SUBSTRAT VERRIER A COUCHE ELECTROCONDUCTRICE ET RUGOSITE DIMINUEE L'invention a trait aux vitrages revêtus d'une couche électroconductrice transparente, notamment à base d'oxydes. Sont particulièrement visées ici les couches d'oxyde conducteur transparent (TCO pour « Transparent Conductive Oxide » en anglais) pouvant être obtenues par dépôt chimique en phase vapeur à pression atmosphérique (APCVD pour « Atmospheric Pressure Chemical Vapour Deposition » en anglais), qui est le procédé le plus pratique produisant des empilements à bonne résistance mécanique.The invention relates to glazing coated with a transparent electroconductive layer, in particular based on oxides. Here, the transparent conductive oxide (TCO) layers that can be obtained by atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) are particularly targeted here. the most practical method producing stacks with good mechanical strength.
Ce procédé peut être mis en oeuvre sur la ligne de production du verre plat, à l'intérieur du float (bain d'étain), puis entre l'exit de celui-ci et la découpe du verre. Les précurseurs des couches successives sont mis en contact avec le verre à une température qui décroit de 650 à 450 °C environ. Plusieurs buses de CVD peuvent être disposées à l'intérieur du float, et plusieurs également entre l'exit et la découpe, chaque buse servant au dépôt d'une couche mince. Des exemples de couches électroconductrices transparentes sont des couches à base de 5n02 et/ou TiO2 et/ou ZnO dopées par un, deux ou trois éléments choisis parmi F, P, B, Nb, Sb, Al, Ga, notamment 5n02:F, 5n02:Sb, TiO2 :Nb, ZnO:Al, ZnO:Ga. De telles couches constituent des électrodes dans certaines applications : lampes planes, vitrage électroluminescent, vitrage électrochrome, écran d'affichage à cristaux liquides, vitrage photovoltaïque, verres chauffants. Dans d'autres applications pour des vitrages bas-émissifs, ou anti-condensation par exemple, ces couches conductrices transparentes n'ont pas à être activées par une mise sous tension électrique. Une couche de 5n02 :F est bien représentative d'une couche électroconductrice transparente dont il est à présent question. Une telle couche est rugueuse et dure, et par conséquent elle est susceptible de dégrader plus ou moins toute surface entrant en contact avec elle, d'accrocher un chiffon... D'autre part, la couche Sn02:F en particulier est cristallisée sous forme rutile, et si on la recouvre directement d'une couche de Ti02, celle-ci cristallisera également sous la forme cristallographique rutile très peu active, tandis qu'on souhaite l'obtenir sous la forme photocatalytique plus active anatase. Enfin, la couche Sn02:F est à haut indice de réfraction. Si on souhaite réduire la réflexion de la surface qu'elle constitue, il convient donc de la recouvrir d'une couche à relativement bas indice de réflexion, telle qu'une couche de silice. Avantageusement, les empilements réalisés peuvent résister aux traitements ultérieurs du verre, tels que bombage, trempe... La vitesse de dépôt par CVD d'une couche de silice est cependant réputée trop lente pour que sa réalisation soit aisément effectuée sur la ligne de production du verre. Les inventeurs ont à présent pu réaliser en ligne le dépôt d'une couche de revêtement de la couche électroconductrice transparente, d'une autre nature, et qui est apte à procurer aux empilements et vitrages finaux de zo nombreuses fonctionnalités requises. A cet effet, l'invention a pour objet un substrat transparent verrier revêtu d'au moins une couche électroconductrice transparente composée d'un ou plusieurs oxydes dopés, caractérisé en ce que celle-ci est directement revêtue d'une couche d'oxyde mixte de silicium et d'aluminium d'épaisseur comprise 25 entre 5 et 200 nm. Dans la présente demande, on entend par « substrat » la feuille de verre à l'exclusion de toute couche déposée sur elle. Pour une installation de CVD donnée, et pour une proportion [AI] / [AI] + [Si] aussi faible que 0,28 %, on obtient facilement des vitesses de dépôt 8 à 10 30 fois supérieures à celle de la silice pure. Pour des valeurs de 30, voire 10 % au plus de cette proportion, on obtient même des vitesses de dépôt supérieures à celle de l'alumine pure. Pour des valeurs de 0,28 à 8 % au moins de cette proportion, on constate de manière surprenante que l'indice de réfraction de la couche est quasi constant autour de la valeur de 1,51 indépendamment de la proportion d'aluminium, l'indice de Si02 étant de 1,46 et celui d'A1203 de 1,60. Ce substrat peut être obtenu pour de grandes surfaces de verre (PLF - pleine largeur float), car des procédés de dépôt compatibles avec de telles dimensions sont disponibles pour les couches concernées. La couche d'oxyde mixte adoucit les aspérités saillantes de la surface de la couche électroconductrice, et en diminue la tendance à dégrader et/ou accrocher toute autre surface entrant en contact avec elle. La nature amorphe de la couche d'oxyde mixte de silicium et d'aluminium 10 permet de la recouvrir notamment directement d'une couche de TiO2 photocatalytique anatase. Selon des caractéristiques préférées du substrat de l'invention : - la face de la couche électroconductrice transparente orientée vers le substrat transparent verrier est en contact avec une couche à bas indice de 15 réfraction, notamment constituée de silice et/ou oxycarbure de silicium et/ou oxynitrure de silicium et/ou oxyde mixte de silicium et d'étain et/ou de silicium et d'aluminium, d'épaisseur comprise entre 5 et 70 nm, de préférence au plus égale à 60 nm ; dans cette variante, le substrat verrier est avantageusement directement recouvert par la couche à bas indice de réfraction ; la disposition de 20 celle-ci directement sous la couche électroconductrice transparente est de nature à améliorer considérablement l'adhésion de cette dernière au substrat, notamment dans les conditions d'un test consistant en la mise sous champ électrique de l'ensemble (différence de potentiel de 200 V à titre indicatif) et de températures relativement élevées, supérieures à 100, voire 150 °C, ou 25 notamment quand le verre est formé (bombé et/ou trempé) ; cette couche à bas indice de réfraction la plus proche du substrat verrier a une fonction barrière vis-à-vis de la migration des alcalins (Na) du verre dans le temps ; - la couche d'oxyde mixte de silicium et d'aluminium présente une proportion molaire [AI] / [AI] + [Si] d'au plus 60 et, par ordre croissant de 30 préférence, 50, 40 et 30 %; comme déjà esquissé précédemment, il doit être noté que l'ajout d'un précurseur d'alumine au précurseur de silice multiplie la vitesse et l'épaisseur de dépôt par 8 à 10, pour une proportion molaire du précurseur d'alumine aussi faible que 0,28 % (on passe par exemple de 3 à 26 nm), et qu'une valeur de 10 % de cette proportion molaire permet déjà d'obtenir en ligne, sur float ou après l'exit, toutes les couches d'épaisseurs désirées par CVD (par exemple jusqu'à 80 nm); il doit être noté aussi que l'ajout du précurseur de silice au précurseur d'alumine permet d'obtenir des vitesses de dépôt et des épaisseurs déposées supérieures à celles d'alumine obtenues avec le précurseur d'alumine seul (limitées par exemple à 45 nm) ; cette caractéristique concerne aussi bien la couche d'oxyde mixte située du côté de la couche électroconductrice opposé au substrat verrier que celle située de son côté orienté vers le substrat verrier, dans le cas où celle-ci est constituée de Si0A1; - la couche électroconductrice transparente est constituée d'un ou plusieurs oxydes choisis parmi Sn02, TiO2 et ZnO dopé(s) par un, deux ou trois éléments choisis parmi F, P, B, Nb, Sb, Al et Ga, et a une épaisseur comprise entre 100 et 400 nm ; - dans une première réalisation principale, la couche d'oxyde mixte de silicium et d'aluminium recouvrant directement la couche électroconductrice transparente constitue l'une des deux surfaces du substrat, et a une épaisseur comprise entre 50 et 120, de préférence 70 et 110, et de manière particulièrement préférée 80 et 100 nm ; cette surface est notamment avantageusement en contact avec l'atmosphère intérieure d'un bâtiment ou d'un habitacle de véhicule de transport afin d'en réfléchir et conserver la chaleur ambiante, le substrat constituant un vitrage bas-émissif ; la couche d'oxyde mixte de silicium et d'aluminium constituant la surface aplanit plus ou moins les aspérités saillantes de la couche électroconductrice sous-jacente, ce qui permet de diminuer la tendance de la surface à raccrocher un chiffon ou similaire ; la couche d'oxyde mixte étant à bas indice de réfraction, sa présence diminue la réflexion lumineuse du côté des couches ; - dans une deuxième réalisation principale, la couche d'oxyde mixte de silicium et d'aluminium recouvrant directement la couche électroconductrice transparente a une épaisseur comprise entre 30 et 90, et par ordre croissant de préférence, 40 et 80, 45 et 70, et 50 et 60 nm, et est elle-même directement recouverte d'une couche anti-condensation formant l'une des deux surfaces du substrat, et qui avantageusement est une couche de TiO2 photocatalytique d'épaisseur comprise entre 2 et 30, de préférence 5 et 20 nm ; cette surface du substrat est alors notamment en contact avec l'atmosphère extérieure, de manière à tirer au mieux avantage des effets anti-buée, éventuellement antigivre et auto-nettoyant de la couche anti-condensation ; l'interposition de la couche d'oxyde mixte amorphe entre la couche électroconductrice et la couche de TiO2 rend simplement possible la formation de cette dernière dans la forme cristallographique anatase photocatalytique, comme expliqué ci-dessus ; dans la première comme dans la deuxième réalisation principale, les épaisseurs de couche d'oxyde mixte de 50 à 120, respectivement 30 à 90 nm, sont compatibles avec les propriétés optiques et mécaniques recherchées du produit final : réflexion lumineuse limitée, irisation réduite, coloration en réflexion neutre et uniforme, transmission lumineuse (transmission dans le visible pondérée par la courbe de sensibilité de l'oeil humain - norme ISO 9050) au moins égale à 87%, propriétés de glissement acceptables, faible tendance à raccrocher un tissu ou équivalent; - la couche électroconductrice transparente comprend un ou plusieurs oxydes dopés choisis parmi Sn02:F, Sn02:Sb, Ti02:Nb, ZnO:Al et ZnO:Ga ; - la couche électroconductrice transparente a une émissivité comprise entre 5 et 50 % Un autre objet de l'invention consiste en un procédé de fabrication d'un substrat tel que décrit précédemment, caractérisé en ce que toutes les couches sont obtenues par dépôt par voie chimique en phase vapeur résultant de la mise en contact de précurseurs avec le substrat à une température au moins égale à 500 °C. De préférence, ce procédé est mis en oeuvre à pression atmosphérique.This process can be implemented on the flat glass production line, inside the float (tin bath), and between the exit of the latter and the cutting of the glass. The precursors of the successive layers are brought into contact with the glass at a temperature which decreases from 650 to 450 ° C. Several CVD nozzles can be arranged inside the float, and several also between the exit and the cutout, each nozzle serving to deposit a thin layer. Examples of transparent electroconductive layers are layers based on 5nO 2 and / or TiO 2 and / or ZnO doped with one, two or three elements chosen from F, P, B, Nb, Sb, Al, Ga, especially 5nO 2: F, 5nO2: Sb, TiO2: Nb, ZnO: Al, ZnO: Ga. Such layers constitute electrodes in certain applications: flat lamps, electroluminescent glazing, electrochromic glazing, liquid crystal display screen, photovoltaic glazing, heated glasses. In other applications for low-emissivity glazing, or anti-condensation for example, these transparent conductive layers do not have to be activated by powering up. A 5nO 2: F layer is well representative of a transparent electroconductive layer which is now in question. Such a layer is rough and hard, and therefore it is likely to degrade more or less any surface coming into contact with it, to hang a cloth ... On the other hand, the layer Sn02: F in particular is crystallized under rutile form, and if it is covered directly with a TiO 2 layer, it will also crystallize in the rustile crystallographic form very little active, while it is desired to obtain it in the photocatalytic form more active anatase. Finally, the SnO 2: F layer has a high refractive index. If it is desired to reduce the reflection of the surface that it constitutes, it is therefore necessary to cover it with a relatively low-reflection layer, such as a silica layer. Advantageously, the stacks made can withstand subsequent treatments of the glass, such as bending, quenching ... The CVD deposition rate of a silica layer is however deemed too slow for its production to be easily performed on the production line. glass. The inventors have now been able to produce, on-line, the deposition of a coating layer of the transparent electroconductive layer, of another nature, which is able to provide the stacks and final glazings with many of the required functionalities. For this purpose, the subject of the invention is a glass transparent substrate coated with at least one transparent electroconductive layer composed of one or more doped oxides, characterized in that it is directly coated with a mixed oxide layer. silicon and aluminum with a thickness of between 5 and 200 nm. In the present application, the term "substrate" means the glass sheet excluding any layer deposited on it. For a given CVD plant, and for an [Al] / [Al] + [Si] proportion as low as 0.28%, deposition rates 8 to 10 times higher than that of pure silica are easily obtained. For values of 30 or even 10% at most of this proportion, even higher deposition rates are obtained than pure alumina. For values of at least 0.28 to 8% of this proportion, it is surprisingly found that the refractive index of the layer is almost constant around the value of 1.51, irrespective of the proportion of aluminum. the SiO 2 index being 1.46 and that of A1203 being 1.60. This substrate can be obtained for large glass surfaces (PLF - full width float), because deposition methods compatible with such dimensions are available for the layers concerned. The mixed oxide layer softens the protruding asperities of the surface of the electroconductive layer, and decreases its tendency to degrade and / or catch any other surface coming into contact with it. The amorphous nature of the mixed silicon-aluminum oxide layer 10 makes it possible to cover it directly, in particular, with a layer of TiO 2 photocatalytic anatase. According to preferred features of the substrate of the invention: the face of the transparent electroconductive layer oriented towards the transparent glass substrate is in contact with a low refractive index layer, in particular consisting of silica and / or silicon oxycarbide, and or silicon oxynitride and / or mixed oxide of silicon and tin and / or silicon and aluminum, with a thickness of between 5 and 70 nm, preferably at most equal to 60 nm; in this variant, the glass substrate is advantageously directly covered by the low refractive index layer; the arrangement of the latter directly under the transparent electroconductive layer is such as to considerably improve the adhesion of the latter to the substrate, especially under the conditions of a test consisting of putting the whole of the assembly under an electric field (difference in potential of 200 V as an indication) and relatively high temperatures, greater than 100, or even 150 ° C, or especially when the glass is formed (curved and / or tempered); this layer of low refractive index closest to the glass substrate has a barrier function vis-à-vis the migration of alkali (Na) glass over time; the mixed silicon-aluminum oxide layer has a molar proportion [Al] / [Al] + [Si] of at most 60 and, in increasing order of preference, 50, 40 and 30%; as already outlined above, it should be noted that the addition of an alumina precursor to the silica precursor multiplies the speed and the deposition thickness by 8 to 10, for a molar proportion of the alumina precursor as low as 0.28% (for example, from 3 to 26 nm), and that a value of 10% of this molar proportion already makes it possible to obtain, on float or after the exit, all layers of thicknesses desired by CVD (e.g. up to 80 nm); it should also be noted that the addition of the silica precursor to the precursor of alumina makes it possible to obtain deposition rates and deposited thicknesses greater than those of alumina obtained with the precursor of alumina alone (limited, for example, to 45 nm); this feature concerns both the mixed oxide layer located on the side of the electroconductive layer opposite to the glass substrate than that located on its side facing the glass substrate, in the case where it is made of Si0A1; the transparent electroconductive layer consists of one or more oxides chosen from SnO 2, TiO 2 and ZnO doped with one, two or three elements chosen from F, P, B, Nb, Sb, Al and Ga, and has a thickness between 100 and 400 nm; in a first main embodiment, the mixed silicon-aluminum oxide layer directly covering the transparent electroconductive layer constitutes one of the two surfaces of the substrate, and has a thickness of between 50 and 120, preferably 70 and 110, , and particularly preferably 80 and 100 nm; this surface is in particular advantageously in contact with the interior atmosphere of a building or cabin of a transport vehicle in order to reflect and conserve the ambient heat, the substrate constituting a low-emissive glazing unit; the layer of mixed silicon and aluminum oxide constituting the surface flattens more or less the protruding asperities of the underlying electroconductive layer, which makes it possible to reduce the tendency of the surface to hang up a cloth or the like; the mixed oxide layer being of low refractive index, its presence reduces the light reflection on the side of the layers; in a second main embodiment, the mixed silicon-aluminum oxide layer directly covering the transparent electroconductive layer has a thickness of between 30 and 90, and in increasing order of preference, 40 and 80, 45 and 70, and 50 and 60 nm, and is itself directly covered with an anti-condensation layer forming one of the two surfaces of the substrate, and which is advantageously a layer of photocatalytic TiO 2 of thickness between 2 and 30, preferably 5 and 20 nm; this surface of the substrate is then in particular in contact with the outside atmosphere, so as to take advantage of the anti-fog, possibly anti-icing and self-cleaning effects of the anti-condensation layer; the interposition of the amorphous mixed oxide layer between the electroconductive layer and the TiO 2 layer simply makes it possible to form the latter in the photocatalytic anatase crystallographic form, as explained above; in the first as in the second main embodiment, the mixed oxide layer thicknesses of 50 to 120, respectively 30 to 90 nm, are compatible with the desired optical and mechanical properties of the final product: limited light reflection, reduced iridescence, coloration in neutral and uniform reflection, light transmittance (transmission in the visible weighted by the sensitivity curve of the human eye - ISO 9050 standard) of at least 87%, acceptable sliding properties, low tendency to hang a fabric or equivalent; the transparent electroconductive layer comprises one or more doped oxides chosen from SnO 2: F, SnO 2: Sb, TiO 2: Nb, ZnO: Al and ZnO: Ga; the transparent electroconductive layer has an emissivity of between 5 and 50%. Another subject of the invention consists of a method of manufacturing a substrate as described above, characterized in that all the layers are obtained by chemical deposition. in the vapor phase resulting from the contacting of precursors with the substrate at a temperature of at least 500 ° C. Preferably, this process is carried out at atmospheric pressure.
Les premières, de préférence la première couche du substrat sont (est) déposée(s) dans le float sous azote et hydrogène ; alternativement, toutes les couches sont déposées après l'exit et avant la découpe. De préférence, les précurseurs de la couche d'oxyde mixte de silicium et 30 d'aluminium sont choisis parmi un alkoxysilane, de préférence le tétraéthoxysilane (TEOS) d'une part, une alkoxyalumine, de préférence l'isopropoxyde de diméthylaluminium (DMAI) d'autre part. L'invention a d'autre part pour objets : - un vitrage de bâtiment ou de véhicule de transport comprenant un substrat selon l'invention, dont la face revêtue des couches est en contact avec l'atmosphère extérieure ; - un vitrage de bâtiment ou de véhicule de transport comprenant un substrat tel que décrit précédemment, dont la face revêtue des couches est en contact avec l'atmosphère intérieure du bâtiment ou de l'habitacle du véhicule ; - une cellule photovoltaïque comprenant un substrat décrit ci-dessus ; - un verre trempé et/ou bombé à rayon de courbure au plus égal à 2000 mm, de préférence au plus égal à 500 mm et de manière particulièrement préférée au plus égal à 300 mm, comprenant un substrat selon l'invention ; la tenue mécanique des couches déposées sur ce verre est excellente, la délamination dans le temps est faible ; 15 - un verre chauffant mis en forme, comprenant un substrat tel que décrit précédemment ; - une électrode de lampe plane comprenant un tel substrat. L'invention est illustrée par les exemples suivants. zo Préparation d'échantillons de verre revêtu d'une couche d'oxyde mixte de silicium et d'aluminium Si0A1 Sur des échantillons de verre float sodocalcique de 3 mm X 13cm X 25 cm, en translation à vitesse constante de 1 m / min selon l'axe de leur longueur, 25 on dépose par CVD une couche de Si0A1 au moyen d'une buse de 10 cm de long positionnée selon la largeur de l'échantillon. Les précurseurs de silice et d'alumine sont le tétraéthoxysilane (TEOS) et l'isopropoxyde de diméthylaluminium (DMAI). Les précurseurs sont stockés dans des bulleurs et injectés dans la buse par de l'azote comme gaz porteur. 30 De l'oxygène est également injecté dans la buse à un débit déterminé pour maintenir le rapport molaire 02/ TEOS à 10 - 11. Une ligne d'azote séparée est ajoutée pour diluer les précurseurs en-dessous de leur limite d'explosivité (environ 1,3 % en volume pour TEOS).The first, preferably the first layer of the substrate are (are) deposited in the float under nitrogen and hydrogen; alternatively, all the layers are deposited after the exit and before cutting. Preferably, the precursors of the mixed oxide layer of silicon and aluminum are chosen from an alkoxysilane, preferably tetraethoxysilane (TEOS), on the one hand, an alkoxyalumin, preferably dimethylaluminium isopropoxide (DMAI). on the other hand. The subject of the invention is furthermore: - a building or transport vehicle glazing unit comprising a substrate according to the invention, the coated surface of the layers of which is in contact with the external atmosphere; - A building glazing or transport vehicle comprising a substrate as described above, the coated side of the layers is in contact with the interior atmosphere of the building or the passenger compartment of the vehicle; a photovoltaic cell comprising a substrate described above; a tempered and / or curved glass having a radius of curvature at most equal to 2000 mm, preferably at most equal to 500 mm and particularly preferably at most equal to 300 mm, comprising a substrate according to the invention; the mechanical strength of the layers deposited on this glass is excellent, the delamination in time is weak; A shaped heating glass comprising a substrate as described above; a flat lamp electrode comprising such a substrate. The invention is illustrated by the following examples. zo Preparation of glass samples coated with a SiOA1 mixed silicon and aluminum oxide layer on soda-lime float glass samples of 3 mm × 13 cm × 25 cm, in translation at a constant speed of 1 m / min according to Along the axis of their length, a layer of SiO 2 was deposited by CVD by means of a 10 cm long nozzle positioned along the width of the sample. The precursors of silica and alumina are tetraethoxysilane (TEOS) and dimethylaluminum isopropoxide (DMAI). The precursors are stored in bubblers and injected into the nozzle with nitrogen as a carrier gas. Oxygen is also injected into the nozzle at a rate determined to maintain the 02 / TEOS molar ratio at 10-11. A separate nitrogen line is added to dilute the precursors below their explosive limit ( about 1.3% by volume for TEOS).
Pour deux essais distincts, les conditions opératoires et l'épaisseur de la couche de SiOAlobtenue sont consignées dans le tableau ci-dessous. TEOS TEOS DMAI DMAI 02 Débit N2 Dilution Débit N2 T°C Débit N2 T°C (I/min) Débit (1/m in) (1/m in) (1/m in) Essai1 3,5 100 1,7 45 4 18 Essai2 3 95 0,5 80 3 11 Débit total T°C 02/ TEOS /DMAI DMAI/ Epaisseur (1/min) verre TEOS (TE0S+DMAI) nm Essai1 27,2 541 10,4 53,1 1,9% 52 Essai2 17,85 540 11,08 17,14 5,5% 58,6 Dans les conditions opératoires analogues en l'absence du précurseur d'alumine, l'épaisseur de la couche de silice obtenue n'est chaque fois que de 2 à 3 nm. Sur tous les échantillons obtenus, on dépose par CVD également une 10 couche de 5n02:F de 180 nm d'épaisseur d'une manière connue qui ne sera pas plus détaillée. Exemple 1 : empilement bas-émissif 15 Sur deux échantillons revêtus d'une épaisseur de 52, respectivement 58,6 nm de Si0A1, puis d'une couche de 180 nm de 5n02:F, on dépose une couche de Si0A1 de 83 nm de la même manière que la première couche de Si0A1, en mettant en oeuvre les conditions opératoires suivantes : TEOS débit N2: 3 l/min zo Température TEOS: 95 °C DMAI débit N2: 0,7 l/min Température DMAI : 80 °C Débit 02: 3I/min Débit N2 dilution : 11 1/min 25 Température du verre : 542 °C 02/TEOS : 11,1 TEOS/DMAI : 12,2 DMAI /(TE0S+DMAI) : 7,6%. La couche de SiOAlconstituant la surface du substrat est une couche qui adoucit plus ou moins les aspérités saillantes de la couche électroconductrice et diminue considérablement la tendance qu'a un chiffon ou analogue à raccrocher la surface. Les propriétés de glissement sur celle-ci sont considérablement accrues. Pour chacune des deux épaisseurs de la première couche de Si0A1, l'empilement est apte à constituer un empilement bas-émissif, notamment sur la face d'un vitrage en contact avec l'atmosphère intérieure d'un bâtiment ou d'un habitacle de véhicule de transport, notamment d'un double vitrage (face 4). On peut obtenir, grâce à l'invention, des couches de Si0A1 d'épaisseurs suffisantes, par CVD en ligne sur float et/ou entre l'exit du float et la découpe, réaliser ainsi par CVD en ligne des empilements de trois couches au moins, à même cinq couches au moins. Sans problème, on peut régler les paramètres de ces couches de manière à obtenir une irisation réduite, une réflexion du côté des couches de 9 % au plus, de préférence de 5 à 6 %, une coloration en réflexion neutre et uniforme, caractérisée notamment par les relations -4 b* a* 0, et une transmission lumineuse (transmission dans le visible pondérée par la courbe de sensibilité de l'oeil humain - norme ISO 9050) au moins égale à 87%. Exemple 2: empilement anti-condensation Sur deux échantillons revêtus d'une épaisseur de 52 nm de Si0A1 d'une part, deux échantillons revêtus d'une épaisseur de 58,6 nm de Si0A1 d'autre part, puis de la couche de 180 nm de 5n02:F mentionnée précédemment, on dépose une couche de Si0A1 de 52 et une de 58,6 nm d'épaisseur, en mettant en oeuvre les conditions opératoires décrites ci-dessus.For two separate tests, the operating conditions and the thickness of the SiOAl layer are recorded in the table below. TEOS TEOS DMAI DMAI 02 Flow N2 Dilution Flow N2 T ° C Flow N2 T ° C (I / min) Flow (1 / m in) (1 / m in) (1 / m in) Test1 3,5 100 1,7 45 4 18 Test 2 3 95 0.5 80 3 11 Total flow T ° C 02 / TEOS / DMAI DMAI / Thickness (1 / min) TEOS glass (TE0S + DMAI) nm Test 1 27.2 541 10.4 53.1 1 , 9% 52 Test2 17.85 540 11.08 17.14 5.5% 58.6 Under the similar operating conditions in the absence of the alumina precursor, the thickness of the silica layer obtained is not times from 2 to 3 nm. On all the samples obtained, a layer of 5nO 2: F of 180 nm thickness is also deposited by CVD in a known manner which will not be more detailed. EXAMPLE 1 Low-Emissive Stack On two coated samples having a thickness of 52, respectively 58.6 nm of SiOA1, then of a 180 nm layer of 5nO2: F, an Si0A1 layer of 83 nm of the same way as the first layer of SiOA1, using the following operating conditions: TEOS flow rate N2: 3 l / min zo TEOS temperature: 95 ° C DMAI flow rate N2: 0.7 l / min DMAI temperature: 80 ° C Flow 02: 3I / min Flow N2 dilution: 11 1 / min 25 Temperature of the glass: 542 ° C 02 / TEOS: 11.1 TEOS / DMAI: 12.2 DMAI / (TE0S + DMAI): 7.6%. The SiOAl layer constituting the surface of the substrate is a layer which more or less softens the protruding asperities of the electroconductive layer and considerably reduces the tendency of a cloth or the like to hang up the surface. The sliding properties on it are considerably increased. For each of the two thicknesses of the first layer of SiOA1, the stack is able to constitute a low-emissive stack, particularly on the face of a glazing unit in contact with the interior atmosphere of a building or passenger compartment. transport vehicle, including double glazing (face 4). It is possible to obtain, by means of the invention, layers of Si0A1 of sufficient thickness, by in-line CVD on a float and / or between the exit of the float and the cut-out, thus making by CVD in-line stacks of three layers at the same time. least, at least five layers at least. Without any problem, the parameters of these layers can be adjusted so as to obtain a reduced iridescence, a reflection on the side of the layers of at most 9%, preferably from 5% to 6%, a neutral and uniform reflection coloration, characterized in particular by the relations b * a * 0, and a light transmission (transmission in the visible weighted by the sensitivity curve of the human eye - ISO 9050 standard) at least equal to 87%. EXAMPLE 2 Anti-condensation Stack On two samples coated with a thickness of 52 nm of SiO 2, on the one hand, two samples coated with a thickness of 58.6 nm of SiO 2, on the other hand, then with the layer of 180 nm of 5nO 2: F mentioned above, a SiO 2 layer of 52 and a thickness of 58.6 nm are deposited, using the operating conditions described above.
Puis sur les quatre échantillons on dépose par CVD une couche de TiO2 photocatalytique, cristallisé majoritairement sous forme anatase, de 10 nm d'épaisseur. La formation de cette couche est connue et ne sera pas plus décrite.Then, on the four samples, a layer of photocatalytic TiO 2, crystallized predominantly in anatase form, 10 nm thick was deposited by CVD. The formation of this layer is known and will not be described further.
L'empilement ainsi obtenu est adapté à une application anticondensation / autonettoyante en face d'un vitrage exposée à l'atmosphère extérieure (face 1). Les qualités optiques requises énumérées à l'exemple 1 peuvent également être facilement atteintes.5The stack thus obtained is suitable for an anti-condensation / self-cleaning application in front of a glazing exposed to the outside atmosphere (face 1). The optical qualities required listed in Example 1 can also easily be achieved.