FR2851051A1 - Panneau detecteur numerique de rayons x a revetement hermetique depose et procede de fabrication - Google Patents
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Abstract
Il est proposé un panneau détecteur numérique de rayons X 10 et un procédé de fabrication d'un panneau détecteur de rayons X. Le procédé comprend la formation d'une matrice de détecteur 104 sur le substrat de détecteur 12, la formation d'un barrage 106 sur le substrat de détecteur et circonscrivant la matrice de détecteur, la formation d'un scintillateur 110 sur la matrice de détecteur, et la formation d'un revêtement hermétique 118 sur le scintillateur et qui s'étend au moins soit jusqu'à une surface du barrage soit au-delà du barrage. Le panneau détecteur numérique de rayons X 10 comprend un substrat de détecteur 12, une matrice de détecteur 20 formée sur le substrat de détecteur, un barrage 106 formé sur le substrat de détecteur et circonscrivant la matrice de détecteur, un scintillateur 110 formé sur la matrice de détecteur, et un revêtement hermétique formé sur le scintillateur et qui s'étend au moins soit au-delà de la matrice de détecteur et du barrage soit au-delà de la matrice de détecteur sur une surface du barrage.
Description
i
PANNEAU DETECTEUR NUMERIQUE DE RAYONS X A REVETEMENT
HERMETIQUE DEPOSE ET PROCEDE DE FABRICATION
La présente invention porte globalement sur les systèmes d'imagerie numérique et en particulier sur la fabrication de panneaux détecteurs de rayons X. Les systèmes d'imagerie par rayons X sont de plus en plus largement répandus pour produire des données numériques qui peuvent être reconstruites en images radiographiques utiles. Dans certains systèmes connus d'imagerie numérique par rayons X, un rayonnement provenant d'une source est dirigé vers un sujet, tel qu'un patient dans une application en diagnostic médical. Une partie du rayonnement traverse le patient et 10 frappe un détecteur, le détecteur convertissant le rayonnement en photons de lumière qui sont détectés. Le détecteur est divisé en une matrice d'éléments d'image ou pixels discrets, et code des signaux de sortie en fonction de la quantité ou intensité du rayonnement frappant chaque région de pixel. Comme l'intensité du rayonnement est modifiée à mesure que le rayonnement traverse le patient, les images reconstruites à 15 partir des signaux de sortie représentent une projection des tissus du patient similaire à celles pouvant être obtenues par des techniques conventionnelles à pellicule photographique sensible aux rayons X. Un facteur important dans des applications en imagerie médicale est la définition spatiale du détecteur. Pour obtenir une bonne définition d'image, les photons qui sont 20 produits dans un scintillateur au-dessus d'un pixel donné du détecteur doivent être comptés seulement par ce pixel sous-jacent. Des photons qui sont diffusés vers des pixels adjacents réduisent la clarté de l'image. En conséquence, le scintillateur est déposé en phase vapeur en forme de colonnes ou d'aiguilles. Les aiguilles individuelles sont séparées l'une de l'autre et possèdent des rapports longueur/diamètre d'environ 100 25 ou plus. Des photons progressant dans une aiguille de scintillateur ont tendance à être retenus à l'intérieur de l'aiguille individuelle en raison du fait que l'indice de réfraction du scintillateur est plus élevé que celui de l'air, pourvu que les aiguilles individuelles du scintillateur restent séparées. On sait qu'un scintillateur à l'iodure de césium (CsI) est un sel hygroscopique. Si le scintillateur CsI est exposé à l'humidité, le scintillateur CsI peut absorber l'humidité, ce qui provoque une coalescence ou réunion des aiguilles individuelles du scintillateur CsI.
Le transport, le stockage et le fonctionnement d'un appareil d'imagerie par rayonnement peuvent exposer l'appareil à des conditions environnementales 5 défavorables, telles que l'humidité atmosphérique et des éclaboussures, au cours de son fonctionnement et de son expédition. Ces conditions environnementales peuvent potentiellement endommager l'appareil d'imagerie par rayonnement. Par exemple, ces imageurs comprennent un scintillateur, convertissant un rayonnement en lumière visible, qui peut subir une coalescence dans de telles conditions, ce qui entraîne une 10 dégradation de la qualité d'image pouvant potentiellement rendre l'imageur inutilisable.
Le terme "coalescence" désigne un phénomène de réunion des cristaux du scintillateur par absorption d'humidité. Une fois que la coalescence commence, elle peut s'étendre au-delà du point ou de la zone d'endommagement initial.
Dans un premier aspect, il est proposé un procédé de fabrication d'un panneau 15 détecteur de rayons X. Le panneau détecteur comprend un substrat de détecteur qui comporte une surface de base de détecteur et une pluralité de parois latérales s'éloignant perpendiculairement de la surface de base du détecteur. Le procédé comprend la formation d'une matrice de détecteur sur le substrat de détecteur, la formation d'un barrage sur le substrat de détecteur circonscrivant la matrice de détecteur, la formation 20 d'un scintillateur sur la matrice de détecteur, et la formation d'un revêtement hermétique sur le scintillateur qui s'étend au moins soit jusqu'à une surface du barrage soit au-delà du barrage.
La formation du revêtement hermétique peut comprendre en outre la formation sur le scintillateur d'une couche d'encapsulation s'étendant audelà du barrage, la 25 formation sur la couche d'encapsulation d'une couche réfléchissante s'étendant au-delà du barrage, et la formation sur la couche réfléchissante d'un masque à couche mince s'étendant au-delà du barrage; et/ou comprendre en outre la formation sur le masque à couche mince d'une couche hermétique s'étendant au-delà du barrage et s'étendant audelà du masque à couche mince, et la formation sur la couche hermétique d'une couche de protection contre la corrosion s'étendant au-delà du barrage et s'étendant au-delà de la couche hermétique.
Le substrat du détecteur peut comporter un côté paroi de poitrine, et la formation d'un revêtement hermétique peut comprendre en outre la formation sur le masque à s couche mince d'une couche hermétique s'étendant au-delà du barrage et s'étendant sur au moins une paroi latérale adjacente au côté paroi de poitrine, et la formation sur la couche hermétique d'une couche de protection contre la corrosion s'étendant au-delà du barrage et s'étendant sur au moins une paroi latérale adjacente au côté paroi de poitrine.
Le substrat du détecteur peut comporter un côté arrière opposé et un côté paroi 10 de poitrine, et la formation d'un revêtement hermétique peut comprendre en outre la formation sur le masque à couche mince d'une couche hermétique s'étendant au-delà du barrage, la formation sur la couche hermétique d'une couche de protection contre la corrosion s'étendant au-delà du barrage, et le couplage d'un profilé en U d'extrémité à au moins une paroi latérale, qui est de préférence le côté paroi de poitrine. Un couvercle 15 mécanique peut en outre être couplé entre la couche hermétique et le profilé en U d'extrémité de telle manière qu'il existe un espace entre la couche hermétique et le profilé en U d'extrémité.
La formation d'un revêtement hermétique peut comprendre en outre la formation sur le scintillateur d'une première couche d'encapsulation s'étendant jusqu'à une surface 20 du barrage, la formation sur la première couche d'encapsulation d'une couche réfléchissante s'étendant jusqu'à une zone comprise entre la matrice de détecteur et la surface du barrage, et la formation sur la couche réfléchissante d'une seconde couche d'encapsulation s'étendant jusqu'à un bord de la première couche d'encapsulation sur la surface du barrage.
Dans un autre aspect, il est proposé un panneau détecteur numérique de rayons X. Le panneau détecteur numérique de rayons X comprend un substrat de détecteur, une matrice de détecteur formée sur ledit substrat de détecteur, un barrage formé sur ledit substrat de détecteur et circonscrivant la matrice de détecteur, un scintillateur formé sur la matrice de détecteur, et un revêtement hermétique formé sur le scintillateur qui s'étend au moins soit au-delà de la matrice de détecteur et du barrage soit au-delà de la matrice de détecteur sur une surface du barrage.
De préférence, le revêtement hermétique comprend une couche d'encapsulation sur le scintillateur et s'étendant au-delà du barrage, une couche réfléchissante sur la 5 couche d'encapsulation et s'étendant au-delà du barrage, et un masque à couche mince sur la couche réfléchissante et s'étendant au-delà du barrage.
La présente invention sera mieux comprise à l'étude de la description détaillée suivante de quelques formes de réalisation préférées, illustrée par les dessins annexés dans lesquels: la figure 1 est une vue plane d'un panneau détecteur numérique de rayons X; la figure 2 est une coupe d'une configuration de scellement hermétique pouvant être utilisée avec le panneau détecteur de rayons X représenté sur la figure 1; la figure 3 est une coupe d'une autre configuration de scellement hermétique pouvant être utilisée avec le panneau détecteur de rayons X représenté sur la figure 1; la figure 4 est une coupe d'une autre configuration de scellement hermétique pouvant être utilisée avec le panneau détecteur de rayons X représenté sur la figure 1; la figure 5 est une coupe d'encore une autre configuration de scellement hermétique pouvant être utilisée avec le panneau détecteur de rayons X représenté sur la figure 1; et la figure 6 est une coupe d'encore une autre configuration de scellement hermétique pouvant être utilisée avec le panneau détecteur de rayons X représenté sur la figure 1.
La figure 1 est une vue plane d'un panneau détecteur numérique de rayons X 10 qui comprend un substrat de détecteur 12 de forme rectangulaire comportant une 25 surface de base de détecteur 14, au moins une paroi latérale 16 qui s'éloigne perpendiculairement de la surface de base de détecteur 14, et un côté arrière 18 opposé à la surface de base de détecteur 14. La surface de base de détecteur 14 comprend une zone active de détecteur 20, une zone de barrage 22, une zone de doigts de contact 24 et un côté paroi de poitrine 26.
La zone active 20 du détecteur est une zone sensiblement rectangulaire sur la surface de base 14 du détecteur qui est sensible à un rayonnement incident et configurée pour convertir un rayonnement incident en signaux électriques qui sont reçus en une pluralité de doigts de contact 28 espacés sur la zone de doigts de contact 24. La zone de s barrage 22 comprend un revêtement adhésif aplani qui entoure la zone active 20 du détecteur. Dans l'exemple de réalisation, le panneau 10 est utilisé avec un appareil de mammographie. En conséquence, une partie adjacente au côté paroi de poitrine de la zone de barrage 22 présente une largeur 30, et des parties de la zone de barrage 22 qui ne sont pas adjacentes au côté paroi de poitrine 26 présentent une largeur 32. Dans une 10 forme de réalisation, la largeur 30 est incluse dans un intervalle allant de 0,381 à 1,397 mm (0,015 à 0,055 pouce). Dans une variante, la largeur 30 est incluse dans un intervalle allant de 0,635 à 1,143 mm (0,025 à 0,045 pouce). Dans l'exemple de réalisation, la largeur 30 est d'environ 0,889 mm (0,035 pouce). Dans une forme de réalisation, la largeur 32 est incluse dans un intervalle allant de 3,50 à 4,52 mm (0,138 à 1 5 0,178 pouce). Dans une variante, la largeur 32 est incluse dans un intervalle allant de 3,76 à 4,27 mm (0,148 à 0,168 pouce). Dans l'exemple de réalisation, la largeur 32 est d'environ 4,01 mm (0,158 pouce). Les intervalles de largeur sont indiqués dans un but d'illustration et ne sont pas destinés à suggérer une limitation.
Dans l'exemple de réalisation, la largeur 30 est inférieure à la largeur 32. Par 20 exemple, cette configuration peut être utilisée quand le panneau détecteur numérique de rayons X 10 est destiné à être utilisé dans un appareil de mammographie dans lequel il est souhaitable que la zone active 20 du détecteur soit aussi proche que possible de la paroi de poitrine de la patiente. Dans une autre forme de réalisation, comme par exemple dans une machine RAD ou cardiaque, la largeur 30 peut être soit égale soit 25 supérieure à la largeur 32. La largeur de la zone active 20 du détecteur est repérée 34, la largeur du substrat 12 adjacent au côté paroi de poitrine 26 est repérée 36 et la largeur de la zone de doigts de contact 24 non adjacente au côté paroi de poitrine 26 est repérée 38. Les doigts de contact 28 ne sortent pas du panneau 10 au niveau du côté paroi de poitrine 26. Dans une forme de réalisation, la largeur 36 est sensiblement nulle, ce qui signifie que le barrage 106 dans la zone 30 s'étend sensiblement jusqu'au bord du substrat 12.
En service, une partie du patient ou de la patiente est positionnée entre le panneau détecteur numérique de rayons X 10 et une source de rayonnement ou rayons 5 X (non représentée). Un rayonnement incident traverse le patient et une partie du rayonnement incident est absorbée par le patient. La partie du rayonnement incident qui n'est pas absorbée par le patient est substantiellement absorbée par un scintillateur 110.
Le scintillateur 110 convertit le signal de rayons X en un signal de lumière qui est luimême converti en charge électrique par une photodiode sur le substrat du détecteur. Le 10 signal électrique est donc proportionnel à la quantité de rayonnement reçue par le panneau détecteur numérique de rayons X 10. Les signaux électriques sont présentés aux doigts de contact 28 en vue d'un couplage à un dispositif électronique interprétatif (non représenté).
La figure 2 est une coupe d'une configuration de scellement hermétique pouvant 15 être utilisée avec le panneau détecteur de rayons X représenté sur la figure 1. Des composants représentés sur la figure 2 qui sont identiques à des composants représentés sur la figure 1 sont repérés sur la figure 2 par les mêmes numéros que ceux utilisés sur la figure 1. En conséquence, le substrat de détecteur 12 comporte une surface de base de détecteur 14, une paroi latérale 16 qui s'éloigne perpendiculairement de la surface de 20 base de détecteur 14, et un côté arrière 18 opposé à la surface de base de détecteur 14.
La surface de base de détecteur 14 comprend une zone active de détecteur 20, une zone de barrage 22, une zone de doigts de contact 24 et une zone d'adhérence 102.
Une matrice de détecteur 104, qui comprend un réseau de photodétecteurs positionnés pour détecter des photons, est formée sur la surface de base de détecteur 14 à l'intérieur 25 de la zone active de détecteur 20. Les éléments de la matrice de détecteur 104 sont reliés électriquement aux doigts de contact 28 de telle manière que, par une combinaison de connexions aux doigts de contact 28, il est possible de déterminer l'état de chaque élément de la matrice de détecteur 104. Un barrage adhésif aplani 106 est formé autour du périmètre de la zone active 20 du détecteur et présente une épaisseur 108, qui est la 30 distance entre un premier côté du barrage 106 qui est adjacent à la matrice de détecteur 104 et une seconde surface opposée 109 du barrage 106. Dans l'exemple de réalisation, l'épaisseur 108 est d'environ 0,127 mm (0,005 pouce). Dans la présente, des termes tels que par exemple "sur" et "au-dessus de" sont utilisés pour désigner des positions relatives d'éléments représentés sur les dessins et n'impliquent aucune limitation structurelle ou opérationnelle dans le dispositif assemblé.
Un scintillateur 110 est formé sur la matrice de détecteur 104 et couvre la zone active 20 du détecteur. Dans l'exemple de réalisation, le scintillateur 110 comprend de l'iodure de césium (CsI) dans une structure d'aiguilles de CsI 111. Dans des variantes, d'autres scintillateurs sont aussi acceptables. Dans l'exemple de réalisation, la structure 10 d'aiguilles de CsI 111 est dopée au thallium. Une couche d'encapsulation 112 est formée au-dessus du scintillateur 110 et s'étend au-dessus de la zone active 20 du détecteur, de la zone de barrage 22 et d'une partie de la zone d'adhérence 102. Dans l'exemple de réalisation, la couche d'encapsulation 112 est déposée entre les aiguilles structurelles 111 du scintillateur jusqu'en bas de chacune des aiguilles de scintillateur 111 et le long 15 de toutes les parois latérales de toutes les aiguilles du scintillateur. La zone d'adhérence 102 offre une surface à laquelle la couche d'encapsulation 112 peut être liée en vue d'assurer l'étanchéité au-dessus du scintillateur 110. Dans une forme de réalisation, la couche d'encapsulation 112 est un revêtement de poly-para-xylylène (ParylèneTM N).
Dans une variante, la couche d'encapsulation 112 est un revêtement d'ismonochloro20 poly-para-xylylène (ParylèneTM C). Dans une autre variante, la couche d'encapsulation 112 est un revêtement à la fois de ParylèneTM C et de ParylèneTM N. ParylèneTM est une appellation commerciale de Specialty Coating Systems, Inc., 5701 West Minnesota St., Indianapolis, Indiana 46241.
Une couche réfléchissante 114, comprenant par exemple de l'argent, de l'or, du 25 dioxyde de titane ou de l'aluminium, est formée au-dessus de la couche d'encapsulation 112 et s'étend jusqu'aux bords de la couche d'encapsulation 112 au-dessus de la zone d'adhérence 102. Dans l'exemple de réalisation, la couche réfléchissante 114 s'étend jusqu'au bord de la couche d'encapsulation 112. Dans des variantes, la couche réfléchissante 114 ne s'étend pas jusqu'au bord de la couche d'encapsulation 112 mais va 30 au-delà du bord de la couche d'encapsulation 112.
Un masque à couche mince 116 comprenant une matière à masse moléculaire relativement faible, telle que par exemple de l'aluminium (Al), du fluorure de magnésium (MgF), du carbone sous forme de diamant amorphe, du carbure de bore (B4C), du nitrure de bore (BNO2), du nitrate de silicium (SiNO3) ou de l'oxyde de 5 silicium (SiO), est formé sur la couche réfléchissante 114. Le masque à couche mince 116 résiste à l'attaque par plasma. Dans une forme de réalisation, le masque à couche mince 1 16 n'est pas utilisé, comme lorsque la couche réfléchissante 114 n'est pas retirée au cours d'un procédé d'attaque par ions réactifs. Dans une variante, une mince couche barrière (non représentée) peut être formée entre la couche réfléchissante 114 et le 10 masque à couche mince 116, comme lorsque la couche réfléchissante 114 comprend de l'argent et le masque à couche mince 116 comprend de l'aluminium. Dans ce cas, l'argent et l'aluminium ont tendance à se diffuser l'un dans l'autre et une mince couche barrière entre eux, comprenant par exemple du chrome, permet de réduire cette diffusion.
Une couche hermétique 118 est formée sur le masque à couche mince 116. La couche hermétique 118 comprend aussi une matière à masse moléculaire relativement faible, telle que par exemple de l'aluminium (Al), du fluorure de magnésium (MgF), du carbone sous forme de diamant amorphe, du carbure de bore (B4C), du nitrure de bore (BNO2), du nitrate de silicium (SiNO3) ou de l'oxyde de silicium (SiO). La couche 20 hermétique 1 18 est formée sur le masque à couche mince 1 16 de manière à s'étendre audessus et se terminer sur la zone d'adhérence 102 adjacente à la couche d'encapsulation 112. La couche hermétique 118 et la zone d'adhérence 102 forment une barrière à l'humidité. Une couche de protection contre la corrosion 120 est formée sur la couche hermétique 118 de manière à se terminer sur la zone d'adhérence 102 adjacente à la 25 couche hermétique 1 18. La couche de protection contre la corrosion 120 comprend des matières ayant une faible absorption des rayons X, telles que par exemple un acrylique, du ParylèneTM, de l'aluminium (Al), de l'oxyde d'aluminium (AlO), du fluorure de magnésium (MgF), du carbone sous forme de diamant amorphe, du carbure de bore (B4C), du nitrure de bore (BNO2), du nitrate de silicium (SiNO3), de l'oxyde de silicium 30 (SiO) ou de l'or (Au).
Le panneau détecteur numérique de rayons X 10 est fabriqué comme suit: une zone active 20 du panneau détecteur numérique de rayons X 10 est fabriquée avec des centaines de doigts de contact 28 placés autour du périmètre du substrat 12. Un adhésif est déposé sur le substrat de détecteur 12 dans la zone de barrage 22. Dans une forme de 5 réalisation de la présente invention, l'adhésif est un époxy. Dans une forme de réalisation de la présente invention, la couche d'encapsulation 112 est en ParylèneTm N, ParylèneTM C ou une combinaison des mêmes.
L'époxy est aplani par un organe d'aplanissement (non représenté) en TéflonTM (appellation commerciale de E. I. DuPont de Nemours and Co., 1007 Market Street, 1o Wilmington, DE 19898) pour former un barrage adhésif 106 aplani ayant une épaisseur 108 incluse dans un intervalle allant d'environ 0,10 à environ 0,15 mm (0, 004 à 0,006 pouce). L'intervalle d'épaisseur 108 est indiqué dans un but d'illustration et n'est pas destiné à suggérer une limitation. L'organe d'aplanissement est retiré après durcissement du barrage adhésif aplani 106. Un masque de gravure (non représenté) en alliage 15 métallique KovarTm (appellation commerciale de CRS Holdings, Inc., 209 Baynard Building, 3411 Silverside Road, Wilmington, Delaware 19810) (29% Ni, 53% Fe, 17% Co et 1 % d'impuretés) est posé sur le barrage adhésif aplani 106, de telle manière que le masque en alliage métallique couvre les doigts de contact 28 et un bord du masque en alliage métallique KovarTm ne n'étend pas au-delà de la périphérie de la matrice de 20 détecteur 104 la plus proche des doigts de contact 28.
Un scintillateur 110 est déposé à travers le masque en alliage métallique et sur le substrat de détecteur 12, et est en contact avec la matrice de détecteur 104 sur le substrat de détecteur 12. Au cours du dépôt du scintillateur 110 sur le substrat 12, les doigts de contact 28 sont protégés contre un dépôt de scintillateur 110 par le barrage adhésif 25 aplani 106 qui est déposé sur le substrat 12 entre les doigts de contact 28 et la zone active 20 à revêtir de scintillateur 110. Un masque de contacts est alors placé au-dessus du barrage 106 au cours du dépôt du scintillateur 110. Une fenêtre au centre du masque permet un dépôt du scintillateur 110 seulement dans la zone active 20 et pas sur les doigts de contact 28. Le barrage 106 et le masque protègent les doigts de contact 28 30 contre un dépôt de scintillateur 1 1 0.
Le masque en alliage métallique est ensuite retiré. Une couche d'encapsulation 112 est déposée sur le scintillateur 110, incluant un revêtement entre et le long des aiguilles structurelles 111 du scintillateur. La couche d'encapsulation 112 est aussi déposée sur la zone de barrage 22, la zone d'adhérence 102, le barrage adhésif aplani 5 106 et les doigts de contact 28. Un masque de contacts (non représenté) est ensuite posé sur la couche d'encapsulation 112 au-dessus du barrage adhésif aplani 106, de telle manière que le masque de contacts couvre les doigts de contact 28 et un bord du masque de contacts ne s'étend pas au-dessus de la zone de barrage 22. Une couche réfléchissante 114 est déposée sur la couche d'encapsulation 112 couvrant le scintillateur 110, le 10 barrage adhésif aplani 106 et la zone d'adhérence 102. Dans une forme de réalisation, la couche réfléchissante 114 est déposée seulement sur une partie de la zone d'adhérence 102.
Un masque à couche mince 116 est ensuite déposé sur la couche réfléchissante 114. Le masque à couche mince 116 protège la couche réfléchissante 114 quand la 15 couche d'encapsulation 112 est retirée par attaque par ions réactifs d'oxygène. Le masque de contacts est ensuite enlevé. La couche d'encapsulation 112 a été retirée des doigts de contact 28 par l'attaque par ions réactifs. Un masque de couche hermétique (non représenté) est ensuite posé de telle manière que le masque couvre les doigts de contact 28 et un bord du masque de couche hermétique ne s'étend pas au-dessus d'une 20 partie de la zone d'adhérence 102. Une couche hermétique 118 est déposée sur le masque à couche mince 116 et la couche hermétique 118 se termine sur la zone d'adhérence 102 adjacente au masque à couche mince 116 de manière à former une barrière à l'humidité entre la couche hermétique 118 et la zone d'adhérence 102. Une couche de protection contre la corrosion 120 peut en option être déposée sur la couche 25 hermétique 118, et la couche de protection contre la corrosion 120 se termine sur la zone d'adhérence 102 adjacente à la couche hermétique 118.
La couche hermétique 118 et la couche de protection contre la corrosion 120 forment un revêtement hermétique pour le panneau 10. Quand la couche de protection contre la corrosion 120 optionnelle n'est pas utilisée, la couche hermétique 118 est choisie en une matière qui ne se corrode pas rapidement, et sert à la fois de couche hermétique et de couche de protection contre la corrosion.
La figure 3 est une coupe d'une autre configuration de scellement hermétique pouvant être utilisée avec le panneau détecteur de rayons X 10 représenté sur la 5 figure 1. Des composants représentés sur la figure 3 qui sont identiques à des composants représentés sur les figures 1 et 2 sont repérés sur la figure 3 par les mêmes numéros que ceux utilisés sur les figures 1 et 2. En conséquence, le substrat de détecteur 12 comporte une surface de base de détecteur 14, une paroi latérale 16 qui s'éloigne perpendiculairement de la surface de base de détecteur 14 et un côté arrière 18 opposé à 10 la surface de base de détecteur 14.
La configuration de scellement hermétique 200 permet de réduire une largeur 202. Cette configuration est utilisée pour permettre de rapprocher autant que possible la zone active de détecteur 20 du côté paroi de poitrine 26, par exemple dans un panneau détecteur numérique de rayons X 10 utilisé dans un appareil de mammographie. Dans la 15 configuration 200, le panneau détecteur de rayons X 10 est fabriqué d'une manière similaire à la configuration 100 à l'exception du fait qu'une couche hermétique 204 et une couche de protection contre la corrosion 206 sont déposées à angle droit de la couche hermétique 118 et la couche de protection contre la corrosion 120; par exemple depuis la droite comme représenté sur la figure 3. La couche hermétique 204 est formée 20 sur une arête de la couche d'encapsulation 112, de la couche réfléchissante 114, du masque à couche mince 116, de la couche hermétique 118 et de la couche de protection contre la corrosion 120, et sur la paroi latérale 16 du côté paroi de poitrine 26.
La figure 4 est une coupe d'une autre configuration de scellement hermétique 300 pouvant être utilisée avec le panneau détecteur de rayons X 10 représenté sur la 25 figure 1. Des composants représentés sur la figure 4 qui sont identiques à des composants représentés sur les figures 1 et 2 sont repérés sur la figure 4 par les mêmes numéros que ceux utilisés sur les figures 1 et 2. En conséquence, le substrat de détecteur 12 comporte une surface de base de détecteur 14, une paroi latérale 16 qui s'éloigne perpendiculairement de la surface de base de détecteur 14, et un côté arrière 18 opposé à 30 la surface de base de détecteur 14.
La configuration de scellement hermétique 300 est fabriquée d'une manière similaire à la configuration de scellement hermétique 100 et la configuration de scellement hermétique 200 représentées sur les figures 2 et 3, respectivement. Au lieu d'assurer l'étanchéité par une couche hermétique 204 et une couche de protection contre 5 la corrosion 206 déposée perpendiculairement à la couche hermétique 118 et à la couche de protection contre la corrosion 120, la forme de réalisation représentée sur la figure 4 utilise un adhésif mastic 302 et un profilé en U d'extrémité 304 pour obturer le côté paroi de poitrine 26 du panneau détecteur numérique de rayons X 10. Dans l'exemple de réalisation, le côté paroi de poitrine 26 est le seul côté du panneau détecteur numérique 10 de rayons X 10 qui est obturé en utilisant le profilé en U d'extrémité 304, les autres côtés pouvant être obturés conformément à la forme de réalisation représentée sur la figure 2.
Un adhésif 306 est appliqué sur la couche de protection contre la corrosion 120 en quantité suffisante pour supporter et faire adhérer un couvercle protecteur 308 à la 15 couche de protection contre la corrosion 120 de telle manière qu'il reste un espace entre le couvercle protecteur 308 et la couche de protection contre la corrosion 120. Dans l'exemple de réalisation, le couvercle protecteur 308 comprend un noyau en graphite/résine enrobé d'une feuille d'aluminium. Dans une variante, danslaquelle la couche de protection contre la corrosion 120 n'est pas utilisée, l'adhésif 306 est appliqué 20 sur la couche hermétique 118. L'adhésif mastic 302 est appliqué sur le côté paroi de poitrine 26 en quantité suffisante pour remplir un vide entre des composants du panneau détecteur numérique de rayons X 10, incluant l'adhésif 306 et le couvercle protecteur 308, et le profilé en U d'extrémité 304.
La figure 5 est une coupe d'une autre configuration de scellement hermétique 25 400 pouvant être utilisée avec le panneau détecteur de rayons X 10 représenté sur la figure 1. Des composants représentés sur la figure 5 qui sont identiques à des composants représentés sur les figures 1, 2, 3 et 4 sont repérés sur la figure 5 par les mêmes numéros que ceux utilisés sur les figures 1, 2, 3 et 4. En conséquence, le substrat de détecteur 12 comporte une surface de base de détecteur 14, une paroi latérale 16 qui s'éloigne perpendiculairement de la surface de base de détecteur 14, et un côté arrière 18 opposé à la surface de base de détecteur 14.
La configuration de scellement hermétique 400 est fabriquée d'une manière similaire à la configuration de scellement hermétique 300 représentée sur la figure 4. 5 Toutefois, au lieu de positionner le couvercle protecteur 308 à l'intérieur du profilé en U d'extrémité 304 comme sur la figure 4, le couvercle protecteur 308 est représenté sur la figure 5 positionné à l'extérieur d'une surface extérieure 402 du profilé en U d'extrémité 304.
L'adhésif mastic 302 est appliqué sur le côté paroi de poitrine 26 en quantité 10 suffisante pour remplir un vide entre des composants du panneau détecteur numérique de rayons X 10 et le profilé en U d'extrémité 304. L'adhésif 306 est appliqué sur la surface 402 en quantité suffisante pour supporter et faire adhérer le couvercle protecteur 308 à la surface extérieure 402 du profilé en U d'extrémité. Le couvercle protecteur 308 est positionné pour couvrir la couche de protection contre la corrosion 120 ou la couche 15 hermétique 1 1 8 quand la couche de protection contre la corrosion n'est pas utilisée.
La figure 6 est une coupe d'une autre configuration de scellement hermétique 500 pouvant être utilisée avec le panneau détecteur de rayons X 10 représenté sur la figure 1. La configuration de scellement hermétique 500 est fabriquée de manière similaire à la configuration de scellement hermétique 100 représentée sur la figure 2. 20 Des composants représentés sur la figure 6 qui sont identiques à des composants représentés sur la figure 1 sont repérés sur la figure 6 par les mêmes numéros que ceux utilisés sur la figure 1. En conséquence, le substrat de détecteur 12 comporte une surface de base de détecteur 14, une paroi latérale 16 qui s'éloigne perpendiculairement de la surface de base de détecteur 14, et un côté arrière 18 opposé à la surface de base de 25 détecteur 14.
La surface de base de détecteur 14 comprend une zone active de détecteur 520, une zone de barrage 522, une zone de doigts de contact 524, et une zone de dégagement 525 entre la zone 520 et la zone de barrage 522. Une matrice de détecteur 526, qui comprend un réseau de photodétecteurs positionnés pour détecter des photons, est 30 formée sur la surface de base de détecteur 14 à l'intérieur de la zone active de détecteur 520. Les éléments de la matrice de détecteur 526 sont reliés électriquement aux doigts de contact 528 de telle manière que, par une combinaison de connexions aux doigts de contact 528, il est possible de déterminer l'état de chaque élément de la matrice de détecteur 526. Un barrage adhésif aplani 530 est formé autour du périmètre de la zone 5 active de détecteur 520 et présente une épaisseur 532, qui est la distance entre un premier côté du barrage 530 qui est adjacent à la matrice de détecteur 526 et une seconde surface opposée 533 du barrage 530. Dans une forme de réalisation, l'épaisseur 532 est incluse dans un intervalle allant de 0,076 à 0,178 mm (0,003 à 0,007 pouce).
Dans une variante, l'épaisseur 532 est incluse dans un intervalle allant de 0,102 à 0,152 10 mm (0,004 à 0,006 pouce). Dans l'exemple de réalisation, l'épaisseur 532 est d'environ 0,127 mm (0,005 pouce). Comme indiqué plus haut, des termes tels que par exemple "sur" et "au-dessus de" sont utilisés pour désigner des positions relatives d'éléments représentés sur les dessins et n'impliquent aucune limitation structurelle ou opérationnelle dans le dispositif assemblé.
Un scintillateur 534 est formé sur la matrice de détecteur 526 et couvre la zone active 520 du détecteur. Dans l'exemple de réalisation, le scintillateur 534 comprend de l'iodure de césium (CsI) dans une structure d'aiguilles de CsI 536. Dans des variantes, d'autres scintillateurs sont aussi acceptables. Dans l'exemple de réalisation, la structure d'aiguilles de CsI 536 est dopée au thallium. Une première couche d'encapsulation 542 20 est formée au-dessus du scintillateur 534 et s'étend au-dessus de la zone active 520 du détecteur, de la zone de dégagement 525, et d'une partie de la zone de barrage 522 sur une distance 538. Dans l'exemple de réalisation, la couche d'encapsulation 542 est déposée entre les aiguilles structurelles de scintillateur 536 jusqu'en bas de chacune des aiguilles de scintillateur 536 et le long de toutes les parois latérales de toutes les 25 aiguilles de scintillateur 536. Dans une forme de réalisation, la couche d'encapsulation 542 a une épaisseur incluse dans un intervalle allant d'environ 2,0 à 5,0 microns (dam).
Dans une variante, la couche d'encapsulation 542 a une épaisseur incluse dans un intervalle allant d'environ 2,75 à 4,25 ptm. Dans l'exemple de réalisation, l'épaisseur de la couche d'encapsulation 542 est d'environ 3, 5 Utm. L'intervalle d'épaisseur est indiqué 30 dans un but d'illustration et n'est pas destiné à suggérer une limitation. Dans une forme de réalisation, la couche d'encapsulation 542 comprend du poly-para-xylylène (ParylèneTm N). Dans une variante, la couche d'encapsulation 542 comprend de l'ismonochloro-poly-para-xylylène (ParylèneTM C). Dans une autre variante, la couche d'encapsulation 542 comprend à la fois du ParylèneTM C et du ParylèneTm N. ParylèneTM 5 est une appellation commerciale de Specialty Coating Systems, Inc., 5701 West Minnesota St., Indianapolis, Indiana 46241.
Une couche réfléchissante 546, comprenant par exemple de l'argent ou de l'or, du dioxyde de titane et de l'aluminium, est formée au-dessus de la couche d'encapsulation 542 et s'étend jusqu'à la zone de dégagement 525. Dans l'exemple de 10 réalisation, la couche réfléchissante 546 comprend une couche d'argent, une couche de dioxyde de titane et une couche d'aluminium de 0,5 Ftm d'épaisseur. Dans une forme de réalisation, la couche d'argent a une épaisseur incluse dans un intervalle allant d'environ 1000 à 2000 Angstrôms ( ). Dans une variante, la couche d'argent a une épaisseur incluse dans un intervalle allant d'environ 1250 à 1750 . Dans l'exemple de réalisation, 15 la couche d'argent a une épaisseur d'environ 1500 . Dans une forme de réalisation, la couche de dioxyde de titane a une épaisseur incluse dans un intervalle allant d'environ 300 à 700 . Dans une variante, la couche de dioxyde de titane a une épaisseur incluse dans un intervalle allant d'environ 400 à 600 . Dans l'exemple de réalisation, l'épaisseur de la couche de dioxyde de titane est d'environ 500 . Dans une forme de 20 réalisation, la couche d'aluminium a une épaisseur incluse dans un intervalle allant d'environ 0, 3 à environ 0,7 gm. Dans une variante, la couche d'aluminium a une épaisseur incluse dans un intervalle allant d'environ 0,4 à 0,6 Pjm. Dans l'exemple de réalisation, l'épaisseur de la couche d'aluminium est d'environ 0,5 jam. Les intervalles d'épaisseur sont indiqués dans un but d'illustration et ne sont pas destinés à suggérer une 25 limitation. Les couches de la couche réfléchissante 546 sont dimensionnées de telle manière que de la lumière incidente provenant du scintillateur 534 puisse être renvoyée dans les aiguilles de scintillateur 536 par réflexion. Les couches d'argent et d'aluminium ont tendance à se diffuser l'une dans l'autre au cours du temps et une mince couche barrière entre elles, comprenant par exemple du titane, permet de réduire cette diffusion.
La couche réfléchissante 546 couvre la couche d'encapsulation 542 audessus de la zone 520 et s'étend sur une partie de la zone de dégagement 525.
Une seconde couche d'encapsulation 548 est formée sur la couche réfléchissante 546. La couche d'encapsulation 548 est sensiblement similaire à la couche 5 d'encapsulation 542 et comprend aussi du ParylèneTM. La couche 548 couvre la couche 546 et s'étend au-delà du bord de la couche 546 jusqu'au bord de la couche 542 sur le barrage 530. Dans une forme de réalisation, la couche d'encapsulation 548 a une épaisseur incluse dans un intervalle allant d'environ cinq à neuf microns. Dans une variante, la couche d'encapsulation 548 a une épaisseur incluse dans un intervalle allant 10 d'environ six à huit microns. Dans l'exemple de réalisation, l'épaisseur de la couche d'encapsulation 548 est d'environ sept microns. L'intervalle d'épaisseur est indiqué dans un but d'illustration et n'est pas destiné à suggérer une limitation.
Une couche barrière à l'humidité 550 est déposée sur la couche 548. Dans l'exemple de réalisation, la couche 550 comprend une couche de dioxyde de titane et 15 une couche d'aluminium. Dans une forme de réalisation, la couche de dioxyde de titane a une épaisseur incluse dans un intervalle allant d'environ 300 à 700 A. Dans une variante, la couche de dioxyde de titane a une épaisseur incluse dans un intervalle allant d'environ 400 à 600 A. Dans l'exemple de réalisation, l'épaisseur de la couche de dioxyde de titane est d'environ 500 A. Dans une forme de réalisation, la couche 20 d'aluminium a une épaisseur incluse dans un intervalle allant d'environ 0,3 à 0,7 ptm.
Dans une variante, la couche d'aluminium a une épaisseur incluse dans un intervalle allant d'environ 0,4 à 0,6 pm. Dans l'exemple de réalisation, l'épaisseur de la couche d'aluminium est d'environ 0,5 Ftm. Dans l'exemple de réalisation, la couche 550 comprend une couche de dioxyde de titane d'environ 500 d'épaisseur et une couche 25 d'aluminium de 0,5 ptm d'épaisseur. Les intervalles d'épaisseur sont indiqués dans un but d'illustration et ne sont pas destinés à suggérer une limitation. La couche 550 couvre la couche 548 et s'étend jusqu'au bord de la couche 548 sur le barrage 530.
Une couche barrière à l'humidité 552 peut en option être déposée sur la couche 550. La couche 552 couvre la couche 550 et s'étend au-delà du bord de la couche 550 30 sur le barrage 530. Dans une forme de réalisation, la couche 552 comprend une couche de dioxyde de titane d'épaisseur incluse dans un intervalle allant de 300 à 700 . Dans une variante, la couche 552 a une épaisseur incluse dans un intervalle allant de 400 à 600 . Dans l'exemple de réalisation, l'épaisseur de la couche 552 est d'environ 500 .
L'intervalle d'épaisseur est indiqué dans un but d'illustration et n'est pas destiné à suggérer une limitation.
Les revêtements hermétiques pour panneau détecteur de rayons X ont été décrits plus haut par des exemples. D'autres nombres et ordres des couches de revêtement hermétique sont envisagés pour s'adapter aux conditions ou exigences d'un utilisateur final.
Dans l'exemple de réalisation, la configuration de scellement hermétique 500 n'utilise pas le profilé en U d'extrémité 304 et le couvercle protecteur 308. Dans une variante, la configuration de scellement hermétique 500 est couverte par le profilé en U d'extrémité 304 et le couvercle protecteur 308 de la manière représentée sur la figure 4.
Dans une autre variante, la configuration de scellement hermétique 500 est couverte par 15 le profilé en U d'extrémité 304 et le couvercle protecteur 308 de la manière représentée sur la figure 5.
Le revêtement hermétique déposé pour panneau détecteur numérique de rayons X décrit plus haut est économique et très fiable. Les revêtements hermétiques déposés comprennent une pluralité de couches déposées et une pluralité de bords assurant 20 l'étanchéité. De plus, un couvercle protecteur est prévu en option pour réduire les dommages causés au détecteur par des objets heurtant sa surface. En résultat, le revêtement hermétique déposé permet de réduire l'endommagement des composants du détecteur par l'humidité d'une manière économique et fiable.
Des exemples de réalisation de revêtements hermétiques déposés sont décrits en 25 détail plus haut. Les revêtements ne sont pas limités aux formes de réalisation spécifiques décrites dans la présente, mais au contraire, des composants du revêtement peuvent être utilisés de manière indépendante et distincte d'autres composants décrits dans la présente. Chaque composant du revêtement hermétique déposé peut aussi être utilisé en combinaison avec d'autres composants du revêtement hermétique déposé.
12 14 5 16 18 20 22 24 10 26 28 30 32 34 15 36 102 104 20 106 108 109 110 111 25 112 114 116 118 120 30 200
LISTE DES COMPOSANTS
Panneau détecteur numérique de rayons X Substrat du détecteur Surface de base du détecteur Paroi latérale Côté arrière Zone active du détecteur Zone de barrage Zone de doigts de contact Côté paroi de poitrine Doigts de contact Largeur Largeur Largeur Largeur côté paroi de poitrine Largeur de la zone de doigts de contact Configuration de scellement Zone d'adhérence Matrice du détecteur Barrage adhésif aplani Epaisseur du barrage Seconde surface Scintillateur Structure d'aiguilles de CsI Couche d'encapsulation Couche réfléchissante Masque à couche mince Couche hermétique Couche de protection contre la corrosion Configuration de scellement 202 204 206 300 5 302 304 306 308 400 10 402 500 520 522 524 15 525 526 528 530 532 20 533 534 536 538 542 25 546 548 550 Largeur Couche hermétique Couche de protection contre la corrosion Configuration de scellement hermétique Adhésif mastic Profilé en U d'extrémité Adhésif Couvercle protecteur Configuration de scellement hermétique Surface Autre configuration de scellement hermétique Zone active du détecteur Zone de barrage Zone de doigts de contact Zone de dégagement Matrice du détecteur Doigts de contact Barrage Epaisseur Seconde surface Scintillateur Structure d'aiguilles Distance Première couche d'encapsulation Couche réfléchissante Seconde couche d'encapsulation Première couche barrière à l'humidité Seconde couche barrière à l'humidité
Claims (10)
1. Procédé de fabrication d'un panneau détecteur de rayons X (10) comprenant un substrat de détecteur (12) comportant une surface de base de détecteur (14) et une 5 pluralité de parois latérales (16) s'éloignant perpendiculairement de la surface de base de détecteur, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: formation d'une matrice de détecteur (20) sur le substrat de détecteur; formation, sur le substrat de détecteur, d'un barrage (106) circonscrivant la matrice de détecteur; formation d'un scintillateur (110) sur la matrice de détecteur; et formation d'un revêtement hermétique (118) sur le scintillateur, le revêtement hermétique s'étendant au moins soit jusqu'à une surface du barrage soit au-delà du barrage.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la formation du 15 revêtement hermétique comprend en outre: la formation, sur le scintillateur, d'une couche d'encapsulation (1 12) s'étendant au-delà du barrage; la formation, sur la couche d'encapsulation, d'une couche réfléchissante (114) s'étendant au-delà du barrage; et la formation, sur la surface réfléchissante, d'un masque à couche mince (116) s'étendant audelà du barrage.
3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la formation d'un revêtement hermétique comprend en outre: la formation, sur le masque à couche mince, d'une couche hermétique s'étendant 25 au-delà du barrage et s'étendant au-delà du masque à couche mince; et la formation, sur la couche hermétique, d'une couche de protection contre la corrosion (120) s'étendant au-delà du barrage et s'étendant au-delà de la couche hermétique.
4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le substrat de détecteur (12) comprend un côté paroi de poitrine (26), et en ce que la formation d'un revêtement hermétique comprend en outre: la formation, sur le masque à couche mince, d'une couche hermétique s'étendant 5 au-delà du barrage et s'étendant sur au moins une paroi latérale adjacente au côté paroi de poitrine; et la formation, sur la couche hermétique, d'une couche de protection contre la corrosion s'étendant au-delà du barrage et s'étendant sur au moins une paroi latérale adjacente au côté paroi de poitrine.
5. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le substrat de détecteur comporte un côté arrière opposé (18) et un côté paroi de poitrine, et en ce que la formation d'un revêtement hermétique comprend en outre: la formation, sur le masque à couche mince, d'une couche hermétique s'étendant au-delà du barrage; la formation, sur la couche hermétique, d'une couche de protection contre la corrosion s'étendant au- delà du barrage; et le couplage d'un profilé en U d'extrémité (304) à au moins une paroi latérale.
6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que le couplage d'un profilé en U d'extrémité comprend le fait de coupler un profilé en U d'extrémité au côté paroi 20 de poitrine.
7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend en outre le fait de coupler un couvercle mécanique 308 entre la couche hermétique et le profilé en U d'extrémité de telle manière qu'il existe un espace entre la couche hermétique et le profilé en U d'extrémité.
8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la formation d'un revêtement hermétique comprend en outre: la formation, sur le scintillateur, d'une première couche d'encapsulation (542) s'étendant jusqu'à une surface du barrage; la formation, sur la première couche d'encapsulation, d'une couche réfléchissante (546) s'étendant jusqu'à une zone comprise entre la matrice de détecteur et la surface du barrage; et la formation, sur la couche réfléchissante, d'une seconde couche d'encapsulation 5 (548) s'étendant jusqu'à un bord de la première couche d'encapsulation sur la surface du barrage.
9. Panneau détecteur numérique de rayons X (10), caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat de détecteur (12); une matrice de détecteur (20) formée sur ledit substrat de détecteur; un barrage (106) formé sur ledit substrat de détecteur et circonscrivant la matrice de détecteur; un scintillateur (110) formé sur ladite matrice de détecteur; et un revêtement hermétique (118) formé sur ledit scintillateur, un bord dudit revêtement hermétique s'étendant au moins soit au-delà de ladite matrice de détecteur et 15 dudit barrage soit au-delà de ladite matrice de détecteur sur une surface dudit barrage.
10. Panneau détecteur numérique de rayons X selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit revêtement hermétique comprend: une couche d'encapsulation (112) sur ledit scintillateur et s'étendant au-delà dudit barrage; une couche réfléchissante (114) sur ladite couche d'encapsulation et s'étendant au-delà dudit barrage; et un masque à couche mince (116) sur ladite couche réfléchissante et s'étendant au-delà dudit barrage.
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| JP5883556B2 (ja) * | 2010-06-04 | 2016-03-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線イメージセンサ |
| JP2012168128A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Canon Inc | 放射線検出装置及び放射線撮像システム |
| US8415628B1 (en) | 2011-10-31 | 2013-04-09 | General Electric Company | Hermetically sealed radiation detector and methods for making |
| US9702986B2 (en) * | 2013-05-24 | 2017-07-11 | Teledyne Dalsa B.V. | Moisture protection structure for a device and a fabrication method thereof |
| US10712454B2 (en) * | 2014-07-25 | 2020-07-14 | General Electric Company | X-ray detectors supported on a substrate having a metal barrier |
| EP3221720B1 (fr) * | 2014-11-21 | 2019-11-06 | Teledyne Digital Imaging, Inc. | Détecteur de mammographie à petite distance de poitrine |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2003505336A (ja) * | 1998-05-15 | 2003-02-12 | ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ | 痴呆の処置のためのグルココルチコイドレセプターアンタゴニスト |
| US6172371B1 (en) * | 1998-06-15 | 2001-01-09 | General Electric Company | Robust cover plate for radiation imager |
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