used.
La figure 2E illustre la formation de régions 39 en un matériau conducteur, par exemple en un métal, par exemple en aluminium, sur la couche d'accroche 37, sur la face arrière 38 du dispositif. Le matériau conducteur 39 ne recouvre pas entièrement la couche d'accroche 37. Des régions 41 de la face arrière 38, correspondant aux secondes régions de détachement, ne sont pas recouvertes de matériau conducteur 39. Les régions 39 ont par exemple été formées par évaporation ou par sérigraphie, un masque ayant été préalablement disposé pour protéger les régions 41. Le matériau conducteur 39 est destiné à assurer la collecte des porteurs de charge. Il sert en outre de matériau de collage.FIG. 2E illustrates the formation of regions 39 of a conductive material, for example a metal, for example aluminum, on the attachment layer 37, on the rear face 38 of the device. The conductive material 39 does not completely cover the bonding layer 37. Regions 41 of the rear face 38, corresponding to the second detachment regions, are not covered with conductive material 39. The regions 39 have for example been formed by evaporation or by screen printing, a mask having been previously arranged to protect the regions 41. The conductive material 39 is intended to ensure the collection of charge carriers. It also serves as a bonding material.
La face arrière 38 comporte ainsi des premières régions de collage 40 formées de la couche d'accroche 37 et de matériau conducteur 39, et des secondes régions de détachement 41 formées de la couche d'accroche 37 directement en contact avec la couche de passivation 33 sous-jacente. Les premières régions de collage 40 sont formées uniquement sur des régions de la face arrière 38 où on veut que le collage soit efficace lors de l'étape suivante illustrée en figure 2F. Les secondes régions de détachement 41 correspondent aux emplacements des futures zones d'isolation entre les cellules du dispositif photovoltaïque. La couche de passivation 33 ne comporte pas d'ouvertures aux emplacements des secondes régions de détachement 41. Aucun collage eutectique ne pourra être réalisé aux emplacements des secondes régions 41 en raison de l'absence de matériau conducteur 39 et de l'absence d'ouvertures dans la couche de passivation 33, favorisant le détachement ultérieur de la couche active lors de l'étape illustrée en figure 2G.The rear face 38 thus has first bonding regions 40 formed of the bonding layer 37 and conducting material 39, and second detachment regions 41 formed of the bonding layer 37 directly in contact with the passivation layer 33. underlying. The first gluing regions 40 are formed only on regions of the rear face 38 where it is desired that the gluing be effective in the next step illustrated in FIG. 2F. The second detachment regions 41 correspond to the locations of the future isolation zones between the cells of the photovoltaic device. The passivation layer 33 has no openings at the locations of the second detachment regions 41. No eutectic bonding can be performed at the locations of the second regions 41 because of the absence of conductive material 39 and the absence of openings in the passivation layer 33, promoting the subsequent detachment of the active layer during the step illustrated in Figure 2G.
La figure 3 est une vue de dessus représentant de façon schématique un exemple de premières régions de collage 40 et de secondes régions de détachement 41 pouvant être réalisées sur la face arrière 38. La largeur W des secondes régions de détachement 41 est choisie de façon à être suffisante pour réaliser le futur contact entre deux cellules photovoltaïques adjacentes. Avantageusement, la longueur L et la largeur W des secondes régions de détachement 41 sont choisies de façon à être les plus faibles possible afin de limiter les pertes en surface active du dispositif photovoltaïque. La largeur W est par exemple inférieure à 1 mm, par exemple de l'ordre de 300 pm. La longueur L peut être comprise entre quelques millimètres et plusieurs centimètres.FIG. 3 is a top view schematically showing an example of first bonding regions 40 and second detachment regions 41 that can be formed on the rear face 38. The width W of the second detachment regions 41 is chosen so as to be sufficient to achieve the future contact between two adjacent photovoltaic cells. Advantageously, the length L and the width W of the second detachment regions 41 are chosen so as to be as small as possible in order to limit the losses in active area of the photovoltaic device. The width W is, for example, less than 1 mm, for example of the order of 300 μm. The length L can be between a few millimeters and several centimeters.
La forme des secondes régions de détachement 41 peut être de type « bandelette » si les cellules sont rectangulaires ou carrées mais tout autre motif peut être envisagé en fonction de l'isolation désirée pour les cellules.The shape of the second detachment regions 41 may be of the "strip" type if the cells are rectangular or square, but any other pattern may be considered depending on the desired isolation for the cells.
Après la formation des premières régions de collage 40 et des secondes régions de détachement 41 sur la face arrière 38 de la couche active du dispositif photovoltaïque en cours de formation, la couche active est détachée du substrat 21 le long de la zone de fragilisation 27. D'autres méthodes peuvent être utilisées pour détacher la couche active du substrat 21.After the formation of the first bonding regions 40 and second detachment regions 41 on the rear face 38 of the active layer of the photovoltaic device being formed, the active layer is detached from the substrate 21 along the embrittlement zone 27. Other methods can be used to detach the active layer from the substrate 21.
La figure 2F illustre l'assemblage de la face arrière 38 comportant les premières régions de collage 40 et les secondes régions de détachement 41 avec un second substrat support 51. Le dispositif photovoltaïque en cours de formation est ainsi reporté sur un substrat support bas coût 51, par exemple un substrat de silicium fritté. Les premières régions de collage 40 sont collées avec des portions 53 d'une face 55 du substrat support 51, par exemple par collage eutectique. Dans les secondes régions de détachement 41 dépourvues de matériau conducteur 39, le collage n'est pas effectif.FIG. 2F illustrates the assembly of the rear face 38 comprising the first bonding regions 40 and the second detachment regions 41 with a second support substrate 51. The photovoltaic device being formed is thus transferred onto a low cost support substrate 51 , for example a sintered silicon substrate. The first bonding regions 40 are bonded with portions 53 of a face 55 of the support substrate 51, for example by eutectic bonding. In the second detachment regions 41 devoid of conducting material 39, the bonding is not effective.
Pour réaliser le collage eutectique, une pression est appliquée sur l'ensemble formé de la couche active et du substrat support 51. Dans le cas où les premières régions de collage 40 comprennent en surface de l'aluminium et le substrat support 51 est en silicium, la température est choisie de façon à être supérieure à la température de formation de l'alliage eutectique aluminium-silicium (AISi). Il se forme alors un alliage eutectique 54 conducteur entre le substrat support 51 et la couche de passivation 33 ainsi que dans les ouvertures de la couche de passivation 33.To carry out the eutectic bonding, a pressure is applied on the assembly formed of the active layer and the support substrate 51. In the case where the first bonding regions 40 comprise on the surface of the aluminum and the support substrate 51 is made of silicon. the temperature is chosen to be greater than the formation temperature of the eutectic aluminum-silicon alloy (AISi). A conducting eutectic alloy 54 is then formed between the support substrate 51 and the passivation layer 33 as well as in the openings of the passivation layer 33.
La figure 2G illustre le détachement du substrat support 51 de portions de la couche active aux emplacements des secondes régions de détachement 41. Dans le cas de l'exemple de collage eutectique décrit ci-dessus, le détachement a lieu dans les zones où l'alliage AISi n'est pas présent. On obtient ainsi des zones 57 dans lesquelles seront formées des cellules photovoltaïques, les zones 57 étant isolées électriquement entre elles par des cavités 59.FIG. 2G illustrates the detachment of the support substrate 51 from portions of the active layer at the locations of the second detachment regions 41. In the case of the eutectic bonding example described above, the detachment takes place in the zones where the AISi alloy is not present. Zones 57 are formed in which photovoltaic cells will be formed, the zones 57 being electrically insulated from each other by cavities 59.
Un avantage d'un tel procédé de réalisation d'un dispositif photovoltaïque comportant des cellules photovoltaïques intégrées sur un même substrat support réside dans le fait qu'il permet de s'affranchir des étapes d'ablation par laser pour réaliser l'isolation électrique entre les cellules.An advantage of such a method for producing a photovoltaic device comprising photovoltaic cells integrated on the same support substrate lies in the fact that it makes it possible to dispense with laser ablation steps in order to achieve electrical isolation between cells.
On réalise des étapes de formation des cellules photovoltaïques, du côté de la face avant 58 du dispositif photovoltaïque. Ces étapes sont des étapes couramment utilisées au cours de procédés de fabrication de cellules photovoltaïques. Dans le cas de la réalisation de cellules photovoltaïques à homo-jonctions, l'émetteur est réalisé par diffusion à haute température après texturation de la face avant 58. L'émetteur est ensuite formé par oxydation thermique de la face avant 58 avec dopage in-situ. Sous haute température, les dopants présents dans l'oxyde de silicium diffusent. La jonction p-n de la cellule photovoltaïque se forme à une distance proche de la face avant 58, par exemple à une distance inférieure à environ 500 nm. Une couche antireflet et de passivation en nitrure de silicium est formée sur la face avant 58. Des contacts sont formés sur la face avant 58, par exemple par sérigraphie.Photovoltaic cell forming steps are performed on the side of the front face 58 of the photovoltaic device. These steps are commonly used steps in photovoltaic cell manufacturing processes. In the case of the production of homo-junction photovoltaic cells, the emitter is produced by high-temperature diffusion after texturing of the front face 58. The emitter is then formed by thermal oxidation of the front face 58 with indirect doping. if you. Under high temperature, the dopants present in the silicon oxide diffuse. The p-n junction of the photovoltaic cell is formed at a distance close to the front face 58, for example at a distance of less than about 500 nm. An antireflection and passivation layer of silicon nitride is formed on the front face 58. Contacts are formed on the front face 58, for example by screen printing.
Le détachement de portions de la couche active décrit en relation avec la figure 2G est par exemple réalisé par traitement thermique non localisé. Le détachement est par exemple réalisé au cours d'une étape de fabrication de la face avant du dispositif photovoltaïque, par exemple au cours de la diffusion. Le détachement peut être réalisé lors d'une étape au cours de laquelle la température est suffisamment élevée, avec des rampes de chauffe et de refroidissement appropriées pour contraindre les matériaux et provoquer le détachement spontané des parties de la couche active comportant les secondes régions de détachement 41. La température est par exemple choisie de sorte à être supérieure à la température pour laquelle l'alliage eutectique refond.The detachment of portions of the active layer described in relation with FIG. 2G is for example carried out by non-localized heat treatment. The detachment is for example carried out during a manufacturing step of the front face of the photovoltaic device, for example during the broadcast. The detachment can be performed in a step during which the temperature is sufficiently high, with appropriate heating and cooling ramps to constrain the materials and cause the spontaneous detachment of the parts of the active layer having the second detachment regions. 41. The temperature is for example chosen to be greater than the temperature for which the eutectic alloy remelt.
La mise en oeuvre du détachement de portions de la couche active au cours d'une étape de fabrication déjà existante du dispositif photovoltaïque présente l'avantage de réduire la durée de réalisation du dispositif.The implementation of the detachment of portions of the active layer during an existing manufacturing step of the photovoltaic device has the advantage of reducing the duration of embodiment of the device.
Le détachement peut être mis en oeuvre lors de l'étape de réalisation par diffusion de la jonction p-n en face avant du dispositif photovoltaïque. Dans le cas d'un alliage eutectique AISi, la température minimale permettant d'initier le détachement est d'environ 580 °C. La diffusion des dopants pour former la jonction est réalisée à une température supérieure à cette température, par exemple à une température de l'ordre de 850 °C, ce qui permet de réaliser le détachement. La mise en œuvre du détachement lors de l'étape de réalisation de la jonction par diffusion présente un risque lié à la formation d'émetteur sur la tranche des cellules photovoltaïques, c'est-à-dire sur les surfaces sensiblement perpendiculaires à la face avant 58. Toutefois, les cellules photovoltaïques conventionnelles souffrent déjà de ce phénomène qui peut être réglé de différentes façons par l'homme du métier.The detachment can be implemented during the diffusion realization step of the p-n junction on the front face of the photovoltaic device. In the case of an eutectic alloy AISi, the minimum temperature to initiate the detachment is about 580 ° C. The diffusion of the dopants to form the junction is performed at a temperature above this temperature, for example at a temperature of the order of 850 ° C, which allows the detachment. The implementation of the detachment during the step of performing the diffusion junction presents a risk related to the formation of emitter on the edge of the photovoltaic cells, that is to say on the surfaces substantially perpendicular to the face However, conventional photovoltaic cells already suffer from this phenomenon which can be regulated in various ways by those skilled in the art.
Selon une variante, le détachement peut être réalisé par traitement thermique et par traitement mécanique. Dans le cas d'un alliage eutectique AISi, le détachement peut être réalisé à une température inférieure à environ 580 °C et être assisté par l'application d'une contrainte mécanique.According to one variant, the detachment can be carried out by heat treatment and by mechanical treatment. In the case of a eutectic alloy AISi, the detachment can be performed at a temperature below about 580 ° C and be assisted by the application of mechanical stress.
Le détachement a lieu de façon spontanée lors de l'application d'un traitement thermique non localisé. En général, les dispositifs sont positionnés en position verticale dans l'équipement de traitement thermique et/ou mécanique et le détachement a lieu spontanément par gravité.The detachment occurs spontaneously when applying a non-localized heat treatment. In general, the devices are positioned in a vertical position in the thermal and / or mechanical treatment equipment and the detachment takes place spontaneously by gravity.
Dans le cas de cellules photovoltaïques à hétérojonctions, la méthode de détachement choisie dépendra du choix de réalisation de la jonction p-n des cellules avant ou après le détachement.In the case of heterojunction photovoltaic cells, the detachment method chosen will depend on the choice of embodiment of the p-n junction of the cells before or after detachment.
Dans le cas où le détachement est effectué avant la réalisation de la jonction p-n, on pourra réaliser le détachement par traitement thermique à haute température, c'est-à-dire à une température supérieure à la température minimale permettant d'initier le détachement (environ 580 °C dans le cas d'un alliage eutectique AISi).In the case where the detachment is carried out before the realization of the pn junction, detachment can be carried out by heat treatment at high temperature, that is to say at a temperature above the minimum temperature to initiate the detachment ( about 580 ° C in the case of a eutectic alloy AISi).
Dans le cas des cellules photovoltaïques à hétérojonctions, une couche conductrice transparente (TCO, « Transparent Conductive Oxide ») est déposée avant ou après la réalisation de la jonction. Dans le cas où cette couche conductrice transparente est formée après le détachement, il conviendra de l'éliminer dans les zones d'isolation 59.In the case of heterojunction photovoltaic cells, a transparent conductive oxide (TCO) layer is deposited before or after the junction is made. In the case where this transparent conductive layer is formed after the detachment, it will be necessary to eliminate it in the isolation zones 59.
La figure 4 est une vue en coupe illustrant de façon schématique une variante de l'étape décrite en relation avec la figure 2E de formation de premières régions de collage et de secondes régions de détachement sur la face arrière 38 de la couche active.Figure 4 is a sectional view schematically illustrating a variant of the step described in relation to Figure 2E for forming first bonding regions and second detachment regions on the rear face 38 of the active layer.
Selon cette variante, la couche d'accroche 37 n'est pas formée aux emplacements où seront formées les zones d'isolation entre les cellules du dispositif photovoltaïque. La face arrière 38 comporte des premières régions de collage 70 formées d'un empilement d'une couche d'accroche 37, par exemple en silicium, et d'une couche conductrice 39, par exemple en aluminium, et des secondes régions 71 formées de portions de la couche 33 de passivation, par exemple en oxyde de silicium. Pour réaliser les premières régions de collage 70 et les secondes régions de détachement 71, un masque pourra être disposé sur la face arrière 38 lors de la formation de la couche d'accroche 37 et du matériau conducteur 39. De préférence, la couche de passivation 33 est dépourvue d'ouvertures aux emplacements des secondes régions de détachement 71. Ceci permet d'éviter une diffusion d'impuretés depuis le substrat fritté 51 vers la couche active. Toutefois, la couche active située aux emplacements des secondes régions 71 étant décollée lors de l'étape illustrée en figure 2G, la couche de passivation 33 peut comprendre des ouvertures aux emplacements des secondes régions 71.According to this variant, the attachment layer 37 is not formed at the locations where the isolation zones between the cells of the photovoltaic device will be formed. The rear face 38 comprises first bonding regions 70 formed of a stack of a bonding layer 37, for example of silicon, and a conductive layer 39, for example made of aluminum, and second regions 71 formed of portions of the passivation layer 33, for example silicon oxide. To produce the first bonding regions 70 and the second detachment regions 71, a mask may be placed on the rear face 38 during the formation of the bonding layer 37 and the conductive material 39. Preferably, the passivation layer 33 is devoid of openings at the locations of second detachment regions 71. This avoids diffusion of impurities from the sintered substrate 51 to the active layer. However, since the active layer located at the locations of the second regions 71 is peeled off during the step illustrated in FIG. 2G, the passivation layer 33 may comprise openings at the locations of the second regions 71.
Selon une autre variante, le masque peut être utilisé uniquement à l'étape de formation de la couche d'accroche mais pas à l'étape de formation du matériau conducteur. Les premières régions de collage sont formées dans ce cas d'un empilement d'une couche d'accroche et d'une couche conductrice. Les secondes régions de détachement sont formées de matériau conducteur directement en contact avec la couche de passivation 33 sous-jacente. Dans cette variante, il conviendra de ne pas ouvrir la couche de passivation dans les futures zones d'isolation des cellules photovoltaïques. Le matériau conducteur peut être formé sans motifs particuliers, sur toute la face arrière 38, car le collage eutectique ne sera pas efficace dans les secondes régions sans ouverture de la couche de passivation. Après le détachement, on éliminera le matériau conducteur disposé dans les zones d'isolation entre les cellules. Cette étape sera par exemple réalisée par ablation laser.According to another variant, the mask may be used only in the step of forming the tie layer but not in the step of forming the conductive material. The first bonding regions are formed in this case of a stack of a bonding layer and a conductive layer. The second detachment regions are formed of conductive material directly in contact with the underlying passivation layer 33. In this variant, it will be appropriate not to open the passivation layer in future photovoltaic cell insulation zones. The conductive material can be formed without particular patterns, over the entire back face 38, because the eutectic bonding will not be effective in the second regions without opening the passivation layer. After the detachment, the conductive material disposed in the isolation zones between the cells will be eliminated. This step will be performed for example by laser ablation.
La figure 5 illustre de façon schématique le phénomène de détachement de zones d'un substrat source après une étape à haute température. Un substrat source ou couche active 2 est assemblé avec un substrat de silicium fritté 3 par collage eutectique, par l'intermédiaire de la formation d'un alliage AISi 11 entre la couche active 2 et le substrat de silicium fritté 3. Le collage eutectique est moins efficace aux emplacements où une double couche d'oxyde de silicium 13 et de nitrure de silicium 15 est présente sur la face arrière du substrat source 2 assemblée avec le substrat 3. En effet, dans les régions où la double couche 13, 15 a été ablatée par un tir laser pour la prise de contact, le collage reste efficace après une étape à haute température grâce à la présence de l'alliage AISi, tandis que dans les autres régions seule la double couche 13, 15 reste présente sur le substrat de silicium fritté 3 et des portions de la couche active 2 sont détachées.Figure 5 schematically illustrates the phenomenon of detaching areas of a source substrate after a high temperature step. A source substrate or active layer 2 is assembled with a sintered silicon substrate 3 by eutectic bonding, by means of the formation of an alloy AISi 11 between the active layer 2 and the sintered silicon substrate 3. The eutectic bonding is less effective at locations where a double layer of silicon oxide 13 and silicon nitride 15 is present on the back side of the source substrate 2 assembled with the substrate 3. In fact, in regions where the double layer 13, 15 has has been ablated by a laser shot for the contact, the bonding remains effective after a high temperature step thanks to the presence of the alloy AISi, while in the other regions only the double layer 13, 15 remains present on the substrate of sintered silicon 3 and portions of the active layer 2 are detached.
Les figures 6A à 6C sont des vues en coupe illustrant de façon schématique des étapes successives d'une variante d'un procédé de réalisation d'un dispositif photovoltaïque comportant des cellules photovoltaïques intégrées sur un même substrat support.FIGS. 6A to 6C are cross-sectional views schematically illustrating successive steps of a variant of a method for producing a photovoltaic device comprising photovoltaic cells integrated on the same support substrate.
La figure 6A correspond à l'étape illustrée en figure 2E du procédé décrit en relation avec les figures 2A-2G.FIG. 6A corresponds to the step illustrated in FIG. 2E of the method described with reference to FIGS. 2A-2G.
Après la formation de la couche de passivation 33 comprenant des ouvertures sur la face arrière 38, des régions 82 destinées à empêcher le collage sont formées sur la couche de passivation 33. Les régions 82 sont en au moins un matériau isolant, par exemple en un empilement d'une couche d'oxyde de silicium et d'une couche de nitrure de silicium, par exemple en un empilement d'une couche de S1O2 et d'une couche de S13N4. Les régions 82 sont formées aux emplacements des futures zones d'isolation entre les cellules photovoltaïques. Les régions 82 en matériau isolant sont destinées à faciliter le détachement de la couche active dans les zones d'isolation. Selon une variante, les régions 82 formées sur la couche de passivation 33 sont formées uniquement d'oxyde de silicium.After the formation of the passivation layer 33 comprising openings on the rear face 38, regions 82 for preventing sticking are formed on the passivation layer 33. The regions 82 are in at least one insulating material, for example in a stacking a silicon oxide layer and a silicon nitride layer, for example in a stack of a layer of S102 and a layer of S13N4. The regions 82 are formed at the locations of the future isolation zones between the photovoltaic cells. Regions 82 of insulating material are intended to facilitate the detachment of the active layer in the isolation zones. According to one variant, the regions 82 formed on the passivation layer 33 are formed solely of silicon oxide.
La figure 6B illustre la formation d'une couche d'accroche 84 (à base de Si, par exemple en Si) dans les ouvertures de la couche de passivation 33 et sur la couche 33 autour des régions 82. Une couche d'un matériau conducteur 86, par exemple un métal, par exemple de l'aluminium, est formée sur la couche d'accroche 84 et sur les régions 82. La couche de matériau conducteur 86 recouvre entièrement la face arrière 38.FIG. 6B illustrates the formation of a tie layer 84 (based on Si, for example Si) in the openings of the passivation layer 33 and on the layer 33 around the regions 82. A layer of a material conductor 86, for example a metal, for example aluminum, is formed on the tie layer 84 and the regions 82. The layer of conductive material 86 completely covers the rear face 38.
La face arrière 38 comporte ainsi des premières régions de collage 110 formées de la couche d'accroche 84 et de matériau conducteur 86, et des secondes régions de détachement 111 formées des régions 82 en matériau isolant recouvertes de matériau conducteur 86. Les secondes régions de détachement 111 correspondent aux emplacements des futures zones d'isolation entre les cellules photovoltaïques.The rear face 38 thus has first bonding regions 110 formed of the tie layer 84 and conductive material 86, and second detachment regions 111 formed of regions 82 of insulating material covered with conductive material 86. The second regions of detachment 111 correspond to the locations of the future isolation zones between the photovoltaic cells.
La figure 6C illustre l'assemblage de la face arrière 38 avec un second substrat support 51 bas coût, par exemple un substrat de silicium fritté. Les premières régions de collage 110 sont collées avec des portions 53 d'une face 55 du substrat support 51, par exemple par collage eutectique. Dans les secondes régions de détachement 111 comprenant des régions isolantes 82 sous le matériau conducteur 86, le collage n'est pas effectif. Dans le cas d'un collage eutectique, il n'y a pas de formation d'un alliage eutectique dans les secondes régions 111.FIG. 6C illustrates the assembly of the rear face 38 with a second low-cost support substrate 51, for example a sintered silicon substrate. The first bonding regions 110 are bonded with portions 53 of a face 55 of the support substrate 51, for example by eutectic bonding. In the second detachment regions 111 comprising insulating regions 82 under the conductive material 86, the bonding is not effective. In the case of eutectic bonding, there is no formation of a eutectic alloy in the second regions 111.
Pour réaliser le collage eutectique, une pression est appliquée sur l'ensemble formé de la couche active et du substrat support 51. Dans le cas où le matériau conducteur 86 est en aluminium et le substrat support 51 est en silicium, la température est choisie de façon à être supérieure à la température de formation de l'alliage eutectique aluminium-silicium (AISi). Il se forme alors un alliage eutectique 88 conducteur entre le substrat support 51 et la couche de passivation 33 et dans les ouvertures de la couche de passivation 33.To carry out the eutectic bonding, a pressure is applied on the assembly formed of the active layer and the support substrate 51. In the case where the conductive material 86 is made of aluminum and the support substrate 51 is made of silicon, the temperature is chosen from to be superior to the formation temperature of the eutectic aluminum-silicon alloy (AISi). A conducting eutectic alloy 88 is then formed between the support substrate 51 and the passivation layer 33 and in the openings of the passivation layer 33.
On réalise ensuite le détachement du substrat support 51 de portions de la couche active aux emplacements des secondes régions de détachement 111. Dans le cas de l'exemple de collage eutectique décrit ci-dessus, le détachement a lieu dans les zones où l'alliage AISi 88 n'est pas présent, autrement dit dans les zones où les régions isolantes 82 sont présentes. On obtient ainsi des zones 87 dans lesquelles seront formées des cellules photovoltaïques, les zones 87 étant isolées électriquement entre elles par des cavités 89.Subsequently, the support substrate 51 is detached from portions of the active layer at the locations of the second detachment regions 111. In the case of the eutectic bonding example described above, the detachment takes place in the zones where the alloy AISi 88 is not present, ie in the areas where the insulating regions 82 are present. Zones 87 are formed in which photovoltaic cells will be formed, the zones 87 being electrically insulated from each other by cavities 89.
Le détachement est par exemple réalisé par traitement thermique non localisé et/ou mécanique comme cela a été décrit en relation avec la figure 2G.The detachment is for example carried out by non-localized and / or mechanical heat treatment as described with reference to FIG. 2G.
On procède ensuite à l'élimination des matériaux isolants 33, 82 et du matériau conducteur 86 se trouvant au fond des cavités 89 pour isoler les cellules photovoltaïques entre elles. Cette étape peut être réalisée par ablation laser. Toutefois, cette étape sera moins fastidieuse à mettre en œuvre que l'ablation laser proposée dans les procédés de l'art antérieur pour isoler les cellules entre elles car il s'agira ici d'éliminer uniquement des couches fines. En outre, la distance W qui sépare deux sous-cellules peut être assez élevée, tandis que la largeur des zones de matériau isolant 33, 82 et de matériau conducteur 86 à éliminer peut-être plus faible. Selon une variante, les matériaux 33, 82, 86 peuvent être éliminés par gravure, par exemple par gravure anisotrope. Dans le cas d'une ablation laser, la largeur des zones de matériaux 33, 82, 86 éliminés est supérieure ou égale à la taille du spot laser, par exemple supérieure ou égale à 50 pm.The insulating materials 33, 82 and the conductive material 86 at the bottom of the cavities 89 are then removed to isolate the photovoltaic cells together. This step can be performed by laser ablation. However, this step will be less tedious to implement than laser ablation proposed in the methods of the prior art to isolate the cells between them because it will be here to eliminate only thin layers. In addition, the distance W between two sub-cells can be quite high, while the width of the areas of insulating material 33, 82 and conductive material 86 to be eliminated may be lower. According to one variant, the materials 33, 82, 86 may be removed by etching, for example by anisotropic etching. In the case of laser ablation, the width of the material zones 33, 82, 86 eliminated is greater than or equal to the size of the laser spot, for example greater than or equal to 50 μm.
On réalise ensuite des étapes ultérieures de formation des cellules photovoltaïques du type de celles décrites en relation avec la figure 2G, du côté de la face avant 58 du dispositif photovoltaïque.Subsequent steps of forming the photovoltaic cells of the type described in connection with FIG. 2G, on the side of the front face 58 of the photovoltaic device, are then carried out.
Les cellules photovoltaïques sont connectées en série. On obtient ainsi un dispositif photovoltaïque à haute tension.The photovoltaic cells are connected in series. A high voltage photovoltaic device is thus obtained.
Dans les variantes décrites ci-dessus en relation avec les figures 2A-2G et 6A-6C, les interconnexions entre les différentes cellules photovoltaïques intégrées sur un même substrat support sont par exemple formées par un procédé d'impression du type de ceux couramment utilisés pour former les métallisations d'un dispositif photovoltaïque, par exemple par sérigraphie, avantageusement par jet d'encre.In the variants described above in relation with FIGS. 2A-2G and 6A-6C, the interconnections between the different photovoltaic cells integrated on the same support substrate are for example formed by a printing process of the type commonly used to forming the metallizations of a photovoltaic device, for example by screen printing, advantageously by ink jet.
Bien que l'on ait décrit un substrat support en silicium fritté, l'invention s'applique au collage réalisé sur un support autre qu'un support en silicium fritté. La couche active peut être collée sur une plaque de verre recouverte d'une couche d'accroche comportant une forte proportion de silicium (par exemple en Si). L'avantage de ce type de support réside dans le fait qu'il constitue un élément du module photovoltaïque en cours de formation, dans le cas d'un module bi-verre par exemple. Pour terminer la réalisation du module photovoltaïque, il suffira alors d'interconnecter les différentes cellules photovoltaïques entre elles et d'ajouter en face avant du module une plaque d'EVA et de verre par exemple, la face arrière étant déjà réalisée. D'autres supports que le verre, couramment utilisés pour la fabrication de modules photovoltaïques, pourront être utilisés. Dans le cas où le détachement est réalisé par traitement thermique, ces supports seront compatibles avec des étapes à haute température. Dans le cas où le détachement est réalisé par traitement mécanique, le support pourra être un support souple. Toutefois, si le support est utilisé au cours de la réalisation du dispositif photovoltaïque, le support ne sera pas dégradé par les étapes de réalisation du dispositif photovoltaïque.Although a sintered silicon support substrate has been described, the invention applies to bonding made on a support other than a sintered silicon support. The active layer may be bonded to a glass plate covered with a tie layer comprising a high proportion of silicon (for example Si). The advantage of this type of support lies in the fact that it constitutes an element of the photovoltaic module being formed, in the case of a bi-glass module for example. To complete the realization of the photovoltaic module, it will then be sufficient to interconnect the different photovoltaic cells together and add to the front of the module a plate of EVA and glass for example, the rear face being already made. Other supports than glass, commonly used for the manufacture of photovoltaic modules, may be used. In the case where the detachment is carried out by heat treatment, these supports will be compatible with high temperature steps. In the case where the detachment is performed by mechanical treatment, the support may be a flexible support. However, if the support is used during the realization of the photovoltaic device, the support will not be degraded by the steps of realization of the photovoltaic device.
Bien que l'on ait décrit un collage eutectique entre de l'aluminium et du silicium, le procédé décrit ci-dessus s'applique à un collage eutectique entre un métal autre que de l'aluminium et un matériau semi-conducteur autre que du silicium. L'aluminium peut être remplacé par de l'or. Les températures de collage eutectique diffèrent selon les matériaux utilisés (voir tableau 1).Although eutectic bonding has been described between aluminum and silicon, the method described above applies to eutectic bonding between a metal other than aluminum and a semiconductor material other than aluminum. silicon. Aluminum can be replaced by gold. The eutectic bonding temperatures differ according to the materials used (see Table 1).
Tableau 1 : Températures de collage eutectique en fonction des matériaux et de leur composition.Table 1: Eutectic bonding temperatures according to materials and their composition.
Pour des raisons évidentes de coûts, on préférera cependant utiliser de l'aluminium et du silicium. L'oxyde de silicium peut être remplacé une couche d'alumine (AlxOy) ou par tout autre matériau isolant électrique permettant de diminuer les recombinaisons en surface du silicium et servant de barrière à la diffusion d'impuretés du substrat bas coût vers l'absorbeur en silicium.For obvious cost reasons, however, it will be preferred to use aluminum and silicon. The silicon oxide may be replaced by a layer of alumina (AlxOy) or by any other electrical insulating material making it possible to reduce the recombinations at the surface of the silicon and serving as a barrier to the diffusion of impurities from the low-cost substrate to the absorber in silicon.
Bien que l'on ait décrit un assemblage de la couche active et du substrat support par collage eutectique, l'assemblage pourra être réalisé par un procédé de collage indirect autre que le collage eutectique, par exemple par collage par l'intermédiaire d'une couche adhésive. Dans ce cas, les premières régions de collage sont formées de portions d'une couche adhésive. La couche adhésive n'est pas présente dans des secondes régions de détachement, aux emplacements des futures zones d'isolation entre les cellules photovoltaïques. L'homme du métier choisira pour la couche adhésive un matériau adapté à résister aux différentes étapes ultérieures de réalisation d'un dispositif électronique. A titre d'exemple, la couche adhésive peut être en un silicone capable de résister aux températures requises pour former des cellules photovoltaïques à hétérojonctions.Although an assembly of the active layer and the support substrate has been described by eutectic bonding, the assembly may be performed by an indirect bonding method other than eutectic bonding, for example by bonding via a adhesive layer. In this case, the first bonding regions are formed of portions of an adhesive layer. The adhesive layer is not present in second detachment regions at the locations of the future isolation areas between the photovoltaic cells. Those skilled in the art will choose for the adhesive layer a material adapted to withstand the different subsequent steps of producing an electronic device. By way of example, the adhesive layer may be of a silicone capable of withstanding the temperatures required to form heterojunction photovoltaic cells.
Claims (15)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1560573A FR3043254B1 (en) | 2015-11-04 | 2015-11-04 | METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC DEVICE |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1560573 | 2015-11-04 | ||
| FR1560573A FR3043254B1 (en) | 2015-11-04 | 2015-11-04 | METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC DEVICE |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR3043254A1 true FR3043254A1 (en) | 2017-05-05 |
| FR3043254B1 FR3043254B1 (en) | 2018-03-16 |
Family
ID=54979827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR1560573A Active FR3043254B1 (en) | 2015-11-04 | 2015-11-04 | METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC DEVICE |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR3043254B1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3316628A (en) * | 1964-12-30 | 1967-05-02 | United Aircraft Corp | Bonding of semiconductor devices to substrates |
| US20060043384A1 (en) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Vertical nitride semiconductor light emitting diode |
| US20100122764A1 (en) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | Emcore Solar Power, Inc. | Surrogate Substrates for Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells |
| US20150115290A1 (en) * | 2012-06-22 | 2015-04-30 | Soitec | Method of manufacturing structures of leds or solar cells |
-
2015
- 2015-11-04 FR FR1560573A patent/FR3043254B1/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3316628A (en) * | 1964-12-30 | 1967-05-02 | United Aircraft Corp | Bonding of semiconductor devices to substrates |
| US20060043384A1 (en) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Vertical nitride semiconductor light emitting diode |
| US20100122764A1 (en) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | Emcore Solar Power, Inc. | Surrogate Substrates for Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells |
| US20150115290A1 (en) * | 2012-06-22 | 2015-04-30 | Soitec | Method of manufacturing structures of leds or solar cells |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR3043254B1 (en) | 2018-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102087754B1 (en) | Method of manufacturing structures of leds or solar cells | |
| EP1839341B1 (en) | Semiconductor device with heterojunctions and an inter-finger structure | |
| FR2463978A1 (en) | INTEGRATED SOLAR CELL WITH A DERIVATION DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME | |
| EP2973750B1 (en) | Process for forming light-emitting diodes | |
| EP3392918B1 (en) | Method of manufacturing a led matrix display device | |
| EP3353815A1 (en) | Method for manufacturing structures for a photovoltaic cell | |
| EP2835903B1 (en) | Device for converting heat energy into electrical energy | |
| EP1618611B1 (en) | Method for production of a semiconductor device with auto-aligned metallisations | |
| EP2981156B1 (en) | Photovoltaic panel and method for manufacturing such a panel | |
| FR3043254A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC DEVICE | |
| WO2006077342A1 (en) | Method for metallisation of a semiconductor device | |
| FR3061360A1 (en) | LIGHT EMITTING DEVICE | |
| FR2878374A1 (en) | Solar cell with a heterojunction and buried metallization, made with a crystalline semiconductor substrate and an amorphous semiconductor layer with different types of conductivity | |
| EP1520294B1 (en) | Thin-film electronic device, in particular power device, and method for making same | |
| FR3043252B1 (en) | PROCESS FOR PRODUCING A COMPOSITE SUBSTRATE | |
| EP0617841B1 (en) | Method of making semiconductor components with recovery of the substrate by electrochemical means | |
| EP3316319B1 (en) | Photovoltaic cells with rear contacts and their method for manufacturing | |
| EP2876689B1 (en) | Method for forming a photovoltaic cell | |
| WO2015063689A1 (en) | Silicon-based composite substrate having active zones separated by electrical insulation zones comprising a silicon carbide strip | |
| FR2983343A1 (en) | METHOD OF PREVENTING AN ELECTRICAL FAILURE IN A STACK OF SEMICONDUCTOR LAYERS, THIN SUBSTRATE CPV CELL, AND SOLAR CELL ASSEMBLY | |
| FR3039707A1 (en) | METHOD FOR MANUFACTURING HYBRID DEVICES | |
| WO2016203175A1 (en) | Electronic structure on ceramic support | |
| EP2884543A1 (en) | Photovoltaic cell and method of manufacturing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 2 |
|
| PLSC | Publication of the preliminary search report |
Effective date: 20170505 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 3 |