FR2935543A1 - Photo-emissive unit for back light module of e.g. LCD of electronic device, has encapsulation unit covering photo-emissive plate installed on base, and light absorbing part formed on photo-emissive surface constituted by encapsulation unit - Google Patents

Photo-emissive unit for back light module of e.g. LCD of electronic device, has encapsulation unit covering photo-emissive plate installed on base, and light absorbing part formed on photo-emissive surface constituted by encapsulation unit Download PDF

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Abstract

The unit (100) has a photo-emissive plate (2) installed on a base (1). An encapsulation unit (15) is provided on the base, and covers the photo-emissive plate, where the encapsulation unit constitutes a photo-emissive surface (150). A light absorbing part (4) is formed on the photo-emissive surface. The light absorbing part is made of resin with low light transmission ratio and resin with high light transmission ratio. An independent claim is also included for a method for fabricating a photo-emissive unit.

Description

1 Domaine de l'invention La présente invention concerne une unité photoémissive comprenant : - une base, - une plaquette photoémissive installée sur la base, - un moyen d'encapsulage prévu sur la base et couvrant la plaquette photoémissive, - ce moyen d'encapsulage constituant une surface photoémissive, et - une partie absorbant la lumière est formée sur la surface photoémissive. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une unité photoémissive présentant une intensité lumineuse conforme. Etat de la technique 15 Actuellement, on utilise des modules d'éclairage par l'arrière dans des dispositifs d'affichage pour émettre un faisceau de lumière. Selon de telles normes, les composants RoHS, les diodes photoémissives (LED) ont remplacé les lampes fluorescentes à cathode froide (CCFL) utilisées comme modules d'éclairage arrière et servant de 20 sources lumineuses. Un module d'éclairage par l'arrière, de grandes dimensions par exemple ayant des dimensions supérieures à 20 pouces, s'utilise pour la télévision. Un module d'éclairage par l'arrière de dimensions moyennes par exemple inférieure à 17 pouces et supérieure à 12 pouces 25 s'utilise dans les écrans des petits ordinateurs portables. Un dispositif d'affichage à cristaux liquides de petite dimension par exemple inférieure à 10 pouces sert dans les téléphones mobiles, les assistants numériques personnels, les caméras et appareils photographiques numériques, etc.. 30 Généralement, le module d'éclairage par l'arrière comporte de nombreuses diodes LED réparties en ligne ou selon un réseau pour émettre une intensité lumineuse suffisante. Selon les considérations de distribution de l'intensité lumineuse du module d'éclairage arrière, toutes les diodes LED utilisées dans un module d'éclairage par 35 l'arrière doivent fournir une intensité lumineuse appropriée. FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a light emitting unit comprising: a base, a photoemissive plate installed on the base, an encapsulation means provided on the base and covering the light-emitting plate, this encapsulation means forming a light emitting surface, and - a light absorbing portion is formed on the light emitting surface. The invention also relates to a method of manufacturing a photoemissive unit having a consistent light intensity. State of the art Currently, backlighting modules are used in display devices to emit a light beam. According to such standards, RoHS components, light emitting diodes (LEDs) have replaced cold cathode (CCFL) fluorescent lamps used as back light modules and serving as light sources. A rear light module, large for example having dimensions greater than 20 inches, is used for television. A rear-lighting module of average dimensions, for example less than 17 inches and greater than 12 inches 25 is used in the screens of small laptops. A small LCD display device, for example less than 10 inches, is used in mobile phones, personal digital assistants, digital cameras and cameras, etc. Generally, the rear light module has many LEDs distributed in line or in a network to emit sufficient light intensity. According to the light intensity distribution considerations of the rear light module, all the LEDs used in a rear light module must provide a suitable light intensity.

2 Pour fabriquer un module d'éclairage par l'arrière dont la distribution de l'intensité lumineuse est uniforme, il est nécessaire de prendre et de sélectionner des diodes LED donnant une intensité lumineuse appropriée selon une certaine procédure avant de fabriquer le module d'éclairage par l'arrière proprement dit. Toutefois, le coût lié à de telles diodes LED dont l'intensité lumineuse peut différer par rapport à une certaine intensité lumineuse, est important. But de l'invention La présente invention a pour but de remédier à ces inconvénients et se propose de développer une unité photoémissive ayant une intensité lumineuse uniforme ainsi qu'un procédé de fabrication économique d'une telle unité. Exposé et avantages de l'invention A cet effet, l'invention concerne une unité photoémissive 15 du type défini ci-dessus, caractérisée en ce que la partie absorbant la lumière est réalisée avec des micropastilles ou microbilles absorbant la lumière. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une unité photoémissive du type défini ci-dessus, caractérisée en ce 20 que - on fixe un seuil d'intensité lumineuse, - on mesure l'intensité lumineuse d'une unité photoémissive à mesurer, - on calcule une valeur d'écart entre le seuil de l'intensité lumineuse et l'intensité lumineuse mesurée fournie par l'unité photoémissive à mesu- 25 rer, - on réalise une partie absorbant la lumière ayant un rapport d'absorption lumineuse directement proportionnel à la valeur de l'écart, et - on place cette partie absorbant la lumière sur l'élément optique de l'unité photoémissive à mesurer. 30 Suivant d'autres caractéristiques avantageuses de photoémissive la partie absorbant la lumière est réalisée avec des micropastilles ou microbilles absorbant la lumière. La partie absorbant la lumière est réalisée avec une première résine à faible rapport de transmission de lumière et d'une se- 35 conde résine avec un rapport de transmission de lumière, élevé. 2 To manufacture a rear light module with a uniform luminous intensity distribution, it is necessary to select and select LEDs with appropriate light intensity according to a certain procedure before making the module. rear lighting proper. However, the cost of such LEDs whose light intensity may differ from a certain light intensity, is important. OBJECT OF THE INVENTION The present invention aims to overcome these disadvantages and proposes to develop a light emitting unit having a uniform light intensity and a method of economic manufacture of such a unit. DESCRIPTION AND ADVANTAGES OF THE INVENTION For this purpose, the invention relates to a light emitting unit 15 of the type defined above, characterized in that the light-absorbing part is produced with micropellets or microspheres absorbing light. The invention also relates to a method for manufacturing a light emitting unit of the type defined above, characterized in that a threshold of luminous intensity is fixed; the luminous intensity of a light emitting unit to be measured is measured. a difference value between the threshold of the luminous intensity and the measured luminous intensity provided by the light emitting unit to be measured is calculated; a light-absorbing part having a light absorption ratio is produced; directly proportional to the value of the difference, and - this light absorbing portion is placed on the optical element of the photoemissive unit to be measured. According to other advantageous features of light-emitting, the light-absorbing part is carried out with micropellets or microspheres absorbing light. The light-absorbing portion is made with a first resin having a low light transmission ratio and a second resin having a high light transmission ratio.

3 La base de l'unité photoémissive comprend : - un substrat, - un premier contact métallique placé sur la surface supérieure du substrat, la plaquette photoémissive étant installée et reliée au premier contact métallique, - un second contact métallique est placé sur la surface supérieure du substrat, - un fil de liaison relie la plaquette photoémissive et le second contact métallique, et - un capuchon réfléchissant est installé sur la surface supérieure du substrat logeant la plaquette photoémissive, le fil de liaison et le moyen d'encapsulage. L'unité photoémissive est aussi caractérisée en ce que le moyen d'encapsulage est mélangé à des photophores. 3 The base of the light emitting unit comprises: - a substrate, - a first metal contact placed on the upper surface of the substrate, the light emitting plate being installed and connected to the first metal contact, - a second metal contact is placed on the upper surface of the substrate, - a connecting wire connects the light emitting plate and the second metal contact, and - a reflective cap is installed on the upper surface of the substrate housing the light emitting plate, the connecting wire and the encapsulating means. The photoemissive unit is also characterized in that the encapsulating means is mixed with photophores.

Elle se caractérise aussi en ce qu'elle comprend : - une base, - une plaquette photoémissive installée sur la base, - un moyen d'encapsulage prévu sur la base et couvrant la plaquette photoémissive, - ce moyen d'encapsulage constituant une surface photoémissive, et le faisceau lumineux émis par la plaquette photoémissive et sortant de la surface photoémissive définit un chemin lumineux, - un élément optique placé dans le chemin lumineux, et - une partie absorbant la lumière formée sur l'élément optique. It is also characterized in that it comprises: a base, a photoemissive plate installed on the base, an encapsulation means provided on the base and covering the light-emitting plate, this encapsulation means constituting a photoemissive surface. , and the light beam emitted by the light emitting plate and leaving the light emitting surface defines a light path, - an optical element placed in the light path, and - a light absorbing portion formed on the optical element.

Une autre caractéristique est que la partie absorbant la lumière est réalisée avec des micropastilles ou microbilles absorbant la lumière. L'invention se caractérise encore en ce que l'élément op-tique est un élément transparent à la lumière ou un élément réfléchis- saut la lumière et la partie absorbant la lumière est faite d'une première résine à faible rapport de transmission lumineux et une seconde résine à fort rapport de transmission lumineux. L'unité photoémissive se caractérise en ce qu'elle comprend : - un substrat, Another feature is that the light absorbing portion is made with micropellets or microspheres absorbing light. The invention is further characterized in that the optical element is a light-transparent element or a light reflective element and the light absorbing portion is made of a first light-transmitting resin and a second resin with a high light transmission ratio. The photoemissive unit is characterized in that it comprises: - a substrate,

4 - un premier contact métallique placé sur la surface supérieure du substrat, la plaquette photoémissive étant montée et reliée sur le premier contact métallique auquel elle est reliée, - un second contact métallique placé sur la surface supérieure du subs- trat, - un fil de liaison reliant la plaquette photoémissive et le second contact métallique, et - un capuchon réfléchissant installé sur la surface supérieure du substrat logeant la plaquette photoémissive, le fil de liaison et le moyen d'en-capsulage. Enfin une autre caractéristique est que le moyen d'en-capsulage est mélangé à des photophores. Le procédé selon l'invention est en outre caractérisé en ce que : 15 on réalise la partie absorbant la lumière (4) selon les étapes suivantes : - on fixe un seuil de plage d'intensité lumineuse, et - on pulvérise des micropastilles absorbant la lumière sur l'élément op-tique pour former une partie absorbant la lumière si l'intensité lumineuse mesurée, fournie par cette unité photoémissive à mesurer se 20 situe dans la plage du seuil de l'intensité lumineuse, le rapport d'absorption lumineuse de la partie photoémissive étant directement proportionnel à la quantité de micropastilles absorbant la lumière. De plus ce procédé est appliqué à la fabrication de la partie absorbant la lumière et il comprend les étapes suivantes : 25 - on fixe une plage de seuil de l'intensité lumineuse, - on ajoute une première résine à faible rapport de transmission lumineuse et une seconde résine à fort rapport de transmission lumineuse que l'on applique sur l'élément optique si l'intensité lumineuse mesurée, fournie par cette unité photoémissive se situe dans la plage du seuil de 30 l'intensité lumineuse, et - on fait durcir la première résine et la seconde résine pour former la partie absorbant la lumière, le rapport d'absorption lumineuse de la partie absorbant la lumière étant directement proportionnel à la quanti-té de la première résine. Il se caractérise aussi en ce que la première résine et la seconde résine de la partie absorbant la lumière sont à structure stratifiée et ces deux résines sont mélangées puis on les applique à l'élément optique pour former la partie absorbant la lumière. 5 En outre l'élément optique est une plaquette photoémissive ou un élément transparent ou un élément réfléchissant la lumière. Le faisceau lumineux émis par l'unité photoémissive selon l'invention notamment par la plaquette photoémissive traversé la partie absorbant la lumière de sorte qu'une faible quantité d'énergie est absorbée par cette partie absorbant la lumière, suffisante pour diminuer l'intensité lumineuse. L'unité photoémissive avec la partie absorbant la lumière présente ainsi une intensité lumineuse appropriée grâce au rapport d'absorption de lumière par la partie absorbant la lumière et qui est directement proportionnelle à l'écart de l'intensité lumineuse. A first metal contact placed on the upper surface of the substrate, the light emitting plate being mounted and connected to the first metal contact to which it is connected, a second metal contact placed on the upper surface of the substrate, a wire of FIG. link connecting the light-emitting wafer and the second metal contact, and - a reflective cap installed on the upper surface of the substrate housing the light-emitting wafer, the connecting wire and the encapsulating means. Finally, another characteristic is that the encapsulating means is mixed with photophores. The method according to the invention is further characterized in that: the light absorbing part (4) is produced according to the following steps: - a light intensity range threshold is fixed, and - micropellets absorbing the light are sprayed. light on the optic element to form a light absorbing portion if the measured light intensity provided by the light emitting unit to be measured is in the range of the light intensity threshold, the light absorption ratio of the photoemissive part being directly proportional to the quantity of micropellets absorbing the light. In addition, this method is applied to the manufacture of the light absorbing part and comprises the following steps: a threshold range of the light intensity is fixed; a first resin with a low light transmission ratio and a second resin with a high light transmission ratio which is applied to the optical element if the measured light intensity provided by this light emitting unit is in the range of the light intensity threshold, and - the first resin and the second resin to form the light absorbing portion, the light absorption ratio of the light absorbing portion being directly proportional to the amount of the first resin. It is also characterized in that the first resin and the second resin of the light absorbing portion are of laminated structure and these two resins are mixed and then applied to the optical element to form the light absorbing portion. In addition, the optical element is a photoemissive plate or a transparent element or a light reflecting element. The light beam emitted by the light emitting unit according to the invention in particular by the light emitting plate through the light absorbing portion so that a small amount of energy is absorbed by this light absorbing portion, sufficient to reduce the light intensity . The light emitting unit with the light absorbing portion thus has a suitable light intensity due to the light absorbing ratio by the light absorbing portion and being directly proportional to the difference in light intensity.

Dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l'aide des dessins annexés dans lesquels : - la figure 1 est une vue en coupe d'un premier mode de réalisation d'une unité photoémissive selon l'invention, - la figure 2 montre un ordinogramme d'un procédé de fabrication d'une unité photoémissive selon l'invention, - la figure 3 montre un ordinogramme d'un procédé de fabrication d'une partie d'absorption de lumière par dispersion de boulettes absorbant la lumière selon l'invention, - la figure 4 est une vue en coupe de l'unité photoémissive dont la partie absorbant la lumière est réalisée avec des micro boulettes absorbant la lumière selon la présente invention, - la figure 5 montre un ordinogramme d'un procédé de fabrication de la partie absorbant la lumière en ajoutant différentes résines selon l'invention, - la figure 6 est une vue en coupe de la partie absorbant la lumière selon une réalisation verticale, stratifiée de l'invention, - la figure 7 est une vue en coupe de la partie absorbante formée suivant une structure horizontale, stratifiée selon l'invention, Drawings The present invention will be described hereinafter in more detail with the aid of the accompanying drawings in which: - Figure 1 is a sectional view of a first embodiment of a light emitting unit according to the invention, - FIG. 2 shows a flow chart of a method for manufacturing a light emitting unit according to the invention; FIG. 3 shows a flow chart of a method for manufacturing a light absorbing portion by dispersion of pellets absorbing the light emitting According to the invention, FIG. 4 is a sectional view of the light emitting unit whose light-absorbing portion is made with light absorbing micro balls according to the present invention; FIG. 5 shows a flowchart of a method of manufacturing the light-absorbing portion by adding different resins according to the invention; - Fig. 6 is a sectional view of the light-absorbing portion in a vertical embodiment, laminated with FIG. 7 is a sectional view of the absorbent part formed in a horizontal structure, laminated according to the invention,

6 - la figure 8 est une vue en coupe de la partie absorbante réalisée sous la forme d'une structure oblique stratifiée selon l'invention, - la figure 9 est une vue en coupe de la partie absorbante formée d'un mélange de résines selon l'invention, - la figure 10 est une vue en coupe d'un second mode de réalisation d'une unité photoémissive selon la présente invention, et - la figure 11 est une vue en coupe d'un troisième mode de réalisation d'une unité photoémissive selon l'invention. Description détaillée de modes de réalisation préférentiels La figure 1 montre un premier exemple de réalisation d'une unité photoémissive 100. L'unité photoémissive 100 se compose d'une base 1 et d'une plaquette photoémissive 2 placée sur la surface supérieure de la base 1. La base 1 comprend un substrat 10, un premier contact métallique 11, un second contact métallique 12, un fil de liaison 13, un capuchon réfléchissant 14 et un moyen d'encapsulage 15. Le premier contact métallique 11 et le second contact métallique 12 sont placés sur la surface supérieure du substrat 10. La plaquette photoémissive 2 est placée en contact avec le premier contact métallique 11. Le fil de liaison 13 relie la plaquette photoémissive 2 et le second contact métallique 13. Le capuchon réfléchissant 14 est installé sur la surface supérieure du substrat 10 portant la plaquette photoémissive 2 et le fil de liaison 13. Le moyen d'encapsulage 15 est réalisé sur le capuchon réfléchissant 14 et entoure la plaquette photoémissive 12 pour définir une surface photoémissive 150. De manière particulière, le moyen d'en-capsulage 15 est réalisé en une résine transparente ou est mélangé à des lumiphores ou photophores 151. Une source d'alimentation est reliée au premier contact métallique 11 et au second contact métallique 12; la plaquette photoémissive 2 émet ainsi un faisceau lumineux. Si le moyen d'encapsulage 15 est réalisé en une résine transparente, le faisceau lumineux rayonné par la plaquette photoémissive 2 traverse directement le moyen d'en-capsulage 15 pour sortir de la surface photoémissive 150. Si le moyen d'encapsulage 15 est réalisé en une résine transparente mélangée à des FIG. 8 is a sectional view of the absorbent portion made in the form of a laminated oblique structure according to the invention, FIG. 9 is a sectional view of the absorbent part formed of a resin mixture according to the invention. FIG. 10 is a sectional view of a second embodiment of a light emitting unit according to the present invention, and FIG. 11 is a sectional view of a third embodiment of a photoemissive unit according to the invention. DETAILED DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a first exemplary embodiment of a photoemissive unit 100. The photoemissive unit 100 consists of a base 1 and a photoemissive plate 2 placed on the upper surface of the base 1. The base 1 comprises a substrate 10, a first metal contact 11, a second metal contact 12, a connecting wire 13, a reflective cap 14 and encapsulation means 15. The first metal contact 11 and the second metal contact 12 are placed on the upper surface of the substrate 10. The light-emitting wafer 2 is placed in contact with the first metal contact 11. The connecting wire 13 connects the light-emitting wafer 2 and the second metal contact 13. The reflecting cap 14 is installed on the upper surface of the substrate 10 carrying the light emitting plate 2 and the connecting wire 13. The encapsulation means 15 is formed on the reflective cap 14 and surrounds the light emitting plate 12 to define a photoemissive surface 150. In particular, the encapsulation means 15 is made of a transparent resin or is mixed with lumiphores or photophores 151. A power source is connected at the first metal contact 11 and at the second metal contact 12; the photoemissive plate 2 thus emits a light beam. If the encapsulation means 15 is made of a transparent resin, the light beam radiated by the photoemissive wafer 2 passes directly through the encapsulation means 15 to exit the light emitting surface 150. If the encapsulation means 15 is made in a transparent resin mixed with

7 photophores 151, le faisceau lumineux rayonné par la plaquette photoémissive 2 excite les photophores 151 et se réfléchit par ceux-ci ce qui modifie le spectre des fréquences du faisceau et le faisceau lumineux ainsi modifié est rayonné vers l'extérieur par la surface photoémissive 150. De manière précise, le spectre des fréquences du faisceau lumineux rayonné par la surface photoémissive 150 de l'unité photoémissive 15 peut être réglé par le choix du spectre des fréquences du faisceau lumineux émis par la plaquette photoémissive 2 et par les photophores 151. Le faisceau lumineux rayonné par la surface photoémissive 150 de l'unité photoémissive 100 définit un chemin lumineux 3 (ce chemin correspond aux flèches représentées dans les figures). Une partie absorbant la lumière 4 est placée dans le chemin lumineux 3 et plus particulièrement sur la surface photoémissive 150 de l'unité photoémis- 15 sive 100. La figure 2 montre un ordinogramme d'un procédé de fabrication de l'unité photoémissive 100. Le procédé de fabrication comprend les étapes suivantes : SO1 : on fixe préalablement une plage seuil pour l'intensité lumineuse, 20 S02 : on mesure l'intensité lumineuse émise par l'unité photoémissive à mesurer, S03 : on compare l'intensité lumineuse mesurée fournie par l'unité photoémissive à mesurer et la plage du seuil de l'intensité lumineuse, l'intensité lumineuse mesurée émise par l'unité photoémissive à 25 mesurer étant incluse dans la plage de seuil de l'intensité lumineuse et on exécute l'étape SO4 alors que si l'intensité lumineuse mesurée fournie par l'unité photoémissive à mesurer est inférieure à la plage de seuil de l'intensité lumineuse, on passe à l'étape S05; si l'intensité lumineuse mesurée fournie par l'unité 30 photoémissive à mesurer dépasse la plage du seuil de l'intensité lumineuse, on effectue l'étape S06. SO4 : on utilise directement l'unité photoémissive mesurée, S05 : on ne peut utiliser l'unité photoémissive mesurée, et S06 : on forme la partie absorbant la lumière 4 sur la surface photoé- 35 missive 150 de l'unité photoémissive à mesurer pour diminuer 7 photophores 151, the light beam radiated by the light emitting plate 2 excites the photophores 151 and is reflected by them which modifies the frequency spectrum of the beam and the light beam thus modified is radiated outwardly by the light emitting surface 150 Specifically, the spectrum of the frequencies of the light beam radiated by the light emitting surface 150 of the light emitting unit 15 can be regulated by the choice of the frequency spectrum of the light beam emitted by the light emitting plate 2 and the photophores 151. The light beam radiated by the photoemissive surface 150 of the light emitting unit 100 defines a light path 3 (this path corresponds to the arrows shown in the figures). A light absorbing portion 4 is placed in the light path 3 and more particularly on the light emitting surface 150 of the light emitting unit 100. Figure 2 shows a flow chart of a method of manufacturing the light emitting unit 100. The manufacturing method comprises the following steps: SO1: a threshold range for the light intensity is first set, S0 2: the light intensity emitted by the light emitting unit to be measured is measured, S03: the measured light intensity is compared provided by the light emitting unit to be measured and the threshold range of the light intensity, the measured light intensity emitted by the light emitting unit to be measured being included in the threshold range of the light intensity and executing the step SO4 while if the measured light intensity provided by the light emitting unit to be measured is less than the threshold range of the light intensity, step S05; if the measured light intensity provided by the light emitting unit to be measured exceeds the threshold range of light intensity, step S06 is performed. SO 4: the measured light emitting unit is used directly, S05: the measured light emitting unit can not be used, and S06: the light absorbing portion 4 is formed on the photoemissive surface 150 of the light emitting unit to be measured for decrease

8 l'intensité lumineuse de l'unité photoémissive à mesurer et remettre l'intensité lumineuse fournie par l'unité photoémissive à mesurer dans la plage de seuil de l'intensité lumineuse grâce à la partie absorbant la lumière 4. 8 the luminous intensity of the light emitting unit to be measured and to reset the light intensity provided by the light emitting unit to be measured in the light intensity threshold range by means of the light absorbing portion 4.

La figure 3 montre un ordinogramme d'un procédé de fabrication de la partie d'absorption de lumière 4 en pulvérisant des micropastilles ou microbilles 40 absorbant le rayonnement lumineux. Le procédé de fabrication comprend les étapes suivantes : S60 : on calcule la valeur de l'écart entre le seuil de l'intensité lumineuse et l'intensité lumineuse mesurée fournie par l'unité photoémissive à mesurer, et S61 : on pulvérise des microbilles ou micropastilles 40 absorbant la lu- mière sur la surface photoémissive 150 de l'unité photoémissive 100; le degré d'absorption de lumière par les micropastilles ou 15 microbilles 40 est directement proportionnel à l'écart. Selon la figure 4, à titre d'exemple, on fixe le seuil de l'intensité lumineuse à 100 lm/w (lumens par watt). La plage de seuil de l'intensité lumineuse est fixée à un pourcent et c'est pourquoi, cette plage de seuil de l'intensité lumineuse varie de 99 lm/w à 101 lm/w. Si 20 l'intensité lumineuse de l'unité photoémissive à mesurer dépasse 101 lm/w, les microbilles ou micropastilles 40 absorbant la lumière, qui sont pulvérisées par une buse de pulvérisation (non représentée dans les figures) sur la surface photoémissive 150 de l'unité photoémissive à mesurer formant une partie absorbant la lumière 4. 25 La quantité de micropastilles ou microbilles 40 absorbant la lumière est directement proportionnelle à l'écart. Les micropastilles ou microbilles 40 absorbant la lumière peuvent être pulvérisées en continu à l'aide d'une buse commandée dans le temps et la quantité de micropastilles absorbant la lumière 40 se règle par la durée de la pulvé- 30 risation. Les micropastilles absorbant la lumière 40 peuvent être pulvé- risées pendant une durée commandée par la buse. L'unité photoémissive à mesurer est utilisée directement si son intensité lumineuse se situe dans la plage de seuil fixée pour l'intensité lumineuse. Les micropastilles 40 absorbant la lumière sont pul- 35 vérisées sur la surface photoémissive 150 pour former une partie Figure 3 shows a flow chart of a method of manufacturing the light absorbing portion 4 by spraying micropellets or microbeads 40 absorbing light radiation. The manufacturing method comprises the following steps: S60: the value of the difference between the threshold of the light intensity and the measured light intensity provided by the light emitting unit to be measured is calculated, and S61: microbeads are sprayed or micropellets 40 absorbing light onto the light emitting surface 150 of the photoemissive unit 100; the degree of light absorption by micropellets or microbeads 40 is directly proportional to the deviation. According to FIG. 4, for example, the threshold of the luminous intensity is fixed at 100 lm / w (lumens per watt). The threshold range of light intensity is set at one percent, which is why this threshold range of light intensity varies from 99 lm / w to 101 lm / w. If the light intensity of the photoemissive unit to be measured exceeds 101 lm / w, the light-absorbing microbeads or micropellets 40, which are sprayed by a spray nozzle (not shown in the figures) onto the light emitting surface 150 of light emitting unit forming a light absorbing portion 4. The amount of light absorbing microbeads or microbeads 40 is directly proportional to the deviation. Light-absorbing microbeads or microbeads 40 can be continuously sprayed using a time-controlled nozzle and the amount of light-absorbing micropellets 40 is controlled by the duration of spraying. The light-absorbing micropellets 40 may be sprayed for a duration controlled by the nozzle. The photoemissive unit to be measured is used directly if its light intensity is within the threshold range set for the luminous intensity. Light absorbing micropellets 40 are sprayed onto the light emitting surface 150 to form a portion

9 absorbant la lumière 4 si l'intensité lumineuse de l'unité photoémissive à mesurer dépasse la plage de seuil de l'intensité lumineuse. La quantité de micropastilles absorbant la lumière en fonction du rapport d'absorption lumineuse de la partie absorbant la lumière 4 est directement proportionnelle à la valeur de décalage entre le seuil de l'intensité lumineuse et l'intensité lumineuse mesurée. C'est pourquoi l'unité photoémissive 100 munie de la partie absorbant la lumière 4 présente une intensité lumineuse appropriée. La figure 5 montre un ordinogramme d'un procédé de fa- brication d'un procédé de fabrication de la couche photo-absorbante par l'adjonction de différentes résines. Le procédé de fabrication comprend les étapes suivantes : S60' : on calcule l'écart entre le seuil de l'intensité lumineuse et l'intensité lumineuse mesurée fournie par l'unité photoémissive à me- surer, S61' : on ajoute une première résine 41 ayant un faible rapport de transmission lumineuse et une seconde résine 42 ayant un fort rapport de transmission lumineux sur la surface photoémissive 150 de l'unité photoémissive à mesurer; la quantité de la pre- mière résine 41 est directement proportionnelle à l'écart, et S62' : on fait durcir la première résine 41 et la seconde résine 42 pour former la partie absorbant la lumière 4. Selon un autre cas, on fixe le seuil de l'intensité lumineuse à 100 ml/w. La plage de seuil de l'intensité lumineuse est fixée à un pourcent si bien que la plage de seuil de l'intensité lumineuse varie entre 99 lm/w et 101 ml/w. Si l'intensité lumineuse émise par l'unité photoémissive à mesurer se situe entre 99 ml/w et 101 ml/w, on applique seulement la seconde résine 42 sur la surface photoémissive 150, l'unité photoémissive à mesurer pour former la partie absorbant la lu- mière 4. Si l'intensité lumineuse de l'unité photoémissive mesurée dépassant 101 ml/w, on ajoute la première résine 41 et la seconde ré-sine 42 à la surface photoémissive 150 de l'unité photoémissive à mesurer pour former la partie absorbant la lumière 4. La partie absorbant la 9 absorbing light 4 if the light intensity of the light emitting unit to be measured exceeds the threshold range of light intensity. The amount of micropellets absorbing light as a function of the light absorption ratio of the light absorbing portion 4 is directly proportional to the offset value between the threshold of light intensity and the measured light intensity. Therefore, the light emitting unit 100 provided with the light absorbing portion 4 has a suitable light intensity. FIG. 5 shows a flowchart of a process for manufacturing a process for manufacturing the light-absorbing layer by the addition of different resins. The manufacturing method comprises the following steps: S60 ': the difference between the threshold of the luminous intensity and the measured luminous intensity provided by the photoemissive unit to be measured is calculated, S61': a first resin is added 41 having a low light transmission ratio and a second resin 42 having a high light transmission ratio on the photoemissive surface 150 of the light emitting unit to be measured; the amount of the first resin 41 is directly proportional to the difference, and S62 ': the first resin 41 and the second resin 42 are cured to form the light-absorbing portion 4. In another case, the threshold of light intensity at 100 ml / w. The threshold range of light intensity is set at one percent so that the threshold range of light intensity varies between 99 lm / w and 101 ml / w. If the luminous intensity emitted by the photoemissive unit to be measured is between 99 ml / w and 101 ml / w, only the second resin 42 is applied to the photoemissive surface 150, the light emitting unit to be measured to form the absorbing part 4. If the luminous intensity of the measured light emitting unit exceeds 101 ml / w, the first resin 41 and the second resin 42 are added to the photoemissive surface 150 of the light emitting unit to be measured to form the light-absorbing part 4. The absorbing part of the

i0 lumière 4 peut être durcie en chauffant ou en utilisant le rayonnement ultraviolet. De manière précise, l'indice de réfraction de la première résine 41 est le même que l'indice de réfraction de la seconde résine 42. Light 4 can be cured by heating or using ultraviolet radiation. Specifically, the refractive index of the first resin 41 is the same as the refractive index of the second resin 42.

La première résine 41 et la seconde résine 42 peuvent être appliquées sur la surface photoémissive 150 à l'aide d'un moyen applicateur ou en la versant. La quantité de la première résine 41 est directement proportionnelle à la valeur de l'écart. La première résine 41 et la seconde résine 42 peuvent io être ajoutées à la surface photoémissive 150 pour former une structure stratifiée. On se reportera à la figure 6. La partie absorbant la lumière 4 est réalisée sous la forme d'une structure verticale stratifiée. La figure 7 montre la partie 4 absorbant la lumière qui est une structure stratifiée horizontale. La figure 8 montre une partie absorbant la lumière 4 for- 15 mée par une structure oblique stratifiée. De plus, on peut mélanger la première résine 41 et la seconde résine 42 puis les appliquer sur la surface photoémissive 150. La figure 9 montre la partie absorbant la lumière 4 réalisée par le mélange de la première et de la seconde résine 41, 42. 20 Si l'intensité lumineuse se situe dans la plage de seuil de l'intensité lumineuse, on ajoute seulement la seconde résine 42 à la surface photoémissive 150 pour former la partie absorbant la lumière 4. La première résine 41 et la seconde résine 42 sont appliquées sur la surface photoémissive 150 de l'unité photoémissive à mesurer pour 25 former la partie absorbant la lumière 4 si l'intensité lumineuse de l'uni-té photoémissive à mesurer dépasse le seuil de l'intensité lumineuse. La quantité de la première résine 41 par rapport au rapport d'absorption de lumière de la partie absorbant la lumière 4 est directement proportionnelle à la valeur de l'écart entre le seuil de 30 l'intensité lumineuse et l'intensité lumineuse mesurée. C'est pourquoi, l'unité photoémissive munie de la partie absorbante a une intensité lumineuse appropriée. La figure 10 montre un second mode de réalisation d'une unité photoémissive 100. L'unité photoémissive 100 comporte en outre 35 un élément optique transparent 5 en forme de plaque, placé dans le The first resin 41 and the second resin 42 may be applied to the light emitting surface 150 by means of applicator means or by pouring it. The quantity of the first resin 41 is directly proportional to the value of the difference. The first resin 41 and the second resin 42 may be added to the photoemissive surface 150 to form a laminate structure. Referring to FIG. 6, the light absorbing portion 4 is in the form of a laminated vertical structure. Figure 7 shows the light absorbing portion 4 which is a horizontal laminate structure. Figure 8 shows a light absorbing portion 4 formed by a laminated oblique structure. In addition, the first resin 41 and the second resin 42 can be mixed and then applied to the photoemissive surface 150. FIG. 9 shows the light absorbing portion 4 made by mixing the first and second resin 41, 42. If the light intensity is within the threshold range of the light intensity, only the second resin 42 is added to the light emitting surface 150 to form the light absorbing portion 4. The first resin 41 and the second resin 42 are applied to the light-emitting surface 150 of the light emitting unit to be measured to form the light-absorbing portion 4 if the light intensity of the photoemissive unit to be measured exceeds the threshold of light intensity. The amount of the first resin 41 relative to the light absorption ratio of the light absorbing portion 4 is directly proportional to the value of the difference between the threshold of the light intensity and the measured light intensity. Therefore, the light emitting unit provided with the absorbing portion has a suitable light intensity. Fig. 10 shows a second embodiment of a light emitting unit 100. The light emitting unit 100 further comprises a transparent optical element 5 in the form of a plate, placed in the

11 chemin lumineux 3. La partie absorbant la lumière 4 est réalisée sur une surface de l'élément optique transparent 5. L'élément optique transparent 5 est placé parallèlement au-dessus et de façon écartée par rapport à la surface photoémissive 150. En outre, l'élément optique transparent 15 peut être relié à la surface photoémissive 150. La figure 11 montre un troisième mode de réalisation d'une unité photoémissive 100 donnée à titre d'exemple. L'unité photoémissive 100 comporte en outre un élément 6 réfléchissant la lumière, en forme de plaque. Cet élément est placé dans le chemin lumineux 3. The light-absorbing portion 4 is formed on a surface of the transparent optical element 5. The transparent optical element 5 is placed parallel to it above and spaced apart from the light-emitting surface 150. , the transparent optical element 15 can be connected to the light emitting surface 150. FIG. 11 shows a third embodiment of a light emitting unit 100 given by way of example. The light emitting unit 100 further comprises a plate-like light reflective element 6. This element is placed in the light path 3.

La partie absorbant la lumière 4 est formée sur une face de l'élément 6 réfléchissant la lumière. L'élément 6 réfléchissant la lumière est disposé dans une position optique et de façon écartée par rapport à la surface photoémissive 150. Le faisceau lumineux rayonné par la plaquette photoé- missive 2, qui sort de la surface photoémissive 150 traverse ensuite la partie absorbant la lumière 4 sur l'élément réfléchissant la lumière 6. Le faisceau lumineux est ainsi réfléchi par l'élément réfléchissant la lumière 6 pour être ensuite rayonné de nouveau à travers la partie absorbant la lumière 4. On peut diminuer la quantité de microbilles ou micropastilles 40 absorbant la lumière ou la quantité de la première ré-sine 41 peuvent car le faisceau lumineux traverse deux fois la partie absorbant la lumière 4. La partie absorbant la lumière 4 est réalisée en une matière absorbant la lumière telle que des micropastilles ou microbilles 40 absorbant la lumière ; la première résine 41 un faible rapport de transmission de lumière (faible rapport de transparence) appliquée sur l'élément optique du chemin lumineux 3 de l'unité photoémissive 100 telle que la surface photoémissive 150 du moyen d'encapsulage 15, de l'élément transparent 5 et de l'élément réfléchissant la lumière 6 pour dimi- nuer l'intensité lumineuse fournie par l'unité photoémissive 100. La quantité de micropastilles ou microbilles 40 absorbant la lumière et la quantité de la première résine 41 avec le faible rapport de transmission sont directement proportionnelles au décalage entre le seuil de l'intensité lumineuse et l'intensité lumineuse initiale fournie par l'unité photoémissive 100. The light absorbing portion 4 is formed on one face of the light reflecting member 6. The light-reflecting element 6 is disposed in an optical position and spaced from the light-emitting surface 150. The light beam radiated by the light-emitting wafer 2, which emerges from the light-emitting surface 150, then passes through the light-absorbing portion. light 4 on the light reflecting element 6. The light beam is thus reflected by the light reflecting member 6 to be subsequently radiated back through the light absorbing portion 4. The amount of microbeads or micropellets can be decreased 40 The light absorbing portion 4 is made of a light-absorbing material such as micropellets or microbeads 40 absorbing the light or the quantity of the first resins 41 because the light beam passes through the light absorbing portion twice. the light ; the first resin 41 has a low light transmission ratio (low transparency ratio) applied to the optical element of the light path 3 of the photoemissive unit 100 such as the light emitting surface 150 of the encapsulation means 15, of the element 5 and the light reflecting member 6 to reduce the light intensity provided by the light emitting unit 100. The amount of light absorbing microbeads or microbeads 40 and the amount of the first resin 41 with the low light ratio. transmission are directly proportional to the difference between the light intensity threshold and the initial light intensity provided by the light emitting unit 100.

12 Pour le faisceau lumineux rayonné par l'unité photoémissive à mesurer et qui a traversé la partie absorbant la lumière 4, une faible partie de l'énergie lumineuse est absorbée par la partie absorbant la lumière 4 ce qui diminue l'intensité lumineuse de l'unité photoémis- sive 4. L'unité photoémissive 100 avec la partie absorbant la lumière 4 fournit ainsi une intensité lumineuse appropriée, grâce au rapport d'absorption de lumière de la partie absorbant la lumière 4 qui est directe-ment proportionnelle au décalage ou à l'écart de l'intensité lumineuse. L'invention n'est pas limitée aux différents modes de réalisation décrits ci-dessus et permet d'envisager de nombreuses variantes et modifications sans sortir du cadre de l'invention. On pourra par exemple combiner de manière appropriée les différents modes de réalisation. 15 For the light beam radiated by the light emitting unit to be measured and which has passed through the light absorbing portion 4, a small portion of the light energy is absorbed by the light absorbing portion 4 which decreases the light intensity of the light absorbing portion 4. 4. The photoemissive unit 100 with the light absorbing portion 4 thus provides a suitable light intensity, due to the light absorption ratio of the light absorbing portion 4 which is directly proportional to the offset or away from light intensity. The invention is not limited to the various embodiments described above and allows to consider many variations and modifications without departing from the scope of the invention. For example, the various embodiments may be suitably combined. 15

Claims (1)

REVENDICATIONS1 °) Unité photoémissive comprenant : - une base (1), - une plaquette photoémissive (2) installée sur la base, - un moyen d'encapsulage (15) prévu sur la base (1) et couvrant la plaquette photoémissive (2), - ce moyen d'encapsulage (15) constituant une surface photoémissive (150), et - une partie absorbant la lumière (4) est formée sur la surface photoémissive (150). 2°) Unité photoémissive selon la revendication 1, caractérisée en ce que la partie absorbant la lumière (4) est réalisée avec des micropastilles ou 15 microbilles (40) absorbant la lumière. 3°) Unité photoémissive selon la revendication 1, caractérisée en ce que la partie absorbant la lumière (4) est réalisée avec une première résine 20 (41) à faible rapport de transmission de lumière et d'une seconde résine (42) avec un rapport de transmission de lumière, élevé. 4°) Unité photoémissive selon la revendication 1, caractérisée en ce que 25 la base (1) comprend : - un substrat (10), - un premier contact métallique (11) placé sur la surface supérieure du substrat (10), la plaquette photoémissive (2) étant installée et reliée au premier contact métallique (11), 30 - un second contact métallique (12) est placé sur la surface supérieure du substrat (10), - un fil de liaison (13) relie la plaquette photoémissive (2) et le second contact métallique (12), et 25 14 - un capuchon réfléchissant (14) est installé sur la surface supérieure du substrat (10) logeant la plaquette photoémissive (2), le fil de liai-son (13) et le moyen d'encapsulage (15). 5°) Unité photoémissive selon la revendication 4, caractérisée en ce que le moyen d'encapsulage (15) est mélangé à des photophores (151). 6°) Unité photoémissive comprenant : - une base (1), - une plaquette photoémissive (2) installée sur la base (1), - un moyen d'encapsulage (15) prévu sur la base (1) et couvrant la plaquette photoémissive (2), - ce moyen d'encapsulage (15) constituant une surface photoémissive 15 (150), et le faisceau lumineux émis par la plaquette photoémissive et sortant de la surface photoémissive (150) définit un chemin lumi- neux (3), - un élément optique (5) placé dans le chemin lumineux (3), et - une partie absorbant la lumière (4) formée sur l'élément optique (5). 20 7°) Unité photoémissive selon la revendication 6, caractérisée en ce que la partie absorbant la lumière (4) est réalisée avec des micropastilles ou microbilles (151) absorbant la lumière. 8°) Unité photoémissive selon la revendication 6, caractérisée en ce que l'élément optique (5) est un élément transparent à la lumière ou un élément réfléchissant la lumière. 30 9°) Unité photoémissive selon la revendication 6, caractérisée en ce que la partie absorbant la lumière (4) est faite d'une première résine (41) à faible rapport de transmission lumineux et une seconde résine (42) à 35 fort rapport de transmission lumineux. 15 10°) Unité photoémissive selon la revendication 6, caractérisée en ce que la base (1) comprend : - un substrat (10), - un premier contact métallique (11) placé sur la surface supérieure du substrat (10), la plaquette photoémissive (2) étant montée et reliée sur le premier contact métallique (14) auquel elle est reliée, - un second contact métallique (12) placé sur la surface supérieure du substrat (10), - un fil de liaison (13) reliant la plaquette photoémissive (2) et le second contact métallique (12), et - un capuchon réfléchissant (14) installé sur la surface supérieure du substrat (10) logeant la plaquette photoémissive (2), le fil de liaison (13) et le moyen d'encapsulage (15). 11 °) Unité photoémissive selon la revendication 10, caractérisée en ce que le moyen d'encapsulage (15) est mélangé à des photophores (151). 12°) Procédé de fabrication d'une unité photoémissive comprenant les étapes suivantes : - on fixe un seuil d'intensité lumineuse, - on mesure l'intensité lumineuse d'une unité photoémissive (100) à mesurer, - on calcule une valeur d'écart entre le seuil de l'intensité lumineuse et l'intensité lumineuse mesurée fournie par l'unité photoémissive (100) à mesurer, - on réalise une partie absorbant la lumière ayant un rapport d'absorption lumineuse directement proportionnel à la valeur de l'écart, et - on place cette partie absorbant la lumière sur l'élément optique de l'unité photoémissive (100) à mesurer. 13°) Procédé de fabrication d'une unité photoémissive selon la revendi- cation 12, 16 caractérisé en ce qu' on réalise la partie absorbant la lumière (4) selon les étapes suivantes : - on fixe un seuil de plage d'intensité lumineuse, et - on pulvérise des micropastilles (151) absorbant la lumière sur l'élé- ment optique (5) pour former une partie absorbant la lumière (4) si l'intensité lumineuse mesurée, fournie par cette unité photoémissive (100) à mesurer se situe dans la plage du seuil de l'intensité lumineuse, le rapport d'absorption lumineuse de la partie photoémissive (2) étant directement proportionnel à la quantité de micropastilles (151) absorbant la lumière. 14°) Procédé de fabrication d'une unité photoémissive selon la revendication 12, caractérisé en ce que le procédé est appliqué à la fabrication de la partie absorbant la lumière (4) et il comprend les étapes suivantes : - on fixe une plage de seuil de l'intensité lumineuse, - on ajoute une première résine (41) à faible rapport de transmission lumineuse et une seconde résine (42) à fort rapport de transmission lumineuse que l'on applique sur l'élément optique si l'intensité lumineuse mesurée, fournie par cette unité photoémissive (100) se situe dans la plage du seuil de l'intensité lumineuse, et - on fait durcir la première résine (41) et la seconde résine (42) pour former la partie absorbant la lumière, le rapport d'absorption lumi- neuse de la partie absorbant la lumière étant directement proportionnel à la quantité de la première résine (41). 15°) Procédé de fabrication d'une unité photoémissive selon la revendication 14, caractérisé en ce que la première résine (41) et la seconde résine (42) de la partie absorbant la lumière sont à structure stratifiée. 16°) Procédé de fabrication d'une unité photoémissive selon la revendi- cation 14, 17 caractérisé en ce que la première résine (41) et la seconde résine (42) sont mélangées puis on les applique à l'élément optique pour former la partie absorbant la lumière (4). 17°) Procédé de fabrication d'une unité photoémissive selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'élément optique est une plaquette photoémissive (2) ou un élément 10 transparent ou un élément réfléchissant la lumière. 15 CLAIMS1 °) Light emitting unit comprising: - a base (1), - a light-emitting plate (2) installed on the base, - an encapsulation means (15) provided on the base (1) and covering the light-emitting plate (2) - this encapsulation means (15) constituting a photoemissive surface (150), and - a light absorbing portion (4) is formed on the light emitting surface (150). 2) photoemissive unit according to claim 1, characterized in that the light absorbing portion (4) is made with micropellets or 15 microbeads (40) absorbing light. The light emitting unit according to claim 1, characterized in that the light-absorbing portion (4) is made with a first light transmission resin (41) and a second resin (42) with a light transmission ratio, high. 4) A light emitting unit according to claim 1, characterized in that the base (1) comprises: - a substrate (10), - a first metal contact (11) placed on the upper surface of the substrate (10), the plate photoemissive (2) being installed and connected to the first metal contact (11), - a second metal contact (12) is placed on the upper surface of the substrate (10), - a connecting wire (13) connects the photoemissive plate ( 2) and the second metal contact (12), and a reflective cap (14) is installed on the upper surface of the substrate (10) housing the light emitting plate (2), the connecting wire (13) and the encapsulation means (15). 5 °) photoemissive unit according to claim 4, characterized in that the encapsulating means (15) is mixed with photophores (151). 6 °) Photoemissive unit comprising: - a base (1), - a light emitting plate (2) installed on the base (1), - an encapsulation means (15) provided on the base (1) and covering the light emitting plate (2) - this encapsulation means (15) constituting a photoemissive surface (150), and the light beam emitted by the light emitting plate and coming out of the light emitting surface (150) defines a light path (3), - an optical element (5) placed in the light path (3), and - a light absorbing portion (4) formed on the optical element (5). The light emitting unit according to claim 6, characterized in that the light-absorbing portion (4) is made with micropellets or microspheres (151) absorbing light. 8 °) photoemissive unit according to claim 6, characterized in that the optical element (5) is a light-transparent element or a light-reflecting element. 9) A light emitting unit according to claim 6, characterized in that the light-absorbing portion (4) is made of a first resin (41) with a low light transmission ratio and a second resin (42) with a high ratio. of light transmission. 10 °) light emitting unit according to claim 6, characterized in that the base (1) comprises: - a substrate (10), - a first metal contact (11) placed on the upper surface of the substrate (10), the wafer light emitting device (2) being mounted and connected to the first metallic contact (14) to which it is connected, - a second metal contact (12) placed on the upper surface of the substrate (10), - a connecting wire (13) connecting the light emitting plate (2) and the second metal contact (12), and - a reflective cap (14) installed on the upper surface of the substrate (10) housing the light emitting plate (2), the connecting wire (13) and the medium encapsulation (15). 11 °) photoemissive unit according to claim 10, characterized in that the encapsulating means (15) is mixed with photophores (151). 12 °) A method of manufacturing a light emitting unit comprising the following steps: - a threshold of luminous intensity is fixed, - the luminous intensity of a photoemissive unit (100) to be measured is measured, - a value of d difference between the light intensity threshold and the measured light intensity provided by the light emitting unit (100) to be measured, - a light absorbing part having a light absorption ratio directly proportional to the value of the light is produced; This light absorbing portion is placed on the optical element of the photoemissive unit (100) to be measured. 13 °) A method of manufacturing a light emitting unit according to claim 12, 16 characterized in that the light-absorbing part (4) is produced according to the following steps: - a luminous intensity range threshold is fixed and light absorbing micropellets (151) are sprayed onto the optical element (5) to form a light absorbing portion (4) if the measured light intensity provided by the light emitting unit (100) to be measured is within the light intensity threshold range, the light absorption ratio of the light emitting portion (2) being directly proportional to the amount of light absorbing micropellet (151). 14 °) A method of manufacturing a light emitting unit according to claim 12, characterized in that the method is applied to the manufacture of the light absorbing portion (4) and comprises the following steps: - a threshold range is set of the luminous intensity, - a first resin (41) with a low light transmission ratio and a second resin (42) with a high light transmission ratio which is applied to the optical element, if the measured luminous intensity is applied. , provided by this light emitting unit (100) is in the range of the light intensity threshold, and - the first resin (41) and the second resin (42) are cured to form the light absorbing portion, the ratio the light absorbing portion of the light-absorbing portion being directly proportional to the amount of the first resin (41). 15 °) A method of manufacturing a photoemissive unit according to claim 14, characterized in that the first resin (41) and the second resin (42) of the light absorbing portion are laminated structure. 16 °) A method of manufacturing a light emitting unit according to claim 14, 17 characterized in that the first resin (41) and the second resin (42) are mixed and then applied to the optical element to form the light absorbing portion (4). 17 °) A method of manufacturing a photoemissive unit according to claim 12, characterized in that the optical element is a photoemissive plate (2) or a transparent element or a light reflecting element. 15
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS639270A (en) * 1986-06-30 1988-01-14 Ricoh Co Ltd Luminous quantity distribution correcting method for light emitting element array
JPS63220584A (en) * 1987-03-09 1988-09-13 Yokogawa Electric Corp Light-emitting device array
EP1087447A1 (en) * 1999-03-18 2001-03-28 Rohm Co., Ltd. Light-emitting semiconductor chip
JP2002232019A (en) * 2001-01-30 2002-08-16 Kyocera Corp Semiconductor light emitting device and optical printer head using it
EP1367655A1 (en) * 2001-09-03 2003-12-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING APPARATUS AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
JP2004349647A (en) * 2003-05-26 2004-12-09 Matsushita Electric Works Ltd Light-emitting device and method of manufacturing the same
EP1569281A2 (en) * 2004-02-27 2005-08-31 Osram Opto Semiconductors GmbH Light emitting diode and method of manufacturing the same
EP1708285A2 (en) * 2005-03-31 2006-10-04 Sony Corporation Light-emitting diode device and backlight apparatus and liquid-crystal display apparatus using light-emitting diode device
DE102006004397A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component, e.g. light emitting diode, has housing with housing material that is permeable for useful radiation and has radiation absorbing particles to adjust predetermined radiation or luminous intensity of radiation

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS639270A (en) * 1986-06-30 1988-01-14 Ricoh Co Ltd Luminous quantity distribution correcting method for light emitting element array
JPS63220584A (en) * 1987-03-09 1988-09-13 Yokogawa Electric Corp Light-emitting device array
EP1087447A1 (en) * 1999-03-18 2001-03-28 Rohm Co., Ltd. Light-emitting semiconductor chip
JP2002232019A (en) * 2001-01-30 2002-08-16 Kyocera Corp Semiconductor light emitting device and optical printer head using it
EP1367655A1 (en) * 2001-09-03 2003-12-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING APPARATUS AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
JP2004349647A (en) * 2003-05-26 2004-12-09 Matsushita Electric Works Ltd Light-emitting device and method of manufacturing the same
EP1569281A2 (en) * 2004-02-27 2005-08-31 Osram Opto Semiconductors GmbH Light emitting diode and method of manufacturing the same
EP1708285A2 (en) * 2005-03-31 2006-10-04 Sony Corporation Light-emitting diode device and backlight apparatus and liquid-crystal display apparatus using light-emitting diode device
DE102006004397A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component, e.g. light emitting diode, has housing with housing material that is permeable for useful radiation and has radiation absorbing particles to adjust predetermined radiation or luminous intensity of radiation

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