FR2650692A1 - Magneto-optical recording medium permitting overwriting - Google Patents

Abstract

The invention relates to a magneto-optical recording medium. It concerns a recording medium comprising a substrate and a magnetic film 1 which includes a first and a second layer which are stacked on the substrate and each have a perpendicular magnetic anisotropy. When a non-magnetic element is doped into that of the two layers having the smaller product of its saturation magnetic moment and coercive field, the exchange coupling force between the two layers is adjusted to a predetermined value, allowing overwriting. Application to magneto-optical type memory discs.

Description

La présente invention concerne un support d'enregistrement magnéto-optique permettant une superposition d'écriture, à l'aide d'une force réglée de couplage d'échange entre des couches magnétiques. The present invention relates to a magneto-optical recording medium for writing superposition using a set exchange coupling force between magnetic layers.

Récemment, on a consacré beaucoup d'efforts pour la mise au point d'un procédé d'enregistrement-reproduction optique, d'un appareil d'enregistrement optique et d'un support utilisé pendant leur mise en oeuvre, remplissant diverses conditions telles qu'une densité élevée, une grande capacité, une grande vitesse d'accès et une vitesse élevée d ' enregistrement-reproduction.  Recently, a great deal of effort has been devoted to the development of an optical recording-reproducing method, an optical recording apparatus and a medium used during their implementation, fulfilling various conditions such as high density, large capacity, high access speed and high recording-reproduction speed.

Parmi les divers procédés d'enregistrement-reproduction optique, le procédé magnéto-optique est le plus intéressant étant donné ses avantages uniques puisque des informations peuvent être effacées après utilisation et de nouvelles informations peuvent entre écrites par-dessus. Of the various optical recording-reproducing methods, the magneto-optical method is the most interesting because of its unique advantages since information can be erased after use and new information can be written on top of it.

Un support d'enregistrement utilisé dans un procédé d'enregistrement-reproduction magnéto-optique a une ou plusieurs couches magnétiques perpendiculaires comme couche d'enregistrement. La couche magnétique contient par exemple
GdFe, GdCo, GdFeCo, TbFe, TbCo, TbFeCo ou analogue, à l'état amorphe. Des pistes concentriques ou spiralées sont formées sur la couche d'enregistrement, et les données sont enregistrées sur les pistes. Il faut noter que, dans le présent mémoire, les directions d'aimantation "vers le haut" et "vers le bas" par rapport à la surface d'un film sont définies comme étant l'une la "direction A" et l'autre la "direction non A".Les données à enregistrer sont mises préalablement à l'état binaire et sont enregistrees par un bit (B1) ayant une aimantation de "direction A 11 et un bit "Bo) ayant une aimantation de "direction non A". Ces -bits
B1 et Bo correspondent aux niveaux "1" et "O" d'un signal numérique respectivement. Cependant, en général, la direction d'aimantation des pistes d'enregistrement peut être alignée dans la "direction non A" par application d'un intense champ de polarisation avant enregistrement. Ce traitement est appelé initialisation, Ensuite, le bit (B1) ayant une aimantation de "direction A" est formé sur les pistes. Les données sont enregistrées en fonction de la présence ou de l'absence et/ou de la longueur du bit (B1).A recording medium used in a magneto-optical recording-reproducing method has one or more perpendicular magnetic layers as a recording layer. The magnetic layer contains, for example
GdFe, GdCo, GdFeCo, TbFe, TbCo, TbFeCo or the like, in the amorphous state. Concentric or spiral tracks are formed on the recording layer, and the data is recorded on the tracks. It should be noted that in this specification, the magnetization directions "upward" and "downward" with respect to the surface of a film are defined as being "direction A" and other than the "non-A direction". The data to be recorded are previously set to the binary state and are recorded by a bit (B1) having a magnetization of "direction A 11 and a bit" B0) having a magnetization of "non direction". AT". These -bits
B1 and Bo correspond to the "1" and "O" levels of a digital signal respectively. However, in general, the magnetization direction of the recording tracks can be aligned in the "non-A direction" by applying an intense bias field before recording. This process is called initialization. Next, the bit (B1) having a "direction A" magnetization is formed on the tracks. The data is recorded according to the presence or absence and / or length of the bit (B1).

Principe de la formation d'un bit
Lors de la formation d'un bit, une propriété caractéristique d'un laser, c'est-a-dire son excellente cohérence dans l'espace et le temps, est utilisée pour la focalisation d'un faisceau sur un point aussi petit que la limite de diffraction déterminée par la longueur d'onde de la lumière du laser. La lumière focalisée est dirigée sur la surface de la piste afin qu'elle écrive des données par production de bits de diamètre inférieur à 1 Xum sur la couche d'enregistrement. Dans l'enregistrement optique, une densité d'enregistrement pouvant atteindre 108 bit/cm2 peut être obtenue théoriquement, car un faisceau laser peut être concentré sur un point ayant une dimension aussi faible que sa longueur d'onde.Principle of the formation of a bit
When forming a bit, a characteristic property of a laser, that is, its excellent coherence in space and time, is used to focus a beam on a point as small as the diffraction limit determined by the wavelength of the laser light. The focused light is directed at the surface of the track to write data by producing bits of diameter less than 1 μm on the recording layer. In optical recording, a recording density of up to 108 bit / cm 2 can theoretically be obtained because a laser beam can be focused on a point having a dimension as small as its wavelength.

Comme indiqué sur la figure 1, pendant l'enregistrement magnéto-optique, un faisceau laser L est focalise sur une couche d'enregistrement 1 afin qu'il la chauffe, alors qu'un champ de polarisation (Hb) est appliqué depuis l'extérieur à la partie chauffée en sens opposé au sens d'initialisation. Le champ coercitif Hc de la partie localement chauffée diminue au-dessous du champ de polarisation (Hb). En conséquence, la direction d'aimantation de cette partie s'aligne sur la direction du champ de polarisation (Hb). De cette manière, des bits aimantés de manière réversible sont formés. As shown in FIG. 1, during the magneto-optical recording, a laser beam L is focused on a recording layer 1 so that it heats it, whereas a polarization field (Hb) is applied from the outside the heated portion in the opposite direction to the initialization direction. The coercive field Hc of the locally heated part decreases below the polarization field (Hb). As a result, the magnetization direction of this portion aligns with the direction of the bias field (Hb). In this way, reversibly magnetized bits are formed.

Les matériaux ferromagnétiques et ferrimagnétiques diffèrent par la variation de leur aimantation et de Hc avec la température. Les matériaux ferromagnétiques ont un champ coercitif Hc qui diminue au voisinage de la température de Curie et permettent un enregistrement de données par mise en oeuvre de ce phénomène. Ainsi, l'enregistrement de données dans des matériaux ferromagnétiques est appelé enregistrement Tc (enregistrement à la température de
Curie),
D'autre part, les matériaux ferrimagnétiques ont une température de compensation, inférieure à -la température de
Curie, à laquelle l'aimantation (M) devient nulle. Le champ coercitif Hc augmente brutalement au voisinage de cette température et diminue brutalement en s'écartant de cette température. Le champ réduit Hc est compensé par un champ de polarisation relativement faible (Hb).Ainsi, I'enregistrement est permis. Ce procédé est appelé enregistrement Tramp (enregistrement à la température de compensation).Ferromagnetic and ferrimagnetic materials differ in the variation of their magnetization and Hc with temperature. The ferromagnetic materials have a coercive field Hc which decreases in the vicinity of the Curie temperature and allows a data recording by implementation of this phenomenon. Thus, the recording of data in ferromagnetic materials is called Tc recording (recording at the temperature of
Curia),
On the other hand, the ferrimagnetic materials have a compensation temperature, lower than the temperature of
Curie, at which the magnetization (M) becomes zero. The coercive field Hc increases sharply in the vicinity of this temperature and decreases abruptly by deviating from this temperature. The reduced field Hc is compensated by a relatively low polarization field (Hb). Thus, the recording is allowed. This process is called Tramp recording (recording at the compensation temperature).

Cependant,- dans ce cas, il n'est pas nécessaire de respecter les températures ou points de Curie, ou la température de compensation. En d'autres termes, lorsqu'un champ de polarisation (Hb) capable de compenser un champ coercitif réduit Hc est appliqué aux matériaux magnétiques dont le champ coercitif Hc est réduit a une température prédéterminée supérieure à la température ambiante, ltenregis- trement est possible. However, - in this case, it is not necessary to respect the temperatures or Curie points, or the compensation temperature. In other words, when a polarization field (Hb) capable of compensating for a reduced coercive field Hc is applied to magnetic materials whose coercive field Hc is reduced to a predetermined temperature higher than the ambient temperature, recording is possible. .

Principe de lecture
La figure 2 illustre le principe de la lecture des données par un effet magnéto-optique. La lumière est une onde électromagnétique ayant un vecteur champ électromagnétique rayonnant normalement dans toutes les directions dans un plan perpendiculaire au trajet de la lumière. Lorsque la lumière est polarisée linéairement (Lp) et est projetée sur une couche d'enregistrement (1), elle est réfléchie par la couche d'enregistrement (1) et traverse aussi celle-ci. A ce moment, le plan de polarisation tourne en fonction de la direction d'aimantation (M). Ce phénomène est appelé effet
Kerr magnétique ou effet Faraday magnétique.Principle of reading
Figure 2 illustrates the principle of reading data by a magneto-optical effect. Light is an electromagnetic wave having an electromagnetic field vector radiating normally in all directions in a plane perpendicular to the path of light. When the light is linearly polarized (Lp) and is projected onto a recording layer (1), it is reflected by and also passes through the recording layer (1). At this moment, the plane of polarization rotates according to the direction of magnetization (M). This phenomenon is called effect
Magnetic Kerr or Magnetic Faraday Effect.

Par exemple, lorsque le plan de polarisation de la lumière réfléchie tourne d'un angle 8k pour une aimantation de "direction A", il tourne d'un angle - e k pour l'aimantation de "direction non A". En conséquence, lorsque l'axe d'un analyseur optique (polariseur) est réglé perpendiculairement au plan incliné d'un angle - e k' la lumière réfléchie par un bit (Bo) aimanté dans la "direction non
A", ne peut pas traverser l'analyseur. Au contraire, le produit (spin28,)2 de la lumière réfléchie par un bit (B1) aimanté dans la "direction A" traverse l'analyseur et tombe sur un détecteur (dispositif de conversion photoélectrique).En conséquence, le-bit (B1) aimanté dans la "direction A" parait plus brillant que le bit (Bo) aimanté dans la "direction non A" et le détecteur donne un signal électrique plus intense pour le bit (B1). Le signal électrique provenant du détecteur est modulé d'après les données enregistrées, et il lit ainsi les données.For example, when the polarization plane of the reflected light rotates at an angle of 8k for a "direction A" magnetization, it rotates by an angle - ek for "non-A direction" magnetization. Consequently, when the axis of an optical analyzer (polarizer) is set perpendicular to the inclined plane of an angle - ek 'the light reflected by a bit (Bo) magnetized in the "non direction
A ", can not cross the analyzer.On the contrary, the product (spin28,) 2 of the light reflected by a bit (B1) magnetized in the" direction A "passes through the analyzer and falls on a detector (device As a result, the magnetic bit (B1) in the "A direction" appears brighter than the magnetic bit (Bo) in the "non-A direction" and the detector gives a stronger electrical signal for the bit ( B1) .The electrical signal from the detector is modulated from the recorded data, and thus reads the data.

Il est difficile de trouver un matériau magnétique qui possède une faible température de Curie,. qui permette un enregistrement facile et qui possède un champ coercitif élevé, une stabilité élevée au stockage, un angle 8k élevé et un rapport élevé signal-sur-bruit en mode de reproduction (lecture). Pour cette raison, on a déjâ proposé (brevet japonais mis â l'inspection publique (Kokai) n0 5778 652) un support d'enregistrement magnéto-optique multicouche dans lequel les fonctions. nécessaires sont séparées et deux matériaux magnétiques différents sont empilés.Le support d'enregistrement comporte un film à deux couches comprenant une couche de champ coercitif élevé å faible température de Curie permettant une aimantation perpendiculaire, et une couche de faible champ coercitif ayant une température élevée de Curie et permettant une aimantation perpendiculaire. Les couches de champs coercitifs élevé et faible présentent un couplage d'échange mutuel. Pour cette raison, la couche de champ coercitif élevé ayant la faible température de Curie enregistre et conserve les informations, et les informations enregistrées sont transférées à la couche de faible champ coercitif. En conséquence, la couche de faible champ coercitif, ayant la température élevée de Curie et un angle 8k important, donne un accès lors de la lecture des informations. It is difficult to find a magnetic material that has a low Curie temperature. which allows easy recording and has a high coercive field, high storage stability, a high 8k angle, and a high signal-to-noise ratio in the playback (reproduction) mode. For this reason, it has already been proposed (Japanese Patent Laid-Open (Kokai) No. 5778652) a multilayer magneto-optical recording medium in which the functions. The recording medium comprises a two-layer film comprising a high coercive field layer with a low Curie temperature allowing perpendicular magnetization, and a low coercive field layer having a high temperature. of Curie and allowing a perpendicular magnetization. The high and low coercive field layers exhibit mutual exchange coupling. For this reason, the high coercive field layer having the low Curie temperature records and stores the information, and the recorded information is transferred to the low coercive field layer. As a result, the low coercive field layer, having the high Curie temperature and an important 8k angle, gives access when reading the information.

Ensuite, on a inventé et protégé (demande de brevet des Etats-Unis d'Amérique n0 870 350 déposée le 4 juin 1986) un support d'enregistrement. magnéto-optique multi couche permettant une superposition d'écriture et ayant une couche d'enregistrement constituant une première couche et une couche de référence constituant une seconde couche, le support fonctionnant uniquement par modulation de lumière par mise en oeuvre des différences entre les forces de couplage d'échange W, les températures de Curie et les champs coercitifs de ces couches. Cette demande est appelée dans la suite demande antérieure".Dans la demande antérieure, la force de couplage d'échange w est appelée énergie de la paroi d'interface
On décrit maintenant l'invention de la demande antérieure.Next, a recording medium was invented and protected (U.S. Patent Application No. 870,350 filed June 4, 1986). multi-layer magneto-optical device for superposition of writing and having a recording layer constituting a first layer and a reference layer constituting a second layer, the support operating solely by light modulation by implementing the differences between the exchange coupling W, Curie temperatures and coercive fields of these layers. This request is hereinafter referred to as the "Prior Application." In the earlier application, the exchange coupling force w is referred to as the interface wall energy.
The invention of the earlier application is now described.

Au cours d'une opération de superposition d'écriture selon l'invention de cette demande antérieure, seule la lumière est modulée, un champ magnétique d'enregistrement n'étant pas modulé. Il est difficile de moduler un champ magnétique à grande vitesse. Plus précisément, un faisceau laser utilisé pour l'enregistrement est modulé par impulsions en fonction des informations à enregistrer. Cette opération est déjà réalisée dans l'enregistrement magnétooptique classique, et un dispositif de modulation par impulsions de l'intensité du faisceau en fonction des informations binaires à enregistrer est déjà connu. Par exemple, un tel dispositif est décrit en détail dans l'article de "The Bell System Technical Journal", volume 62 (1983), pages 1923-1936. During a write overlay operation according to the invention of this earlier application, only the light is modulated, a magnetic recording field is not modulated. It is difficult to modulate a magnetic field at high speed. More precisely, a laser beam used for recording is pulse-modulated according to the information to be recorded. This operation is already carried out in the conventional magnetooptical recording, and a device for pulse modulation of the intensity of the beam according to the binary information to be recorded is already known. For example, such a device is described in detail in the article in The Bell System Technical Journal, Vol. 62 (1983), pages 1923-1936.

La propriété caractéristique de l'opération de superposition d'écriture selon l'invention de la demande antérieure est la mise en oeuvre de niveaux élevé et faible pour l'intensité du faisceau. Plus précisément, lorsque l'intensité du faisceau est à un niveau élevé, une aimantation de "direction A" de la couche de référence .(seconde couche) est inversée en une aimantation de "direction non
A" par un champ magnétique d'enregistrement (Hb), et un bit ayant l'aimantation de "direction non A" (ou l'aimantation de "direction A") est formé dans la couche d'enregistrement (première couche) par aimantation de "direction non A" de la seconde couche.Lorsque l'intensité du faisceau est faible, un bit ayant l'aimantation de "direction A" (ou une aimantation de "direction non A") est formé dans la couche d'enregistrement par l'aimantation de "direction A" de la couche de référence. Les faisceaux sont "deux faisceaux de proximité", et le faisceau est commuté à un faible niveau et n'est pas modulé en principe, si bien qu'il forme toujours un bit dans la "direction non A" (ou dans la "direction A"). (Ainsi, les informations antérieures sont effacées). Le second faisceau est modulé par impulsions à un niveau compris entre le niveau élevé et un niveau de base (y compris le niveau zéro) qui est égal ou inférieur au niveau inférieur en fonction des informations, si bien qu'un bit de direction A (ou de direction non A) est formé uniquement au niveau élevé et permet l'enregistrement.The characteristic property of the write overlay operation according to the invention of the earlier application is the implementation of high and low levels for the intensity of the beam. More precisely, when the intensity of the beam is at a high level, a "direction A" magnetization of the reference layer (second layer) is inverted into a "non-directional" magnetization.
A "by a recording magnetic field (Hb), and a bit having" non-A direction "magnetization (or" A direction "magnetization) is formed in the recording layer (first layer) by "No-direction" magnetization of the second layer. When the intensity of the beam is small, a bit having the "direction A" magnetization (or a "non-A direction" magnetization) is formed in the the magnetization of "direction A" of the reference layer, the beams are "two proximity beams", and the beam is switched to a low level and is not modulated in principle, so that it forms always a bit in the "non-A direction" (or in the "A direction"). (Thus, the previous information is erased.) The second beam is pulsed at a level between the high level and a base level. (including the zero level) which is equal to or less than the lower level depending on the information, so that a bit of direction A (or non-direction A) is formed only at the high level and allows recording.

Dans tous les cas, lorsque les niveaux élevé et faible nécessaires et, dans certains cas, le niveau de base sont déterminés, il est facile pour les hommes du métier de moduler l'intensité du faisceau comme décrit par modification partielle d'un dispositif de modulation décrit dans l'article précité ou dans un dispositif analogue. In any case, when the necessary high and low levels and, in some cases, the baseline are determined, it is easy for those skilled in the art to modulate the beam intensity as described by partial modification of a device. modulation described in the aforementioned article or in a similar device.

Il faut noter que la "direction A" désigne l'une des directions "vers le haut" et "vers le bas" par rapport à une couche magnétique, et la direction restante est appelée "direction non A". It should be noted that the "A direction" refers to one of the "up" and "down" directions relative to a magnetic layer, and the remaining direction is referred to as the "non-A direction".

Dans les expressions précédentes comprenant une variante entre parenthèses, les membres d'alternative qui se trouvent en dehors. de la parenthèse se correspondent, et les membres de l'alternative qui se trouvent entre parenthèses se correspondent respectivement. In the preceding expressions including a variant in parentheses, alternative members who are outside. of the parenthesis correspond, and the members of the alternative which are in brackets correspond respectively.

De cette manière, le support permettant la superposition d'écriture comporte au moins deux couches magnétiques ayant une anisotropie magnétique perpendiculaire, et la première couche constitue une couche d'enregistrement et la seconde une couche de référence. In this way, the writing superposition support comprises at least two magnetic layers having a perpendicular magnetic anisotropy, and the first layer is a recording layer and the second layer is a reference layer.

L'invention de la demande antérieure est divisée en un premier et un second aspect. Dans les deux aspects, le support d'enregistrement a une structure multicouche dans laquelle il est divisé en deux couches, comme représenté sur la figure 3A. The invention of the earlier application is divided into a first and a second aspect. In both aspects, the recording medium has a multilayer structure in which it is divided into two layers, as shown in FIG. 3A.

La première couche constitue la couche d'enregistrement qui possède un champ coercitif élevé à température ambiante et a une faible température d'inversion. La seconde couche constitue la couche de référence qui a un faible champ coercitif à température ambiante et une température d'inversion supérieure à celle de la première couche. Les deux couches sont des couches magnétiques perpendiculaires. The first layer is the recording layer which has a high coercive field at room temperature and has a low inversion temperature. The second layer constitutes the reference layer which has a low coercive field at room temperature and a higher inversion temperature than that of the first layer. The two layers are perpendicular magnetic layers.

Dans le premier aspect de cette invention, le champ coercitif d'une première couche est représenté par HCl, celui d'une seconde couche par HC2, la température de Curie de la première couche par TCl, celle de la seconde couche par TC2, la température ambiante par TR, la température du support d'enregistrement lors de la projection d'un faisceau laser de faible niveau par TLe et, lors de la projection d'un faisceau laser de niveau élevé, par TH, un champ de couplage appliqué à la première couche par HD1, et un champ de couplage appliqué à la seconde couche par HD2
Dans ce cas, le support-d'enregistrement remplit les conditions de la formule suivante (i), ainsi -que celles des formules (2) à (5) à température ambiante.In the first aspect of this invention, the coercive field of a first layer is represented by HCl, that of a second layer by HC2, the Curie temperature of the first layer by TC1, that of the second layer by TC2, the ambient temperature by TR, the temperature of the recording medium during the projection of a low level laser beam by TLe and, when a high level laser beam is projected by TH, a coupling field applied to the first layer by HD1, and a coupling field applied to the second layer by HD2
In this case, the recording medium fulfills the conditions of the following formula (i), as well as those of formulas (2) to (5) at room temperature.

TR < TCî=TL < TC2TH (1)
HCl > Hc2+lHDl~HD2l (2)
HCl > HDl (3)
HC2 > HD2 (4)TR <TC1 = TL <TC2TH (1)
HCl> Hc2 + lHD1 ~ HD2l (2)
HCl> HDI (3)
HC2> HD2 (4)

Dans les formules qui précèdent, le symbole "=" indique "égal" ou "sensiblement égal". En outre, dans le cas d'un milieu de type A (antiparallele), le signe est négatif dans la formule 2 et positif dans la figure 5, et le signe est inverse dans le cas d'un milieu de type P (parallèle) (ces milieux sont décrits dans la suite). Il faut noter que le milieu de type P contient un matériau ferromagnétique et un milieu de couplage magnétostatique.  In the preceding formulas, the symbol "=" indicates "equal" or "substantially equal". In addition, in the case of a type A (antiparallel) medium, the sign is negative in formula 2 and positive in FIG. 5, and the sign is opposite in the case of a P type medium (parallel). (These media are described later). It should be noted that the P-type medium contains a ferromagnetic material and a magnetostatic coupling medium.

La relation entre le champ coercitif et la température est telle que représenté par le graphique de la figure 4. Sur celle-ci, la courbe en trait fin représente les caractéristiques de la première couche et la courbe en trait gras celles de la seconde couche. The relationship between the coercive field and the temperature is as shown by the graph in Figure 4. On this, the fine line represents the characteristics of the first layer and the curve in bold lines those of the second layer.

En conséquence, lorsqu'un champ initial (Hini.) est appliqué au support d'enregistrement à température ambiante, la direction d'aimantation de la seconde couche est inversée sans inversion de celle de la première couche, conformément a l'équation (5). Lorsque le champ initial (Hini) est appliqué à la couche d'enregistrement avant l'enregistrement, la seconde couche peut être aimantée dans la "direction A'r (sur les dessins, la "direction A" est indiquée par une flèche blanche ascendante Xrt et la "direction non A" est indiquée par une flèche blanche descendante ";"). Lorsque le champ initial (Hini) diminue jusqu'à une valeur nulle, la direction d'aimantation de la seconde couche peut rester inchangée sans subir une nouvelle inversion, comme indiqué par l'équation (4). Accordingly, when an initial field (Hini) is applied to the recording medium at ambient temperature, the magnetization direction of the second layer is inverted without inversion of that of the first layer, in accordance with equation (5). ). When the initial field (Hini) is applied to the recording layer before recording, the second layer may be magnetized in the direction A'r (in the drawings, the "direction A" is indicated by an upward white arrow Xrt and the "non-A direction" is indicated by a descending white arrow ";"). When the initial field (Hini) decreases to a zero value, the magnetization direction of the second layer may remain unchanged without undergoing a new inversion, as indicated by equation (4).

La figure 3B représente schématiquement un état dans lequel seule la seconde couche est aimantée dans la "direction A" t juste après l'enregistrement. Figure 3B schematically represents a state in which only the second layer is magnetized in the "A direction" t just after recording.

On se réfère à la figure 3B ; la direction d'aimantation dans la première couche représente les données déjà enregistrées. Comme la direction d'aimantation dans la première couche ne modifie pas le mécanisme fondamental de fonctionnement, elle est indiquée par X dans la description qui suit. Le tableau de la figure 3B est modifié comme représenté par la condition 1 sur la figure 5, par raison de simplicité. Referring to Figure 3B; the magnetization direction in the first layer represents the data already recorded. Since the magnetization direction in the first layer does not modify the fundamental mechanism of operation, it is indicated by X in the description which follows. The table of FIG. 3B is modified as represented by condition 1 in FIG. 5, for the sake of simplicity.

Dans la condition 1, le faisceau laser de niveau élevé est projeté sur le support d'enregistrement afin qu'il augmente la température de celui-ci à une valeur TH. In condition 1, the high level laser beam is projected onto the recording medium so that it increases the temperature thereof to a TH value.

Comme TH dépasse la température de Curie TCl, l'aimantation de la première couche 1 disparaît, En outre, comme TH est proche de la température de Curie TC2, l'aimantation de la seconde couche 2 disparaît aussi totalement ou presque totalement. Le champ de polarisation (Hb) dans la "direction A" ou dans la "direction non A" est appliqué au support en fonction de sa nature. Le champ de polarisation (Hb) peut être un champ parasite provenant du support luimême. Par raison de simplicité, on suppose que le champ de polarisation (Hb) dans la "direction non A" est appliqué au support. Comme le support est mobile, une partie irradiée déterminée est immédiatement séparée du faisceau laser et se refroidit sous l'action de l'air.Lorsque la température du support diminue en présence du champ Hb, la direction d'aimantation de la seconde couche est inversée et devient la "direction non A", en fonction du champ Hb (condition 2H de la figure 5).Since TH exceeds the Curie temperature TC1, the magnetization of the first layer 1 disappears. In addition, since TH is close to the Curie temperature TC2, the magnetization of the second layer 2 also disappears totally or almost totally. The polarization field (Hb) in the "A direction" or the "A non direction" is applied to the carrier depending on its nature. The polarization field (Hb) may be a parasitic field coming from the support itself. For simplicity, it is assumed that the bias field (Hb) in the "non-A direction" is applied to the medium. As the support is mobile, a determined irradiated part is immediately separated from the laser beam and cools under the action of air. When the temperature of the support decreases in the presence of the Hb field, the magnetization direction of the second layer is inverted and becomes the "non-A direction", as a function of the Hb field (condition 2H of FIG. 5).

Lorsque le support subit un refroidissement supplémentaire et lorsque la température du support diminue audessous de TCl, aimantation de la première couche apparait à nouveau. Dans ce cas, la direction d'aimantation de la première couche est influencée par celle de la seconde couche étant donné la force de couplage magnétique (couplage magnétostatique-ou d'échange). En conséquence, une aimantation 8 (milieu de type P) ou R (milieu. de type A) se forme d'après la nature du milieu comme représenté par la condition 3H sur la figure 5. When the support undergoes additional cooling and when the substrate temperature decreases below TC1, magnetization of the first layer appears again. In this case, the magnetization direction of the first layer is influenced by that of the second layer due to the magnetic coupling force (magnetostatic coupling or exchange). Accordingly, a magnetization 8 (P-type medium) or R (A-type medium) is formed according to the nature of the medium as represented by condition 3H in Fig. 5.

Un changement des conditions dû à l'irradiation par le faisceau laser de niveau élevé est appelé "cycle à température élevée" dans le présent mémoire. A change in conditions due to irradiation by the high level laser beam is referred to as "high temperature cycling" herein.

Ensuite, dans la condition 1 de la figure 6, le faisceau laser de faible niveau est projeté sur le support afin qu'il élève la température du milieu à TL. Comme la température TL est proche de la température de Curie TCl, l'aimantation de la première couche disparaît totalement ou presque totalement. Cependant, comme T L est inférieure à la température de Curie TC2, l'aimantation de la seconde couche ne disparaît pas (condition 2L de la figure 6). Dans la condition 2Lr bienque le champ de polarisation (Hb) soit superflu, il ne peut pas être commuté à grande vitesse. En conséquence, le champ de polarisation (Hb) reste obligatoirement appliqué. Then, in condition 1 of FIG. 6, the low level laser beam is projected on the support so that it raises the temperature of the medium to TL. Since the temperature TL is close to Curie temperature TCl, the magnetization of the first layer disappears totally or almost totally. However, since T L is less than the Curie temperature TC2, the magnetization of the second layer does not disappear (condition 2L of FIG. 6). In condition 2Lr although the bias field (Hb) is superfluous, it can not be switched at high speed. As a result, the polarization field (Hb) remains obligatorily applied.

Cependant, comme le champ coercitif HC2 reste élevé, la direction d'aimantation de la seconde couche n'est pas inversée sous l'action du champ Hb. Comme le support se déplace, une partie irradiée déterminée est immédiatement séparée du faisceau laser et se refroidit sous l'action de l'air. Lorsque le refroidissement progresse, l'aimantation de la première couche apparaît. La direction d'aimantation est influencée par celle de la seconde couche étant donné la présence de la force de couplage magnétique. En conséquence, l'aimantation t (milieu de type P) ou ss (milieu de type A) apparaît suivant la nature du milieu. Cette aimantation n'est pas modifiée même à température ambiante (condition 3L sur la figure 6). However, since the coercive field HC2 remains high, the magnetization direction of the second layer is not reversed under the action of the Hb field. As the support moves, a determined irradiated part is immediately separated from the laser beam and cools under the action of air. As the cooling progresses, the magnetization of the first layer appears. The direction of magnetization is influenced by that of the second layer given the presence of the magnetic coupling force. As a result, the magnetization t (P type medium) or ss (A type medium) appears according to the nature of the medium. This magnetization is not modified even at ambient temperature (condition 3L in FIG. 6).

Un changement des conditions dû à l'irradiation par le faisceau laser de faible niveau est appelé "cycle à faible température" dans le présent mémoire. A change in conditions due to low level laser beam irradiation is referred to as a "low temperature cycle" herein.

La figure 7 résume la description qui précède. Comme indiqué sur la figure 7, des bits ayant des aimantations t et y, qui sont opposées, sont formés dans les cycles à température élevée et à faible température indépendamment de la direction d'aimantation dans la première couche. Plus précisément, une opération de superposition d'écriture est rendue possible par modulation par impulsions du faisceau laser entre le niveau élevé (cycle à température élevée) et le faible niveau (cycle à faible température), en fonction des données à enregistrer. Figure 7 summarizes the foregoing description. As shown in FIG. 7, bits having opposing magnetizations t and y are formed in the high temperature and low temperature cycles regardless of the magnetization direction in the first layer. More specifically, a write superposition operation is made possible by pulse-modulating the laser beam between the high level (high temperature cycle) and the low level (low temperature cycle), depending on the data to be recorded.

Il faut noter que le support d'enregistrement -a normalement la forme d'un disque et est entraîné en rotation pendant l'enregistrement. Pour cette raison, une partie enregistrée (bit) est à nouveau sous l'influence du champ initial (Hini) qui est appliqué par le dispositif d'application de champ initial, pendant un seul tour. En consequence, la direction d'aimantation de la seconde couche est alignée sur la "direction A" d'origine t comme indiqué sur la figure 10.Cependant, à la température ambiante, l'aimantation de la seconde couche ne peut plus influencer celle de la première couche, et les données enregistrées peuvent être conservées
Lorsque de la lumière polarisée linéairement est projetée sur la première couche, comme la lumière qui -est réfléchie par celle-ci contient des données, les données peuvent être reproduites comme dans le support classique d'enregistrement magnéto-optique
Un film magnétique vertical constituant la première couche et la seconde couche est choisi dans le groupe qui comprend (1) les matériaux ferromagnétiques ou ferrimagnétiques cristallins ou amorphes ayant la température de
Curie et n'ayant pas de température de compensation, et (2) des matériaux ferrimagnétiqués cristallins ou amorphes ayant à la fois la température de compensation et la température de Curie.It should be noted that the recording medium normally has the shape of a disc and is rotated during recording. For this reason, a recorded part (bit) is again under the influence of the initial field (Hini) which is applied by the initial field application device during a single turn. As a result, the magnetization direction of the second layer is aligned with the "direction A" of origin t as shown in FIG. 10. However, at room temperature, the magnetization of the second layer can no longer influence that of the first layer, and the recorded data can be kept
When linearly polarized light is projected onto the first layer, as the light that is reflected by it contains data, the data can be reproduced as in the conventional magneto-optical recording medium
A vertical magnetic film constituting the first layer and the second layer is selected from the group which comprises (1) crystalline or amorphous ferromagnetic or ferrimagnetic materials having the temperature of
Curie and having no compensation temperature, and (2) crystalline or amorphous ferrimagnetic materials having both the compensation temperature and the Curie temperature.

On a décrit le premier aspect qui met en oeuvre la température de Curie. Au contraire, le second- aspect de la présente invention met en oeuvre le champ coercitif HC de valeur réduite à une température prédéterminée supérieure à la température ambiante. Le second aspect met en oeuvre une température Tsî à laquelle la première couche est couplée magnetiquement à la seconde couche, à la place de la température Tci dans le premier aspect. En outre, à la place de la température TC2, une température T52 à laquelle la seconde couche s'inverse sous l'action du champ Hb est utilisée. De cette manière, le second aspect peut donner le même effet que le premier aspect. The first aspect which implements the Curie temperature has been described. In contrast, the second aspect of the present invention utilizes the reduced value coercive field HC at a predetermined temperature above room temperature. The second aspect employs a temperature Ts1 at which the first layer is magnetically coupled to the second layer instead of the temperature Tci in the first aspect. In addition, in place of the temperature TC2, a temperature T52 at which the second layer reverses under the action of the Hb field is used. In this way, the second aspect can give the same effect as the first aspect.

Dans le second aspect, le champ coercitif de la première couche est représenté par HCI, celui de la seconde couche par HC2, la température à laquelle la première couche est couplée magnêtiquement à la seconde couche par TSl, la température à laquelle la direction d'aimantation de la seconde couche s'inverse sous l'action du champ Hb par TS2, la température ambiante par TR, la température du support lorsqu'un faisceau laser de faible niveau lui est appliqué par TL, la température du support lorsqu'un faisceau laser de niveau élevé lui est appliqué par TH, un champ de couplage appliqué à la première couche par HD1 et un champ de couplage appliqué à la seconde couche par HD2.  In the second aspect, the coercive field of the first layer is represented by HCI, that of the second layer by HC2, the temperature at which the first layer is magnetically coupled to the second layer by TS1, the temperature at which the direction of magnetization of the second layer is reversed under the action of the Hb field by TS2, the ambient temperature by TR, the support temperature when a low level laser beam is applied to it by TL, the support temperature when a beam A high level laser is applied to it by TH, a coupling field applied to the first layer by HD1 and a coupling field applied to the second layer by HD2.

Dans ce cas, le support d'enregistrement remplit la condition de l'équation (6) ainsi que celles des équations (7) à (10) à température ambiante
TR < TSl =TL < T52TH (6)
HCî > HC2+ I HDl+HD2 I (7)
Hç1 > HDî (8)
C2 D2 (9)
HC2+HD2 < I Hini < HCl+HDl (10)
Dans les formules qui précèdent, le milieu de type A (antiparallèle) correspond aux signes négatif dans la formule 7 et positif dans la formule 10, les signes étant inversés dans le cas du milieu P (parallèle) (ces milieux sont décrits dans la suite).In this case, the recording medium fulfills the condition of equation (6) as well as those of equations (7) to (10) at room temperature
TR <TS1 = TL <T52TH (6)
HCI> HC2 + I HD1 + HD2 I (7)
H1> HDI (8)
C2 D2 (9)
HC2 + HD2 <I Hini <HCl + HDI (10)
In the above formulas, the medium of type A (antiparallel) corresponds to the negative signs in formula 7 and positive in formula 10, the signs being reversed in the case of medium P (parallel) (these media are described below). ).

Dans le premier et le second aspect, le milieu d'enregistrement est constitué par la première et la seconde couche, chacune comprenant de préférence un matériau ferrimagnétique amorphe choisi parmi les compositions d'alliages d'un métal de transition (par exemple Fe, Co) et d'un métal lourd des terres rares (par exemple Gd, Tb, Dy et analogue). In the first and second aspect, the recording medium is constituted by the first and second layers, each preferably comprising an amorphous ferrimagnetic material selected from transition metal alloy compositions (eg Fe, Co). ) and a rare earth heavy metal (eg Gd, Tb, Dy and the like).

Lorsque la première et la seconde couche sont toutes deux choisies dans des compositions d'alliages métal de transition-métal lourd des terres rares, la direction et le niveau d'aimantation apparaissant à l'extérieur de l'al- liage sont déterminés par la relation entre la direction et le niveau de spin des atomes du métal de transition (appelé
MT dans la suite) et ceux des atomes du métal lourd des terres rares (appelées TR dans la suite), à l'intérieur de l'alliage. Par exemple, la direction et le niveau de spin
MT sont représentés par le premier vecteur t d'une paire, ceux du spin TR sont représentés par le second vecteur t de la paire, et la direction et le niveau d'aimantation de l'alliage dans son ensemble sont représentés par un vecteur double t. Dans ce cas, le vecteur t est représenté par la somme des vecteurs t et t.Cependant, dans l'alliage, les vecteurs t et t ont des sens opposes étant donné l'effet mutuel du spin MT et du spin TR. En conséquence, lorsque ces vecteurs sont égaux, la somme des vecteurs t et ; ou la somme des vecteurs t et t est nulle (c'est-à-dire que le niveau d'aimantation apparaissant à l'extérieur de l'al- liage est nul). ta composition d'alliage constituant la somme des vecteurs zéro et appelée "composition de compensation". Lorsque l'alliage a une autre composition, il a une intensité égale à la différence entre les intensités des deux spins et a un vecteur ( R ou ;, ayant la même direction que le vecteur le plus élevé. L'aimantation de ce vecteur apparaît en dehors de l'alliage.Le cas échéant, le vecteur le plus intense des deux est barré. Par exemple, les vecteurs kf correspondent à un vecteur R et les vecteurs tt correspondent à un vecteur+. When both the first and second layers are selected from rare earth metal-transition metal-alloy compositions, the direction and level of magnetization occurring outside the alloy are determined by the relationship between the direction and the spin level of the transition metal atoms (called
MT in the following) and those of rare earth heavy metal atoms (hereinafter TR), inside the alloy. For example, the direction and level of spin
MT are represented by the first vector t of a pair, those of the spin TR are represented by the second vector t of the pair, and the direction and the magnetization level of the alloy as a whole are represented by a double vector t. In this case, the vector t is represented by the sum of the vectors t and t.However, in the alloy, the vectors t and t have opposing meanings given the mutual effect of the spin MT and the spin TR. Consequently, when these vectors are equal, the sum of the vectors t and; or the sum of the vectors t and t is zero (i.e., the magnetization level appearing outside the alloy is zero). the alloy composition constituting the sum of the zero vectors and called "compensation composition". When the alloy has another composition, it has an intensity equal to the difference between the intensities of the two spins and a vector (R or, having the same direction as the highest vector.) The magnetization of this vector appears Apart from the alloy, the most intense vector of the two is barred, for example, the vectors kf correspond to a vector R and the vectors tt correspond to a vector +.

Lorsque 1 t une des intensités des vecteurs des spins
TR et MT dépasse l'autre, la composition d'alliage est dite "riche en xx", d'après le nom du spin le plus important (par exemple riche en TR). When 1 t is one of the intensities of the vectors of spins
TR and MT exceeds the other, the alloy composition is said to be "rich in xx", according to the name of the most important spin (for example rich in TR).

La première et la seconde couche peuvent être consi dérées comme des compositions riches en MT ou riches en TR. The first and second layers may be considered as TM-rich or TR-rich compositions.

En conséquence, si la composition de la première couche est portée en ordonnées et celle de la seconde couche en abscisses, les types des supports d'enregistrement selon l'invention peuvent être classés en quatre quadrants, comme représenté sur- la figure 8. Le milieu de type P décrit précédemment appartient aux quadrants I et III, et le milieu de type A appartient aux quadrants Il et IV. Comme l'indique la figure 8, l'intersection (origine) des abscisses et des ordonnées représente la composition de compensation des deux couches.Accordingly, if the composition of the first layer is plotted on the ordinate and that of the second layer on the abscissa, the types of recording media according to the invention can be classified into four quadrants, as shown in FIG. P type medium previously described belongs to quadrants I and III, and type A medium belongs to quadrants II and IV. As shown in Figure 8, the intersection (origin) of the abscissa and ordinate represents the compensation composition of the two layers.

Etant donné le changement du champ coercitif lors du changement de température, une composition d'alliage particulière a des caractéristiques telles que le champ coercitif augmente temporairement vers une valeur infinie puis diminue brutalement avant que la température n'atteigne la température de Curie (a laquelle le champ coercitif est nul). La température qui correspond à un champ coercitif infini est appelée température de compensation
Aucune température de compensation n'existe entre la température ambiante et la température de Curie dans la composition d'alliage riche en MT.Une température de compensation inférieure à la température ambiante est dépourvue de tout intérêt pour l'enregistrement magnéto-optique et en conséquence, on suppose, dans le présent mémoire, que la température de compensation est comprise entre la température ambiante et la température de Curie.Given the change of the coercive field during the temperature change, a particular alloy composition has such characteristics that the coercive field temporarily increases to an infinite value and then declines abruptly before the temperature reaches Curie temperature (at which the coercive field is zero). The temperature that corresponds to an infinite coercive field is called the compensation temperature
No compensation temperature exists between room temperature and Curie temperature in the MT-rich alloy composition. A compensation temperature below room temperature is devoid of any interest for magneto-optical recording and accordingly It is assumed in this specification that the compensation temperature is between room temperature and Curie temperature.

Si l'on classe la première et la seconde couche en fonction de la présence ou de l'absence de température de compensation, le support d'enregistrement peut être classé en quatre types. Le support d'enregistrement du quadrant I contient les quatre types de milieux Les graphiques des figures 9A à 9D respectivement représentent la relation entre le champ coercitif et la température des quatre types de milieux. il faut noter que les courbes fines représentent les caractéristiques de la première couche et les courbes grasses celles de la seconde couche. If the first and second layers are classified according to the presence or absence of compensation temperature, the recording medium can be classified into four types. The recording medium of quadrant I contains the four types of media. The graphs of FIGS. 9A to 9D respectively represent the relationship between the coercive field and the temperature of the four types of media. it should be noted that the fine curves represent the characteristics of the first layer and the fat curves of the second layer.

Lorsque la première couche (enregistrement) et la seconde couche (référence) sont classées en fonction de leurs caractéristiques de richesse en TR ou MT et en fonction de la présence ou de l'absence de température de compensation, elles appartiennent à neuf classes.  When the first layer (recording) and the second layer (reference) are classified according to their richness characteristics in TR or MT and depending on the presence or absence of compensation temperature, they belong to nine classes.

Tableau 1
Quadrant I
Classe Type
première couche : - Seconde couche
riche en TR riche en TR 1 T T 1
comp comp.Table 1
Quadrant I
Class Type
first layer: - Second layer
rich in TR rich in TR 1 TT 1
comp comp.

2 pas T T 2
comp. comp. 2 steps TT 2
comp. comp.

3 T pas T 3
comp. pas comp.3 T not T 3
comp. not comp.

4 pas comp. pas comp. 4 not comp. not comp.

Quadrant II
Classe Type
Première couche : Seconde couche
riche en TR riche en MT 5 T pas T 3
comp. comp. Quadrant II
Class Type
First layer: Second layer
rich in TR rich in MT 5 T not T 3
comp. comp.

6 pas TComp0p pas comp. 6 not TComp0p not comp.

Quadrant III
Classe Type
Première couche : Seconde couche
riche en MT riche en MT 7 pas TComp pas comp.4
Quadrant IV
Classe Type
Première couche : Seconde couche
riche en MT riche en TR 8 pas T T 2
comp. comp.Quadrant III
Class Type
First layer: Second layer
rich in MT rich in MT 7 not TComp not comp.4
Quadrant IV
Class Type
First layer: Second layer
rich in MT rich in TR 8 not TT 2
comp. comp.

9 pas T pas TComp, 4
comp pas
Le principe de l'opération de superposition d'écri- ture est maintenant décrit en détail dans la suite en référence à un support particulier appartenant à la classe 1 (type P, quadrant I, type 1) indiquée-dans le tableau 1.9 not T not TComp, 4
comp not
The principle of the write overlay operation is now described in detail hereinafter with reference to a particular medium belonging to class 1 (type P, quadrant I, type 1) indicated in Table 1.

Le support n0 1 satisfait à l'équation (11)
(11)
Le graphique de la figure 10 représente cette relation. Il faut noter que les courbes fines correspondent à la première couche et les courbes grasses à la seconde couche. Ces identifications sont les mêmes sur les graphiques qui suivent.Support n0 1 satisfies equation (11)
(11)
The graph in Figure 10 represents this relationship. It should be noted that the fine curves correspond to the first layer and the fat curves to the second layer. These identifications are the same on the following graphs.

Une condition d'inversion de la direction d'aimantation de la seconde couche sans inversion de celle de la première couche sous l'action du champ initial (Hini) à température ambiante T R est représentée par l'équation (12). Le support n0 1 satisfait l'équation (12) à la température TR ::
Hc1 > Hc2+(aw/2M5îtî )+(a/2M52t2) (12) dans laquelle
HCl = champ coercitif de la première couche
HC2 = champ coercitif de la seconde couche
M51 = aimantation à saturation de la première couche
M31 = aimantation à saturation de la seconde couche
tl = épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche
aw = énergie de paroi d'interface (force de couplage
d'échange)
A ce moment, une condition appliquée à Hini est représentée par l'équation (15). Lorsque Hini disparaît, l'aimantation inversée de la seconde couche est influencée par l'aimantation de la première couche étant donné la présence de la force de couplage d'échange.La condition qui peut assurer le maintien de la direction d'aimantation de la seconde couche est représentée par les équations (13) et (14). Le support n0 1 remplit les conditions.des équations (13) et (14)
HCl > (aw/2Msltl) (13)
HC2 > (ow/2Ms2t2) (14) HC2+( 0,/2MS2t2) < I Hini| < HC1-(#w/2MS1t1) (15)
L'aimantation de la seconde couche du support d'enregistrement qui satisfait aux équations (12) à (14) à la température TR est alignée dans la direction "A" t ) par le champ Hini qui correspond à l'équation (16) A ce moment, la couche 1 d'enregistrement est maintenue à l'état enregistré (condition 1 des figures 11 et 12).A condition of inversion of the direction of magnetization of the second layer without inversion of that of the first layer under the action of the initial field (Hini) at room temperature TR is represented by equation (12). Support n0 1 satisfies equation (12) at temperature TR ::
Hc1> Hc2 + (aw / 2M5I) + (a / 2M52t2) (12) in which
HCl = coercive field of the first layer
HC2 = coercive field of the second layer
M51 = saturation magnetization of the first layer
M31 = saturation magnetization of the second layer
tl = thickness of the film of the first layer
t2 = thickness of the film of the second layer
aw = interface wall energy (coupling force
exchange)
At this moment, a condition applied to Hini is represented by equation (15). When Hini disappears, the inverted magnetization of the second layer is influenced by the magnetization of the first layer given the presence of the exchange coupling force. The condition that can ensure the maintenance of the magnetization direction of the second layer is represented by equations (13) and (14). Support n0 1 fulfills the conditions of equations (13) and (14)
HCl> (aw / 2Msltl) (13)
HC2> (ow / 2Ms2t2) (14) HC2 + (0, / 2MS2t2) <I Hini | <HC1 - (# w / 2MS1t1) (15)
The magnetization of the second layer of the recording medium which satisfies the equations (12) to (14) at the temperature TR is aligned in the direction "A" t) by the field Hini which corresponds to the equation (16) At this time, the recording layer 1 is maintained in the recorded state (condition 1 of FIGS. 11 and 12).

La condition 1 est conservée jusqu a un moment qui précède immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, -le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction t.  Condition 1 is retained until a time immediately before registration. In this case, the polarization field (Hb) is applied in the direction t.

On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence -a la figure 11. The high temperature cycle is now described with reference to FIG. 11.

Dans la condition 1, lorsque la température du support est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, comme la température T L est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la première couche, l'aimantation de la première couche 1 disparaît (condition 2H)
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser continue, la température du milieu augmente en conséquence.In condition 1, when the substrate temperature is raised to TL by irradiation with the high level laser beam, as the temperature TL is substantially equal to the Curie temperature TC1 of the first layer, the magnetization of the first layer 1 disappears (condition 2H)
When irradiation by the laser beam continues, the temperature of the medium increases accordingly.

Lorsque la température du milieu dépasse légèrement la température TComp.2 de la seconde couche, la relation entre les intensités des vecteurs est inversée (## à ## ) bien que les directions des spinsTR et MT restent les mêmes. Pour cette raison, la direction d'aimantation de la seconde couche est inversée afin qu'elle soit la "direction non A" (condition 3H)
Cependant, comme le champ coercitif HC2 est encore élevé à cette température, la direction d'aimantation de la seconde couche n'est pas inversée par le champ Hb
Lorsque la température augmente encore et atteint la valeur
TH, la température de la seconde couche correspond pratiquement à la température de Curie TC2, et l'aimantation de la seconde couche disparaît aussi (condition 4H > When the temperature of the medium slightly exceeds the temperature TComp.2 of the second layer, the relationship between the intensities of the vectors is reversed (## to ##) although the directions of spinsTR and MT remain the same. For this reason, the magnetization direction of the second layer is reversed so that it is the "non-A direction" (condition 3H)
However, since the coercive field HC2 is still elevated at this temperature, the magnetization direction of the second layer is not reversed by the Hb field.
When the temperature rises again and reaches the value
TH, the temperature of the second layer corresponds practically to Curie temperature TC2, and the magnetization of the second layer also disappears (condition 4H>

Dans la condition 4H, lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque la température du milieu diminue légèrement au-dessous de la température TC2, l'aimantation apparaît dans la seconde couche. In condition 4H, when an irradiated portion is separated from the spot formed by the laser beam, the temperature of the medium begins to decrease. When the temperature of the medium decreases slightly below the temperature TC2, the magnetization appears in the second layer.

Dans ce cas, l'aimantation t ( est créée par t Hb (condition 5H) Cependant, comme la température est encore supérieure å la température TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la première couche.In this case, the magnetization t (is created by t Hb (condition 5H). However, since the temperature is still higher than the temperature TC1, no magnetization appears in the first layer.

Lorsque la température du milieu continue à diminuer au-dessous de la température Tcomp.2, la relation entre les intensités des vecteurs est inversée (tt à ## ) bien que les directions des spins TR et MT restent les mêmes. En conséquence, la direction d'aimantation de l'alliage dans son ensemble est inversée de t à la "direction non A" # (condition 6H >
Dans la condition 6Hr comme la température du milieu est supérieure a la température TCl, l'aimantation de la première couche n'a pas encore apparu.En outre, comme le champ coercitif HC2 å cette température est élevée, la direction d'aimantation ss de la seconde couche ne peut pas être inversée par le champ t Hb.When the temperature of the medium continues to decrease below the temperature Tcomp.2, the relation between the intensities of the vectors is reversed (tt to ##) although the directions of the spins TR and MT remain the same. As a result, the magnetization direction of the alloy as a whole is inverted from t to the "non-A direction"# (condition 6H>
In the condition 6Hr, since the temperature of the medium is higher than the temperature TCl, the magnetization of the first layer has not yet appeared. In addition, since the coercive field HC2 at this temperature is high, the magnetization direction ss of the second layer can not be reversed by the field t Hb.

Lorsque la température du milieu diminue et est légèrement inférieure à la température TCl, l'aimantation apparaît dans la première couche. A ce moment, la force de couplage d'échange à partir de la seconde couche provoque ltalignement de chacun des spins TR et MT ( et t) de la première et de la seconde couche. Comme la température de la première couche est supérieure à la température Tcomp.1, T le spin MT est supérieur au spin TR et en conséquence l'aimantation est tt, c'est-à-dire que t apparaît dans la première couche. Cet état est celui de la condition 7H. When the temperature of the medium decreases and is slightly lower than the temperature TC1, the magnetization appears in the first layer. At this time, the exchange coupling force from the second layer causes the spins TR and MT (and t) of the first and second layers to be aligned. Since the temperature of the first layer is greater than the temperature Tcomp.1, the spin MT is greater than the spin TR and consequently the magnetization is tt, that is to say that t appears in the first layer. This state is that of condition 7H.

Lorsque la température du milieu diminue de la tem pérature obtenue dans la condition 7H et est inférieure à la température T Comp.1, les relations entre les intensités
comp.l des spins TR et MT de la première couche sont inversées à tt ) . En conséquence, l'aimantation 8 apparaît (condition 8H). When the temperature of the medium decreases from the temperature obtained in the condition 7H and is lower than the temperature T Comp.1, the relations between the intensities
comp.l spins TR and MT of the first layer are inverted at tt). As a result, the magnetization 8 appears (condition 8H).

Ensuite, la température du milieu diminue de la valeur de la condition 8H à la température ambiante. Comme le champ coercitif Hcî à la température ambiante est suff i- samment élevé, la condition 8H est conservée sans inversion de la direction d'aimantation de la première couche par le champ t Hb. De cette manière,-la formation du bit dans la "direction non A" est terminée. Then the temperature of the medium decreases from the value of condition 8H to room temperature. Since the coercive field Hc at room temperature is sufficiently high, condition 8H is maintained without inversion of the magnetization direction of the first layer by the field t Hb. In this way, bit formation in the "non-A direction" is complete.

On décrit maintenant le cycle à faible température en référence à la figure 12. The low temperature cycle is now described with reference to FIG. 12.

Dans la condition 1, juste avant l'enregistrement, la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de faible niveau. Comme la température TL est pratiquement égale à la température de Curie Tcî de la première couche, l'aimantation de la ~première couche disparaît (condition 2L >
Dans la condition 2Lt lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la température du milieu est légèrement inférieure à la température TCl, la première couche est influencée par les spins TR et MT (t) de la seconde couche, étant donné la force de couplage d'échange. En d'autres termes, la force de couplage d'échange assure l'alignement de chacun des spins TR et MT (t et ;) de la première et de la seconde couche. En conséquence, l'aimantation tt, c'est-à-dire a, indépendamment du champ de polarisation t Hb, apparaît dans la première couche (condition 3L) Comme la température, dans la condition 3L, dépasse la température TComp.1, le spin MT est supérieur au spin TR.In condition 1, just before recording, the temperature of the medium is raised to TL by irradiation with the low level laser beam. Since the temperature TL is practically equal to the Curie temperature Tc1 of the first layer, the magnetization of the ~ first layer disappears (condition 2L>
In the condition 2Lt when an irradiated part is separated from the spot formed by the laser beam, the temperature of the medium begins to decrease.When the temperature of the medium is slightly lower than the temperature TCl, the first layer is influenced by the spins TR and MT (t) of the second layer, given the exchange coupling force. In other words, the exchange coupling force ensures the alignment of each of the spins TR and MT (t and;) of the first and second layers. Consequently, the magnetization tt, ie a, independently of the polarization field t Hb, appears in the first layer (condition 3L) As the temperature, in condition 3L, exceeds the temperature TComp.1, the MT spin is greater than the TR spin.

Lorsque la température du milieu est réduite au dessous de la température TComp.1, T la relation entre. les
comp. 1, spins TR et MT de la première couche est inversée (t à de la même manière que dans le cycle à température élevée.When the temperature of the medium is reduced below the temperature TComp.1, T the relation between. the
comp. 1, spins TR and MT of the first layer is inverted (t in the same way as in the high temperature cycle.

En conséquence, l'aimantation de la première couche est R (condition 4L >
La condition 4L est maintenue même lorsque la température du milieu diminue jusqu'à la température ambiante. As a result, the magnetization of the first layer is R (condition 4L>
Condition 4L is maintained even when the temperature of the medium decreases to room temperature.

De cette manière, la formation du bit dans la "direction A" est terminée.In this way, bit formation in the "A direction" is complete.

Ensuite, on décrit en détail le principe du procédé de l'invention de la technique antérieure, par utilisation d'un support particulier n0 2 appartenant a la classe 2 (type P, quadrant I, type 2) indiquée dans le tableau 1, et le principe de l'invention, par utilisation du support particulier n0 2. Next, the principle of the method of the invention of the prior art is described in detail by using a particular support n0 2 belonging to class 2 (type P, quadrant I, type 2) indicated in table 1, and the principle of the invention, by using the particular support n0 2.

Le support n0 2 remplit les conditions de l'équation (16)
TR < TC1#TL#Tcomp.2 < TC2#TH (16)
Le graphique de la figure 13 représente cette relation.Support n0 2 fulfills the conditions of equation (16)
TR <TC1 # TL # Tcomp.2 <TC2 # TH (16)
The graph in Figure 13 represents this relationship.

Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la seconde couche sans inverser celle de la première couche par le champ initial (Hini) à la température ambiante TR est représentée par l'équation (17). Le support n0 2 remplit-les conditions de l'équation (17) à la température T HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2) (17;) dans laquelle
HCl = champ coercitif de la première couche
HC2 = champ coercitif de la seconde couche
MS1 = aimantation à saturation de la première couche
Ms2 = aimantation à saturation de la seconde couche
tl = épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche
aw = énergie de la paroi de l'interface.A condition that reverses the magnetization direction of the second layer without reversing that of the first layer by the initial field (Hini) at room temperature TR is represented by equation (17). Support n0 2 fulfills the conditions of equation (17) at the temperature T HC1> HC2 + (# w / 2MS1t1) + (# w / 2MS2t2) (17;) in which
HCl = coercive field of the first layer
HC2 = coercive field of the second layer
MS1 = saturation magnetization of the first layer
Ms2 = saturation magnetization of the second layer
tl = thickness of the film of the first layer
t2 = thickness of the film of the second layer
aw = energy of the wall of the interface.

A ce moment, une condition que doit remplir le champ
Hini est représentée par l'équation (20). Lorsque le champ
Hini disparaît, l'aimantation inversée de la seconde couche est influencée par l'aimantation de la première couche du fait de la force de couplage d'échange. La condition qui peut maintenir la direction d'aimantation de la seconde couche est représentée par les équations (18) et (l9), qui sont satisfaites par le milieu n0 2
HCl > (::w/2Msltl) (18)
HC2 > ( aW/2MS2t2 ) (19)
HC2+(#w/2MS2t2) < |Hini| < HC1-(#w/2MS1t1) (20)
L'aimantation de la seconde couche du support d'enregistrement, correspondant aux équations (17) à (19) à la température TR, est alignée dans la "direction A" # (##) par le champ Hini,- en fonction de l'équation (20). A ce moment, la première couche est maintenue å l'état enregis tré (condition 1 des figures 14 et 15).At this moment, a condition that the field must fulfill
Hini is represented by equation (20). When the field
Hini disappears, the inverted magnetization of the second layer is influenced by the magnetization of the first layer due to the exchange coupling force. The condition that can maintain the magnetization direction of the second layer is represented by equations (18) and (19), which are satisfied by medium # 2
HCl> (:: w / 2Msltl) (18)
HC2> (aW / 2MS2t2) (19)
HC2 + (# w / 2MS2t2) <| Hini | <HC1 - (# w / 2MS1t1) (20)
The magnetization of the second layer of the recording medium, corresponding to the equations (17) to (19) at the temperature TR, is aligned in the "direction A"#(##) by the field Hini, - as a function of equation (20). At this time, the first layer is maintained in the registered state (condition 1 of FIGS. 14 and 15).

La condition 1 correspond å un moment précédant immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction t. Condition 1 corresponds to a moment immediately preceding the recording. In this case, the bias field (Hb) is applied in the direction t.

On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence a la figure 14. The high temperature cycle is now described with reference to FIG.

Dans la condition 1, lorsque la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, comme la température TL est pratiquement égale à la température de Curie Tcî de la première couche, l'aimantation de la première couche disparaît (condition 2H)
Lorsque le rayonnement du faisceau laser se poursuit, la température du milieu s'élève en conséquence.In condition 1, when the medium temperature is raised to TL by irradiation with the high level laser beam, as the temperature TL is substantially equal to the Curie temperature Tc1 of the first layer, the magnetization of the first layer disappears. (condition 2H)
As the radiation of the laser beam continues, the temperature of the medium rises accordingly.

Lorsque la température du milieu dépasse légèrement la température Tcomp.2 de la seconde couche, la relation entre les intensités des vecteurs est inversée (tz à ##) bien que les directions des spins TR et MT restent les mêmes. Pour cette raison, la direction d'aimantation de la seconde couche est inversée à la "direction non A" # (condition 3H >
Cependant, comme le champ coercitif HC2 est encore élevé à cette température, la direction d'aimantation de la seconde couche n'est pas inversée par le champ Hb (t).When the temperature of the medium slightly exceeds the temperature Tcomp.2 of the second layer, the relationship between the intensities of the vectors is reversed (tz to ##) although the directions of the spins TR and MT remain the same. For this reason, the magnetization direction of the second layer is reversed to the "non-A direction"# (condition 3H>
However, since the coercive field HC2 is still elevated at this temperature, the magnetization direction of the second layer is not reversed by the Hb (t) field.

Lorsque la température augmente encore et atteint la température TH, la température de la seconde couche correspond pratiquement à la température de Curie TC2, et lraimanta- tion de la seconde couche disparaît aussi (condition 4H >
Dans la condition 4H, lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque la température du milieu diminue légèrement au-dessous de la température TC2, l'aimantation apparaît dans la seconde couche.When the temperature increases further and reaches the temperature TH, the temperature of the second layer corresponds practically to Curie temperature TC2, and the scratching of the second layer also disappears (condition 4H>
In condition 4H, when an irradiated portion is separated from the spot formed by the laser beam, the temperature of the medium begins to decrease. When the temperature of the medium decreases slightly below the temperature TC2, the magnetization appears in the second layer.

Dans ce cas, l'aimantation t ) est créée par t Hb (condition 5H > Cependant, comme la température est encore supérieure à la température TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la première couche.In this case, the magnetization t) is created by t Hb (condition 5H> However, since the temperature is still higher than the temperature TCl, no magnetization appears in the first layer.

Lorsque la température du milieu diminue encore audessous de la température T 2' la relation entre les intensités des vecteurs est inversée ( à ##) ) bien que les directions des spins TR et MT restent les mêmes. En conséquence, la direction d'aimantation de l'alliage dans son ensemble est inversée de t à la "direction non A" g (condition 6H >
Dans la condition 6H, comme la température du milieu est supérieure à la température rr l'aimantation de la première couche n'a pas encore apparu. En outre, comme le champ coercitif HC2 est élevé à cette température, la direction de l'aimantation ss de la seconde couche ne peut pas être inversée par le champ t Hb.When the temperature of the medium decreases further below the temperature T 2 ', the relationship between the intensities of the vectors is reversed (at ##), although the directions of the spins TR and MT remain the same. As a result, the magnetization direction of the alloy as a whole is inverted from t to the "non-A direction" g (condition 6H>
In the condition 6H, as the temperature of the medium is higher than the temperature rr the magnetization of the first layer has not yet appeared. In addition, since the coercive field HC2 is raised at this temperature, the direction of the magnetization ss of the second layer can not be reversed by the field t Hb.

Lorsque la température du milieu diminue et est légèrement inférieure a la température TCl, l'aimantation apparaît dans la première couche. A ce moment, la force de couplage d'échange à partir de la seconde couche agit par alignement de chacun des spins TR et MT ( et t) de la première et de la seconde couche. Ainsi, l'aimantation tt, c' est-à-dire , apparaît dans la première couche. Cet état correspond a la condition 7H
Ensuite, la température du milieu diminue de la température de la condition 7H à la température ambiante.When the temperature of the medium decreases and is slightly lower than the temperature TC1, the magnetization appears in the first layer. At this time, the exchange coupling force from the second layer acts by aligning each of the spins TR and MT (and t) of the first and second layers. Thus, the magnetization, that is to say, appears in the first layer. This state corresponds to condition 7H
Then, the temperature of the medium decreases from the temperature of condition 7H to room temperature.

Comme le champ coercitif HCl à la température ambiante est suffisamment élevé, la condition 7H est maintenue sans inversion - de la direction d'aimantation de la première couche par le champ t Hb. De cette manière, la formation du bit dans la "direction non A" est terminée. Since the coercive field HCl at room temperature is sufficiently high, condition 7H is maintained without inversion - of the direction of magnetization of the first layer by the field t Hb. In this way, formation of the bit in the "non-A direction" is complete.

On décrit maintenant le cycle à faible température en référence å la figure 15. The low temperature cycle is now described with reference to FIG.

Dans la condition 1, juste avant l'enregistrement, la température du milieu est portée à la valeur TL par irradiation par le faisceau laser de faible niveau.- Comme la température TL est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la première couche, l'aimantation de la première couche disparaît (condition 2L >
Dans la condition 2L' lorsque la partie irradiée est séparée de la tacne formee,par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque la température du milieu est légèrement inférieure à la température TCl, la première couche est influencée par les spins TR et
MT (tt) de la seconde couche sous l'action de la force de coupl-age d'échange.En d'autres termes, la force de couplage d'échange provoque l'alignement de chacun des spins
TR et MT (t et ) de la première et de la seconde couche.In condition 1, just before recording, the temperature of the medium is raised to the TL value by irradiation with the low level laser beam. As the temperature TL is substantially equal to the Curie temperature TC1 of the first layer, the magnetization of the first layer disappears (condition 2L>
In the condition 2L 'when the irradiated part is separated from the formed teapot, by the laser beam, the temperature of the medium begins to decrease. When the temperature of the medium is slightly lower than the temperature TCl, the first layer is influenced by the spins TR and
MT (tt) of the second layer under the action of the exchange coupling-age force. In other words, the exchange coupling force causes the alignment of each of the spins.
TR and MT (t and) of the first and second layers.

En conséquence, l'aimantation tz, c'est-à-dire t, apparaît dans la première couche (condition 3L >
La condition 3L est conservée même lorsque la température du milieu est réduite à la température ambiante. En conséquence, un bit dans la "direction A" est formé dans la première couche.As a result, the magnetization tz, i.e. t, appears in the first layer (condition 3L>
Condition 3L is retained even when the temperature of the medium is reduced to room temperature. As a result, a bit in the "A direction" is formed in the first layer.

On décrit maintenant en détail le principe du procédé selon la présente invention par utilisation d'un support particulier n0 3 appartenant à la classe 3 (type P, quadrant I, type 3) représentée dans le tableau 1. The principle of the method according to the present invention is now described in detail by using a particular support n0 3 belonging to class 3 (type P, quadrant I, type 3) represented in table 1.

Le support n0 3 satisfait à l'équation (21)
T R < T C1 L < T --T (21)
comp.1 Cl L C2 H
Le graphique de la figure 16 représente cette relation.Support No. 3 satisfies equation (21)
TR <T C1 L <T - T (21)
comp. 1 Cl L C2 H
The graph in Figure 16 represents this relationship.

Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche de référence 2 sans inverser celle de la couche d'enregistrement 1 sous l'action du champ initial (Hini) à la température ambiante TR est représentée par l'équation (22). Le support d'enregistrement n0 3 satisfait à l'équation (22) à la température T ::
HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2) (22) dans laquelle
HCl = champ coercitif de la couche d'enregistrement 1
HC2 = champ coercitif de la couche de référence 2
MS1 = aimantation à saturation de la couche 1
MS2 = aimantation à saturation de la couche 2
tl = épaisseur du film de la couche 1
t2 = épaisseur du film de la couche 2
a = énergie de la paroi de l'interface
w
A ce moment, une condition du champ Hini est représentée par l'équation (25). Si le champ Hini disparaît, l'aimantation inversée de la couche de référence 2 est influencée par l'aimantation de la couche d'enregistrement 1 du fait de la force de couplage d'échange.La condition qui maintient la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (23) et (24) qui sont satisfaites par le support n0 3
HCl > (aw/2MSltl) (23)
HC2 > (#w/2MS2t2) (24)
HC2+(#w/2MS2t2) < Hini < Hî(aw/2M5î) (25)
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement, qui peut satisfaire aux équations (22) à (24) à la température TR, est alignée dans la "direction A" t () par le champ Hini qui correspond à l'équation (25). A ce moment, la couche d'enregistrement 1 est maintenue à l'état enregistré (condition 1 des figures 17 et 18).A condition which reverses the magnetization direction of the reference layer 2 without reversing that of the recording layer 1 under the action of the initial field (Hini) at room temperature TR is represented by equation (22). Recording medium n0 3 satisfies equation (22) at temperature T ::
HC1> HC2 + (# w / 2MS1t1) + (# w / 2MS2t2) (22) in which
HCl = coercive field of the recording layer 1
HC2 = coercive field of the reference layer 2
MS1 = saturation magnetization of layer 1
MS2 = saturation magnetization of layer 2
tl = thickness of the layer 1 film
t2 = thickness of the layer 2 film
a = wall energy of the interface
w
At this time, a condition of the Hini field is represented by Equation (25). If the Hini field disappears, the inverted magnetization of the reference layer 2 is influenced by the magnetization of the recording layer 1 due to the exchange coupling force. The condition which maintains the magnetization direction of layer 2 is represented by equations (23) and (24) which are satisfied by support # 3
HCl> (aw / 2MSltl) (23)
HC2>(# w / 2MS2t2) (24)
HC2 + (# w / 2MS2t2) <Hini <H1 (aw / 2M5I) (25)
The magnetization of the layer 2 of the recording medium, which can satisfy the equations (22) to (24) at the temperature TR, is aligned in the "direction A" t () by the field Hini corresponding to the equation (25). At this time, the recording layer 1 is kept in the recorded state (condition 1 of FIGS. 17 and 18).

La condition 1 est remplie jusqu'à un moment qui précède immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 17.Condition 1 is fulfilled until a moment immediately before registration. In this case, the polarization field (Hb) is applied in the direction
The high temperature cycle is now described with reference to FIG. 17.

Dans la condition 1, lorsque la température du milieu est portée à TL par irradiation par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, comme la température TL est pratiquement égale à la température de Curie Tç1 de la couche d'enregistrement 1, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H >
Lorsque l'irradiation-par le faisceau laser se poursuit, comme la température T H du milieu est pratiquement égale à la température TC2, l'aimantation de la couche 2 disparaît aussi (condition
Dans la condition 3H, lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque la tempéra ture du milieu diminue légèrement au-dessous de la température TC2, l'aimantation apparaît dans la couche 2.Dans ce cas, l'aimantation # (tt) est créée par s Hb. Cependant, comme la température est encore supérieure à la température TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la couche 1. Cet état correspond à la condition 4H
Lorsque la température du milieu diminue et est légèrement inférieure à la température T l'aimantation apparaît dans la couche 1. A ce moment, la force de couplage d'échange à partir de la couche 2 provoque un alignement de chacun des spins TR et MT ( et t > des couches 1 et 2.Comme la température du milieu dépasse la température
Tcomp.1, le spin MT est supérieur au spin TR (##). En conséquence, l'aimantation t apparaît dans la couche 1 (condition 5H >
Lorsque la température du milieu diminue encore à partir de la température de la condition 5H et est inférieure à la température TComp.1, la relation entre les intensités des spins MT et TR de la couche 1 est inversée (;t à ## ). Pour cette raison, la direction d'aimantation de la couche 1 est inversée à la "direction non A" # (condi- tion 6H >
Ensuite, la température du milieu diminue depuis la température de la condition 6H jusqu'à la température ambiante.Comme le champ coercitif HCl à température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est conservée de manière stable. De cette manière, la formation des bits dans la "direction non A" est déterminée. In condition 1, when the temperature of the medium is brought to TL by irradiation by irradiation with the high level laser beam, as the temperature TL is substantially equal to the Curie temperature Tc1 of the recording layer 1, the magnetization of layer 1 disappears (condition 2H>
When the irradiation-by the laser beam continues, as the temperature TH of the medium is substantially equal to the temperature TC2, the magnetization of the layer 2 also disappears (condition
In condition 3H, when an irradiated portion is separated from the spot formed by the laser beam, the temperature of the medium begins to decrease. When the temperature of the medium decreases slightly below the temperature TC2, the magnetization appears in the layer 2. In this case, the magnetization # (tt) is created by s Hb. However, since the temperature is still higher than the temperature TC1, no magnetization appears in the layer 1. This state corresponds to the condition 4H
When the temperature of the medium decreases and is slightly lower than the temperature T the magnetization appears in the layer 1. At this moment, the exchange coupling force from the layer 2 causes an alignment of each of the spins TR and MT (and t> layers 1 and 2.As the temperature of the medium exceeds the temperature
Tcomp.1, the spin MT is greater than the spin TR (##). As a result, the magnetization t appears in layer 1 (condition 5H>
When the temperature of the medium again decreases from the temperature of the condition 5H and is lower than the temperature TComp.1, the relation between the intensities of the spins MT and TR of the layer 1 is reversed (; t to ##). For this reason, the magnetization direction of layer 1 is reversed at the "non-A direction"# (condition 6H>
Then, the temperature of the medium decreases from the temperature of the condition 6H to room temperature. As the coercive field HCl at room temperature is sufficiently high, the magnetization of the layer 1 is stored stably. In this way, bit formation in the "non-A direction" is determined.

On décrit maintenant le cycle à faible température en référence à la figure 18. The low temperature cycle is now described with reference to FIG.

Dans la condition 1, juste avant l'enregistrement, la température du milieu est élevée à TL par irradiation par le faisceau laser de faible niveau. Comme la température T L est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche 1 d'enregistrement, l'aimantation de la couche 1 disparaît. Cependant, à cette température, comme le champ coercitif HC2 de la couche 2 est suffisamment élevée, l'aimantation de la couche 2 ne s'inverse pas sous l'action du champ de polarisation i Hb (condition 2L >
Dans la condition 2L' lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la température du milieu est légèrement inférieure à la température TCl, les spins respectifs de la couche 1 d'enregistrement sont influencés par les spins TR et MT (t) de la couche 2 de référence sous l'action de la force de couplage d'échange.In condition 1, just before recording, the temperature of the medium is raised to TL by irradiation with the low level laser beam. Since the temperature TL is practically equal to the Curie temperature TC1 of the recording layer 1, the magnetization of the layer 1 disappears. However, at this temperature, since the coercive field HC2 of the layer 2 is sufficiently high, the magnetization of the layer 2 is not reversed under the action of the polarization field i Hb (condition 2L>
In condition 2L 'when an irradiated part is separated from the spot of the laser beam, the temperature of the medium begins to decrease.When the temperature of the medium is slightly lower than the temperature TCl, the respective spins of the recording layer 1 are influenced by the TR and MT (t) spins of the reference layer 2 under the action of the exchange coupling force.

En d'autres termes, la force de couplage d'échange agit pour provoquer l'alignement de chacun des spins TR et MT (t et t) des couches 1 et 2. En conséquence, l'aimantation c'est-à-dire +, apparaît dans la couche 1. Dans ce cas, comme la température du milieu est supérieure à la tempéra ture TComp. 1 le spin MT est supérieur au spin TR (condi
comp. 1'- tion 3L >
Lorsque la température du milieu continue à diminuer au-dessous de la température Tc0mp. T la relation entre les intensités des spins TR et MT de la couche 1 est inversée de la même manière que dans le cycle à température élevée (t+ à t)- En conséquence, l'aimantation t, par rapport au champ de polarisation ; Hb apparaît dans la couche 1 (condition 4L > '
La condition 4L est maintenue même lorsque la température du milieu est réduite à la température ambiante. De cette manière, la formation de bits dans la "direction A" # est terminée.In other words, the exchange coupling force acts to cause the alignment of each of the TR and MT spins (t and t) of the layers 1 and 2. Consequently, the magnetization, that is to say +, appears in layer 1. In this case, since the temperature of the medium is higher than the temperature TComp. 1 the spin MT is greater than the spin TR (conditions
comp. 3L>
When the temperature of the medium continues to decrease below the temperature Tc0mp. T the relationship between the TR and MT spin intensities of layer 1 is reversed in the same way as in the high temperature cycle (t + t) - As a result, the magnetization t, with respect to the bias field; Hb appears in layer 1 (condition 4L>'
Condition 4L is maintained even when the temperature of the medium is reduced to room temperature. In this way, bit formation in "A direction"# is complete.

On décrit maintenant en détail le principe du procédé selon. l'invention mettant en oeuvre un support particulier d'enregistrement n0 4 appartenant à la classe 4 (type P, quadrant I, type 4) représentée sur la figure I. The principle of the process according to. the invention using a particular recording medium n0 4 belonging to class 4 (type P, quadrant I, type 4) shown in FIG.

Le support n0 4 satisfait à l'équation (26)
TR < TC1#TL < TC2#TH (26)
Le graphique de la figure 19 représente cette relation.Support No. 4 satisfies Equation (26)
TR <TC1 # TL <TC2 # TH (26)
The graph in Figure 19 represents this relationship.

Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche de référence 2 sans inverser celle de la couche d'enregistrement 1 sous l'action du champ initial (Hini) à la température ambiante TR est représentée par l'équation 27 Le support n0 4 satisfait à l'équation (27) à la température TR :: HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2) (27')
dans laquelle
HC1 = champ coercitif de la couche d'enregistrement 1
HC2 = champ coercitif de la couche de référence 2
M; = aimantation à saturation de la couche
Ms2 = aimantation à saturation de la couche 2
t1 = épaisseur du film de la couche 1
t2 = épaisseur du film de la couche 2 ow = énergie de la paroi d'interface. A condition which reverses the magnetization direction of the reference layer 2 without inverting that of the recording layer 1 under the action of the initial field (Hini) at room temperature TR is represented by equation 27 The support n0 4 satisfies equation (27) at temperature TR :: HC1> HC2 + (# w / 2MS1t1) + (# w / 2MS2t2) (27 ')
in which
HC1 = coercive field of the recording layer 1
HC2 = coercive field of the reference layer 2
M; = saturation magnetization of the layer
Ms2 = saturation magnetization of layer 2
t1 = thickness of the layer 1 film
t2 = thickness of the film of the layer 2 ow = energy of the interface wall.

A ce moment, une condition du champ Hini est représentée par l'équation (30). Lorsque le champ Hini disparait, l'aimantation inversée de la couche 2 de référence est influencée par l'aimantation de la couche 1 d'enregistrement par la force de couplage d'échange. La condition qui permet le maintien de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (28) et (29) qui sont satisfaites par le support n0 4
Hcl > (aw/2Msltl) (28)
HC2 > (#w/2MS2t2) (29) Hç2+(aw/2M52t2) < |Hini| < HC1 -(#w/2MS1t1) (30)
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui peut satisfaire aux équations (27) à (29) à la température TR est alignée dans la "direction A" R (##) par le champ Hini qui correspond à l'équation (30). A ce moment, la couche 1 d'enregistrement est maintenue à l'état enregistré (condition 1 des figures 20 et 21).At this time, a condition of the Hini field is represented by Equation (30). When the Hini field disappears, the inverted magnetization of the reference layer 2 is influenced by the magnetization of the recording layer 1 by the exchange coupling force. The condition which allows the maintenance of the magnetization direction of the layer 2 is represented by the equations (28) and (29) which are satisfied by the support No. 4
Hcl> (aw / 2Msltl) (28)
HC2>(# w / 2MS2t2) (29) Hc2 + (aw / 2M52t2) <| Hini | <HC1 - (# w / 2MS1t1) (30)
The magnetization of the layer 2 of the recording medium which can satisfy the equations (27) to (29) at the temperature TR is aligned in the "direction A" R (##) by the field Hini corresponding to the equation (30). At this time, the recording layer 1 is maintained in the recorded state (condition 1 of FIGS. 20 and 21).

La condition 1 est maintenue jusqu'à un moment qui précède immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction C1
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 20.Condition 1 is maintained until a time immediately preceding registration. In this case, the polarization field (Hb) is applied in the direction C1
The high temperature cycle is now described with reference to FIG.

Lorsque la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, comme la température T L est pratiquement égale à la température de
Curie TCl de la couche 1 d'enregistrement, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H)
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et lorsque la température du milieu est égale à la température TH, comme cette température TH de la couche 2 est pratiquement égale à la température de Curie TC2, l'aimantation de la couche 2 disparaît aussi. Cet état correspond à la condition 3H
Dans la condition 3 lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la température du milieu diminue légèrement au-dessous de la température TC2, l'aimantation de la couche 2 apparaît. Dans ce cas, l'aimantation + (t) est créée par ; Hb. Cependant, comme la température est encore supérieure à la température aucune aimantation n'apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 4H
Lorsque la température du milieu diminue et est légèrement inférieure à la température TCl, l'aimantation apparaît dans la couche 1. A ce moment, la force de couplage d'échange de la couche 2 a pour action d'aligner chacun des spins TR et MT (; et t ) des couches 1 et 2.En conséquence, l'aimantation ft, ctest-à-dire + apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 5H
Ensuite, la température du milieu diminue depuis la température de la condition .5H jusqu'à température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est conservée de manière stable. De cette manière, la formation d'un bit dans la "direction non A" est terminée.When the temperature of the medium is brought to TL by irradiation by the high level laser beam, as the temperature TL is practically equal to the temperature of
Curie TCl of the recording layer 1, the magnetization of layer 1 disappears (condition 2H)
When the irradiation by the laser beam continues and when the temperature of the medium is equal to the temperature TH, as this temperature TH of the layer 2 is practically equal to the Curie temperature TC2, the magnetization of the layer 2 also disappears. . This state corresponds to condition 3H
In condition 3 when an irradiated part is separated from the spot formed by the laser beam, the temperature of the medium begins to decrease. When the temperature of the medium decreases slightly below the temperature TC2, the magnetization of the layer 2 appears. In this case, the magnetization + (t) is created by; Hb. However, as the temperature is still higher than the temperature no magnetization appears in the layer 1. This state is the condition 4H
When the temperature of the medium decreases and is slightly lower than the temperature TCl, the magnetization appears in the layer 1. At this moment, the exchange coupling force of the layer 2 acts to align each of the spins TR and MT (; and t) layers 1 and 2. As a result, the magnetization ft, that is, + appears in layer 1. This state is the 5H condition
Then, the temperature of the medium decreases from the temperature of the condition 5H to room temperature. As the coercive field HCl at room temperature is sufficiently high, the magnetization of layer 1 is stably maintained. In this way, bit formation in the "non-A direction" is complete.

On décrit maintenant le cycle à faible température en référence à la figure 21. The low temperature cycle is now described with reference to FIG.

Dans la condition 1, juste avant 11 enregistrement, la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de faible niveau. Comme la température T L dépasse la température de Curie TC1 de la couche 1 d'enregistrement, l'aimantation de la couche 1 disparaît. In condition 1, just before recording, the temperature of the medium is raised to TL by irradiation with the low level laser beam. As the temperature T L exceeds the Curie temperature TC1 of the recording layer 1, the magnetization of the layer 1 disappears.

Cependant, à cette température, comme le champ coercitif
HC2 de la couche 2 est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation ; ho. Cet état correspond å la condition 2L
Dans la condition 2Lt lorsqu'une partie irradiée se sépare de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque la température du milieu est légèrement inférieure à la température TCl, les spins respectifs de la couche 1 d'enregistrement sont influencés par les spins TR et MT (tC) de la couche 2 étant donné la force de couplage d'échange.En d'autres termes, la force de couplage d'échange agit sur 'alignement de chacun des spins TR et MT (t et t) des couches 1 et 2. En conséquence, l'aimantation tf, c'est-à-dire t, indépendamment du champ de polarisation 1 Hb, apparaît dans la couche 1; Cet état est la condition
La condition 3L est maintenue même lorsque la température du milieu diminue température ambiante. De cette manière, la formation du bit dans la "direction A"' t est terminée.However, at this temperature, like the coercive field
HC2 of layer 2 is sufficiently high, the magnetization of layer 2 is not reversed by the bias field; ho. This state corresponds to condition 2L
In condition 2Lt when an irradiated part separates from the spot of the laser beam, the temperature of the medium begins to decrease. When the temperature of the medium is slightly lower than the temperature TC1, the respective spins of the recording layer 1 are influenced by the spins TR and MT (tC) of the layer 2, given the exchange coupling force. In other words, the exchange coupling force acts on the alignment of each of the spins TR and MT (t and t) of the layers 1 and 2. Consequently, the magnetization tf, that is to say t, independently of the polarization field 1 Hb, appears in layer 1; This state is the condition
Condition 3L is maintained even when the temperature of the medium decreases ambient temperature. In this way, bit formation in the "A direction" is complete.

On décrit maintenant en détail le principe du procédé selon l'invention mettant en oeuvre un support particulier n0 5 appartenant à la classe 5 (type A, quadrant Il, type 3) représentée dans le tableau 1. The principle of the method according to the invention is now described in detail, using a particular support n0 belonging to class 5 (type A, quadrant II, type 3) represented in table 1.

Le support n0 5 satisfait à l'équation (31)
TR < Tcpmp.1 < TC1#TL < TC2#TH (31)
Le graphique de la figure 22 représente cette relation.Support No. 5 satisfies equation (31)
TR <Tcpmp.1 <TC1 # TL <TC2 # TH (31)
The graph in Figure 22 represents this relationship.

Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche 2 de référence sans inverser celle de la couche 1 d'enregistrement par le champ initial (Hini) à température ambiante TR est représentée par l'équation (32). Le support n0 5 satisfait à l'équation (32) à la température T R:
HC1 > HC2+|(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2)| (32)
dans laquelle
HCl = champ coercitif de la couche d'enregistrement 1
HC2 = champ coercitif de la couche de référence 2
MSl = aimantation à saturation de la couche 1
M31 = aimantation à saturation de la couche 2
tl = épaisseur du film de la couche 1
t2 = épaisseur du film de la couche 2 = = énergie de paroi d'interface. A condition that reverses the magnetization direction of the reference layer 2 without inverting that of the recording layer 1 by the initial field (Hini) at room temperature TR is represented by equation (32). Support No. 5 satisfies equation (32) at temperature TR:
HC1> HC2 + | (# w / 2MS1t1) - (# w / 2MS2t2) | (32)
in which
HCl = coercive field of the recording layer 1
HC2 = coercive field of the reference layer 2
MS1 = saturation magnetization of layer 1
M31 = saturation magnetization of layer 2
tl = thickness of the layer 1 film
t2 = film thickness of layer 2 = = interface wall energy.

A ce moment, une conditio du champ Hini est représentée par l'équation (35). Si le champ Hini disparaît, l'aimantation inversée de la couche 2 de référence est influencée par l'aimantation de la couche 1 d'enregistrement du fait de la force de couplage d'échange. La condition qui permet le maintien de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (33) et (34). Le support n0 5 satisfait aux équations (33) et (34). At this time, a conditio of the Hini field is represented by equation (35). If the Hini field disappears, the inverted magnetization of the reference layer 2 is influenced by the magnetization of the recording layer 1 due to the exchange coupling force. The condition for maintaining the magnetization direction of layer 2 is represented by equations (33) and (34). Support No. 5 satisfies equations (33) and (34).

HC1 > (#w/2MS1t1) (33)
HC2 > (aw/2M52t2) (34)
HC2+(#w/2MS2t2) < |Hini| < HC1+(#w/2MS1t1) (35)
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui peut satisfaire aux équations (32) à (34) à la température T R est alignée dans la "direction A" R ( ;t, par le champ Hini qui satisfait à l'équation (35). A ce moment, la couche 1 d'enregistrement est maintenue à l'état enregistré (condition 1 des figures 23 et 24).HC1>(# w / 2MS1t1) (33)
HC2> (aw / 2M52t2) (34)
HC2 + (# w / 2MS2t2) <| Hini | <HC1 + (# w / 2MS1t1) (35)
The magnetization of the layer 2 of the recording medium which can satisfy the equations (32) to (34) at the temperature TR is aligned in the "direction A" R (; t, by the field Hini which satisfies the Equation (35) At this time, the recording layer 1 is maintained in the recorded state (condition 1 of Figures 23 and 24).

La condition 1 est conservée jusqu'à un point qui précède immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction ;' .  Condition 1 is retained until a point immediately before recording. In this case, the bias field (Hb) is applied in the direction; .

On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 23. The high temperature cycle is now described with reference to FIG. 23.

Lorsque la température du milieu est augmentée jusqu'à TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, comme la température TL est- pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche 1 d'enregistrement, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H >
Lorsque le rayonnement du faisceau laser se poursuit et lorsque la température du milieu est égale à la température TH, comme la température TH de la couche 2 est pratiquement égale à la température de Curie TC2, l'aimantation de la couche 2 disparaît aussi (condition 3H >
Dans la condition 3 lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la température du milieu diminue légèrement au-dessous de la température TC2, l'aimantation de la couche 2 apparaît. Dans ce cas, l'aimantation 11 (tt)- est créée par z Hb.- Cependant, comme la température est encore supérieure à la température
TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la couche 1. Cet état correspond à la-condition 4H
Lorsque la température du milieu diminue encore légèrement au-dessous de la température TCl, l'aimantation apparaît dans la couche 1. A ce moment, la force de couplage d'échange de la couche 2 agit par alignement des spins TR et MT (t et ) des couches 1 et 2.Dans ce cas, comme la température du milieu est très supérieure à la température Tcomp. 1, le spin MT est supérieur au spin TR (tt) En conséquence, l'aimantation +. apparaît dans la couche 2 (condition 5H)
Lorsque la température du milieu diminue au-dessous de la température TComp 1 depuis la température de la condition 5H' la relation entre les intensités des spins MT et
TR de la couche 1 est inversée (t à t). Pour cette raison, l'aimantation de-la couche 1 est inversée dans la "direction A" t (condition 6H >
La température du milieu diminue alors depuis la température de la condition 6h vers la température ambiante.Comme le champ coercitif HCl à la température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est conservée de manière stable. De cette manière, la formation du bit dans la "direction A" est terminée.When the temperature of the medium is increased to TL by irradiation with the high level laser beam, as the temperature TL is practically equal to the Curie temperature TC1 of the recording layer 1, the magnetization of the layer 1 disappears (condition 2H>
When the radiation of the laser beam continues and when the temperature of the medium is equal to the temperature TH, as the temperature TH of the layer 2 is substantially equal to the Curie temperature TC2, the magnetization of the layer 2 also disappears (condition 3H>
In condition 3 when an irradiated part is separated from the spot formed by the laser beam, the temperature of the medium begins to decrease. When the temperature of the medium decreases slightly below the temperature TC2, the magnetization of the layer 2 appears. In this case, the magnetization 11 (tt) - is created by z Hb. However, as the temperature is still higher than the temperature
TCl, no magnetization does not appear in layer 1. This state corresponds to condition 4H
When the temperature of the medium further decreases slightly below the temperature TC1, the magnetization occurs in the layer 1. At this time, the exchange coupling force of the layer 2 acts by aligning the TR and MT spins (FIG. and) layers 1 and 2. In this case, as the temperature of the medium is much higher than the temperature Tcomp. 1, the spin MT is greater than the spin TR (tt) As a result, the magnetization +. appears in layer 2 (condition 5H)
When the temperature of the medium decreases below the temperature TComp 1 since the temperature of the condition 5H 'the relationship between the intensities of the spins MT and
TR of layer 1 is inverted (t to t). For this reason, the magnetization of the layer 1 is reversed in the "direction A" t (condition 6H>
The temperature of the medium then decreases from the temperature of the condition 6h to the ambient temperature. As the coercive field HCl at room temperature is sufficiently high, the magnetization of the layer 1 is stored stably. In this way, bit formation in the "A direction" is complete.

On décrit maintenant le cycle à faible température en référence à la figure 24. The low temperature cycle is now described with reference to FIG. 24.

Dans la condition 1 précédant immédiatement I'enregistrement, la température du milieu est portée TL -par irradiation par le faisceau laser de faible niveau. Comme la température TL est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche 1 d'enregistrement, l'aimantation de la couche 1 disparaît. Cependant, à cette température, comme le champ coercitif HC2 de la couche 2 est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation i Hb (condition 2L >
Lorsque l'irradiation par le faisceau est déterminée dans la condition 2R' la température du milieu commence a diminuer.Lorsque la température du milieu est légèrement inférieure à la température TCl, les spins respectifs de la couche d'enregistrement 1 sont influencés par les spins TR et MT (##) de la couche de référence 2 sous l'action-de la force de couplage d'échange. En d'autres termes, la- force de couplage d'échange a pour action d'aligner chacun des spins TR et MT ( et t) de la couche 1 et 2; En conséquence, l'aimantation it, c'est-à-dire t indépendamment du champ de polarisation # Hb; apparaît dans la couche 1.Dans ce cas, comme la température du milieu est supérieure à la température Tcomp. 1, le spin ME est supérieur au spin TR (condition
Lorsque la température du milieu est réduite en-deçà de la température Tcomp 1 la relation entre les intensités
comp. 1' des spins TR et MT de la couche est inversée, comme dans le cycle à température élevée (st à 4t }. En conséquence, l'aimantation de la couche 1 est # (condition 4L >
La condition 4L est conservée même lorsque la température du milieu est réduite à température ambiante. De cette manière; la formation d'un bit dans la "direction non
A" ss est terminée.In condition 1 immediately preceding the recording, the temperature of the medium is raised by irradiation by the low level laser beam. Since the temperature TL is practically equal to the Curie temperature TC1 of the recording layer 1, the magnetization of the layer 1 disappears. However, at this temperature, since the coercive field HC2 of the layer 2 is sufficiently high, the magnetization of the layer 2 is not reversed by the bias field i Hb (condition 2L>
When the irradiation by the beam is determined under condition 2R 'the temperature of the medium begins to decrease. When the temperature of the medium is slightly lower than the temperature TC1, the respective spins of the recording layer 1 are influenced by the spins. TR and MT (##) of the reference layer 2 under the action of the exchange coupling force. In other words, the exchange coupling force acts to align each of the spins TR and MT (and t) of the layers 1 and 2; As a result, the magnetization it, i.e., independently of the polarization field # Hb; appears in layer 1. In this case, since the temperature of the medium is higher than the temperature Tcomp. 1, the spin ME is greater than the spin TR (condition
When the temperature of the medium is reduced below the temperature Tcomp 1 the relationship between the intensities
comp. The TR and MT spins of the layer are reversed, as in the high temperature cycle (st to 4t), therefore the magnetization of layer 1 is # (condition 4L>
Condition 4L is maintained even when the temperature of the medium is reduced to room temperature. In this way; forming a bit in the "no direction"
It's over.

On décrit maintenant en détail le principe du pro cédé- selon la présente invention par utilisation d'un support particulier d'enregistrement n0 6 appartenant 'a la classe 7 (type A, quadrant Il, type 4) représentée dans le tableau 1. The principle of the process according to the present invention is now described in detail by using a particular recording medium No. 6 belonging to class 7 (type A, quadrant II, type 4) shown in Table 1.

Le support n0 6 satisfait à l'équation (36)
TR < TCl TL < TC2=TH (36)
Le graphique de la figure 25 représente cette relation.Support No. 6 satisfies equation (36)
TR <TC1 TL <TC2 = TH (36)
The graph in Figure 25 represents this relationship.

Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche 2 de référence sans inverser celle de la couche 1 d'enregistrement par le champ initial (Hini) à température ambiante T R est représentée par l'équation (37). Le support n0 6 satisfait à l'équation (37) à la température TR
HC1 > HC2+|(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2) (37) dans laquelle
HCl = champ coercitif de la couche d'enregistrement 1
HC2 = champ coercitif de la couche de référence 2
MSY; = aimantation à saturation de la couche 1
Ms2 = aimantation à saturation de la couche 2
tl = épaisseur du film de la couche 1
t2 = épaisseur du film de la couche 2 #w = énergie de paroi d'interface. A condition that reverses the magnetization direction of the reference layer 2 without reversing that of the recording layer 1 by the initial field (Hini) at room temperature TR is represented by equation (37). Support n0 6 satisfies equation (37) at temperature TR
HC1> HC2 + | (# w / 2MS1t1) - (# w / 2MS2t2) (37) in which
HCl = coercive field of the recording layer 1
HC2 = coercive field of the reference layer 2
MSY; = saturation magnetization of layer 1
Ms2 = saturation magnetization of layer 2
tl = thickness of the layer 1 film
t2 = film thickness of layer 2 #w = interface wall energy.

A ce moment, une condition du champ Hini est donnée par l'équation (40). Si le champ Hini disparaît, l'aimantation inversée de la couche 2 de référence est influencée par l'aimantation de la couche 1 d'enregistrement sous l'action de la force de couplage d'échange. La condition qui permet le maintien de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (38) et (39) qui sont satisfaites par le support n0 6 HC1 > (#w/2MS1t1) (38-).  At this time, a condition of the Hini field is given by Equation (40). If the Hini field disappears, the inverted magnetization of the reference layer 2 is influenced by the magnetization of the recording layer 1 under the action of the exchange coupling force. The condition that allows the magnetization direction of the layer 2 to be maintained is represented by the equations (38) and (39) which are satisfied by the support n0 6 HC1> (# w / 2MS1t1) (38-).

HC2 > (#w/2MS2t2) (39) HC2+(#w/2MS2t2) < Hini < Hçî+(a/2M51t1) (40)
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui peut satisfaire les équations (37) à (39) à la température T R est alignée sur la "direction A" t ) par le champ Hini qui satisfait à l'équation (40). A ce moment, la couche d'enregistrement 1 est maintenue à l'état enregistré (condition 1 des figures 26 et 27).HC2>(# w / 2MS2t2) (39) HC2 + (# w / 2MS2t2) <Hini <H21 + (a / 2M51t1) (40)
The magnetization of the layer 2 of the recording medium which can satisfy the equations (37) to (39) at the temperature TR is aligned with the "direction A" t) by the field Hini which satisfies the equation (40). ). At this time, the recording layer 1 is kept in the recorded state (condition 1 of FIGS. 26 and 27).

La condition 1 est conservée jusqu' un point précédant immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 26.Condition 1 is retained until one point immediately before recording. In this case, the polarization field (Hb) is applied in the direction
The high temperature cycle is now described with reference to FIG.

Dans la condition 1, lorsque la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de- niveau élevé, comme la température T L est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche 1 d'enregistrement, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H)
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et lorsque la température du milieu est égale à la température CH, comme cette température T H de la couche 2 est pratiquement égale à la température de Curie TC2, l'aimantation de la couche 2 disparaît aussi.Cet état correspond à la condition 3H
Dans la condition 3 lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque la température diminue légèrement au-dessous de la température TC2, l'aimantation de la couche 2 apparaît. Dans ce cas, l'aimantation + (t) est créée par le champ z Hb. Cependant, comme la température est encore supérieure à la température TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 4H;
Lorsque la température du milieu a légèrement diminué au-dessous de la température TCl, l'aimantation apparaît dans la couche 1.A ce moment, la force de couplage d'échange de la couche 2 assure l'alignement de chacun des spins TR et MT (t et ) des couches 1 et 2. Pour cette raison, l'aimantation t, c'est-à-dire t, indépendamment du champ de polarisation X Hb, apparaît dans la couche 1. Cet état correspond à la condition 5H
La température du milieu diminue alors depuis la température de la condition 5H jusqu a température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est maintenue de manière stable. De cette maniéré, la formation du bit dans la "direction A" R est terminée.In condition 1, when the temperature of the medium is raised to TL by irradiation with the high level laser beam, as the temperature TL is substantially equal to the Curie temperature TC1 of the recording layer 1, the magnetization of layer 1 disappears (condition 2H)
When the irradiation by the laser beam continues and when the temperature of the medium is equal to the temperature CH, as this temperature TH of the layer 2 is substantially equal to the Curie temperature TC2, the magnetization of the layer 2 also disappears. .This state corresponds to the condition 3H
In condition 3 when an irradiated portion is separated from the spot of the laser beam, the temperature of the medium begins to decrease. When the temperature decreases slightly below the TC2 temperature, the magnetization of layer 2 occurs. In this case, the magnetization + (t) is created by the field z Hb. However, since the temperature is still higher than the temperature TC1, no magnetization appears in the layer 1. This state is the condition 4H;
When the temperature of the medium has slightly decreased below the temperature TC1, the magnetization appears in the layer 1. At this moment, the exchange coupling force of the layer 2 ensures the alignment of each of the spins TR and MT (t and) of layers 1 and 2. For this reason, the magnetization t, that is to say t, independently of the polarization field X Hb, appears in layer 1. This state corresponds to the condition 5H
The temperature of the medium then decreases from the temperature of condition 5H to room temperature. Since the coercive field HCl at room temperature is sufficiently high, the magnetization of layer 1 is stably maintained. In this way, the formation of the bit in the "A direction" R is complete.

On décrit maintenant le cycle à basse température en référence à la figure 27. The low temperature cycle is now described with reference to FIG. 27.

Dans la condition 1 juste avant l'enregistrement, la température du milieu est portée à T L par irradiation par le faisceau laser de faible niveau. Comme la température TL est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche d'enregistrement 1, l'aimantation de la couche '1 disparaît. Cependant, dans cet état, comme le champ coercitif H de la couche 2 est suffisamment élevé, l'aimantation T de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation i Hb. Cet état est celui de la condition 2L
Dans la condition 2 lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la température du milieu est légèrement inférieure à la température TCl, les spins respectifs de la couche d'enregistrement 1 sont influencés par les spins TR et MT (/t) de la couche 2 de référence étant donné la force de couplage d'échange. En d'autres termes, la force de couplage d'échange aligne chacun des spins TR et MT (; et t) des couches 1 et 2. En conséquence, l'aimantation tt, c'est-à-dire +, apparaît dans la couche 1. Cet état est celui de la condition 3L
La condition 3L est conservée même lorsque la température du milieu est réduite à température ambiante. De cette manière, la formation du bit dans la "direction non
A" ss est terminée.In condition 1 just before recording, the temperature of the medium is raised to TL by irradiation with the low level laser beam. Since the temperature TL is substantially equal to the Curie temperature TC1 of the recording layer 1, the magnetization of the layer 1 disappears. However, in this state, since the coercive field H of the layer 2 is sufficiently high, the magnetization T of the layer 2 is not reversed by the bias field i Hb. This state is that of condition 2L
In condition 2 when an irradiated portion is separated from the spot of the laser beam, the temperature of the medium begins to decrease. When the temperature of the medium is slightly lower than the temperature TC1, the respective spins of the recording layer 1 are influenced by the TR and MT (/ t) spins of the reference layer 2 given the exchange coupling force. In other words, the exchange coupling force aligns each of the spins TR and MT (; and t) of the layers 1 and 2. Consequently, the magnetization tt, that is, +, appears in layer 1. This state is that of condition 3L
Condition 3L is retained even when the temperature of the medium is reduced to room temperature. In this way, bit formation in the "non direction"
It's over.

On décrit maintenant en détail le principe du procédé selon l'invention par utilisation d'un support particulier d'enregistrement n0 7 appartenant à la classe 7 (type P, quadrant III, type 4) représentée dans le tableau 1. The principle of the method according to the invention is now described in detail by using a particular recording medium No. 7 belonging to class 7 (type P, quadrant III, type 4) represented in table 1.

Le support d'enregistrement n0 7 satisfait à I'équation (41)
TR < TCl=TL < TC2TH (41)
Le graphique de la figure 28 représente cette relation.The recording medium No. 7 satisfies the equation (41)
TR <TCl = TL <TC2TH (41)
The graph in Figure 28 represents this relationship.

Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche 2 de référence sans inverser celle de la couche 1 d'enregistrement par le champ initiale (Hini) à la température ambiante T R est représentée par l'équation (42). Le support n0 7 satisfait à l'équation (42) à la température TR :
HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2) (42) dans laquelle
HCl = champ coercitif de la couche d'enregistrement 1
HC2 = champ coercitif de la couche de référence 2
MSl = aimantation à saturation de la couche 1
Ms2 = aimantation à saturation de la couche 2
t = épaisseur du film de la couche 1
t2 = épaisseur du film de la couche 2 aw = énergie de paroi d'interface. A condition that reverses the magnetization direction of the reference layer 2 without reversing that of the recording layer 1 by the initial field (Hini) at room temperature TR is represented by equation (42). Support No. 7 satisfies equation (42) at temperature TR:
HC1> HC2 + (# w / 2MS1t1) + (# w / 2MS2t2) (42) in which
HCl = coercive field of the recording layer 1
HC2 = coercive field of the reference layer 2
MS1 = saturation magnetization of layer 1
Ms2 = saturation magnetization of layer 2
t = thickness of the layer 1 film
t2 = film thickness of layer 2 aw = interface wall energy.

A ce moment, une condition du champ Hini est représentée par l'équation (45). Lorsque le champ Hini disparaît, l'aimantation inversée de la couche 2 de référence est influencée par l'aimantation de la couche 1 d'enregistrement du fait de la force de couplage d'échange. La condition qui permet la conservation de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (43) et (44) qui sont satisfaites par le support n0 7 ::
HCl > (#w/2MS1t1) (43) HC2 > (aw/2M52t2) )
Hc2+(aw/2M52t2) < iHinij < HC1-(#w/2MS1t1) (45)
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui permet la satisfaction des équations (42) à (44) à la température TR est alignée dans la "direction A" t ) par le champ Hini qui satisfait à l'équation (45). A ce moment, la couche d'enregistrement 1 est maintenue à l'état enregistré (condition 1 des figures 29 et 30).At this time, a condition of the Hini field is represented by Equation (45). When the Hini field disappears, the inverted magnetization of the reference layer 2 is influenced by the magnetization of the recording layer 1 because of the exchange coupling force. The condition which allows the conservation of the magnetization direction of the layer 2 is represented by the equations (43) and (44) which are satisfied by the support n0 7 ::
HCl>(# w / 2MS1t1) (43) HC2> (aw / 2M52t2))
Hc2 + (aw / 2M52t2) <iHinij <HC1 - (# w / 2MS1t1) (45)
The magnetization of the layer 2 of the recording medium which allows the satisfaction of the equations (42) to (44) at the temperature TR is aligned in the "direction A" t) by the field Hini which satisfies the equation ( 45). At this time, the recording layer 1 is maintained in the recorded state (condition 1 of FIGS. 29 and 30).

La condition 1 est conservée jusqu a un moment précédant immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de base (Hb) est appliqué dans la direction .  Condition 1 is retained until a moment immediately before registration. In this case, the base field (Hb) is applied in the direction.

On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 29. The high temperature cycle is now described with reference to FIG.

Dans la condition 1, lorsque la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, comme la température T L est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche d'enregistrement 1, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H).  In condition 1, when the medium temperature is raised to TL by irradiation with the high level laser beam, as the temperature TL is substantially equal to the Curie temperature TC1 of the recording layer 1, the magnetization of the layer 1 disappears (condition 2H).

Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et lorsque la température du milieu- est égale à la température TH, comme la température T H de la couche 2 est pratiquement égale à la température de Curie TC2, l'aimantation de la-couche 2 disparaît aussi. Cet état est la condition 3H
Dans la condition 3H, lorsqu'une partie irradiée s'éloigne de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque la température du milieu diminue légèrement au-dessous de la température TC2, l'aimantation de la -couche 2 apparaît. Dans ce cas, l'aimantation i (##) est créée. par X Hb. Cependant, comme la température est encore supérieure à-la température TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la couche 1.Cet état est la condition 4H.When the irradiation by the laser beam continues and when the temperature of the medium is equal to the temperature TH, as the temperature TH of the layer 2 is substantially equal to the Curie temperature TC2, the magnetization of the layer 2 disappears too. This state is condition 3H
In condition 3H, when an irradiated part moves away from the spot of the laser beam, the temperature of the medium begins to decrease. When the temperature of the medium decreases slightly below the temperature TC2, the magnetization of the layer 2 appears. In this case, the magnetization i (##) is created. by X Hb. However, since the temperature is still higher than the temperature TC1, no magnetization occurs in the layer 1. This state is the condition 4H.

Lorsque la température du milieu diminue encore légèrement au-dessous de la température TCl, l'aimantation apparaît dans la couche 1. A ce moment, la force de couplage d'échange de la couche 2 (foc) agit en assurant l'alignement des spins TR et MT (t et t) des couches 1 et 2
Pour cette raison, l'aimantation ##, c'est-à-dire s apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 5H
Ensuite, la température du milieu diminue de la température dans la condition 5H à la température ambiante.When the temperature of the medium further decreases slightly below the temperature TC1, the magnetization appears in the layer 1. At this time, the exchange coupling force of the layer 2 (foc) acts by ensuring the alignment of the spins TR and MT (t and t) of layers 1 and 2
For this reason, the magnetization ##, ie s appears in layer 1. This state is the condition 5H
Then, the temperature of the medium decreases from the temperature in the 5H condition to room temperature.

Comme le champ coercitif HCl à la température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est maintenue de manière stable. De cette façpn, la formation d'un bit dans la "direction non A" + est terminée.Since the coercive field HCl at room temperature is sufficiently high, the magnetization of layer 1 is stably maintained. In this way, bit formation in the "non-A" direction + is complete.

On décrit maintenant un cycle à basse température en référence à la figure 30. A low temperature cycle is now described with reference to FIG.

Dans la condition 1, juste avant l'enregistrement, la température du milieu est portée à TL, par irradiation du faisceau laser de faible niveau. Comme la température TL est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche d'enregistrement, l'aimantation de la couche 1 disparaît. Dans cet état cependant, comme le champ coercitif HC2 de la couche 2 est suffisamment élevé, l'aimantation t de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation t Hb. Cet état est la-condition 2L
Dans la condition 2L, lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la température du milieu est légèrement inférieure à la température Tel, les spins respectifs de la couche 1 d'enregistrement sont influencés par les spins TR et MT (; t ) de la couche de référence 2 sous l'action de la force de couplage d'échange. En d'autres termes, la force de couplage d'échange aligne chacun des spins TR et MT (; et t ) des couches 1 et 2. En conséquence, l'aimantation , c'est-à- dire t, indépendamment du champ de polarisation i Hb, apparait dans la couche 1. Cet état est la condition 3L
La condition 3L est maintenue même lorsque la température du milieu est abaissée à la température ambiante.De cette manière, la formation du bit dans la "direction A" t est terminée.In condition 1, just before recording, the temperature of the medium is brought to TL, by irradiation of the low level laser beam. Since the temperature TL is substantially equal to the Curie temperature TC1 of the recording layer, the magnetization of layer 1 disappears. In this state, however, since the coercive field HC2 of the layer 2 is sufficiently high, the magnetization t of the layer 2 is not reversed by the bias field t Hb. This state is condition 2L
In condition 2L, when an irradiated part is separated from the spot of the laser beam, the temperature of the medium begins to decrease. When the temperature of the medium is slightly lower than the temperature Tel, the respective spins of the recording layer 1 are influenced by the TR and MT spins (; t) of the reference layer 2 under the action of the exchange coupling force. In other words, the exchange coupling force aligns each of the TR and MT spins (and t) of the layers 1 and 2. Accordingly, the magnetization, i.e., t, independently of the field of polarization i Hb, appears in layer 1. This state is condition 3L
Condition 3L is maintained even when the temperature of the medium is lowered to room temperature. In this way, formation of the bit in the "A direction" t is complete.

On décrit maintenant en détail le principe du procédé selon l'invention par utilisation d'un support particulier d'enregistrement n 8 appartenant à la classe 8 (type
A, quadrant IV) type 2) représentée dans le tableau 1. The principle of the method according to the invention is now described in detail by using a particular recording medium 8 belonging to class 8 (type
A, quadrant IV) type 2) shown in Table 1.

Le support d'enregistrement n0 8 satisfait à ltequa- tion (46)
TR < TCl #TL#Tcomp.2 < TC2#TH (46)
Le graphique de la figure 31 représente cette relation.Recording medium n0 8 satisfies ltequation (46)
TR <TCl # TL # Tcomp.2 <TC2 # TH (46)
The graph in Figure 31 represents this relationship.

Une condition qui inverse. la direction d'aimantation de la couche de référence 2 sans inverser celui de la couche d'enregistrement 1 par le champ initial (Hini) à la température ambiante T R est représentée par l'équation (47). Le support n0 8 satisfait à l'équation (47) à la température T R : HCl > HC2+ |(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2) (47) dans laquelle
HCl = champ coercitif de la couche dtenregistrement 1
HC2 = champ coercitif de la couche de référence 2
MS1 = aimantation à saturation de la couche 1
MS2 = aimantation à saturation de la couche 2
tl = épaisseur du film de la couche 1
t2 = épaisseur du film de la couche 2 #w = énergie de paroi d'interface. A condition that reverses. the magnetization direction of the reference layer 2 without inverting that of the recording layer 1 by the initial field (Hini) at room temperature TR is represented by equation (47). Support n0 8 satisfies equation (47) at the temperature TR: HCl> HC2 + | (# w / 2MS1t1) - (# w / 2MS2t2) (47) in which
HCl = coercive field of the recording layer 1
HC2 = coercive field of the reference layer 2
MS1 = saturation magnetization of layer 1
MS2 = saturation magnetization of layer 2
tl = thickness of the layer 1 film
t2 = film thickness of layer 2 #w = interface wall energy.

A ce moment, une condition pour le champ Hini est représentée par l'équation (50). Lorsque le champ Hini disparaît, l'aimantation inversée de la couche 2 de référence est influencée par I'aimantation de la couche 1 d'enregistrement due à la force de couplage d'échange. La condition qui permet le maintien de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (48) et (49) qui sont satisfaites par le support n0 8
HCl > (aW/2MSltl) (48)
HC2 > (#w/2MS2t2) (49)
Hç2+(aw/2M52t2) < |Hini| < HC1+(#w/2MS1t1) (50)
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement, qui peut satisfaire les équations (47 à (49) à la température TR, est alignée sur la "direction A" # (##) par le champ Hini qui correspond à l'équation (50). A ce moment, la couche 1 d'enregistrement est maintenue à l'état enregistré (condition 1 des figures 32 et 33). At this time, a condition for the Hini field is represented by Equation (50). When the Hini field disappears, the inverted magnetization of the reference layer 2 is influenced by the magnetization of the recording layer 1 due to the exchange coupling force. The condition for maintaining the magnetization direction of layer 2 is represented by equations (48) and (49) which are satisfied by support # 8
HCl> (aW / 2MSltl) (48)
HC2>(# w / 2MS2t2) (49)
Hc2 + (aw / 2M52t2) <| Hini | <HC1 + (# w / 2MS1t1) (50)
The magnetization of the layer 2 of the recording medium, which can satisfy the equations (47 to (49) at the temperature TR, is aligned with the "direction A"#(##) by the field Hini which corresponds to the At this time, the recording layer 1 is maintained in the recorded state (condition 1 of Figures 32 and 33).

La condition 1 est conservée jusqu'à un moment précédant immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction t.  Condition 1 is retained until a moment immediately before registration. In this case, the bias field (Hb) is applied in the direction t.

On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 32. The high temperature cycle is now described with reference to FIG.

Dans la condition 1, lorsque la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, comme la température T est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche d'enregistrement 1, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H >
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et lorsque la température du milieu est légèrement supérieure à la température T 2' la relation entre les intensités des spins TR et MT est inversée (## à ##) bien que leurs directions (t et ;) restent les mêmes.En conséquence, la direction d'aimantation de la couche 2 est inversée à la "direction non A" . Cet état est la condition 3H
Cependant, à cette température, comme le champ coercitif HC2 est encore élevé, l'aimantation ; de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation t Hb. On suppose que l'irradiation par le faisceau laser continue et que la température du milieu est portée à TH. Comme la température TH est pratiquement égale à la température T2 l'aimantation de la couche 2 disparaît aussi (condition 4H)
Dans la condition 4H, lorsqu'une partie irradiée s'écarte de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence a diminuer.Lorsque la température du milieu diminue légèrement au-dessous de la température TC2, l'aimantation de la couche 2 apparaît. Dans ce cas, l'aimantation t (##) est créée par le champ t Hb. Cependant, comme la température est encore supérieure à la température TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 5H
Lorsque la température du milieu diminue encore légèrement au-dessous de la température Tcomp,p' la relation entre les intensités des spins TR et MT est inversée (mt à it ) sans inversion des directions ( et t).En consé- quence, la direction d'aimantation de la couche 2 est inversée dans la "direction non A" ;. Dans cet état, comme le champ coercitif HC2 est déjà suffisamment élevé; l'aimantation + de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation t Hb. Dans ce cas, comme la température du milieu est encore supérieure à la température TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 6H
Lorsque la température du milieu diminue encore légèrement au-dessous de la température TCl t l'aimantation apparaît aussi dans la couche 1.A ce moment, l'aimantation (Ct) de la couche 1 agit sur la couche 1 à cause de la force d'accouplement d'échange et provoque l'alignement des spins TR et MT ( et t) des couches 1 et 2. Pour cette raison, l'aimantation t, c'est-à-dire t apparaît dans la couche 1 (condition 7H)
Ensuite, la température du milieu diminue depuis la température de la condition 7H jusqu'à la température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à la température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est conservée de manière stable. Ainsi, la formation du bit dans la "direction A" t est terminée.In condition 1, when the medium temperature is raised to TL by irradiation with the high level laser beam, as the temperature T is substantially equal to the Curie temperature TC1 of the recording layer 1, the magnetization of the layer 1 disappears (condition 2H>
When the irradiation by the laser beam continues and when the temperature of the medium is slightly higher than the temperature T 2 ', the relationship between the intensities of the spins TR and MT is reversed (## to ##) although their directions (t and;) remain the same. As a result, the magnetization direction of layer 2 is reversed at the "non-A direction". This state is condition 3H
However, at this temperature, as the coercive field HC2 is still high, the magnetization; of the layer 2 is not reversed by the polarization field t Hb. It is assumed that the irradiation by the laser beam continues and that the temperature of the medium is brought to TH. Since the temperature TH is practically equal to the temperature T2, the magnetization of the layer 2 also disappears (condition 4H)
In condition 4H, when an irradiated part deviates from the spot of the laser beam, the temperature of the medium begins to decrease. When the temperature of the medium decreases slightly below the temperature TC2, the magnetization of the layer 2 appears. In this case, the magnetization t (##) is created by the field t Hb. However, since the temperature is still higher than the temperature TC1, no magnetization appears in the layer 1. This state is the condition 5H
When the temperature of the medium decreases slightly below the temperature Tcomp, p 'the relation between the intensities of the TR and MT spins is reversed (mt at it) without inverting the directions (and t). As a result, the magnetization direction of layer 2 is reversed in the "non-A direction"; In this state, as the coercive field HC2 is already sufficiently high; the magnetization + of the layer 2 is not reversed by the polarization field t Hb. In this case, since the temperature of the medium is still higher than the temperature TCl, no magnetization appears in the layer 1. This state is the condition 6H
When the temperature of the medium decreases again slightly below the temperature TCl t the magnetization also appears in the layer 1. At this moment, the magnetization (Ct) of the layer 1 acts on the layer 1 because of the force exchange coupling and causes alignment of the TR and MT spins (and t) of layers 1 and 2. For this reason, magnetization t, i.e., t appears in layer 1 (condition 7H)
Then the temperature of the medium decreases from the temperature of condition 7H to room temperature. Since the coercive field HCl at room temperature is sufficiently high, the magnetization of layer 1 is stably maintained. Thus, the formation of the bit in the "A direction" t is complete.

On décrit maintenant le cycle à basse température en référence à la figure 33.  The low temperature cycle is now described with reference to FIG.

Dans la condition 1, juste avant l'enregistrement, la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de faible niveau. Comme la température TL est pratiquement-égale à la température de Curie
TCl de la couche 1 d'enregistrement, l'aimantation de la couche 1 disparaît. Dans cet état cependant, comme le champ coercitif HC2 de la couche- 2 est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation t Hb (condition 2L)
Dans la condition 2L' lorsqu'une partie irradiée s'écarte de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la température est légèrement inférieure à la température TCl, les spins respectifs de la couche 1 d'enregistrement sont influencés par les spins TR et MT (t) de la couche de référence 2, du fait de la force de couplage d'échange. En d'autres termes, la force de couplage d'échange assure l'alignement de chacun des spins TR et MT (t et t) des couches 1 et 2. En conséquence, l'aimantation t , c est-à-dire , indépendamment du champ de polarisation t Hb, apparaît dans la couche 1. Cet état correspond à la condition 3L
La condition 3L est conservée même lorsque la température du milieu est réduite à la température ambiante. De cette manière, la formation du bit dans la "direction non
A" # est terminée.In condition 1, just before recording, the temperature of the medium is raised to TL by irradiation with the low level laser beam. As the temperature TL is practically equal to the Curie temperature
TCl of the recording layer 1, the magnetization of layer 1 disappears. In this state, however, since the coercive field HC2 of the layer-2 is sufficiently high, the magnetization of the layer 2 is not reversed by the polarization field t Hb (condition 2L)
In condition 2L 'when an irradiated part deviates from the spot of the laser beam, the temperature of the medium begins to decrease.When the temperature is slightly lower than the temperature TCl, the respective spins of the recording layer 1 are influenced by the spins TR and MT (t) of the reference layer 2, due to the exchange coupling force. In other words, the exchange coupling force ensures the alignment of each of the spins TR and MT (t and t) of the layers 1 and 2. As a consequence, the magnetization t, c, that is, irrespective of the polarization field t Hb, appears in layer 1. This state corresponds to condition 3L
Condition 3L is retained even when the temperature of the medium is reduced to room temperature. In this way, bit formation in the "non direction"
A "# is finished.

On ,décrit maintenant en détail le principe du procédé de l'invention lors de la mise en oeuvre d'un support particulier d'enregistrement n0 9 appartenant à la classe 9 (type A, quadrant IV, type 4) représentée dans le tableau 1. The principle of the method of the invention is now described in detail when implementing a particular recording medium n0 9 belonging to class 9 (type A, quadrant IV, type 4) represented in table 1 .

Le support n0 9 satisfait à l'équation (51)
TR < TCî =TL < TC2TH (51)
Le graphique de la figure 34 représente cette relation.Support No. 9 satisfies equation (51)
TR <TC1 = TL <TC2TH (51)
The graph in Figure 34 represents this relationship.

Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche 2 de référence sans inverser celle de la couche 1 d'enregistrement par le champ initial (Hini) à la température ambiante T R est représentée par %'équation (52). Le support n0 9 satisfait à l'équation (52) à la température TR
HC1 > HC2+|(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2)| (52) dans laquelle
HCl = champ coercitif de la couche d'enregistrement 1
HC2 = champ coercitif de la couche de référence 2
M51 = aimantation à saturation de la couche 1 = = aimantation à saturation de la couche 2
tl = épaisseur du film de la couche 1
t2 = épaisseur du film de la couche 2 #w = énergie de la paroi dtinterface. A condition which reverses the magnetization direction of the reference layer 2 without inverting that of the recording layer 1 by the initial field (Hini) at room temperature TR is represented by% 'equation (52). Support No. 9 satisfies equation (52) at temperature TR
HC1> HC2 + | (# w / 2MS1t1) - (# w / 2MS2t2) | (52) in which
HCl = coercive field of the recording layer 1
HC2 = coercive field of the reference layer 2
M51 = saturation magnetization of layer 1 = = saturation magnetization of layer 2
tl = thickness of the layer 1 film
t2 = film thickness of layer 2 #w = energy of the interface wall.

A ce moment, une condition que doit remplir le champ
Hini est représentée par l'équation (55). Si le champ Hini disparaît, l'aimantation inversée de la couche de référence 2 est influencée par l'aimåntation de la couche 1 d'enregistrement sous l'action de la force de couplage d'échange.At this moment, a condition that the field must fulfill
Hini is represented by equation (55). If the Hini field disappears, the inverted magnetization of the reference layer 2 is influenced by the magnetization of the recording layer 1 under the action of the exchange coupling force.

La condition qui permet le maintien de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (53) et (54) qui sont satisfaites par le support d'enregistrement n0 9
HC1 > (#w/2MS1t1) (53)
HC2 > (a/2M52t2) (54)
HC2+(#w/2MS2t2) < |Hini| < HC1+(#w/2MS1t1) (55)
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui permet la satisfaction-des équations (52) à (54) à la température T R est alignée dans la "direction A" (tl) par le champ Hini qui satisfait à l'équation (55). k ce moment, la couche d'enregistrement 1 est maintenue à l'état enregistré (condition 1 des figures 35 et 36).The condition that allows the magnetization direction of the layer 2 to be maintained is represented by the equations (53) and (54) which are satisfied by the recording medium No. 9
HC1>(# w / 2MS1t1) (53)
HC2> (a / 2M52t2) (54)
HC2 + (# w / 2MS2t2) <| Hini | <HC1 + (# w / 2MS1t1) (55)
The magnetization of the layer 2 of the recording medium which allows the satisfaction of the equations (52) to (54) at the temperature TR is aligned in the "direction A" (tl) by the field Hini which satisfies the equation (55). at this time, the recording layer 1 is maintained in the recorded state (condition 1 of FIGS. 35 and 36).

La condition 1 est conservée jusqu a un point qui précède immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 35.Condition 1 is retained until a point immediately before registration. In this case, the polarization field (Hb) is applied in the direction
The high temperature cycle is now described with reference to FIG.

Dans la condition 1, lorsque la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, comme la température T L est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche 1 d'enregistrement, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H >
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et lorsque la température du milieu est égale à la température TH, celle-ci est pratiquement égale à la température TC2 et l'aimantation de- la couche 2 disparaît aussi. Cet état constitue la condition 3H
Dans la condition 3Ht lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la température du milieu diminue légèrement au-dessous de la température Toc2, l'aimantation de la couche 2 apparaît. Dans ce cas, l'aimantation 11 (t t ) est créée par le champ ; Hb.In condition 1, when the medium temperature is raised to TL by irradiation with the high level laser beam, as the temperature TL is substantially equal to the Curie temperature TC1 of the recording layer 1, the magnetization of the layer 1 disappears (condition 2H>
When the irradiation by the laser beam continues and when the temperature of the medium is equal to the temperature TH, it is substantially equal to the temperature TC2 and the magnetization of the layer 2 also disappears. This state is the 3H condition
In the condition 3Ht when an irradiated part is separated from the spot formed by the laser beam, the temperature of the medium begins to decrease.When the temperature of the medium decreases slightly below the temperature Toc2, the magnetization of the layer 2 appears. In this case, the magnetization 11 (tt) is created by the field; Hb.

Cependant, comme la température est encore supérieure à la température TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la couche 1. Cet état constitue la condition 4H
Lorsque la température du milieu diminue encore légèrement au-dessous de la température Tcîr l'aimantation apparaît dans la couche 1. A ce moment, la force de couplage d'échange de la couche 2 (l t ) provoque l'alignement de chacun des spins TR et MT (; et t ) des couches 1 et 2.However, since the temperature is still higher than the temperature TC1, no magnetization appears in the layer 1. This state constitutes the condition 4H
When the temperature of the medium further decreases slightly below the temperature, the magnetization occurs in layer 1. At this time, the exchange coupling force of layer 2 (lt) causes the alignment of each of the spins. TR and MT (; and t) layers 1 and 2.

Pour cette raison, l'aimantation ;t, c'est-à-dire R indépendamment du champ de polarisation l Hb, apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 5H
Ensuite, la température du milieu diminue depuis la température de la condition 5H jusqu'à la température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est conservée de manière stable. De cette façon, la formation du bit dans la "direction A" R est terminée.For this reason, the magnetization t, that is to say R independently of the polarization field 1 Hb, appears in layer 1. This state is the condition 5H
Then the temperature of the medium decreases from the temperature of condition 5H to room temperature. As the coercive field HCl at room temperature is sufficiently high, the magnetization of layer 1 is stably maintained. In this way, bit formation in the "A direction" R is complete.

On décrit maintenant le cycle à basse température en référence à la figure 36. The low temperature cycle is now described with reference to FIG.

Dans la condition 1, juste avant l'enregistrement, la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de faible niveau. Comme la température TL est pratiquement égale à la température de Curie
TCl de la couche d'enregistrement I, l'aimantation de la couche 1 disparaît. Cependant, dans cet état, comme le champ coercitif HC2 de la couche 2 est suffisamment élevé, l'aimantation R de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation 1 Hb. Cet état est la condition 2L
Dans la condition 2L' lorsqu'une partie irradiée s'écarte de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la tempéràture du milieu est légèrement inférieure à la température TCl, la couche d'enregistrement 1 est influencée par les spins TR et MT ( t z ) de la couche de référence 2 sous l'action de la force de couplage d'échange. En d'autres termes, la force de couplage d'échange assure l'alignement de chacun des spins TR et MT (t et ) des couches 1 et 2. En conséquence, l'aimantation tt, c'est-à-dire ;, apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 3L
La condition 3L est maintenue même lorsque la température du milieu diminue à température ambiante. De cette manière, la formation du bit dans la "direction non A" est terminée.In condition 1, just before recording, the temperature of the medium is raised to TL by irradiation with the low level laser beam. As the temperature TL is practically equal to the Curie temperature
TCl of the recording layer I, the magnetization of the layer 1 disappears. However, in this state, since the coercive field HC2 of the layer 2 is sufficiently high, the magnetization R of the layer 2 is not reversed by the polarization field 1 Hb. This state is condition 2L
In condition 2L 'when an irradiated part deviates from the spot of the laser beam, the temperature of the medium begins to decrease.When the temperature of the medium is slightly lower than the temperature TCl, the recording layer 1 is influenced by the spins TR and MT (tz) of the reference layer 2 under the action of the exchange coupling force. In other words, the exchange coupling force ensures the alignment of each of the spins TR and MT (t and) of the layers 1 and 2. Consequently, the magnetization tt, that is to say; , appears in layer 1. This state is condition 3L
Condition 3L is maintained even when the temperature of the medium decreases at room temperature. In this way, formation of the bit in the "non-A direction" is complete.

Pour que la durée d'utilisation de la couche magnétique soit prolongée, la formation du film doit être réalisée sous vide pousse. In order for the duration of use of the magnetic layer to be prolonged, the formation of the film must be carried out under high vacuum.

Cependant, suivant les expériences réalisées par les inventeurs, lorsque la première et la seconde couche sont formées de façon continue sous vide poussé indépendamment de l'ordre de formation, la force de couplage d'échange aw entre les couches magnétiques peut souvent devenir trop importante, suivant les matériaux utilisés. However, according to the experiments carried out by the inventors, when the first and second layers are formed continuously under high vacuum independently of the formation order, the exchange coupling force aw between the magnetic layers can often become too great , depending on the materials used.

Dans un support capable d'assurer une superposition d'écriture, pour que l'information de la première couche ne soit pas effacée par 1 t aimantation de la seconde couche initialisée, l'équation suivante doit être satisfaite
HC1 > (#w/2MS1t1) (56)
Pour que l'aimantation de la seconde couche initialisée ne puisse pas être inversée par l'aimantation la première couche, l'équation suivante doit être satisfaite
HC2 > ( a/2M52t2) (57)
En conséquence, lorsque la force de couplage d'échange ow est trop grande, le champ coercitif Hc-et le moment magnétique à saturation Ms sont déterminés par - les matériaux des couches magnétiques. En conséquence, l'épais-, seur t du film doit être accrue.In a medium capable of ensuring a write superposition, so that the information of the first layer is not erased by the magnetization of the initialized second layer, the following equation must be satisfied.
HC1>(# w / 2MS1t1) (56)
So that the magnetization of the initialized second layer can not be reversed by the magnetization of the first layer, the following equation must be satisfied
HC2> (a / 2M52t2) (57)
Consequently, when the exchange coupling force ow is too great, the coercive field Hc-and the saturation magnetic moment Ms are determined by the materials of the magnetic layers. As a result, the thickness of the film must be increased.

Cependant, lorsque l'épaisseur totale des films t12 de la première et de la seconde couche devient trop grande, la capacité calorifique des couches magnétiques est accrue. However, when the total thickness of the films 12 of the first and second layers becomes too great, the heat capacity of the magnetic layers is increased.

En conséquence, lorsqu'un faisceau laser irradie en mode d'enregistrement afin qu'il élève la température du milieu à TH ou Tel, la puissance du faisceau laser doit être accrue si bien que le rendement d'irradiation est mauvais.Accordingly, when a laser beam irradiates in recording mode to raise the temperature of the medium to TH or Tel, the power of the laser beam must be increased so that the irradiation efficiency is poor.

Ainsi, des études poussées ont été réalisées pour la mise au moins d'un moyen permettant la correction (réduction) de la force de couplage d'échange a elle-même
w indépendamment des matériaux des couches magnétiques. En conséquence, on a constaté que, lors qu'un élément non magnétique tel que Si, Ge ou analogue, pouvait être dopé préalablement dans l'une au moins des première et seconde couches, la force de couplage d'échange #w pouvait être réglée d'après la quantité dopée.Thus, extensive studies have been carried out to put at least one means for the correction (reduction) of the exchange coupling force to itself.
w independently of the materials of the magnetic layers. As a result, it has been found that when a non-magnetic element such as Si, Ge or the like could be doped previously in at least one of the first and second layers, the exchange coupling force #w could be adjusted according to the quantity doped.

Cependant, lorsque l'élément non magnétique est simplement dopé afin qu'il règle la force de couplage d'échange aw, un support d'enregistrement, permettant une superposition d'écriture, peut rarement être obtenu. However, when the non-magnetic element is simply doped so that it adjusts the exchange coupling force aw, a recording medium, allowing a write overlay, can rarely be obtained.

La présente invention a pour objet la réalisation d'un support d'enregistrement magnéto-optique permettant une superposition d'écriture, ayant une grande force de couplage d'échange, obtenu par dopage d'un élément non magnétique, sans augmentation de l'épaisseur totale des films de la première et de la seconde couche. It is an object of the present invention to provide a magneto-optical recording medium for writing superposition having a high exchange coupling force obtained by doping a non-magnetic element without increasing the total thickness of the films of the first and second layers.

Des études poussées ont déterminé que, dans un support dans lequel un élément non magnétique est simplement dopé afin qu'il règle la force de couplage d'échange aw et qui ne peut pas réaliser l'opération de superposition d'écriture prévue (1) les informations de la première couche sont effacées par la seconde couche initialisée, ou (2) l'aimantation de la seconde couche initialisée est perturbée par l'aimantation de la première couche et se trouve à un état non initialise.  Extensive studies have determined that in a medium in which a nonmagnetic element is simply doped so that it adjusts the exchange coupling force aw and can not perform the intended write superposition operation (1). the information of the first layer is erased by the initialized second layer, or (2) the magnetization of the initialized second layer is disturbed by the magnetization of the first layer and is in an uninitialized state.

A la suite d'études supplémentaires, on a constaté que, lorsqu'un élément non magnétique était dopé, la force de couplage d'échange aw diminuait, et, simultanément, le produit du champ coercitif HC et du moment magnétique à saturation Ms diminuait aussi. As a result of further studies, it was found that, when a non-magnetic element was doped, the exchange coupling force aw decreased, and simultaneously the product of the coercive field HC and the saturation magnetic moment Ms decreased. as well.

Pour cette raison, les équation (56) et (57) sont modifiées de la manière suivante
1 > #w/2HC1MS1t1 (56A)
l > aw/2HC2M52t2 4 (57A)
Cependant, si le produit HC.Ms dépasse la valeur de décroissance de aw r aw/HçM5 augmente souvent considera blement. Dans ce cas, les équations (56) et (57) ne peuvent pas être satisfaites sans augmentation de l'épaisseur totale des films t12. Ainsi, l'opération de superposition d'écriture est rendue impossible ou incomplète.For this reason, equations (56) and (57) are modified as follows
1># w / 2HC1MS1t1 (56A)
l> aw / 2HC2M52t2 4 (57A)
However, if the HC.Ms product exceeds the decay value of aw r aw / HcM5 often increases considerably. In this case, the equations (56) and (57) can not be satisfied without increasing the total thickness of the films t12. Thus, the write overlay operation is made impossible or incomplete.

Cependant, lorsqu'un élément non magnétique est dopée dans celle des première et seconde couches qui a le plus petit produit H C M5 avant le dopage de l'élément non magnétique, aw/HcMs ne présente pratiquement aucune. augmentation (figure 40). En conséquence, bien que l'épaisseur t du film de la couche dopée ne puisse pas être réduite, l'épaisseur t du film de.la couche non dopée peut être réduite afin que les équations (56) et (57) soient satisfaites puisque le produit HC.Ms reste le même lorsque a w diminue. En consequence, l'épaisseur totale du film t12 peut être réduite à une valeur inférieure à la valeur avant dopage, selon une caractéristique de l'invention. However, when a non-magnetic element is doped into that of the first and second layers which has the smallest product H C M5 before doping the non-magnetic element, aw / HcMs has practically none. increase (Figure 40). Therefore, although the film thickness of the doped layer can not be reduced, the film thickness of the undoped layer can be reduced so that equations (56) and (57) are satisfied since the product HC.Ms remains the same when aw decreases. As a result, the total thickness of the film t12 can be reduced to a value lower than the value before doping, according to a feature of the invention.

Au contraire, si un élément non magnétique est dopé dans la couche ayant le produit HC Ms relativement élevé, oW/HcMs augmente notablement (figure 42). En conséquence, l'épaisseur t du film de la couche dopée doit être conside- rablement accrue afin que les équations (56) et (57) soient satisfaites En conséquence, l'épaisseur totale du film ne peut pas être inférieure à l'épaisseur avant dopage. On the other hand, if a non-magnetic element is doped in the layer having the relatively high HC MS product, oW / HcMs increases significantly (Figure 42). As a result, the film thickness of the doped layer must be considerably increased so that equations (56) and (57) are satisfied. As a result, the total film thickness can not be less than the thickness. before doping.

Lorsqu'un élément non magnétique est dopé à la fois dans la première et la seconde couche, l'épaisseur totale du film ne peut pas être aussi inférieure à l'épaisseur avant dopage. When a non-magnetic element is doped in both the first and second layers, the total thickness of the film can not be less than the thickness before doping.

En conséquence, l'invention concerne un support d'enregistrement magnéto-optique permettant une superposition d'écriture dans lequel un élément non magnétique est dopé dans celle des première et seconde couches ayant le plus petit produit HC M8 afin que la force de couplage d'échange a w soit réglée à une valeur prédéterminée, avec réduction de l'épaisseur totale des films tel2.  Accordingly, the invention relates to a magneto-optical recording medium for writing superposition in which a non-magnetic element is doped into that of the first and second layers having the smallest HC M8 product so that the coupling force of exchange aw is set to a predetermined value, with reduction of the total thickness of the films tel2.

Le moment magnétique d'un corps magnétique est créé par le moment orbital angulaire et le moment de spin angulaire des électrons de la couche externe d'un atome, et son interaction d'échange repose sur le principe de Pauli et sur l'interaction électrostatique entre l'électron et un électron voisin. Pour cette raison, si la distance comprise entre les atomes magnétiques augmente ou si le nombre des atomes magnétiques les plus proches diminue, le recouvrement des fonctions d'onde des électrons des atomes diminue et l'interaction d'échange est réduite. The magnetic moment of a magnetic body is created by the angular orbital moment and the angular spin moment of the electrons of the outer layer of an atom, and its exchange interaction is based on the Pauli principle and the electrostatic interaction. between the electron and a neighboring electron. For this reason, if the distance between the magnetic atoms increases or the number of the nearest magnetic atoms decreases, the overlap of the electron wave functions of the atoms decreases and the exchange interaction is reduced.

Selon la présente invention, un élément non magnétique est dopé dans la couche magnétique afin qu'il allonge pratiquement la distance comprise entre les atomes magne- tiques dans les deux couches et réduise le nombre d'atomes magnétiques les plus proches et réduise ainsi l'interaction d'échange, si bien que la force de couplage d'échange aw est réglée (réduite). According to the present invention, a non-magnetic element is doped in the magnetic layer so that it substantially lengthens the distance between the magnetic atoms in the two layers and reduces the number of closest magnetic atoms and thus reduces the exchange interaction, so that the exchange coupling force aw is set (reduced).

Des exemples d'éléments non magnétiques sont Si, Ge,
Ti, Cr, Cu et In.Examples of non-magnetic elements are Si, Ge,
Ti, Cr, Cu and In.

0,5 atome % d'élément non magnétique au moins est dopé de préférence afin que les effets du dopage soient accentués. Cependant, la quantité réelle de dopage doit être vérifiée expérimentalement d'après la force de couplage d'échange prédéterminée nécessaire aw et le produit correspondant HC.Ms.  At least 0.5 atom% of non-magnetic element is doped preferably so that the effects of doping are accentuated. However, the actual amount of doping must be experimentally verified according to the predetermined exchange coupling force required λ and the corresponding product HC.Ms.

Grâce à la l'invention telle que décrite précédemment, une opération de superposition d'écriture est possible sans que le champ de polarisation Hb soit commuté ou sans que la direction du champ de polarisation Hb soit modifiée. Thanks to the invention as described above, a write superposition operation is possible without the polarization field Hb is switched or without the direction of the polarization field Hb is changed.

D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels
la figure 1 est un schéma utile pour- la description du principe d'enregistrement d'un procédé d'enregistrement magnéto-optique ;
la figure 2 est un schéma illustrant le principe de lecture dans le procédé d'enregistrement magnéto-optique ;
la figure 3A est un schéma d'une structure multicouche d'un support d'enregistrement
la figure 3B est un schéma représentant la direction d'aimantation d'une couche d'enregistrement et d'une couche de référence
la figure 4 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température ;
la figure 5 est un schéma représentant les changements de la direction d'aimantation a un niveau élevé ;;
la figure 6 est un schéma représentant les changements de la direction d'aimantation à un faible niveau ;
la figure 7 représente les variations des changements de direction d'aimantation des figures 5 et 6 pour des supports des types P et A respectivement ;
la figure 8 est une carte indiquant comment les différents types de supports selon l'invention sont classés dans quatre quadrants ;
les figures 9A à 9D sont des graphiques représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas des supports des type I à IV ;
la figure 10 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température d'un support n e 1 ;
les figures 11 et 12 sont des schémas représentant les variations de la direction d'aimantation dans les cycles à températures élevée et faible d'un support n0 1 ; ;
la figure 13 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température du support n0 2 ;
les figures 14 et 15 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible d'un support n0 2
la figure 16 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température d'un support n0 3 ;
les figures 17 et 18 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans les cycles de températures élevée et faible du support n0 3
la figure 19 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le ca d'un support n0 4 ;;
les figures 20 et 21 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans les cycles de températures élevée et faible du support n0 4
la figure 22 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support n0 5
les figures 23 et 24 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans les cycles de températures élevée et faible du support n0 5
la figure 25 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support n0 6
les figures 26 et 27 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible du support n0 6 ;;
la figure 28 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support ha 7 ;
les figures 29 et 30 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible du support n0 7 ;;
la figure 31 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support n0 8
les figures 32 et 33 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible du support n0 8
la figure 34 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support n0 9
les figures 35 et 36 sont des schémas représentant les changem;ents de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible du support n0 9 ;
la figure 37 est un schéma d'une structure multicouche d'un support d'en;;registrement dans un mode de réalination de l'invention
la figure 38 est un schéma représentant la disposition générale d'un appareil d'enregistrement magnétooptique
la figure 39 est un graphique représentant la rela -tion entre la quantité d'un élément non magnétique de dopage et la force de couplage d'échange aw agissant entre les couches magnétiques lorsque l'élément non magnétique est dopé dans une couche ayant le plus petit produit H M ;
la figure 40 est un graphique representant la relation entre la quantité d'un élément non magnétique de dopage et le rapport aw/Hc.Ms lorsque l'élément non magnétique est dopé dans une couche ayant le plus petit produit HC M8 ;;
la figure 41 est un graphique représentant la relation entre- la quantité d'un élément non magnétique de dopage et une force de couplage d'échange a w agissant entre les couches magnétiques lorsque l'élément non magnétique est dopé dans une couché ayant le plus grand produit H C M5 ;
la figure 42- est un graphique représentant la relation entre la quantité d'un élément non magnétique de dopage et W/HcMs lorsque l'élément non magnétique est dopé dans une couche ayant le plus grand produit HCMS ; et
la figure 43 est un graphique représentant la relation entre la quantité d'un élément non magnétique de dopage et la force de couplage d'échange a w agissant entre les couches magnétiques lorsque l'élément non magnétique est dopé à la fois dans la première et la seconde couche.Other features and advantages of the invention will become more apparent from the description which follows, given with reference to the accompanying drawings in which:
Fig. 1 is a schematic diagram for describing the recording principle of a magneto-optical recording method;
Fig. 2 is a diagram illustrating the reading principle in the magneto-optical recording method;
Fig. 3A is a diagram of a multilayer structure of a recording medium
Fig. 3B is a diagram showing the magnetization direction of a recording layer and a reference layer
Fig. 4 is a graph showing the relationship between the coercive field and the temperature;
Fig. 5 is a diagram showing the changes in the magnetization direction at a high level;
Fig. 6 is a diagram showing the changes in the magnetization direction at a low level;
FIG. 7 represents the variations of the magnetization direction changes of FIGS. 5 and 6 for supports of types P and A respectively;
Figure 8 is a map showing how the different types of media according to the invention are classified into four quadrants;
Figs. 9A to 9D are graphs showing the relationship between the coercive field and temperature in the case of Type I to IV media;
Fig. 10 is a graph showing the relationship between the coercive field and the temperature of a support 1;
Figures 11 and 12 are diagrams showing the variations of the magnetization direction in the high and low temperature cycles of a n0 1 medium; ;
Fig. 13 is a graph showing the relationship between the coercive field and the temperature of the support n0 2;
Figs. 14 and 15 are diagrams showing changes in the magnetization direction in high and low temperature cycles of a No. 2 support
Fig. 16 is a graph showing the relationship between the coercive field and the temperature of a support n0 3;
Figs. 17 and 18 are diagrams showing changes in the magnetization direction in the high and low temperature cycles of support # 3
Fig. 19 is a graph showing the relationship between the coercive field and the temperature in the ca of a # 4 support;
Figs. 20 and 21 are diagrams showing changes in the magnetization direction in the high and low temperature cycles of support No. 4
Fig. 22 is a graph showing the relationship between the coercive field and the temperature in the case of carrier No. 5
Figures 23 and 24 are diagrams showing changes in the magnetization direction in the high and low temperature cycles of the No. 5 carrier.
FIG. 25 is a graph showing the relationship between the coercive field and the temperature in the case of a carrier No. 6
Figs. 26 and 27 are diagrams showing changes in magnetization direction in high and low temperature cycles of support # 6;
Fig. 28 is a graph showing the relationship between the coercive field and the temperature in the case of a ha 7 medium;
Figs. 29 and 30 are diagrams showing changes in magnetization direction in high and low temperature cycles of support # 7;
FIG. 31 is a graph showing the relationship between the coercive field and the temperature in the case of a carrier No. 8
Figs. 32 and 33 are diagrams showing changes in the magnetization direction in high and low temperature cycles of support No. 8
FIG. 34 is a graph showing the relationship between the coercive field and the temperature in the case of a carrier No. 9
Figs. 35 and 36 are diagrams showing changes in magnetization direction in high and low temperature cycles of support # 9;
Fig. 37 is a schematic diagram of a multilayer structure of a recording medium in a mode of realizing the invention.
Fig. 38 is a diagram showing the general arrangement of a magnetooptical recording apparatus
Fig. 39 is a graph showing the relationship between the amount of a non-magnetic doping element and the exchange coupling force aw acting between the magnetic layers when the non-magnetic element is doped in a layer having the most small product HM;
Fig. 40 is a graph showing the relationship between the amount of a non-magnetic doping element and the ratio aw / Hc.Ms when the non-magnetic element is doped in a layer having the smallest product HC M8;
Fig. 41 is a graph showing the relationship between the quantity of a non-magnetic doping element and an exchange coupling force aw acting between the magnetic layers when the non-magnetic element is doped in a coating having the largest HC M5 product;
Fig. 42- is a graph showing the relationship between the amount of a non-magnetic doping element and W / HcMs when the non-magnetic element is doped in a layer having the largest HCMS product; and
Fig. 43 is a graph showing the relationship between the amount of a non-magnetic doping element and the exchange coupling force aw acting between the magnetic layers when the non-magnetic element is doped in both the first and the second second layer.

On décrit maintenant l'invention dans des exemples de l'invention et dans des exemples de référence. Cependant, l'invention n'est pas limitée à ces exemples. The invention is now described in examples of the invention and in reference examples. However, the invention is not limited to these examples.

Exemple de référence 1
Un appareil de pulvérisation à magnétron à haute fréquence HF a trois éléments à été utilisé, et un substrat de verre sous forme d'un disque ayant une épaisseur de 1,2 mm et un diamètre de 200 mm a été placé dans une chambre sous vide de l'appareil.Reference Example 1
A three-element HF high frequency magnetron sputtering apparatus was used, and a disk-shaped glass substrate having a thickness of 1.2 mm and a diameter of 200 mm was placed in a vacuum chamber. of the device.

Lorsque l'intérieur de la chambre a été temporairement évacué à 5.10 5 Pa, de l'argon gazeux a été introduit, et la pulvérisation a été réalisée avec une vitesse de formation du film d'environ 0,3 nm/s, avec maintien de la pression de l'argon gazeux à 2.10 1 Pa. When the interior of the chamber was temporarily evacuated to 5.10 5 Pa, argon gas was introduced, and the sputtering was carried out with a film formation rate of about 0.3 nm / s, with maintenance. the pressure of argon gas at 2.10 1 Pa.

Un alliage 20 80 (les valeurs numériques désignent les pourcentages atomiques) a été utilisé comme première cible pour la formation d'une première couche (d'enregistrement) d'un film magnétique perpendiculaire de
TbFe ayant une épaisseur tl de 50 nm, sur le substrat.An alloy 80 (numerical values denote atomic percentages) was used as the first target for the formation of a first (recording) layer of a perpendicular magnetic film of
TbFe having a thickness tl of 50 nm, on the substrate.

Ensuite, une pulvérisation simultanée a été réalisée avec utilisation, comme cible, d'un alliage Dx28Fe50,4Co21,6 et d'un élément non magnétique de dopage
Fi, avec maintien du vide afin qu'une seconde couche (de référence) formée d'un film magnétique perpendiculaire de
DyFeCoSi soit formée avec une épaisseur t2 = 50 nm sur la première couche.Then, a simultaneous sputtering was carried out with use, as a target, of a Dx28Fe50.4Co21.6 alloy and a non-magnetic doping element.
Fi, with keeping the vacuum so that a second (reference) layer formed of a perpendicular magnetic film of
DyFeCoSi is formed with a thickness t2 = 50 nm on the first layer.

Divers supports d'enregistrement magnéto-optique à deux couches (figure 37) ayant différentes quantités de dopage de Fi dans la seconde couche ont été fabriqués par changement de la puissance électrique appliquée à la cible de Si. Various two-layer magneto-optical recording media (Fig. 37) having different amounts of Fi doping in the second layer were made by changing the electrical power applied to the Si target.

Le produit HC M8 et la force de couplage. d'échange a de la première couche, et le produit HC. M8 de la seconde
w couche de chaque support fabriqué. ont été mesurés, et la relation entre a et le produit HC.Ms d'une part et la
w C 8 quantité de Si de dopage de la seconde a été examinée. Les résultats sont indiqués par les figures 38 et 39. Celles-ci indiquent aussi les résultats obtenus, avec Ge lorsque celui-ci remplace Si.HC M8 product and coupling force. exchange of the first layer, and the HC product. M8 of the second
w layer of each support manufactured. were measured, and the relationship between a and the product HC.Ms on the one hand and the
w C 8 amount of doping Si of the second was examined. The results are shown in Figures 38 and 39. These also show the results obtained, with Ge replacing Si.

En conséquence, lorsqutaucun élément n'a été dopé, le produit HC.Ms de la première couche était de 1,6.109 et celui de la seconde couche de 1,2.104. Dans cet exemple, l'élément a été dopé dans la couche ayant le plus petit produit HC.Ms
Comme l'indique la. figure 40, si l'élément non magnétique est dopé, aw/HcMs n'augmente presque pas. En conséquence, bien que l'épaisseur t2 de la seconde couche ne puisse pas diminuer, suivant l'équation (57A) l'épaisseur tl de la première couche peut être réduite suivant l'équation (56A) puisque a w diminue lorsque l'élément non magnétique est dopé, comme indiqué sur la figure 39.En conséquence, l'épaisseur totale t12 peut être réduite
Exemple de référence 2
Si ou Ge a été dopé dans la première couche, et aucun élément non magnétique n'a été dopé dans la seconde couche afin que les supports d'enregistrement magnétooptique à deux couches ayant diverses quantités de matière de dopage soient préparés dans les mêmes conditions que dans l'exemple de référence 1.As a result, when no element was doped, the HC.Ms product of the first layer was 1.6.109 and that of the second layer 1.2.104. In this example, the element was doped in the layer with the smallest product HC.Ms
As indicated by the. Figure 40, if the non-magnetic element is doped, aw / HcMs hardly increases. Therefore, although the thickness t2 of the second layer can not decrease, according to equation (57A) the thickness t1 of the first layer can be reduced according to equation (56A) since aw decreases when the element non-magnetic is doped, as shown in Figure 39.As a result, the total thickness t12 can be reduced
Reference Example 2
If or Ge has been doped in the first layer, and no non-magnetic element has been doped in the second layer so that the two-layered magnetooptical recording media having various amounts of doping material are prepared under the same conditions as in Reference Example 1.

Le produit HC. M8 et la force de couplage d'échange #w de la seconde couche, et le produit HC. M8 de la première
w couche de chaque support fabriqué ont été mesurés, et la relation entre ow et le produit HC. M8 d'une part et la quantité de matière de dopage de la première couche d'autre part a été examinée. Les résultats sont indiqués par les figures 41 et 42.The product HC. M8 and the exchange coupling force #w of the second layer, and the HC product. M8 of the first
w layer of each support manufactured were measured, and the relationship between ow and HC product. M8 on the one hand and the amount of doping material of the first layer on the other hand was examined. The results are shown in Figures 41 and 42.

En conséquence, lorsqu'aucun élément n'a été dopé, le produit HC.Ms de la première couche était de 1,6.109 et celui de la seconde couche de 1,2.109. Dans cet exemple, l'élément a été dopé dans la couche ayant le plus grand produit HC. M8.  As a result, when no element was doped, the HC.Ms product of the first layer was 1.6.109 and that of the second layer of 1.2.109. In this example, the element has been doped in the layer having the largest HC product. M8.

Comme représenté sur la figure 42, lorsque l'élément non magnétique est dopé, aw/HCMS augmente notablement. Pour cette raison, l'épaisseur tl de la première couche doit être augmentée considérablement, suivant l'équation (56A). As shown in Fig. 42, when the non-magnetic element is doped, aw / HCMS increases significantly. For this reason, the thickness t1 of the first layer must be increased considerably, according to equation (56A).

En conséquence, comme l'indique la figure 41, puisque a w diminue lorsque l'élément non magnétique est dopé, l'épaisseur t2 de la seconde couche peut être réduite suivant l'équation (57A). Cependant, la réduction d'épaisseur de la seconde couche ne peut pas dépasser l'augmentation d'épaisseur de la première couche, et l'épaisseur totale t12 ne peut pas être réduite à une valeur inférieure à l'épaisseur avant dopage.Accordingly, as shown in Fig. 41, since a w decreases when the non-magnetic element is doped, the thickness t 2 of the second layer can be reduced according to equation (57A). However, the thickness reduction of the second layer can not exceed the increase in thickness of the first layer, and the total thickness t12 can not be reduced to a value less than the thickness before doping.

Exemple de référence 3
La même quantité de Si ou Ge a été dopée dans la première et la seconde couche afin que des supports d'enregistrement magnéto-optique à deux couches soient fabriqués avec diverses quantités de dopage, dans les mêmes conditions que dans l'exemple de référence 1.Reference Example 3
The same amount of Si or Ge was doped in the first and second layers so that two-layer magneto-optical recording media were made with various amounts of doping, under the same conditions as in Reference Example 1 .

La force de couplage d'échange a w et les produits HO. MU de la première et de la seconde couche, pour chaque support fabriqué, ont été mesurés, et la relation entre a w et le produit HC.Ms d'une part et la quantité de dopage de la première couche d'autre part a été examinée. Les résultats sont indiqués par la figure 43. The exchange coupling force has w and the products HO. MU of the first and second layers, for each support manufactured, were measured, and the relationship between aw and the product HC.Ms on the one hand and the amount of doping of the first layer on the other hand was examined . The results are shown in Figure 43.

Dans ce cas, comme a /H M augmente comme représenté
w C8 sur la figure 42, pour la première couche, l'épaisseur tl du film doit être considérablement-accrue. Dans le cas de la seconde couche, comme /HCMs ne présente presque aucune augmentation comme indiqué par la figure 40, l'épaisseur t2 ne peut pas être réduite. En conséquence, l'épaisseur totale t12 du film doit être augmentée à une valeur supérieure à celle de l'exemple de référence 2.
In this case, as a / HM increases as shown
In FIG. 42, for the first layer, the thickness of the film must be considerably increased. In the case of the second layer, since HCMs show almost no increase as shown in Fig. 40, the thickness t2 can not be reduced. As a result, the total thickness t12 of the film should be increased to a value greater than that of Reference Example 2.

Exemple
A l'aide des mêmes opérations que dans l'exemple de référence 1, une première couche (d'enregistrement) d'un film magnétique perpendiculaire de Tb80Fe20 ayant une épaisseur tl = 50 nm a été formée sur un substrat à l'aide de l'appareil de pulvérisation à magnétron à haute fréquence. Le produit HC M8 de la première couche était égal à 1,6.109 (200 000).Example
Using the same operations as in Reference Example 1, a first (recording) layer of a perpendicular magnetic film of Tb80Fe20 having a thickness t1 = 50 nm was formed on a substrate using the high frequency magnetron sputtering apparatus. The HC M8 product of the first layer was 1.6 x 109 (200,000).

Ensuite, une seconde couche (couche de référence) comprenant un film magnétique perpendiculaire de (Dy28Fe46,8Co25,2)96,5Si3,5, ayant une épaisseur t2 de 100 nm, a été formée sur la première couche, avec conservation de l'état de vide. Le produit HC M8 de la couche magnétique ayant la seconde composition à l'exclusion de Si était de 1,2.109 (150 000). Then, a second layer (reference layer) comprising a perpendicular magnetic film of (Dy28Fe46.8Co25.2) 96.5Si3.5, having a thickness t2 of 100 nm, was formed on the first layer, with preservation of the state of emptiness. The HC M8 product of the magnetic layer having the second composition excluding Si was 1.2.109 (150,000).

Les caractéristiques magnétiques du support d'enregistrement magnéto-optique à deux couches appartenant à la classe 8 (type A, quadrant IV, type 2) ainsi fabriqué sont résumées dans le tableau 2 qui suit. The magnetic characteristics of the two-layer magneto-optical recording medium belonging to class 8 (type A, quadrant IV, type 2) thus manufactured are summarized in Table 2 which follows.

Tableau 2 * 1 Tb80Fe20 * 2 (Dy28Fe46,8Co25,2)96,5Si3,5
Première couche Seconde couche
Composition * 1 * 2
Cible alliage TbFe alliage DyFeCo
(2 éléments) Si
épaisseur de film (nm) 40 110 3 3 40 110
Ms (10 J/T.m {Hc (A.tr/m) 4.105 5,76.104
(Oe) 5 000 720
Tc ( C) 135 210
T ( C) néant 150
comp.Table 2 * 1 Tb80Fe20 * 2 (Dy28Fe46.8Co25.2) 96.5Si3.5
First layer Second layer
Composition * 1 * 2
Target alloy TbFe alloy DyFeCo
(2 elements) Si
film thickness (nm) 40 110 3 3 40 110
Ms (10 J / Tm {Hc (A.tr / min) 4.105 5.76.104
(Oe) 5,000 720
Tc (C) 135,210
T (C) nil 150
comp.

#w agissant entre 1,5.10-3 J/m
couches (1,5 erg/cm2)
(température ambiante)
Comme ce support appartient à la classe 8, les conditions qui doivent être remplies par ce support, à température ambiante, sont les suivantes HC1 > HC2+| (#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2)| (58)
HCl > ( aw/2M5îtî) (59)
HC2 > ( aw/2M52t2) (60)
HC2+(#w/2MS2t2) < |Hini| < HC1+(#w/2MS1t1) (61)
Lorsqu'on calcule les équations (58) à (60), on obtient, en multiples de 103 A.tr/m équation (58):terme gauche=400 (5000) > terme droit=383 (4788) équation (59):terme gauche=400 (5000) > terme droit=375 (4688) équation (60):terme gauche= 58 (720) > terme droit= 50 (620)
Ainsi, les équations respectives peuvent être satisfaites.#w acting between 1.5.10-3 J / m
layers (1.5 erg / cm2)
(ambient temperature)
Since this support belongs to class 8, the conditions that must be fulfilled by this support, at ambient temperature, are as follows: HC1> HC2 + | (# W / 2MS1t1) - (# w / 2MS2t2) | (58)
HCl (aw / 2M5) (59)
HC2> (aw / 2M52t2) (60)
HC2 + (# w / 2MS2t2) <| Hini | <HC1 + (# w / 2MS1t1) (61)
When calculating equations (58) to (60), we obtain, in multiples of 103 A.tr/m equation (58): left term = 400 (5000)> right term = 383 (4788) equation (59) : left-hand term = 400 (5000)> right-hand word = 375 (4688) equation (60): left-hand term = 58 (720)> right-hand word = 50 (620)
Thus, the respective equations can be satisfied.

Dans l'équation (61), comme on a la relation
terme gauche=3.10 < |Hini| < terme droit=775.103 A.tr7m
= 40 = 9688 l'équation (61) peut être satisfaite par exemple lorsque
Hini = 160.10 A.tr/m (160).In equation (61), as we have the relation
left term = 3.10 <| Hini | <right term = 775.103 A.tr7m
= 40 = 9688 equation (61) can be satisfied for example when
Hini = 160.10 λmax (160).

En conséquence, ce support peut réaliser une opera- tion de superposition d'écriture selon l'invention de la demande antérieure. Consequently, this support can perform a write overlay operation according to the invention of the earlier application.

Exemple comparatif
A titre de comparaison, un support d'enregistrement magnéto-optique à deux couches a été fabriqué avec les memes opérations que dans l'exemple précédent, mais sans dopage d'un élément non magnétique.Comparative example
By way of comparison, a two-layer magneto-optical recording medium was manufactured with the same operations as in the previous example, but without doping a non-magnetic element.

Les caractéristiques magnétiques de ce support sont résumées dans le tableau 3 qui suit.  The magnetic characteristics of this support are summarized in Table 3 which follows.

Tableau 3 1 1 Tb80Fe20 * 2 Dy28Fe46,8Co25,2
Première couche Seconde couche
Composition * 1 * 2
Cible alliage TbFe alliage DyFeCo
épaisseur de film (nm) 40 110
Ms (10 J/T.m ) 40 150 Hc (A.tr/m) 4.105 8.104
(Oe) 5 000 1 000
Tc ( C) 135 240
Tcomp. ( C) néant 150
a agissant entre 2,7.1O -3 J/m2
w
les couches (2,7 erg/cm2)
(température ambiante)
Lorsqu'on calcule de la même manière les équations (58) à (60) on obtient, toujours en multiples de 103 A.tr/m : (a)équation( 58Y:;terme gauche=400( 5000) > terme droit=690(8619) (b)équation(59):terme gauche=400(5000) > terme droit=675(8437) (c)équation(60): :terme gauche 80(1000) > terme droit 65(818)
Ainsi, les équations (58) et (59) ne peuvent pas être satisfaites.Table 3 1 1 Tb80Fe20 * 2 Dy28Fe46.8Co25.2
First layer Second layer
Composition * 1 * 2
Target alloy TbFe alloy DyFeCo
film thickness (nm) 40 110
Ms (10 J / Tm) 40 150 Hc (A.tr / m) 4.105 8.104
(Oe) 5,000 1,000
Tc (C) 135-240
T comp. (C) none 150
a acting between 2.7.1O -3 J / m2
w
the layers (2.7 erg / cm2)
(ambient temperature)
When calculating the equations (58) to (60) in the same way, we obtain, always in multiples of 103 A.tr/m: (a) equation (58Y: left term = 400 (5000)> right term = 690 (8619) (b) equation (59): left term = 400 (5000)> right term = 675 (8437) (c) equation (60):: left term 80 (1000)> right term 65 (818)
Thus equations (58) and (59) can not be satisfied.

En conséquence, dans ce support, il est impossible dtinitialiser la seule seconde couche sans influencer (a) la première couche, et l'opération de superposition d'ecriture ne peut pas être réalisée. As a result, in this medium, it is impossible to initialize the only second layer without influencing (a) the first layer, and the write overlay operation can not be performed.

Pour qu'une opération de superposition d'écriture soit possible avec ce- matériaux magnetíque, l'épaisseur t1 doit être portée à plus de 67,5 nm afin que Inéquation (59) soit satisfaite, et l'épaisseur tl doit être augmentée à plus de 68,7 nm pour que l'équation (58) soit satisfaite. For a write overlay operation to be possible with these magnetic materials, the thickness t1 must be increased to more than 67.5 nm so that the equation (59) is satisfied, and the thickness t1 must be increased to more than 68.7 nm for equation (58) to be satisfied.

En conséquence, l'épaisseur totale t12 est augmentée d'au moins 1,2 fois dans cet exemple i(687+l1OO)/(400+I100)3. As a result, the total thickness t12 is increased at least 1.2 times in this example (687 +100) / (400 + I100) 3.

On considère maintenant un appareil d'enregistrement magnéto-optique permettant une. superposition d'écriture. We now consider a magneto-optical recording apparatus allowing one. writing overlay.

L'appareil est utilisé exclusivement pour l'enregistrement, et la figure 38 représente la disposition générale. The apparatus is used exclusively for recording, and Fig. 38 is the general arrangement.

Cet appareil comporte de façon générale
un organe 21 d'entraînement destiné à faire tourner un support d'enregistrement 20,
une source 23 d'un faisceau laser,
un modulation 24 destiné à moduler par impulsions l'intensité du faisceau d'après des informations binaires qui doivent être enregistrées, entre (1) un niveau élevé destine å donner une température TL qui convient à la formation de l'un des bits ayant une aimantation vers le haut ou vers le bas, et (2) un niveau faible destiné à donner une température TH convenant à la formation du bit restant, et
un dispositif 22 d'application d'un champ magnétique initial Hini et d'un champ magnétique d'enregistrement Hb.This device generally includes
a drive member 21 for rotating a recording medium 20,
a source 23 of a laser beam,
a modulation 24 for pulse modulating the intensity of the beam according to binary information to be recorded, between (1) a high level to give a temperature TL which is suitable for the formation of one of the bits having a magnetization up or down, and (2) a low level for giving a temperature TH suitable for forming the remaining bit, and
a device 22 for applying an initial magnetic field Hini and a recording magnetic field Hb.

On peut utiliser, comme dispositif 22, un aimant permanent tel que Hb = Hini = 160.103A.tr/m (2 000 Oe), avec un champ magnétique de "direction A" t. L'aimant permanent 22 a une forme de barreau, de longueur correspondant au rayon du support d'enregistrement 20 en forme de disque. As a device 22, a permanent magnet such as Hb = Hini = 160.103A.tr / m (2000 Oe) can be used, with a magnetic field of "direction A" t. The permanent magnet 22 has a bar shape, of length corresponding to the radius of the recording medium 20 disc-shaped.

L'aimant permanent 22 est fixé à l'appareil et il n'est pas déplacé avec un capteur comprenant la source lumineuse 23.The permanent magnet 22 is fixed to the apparatus and is not moved with a sensor comprising the light source 23.

On considère maintenant l'enregistrement magnétooptique avec superposition d'écriture. We now consider the magnetooptical recording with writing overlay.

L'opération d'enregistrement magnéto-optique a été réalisée avec l'appareil d'enregistrement (figure 38) qu'on vient de décrire. Le support 20 d'enregistrement (classe 8) de cet exemple a été entraîné en rotation à une vitesse linéaire constante de 8,5 m/s par l'organe 21 d'entraînement. Un faisceau laser a éclairé le support 20. Le faisceau a été réglé par le modulation 24 afin qu'il possède une puissance de sortie de 8,0 mW (sur le disque) à un niveau élevé et de 4,4 mW (sur le disque) à un faible niveau. Le faisceau était modulé par impulsions par le modulateur 24, selon les informations. Dans ce cas, les informations à enregistrer étaient un signal à 1 MHz.En conséquence, le faisceau a éclairé le support 20, en étant modulé à une fréquence de 1 MHz. Le signal à 1 MHz a ainsi été enregistré. Lorsque les informations enregistrées ont été reproduites par un appareil séparé de reproduction magnéto-optique, le rapport signal-sur-bruit était de 55 dB, et l'enregistrement des informations a été confirmé. The magneto-optical recording operation was performed with the recording apparatus (FIG. 38) just described. The recording medium (class 8) of this example was rotated at a constant linear velocity of 8.5 m / s by the drive member 21. A laser beam has illuminated the support 20. The beam has been tuned by the modulation 24 so that it has an output power of 8.0 mW (on the disk) at a high level and 4.4 mW (on the disk) at a low level. The beam was modulated by pulses by the modulator 24, depending on the information. In this case, the information to be recorded was a signal at 1 MHz. As a result, the beam illuminated the support 20, being modulated at a frequency of 1 MHz. The 1 MHz signal has been recorded. When the recorded information was reproduced by a separate magneto-optical reproduction apparatus, the signal-to-noise ratio was 55 dB, and the recording of the information was confirmed.

Ensuite, un signal å 2 MHz a été enregistré sous forme de nouvelles informations, dans une région déjà enre gistrée du support 20. Lorsque ces informations ont été reproduites de manière analogue, elles ont été reproduites avec un rapport signal-sur-bruit de 53 dB. Dans ce cas, le taux d'erreur était compris entre 10 5 et 10 6 Aucun signal à 1 MHz (informations antérieures) n'a apparu dans ce cas. Then, a 2 MHz signal was recorded as new information, in a region already recorded in the medium 20. When this information was reproduced in a similar way, it was reproduced with a signal-to-noise ratio of 53. dB. In this case, the error rate was between 10 5 and 10 6 No signal at 1 MHz (previous information) appeared in this case.

Le fait que l'opération de superposition d'écriture pouvait être réalisée a ainsi été confirmé. The fact that the write overlay operation could be performed has thus been confirmed.

Dans les conditions précitées, la température du support a atteint TH = 200 C au niveau élevé et
TL = 120 C au faible niveau.Under the above conditions, the temperature of the support reached TH = 200 C at the high level and
TL = 120 C at low level.

Au contraire, lorsque des informations ont été enre gistrées de maniere analogue sur le support de l'exemple comparatif, l'opération de superposition d'écriture n'a pas pu être réalisée.  On the contrary, when information was recorded in a similar manner on the support of the comparative example, the write overlay operation could not be performed.

Claims (16)

REVENDICATIONS 1. Support d'enregistrement magnéto-optique permettant une superposition d'écriture, caractérisé en ce qu'il comprend 1. Magneto-optical recording medium allowing a writing overlay, characterized in that it comprises un substrat, et a substrate, and un film magnétique contenant une première et une seconde couche empilées sur le substrat et ayant une anisotropie magnétique perpendiculaire, a magnetic film containing a first and a second layer stacked on the substrate and having a perpendicular magnetic anisotropy, un element non magnétique étant dopé dans celle des première et seconde couches qui a le plus petit produit de son moment magnétique à saturation M8 et de son champ coercitif Hc, si bien que la force de couplage d'échange ow agissant entre la première et la seconde couche est réglée à une valeur prédéterminée. a non-magnetic element being doped in that of the first and second layers which has the smallest product of its saturation magnetic moment M8 and its coercive field Hc, so that the exchange coupling force ow acting between the first and the second second layer is set to a predetermined value. 2. Support selon la revendication 1, caractérisé en ce que la quantité de l'élément non magnétique de- dopage est au moins égale à 0,5 atome pour cent. 2. Support according to claim 1, characterized in that the amount of the non-magnetic doping element is at least equal to 0.5 atom per cent. 3. Support selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément non magnétique est choisi dans le groupe qui comprend Si, Ge, Ti, Cr, Cu et In. 3. Support according to claim 1, characterized in that the non-magnetic element is selected from the group consisting of Si, Ge, Ti, Cr, Cu and In. 4. Support selon la revendication 1, caractérisé en ce que, si l'une des directions ascendante et descendante, par rapport au support, est appelée "direction A" et l'autre "direction non A", 4. Support according to claim 1, characterized in that, if one of the ascending and descending directions, relative to the support, is called "direction A" and the other "direction non-A", seule une aimantation de la seconde couche est alignée dans la "direction A" par un champ initial Hini juste avant enregistrement, et only a magnetization of the second layer is aligned in the "A direction" by an initial Hini field just before recording, and dans une partie du support qui est irradiée par un faisceau laser de niveau élevé, l'aimantation de "direction in a part of the medium that is irradiated by a high level laser beam, the "direction magnetization" A" de la seconde couche est inversée en aimantation de la "direction non A" par un champ magnétique d'enregistrement, et un bit ayant une aimantation de "direction non A" ou de "direction A" est formé dans la première couche par l'aimantation de "direction non A" de la seconde couche, et, dans une partie du support irradiée par un faisceau laser de faible niveau, un bit d'aimantation de "directionA "of the second layer is inverted in magnetization of the" non-A direction "by a recording magnetic field, and a bit having a" non-A direction "or" A direction "magnetization is formed in the first layer by the "non-A direction" magnetization of the second layer, and, in a portion of the medium irradiated by a low level laser beam, a "direction magnetization" bit A" ou de "direction non A" est formé dans la première couche par l'aimantation de "direction A" de la seconde couche.A "or" non-A direction "is formed in the first layer by the" direction A "magnetization of the second layer. 5 Support selon la revendication 4, dans lequel la première couche est un film magnétique mince ayant un champ coercitif élevé et une faible température de Curie å tempe- rature ambiante, et la seconde couche est un film magnétique mince ayant un champ coercitif relativement faible à température ambiante et une température élevée de Curie. A carrier according to claim 4 wherein the first layer is a thin magnetic film having a high coercive field and a low Curie temperature at ambient temperature, and the second layer is a thin magnetic film having a relatively low coercive field strength. room temperature and a high Curie temperature. 6. Support selon la revendication 4, caractérisé en ce que si lton appelle T81 la température à laquelle la première couche est couplée magnetiquement à la seconde couche et TS2 la température à laquelle la seconde couche subit une inversion par le champ magnétique d'enregistrement, et si la première couche possède un champ coercitif élevé à température ambiante et la seconde couche possède un champ coercitif relativement faible à température ambiante, une condition est telle que T81 < TS2.  6. Support according to claim 4, characterized in that if T81 is called the temperature at which the first layer is magnetically coupled to the second layer and TS2 the temperature at which the second layer is inverted by the recording magnetic field, and if the first layer has a high coercive field at room temperature and the second layer has a relatively low coercive field at room temperature, a condition is such that T81 <TS2. 7. Support selon la revendication 1, caractérisé en ce que chacune des première et seconde couches a une composition d'alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares. 7. Support according to claim 1, characterized in that each of the first and second layers has an alloy composition of a transition metal and a rare earth heavy metal. 8. Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que la première couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares qui est riche en métal lourd de terres rares et qui a une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche-contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares, ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante 8. Support according to claim 7, characterized in that the first layer contains an alloy of a transition metal and a heavy rare earth metal which is rich in heavy metal rare earths and has a compensation temperature included between room temperature and Curie temperature, the second layer contains an alloy of a transition metal and a heavy rare earth metal, rich in rare earth heavy metal, having a temperature of compensation between the temperature ambient and Curie temperature, and the support satisfies the following equation TR < Tcomp.1 < TC1#TL#Tcomp.2 < TC2#TH et satisfait en outre, à température ambiante, aux équations suivantes  TR <Tcomp.1 <TC1 # TL # Tcomp.2 <TC2 # TH and additionally satisfies, at room temperature, the following equations HCl > HC2+(aw/2M81t1 )+(aw/2M82t2) HCl> HC2 + (aw / 2M81t1) + (aw / 2M82t2) HC1 > (#w/2MS1t1) HC2 > (aw/2M52t2) HC1> (# w / 2MS1t1) HC2> (aw / 2M52t2) HC2+(#w/2MS2t2) < |Hini| < HC1 -(#w/2MS1t1) dans lesquelles HC2 + (# w / 2MS2t2) <| Hini | <HC1 - (# w / 2MS1t1) in which TR = température ambiante TR = ambient temperature Tcomp.1 = température de compensation de la première Tcomp.1 = compensation temperature of the first couche layer Tcomp.2 = température de compensation de la seconde Tcomp.2 = compensation temperature of the second couche layer TCl = température de Curie de la première couche TCl = Curie temperature of the first layer TC2 = température de Curie de la seconde couche TC2 = Curie temperature of the second layer TL = température du support d'enregistrement lors TL = temperature of the recording medium during d'une irradiation par un faisceau laser de irradiation with a laser beam of faible niveau Low level TH = température du support d'enregistrement lors TH = temperature of the recording medium during de l'irradiation par un faisceau laser de of irradiation with a laser beam of niveau élevé  high level HCl = champ coercitif de la première couche HCl = coercive field of the first layer HC2 = champ coercitif de la seconde couche HC2 = coercive field of the second layer M81 = moment magnétique à saturation de la première M81 = saturation magnetic moment of the first couche layer MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde MS2 = magnetic moment at saturation of the second couche layer tl = épaisseur du film de la première couche tl = thickness of the film of the first layer t2 = épaisseur du film de la seconde couche t2 = thickness of the film of the second layer a w = force de couplage d'échange a w = exchange coupling force Hini = champ initial Hini = initial field 9.Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que la première couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et qui n'a pas une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares, ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante T R < TC1#TL#Tcomp.2 < TC2#TH et satisfait à température ambiante aux équations suivantes Hcî > Hç2+(#w/2MS1t1)+ (#w/2MS2t2)  9.Support according to claim 7, characterized in that the first layer contains an alloy of a transition metal and a rare earth heavy metal, rich in heavy metal rare earth and which does not have a temperature of compensation between room temperature and Curie temperature, the second layer contains an alloy of a transition metal and a heavy metal rare earth, rich in rare earth heavy metal, having a compensation temperature of between room temperature and Curie temperature, and the support satisfies the following equation TR <TC1 # TL # Tcomp.2 <TC2 # TH and satisfies at room temperature the following equations Hc1> Hc2 + (# w / 2MS1t1) + (# w / 2MS2t2) HC1 > (#w/2MS1t1)  HC1> (# w / 2MS1t1) HC2 > (#w/2MS2t2) HC2> (# w / 2MS2t2) HC2+(#w/2MS2t2) < |Hini| < HC1-(#w/ /2MS1t1) dans lesquelles HC2 + (# w / 2MS2t2) <| Hini | <HC1 - (# w / / 2MS1t1) in which TR = température ambiante TR = ambient temperature Tcomp.2 = température de compensation de la seconde Tcomp.2 = compensation temperature of the second couche layer TCl = température de Curie de 1a première couche TCl = Curie temperature of the first layer TC2 = température de Curie de la seconde couche TC2 = Curie temperature of the second layer TL = température du support d'enregistrement lors TL = temperature of the recording medium during d'une irradiation par un faisceau laser de irradiation with a laser beam of faible niveau Low level T H = température du support d'enregistrement lors T H = temperature of the recording medium during de l'irradiation par un faisceau laser de of irradiation with a laser beam of niveau élevé high level HCl = champ coercitif de la première couche HCl = coercive field of the first layer HC2 = champ coercitif de la seconde couche HC2 = coercive field of the second layer Ms1 = moment magnétique à saturation de la première Ms1 = saturation magnetic moment of the first couche layer M82 = moment magnétique à saturation de la seconde M82 = magnetic moment at saturation of the second couche layer tl = épaisseur du film de la première couche tl = thickness of the film of the first layer t2 = épaisseur du film de la seconde couche t2 = thickness of the film of the second layer a w = force de couplage d'échange a w = exchange coupling force Hini = champ initial Hini = initial field 10.Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que la première couche contient un alliage d'un métal de transition d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et n'ayant pas de température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante  10.Support according to claim 7, characterized in that the first layer contains an alloy of a transition metal of a heavy metal rare earth, rich in heavy metal rare earths and having a temperature of compensation between the temperature ambient and Curie temperature, the second layer contains an alloy of a transition metal and a rare earth heavy metal, rich in rare earth heavy metal and having no compensation temperature between room temperature and the Curie temperature, and the support satisfies the following equation T R < T < T T < T T T R <T <T T <T T comp.1 Cl L C2 H et satisfait à température ambiante aux équations suivantes  comp.1 Cl L C2 H and satisfies at ambient temperature the following equations HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t 2) HC1> HC2 + (# w / 2MS1t1) + (# w / 2MS2t 2) HC1 > (#w/2MS1t1) HC1> (# w / 2MS1t1) HC2 > (#w/2MS2t2) HC2> (# w / 2MS2t2) HC2+(#w/2MS2t2) < |Hini| < HC1-(#w/2MS1t1) dans lesquelles HC2 + (# w / 2MS2t2) <| Hini | <HC1 - (# w / 2MS1t1) in which TR = température ambiante TR = ambient temperature Tcomp.1 = température de compensation de la première Tcomp.1 = compensation temperature of the first couche layer TCl = température de Curie de la première couche TCl = Curie temperature of the first layer TC2 = température de Curie de la seconde couche TC2 = Curie temperature of the second layer T L = température du support d'enregistrement lors T L = temperature of the recording medium during d'une irradiation par un faisceau laser de irradiation with a laser beam of faible niveau Low level TH = température du support d'enregistrement lors TH = temperature of the recording medium during de l'irradiation par un faisceau laser de of irradiation with a laser beam of niveau élevé high level HCl = champ coercitif de la première couche HCl = coercive field of the first layer HC2 = champ coercitif de la seconde couche HC2 = coercive field of the second layer M81 = moment magnétique à saturation de la première M81 = saturation magnetic moment of the first couche layer MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde MS2 = magnetic moment at saturation of the second couche layer tl = épaisseur du film de la première couche tl = thickness of the film of the first layer t2 = épaisseur du film de la seconde couche t2 = thickness of the film of the second layer a w = force de couplage d'échange a w = exchange coupling force Hini = champ initial Hini = initial field 11.Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que la-premiere couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et n'ayant pas de température de compensation entre la temperature ambiante et la température de Curie, la seconde couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et n'ayant pas de température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR < TC1#TL < TC2#TH et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes  11.Support according to claim 7, characterized in that the first layer contains an alloy of a transition metal and a heavy metal rare earth, rich in heavy metal rare earths and having no temperature of compensation between room temperature and Curie temperature, the second layer contains an alloy of a transition metal and a heavy rare earth metal, rich in rare earth heavy metal and having no compensation temperature included between the ambient temperature and the Curie temperature, and the support satisfies the following equation TR <TC1 # TL <TC2 # TH and satisfies, at ambient temperature, the following equations HCl > HC2+( #w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2) HCl> HC2 + (# w / 2MS1t1) + (# w / 2MS2t2) HCl > (#w/2MS1t1) HCl> (# w / 2MS1t1) HC2 > (aw/2M52t2) HC2> (aw / 2M52t2) HC2+(#w/2MS2t2) < |Hini| < HC1- (aw/2M5îtî) dans lesquelles HC2 + (# w / 2MS2t2) <| Hini | <HC1- (aw / 2M5II) in which T R = température ambiante T R = ambient temperature TCl = température de Curie de- la première couche TCl = Curie temperature of the first layer TC2 =température de Curie de la seconde couche TC2 = Curie temperature of the second layer TL = température du support d'enregistrement lors TL = temperature of the recording medium during d'une irradiation par un faisceau laser de irradiation with a laser beam of faible niveau T H température du support d'enregistrement lors  low level T H temperature of the recording medium when de l'irradiation par un faisceau laser de of irradiation with a laser beam of niveau élevé high level HCl = champ coercitif de la première couche HCl = coercive field of the first layer HC2 = champ coercitif de la seconde couche HC2 = coercive field of the second layer M81 = moment magnétique à saturation de la première M81 = saturation magnetic moment of the first couche layer MS2 = moment magnétique å saturation de la seconde MS2 = magnetic moment at saturation of the second couche layer tl = épaisseur du film de la première couche tl = thickness of the film of the first layer t2 = épaisseur du film de la seconde couche t2 = thickness of the film of the second layer a w = force de couplage d'échange a w = exchange coupling force Hini = champ initial Hini = initial field 12. Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que la première couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation 12. Support according to claim 7, characterized in that the first layer contains an alloy of a transition metal and a heavy rare earth metal, rich in heavy metal rare earths and having a compensation temperature between room temperature and Curie temperature, the second layer contains an alloy of a transition metal and a heavy rare earth metal, rich in transition metal and having no compensation temperature between room temperature and the Curie temperature, and the support satisfies the equation TR < Tcomp.1 < TC1#TL < TC2#TH et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes  TR <Tcomp.1 <TC1 # TL <TC2 # TH and satisfied, at ambient temperature, with the following equations HCî > HC2+ j (#w/2MS1 t1)-(#w/2MS2t2)| HC1> HC2 + j (# w / 2MS1 t1) - (# w / 2MS2t2) | HCî > (aw/2M8îtî) HCI (aw / 2M8II) HC2 > (#w/2MS2t2) HC2> (# w / 2MS2t2) HC2+(#w/2MS2t2) < |Hini| < HC1+(#w/2MS1t1) dans lesquelles HC2 + (# w / 2MS2t2) <| Hini | <HC1 + (# w / 2MS1t1) in which Tir = température ambiante Tcomp.1 = température de compensation de la première  Shot = room temperature Tcomp.1 = compensation temperature of the first couche layer TCl = température de Curie de la première couche TCl = Curie temperature of the first layer TC2 = température de Curie de la seconde couche TC2 = Curie temperature of the second layer TL = température du support d'enregistrement lors TL = temperature of the recording medium during d'une irradiation par un faisceau laser de irradiation with a laser beam of faible niveau Low level T H = température du support d'enregistrement lors T H = temperature of the recording medium during de l'irradiation par un faisceau laser de of irradiation with a laser beam of niveau élevé high level HCl = champ coercitif de la première couche HCl = coercive field of the first layer HC2 = champ coercitif de la seconde couche HC2 = coercive field of the second layer M81 = moment magnétique à saturation de la premier  M81 = saturation magnetic moment of the first couche layer MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde MS2 = magnetic moment at saturation of the second couche layer tl = épaisseur du film de la première couche tl = thickness of the film of the first layer t2 = épaisseur du film de la seconde couche  t2 = thickness of the film of the second layer a = force de couplage d'échange a = exchange coupling force w  w Hini = champ initial Hini = initial field 13.Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que la première couche contient-un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR < TC1#TL < TC2#TH et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes  13.Support according to claim 7, characterized in that the first layer contains-an alloy of a transition metal and a rare earth heavy metal, rich in heavy metal rare earths and having no temperature of compensation between room temperature and Curie temperature, the second layer contains an alloy of a transition metal and a rare earth heavy metal, rich in transition metal and having no compensation temperature between the temperature ambient and the Curie temperature, and the support satisfies the following equation TR <TC1 # TL <TC2 # TH and satisfies, at ambient temperature, the following equations HC1 > HC2+|(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2)| HC1> HC2 + | (# w / 2MS1t1) - (# w / 2MS2t2) | HC1 > (#w/2MS1t1) HC1> (# w / 2MS1t1) HC2 > (#w/2MS2t2) HC2> (# w / 2MS2t2) H+(a /2MS2t) < lHinil < HC1+(an~2Msltl) dans lesquelles H + (a / 2MS2t) <lHinil <HC1 + (an ~ 2Msltl) in which T R = température ambiante T R = ambient temperature TCl = température de Curie de la première couche TCl = Curie temperature of the first layer TC2 = température de Curie de la seconde couche  TC2 = Curie temperature of the second layer T = température du support d'enregistrement lors T = temperature of the recording medium during L  The d'une irradiation par un faisceau laser de irradiation with a laser beam of faible niveau Low level T H = température du support d'enregistrement lors T H = temperature of the recording medium during de l'irradiation par un faisceau laser de of irradiation with a laser beam of niveau élevé high level HCl = champ coercitif de la première couche HCl = coercive field of the first layer HC2 = champ coercitif de la seconde couche HC2 = coercive field of the second layer Msî = moment magnétique à saturation de la première Msi = saturation magnetic moment of the first couche layer MS2 = moment magnétique 'a saturation de la seconde MS2 = magnetic moment 'saturation of the second couche layer tl = épaisseur du film de la première couche tl = thickness of the film of the first layer t2 = épaisseur du film de la seconde couche  t2 = thickness of the film of the second layer a = force de couplage d'échange a = exchange coupling force w  w Hini = champ initial  Hini = initial field 14. Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que la première couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd de terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR < TCî T L < TC2 =TH et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes 14. Support according to claim 7, characterized in that the first layer contains an alloy of a transition metal and a heavy metal of rare earths, rich in transition metal and having no compensation temperature between the room temperature and Curie temperature, the second layer contains an alloy of a transition metal and a heavy rare earth metal, rich in transition metal and having no compensation temperature between room temperature and the Curie temperature, and the support satisfies the following equation TR <TCl TL <TC2 = TH and satisfies, at ambient temperature, the following equations HCî > HC2+ ( #w/2MS1t1 ) + ( aw/2Ms2t2  HC1> HC2 + (# w / 2MS1t1) + (aw / 2Ms2t2 HCl > ( aw/2M5îtî) HCl (aw / 2M5) HC2 > ; ;( aw/2M52t2) HC2>; (aw / 2M52t2) HC2+(#w/2MS2t2) < |Hini 1 < HC1-(#w/2MS1t1) dans lesquelles HC2 + (# w / 2MS2t2) <| Hini 1 <HC1 - (# w / 2MS1t1) in which TR = température ambiante TR = ambient temperature TCl = température de Curie de la première couche TCl = Curie temperature of the first layer TC2 = température de Curie de la seconde couche TC2 = Curie temperature of the second layer TL = température du support d'enregistrement lors TL = temperature of the recording medium during d'une irradiation par un faisceau laser de irradiation with a laser beam of faible niveau Low level TH = température du support d'enregistrement lors TH = temperature of the recording medium during de l'irradiation par un faisceau laser de of irradiation with a laser beam of niveau élevé high level HCl = champ coercitif de la première couche HCl = coercive field of the first layer HC2 = champ coercitif de la seconde couche HC2 = coercive field of the second layer M81 = moment magnétique à saturation de la première M81 = saturation magnetic moment of the first couche layer MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde MS2 = magnetic moment at saturation of the second couche layer tl = épaisseur du film de la première couche tl = thickness of the film of the first layer t2 = épaisseur du film de la seconde couche a = force de couplage d'échange t2 = film thickness of the second layer a = exchange coupling force w  w Hini = champ initial  Hini = initial field 15. Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que la première couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et qui n'a pas de température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante T R < TC1#TL#Tcomp.2 < TC2#TH et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes  15. Support according to claim 7, characterized in that the first layer contains an alloy of a transition metal and a heavy metal rare earth, rich in transition metal and has no compensation temperature included between room temperature and Curie temperature, the second layer contains an alloy of a transition metal and a heavy rare earth metal, rich in rare earth heavy metal and having a compensation temperature between room temperature and the Curie temperature, and the support satisfies the following equation TR <TC1 # TL # Tcomp.2 <TC2 # TH and satisfies, at ambient temperature, the following equations HC1 > HC2+|(#w/2MS1t1)- (aw/2M HC1> HC2 + | (# w / 2MS1t1) - (aw / 2M HC1 > (#w/2MS1t1) HC1> (# w / 2MS1t1) HC2 > (aw/2M52t2) HC2> (aw / 2M52t2) HC2+ ( #w/2MS2t2) < |Hini| < HC1+ (#w/2MS1t1) dans lesquelles T R température ambiante  HC2 + (# w / 2MS2t2) <| Hini | <HC1 + (# w / 2MS1t1) in which T R room temperature TCl = température de Curie de la-première couche TCl = Curie temperature of the first layer TC2 =température de Curie de la seconde couche TC2 = Curie temperature of the second layer TL = température -du support d'enregistrement lors TL = temperature of the recording medium during d'une irradiation par un faisceau laser de irradiation with a laser beam of faible niveau Low level T H = température du support d'enregistrement lors T H = temperature of the recording medium during de l'irradiation par un faisceau laser de of irradiation with a laser beam of niveau élevé high level HCl = champ coercitif de la première couche HCl = coercive field of the first layer HC2 = champ coercitif de la seconde couche HC2 = coercive field of the second layer M81 = moment magnétique à saturation de la première M81 = saturation magnetic moment of the first couche layer MS2 = moment magnétique å saturation de la seconde MS2 = magnetic moment at saturation of the second couche layer tl épaisseur du film de la première couche  tl film thickness of the first layer t2 = épaisseur du film de la seconde couche t2 = thickness of the film of the second layer a w = force de couplage d'échange a w = exchange coupling force Hini = champ initial Hini = initial field 16. Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que la première couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd de terres rares, riche en métal de transition et qui n'a pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et qui n'a pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante T R < TCl =TL < TC2 TH et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes  16. Support according to claim 7, characterized in that the first layer contains an alloy of a transition metal and a heavy metal of rare earths, rich in transition metal and which has no compensation temperature between room temperature and Curie temperature, the second layer contains an alloy of a transition metal and a rare earth heavy metal, rich in rare earth heavy metal and which has no compensation temperature between the ambient temperature and Curie temperature, and the support satisfies the following equation TR <TC1 = TL <TC2 TH and satisfies, at ambient temperature, the following equations HC1 > HC2+|(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2)| HC1> HC2 + | (# w / 2MS1t1) - (# w / 2MS2t2) | HC1 > (#w/2MS1t1)  HC1> (# w / 2MS1t1) HC2 > ( aw/2M52t2) HC2+(#w/2MS2t2) < |Hini| < HC1+(#w/2MS1t1) dans lesquelles HC2> (aw / 2M52t2) HC2 + (# w / 2MS2t2) <| Hini | <HC1 + (# w / 2MS1t1) in which T R = température ambiante  T R = ambient temperature T 2 = température de compensation de la seconde T 2 = compensation temperature of the second comp.  comp. Hini = champ initial Hini = initial field couche tl = épaisseur du film de la première couche t2 = épaisseur du film de la seconde couche a w = force de couplage d'échange layer tl = thickness of the film of the first layer t2 = thickness of the film of the second layer a w = exchange coupling force MS2 = moment magnétique à saturation de la secondeMS2 = magnetic moment at saturation of the second couche  layer M81 = moment magnétique à saturation de la première M81 = saturation magnetic moment of the first HC2 = champ coercitif de la seconde couche HC2 = coercive field of the second layer HCi = champ coercitif de la première couche HCi = coercive field of the first layer niveau élevé high level de l'irradiation par un faisceau laser de of irradiation with a laser beam of T H = température du support d'enregistrement lors T H = temperature of the recording medium during faible niveau Low level d'une irradiation par un faisceau laser de irradiation with a laser beam of TL = température du support d'enregistrement lors TL = temperature of the recording medium during C2  C2 T = température de Curie de la seconde couche T = Curie temperature of the second layer TCl = température de Curie de la première couche  TCl = Curie temperature of the first layer couche layer