FR2782822A1 - Module a semi-conducteur et procede de production - Google Patents
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Abstract
Un module à semi-conducteur comprend :une puce de CI (2) incluant un circuit électrique et une zone de surface formant borne électriquement conductrice (2b) connectée électriquement au circuit électrique, un organe électriquement conducteur (3) fixé à la zone de surface formant borne avec une conductivité électrique entre l'organe électriquement conducteur et la zone de surface formant borne, et une résine (4, 4a) adhérant à une partie de l'organe électriquement conducteur et à une partie de la puce de CI.
Description
MODULE A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE PRODUCTION
CONTEXTE DE L'INVENTION ET ETAT DE L'ART
La présente invention porte sur un module à semi-conducteur incluant une puce de circuit intégré (CI) à semi-conducteur, et sur un procédé de production du même. Le document JP-A-9-131986 décrit qu'une puce de circuit intégré est traitée par procédé humide pendant un processus de découpe des puces à partir d'un substrat, ce qui freine la génération d'écaillement et de fissuration de la puce de circuit intégré
de façon à augmenter la résistance au choc de la puce.
OBJECTIF ET RESUME DE L'INVENTION
Un objectif de la présente invention est de fournir un module à puce de CI à semi-conducteur très mince et présentant une grande résistance à la cassure, et un
procédé de production du même.
Selon la présente invention, un module à semi-conducteur comprend: une puce de circuit intégré (CI) comprenant un circuit électrique et une zone de surface formant borne électriquement conductrice connectée électriquement au circuit électrique, un organe électriquement conducteur fixé à la zone de surface formant borne avec une conductivité électrique entre l'organe électriquement conducteur et la zone de surface formant borne, et une résine adhérant à une partie de
l'organe électriquement conducteur et à une partie de la puce de CI.
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Comme la résine (monolithique) adhère à la fois à la partie de l'organe électriquement conducteur et à la partie de la puce de CI, le joint entre l'organe électriquement conducteur et la puce de CI est renforcé par la résine, ce qui freine sa rupture si on applique une force de flexion à la combinaison organe électriquement conducteur et puce de CI. Selon la présente invention, un module à semi-conducteur comprend une puce de CI incluant ou recevant en son sein un circuit électrique et un bobinage d'antenne connectés électriquement l'un à l'autre, le circuit électrique et le bobinage d'antenne étant juxtaposés l'un à l'autre dans la direction de l'épaisseur de la puce de CI, et une résine adhérant à au moins une partie de la puce de CI, dans lequel la puce de CI comprend des première et deuxième surfaces opposées l'une à l'autre dans la direction de l'épaisseur de la puce de CI, le bobinage d'antenne s'étend sensiblement dans un plan imaginaire parallèle aux première et deuxième surfaces, la distance entre le bobinage d'antenne et la première surface est inférieure à la distance entre le bobinage d'antenne et la deuxième surface dans la direction de l'épaisseur. Comme le bobinage d'antenne est logé dans la puce de CI ou imprimé sur la puce de CI sans l'organe électriquement conducteur entre le bobinage d'antenne et la puce de CI, l'épaisseur du
module à semi-conducteur reste faible tandis que la rupture du module à semi-
conducteur est freinée.
La puce de CI comprend des première et deuxième surfaces opposées l'une à l'autre dans la direction de l'épaisseur de la puce de CI et une troisième surface qui s'étend entre les première et deuxième surfaces, la première surface inclut la zone de surface formant borne, et la partie de l'organe électriquement conducteur s'étend le long d'une partie de la première surface. La deuxième surface inclut une zone périphérique et une zone centrale entourée par la zone périphérique. Le module à semi-conducteur peut en outre comprendre un organe d'antenne fixé à l'organe électriquement conducteur avec une conductivité électrique entre l'organe d'antenne et l'organe électriquement conducteur. Une enveloppe peut recevoir en son sein la puce
de CI, l'organe électriquement conducteur et la résine.
Si on empêche la résine d'adhérer à au moins une partie de la deuxième surface, l'épaisseur du module à semi-conducteur reste sensiblement faible tandis que
la résistance du joint reste suffisamment grande.
Si la résine adhère à au moins une partie de la zone périphérique, au niveau de laquelle une fissuration ou un écaillement ont une probabilité d'existence sensiblement
élevée ou sont générés par le processus de découpe destiné à diviser un substrat semi-
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conducteur en puces de CI, la résine renforce cette partie au moins unique de la zone périphérique pour freiner efficacement la rupture de la puce de CI. Si la résine adhère à au moins une partie de la troisième surface pour s'étendre de façon monolithique entre la partie de l'organe électriquement conducteur et la partie au moins unique de la zone périphérique, la résine renforce efficacement à la fois le joint et la zone périphérique, c'est-à-dire les zones les plus importantes pour freiner la rupture du
module à semi-conducteur.
Si la résine adhère à la partie au moins unique de la zone périphérique et est empêchée d'adhérer à la zone centrale, la rigidité de la puce de CI contre une force de flexion et/ou de torsion reste faible ou la flexibilité de la puce de CI à la flexion et/ou à la torsion reste élevée, tandis que la partie au moins unique de la zone périphérique, au niveau de laquelle la probabilité d'existence de fissuration et/ou d'écaillement est
sensiblement élevée, est efficacement renforcée.
Il est préférable que le module d'élasticité longitudinale de l'organe d'antenne soit inférieur au module d'élasticité longitudinale de l'organe électriquement conducteur, pour limiter l'application d'une force d'impact sur l'organe électriquement conducteur et/ou le joint par l'organe d'antenne, et/ou pour absorber la force d'impact
au niveau de l'organe d'antenne.
Lorsque l'organe électriquement conducteur inclut des premier et second côtés opposés l'un à l'autre dans la direction de l'épaisseur de la puce de CI et le second côté fait face à la puce de CI, il est préférable que l'organe d'antenne soit fixé au second
côté en vue de minimiser l'épaisseur du module à semi-conducteur.
Si on empêche la résine d'adhérer à l'organe électriquement conducteur de façon monolithique de la zone de surface formant borne jusqu'à l'organe d'antenne, l'élasticité de chacun de l'organe d'antenne et d'une partie de l'organe électriquement conducteur est utilisée efficacement pour absorber une force d'impact provenant de l'organe d'antenne ou pour limiter la transmission de cette force d'impact de l'organe
d'antenne à la puce de CI à travers la résine.
Si l'organe électriquement conducteur déborde par rapport à l'organe d'antenne dans les deux sens opposés l'un à l'autre et perpendiculaires à la direction longitudinale de l'organe d'antenne, et/ou si l'organe d'antenne déborde par rapport à l'organe électriquement conducteur dans les deux sens opposés l'un à l'autre et perpendiculaires à la direction longitudinale de l'organe électriquement conducteur, la concentration de contraintes au niveau du joint entre l'organe d'antenne et l'organe électriquement conducteur diminue
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Il est préférable que le module d'élasticité longitudinale de l'enveloppe soit inférieur au module d'élasticité longitudinale de la résine, pour limiter l'application d'une force d'impact de l'enveloppe à l'organe électriquement conducteur et/ou au
joint, et/ou pour absorber la force d'impact au niveau de l'enveloppe.
Il est préférable que l'organe électriquement conducteur s'étende de façon sensiblement rectiligne entre l'organe d'antenne et la zone de surface formant borne,
pour limiter la concentration de contraintes sur l'organe électriquement conducteur.
La résine peut adhérer à l'ensemble de la deuxième surface pour renforcer la puce de CI. L'enveloppe peut être fixée à au moins une partie de la deuxième surface tandis qu'on empêche la résine d'exister entre l'enveloppe et la partie au moins unique de la deuxième surface, de sorte que l'épaisseur du module à semi-conducteur reste
faible tandis que le joint est efficacement renforce.
Si la résine adhère à la partie au moins unique de la troisième surface pour s'étendre de façon monolithique de la première surface à la partie au moins unique de la zone périphérique, un coin entre la partie au moins unique de la troisième surface et la zone périphérique, au niveau duquel un écaillement et/ou une fissuration existent,
est efficacement renforcé.
Si l'enveloppe recevant en son sein la puce de CI et la résine est fixée à au moins une partie de la deuxième surface tandis qu'on empêche la résine d'exister entre l'enveloppe et la partie au moins unique de la deuxième surface, l'épaisseur du module
à semi-conducteur reste faible tandis que la puce de CI est renforcée par la résine.
On peut empêcher la résine d'adhérer à au moins une partie de la première surface. L'épaisseur de la résine sur la deuxième surface est de préférence non inférieure à 10 pm et non supérieure à l'épaisseur de la puce de CI. L'épaisseur du module à semi-conducteur est de préférence non supérieure à 0,5 mm. L'enveloppe peut inclure une couche d'adhésif adhérant à la résine et une pellicule protectrice que la couche d'adhésif fait adhérer à la résine. La couche d'adhésif peut comprendre un tissu non tissé ou le tissu non tissé peut être imprégné de l'adhésif pour former la couche d'adhésif
Selon la présente invention, un procédé de production d'un module à semi-
conducteur comprend les étapes consistant à: fixer une puce de CI à un organe électriquement conducteur, appliquer une résine sur une partie de joint entre la puce de CI et l'organe électriquement conducteur, et durcir ensuite la résine,
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retirer une partie de l'organe électriquement conducteur de la combinaison puce de CI et organe électriquement conducteur, fixer un bobinage d'antenne à une partie restante de l'organe électriquement conducteur de la combinaison puce de CI et organe électriquement conducteur, et monter la combinaison bobinage d'antenne, puce de CI et organe
électriquement conducteur dans une enveloppe.
L'étape de montage peut comprendre: le fait de disposer la combinaison bobinage d'antenne, puce de CI et organe électriquement conducteur entre deux tissus non tissés d'une paire, et le fait de disposer la paire de tissus non tissés, entre lesquels est disposée la combinaison bobinage d'antenne, puce de CI et organe électriquement conducteur, entre deux pellicules protectrices avec un adhésif entre chacun des tissus non tissés et chacune des deux pellicules protectrices se faisant face, et le fait de compresser et chauffer les deux pellicules protectrices, entre lesquelles est disposée la paire de tissus non tissés, pour faire adhérer les pellicules protectrices aux tissus non tissés grâce à l'adhésif L'étape de montage peut comprendre: le fait de disposer la combinaison bobinage d'antenne, puce de CI et organe électriquement conducteur sur une pellicule protectrice avec un adhésif entre la combinaison bobinage d'antenne, puce de CI et organe électriquement conducteur et la pellicule protectrice, le fait de couvrir la combinaison bobinage d'antenne, puce de CI et organe électriquement conducteur d'une autre pellicule protectrice de façon à la disposer entre les pellicules protectrices, et le fait de compresser et chauffer les pellicules protectrices, entre lesquelles est disposée la combinaison bobinage d'antenne, puce de CI et organe électriquement conducteur, pour faire adhérer les pellicules protectrices à la combinaison bobinage d'antenne, puce de CI et organe électriquement conducteur grâce à l'adhésif
Selon la présente invention, un procédé de production d'un module à semi-
conducteur comprend les étapes consistant à: disposer une puce de CI, incluant un bobinage d'antenne et couverte d'une résine, entre des tissus non tissés d'une paire, et disposer la paire de tissus non tissés, entre lesquels est disposée la puce de CI, entre deux pellicules protectrices avec un adhésif entre chacun des tissus non tissés et chacune des deux pellicules protectrices se faisant face, et
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compresser et chauffer les deux pellicules protectrices, entre lesquelles est disposée la paire de tissus non tissés, pour faire adhérer les pellicules protectrices aux tissus non tissés grâce à l'adhésif
Selon la présente invention, un procédé de production d'un module à semi-
conducteur comprend les étapes consistant à: disposer une puce de CI, incluant un bobinage d'antenne et couverte d'une résine, sur une pellicule protectrice avec un adhésif entre la puce de CI et la pellicule protectrice, couvrir la puce de CI d'une autre pellicule protectrice pour la disposer entre les pellicules protectrices, et compresser et chauffer les pellicules protectrices, entre lesquelles est disposée la puce de CI, pour faire adhérer les pellicules protectrices à la puce de CI grâce à l'adhésif L'organe électriquement conducteur peut être une grille de connexion ou une patte de câblage. L'organe électriquement conducteur peut être fixé à la zone de surface formant borne par une technique au moins parmi un brasage (soudage à l'étain), un soudage autogène, une connexion par adhésif électriquement conducteur,
une connexion ACF et un sertissage. Dans cette description, une connexion ou
montage direct signifie une connexion ou montage sans aucun élément entre des composants à connecter l'un à l'autre (par exemple, soudage autogène, sertissage ou équivalent), et une connexion ou montage avec des bosses de soudure ou d'adhésif
électriquement conducteur entre les composants.
L'enveloppe est de préférence faite de polyéthylène téréphtalate (PET) ou de polychlorure de vinyle (PVC). La résine est de préférence une résine époxy. L'organe électriquement conducteur est de préférence fait d'alliage à base de nickel, d'un acier revêtu d'un métal anticorrosion, d'acier inoxydable ou équivalent, et le bobinage d'antenne est de préférence fait de cuivre, d'alliage à base de cuivre, d'aluminium,
d'alliage d'aluminium ou équivalent.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS
La figure 1 est une perspective d'un module à semi-conducteur selon une première forme de réalisation; la figure 2 est une coupe du module à semi-conducteur selon la première forme de réalisation;
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la figure 3 est une vue schématique décrivant un procédé de production du module à semi-conducteur selon la première forme de réalisation; la figure 4 est une vue schématique décrivant un autre procédé de production du module à semi-conducteur selon la première forme de réalisation; la figure 5 est une coupe d'un module à semi- conducteur selon une deuxième forme de réalisation; la figure 6 est une vue schématique décrivant un procédé de production du module à semi- conducteur selon la deuxième forme de réalisation; la figure 7 est une perspective d'un module à semi-conducteur selon une troisième forme de réalisation; la figure 8 est une coupe du module à semi- conducteur selon la troisième forme de réalisation; la figure 9 est une vue schématique décrivant un procédé de production du module à semi- conducteur selon la troisième forme de réalisation; la figure 10 est une coupe d'un module à semi-conducteur selon une quatrième forme de réalisation; la figure 1 1 est une vue schématique décrivant un procédé de production du module à semi-conducteur selon la quatrième forme de réalisation; la figure 12 est un tableau indiquant la résistance à la pression ponctuelle du module à semi-conducteur selon la présente invention comparée à la résistance à la pression ponctuelle d'une puce de CI nue selon l'art conventionnel; la figure 13 est une vue schématique décrivant un procédé de test de résistance à la pression ponctuelle; la figure 14 est une vue plane représentant une carte à CI sans contact selon une première forme de réalisation de manière partiellement écorchée; la figure 15 est une coupe de la carte à CI sans contact selon la première forme de réalisation; la figure 16 est une coupe représentant un autre exemple de la carte à CI sans contact selon la première forme de réalisation; la figure 17 est une coupe d'un fil constituant un bobinage d'antenne; la figure 18 est une vue schématique décrivant un procédé de connexion d'un bobinage d'antenne à une borne de sortie; la figure 19 est une vue plane représentant une carte à CI sans contact selon une deuxième forme de réalisation de manière partiellement écorchée;
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la figure 20 est une coupe de la carte à CI sans contact selon la deuxième forme de réalisation; la figure 21 est une coupe représentant un autre exemple de la carte à CI sans contact selon la deuxième forme de réalisation; la figure 22 est une coupe d'une carte à CI sans contact selon une troisième forme de réalisation; la figure 23 est un organigramme représentant un procédé de production d'un composant à semi-conducteur selon une première forme de réalisation; la figure 24 est une vue plane représentant une partie d'une grille de connexion ou d'une barrette à connexions; la figure 25 est une vue plane d'une grille de connexion ou d'une barrette à connexions à laquelle est connectée une puce de CI nue; la figure 26 est une coupe d'un tissu non tissé auquel un module à circuit est temporairement fixé, la figure 27 est une vue schématique représentant un moyen d'enveloppement d'un module à CI souple; la figure 28 est un organigramme représentant un procédé de production d'un composant à semiconducteur selon une deuxième forme de réalisation; la figure 29 est une coupe d'une pellicule protectrice à laquelle un module à circuit est temporairement fixé; et la figure 30 est une vue schématique représentant un moyen d'enveloppement
d'un module à circuit.
DESCRIPTION DETAILLEE DE FORMES DE REALISATION PREFEREES
PREMIERE FORME DE REALISATION
D'UN MODULE A SEMI-CONDUCTEUR
Une première forme de réalisation d'un module à semi-conducteur selon la présente invention va être décrite ci-dessous à propos des figures 1 à 4. La figure I est une perspective d'un module à semi-conducteur selon la première forme de réalisation, la figure 2 est une coupe suivant une ligne II-II sur la figure I et les figures 3 et 4 sont des vues décrivant un procédé de production du module à semi-conducteur
selon la première forme de réalisation.
Tel que représenté sur les figures 1 à 3, un module à semi-conducteur IA selon la première forme de réalisation est constitué par une puce de CI nue 2, une borne de sortie 3, en tant qu'organe électriquement conducteur revendiqué,
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directement connectée à une plage de connexion 2a, en tant que zone de surface formant borne électriquement conductrice revendiquée, de la puce de CI 2, et une résine de scellement 4 servant à fermer la périphérie de la puce de CI 2 avec une partie de la borne de sortie 3, une couche mince de résine 4a étant formée uniquement au niveau d'une partie périphérique incluant une partie de bord 2b sur une face inférieure de la puce de CI 2, et une partie centrale étant formée en tant que partie
exposée de puce 5 ne comportant pas de résine de scellement 4.
On utilise comme puce de CI nue 2 une puce de CI dans laquelle une bosse d'or ou une bosse de nickel 7 est appliquée sur la plage de connexion 2a correspondant à une borne d'entrée et de sortie. On peut employer comme puce de CI nue 2, dans le cas d'application à un composant à semi-conducteur mince, une puce de CI obtenue par application d'un processus d'abrasion à une tranche de silicium par un moyen mécanique ou chimique ou une combinaison de ceux-ci pour l'amincir jusqu'à
une epaisseur desirée.
Une extrémité de la borne de sortie 3, faite d'une matière électriquement conductrice présentant une rigidité relativement élevée, est directement connectée à la plage de connexion 2a de la puce de CI nue 2 par l'intermédiaire d'une bosse 7 faite d'or, de nickel, de soudure ou équivalent, tel que représenté sur la figure 2. On peut employer comme borne de sortie 3 une borne de sortie formée par une grille de connexion faite d'une matière métallique électriquement conductrice, ou on peut employer une borne de sortie formée par une patte de connexion structurée de façon qu'un motif conducteur d'électricité est formé sur un substrat en résine isolante, et on peut réaliser une connexion entre la bosse 7 et la borne de sortie 3 par thermocompression, par brasage, par soudage autogène, en utilisant une pâte électriquement conductrice, une matière de liaison ou un adhésif électriquement
conducteur et anisotrope (ACF), par soudage par ultrasons ou équivalent.
La résine de scellement 4 est constituée par une résine thermodurcissable à forte liaison présentant d'excellentes propriétés mécaniques et chimiques telle qu'une résine époxy ou équivalente, et est formée sur la périphérie de la puce de CI 2 avec la partie de connexion de la borne de sortie 3. Une couche mince de résine 4a formée sur la face inférieure de la puce de CI nue 2 est formée de telle façon que l'épaisseur de la couche soit la plus grande au niveau d'une partie correspondant à la partie de bord 2b de la puce de CI nue 2, telle que représentée sur la figure 2, et diminue continûment vers une partie centrale de la puce de CI nue 2. L'épaisseur maximale H de la couche de résine 4a peut être ajustée, par option, conformément à l'épaisseur totale du
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composant à semi-conducteur destinataire, et dans le cas d'application à un composant à semi-conducteur mince, elle est de préférence fixée à une valeur supérieure ou égale à 10 pm et inférieure ou égale à l'épaisseur de la puce de CI 2. Les couches de résine formées sur la face et le bord des puces de CI nues 2 peuvent être plus épaisses que l'épaisseur suscitée, mais il est toutefois préférable que l'épaisseur totale du module à semi-conducteur 1A soit inférieure ou égale à 0,5 mm afin de correspondre à un
amincissement du composant à semi-conducteur.
Dans ce cas, le scellement de résine de la puce de CI nue 2 dans lequel la borne de sortie 3 est connectée à la plage de connexion 2a peut être réalisé en versant une résine dans une cavité de moule métallique dans laquelle la puce de CI nue 2 et la borne de sortie 3 sont reçues et fixées, tel que représenté sur les figures 3 et 4. La figure 3 représente un cas de formation de la résine de scellement 4 sur des surfaces opposées d'un moule supérieur 11 et d'un moule inférieur 12 en utilisant un moule métallique dans lequel est formée une cavité 13 de forme correspondant à la résine de scellement 4 à former, et la figure 4 représente un cas de formation de la résine de scellement 4 sur des surfaces opposées du moule supérieur 1 1 et du moule inférieur 12 en utilisant un moule métallique dans lequel est formée une cavité 13 ne
comportant aucune partie correspondant à la couche de résine 4a à former.
Dans le cas o on utilise le moule métallique représenté sur la figure 3, une partie centrale ou plate 12a formée dans le moule inférieur 12 et le centre de la puce de CI nue 2 sont alignés, une partie périphérique de la puce de CI nue 2 surplombe une partie inclinée 12b formée dans le moule inférieur 12, la partie plate 12a et la surface inférieure de la puce de CI nue 2 sont étroitement en contact l'une contre l'autre, un côté d'extrémité avant de la borne de sortie 3 saillant de la cavité 13 est coincé entre le moule supérieur 11 et le moule inférieur 12, et la puce de CI nue 2 est fixée à l'intérieur de la cavité 13. Dans cette situation, lorsqu'on charge la résine dans la cavité 13 par un trou de coulée 14, on peut obtenir une formation de résine de scellement 4 en une forme désirée, avec une partie d'exposition de plaquette 5 correspondant à la partie plate 12a de la cavité 13 et la couche de résine 4a
correspondant à la partie inclinée 12b.
Dans le cas o on utilise le moule métallique représenté sur la figure 4, le côté d'extrémité avant de la borne de sortie 3 saillant de la cavité 13 est coincé entre le moule supérieur 1 1 et le moule inférieur 12 dans une situation o la surface inférieure de la puce de CI nue 2 est amenée en contact avec la surface de cavité du moule inférieur 12 pour fixer la puce de CI nue 2 à l'intérieur de la cavité 13. Dans cette il 2782822 situation, lorsqu'on charge la résine dans la cavité 13 par le trou de coulée 14, la résine pénètre entre la surface de la cavité du moule inférieur 12 et la surface inférieure de la puce de CI nue 2 sous forme de bavure en petite quantité, si bien que la partie d'exposition de plaquette 5 ne comportant pas de couche de résine est formée au niveau de la partie centrale de la face inférieure de la puce de CI nue 2, et la couche mince de résine 4a est formée sur la partie périphérique du côté inférieur de la
puce de CI nue 2.
DEUXIEME FORME DE REALISATION
D'UN MODULE A SEMI-CONDUCTEUR
Une deuxième forme de réalisation du module à semi-conducteur selon la présente invention va être décrite ci-dessous à propos des figures 5 et 6. La figure 5 est une coupe du module à semi-conducteur selon la deuxième forme de réalisation, et
la figure 6 est une vue décrivant un procédé de production du module à semi-
conducteur selon la deuxième forme de réalisation.
Tel que représenté sur les figures 5 et 6, un module à semi-conducteur IB selon la deuxième forme de réalisation est structuré de façon que l'ensemble de la surface extérieure d'une puce de CI nue 2 avec une partie de connexion de la borne de sortie 3 soit couverte par la résine de scellement 4. L'épaisseur T d'une couche de résine formée sur une face inférieure de la puce de CI nue 2 est ajustée à une épaisseur supérieure ou égale à 10 pim et inférieure ou égale à l'épaisseur de la puce de CI nue 2 pour qu'on puisse l'appliquer à un composant à semi- conducteur de type mince. En ce qui concerne la structure des autres parties, comme cette structure est la même que celle du module à semi- conducteur selon la première forme de réalisation,
sa description sera omise afin d'éviter une répétition.
Le module à semi-conducteur lB selon la présente forme de réalisation peut être produit en utilisant un moule métallique représenté sur la figure 6. De façon claire sur la figure 6, le moule métallique de la présente forme de réalisation est formé de telle façon qu'une cavité 13 formée dans des surfaces opposées entre un moule supérieur 1 1 et un moule inférieur 12 a une forme correspondant à celle de la résine de scellement 4 à former, et qu'une distance désirée supérieure ou égale à 10 Mm et inférieure ou égale à l'épaisseur de la puce de CI nue 2 sépare la surface inférieure de la puce de CI nue 2 et la surface de la cavité du moule inférieur 12 lorsqu'un côté d'extrémité avant de la borne de sortie 3 saillant de la cavité 13 est coincé entre le moule supérieur 11 et le moule inférieur 12. Le module à semi-conducteur lB selon la
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présente forme de réalisation peut être formé en coinçant le côté d'extrémité avant de la borne de sortie 3 saillant de la cavité 13 entre le moule supérieur 11 et le moule inférieur 12 et en chargeant la résine par le trou de coulée 14 dans la cavité 13 dans une situation o la distance entre la surface inférieure de la puce de CI nue 2 et la surface de la cavité du moule inférieur 12 est ajustée à une valeur supérieure ou égale
à 10 pm et inférieure ou égale à l'épaisseur de la puce de CI nue 2.
TROISIEME FORME DE REALISATION
D'UN MODULE A SEMI-CONDUCTEUR Une troisième forme de réalisation du module à semi-conducteur selon la
présente invention va être décrite ci-dessous à propos des figures 7 à 9. La figure 7 est une perspective d'un module à semi-conducteur selon la troisième forme de réalisation, la figure 8 en représente une coupe, et la figure 9 est une vue décrivant un procédé de production du module à semi-conducteur selon la troisième forme de
réalisation.
Tel que représenté sur les figures 7 à 9, un module à semi-conducteur I C selon la troisième forme de réalisation est structuré de façon à employer une puce de CI nue 20 du type à bobinage d'antenne intégré, ne comportant aucune plage de connexion et aucune borne de sortie directement connectée à la plage de connexion, et à fermer par la résine de scellement 4 la périphérie extérieure de la puce de CI 20
du type à bobinage d'antenne intégré à l'exception d'une surface inférieure de celle-ci.
Sur la face inférieure de la puce de CI 20, une couche mince de résine 4a est formée uniquement au niveau d'une partie périphérique incluant une partie de bord 20b, et une partie centrale de celle-ci forme une partie d'exposition de plaquette 5 ne comportant pas de résine de scellement 4. En ce qui concerne la structure des autres parties, comme cette structure est la même que celle du module à semi-conducteur I A
selon la première forme de réalisation, sa description sera omise afin d'éviter une
répétition. Le module à semi-conducteur 1C selon la présente forme de réalisation peut être produit en utilisant un moule métallique représenté sur les figures 9A et 9B. Le moule métallique représenté sur la figure 9A est formé de telle façon qu'une cavité 13 formée dans des surfaces opposées entre un moule supérieur 11 et un moule inférieur 12 a une forme correspondant à la résine de scellement 4 à former, et le moule métallique représenté sur la figure 9B est formé de telle façon que la cavité 13 formée dans les surfaces opposées entre un moule supérieur 11 et un moule inférieur 12 ne
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comporte aucune partie correspondant à la couche de résine 4a suscitée. Comme les deux moules métalliques sont différents des moules métalliques représentés sur les figures 3 et 4 et ne comportent aucune partie de coincement destinée à la borne de sortie sur les surfaces opposées entre le moule supérieur 11 et le moule inférieur 12, afin de fixer la puce de CI 20 de type à bobinage d'antenne intégré en une position désirée à l'intérieur de la cavité 13, la structure est faite de sorte qu'une broche 15
formée dans le moule supérieur 11 fait saillie dans la cavité 13.
Dans le cas o on utilise le moule métallique représenté sur la figure 9A, une partie plate 12a et la surface inférieure de la puce de CI nue 20 sont mises étroitement en contact l'une contre l'autre par la broche 15 faisant saillie dans la cavité 13 dans une situation o un centre de la partie plate 12a formée dans le moule inférieur 12 est aligné avec un centre de la puce de CI nue 20 afin qu'une partie périphérique de la puce de CI nue 20 surplombe une partie inclinée 12b formée dans le moule inférieur 12. Dans cette situation, lorsqu'on charge la résine dans la cavité 13 par le trou de coulée 14, on peut obtenir une forme désirée de la résine de scellement 4, présentant une partie d'exposition de plaquette 5 correspondant à la partie plate 12a de la cavité 13 et la couche de résine 4a correspondant à la partie inclinée 12b. Au contraire, dans le cas o on utilise le moule métallique représenté sur la figure 9B, la surface inférieure de la puce de CI nue 20 est amenée doucement en contact avec la surface
de la cavité du moule inférieur 12 par la broche 15 faisant saillie dans la cavité 13.
Dans cette situation, lorsqu'on charge la résine dans la cavité 13 par le trou de coulée 14, la résine pénètre entre la surface de la cavité du moule inférieur 12 et la surface inférieure de la puce de CI nue 20 sous forme de bavure en petite quantité, de sorte que la partie d'exposition de plaquette 5 ne comportant pas de couche de résine est formée au niveau de la partie centrale de la face inférieure de la puce de CI nue 20, et la couche mince de résine 4a est formée dans la partie périphérique du côté inférieur
de la puce de CI nue 20.
QUATRIEME FORME DE REALISATION
D'UN MODULE A SEMI-CONDUCTEUR
Une quatrième forme de réalisation du module à semi-conducteur selon la présente invention va être décrite ci-dessous à propos des figures 10 et 11. La figure est une coupe du module à semi-conducteur selon la quatrième forme de réalisation, et la figure 11 est une vue décrivant un procédé de production du module
à semi-conducteur selon la quatrième forme de réalisation.
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Tel que représenté sur les figures 10 et 11, un module à semi-conducteur ID selon la quatrième forme de réalisation est structuré de telle façon que l'ensemble de la surface extérieure d'une puce de CI nue 20 du type à bobinage d'antenne intégré est couvert par la résine de scellement 4. L'épaisseur T d'une couche de résine formée sur une face inférieure de la puce de CI nue 20 est ajustée à une épaisseur supérieure ou égale à 10 im et inférieure ou égale à l'épaisseur de la puce de CI nue 20 pour qu'on puisse l'appliquer à un composant à semi- conducteur de type mince. En ce qui concerne la structure des autres parties, comme cette structure est la même que celle
du module à semi-conducteur selon la troisième forme de réalisation, sa description
sera omise afin d'éviter une répétition.
Le module à semi-conducteur ID selon la présente forme de réalisation peut être produit en utilisant un moule métallique représenté sur la figure 11. Le moule métallique représenté sur la figure 11 est structuré de telle façon que la cavité 13 formée dans des surfaces opposées entre le moule supérieur 11 et le moule inférieur 12 a une forme correspondant à la résine de scellement 4 à former, et pour fixer la puce de CI 20 du type à bobinage d'antenne intégré en une position désirée à l'intérieur de la cavité 13, des broches 15a et 15 Sb prévues dans le moule supérieur 1 1 et le moule inférieur 12 font saillie dans la cavité 13. La distance de saillie de la broche b prévue dans le moule inférieur 12 est ajustée à la valeur de l'épaisseur de la couche de résine à former sur la surface inférieure de la puce de CI 20 du type à bobinage d'antenne intégré. Le module à semi-conducteur ID selon la présente forme de réalisation peut être formé en plaçant de la puce de CI nue 20 du type à bobinage d'antenne intégré sur la broche 15b prévue dans le moule inférieur 12 et en chargeant la résine par le trou de coulée 14 dans la cavité 13 dans une situation ou la broche 15a prévue dans le moule supérieur 11 exerce une pression sur la surface supérieure de la
puce de CI nue 20.
La figure 12 représente la résistance à la pression ponctuelle des modules à semi-conducteurs IA, lB, 1C et 1D selon la présente invention comparée à la résistance à la pression ponctuelle d'une puce de CI nue à laquelle un procédé humide n'est pas appliqué à une étape finale de découpe selon une forme de réalisation conventionnelle et à la résistance à la pression ponctuelle d'une puce de CI nue à laquelle un procédé humide est appliqué à une étape finale de découpe. Un essai servant à mesurer la résistance à la pression ponctuelle est exécuté à la fois par rapport à une face de formation de plage de connexion (face supérieure) et à une face inférieure d'une pièce contrôlée 32 selon un procédé consistant à placer la pièce
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contrôlée 32 sur une surface supérieure d'un caoutchouc de silicone 31 placé sur une surface plane 30, presser verticalement un gabarit de pression 33 dont l'extrémité avant présente une forme sphérique sur une partie centrale de la pièce contrôlée 32 et appliquer une pression jusqu'à ce que la pièce contrôlée 32 casse, tel que représenté sur la figure 13. Les valeurs de la figure 12 représentent respectivement des valeurs
moyennes de données obtenues par rapport à vingt pièces contrôlées.
Comme il ressort de la figure 12, dans la puce de CI nue normale à laquelle le procédé humide n'est pas appliqué à l'étape finale de découpe, la résistance à la pression ponctuelle de la face supérieure est de 1213 g et la résistance à la pression ponctuelle de la face inférieure est de 662 g. La résistance à la pression ponctuelle de la face inférieure est sensiblement inférieure à celle de la face supérieure car un écaillement et une fissuration sont facilement générés sur la face inférieure de la puce de CI à l'étape de production et des contraintes sont concentrées dans ces défauts. Au contraire, dans la puce de CI nue à laquelle le procédé humide est appliqué à l'étape finale de découpe, la résistance à la pression ponctuelle de la face supérieure est de 2443 g et la résistance à la pression ponctuelle de la face inférieure est de 597 g. On comprendra donc qu'on peut obtenir un grand effet d'amélioration de la résistance à la pression ponctuelle de la face supérieure. Cependant, en ce qui concerne la face inférieure, la résistance à la pression ponctuelle est plutôt inférieure à celle de la puce de CI nue normale à laquelle le procédé humide n'est pas appliqué à l'étape finale de découpe (pour une raison qui n'est pas claire), et on comprendra que l'effet du
procédé humide est à peine obtenu.
Au contraire, dans le module à semi-conducteur selon la présente invention, la résistance à la pression ponctuelle de la face supérieure et la résistance à la pression ponctuelle de la face inférieure augmentent respectivement jusqu'à 2838 g et 2455 g, et on comprendra qu'on peut obtenir un grand effet d'amélioration de la résistance à la pression ponctuelle par rapport aux deux faces supérieure et inférieure. En particulier, comme la résistance à la pression ponctuelle de la face inférieure augmente jusqu'à une valeur correspondant à la résistance à la pression ponctuelle de la face supérieure de la puce de CI nue à laquelle le procédé humide est appliqué à l'étape finale de découpe, la durabilité peut être augmentée dans le cas d'un montage à un composant à semi-conducteur auquel on applique de façon répétée une contrainte de flexion à la
face supérieure et à la face inférieure.
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PREMIERE FORME DE REALISATION
D'UN COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR
Un composant à semi-conducteur selon une première forme de réalisation va être décrit ci-dessous à propos des figures 14 à 18. Le composant à semi-conducteur selon la première forme de réalisation est caractérisé en ce qu'il supporte les modules à semi-conducteur 1A ou lB représentés sur les figures 2 et 5. La figure 14 est une vue plane représentant une carte à CI sans contact selon la première forme de réalisation d'une manière partiellement écorchée, la figure 15 est une coupe d'une carte à CI sans contact sur laquelle est monté le module à semi-conducteur IA représenté sur la figure 2, la figure 16 est une coupe d'une carte à CI sans contact sur laquelle est monté le module à semi-conducteur lB représenté sur la figure 5, la figure 17 est une coupe d'un fil constituant un bobinage d'antenne, et la figure 18 est une vue
décrivant un procédé de connexion du bobinage d'antenne à une borne de sortie.
Il ressort des figures 14 à 16 qu'une carte à CI sans contact 40A selon la présente forme de réalisation est constituée par le module à semi-conducteur I A ou IB, un bobinage d'antenne 41 connecté électriquement au module à semi-conducteur
1 A ou 1 B et un support 42 installant chacun des composants montés.
Le bobinage d'antenne 41 est connecté à une partie d'extrémité avant de la
borne de sortie 3 faisant saillie de la résine de scellement 4 du module à semi-
conducteur 1A ou IB par un procédé de connexion, par exemple un soudage en biseau, un brasage, un soudage autogène, une liaison par pâte électriquement conductrice ou équivalent. Comme fil constituant le bobinage d'antenne 41, on peut employer un fil tel que représenté sur la figure 17A, structuré de telle façon qu'une couche isolante 41b, telle qu'une résine ou équivalent, revêt un fil d'âme 41a fait de, ou incluant, une matière métallique bonne conductrice électrique telle que du cuivre, de l'aluminium ou équivalent, ou un fil tel que représentée sur la figure 17B, structuré de telle façon qu'une couche métallique de liaison 41c faite d'or, de soudure ou équivalent revêt le fil d'âme 41a, et la couche isolante 41b revêt l'extérieur de la couche métallique de liaison 41c. Le diamètre du fil va de 20]am à 100 pim, et le bobinage d'antenne est formé en faisant tourner le fil quelque dizaines de fois en
correspondance avec une caractéristique de la puce de CI 2.
Dans le cas o on connecte le bobinage d'antenne 41 à la borne de sortie 3 par le procédé de soudage en biseau, on peut employer comme bobinage d'antenne 41 une structure ne comportant pas de couche métallique de liaison 41c, mais pour réaliser la liaison de façon plus facile et sûre il est toutefois particulièrement préférable
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d'employer une structure dans laquelle le fil d'âme 41 a est revêtu de métal. Le soudage en biseau entre le bobinage d'antenne 41 et la borne de sortie 3 est réalisé en faisant chevaucher le bobinage d'antenne 41 sur la borne de sortie 3, en pressant un outil de soudage 50 par le côté du bobinage d'antenne 41 et en appliquant des ultrasons pour sublimer la couche isolante 41b par l'énergie et fondre le métal, tel que représenté sur la figure 18A. Le bobinage d'antenne 41 connecté par le soudage en biseau est structuré de telle façon que la couche isolante 41 b proche de la partie d'application de pression est retirée et le fil d'âme 41a écrasé en une forme plate est serti à la borne de
sortie 3, tel que représenté sur la figure 18B.
Un support 42 est constitué par une couche de matière agglutinante 43 qui peut inclure un tissu non tissé, et une pellicule protectrice 44 en tant qu'enveloppe revendiquée liée à une surface de la couche de matière agglutinante 43, tel que
représenté sur les figure 15 et 16.
Comme matière agglutinante constituant la couche de matière agglutinante 43, on peut employer une matière agglutinante facultative connue tant qu'elle présente une résistance suffisante après durcissement, mais il est toutefois particulièrement préférable d'employer un élastomère thermoplastique ou un mélange d'un élastomère thermoplastique et d'une résine car il peut être fixé par une presse à cylindre ou une
presse hydrostatique et génère très peu de gondolement après durcissement.
La pellicule protectrice 44 peut être constituée par une pellicule de résine isolante facultative, mais il est toutefois particulièrement préférable d'employer un polyéthylène téréphtalate (PET), un polychlorure de vinyle (PVC) ou équivalent car ceux-ci présentent une grande résistance et d'excellentes caractéristiques de fixation et d'impression. Comme la carte à CI sans contact 40A selon la présente forme de réalisation est structurée de façon à supporter le module à semi-conducteur IA ou lB dans lequel la puce de CI 2 est scellée par la résine, la puce de CI est difficile à rompre même lorsqu'on applique une contrainte de flexion répétée et la durabilité de la carte à CI sans contact 40A est excellente. En outre, comme le module à semi-conducteur 1 A ou IB monté présente d'excellentes résistance à la pression ponctuelle et résistance au choc, on peut réduire l'épaisseur totale du support 42, et on peut amincir encore ce
type de composant à semi-conducteur.
DEUXIEME FORME DE REALISATION
D'UN COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR
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Un composant à semi-conducteur selon une deuxième forme de réalisation va être décrit ci-dessous à propos des figures 19 à 21. Le composant à semi-conducteur selon la deuxième forme de réalisation est caractérisé en ce qu'il supporte les modules à semi-conducteurs 1C ou ID représentés sur les figures 8 et 10. La figure 19 est une vue plane représentant une carte à CI sans contact selon la deuxième forme de réalisation de façon partiellement écorchée, la figure 20 est une coupe d'une carte à CI sans contact sur laquelle est monté le module à semi- conducteur I C représenté sur la figure 8, et la figure 21 est une coupe d'une carte à CI sans contact sur laquelle est
monté le module à semi-conducteur 1ID représenté sur la figure 10.
Il ressort de ces dessins qu'une carte à CI sans contact 40B selon la présente forme de réalisation est structurée de façon à simplement loger dans le support 42 le module à semi-conducteur IC ou 1D dans lequel la puce de CI 20 à bobinage d'antenne intégré est scellée par la résine. Comme la structure du support 42 est la même que celle de la carte à CI sans contact 40A selon la première forme de réalisation, les mêmes numéros de référence repèrent des composants correspondants
et leur description sera omise. La couche de matière agglutinante ou adhésive 43 peut
inclure un tissu non tissé ou peut être un tissu non tissé incluant une couche de matière agglutinante ou adhésive 43, c'est-à-dire que la couche de matière agglutinante ou adhésive 43 peut être un tissu non tissé 45 imprégné de la matière
agglutinante ou adhésive tel que décrit ci-après.
Comme la carte à CI sans contact 40B selon la présente forme de réalisation est structurée de façon à supporter le module à semiconducteur 1C ou 1D dans lequel la puce de CI 20 est scellée par la résine, en plus des mêmes effets que ceux de la carte à CI sans contact 40A selon la première forme de réalisation, on peut amincir encore ce type de composant à semi-conducteur et réduire son coût puisque la borne de sortie 3 et le bobinage d'antenne 41 ne sont pas nécessaire grâce à l'utilisation de la
puce de CI 20 du type à bobinage d'antenne intégré.
TROISIEME FORME DE REALISATION
D'UN COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR
Un composant à semi-conducteur selon une troisième forme de réalisation va être décrit ci-dessous à propos de la figure 22. Le composant à semiconducteur selon la troisième forme de réalisation est caractérisé en ce qu'un tissu non tissé est intercalé dans une couche de matière agglutinante ou adhésive 43 ou en ce que le tissu non
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tissé est imprégné de l'adhésif pour constituer le support 42. La figure 22 est une
coupe d'une carte à CI sans contact selon la troisième forme de réalisation.
Sur ce dessin, le numéro de référence 45 repère un tissu non tissé, et le tissu non tissé 45 est imprégné d'une matière agglutinante ou adhésive pour constituer la couche de matière agglutinante ou adhésive 43 comme dans la deuxième forme de réalisation du composant à semi-conducteur. On peut employer un tissu non tissé connu facultatif en tant que tissu non tissé 45 dans la carte à CI sans contact 40C selon la troisième forme de réalisation. Comme la structure des autres composants est la même que celle de la carte à CI sans contact 40A selon la première forme de
réalisation, leur description sera omise afin d'éviter une répétition.
Comme la carte à CI sans contact 40C selon la présente forme de réalisation est structurée de façon à supporter le module à semiconducteur 1C ou ID dans lequel la puce de CI 2 est scellée par la résine, en plus des mêmes effets que ceux de la carte à CI sans contact 40A selon la première forme de réalisation, la résistance et la rigidité du bloc de support 42 sont augmentées et on peut amincir encore ce type de composant à semi-conducteur et augmenter sa fiabilité puisque le tissu non tissé 45
est intercalé dans, ou imprégné de, la couche de matière agglutinante 43.
La figure 22 représente uniquement le cas o le module à semi-conducteur 1A selon la première forme de réalisation est monté, mais la même structure peut être réalisée dans le cas o le module à semi- conducteur lB selon la deuxième forme de réalisation est monté, dans le cas o le module à semi-conducteur I1C selon la
troisième forme de réalisation est monté, et dans le cas o le module à semi-
conducteur 1D selon la quatrième forme de réalisation est monté.
PREMIER MODE DE REALISATION D'UN PROCEDE DE PRODUCTION
DE COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR
Un procédé de production de la carte à CI sans contact 40C selon la troisième forme de réalisation va être décrit ci-dessous à propos des figures 23 à 29. La figure 23 est un organigramme représentant une première forme de réalisation du procédé de production, la figure 24 est une vue plane représentant une partie de la grille de connexion ou de la barrette à connexions, la figure 25 est une vue plane de la grille de connexion ou de la barrette à connexions à laquelle la puce de CI nue est connectée, la figure 26 est une coupe du tissu non tissé supportant temporairement un module à CI, et la figure 27 est une vue schématique représentant un moyen d'enveloppement
d'un module à CI souple.
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Tout d'abord, tel que représenté sur la figure 24, on prépare une grille de connexion ou barrette à connexions 61 sous la forme d'un ruban dans lequel de multiples bornes de sortie 3, en tant qu'organes électriquement conducteurs revendiqués, sont formées à intervalle fixe (étape SI sur la figure 23). Dans ce cas, le numéro de référence 62 sur la figure 24 repère un trou traversant utilisé pour transporter la grille de connexion ou barrette à connexions 61, et les trous traversants
sont percés à intervalle fixe hors de la partie formant la borne de sortie 3.
Ensuite, tel que représenté sur la figure 25, la puce de CI nue 2 est connectée à chacune des bornes de sortie 3 formées dans la grille de connexion ou la barrette à connexions 61 (étape S2 sur la figure 23). On réalise une connexion entre la borne de sortie 3 et la puce de CI nue 2 en plaçant au préalable la bosse d'or 7 sur la plage de connexion 2a de la puce de CI nue 2 et par brasage, soudage autogène, connexion par
pâte conductrice ou soudage par ultrasons de la bosse d'or 7 et la borne de sortie 3.
La grille de connexion ou la barrette à connexions 61 à laquelle la puce de CI nue 2 est connectée est ensuite amenée dans le moule métallique représenté sur la figure 3 par la partie d'extrémité avant en utilisant le trou traversant 62 suscité, et la périphérie de la puce de CI nue 2 incluant la partie de connexion de la borne de sortie
3 est moulée par la résine (étape S3 sur la figure 23).
La puce de CI nue 2 et la grille de connexion ou barrette à connexions 61, une fois moulées par la résine, sont placées dans un four de cuisson et on réalise une
cuisson secondaire (étape S4 sur la figure 23).
On coupe la borne de sortie 3 suivant une ligne C-C sur la figure 25 et on extrait le module à semi-conducteur 1A, structuré de telle façon que la puce de CI nue 2 et la borne de sortie 3 sont moulées monobloc par la résine (étape S5 sur la figure
23).
On connecte le bobinage d'antenne 41, produit indépendamment, à la borne de sortie 3 du module à semi-conducteur IA de façon à obtenir un module à circuit 63 structuré de telle façon que le module à semi-conducteur 1A et le bobinage d'antenne 41 sont moulés monobloc (étape S6 sur la figure 23). Comme procédé de connexion du bobinage d'antenne 41 à la borne de sortie 3, on peut choisir n'importe quel procédé parmi une connexion par brasage, par soudage autogène, une connexion par
pâte électriquement conductrice ou par adhésif et une connexion par sertissage.
On fixe temporairement, un par un, des modules à circuit 63 obtenus de cette manière sur une surface du tissu non tissé 45 présentant une certaine compressibilité et une caractéristique d'auto- sertissage, tel que représenté sur la figure 26 (étape S7
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sur la figure 23). La compressibilité du tissu non tissé 45 signifie ici une nature permettant d'installer l'ensemble ou une partie du module à circuit 63 à l'intérieur du tissu non tissé 45 lorsqu'on presse le module à circuit 63 sur le tissu non tissé 45 en appliquant un chauffage, et la caractéristique d'auto-sertissage signifie une nature apte à lier des fibres constituant le tissu non tissé 45 l'une à l'autre et à lier l'autre élément, par exemple le module à circuit 63 ou l'autre tissu non tissé, au tissu non tissé 45 de façon à garder une forme fixe lorsqu'on applique une compression et un chauffage. La fixation temporaire du module à circuit 63 au tissu non tissé 45 est obtenue en pressant le module à circuit 63 contre une surface du tissu non tissé 45 formé en
bande ou en ruban et en plaçant ces modules à intervalle fixe.
On superpose le même type de tissu non tissé 45 ou un autre type de tissu non tissé 45 sur la surface de support de modules à CI du tissu non tissé 45 à laquelle les modules à circuit 63 sont temporairement fixés, et on sertit ces deux tissus non tissés en appliquant un chauffage (étape S8 sur la figure 23). On obtient ainsi un module à CI souple 64 dans lequel de multiples modules à circuit 63 sont coincés entre les
bandes ou rubans de tissus non tissés 45 à intervalle fixe.
On fait ensuite adhérer les pellicules protectrices 44, en tant qu'enveloppes revendiquées, sur les deux surfaces supérieure et inférieure du module à CI souple 64, produit de la manière indiquée ci- dessus, au moyen de la couche de matière agglutinante ou adhésive 43 de façon à envelopper le module à circuit 63 (étape S9 sur la figure 23). L'enveloppement du module à circuit 63 est réalisé en préparant un rouleau de modules à CI souple 64 enroulés et un rouleau de pellicule protectrice 44 enroulée formée en bande ou en ruban et portant la couche de matière agglutinante 43 sur une surface, et en faisant adhérer, au moyen de la couche de matière agglutinante 43, la pellicule protectrice 44 déroulée des rouleaux 72 et 73 aux deux surfaces supérieure et inférieure du module à CI souple 64 déroulé du rouleau 71, tel que représenté sur la figure 27. Sur la figure 27, le numéro de référence 74 repère un rouleau d'étirage, le numéro de référence 75 repère un rouleau de transport, le numéro de référence 76 repère un rouleau de collage servant à fixer temporairement le module à CI souple 64 à la pellicule protectrice 44, et le numéro de référence 77 repère un rouleau de sertissage thermique servant à sertir thermiquement le bloc temporairement fixé entre le module à CI souple 64 et la pellicule protectrice 44 de façon à produire un modèle de carte 65 d'épaisseur prédéterminée. La couche de matière agglutinante ou adhésive 43 se trouvant sur une surface de la pellicule protectrice 44 est fondue au cours du processus de passage à travers le rouleau de sertissage thermique 77,
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s'imprègne dans le tissu non tissé 45, et connecte monobloc le module à CI souple 64
aux deux pellicules protectrices 44.
Ici, dans la forme de réalisation représentée sur la figure 27, le modèle de carte est produit en utilisant le rouleau de sertissage thermique 77, mais il est toutefois possible de produire le modèle de carte 65 en utilisant à la place de cette structure un
appareil de pressage statique.
Enfin, on coupe le modèle de carte 65 de façon à obtenir la carte à CI sans contact 40C de forme et taille prédéterminées (étape S10 sur la figure
23).
Selon le procédé de production de la présente forme de réalisation, comme la grille de connexion ou la barrette à connexions 61, le module à CI souple 64 et la pellicule protectrice 44 peuvent tous être formés en bande ou en ruban, et comme on peut exécuter automatiquement et continûment un processus et un traitement à chacune des étapes, on peut augmenter la productivité de la carte à CI sans contact
C désirée.
DEUXIEME MODE DE REALISATION D'UN PROCEDE DE PRODUCTION
DE COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR
Un procédé de production de la carte à CI sans contact 40A selon la première forme de réalisation va être décrit ci-dessous à propos des figures 28 à 30. La figure 28 est un organigramme d'une procédure correspondant à un procédé de production d'un composant à semi- conducteur selon une deuxième forme de réalisation, la figure 29 est une coupe de la pellicule protectrice à laquelle le module à circuit est temporairement fixé, et la figure 30 est une vue schématique représentant le moyen
d'enveloppement du module à circuit.
Il ressort de la figure 28 que des étapes allant d'une étape S 11 de production de la grille de connexion ou de la barrette à connexions à une étape S16 de connexion du bobinage sont respectivement les mêmes que les étapes SI à S6 du procédé de production du composant à semi- conducteur selon la première forme de réalisation représentées sur la figure 23. En outre, comme les traitements exécutés à ces étapes respectives sont les mêmes que dans le cas de la première forme de réalisation, leur
description sera omise afin d'éviter une répétition.
On fixe temporairement, un par un, les modules à circuit 63 produits par le processus allant jusqu'à l'étape S6 à la couche de matière agglutinante formant surface de la pellicule protectrice 44, en tant qu'enveloppe revendiquée, comportant une surface sur laquelle est formée la couche de matière agglutinante ou adhésive 43, tel
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que représenté sur la figure 29 (étape S 17 sur la figure 28). La fixation temporaire du module à circuit 63 sur la couche de matière agglutinante 43 est obtenue en pressant les modules à circuit 63 disposés à intervalle fixe sur la couche de matière agglutinante formant surface de la pellicule protectrice 44 formée en bande ou en ruban, en appliquant un chauffage. On lie ensuite une pellicule protectrice 44, en tant qu'enveloppe revendiquée, du même type que la pellicule protectrice 44 ou d'un type différent, à la surface de support de modules à circuit de la pellicule protectrice 44 sur laquelle le module à circuit 63 est temporairement fixé, en enveloppant ainsi le module à circuit 63 (étape S18 sur la figure 28). L'enveloppement du module à circuit 63 est réalisé en enroulant au préalable, sous la forme de rouleaux, la pellicule protectrice 44 à laquelle le module à circuit 63 est temporairement fixé et la pellicule protectrice 44 sans aucun module à circuit 63, et en liant ces deux pellicules protectrices 44 déroulées des rouleaux 81 et 82 respectifs dans une situation o la couche de matière agglutinante 43 reste à l'intérieur, tel que représenté sur la figure 30. Sur la figure 30, le numéro de référence 74 repère un rouleau d'étirage, le numéro de référence 75 repère un rouleau de transport, le numéro de référence 76 repère un rouleau de collage servant à fixer temporairement le module à CI souple 64 à la pellicule protectrice 44, et le numéro de référence 77 repère un rouleau de sertissage thermique servant à sertir thermiquement le corps temporairement fixé entre le module à CI souple 64 et la pellicule protectrice 44 afin de produire un modèle de carte 65 d'épaisseur prédéterminée. La couche de matière agglutinante 43 se trouvant sur une surface de chacune des pellicules protectrices 44 est fondue au cours du processus de passage à travers le rouleau de sertissage thermique 77, en installant le module à circuit 63 à l'intérieur de la couche de matière agglutinante 43 et en reliant monobloc les deux pellicules protectrices 44
l'une à l'autre. On produit ainsi le modèle de carte 65.
Dans ce cas, dans la forme de réalisation représentée sur la figure 30, le modèle de carte 65 est produit en utilisant le rouleau de sertissage thermique 77, mais il est toutefois possible de produire le modèle de carte 65 en utilisant l'appareil de
pressage statique à la place de la structure suscitée.
Enfin, on coupe le modèle de carte 65 afin d'obtenir la carte à CI sans contact
A de forme et taille prédéterminées (étape S19 sur la figure 28).
* Selon le procédé de production de la présente forme de réalisation, en plus des mêmes effets que ceux du premier procédé de production, comme on n'utilise pas de
tissu non tissé, on peut encore augmenter la productivité de la carte à CI sans contact.
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Ici, à l'étape SI 7 de la figure 28, si on fixe temporairement, une par une, les puces de CI nues 20 de type à bobinage d'antenne intégre représentées sur les figures 8 et 10 à la couche de matière agglutinante formant surface de la pellicule protectrice 44 comportant une surface sur laquelle est formée la couche de matière agglutinante 43, on peut produire le composant à semi-conducteur 40B selon la deuxième forme de réalisation. En outre, bien qu'une carte à CI sans contact et son procédé de production soient exemplifiés dans chacune des formes de réalisation suscitées, on peut produire des composants à semi-conducteur de type différent du type carte, par exemple de
type étiquette ou de type pastille, par le même procédé.
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Claims (39)
1. Module à semi-conducteur (l A, 1 B, 40A), comprenant: une puce de CI (2) incluant un circuit électrique et une zone de surface formant borne électriquement conductrice (2a) connectée électriquement au circuit électrique, un organe électriquement conducteur (3) fixé à la zone de surface formant borne avec une conductivité électrique entre l'organe électriquement conducteur et la zone de surface formant borne, et une résine (4, 4a) adhérant à une partie de l'organe électriquement conducteur
et à une partie de la puce de CI.
2. Module à semi-conducteur (lA, 40A) selon la revendication 1, dans lequel la puce de CI (2) inclut des première et deuxième surfaces opposées l'une à l'autre dans la direction de l'épaisseur de la puce de CI, la première surface inclut la zone de surface formant borne (2b), la partie de l'organe électriquement conducteur (3) s'étend le long d'une partie de la première surface, et la résine (4a) est empêchée d'adhérer à
au moins une partie (5) de la deuxième surface.
3. Module à semi-conducteur ( 1 A, 1 B, 40A) selon la revendication 1, dans lequel la puce de CI (2) inclut des première et deuxième surfaces opposées l'une à l'autre dans la direction de l'épaisseur de la puce de CI, la première surface inclut la zone de surface formant borne (2b), la partie de l'organe électriquement conducteur (3) s'étend le long d'une partie de la première surface, la deuxième surface inclut une zone
périphérique, et la résine (4, 4a) adhère à au moins une partie de la zone périphérique.
4. Module à semi-conducteur (I A, I B, 40A) selon la revendication 3, dans lequel la puce de CI (2) inclut une troisième surface s'étendant entre les première et deuxième surfaces, et la résine (4, 4a) adhère à au moins une partie de la troisième surface pour s'étendre de façon monolithique entre la partie de l'organe électriquement
conducteur (3) et la partie au moins unique de la zone périphérique.
5. Module à semi-conducteur (I A, 40A) selon la revendication 1, dans lequel la puce de CI (2) inclut des première et deuxième surfaces opposées l'une à l'autre dans la direction de l'épaisseur de la puce de CI, la première surface inclut la zone de
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surface formant borne (2b), la partie de l'organe électriquement conducteur (3) s'étend le long d'une partie de la première surface, la deuxième surface inclut une zone périphérique et une zone centrale (5) entourée par la zone périphérique, et la résine (4a) adhère à au moins une partie de la zone périphérique et est empêchée d'adhérer à la zone centrale.
6. Module à semi-conducteur (40A) selon la revendication 1, comprenant en outre un organe d'antenne (41) fixé à l'organe électriquement conducteur (3) avec une
conductivité électrique entre l'organe d'antenne et l'organe électriquement conducteur.
7. Module à semi-conducteur (40A) selon la revendication 6, dans lequel le module d'élasticité longitudinale de l'organe d'antenne (41) est inférieur au module
d'élasticité longitudinale de l'organe électriquement conducteur (3).
8. Module à semi-conducteur (40A) selon la revendication 6, dans lequel l'organe électriquement conducteur (3) inclut des premier et second côtés opposés l'un à l'autre dans la direction de l'épaisseur de la puce de CI (2), le second côté fait face à la puce
de CI, et l'organe d'antenne (41) est fixé au second côté.
9. Module à semi-conducteur (40A) selon la revendication 6, dans lequel la résine (4, 4a) est empêchée d'adhérer à l'organe électriquement conducteur (3), de façon monolithique, de la zone de surface formant borne (2b) jusqu'à l'organe
d'antenne (41).
10. Module à semi-conducteur (40A) selon la revendication 6, dans lequel l'organe électriquement conducteur (3) déborde par rapport à l'organe d'antenne (41) dans les deux sens opposés l'un à l'autre et perpendiculaires à la direction longitudinale de
l'organe d'antenne.
11. Module à semi-conducteur (40A) selon la revendication 6, dans lequel l'organe d'antenne (41) déborde par rapport à l'organe électriquement conducteur (3) dans les deux sens opposés l'un à l'autre et perpendiculaires à la direction longitudinale de
l'organe électriquement conducteur.
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12. Module à semi-conducteur (40A) selon la revendication 1, comprenant en outre une enveloppe (42) recevant en son sein la puce de CI (2), l'organe
électriquement conducteur (3) et la résine (4, 4a).
13. Module à semi-conducteur (40A) selon la revendication 12, dans lequel le module d'élasticité longitudinale de l'enveloppe (42) est inférieur au module
d'élasticité longitudinale de la résine (4, 4a).
14. Module à semi-conducteur (40A) selon la revendication 6, dans lequel l'organe électriquement conducteur (3) s'étend de façon sensiblement rectiligne entre l'organe
d'antenne (41) et la zone de surface formant borne (2b).
15. Module à semi-conducteur (IB, 40A) selon la revendication 1, dans lequel la puce de CI (2) inclut des première et deuxième surfaces opposées l'une à l'autre dans la direction de l'épaisseur de la puce de CI, la première surface inclut la zone de surface formant borne (2b), la partie de l'organe électriquement conducteur (3) s'étend le long d'une partie de la première surface, et la résine (4) adhère à l'ensemble de la
deuxième surface.
16. Module à semi-conducteur (40A) selon la revendication 12, dans lequel la puce de CI (2) inclut des première et deuxième surfaces opposées l'une à l'autre dans la direction de l'épaisseur de la puce de CI, la première surface inclut la zone de surface formant borne (2b), la partie de l'organe électriquement conducteur (3) s'étend le long d'une partie de la première surface, et l'enveloppe (42) est fixée à au moins une partie de la deuxième surface tandis que la résine (4) est empêchée d'exister entre
l'enveloppe et la partie au moins unique de la deuxième surface.
17. Module à semi-conducteur (1C, 1D, 40B), comprenant: une puce de CI (20) incluant un circuit électrique et un bobinage d'antenne, connectés électriquement l'un à l'autre, et une résine (4, 4a) adhérant à au moins une partie de la puce de CI, dans lequel la puce de CI inclut des première et deuxième surfaces opposées l'une à l'autre dans la direction de l'épaisseur de la puce de CI, le bobinage d'antenne est juxtaposé au circuit électrique dans la direction de l'épaisseur et s'étend sensiblement dans un plan imaginaire parallèle aux première et deuxième surfaces, la
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distance entre le bobinage d'antenne et la première surface est inférieure à la distance
entre le bobinage d'antenne et la deuxième surface dans la direction de l'épaisseur.
18. Module à semi-conducteur (IC, 40B) selon la revendication 17, dans lequel la résine (4a) est empêchée d'adhérer à au moins une partie (5) de la deuxième surface.
19. Module à semi-conducteur (IC, 1D, 40B) selon la revendication 17, dans lequel la deuxième surface inclut une zone périphérique, et la résine (4, 4a) adhère à
au moins une partie de la zone périphérique.
20. Module à semi-conducteur (1IC, ID, 40B) selon la revendication 19, dans lequel la puce de CI (2) inclut une troisième surface s'étendant entre les première et deuxième surfaces, et la résine (4, 4a) adhère à au moins une partie de la troisième surface pour s'étendre de façon monolithique de la première surface à la partie au
moins unique de la zone périphérique.
21. Module à semi-conducteur (1IC, 40B) selon la revendication 17, dans lequel la deuxième surface inclut une zone périphérique et une zone centrale (5) entourée par la zone périphérique, et la résine (4a) adhère à au moins une partie de la zone
périphérique et est empêchée d'adhérer à la zone centrale.
22. Module à semi-conducteur (1D, 40B) selon la revendication 17, dans lequel la
résine (4) adhère à l'ensemble de la deuxième surface.
23. Module à semi-conducteur (40B) selon la revendication 17, comprenant en outre une enveloppe (42) recevant en son sein la puce de CI (20) et la résine (4, 4a), dans lequel l'enveloppe est fixée à au moins une partie de la deuxième surface tandis que la résine est empêchée d'exister entre l'enveloppe et la partie au moins unique de
la deuxième surface.
24. Module à semi-conducteur (1C, 1D, 40B) selon la revendication 17, dans lequel la résine (4, 4a) est empêchée d'adhérer à au moins une partie de la première surface.
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25. Module à semi-conducteur (40B) selon la revendication 17, comprenant en outre une enveloppe (42) recevant en son sein la puce de CI (20) et la résine (4, 4a), dans lequel le module d'élasticité longitudinale de l'enveloppe est inférieur au module
d'élasticité longitudinale de la résine.
26. Module à semi-conducteur (IA, lB, 40A) selon la revendication 1, dans lequel la puce de CI (2) inclut des première et deuxième surfaces opposées l'une à l'autre dans la direction de l'épaisseur de la puce de CI, la première surface inclut la zone de surface formant borne (2b), la partie de l'organe électriquement conducteur (3) s'étend le long d'une partie de la première surface, et l'épaisseur de la résine (4, 4a) sur la deuxième surface n'est pas inférieure à 10 glm et n'est pas supérieure à l'épaisseur de la
puce de CI.
27. Module à semi-conducteur (IC, ID, 40B) selon la revendication 17, dans lequel l'épaisseur de la résine (4, 4a) sur la deuxième surface n'est pas inférieure à 10
flm et n'est pas supérieure à l'épaisseur de la puce de CI (20).
28. Module à semi-conducteur (IA, lB, 40A) selon la revendication 1, dans lequel
l'épaisseur du module à semi-conducteur n'est pas supérieure à 0,5 mm.
29. Module à semi-conducteur (IC, 1D, 40) selon la revendication 17, dans lequel
l'épaisseur du module à semi-conducteur n'est pas supérieure à 0,5 mm.
30. Module à semi-conducteur (40A) selon la revendication 12, dans lequel l'enveloppe (42) inclut une couche d'adhésif (43) adhérant à la résine (4, 4a) et une
pellicule protectrice (44) que la couche d'adhésif fait adhérer à la résine.
31. Module à semi-conducteur (40A) selon la revendication 30, dans lequel la
couche d'adhésif (43) inclut un tissu non tissé (45).
32. Module à semi-conducteur (40B) selon la revendication 17, comprenant en outre une enveloppe (42) recevant en son sein la puce de CI (20) et la résine (4, 4a), dans lequel l'enveloppe inclut une couche d'adhésif (43) adhérant à la résine et une
pellicule protectrice (44) que la couche d'adhésif fait adhérer à la résine.
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33. Module à semi-conducteur (40B) selon la revendication 32, dans lequel la
couche d'adhésif (43) inclut un tissu non tissé (45).
34. Procédé de production d'un module à semi-conducteur (40A), comprenant les étapes consistant à: fixer une puce de CI (2) à un organe électriquement conducteur (3), fournir une résine (4) sur une partie de joint entre la puce de CI et l'organe électriquement conducteur, et durcir ensuite la résine, retirer une partie de l'organe électriquement conducteur de la combinaison puce de CI et organe électriquement conducteur, fixer un bobinage d'antenne (41) à une partie restante de l'organe électriquement conducteur de la combinaison puce de CI et organe électriquement conducteur, et monter la combinaison bobinage d'antenne, puce de CI et organe
électriquement conducteur dans une enveloppe (42).
35. Procédé selon la revendication 34, dans lequel l'étape de montage inclut: le fait de disposer la combinaison bobinage d'antenne (41), puce de CI (2) et organe électriquement conducteur (3) entre deux tissus non tissés (45) d'une paire, le fait de disposer la paire de tissus non tissés, entre lesquels est disposée la combinaison bobinage d'antenne, puce de CI et organe électriquement conducteur, entre deux pellicules protectrices (44) avec un adhésif (43) entre chacun des tissus non tissés et chacune des deux pellicules protectrices se faisant face, et le fait de compresser et chauffer les deux pellicules protectrices, entre lesquelles est disposée la paire de tissus non tissés, pour faire adhérer les pellicules
protectrices aux tissus non tissés grâce à l'adhésif.
36. Procédé selon la revendication 34, dans lequel l'étape de montage comprend: le fait de disposer la combinaison bobinage d'antenne (41), puce de CI (2) et organe électriquement conducteur (3) sur une pellicule protectrice (44) avec un adhésif (43) entre la combinaison bobinage d'antenne, puce de CI et organe électriquement conducteur et la pellicule protectrice, le fait de couvrir d'une autre pellicule protectrice (44) la combinaison bobinage d'antenne, puce de CI et organe électriquement conducteur disposée sur la pellicule protectrice, de façon à la disposer entre les pellicules protectrices, et
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le fait de compresser et chauffer les pellicules protectrices, entre lesquelles est disposée la combinaison bobinage d'antenne, puce de CI et organe électriquement conducteur, pour faire adhérer les pellicules protectrices l'une à l'autre et à la combinaison bobinage d'antenne, puce de CI et organe électriquement conducteur grâce à l'adhésif
37. Procédé de production d'un module à semi-conducteur (40B, 40C), comprenant les étapes consistant à: disposer une puce de CI (20), incluant un bobinage d'antenne et couverte par une résine (4, 4a), entre des tissus non tissés (45) d'une paire, et disposer la paire de tissus non tissés, entre lesquels est disposée la puce de CI, entre deux pellicules protectrices (44) avec un adhésif (43) entre chacun des tissus non tissés et chacune des deux pellicules protectrices se faisant face, et compresser et chauffer les deux pellicules protectrices entre lesquelles est disposée la paire de tissus non tissés, pour faire adhérer les pellicules protectrices aux tissus non tissés grâce à l'adhésif
38. Procédé de production d'un module à semi-conducteur (40B, 40C), comprenant les étapes consistant à: disposer une puce de CI (20), incluant un bobinage d'antenne et couverte par une résine (4, 4a), sur une pellicule protectrice (44) avec un adhésif (43) entre la puce de CI et la pellicule protectrice, couvrir la puce de CI d'une autre pellicule protectrice (44), de façon à la disposer entre les pellicules protectrices, et compresser et chauffer les pellicules protectrices entre lesquelles est disposée la puce de CI, pour faire adhérer les pellicules protectrices l'une à l'autre et à la puce de CI grâce à l'adhésif
39. Module à semi-conducteur (1A, lB, 40A) selon la revendication 1, dans lequel la puce de CI (2) inclut des première et deuxième surfaces opposées l'une à l'autre dans la direction de l'épaisseur de la puce de CI, la première surface inclut la zone de surface formant borne (2b), la partie de l'organe électriquement conducteur (3) s'étend le long d'une partie de la première surface, et la résine (4, 4a) adhère à l'ensemble d'une partie restante de la première surface différente de la partie de la première
surface le long de laquelle s'étend la partie de l'organe électriquement conducteur.
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