FR2620541A1 - Circuit regulateur de tension - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un circuit régulateur de tension conçu de façon qu'une source de courant constant 23, 24, dans laquelle passe un courant betaI2 qui est multiple entier du courant venant d'une source de courant de référence 21, est connectée au trajet collecteur-émetteur d'un transistor 22 en série, si bien qu'il est possible d'empêcher la tension base-émetteur d'un transistor 22 de fluctuer en raison de la diffusion de la concentration en impureté de la base du transistor pendant le processus de fabrication.
Description
i 2620541 La présente invention concerne de façon générale les circuits
régulateurs de tension et, plus particulièrement, un circuit régulateur de tension qui peut supprimer les fluctuations
de sa tension de sortie.
Le brevet japonais publié n 53-18694 (qui correspond à la demande de brevet japonais mis à la disposition du public n 46-3527) et d'autres documents décrivent un circuit régulateur de tension dans lequel une tension de référence est réglée de façon à être égale à la tension de la bande interdite d'énergie (1,205 V) du silicium, afin de pouvoir ramener à zéro le coefficient de
température. La figure 1 montre un exemple d'un tel circuit régu-
lateur de tension classique. Ce circuit régulateur de tension
classique va être décrit ci-après en relation avec la figure 1.
Comme le montre la figure 1, il y a un transistor 11 dont le collecteur et la base sont tous deux connectés à la base d'un transistor 12. Le collecteur du transistor 12 est connecté à la base d'un transistor 13. Les émetteurs des deux transistors 11 et
13 sont directement connectés à la terre et l'émetteur du tran-
sistor 12 est connecté à la terre par l'intermédiaire d'une résis-
tance 14. Le collecteur du transistor 13 est connecté en commun
avec une source de courant 15 et la base d'un transistor tampon 16.
L'émetteur du transistor 16 et les collecteurs des transistors 11 et 12 sont connectés ensemble par l'intermédiaire de résistances 17 et 18. La source de courant 15 et le collecteur du transistor 16 sont tous deux connectés à la borne 1 d'une source de tension
(Vcc). Une borne de sortie 2 émane de l'émetteurdu transistor 16.
Comme cela est bien connu, entre la tension base-émetteur VBE et le courant de collecteur Ic d'un transistor, il existe une
relation qui s'exprime à l'aide de l'équation (1) ou (2) suivante.
q Ic = Is. exp (-. VBE) kT
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kT Ic Ic VBE -. In () = VTn ()... (2) BE q T Is o Is est le courant de saturation, q est la charge de l'éLectron,
T est La température absolue, et k est la constante de Boltzman.
Dans le circuit régulateur de tension connu qui est représenté sur la figure 1, IC1 et IC2 sont supposés être les courants de collecteur des transistors 11 et 12, VBE1 et VBE2 sont supposés être leur tension baseémetteur et R14 est supposé être La valeur de La résistance 14. Alors, L'équation (3) suivante est valable. VBE1 = VBE2 + Ic2R14 (3) En appliquant l'équation (2) à L'équation (3), on obtient les équations (4a) et (4b) suivantes:
IC1 IC2
VTIn ( -) = VT In (+ IC2R14... (4a) C2 14... (4a)
S S
VT IC1
IC2 - In (-)... (4b)
14 C2
Si l'on prend VBE3 pour la tension base-émetteur du transistor 13 et R18 pour la valeur de la résistance 18, la tension de référence VREF apparaissant sur la borne de sortie 2 s'exprime
comme dans l'équation (5) suivante obtenue à l'aide de l'équa-
tion (4b).
R18 IC1
VREF = IC2. R18 +VBE3 = VT In (-) + VBE3
R14 IC2
K. VT VBE3
R18 Ic1 K E Ln ( -)... (5)
R14 IC2
14 I C2
A partir de l'équation (2) précédente, il est donc évident que VT
(la tension thermique) possède un coefficient de température posi-
tif d'environ 1/300. Dans le même temps, la tension base-émetteur VBE3 du transistor 13 fluctue dans le sens négatif avec un rapport d'environ -2 mV/ C. Dans le circuit régulateur de tension présenté sur la figure 1, en choisissant convenablement la vaLeur de la
résistance 18, il est possible d'équilibrer la tension base-
émetteur à coefficient de température négatif du transistor 13 et la tension à coefficient de température positif produite aux bornes
de la résistance 18 en raison du courant de collecteur du tran-
sistor 12. Ainsi, comme décrit ci-dessus, il est possible d'obtenir une tension de référence VREF à coefficient de température nul qui soit égale à la tension de la bande interdite d'énergie du silicium. Si la tension aux bornes de la résistance 18 existant à cet instant est prise sous la forme Ko.VT, alors VT est presque égal à 26 mV (VT 26 mV), si bien que K0 devient sensiblement égal
à 23 (K0 - 23).
Il est demandé à un circuit régulateur de tension monté sur le circuit intégré d'avoir de faibles fluctuations de la tension de sortie, en plus de l'excellente caractéristique de température. Comme cela résulte clairement de l'équation (5), la
tension de sortie du circuit régulateur de tension classique pré-
senté sur la figure I dépend de la tension base-émetteur VBE du transistor 13. Cette tension base-émetteur VBE dépend du courant de
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saturation IS du transistor 13, comme cela résulte de l'équa-
tion (2).
Toutefois, dans le processus de fabrication du circuit intégré, si la concentration en impureté de la base d'un transistor fluctue dans un sens ou dans l'autre, le courant de saturation Is diminue ou augmente en fonction de ces fluctuations, tandis que, au
contraire, la tension base-émetteur VBE augmente ou diminue.
Comme précédemment noté, lorsque la tension constante de sortie du circuit régulateur de tension est fixée à VREF = 1,205 V, les fluctuations de la tension base-émetteur VBE suivant le processus de fabrication général atteignent par exemple environ + 40 mV, c'est-à-dire environ + 3,3 %. Pour cette raison, afin
d'amener la tension de sortie à tomber dans un intervalle prédéter-
miné, il faut mener plus strictement le processus de fabrication et effectuer des ajustements par découpage de la résistance ou des
opérations de ce type.
C'est donc un but de l'invention de fournir un circuit
régulateur de tension perfectionné.
Un autre but de l'invention est de fournir un circuit régulateur de tension dans lequel une source de courant constant, par laquelle passe un courant dont l'intensité est un multiple entier d'un courant de référence, est connectée au trajet collecteur-émetteur d'un transistor en cascade afin de produire la tension base-émetteur d'un transistor à partir de la base de ce
transistor.
Un autre but de l'invention est de fournir un circuit régulateur de tension qui peut empêcher la tension base-émetteur de fluctuer en raison de fluctuations de la concentration en impureté
de la base pendant le processus de fabrication.
Un autre but de l'invention est de fournir un circuit régulateur de tension qui présente une excellente caractéristique
de température.
Selon un aspect de l'invention, il est proposé un circuit régulateur de tension, qui comprend: a) un transistor possédant une borne d'entrée ainsi qu'une première et une deuxième borne de sortie; et
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b) une source de courant servant à multiplier un courant prédéter-
miné par un nombre prédéterminé, ladite source de courant étant connectée auxdites première et deuxième bornes de sortie dudit transistor en série, o une tension prédéterminée est obtenue de
ladite borne d'entrée.
Selon un autre aspect de l'invention, il est proposé un circuit régulateur de tension qui comprend: a) une première source de courant servant à produire un courant prédéterminé;
b) un premier transistor recevant sur sa base le courant prédéter-
miné de ladite première source de courant et servant à produire un courant d'émetteur qui est P fois plus grand que ledit courant prédéterminé; c) un deuxième transistor dont le collecteur est connecté audit émetteur dudit premier transistor et dont l'émetteur est connecté à la terre;
d) une deuxième source de courant connectée par sa première extré-
mité à la base dudit deuxième transistor et à une première extrémité d'une résistance qui produit une tension de référence; et e) un amplificateur tampon connecté entre l'émetteur dudit premier transistor et l'autre extrémité de ladite résistance, o une tension prédéterminée est obtenue sur l'autre extrémité de ladite résistance. Selon un autre aspect de l'invention, il est proposé un circuit régulateur de tension qui comprend: a) une première source de courant servant à produire un courant prédéterminé; b) un premier transistor dont l'émetteur est connecté à la terre et qui reçoit par sa base le courant prédéterminé de ladite première source de courant; c) un deuxième transistor dont le collecteur est connecté à un premier potentiel de référence, dont la base est connectée via une résistance audit premier potentiel de référence et dont l'émetteur est connecté au collecteur dudit premier transistor et à une borne de sortie de tension; et
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d) une deuxième source de courant connectée entre la base dudit
deuxième transistor et un deuxième potentiel de référence.
Selon un autre aspect de l'invention, il est proposé un circuit à courant constant, qui comprend: a) un premier transistor d'un premier type de conductivité dont l'émetteur est connecté via une première résistance à un premier potentiel de référence; b) un deuxième transistor du premier type de conductivité dont la base et le collecteur sont connectés b la base dudit premier
transistor et dont l'émetteur est connecté via une deuxième résis-
tance audit premier potentiel de référence; c) un troisième transistor d'un deuxième type de conductivité dont la base est connectée au collecteur dudit premier transistor et au
collecteur d'un quatrième transistor d'un deuxième type de conduc-
tivité ayant son émetteur connecté à la terre, dont le collecteur est connecté à la base et au collecteur dudit deuxième transistor
et dont l'émetteur est connecté à la base dudit quatrième tran-
sistor; et d) un cinquième transistor d'un deuxième type de conductivité dont la base est connectée à la base dudit quatrième transistor et à l'émetteur dudit troisième transistor, dont le collecteur est connecté via une troisième résistance b l'émetteur dudit troisième transistor, et dont l'émetteur est connecté via une quatrième - résistance à un deuxième potentiel de référence, o une tension de sortie est obtenue de l'émetteur dudit deuxième transistor et, ou
bien, du collecteur dudit cinquième transistor.
La description suivante, conçue à titre d'illustration de
l'invention, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: la figure 1 est un schéma montrant un exemple de la structure d'un circuit régulateur de tension classique;
la figure 2 est un schéma de connexion montrant la struc-
ture fondamentale d'un mode de réalisation d'un circuit régulateur de tension selon l'invention;
la figure 3 est un schéma de connexion montrant la struc-
ture pratique du mode de réalisation de l'invention représenté sur la figure 2;
la figure 4 est un schéma de connexion montrant la struc-
ture fondamentale d'un autre mode de réalisation du circuit régu-
lateur de tension selon l'invention; et
la figure 5 est un schéma de connexion montrant la struc-
ture pratique du mode de réalisation de l'invention représenté sur
la figure 4.
Un mode de réalisation d'un circuit régulateur de tension selon l'invention va maintenant être décrit en relation avec les figures 2 à 5. Dans les modes de réalisation suivants selon
l'invention, les transistors sont tous respectivement des tran-
sistors du type bi-jonction, ou transistors bipolaires. La figure 2 représente le montage fondamental du mode de réalisation de l'invention. Comme on peut le voir sur la figure 2, une extrémité d'une source de courant 21 est connectée à la base d'un transistor 22, tandis que L'autre extrémité de la source de courant 21 et
l'émetteur du transistor 22 sont connectés à la terre. Le collec-
teur du transistor 22 est connecté à l'émetteur d'un deuxième transistor 23, et la base du transistor 23 est connectée à une
première extrémité d'une deuxième source de courant 24. Le collec-
teur du transistor 23 et l'autre extrémité de la deuxième source de
courant 24 sont connectés ensemble à la source de tension 1 (Vcc).
La jonction entre le collecteur du transistor 22 et l'émetteur du transistor 23 est connectée à une borne d'entrée d'un tampon 27. La borne de sortie du tampon 27 est connectée directement à une borne
de sortie 2 et est également connectée en commun, par l'intermé-
diaire d'une résistance 28, à la source de courant 21 et à la base
du transistor 22.
Le fonctionnement du mode de réalisation représenté sur
la figure 2 est le suivant.
On suppose que des courants I1 et 12 circulent respec-
tivement dans les première et deuxième sources de courant 21 et 24.
De plus, on suppose que P(" 1) est le facteur d'amplification de courant de chacun des transistors 22 et 23. Alors, le courant 12 circule dans la base du transistor 23 de façon que le courant de collecteur du transistor 23 devienne pI2 et que le courant de collecteur du transistor 22, connecté en série avec le transistor 23, devienne également pI12. Dans la base du transistor 22, il circule un courant qui vaut 1/p fois le courant de collecteur, c'est-à-dire le courant I2 venant du tampon 27 via la résistance 28. Par conséquent, du fait du courant constant 11 et du courant de base 12 du transistor 22, la tension aux bornes de la résistance 28 se présente sous La forme (1 + 12) R28, o R28 est la valeur de la
résistance 28.
Pour que la tension de sortie V0 obtenue sur la borne 2
devienne égale à la tension de la bande interdite d'énergie ci-
dessus mentionnée, soit VREF, de la figure 2, la relation suivante doit être établie:
(I1 + I2) R28 = K0 VT
Les courants 11 et 12 des sources de courant 21 et 24 respectives s'expriment à l'aide de l'équation (6) suivante, o Ko = K1 + K2,
I1 = K1 VT/R28
I2 = K2 VT/R28 (6)
On va maintenant indiquer,en relation avec un exemple de montage pratique représenté sur la figure 3, comment déterminer les
coefficients K1 et K2.
La tension de sortie V0 ainsi produite sur la borne 2 est exprimée par l'équation (7) suivante:
VO =VREF= KO VT+ VBE ( 12) (7)
Bien que la tension base-émetteur VBE du transitor 22 dépende du courant de saturation IS comme cela résulte clairement de l'équation (2), si l'on prend égal à A le rapport entre le
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facteur d'amplification de courant P et le courant de saturation IS, puisque la corrélation entre le facteur d'amplification de courant P et le courant de saturation IS vaut approximativement 1,
A = P/IS devient une vaLeur constante indépendamment des fluctua-
tions de La concentration en impureté de la base.
Ainsi, l'équation (2) donne: VBE = VT In (A I2)... (8) Ainsi, la tension base-émetteur VBE du transistor 22 dépend d'un courant de base qui est égal au courant 12 de la deuxième source de courant 24. Comme cela résulte clairement de l'équation (6), bien que ce courant 12 fluctue en réponse aux fluctuations de la valeur R28 de la résistance 28, les fluctuations de la valeur R28 sont petites au point d'être négligeables par comparaison avec les fluctuations du courant de saturation IS, si bien que, selon ce mode de réalisation, les fluctuations de la tension base-émetteur VBE du transistor 22, et par conséquent les fluctuations de la tension de sortie V0 présentes sur la borne 2, peuvent être
supprimées.
Le montage pratique du mode de réalisation représenté sur
la figure 2 va être décrit en relation avec la figure 3.
Sur la figure 3, le numéro de référence 30 désigne de façon générale un circuit à courant constant. Dans le circuit à
courant constant 30, comme représenté sur la figure 3, les émet-
teurs d'une paire de transistors PNP 31 et 32 sont tous deux connectés à la borne 1 d'une source de tension (Vcc), et leurs bases sont couplées l'une à l'autre. Le collecteur du transistor 32 est connecté à sa base, si bien qu'une configuration du type dit circuit miroir de courant est établie. Le collecteur du transistor PNP 31 et le collecteur d'un transistor NPN 33 dont l'émetteur est connecté à la terre sont couplés ensemble, et le collecteur d'un
transistor NPN 34 dont la base est connectée à la jonction P ci-
dessus indiquée est connecté au collecteur du transistor PNP 32.
Un transistor 35N est.ce que l'on peut appeler un tran-
sistor multi-émetteur NPN dans lequel l'émetteur possède une aire
2620541
N fois plus grande que celle du transistor 33. En d'autres termes, le transistor multi-émetteur 35N possède une capacité de courant N fois plus grande que celle du transistor 33. Les émetteurs multiples du transistor 35N sont connectés en commun, puis sont
connectés à la terre via une résistance 36. Le collecteur du tran-
sistor 35N est connecté à l'émetteur du transistor 34 via une résistance de charge 37, tandis que la base du transistor 35N est connectée en commun avec la base du transistor 33 et l'émetteur du
transistor 34.
La base d'un transistor 41 est connectée en commun avec les bases des transistors 33 et 35 dans le circuit à courant N constant 30. Le collecteur du transistor 41 est connecté à la base d'un transistor 42 et les émetteurs des deux transistors 41 et 42 sont connectés à la terre. Le collecteur du transistor 42 et l'émetteur d'un transistor 43 sont connectés ensemble, tandis que le collecteur du transistor 43 est connecté à la borne 1 de la
source de tension.
Les émetteurs d'une paire de transistors PNP 44 et 45 sont connectés à la borne 1 de la source de tension, leurs bases sont connectées l'une à l'autre, et le collecteur du transistor 45 est connecté à sa base, ce qui forme une configuration en circuit miroir de courant. Le collecteur du transistor PNP 44 et la base du transistor NPN 43 sont connectés ensemble. Le collecteur d'un transistor NPN 46 dont l'émetteur est connecté à la terre est connecté au collecteur du transistor PNP 45. La base du transistor 46 est connectée au collecteur du transistor multi-émetteur 35N
dans le circuit à courant constant 30.
Au point de jonction Q entre le collecteur du transistor
42 et l'émetteur du transistor 43, est connectée la base d'un tran-
sistor PNP 71 appartenant à un tampon 70. L'émetteur du transistor 71 est directement connecté à la base d'un transistor NPN 72 et est également connecté, via une résistance 73, à la borne 1 de la source de tension. Le collecteur du transistor 71 est connecté à la terre. Le collecteur du transistor 72 est connecté à la borne 1 de la source de tension et son émetteur est directement connecte à la borne de sortie 2 et est également connecté, via une résistance 48,
au collecteur du transistor 41.
Les transistors 41 et 44 de la figure 3 correspondent
respectivement aux sources de courant 21 et 24 de la figure 2.
Un courant I35 fourni au transistor multi-émetteur 35N se
répartit uniformément entre les transistors unités qui sont pré-
sentés sur la figure 3 sous la forme de N émetteurs. Ainsi, dans le circuit à courant constant 30 représenté sur la figure 3, si l'on prend en considération les tensions base-émetteur respectives des
transistors 33 et 35N, on établit L'équation (9) suivante en simi-
Larité avec l'équation (4b).
VT N. I33
I35 Ln ()... 9
R36 I35
Les transistors PNP 31 et 32 de la configuration en
circuit miroir de courant peuvent maintenir les courants de collec-
teur I33 et I35 des transistors 33 et 35N dans une relation qui s'exprime sous la forme I33 = I35. L'application de cette relation à l'équation (9) donne l'équation (10) suivante: VT I35 - lnN... (10)
R36
Puisque les bases des transistors 33, 35N et 41 sont connectées ensemble, leurs courants de collecteur respectifs sont maintenus égaux entre eux si bien que le courant constant I1 égal
au courant I35 exprimé par l'équation (10) circule dans le tran-
sistor 41.
Sur la figure 3, si l'on prend en considération les tensions baseémetteur respectives des transistors 33 et 46, l'équation (11) suivante s'établit, o R37 est La valeur de la résistance de charge 37:
12 2620541
I33 12
VT In () = VT n -) + I35 R37... (11)
IS S
En réarrangeant l'équation (11), on obtient l'équation (12) suivante:
I33 I35 R37
= exp ()... (12)
12 VT
Puisque le courant de collecteur I35 du transistor muLti-
émetteur 35N est obtenu de la manière indiquée dans l'équation (10), le fait de porter l'équation (10) dans l'équation (12) et de réarranger celle-ci donne l'équation (13) suivante:
I33 R37
= exp () = Nm
I2 R36
202 36
I2 = I33/N... (13)
o m = R37/R36 Alors que le courant constant 12 exprimé par l'équation (13) circule dans le transistor 46, les transistors 45 et 44 de la configuration en circuit miroir de courant font qu'un courant dont l'intensité est égale à celle du courant constant 12 exprimé par l'équation (13) circule dans la base du transistor 43. Ainsi, de la même façon que pour le mode de Céalisation représenté sur la figure 2, le courant pI2 venant du transistor 43 est fourni au collecteur du transistor 42 et le transistor 72 du tampon 70
fournit le courant 12 à la base du transistor 42 via La resis-
tance 48.
Dans la résistance 48, il circule le courant de collec-
teur I1 du transistor 41 et le courant de base I2 du transistor 42.
Dans le mode de réalisation représenté sur la figure 3, afin d'obtenir la tension VREF de la bande interdite d'énergie sur la borne de sortie 2, on doit définir, à partir des équations (6), (10) et (13), les coefficients K1 et K2 tels qu'exprimés par l'équation (14) suivante: O K1 =lnN lnN K2 = m... (14) N o m = R37 /R36 Dans ce mode de réalisation, lorsqu'on choisit le rapport de l'aire des émetteurs du transistor multi-émetteur 35N de façon à
satisfaire la relation N = 8, les valeurs respectives de la résis-
tance d'émetteur 36 et des résistances 37 et 48 sont déterminées par exemple de la façon suivante: R36 = 1,2 kQ, R37 = 2,4 ka et
R48 = 12 ka.
Dans ce cas, il faut noter que, à partir de l'équation
(13), l'égalité I2 = I1/82 est établie. Dans ce mode de réalisa-
tion, puisqu'il est prévu une intensité de sortie très petite pour le courant constant, on peut choisir la valeur de la résistance de façon qu'elle soit relativement basse. Ainsi, il est possible d'envoyer un circuit à courant constant 30 qui peut commodément
être fabriqué sous la forme d'un circuit intégré.
On va ensuite décrire, en relation avec les figures 4 et 5, un autre mode de réalisation du circuit régulateur de tension selon l'invention. La figure 4 montre la structure fondamentale de ce mode de réalisation, et, sur la figure 4, des parties qui correspondent à des parties identiques de La figure 2 sont repérées par les mêmes références, si bien qu'on n'en donnera pas une
description détaillée.
On se reporte à la figure 4. Une première extrémité de la source de courant 21 est connectée à la base du transistor NPN 22 et l'autre extrémité de la source de courant 21 est connectée à la terre. L'émetteur du transistor 22 et le collecteur du deuxième transistor NPN 23 sont connectés l'un à l'autre, tandis que La base du transistor 23 et une première extrémité de la deuxième source de courant 24 sont connectées l'une à l'autre. De plus, le collecteur du transistor 22 et l'autre extrémité de la deuxième de courant 24 sont tous deux connectés à La borne 1 de la source de tension (Vcc), tandis que l'émetteur du transistor 23 est connecté à la terre. Une borne de sortie 3 est prise sur la jonction entre l'émetteur du transistor 22 et Le collecteur du transistor 23. Par l'intermédiaire de la résistance 28, la borne 1 de la source de tension est connectée en commun avec la source de courant 21 et la
base du transistor 22.
Selon le mode de réalisation représenté surla figure 4, de la même façon que pour le mode de réalisation de la figure 2,
une tension de sortie V0 égale à la tension VREF de la bande inter-
dite d'énergie ci-desssus mentionnée, et dont les fluctuations sont petites, peut être produite entre la borne 1 de la source de
tension et la borne de sortie 3.
La figure 5 illustre un montage pratique du mode de réalisation de la figure 4. Sur la figure 5, les parties qui correspondent à des parties identiques de la figure 3 sont repérées par les mêmes références, si bien qu'on omettra partiellement de
fournir des explications redondantes.
Sur la figure 5, le numéro de référence 30A désigne de
façon générale un circuit à courant constant dans lequel les émet-
teurs respectifs d'une paire de transistors PNP 31 et 32 ayant une configuration en circuit miroir de courant sont connectés via des résistances 38 et 39 à la borne 1 de la source de tension. La jonction entre la résistance 39 et l'émetteur du transistor 32 est connectée à la base du transistor 42, et la borne de sortie 3 est prise sur la jonction entre l'émetteur du transistor 42 et le collecteur d'un transistor 43. Le collecteur du transistor 42 est connecté à la borne 1 de la source de tension et l'émetteur du
transistor 43 est connecté à la terre.
Les collecteurs d'une paire de transistors PNP 44 et 45
ayant une configuration en circuit miroir de courant sont respecti-
vement connectés à la base du transistor 43 et au collecteur d'un transistor 46 dont L'émetteur est connecté à la terre. La base du transistor 46 dont l'émetteur est connecté à la terre est connectée
au collecteur du transistor multi-émetteur 35N.
Dans le mode de réalisation représenté sur la figure 5, le courant qui circule dans la résistance 39 est la somme du courant de base 12 du transistor 42 qui est connecté en série avec Le transistor 43 et dans lequel il circule le courant de collecteur PI2 et le courant de collecteur I35 (exprimé par l'équation (10)) du transistor multi-émetteur 35N. Comme précédemment décrit en relation avec le mode de réalisation de la figure 3, le courant de
collecteur I35 de ce transistor 35N est égal au courant de collec-
teur I1 du transistor 41 prévu pour servir de source de courant.
Ainsi, dans le mode de réalisation représenté sur la figure 5, la tension aux bornes de la résistance 39 est égale à la tension aux bornes de la résistance 48 du mode de réalisation de la
figure 3 et se présente sous la forme Ao VT-
Selon l'invention, comme établi ci-dessus, puisque la source de courant constant dans laquelle circule un courant p fois plus grand que le courant de référence est connectée au trajet de courant collecteur- émetteur du transistor en série, il est possible d'obtenir un circuit régulateur de tension qui peut empêcher la tension base-émetteur du transistor de fluctuer sous l'effet des fluctuations de la concentration en impureté de la base dans le
processus de fabrication.
Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer,
à partir du circuit dont la description vient d'être donnée à titre
simplement illustratif et nullement limitatif, diverses variantes
et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention.
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Claims (10)
1. Circuit régulateur de tension, caractérisé en ce qu'il comprend: a) un transistor (22) possédant une borne d'entrée (2) ainsi qu'une première et une deuxième borne de sortie; et b) une source de courant (21, 24) servant à multiplier un courant prédéterminé (I2) par un nombre prédéterminé (p), ladite source de courant étant connectée auxdites première et deuxième bornes de sortie dudit transistor en série, o une tension prédéterminée (VO)
est extraite de ladite borne d'entrée.
2. Circuit régulateur de tension selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite borne d'entrée dudit transistor est connectée à ladite première ou deuxième borne de sortie de
celui-ci.
3. Circuit régulateur de tension selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit transistor est un transistor bipolaire NPN ou PNP et comporte une source de courant servant à produire un
courant qui est 5 fois plus grand que ledit courant constant.
4. Circuit régulateur de tension, caractérisé en ce qu'il comprend: a) une première source de courant (24) servant à produire un courant prédéterminé (I2);
b) un premier transistor (23) recevant à sa base le courant pré-
déterminé en pr venance de ladite première source de courant et permettant de produire un courant d'émetteur qui est p fois plus grand que ledit courant prédéterminé; c) un deuxième transistor (22) dont le collecteur est connecté audit émetteur dudit premier transistor et dont l'émetteur est connecté à la terre; d) une deuxième source de courant (21) connectée par une première extrémité à la base dudit deuxième transistor et à une première
extrémité d'une résistance (28) qui produit une tension de réfé-
rence (Ko.VT); et e) un amplificateur tampon (27) connecté entre l'émetteur dudit premier transistor et l'autre extrémité de ladite résistance, o
une tension prédéterminée est extraite au niveau de l'autre extré-
mité de ladite résistance.
5. Circuit régulateur de tension selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite deuxième source de courant reçoit une tension de polarisation de la part d'un circuit miroir de
courant (30).
6. Circuit régulateur de tension selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit circuit miroir de courant comprend: un premier et un deuxième transistor (31, 32) d'un premier type de conductivité, dont les émetteurs sont connectés ensemble à un
premier potentiel de référence (Vcc) et dont les bases sont connec-
tées l'une à l'autre; un troisième transistor (34) d'un deuxième type de conductivité, dont le collecteur est connecté au collecteur et à la base dudit
deuxième transistor (32) et dont la base est connectée au collec-
teur dudit premier transistor (31); un quatrième transistor (33) à émetteur connecté à la terre, du deuxième type de conductivité, dont le collecteur est connecté à
la base dudit troisième transistor (34) et dont la base est connec-
tée à l'émetteur dudit troisième transistor; et un cinquième transistor (35N) du deuxième type de conductivité, dont la base est connectée à la base dudit quatrième transistor (33), dont le collecteur est connecté via une résistance (37) à l'émetteur dudit troisième transistor (34), et dont l'émetteur est connecté via une résistance (36) à un deuxième potentiel de référence (terre), o la tension de polarisation est extraite de la base ou du collecteur
dudit quatrième transistor.
7. Circuit régulateur de tension selon la revendication 6, o l'aire d'émetteur dudit cinquième transistor (35N) dudit circuit miroir de courant (30) est choisie de manière à être un multiple
entier (N) de celle dudit quatrième transistor.
8. Circuit régulateur de tension, caractérisé en ce qu'il comprend: a) une première source de courant (24) servant à produire un courant prédéterminé (I2);
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b) un premier transistor (23) à émetteur connecté a la terre, qui reçoit sur sa base le courant prédéterminé de la part de ladite première source de courant; c) un deuxième transistor (22) dont le collecteur est connecté à un premier potentiel de référence (Vcc), dont la base est connectée via une résistance (28) audit premier potentiel de référence, et dont l'émetteur est connecté au collecteur dudit premier transistor et à une borne de sortie de tension (3); et d) une deuxième source de courant (21) connectée entre la base dudit deuxième transistor et un deuxiéme ootentiel de référence (terre). 9. Circuit à courant constant, destiné à être utilisé dans un circuit régulateur de tension selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend: a) un premier transistor (31) j'un premier type ce conouctivite, dont l'émetteur est connecté via une première résistance (38) à un premier potentiel de référence (Vcc); b) un deuxième transistor (32) du premier type de conductivité, dont la base et le collecteur sont connectés à la base dudit premier transistor (31) et dont l'émetteur est connecté via une deuxième résistance (39) audit premier potentiel de référence (Vcc); c) un troisième transistor (34) d'un deuxième type de conductivité, dont la base est connectée au collecteur dudit premier transistor (31) et au collecteur d'un quatrième transistor (33) du deuxième type de conductivité ayant son émetteur connecté à la terre, dont le collecteur est connecté à la base et au collecteur dudit deuxième transistor (32), et dont l'émetteur est connecté à la base dudit quatrième transistor; et d) un cinquième transistor (35N) du deuxième type de conductivité, dont la base est connectée à la base dudit quatrième transistor (33) et à l'émetteur dudit troisième transistor (34), dont le collecteur est connecté via une troisième résistance (37) à l'émetteur dudit troisième transistor, et dont l'émetteur est connecté via une quatrième résistance (36) à un deuxième potentiel de référence (terre), o une tension de sortie est extraite de l'émetteur dudit deuxième transistor et, ou bien, du collecteur
dudit cinquième transistor.
10. Circuit à courant constant selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'aire d'émetteur dudit cinquième transistor (35N) est choisie de manière à être un multiple entier (N) de
l'aire d'émetteur dudit quatrième transistor.
21.10.1988
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