FR3036004A1 - Module de diodes laser a cavite verticale (vcsels) - Google Patents

Abstract

L'invention concerne un module (1) de diodes laser à cavité verticale comprenant au moins une première (3A) et une seconde (3B) diodes laser à cavité verticale émettant par la surface et présentant une cavité verticale (5A, 5B) formée d'un premier (7A, 7B) et d'un second (9A, 9B) réflecteur, le second réflecteur (9A, 9B) étant un réflecteur de sortie, les diodes lasers (3A, 3B) étant disposées sur un même substrat (2) et les axes verticaux (18A, 18B) des cavités étant parallèles. Les diodes laser (3A, 3B) à cavité verticale émettant par la surface comprennent un unique second réflecteur de sortie (21) qui est commun à l'ensemble des diodes laser (3A, 3B) du module (1) et formé par une membrane de cristal photonique présentant entre les diodes une discontinuité de couplage (23).

Description

1 Module de diodes laser à cavité verticale (VCSELs) La présente invention concerne un module de diodes laser à cavité verticale (modules à VCSELs). Les différentes fonctionnalités photoniques sur puce micro-nano- électronique nécessitent un ensemble de briques de base performantes pour l'analyse et la gestion des signaux optiques comme des photo-détecteurs, des filtres, des modulateurs, des réseaux de couplage entrée/sortie (I/O), et, bien sûr, des émetteurs laser dans le proche infrarouge pour adresser notamment les principales bandes télécom.

L'intégration à large échelle de ces dispositifs sur silicium implique des solutions technologiques ouvrant la voie à la production de dispositifs très compacts, tout en préservant leur efficacité de fonctionnement, gage indispensable d'une consommation de puissance modérée combinée à une très haute vitesse d'opération.

L'approche générale utilisée à ces fins consiste à mettre en oeuvre des procédures de confinement à la fois spatial et temporel des photons : le confinement spatial permet le contrôle des photons dans un espace restreint, indispensable à la miniaturisation des dispositifs. Un dispositif indispensable dans cette technologie optique est formé 20 par les diodes laser à cavité verticale et émission par la surface, désignés généralement par VCSEL (en anglais pour « vertical cavity surface emitting lasers »). Dans une diode laser à cavité verticale et émission par la surface, l'onde stationnaire du champ électromagnétique des modes résonants 25 traverse perpendiculairement des couches semi-conductrices déposées par croissance épitaxiale, ce qui permet une miniaturisation latérale importante des dispositifs laser. Généralement, les VCSELs comprennent au niveau de leur cavité optique des réflecteurs de haute qualité, en particulier des réflecteurs de 30 Bragg distribués (DBR pour « distributed Bragg reflector » en anglais) atteignant une réflectivité même supérieure à 99%. ICG30302 3036004 2 Dans le cadre de la recherche photonique, une voie importante consiste à contrôler la direction d'émission de la diode laser. En effet, en contrôlant la direction d'émission, on peut imaginer des composants 5 optiques à distribution spatiale dynamique, c'est-à-dire dont on peut contrôler de façon dynamique la direction d'émission. A cet effet, il est déjà connu par le document « Relative phase tuning of coupled defects in photonic crystal vertical surface emitting lasers » par Lehmann et al, Applied Physics Letters 88, 021102 (2006) de former un 10 module couplant deux VCSELs contigus. Chaque VCSEL comprend une cavité formée par des réflecteurs de Bragg distribués DBR. Puis on grave par lithographie par faisceau d'électrons un cristal photonique de couplage formé de trous sur les deux réflecteurs de Bragg distribués supérieurs, les réflecteurs de sortie de 15 faisceaux laser. En contrôlant la phase entre les deux VCSELs ainsi couplés, on peut contrôler la direction d'émission du module. Toutefois, la solution décrite dans le document ci-dessus paraît délicate. En effet, des trous d'une profondeur comprise entre 5 et 101.1m doivent être ménagés dans les deux réflecteurs de Bragg distribués supérieurs ce qui rend critique les placements relatifs des deux diodes et le contrôle de phase latérale. La présente invention vise à proposer un module de diodes laser à cavité verticale amélioré.

A cet effet, l'invention propose un module de diodes laser à cavité verticale comprenant au moins une première et une seconde diodes laser à cavité verticale émettant par la surface et présentant une cavité verticale formée d'un premier et d'un second réflecteurs, le second réflecteur étant un réflecteur de sortie, les diodes lasers étant disposées sur un même substrat et les axes verticaux des cavités étant parallèles, ICG30302 3036004 3 caractérisé en ce que les diodes laser à cavité verticale émettant par la surface comprennent un unique second réflecteur de sortie qui est commun à l'ensemble des diodes laser du module et formé par une membrane de cristal photonique présentant entre les diodes une 5 discontinuité de couplage. Le module selon l'invention peut comprendre une ou plusieurs des caractéristiques suivantes prises seules ou en combinaison : Selon un aspect, le premier réflecteur des diodes laser est aussi formé par une membrane de cristal photonique.

10 Selon un autre aspect, les diodes laser à cavité verticale émettant par la surface comprennent un unique premier réflecteur qui est commun à l'ensemble des diodes laser du module et formé par une membrane de cristal photonique présentant entre les diodes une discontinuité de couplage.

15 En variante, le premier réflecteur des diodes laser est formé par un réseau de Bragg distribué. La distance entre deux cavités de deux diodes adjacentes est par exemple comprise entre 10 et 151.1m. Selon un autre aspect, le module comprend une unité de contrôle 20 individuel du pompage optique de chaque diode laser. L'unique second réflecteur de sortie commun comprend par exemple une membrane en silicium intégrant des zones à indice de réfraction plus faible que l'indice de réfraction du silicium. Selon un autre aspect, la membrane en silicium possède une 25 épaisseur inférieure à 0,4pm. ICG30302 3036004 4 Les zones à indice de réfraction plus faible que l'indice de réfraction du silicium sont en particulier formées par de la silice ou par des ouvertures. Les zones à indice de réfraction plus faible que l'indice de réfraction 5 du silicium peuvent également être formées par des fentes parallèles remplies notamment de silice ou d'air. Selon encore un autre aspect, les zones à indice de réfraction plus faible que l'indice de réfraction du silicium sont formées par des trous remplis notamment de silice ou d'air.

10 Selon un mode de réalisation, le module comprend trois diodes laser à cavité verticale émettant par la surface disposées selon une configuration triangulaire de leurs axes verticaux sur le même substrat. On prévoit selon un mode de réalisation que les zones à indice de réfraction plus faible que l'indice de réfraction du silicium présentent au 15 niveau de la cavité de chaque diode laser la même périodicité et au niveau de la discontinuité de couplage une périodicité différente ou un facteur de remplissage en silicium ajustés Selon un aspect, le pas entre les zones à indice de réfraction plus faible que l'indice de réfraction du silicium est plus grand au niveau de la 20 discontinuité de couplage qu'au niveau de la cavité de chaque diode laser. Selon un autre aspect, la largeur de chaque zone à indice de réfraction plus faible que l'indice de réfraction du silicium est différente au niveau de la discontinuité de couplage de celle au niveau de la cavité de chaque diode laser.

25 Le matériau de chaque zone à indice de réfraction plus faible que l'indice de réfraction du silicium est par exemple différent au niveau de la discontinuité de couplage de celui au niveau de la cavité de chaque diode laser. ICG30302 3036004 5 D'autres avantages et caractéristiques apparaîtront à la lecture de la description de l'invention, ainsi que des figures suivantes parmi lesquelles: 5 - la figure 1 est une vue schématique en coupe verticale d'un module de diodes laser à cavité verticale selon un premier mode de réalisation, - la figure 2 est un schéma en vue de dessus d'un exemple de réalisation d'un réflecteur de sortie de la figure 1, 10 - la figure 3 est un schéma simplifié d'un circuit de pilotage d'un module de diodes laser à cavité verticale selon l'invention, - la figure 4 est une vue schématique en coupe d'un module de diodes laser à cavité verticale selon un second mode de réalisation, 15 - la figure 5 est une représentation graphique des modes couplés d'un module de diodes laser à cavité verticale selon la figure 4, - la figure 6 est un schéma en vue de dessus d'un autre exemple de réalisation d'un réflecteur de sortie, - la figure 7 est un schéma en vue de dessus encore d'un autre 20 exemple de réalisation d'un réflecteur de sortie, et - la figure 8 est un schéma en vue de dessus encore d'un autre exemple de réalisation d'un réflecteur de sortie. Sur les figures, les éléments identiques sont identifiés par les mêmes ICG30302 3036004 6 références. Les réalisations suivantes sont des exemples. Bien que la description se réfère à un ou plusieurs modes de réalisation, ceci ne signifie pas nécessairement que chaque référence concerne le même mode de 5 réalisation, ou que les caractéristiques s'appliquent seulement à un seul mode de réalisation. De simples caractéristiques de différents modes de réalisation peuvent également être combinées pour fournir d'autres réalisations. Dans la description on peut indexer certains éléments ou paramètres, 10 comme par exemple premier élément ou second élément ainsi que premier paramètre et second paramètre ou encore premier critère et second critère etc. Dans ce cas, il s'agit d'un simple indexage pour différencier et dénommer des éléments ou paramètres ou critères proches mais non identiques. Cette indexation n'implique pas une priorité d'un élément, 15 paramètre ou critère par rapport à un autre et on peut aisément interchanger de telles dénominations sans sortir du cadre de la présente description. La figure 1 montre une vue schématique en coupe verticale d'un module 1 de diodes laser à cavité verticale émettant par la surface 20 (généralement abrévié VCSEL) disposé sur un substrat 2 par exemple en silicium. Dans le présent cas, le module 1 comprend un premier VCSEL 3A et un second VCSEL 3B, les VCSELs 3A et 3B étant disposés sur un même substrat 2, plus spécifiquement côte-à-côte.

25 Dans la suite de la description, les deux VCSELs 3A et 3B sont de construction et de structure identiques, la lettre A désignant un élément appartenant au VCSEL 3A tandis que la lettre B désignant un élément identique appartenant au second VCSEL 3B. ICG30302 3036004 7 Bien entendu, on peut prévoir plus que deux diodes laser 3A, 3B disposées côte-à-côte par paires. Ainsi, on pourrait prévoir une matrice de VCSELs disposés sur un substrat commun 2. Chaque première 3A et seconde 3B diodes laser à cavité verticale 5 émettant par la surface présente une cavité verticale respectivement 5A et 5B formée d'un premier réflecteur respectivement 7A et 7B et d'un second réflecteur respectivement 9A et 9B. Par convention, les premiers réflecteurs 7A et 7B sont appelés les réflecteurs inférieurs (« bottom reflector » en anglais). Les second 10 réflecteurs 9A et 9B sont appelés les réflecteurs de sortie ou réflecteurs supérieurs (« top reflector » en anglais). Le faisceau laser généré par chaque diode 3A ou 3B sort par le réflecteur de sortie respectivement 9A et 9B. Dans les cavités 5A, 5B de chaque VCSEL 3A, 3B sont disposés deux 15 couches semi-conductrices III-V respectivement 11A, 11B et 13A, 13B prenant en sandwich une région active 15A et 15B. Par région active, on entend une région optiquement active pour un pompage laser. Les flèches 17A et 17B indiquent la direction générale de sortie de la lumière laser générée en champs proche. Comme on le voit sur la figure 1, 20 les axes verticaux 18A et 18B des cavités 5A et 5B qui sont les axes centraux des cavités 5A et 5B, sont parallèles. Les VCSELs 3A et 3B sont séparés l'un de l'autre par une zone d'isolation électrique 19 qui peut être constituée d'une couche d'isolant (telle qu'une nitrure de Silicium SiNx) ou d'une zone de semi-conducteur implantée et qui s'étend sensiblement 25 verticalement, c'est-à-dire parallèle aux axes 18A et 18B des cavités 5A et 5B. ICG30302 3036004 8 Dans le présent exemple de réalisation, les premiers réflecteurs 7A et 7B, les réflecteurs inférieurs, sont des réflecteurs de Bragg distribué (« distributed bragg reflector - DBR » en anglais). Les second réflecteurs 9A et 9B ou réflecteurs de sortie sont formés 5 par un unique second réflecteur de sortie 21 qui est commun à l'ensemble des diodes laser à cavité verticale 3A et 3B du module 1. Ce réflecteur commun de sortie 21 est formé par une membrane de cristal photonique présentant entre les diodes 3A et 3B, au niveau de la zone d'isolation électrique 19, une discontinuité de couplage 23. On 10 obtient ainsi un couplage latéral cohérent de l'émission laser entre les deux diodes 3A et 3B. Du fait de ce réflecteur commun 21, la distance entre deux cavités 5A, 5B de deux diodes adjacentes 3A et 3B ou plus exactement la distance entre les deux régions actives 15A et 15B qui sont séparés par la zone 15 d'isolation électrique 19 peut être réduite par rapport à l'état de la technique et comprise entre 10-15pm. Cette distance est mesurée entre les axes verticaux centraux 18A et 18B des cavités respectivement 5A et 5B Cette distance entre les cavités 5A et 5B est plus faible que celle des modules de VCSELs connus et permet ainsi de diriger le faisceau laser de 20 sortie en champ lointain sur un angle plus important, spécifiquement de +/- 15° par rapport à la verticale. Ceci est bien supérieur par rapport aux valeurs rapportées par les modules de l'état de la technique. L'unique second réflecteur commun de sortie 21 comprend une membrane en silicium 24 d'une épaisseur e inférieure à 0,41.1m, par 25 exemple de l'ordre de X/2n où X est la longueur d'onde d'émission des VCSELs 3A et 3B et n est l'indice optique effectif de la membrane, soit une ICG30302 3036004 9 épaisseur comprise entre 0,25pm et 0,41.1m. Cette membrane 24 en silicium intègre des zones 25 à indice de réfraction plus faible que l'indice de réfraction du silicium. Ces zones 25 sont formées en particulier par de la silice ou par des ouvertures remplies d'air.

5 La figure 2 montre une vue schématique de dessus du second réflecteur commun de sortie 21. Les zones 25 à indice de réfraction plus faible sont par exemple formées par des fentes parallèles remplies notamment de silice ou d'air. Les zones 25 à indice de réfraction plus faible que l'indice de 10 réfraction du silicium présentent au niveau de la cavité 5A et 5B (indiqué en traits pointillés) de chaque VCSEL 3A, 3B une même périodicité constante et au niveau de la discontinuité de couplage 23 une périodicité différente et/ou un facteur de remplissage en silicium ajustés, par exemple des zones 25 avec un écartement plus important qu'au niveau des cavités 15 5A et 5B. Selon une première variante non représentée, les zones 25 présentent au niveau de la discontinuité de couplage 23 une largeur différente de celle de la larguer des zones 25 au niveau des cavités 3A et 3B, par exemple une largeur plus importante ou plus faible.

20 Selon une seconde variante non représentée, on peut prévoir un premier matériau (par exemple de l'air) pour chaque zone 25 au niveau des deux cavités 5A et 5B et un second matériau (par exemple de la silice) à indice de réfraction différent du premier matériau au niveau de la discontinuité de couplage 23.

25 En se rapportant à la figure 3, le module 1 comprend une unité de contrôle 27 individuel du pompage optique de chaque diode laser 3A, 3B. Ceci permet d'ajuster la polarisation appliquée individuellement à chaque ICG30302 3036004 10 VCSEL 3A et 3B et de contrôler ainsi la différence de phase entre eux et donc en conséquence la direction de sortie du faisceau laser en champ lointain. La figure 4 montre un autre mode de réalisation du module 1 selon 5 l'invention. Ce mode de réalisation se distingue de celui de la figure 1 par le fait que les premiers réflecteurs 7A et 7B des diodes laser VCSEL 3A et 3B sont également formés par des membranes de cristal photonique respectivement 31A et 31B. Il peut s'agir de membranes photoniques 31A et 31B individuelles 10 non-couplées, mais il est préférable qu'il s'agisse d'un unique premier réflecteur 33 (comme montré sur la figure 4) qui est commun à l'ensemble des diodes laser VCSEL 3A et 3B du module 1 et formé par une membrane de cristal photonique présentant entre les diodes une discontinuité de couplage 35.

15 Comme pour le second réflecteur commun 21, la membrane de cristaux photonique du premier réflecteur 33 comprend des zones 37 à indice de réfraction plus faible que l'indice de réfraction du silicium, ces zones 37 étant formées par des trous remplis notamment de silice ou d'air.

20 Selon le mode de réalisation de la figure 4, les premier 21 et second 33 réflecteurs communs formés par des membranes de cristaux photoniques sont de structure identique. La figure 5 montre selon une vue en coupe transversale du haut en bas, similaire à celle de la figure 4 une simulation des modes laser émis 25 par le module 1. On y voit que les modes d'émission confinés des deux VCSELs 3A et 3B sont couplés de façon cohérente grâce aux discontinuités de couplage 23 et 35. ICG30302 3036004 11 Selon un mode de réalisation non représenté, les premier 21 et second 33 réflecteurs communs formés par des membranes de cristaux photoniques sont de structure légèrement différente. Le figure 6 montre selon une vue de dessus un autre mode de 5 réalisation du second réflecteur commun 21 formé par un cristal photonique. La position des diodes laser VCSEL 3A et 3B est indiquée par des carrés à traits pointillés. Alors que selon la figure 2, les zones 25 à indice de réfraction plus faible sont formées par des fentes parallèles remplies notamment de silice 10 ou d'air qui sont perpendiculaires à l'axe longitudinal A. du module 1 formé par deux VCSELs 3A et 3B, selon le mode de réalisation de la figure 6, les zones 25 à indice de réfraction plus faible sont formées par des fentes parallèles remplies notamment de silice ou d'air qui sont parallèles à l'axe longitudinal A. du module 1 formé par les deux VCSELs 3A et 3B.

15 Dans le mode de réalisation de la figure 6, la discontinuité de couplage 23 est par exemple réalisée en choisissant que le matériau de chaque zone 25 est différent au niveau de la discontinuité de couplage de celui au niveau de la cavité de chaque diode laser VSCEL 3A ou 3B. La figure 7 montre selon une vue de dessus encore un autre mode de 20 réalisation du second réflecteur commun 21 formé par un cristal photonique bidimensionnel 2D, à la différence des cristaux photoniques des figures 2 et 6 qui sont unidimensionnels ou 1D. La position des diodes laser VCSEL 3A et 3B est indiquée par des carrés à traits pointillés. Dans ce mode de réalisation, les deux diodes laser VCSELs 3A et 3B 25 ayant une section transversale en coupe horizontale sensiblement carrée sont disposées sur le même substrat 2, mais avec les diagonales DA et DB alignées. ICG30302 3036004 12 Le second réflecteur commun 21 est formé par une membrane de cristal photonique 2D présentant un premier carré de seize trous 41A et un second carré de seize trous 41B et la discontinuité de couplage 23 est formée au niveau de la zone de jonction entre les deux carrés 41A et 41B.

5 Pour le couplage, on contrôle en particulier la distance entre les trous 43A et 43B appartenant respectivement au carré 41A et 41B et qui sont les plus proches l'un de l'autre. La figure 8 montre selon une vue de dessus encore un autre mode de réalisation du second réflecteur commun 21 formé par un cristal 10 photonique bidimensionnel 2D. Dans ce cas, le module 3 comprend trois diodes VCSEL respectivement 3A, 3B et 3C dont les positions en dessous du réflecteur commun 21 sont indiquées par des hexagones à traits pointillés 50A, 50B et 50C. Dans ce mode de réalisation, les trois diodes laser VCSELs 3A, 3B et 15 3C ont une section transversale en coupe horizontale sensiblement hexagonale et sont disposées sur le même substrat 2 selon une configuration triangulaire, c'est-à-dire avec les axes centraux verticaux 18A, 18B et 18C qui sortent du plan défini par la page, sont disposés aux sommets d'un triangle isocèle 51 dessiné en trait gras pointillé.

20 Le second réflecteur commun 21 est formé par une membrane de cristal photonique 2D présentant donc trois hexagones de dix-neuf trous (représenté par des cercles à petits points) respectivement 53A, 53B et 53C et une discontinuité de couplage 23 formée au niveau de la zone de jonction entre les trois hexagones, au centre du triangle 51 par un trou 25 central 55 (représenté par un cercle noir). Autour des hexagones 50A, 50B et 50C est disposé un réseau de trous d'isolation optique 57 (représentés par des cercles hachurés) ICG30302 3036004 13 permettant d'assurer l'isolation optique des trois VCSELs 3A, 3B et 3C bien entendu sauf au niveau du trou central de couplage 55. Le diamètre des trous 53A, 53B et 53C des hexagones 50A, 50B et 50C est intermédiaire entre celui de la zone de couplage 23 (trou 55) et 5 celui des trous 57 des zones d'isolation optique. Selon le cas, c'est le trou 55 de la zone de couplage 23 qui possède le diamètre le plus élevé ou le plus faible des 3 types de trous et donc inversement pour les trous 57 des zones d'isolation optique. Bien entendu, on peut envisager une zone de couplage 23 10 comportant d'avantage de trous (trois par exemple ou six ou neuf). Dans ce cas, tous les trous 55 de la zone couplage 23 ne sont pas nécessairement identiques. Les divers trous 53A-C, 55 et 57 peuvent être remplis ou non de silice dans une membrane silicium, ou bien on peut selon une variante 15 envisager à la place des trous des pilier de silicium, environnés d'air, ou de silice ou autre matériau bas indice. Pour le couplage, on contrôle en particulier la distance entre les trous des hexagones 53A-C avec le trou central 55. Pour ce mode de réalisation, la directivité du faisceau laser de sortie 20 en champ lointain peut aussi être contrôlée en deux dimensions, le faisceau pouvant alors être contrôlé dans un cône d'ouverture de 30°, perpendiculaire à la surface d'émission des diodes laser 3A, 3B et 3C. On comprend donc qu'en utilisant comme second réflecteur de sortie pour les diodes laser VCSELs une membrane à cristaux photonique 25 commune, on obtient un module 1 de diodes laser à cavité verticale qui présente de nombreux avantages. ICG30302 3036004 14 En effet, il est plus simple à fabriquer du fait qu'il ne soit plus nécessaire de graver une structure de couplage dans une structure de réflecteur DBR. On peut rapprocher les VCSELs individuels ce qui permet d'obtenir 5 une plus grande densité de diodes laser par unité de surface. De plus, ce rapprochement permet également d'obtenir une directivité du faisceau laser en champ lointain plus importante pouvant atteindre +/- 15° par rapport à la direction perpendiculaire à la surface d'émission des VCSELs.

10 Enfin, on acquiert une grande liberté dans la conception de la discontinuité de couplage 23 qui peut être finement adaptée aux besoins. En outre, cette technologie peut être plus facilement intégrée dans des processus de fabrication de composants optroniques sur silicium et une intégration dans la technologie CMOS.

15 ICG30302

Claims (15)

1. REVENDICATIONS1. Module (1) de diodes laser à cavité verticale comprenant au moins une première (3A) et une seconde (3B) diodes laser à cavité verticale émettant par la surface et présentant une cavité verticale (5A, 5B) formée d'un premier (7A, 7B) et d'un second (9A, 9B) réflecteurs, le second réflecteur (9A, 9B) étant un réflecteur de sortie, les diodes lasers (3A, 3B) étant disposées sur un même substrat (2) et les axes verticaux (18A, 18B) des cavités étant parallèles, caractérisé en ce que les diodes laser (3A, 3B) à cavité verticale émettant par la surface comprennent un unique second réflecteur de sortie (21) qui est commun à l'ensemble des diodes laser (3A, 3B) du module (1) et formé par une membrane de cristal photonique présentant entre les diodes une discontinuité de couplage (23).
2. 2. Module selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier réflecteur (7A, 7B) des diodes laser (3A, 3B) est aussi formé par une membrane de cristal photonique (31A, 31B).
3. 3. Module selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les diodes laser (3A, 3B) à cavité verticale émettant par la surface comprennent un unique premier réflecteur (33) qui est commun à l'ensemble des diodes laser (3A, 3B) du module et formé par une membrane de cristal photonique présentant entre les diodes une discontinuité de couplage (35). ICG30302 3036004 16
4. 4. Module selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier réflecteur (7A, 7B) des diodes laser (3A, 3B) est formé par un réseau de Bragg distribué.
5. 5. Module selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la distance entre deux cavités (5A, 5B) de deux diodes adjacentes est comprise entre 10 et 151.1m.
6. 6. Module selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'il comprend une unité (27) de contrôle individuel du pompage optique de chaque diode laser.
7. 7. Module selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'unique second réflecteur de sortie commun (21) comprend une membrane (24) en silicium intégrant des zones (25) à indice de réfraction plus faible que l'indice de réfraction du silicium.
8. 8. Module selon la revendication 7, caractérisé en ce que la membrane en silicium (24) possède une épaisseur (e) inférieure à 0,41.1m.
9. 9. Module selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce que les zones (25) à indice de réfraction plus faible que l'indice de réfraction du silicium sont formées par de la silice ou par des ouvertures.
10. 10. Module selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, caractérisé en ce que les zones (25) à indice de réfraction plus faible que l'indice de réfraction du silicium sont formées par des fentes parallèles remplies notamment de silice ou d'air.
11. 11. Module selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, caractérisé en ce que les zones (25) à indice de réfraction ICG30302 3036004 17 plus faible que l'indice de réfraction du silicium sont formées par des trous remplis notamment de silice ou d'air.
12. 12. Module selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend trois diodes laser à cavité verticale émettant par la 5 surface (3A, 3B et 3C) disposées selon une configuration triangulaire de leurs axes verticaux (18A, 18B, 18C) sur le même substrat (2).
13. 13. Module selon l'une quelconque des revendications 8 à 12, caractérisé en ce que les zones (25) à indice de réfraction 10 plus faible que l'indice de réfraction du silicium présentent au niveau de la cavité (5A, 5B) de chaque diode laser la même périodicité et au niveau de la discontinuité de couplage (23) une périodicité différente ou un facteur de remplissage en silicium ajustés Module selon la revendication 13, caractérisé en ce que le pas entre les zones (25) à indice de réfraction plus faible que l'indice de réfraction du silicium est plus grand au niveau de la discontinuité de couplage (23) qu'au niveau de la cavité (5A, 5B) de chaque diode laser (3A, 3B). Module selon la revendication 13, caractérisé en ce que la largeur de chaque zone (25) à indice de réfraction plus faible que l'indice de réfraction du silicium est différente au niveau de la discontinuité de couplage (23) de celle au niveau de la cavité (5A, 5B) de chaque diode laser (3A, 3B). Module selon la revendication 13, caractérisé en ce que le matériau de chaque zone (25) à indice de réfraction plus faible que l'indice de réfraction du silicium est différent au niveau de la discontinuité de couplage (23) de celui au niveau de la cavité (5A, 5B) de chaque diode laser (3A, 3B). ICG30302 15
14. 14. 20
15. 15. 2516.