FR2602798A1 - Procede de depot par pulverisation cathodique d'une couche de materiau sur des substrats et dispositif de mise en oeuvre d'un tel procede - Google Patents
Procede de depot par pulverisation cathodique d'une couche de materiau sur des substrats et dispositif de mise en oeuvre d'un tel procede Download PDFInfo
- Publication number
- FR2602798A1 FR2602798A1 FR8611693A FR8611693A FR2602798A1 FR 2602798 A1 FR2602798 A1 FR 2602798A1 FR 8611693 A FR8611693 A FR 8611693A FR 8611693 A FR8611693 A FR 8611693A FR 2602798 A1 FR2602798 A1 FR 2602798A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- substrates
- movement
- satellite
- target
- rotation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE DEPOT PAR PULVERISATION CATHODIQUE D'UNE COUCHE DE MATERIAU SUR DES SUBSTRATS DANS LEQUEL EST REALISE UN PREMIER MOUVEMENT 11 DE DEFILEMENT DESDITS SUBSTRATS 30 AU-DESSOUS D'UNE CIBLE UN SECOND MOUVEMENT 13 DE DEFILEMENT ETANT ASSOCIE AU PREMIER MOUVEMENT 11 DE MANIERE A FAIRE PRENDRE AUX SUBSTRATS TOUTES LES POSITIONS POSSIBLES SOUS LA CIBLE 14, DE FACON A HOMOGENEISER LES DEPOTS SUR LESDITS SUBSTRATS. L'INVENTION CONCERNE, EN OUTRE, UN DISPOSITIF DE MISE EN OEUVRE D'UN TEL PROCEDE. APPLICATION NOTAMMENT A LA MICROELECTRONIQUE.
Description
Procédé de dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche de matériau sur des substrats et dispositif de mise en oeuvre d'un tel procédé.
L'invention concerne un procédé de dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche de matériau sur des substrats et un dispositif de mise en oeuvre d'un tel procédé : le dépôt peut être un dépôt de couches conductrices ou résistives sur différents supports appelés substrats.
La pulvérisation cathodique est un procédé de dépôt sous vide fonctionnant à froid, en plasma luminescent dans un gaz à pression réduite aux environs de 10 3 torr.
Le matériau à déposer, appelé cible, est fixé sur une électrode refroidie portée à une tension négative de plusieurs kilovolts (la cathode). La seconde électrode ou anode est disposée parallèlement à la première à quelques centimètres de celle-ci, et maintenue à la masse.
Elle sert de porte-substrat.
Lorsque la pression dans l'enceinte est comprise entre 10 2 et 1 torr le champ électrique créé entre les deux électrodes provoque l'ionisation du gaz résiduel.
Le gaz résiduel devenu conducteur contient alors
- des électrons attirés par l'anode.
- des électrons attirés par l'anode.
- des ions positifs attirés par la cible.
Sous l'impact des ions positifs des atomes sont arrachés de la cible et se déposent notamment sur les substrats.
Le principe même d'un tel dépôt conduit à obtenir, sur la surface déposée des dispersions dans l'épaisseur, et donc dans les caractéristiques physiques et électriques de la couche.
Ainsi lors de l'étude des gradients de résistivité dans des bâtis utilisés pour déposer des résistances sur des substrats diélectriques, on constate une grande dispersion tant au point de vue des résistivités que des coefficients de températures, et une mauvaise stabilité dans le temps que ce soit avec une cible ronde ou une cible en delta. Ce phénomène est, en partie à l'origine des rebuts sur ces résistances.
Les solutions connues pour réduire de telles inégalités de dépôt consistent
- soit à placer un écran d'uniformité destiné à réduire la surface illuminée
- soit à réduire le nombre des pièces
- soit à optimiser les caractéristiques du milieu
- soit à utiliser des bobines déflectrices qui modifient la répartition du bombardement de la cible et donc le dépôt ;
- soit à déplacer les pièces sous la cible.
- soit à placer un écran d'uniformité destiné à réduire la surface illuminée
- soit à réduire le nombre des pièces
- soit à optimiser les caractéristiques du milieu
- soit à utiliser des bobines déflectrices qui modifient la répartition du bombardement de la cible et donc le dépôt ;
- soit à déplacer les pièces sous la cible.
Dans ce dernier cas, les procédés connus de déplacement consistent . soit à provoquer un déplacement latéral . soit à provoquer un mouvement de rotation sous la cible.
Toutes ces solutions permettent d'obtenir une meilleure symétrie du dépôt par rapport au déplacement.
Mais elles présentent différents inconvénients, surtout en ce qui concerne la mise en oeuvre qui est difficile : ainsi, l'étude de ltécran le mieux adapté est longue, et l'emploi de bobines nécessite une modification importante des bâtis.
L'invention a pour objet de pallier ces différents inconvénients tout en permettant d'améliorer l'homogénéité des dépôts sur chaque lot de substrats.
L'invention propose à cet effet un procédé de dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche de matériau sur des substrats, dans lequel est réalisé un premier mouvement de défilement desdits substrats audessous d'une cible, caractérisé en ce qu'un second mouvement de défilement est associé au premier mouvement de manière à faire prendre aux substrats toutes les positions possibles sous la cible de façon à homogénéiser les dépôts sur lesdits substrats.
L'invention permet donc d'obtenir, avec une surface utile beaucoup plus grande, pratiquement la même uniformité que dans le cas d'une surface réduite.
Plus précisément, l'invention concerne un procédé dans lequel les mouvements de défilement sont des mouvements de rotation autour d'axes parallèles entre eux.
Avantageusement, l'invention propose un dispositif dans lequel des substrats sont disposés sur des plateaux satellites mûs chacun successivement d'un mouvement de rotation par rapport à un plateau principal, lui-meme en rotation par rapport à un bâti fixe, chaque plateau satellite étant muni d'au moins un ergot vertical, le bâti comportant au moins un doigt horizontal sur lequel viennent buter les ergots verticaux de manière à ce que, à chaque tour du plateau principal au moins un ergot vertical vienne buter sur un doigt horizontal et reste immobile jusqutà ce qu'il puisse échapper, occasionnant ainsi une rotation partielle du plateau satellite concerne.
Ce dispositif présente l'avantage d'être d'une grande simplicité de réalisation, en effet - Il est exempt de motorisation ce qui permet d'éviter toute vibration, et toute pollution.
- Il ne comprend aucun entraînement par chaîne ou par courroie.
- Il est réglable et amovible sans nécessiter de modification de la machine sur laquelle il est disposé.
De plus, l'invention permet d'obtenir une grande homogénéité des fabrications tout en ayant un faible coût. Elle permet en outre d'obtenir d'excellentes performances.
Les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description qui va suivre, à titre d'exemple non limitatif, en référence aux figures annexées dans lesquelles - la figure 1 illustre le procédé selon l'invention, - la figure 2 illustre une vue de dessus partielle d'un dispositif de mise en oeuvre d'un tel procédé, - les figures 3 et 4 sont deux vues schématiques en élévation et de dessus, d'une partie du dispositif de mise en oeuvre d'un tel procédé.
La figure 1 représente un dispositif de pulvérisation cathodique dans lequel un plateau principal 10 est mû d'un premier mouvement de rotation 11. Des plateaux satellites 13, disposés au dessus de ce plateau principal 10, sont mûs successivement de seconds mouvements de rotation 13 autour d'axes de rotations parallèles à celui du premier mouvement 11, l'ensemble de plateaux satellites défilant sous une cible 14.
L'invention permet de faire prendre à des substrats disposés sur ces plateaux satellites 12 toutes les positions possibles, de façon à homogénéiser l'épaisseur et le dopage des dépôts.
L'originalité de l'invention consiste donc à associer au premier mouvement 11 un second mouvement 13 continu ou discontinu, réglé pour corriger les dispersions d'une quantité connue.
Dans la figure 2, le plateau principal 10, qui a la forme d'une couronne circulaire, porte six plateaux satellites 12.
Le plateau principal a un premier mouvement de rotation 11, continu à vitesse constante, par rapport à un bâti fixe 27. Ce bâti a la forme d'une table munie d'un enfoncement circulaire dans lequel est disposé le plateau principal 10.
Ce mouvement 11 est généré par des moyens de commande non représentés dans la figure.
Chaque plateau satellite 12 est mobile en rotation 13 autour d'un axe 15 qui est disposé sur un cercle 16 de rayon R et de même centre 17 que la couronne formée par le plateau principal 10. Comme représenté dans la figure 3, la surface en contact 18 entre le plateau principal 10 et chaque plateau satellite 12 est la plus faible possible pour diminuer les frottements, tout en permettant une bonne assise de ces plateaux satellites 12.
Comme représenté dans la figure 4, chaque plateau satellite 12 est maintenu en pression latérale à 11 aide de deux galets 20 en rotation autour d'un axe 21 et l'aide d'un troisième galet 22 mobile autour d'un axe 24 et maintenu contre la paroi latérale de ces plateaux satellites à l'aide d'un ressort 23. Chaque plateau secondaire 12 reste ainsi amovible.
Les différents axes de rotation du plateau principal 10 des plateaux satellites 12, des galets 20 et 22 sont tous parallèles et perpendiculaires aux faces supérieures des plateaux 10 et 12.
Grâce à ces différents galets 20 et 22, les plateaux satellites 12 sont maintenus en pression latérale ce qui permet d'absorber toute dilatation de ces plateaux due à la chaleur.
Chaque plateau satellite comporte à sa périphérie un ou plusieurs ergots 25 verticaux ici au nombre de six, de hauteur suffisante pour venir buter sur un ou plusieurs doigts 26 horizontaux reliés au bâti 27 grâce à des moyens mécaniques 28. Dans les figures 3 et 4, un seul doigt 26 est représenté.
En modifiant la longueur du doigt 26 et le nombre d'ergots 25 par plateau satellite 12, on peut faire varier la rapport entre le nombre de révolutions du plateau principal 10 correspondant à une rotation de chaque plateau satellite 12. Dans le cas représenté à la figure 2, chaque plateau satellite 12 tourne, ainsi, de 1/6e de tour, à chaque tour du plateau principal 10.
En effet, en fonctionnement, à chaque tour du plateau principal 10 les ergots 25 de chaque plateau satellite 12 viennent buter sur le doigt 26 fixe et restent immobiles jusqu'à ce qu'ils échappent en extrémité du doigt horizontal 26.
Dans la figure 2, quatre petits substrats 30 ont été représentés sur chaque plateau satellite 12, l'un d'entre-eux 31 étant hachuré, les pointillés 32 mettant en évidence la rotation d'un des plateaux satellites 12.
Il est bien entendu que la présente invention n'a été décrite et représentée qu'à titre d'exemple préférentiel et que l'on pourra remplacer ses éléments constitutifs par des éléments équivalents sans, pour autant, sortir du cadre de l'invention.
Ainsi le doigt horizontal 26 rigide pourrait tout aussi bien être légèrement flexible pour faciliter une rotation sans à-coup des plateaux satellites 12.
Claims (3)
1/ Procédé de dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche de matériau sur des substrats, dans lequel est réalisé un premier mouvement (11) de défilement desdits substrats (30) au-dessous d'une cible, caractérisé en ce qutun second mouvement (13) de défilement est associé au premier mouvement (11) de manière à faire prendre aux substrats toutes le positions possibles sous la cible de façon à homogénéiser les dépôts sur lesdits substrats.
2/ Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier mouvement (11) de défilement est un mouvement de rotation autour d'un axe principal (17), et en ce que le second mouvement (13) de défilement est un mouvement de rotation autour-d'axes secondaire (15) parallèles à l'axe principal (17).
3/ Dispositif de mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les substrats (30) sont disposés sur des plateaux satellites (12) mûs chacun successivement d'un mouvement de rotation (13) par rapport à un plateau principal (10) lui-même en rotation (11) par rapport à un bâti 27 fixe, en ce que chaque plateau satellite (12) est muni d'au moins un ergot (25) vertical, en ce que le bâti (27) comporte au moins un doigt horizontal (26) sur lequel viennent buter ces ergots (25) verticaux, de manière à ce que, à chaque tour du plateau principal, au moins un ergot (25) vertical vienne buter sur un doigt horizontal (26) et reste immobile jusqu'à ce qu'il puisse échapper, occassionnant ainsi une rotation partielle du plateau satellite (12) concerné.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8611693A FR2602798B1 (fr) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | Procede de depot par pulverisation cathodique d'une couche de materiau sur des substrats et dispositif de mise en oeuvre d'un tel procede |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8611693A FR2602798B1 (fr) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | Procede de depot par pulverisation cathodique d'une couche de materiau sur des substrats et dispositif de mise en oeuvre d'un tel procede |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2602798A1 true FR2602798A1 (fr) | 1988-02-19 |
| FR2602798B1 FR2602798B1 (fr) | 1992-10-23 |
Family
ID=9338273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8611693A Expired - Fee Related FR2602798B1 (fr) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | Procede de depot par pulverisation cathodique d'une couche de materiau sur des substrats et dispositif de mise en oeuvre d'un tel procede |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR2602798B1 (fr) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5240583A (en) * | 1992-01-14 | 1993-08-31 | Honeywell Inc. | Apparatus to deposit multilayer films |
| FR2701463A1 (fr) * | 1993-02-15 | 1994-08-19 | Gentric Alain | Dispositif de sélection pour amener un objet, par exemple un substrat, à une station de traitement. |
| US6183615B1 (en) | 1992-06-26 | 2001-02-06 | Tokyo Electron Limited | Transport system for wafer processing line |
| CN108998768A (zh) * | 2018-08-29 | 2018-12-14 | 王志伟 | 一种基于pvd技术的表面镀膜装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2053802A1 (en) * | 1970-11-02 | 1972-05-10 | Licentia Gmbh | Uniform evaporated coatings prodn - esp metal layers for integrated semiconductor circuits etc |
| SU372785A3 (fr) * | 1964-11-24 | 1973-03-01 | ||
| US4151059A (en) * | 1977-12-27 | 1979-04-24 | Coulter Stork U.S.A., Inc. | Method and apparatus for sputtering multiple cylinders simultaneously |
| JPS5881970A (ja) * | 1981-11-06 | 1983-05-17 | Clarion Co Ltd | スパツタ装置 |
-
1986
- 1986-08-13 FR FR8611693A patent/FR2602798B1/fr not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU372785A3 (fr) * | 1964-11-24 | 1973-03-01 | ||
| DE2053802A1 (en) * | 1970-11-02 | 1972-05-10 | Licentia Gmbh | Uniform evaporated coatings prodn - esp metal layers for integrated semiconductor circuits etc |
| US4151059A (en) * | 1977-12-27 | 1979-04-24 | Coulter Stork U.S.A., Inc. | Method and apparatus for sputtering multiple cylinders simultaneously |
| JPS5881970A (ja) * | 1981-11-06 | 1983-05-17 | Clarion Co Ltd | スパツタ装置 |
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 23, no. 10, mars 1981, pages 4660-4661, New York, US; P.A.ALBERT et al.: "Flexible, multi-motion planetary system for vacuum deposition" * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 7, no. 175 (C-179)[1320], 3 août 1983; & JP-A-58 81 970 (CLARION K.K.) 17-05-1983 * |
| REV. SCI. INSTRUM., vol. 48, no. 6, juin 1977, pages 702-703, American Institute of Physics, New York, US; B.BATES et al.: "Compact fast-acting shutter for a multiple-position, planetary workholder" * |
| SOVIET INVENTIONS ILLUSTRATED, semaine 8524, 25 juillet 1985, Derwent Publications Ltd, Londres, GB; & SU-A-372 785 (CAR ELECTR. EQUIP. INSTR.) 23-11-1984 * |
| XEROX DISCLOSURE JOURNAL, vol. 9, no. 3, mai/juin 1984, pages 173-175, Xerox Corporation, Stamford, Connecticut, US; G.P.CEASAR et al.: "Multiple drum fabrication for ion beam deposited a-Si:H photoreceptors" * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5240583A (en) * | 1992-01-14 | 1993-08-31 | Honeywell Inc. | Apparatus to deposit multilayer films |
| US6183615B1 (en) | 1992-06-26 | 2001-02-06 | Tokyo Electron Limited | Transport system for wafer processing line |
| FR2701463A1 (fr) * | 1993-02-15 | 1994-08-19 | Gentric Alain | Dispositif de sélection pour amener un objet, par exemple un substrat, à une station de traitement. |
| EP0612101A1 (fr) * | 1993-02-15 | 1994-08-24 | France Telecom | Dispositif de sélection pour amener un objet, par exemple un substrat, à une station de traitement |
| US5400892A (en) * | 1993-02-15 | 1995-03-28 | Alain Gentric | Selector device for feeding an object such as a substrate to a processing station |
| CN108998768A (zh) * | 2018-08-29 | 2018-12-14 | 王志伟 | 一种基于pvd技术的表面镀膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2602798B1 (fr) | 1992-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0242898B1 (fr) | Dispositif comprenant un suscepteur plan tournant parallèlement à un plan de référence autour d'un axe perpendiculaire à ce plan | |
| EP0363235B1 (fr) | Procédé et dispositif pour l'application uniformément régulière d'une couche de résine sur un substrat | |
| FR2527384A1 (fr) | Porte magnetique a gaz | |
| FR2535109A1 (fr) | Appareil de pulverisation, utilisable notamment pour la fabrication des dispositifs a semi-conducteurs | |
| EP0851465A1 (fr) | Procédé de séparation d'au moins deux éléments d'une structure en contact entre eux par implantation ionique | |
| FR2493508A1 (fr) | Tete de mesure a cristal piezoelectrique | |
| FR2698884A1 (fr) | Dépôt de différents matériaux sur un substrat. | |
| FR2639474A1 (fr) | Appareil de deposition chimique en phase vapeur par plasma a micro-ondes | |
| EP0263788A1 (fr) | Procédé et installation de dépôt de silicium amorphe hydrogène sur un substrat dans une enceinte à plasma | |
| FR2602798A1 (fr) | Procede de depot par pulverisation cathodique d'une couche de materiau sur des substrats et dispositif de mise en oeuvre d'un tel procede | |
| EP0346168B1 (fr) | Réacteur à plasma | |
| EP0759155B1 (fr) | Procede et dispositif pour la mesure in situ des contraintes se developpant au sein d'une couche mince lors de son depot sur un substrat | |
| EP0824603A1 (fr) | Dispositif pour deposer un materiau par evaporation sur des substrats de grande surface | |
| FR2880632A1 (fr) | Systeme de depot par pulverisation cathodique aide par plasma | |
| FR2549452A1 (fr) | Sas a vide avec des porte-objets pour introduire des objets dans des enceintes a vide et les faire sortir de celles-ci | |
| EP0448474B1 (fr) | Dispositif pour rendre homogène l'implantation d'ions sur la surface d'échantillons plans | |
| EP0674804B1 (fr) | Installation de depot d'un materiau metallique sur une plaque par evaporation | |
| EP3943639A1 (fr) | Dispositif de depot chimique en phase vapeur assiste par plasma permettant un depot sur les bords de plaque | |
| EP0184487B1 (fr) | Dispositif pour le dépôt d'une couche d'orientation d'une cellule à cristal liquide | |
| FR2573441A1 (fr) | Cathode-cible pour depot, par pulverisation, d'un materiau composite sur un substrat | |
| EP0556115B1 (fr) | Dispositif de contrÔle d'un flux de matière émise par une source d'évaporation sous vide | |
| FR2640078A1 (fr) | Procede de depot de nitrure de silicium, dispositif de mise en oeuvre de ce procede, et application dudit procede a la fabrication de capacites hyperfrequences | |
| FR2614041A1 (fr) | Procede et appareil pour le traitement de substrats en faisant intervenir un faisceau d'ions acceleres pour l'erosion de ces substrats, ou pour le depot d'une ou plusieurs couches de revetement | |
| FR2623211A1 (fr) | Procede et appareil d'evaporation et de depot sous vide | |
| EP0223629B1 (fr) | Procédé et dispositif de dépôt chimique de couches minces uniformes sur de nombreux substrats plans à partir d'une phase gazeuse |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |