FR2725564A1 - Laser a diode non-refroidi, pour haute temperature - Google Patents
Laser a diode non-refroidi, pour haute temperature Download PDFInfo
- Publication number
- FR2725564A1 FR2725564A1 FR9412108A FR9412108A FR2725564A1 FR 2725564 A1 FR2725564 A1 FR 2725564A1 FR 9412108 A FR9412108 A FR 9412108A FR 9412108 A FR9412108 A FR 9412108A FR 2725564 A1 FR2725564 A1 FR 2725564A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- layer
- layers
- algainas
- diode laser
- inp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/3434—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer comprising at least both As and P as V-compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3403—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having a strained layer structure in which the strain performs a special function, e.g. general strain effects, strain versus polarisation
- H01S5/3406—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having a strained layer structure in which the strain performs a special function, e.g. general strain effects, strain versus polarisation including strain compensation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3407—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers characterised by special barrier layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34306—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000nm, e.g. InP based 1300 and 1500nm lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
La présente invention concerne un laser à diode semi-conductrice comportant une couche active (12) ayant plusieurs puits quantiques (54) chargés en compression constitués de AlGaInAs enserrés entre des couches (56) formant barrières constituées de AIGaInAS prolongeant le réseau cristallin des InP et ayant une bande interdite définie de manière précise qui dépend de la composition des puits quantiques. La couche active est entourée par des couches plaquées (48, 50, 52; 58, 60) dopées de manière opposée, de manière à former un guide d'onde optique. Le laser émet de manière très efficace une lumière ayant une longueur d'onde égale à 1,3 mum, en particulier pour des températures de fonctionnement élevées.
Description
LASER A DIODE NON-REFROIDI, POUR HAUTE TEMPERATURE
La présente invention concerne de manière géné-
rale les lasers à semi-conducteurs. En particulier, la présente invention concerne les lasers à diode du type à puits quantiques et à composés semi-conducteurs optimisés pour fonctionner à une longueur d'onde particulière, tel
que par exemple 1,3 micromètres.
Les réseaux téléphonique et informatique moder-
nes s'appuient sur les fibres en dioxyde de silicium pour
transmettre des données par l'intermédiaire de fibres op-
tiques reliant les pôles de transmission et de réception.
Les fibres en dioxyde de silicium, bien qu'ayant une lar-
geur de bande pratiquement illimitée, présentent certai-
nes limites. Bien que celles-ci aient une absorption mi-
nimale centrée sur une bande située autour de 1,5 pn, une caractéristique importante des fibres est leur dispersion en fonction de la fréquence. La constante diélectrique, et par conséquent la vitesse de propagation d'un signal le long d'une fibre, varient en fonction de la fréquence
de propagation de la lumière le long de la fibre. La dis-
persion est le taux de variation de la constante diélec-
trique en fonction de la longueur d'onde (ou de la fré-
quence). La dispersion existant à l'intérieur d'une fibre amène des signaux optiques ayant des fréquences optiques différentes à se propager à des vitesses différentes. De ce fait, des impulsions optiques brèves, qui en termes d'analyse de Fourier contiennent de nombreuses fréquences
optiques, s'étalent temporellement lorsqu'elles se propa-
gent le long d'une fibre présentant de la dispersion.
L'expansion due à la dispersion limite l'intervalle entre
les impulsions et par conséquent limite également le dé-
bit de données numériques que peut supporter une fibre
ayant une longueur donnée. Les limites dues à la disper-
sion des fibres optiques en dioxyde de silicium peuvent
être largement surmontées en transmettant les signaux op-
tiques le long d'une fibre à l'intérieur d'une bande de fréquences optiques située autour de 1,3 pm compte tenu du fait que la dispersion est nulle pour 1,31 un. Par conséquent, les réseaux existants fonctionnant par fibres qui permettent un accès téléphonique local sont optimisés pour la bande correspondant à 1,3 pn. La source lumineuse constitue probablement l'élément le plus complexe qui reste à développer pour un système de communications par fibres. Bellcore à publié dans Technical Advisory TA-TSY-000983, Numéro 1, 1990, un
article intitulé "Reliability Assurance Practices for Op-
toelectronic Devices in Loop Applications", qui définit les impératifs que doit satisfaire la diode formant laser
ou tout autre élément équivalent émettant de la lumière.
Des spécifications sévères formant buts pour l'élément
émettant de la lumière sont énumérées dans le TABLEAU 1.
Ces impératifs sont tellement stricts que seul un laser à
semi-conducteurs peut de manière réaliste les satisfaire.
De plus, du fait que la source lumineuse est destinée à être utilisée dans une boucle téléphonique locale, le
dispositif ne doit pas être refroidi, c'est-à-dire qu'au-
cun dispositif de refroidissement thermoélectrique ne doit être nécessaire, pour que son coût soit maintenu à
un niveau faible.
TABLEAU 1
Paramètr es Minimum Maximum Unités Température d'utilisation 45 85 C ITh @ 25 C 1 20 mA ITh 3,5 50 mA Pop IMod = 25 mA 4,0 mW PO @ Im 50 l w An 25 à 85 C et 25 à -45C + 1 dB Longueur d'onde Moyenne 1270 1340 nm FWHM 5 nm RMS 2,5 nm Vf @ IMd= 25 mA 1,5 V Courant de Fuite 60 mA
Sauf lorsque spécifié, ces impératifs s'appli-
quent à la plage entière des températures indiquées.
Certains de ces impératifs sont particulière-
ment difficiles à satisfaire, en particulier au niveau de
températures plus élevées. Ces impératifs difficiles com-
portent: le courant de seuil ITh au niveau duquel la
diode commence à émettre un rayonnement laser; le rende-
ment quantique différentiel i et sa variation Aq; et la
puissance optique en sortie Pop pour le courant de fonc-
tionnement IMod. La plage des températures d'utilisation
s'étend jusqu'à 85 C, de sorte que des dispositifs de re-
froidissement thermoélectriques coûteux et peu fiables ne
soient pas nécessaires.
En conséquence, un but de la présente invention consiste à fournir un laser à semi-conducteurs ayant un faible courant de seuil, une puissance élevée en sortie,
et un rendement quantique différentiel pratiquement cons-
tant, et agissant sur une large plage de températures.
Un but particulier de la présente invention
consiste à fournir un tel laser pour la bande correspon-
dant à 1,3 pm.
En résumé, la présente invention peut âtre com-
parée à une diode laser basée sur la famille de materiaux AlGaInAs/InP. La couche active comporte une ou plusieurs
couches actives formant puits quantiques charges en com-
pression constituées de GaInAs, de préférence de AlGaI-
nAs, ou InGaAsP. Les puits quantiques sont enserres entre des couches formant barrières constituées de AlGaInAs
ayant une bande interdite soigneusement choisie par rap-
port à la couche formant puits quantique.
On va maintenant décrire la présente invention avec plus de détails, à titre d'exemple uniquement, en se reportant aux dessins annexés, sur lesquels: - la figure 1 est une vue en coupe d'un laser à guide d'onde nervuré dans lequel peut être utilisée la présente invention, - la figure 2 est une vue en coupe d'un laser à hétéro-structure enterrée réalisée par procédé planar, semi-isolante, dans lequel la présente invention peut aussi être utilisée, - la figure 3 est une vue en coupe de la zone
située à proximité de la couche active d'un mode de réa-
lisation de la présente invention,
- la figure 4 est une représentation schémati-
que de la structure de bande d'énergie à l'intérieur et autour de la couche active du dispositif de la figure 3, et
- la figure 5 est une courbe exprimant la lon-
gueur d'onde de la bande interdite de AlGaInAs prolon-
geant le réseau cristallin du InP en fonction de la te-
neur en aluminium.
La présente invention constitue un élément op-
tique à composés semi-conducteurs, choisis parmi le groupe de matériaux AlGaInAs/InP pauvres en Ai. La couche
active comporte un ou plusieurs puits quantiques, de pré-
férence chargés en compression, constitués de GaInAs (ou
de préférence de AlGaInAs ou en variante de InGaAsP), en-
serrés entre des barrières constituées de AlGaInAs pro-
longeant le réseau cristallin du InP ou chargés en trac-
tion afin d'équilibrer les couches actives chargées en compression. La bande interdite et, par conséquent, la composition des barrières en AlGaInAs est soigneusement choisie afin d'optimiser la performance optique de la
couche optique.
Les lasers du type AlGaInAs/InP n'ont pas été
étudiés aussi largement que les lasers du type GaI-
nAsP/InP, du fait de l'opinion habituelle que l'oxydation
du A1 entraîne à long terme une dégradation, tel qu'ob-
servé pour les lasers du type GaAs/AlGaAs ou In- GaAs/AlGaAs formés sur des substrats en GaAs. Cependant, les lasers du type AlGaInAs/InP présentent des avantages inhérents par rapport aux lasers du type GaInAsP/InP, du
fait du décalage important de la bande de conduction cor-
respondant à 0,7 AEg contre 0,4 AEg, à travers l'hétéro-
jonction du laser. Ce décalage important permet a tempé-
rature élevée un confinement des électrons dans les puits quantiques constitués de InGaAs ou même de AlGaInAs à
faible teneur en aluminium.
Le mode préféré de réalisation utilise et par conséquent incorpore certains des travaux appartenant au groupe expérimental constitué des présents inventeurs et à d'autres collaborateurs travaillant dans le domaine des lasers à puits quantiques, chargés, basés sur la famille de matériaux AlGaInAs/InP. Ce travail a été décrit par Bhat et al. dans "Low Threshold 1,3 and 1,55 mun Strained
Quantum Well Lasers", "Extended Abstracts of the 1992 In-
ternational Conference on Solid State Devices and Mate-
rials, Tsukuba", pages 604 à 606 et par Zah et al. dans
"Low threshold 1,3 mun strained-layer AlxGayInl_x_yAs quan-
tum well laser", Electronics Letters, 1992, pages 2323 à
2325. Des parties additionnelles relatives à la technolo-
gie antérieure ont été décrites par: (1) Kasukawa et al.
dans "1,5 pun GaInAs/AlGaInAs graded-index separate-
confinement-heterostructure quantum well laser diodes
grown by organometallic chemical vapor deposition", Japa-
nese Journal of Applied Physics, vol. 31, 1992, pages 1365 à 1371; (2) Thijs et al. dans "High output power (380 mWi, low threshold current (1, 3 mA), low linewidth enhancement factor (< 2) x = 1,3 pm strained quantum well lasers". ECOC, 1991; (3) Kasukawa et al. dans "Very low
threshold current density 1,5 pm GaInAs/AlGaInAs graded-
index separate-confinement-heterostructure strained quan-
tum well laser diode grown by organometallic chemical va-
por deposition" Applied Physics Letters, Vol. 59, 1991, pages 2486 à 2488; et (4) Bhat et al. dans "OMCVD growth of strained AlxGayInl-x-y for low threshold 1,3 pim et 1,55 pumn quantum well lasers", 4th International Conference on
Indium Phosphide and Related Materials: Conference Pro-
ceedings, 21 au 24 Avril, 1992, pages 453 à 456.
Il est possible d'utiliser au moins deux struc-
tures laser différentes avec le mode de réalisation dé-
taillé de la présente invention, telle que décrite ci-
dessous. Les caractéristiques générales des deux structu-
res et le mode de fabrication de celles-ci sont décrits dans les deux premiers documents des présents inventeurs
cités en référence.
Une première structure, représentée en coupe
sur la figure 1, constitue un laser à guide d'onde nervu-
ré. Sur un substrat 10 du type n constitué de InP est formée une couche active 12 constituée de AlGaInAs dont
les détails sont importants dans la présente invention.
Une couche 14 du type p constituée de InP est déposée sur la couche active 12. Le substrat 10 du type n agit en tant que plaquage inférieur et la couche 14 du type p agit en tant que plaquage supérieur, de telle sorte qu'en étant associés ceux-ci guident la lumière à l'intérieur de la couche active 12 et sur les bords de celle-ci. Une ++
couche de contact 16 fortement dopée, du type p ++, cons-
tituée de InGaAs, est déposée sur la couche plaquée supé-
rieure 14. Ensuite, on forme par procédé lithographique à travers la couche de contact 16 et la plus grande partie
de la couche plaquée supérieure 14 deux tranchées 18 com-
portant entre elles une nervure 20, en laissant subsister un contact isolé 19 de la couche de contact 16 au niveau de la partie supérieure de la nervure 20. Après que la partie supérieure de la nervure 20 ait été masquée, une couche d'oxyde isolant 22 constituée de SiO2 est déposée audessus des autres zones. Enfin, une couche métallisée 24 constituée de Ti/Au est déposée, laquelle établit un contact électrique efficace uniquement avec le contact 19
situé au niveau de la partie supérieure de la nervure 20.
Une source de polarisation 26 reliée au substrat 10 à travers la couche métallisée 24 constituée de Ti/Au et à
travers une couche métallisée 28 fait circuler verticale-
ment un courant par l'intermédiaire de la nervure 20 dans le substrat 10 à travers la diode p-n formée entre les
couches plaquées supérieure et inférieure 14 et 10 enser-
rant la couche active 12. La polarité indiquée polarise en outre la structure p-i-n. Par conséquent, la couche
active 12 produit de la lumière qui est guidée horizonta-
lement entre les couches plaquées supérieure et infé-
rieure 14 et 10. La lumière est réfléchie et par consé-
quent est renvoyée par des réflecteurs partiels situés sur les extrémités axiales de la nervure 20 et est émise
à partir de l'un de ceux-ci. La structure émet un rayon-
nement laser au-dessus du courant de seuil ITh.
Une seconde structure, représentée en coupe sur la figure 2, constitue un laser à semi-conducteurs du type à hétéro-structure enterrée. La couche active 12 constituée de AlGaInAs est formée sur le substrat 10 du type n constitué de InP. La nervure 20 est masquée, et le
matériau situé autour est attaqué chimiquement bien pro-
fondément à l'intérieur du substrat 10 en InP. Une couche semi- isolante 30 constituée de InP est alors à nouveau formée autour de la nervure 20 pratiquement jusqu'a sa partie supérieure. Une couche plaquée supérieure 14 du type p est formée sur la partie supérieure de la couche active 12 et de la couche semi-isolante 30. Une couche du type n non- représentée sépare la couche semi-isolante 30 de la couche plaquée supérieure 14 du type p. Une couche
de contact 22 du type p et une couche métallisée asso-
ciée sont déposées sur la couche plaquée supérieure 14.
La couche semi-isolante 30 confine le courant de polari-
sation, à travers la couche active 12, dans la nervure 20. Ces deux structures sont bien connues, mis à part ce qui concerne les détails relatifs à la couche active 12
et à la structure de transition associée.
Un mode de réalisation utilisable de la pré-
sente invention est représenté sur la vue en coupe de la
figure 3. Celui-ci comporte une couche active 12 compor-
tant des puits quantiques soigneusement définis consti-
tués de AlGaInAs chargés biaxialement en compression, sé-
parés par des barrières également soigneusement définies
constituées de AlGaInAs non-chargées ou chargées en trac-
tion. La structure est formée de manière épitaxlale par
dépôt chimique en phase vapeur d'un composé organométal-
lique (OMCVD) sur un substrat fortement dopé 40 du type
n constitué de InP en suivant les étapes générales lndi-
quées dans les articles cités ci-dessus publiés par le
groupe expérimental constitué des présents inventeurs.
Une couche plaquée inférieure 42 constituée de
InP, dopée à l'aide d'impuretés du type n selon une con-
centration de 1 x 1018 cm -3, est formée sur une epaisseur de 1 pn au-dessus du substrat 40. Du sulfure d'hydrogène
est utilisé pour tous les dopages du type n et du dimé-
thyle de zinc est utilisé pour tous les dopages du type p
dans les couches formees. Les couches définies pour res-
ter non-dopées peuvent contenir des traces de dopants électriquement actifs, compte tenu de la diffusion des Zn. Une zone de transition inférieure 44 est constituée de quatre parties et améliore les structures de base des
figures 1 et 2. Une couche initiale 46 présentant un gra-
dient de composition, dopée à l'aide d'impuretes du type
n selon une concentration de 1 x 1018 cm-3, augmente gra-
duellement en In0,48A10,52As sur une épaisseur de 10 nm à partir de 1,0A1-Q (cette notation sera expliquée par la suite). Cette composition constituée de InAlAs prolonge la structure du réseau cristallin du InP. Deux couches 48 et 50 comportant du In0,48A10,52As du type n sont ensuite formées. La couche inférieure 48 a une épaisseur de 40 nm
et est dopée à l'aide d'impuretés du type n à une concen-
tration de i x 1018 cm-3 tandis que la couche supérieure a une épaisseur de 50 nm et est dopée légèrement plus 17 -3 faiblement à raison de 7 x 1017 cm. Les deux couches 48 et 50 constituées de InAlAs agissent pour confiner les
électrons à l'intérieur de la couche active 12.
La structure des bandes électroniques de la ma-
jeure partie de cette structure est représentée sur la figure 4. La couche 46 dont la composition varie selon un gradient entre InP et AlInAs et la couche inférieure 48 constituée de AlInAs, plus fortement dopée, aident les électrons situés à proximité de la bande de conduction à surmonter la barrière de 0,31 eV existant entre InP et
AlInAs.
Une couche non-dopée 52 de transition entre la zone de confinement et la zone formant barrière, déposée au-dessus de la couche supérieure 50 constituée de AlInAs présente une composition variant linéairement entre la composition des couches 48 et 50 correspondant à In0, 48A10,52As et la composition des barrières formant puits quantiques décrite en détail ci-après. La couche 52 de transition entre la zone de confinement et la zone
formant barrière a une épaisseur de 100 nm.
La couche active 12 est constituée de cinq puits quantiques 54 enserrant quatre couches 56 formant
barrières. Les couches de transition avoisinantes agis-
sent en tant que barrières sur l'extérieur de la couche
active 12 ainsi définie.
Les cinq puits quantiques 54 ne sont pas dopés et ont une composition correspondant à A10,18Ga0,22In0,70As et une épaisseur de 8,8 nm. Les puits quantiques sont si minces que des états d'énergie liés se forment pour les électrons et les trous à l'intérieur des puits, entraî- nant une densité d'états bi-dimensionnelle. On a mesuré par photoluminescence que les puits ayant cette épaisseur
et cette composition engendrent une bande interdite cor-
respondant à 1,29 pm. La composition mentionnée signifie également que les puits quantiques 54 sont chargés en compression du fait que le reste de la structure est constitué de InP ou d'un matériau prolongeant le réseau cristallin de ce dernier. Les puits quantiques 54 sont
insuffisamment épais pour que les contraintes ne produi-
sent des dislocations ou autres défauts de décharge dus aux contraintes. C'est-à-dire que les puits quantiques 54 ont une épaisseur pseudomorphique. La valeur des charges de compression (ou de traction) peut être calculée en
comparant une combinaison linéaire des constantes de ré-
seaux des AlAs, GaAs, et InAs, fonction de la composi-
tion, à celle de InP.
Les quatre barrières 56 ont une composition qui est indiquée par 1,0-AlQ. Les barrières sont non-dopées
et chacune a une épaisseur de 10 nm. La notation A1-Q in-
dique une composition quaternaire du type AlxGayInlxyAs qui prolonge le réseau cristallin de InP. La désignation
numérique fait référence à la bande interdite électroni-
que en termes de longueur d'onde de bande interdite du matériau, que l'on exprime en micromètres. La condition d'adéquation entre les réseaux est exprimée sous la forme y = 0,468 - 0,983x, et l'énergie de la bande interdite est exprimée en eV par Eg = 0,36 + 2,093x + 0,629y + 0,577x2 + 0,456y2, qui est liée à la longueur d'onde de la bande interdite
par k(pnm) = 1,24/Eg(eV). Si la bande interdite est con-
nue, alors en combinant les deux équations mentionnées
ci-dessus on obtient une équation quadratique en x ou y.
La relation complète est représentée sur la courbe de la figure 5. Par conséquent, 1,0-A1-Q a une composition telle que x = 0,318 et y = 0, 154. Ces valeurs sont basées
sur la dépendance vis-à-vis de l'énergie mentionnée ci-
dessus, dont l'exactitude n'est pas connue. En pratique, la longueur d'onde de la bande interdite est mesurée de
manière expérimentale par photoluminescence.
Au-dessus de la couche active 12 est formée une couche non-dopee 58 de transition entre la zone formant barrière et la zone de confinement, qui est symétrique par rapport à la couche inférieure 52 de transition entre
la zone de confinement et la zone formant barrière et au-
dessus de laquelle est formée une couche de confinement supérieure 60 non-dopée constituée de In0,48A10,52As ayant
une épaisseur de 50 nm. Une paire de couches plaquées su-
périeures 62 et 64 du type p est ensuite formée. La cou-
che 62 inférieure a une épaisseur de 0,2 pm et est dopée à raison de 7 x 101 cm-3 alors que la couche supérieure a une épaisseur de 1,8 pumn et est dopée à raison de 1 x 1018 -3 cm 3. Cette différence de dopage minimise les pertes par absorption et réduit la résistance série sans entraîner de déplacement de la jonction p/n vers la couche active
du fait de la diffusion des Zn.
Au-dessus de la couche plaquée 64 sont formées une couche 1,3-P-Q 66 dopée à l'aide d'impuretés du type
p à raison de 1 x 1018 cm-3 et une couche 1,55-P-Q 68 do-
pée à l'aide d'impuretés du type p à raison de 1 x 1018 cm-3. La désignation P-Q fait référence à la composition
quaternaire GaxInjxAsyPly dont le réseau cristallin pro-
longe celui des InP. A nouveau, la désignation numérique est la longueur d'onde de la bande interdite. Les couches P-Q servent en tant que couches en escalier entre les couches p-InP et p+±InGaAs afin de réduire la résistance
série en réduisant l'effet de décalage de la bande de va-
lence. La croissance verticale de la structure est arrê-
tée par une couche de contact 70 constituée de In0,47Ga0, 53As dopée à l'aide d'impuretés du type p++ à raison de plus de 2 x 1019 cm-3 et ayant une épaisseur de 0,3 pm. Des couches métallisées sont appliquées à la fois ++
sur le substrat 40 du type n++ et sur la couche de con-
++ tact 70 du type p, de manière à former une jonction p-n
à travers la couche active 12.
Une telle structure est formée, et la structure
est latéralement définie pour former un guide d'onde ner-
vuré du type représenté sur la figure 1, de manière à confiner latéralement les porteurs et les photons. De telles puces latéralement définies ont été fractionnées de manière à fabriquer des lasers à diode ayant plusieurs longueurs de cavité. Les lasers à diode ont alors été électriquement et optiquement caractérisés. Ces résultats
sont résumés dans le TABLEAU 2 pour des longueurs de ca-
vité différentes du mode préféré de réalisation, les fa-
cettes d'extrémité ne comportant aucun revêtement. De préférence, une première facette d'extrémité peut être rendue très réfléchissante, et l'autre peut être rendue
réfléchissante de manière optimale pour une émission op-
tique.
TABLEAU 2
Longueur de cavité 300 600 900 1200 1500 (Pm) ITh(mA) @ 25"C 13,2 18,9 23,5 29,6 35,4 ITh(mA) @ 65"C 23,1 29,9 37,9 46,6 55,5 ITh(mLA) @ 85"C 32,2 38, 9 49,1 60,2 70,5 Pop (mW) 6,01 5,42 4,6 4, 37 3,95 | ITh + 25mA, 25 C Pop (mW) 5,06 4,56 3,87 3,58 3,12 ITh + 25mA, 650C Pop (mW) 3,99 3, 86 3,34 3,12 2,75 @ ITh + 25mA, 85 C Pente (mW/mA) 0,24 0,22 0,18 0,17 0,16 q externe 0,46 0,41 0,35 0,33 0,30 Aq, 25 à 650C (dB) -0,73 -0,67 -0,45 -0,79 -1,17 AI, 25 à 850C (dB) -1,56 -1,25 -1,03 -1,30 -1,46 Longueur d'onde (nm) 1347 1363 1367
@ 25 C
FWHM 1,00 _ 0,70 _ 0,30
Comme évident d'après le TABLEAU 2, l'invention
satisfait pratiquement aux exigences du TABLEAU 1. En dé-
pit de la fraction molaire élevée de l'aluminium présent dans les zones formant guide d'onde et dans les zones ac-
tives, les essais de durabilité initiaux n'indiquent au-
cune détérioration catastrophique des facettes nl dégra-
dation à court terme. Ces essais de durabilité contredi-
sent l'opinion habituelle, mentionnée ci-dessus, affir-
mant que l'oxydation de l'aluminium provoque une dégrada-
tion à long terme.
Trois échantillons servant d'exemples compara-
tifs, analogues au mode de réalisation précédent, ont été formés. Cependant, ceux-ci étaient différents en ce sens qu'on a modifié la composition des barrières formant
puits quantiques à partir de 1,0-A1-Q en 0,95-Al-Q, 1,1-
A1-Q ou 1,2-A1-Q. Dans les cas correspondant a 0,95-Al-Q
et 1,2-A1-Q, les lasers résultants présentaient distinc-
* tement des caractéristiques inférieures. En particulier, à 85 C et pour la longueur de cavité la plus petite, ceux-ci présentaient un courant de seuil deux fois plus élevé et une sortie optique deux fois plus faible que pour un courant normal d'utilisation. Les lasers ayant une composition de barrière correspondant à 1,1-Al-Q sont
considérés comme étant marginaux mais adéquats.
La présente invention n'est pas limitée à la structure spécifique ni aux compositions données dans le
premier mode de réalisation détaillé.
Les épaisseurs des barrières peuvent s'étendre de préférence sur une plage s'étendant de 10 à 20 nm et les épaisseurs des couches de confinement peuvent varier entre 50 et 200 nm chacune. La couche plaquée constituée
de InP du type n peut, si utilisée, être comprise de ma-
nière analogue entre 0,5 et 5 pn, et la couche plaquée du
type p peut être comprise entre 1 et 5 pumn.
La valeur précise de la charge de compression n'est pas critique. La teneur en aluminium des puits
quantiques peut varier et peut être zéro.
L'exemple détaillé utilisait un laser du type 1,3 pumn, mais la présente invention peut être utilisée au niveau d'autres longueurs d'ondes d'émission grâce au type d'optimisation de la composition décrit en détails
ci-avant pour 1,3 pm.
L'application la plus importante, mais néan-
moins pas la seule, de la présente invention est son uti-
lisation en tant que laser ou autre dispositif émettant en continu de la lumière. De manière correspondante, il est possible d'utiliser la présente invention en tant qu'amplificateur à semi-conducteurs ayant une efficacité
et un gain élevés. Bien entendu, un laser est un amplifi-
cateur ayant une contre-réaction optique importante.
Les couches formant barrières, plutôt que
d'être non-chargées par rapport à InP, peuvent être char-
gées en traction pour ainsi décharger partiellement ou complètement la charge de compression des couches formant
puits quantiques. Par conséquent, il est possible d'agen-
cer un grand nombre de couches formant puits quantiques
chargées en compression sans excéder l'épaisseur pseudo-
morphique totale.
Dans un autre mode de réalisation de la pré-
sente invention, les puits quantiques sont composés de
couches constituées de InGaAsP chargées en compression.
La combinaison des puits quantiques constitués de InGaAsP et des barrières constituées de AlGaInAs peut être opti-
misée pour fournir des lasers à diode supérieurs en ter-
mes de décalage de bande interdite entre ces deux maté-
riaux. La présente invention fournit par conséquent un
laser hautement efficace pouvant être utilisé à des tem-
pératures plus élevées, et son utilité a été démontrée
pour la bande d'émission correspondant à 1,3 pm.
Claims (4)
1. Laser à diode comportant des couches pla-
quées supérieure et inférieure (14, 10; 62, 64, 42) com-
portant des compositions de semi-conducteurs ayant des types de conductivité opposés choisis parmi les éléments
des groupes III et V, une couche active (12) disposée en-
tre lesdites couches plaquées supérieure et inférieure et comportant au moins un puits quantique (54) chargé en compression comportant un composé GaInAs, et des couches formant barrières (56) comportant du AlGaInAs enserrant lesdits puits quantiques, caractérisé en ce que chacune desdites couches formant barrières (56) a une longueur
d'onde de bande interdite comprise entre 0,95 et 1,2 pm.
2. Laser à diode selon la revendication 1, ca-
ractérisé en ce que chacune desdites couches formant bar-
rières (56) comporte du AlGaInAs chargé en traction équi-
librant les contraintes de compression existant dans la-
dite couche formant puits quantique (54).
3. Laser à diode selon la revendication 1, ca-
ractérisé en ce que ledit composé GaInAs est du InGaAsP.
4. Laser à diode selon la revendication 1, ca-
ractérisé en ce que ledit composé GaInAs est du AlGaInAs.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/039,771 US5381434A (en) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | High-temperature, uncooled diode laser |
| DE4434345A DE4434345A1 (de) | 1993-03-30 | 1994-09-26 | Ungekühlte Hochtemperatur-Laserdiode |
| FR9412108A FR2725564A1 (fr) | 1993-03-30 | 1994-10-11 | Laser a diode non-refroidi, pour haute temperature |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/039,771 US5381434A (en) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | High-temperature, uncooled diode laser |
| DE4434345A DE4434345A1 (de) | 1993-03-30 | 1994-09-26 | Ungekühlte Hochtemperatur-Laserdiode |
| FR9412108A FR2725564A1 (fr) | 1993-03-30 | 1994-10-11 | Laser a diode non-refroidi, pour haute temperature |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2725564A1 true FR2725564A1 (fr) | 1996-04-12 |
Family
ID=27206812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9412108A Pending FR2725564A1 (fr) | 1993-03-30 | 1994-10-11 | Laser a diode non-refroidi, pour haute temperature |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5381434A (fr) |
| DE (1) | DE4434345A1 (fr) |
| FR (1) | FR2725564A1 (fr) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3024354B2 (ja) * | 1992-01-27 | 2000-03-21 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ |
| US5506856A (en) * | 1993-04-15 | 1996-04-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device having a resonator of particular length for reduced threshold current density |
| US5600667A (en) * | 1993-04-05 | 1997-02-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| KR100303279B1 (ko) * | 1994-08-27 | 2001-12-01 | 윤종용 | 반도체레이저다이오드와그제조방법 |
| JPH08172241A (ja) * | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ＡｌＧａＩｎＡｓ系多重量子井戸を有する半導体発光素子 |
| US5541949A (en) * | 1995-01-30 | 1996-07-30 | Bell Communications Research, Inc. | Strained algainas quantum-well diode lasers |
| US5760939A (en) * | 1995-10-23 | 1998-06-02 | Sdl, Inc. | Optical transmission link capable of high temperature operation without cooling with an optical receiver module having temperature independent sensitivity performance and optical transmitter module with laser diode source |
| US5793787A (en) * | 1996-01-16 | 1998-08-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Type II quantum well laser with enhanced optical matrix |
| SE506651C2 (sv) * | 1996-02-27 | 1998-01-26 | Ericsson Telefon Ab L M | Begravd heterostruktur |
| US5719894A (en) * | 1996-09-25 | 1998-02-17 | Picolight Incorporated | Extended wavelength strained layer lasers having nitrogen disposed therein |
| US5825796A (en) * | 1996-09-25 | 1998-10-20 | Picolight Incorporated | Extended wavelength strained layer lasers having strain compensated layers |
| US5719895A (en) * | 1996-09-25 | 1998-02-17 | Picolight Incorporated | Extended wavelength strained layer lasers having short period superlattices |
| US6091752A (en) * | 1996-10-25 | 2000-07-18 | Opto Power Corporation | Quantum well laser with a composition-graded interface at the quantum well |
| JPH10256659A (ja) * | 1997-03-07 | 1998-09-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子の高出力化方法、多重量子井戸構造および半導体発光素子 |
| EP1053574A4 (fr) * | 1997-12-29 | 2002-11-06 | Coretek Inc | Filtre fabry-perot et laser a emission par la surface et a cavite verticale, confocale, accordable par microelectromecanique |
| US6813291B2 (en) | 1998-06-26 | 2004-11-02 | Coretek Inc | Tunable fabry-perot filter and tunable vertical cavity surface emitting laser |
| US6584126B2 (en) | 1998-06-26 | 2003-06-24 | Coretek, Inc. | Tunable Fabry-Perot filter and tunable vertical cavity surface emitting laser |
| US6603784B1 (en) | 1998-12-21 | 2003-08-05 | Honeywell International Inc. | Mechanical stabilization of lattice mismatched quantum wells |
| CA2351014A1 (fr) * | 2000-06-20 | 2001-12-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Dispositif laser a semiconducteurs |
| DE10057698A1 (de) * | 2000-11-21 | 2002-06-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Übereinander gestapelte Halbleiter-Diodenlaser |
| US6826916B2 (en) * | 2001-04-24 | 2004-12-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Laser module, Peltier module, and Peltier module integrated heat spreader |
| JP2003273464A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | リッジ導波路型半導体レーザ装置 |
| WO2004019391A2 (fr) * | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Amberwave Systems Corporation | Heterostructures semi-conductrices possedant des empilements de dislocations reduits et procedes associes |
| JP2004335530A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | リッジ導波路型半導体レーザ |
| JP3816088B2 (ja) * | 2003-07-04 | 2006-08-30 | 松下電器産業株式会社 | データ一致検出装置、データ一致検出方法、データ選別装置 |
| US20050189552A1 (en) * | 2003-12-26 | 2005-09-01 | Nobuyuki Ikoma | Semiconductor light-emitting device |
| US20060243992A1 (en) * | 2003-12-26 | 2006-11-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
| US7057803B2 (en) * | 2004-06-30 | 2006-06-06 | Finisar Corporation | Linear optical amplifier using coupled waveguide induced feedback |
| US7649916B2 (en) * | 2004-06-30 | 2010-01-19 | Finisar Corporation | Semiconductor laser with side mode suppression |
| US20060045157A1 (en) * | 2004-08-26 | 2006-03-02 | Finisar Corporation | Semiconductor laser with expanded mode |
| JP2008515201A (ja) * | 2004-09-23 | 2008-05-08 | セミネックス・コーポレーション | 高エネルギー赤外半導体ダイオード発光デバイス |
| CN101432936B (zh) * | 2004-10-01 | 2011-02-02 | 菲尼萨公司 | 具有多顶侧接触的垂直腔面发射激光器 |
| US7860137B2 (en) * | 2004-10-01 | 2010-12-28 | Finisar Corporation | Vertical cavity surface emitting laser with undoped top mirror |
| JP4839601B2 (ja) * | 2004-11-18 | 2011-12-21 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ化合物半導体光素子 |
| US7800117B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-09-21 | Group Iv Semiconductor, Inc. | Pixel structure for a solid state light emitting device |
| US8089080B2 (en) * | 2005-12-28 | 2012-01-03 | Group Iv Semiconductor, Inc. | Engineered structure for high brightness solid-state light emitters |
| WO2011106860A1 (fr) | 2010-03-01 | 2011-09-09 | Group Iv Semiconductor, Inc. | Dépôt de diélectriques en film mince et structures nanocouches électroluminescentes |
| US20140198817A1 (en) * | 2013-01-14 | 2014-07-17 | Finisar Corporation | Lasers With InGaAsP Quantum Wells And GaAsP Barrier Layers |
| CN110768098B (zh) * | 2018-07-27 | 2021-08-27 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种偏脊结构带有焊线图形的半导体激光器的制备方法 |
| GB2594418B (en) * | 2018-12-24 | 2023-04-19 | Rockley Photonics Ltd | Optoelectronic device and method |
| US11152767B1 (en) * | 2020-06-02 | 2021-10-19 | Seminex Corporation | AlInGaAs/InGaAsP/InP edge emitting semiconductor laser including multiple monolithic laser diodes |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60202980A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 量子井戸型半導体レ−ザ |
| EP0543587A1 (fr) * | 1991-11-18 | 1993-05-26 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Laser à semi-conducteur à puits quantiques en contraintes |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5040186A (en) * | 1990-03-13 | 1991-08-13 | At&T Bell Laboratories | InP-based quantum-well laser |
| US5251225A (en) * | 1992-05-08 | 1993-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Quantum-well diode laser |
-
1993
- 1993-03-30 US US08/039,771 patent/US5381434A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-09-26 DE DE4434345A patent/DE4434345A1/de not_active Ceased
- 1994-10-11 FR FR9412108A patent/FR2725564A1/fr active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60202980A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 量子井戸型半導体レ−ザ |
| EP0543587A1 (fr) * | 1991-11-18 | 1993-05-26 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Laser à semi-conducteur à puits quantiques en contraintes |
Non-Patent Citations (6)
| Title |
|---|
| A. PONCHET ET AL.: "Lateral modulations in zero-net-strained GaInAsP multilayers grown by gas source molecular-beam epitaxy", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 74, no. 6, 15 September 1993 (1993-09-15), NEW YORK US, pages 3778 - 3782, XP000396481 * |
| A.T.R. BRIGGS ET AL.: "Gain and Threshold Characteristics of Strain-Compensated Multiple-Quantum-Well Lasers", IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, vol. 4, no. 5, May 1992 (1992-05-01), NEW YORK US, pages 423 - 425, XP000272631 * |
| C.E. ZAH ET AL.: "Low Threshold 1.3 micrometer Strained-Layer AlxGayIn1-x-yAs Quantum Well LASERs", ELECTRONICS LETTERS, vol. 28, no. 25, 3 December 1992 (1992-12-03), STEVENAGE GB, pages 2323 - 2325, XP000332630 * |
| C.P. SELTZER ET AL.: "ZERO-NET-STRAIN MULTIQUANTUM WELL LASERS", ELECTRONICS LETTERS, vol. 27, no. 14, 4 July 1991 (1991-07-04), STEVENAGE GB, pages 1268 - 1270, XP000240657 * |
| P.J.A. THIJS ET AL.: "High-Performance Lambda = 1.3 micrometer InGaAsP-InP Strained-Layer Quantum Well Lasers", JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, vol. 12, no. 1, January 1994 (1994-01-01), NEW YORK US, pages 28 - 37, XP000460000 * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 10, no. 50 (E - 384)<2107> 27 February 1986 (1986-02-27) * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5381434A (en) | 1995-01-10 |
| DE4434345A1 (de) | 1996-03-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2725564A1 (fr) | Laser a diode non-refroidi, pour haute temperature | |
| Bowers et al. | High-speed InGaAsP constricted-mesa lasers | |
| US6674778B1 (en) | Electrically pumped edge-emitting photonic bandgap semiconductor laser | |
| EP0545808B1 (fr) | Dispositif optoélectronique à très faible résistance série | |
| Haglund et al. | Silicon-integrated hybrid-cavity 850-nm VCSELs by adhesive bonding: Impact of bonding interface thickness on laser performance | |
| FR2585522A1 (fr) | Laser semi-conducteur | |
| FR2521737A1 (fr) | Dispositif optique bistable | |
| US5497389A (en) | Semiconductor laser device having an active layer and a resonator having a single reflector or pair of reflectors | |
| FR2756938A1 (fr) | Dispositif, notamment a semiconducteur, pour le traitement de deux ondes, notamment lumineuses | |
| Lauer et al. | InP‐based long‐wavelength vertical‐cavity surface‐emitting lasers with buried tunnel junction | |
| Paranthoen et al. | Low Threshold 1550-nm Emitting QD Optically Pumped VCSEL | |
| EP0252565B1 (fr) | Dispositif semiconducteur intégré du type dispositif de couplage entre un photodéecteur et un guide d'ond lumineuse | |
| EP0420742B1 (fr) | Photorécepteur pour signaux optiques modulés en fréquence | |
| FR2616272A1 (fr) | Dispositif en materiaux semiconducteurs realise sur un substrat de parametre de maille different, application a un laser et procede de realisation | |
| Gourley et al. | Epitaxial semiconductor optical interference devices | |
| JP2002076513A (ja) | 温度無依存分布ブラッグ反射型ミラー及び面型光学素子 | |
| EP0812042B1 (fr) | Dispositif optique à guide de lumière semiconducteur, à faisceau émergent de faible divergence, application aux lasers de Fabry-Pérot et à contre-réaction distribuée | |
| US4571576A (en) | High speed analog-to-digital converter | |
| EP0480780A1 (fr) | Dispositif optoélectronique et application à la réalisation d'un laser et d'un photodétecteur | |
| Kressel et al. | Light sources | |
| Jeong et al. | Large area InGaAs/GaAs resonant cavity enhanced photodetector for sensor application | |
| Wu et al. | Inline quantum-well waveguide photodetectors for the measurement of wavelength shifts | |
| Murtaza et al. | Resonant-cavity avalanche photodiodes and narrow spectral response photodiodes | |
| WO2022184886A1 (fr) | Dispositif opto-électronique à semi-conducteurs | |
| Sipilae et al. | Resonant-cavity LEDs at 655-and 880-nm wavelengths |