FR2996052A1 - Procede de collage par adhesion moleculaire - Google Patents

Abstract

L'invention concerne un procédé de collage par adhésion moléculaire comprenant le positionnement d'une première plaque (10) sur la surface d'un support (2), ladite surface comprenant des rainures (4), l'application dans les rainures (4) d'une première pression inférieure à une seconde pression vue par la face exposée de la première plaque (10), et la mise en contact d'une deuxième plaque (16) avec la face exposée de la première plaque (10) suivie de l'initiation de la propagation d'une onde de collage entre les deux plaques, tout en maintenant les première et deuxième pressions.

Description

Arrière-plan de l'invention La présente invention concerne la fabrication de structures multicouches formées en assemblant sur une première plaque (substrat ou plaque « support ») au moins une deuxième plaque (ou substrat) par collage par adhésion moléculaire. De telles hétérostructures sont utilisées notamment en microélectronique ou en optoélectronique. L'invention se rapporte plus particulièrement au collage par adhésion moléculaire de plaques semi-conductrices dans le cadre de la fabrication de structures multicouches, par exemple du type silicium sur saphir AL203 (SOS pour « Silicon-On-Sapphire ») ou GaN sur saphir (GaNOS).

De telles structures multicouches (également dénommées "multilayer semiconductor wafers") sont typiquement réalisées suivant la technologie d'intégration tridimensionnelle (3D-integration) qui met en oeuvre le transfert sur une première plaque, dite substrat final, d'au moins une couche formée à partir d'une deuxième plaque, cette couche correspondant à la portion de la deuxième plaque dans laquelle on a formé des éléments, par exemple, une pluralité de microcomposants, la première plaque pouvant être vierge ou comporter d'autres éléments correspondants. De façon connue, le collage par adhésion moléculaire sur une première plaque (plaque support) d'une deuxième plaque peut engendrer des déformations de différents types dans la structure multicouche obtenue. Un tel collage peut par exemple générer des déformations inhomogènes dans les première et deuxième plaques rendant alors difficile l'alignement de composants ou autres motifs formés dans la deuxième plaque vis-à-vis de la plaque support sous-jacente. La formation de ces désalignements (ou « overlay » en anglais) résultant des déformations inhomogènes est par exemple décrite dans la demande FR 2 965 398. Le collage par adhésion moléculaire peut par ailleurs générer une (ou des) déformation(s) en courbure (ou « bow » en anglais) sur les des plaques assemblés formant la structure multicouche. Ces déformations en courbure peuvent notamment apparaître lors d'un traitement thermique en raison des différences en termes de propriétés thermiques (différences de coefficient de dilatation thermique (CTE) etc.) des différentes plaques assemblées dans la structure multicouche. On peut citer par exemple la demande FR 2 954 585 qui décrit notamment le comportement d'une hétérostructure lors d'un recuit de renforcement de collage réalisé à une température d'environ 160°C, l'hétérostructure étant formée par collage d'une première plaque correspondant à une structure SOI (Silicium sur Isolant) sur un substrat en saphir. La différence de CTE entre le silicium, principal composant de la structure SOI, et le saphir conduit, lors d'un traitement thermique, à une déformation en courbure de l'assemblage telle que des contraintes de décollement importantes sont appliquées au niveau des bords de l'hétérostructure. En raison de ces contraintes, le transfert en bord de plaque est insuffisant, ce qui peut conduire à l'apparition d'une couronne (zone non transférée de la première plaque sur le substrat support) trop large et irrégulière pouvant notamment entraîner un écaillage en bord de plaques. Le demande FR 1 153 349 décrit par ailleurs le cas d'un transfert d'une couche d'un premier substrat (dit « substrat donneur ») vers un deuxième substrat (dit « substrat accepteur »), ce deuxième substrat ayant au préalable subi des traitements technologiques diverses (formation de cavités etc.). Ce transfert de couche requiert le collage par adhésion moléculaire des premier et deuxième substrats, le recuit de la structure multicouche ainsi obtenue puis l'amincissement mécano-chimique de cette structure. La déformation en courbure générée dans la structure multicouche finale est imposée principalement par la déformation initiale du deuxième substrat (i.e. le substrat accepteur), cette déformation initiale résultant des étapes de traitement technologique (gravure, dépôt etc.) auxquelles a été soumis ce deuxième substrat avant collage. Or, ce phénomène des déformations en courbure imposées aux structures multicouches présente des inconvénients majeurs. Les contraintes mécaniques (ou stress) générés peuvent en particulier conduire au décollage (partiel ou total) ou à la rupture de la structure multicouche lors d'un traitement technologique (traitement thermique...) ultérieur au collage par adhésion moléculaire des première et deuxième plaques. Les traitements technologiques post-collages (traitement en température, amincissement etc.) réalisés sur la structure multicouche doivent ainsi être paramétrés avec précaution de façon à éviter un excès d'efforts mécaniques, ce qui augmente sensiblement la complexité, la difficulté de contrôle et donc le coût de ces traitements.

Lorsque la plaque support comporte par exemple des cavités, les industriels requièrent en général que la structure multicouche après collage (la première plaque collée sur la plaque support étant vierge de tout composant) respecte certains critères de déformation en courbure après amincissement, de façon à pouvoir réaliser des traitements technologiques ultérieurs dans de bonnes conditions. Aucune solution satisfaisante ne permet aujourd'hui de contrôler, au moins dans une certaine mesure, le sens et l'amplitude de la déformation en courbure imposée aux plaques d'une structure multicouche assemblée par collage par adhésion moléculaire. Objet et résumé de l'invention A cet effet, la présente invention concerne un procédé de collage par adhésion moléculaire comprenant : - le positionnement d'une première plaque sur la surface d'un support, la surface comprenant des rainures ; - l'application dans les rainures d'une première pression inférieure à une seconde pression vue par la face exposée de la première plaque ; et - la mise en contact d'une deuxième plaque avec la face exposée de la première plaque suivie de l'initiation de la propagation d'une onde de collage entre les deux plaques, tout en maintenant les première et deuxième pressions. La différence de pression AP ainsi appliquée induit des contraintes mécaniques locales dans la première plaque qui se déforme localement en particulier au niveau de sa surface de collage avec la deuxième plaque. Lors de la propagation de l'onde de collage, la deuxième plaque se conforme à la courbure imposée par la première plaque et est soumise à son tour aux contraintes mécaniques locales induites par la différence de pression P. L'application de ces contraintes locales à l'interface de collage permet avantageusement de contrôler dans une certaine mesure la déformation en courbure (appelée « bow » dans la suite de ce document) que présente la structure multicouches après collage. Comme expliqué plus en détail ci-après, le bow de la structure multicouche est systématiquement de type concave vis-à-vis du plan de référence formé par la surface du support.

Le bow final de la structure finale est donc moins dépendant des courbures propres (i.e. avant collage) des première et deuxième plaques. Une plus grande homogénéité de bow peut ainsi être obtenue sur une pluralité de structures multicouches d'un même lot par exemple. La maîtrise du sens de la courbure de la structure multicouche (et dans une certaine mesure de l'amplitude de cette courbure) permet de respecter les exigences sans cesse croissantes des industriels et d'éviter les collages défectueux ou les ruptures, notamment lorsque que des étapes technologiques ultérieures (traitements thermiques...) sont réalisées sur la structure multicouche. Dans une première variante, les rainures sont disposées sous la forme d'un quadrillage orthogonal sur l'ensemble de la surface du support.

Dans une deuxième variante, les rainures sont disposées sous la forme de rainures annulaires concentriques centrées sur le centre du support. Dans un mode de réalisation particulier, les rainures sont réparties uniformément sur l'ensemble de la surface du support. Une telle répartition permet d'appliquer des contraintes mécaniques homogènes à l'interface de collage entre les première et deuxième plaques. Dans un autre mode de réalisation, les rainures sont plus rapprochées les unes des autres dans une zone de la surface du support vis-à-vis des rainures sur le reste de la surface du support. De cette manière, on obtient une courbure de la structure multicouche plus accentuée localement au niveau des zones du support où les rainures sont plus rapprochées. Cette zone où les rainures sont plus rapprochées peut correspondre par exemple à une couronne en périphérie du support afin d'accentuer la courbure de la structure multicouches en bord de plaque. De manière préférée, la différence de pression entre les première et 25 deuxième pressions est supérieure ou égale à 3 mbars. Dans un mode de réalisation particulier, cette différence de pression est comprise entre 3 et 10 mbars. Dans un mode de réalisation particulier, le support réchauffe la première plaque au moins lors des étapes de mise en contact et d'initiation de la 30 propagation de l'onde de collage. Ce réchauffement peut également être réalisé lors de l'étape d'application de la différence de pression. Le procédé de collage selon l'invention peut en outre comprendre : - le recuit de la structure multicouche issue du collage par adhésion moléculaire des première et deuxième plaques ; et 35 - l'amincissement de la première plaque ou de la deuxième plaque.

Brève description des dessins D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description faite ci-dessous, en référence aux dessins annexés qui en illustrent un exemple de réalisation dépourvu de tout caractère limitatif. Sur les figures: - les figures lA à 1F sont des vues en coupe représentant schématiquement chaque étape (S10-S30) d'un procédé de collage selon un mode de réalisation particulier de l'invention ; - la figure 2 représente, sous la forme d'un organigramme, les principales étapes du mode de réalisation illustré en figures 1A-1F; - les figures 3A et 3B représentent en vue de coupe deux exemples de plaques présentant une déformation propre en courbure de type respectivement concave et convexe ; et - la figure 4 est un graphique représentant sous la forme d'une courbe l'évolution de la déformation en courbure d'une structure multicouche en fonction de la différence de pression AP appliquée selon un mode de réalisation particulier de l'invention. Description détaillée de modes de réalisation de l'invention La présente invention concerne la fabrication de structures multicouches par collage par adhésion moléculaire d'une première plaque (ou plaque support) avec une deuxième plaque. L'invention s'applique notamment à la formation de structures multicouches de type SOS ou GaNOS, par exemple. Au moins l'une des plaques formant la structure multicouche peut comprendre au moins un microcomposant ayant été réalisé avant le collage. Par souci de simplification, on appellera "microcomposants" dans la suite de ce texte, les dispositifs ou tout autres motifs résultant des étapes technologiques réalisées sur ou dans les couches et dont le positionnement doit être contrôlé avec précision. Il peut donc s'agir de composants actifs ou passifs, de simples motifs, de prises de contact ou d'interconnexions, ou encore de nnicrocanaux ou cavités. Afin de mieux contrôler la déformation en courbure d'une structure multicouche formée par collage par adhésion moléculaire, la présente invention propose d'appliquer des contraintes mécaniques localement à l'interface de collage.

En étudiant le mécanisme de formation des déformations générées dans des structures multicouches comme décrites ci-dessus, la déposante a en effet observé que l'application de certains efforts mécaniques a l'interface de collage pendant l'opération de collage par adhésion moléculaire permet de contrôler dans une certaine mesure la déformation en courbure de la structure multicouche résultante. Le contrôle de cette déformation en courbure permet avantageusement de corriger la forme générale des plaques formant la structure multicouche et d'anticiper la forme de la structure avant même son assemblage par adhésion moléculaire. Aussi, la déposante a développé un procédé de collage par adhésion moléculaire permettant d'appliquer de telles contraintes mécaniques de façon à contrôler la déformation en courbure de structures multicouches. Comme expliqué plus en détail ci-après, ce procédé fait en particulier appel à un support (ou « chuck » en anglais) comprenant des rainures sur sa surface de contact (i.e. la surface du support destinée à être en contact avec la première plaque de la structure multicouche à réaliser).

Un mode particulier de réalisation de l'invention est à présent décrit en référence aux figures 1A à 1F et 2. La figure 1A représente un support 2 (ou « chuck ») comprenant des rainures 4 réparties ici de façon uniforme sur l'ensemble de la surface de contact 6 du support 2.

Dans cet exemple, les rainures 4 se présentent sous la forme d'un quadrillage orthogonal constitué de deux séries 4A et 4B de rainures parallèles uniformément réparties sur l'ensemble de la surface 6, ces deux séries de rainures étant perpendiculaires l'une par rapport à l'autre. Comme indiqué plus en détail ultérieurement, des variantes en ce qui concerne la répartition des rainures et/ou les dimensions et formes de ces rainures sont toutefois envisageable dans le cadre de l'invention. Dans l'exemple considéré ici, les rainures 4 présentent chacune une largeur de 5 mm et une profondeur d'1 mm. En comprendra toutefois que d'autres dimensions de rainure peuvent être envisagées dans le cadre de l'invention.

Les rainures 4 sont ici équipées de moyens de succion 8 qui seront décrits plus en détail ultérieurement. La figure 1B représente une première plaque 10 (ou plaque support) d'un diamètre de 150 mm que l'on positionne sur la surface 6 du support 2 (S10). D'autres diamètres (200 mm, 300 mm etc.) ou formes de plaque sont naturellement envisageables.

Dans cet exemple, la plaque 10 est de type SOI (Silicium sur Isolant) et comprend une couche de silicium sur un support également en silicium, une couche d'oxyde enterrée (par exemple en Si02) étant disposée entre la couche et le support en silicium. On comprendra toutefois que la première plaque 10 peut être constituée d'une structure multicouche d'un autre type ou d'une structure monocouche. Par ailleurs, la plaque support 10 présente ici une courbure propre Ki, i.e. une courbure initiale avant collage. On rappelle en effet ici qu'avant collage, chaque plaque présente une courbure propre qui peut être concave comme pour la plaque 100 de la figure 3A ou convexe comme pour la plaque 110 de la figure 3B. Cette courbure détermine la déformation de courbure des plaques qui est désignée par le terme anglais "bow" dans la technologie de semi-conducteurs. Un bow peut par exemple être de forme paraboloïdale (notamment de forme sphérique).

Comme illustré sur les figures 3A et 3B, le bow Az d'une plaque ou wafer correspond à la distance (flèche) entre un plan de référence P (typiquement parfaitement plat) sur lequel repose librement la plaque et la plaque elle-même. A l'échelle des diamètres de plaques habituellement utilisées dans le domaine des semi-conducteurs, à savoir entre quelques dizaines de millimètres et 300 millimètres, le bow est mesuré en micromètres (pm) tandis que la courbure est généralement mesurée en m-1 ou km-1 car la courbure des plaques utilisées dans le domaine des semi-conducteurs est très faible et, par conséquent, le rayon de courbure correspondant très important. Dans l'exemple de la figure 1B, la plaque support 10 présente un bow K1 de forme concave par rapport à la surface 6 du support 2 (K1 < 0). Une fois la première plaque 10 positionnée sur le support 2, on génère (S15) dans les rainures 4 une première pression P1 à l'aide des moyens de succion 8 (figure 1C). Cette pression P1 est ainsi appliquée localement sur la surface 10a de la plaque support 10 au niveau de chaque rainure 4. L'effet de succion est ici obtenu par aspiration de l'air 12 présent dans les rainures entre la plaque 10 et le support 2, cet air 12 étant évacué à travers des orifices du système de succion 8 aménagés au fond des rainures 4 du support 2. Alternativement, on pourra utiliser tous autres moyens adaptés permettant d'appliquer localement la pression Pl au niveau des rainures.

Conformément à l'invention, la première pression Pi appliquée doit être telle que P1 est inférieure à P2, où P2 est la pression vue par la face exposée 10b de la première plaque 10. Dans le cas présent, P2 correspond à la pression de la chambre où est réalisé le procédé de collage de l'invention. La différence de pression AP=P2 - P1 imposée localement (S15) à la première plaque 10 au niveau de chaque rainures 4 induit des contraintes (ou efforts) mécaniques locales 14 à la première plaque 10. Sous l'effet de ces contraintes, la première plaque 10 se déforme alors localement en particulier au niveau de sa surface exposée 10b, comme schématisée en figure 1C. Un grossissement (effet loupe) en figure 1C représente l'une des zones de la première plaque 10 au niveau d'une rainure 4 ainsi que les contraintes mécaniques 14 localement induites. On comprend ici que les contraintes mécaniques 14 se traduisent physiquement par une force pressant localement la plaque 10 contre le support 2 ce qui conduit à de légères déformations de la plaque 10 principalement dans la zone des rainures (légères flexions de la plaque 10 vers le fond des rainures). Ces légères déformations génèrent une déformation en courbure sur l'ensemble de la plaque 10, en particulier au niveau de sa surface exposée 10b, cette déformation étant fonction de l'arrangement physique des rainures (largeur, orientation, répartition des rainures sur la surface 6, quantité de rainures etc.). Dans cet exemple, la différence AP appliquée localement sur la plaque 10 est de préférence supérieure ou égale à APmin=3 mbars, et de façon encore plus préférée comprise entre 3 et 10 mbars inclus. En appliquant une différence de pression AP supérieure ou égale à APmin, on s'assure que la plaque 10 est bien fixée contre le support 2 (effet de « clamping »). On notera que plusieurs modes opératoires peuvent être envisagés pour atteindre le AP souhaité. Selon un mode particulier, on applique tout d'abord une pression P1 par succion de l'air sous la plaque 10 puis on diminue la pression P2 dans la chambre jusqu'à obtenir le AP souhaité. Une fois que la différence de pression AP souhaitée est appliquée localement à la première plaque 10 (515), on maintient les pressions P1 et P2 constantes et on procède (520) au collage par adhésion moléculaire d'une deuxième plaque 16 sur la première plaque 10 déformée (figure 1D). La même différence de pression AP que celle imposée à l'étape précédente S15 est donc maintenue lors de l'étape de collage S20 dans les régions de la plaque 10 en correspondance avec les rainures 4.

Le collage par adhésion moléculaire est une technique bien connue en soi. Pour rappel, le principe du collage par adhésion moléculaire est basé sur la mise en contact direct de deux surfaces, c'est-à-dire sans l'utilisation d'un matériau spécifique (colle, cire, brasure, etc.). Une telle opération nécessite que les surfaces à coller soient suffisamment lisses, exemptes de particules ou de contamination, et qu'elles soient suffisamment rapprochées pour permettre d'initier un contact, typiquement à une distance inférieure à quelques nanomètres. Dans ce cas, les forces attractives entre les deux surfaces sont assez élevées pour provoquer la propagation d'une onde de collage qui aboutit à l'adhérence moléculaire (collage induit par l'ensemble des forces attractives (forces de Van Der Waals) d'interaction électronique entre atomes ou molécules des deux surfaces à coller). Au cours de cette étape S20, on met donc en contact la deuxième plaque 16 avec la surface 10b de la première plaque 10, puis on initie la propagation d'une onde de collage à l'interface entre les plaques 10 et 16. La mise en contact et l'initiation de la propagation d'onde sont réalisées tout en conservant le même AP que celui instauré localement à l'étape S15. La technique consistant à initier une onde de collage est bien connue en soi et ne sera donc pas développée davantage ici. La deuxième plaque 16 est dans cet exemple en saphir et présente également un diamètre de 150 mm. La deuxième plaque pourrait toutefois être 20 constituée d'une structure monocouche d'un autre type ou d'une structure multicouche. Comme représenté en figure 1D, la deuxième plaque 16 présentait un bow propre K2 avant collage de forme convexe (K2 > 0). Un bow K2 par exemple concave ou approximativement plat aurait toutefois été envisageable. Une fois la propagation de l'onde de collage initiée, la deuxième plaque 25 16 se conforme à la courbure imposée par la première plaque 10 lors de la progression de l'onde de collage (figure 1D). Une fois le collage achevé, on obtient alors une structure multicouche 20 (ou structure empilée) de type SOS comprenant la première plaque 10 et la deuxième plaque 16, cette structure présentant la déformation en courbure KF 30 souhaitée. L'amplitude du bow KF obtenu est directement liée aux déformations locales imposées aux plaques 10 et 16 lors du procédé de collage de l'invention. Conformément à l'invention, quel que soit le type de bow propre (concave, plat ou convexe) des première et deuxième plaques 10 et 16 avant collage, on obtient à 35 l'issue de l'opération S20 de collage une structure multicouche 20 présentant un bow KF de forme concave.

En outre, plus la différence de pression AP est importante, plus le bow KF de la structure multicouche résultante 20 sera prononcé. La figure 4 représente l'évolution du bow en fonction de la valeur du AP imposé lors des étapes S15 et S20 dans le mode de réalisation envisagé ici.

Comme indiqué ci-avant, la différence de pression appliquée lors des étapes S15 et S20 est choisie de façon à ce que AP APmin. La valeur de APmin varie toutefois en fonction notamment des matériaux et de l'épaisseur des plaques et 16 à coller. Dans le cas présent, les plaques 10 et 16 sont en silicium et présentent chacune une épaisseur de 775 pm, et APrnin est fixé à 3 mbars 10 environ. Dans cet exemple particulier, la structure multicouche 20 présente après collage un bow concave compris entre 38 pm et 85 pm pour une différence de pression AP variant respectivement entre 3 mbars et 900 mbars (cf. figure 4). Afin de renforcer la force d'adhésion entre les deux plaques 10 et 16, il est possible de soumettre (S25) ensuite la structure multicouche 20 à un 15 traitement thermique modéré (inférieur à 500 °C par exemple). Dans cet exemple, un recuit de stabilisation de l'interface de collage à une température comprise entre 140 et 150 °C est réalisé. Ce traitement thermique permet d'augmenter l'énergie de collage entre les plaques 10 et 16 et rend possible l'amincissement ultérieur de l'une d'entre elles dans de bonnes conditions. L'énergie de collage 20 peut par exemple atteindre 400 m3/m2 après un tel recuit. Comme représenté en figure 1F, la première plaque 10 est ensuite amincie (S30) selon une méthode conventionnelle afin d'être réduite à la plaque 11. Dans cet exemple, une couche supérieure de la première plaque SOI 10 est retirée par polissage mécano-chimique (CMP), la couche isolante enterrée de la 25 plaque 10 servant avantageusement comme couche d'arrêt de gravure chimique pour délimiter l'épaisseur de la plaque 11 restante. L'épaisseur finale de la plaque 11 peut par exemple être comprise entre 4 et 10 pm. Alternativement, l'amincissement de la plaque 10 peut être réalisé par d'autres méthodes telles que par gravure chimique ou par fracture le long d'un 30 plan de fragilisation formé préalablement dans la plaque 10, par exemple par implantation ionique (e.g. implantation d'impuretés de type H ou He et fracture conformément à la technologie Smart CutC)). Dans l'exemple de la figure 1F, c'est la première plaque qui est amincie. On peut toutefois envisager l'alternative selon laquelle c'est la deuxième plaque 35 qui est amincie à l'étape 530.

On obtient ainsi une structure tridimensionnelle 20 de type SOS formée de la deuxième plaque (servant à présent de substrat support) et d'une couche 11 correspondant à la portion restante de la première plaque 10. Des microcomposants (non représentés) peuvent ensuite être formés dans la couche transféré 11. Ces microcomposants sont formés selon de méthodes conventionnelles, typiquement par photolithographie au moyen d'au moins un masque définissant les zones de formation de motifs correspondant à toute ou partie des microcomposants à réaliser. Un outil d'irradiation sélective de type stepper est en général utilisé pour irradier les zones où les motifs devant être réalisés. En définitive, l'application de contraintes mécaniques locales dans la première plaque, et plus particulièrement à l'interface de collage avec la deuxième plaque, permet avantageusement de contrôler dans une certaine mesure la déformation en courbure (ou bow) que présente la structure multicouches après collage. Comme indiqué ci-avant, le bow de la structure multicouche est systématiquement de type concave (comme la plaque 100 en figure 3A) vis-à-vis du plan de référence formé par la surface de contact 6 du support 2. Le bow final KF n'est donc plus aussi dépendant des courbures propres K1 et K2 des première et deuxième plaques. Une plus grande homogénéité de bow KF entre une pluralité de structures multicouches d'un même lot peut ainsi être atteinte. Cela facilite en particulier la réalisation d'étapes technologiques ultérieures sur les structures multicouches ainsi réalisées. La maîtrise du sens de la courbure de la structure multicouche (et dans une certaine mesure de l'amplitude de cette courbure) permet de respecter les exigences sans cesse croissantes des industriels et d'éviter les collages défectueux ou les éventuelles ruptures, notamment lorsque que des étapes technologiques ultérieures (traitements thermiques...) sont réalisées sur la structure multicouche. Dans une variante, le support 2 (ou chuck) est configure de manière à chauffer la couche support 10 lors de l'étape S20 de mise en contact et d'initiation de l'onde de collage (et éventuellement aussi lors de l'étape S15 d'application du .8P qui précède). Le réchauffement au moyen du chuck 2 permet d'accentuer l'effet de formation du bow concave sur la structure multicouche 20 finale par rapport au même procédé sans chauffage. Le chuck est de préférence chauffé à une température située entre la température ambiante (20°C par exemple) et 200°C.

On comprendra qu'il est possible de jouer sur la configuration spatiale des rainures à la surface du chuck et sur la différence AP appliquée afin de contrôler dans une certaine mesure la valeur KF du bow final. On peut en particulier ajuster au moins l'un de ces paramètres afin de tendre vers le niveau de bow souhaité : - la largeur des rainures ; la quantité (ou densité) des rainures aménagées en surface du support ; - l'orientation des rainures ; la répartition des rainures sur l'ensemble de la surface de contact du support...(en variante, une ou plusieurs rainures peuvent être disposées en spirales ou les rainures peuvent prendre la forme d'une toile d'araignée). Comme indiqué ci-dessus, l'orientation des rainures peut correspondre à un quadrillage (ou damier) orthogonal (ou éventuellement non orthogonal). Alternativement, les rainures peuvent être agencées sous la forme de rainures annulaires concentriques. De plus, les rainures peuvent être avantageusement disposées de manière uniforme sur toute la surface du support afin d'appliquer des contraintes mécaniques les plus homogènes possibles à l'interface de collage. On peut par exemple agencer les rainures sous la forme d'un quadrillage orthogonal (ou non) uniforme ou, alternativement, sous la forme de rainures annulaires concentriques uniformes, de sorte que les rainures présentent le même espacement les unes avec les autres sur toute la surface du support.

On peut toutefois envisager des variantes où les rainures sont disposées de manière non uniforme sur la surface du support. Les rainures peuvent par exemple être configurées de manière à être plus rapprochées les unes des autres dans une zone particulière de la surface du support vis-à-vis des rainures sur le reste de la surface du support. Cette configuration permet d'obtenir une courbure de la structure multicouche plus accentuée localement au niveau des zones du support où les rainures sont plus rapprochées. Cette zone où les rainures sont plus rapprochées peut correspondre par exemple à une couronne en périphérie du support afin d'accentuer la courbure de la structure multicouches en bord de plaque. D'autres zones du support peuvent être envisagées selon les besoins propres à chaque situation.

Par ailleurs, toutes gorges ou autres renfoncements du même ordre peuvent faire office de rainures au sens de l'invention dans la mesure où leurs dimensions permettent à la première plaque de se déformer localement par application de la différence de pression à,P décrite ci-dessus. La dimension choisies pour les rainures peuvent donc aussi être fonction des propriétés mécaniques de la première plaque (et éventuellement aussi de la deuxième plaque). Les rainures de l'invention peuvent par exemple être aménagées dans le support (chuck) en retirant de la matière à la surface de celui-ci par usinage ou autre. Alternativement, les rainures peuvent être formées en ajoutant de la matière à la surface du chuck ou en formant à la surface des reliefs délimitant les contours des différentes rainures.

Claims (9)

1. REVENDICATIONS1. Procédé de collage par adhésion moléculaire comprenant : - le positionnement (S10) d'une première plaque (10) sur la surface (6) d'un support (2), ladite surface comprenant des rainures (4) ; - l'application dans les rainures d'une première pression (P1) inférieure à une seconde pression (P2) vue par la face exposée (10b) de la première plaque (10) ; et - la mise en contact (S20) d'une deuxième plaque (16) avec la face exposée (10b) de la première plaque (10) suivie de l'initiation de la propagation d'une onde de collage entre les deux plaques, tout en maintenant lesdites première et deuxième pressions.
2. 2. Procédé de collage selon la revendication 1, dans lequel les rainures (4) sont disposées sous la forme d'un quadrillage orthogonal sur l'ensemble de la surface (6) du support (2).
3. 3. Procédé de collage selon la revendication 1, dans lequel les rainures (4) sont disposées sous la forme de rainures annulaires concentriques centrées sur le centre du support (2).
4. 4. Procédé de collage selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les rainures (4) sont réparties uniformément sur l'ensemble de la surface (6) du support (2).
5. 5. Procédé de collage selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les rainures sont plus rapprochées les unes des autres dans une zone de la surface du support vis-à-vis des rainures sur le reste de la surface du support.
6. 6. Procédé de collage selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la différence de pression entre lesdites première et deuxième pressions (P1, P2) est supérieure ou égale à 3 mbars. 35
7. 7. Procédé de collage selon la revendication 6, dans lequel ladite différence de pression est comprise entre 3 et 10 mbars. 30
8. 8. Procédé de collage selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel le support (2) réchauffe la première plaque (10) au moins lors des étapes de mise en contact et d'initiation de la propagation de l'onde de collage. 5
9. 9. Procédé de collage selon l'une quelconque des revendications 1 à 8 comprenant en outre : - le recuit (S25) de la structure multicouche (20) issue du collage par adhésion moléculaire des première et deuxième plaques ; et 10 - l'amincissement (S30) de la première plaque (10) ou de la deuxième plaque (16).