FR2962853A1

FR2962853A1 - ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIODE AND SCREEN WITH LOW REFLECTIVITY.

Info

Publication number: FR2962853A1
Application number: FR1055710A
Authority: FR
Inventors: David Vaufrey; Calvez Stephanie Le
Original assignee: Commissariat a lEnergie Atomique CEA; Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Current assignee: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority date: 2010-07-13
Filing date: 2010-07-13
Publication date: 2012-01-20
Also published as: WO2012007879A1

Abstract

Diode organique électroluminescente constituée par un empilement multicouche comportant : - une première électrode transparente ou semi-transparente (E1); - une deuxième électrode (E ), transparente ou partiellement réfléchissante, définissant avec ladite première électrode un espace inter-électrodes ; et - au moins une couche organique électroluminescente (CEL) dans ledit espace inter-électrodes ; caractérisée en ce qu'elle comprend également, à l'extérieur dudit espace inter-électrodes, un empilement d'au moins deux couches (C , C ) réalisées en au moins deux matériaux différents, dont les épaisseurs et les indices de réfraction sont choisis de telle manière que l'empilement multicouche forme un filtre interférentiel coupe-bande pour réduire la réflectivité de ladite diode organique électroluminescente. Ecran comportant une pluralité de telles diodes électroluminescentes, présentant des longueurs d'onde d'émission différentes et agencées de manière à former une matrice de pixels.An electroluminescent organic diode consisting of a multilayer stack comprising: a first transparent or semi-transparent electrode (E1); a second electrode (E), transparent or partially reflecting, defining with said first electrode an inter-electrode gap; and at least one organic electroluminescent layer (CEL) in said inter-electrode space; characterized in that it also comprises, outside said inter-electrode space, a stack of at least two layers (C, C) made of at least two different materials, whose thicknesses and refractive indices are chosen such that the multilayer stack forms a band-pass interference filter to reduce the reflectivity of said organic electroluminescent diode. Screen comprising a plurality of such light-emitting diodes, having different emission wavelengths and arranged to form a matrix of pixels.

Description

DIODE ELECTROLUMINESCENTE ORGANIQUE ET ECRAN A FAIBLE REFLECTIVITE L'invention porte sur une diode électroluminescente organique présentant une faible réflectivité, et sur un écran électroluminescent basé sur de telles diodes. Les diodes électroluminescentes organiques (aussi connues sous l'acronyme anglais « OLED ») sont des composants optoélectroniques en développement rapide, émettant principalement dans le visible et utilisés essentiellement pour la réalisation d'écran plats. Alors qu'une diode électroluminescente « classique » est constituée de matériaux semi-conducteurs inorganiques, une OLED est constituée de couches de matériaux organiques. Il en résulte une technologie de fabrication beaucoup plus simple et moins couteuse à mettre en oeuvre. En particulier, les matériaux organiques constituant des OLED peuvent être facilement déposés sur des grandes surfaces pour réaliser des écrans plats à un faible coût. Une OLED comprend au minimum deux électrodes - une anode et une cathode - dont au moins une est transparente ou semitransparente, définissant un espace inter-électrodes dans lequel se trouve une couche en matériau organique électroluminescent. L'application d'une tension entre les électrodes permet d'injecter des trous depuis l'anode et des électrons depuis la cathode. Ces porteurs forment des paires électron-trou susceptibles de générer un exciton, qui peut à son tour se désexciter radiativement par émission d'un photon. Ce principe est connu. En pratique, les OLED sont sensiblement plus complexes et comportent, en plus de la ou des couches électroluminescentes, une pluralité d'autres couches organiques et éventuellement aussi inorganiques destinées en particulier à faciliter l'injection et le transport d'électrons et trous. Parmi les différents types d'OLED on distingue, en particulier : les diodes à émission par le bas, émettant à travers le substrat, qui est transparent ; - les diodes à émission par le haut, c'est à dire par la surface « supérieure », opposée au substrat ; et - les diodes transparentes, émettant des deux faces. The invention relates to an organic light-emitting diode having a low reflectivity, and to a light-emitting screen based on such diodes. Organic light-emitting diodes (also known by the acronym "OLED") are rapidly developing optoelectronic components, emitting mainly in the visible and used essentially for the production of flat screens. While a "conventional" light emitting diode is made of inorganic semiconductor materials, an OLED consists of layers of organic materials. This results in a manufacturing technology much simpler and less expensive to implement. In particular, organic materials constituting OLEDs can be easily deposited on large surfaces to produce flat screens at a low cost. An OLED comprises at least two electrodes - an anode and a cathode - at least one of which is transparent or semitransparent, defining an inter-electrode gap in which there is a layer of organic electroluminescent material. The application of a voltage between the electrodes makes it possible to inject holes from the anode and electrons from the cathode. These carriers form electron-hole pairs capable of generating an exciton, which can in turn de-energize radiatively by emission of a photon. This principle is known. In practice, the OLEDs are substantially more complex and comprise, in addition to the electroluminescent layer (s), a plurality of other organic and possibly also inorganic layers intended in particular to facilitate the injection and transport of electrons and holes. Among the different types of OLED, there are, in particular: lower emission diodes, emitting through the substrate, which is transparent; - Top-emitting diodes, that is to say by the "upper" surface, opposite to the substrate; and the transparent diodes emitting two faces.

Une couche diélectrique d'indice de réfraction élevé, dite « capping layer », est généralement déposée sur la ou les électrodes transparentes pour favoriser l'extraction des photons. En l'absence d'une telle couche, une fraction importante de la lumière générée reste piégée à l'intérieur de la diode. Un effort de recherche considérable a été déployé au cours des dernières années pour optimiser l'efficacité de génération des OLEDs en agissant sur plusieurs facteurs : l'efficacité de transport et injection des porteurs ; l'efficacité de formation des exciton ; la fraction d'excitons se recombinant par voie radiative ; l'extraction des photons. Mais l'efficacité de génération de la lumière n'est pas le seul paramètre présentant un intérêt pratique. Les fabricants d'écrans OLED cherchent surtout à accroitre le contraste pour améliorer le rendu visuel. Or, le contraste dépend de la lumière ambiante extérieure à l'écran : il est maximal dans le noir complet, mais il se dégrade rapidement en présence d'une source lumineuse extérieure orientée en direction de la face observable de l'écran. En effet, l'intensité perçue par un observateur est la somme de l'intensité émise par l'écran et l'intensité réfléchie de la source extérieure sur cet écran. Pour obtenir un contraste élevé il est donc important de minimiser la réflectivité des OLEDs. Or, la réflectivité des diodes électroluminescentes organiques est généralement élevée, notamment à cause des électrodes. Si l'électrode inférieure, en contact avec le substrat, peut être en ITO (Indium-Tin-Oxide, c'est à dire oxyde d'indium et d'étain) qui est un matériau conducteur transparent et donc peu réfléchissant, l'électrode supérieure est généralement réalisée en métal, et est donc partiellement réfléchissante (dans les diodes à émission par le haut) voire complètement réfléchissante (dans les diodes à émission par le bas). Dans les écrans à cristaux liquides, des polariseurs peuvent être utilisés pour réduire la réflexion. Une telle solution ne convient pas au cas des OLEDs qui, en général, n'émettent pas de lumière polarisée. Plusieurs solutions ont été envisagées pour réduire la réflectivité des OLEDs. A dielectric layer of high refractive index, called "capping layer", is generally deposited on the transparent electrode (s) to promote the extraction of photons. In the absence of such a layer, a large fraction of the generated light remains trapped inside the diode. A considerable research effort has been deployed in recent years to optimize the generation efficiency of OLEDs by acting on several factors: transport efficiency and carrier injection; the exciton formation efficiency; the exciton fraction recombinant radiatively; the extraction of photons. But the efficiency of light generation is not the only parameter of practical interest. OLED display manufacturers are looking to increase the contrast to improve visual rendering. However, the contrast depends on the ambient ambient light on the screen: it is maximum in the complete black, but it degrades rapidly in the presence of an external light source oriented towards the observable face of the screen. Indeed, the intensity perceived by an observer is the sum of the intensity emitted by the screen and the reflected intensity of the external source on this screen. To obtain high contrast, it is important to minimize the reflectivity of OLEDs. However, the reflectivity of the organic light-emitting diodes is generally high, in particular because of the electrodes. If the lower electrode, in contact with the substrate, can be made of ITO (Indium-Tin-Oxide, ie indium tin oxide) which is a transparent and therefore non-reflective conductive material, the Upper electrode is usually made of metal, and is therefore partially reflective (in the top-emitting diodes) or even completely reflective (in the bottom-emitting diodes). In liquid crystal displays, polarizers can be used to reduce reflection. Such a solution is not suitable for the case of OLEDs which, in general, do not emit polarized light. Several solutions have been considered to reduce the reflectivity of OLEDs.

Le document WO 00/35028 enseigne l'utilisation, dans l'espace inter-électrodes, d'une couche de matériau absorbant, tel que du graphite. Le résultat est peu satisfaisant ; en outre, une telle solution présente le désavantage d'induire un échauffement du composant du à la faible conductivité thermique de ce type de matériau. Le document CA 2 422 539 enseigne l'utilisation d'une « électrode sombre », constituée d'une structure multicouche associant des matériaux conducteurs absorbants, transparents et réfléchissants. La io suppression de la réflexion résulte d'une combinaison d'absorption et d'interférence optique. Un inconvénient de cette solution est que le flux lumineux émis par l'OLED dans le demi-espace compris entre la couche émettrice de l'OLED et l'électrode sombre est également absorbé. Il en découle une perte de rendement de l'ordre d'un facteur 2. 15 Les documents US 5 049 780 et US 6 411 019 expliquent comment réaliser des OLEDs présentant une structure qui assure la suppression de la réflexion de la lumière extérieure par interférence destructive. Les paramètres de fabrication de tels dispositifs sont très drastiques, rendant économiquement peu intéressante cette solution. II en va de même pour le 20 document CA 2 411 683, qui préconise l'utilisation de matériaux non standards dans le domaine des OLEDs, tels que le monoxyde d'aluminium et silicium. Le document CA 2 419 121 enseigne l'utilisation d'une structure multicouches, située dans l'espace inter-électrodes, composée d'une couche partiellement réfléchissante, d'une couche absorbante ou transparente 25 et d'une couche réfléchissante. Cette solution est prometteuse d'un point de vue optique, mais problématique sur le plan technologique. Les matériaux de la structure multicouche doivent à la fois présenter les propriétés optiques voulues, être conducteurs, être chimiquement compatibles --- et pouvoir être déposés par des procédés eux-mêmes compatibles - avec les autres couches 30 de l'empilement OLED. Toutes ces solutions ne peuvent pas être satisfaites en même temps, ce qui conduit à la nécessité d'atteindre un compromis sacrifiant soit l'efficacité de l'OLED, soit la réduction de réflectivité. Ce problème se pose dans les mêmes termes pour les autres solutions précitées de l'art antérieur. WO 00/35028 teaches the use in the inter-electrode space of a layer of absorbent material, such as graphite. The result is unsatisfactory; in addition, such a solution has the disadvantage of inducing heating of the component due to the low thermal conductivity of this type of material. Document CA 2 422 539 teaches the use of a "dark electrode" consisting of a multilayer structure combining absorbent, transparent and reflective conductive materials. The suppression of reflection results from a combination of absorption and optical interference. A disadvantage of this solution is that the luminous flux emitted by the OLED in the half-space between the emitting layer of the OLED and the dark electrode is also absorbed. This results in a loss of efficiency of the order of a factor of 2. US 5,049,780 and US 6,411,019 explain how to make OLEDs having a structure which ensures the suppression of the reflection of external light by interference. destructive. The manufacturing parameters of such devices are very drastic, making this solution unattractive economically. The same goes for CA 2 411 683, which recommends the use of non-standard materials in the field of OLEDs, such as aluminum monoxide and silicon. CA 2 419 121 teaches the use of a multilayer structure, located in the inter-electrode space, composed of a partially reflective layer, an absorbent or transparent layer and a reflective layer. This solution is promising from an optical point of view, but technologically problematic. The materials of the multilayer structure must both have the desired optical properties, be conductive, be chemically compatible --- and able to be deposited by processes themselves compatible - with the other layers 30 of the OLED stack. All these solutions can not be satisfied at the same time, which leads to the need to reach a compromise sacrificing either the efficiency of the OLED or the reduction of reflectivity. This problem arises in the same terms for the other aforementioned solutions of the prior art.

L'invention vise à procurer une diode électroluminescente organique à faible réflectivité ne présentant pas les inconvénients précités de l'art antérieur. Conformément à l'invention, un tel but est atteint par une diode organique électroluminescente constituée par un empilement multicouche comportant : une première électrode transparente ou semi-transparente ; - une deuxième électrode, transparente ou partiellement réfléchissante, définissant avec ladite première électrode un espace inter-électrodes ; et - au moins une couche organique électroluminescente dans ledit espace inter-électrodes ; caractérisée en ce qu'elle comprend également, à l'extérieur dudit espace inter-électrodes, un empilement d'au moins deux couches 15 réalisées en au moins deux matériaux différents, dont les épaisseurs et les indices de réfraction sont choisis de telle manière que l'empilement multicouche forme un filtre interférentiel coupe-bande pour réduire la réflectivité de ladite diode organique électroluminescente. Le présent inventeur s'est rendu compte que toutes les 20 solutions précitées de l'art antérieur partageaient une approche commune, consistant à utiliser un élément - interférentiel etlou absorbant - de suppression des réflexions, situé à l'intérieur de l'espace inter-électrodes (voire coïncidant avec l'une des électrodes). Comme expliqué ci-dessus, cela entraine des contraintes fortes sur le choix des matériaux constituant cet élément. 25 L'utilisation de couches influençant fortement la réflectivité de l'empilement OLED et positionnées en dehors de l'espace inter-électrodes, à un endroit donc où il n'y a pas de courant électrique qui circule et à l'écart des couches organiques « actives », permet de relâcher ces contraintes. Il en résulte un choix plus libre des matériaux utilisés, ce qui permet une meilleure suppression 30 des réflexions parasites sans dégrader l'efficacité d'émission de la diode. Avantageusement, la réflectivité en incidence normale d'une OLED selon l'invention est inférieure à 10 UB (unités de brillant). Les « unités de brillant » sont définies par la norme NF EN ISO 2813. The aim of the invention is to provide an organic light-emitting diode with low reflectivity that does not have the aforementioned drawbacks of the prior art. According to the invention, such an object is achieved by an organic electroluminescent diode constituted by a multilayer stack comprising: a first transparent or semi-transparent electrode; a second electrode, transparent or partially reflecting, defining with said first electrode an inter-electrode gap; and at least one organic electroluminescent layer in said inter-electrode space; characterized in that it also comprises, outside said inter-electrode space, a stack of at least two layers 15 made of at least two different materials, the thicknesses and indices of refraction of which are chosen in such a way that the multilayer stack forms a band-stop interference filter to reduce the reflectivity of said organic electroluminescent diode. The present inventor has realized that all of the foregoing solutions of the prior art share a common approach of using an interferential and / or absorbing-reflective suppression element within the interstitial space. electrodes (or coincide with one of the electrodes). As explained above, this entails strong constraints on the choice of materials constituting this element. The use of layers strongly influencing the reflectivity of the OLED stack and positioned outside the inter-electrode space, at a place where there is no electric current flowing and away from the layers organic "active", allows to relax these constraints. This results in a freer choice of materials used, which allows better suppression of spurious reflections without degrading the emission efficiency of the diode. Advantageously, the reflectivity at normal incidence of an OLED according to the invention is less than 10 BU (gloss units). The "gloss units" are defined by the NF EN ISO 2813 standard.

Selon d'autres caractéristiques avantageuses de l'invention, prises séparément ou en combinaison : - Les épaisseurs et les indices de réfraction des couches dudit empilement situé à l'extérieur de l'espace inter-électrodes peuvent être choisis de telle manière que l'empilement multicouche forme un filtre interférentiel coupe-bande dans la bande d'émission de ladite couche organique électroluminescente. - Ledit empilement d'au moins deux couches situé à l'extérieur de l'espace inter-électrodes peut être jointif avec ladite deuxième io électrode, qui est partiellement réfléchissante. Dans ce cas ledit empilement peut comprendre : une première couche, transparente ou partiellement absorbante, jointive avec ladite deuxième électrode partiellement réfléchissante ; et une deuxième couche partiellement ou totalement réfléchissante, jointive avec ladite première couche. 15 - En variante, ledit empilement d'au moins deux couches situé à l'extérieur de l'espace inter-électrodes peut comprendre : une première couche, partiellement réfléchissante, jointive avec ladite deuxième électrode ; une deuxième couche, transparente ou partiellement absorbante, jointive avec ladite deuxième électrode ; et une troisième couche partiellement ou totalement 20 réfléchissante, jointive avec ladite deuxième couche. Cela permet notamment de réaliser des OLED « transparentes ». - Au moins un des matériaux formant ledit empilement d'au moins deux couches situé à l'extérieur de l'espace inter-électrodes peut être un matériau isolant. 25 - Au moins un des matériaux formant ledit empilement d'au moins deux couches situé à l'extérieur de l'espace inter-électrodes peut être un matériau isolant ou semiconducteur partiellement réfléchissant. Des exemples de matériaux isolants partiellement réfléchissants adaptés à la mise en oeuvre de l'invention sont : SiO2; Si3N4 et SiO. Un exemple de semiconducteur 30 partiellement réfléchissant est, par exemple, le silicium. - Ledit empilement d'au moins deux couches situé à l'extérieur de l'espace inter-électrodes peut comprendre une alternance d'au moins une couche en un matériau organique et d'au moins une couche en un matériau inorganique. - La diode électroluminescente peut comprendre également un filtre optique passe-bande absorbant disposé à l'extérieur dudit espace inter- électrodes, du côté opposé à celui dudit empilement d'au moins deux couches. En particulier, ledit filtre optique passe-bande peut présenter une bande passante centrée sur un minimum de la réflectivité en incidence normale de ladite diode organique électroluminescente. Avantageusement, ladite bande passante du filtre optique passe-bande peut présenter une largeur spectrale so inférieure ou égale à celle dudit filtre interférentiel coupe-bande, et/ou être superposée à la bande d'émission de ladite couche organique électroluminescente. - Une des couches dudit empilement d'au moins deux couches situé à l'extérieur de l'espace inter-électrodes peut être un substrat 15 réfléchissant sur lequel est déposée ladite diode. Un autre objet de l'invention est un écran comportant une pluralité de diodes électroluminescentes telles que décrites ci-dessus, présentant des longueurs d'onde d'émission différentes et agencées de manière à former une matrice de pixels. Les diodes électroluminescentes d'un 20 tel écran peuvent partager un même dit empilement d'au moins deux couches situé à l'extérieur de l'espace inter-électrodes. D'autres caractéristiques, détails et avantages de l'invention ressortiront à la lecture de la description faite en référence aux dessins annexés donnés à titre d'exemple et qui représentent, respectivement : 25 - La figure 1, la structure d'une diode électroluminescente organique selon un mode de réalisation préféré de l'invention ; - La figure 2, le principe de fonctionnement de la diode de la figure 1; Les figures 3 à 7, des courbes de réflectivité d'OLEDs selon 30 différents modes de réalisation de l'invention ; et - La figure 8, schématiquement, la structure d'un écran électroluminescent selon un mode de réalisation de l'invention. According to other advantageous features of the invention, taken separately or in combination: The thicknesses and the refractive indices of the layers of said stack situated outside the inter-electrode space can be chosen in such a way that the Multilayer stack forms a band-pass interference filter in the emission band of said organic electroluminescent layer. Said stack of at least two layers situated outside the inter-electrode space may be joined with said second electrode, which is partially reflective. In this case said stack may comprise: a first layer, transparent or partially absorbent, contiguous with said second partially reflecting electrode; and a second partially or completely reflective layer, contiguous with said first layer. Alternatively, said stack of at least two layers located outside the inter-electrode space may comprise: a first layer, partially reflective, contiguous with said second electrode; a second layer, transparent or partially absorbent, contiguous with said second electrode; and a third partially or totally reflective layer, joined to said second layer. This makes it possible to produce "transparent" OLEDs. At least one of the materials forming said stack of at least two layers located outside the inter-electrode space may be an insulating material. At least one of the materials forming said stack of at least two layers located outside the inter-electrode space may be a partially reflective insulating or semiconductive material. Examples of partially reflective insulating materials suitable for the implementation of the invention are: SiO 2; Si3N4 and SiO. An example of a partially reflective semiconductor is, for example, silicon. Said stack of at least two layers situated outside the inter-electrode space may comprise an alternation of at least one layer made of an organic material and at least one layer made of an inorganic material. The light-emitting diode may also comprise an absorbing band-pass optical filter disposed outside said inter-electrode gap, on the side opposite to that of said stack of at least two layers. In particular, said band-pass optical filter may have a bandwidth centered on a minimum of the reflectivity at normal incidence of said organic electroluminescent diode. Advantageously, said passband of the optical band-pass filter may have a spectral width n0 less than or equal to that of said band-stop interference filter, and / or be superimposed on the emission band of said organic electroluminescent layer. One of the layers of said stack of at least two layers situated outside the inter-electrode space may be a reflecting substrate on which said diode is deposited. Another object of the invention is a screen comprising a plurality of light-emitting diodes as described above, having different emission wavelengths and arranged to form a matrix of pixels. The light-emitting diodes of such a screen may share a same stack of at least two layers located outside the inter-electrode space. Other features, details and advantages of the invention will become apparent on reading the description given with reference to the appended drawings given by way of example and which represent, respectively: FIG. 1, the structure of a light-emitting diode organic according to a preferred embodiment of the invention; - Figure 2, the operating principle of the diode of Figure 1; Figures 3 to 7, reflectivity curves of OLEDs according to different embodiments of the invention; and - Figure 8, schematically, the structure of an electroluminescent screen according to one embodiment of the invention.

La figure 1 illustre très schématiquement - et pas à l'échelle - la structure multicouche d'une diode électroluminescente organique (OLED) selon un mode de réalisation de l'invention. Le coeur du composant est constitué par une couche électroluminescente organique ou, plus généralement, par un empilement de couches organiques et éventuellement inorganiques comprenant une ou plusieurs couches électroluminescentes organiques. Cette couche, ou cet empilement de couches, est identifiée par la référence CEL. Sa structure est connue de l'art antérieur, et ne sera pas décrite en détail. FIG. 1 illustrates very schematically - and not on a scale - the multilayer structure of an organic light-emitting diode (OLED) according to one embodiment of the invention. The core of the component is constituted by an organic electroluminescent layer or, more generally, by a stack of organic and optionally inorganic layers comprising one or more organic electroluminescent layers. This layer, or this stack of layers, is identified by the reference CEL. Its structure is known from the prior art, and will not be described in detail.

Aux deux extrémités de la couche CEL se trouvent une première électrode transparente El, par exemple en ITO, et une deuxième électrode partiellement réfléchissante E2, par exemple constituée d'une couche métallique mince (épaisseur de l'ordre de quelques dizaines de nanomètres). Les électrodes El et E2 délimitent ce que l'on convient d'appeler l'espace inter- électrodes. L'extraction de lumière se fait à travers la première électrode El et un filtre optique passe-bande FPB de type absorbant (« verre coloré ») en contact avec cette électrode du côté opposé à celui de la couche (ou multicouches) active GEL. Les caractéristiques optiques de ce filtre, et sa fonction, seront décrites plus loin. At both ends of the CEL layer are a first transparent electrode E1, for example made of ITO, and a second partially reflective electrode E2, for example made of a thin metal layer (thickness of the order of a few tens of nanometers). The electrodes E1 and E2 define what is called the inter-electrode space. The light extraction is through the first electrode El and an absorbing-type FPB band-pass optical filter ("colored glass") in contact with this electrode on the opposite side to that of the active layer (or multilayer) GEL. The optical characteristics of this filter, and its function, will be described later.

Une structure multicouche (CTA, CR) est disposée à l'extérieur de l'espace inter-électrode, du côté de la deuxième électrode E2. Dans le mode de réalisation représenté, cette structure comprend une couche transparente ou partiellement absorbante CTA et une couche réfléchissante, ou partiellement réfléchissante CR. A multilayer structure (CTA, CR) is disposed outside the inter-electrode space, on the side of the second electrode E2. In the embodiment shown, this structure comprises a transparent or partially absorbent layer CTA and a reflective or partially reflective layer CR.

D'une manière générale on considérera : - « réfléchissante », une couche présentant une réflectivité supérieure à 95% dans le spectre visible, ou dans une partie de ce spectre ; - « partiellement réfléchissante », une couche présentant une réflectivité supérieure à 5% et inférieure à 95% dans le spectre visible, ou dans une partie de ce spectre ; - « partiellement absorbante », une couche présentant une absorption supérieure à 5% et inférieure à 95% dans le spectre visible, ou dans une partie de ce spectre ; - « transparente », une couche présentant une transmission supérieure à 95% dans le spectre visible, ou dans une partie de ce spectre - « semi-transparente », une couche présentant une transmission comprise entre 30% et 95% dans le spectre visible, ou dans une partie de ce spectre Ces valeurs de réflectivité ou de transmission s'entendent en incidence normale. Les couches CTA et CR peuvent être des couches homogènes, ou être constituées elles-mêmes par des empilements de couches élémentaires. En particulier, la couche réfléchissante CR peut être réalisée en matériau réfléchissant ou bien être une structure de type miroir de Bragg. En variante, la couche CR peut ne pas être réfléchissante par elle-même, mais présenter un indice optique suffisamment différent de celui de la couche CTA pour qu'une réflexion significative soit obtenue à l'interface entre ces deux couches. II en va de même pour la deuxième électrode E2, même si d'un point de vue technologique le choix le plus naturel est d'utiliser une électrode métallique, partiellement réfléchissante par elle-même. D'une manière générale : - L'électrode E2 pourra être réalisée en un matériau choisi parmi : Ag, Mo, Cr, W, Ca, MoO3, WO3, Ca/Ag, MgIAg, Al, Ba/Ag avec une épaisseur d'au moins 12nm. II s'agit là d'une valeur minimale pour assurer qu'une couche métallique déposée présente une conduction planaire : pour des valeurs inférieures la couche mince n'est pas continue et n'assure pas une distribution homogène des charges dans le composant. - La première couche CAT pourra être réalisée en tout matériau diélectrique ou conducteur transparent dans le visible : SiO2, SiO, Si3N4, Al2O3, SiOxNy, TiO2, ZnSe, Sb2O3, CaF2,TeO2, Sb2O3,TiN, Pedot dopé, PSS (poly(3,4-éthylènedioxythiophène dopé poly(styrène sulfonate) de sodium), résine, Polymide, PMMA (polyméthacrylate de méthyle), voire un semi- conducteur organique de type polymère ou petite molécules : CuPc (phtalocyanine de cuivre), NPB (N,N'-Bis(naphthalen-l-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine), Spiro TTB (2,2',7,7'-tetra(N, N-di-tolyl)aminospiro-bifluorene), Polyaniline, PVK (poly(N-vinylcarbazole)), etc... - La deuxième couche CR pourra être réalisée en un matériau réfléchissant, tel que Cr, Mo, W, Al, Ag, Cu, Au, etc. avec une épaisseur supérieure ou égale à 25 nm; un semiconducteur tel que Si ou Ge; voire un matériau transparent ayant un indice différent de celui de la première couche CAT. Les couches CTA et CR, avec l'électrode E2, transforment l'empilement OLED en un filtre interférentiel coupe-bande, de type Fabry-Pérot, pour la lumière extérieure. Ce filtre présente une faible finesse, et donc une bande relativement large (plusieurs nanomètres, ou dizaines de nanomètres, io jusqu'à 100 nm ou plus) grâce aux pertes des « miroirs » E2, CR et, le cas échéant, à l'absorption de la couche CTA. Ainsi, une partie significative de la lumière ambiante qui rentre dans l'empilement OLED par la première électrode El est transmise ou absorbée par l'empilement de couches E2, CAT, CR au lieu d'être réfléchie. 15 En général, la fonction de transfert du filtre constitué par l'empilement OLED dépend de l'épaisseur et de l'indice de réfraction (complexe) des couches E2, CAT, CR. On remarquera que seule la couche E2 accomplit une fonction à la fois optique et électrique, agissant tant comme « miroir » semi-transparent du 20 filtre interférentiel coupe-bande que comme électrode. Les couches CAT, CR ont uniquement une fonction optique. En variante, il est possible de découpler de manière encore plus complète les fonctions électriques et optiques en utilisant une électrode E2 transparente et une couche isolante et partiellement réfléchissante entre cette électrode et la couche CAT. 25 Bien entendu, il est possible d'utiliser un empilement plus complexe, constitué d'une alternance de plusieurs couches, afin de supprimer la réflexion dans une bande spectrale plus large (voir ci-après, 5e mode de réalisation). Le filtre passe-bande FPB - dont l'utilisation est optionnelle -- a 30 une action complémentaire à celle du filtre coupe-bande que l'on vient de décrire. Ce filtre présente une bande passante centrée sur un minimum de la réflectivité en incidence normale du filtre coupe-bande et de préférence relativement étroite (largeur inférieure ou égale à celle dudit filtre coupe-bande). In general, we will consider: - "reflective", a layer having a reflectivity greater than 95% in the visible spectrum, or in a part of this spectrum; - "partially reflective" means a layer having a reflectivity greater than 5% and less than 95% in the visible spectrum, or part of that spectrum; - "partially absorbing" means a layer with an absorption greater than 5% and less than 95% in the visible spectrum, or part of that spectrum; - "transparent" means a layer having a transmission greater than 95% in the visible spectrum, or in part of that spectrum - "semi-transparent", a layer having a transmission between 30% and 95% in the visible spectrum, or in a part of this spectrum These values of reflectivity or transmission are in normal incidence. The CTA and CR layers can be homogeneous layers, or be themselves constituted by stacks of elementary layers. In particular, the reflective layer CR may be made of reflective material or may be a Bragg mirror structure. Alternatively, the CR layer may not be reflective by itself, but have an optical index sufficiently different from that of the CTA layer that a significant reflection is obtained at the interface between these two layers. The same goes for the second electrode E2, although from a technological point of view the most natural choice is to use a metal electrode, which is partially reflective by itself. In general: the electrode E2 may be made of a material chosen from: Ag, Mo, Cr, W, Ca, MoO3, WO3, Ca / Ag, MgIAg, Al, Ba / Ag with a thickness of at least 12nm. This is a minimum value to ensure that a deposited metal layer has a planar conduction: for lower values the thin layer is not continuous and does not ensure a homogeneous distribution of the charges in the component. The first CAT layer may be made of any visible dielectric material or conductor: SiO 2, SiO, Si 3 N 4, Al 2 O 3, SiOxNy, TiO 2, ZnSe, Sb 2 O 3, CaF 2, TeO 2, Sb 2 O 3, TiN, doped pedot, PSS (poly ( 3,4-ethylenedioxythiophene doped with sodium polystyrene sulphonate), resin, Polymide, PMMA (polymethyl methacrylate), or even an organic semiconductor of polymer type or small molecules: CuPc (copper phthalocyanine), NPB (N, N'-Bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine), Spiro TTB (2,2 ', 7,7'-tetra (N, N-di-tolyl) aminospiro-bifluorene ), Polyaniline, PVK (poly (N-vinylcarbazole)), etc. The second CR layer may be made of a reflective material, such as Cr, Mo, W, Al, Ag, Cu, Au, etc. with a thickness greater than or equal to 25 nm, a semiconductor such as Si or Ge, or even a transparent material having an index different from that of the first layer CAT The layers CTA and CR, with the electrode E2, transform the OLED stack in a band-pass interference filter, Fabry-Perot type, for outdoor light. This filter has a low fineness, and therefore a relatively wide band (several nanometers, or tens of nanometers, up to 100 nm or more) thanks to the losses of the "mirrors" E2, CR and, where appropriate, to the absorption of the CTA layer. Thus, a significant portion of the ambient light that enters the OLED stack by the first electrode E1 is transmitted or absorbed by the stack of layers E2, CAT, CR instead of being reflected. In general, the transfer function of the filter constituted by the OLED stack depends on the thickness and the refractive index (complex) of the layers E2, CAT, CR. It will be appreciated that only the E2 layer performs both optical and electrical function, acting as both a semitransparent mirror of the band-cut interference filter and as an electrode. The CAT, CR layers have only one optical function. As a variant, it is possible to decouple the electrical and optical functions even more completely by using a transparent electrode E2 and an insulating and partially reflective layer between this electrode and the CAT layer. Of course, it is possible to use a more complex stack, consisting of an alternation of several layers, in order to suppress the reflection in a wider spectral band (see below, 5th embodiment). The FPB bandpass filter - the use of which is optional - has a complementary action to that of the notch filter just described. This filter has a bandwidth centered on a minimum of the reflectivity at normal incidence of the notch filter and preferably relatively narrow (width less than or equal to that of said notch filter).

Afin de ne pas trop pénaliser l'efficacité de génération de l'OLED, il est préférable que la bande passante du filtre FPB soit centrée sur, ou au moins superposée avec, la bande d'émission de la couche CEL (superposition supérieure ou égale à 50%, de préférence supérieure ou égale à 80%). Dans ce cas, on comprend que le filtre interférentiel coupe-bande doit agir dans la bande d'émission de ladite couche organique électroluminescente. L'effet synergique du filtre passe-bande FPB et du filtre coupe-bande E2-CAT-CR est illustré par la figure 2. Sur cette figure : - SPI est le spectre de la lumière extérieure, supposée blanche (donc présentant idéalement une intensité spectrale constante sur une large plage de longueurs d'onde dans la bande visible) ; - SP2 est la fonction de transfert du filtre FPB (corrigée pour tenir compte du fait que ce filtre est traversé deux fois par la lumière qui pénètre dans l'empilement OLED, est réfléchie et en ressort) ; - SP3 est le spectre de la lumière ambiante transmise par ledit filtre FPB, obtenue en multipliant les courbes SPI et SP3 (étant donné que SPI est supposée constante, SP3 est en fait identique à spi) ; - SP4 est la fonction de transfert en réflexion de l'empilement OLED avec les couches E2-CAT-CR, fonctionnant comme un filtre coupe-bande 20 essentiellement complémentaire à FPB ; et - SP5 est le spectre de la lumière effectivement réfléchie par l'empilement OLED avec les couches E2-CAT-CR, obtenu en multipliant les courbes SP3 et SP4. On obtient encore un spectre blanc, semblable à SPI, mais très atténué. 25 La référence XE correspond à la longueur d'onde centrale de l'émission de la couche électroluminescente CEL (émission qui, en général, présente une bande assez large, de plusieurs dizaines de nanomètres). On peut remarquer que XE se trouve à l'intérieur tant de la bande passante du filtre FPB que de la bande du filtre coupe-bande EI-CEL-E2-CAT-CR. 30 La présence du filtre FPB n'est pas essentielle. Si un tel filtre n'est pas prévu, il peut être préférable que l'empilement de couches E2-CAT-CR soit dimensionné de manière à supprimer la réflexion autour de 550 nm, où la réponse de l'oeil est maximale, et cela indépendamment de la longueur d'onde d'émission de la diode. Bien entendu, le fonctionnement illustré par la figure 2 est idéalisé car le spectre de la lumière ambiante n'est pas exactement blanc, et les fonctions de transfert des filtres coupe-bande et passe-bande ne sont pas parfaitement complémentaire. Des simulations détaillées, basées sur des modèles réalistes, ont donc été effectuées pour confirmer que l'invention permet réellement d'obtenir des OLED à faible réflectivité. a 0 1er exemple de mode de réalisation Le premier exemple de mode de réalisation porte sur une diode à émission par le bas, dont la structure est la suivante : - Substrat en verre sodocalcique (ou « soda-lime ») - 0,7 mm - avec couche antireflet ; 15 - Electrode El en ITO ; Ensemble de couches organiques CEL ayant la structure suivante : Ag (épais 150nm) I Spiro TTB dopé F4TCNQ 1% (45nm)I NPB (10nm)1 TMM004 dopé TEG341 15% (20nm) I AIg3 (5nm) Bphen dopé Ca 2% (30nm) I SiO 90nm ; 20 - Electrode E2 en Ca , épaisseur 15 nm ; Couche CAT en SiO, épaisseur 240 nm ; Couche CR en Cr, épaisseur supérieure à 25 nm. La réflectivité de cette structure, déterminée par calcul, est représentée sur la figure 3. Elle présente un minimum prononcé entre 550 et 25 600 nm. En introduisant, de préférence entre la ou les couches antireflet et le verre, un filtre coloré ayant une bande passante correspondant à l'inverse de la réflexion, il devient alors possible d'obtenir une réflexion sur l'ensemble du spectre visible inférieure à 5%. Bien sûr, il est nécessaire que le spectre d'émission de l'OLED corresponde à la bande passante du filtre. Les 5% 30 résiduels pouvant être diminués par une transmission non optimale du filtre. Sur les figures 3 à 6, la réflectivité R est exprimée en fraction de l'unité (réflexion parfaite : R=1) et la longueur d'onde X en nanomètres. Une notation décimale est utilisée ; ainsi, par exemple, 1,3E-1 signifie 1,3.10"1=0,13. In order not to penalize the OLED generation efficiency too much, it is preferable that the bandwidth of the FPB filter is centered on, or at least superimposed with, the emission band of the CEL layer (superposition greater than or equal to at 50%, preferably greater than or equal to 80%). In this case, it is understood that the band-stop interference filter must act in the emission band of said organic electroluminescent layer. The synergistic effect of the bandpass filter FPB and the notch filter E2-CAT-CR is shown in FIG. 2. In this figure: - SPI is the spectrum of the external light, assumed to be white (therefore ideally having an intensity constant spectral over a wide range of wavelengths in the visible band); - SP2 is the transfer function of the FPB filter (corrected to take into account that this filter is traversed twice by the light that enters the OLED stack, is reflected and comes out); SP3 is the spectrum of the ambient light transmitted by said FPB filter, obtained by multiplying the SPI and SP3 curves (since SPI is assumed to be constant, SP3 is in fact identical to spI); SP4 is the reflection transfer function of the OLED stack with E2-CAT-CR layers, functioning as a notch filter substantially complementary to FPB; and SP5 is the spectrum of the light actually reflected by the OLED stack with the E2-CAT-CR layers, obtained by multiplying the curves SP3 and SP4. We still obtain a white spectrum, similar to SPI, but very attenuated. The reference XE corresponds to the central wavelength of the emission of the electroluminescent layer CEL (emission which, in general, has a fairly wide band of several tens of nanometers). It can be seen that XE lies within both the bandwidth of the FPB filter and the EI-CEL-E2-CAT-CR notch filter band. The presence of the FPB filter is not essential. If such a filter is not provided, it may be preferable for the stack of E2-CAT-CR layers to be dimensioned so as to eliminate the reflection around 550 nm, where the response of the eye is maximum, and this regardless of the emission wavelength of the diode. Of course, the operation illustrated in FIG. 2 is idealized because the spectrum of the ambient light is not exactly white, and the transfer functions of the notch and bandpass filters are not perfectly complementary. Detailed simulations, based on realistic models, have therefore been performed to confirm that the invention actually provides low reflectivity OLEDs. The first exemplary embodiment relates to a diode emitting from the bottom, the structure of which is as follows: Sodium-soda-lime glass substrate (or "soda-lime") - 0.7 mm - with anti-reflective layer; El el electrode ITO; Set of organic CEL layers having the following structure: Ag (thick 150nm) I F4TCNQ 1% (45nm) doped spiro TTB I NPB (10nm) 1 15% (20nm) doped TEG341 TMM004 I (3nm) Ca 2% doped Bphen ( 30nm) SiO 90nm; 20 - E2 electrode Ca, thickness 15 nm; CAT layer in SiO, thickness 240 nm; CR layer in Cr, thickness greater than 25 nm. The reflectivity of this structure, determined by calculation, is shown in FIG. 3. It has a pronounced minimum between 550 and 600 nm. By introducing, preferably between the antireflection layer (s) and the glass, a colored filter having a bandwidth corresponding to the inverse of the reflection, it then becomes possible to obtain a reflection on the entire visible spectrum of less than 5. %. Of course, it is necessary that the emission spectrum of the OLED corresponds to the bandwidth of the filter. The residual 5% can be reduced by a non-optimal transmission of the filter. In FIGS. 3 to 6, the reflectivity R is expressed as a fraction of the unit (perfect reflection: R = 1) and the wavelength X in nanometers. A decimal notation is used; thus, for example, 1.3E-1 means 1.3.10 -1 = 0.13.

En variante, la couche de SiO pourrait être remplacée par une première couche d'AI2O3 d'épaisseur supérieure à 20nm et d'un matériau organique comme une résine, du Pedot-PSS, du PMMA.... L'avantage de cette alternance inorganique-organique réside dans la capacité d'encapsulation d'un tel empilement. Il est préférable que la première couche soit inorganique afin que le dépôt de la seconde, souvent par voie humide ne solvate pas les couches organiques de l'empilement OLED. De même la couche réfléchissante pourra être subdivisée en plusieurs sous-couches, la dernière couche pouvant être un matériau très stable dans l'air alors que la couche sous-jacente z 0 présenterait une réactivité plus importante mais, en contrepartie, une valeur de réflectivité optimisée. Ce dédoublement des couches permet de relâcher ultérieurement les contraintes sur le choix des matériaux, mais également de créer une encapsulation efficace. 2e exemple de mode de réalisation 15 Cet exemple porte sur une diode à émission par le haut, dont la structure est la suivante : Substrat ; - Couche CR en Cr, épaisseur supérieure à 25 nm - Couche CAT en SiO, épaisseur de 150 nm ; 20 - Electrode E2 en Ag épaisseur de 15 nm ; Ensemble de couches organiques CEL émettant dans le vert à 550 nm ayant la structure suivante : Ag (épais 150nm) 1 Spiro TTB dopé F4TCNQ 1% (45nm)/ NPB (10nm) 1 TMM004 dopé TEG341 15% (20nm) 1 Alg3 (5nm) 1 Bphen dopé Ca 2% (30nm) 1 SiO 90nm ; 25 - Electrode El en Ag, épaisseur comprise entre 15 et 30 nm ; - « Capping layer » et couche antireflet en SiO, épaisseur de 70 nm. La réflectivité calculée est représentée sur la figure 4. Elle présente deux minima, à 550 (vert) et 710 nm (rouge). 30 Les contraintes techniques sont moins sévères que dans le cas précédent, car les matériaux organiques « actifs » sont déposés seulement après les couches E2, CAT, CR, et ne risquent donc pas d'être dégradés. Un autre avantage d'une structure à émission par le haut est que le substrat peut être en silicium, donc du type communément en microélectronique, revêtu d'une couche d'oxyde réalisée par croissance thermique et donc l'épaisseur peut être contrôlée aisément, faisant fonction de couche CAT. 3e exemple de mode de réalisation II s'agit encore d'une diode à émission par le haut, réalisée sur substrat en Si avec oxyde thermique. La structure de cette diode est la suivante : Substrat en Si faisant fonction de couche CR ; Couche de SiO2 thermique, 170 nm d'épaisseur, faisant i0 fonction de couche CAT; - Electrode E2 en Ag, 15 nm d'épaisseur ; Ensemble de couches organiques CEL émettant dans le vert à 550 nm ayant la structure suivante : Ag (épais 150nm) 1 Spiro TTB dopé F4TCNQ 1% (45nm)I NPB (10nm) / TMM004 dopé TEG341 15% (20nm) 1 Alg3 15 (5nm) / Bphen dopé Ca 2% (30nm) I SiO 90nm ; - Electrode El en Ag, épaisseur comprise entre 15 et 30 nm ; - « Capping layer » et couche antireflet, par exemple en TeO2, ZnSe, Sb203, MoO3, SiO, CaF2... La réflectivité calculée est représentée sur la figure 5. Elle 20 présente deux minima, à 550 et 720 nm. On voit que le fait d'utiliser une structure multicouche antireflet extérieure à l'espace inter-électrodes présente aussi l'avantage additionnel de permettre d'exploiter les propriétés optiques du substrat. Dans une diode à émission par le haut il est aussi possible 25 d'utiliser un substrat métallique à condition que sa rugosité soit largement inférieure à l'épaisseur de l'isolant utilisée (typiquement de l'ordre de 170nm avec SiO2 pour un émetteur vert). L'invention convient particulièrement à la réalisation d'écrans électroluminescents. Un tel écran EEL est constitué d'une matrice de pixels Px, 30 chacun desquels est constitués d'un ensemble de sous-pixels de couleurs dont la résultant est le blanc (le plus souvent : un sous-pixel rouge, SPR, un sous-pixel vert SPV et un sous-pixel bleu SPB, comme illustré schématiquement sur la figure 8). Chacun des sous-pixels est réalisé en technologie OLED. Alternatively, the SiO layer could be replaced by a first layer of Al2O3 greater than 20nm thick and an organic material such as a resin, Pedot-PSS, PMMA .... The advantage of this alternation inorganic-organic resides in the encapsulation capacity of such a stack. It is preferable that the first layer be inorganic so that the deposition of the second layer, often wet, does not solvate the organic layers of the OLED stack. Similarly, the reflective layer can be subdivided into several sub-layers, the last layer being a very stable material in the air while the underlying layer z 0 would have a greater reactivity but, in return, a reflectivity value optimized. This splitting of the layers makes it possible to release constraints on the choice of materials later on, but also to create an efficient encapsulation. 2nd Exemplary Embodiment This example relates to a top-emitting diode, whose structure is as follows: Substrate; - CR layer in Cr, thickness greater than 25 nm - CAT layer in SiO, 150 nm thick; Ag - E2 electrode in Ag thickness of 15 nm; Set of organic CEL layers emitting in green at 550 nm having the following structure: Ag (150nm thick) 1 F4TCNQ doped spiro 1% (45nm) / NPB (10nm) 1 TMM004 doped TEG341 15% (20nm) 1 Alg3 (5nm) ) 1 doped Bphen Ca 2% (30 nm) 1 SiO 90nm; El el Ag electrode, thickness between 15 and 30 nm; - "Capping layer" and antireflection layer in SiO, 70 nm thick. The calculated reflectivity is shown in FIG. 4. It has two minima at 550 (green) and 710 nm (red). The technical constraints are less severe than in the previous case, because the "active" organic materials are deposited only after the E2, CAT, CR layers, and therefore are not likely to be degraded. Another advantage of a top-emission structure is that the substrate can be made of silicon, therefore of the type commonly used in microelectronics, coated with an oxide layer produced by thermal growth and therefore the thickness can be controlled easily, acting as a CAT layer. 3rd Exemplary Embodiment II is still a top-emitting diode made on Si substrate with thermal oxide. The structure of this diode is as follows: Si substrate acting as a CR layer; Thermal SiO2 layer, 170 nm thick, acting as a CAT layer; Electrode E2 Ag, 15 nm thick; Set of organic CEL layers emitting in green at 550 nm having the following structure: Ag (150nm thick) 1 F4TCNQ doped spiro 1% (45nm) I NPB (10nm) / TEG341 doped TMM004 15% (20nm) 1 Alg3 15 ( 5nm) / Ca 2% doped Bphen (30nm) I SiO 90nm; El electrode Ag, thickness between 15 and 30 nm; "Capping layer" and antireflection layer, for example TeO2, ZnSe, Sb203, MoO3, SiO, CaF2. The calculated reflectivity is shown in FIG. 5. It has two minima at 550 and 720 nm. It is seen that the fact of using an antireflection multilayer structure external to the inter-electrode space also has the additional advantage of making it possible to exploit the optical properties of the substrate. In a top-emitting diode it is also possible to use a metal substrate provided that its roughness is much lower than the thickness of the insulator used (typically of the order of 170 nm with SiO 2 for a green emitter ). The invention is particularly suitable for producing electroluminescent screens. Such an EEL screen consists of an array of pixels Px, each of which consists of a set of subpixels of colors, the result of which is white (most often: a red subpixel, SPR, a subpixel). green SPV pixel and a blue subpixel SPB, as schematically illustrated in FIG. 8). Each of the sub-pixels is made in OLED technology.

Conformément à l'invention, chaque sous-pixel peut être pourvu d'un filtre passe-bande et d'un filtre coupe-bande antireflet, ces filtres étant adaptés à sa couleur d'émission. En variante, les différents sous-pixels peuvent partager un même empilement antireflet à large bande (les filtres passe-bande restant spécifiques à chaque sous-pixel). Le 4e exemple de mode de réalisation porte justement sur une structure multicouche antireflet présentant une large bande de faible réflectivité. La structure de cet empilement est la suivante : Substrat en Si faisant fonction de couche CR ; o Couche de SiO2 thermique, 170 nm d'épaisseur, faisant fonction de couche CAT ; - Electrode E2 en Ag, 15 nm d'épaisseur ; Ensemble de couches organiques CEL avec plusieurs émetteurs permettant une émission blanche, ayant la structure suivante : 27 nm 15 de SpiroTTB dopé F4TCNQ (tetrafluorotetracyanoquinodimethane) à 1% /5 nm de NPB dopé YD3 (ethyl 4-(1-benzyl-1 H-indazol-3-yl)benzoate) à 1% / 22nm de Bh3 dopé BD3 àl,5% / 5nm de Alq3 (tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium) 1 24nm de Bphen (4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) dopé Ca à 2%; Electrode El en Ag, épaisseur comprise 15 nm ; 20 « Capping layer » et couche antireflet en SiO, épaisseur de 70 nm.. Sa réflectivité est illustrée sur la figure 6. 5e exemple de mode de réalisation Il s'agit encore d'une diode à émission par le haut, dont la 2 5 structure est : Substrat en Si faisant fonction de couche CR ; - Couche de SiO2 thermique, 150 nm d'épaisseur, faisant fonction de couche CAS- ; - Couche en Al, épaisseur 10 nm, faisant fonction de 3o deuxième couche CR ; - Couche de SiO2 150 nm d'épaisseur, faisant fonction de deuxième couche CAT ; - Electrode E2 en Ag, 15 nm d'épaisseur ; - Ensemble de couches organiques CEL, épaisseur totale 100 nm ayant la structure suivante : 34 nm de SpiroTTB dopé F4TCNQ à 1% I 5 nm de NPB dopé YD3 à 1% 122 nm de Bh3 dopé BD3 à 1,5% 15 nm de AIg3 134 nm de Bphen dopé Ca à 2% ; Electrode El en Ag, 15 nm d'épaisseur ; « Capping layer » constitué par une couche de SiO, 50 nm d'épaisseur. La réflectivité de cette structure est représentée (en pourcentage) sur la figure 7, courbe Ri. Les courbes R2 est R3 sont z o représentées par comparaison. Elles montrent : R2, la réflectivité d'une simple électrode AICu ; R3, celle d'une diode conventionnelle pour une émission verte ayant la structure suivante : Ag (épais 150nm) 1 Spiro TTB dopé F4TCNQ 1% (45nm)1 NPB (10nm) 1 TMM004 dopé TEG341 15% (20nm) 1 AIg3 (5nm) 1 15 Bphen dopé Ca 2% (30nm) 1 SiO 90nm. Une diode conventionnelle réfléchit plus de 60% dans la gamme du visible alors que l'empilement faible réflectivité mois de 12%. L'introduction de filtre coloré permettrait d'éteindre les queues de bandes dans le bleu et le rouge, et finalement approcher d'une réflexion nulle dans le visible. 20 According to the invention, each sub-pixel may be provided with a band-pass filter and an anti-reflective band-stop filter, these filters being adapted to its emission color. As a variant, the different sub-pixels can share a single broadband anti-reflective stack (the bandpass filters remaining specific to each sub-pixel). The fourth exemplary embodiment relates precisely to an antireflection multilayer structure having a broad band of low reflectivity. The structure of this stack is as follows: Si substrate acting as CR layer; Thermal SiO2 layer, 170 nm thick, acting as a CAT layer; Electrode E2 Ag, 15 nm thick; Set of organic CEL layers with several emitters allowing a white emission, having the following structure: 27 nm of 1% doped SpiroTTB F4TCNQ (tetrafluorotetracyanoquinodimethane) / 5 nm of YD3 doped NPB (ethyl 4- (1-benzyl-1H) indazol-3-yl) benzoate) at 1% / 22nm BD3-doped Bh3 at 1.5% / 5nm of Alq3 (tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum) 1 24nm of Bphen (4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline ) doped Ca at 2%; Electrode El in Ag, thickness of 15 nm; "Capping layer" and SiO anti-reflective layer, 70 nm thick. Its reflectivity is illustrated in FIG. 6. 5th example of embodiment This is still a top-emitting diode, the 2 Structure is: Si substrate acting as a CR layer; Thermal SiO 2 layer, 150 nm thick, acting as a CAS-layer; Al layer, 10 nm thick, acting as a third CR layer; - SiO2 layer 150 nm thick, acting as second layer CAT; Electrode E2 Ag, 15 nm thick; CEL organic layer assembly, 100 nm total thickness having the following structure: 34 nm of 1% F4TCNQ doped SpiroTTB 5 nm of 1% doped YD3 NPB 122 nm of BD3 doped 1.5% Bh3 15 nm of Alg3 134 nm of Bphen doped Ca at 2%; Electrode El in Ag, 15 nm thick; "Capping layer" consisting of a layer of SiO, 50 nm thick. The reflectivity of this structure is represented (in percentage) in FIG. 7, curve Ri. The curves R2 and R3 are z o represented by comparison. They show: R2, the reflectivity of a simple AICu electrode; R3, that of a conventional diode for a green emission having the following structure: Ag (thick 150nm) 1 Spiro TTB doped F4TCNQ 1% (45nm) 1 NPB (10nm) 1 TMM004 doped TEG341 15% (20nm) 1 Alg3 (5nm) Ca 2% doped Bphen (30 nm) 1 SiO 90nm. A conventional diode reflects more than 60% in the visible range while the low reflectivity stack months of 12%. The introduction of a colored filter would make it possible to extinguish the tails of bands in blue and red, and finally to approach a null reflection in the visible one. 20

Claims

REVENDICATIONS1. Diode organique électroluminescente constituée par un empilement multicouche comportant : - une première électrode transparente ou semi-transparente (E7) ; - une deuxième électrode (E2), transparente ou partiellement réfléchissante, définissant avec ladite première électrode un espace inter-électrodes ; et - au moins une couche organique électroluminescente (CEL) dans ledit espace inter-électrodes ; caractérisée en ce qu'elle comprend également, à l'extérieur dudit espace inter-électrodes, un empilement d'au moins deux couches (CR, CAT) réalisées en au moins deux matériaux différents, dont les épaisseurs et les indices de réfraction sont choisis de telle manière que l'empilement multicouche forme un filtre interférentiel coupe-bande pour réduire la réflectivité de ladite diode organique électroluminescente. REVENDICATIONS1. An electroluminescent organic diode consisting of a multilayer stack comprising: a first transparent or semi-transparent electrode (E7); a second electrode (E2), transparent or partially reflecting, defining with said first electrode an inter-electrode gap; and at least one organic electroluminescent layer (CEL) in said inter-electrode space; characterized in that it also comprises, outside said inter-electrode space, a stack of at least two layers (CR, CAT) made of at least two different materials, whose thicknesses and refractive indices are chosen such that the multilayer stack forms a band-pass interference filter to reduce the reflectivity of said organic electroluminescent diode.

2. Diode organique électroluminescente selon la revendication 1 dans lequel les épaisseurs et les indices de réfraction des couches (CR, CAT) dudit empilement situé à l'extérieur de l'espace inter-électrodes sont choisis de telle manière que l'empilement multicouche forme un filtre interférentiel coupe-bande dans la bande d'émission de ladite couche organique électroluminescente. 2. Organic electroluminescent diode according to claim 1 wherein the thicknesses and refractive indices of the layers (CR, CAT) of said stack located outside the inter-electrode space are chosen in such a way that the multilayer stack forms a band-stop interference filter in the emission band of said organic electroluminescent layer.

3. Diode organique électroluminescente selon l'une des revendications 1 ou 2 dans lequel ledit empilement d'au moins deux couches situé à l'extérieur de l'espace inter-électrodes est jointif avec ladite deuxième électrode, qui est partiellement réfléchissante. 3. Organic electroluminescent diode according to one of claims 1 or 2 wherein said stack of at least two layers located outside the inter-electrode space is joined with said second electrode, which is partially reflective.

4. Diode organique électroluminescente selon la revendication 3 dans lequel ledit empilement d'au moins deux couches situé à l'extérieur de l'espace inter-électrodes comprend : - une première couche (CAT), transparente ou partiellement absorbante, jointive avec ladite deuxième électrode (E2) partiellement réfléchissante ; et- une deuxième couche (CR) partiellement ou totalement réfléchissante, jointive avec ladite première couche. 4. Organic electroluminescent diode according to claim 3 wherein said stack of at least two layers located outside the inter-electrode space comprises: a first layer (CAT), transparent or partially absorbent, contiguous with said second layer; electrode (E2) partially reflecting; and a second or partially reflective second layer (CR) joined to said first layer.

5. Diode organique électroluminescente selon l'une des revendications 1 ou 2 dans lequel ledit empilement d'au moins deux couches situé à l'extérieur de l'espace inter-électrodes comprend : - une première couche, partiellement réfléchissante, jointive avec ladite deuxième électrode ; - une deuxième couche, transparente ou partiellement absorbante, jointive avec ladite deuxième électrode ; et - une troisième couche partiellement ou totalement réfléchissante, jointive avec ladite deuxième couche. 5. Organic electroluminescent diode according to one of claims 1 or 2 wherein said stack of at least two layers located outside the inter-electrode space comprises: - a first layer, partially reflective, contiguous with said second electrode; a second layer, transparent or partially absorbent, contiguous with said second electrode; and a third partially or totally reflective layer, joined to said second layer.

6. Diode électroluminescente selon l'une des revendications précédentes dans lequel au moins un des matériaux formant ledit empilement ledit empilement d'au moins deux couches situé à l'extérieur de l'espace inter- électrodes est un matériau isolant. 6. Light emitting diode according to one of the preceding claims wherein at least one of the materials forming said stack said stack of at least two layers located outside the inter-electrode space is an insulating material.

7. Diode électroluminescente selon l'une des revendications précédentes dans lequel au moins un des matériaux formant ledit empilement ledit empilement d'au moins deux couches situé à l'extérieur de l'espace inter-électrodes est un matériau isolant ou semiconducteur partiellement réfléchissant. 7. Light emitting diode according to one of the preceding claims wherein at least one of the materials forming said stack said stack of at least two layers located outside the inter-electrode space is a partially reflective insulating or semiconductor material.

8. Diode électroluminescente selon l'une des revendications précédentes dans lequel ledit empilement ledit empilement d'au moins deux couches situé à l'extérieur de l'espace inter-électrodes comprend une alternance d'au moins une couche en un matériau organique et d'au moins une couche en un matériau inorganique. 8. light emitting diode according to one of the preceding claims wherein said stack said stack of at least two layers located outside the inter-electrode space comprises an alternation of at least one layer of an organic material and d at least one layer of an inorganic material.

9. Diode électroluminescente selon l'une des revendications précédentes comprenant également un filtre optique passe-bande absorbant (FpB) disposé à l'extérieur dudit espace inter-électrodes, du côté opposé à celui dudit empilement ledit empilement d'au moins deux couches. 9. Light-emitting diode according to one of the preceding claims also comprising an absorbent band-pass optical filter (FpB) disposed outside said inter-electrode space, on the side opposite to that of said stack said stack of at least two layers.

10. Diode électroluminescente selon la revendication 9 dans lequel ledit filtre optique passe-bande présente une bande passante centrée sur un minimum de la réflectivité en incidence normale dudit filtre interférentiel coupe-bande. The light emitting diode of claim 9 wherein said bandpass optical filter has a bandwidth centered on a minimum of the normal incident reflectivity of said band-stop interference filter.

11. Diode électroluminescente selon la revendication 10 dans lequel la bande passante dudit filtre optique passe-bande présente une largeur spectrale inférieure ou égale à celle dudit filtre interférentiel coupe-bande. The light emitting diode of claim 10 wherein the bandwidth of said bandpass optical filter has a spectral width less than or equal to that of said band-stop interference filter.

12. Diode électroluminescente selon l'une des revendications 9 à 11 dans lequel la bande passante dudit filtre optique passe-bande est superposée à la bande d'émission de ladite couche organique électroluminescente. 12. Light emitting diode according to one of claims 9 to 11 wherein the bandwidth of said optical bandpass filter is superimposed on the emission band of said organic electroluminescent layer.

13. Diode électroluminescente selon l'une des revendications précédentes dans lequel une des couches dudit empilement ledit empilement Zo d'au moins deux couches situé à l'extérieur de l'espace inter-électrodes est un substrat réfléchissant sur lequel est déposée ladite diode. 13. Light emitting diode according to one of the preceding claims wherein a layer of said stack said Zo stack of at least two layers located outside the inter-electrode space is a reflective substrate on which is deposited said diode.

14. Ecran (EEL) comportant une pluralité de diodes électroluminescentes selon l'une des revendications précédentes, présentant des longueurs d'onde d'émission différentes et agencées de manière à former 15 une matrice de pixels. 14. Screen (EEL) having a plurality of light-emitting diodes according to one of the preceding claims, having different emission wavelengths and arranged to form a matrix of pixels.

15. Ecran selon la revendication 14 dans lequel lesdites diodes électroluminescentes partagent un même dit empilement ledit empilement d'au moins deux couches situé à l'extérieur de l'espace inter-électrodes. 20 15. Screen according to claim 14 wherein said light emitting diodes share a said stack said stack of at least two layers located outside the inter-electrode space. 20