FR2884047A1 - Electronic component e.g. vertical cavity surface emitting laser, assembly for use in microelectronic field, has flip chips transferring electrical signals between component and substrate, and heat from component to substrate - Google Patents

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Abstract

The assembly has an electronic component (108) connected to a silicon substrate (106) acting as a heat sink, through flip chips (107). The flip chips are connected to electrically-conducting lines on the component and to electrically-conducting lines on the substrate. The flip chips transfer electrical signals between the component and the substrate, and heat from the component to the substrate. An independent claim is also included for a method of assembling an electronic component.

Description

PROCEDE ET DISPOSITIF D'ENCAPSULATION DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES ETMETHOD AND DEVICE FOR ENCAPSULATING ELECTRONIC COMPONENTS AND

OPTOELECTRONIQUESCURTAINS

La présente invention concerne un procédé et un dispositif d'encapsulation de composants électroniques et optoélectroniques.  The present invention relates to a method and a device for encapsulating electronic and optoelectronic components.

Les technologies d'encapsulation et ou de mise en boîtier deviennent de plus en plus critiques tant en termes de performances, d'herméticité, de tenue aux chocs et vibrations et de tenue aux variations et cycles thermiques, qu'en termes de coût. De surcroît, la présentation ou packaging finale d'un composant ou d'un sous-système tend à être le plus souvent spécifique et doit satisfaire à la fois aux contraintes d'intégrité du composant ou du sous-système en même temps qu'aux contraintes d'une interface conviviale au niveau de son intégration dans un système quelconque.  Encapsulation and / or packaging technologies are becoming increasingly critical in terms of performance, hermeticity, shock and vibration resistance and resistance to thermal variations and cycles, as well as in terms of cost. In addition, the final presentation or packaging of a component or subsystem tends to be most often specific and must satisfy both the integrity constraints of the component or subsystem at the same time as constraints of a user-friendly interface at the level of its integration in any system.

La nécessité de remplir les spécifications de tenue à des agressions du type environnementale, telles l'humidité ou les cycles de température de forte amplitude, entraîne la nécessité de disposer d'une mise en boîtier hermétique. La contrepartie réside dans la difficulté technologique à réaliser des traversées électriques ou optiques étanches permettant de maintenir une atmosphère neutre à l'intérieur du boîtier ou un vide poussé.  The need to meet the specifications of resistance to environmental type of aggressions, such as humidity or temperature cycles of high amplitude, entails the need for hermetic packaging. The counterpart lies in the technological difficulty of making sealed electrical or optical bushings to maintain a neutral atmosphere inside the housing or a high vacuum.

Les traversées électriques sont le plus souvent des traversées verremétal bien connues dans l'industrie du vide et de l'ultra-vide. Ces traversées représentent de surcroît un coût significatif impactant le produit final au-delà des objectifs de prix lorsque les marchés concernés représentent un volume important. Ceci est d'autant plus vrai lorsqu'il est nécessaire de rajouter une traversée optique impliquant une fibre optique. Les technologies utilisées dans le cas d'une fibre optique sont également des techniques du type soudure verre métal. La difficulté qui se rajoute alors est dans le maintien de l'efficacité du couplage optique après soudure et sur la fragilisation de la fibre optique après soudure due à des contraintes induites par les paramètres du procédé de soudure notamment la température. Le coût final, par exemple d'un laser en boîtier hermétique, est souvent prohibitif à cause des techniques employées et des faibles rendements de fabrication.  Electrical bushings are most often verrmetal crossings well known in the vacuum and ultra-vacuum industry. These crossings also represent a significant cost impacting the final product beyond the price targets when the markets concerned represent a significant volume. This is all the more true when it is necessary to add an optical crossing involving an optical fiber. The technologies used in the case of an optical fiber are also metal welding type glass techniques. The difficulty that is added then is in maintaining the effectiveness of the optical coupling after soldering and the embrittlement of the optical fiber after welding due to constraints induced by the parameters of the welding process including temperature. The final cost, for example of a hermetically sealed laser, is often prohibitive because of the techniques employed and the low manufacturing yields.

De nombreuses recherches aujourd'hui sont consacrées à la réalisation de boîtiers sur tranche silicium visant à intégrer directement le boîtier avec son circuit ou avec son ensemble multi-circuit. La terminologie anglo-saxonne employée pour ces concepts est le "wafer level packaging" ou le boîtier au niveau du substrat. Ces techniques sont à même de résoudre les problèmes de coût associés aux technologies conventionnelles en réalisant des boîtiers de manière collective et à l'échelle du wafer. Ces techniques sont particulièrement adaptées à la microélectronique et à la photonique, domaines nécessitant une miniaturisation de plus en plus poussée. Aujourd'hui, l'herméticité est réalisée à partir de brasures métal (Aluminium, par exemple) obtenues à haute température. L'alignement du wafer boîtier avec le wafer circuits est obtenu, en général, par simple alignement mécanique.  Many researches today are devoted to the realization of silicon wafer housings aimed at directly integrating the housing with its circuit or with its multi-circuit assembly. The English terminology used for these concepts is the "wafer level packaging" or the housing at the level of the substrate. These techniques are able to solve the cost problems associated with conventional technologies by producing housings collectively and at the wafer scale. These techniques are particularly suited to microelectronics and photonics, areas requiring miniaturization more and more advanced. Today, the hermeticity is made from metal solders (Aluminum, for example) obtained at high temperature. The alignment of the box wafer with the wafer circuits is obtained, in general, by simple mechanical alignment.

En règle générale, ces techniques présentent le défaut suivant: la température de brasure est élevée et peut détériorer les composants à encapsuler. De plus, l'alignement du boîtier encapsulant est imparfait et ne permet pas d'y inclure des composants optiques tel une lentille boule permettant le couplage du laser avec une fibre. Enfin, il est difficile de réaliser la brasure tout en maintenant le vide dans le boîtier.  In general, these techniques have the following flaw: the brazing temperature is high and can damage the components to be encapsulated. In addition, the alignment of the encapsulating box is imperfect and does not allow to include optical components such as a ball lens for coupling the laser with a fiber. Finally, it is difficult to achieve solder while maintaining the vacuum in the housing.

L'invention vise à remédier à ces inconvénients.  The invention aims to remedy these drawbacks.

D'une manière générale, l'objet de la présente invention est d'utiliser les techniques de boîtier au niveau du wafer en résolvant les points mentionnés plus haut à savoir: - la réalisation de l'herméticité tant d'un point de vue électrique qu'au point de vue optique par des techniques autres que les soudures verre métal et - l'obtention de gains substantiels en termes de coût.  In general, the object of the present invention is to use the housing techniques at the level of the wafer by solving the points mentioned above, namely: - the realization of hermeticity both from an electrical point of view than optically by techniques other than glass-metal welding and - obtaining substantial gains in terms of cost.

L'invention vise aussi à réaliser, de manière collective et par les technologies conventionnelles de la microélectronique, une série de boîtiers sur tranche avec des caractéristiques qui permettent de réaliser l'assemblage de manière collective. L'invention propose une solution pour la réalisation du joint d'herméticité du boîtier à basse température. L'invention porte également sur la réalisation de traversées électriques et/ou optiques étanches permettant d'interfacer les éléments actifs électriques et/ou optiques incorporés à l'intérieur du boîtier étanche avec le milieu extérieur.  The invention also aims to achieve, collectively and by conventional microelectronics technologies, a series of on-wafer housings with characteristics that enable the assembly to be made collectively. The invention proposes a solution for the realization of hermetic sealing of the housing at low temperature. The invention also relates to the production of sealed electrical and / or optical bushings for interfacing the electrical and / or optical active elements incorporated inside the sealed housing with the external medium.

Selon un premier aspect, la présente invention vise à éviter l'effet de plan de masse , qui perturbe les signaux transmis, généré par le boîtier métallique lorsque celui-ci se trouve trop proche d'une ligne hyperfréquence.  According to a first aspect, the present invention aims to avoid the ground plane effect, which disturbs the transmitted signals generated by the metal case when it is too close to a microwave line.

A cet effet, selon son premier aspect, la présente invention vise un procédé d'encapsulation d'au moins un composant électronique, qui comporte: - une étape de préparation d'un substrat comportant de réaliser une première couche de matériau diélectrique sur une première face dudit substrat, - une étape de réalisation d'une ligne conductrice sur ladite première couche de 35 matériau diélectrique, - une étape de perçage d'un trou depuis une deuxième face du substrat opposée à ladite première face jusqu'à la ligne conductrice et - une étape de remplissage dudit trou avec un matériau conducteur.  For this purpose, according to its first aspect, the present invention aims at a method of encapsulation of at least one electronic component, which comprises: a step of preparing a substrate comprising making a first layer of dielectric material on a first facing said substrate; - a step of producing a conductive line on said first layer of dielectric material; - a step of drilling a hole from a second face of the substrate opposite said first face to the conductive line and a step of filling said hole with a conductive material.

Grâce à ces dispositions, les signaux et les lignes conductrices, notamment les lignes véhiculant des signaux hyperfréquences, sont éloignées du bord du boîtier métallique qui risquerait de les perturber à cause de l'effet plan de masse .  Thanks to these arrangements, the signals and the conductive lines, in particular the lines carrying microwave signals, are moved away from the edge of the metal casing which would be likely to disturb them because of the ground plane effect.

Selon des caractéristiques particulières, le procédé tel que succinctement exposé ci-5 dessus comporte une étape de réalisation d'une deuxième couche de matériau diélectrique sur la première couche de matériau diélectrique et sur la ligne conductrice.  According to particular features, the method as briefly described above comprises a step of producing a second layer of dielectric material on the first layer of dielectric material and on the conductive line.

Grâce à ces dispositions, les risques que le trou endommage la ligne conductrice sont réduits.  Thanks to these provisions, the risks that the hole damages the conductive line are reduced.

Selon un deuxième aspect, pour éviter les problèmes de positionnements, on prévoit, sur les bords du boîtier en appui sur le substrat, une réduction de la section du boîtier, par rapport à l'épaisseur moyenne du boîtier. On constitue ainsi un couteau qui s'enfonce dans le substrat, ou dans une couche intermédiaire solidaire du substrat et servant de joint entre le substrat et le boîtier.  According to a second aspect, to avoid positioning problems, there is provided on the edges of the housing resting on the substrate, a reduction of the section of the housing, relative to the average thickness of the housing. Thus, a knife is formed which sinks into the substrate, or into an intermediate layer integral with the substrate and serving as a seal between the substrate and the housing.

Ainsi, selon son deuxième aspect, la présente invention vise un procédé 15 d'encapsulation d'au moins un composant électronique qui comporte: - une étape de préparation d'un boîtier présentant, sur ses bords destinés à être en appui sur le substrat portant chaque dit composant électronique, une épaisseur au moins deux fois plus faible que l'épaisseur moyenne dudit boîtier et - une étape de positionnement dudit boîtier sur ledit substrat, ledit couteau étant 20 alors en appui sur ledit substrat.  Thus, according to its second aspect, the present invention aims a method 15 of encapsulation of at least one electronic component which comprises: - a step of preparing a housing having, on its edges intended to be supported on the substrate bearing each said electronic component, a thickness at least two times smaller than the average thickness of said housing and - a step of positioning said housing on said substrate, said knife then being supported on said substrate.

Corrélativement, le deuxième aspect de la présente invention vise un procédé d'encapsulation qui comporte: - une étape de préparation d'un substrat portant chaque dit composant électronique pour qu'il présente, en regard des bords d'un boîtier destinés à être en appui sur ledit substrat, un couteau présentant une épaisseur au moins deux fois plus faible que l'épaisseur moyenne dudit boîtier et - une étape de positionnement dudit boîtier sur ledit substrat, lesdits bords étant alors en appui sur ledit couteau.  Correlatively, the second aspect of the present invention is an encapsulation method which comprises: a step of preparing a substrate carrying each said electronic component so that it has, opposite the edges of a housing intended to be pressing on said substrate, a knife having a thickness at least two times smaller than the average thickness of said housing and - a step of positioning said housing on said substrate, said edges then being supported on said knife.

Selon des caractéristiques particulières, lesdits bords présentent une section 30 essentiellement triangulaire.  According to particular features, said edges have a substantially triangular section.

Grâce à ces dispositions, l'appui du boîtier sur le substrat est très concentré et interdit les mouvements de glissement ultérieurs du boîtier sur le substrat.  Thanks to these provisions, the support of the housing on the substrate is very concentrated and prohibits subsequent sliding movements of the housing on the substrate.

Selon des caractéristiques particulières, le procédé tel que succinctement exposé ci-dessus comporte une étape de réalisation d'un joint en matériau ductile sur lequel ledit 35 couteau vient en appui lors de l'étape de positionnement.  According to particular features, the process as briefly described above comprises a step of producing a seal made of ductile material on which said knife comes to rest during the positioning step.

Grâce à ces dispositions, le couteau peut s'enfoncer dans ledit joint et assurer une meilleure étanchéité, en particulier lorsque le volume intérieur du boîtier est mis en dépression.  Thanks to these provisions, the knife can be inserted into said seal and provide a better seal, especially when the internal volume of the housing is depressed.

Selon des caractéristiques particulières, ledit matériau ductile comporte de l'Indium.  According to particular features, said ductile material comprises Indium.

Selon des caractéristiques particulières, le procédé d'encapsulation tel que succinctement exposé ci-dessus, comporte une étape de mise sous vide, au moins partiel, du volume constitué par ledit boîtier et ledit substrat.  According to particular features, the encapsulation method as briefly described above, comprises a step of evacuating, at least partially, the volume constituted by said housing and said substrate.

Grâce à ces dispositions le maintien en position du boîtier sur le substrat est assuré par la dépression créée à l'intérieur du boîtier. Le vide considéré est préférentiellement tel que la pression résiduelle est inférieure à 10-4 torr.  Thanks to these provisions the position of the housing on the substrate is maintained by the depression created inside the housing. The vacuum considered is preferably such that the residual pressure is less than 10-4 torr.

Selon des caractéristiques particulières, au cours de l'étape de mise sous vide, on fait fondre, dans une canalisation de pompage, du métal initialement disposé à la sortie de 10 ladite canalisation.  According to particular features, during the evacuation step, metal initially disposed at the outlet of said pipe is melted in a pumping line.

Grâce à ces dispositions, l'obturation de la canalisation de pompage est aisée et définitive.  Thanks to these provisions, the closure of the pump line is easy and definitive.

Selon des caractéristiques particulières, le métal à faire fondre présente, initialement, la forme d'une bille.  According to particular characteristics, the metal to be melted initially has the shape of a ball.

Selon des caractéristiques particulières, le métal à faire fondre comporte de l'Indium.  According to particular characteristics, the metal to be melted comprises Indium.

Grâce à chacune des ces dispositions, on réalise un micro-vanne à la sortie de la canalisation de pompage et, avec un chauffage de la bille à une température d'environ 170 C, on obture ladite canalisation.  By virtue of each of these arrangements, a micro-valve is produced at the outlet of the pumping line and, with a heating of the ball at a temperature of approximately 170 ° C., said pipe is sealed.

Selon des caractéristiques particulières, au cours de la fusion dudit métal, on 20 applique une légère surpression à l'extérieur du boîtier, par rapport au vide, au moins partiel, à l'intérieur du boîtier.  According to particular characteristics, during the melting of said metal, a slight overpressure is applied to the outside of the housing, with respect to the vacuum, at least partially, inside the housing.

Grâce à ces dispositions, le métal en fusion est aspiré à l'intérieur de la canalisation à obturer.  Thanks to these provisions, the molten metal is sucked into the pipe to be closed.

Selon des caractéristiques particulières, le procédé tel que succinctement exposé ci- dessus, comporte la réalisation de l'encapsulation de plusieurs composants sur un même substrat avec plusieurs boîtiers puis le découpage du substrat pour séparer les composants encapsulés avec leurs boîtiers.  According to particular features, the method as briefly described above, comprises the embodiment of the encapsulation of several components on the same substrate with several boxes and then the cutting of the substrate to separate the encapsulated components with their housings.

Grâce à ces dispositions, le coût d'encapsulation des composants électroniques est réduit.  With these provisions, the cost of encapsulation of electronic components is reduced.

Selon un troisième aspect, la présente invention vise à réduire la complexité de réalisation d'une liaison optique entre un composant optoélectronique, par exemple un laser ou une photodiode, et une fibre optique se prolongeant à l'extérieur d'un boîtier comportant ledit composant opto-électronique.  According to a third aspect, the present invention aims to reduce the complexity of producing an optical connection between an optoelectronic component, for example a laser or a photodiode, and an optical fiber extending outside a housing comprising said component. opto-electronics.

Ainsi, selon son troisième aspect, la présente invention vise un procédé 35 d'encapsulation d'un composant opto-électronique mettant en oeuvre de la lumière dans une bande spectrale prédéterminée, qui comporte: - une étape de préparation d'un boîtier pour y constituer une fenêtre de matériau au moins partiellement transparent dans ladite bande spectrale, une étape de positionnement dudit boîtier en regard dudit composant optoélectronique de telle manière que ladite fenêtre se trouve en regard dudit composant et - une étape de positionnement d'une fibre optique sur ledit boîtier de telle manière qu'une face extrême de ladite fibre optique se trouve en regard de ladite fenêtre.  Thus, according to its third aspect, the present invention aims a method 35 of encapsulation of an opto-electronic component implementing light in a predetermined spectral band, which comprises: a step of preparing a housing for constituting a window of material at least partially transparent in said spectral band, a step of positioning said box opposite said optoelectronic component such that said window is opposite said component and a step of positioning an optical fiber on said housing such that an end face of said optical fiber is facing said window.

Selon des caractéristiques particulières, ledit boîtier est constitué en matériau au moins partiellement transparent dans ladite bande spectrale.  According to particular features, said housing is made of at least partially transparent material in said spectral band.

Corrélativement, le troisième aspect de la présente invention vise un procédé d'encapsulation d'un composant optoélectronique mettant en oeuvre une bande spectrale de lumière, qui comporte: - une étape de préparation du substrat pour y constituer une fenêtre de matériau au moins partiellement transparent dans ladite bande spectrale, - une étape de positionnement dudit composant optoélectronique sur ledit substrat, de telle manière que ladite fenêtre se trouve en regard dudit composant et une étape de positionnement d'une fibre optique sur ledit boîtier de telle manière qu'une face extrême de ladite fibre optique se trouve en regard de ladite fenêtre.  Correlatively, the third aspect of the present invention aims at a method of encapsulation of an optoelectronic component implementing a spectral band of light, which comprises: a step of preparing the substrate to constitute a window of at least partially transparent material in said spectral band, - a step of positioning said optoelectronic component on said substrate, such that said window is opposite said component and a step of positioning an optical fiber on said housing such that an extreme face said optical fiber is opposite said window.

Selon des caractéristiques particulières, ladite fenêtre présente une épaisseur inférieure à 100 m.  According to particular features, said window has a thickness of less than 100 m.

Selon des caractéristiques particulières, ledit matériau au moins partiellement transparent dans ladite bande spectrale est du quartz. En effet, le quartz est transparent pour la longueur d'onde de 850nm et le silicium entre 1310nm et 1550nm, ces longueurs d'ondes étant couramment utilisées en optoélectronique.  According to particular characteristics, said at least partially transparent material in said spectral band is quartz. Indeed, quartz is transparent for the wavelength of 850nm and silicon between 1310nm and 1550nm, these wavelengths being commonly used in optoelectronics.

Selon des caractéristiques particulières, au cours de l'étape de positionnement du boîtier en regard du composant opto-électronique, on reporte ledit composant optoélectronique sur ledit boîtier par une technologie mettant en oeuvre des billes de matériau fusible. Cette technologie est connue sous le nom de flip-chip . Le positionnement du composant opto-électronique par rapport à la fenêtre est ainsi très précis, dans chaque dimension.  According to particular characteristics, during the step of positioning the housing opposite the opto-electronic component, said optoelectronic component is transferred to said housing by a technology using balls of fusible material. This technology is known as flip-chip. The positioning of the opto-electronic component with respect to the window is thus very precise in each dimension.

Un quatrième aspect de la présente invention vise à augmenter la précision de positionnement d'un boîtier par rapport à un composant électronique porté sur un substrat.  A fourth aspect of the present invention aims at increasing the positioning accuracy of a housing with respect to an electronic component carried on a substrate.

A cet effet, selon un quatrième aspect, la présente invention vise un procédé d'encapsulation, caractérisé en ce qu'il comporte: - une étape de constitution, sur le substrat et sur au moins une partie des bords du boîtier, de supports de bille ou de cylindre d'un matériau fusible, - une étape de dépôt de matériau fusible sur au moins une partie desdits supports 35 de bille ou de cylindre, - une étape de fusion dudit matériau fusible, pour constituer lesdites billes ou cylindre avec des dimensions précisément déterminées et - une étape de positionnement de supports de billes ou de cylindre ne portant pas encore lesdites billes ou cylindre sur lesdites billes ou cylindres.  For this purpose, according to a fourth aspect, the present invention is an encapsulation process, characterized in that it comprises: a step of constituting, on the substrate and on at least a part of the edges of the housing, ball or cylinder of a fusible material, - a fuse material deposition step on at least a portion of said ball or cylinder supports, - a melting step of said fusible material, to constitute said balls or cylinder with dimensions precisely determined and - a positioning step of ball or cylinder supports not yet carrying said balls or cylinder on said balls or cylinders.

Grâce à ces dispositions, le positionnement du boîtier sur le substrat est très précis et est contrôlé par la présence des billes.  Thanks to these arrangements, the positioning of the housing on the substrate is very precise and is controlled by the presence of the balls.

Toutes les caractéristiques particulières et générales des différents aspects de la présente invention constituent des caractéristiques particulières des aspects précédents de la présente invention et vise à constituer un procédé d'encapsulation présentant les avantages et caractéristiques particulières de chacun des aspects de la présente invention.  All the particular and general features of the various aspects of the present invention constitute particular features of the foregoing aspects of the present invention and are intended to constitute an encapsulation process having the particular advantages and features of each of the aspects of the present invention.

Selon un cinquième aspect, la présente invention vise un dispositif d'encapsulation d'au moins un composant électronique, caractérisé en ce qu'il comporte: - un substrat, - une première couche de matériau diélectrique sur une première face dudit substrat, - une ligne conductrice sur ladite première couche de matériau diélectrique, - un trou s'élongeant depuis une deuxième face du substrat opposée à ladite première face jusqu'à la ligne conductrice.  According to a fifth aspect, the present invention relates to a device for encapsulating at least one electronic component, characterized in that it comprises: a substrate, a first layer of dielectric material on a first face of said substrate, a conductive line on said first layer of dielectric material, - a hole elongating from a second face of the substrate opposite said first face to the conductive line.

Selon un sixième aspect, la présente invention vise un dispositif d'encapsulation d'au moins un composant électronique qui comporte: - un substrat portant chaque dit composant électronique et - un boîtier présentant, sur ses bords destinés à être en appui sur ledit substrat, un couteau d'une épaisseur au moins deux fois plus faible que l'épaisseur moyenne dudit boîtier.  According to a sixth aspect, the present invention aims at a device for encapsulating at least one electronic component which comprises: a substrate carrying each said electronic component and a housing having, on its edges intended to bear on said substrate, a knife with a thickness at least twice as small as the average thickness of said housing.

Corrélativement, selon son sixième aspect, la présente invention vise un dispositif d'encapsulation d'au moins un composant électronique, qui comporte: - un boîtier et - un substrat portant chaque dit composant électronique qui présente, en regard des bords d'un boîtier destinés à être en appui sur ledit substrat, un couteau présentant une épaisseur au moins deux fois plus faible que l'épaisseur moyenne dudit boîtier.  Correlatively, according to its sixth aspect, the present invention provides a device for encapsulating at least one electronic component, which comprises: - a housing and - a substrate carrying each said electronic component which has, opposite the edges of a housing intended to be supported on said substrate, a knife having a thickness at least two times smaller than the average thickness of said housing.

Selon un septième aspect, la présente invention vise un dispositif d'encapsulation d'un composant optoélectronique mettant en oeuvre une bande spectrale de lumière, qui comporte: - un boîtier présentant une fenêtre de matériau au moins partiellement transparent dans ladite bande spectrale en regard dudit composant et - une fibre optique positionnée sur ledit boîtier de telle manière qu'une face extrême 35 de ladite fibre optique se trouve en regard de ladite fenêtre.  According to a seventh aspect, the present invention aims a device for encapsulation of an optoelectronic component implementing a spectral band of light, which comprises: a housing having a window of material at least partially transparent in said spectral band opposite said component and - an optical fiber positioned on said housing such that an end face 35 of said optical fiber is facing said window.

Selon un huitième aspect, la présente invention vise un dispositif d'encapsulation d'un composant électronique qui comporte: - sur au moins une partie des bords d'un boîtier, des supports de bille ou de cylindre d'un matériau fusible, - un substrat portant ledit composant et, en regard des bords du boîtier, des supports de bille ou de cylindre d'un matériau fusible, - des billes ou un cylindre reliant lesdits supports de billes ou cylindres.  According to an eighth aspect, the present invention relates to a device for encapsulating an electronic component which comprises: - on at least a part of the edges of a housing, ball or cylinder supports of a fusible material, - a substrate bearing said component and, facing the edges of the housing, ball or cylinder supports of a fusible material, - balls or a cylinder connecting said supports of balls or cylinders.

Les avantages, buts et caractéristiques des différents aspects du dispositif objet de la présente invention étant similaires à ceux des différents aspects du procédé objet de la présente invention, ils ne sont pas rappelés ici.  The advantages, aims and characteristics of the various aspects of the device object of the present invention being similar to those of the different aspects of the method which is the subject of the present invention, they are not recalled here.

D'autres avantages, buts et caractéristiques de la présente invention ressortiront de 10 la description qui va suivre faite, dans un but explicatif et nullement limitatif en regard des dessins annexés, dans lesquels: - la figure 1 représente, schématiquement, en vue en coupe, un mode de réalisation particulier de traversée d'une ligne conductrice d'entrée ou de sortie de signaux électriques; - les figures 2 à 5 représentent, schématiquement, un mode particulier de réalisation d'une succession d'étapes d'encapsulation dans un deuxième mode de réalisation particulier d'une encapsulation de composant électronique; - les figures 6 et 7 représentent, schématiquement, un troisième mode de réalisation particulier d'une encapsulation de composant électronique; - la figure 8 représente, schématiquement, un quatrième mode de réalisation particulier d'une encapsulation de composant électronique; - la figure 9 représente, schématiquement, un quatrième mode de réalisation particulier d'une encapsulation de composant électronique, adaptée à l'encapsulation d'un composant opto-électronique; - la figure 10 représente, schématiquement, un cinquième mode de réalisation particulier d'une encapsulation de composant électronique, adaptée à l'encapsulation d'un composant optoélectronique et - la figure 11 représente, schématiquement, un mode de réalisation d'une étanchéification d'un boîtier par micro-vanne.  Other advantages, aims and features of the present invention will emerge from the following description given for the purpose of explanation and in no way limitative with reference to the accompanying drawings, in which: FIG. 1 is a diagrammatic sectional view. , a particular embodiment of crossing a conductive line input or output of electrical signals; - Figures 2 to 5 show, schematically, a particular embodiment of a succession of encapsulation steps in a second particular embodiment of an encapsulation of electronic component; - Figures 6 and 7 show schematically a third particular embodiment of an encapsulation of electronic component; - Figure 8 shows schematically a fourth particular embodiment of an encapsulation of electronic component; FIG. 9 represents, schematically, a fourth particular embodiment of an electronic component encapsulation, adapted for the encapsulation of an opto-electronic component; FIG. 10 is a diagrammatic representation of a fifth particular embodiment of an electronic component encapsulation adapted for the encapsulation of an optoelectronic component and FIG. 11 is a diagrammatic representation of an embodiment of a sealing device. a housing by micro-valve.

On observe, en figure 1, un substrat 103 portant, sur une première face (la face supérieure en figure 1) une première couche de matériau diélectrique 101, une ligne conductrice 104 et une deuxième couche de matériau diélectrique 102 sur laquelle une soudure 105 attache un boîtier 100. Un perçage 106 est formé depuis la deuxième face du substrat (la face inférieure en figure 1) opposée à la première face, jusqu'à la ligne conductrice 105, en regard de l'intérieur du boîtier 100.  FIG. 1 shows a substrate 103 carrying, on a first face (the upper face in FIG. 1), a first layer of dielectric material 101, a conductive line 104 and a second layer of dielectric material 102 on which a solder 105 attaches a housing 100. A bore 106 is formed from the second face of the substrate (the lower face in FIG. 1) opposite the first face, as far as the conductive line 105, facing the inside of the housing 100.

Le boîtier 100 est par exemple en silicium.  The housing 100 is for example silicon.

Le perçage 106 permet de relier des composants électroniques extérieurs au boîtier 100 aux composants électroniques 110 situés à l'intérieur du boîtier 100, selon des techniques connues. Le perçage 106 est réalisé, préférentiellement avant la mise en boîtier par les techniques classiques de masquage (résinage, photolithographie et ouverture par gravure humide ou sèche). II est ensuite rempli de métal pour permettre la connexion électrique entre la ligne conductrice 104 et l'extérieur du boîtier 100. On observe que la méthode de réalisation du perçage se fait en deux étapes (la ligne conductrice métallique 105 assurant l'étanchéité vis-à- vis de l'extérieur, on réalise un trou puis on le remplit de métal, le trou n'ayant pas besoin d'être parfaitement étanche après remplissage par du métal).  The bore 106 makes it possible to connect external electronic components to the casing 100 to the electronic components 110 located inside the casing 100, according to known techniques. Piercing 106 is performed, preferably before packaging in the conventional masking techniques (resin, photolithography and opening by wet etching or dry). It is then filled with metal to allow the electrical connection between the conductive line 104 and the outside of the housing 100. It is observed that the method of performing the drilling is done in two steps (the metal conductive line 105 ensuring the sealing against on the outside, a hole is made and then filled with metal, the hole does not need to be perfectly sealed after filling with metal).

La réalisation de la traversée électrique montrée sur la figure 1 permet d'éviter que les signaux véhiculés par la ligne conductrice 104 ne passe à proximité du boîtier 100 et, dans le cas où celui-ci est en matériau conducteur, que ces signaux soient perturbés par cette proximité (effet de plan de masse ).  The embodiment of the electrical bushing shown in FIG. 1 makes it possible to prevent the signals conveyed by the conductive line 104 from passing near the case 100 and, in the case where the case is made of conductive material, that these signals are disturbed. by this proximity (mass plan effect).

Le rôle de la première couche de matériau diélectrique 101 est d'isoler du substrat toutes les lignes conductrices d'entrée sortie des composants électroniques 110. Le substrat 103 peut être, lui-même, complexe et consister en un empilement de niveaux de conductions et/ou d'interconnexions de différents composants intégrés. L'exemple pratique décrivant ce type de substrat complexe est donné par un substrat silicium intégrant des fonctions électroniques diverses.  The role of the first layer of dielectric material 101 is to isolate from the substrate all the input-output conductive lines of the electronic components 110. The substrate 103 can itself be complex and consist of a stack of conduction levels and / or interconnections of different integrated components. The practical example describing this type of complex substrate is given by a silicon substrate integrating various electronic functions.

On observe que le substrat silicium est généralement choisi avec une forte résistivité. Dans certaines applications (non représentées) pour lesquelles l'isolation électrique doit être plus importante, on isole les contacts par des tranchées ou on réalise des dépôts de matériau diélectriques sur les parois du trou.  It is observed that the silicon substrate is generally chosen with a high resistivity. In certain applications (not shown) for which the electrical insulation must be greater, the contacts are isolated by trenches or dielectric material deposits are made on the walls of the hole.

Les lignes conductrices de d'entrée-sortie 104 sont alors réalisées sur cette première couche de matériau diélectrique 101 par les techniques conventionnelles de dépôt 25 par évaporation.  The input-output conductor lines 104 are then made on this first layer of dielectric material 101 by conventional evaporation deposition techniques.

Une deuxième couche de matériau diélectrique 102, optionnelle, est ensuite déposée sur ces lignes de conductions 104, ce qui permet de renforcer mécaniquement ces lignes. L'étanchéité est assurée par la soudure (brasure) 105, en Indium. Les différences de niveaux induits par le dépôt du métal constituant les lignes conductrices dans la deuxième couche de matériau diélectrique, peuvent, au besoin, être rattrapées par une simple planarisation du deuxième diélectrique par les techniques de polissage de wafer conventionnelles.  A second layer of dielectric material 102, optional, is then deposited on these lines of conduction 104, which allows to mechanically strengthen these lines. The seal is provided by the solder (solder) 105, in Indium. The differences in levels induced by the deposition of the metal constituting the conductive lines in the second layer of dielectric material may, if necessary, be compensated for by simple planarization of the second dielectric by conventional wafer polishing techniques.

Dans le mode de réalisation illustré, on effectue alors la soudure du boîtier 100 sur la deuxième couche de matériau diélectrique 102, de manière connue en soi.  In the illustrated embodiment, the casing 100 is then welded to the second layer of dielectric material 102, in a manner known per se.

Grâce à ce premier aspect de la présente invention, même lorsque le boîtier d'encapsulation des composants électroniques 110 portés par le substrat 103 est métallique, on évite l'effet plan de masse qui pourrait perturber les signaux véhiculés par la ligne conductrice 104, en particulier si ce sont des signaux hyperfréquences puisque le chemin de ces signaux reste éloigné du bord du boîtier 100.  Thanks to this first aspect of the present invention, even when the encapsulation box of the electronic components 110 carried by the substrate 103 is metallic, it avoids the ground plane effect which could disturb the signals carried by the conductive line 104, by particularly if they are microwave signals since the path of these signals remains remote from the edge of the housing 100.

Dans le mode de réalisation illustré en figures 2 à 5, on effectue le dépôt d'un support 301 de bille ou cylindre de matériau fusible (figure 2) . Ce dépôt est connu dans la technologie de type flip-chip mais, au lieu d'être appliqué à des composants électroniques, on l'applique à la connexion d'un boîtier sur le substrat et, au lieu de l'appliquer à la transmission de signaux électroniques, on l'applique au maintien mécanique du boîtier sur le substrat.  In the embodiment illustrated in FIGS. 2 to 5, the deposition of a support 301 of a ball or cylinder of fusible material is carried out (FIG. 2). This deposit is known in the flip-chip technology but, instead of being applied to electronic components, it is applied to the connection of a housing to the substrate and, instead of applying it to the transmission electronic signals, it is applied to the mechanical maintenance of the housing on the substrate.

Puis, on effectue le dépôt de matériau fusible 401, comme illustré en figure 3. Ce 10 dépôt est effectué à basse température par évaporation du métal indium.  Then, the deposition of fusible material 401 is carried out, as illustrated in FIG. 3. This deposition is carried out at low temperature by evaporation of the indium metal.

Puis, on fait fondre le matériau fusible et celui-ci prend spontanément la forme d'une bille 501 ou d'un cylindre, selon la forme du support 301, sous l'effet des forces de tension superficielle, comme illustré en figure 4.  Then, the fusible material is melted and it spontaneously takes the form of a ball 501 or a cylinder, according to the shape of the support 301, under the effect of the surface tension forces, as illustrated in FIG. 4.

Le principe du dépôt d'un métal par évaporation ou tout autre forme de dépôt (électrolytique par exemple) et est bien connu de l'homme de l'art. Ainsi on définit par des étapes conventionnelles en microélectronique de dépôt de résine, lithographie, insolation une zone ouverte dont les dimensions sont contrôlées à mieux que le micron et où le dépôt du métal indium ou de tout autre métal peut être réalisé. Une fois le métal déposé, on élimine la résine et ce métal peut être refondu pour former un joint cylindrique (figure 5).  The principle of deposition of a metal by evaporation or any other form of deposition (electrolytic for example) and is well known to those skilled in the art. Thus, conventional steps are defined in resin deposition microelectronics, lithography, insolation, an open zone whose dimensions are controlled to better than one micron and where the deposition of the indium metal or of any other metal can be achieved. Once the metal is deposited, the resin is removed and this metal can be remelted to form a cylindrical seal (Figure 5).

Le métal indium pris pour exemple peut être remplacé par des alliages à base d'indium tels que l'indium-étain (InSn). Dans le cas de l'indium la formation du joint continu par augmentation de la température pour rendre l'indium liquide est comprise entre 160 et 175 C. L'herméticité est ensuite obtenue par refusion du joint continu sur l'embase du boîtier elle-même montrant une métallisation adaptée.  The indium metal taken for example can be replaced by indium-based alloys such as indium-tin (InSn). In the case of indium formation of the continuous seal by increasing the temperature to make the liquid indium is between 160 and 175 C. The hermeticity is then obtained by remelting the continuous seal on the base of the housing itself. even showing a suitable metallization.

Enfin, on place sur ces billes, en appui, le boîtier 602 muni d'un support 601 de bille ou de cylindre identique à celui du substrat 103, comme illustré en figure 5.  Finally, these balls are placed in abutment with the housing 602 provided with a support 601 for a ball or cylinder identical to that of the substrate 103, as illustrated in FIG.

Dans le mode de réalisation illustré en figures 6 et 7, à partir de l'état du substrat obtenu à la fin de l'étape 203, on effectue le dépôt d'un joint en matériau ductile 701, en regard de la position prévue du boîtier 702 d'encapsulation des composants électroniques portés par le substrat et on prévoit une forme de couteau 703 au bord du boîtier, forme destinée à s'enfoncer dans le joint ainsi constitué.  In the embodiment illustrated in FIGS. 6 and 7, starting from the state of the substrate obtained at the end of step 203, depositing a seal made of ductile material 701, facing the intended position of the housing 702 encapsulation of electronic components carried by the substrate and is provided a knife shape 703 at the edge of the housing, shaped to sink into the seal thus formed.

La forme des bords du boîtier 702 est telle que son épaisseur est inférieure, en son extrémité, à la moitié de l'épaisseur moyenne du boîtier 702. Dans un mode de réalisation préférentiel, cette forme 703 est une forme prismatique à section essentiellement triangulaire dont l'angle d'extrémité est aigu, par exemple de l'ordre de 60 degrés ou de 1 radian.  The shape of the edges of the casing 702 is such that its thickness is less, at its end, than half of the average thickness of the casing 702. In a preferred embodiment, this form 703 is a prismatic shape with a substantially triangular section of which the end angle is acute, for example of the order of 60 degrees or 1 radian.

Sur la partie boîtier a ainsi été réalisée une portée de joint du type conique avec une portée aiguë ou légèrement arrondie permettant dans certains cas d'éviter le sectionnement de la partie joint. L'épaisseur totale du joint dans ce cas pourra être supérieure à 10 pm. D'une manière générale, la portée du boîtier ne devra pas dépasser l'épaisseur de métal.  On the housing part has thus been achieved a seal of the conical type with a sharp or slightly rounded scope in some cases to avoid cutting the seal. The total thickness of the seal in this case may be greater than 10 pm. In general, the range of the case should not exceed the thickness of metal.

Sous l'effet d'efforts mécaniques exercés soit par une dépression à l'intérieur du boîtier 702 (par exemple une pression résiduelle inférieure à 10-4 torr), soit par des moyens de maintien en position (non représentés), les bords du boîtier 702 restent enfoncés dans le joint 701 et ne risque pas de se déplacer parallèlement au plan du substrat 700.  Under the effect of mechanical forces exerted either by a depression inside the housing 702 (for example a residual pressure of less than 10-4 Torr), or by means of holding in position (not shown), the edges of the housing 702 remain depressed in the seal 701 and is not likely to move parallel to the plane of the substrate 700.

On observe, en première ligne de la figure 7, qu'avant l'assemblage du boîtier 702 sur le substrat 700, le substrat 700 porte chaque composant électronique 705 à encapsuler et le joint 701, tout autour du composant 705. Par ailleurs, le boîtier 702 est constitué pour que ses bords présentent la forme en couteau mentionnée ci-dessus.  It can be observed, in the first line of FIG. 7, that prior to the assembly of the housing 702 on the substrate 700, the substrate 700 carries each electronic component 705 to be encapsulated and the seal 701, all around the component 705. Moreover, the Case 702 is formed so that its edges have the knife shape mentioned above.

Puis, comme représenté en deuxième ligne de la figure 7, à gauche, on positionne le boîtier 702 sur le substrat 700 en enfonçant les bords du boîtier 702 à formes en couteau, dans le joint 701 pour enfermer, entre le boîtier 702 et le substrat 700, les composants électroniques à encapsuler. Dans l'exemple représenté en vue de dessus, en deuxième ligne, à droite de la figure 7, deux composants électroniques 801 et 802 sont encapsulés et ils disposent de six lignes conductrice, au total, pour communiquer avec l'extérieur du boîtier 702.  Then, as shown in the second line of FIG. 7, on the left, the housing 702 is positioned on the substrate 700 by pressing the edges of the knife-shaped housing 702 into the seal 701 to enclose between the housing 702 and the substrate. 700, the electronic components to encapsulate. In the example shown in plan view, in the second line on the right of FIG. 7, two electronic components 801 and 802 are encapsulated and they have six conductive lines, in total, for communicating with the outside of the housing 702.

On observe, en figure 8, une encapsulation de composant électronique identique à celle illustrée en figure 7, à l'exception du couteau 801 qui est porté par le substrat 800 et 20 du joint 803, qui est porté par le bord du boîtier 802.  FIG. 8 shows an encapsulation of an electronic component identical to that illustrated in FIG. 7, with the exception of the knife 801 which is carried by the substrate 800 and the seal 803, which is carried by the edge of the casing 802.

Les modes de réalisation illustrés en figures 7 et 8 concernent les domaines des composants électroniques englobant tout composant type mémoires, circuits logiques ou analogique, circuits de puissance par exemple. Ces composants sont, par exemple, reportés par des techniques de flip chip , les interconnections étant alors assurées par des lignes réalisées sur une plate-forme silicium par exemple et ou simplement collés en surface et interconnectés par fils aux lignes de transmission précédemment mentionnées. L'ensemble des lignes de sortie peut aussi être réalisé comme décrit ci-dessus en regard de la figure 1.  The embodiments illustrated in FIGS. 7 and 8 relate to the domains of the electronic components encompassing any type of memory component, logic or analog circuits, power circuits for example. These components are, for example, reported by flip chip techniques, the interconnections then being provided by lines made on a silicon platform for example and or simply glued on the surface and interconnected by son to the aforementioned transmission lines. The set of output lines can also be produced as described above with reference to FIG.

Comme illustré en figure 9, lorsqu'un des composants électroniques encapsulés est un composant opto-électronique 902, on peut prévoir, sur le substrat 900, une fenêtre 903 de matériau au moins partiellement transparent dans la bande spectrale de lumière mise en oeuvre par le composant en question.  As illustrated in FIG. 9, when one of the encapsulated electronic components is an opto-electronic component 902, it is possible to provide, on the substrate 900, a window 903 of material at least partially transparent in the spectral band of light implemented by the component in question.

Dans le mode de réalisation illustré en figure 9, une fibre optique 906 est portée par une ferrule 907 présentant, sur sa surface en regard dusubstrat 900, une forme en couteau 904 similaire à la forme en couteau des bords du boîtier 901, qui s'enfonce dans un joint 905 formé sur le substrat 900.  In the embodiment illustrated in FIG. 9, an optical fiber 906 is carried by a ferrule 907 having, on its surface facing the substrate 900, a knife shape 904 similar to the knife shape of the edges of the housing 901, which sinks into a joint 905 formed on the substrate 900.

Dans ce cas, le substrat est transparent aux longueurs d'ondes considérées, en regard de l'extrémité de la fibre optique. Le substrat est, par exemple en silicium, en quartz ou en Arseniure de Gallium.  In this case, the substrate is transparent at the wavelengths considered, opposite the end of the optical fiber. The substrate is, for example, silicon, quartz or gallium arsenide.

Dans le mode de réalisation illustré en figure 10, le boîtier 1000 est réalisé en matériau transparent dans la bande spectrale de lumière mise en oeuvre par le composant opto-électronique 1001. Par exemple, le boîtier 1000 est réalisé en quartz, en silicium ou en Arseniure de Gallium). Il comporte préférentiellement une fenêtre 1002 d'une épaisseur inférieure à 100 m.  In the embodiment illustrated in FIG. 10, the casing 1000 is made of transparent material in the light spectral band implemented by the opto-electronic component 1001. For example, the casing 1000 is made of quartz, silicon or aluminum. Gallium arsenide). It preferably comprises a window 1002 with a thickness of less than 100 m.

On observe, en figure 11, qu'une bille 1100 de matériau fusible, par exemple de l'Indium, est positionnée en sortie d'une canalisation 1101 de pompage du gaz présent dans le boîtier 1102. La bille 1100 réalise ainsi une micro-vanne. Lorsque le vide a été, au moins partiellement, réalisé dans le boîtier 1102, on chauffe la bille 1100 jusqu'à sa température de fusion. Par capillarité, elle descend alors dans la canalisation 1101 et s'y solidifie, ce qui a pour conséquence d'obturer cette canalisation 1101. En variante, au cours du chauffage de la bille 1100, on remonte la pression à l'extérieur du boîtier 1102 pour que la bille 1100, en fusion, soit aspirée à l'intérieur de la canalisation 1101. Le boîtier est alors hermétiquement clos et maintenu en position par la dépression.  FIG. 11 shows that a ball 1100 of fusible material, for example Indium, is positioned at the outlet of a pipe 1101 for pumping the gas present in the casing 1102. The ball 1100 thus carries out a microparticle. valve. When the vacuum has been at least partially formed in the housing 1102, the ball 1100 is heated to its melting temperature. By capillarity, it then goes down into the pipe 1101 and solidifies therein, which has the effect of closing off this pipe 1101. In a variant, during the heating of the ball 1100, the pressure is raised up to the outside of the casing 1102 so that the ball 1100, molten, is sucked inside the pipe 1101. The housing is then hermetically sealed and held in position by the depression.

Les exemples d'applications de la présente invention sont nombreux et concernent de nombreux domaines d'applications comme la microélectronique, les technologies MEMS (acronyme de MEchanical Mobile Semiconductors pour semiconducteurs mobiles mécaniques), l'optique, l'optoélectronique les systèmes de détection, de capteurs etc. Préférentiellement, l'encapsulation des composants électroniques ou optoélectroniques est effectuée de manière collective sur un substrat unique qui est ensuite découpé pour séparer les ensembles boîtier-substrat.  The examples of applications of the present invention are numerous and relate to many fields of applications such as microelectronics, MEMS (acronym for MEchanical Mobile Semiconductors for mechanical mobile semiconductors) technologies, optics, optoelectronics detection systems, sensors etc. Preferably, the encapsulation of the electronic or optoelectronic components is performed collectively on a single substrate which is then cut to separate the housing-substrate assemblies.

Claims (4)

REVENDICATIONS 1 - Procédé d'encapsulation d'au moins un composant électronique (110, 705, 902, 1001), caractérisé en ce qu'il comporte: - une étape de préparation d'un substrat (103) comportant de réaliser une première couche de matériau diélectrique (101) sur une première face dudit substrat, - une étape de réalisation d'une ligne conductrice (104) sur ladite première couche de matériau diélectrique, - une étape de perçage d'un trou (106) depuis une deuxième face du substrat 10 opposée à ladite première face jusqu'à la ligne conductrice et - une étape de remplissage dudit trou avec un matériau conducteur.  1 - Method for encapsulating at least one electronic component (110, 705, 902, 1001), characterized in that it comprises: - a step of preparing a substrate (103) comprising producing a first layer of dielectric material (101) on a first face of said substrate, - a step of producing a conductive line (104) on said first layer of dielectric material, - a step of drilling a hole (106) from a second face of the substrate 10 opposite said first face to the conductive line and - a step of filling said hole with a conductive material. 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de réalisation d'une deuxième couche de matériau diélectrique (102) sur la première couche de matériau diélectrique (101) et sur la ligne conductrice (104).  2 Process according to claim 1, characterized in that it comprises a step of producing a second layer of dielectric material (102) on the first layer of dielectric material (101) and on the conductive line (104). 3 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comporte: - une étape de préparation d'un boîtier (100) présentant, sur ses bords destinés à être en appui sur le substrat (103) portant chaque dit composant électronique (705, 902, 1001), un couteau (703) d'une épaisseur au moins deux fois plus faible que l'épaisseur moyenne dudit boîtier et - une étape de positionnement dudit boîtier sur ledit substrat, ledit couteau étant alors en appui sur ledit substrat.  3 Method according to any one of claims 1 or 2, characterized in that it comprises: - a step of preparing a housing (100) having, on its edges intended to be supported on the substrate (103) bearing each said electronic component (705, 902, 1001), a knife (703) having a thickness at least two times smaller than the average thickness of said housing and - a step of positioning said housing on said substrate, said knife then being resting on said substrate. 4 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comporte: - une étape de préparation du substrat (800) portant chaque dit composant électronique (705, 902, 1001) pour qu'il présente, en regard des bords d'un boîtier (802) destinés à être en appui sur ledit substrat, un couteau (801) présentant une épaisseur au moins deux fois plus faible que l'épaisseur moyenne dudit boîtier et -une étape de positionnement dudit boîtier sur ledit substrat, lesdits bords étant 30 alors en appui sur ledit couteau.  4 Process according to any one of claims 1 or 2, characterized in that it comprises: - a preparation step of the substrate (800) carrying each said electronic component (705, 902, 1001) so that it presents, in viewing the edges of a housing (802) intended to bear on said substrate, a knife (801) having a thickness at least two times smaller than the average thickness of said housing and a step of positioning said housing on said substrate, said edges then being supported on said knife. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce que ledit couteau (703, 801) présente une section essentiellement triangulaire.    Method according to any one of claims 3 or 4, characterized in that said knife (703, 801) has a substantially triangular section. 6 Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de réalisation d'un joint en matériau ductile (701, 803) sur lequel ledit 35 couteau (703, 801) vient en appui lors de l'étape de positionnement.  6 Process according to any one of claims 3 to 5, characterized in that it comprises a step of producing a seal of ductile material (701, 803) on which said knife (703, 801) bears when of the positioning step. 7 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de mise sous vide, au moins partiel, du volume constitué par ledit boîtier (100, 702, 802) et ledit substrat (103, 800).  7 Process according to any one of claims 1 to 6, characterized in that it comprises a step of evacuating, at least partially, the volume constituted by said housing (100, 702, 802) and said substrate (103, 800). 8 Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que, au cours de l'étape de mise sous vide, on réalise, sous vide, le montage dudit boîtier (100, 702, 802) sur ledit substrat (103, 800).  Process according to claim 7, characterized in that, during the evacuation step, the mounting of said housing (100, 702, 802) on said substrate (103, 800) is carried out under vacuum. 9 Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que, au cours de l'étape de mise 5 sous vide, on fait fondre, dans une canalisation de pompage (1101), du métal (1100) initialement disposé à la sortie de ladite canalisation.  9. Process according to claim 7, characterized in that, during the evacuation step, a metal (1100) initially disposed at the outlet of said pipe is melted in a pumping line (1101). . Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'il comporte la réalisation de l'encapsulation de plusieurs composants sur un même substrat avec plusieurs boîtiers puis le découpage du substrat pour séparer les composants 10 encapsulés avec leurs boîtiers.    Method according to any one of claims 1 to 9, characterized in that it comprises the embodiment of the encapsulation of several components on the same substrate with several housings and then the cutting of the substrate to separate the encapsulated components with their housings. 11 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 1o, caractérisé en ce que le composant électronique est un composant optoélectronique (1001) mettant en oeuvre une bande spectrale de lumière et en ce qu'il comporte: - une étape de préparation d'un boîtier (1000) pour y constituer une fenêtre (1002) 15 de matériau au moins partiellement transparent dans ladite bande spectrale, - une étape de positionnement dudit boîtier en regard dudit composant optoélectronique de telle manière que ladite fenêtre se trouve en regard dudit composant et - une étape de positionnement d'une fibre optique (1006) sur ledit boîtier de telle manière qu'une face extrême de ladite fibre optique se trouve en regard de ladite fenêtre.  Process according to any one of Claims 1 to 10, characterized in that the electronic component is an optoelectronic component (1001) implementing a spectral band of light and in that it comprises: a step of preparation of a casing (1000) for constituting a window (1002) 15 of material at least partially transparent in said spectral band, - a step of positioning said casing opposite said optoelectronic component such that said window is opposite said component and a step of positioning an optical fiber (1006) on said housing such that an end face of said optical fiber is opposite said window. 12 Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que ledit boîtier (1000) est constitué en matériau au moins partiellement transparent dans ladite bande spectrale.  The method of claim 11, characterized in that said housing (1000) is made of at least partially transparent material in said spectral band. 13 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 1 S?, caractérisé en ce que le composant électronique.est un composant optoélectronique (1001) mettant en oeuvre unè bande spectrale de lumière et en ce qu'il comporte: - une étape de préparation du substrat (900) pour y constituer une fenêtre (903) de matériau au moins partiellement transparent dans ladite bande spectrale, - une étape de positionnement dudit composant optoélectronique sur ledit substrat, de telle manière que ladite fenêtre se trouve en regard dudit composant et - une étape de positionnement d'une fibre optique (906) sur ledit boîtier de telle manière qu'une face extrême de ladite fibre optique se trouve en regard de ladite fenêtre.  Process according to any one of Claims 1 to 1, characterized in that the electronic component is an optoelectronic component (1001) implementing a spectral band of light and in that it comprises: a step of preparing the substrate (900) to constitute a window (903) of at least partially transparent material in said spectral band, - a step of positioning said optoelectronic component on said substrate, such that said window is opposite said component and - A step of positioning an optical fiber (906) on said housing such that an end face of said optical fiber is facing said window. 14 Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, caractérisé en ce que ledit matériau constituant la fenêtre et, au moins partiellement transparent dans ladite bande spectrale, est du quartz.  Method according to any one of claims 11 to 13, characterized in that said material constituting the window and, at least partially transparent in said spectral band, is quartz. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, caractérisé en ce qu'il 35 comporte: - une étape de constitution, sur le substrat (103) et sur au moins une partie des bords du boîtier (100), de supports de bille ou de cylindre (301, 601) d'un matériau fusible, - une étape de dépôt de matériau fusible (401) sur au moins une partie desdits supports de bille ou de cylindre, - une étape de fusion dudit matériau fusible, pour constituer lesdites billes (501) ou cylindre avec des dimensions précisément déterminées et - une étape de positionnement de supports de billes ou de cylindre ne portant pas encore lesdites billes ou cylindre sur lesdites billes ou cylindres.    Process according to any one of claims 1 to 14, characterized in that it comprises: - a step of constitution, on the substrate (103) and on at least a part of the edges of the casing (100), of ball or cylinder (301, 601) of a fusible material, - a fuse material deposition step (401) on at least a portion of said ball or cylinder supports, - a melting step of said fusible material, to constitute said balls (501) or cylinder with precisely determined dimensions and - a positioning step of ball or cylinder supports not yet carrying said balls or cylinder on said balls or cylinders.
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