FR2822612A1 - Biband mobile telephone multiplexing mechanism having first/second circuit switching radio frequencies with series/parallel diodes single command set. - Google Patents
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Abstract
Description
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Dispositif de multiplexage radiofréquence à commande croisée pour téléphone mobile bi-bande
Domaine de l'invention. Cross-control radio frequency multiplexing device for dual-band mobile phone
Field of the invention.
L'invention concerne un dispositif de multiplexage radiofréquence (RF) à commande croisée pour téléphone mobile bi-bande du type GSM-DCS. Ce dispositif trouve des applications dans le domaine de l'électronique de radiofréquence utilisant des dispositifs de multiplexage pour connecter un ou plusieurs ports RF entre eux. Il trouve, en particulier, des applications dans le domaine de la téléphonie mobile bi-bande utilisant des dispositifs de multiplexage pour émettre et recevoir des messages dans deux bandes de fréquences différentes, telles que les bandes GSM et DCS. The invention relates to a cross-controlled radiofrequency (RF) multiplexing device for dual-band mobile telephone of the GSM-DCS type. This device finds applications in the field of radio frequency electronics using multiplexing devices to connect one or more RF ports between them. It finds, in particular, applications in the field of dual-band mobile telephony using multiplexing devices to transmit and receive messages in two different frequency bands, such as the GSM and DCS bands.
Etat de la technique. State of the art.
En téléphonie mobile bi-bande, il est nécessaire que l'antenne du téléphone puisse recevoir ou émettre des messages sur les deux bandes d'émission, par exemple GSM et DCS, sans que les voies d'émission ou de réception d'une bande ne perturbe l'émission ou la réception d'un message sur l'autre bande. Autrement dit, pour assurer une émission et une réception de bonne qualité, il est important que le dispositif de multiplexage présente en permanence une forte isolation entre, d'une part, les deux ports actifs, soit le port antenne et le port RF actif, et d'autre part les trois ports RF inactifs. In dual-band mobile telephony, the antenna of the telephone must be able to receive or transmit messages on the two transmission bands, for example GSM and DCS, without the transmission or reception channels of a band does not disturb the transmission or reception of a message on the other band. In other words, in order to ensure good quality transmission and reception, it is important that the multiplexing device permanently has high insulation between, on the one hand, the two active ports, namely the antenna port and the active RF port, and on the other hand the three inactive RF ports.
Pour répondre à ce problème, il existe actuellement un dispositif de multiplexage comportant un premier commutateur à diodes pin pour la bande GSM, un second commutateur à diodes pin pour la bande DCS et un filtre diplexeur GSM-DCS reliant les deux commutateurs à une antenne commune. Dans ce dispositif, représenté sur la figure 1, les deux commutateurs, ou circuits de commutation, 1 et 2 sont indépendants l'un de l'autre ; ils ne sont connectés l'un à l'autre que par l'intermédiaire du filtre diplexeur 3. To solve this problem, there is currently a multiplexing device comprising a first pin diode switch for the GSM band, a second pin diode switch for the DCS band and a GSM-DCS diplexer filter connecting the two switches to a common antenna. . In this device, shown in Figure 1, the two switches, or switching circuits, 1 and 2 are independent of each other; they are only connected to each other via the diplexer filter 3.
Chaque circuit de commutation comporte deux ports d'entrée (ou voies d'entrée), à savoir un port d'émission et un port de réception, et un port de sortie (ou voie de sortie) relié au filtre diplexeur 3, lui-même relié à Each switching circuit has two input ports (or input channels), namely a send port and a receive port, and an output port (or output channel) connected to the diplexer filter 3, itself even connected to
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l'antenne 4 du téléphone mobile. Ainsi, le circuit de commutation 1 comporte un port d'entrée d'émission EM1 et un port d'entrée de réception RE1, qui assurent, respectivement, l'émission et la réception dans la bande GSM. Il comporte aussi un port de sortie S1, connecté sur le filtre dixplexeur 3.
mobile phone antenna 4. Thus, the switching circuit 1 includes a transmission input port EM1 and a reception input port RE1, which respectively provide transmission and reception in the GSM band. It also includes an output port S1, connected to the ten-way filter 3.
Le circuit de commutation 2 comporte un port d'émission EM2 et un port de réception RE2, qui assurent, respectivement, l'émission et la réception dans la bande DCS. Il comporte aussi un port de sortie S2, connecté au filtre diplexeur 3. The switching circuit 2 includes a transmission port EM2 and a reception port RE2, which respectively provide transmission and reception in the DCS band. It also has an output port S2, connected to the diplexer filter 3.
Ce filtre diplexeur 3 est un filtre passe-bas pour la bande GSM, c'est- à-dire pour le circuit de commutation1 et un filtre passe-haut pour la bande DCS, c'est-à-dire pour le circuit de commutation 2. This diplexer filter 3 is a low-pass filter for the GSM band, that is to say for the switching circuit 1 and a high-pass filter for the DCS band, that is to say for the switching circuit 2.
Le circuit de commutation 1 comporte une première commande d'alimentation SW1 qui assure la polarisation d'une première diode D1 connectée en série sur le port d'émission EM1 et une seconde commande d'alimentation SW2 connectée à une seconde diode D2, en parallèle sur le port de réception RE1. The switching circuit 1 comprises a first power supply control SW1 which ensures the polarization of a first diode D1 connected in series on the transmission port EM1 and a second power supply control SW2 connected to a second diode D2, in parallel on the reception port RE1.
La première diode D1, appellée aussi diode série du circuit 1, et la seconde diode D2, appelée aussi diode parallèle du circuit 1, sont reliées l'une à l'autre par l'intermédiaire d'un réseau quart d'onde Q1, accordé dans
la bande de fréquence considérée, à savoir la bande GSM pour le circuit 1. The first diode D1, also called the serial diode of circuit 1, and the second diode D2, also called the parallel diode of circuit 1, are connected to each other via a quarter-wave network Q1, granted in
the frequency band considered, namely the GSM band for circuit 1.
Ce réseau quart d'onde Q1 se comporte comme un circuit ouvert à l'une de ses extrémités lorsque l'on présente un court-circuit à son autre extrémité et réciproquement. Connecté entre le port EM1 et le port RE1, il est réalisé au moyen d'une inductance L5 connectée entre deux condensateurs C5 et C5' reliés à la masse. This quarter-wave network Q1 behaves like an open circuit at one of its ends when there is a short circuit at its other end and vice versa. Connected between port EM1 and port RE1, it is made by means of an inductor L5 connected between two capacitors C5 and C5 'connected to ground.
Ce dispositif est commandé par une première commande SW1, reliée à la diode série D1 du port d'émission EM1 par l'intermédiaire d'une résistance R1 connectée en série à une inductance de choc L1. Une deuxième commande SW2 est connectée en série à la diode parallèle D2 du port de réception RE1. This device is controlled by a first command SW1, connected to the serial diode D1 of the transmission port EM1 by means of a resistor R1 connected in series to a shock inductance L1. A second control SW2 is connected in series to the parallel diode D2 of the reception port RE1.
De façon similaire, le circuit de commutation 2 est strictement identique au circuit de commutation 1, excepté les valeurs des différents composants qui sont adaptés, pour chaque circuit 1 ou 2, à la bande de fréquence sur laquelle on souhaite émettre ou recevoir et, en particulier, adaptés à la bande GSM pour le circuit 1 et à la bande DCS pour le circuit 2. Similarly, the switching circuit 2 is strictly identical to the switching circuit 1, except for the values of the various components which are adapted, for each circuit 1 or 2, to the frequency band on which it is desired to transmit or receive and, in particular, adapted to the GSM band for circuit 1 and to the DCS band for circuit 2.
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Le fonctionnement en émission dans la bande de fréquence du circuit 1, par exemple la bande GSM, est assuré en polarisant les diodes D1 et D2 par un courant direct circulant de la commande SW1 vers la commande SW2. Si la commande SW1 émet un signal logique à 1, c'est à dire une tension continue de valeur suffisante, alors les diodes D1 et D2 deviennent passantes. Par conséquent, cela crée un court-circuit sur le port de réception RE1 ainsi que sur l'extrémité, coté port de réception, du réseau quart d'onde Q1. Les propriétés du réseau quart d'onde permettent d'obtenir, à l'autre extrémité dudit réseau quart d'onde, une impédance infinie, ce qui permet d'isoler le port de réception RE1. Coté émission, comme la diode D1 est passante, le signal RF traverse la diode D1 et va jusqu'au filtre diplexeur 3 puis jusqu'à l'antenne 4. The transmission operation in the frequency band of circuit 1, for example the GSM band, is ensured by polarizing the diodes D1 and D2 by a direct current flowing from the command SW1 to the command SW2. If the command SW1 emits a logic signal at 1, that is to say a DC voltage of sufficient value, then the diodes D1 and D2 become on. Consequently, this creates a short circuit on the reception port RE1 as well as on the end, on the reception port side, of the quarter-wave network Q1. The properties of the quarter-wave network make it possible to obtain, at the other end of said quarter-wave network, an infinite impedance, which makes it possible to isolate the reception port RE1. On the emission side, as the diode D1 is conducting, the RF signal crosses the diode D1 and goes to the diplexer filter 3 then to the antenna 4.
A l'inverse, le fonctionnement en réception de ce dispositif est assuré en bloquant les diodes D1 et D2 par une polarisation inverse. Dans ce cas le port d'émission EM1 est isolé par la diode D1, qui est bloquée, et le port de réception RE1 est passant puisque la diode D2 est bloquée et que le réseau quart d'onde Q1 fonctionne sur 50 ohms à ses deux extrémités. Conversely, the reception operation of this device is ensured by blocking the diodes D1 and D2 by reverse polarization. In this case the transmission port EM1 is isolated by the diode D1, which is blocked, and the reception port RE1 is on since the diode D2 is blocked and the quarter-wave network Q1 operates on 50 ohms at its two ends.
Le fonctionnement de ce dispositif est tout à fait identique pour la bande de fréquence du circuit 2 et, en particulier, pour la bande DCS. Dans ce cas, la commande SW4 assure la polarisation de la diode série D3 et de la diode parallèle D4, comme SW1 pour les diodes D1 et D2 du circuit 1. The operation of this device is completely identical for the frequency band of circuit 2 and, in particular, for the DCS band. In this case, the command SW4 ensures the polarization of the series diode D3 and of the parallel diode D4, like SW1 for the diodes D1 and D2 of circuit 1.
Ainsi, pour assurer une émission uniquement sur le port EM1, il faut non seulement bloquer le port de réception RE1, comme expliqué précédemment, mais également bloquer le port d'émission EM2 grâce à la commande SW4. Cependant, pour bloquer le port d'émission EM2 du circuit 2, il faut que la commande SW4 émette un signal logique à 0 afin que la diode D3 soit bloquée. Mais alors la diode D4 est également bloquée, ce qui rend le port de réception RE2 passant. Thus, to ensure transmission only on the port EM1, it is necessary not only to block the reception port RE1, as explained above, but also to block the transmission port EM2 by means of the command SW4. However, to block the transmission port EM2 of circuit 2, the command SW4 must send a logic signal at 0 so that the diode D3 is blocked. But then the diode D4 is also blocked, which makes the reception port RE2 passing.
En effet, comme expliqué précédemment, pour obtenir l'émission sur une première voie, il faut bloquer les diodes de la seconde voie (voie non utilisée) par une polarisation inverse. Or, les diodes étant câblées en parallèle sur les ports de réception, l'isolation du port de réception de la seconde voie (voie non utilisée) n'est pas garantie lorsque l'on est en émission sur la première voie. Il en résulte un premier inconvénient qui est un risque d'entrée d'énergie RF par le port de réception du circuit 2 et un Indeed, as explained above, to obtain transmission on a first channel, the diodes of the second channel (unused channel) must be blocked by reverse polarization. However, the diodes being wired in parallel on the reception ports, the isolation of the reception port of the second channel (unused channel) is not guaranteed when one is in transmission on the first channel. This results in a first drawback which is a risk of entry of RF energy by the reception port of circuit 2 and a
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second inconvénient qui est la sensibilité des performances à la charge présentée sur le port passant. Ainsi, le dispositif n'est pas protégé des énergies RF qui peuvent entrer par le port réception non-isolé et atteindre l'antenne sans être atténuées, pour peu que leur fréquences soient situées dans la bande passante du filtre diplexeur à traverser. second drawback which is the sensitivity of performance to the load presented on the passing port. Thus, the device is not protected from RF energies which can enter through the non-isolated reception port and reach the antenna without being attenuated, provided that their frequencies are located in the passband of the diplexer filter to be crossed.
En pratique, on a constaté en sortie antenne d'un tel dispositif de multiplexage, utilisé sur un terminal mobile bi-bandes GSM/DCS en émission dans la bande GSM, un niveau d'harmonique 2 trop élevé. L'analyse du problème a démontré qu'il était du à une entrée d'énergie haute fréquence par le port réception non utilisé, soit dans le cas présent, le port réception DCS. In practice, the antenna output of such a multiplexing device, used on a GSM / DCS dual-band mobile terminal in transmission in the GSM band, has been found to have a too high harmonic level 2. Analysis of the problem demonstrated that it was due to high frequency energy input through the unused reception port, in this case, the DCS reception port.
En outre, ce dispositif présente l'inconvénient de nécessiter quatre commandes pour pouvoir inverser les polarisations des diodes, chacune de ces commandes pouvant générer ou absorber du courant
Exposé de l'invention. In addition, this device has the disadvantage of requiring four commands to be able to reverse the polarizations of the diodes, each of these commands being able to generate or absorb current.
Statement of the invention.
L'invention a justement pour but de résoudre les problèmes de la technique décrite précédemment. A cette fin, elle propose un dispositif de multiplexage radiofréquence dans lequel tous les ports de commutation non utilisés sont bloqués lorsque l'un des ports est utilisé. Autrement dit, l'invention propose un dispositif de multiplexage dans lequel une seule commande au niveau logique"1"polarise toutes les diodes du dispositif en permettant d'isoler tous les ports non utilisés. The object of the invention is precisely to solve the problems of the technique described above. To this end, it proposes a radiofrequency multiplexing device in which all the unused switching ports are blocked when one of the ports is used. In other words, the invention proposes a multiplexing device in which a single command at logic level "1" polarizes all the diodes of the device while making it possible to isolate all the unused ports.
Plus précisément, l'invention concerne un dispositif de multiplexage comportant un premier et un second circuits commutateurs RF, chacun de ces circuits comprenant un premier port d'entrée connecté à une première diode en série, un second port d'entrée connecté à une seconde diode en parallèle et un port de sortie, caractérisé en ce qu'il comporte une première commande assurant la polarisation de la première diode du premier circuit ainsi que la polarisation de la seconde diode du second circuit. More specifically, the invention relates to a multiplexing device comprising first and second RF switching circuits, each of these circuits comprising a first input port connected to a first diode in series, a second input port connected to a second diode in parallel and an output port, characterized in that it comprises a first control ensuring the polarization of the first diode of the first circuit as well as the polarization of the second diode of the second circuit.
Avantageusement, le dispositif comporte une seconde commande qui assure la polarisation de la seconde diode du premier circuit ainsi que la polarisation de la première diode du second circuit. Advantageously, the device comprises a second control which ensures the polarization of the second diode of the first circuit as well as the polarization of the first diode of the second circuit.
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Brève description des schémas La figure 1, déjà décrite, représente un dispositif de multiplexage radiofréquence de l'art antérieur ; la figure 2 représente le dispositif de multiplexage de l'invention ; et la figure 3 représente une variante du dispositif de multiplexage de l'invention. Brief description of the diagrams FIG. 1, already described, represents a radiofrequency multiplexing device of the prior art; FIG. 2 represents the multiplexing device of the invention; and FIG. 3 represents a variant of the multiplexing device of the invention.
Description détaillée de modes de réalisation de l'invention. Detailed description of embodiments of the invention.
La figure 2 représente le schéma électrique du dispositif de multiplexage de l'invention. Dans ce dispositif, les éléments qui sont identiques à ceux du dispositif de la figure 1 ont des références identiques. FIG. 2 represents the electrical diagram of the multiplexing device of the invention. In this device, the elements which are identical to those of the device in FIG. 1 have identical references.
Le dispositif de l'invention comporte un premier circuit commutateur 1 qui assure l'émission et la réception de signaux sur une première bande de fréquence et, en particulier, sur la bande GSM, et un second circuit commutateur 2 qui émet et reçoit des signaux sur une seconde bande de fréquence et, en particulier, sur la bande DCS. Chacun de ces circuits comporte une voie (ou port) d'entrée d'émission EM, une voie d'entrée de réception RE ainsi qu'une voie de sortie S. Les circuits de commutation 1 et 2 sont reliés, via leurs sorties respectives S1 et S2, à un filtre diplexeur 3 puis à l'antenne 4. The device of the invention comprises a first switch circuit 1 which transmits and receives signals on a first frequency band and, in particular, on the GSM band, and a second switch circuit 2 which transmits and receives signals on a second frequency band and, in particular, on the DCS band. Each of these circuits includes a transmission input channel (or port) EM, a reception input channel RE as well as an output channel S. The switching circuits 1 and 2 are connected, via their respective outputs S1 and S2, to a diplexer filter 3 then to the antenna 4.
Plus précisément, le circuit 1 comporte une diode de série D1 connectée en série sur le port d'émission EM1 et une diode parallèle D2 connectée en parallèle sur le port de réception RE1. Les deux diodes D1 et D2 sont connectée l'une à l'autre par l'intermédiaire d'un réseau quart d'onde Q1. More specifically, the circuit 1 comprises a series diode D1 connected in series to the transmission port EM1 and a parallel diode D2 connected in parallel to the reception port RE1. The two diodes D1 and D2 are connected to each other via a quarter-wave network Q1.
Le circuit 2 comporte une diode de série D3 connectée en série sur le port d'émission EM2 et une diode parallèle D4 connectée en parallèle sur le port de réception RE2. Les deux diodes D3 et D4 sont connectée l'une à l'autre par l'intermédiaire d'un réseau quart d'onde Q2. Circuit 2 includes a serial diode D3 connected in series to the transmit port EM2 and a parallel diode D4 connected in parallel to the receive port RE2. The two diodes D3 and D4 are connected to each other via a quarter-wave network Q2.
Dans le dispositif de l'invention, seules deux commandes SW1 et SW4 sont nécessaires pour polariser les diodes D1 à D4 et, par conséquent, commander la commutation des quatre ports du dispositif. Pour cela, la In the device of the invention, only two commands SW1 and SW4 are necessary to polarize the diodes D1 to D4 and, consequently, to command the switching of the four ports of the device. For this, the
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commande SW1 est connectée, d'une part, à la diode série D1 du circuit 1 par l'intermédiaire d'une résistance R1 et d'une inductance de choc LI ; elle est connectée, d'autre part, à partir du point de jonction A, à la diode parallèle D4 du circuit 2, par l'intermédiaire d'une résistance ajoutée R3 et d'une inductance de choc ajoutée L3, toutes deux connectées en série. Ainsi, la commande SW1 permet de polariser à la fois la diode série D1, qui est la diode de l'émission GSM, et à la fois la diode parallèle D4, qui est la diode de la réception DCS. Cette double polarisation par la commande SW1 est réalisée grâce à l'ajout de la résistance R3 qui permet de calibrer le courant dans la diode D4 et de l'inductance de choc L3 qui permet d'éviter de perturber l'impédance de 50 sur le port de réception RE2.
control SW1 is connected, on the one hand, to the series diode D1 of circuit 1 via a resistor R1 and a shock inductance LI; it is connected, on the other hand, from junction point A, to the parallel diode D4 of circuit 2, via an added resistor R3 and an added shock inductance L3, both connected at series. Thus, the command SW1 makes it possible to polarize both the serial diode D1, which is the diode of the GSM transmission, and both the parallel diode D4, which is the diode of the DCS reception. This double polarization by the command SW1 is achieved thanks to the addition of the resistance R3 which makes it possible to calibrate the current in the diode D4 and the shock inductance L3 which makes it possible to avoid disturbing the impedance of 50 on the reception port RE2.
Ainsi, pour émettre sur la voie GSM, c'est-à-dire sur le port EM1, la commande SW1 émet un signal à 1, ce qui rend la diode D1 passante. Le signal peut alors circuler du port d'émission EM1 jusqu'au filtre diplexeur 3 et l'antenne 4. De plus, D2 est passante, ce qui crée un court-circuit dans le port de réception RE1. En outre, le signal à 1 de la commande SW1 rend la diode D4 passante, ce qui crée un court-circuit dans le port de réception RE2. De plus, la diode D3 recevant sur son anode la commande SW4, soit un"0"logique, et sur sa cathode la commande SW1, soit un"1"logique, se trouve polarisée en inverse et donc bloquée. Ceci permet d'isoler le port EM2. Thus, to transmit on the GSM channel, that is to say on the port EM1, the command SW1 transmits a signal at 1, which makes the diode D1 passable. The signal can then flow from the transmission port EM1 to the diplexer filter 3 and the antenna 4. In addition, D2 is on, which creates a short circuit in the reception port RE1. In addition, the signal at 1 of the command SW1 makes the diode D4 pass, which creates a short circuit in the reception port RE2. In addition, the diode D3 receiving on its anode the command SW4, or a logic "0", and on its cathode the command SW1, or a logic "1", is reverse biased and therefore blocked. This isolates the EM2 port.
De cette façon, le port d'émission EM1 est bien isolé du port de réception RE1, du port de réception RE2 et du port d'émission EM2. Ainsi, à elle seule, la commande SW1 permet de commander la commutation sur le port EM1, c'est-à-dire l'émission sur la voie GSM. In this way, the transmission port EM1 is well isolated from the reception port RE1, from the reception port RE2 and from the transmission port EM2. Thus, on its own, the command SW1 makes it possible to control the switching over the port EM1, that is to say the transmission over the GSM channel.
De façon symétrique, la seconde commande SW4 permet de polariser la diode série D3 du circuit 2 et la diode parallèle D2 du circuit 1. Pour cela, la commande SW4 du dispositif de l'invention est connectée, d'une part, à la diode série D3 du circuit 2 par l'intermédiaire d'une résistance R2 en série avec une inductance de choc L2 ; elle est connectée, d'autre part, à partir de la jonction B, à la diode parallèle D2 du circuit 1 par l'intermédiaire d'une résistance ajoutée R4 en série avec une inductance ajoutée L4. Symmetrically, the second control SW4 makes it possible to polarize the series diode D3 of circuit 2 and the parallel diode D2 of circuit 1. For this, the control SW4 of the device of the invention is connected, on the one hand, to the diode series D3 of circuit 2 via a resistor R2 in series with a shock inductor L2; it is connected, on the other hand, from junction B, to the parallel diode D2 of circuit 1 via an added resistor R4 in series with an added inductance L4.
Ainsi, si on applique un signal logique à 1 à la commande SW4, la diode D2 devient passante, ce qui rend le port de réception RE1 courtcircuité. La diode D1 recevant sur son anode la commande SW1, soit un"0" Thus, if a logic signal at 1 is applied to the command SW4, the diode D2 becomes conducting, which makes the reception port RE1 short-circuited. The diode D1 receiving on its anode the command SW1, ie a "0"
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logique, et sur sa cathode la commande SW4, soit un"1"logique, se trouve polarisée en inverse et donc bloquée. Le port d'émission EM1 est donc isolé. logic, and on its cathode the command SW4, that is to say a "1" logic, is reverse biased and therefore blocked. The transmission port EM1 is therefore isolated.
En outre, la commande SW4 étant à 1, la diode série D3 du circuit de commutation 2 est passante et les signaux émis sur le port d'émission EM2 de la bande DCS peuvent circuler jusqu'au filtre diplexeur 3 et à l'antenne 4. De plus, la diode D4, également passante, crée un court-circuit sur le port de réception RE2 de la bande DCS. In addition, the command SW4 being at 1, the serial diode D3 of the switching circuit 2 is conducting and the signals transmitted on the transmission port EM2 of the DCS band can flow to the diplexer filter 3 and to the antenna 4 In addition, the diode D4, also passing, creates a short circuit on the reception port RE2 of the DCS band.
Ainsi, lorsque la commande SW4 est à 1, l'émission peut se faire dans la bande DCS, les ports de réception RE2 et RE1 des bandes DCS et GSM étant isolés, ainsi que le port d'émission EM1 de la bande GSM. De cette façon, la commande SW4 peut, à elle seule, commander l'émission sur la voie DCS. Thus, when the command SW4 is at 1, the transmission can be done in the DCS band, the reception ports RE2 and RE1 of the DCS and GSM bands being isolated, as well as the transmission port EM1 of the GSM band. In this way, the SW4 command can, on its own, command the transmission on the DCS channel.
Comme on l'a compris à la lecture de ce qui précède, le dispositif de l'invention fonctionne avec, au plus, une commande au niveau logique"1", par exemple SW1, polarisant la diode D1 du circuit 1 et la diode D4 du circuit 2. Dans ce cas, seule l'émission GSM, c'est-à-dire l'émission sur EM1 est autorisée. As has been understood from reading the above, the device of the invention operates with, at most, a control at logic level "1", for example SW1, polarizing the diode D1 of circuit 1 and the diode D4 of circuit 2. In this case, only the GSM transmission, that is to say the transmission on EM1 is authorized.
Par ailleurs, pour recevoir des messages sur la bande GSM ou sur la bande DCS, aucune polarisation n'est appliquée aux diodes. La réception se fait donc simplement en mettant les commandes SW1 et SW4 à zéro logique. Furthermore, to receive messages on the GSM band or on the DCS band, no polarization is applied to the diodes. The reception is therefore done simply by putting the commands SW1 and SW4 at logical zero.
On obtient ainsi la table suivante : * lorsque SW1 est à 1 et SW4 est à 0, l'émission GSM est autorisée. The following table is thus obtained: * when SW1 is at 1 and SW4 is at 0, GSM transmission is authorized.
* lorsque SW1 est à 0 et SW4 est à 1, l'émission DCS est autorisée. * when SW1 is at 0 and SW4 is at 1, DCS transmission is authorized.
* lorsque SW1 est à 0 et SW4 est à 1, la réception GSM ou DCS est autorisée. * when SW1 is at 0 and SW4 is at 1, GSM or DCS reception is authorized.
A titre d'exemple, on peut préciser que les résistances ajoutées R3 et R4 peuvent avoir une valeur de 390 et les inductances de choc ajoutées L3 et L4 des valeurs de 39 à 100 nH. Un tel circuit permet d'obtenir un gain d'environ 15 dB sur l'harmonique 2 de l'émission GSM, mesurée sur le port de sortie de antenne (4). As an example, it can be specified that the added resistances R3 and R4 can have a value of 390 and the added shock inductances L3 and L4 of the values from 39 to 100 nH. Such a circuit makes it possible to obtain a gain of approximately 15 dB on the harmonic 2 of the GSM transmission, measured on the antenna output port (4).
Il est à noter que la valeur des résistances ajoutées R3 et R4 doit être choisie de façon à tenir compte du compromis suivant : - si la valeur de ces résistances est trop élevée, le courant traversant la diode parallèle du port de réception non utilisé (par exemple RE2) It should be noted that the value of the added resistors R3 and R4 must be chosen so as to take account of the following compromise: - if the value of these resistors is too high, the current passing through the parallel diode of the unused reception port (by example RE2)
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sera insuffisant et le port ne sera pas totalement isolé ; - si la valeur des résistances est trop faible, le courant traversant la diode parallèle du port de réception RE1 de la bande choisie (par exemple GSM) sera trop faible (car il y a division du courant entre la diode et la résistance venant en parallèle puisque commandé par un zéro logique), et le port de réception RE1 ne sera pas totalement isolé du port d'émission EM1 et de l'extérieur. will be insufficient and the port will not be completely isolated; - if the value of the resistors is too low, the current passing through the parallel diode of the reception port RE1 of the chosen band (for example GSM) will be too low (because there is division of the current between the diode and the resistance coming in parallel since controlled by a logic zero), and the reception port RE1 will not be completely isolated from the transmission port EM1 and from the outside.
Pour éviter ce risque et faciliter le choix des valeurs des résistances et inductances ajoutées, l'invention propose une variante dans laquelle une diode anti-retour est connectée en série avec la résistance ajoutée. To avoid this risk and facilitate the choice of the values of the added resistances and inductances, the invention proposes a variant in which a non-return diode is connected in series with the added resistance.
Autrement dit, une diode anti-retour DA est connectée entre le point de jonction B et la résistance ajoutée R4, pour la commande SW4 et entre le point de jonction A et la résistance ajoutée R3 pour la commande SW1. In other words, a non-return diode DA is connected between the junction point B and the added resistance R4, for the control SW4 and between the junction point A and the added resistance R3 for the control SW1.
Cette diode anti-retour DA permet de bloquer la fraction de courant total qui pourrait fuir vers la masse par la résistance R3 ou R4, quand celle-ci est commandée par un zéro logique. This non-return diode DA makes it possible to block the fraction of total current which could leak towards ground by the resistance R3 or R4, when the latter is controlled by a logic zero.
Par exemple, si la commande SW1 est commandée par un 1 logique et SW4 par un 0 logique (cas de l'émission GSM), alors le courant issu de la commande SW1 traverse la diode série D1 puis se divise entre la diode parallèle D2, reliée à la masse, et l'ensemble constitué de la résistance R4 et de l'inductance L4, relié à la commande SW4. De ce fait, le courant circulant dans la diode parallèle D4 risque de devenir insuffisant pour rendre ladite diode parfaitement passante. La diode anti-retour DA, connectée en série avec la résistance R4 et l'inductance L4, permet d'éviter le courant de fuite vers la commande SW4 à travers la résistance R4. For example, if the command SW1 is commanded by a logic 1 and SW4 by a logic 0 (case of GSM transmission), then the current from the command SW1 passes through the serial diode D1 and then divides between the parallel diode D2, connected to ground, and the assembly consisting of resistor R4 and inductance L4, connected to control SW4. Therefore, the current flowing in the parallel diode D4 may become insufficient to make said diode perfectly passable. The non-return diode DA, connected in series with the resistor R4 and the inductor L4, makes it possible to avoid the leakage current towards the control SW4 through the resistor R4.
Il en est, bien sûr, de même pour le rôle de la diode anti-retour DA placée en série avec la résistance R3 et l'inductance L3. It is, of course, the same for the role of the non-return diode DA placed in series with the resistor R3 and the inductance L3.
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