FR2916082A1 - Procede de fabrication d'un materiau pour pastille de contact electrique, pastille de contact realise par un tel procede - Google Patents

Abstract

Procédé de fabrication d'un matériau pour la réalisation de pastille de contact électrique composé d'une matrice d'un alliage conducteur à base d'argent (Ag) contenant au moins un renfort à base d'un composé céramique (SnO2, CdO, Fe2O3, ZnO) et d'au moins un dopant (CuO, WO3, MoO3, Bi2O3, Sb2O3) utilisé pour améliorer les performances électriques. Le procédé consiste à synthétiser une poudre (A) contenant le renfort enrobé du dopant, les particules de renfort ayant au moins une taille sub-micronique, le diamètre desdites particules étant inférieur à 1 µm. Les particules de renfort contenues dans la poudre sont désagglomérées par attrition et mélangées dans une solution de nitrate d'argent (Ag(NO3 pour obtenir par un procédé par génie chimique, une poudre contenant des particules d'oxyde d'argent (Ag2O), des particules de renfort dans lesquelles le dopant est diffusé. L'oxyde d'argent (Ag2O) est ensuite réduit par calcination, la température de calcination étant supérieure à 500°C. Une poudre contenant de l'argent (Ag) mélangé à des particules-de renfort dans lesquelles le dopant est diffusé est ainsi obtenue.La taille des particules de renfort est au moins sub-micronique, le diamètre des particules de renfort étant inférieur à 1 µm.

Description

PROCEDE DE FABRICATION D'UN MATERIAU POUR PASTILLE DE CONTACT ELECTRIQUE,

PASTILLE DE CONTACT REALISE PAR UN TEL PROCEDE DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION L'invention est relative à un procédé de fabrication d'un matériau pour la réalisation de pastille de contact électrique composé d'une matrice d'un alliage conducteur à base d'argent contenant au moins un renfort à base d'un composé céramique et d'au moins un dopant utilisé pour améliorer les performances électriques.

L'invention est aussi relative à une pastille de contact réalisée dans un matériau constitué d'une matrice d'argent contenant des particules d'oxyde d'étain autour desquelles est disposée une couche d'oxyde de cuivre. Le matériau est obtenu par le procédé de fabrication selon l'invention. ETAT DE LA TECHNIQUE Les matériaux utilisés dans la fabrication des contacts électrique jouent un rôle important dans le fonctionnement des dispositifs de commutations à fermetures et ouvertures successives. Lorsque la fermeture ou l'ouverture des contacts d'un appareil de commande électromagnétique est effectué sous courant électrique, un arc électrique apparaît entre les contacts. L'établissement répété de tels arcs est néfaste pour l'appareil de commande électromagnétique. Les arcs électriques peuvent notamment être la cause d'une érosion progressive et d'une modification des surfaces de contact entraînant des variations de la résistance de contact. Une augmentation de la résistance de contact peut engendrer des risques d'échauffement.

Dans le cas d'utilisation de matériaux composites, on peut également observer une agrégation des additifs ou des composés plus réfractaires, ou inversement une disparition de certains additifs plus volatils. Des fissures peuvent aussi apparaître, facilitant le détachement de particules solides.

En outre, la présence d'arcs électrique au moment à la fermeture risque de provoquer le collage ou une soudure des deux éléments de contact. Les modifications morphologiques de la surface des contacts ne sont donc pas sans influence que la qualité de fonctionnement d'un dispositif de coupure.

Les matériaux de contact les plus fréquemment utilisés dans les appareils électromécaniques basse tension sont des matériaux composites constitués par une matrice métallique argent dans laquelle est dispersée un oxyde métallique (SnO2, ZnO...). Cet oxyde métallique est communément appelé renfort. En effet, il doit renforcer et améliorer la stabilité thermique et les propriétés mécaniques du ~o matériau de contact. L'argent est principalement utilisé pour fabriquer les contacts des appareils à coupure dans l'air. Sa faible résistivité, l'instabilité de son oxyde et son excellente conductibilité calorifique le rendent indispensable. Toutefois, ce métal présente un coût d'achat élevé. En outre, les matériaux de contact connus à base d'argent 15 montrent une tendance indésirable à la soudure. En outre, ils ont tendance à provoquer l'adhérence des surfaces de contact ou/et une migration de matière entre les éléments de contact. Ces phénomènes ne sont pas favorables à la coupure des courants Enfin, leur utilisation est généralement associée à une usure trop important des contacts. 20 L'oxyde métallique (renfort) ajouté favorise la stabilité thermique et ainsi améliore la tenue à l'érosion. En effet, le bain de métal en fusion plus visqueux par la présence de particules de renfort non décomposées en suspension est rendu plus stable. Le renfort utilisé habituellement dans les pastilles des contacteurs 25 commercialisés est l'oxyde d'étain SnO2. L'oxyde d'étain SnO2 est utilisé seul ou avec additifs. L'additif est appelé le dopant. Parmi les dopants connus, l'oxyde de cuivre CuO est le meilleur agent mouillant des particules de renfort par l'argent. L'oxyde de cuivre CuO en tant que dopant présente donc un double intérêt : le mouillage et la densification du renfort, notamment de l'oxyde d'étain SnO2. Il apparaît aussi comme un dopant adapté pour résoudre les problèmes de densification et de fragilité du matériau de contact Ag-SnO2, car il réduit de près de 30% le taux d'érosion ordinaire du couple Ag-SnO2 et allonge la durée de vie des pastilles de contact ce qui compense la hausse du coût. Comme décrit dans les documents US5963772, US5846288, le dopant à base d'oxyde de cuivre CuO est ajouté sous forme de nitrate Cu(NO3)2 hydraté. Dans ces conditions, après précipitation et calcination, le dopant à base d'oxyde de cuivre CuO se retrouve dans la matrice argent, aux interfaces entre les particules io de SnO2 et d'Ag. Nous avons donc une quantité inconnue de dopant CuO localisé à la surface des particules de renfort SnO2. Dans ce cas, il n'est pas possible de maîtriser correctement le rôle des particules de renfort SnO2-CuO dans la matrice argent puisque la composition chimique même de ce renfort est indéterminée. En effet, si les particules d'oxyde de cuivre CuO sont insolubles ou mal 15 mouillées, autrement dit que l'oxyde de cuivre CuO n'est pas présent au niveau de l'interface entre le renfort et la matrice SnO2, Ag. Lesdites particules de dopant se concentrent autour des zones en fusion et, du fait de leur faible tenue mécanique, sont éjectées. La résistance de contact reste faible. Ainsi, le taux de dopant en surface et la viscosité du bain fondu ont tendance à diminuer. II se forme ensuite 20 une cellule d'argent pur par condensation (principe de fusion de zone). Les phénomènes de soudure s'en trouvent ainsi renforcés. De plus, il est établi que l'effet de densification de l'argent est minimale si le dopant (oxyde de cuivre CuO) n'est pas localisé aux interfaces entre le renfort SnO2 et la matrice Ag. La formation de pores entre les grains d'argent renforce les 25 risques d'érosion. Les solutions connues ne sont pas satisfaisantes car l'amélioration de la tenue à l'érosion d'un matériau de contact se fait au détriment de la tenue à la soudure et inversement.

EXPOSE DE L'INVENTION L'invention vise donc à remédier aux inconvénients de l'état de la technique, de manière à proposer des procédés de fabrication de matériau pour pastille de contact électrique ayant des propriétés améliorées en termes de anti-soudure et d'érosion. Le procédé de fabrication consiste à synthétiser une poudre contenant le renfort enrobé du dopant, les particules de renfort ayant au moins une taille submicronique, le diamètre desdites particules étant inférieur à 1 m. les particules de renfort contenues dans la poudre sont désagglomérées par attrition et mélangées dans une solution de nitrate d'argent. Une poudre contenant des particules d'oxyde d'argent, des particules de renfort dans lesquelles le dopant est diffusé est obtenue par un procédé par génie chimique. Le nitrate est neutralisé par une base. L'oxyde d'argent est réduit par calcination, la température de calcination étant supérieure à 500 C. Une poudre contenant de l'argent mélangé à des particules de renfort dans lesquelles le dopant est diffusé est obtenue. La taille des particulesûde renfort est au moins sub-micronique, le diamètre desdites particules étant inférieur à 1 m. De préférence, le dopant comprend de l'oxyde de cuivre et que le renfort comprend de l'oxyde d'étain.

Selon un mode de développement de l'invention, l'étape de synthèse de la poudre contenant des particules d'oxyde d'étain autour desquelles est répartie une couche d'oxyde de cuivre consiste à broyer de particules d'oxyde d'étain de diamètre supérieur à 1 m avec des particules de nitrate de cuivre. une poudre contenant des particules sub-microniques d'oxyde d'étain et de nitrate de cuivre est obtenu, le diamètre desdites particules étant compris dans une plage de 100 nm et 1 m. La poudre est ensuite séchée à une température supérieure à 100 C et calcinée la poudre à une température supérieure à 500 C. Des particules d'oxyde d'étain enveloppée d'une couche d'oxyde de cuivre sont obtenues, le diamètre desdites particules sub-microniques étant compris entre 100 nm et 11.tm.

Avantageusement, la calcination de la poudre de particules sub-microniques 4 d'oxyde d'étain et de nitrate de cuivre est réalisée pendant au moins 10 heures. Selon un mode de développement de l'invention, l'étape de synthèse la poudre contenant des particules d'oxyde d'étain autour desquelles est répartie une couche d'oxyde de cuivre consiste à mélanger de la poudre contenant de l'oxalate d'étain, du nitrate de cuivre et de l'acide citrique dans une solution d'éthylène glycol et d'acide nitrique. Une résine contenant des particules d'oxyde de cuivre mélangées à des particules d'oxyde d'étain est obtenue par un procédé par génie chimique. La résine est calcinée à une température comprise entre 500 et 800 C. Des particules d'oxyde d'étain présentant une surface externe enrichie en oxyde de cuivre est obtenue, le diamètre desdites particules nanométriques étant inférieur à 100 nm. Avantageusement, la calcination de la résine contenant des particules d'oxyde de cuivre et des particules d'oxyde d'étain, est réalisée pendant au moins 10 heures.

Avantageusement, la base présente dans le procédé par génie chimique est un cristal ionique. De préférence, le cristal ionique est de l'hydroxyde de sodium. L'invention est aussi relative à une pastille de contact réalisée dans un matériau obtenu par le procédé de fabrication tel que défini ci-dessus et contenant plus de 90% de particules de taille sub-micronique. Les particules sont composées d'oxyde d'étain enrobé d'oxyde de cuivre, le diamètre des particules d'oxyde d'étain enrobées étant inférieur à 1 m. Avantageusement, les particules d'oxyde de cuivre sont réparties autour des particules d'étain.

Dans une mode particulier de réalisation, les particules d'oxyde de cuivre forment une couche autour des particules d'étain, ladite couche contenant essentiellement des particules de d'oxyde de cuivre. Dans une mode particulier de réalisation, les particules d'oxyde de cuivre forment une couche autour des particules d'étain, ladite couche contenant un mélange des particules de d'oxyde de cuivre et d'oxyde d'étain. Avantageusement, les particules d'oxyde d'étain enrobées sont de taille nanométrique, le diamètre desdites particules étant inférieur à 100 nm.

BREVE DESCRIPTION DES FIGURES D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre d'un mode particulier de réalisation de l'invention, donné à titre d'exemple non limitatif, et représenté au dessin annexé sur lequel : • la figure 1 représente un bloc diagramme des étapes principales du procédé 10 de fabrication d'un matériau de contact selon un mode de réalisation de l'invention ; • la figure 2 représente un bloc diagramme d'un procédé de fabrication d'une poudre de renfort enrobée de dopant selon un premier mode préférentiel de réalisation ; 15 • la figure 3 représente un bloc diagramme d'un procédé de fabrication d'une poudre de renfort enrobée de dopant selon un second mode préférentiel de réalisation ; • la figure 4 représente un bloc diagramme détaillé des étapes de fabrication d'un matériau de contact selon le premier mode préférentiel réalisation ; 20 la figure 5 représente un bloc diagramme détaillé des étapes de fabrication d'un matériau de contact selon le second mode préférentiel réalisation ; la figure 6 représente un graphe comparatif représentant la force de soudure d'un matériau de contact en fonction de sa constitution ; la figure 7 représente un graphe comparatif représentant les propriété 25 électriques d'un matériau de contact en fonction de sa constitution. DESCRIPTION DETAILLEE D'UN MODE DE REALISATION La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un matériau de contact. Selon un mode de réalisation de l'invention tel que représenté sur la figure 1, le procédé de fabrication consiste à la fabrication d'un matériau destiné à la, fabrication de pastille de contact électrique. Ce matériau est composé d'une matrice d'un alliage de matériau conducteur à base d'argent Ag contenant au moins un renfort. Le renfort est de préférence associé à un ou plusieurs additifs appelé par la suite dopant. Le ou les dopants sont placés autour des particules de renfort. Le renfort est un composé céramique présentant la particularité d'avoir un point de fusion élevé. Le renfort est de préférence un oxyde métallique MeO, tel que l'oxyde d'étain SnO2. Le renfort est associé à un dopant utilisé pour améliorer les performances électriques telles que la résistance à l'érosion à l'arc ou la conductivité électrique. Le dopant est de préférence de l'oxyde de cuivre CuO. La première étape du procédé de fabrication consiste à synthétiser une poudre A contenant le renfort et le dopant. Selon le mode de réalisation décrit, l'oxyde de cuivre CuO est réparti autour des particules d'oxyde d'étain SnO2. Les particules d'oxyde de cuivre CuO forment une couche autour des particules d'étain SnO2. Les particules de renfort sont de taille sub-micronique. Autrement dit, le diamètre desdites particules d'étain SnO2 enrobées d'oxyde de cuivre est inférieur à 1 m. Au moins 90% desdites particules sont de taille inférieure à 1 m. Les particules contenues dans la poudre A sont ensuite désagglomérées par attrition. La poudre désagglomérée est alors mélangée dans une solution de nitrate d'argent AgNO3. Par un procédé par génie chimique, on obtient une poudre contenant des particules d'oxyde d'argent Ag2O ainsi que des particules de renfort dans lesquelles le dopant est diffusé. Dans le mode de réalisation décrit, les particules de dopant à base d'oxyde de cuivre CuO sont diffusées autour des particules du renfort à base d'oxyde d'étain SnO2. Le nitrate N est neutralisé par une base. La base présente dans le procédé par génie chimique est un cristal ionique, de préférence de l'hydroxyde de sodium NaOH. L'oxyde d'argent Ag2O est réduit par calcination. La température de calcination est supérieure à 500 C. Le temps de calcination est de préférence supérieur à trente minutes. On obtient alors une poudre contenant de l'argent Ag mélangé à des particules de renfort enrobées du dopant et dont la taille est au moins sub-micronique, le diamètre des particules de renfort étant inférieur à 1 m. La poudre d'argent est micronique, le diamètre des particules d'argent étant supérieur à 1 m. A titre d'exemple, la quantité de renfort SnO2 ajouté est de 12% en masse. Le dopant CuO est ajouté en plus faible quantité, soit à moins de 0,6% en masse. Selon un premier mode de réalisation préférentiel de l'invention représenté sur la figure 2, la poudre A contenant des particules d'oxyde d'étain SnO2 autour desquelles est répartie une couche d'oxyde de cuivre CuO est obtenue en broyant de particules d'oxyde d'étain SnO2 de diamètre supérieur à 1 gm avec des particules de nitrate de cuivre Cu(NO3)2. Il est obtenu une poudre contenant des particules sub-miconiques d'oxyde d'étain SnO2 et de nitrate de cuivre Cu(NO3)2, le diamètre desdites particules étant compris dans une plage de 100 nm et 1 m. La poudre est ensuite séchée à une température supérieure à 100 C puis calcinée à une température supérieure à 500 C. Cette étape de calcination à une durée supérieure à 9 heures.

On obtient alors une poudre A contenant des particules d'oxyde d'étain SnO2 enveloppées d'une couche d'oxyde de cuivre CuO. Selon ce mode de réalisation préférentiel de l'invention, ladite couche contient essentiellement des particules de d'oxyde de cuivre CuO. Le diamètre desdites particules sub-microniques est compris entre 100 nm et 111m. 90% desdites particules ont un diamètre compris dans l'intervalle décrit ci-dessus. En pratique, 90% des particules ont un diamètre inférieur à 5 pm, 50% des particules ont un diamètre inférieur à 0,2pm et approximativement 10% des particules ont un diamètre inférieur à 100nm.

Selon un second mode de réalisation préférentiel de l'invention représenté sur la figure 3, la poudre A contenant des particules d'oxyde d'étain SnO2 dans lesquelles l'oxyde de cuivre CuO est diffusé est obtenue en mélangeant une poudre contenant de l'oxalate d'étain, du nitrate de cuivre et de l'acide citrique dans une solution d'éthylène glycol et d'acide nitrique. Par un procédé par génie chimique, on obtient une résine contenant des particules d'oxyde de cuivre CuO mélangées à des particules d'oxyde d'étain SnO2. Le procédé par génie chimie est préférence de type PECHINI. La résine est ensuite calcinée à une température comprise entre 500 et 800 C, io pour obtenir des particules d'oxyde d'étain présentant une surface enrichie en oxyde de cuivre CuO. Le temps de calcination est de préférence supérieur à 9 heures. Selon ce mode préférentiel de réalisation de l'invention, les particules d'oxyde de cuivre CuO forment une couche autour des particules d'étain SnO2, ladite couche 15 contenant un mélange des particules de d'oxyde de cuivre CuO et d'oxyde d'étain SnO2. On évoque alors une interphase composée d'oxyde d'étain et d'oxyde de cuivre. Le diamètre desdites particules nanométriques est inférieur à 100 nm. Selon ce mode de réalisation 90% des particules ont un diamètre inférieur à 50nm, 50% 20 des particules ont un diamètre inférieur à 20nm et approximativement 10% des particules ont un diamètre inférieur à 15nm. Toutes les particules de renfort associées au dopant ont un diamètre inférieur à 100nm. Selon tous les procédés de réalisation de l'invention, la solution consiste à localiser le dopant autour des particules de renfort par une incorporation au 25 préalable du dopant au renfort. Ceci permet d'améliorer la densification du renfort tout en cherchant à optimiser la mouillabilité des interfaces argent-renfort. Selon tous les procédés de réalisation de l'invention, la taille des particules de renfort est sub-micronique ou nanométrique. L'utilisation de particules ayant des tailles submicronique ou nanométrique permet d'améliorer les performances électriques du 30 matériau de contact utilisés dans les appareils électromécaniques, amélioration i0 notamment en terme de soudure et d'érosion. Des essais électriques comparatifs ont été effectués sur des pastilles de contact réalisées d'une part avec un matériau à base d'argent dit de référence et d'autre part avec des pastilles de contact réalisées avec des matériaux obtenus avec les procédés de réalisation selon les premier et second différents modes préférentiels de réalisation de l'invention.

Comme représenté sur la figure 6, après un cycle d'essai de 1000 manoeuvres de fermeture sous un courant de 2800 Ampères, la force de soudure du 950ème essai exprimée en newton est environ deux fois plus importante pour la pastille de ~o référence que pour les pastilles fabriquées avec les procédés selon l'invention. Comme représenté sur la figure 7, après un cycle d'essai de 40000 manoeuvres d'ouverture sous un courant de 300 Ampères, les pastilles de contact fabriquées avec le procédé selon les différents modes de réalisation de l'invention sont beaucoup moins érodées. Les valeurs d'érosion à l'issu des 40.000 manoeuvres 15 sous un courant d'ouverture de 300A pour les matériaux dits de référence, 1 er mode de réalisation & 2ème mode de réalisation sont respectivement de 18 micro-grammes par manoeuvre (18pg/man), 16 micro-grammes par manoeuvre (16pg/man) et 8 micro-grammes par manoeuvre (8pg/ma. Grâce à l'utilisation de ce nouveau matériau associé à ses caractéristiques 20 intrinsèques décrites ci-dessus, la taille des pastilles de contact peut être réduite de manière significative ; cette réduction de la taille des pastilles étant sans conséquence sur les performances des appareils électromagnétiques. Une diminution de la taille de l'électroaimant responsable de l'ouverture et de la fermeture des contacts des appareils électromagnétiques est ainsi autorisée.

25 L'invention est relative à une pastille de contact comportant une matrice d'argent Ag contenant des particules d'oxyde d'étain SnO2 autour desquelles sont positionnées des particules d'oxyde de cuivre CuO. Les particules d'oxyde d'étain et d'oxyde de cuivre SnO2, CuO sont de taille sub-micronique ou de taille nanométrique. Les particules d'oxyde de cuivre CuO sont réparties dans une 30 couche placée autour des particules d'oxyde d'étain SnO2. Selon un premier mode préférentiel de réalisation d'invention, 90% des particules d'oxyde d'étain SnO2 enrobées d'oxyde de cuivre CuO ont un diamètre inférieur à 1 m. La couche enrobant les particules d'oxyde d'étain SnO2 contient essentiellement des particules de d'oxyde de cuivre CuO. Selon un second mode préférentiel de réalisation d'invention, les particules d'oxyde d'étain SnO2 enrobées d'oxyde de cuivre CuO sont de taille nanométrique, le diamètre des particules d'oxyde d'étain enrobées étant inférieur à 100 nm. La couche enrobant les particules d'oxyde d'étain SnO2 contient un mélange de particules de d'oxyde de cuivre CuO et d'oxyde d'étain SnO2. Selon une première variante de réalisation, le renfort peut être un oxyde tel que 10 Oxyde de Cadmium CdO, oxyde de fer Fe2O3, oxyde de zinc ZnO, oxyde de zirconium ZrO2, Selon une seconde variante de réalisation, le renfort peut être du diborure de zirconium ZrB2, tungstène W ou du carbure de tungstène WC. Bien que l'oxyde de cuivre CuO semble être le meilleur agent mouillant des 15 particules de renfort par l'argent et qu'il est le dopant ayant les caractéristiques les plus adaptés pour résoudre les problèmes de densification et de fragilité du matériau de contact Ag-SnO2, Il est possible d'élargir cette méthodologie à d'autres dopants. Selon une autre variante de réalisation, le dopant peut être de oxyde de tungstène WO3, un oxyde de molybdène MoO3, un oxyde de Bismuth 20 Bi2O3, un oxyde d'antimoine Sb2O3, un oxyde de Tellure TeO2, un oxyde de ruthénium RuO2, un oxyde de Magnésium MgO, un oxyde de Germanium GeO2, un oxyde de Tantale Ta2O5, un oxyde de zinc ZnO, un oxyde de fer Fe2O3, un oxyde de Niobium Nb205, ou un Carbure de Tantale TaC. L'ajout d'oxyde d'antimoine Sb2O3 autour des particules de SnO2, en sus de CuO permet de 25 diminuer la résistivité du renfort liée à la formation des barrières de potentiel aux joints de grains. Selon une autre variante de réalisation, plusieurs dopants peuvent être utilisés simultanément avec un même renfort. L'utilisation de plusieurs dopants permet d'améliorer les performances électriques du matériau de contact.

Claims (13)

REVENDICATIONS

1. Procédé de fabrication d'un matériau pour la réalisation de pastille de contact électrique composé d'une matrice d'un alliage conducteur à base d'argent (Ag) contenant au moins un renfort à base d'un composé céramique (SnO2, CdO, Fe203, ZnO, ZrO2, ZrB2, W, WC) et d'au moins un dopant (CuO, W03, MoO3, Bi203, Sb203, TeO2, Ru02, MgO, GeO2, Ta205, ZnO, Fe203, Nb205, TaC) utilisé pour améliorer les performances électriques caractérisé en ce qu'il consiste A synthétiser une poudre (A) contenant le renfort enrobé du dopant, les particules de renfort ayant au moins une taille sub-micronique, le diamètre desdites particules étant inférieur à 1 m, - A désagglomérer par attrition les particules de renfort contenues dans la poudre, A mélanger la poudre désagglomérée dans une solution de nitrate d'argent (Ag(NO3), A obtenir par un procédé par génie chimique, une poudre contenant des particules d'oxyde d'argent (Ag2O), des particules de renfort dans lesquelles le dopant est diffusé, le nitrate (N) étant neutralisé par une base. - A réduire l'oxyde d'argent (Ag2O) par calcination, la température de calcination étant supérieure à 500 C - A obtenir une poudre contenant de l'argent (Ag) mélangé à des particules de renfort dans lesquelles le dopant est diffusé et dont la taille est au moins sub-micronique, le diamètre des particules de renfort étant inférieur à 1 m.

2. Procédé de fabrication d"un matériau selon la revendication 1 caractérisé en ce que le dopant comprend de l'oxyde de cuivre (CuO) et que le renfort comprend de l'oxyde d'étain (Sn02).

3. Procédé de fabrication d'un matériau selon la revendication 2 caractérisé en ce que l'étape de synthèse de la poudre (A) contenant des particules d'oxyde 12d'étain (SnO2) autour desquelles est répartie une couche d'oxyde de cuivre (CuO) consiste : à broyer de particules d'oxyde d'étain (SnO2) de diamètre supérieur à 1 m avec des particules de nitrate de cuivre (Cu(NO3)2), - A obtenir une poudre contenant des particules sub-microniques d'oxyde d'étain (SnO2) et de nitrate de cuivre (Cu(NO3)2), le diamètre desdites particules étant compris dans une plage de 100 nm et 11.tm, A sécher la poudre à une température supérieure à 100 C, - A calciner la poudre à une température supérieure à 500 C, A obtenir des particules d'oxyde d'étain (SnO2) enveloppée d'une couche d'oxyde de cuivre, le diamètre desdites particules sub-microniques étant compris entre 100 mn et 11,tm.

4. Procédé de fabrication d'un matériau selon la revendication 3 caractérisé en ce que la calcination de la poudre de particules sub-microniques d'oxyde d'étain (SnO2) et de nitrate de cuivre (Cu(NO3)2), est réalisée pendant au moins 10 heures.

5. Procédé de fabrication d'un matériau selon la revendication 1 caractérisé en ce que l'étape de synthèse la poudre (A) contenant des particules d'oxyde d'étain (SnO2) autour desquelles est répartie une couche d'oxyde de cuivre (CuO) consiste : - A mélanger de la poudre contenant de l'oxalate d'étain, du nitrate de cuivre et de l'acide citrique dans une solution d'éthylène glycol et d'acide nitrique, - A obtenir par un procédé par génie chimique, une résine contenant des particules d'oxyde de cuivre (CuO) mélangées à des particules d'oxyde d'étain (SnO2), - A calciner la résine à une température comprise entre 500 et 800 C, A obtenir des particules d'oxyde d'étain (SnO2) présentant une surface externe enrichie en oxyde de cuivre (CuO), le diamètre desdites particules nanométriques étant inférieur à 100 nm.

6. Procédé de fabrication d'un matériau selon la revendication 5 caractérisé en ce que la calcination de la résine contenant des particules d'oxyde de cuivre (CuO) et des particules d'oxyde d'étain (SnO2), est réalisée pendant au moins 10 heures.

7. Procédé de fabrication d'un matériau selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que la base présente dans le procédé par génie chimique est un cristal ionique.

8. Procédé de fabrication d'un matériau selon la revendication 7 caractérisé en ce que le cristal ionique est de l'hydroxyde de sodium (NaOH).

9. Pastille de contact réalisée dans un matériau constitué d'un matrice d'argent (Ag) contenant des particules d'oxyde d'étain (SnO2) autour desquelles est disposée une couche d'oxyde de cuivre (CuO), le matériau étant obtenu par le procédé de fabrication selon les revendications précédentes caractérisée en ce que le matériau contient plus de 90% de particules de taille sub-micronique, particules composées d'oxyde d'étain (SnO2) enrobé d'oxyde de cuivre (CuO), le diamètre des particules d'oxyde d'étain enrobées étant inférieur à 1 m.

10. Pastille de contact selon la revendication 9 caractérisée en ce que les particules d'oxyde de cuivre (CuO) sont réparties autour des particules d'étain (SnO2).

11. Pastille de contact selon la revendication 10 caractérisée en ce que les particules d'oxyde de cuivre (CuO) forment une couche autour des particules d'étain (SnO2), ladite couche contenant essentiellement des particules de d'oxyde de cuivre (CuO).

12. Pastille de contact selon la revendication 10 caractérisée en ce que les particules d'oxyde de cuivre (CuO) forment une couche autour des particules d'étain (SnO2), ladite couche contenant un mélange des particules de d'oxyde de cuivre (CuO) et d'oxyde d'étain (SnO2).

13. Pastille de contact selon la revendication 12 caractérisée en ce que les particules d'oxyde d'étain enrobées sont de taille nanométrique, le diamètre 30 desdites particules étant inférieur à 100 nm.