FR2564261A1 - Fast electronic circuit breaker with very high cutout capability - Google Patents

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Abstract

This circuit breaker comprises a current on/off switch consisting of a field-effect MOS transistor 4, a control circuit 6 for this on/off switch and a cooling dissipator. The control circuit 6 comprises a voltage source 8 for positively biasing the transistor 4, an on/off switch consisting of a transistor 18 for short-circuiting the voltage source and a means of control 14 comprising a transistor 18 for short-circuiting the voltage source and a means of control 14 comprising a transistor 20 for controlling the state of the transistor 18 as a function of the voltage across the terminals E, S of the circuit breaker. The means of control 14 create no leakage current between the terminals E, S of the circuit breaker.

Description

La présente invention concerne un disjoncteur électronique rapide à pouvoir de coupure infini. The present invention relates to a fast electronic circuit breaker with infinite breaking capacity.

Le pouvoir de coupure est Lié à la rapidité de coupure du disjoncteur. IL est dit infini si La coupure est très rapide, par exempte inférieure à 1 milliseconde.The breaking capacity is linked to the breaking speed of the circuit breaker. It is said to be infinite if the cut is very fast, for example less than 1 millisecond.

Le disjoncteur de l'invention réalise une protection absolue c'est-à-dire que quelles que soient la nature et la rapidité du défaut, le courant ne pourra en aucun cas, meme lors d'un court-circuit franc, dépasser la valeur fixée par construction de cette protection électronique.The circuit breaker of the invention provides absolute protection, that is to say that whatever the nature and speed of the fault, the current can in no case, even during a short circuit, exceed the value fixed by construction of this electronic protection.

Ce disjoncteur est donc particuLièrement intéressant Lorsqu'une protection absolue d'un circuit ou d'ufl appareil éLectrique est primordiale. This circuit breaker is therefore particularly interesting when absolute protection of a circuit or of an electric appliance is essential.

C'est le cas notamment en aviation, dans le domaine aérospatial et dans le domaine militaire. C'est le cas aussi dans le domaine de La protection de certains systèmes électroniques ou encore pour éviter les conséquences de L'arc du court-circuit. Le disjoncteur de l'invention peut cependant etre utilisé de manière classique comme disjoncteur domestique ou industriel.This is particularly the case in aviation, aerospace and the military. This is also the case in the field of protection of certain electronic systems or to avoid the consequences of the short-circuit arc. The circuit breaker of the invention can however be conventionally used as a domestic or industrial circuit breaker.

D'autre part, en tant que disjoncteur-con- tacteur, la présente invention permet de commander des circuits électriques tout en assurant Leur protection, la commande se faisant Localement ou à distance. On the other hand, as a circuit breaker-contactor, the present invention makes it possible to control electrical circuits while ensuring their protection, the control being done locally or remotely.

A titre d'exemples, un tel disjoncteur-contacteur peut etre utilisé comme organe de sortie d'un automate programmable ou bien etre intégré dans un convertisseur statique tel qu'un hacheur ou un ondu
leur.
By way of example, such a circuit breaker-contactor can be used as an output member of a programmable automaton or else be integrated into a static converter such as a chopper or an inverter.
their.

De nombreux types de disjoncteurs existent et sont bien connus de L'homme de l'art. Dans le domaine basse tension, en particuLier dans le domaine domestique, on utilise principalement trois types de protection qui sont le fusible, le disjoncteur électromécanique et le disjoncteur limiteur. Ces protections ont un pouvoir de coupure fini. Many types of circuit breakers exist and are well known to those skilled in the art. In the low voltage field, in particular in the domestic field, three types of protection are mainly used which are the fuse, the electromechanical circuit breaker and the limiting circuit breaker. These protections have a finite breaking capacity.

Le fusible est la protection la plus simple. The fuse is the simplest protection.

Il est surtout intéressant par son coût très faible.It is especially interesting by its very low cost.

En revanche, il présente de nombreux inconvénients dont les principaux sont qu'il ne sert qu'une fois et qu'il doit donc être remplacé après chaque usage, que sa précision est faible et que sa vitesse de coupure est très faible et que, par conséquent, la surintensité à la coupure est très grande. En outre, il peut perdre ses caractéristiques à La suite de surcharges ou d'échauffements anormaux.On the other hand, it has many disadvantages, the main ones being that it is used only once and that it must therefore be replaced after each use, that its precision is low and that its cutting speed is very low and that, therefore, the cut-off overcurrent is very large. In addition, it can lose its characteristics as a result of overloads or abnormal heating.

Le disjoncteur électromécanique est un appareil plus souple d'emploi que le fusible, puisque sa durée de vie peut atteindre dans certaines conditions 10 000 manoeuvres. Ce type de disjoncteur présente toutefois Le même inconvénient que Le fusible quant à la surintensité à la coupure. Par rapport au fusible, il présente en outre l'inconvénient d'être plus complexe, plus lent, et de- ne pas être universeL, mais spécifique à un type de réseau continu, alternatif). The electromechanical circuit breaker is a device more flexible to use than the fuse, since its lifespan can reach under certain conditions 10,000 operations. This type of circuit breaker, however, has the same drawback as the fuse with regard to overcurrent at breaking. Compared to the fuse, it also has the disadvantage of being more complex, slower, and of not being universeL, but specific to a type of continuous, alternative network).

Le disjoncteur limiteur présente un pouvoir de coupure supérieur à celui du disjoncteur électromécanique. Comme le fusible, il limite la contrainte thermique et non le courant de court-circuit. Son temps de réponse est au mieux de quelques millisecondes. The limiting circuit breaker has a higher breaking capacity than that of the electromechanical circuit breaker. Like the fuse, it limits the thermal stress and not the short-circuit current. Its response time is at best a few milliseconds.

Les protections électroniques sont en général fondées sur un transistor bipolaire ; de telles protections présentent une faible surintensité à la coupure en raison d'une vitesse de coupure élevée. Electronic protections are generally based on a bipolar transistor; such protections have a low cut-off overcurrent due to a high cut-off speed.

Elles présentent en outre l'avantage par rapport aux protections précédentes d'être pratique ment inusables. Ses qualités ont leur revers notamment quant à la complexité de tels disjoncteurs et quant à leur coût. They also have the advantage over the previous protections of being practically wear-free. Its qualities have their downside, particularly with regard to the complexity of such circuit breakers and their cost.

L'invention a pour but un disjoncteur à pouvoir de coupure infini, donc à vitesse de coupure très élevée, de sorte que la surintensité à la coupure est négligeable. Pour atteindre ce but, l'invention utilise un transistor MOS à effet de champ comme interrupteur et un circuit de commande de ce transistor. Cet appareil présente de nombreux avantages parmi lesquels la très grande simplicité du montage, la durée de vie très élevée et le caractère universel. The object of the invention is a circuit breaker with infinite breaking capacity, therefore at very high breaking speed, so that the overcurrent at breaking is negligible. To achieve this object, the invention uses a field effect MOS transistor as a switch and a control circuit for this transistor. This device has many advantages, among which very simple assembly, very long service life and universal character.

On connaît la caractéristique courant drain-source en fonction de la tension grille-source d'un transistor MOS à effet de champ. Pour une tension grille-source positive, le transistor est passant avec toutefois une limitation du courant dans le sens drain-source. Cette limitation varie avec la tension grille-source. Pour une tension grille-source négative, le transistor est bloqué dans le sens drain-source tout en restant passant en sens inverse. The drain-source current characteristic is known as a function of the gate-source voltage of a field effect MOS transistor. For a positive gate-source voltage, the transistor is on with a current limitation in the drain-source direction. This limitation varies with the gate-source voltage. For a negative gate-source voltage, the transistor is blocked in the drain-source direction while remaining on in the opposite direction.

L'intensité maximale du courant positif étant fixée, par la polarisation de la grille, le disjoncteur a un pouvoir de coupure infini pour un courant circulant dans le sens drain-source. Il est donc adapté au courant continu mais peut aussi être mis en oeuvre pour un courant alternatif. The maximum intensity of the positive current being fixed, by the polarization of the gate, the circuit breaker has an infinite breaking capacity for a current flowing in the drain-source direction. It is therefore suitable for direct current but can also be used for alternating current.

De manière précise, L'invention a pour objet un disjoncteur électronique muni d'une entrée et d'une sortie du genre de ceux comprenant un interrupteur de courant commandable entre cette entrée et cette sortie, un circuit de commande de cet interrupteur de courant et un radiateur de refroidissement, dans lequel L'interrupteur de courant est un transistor MOS à effet de champ et dans lequel le circuit de commande délivre un signal de tension sur la grille dudit transistor en fonction de la tension aux bornes du dis j oncteur.  Specifically, the invention relates to an electronic circuit breaker provided with an input and an output of the kind of those comprising a controllable current switch between this input and this output, a circuit for controlling this current switch and a cooling radiator, in which the current switch is a field effect MOS transistor and in which the control circuit delivers a voltage signal on the gate of said transistor as a function of the voltage across the terminals of the circuit breaker.

Selon un premier mode de réalisation avantageux, le circuit de commande comprend une source de tension pour polariser positivement la jonction grille-source du transistor, un interrupteur en parallèle avec ladite source de tension et un moyen de commande dudit interrupteur mesurant la tension aux bornes du disjoncteur. According to a first advantageous embodiment, the control circuit comprises a voltage source for positively biasing the gate-source junction of the transistor, a switch in parallel with said voltage source and a means for controlling said switch measuring the voltage across the terminals of the circuit breaker.

Selon un second mode de réalisation avantageux, le circuit de commande se compose d'un commutateur qui relie la grille du transistor soit à une source de tension positive soit à sa source, ce commutateur étant commandé par la tension aux bornes du disjoncteur. According to a second advantageous embodiment, the control circuit consists of a switch which connects the gate of the transistor either to a positive voltage source or to its source, this switch being controlled by the voltage across the terminals of the circuit breaker.

Selon une caractéristique du disjoncteur de
L'invention, un moyen de protection du transistor contre les surtensions est en outre prévu.
According to a characteristic of the circuit breaker
The invention also provides a means of protecting the transistor against overvoltages.

L'invention a aussi pour objet un disjoncteur à pouvoir de coupure infini pour courant alternatif. Selon un premier mode de réalisation, on utilise un disjoncteur pour courant continu disposé dans un pont de diodes. Selon un second mode de réalisation, on dispose deux disjoncteurs pour courant continu en série, les transistors MOS à effet de champ desdits disjoncteurs étant placés tête-bêche, c'est-à-dire en source ou drain commun. The invention also relates to a circuit breaker with infinite breaking capacity for alternating current. According to a first embodiment, use is made of a circuit breaker for direct current disposed in a diode bridge. According to a second embodiment, there are two circuit breakers for direct current in series, the MOS field effect transistors of said circuit breakers being placed head to tail, that is to say in common source or drain.

Selon une caractéristique du disjoncteur de l'invention, le radiateur de refroidissement est sousdimensionné. Ceci est intéressant en pratique car ceci permet d'avoir un seuil de déclenchement en courant différent en régime permanent et en régime transitoire re. Si le courant est important en régime permanent, le transistor chauffe. Il suffit alors d'une faible élévation de courant pour disjoncter. Au contraire, si le courant permanent est faible, le transistor chauffe peu. Le disjoncteur est donc moins sensible à un pic transitoire de courant. Le seuil de déclenchement est donc plus élevé. Ceci permet notamment de ne pas disjoncter lors de la mise en marche d'un appareil (moteur, ...) protégé par le disjoncteur. According to a characteristic of the circuit breaker of the invention, the cooling radiator is undersized. This is interesting in practice because it makes it possible to have a different current trigger threshold in steady state and in transient state re. If the current is high in steady state, the transistor heats up. It then suffices for a small rise in current to trip. On the contrary, if the permanent current is low, the transistor heats little. The circuit breaker is therefore less sensitive to a transient current peak. The trigger threshold is therefore higher. This allows in particular not to trip when switching on a device (motor, ...) protected by the circuit breaker.

Selon une autre caractéristique secondaire, le disjoncteur comprend en outre un moyen de commande externe d'enclenchement et de déclenchement du disjoncteur. According to another secondary characteristic, the circuit breaker further comprises an external control means for switching on and off the circuit breaker.

Selon une autre caractéristique secondaire, un élément au moins du disjoncteur est photosensible et le moyen de commande externe est du type optique. According to another secondary characteristic, at least one element of the circuit breaker is photosensitive and the external control means is of the optical type.

L'élément photosensible peut être par exemple une photorésistance ou un phototransistor. L'émission vers cet élément d'impulsions lumineuses par le moyen de commande externe permet de déclencher ou de réenclencher le disjoncteur. Le support de transmission de l'impulsion lumineuse est de préférence une fibre optique. The photosensitive element can be for example a photoresistor or a phototransistor. The emission to this element of light pulses by the external control means makes it possible to trip or reset the circuit breaker. The light pulse transmission medium is preferably an optical fiber.

Les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre donnée à titre illustratif mais non limitatif en référence aux dessins annexés sur lesquels
- les figures la et lb représentent deux schémas de principe du disjoncteur selon L'invention,
- les figures 2a et 2b représentent des modes de réalisation du disjoncteur selon L'invention correspondant aux figures la et lb,
- la figure 3 représente une variante du disjoncteur de la figure 2a relative au moyen de commande 14,
- la figure 4 représente une variante du
disjoncteur de la figure 2b, ce disjoncteur étant muni
d'un moyen de commande externe,
- la figure 5 représente un mode de réalisation d'un disjoncteur pour courant alternatif selon l'invention,
- la figure 6 représente un autre mode de réalisation d'un disjoncteur pour courant alternatif,
- la figure 7 représente le disjoncteur de la figure 5 muni d'un moyen de commande externe.
The characteristics and advantages of the invention will emerge more clearly from the description which follows given by way of illustration but not limitation with reference to the appended drawings in which
FIGS. 1a and 1b show two block diagrams of the circuit breaker according to the invention,
FIGS. 2a and 2b represent embodiments of the circuit breaker according to the invention corresponding to FIGS. 1a and 1b,
FIG. 3 represents a variant of the circuit breaker of FIG. 2a relating to the control means 14,
- Figure 4 shows a variant of
circuit breaker of Figure 2b, this circuit breaker being provided
an external control means,
FIG. 5 represents an embodiment of a circuit breaker for alternating current according to the invention,
FIG. 6 represents another embodiment of a circuit breaker for alternating current,
- Figure 7 shows the circuit breaker of Figure 5 provided with an external control means.

Le dessin de la figure la est un schéma de principe du disjoncteur selon l'invention. The drawing of Figure la is a block diagram of the circuit breaker according to the invention.

Ce disjoncteur 2 comporte une entrée E et une sortie S entre lesquelles est disposé un transi sa tor MOS -à effet de champ 4. Un circuit de commande 6 commande la tension grille-source du transistor 4 en fonction de la tension entre le drain et La source de ce transistor. Le disjoncteur comporte en outre un radiateur de refroidissement (non représenté). This circuit breaker 2 has an input E and an output S between which is placed a MOS-field effect transistor 4. A control circuit 6 controls the gate-source voltage of the transistor 4 as a function of the voltage between the drain and The source of this transistor. The circuit breaker further includes a cooling radiator (not shown).

Deux paramètres guident le choix du transistor 4. D'une part, la tension de claquage entre le drain et la source du transistor doit être importante et en tous cas supérieure à la tension crête du signal reçu et d'autre part, la résistance à l'état passant du transistor doit être la plus faible possible, ceci conditionnant le courant nominal, le rendement et la sensibilité du disjoncteur. Ces deux impératifs étant inconciliables, le meilleur compromis est à déterminer en fonction de chaque usage. Two parameters guide the choice of transistor 4. On the one hand, the breakdown voltage between the drain and the source of the transistor must be high and in any case greater than the peak voltage of the received signal and on the other hand, the resistance to the on state of the transistor must be as low as possible, this conditioning the nominal current, the efficiency and the sensitivity of the circuit breaker. These two imperatives being irreconcilable, the best compromise is to be determined according to each use.

Le circuit de commande 6 représenté sur la figure la comprend une source de tension 8 pour polariser positivement la jonction grille-source du transistor 4. Une résistance 10 de très forte valeur est en série avec cette source de tension. En parallèle avec ces deux éléments est disposé un interrupteur 12 dont l'état est commandé par un moyen de commande 14 mesurant la tension entre le drain et la source du transistor 4.  The control circuit 6 shown in FIG. 1 a comprises a voltage source 8 for positively biasing the gate-source junction of the transistor 4. A resistor 10 of very high value is in series with this voltage source. In parallel with these two elements, a switch 12 is arranged, the state of which is controlled by a control means 14 measuring the voltage between the drain and the source of transistor 4.

Le disjoncteur de la figure la fonctionne de la manière suivante. En mode de fonctionnement normal, c'est-à-dire pour un courant I pas trop élevé, l'in- terrupteur 12 est ouvert. Le transistor 4 est donc maintenu dans l'état passant grâce à la source de tension 8. Lorsque le courant I arrivant sur le drain du transistor 4 atteint le courant maximal pouvant Le traverser, la différence de potentiel entre Le drain et la source du transistor 4 s'éléve brutalement. The circuit breaker in figure la operates as follows. In normal operating mode, that is to say for a current I which is not too high, the switch 12 is open. The transistor 4 is therefore kept in the on state thanks to the voltage source 8. When the current I arriving on the drain of the transistor 4 reaches the maximum current which can pass through it, the potential difference between the drain and the source of the transistor 4 rises abruptly.

Lorsque cette différence de potentiel a atteint un certain seuil, le moyen de commande 14 ferme l'inter- rupteur 12. La grille et la source du transistor 4 sont alors au même potentiel : le transistor 4 est bloqué.When this potential difference has reached a certain threshold, the control means 14 closes the switch 12. The gate and the source of the transistor 4 are then at the same potential: the transistor 4 is blocked.

On comprend ici l'utilité d'une résistance 10 de forte valeur. Si cette résistance était absente, lorsque l'interrupteur 12 est fermé la source de tension 8 débiterait sur un court-circuit. L'utilisation d'une résistance 10 très forte, supérieure à un mégohm, permet de Limiter le courant débité par la source de tension 8. We understand here the usefulness of a resistor 10 of high value. If this resistance was absent, when the switch 12 is closed the voltage source 8 would flow on a short circuit. The use of a very strong resistor 10, greater than one megohm, makes it possible to limit the current supplied by the voltage source 8.

Un moyen 16 de protection contre les surtensions entre le drain et la source du transistor 4 peut en outre être prévu. Ce moyen écrête la tension aux bornes du transistor 4 à partir d'un seuil inférieur à la tension de claquage de ce transistor. Means 16 for protection against overvoltages between the drain and the source of transistor 4 may also be provided. This means clips the voltage across the transistor 4 from a threshold below the breakdown voltage of this transistor.

On a représenté sur la figure lb, un autre dessin schématique du disjoncteur de l'invention. Les éléments identiques à ceux de la figure la portent les mêmes références. Sur cette figure, le circuit de commande 6 comprend un commutateur 13 relié d'une part à la grille du transistor 4 et d'autre part, soit à la source dudit transistor, soit à la source de tension 8. Il est commandé par le moyen de commande 14 et permet d'appliquer soit une tension nulle, soit une tension positive sur la grille du transistor 4. FIG. 1b shows another schematic drawing of the circuit breaker of the invention. The elements identical to those in FIG. 1a bear the same references. In this figure, the control circuit 6 comprises a switch 13 connected on the one hand to the gate of the transistor 4 and on the other hand, either to the source of said transistor, or to the voltage source 8. It is controlled by the control means 14 and makes it possible to apply either a zero voltage or a positive voltage to the gate of transistor 4.

Le disjoncteur de la figure lb fonctionne de la même manière que le disjoncteur de la figure la. Il présente toutefois sur celui-ci deux avantages : d'une part la source de tension 8 ne débite jamais de courant permanent et d'autre part la remise en conduction du transistor 4 peut être rapide, puisque la charge de la capacité de grille du transistor 4 n'est pas ralentie par la présence d'une résistance de forte valeur. The circuit breaker of Figure 1b operates in the same way as the circuit breaker of Figure 1a. However, it has two advantages over this: on the one hand the voltage source 8 never delivers a permanent current and on the other hand the re-conduction of the transistor 4 can be rapid, since the charging of the gate capacitance of the transistor 4 is not slowed down by the presence of a high value resistor.

On a représenté sur les figures 2a et 2b des modes de réalisation des disjoncteurs des figures la et lb. Selon le mode de réalisation de la figure 2a, l'interrupteur 12 de La figure la et l'élément principal du circuit de commande 14 sont constitués chacun par un transistor MOS à effet de champ référencés respectivement 18 et 20. FIGS. 2a and 2b show embodiments of the circuit breakers of FIGS. 1a and 1b. According to the embodiment of FIG. 2a, the switch 12 of FIG. 1a and the main element of the control circuit 14 are each constituted by a MOS transistor with field effect referenced 18 and 20 respectively.

Le circuit de commande 14 comprend en outre une résistance 24 reliant La grille du transistor 18 à la source du transistor 20 et une diode Zener 28 limitant une éventuelle montée en tension de la grille du transistor 18. Le transistor 20 est maintenu polarisé dans le sens passant par une connexion 22 disposée entre la sortie de la source de tension 8 et sa grille. Il transmet donc en L'écrêtant la tension du point E à la grille du transistor 18. Le transistor 20 a une tension de claquage au moins égale à celle du transistor 4. The control circuit 14 further comprises a resistor 24 connecting the gate of the transistor 18 to the source of the transistor 20 and a Zener diode 28 limiting any increase in voltage of the gate of the transistor 18. The transistor 20 is kept polarized in the direction passing through a connection 22 disposed between the output of the voltage source 8 and its grid. It therefore transmits by clipping the voltage from point E to the gate of transistor 18. Transistor 20 has a breakdown voltage at least equal to that of transistor 4.

Il est important de remarquer que le transistor 20, bien que toujours passant, n'est parcouru par aucun courant permanent : lorsque le disjoncteur est ouvert, il n'engendre donc aucune fuite. It is important to note that transistor 20, although always on, is not traversed by any permanent current: when the circuit breaker is open, it therefore generates no leakage.

On a également disposé une diode Zener 26 entre le drain et la source du transistor 4 pour le protéger contre les surtensions. Cette diode Zener a une tension de veille supérieure à la tension crête nominale du signal reçu et une tension de seuil d'écrêtage, supérieure à sa tension de veille et inférieure à la tension de claquage du transistor 4. A Zener diode 26 has also been placed between the drain and the source of transistor 4 to protect it against overvoltages. This Zener diode has a standby voltage greater than the nominal peak voltage of the received signal and a clipping threshold voltage, greater than its standby voltage and less than the breakdown voltage of transistor 4.

Le disjoncteur fonctionne de la façon suivante. En mode normal, c'est-à-dire lorsque le transistor 4 est passant, la tension entre son drain et sa source est très faible. Cette tension est aussi la tension de polarisation du transistor 18 puisque le transistor 20, passant, transmet le potentiel du drain du transistor 4. Cette tension de polarisation étant très faible, le transistor 18 est bloqué et par suite la source de tension 8 polarise positivement la jonction grille-source du transistor 4 qui est ainsi maintenu dans L'état passant. The circuit breaker operates as follows. In normal mode, that is to say when the transistor 4 is on, the voltage between its drain and its source is very low. This voltage is also the bias voltage of the transistor 18 since the transistor 20, passing, transmits the drain potential of the transistor 4. This bias voltage being very low, the transistor 18 is blocked and therefore the voltage source 8 positively polarizes the gate-source junction of transistor 4 which is thus maintained in the on state.

Lorsque l'intensité du courant I arrivant sur le drain du transistor 4 s'élève et atteint l'in- tensité maximale pouvant passer dans le transistor 4, le potentiel du drain du transistor 4 s'élève brutalement par rapport au potentiel de sa source. Le transistor 20 transmet cette élévation de potentiel, en l'écrêtant, à une valeur voisine de celle de La source de tension 8. Ceci polarise la jonction grille-source du transistor 18 qui commence donc à devenir passant, abaissant ainsi la tension grille-source du transistor 4 qui commence à se bloquer. When the intensity of the current I arriving on the drain of transistor 4 rises and reaches the maximum intensity that can pass through transistor 4, the potential of the drain of transistor 4 rises suddenly compared to the potential of its source . The transistor 20 transmits this rise in potential, by clipping it, to a value close to that of the voltage source 8. This polarizes the gate-source junction of the transistor 18 which therefore begins to turn on, thus lowering the gate voltage. source of transistor 4 which begins to block.

Il y a alors un phénomène d'emballement. There is then a runaway phenomenon.

Plus le transistor 4 se bloque et plus la tension entre son drain et sa source s 'élève. Ceci polarise la jonction grille-source du transistor 18 qui se bloque de plus en plus, diminuant ainsi la tension grillesource du transistor 4. Cet effet d'emballement confère au montage deux états stables et contribue à la rapidité de l'ouverture du disjoncteur.The more the transistor 4 is blocked, the higher the voltage between its drain and its source. This polarizes the gate-source junction of the transistor 18 which is blocked more and more, thus reducing the gate-source voltage of the transistor 4. This runaway effect gives the assembly two stable states and contributes to the speed of the opening of the circuit breaker.

Le disjoncteur représenté sur la figure 2b fonctionne de la même manière que le disjoncteur de la figure 2a. Il en possede les mêmes propriétés de rapidité de commutation et de simplicité de montage. The circuit breaker shown in Figure 2b operates in the same manner as the circuit breaker of Figure 2a. It has the same properties of speed of switching and simplicity of assembly.

Sur la figure 2b, les éléments identiques à ceux de la figure 2a portent les mêmes références. In FIG. 2b, the elements identical to those of FIG. 2a bear the same references.

Selon Le mode de réalisation de la figure 2b, le commutateur 13 de la figure lb est constitué de deux transistors MOS 15, 17 connectés en série, en drain commun ; l'un est de type N, l'autre de type P. According to the embodiment of Figure 2b, the switch 13 of Figure lb consists of two MOS transistors 15, 17 connected in series, in common drain; one is of type N, the other of type P.

Les caractéristiques de ces transistors sont telles que quelle que soit la tension appliquée sur leur grille commune, la source de tension 8 ne débite jamais. Le circuit de commande 14 est analogue à celui du disjoncteur de la figure 2a.The characteristics of these transistors are such that whatever the voltage applied to their common gate, the voltage source 8 never flows. The control circuit 14 is similar to that of the circuit breaker of FIG. 2a.

En mode normal, la tension drain-source du transistor 4 est faible ; le transistor 15 de type N est donc bloqué et le transistor 17 de type P est passant. La source de tension 8 polarise la jonction grille-source du transistor 4 dans le sens passant. In normal mode, the drain-source voltage of transistor 4 is low; transistor N of type N is therefore blocked and transistor 17 of type P is conducting. The voltage source 8 polarizes the gate-source junction of the transistor 4 in the passing direction.

Lorsque l'intensité du courant I arrivant sur le drain du transistor 4 s'élève et atteint l'in- tensité maximale pouvant passer dans le transistor 4, le potentiel du drain du transistor 4 s'élève brutalement par rapport au potentiel de sa source. Ceci débloque le transistor 15 de type N et bloque le transistor 17 de type P. La tension grille-source du transistor 4 est annulée et celui-ci se bloque. Le bascu
lement des transistors 15, 17 et 4 se fait avec embal
lement comme dans le cas de la figure 2a.
When the intensity of the current I arriving on the drain of transistor 4 rises and reaches the maximum intensity that can pass in transistor 4, the potential of the drain of transistor 4 rises suddenly compared to the potential of its source . This turns on the N-type transistor 15 and blocks the P-type transistor 17. The gate-source voltage of the transistor 4 is canceled and the latter is blocked. The bascu
Transistors 15, 17 and 4 are also packaged
as in the case of Figure 2a.

Outre la rapidité de commutation et la simplicité des montages, les disjoncteu-rs des figures 2a et 2b sont également intéressants en ce qu'ils consomment très peu de courant et ont donc une autonomie très élevée. Besides the switching speed and the simplicity of the assemblies, the circuit breakers of FIGS. 2a and 2b are also advantageous in that they consume very little current and therefore have a very high autonomy.

A titre d'exemple, lorsque le disjoncteur de
la figure 2a est dans l'état fermé, la source de ten sion 8 ne débite que sur les jonctions grille-source des transistors, c'est-à-dire sur des résistances de très forte valeur. Ce courant parasite est très faible, de L'ordre de quelques nanoampères pour une source de tension de quelques volts.
For example, when the circuit breaker
FIG. 2a is in the closed state, the voltage source 8 only flows on the gate-source junctions of the transistors, that is to say on resistors of very high value. This stray current is very low, of the order of a few nanoamps for a voltage source of a few volts.

Lorsque ce disjoncteur est à l'état ouvert, le transistor 18 est en court-circuit et la source de tension 8 débite dans la résistance 10. En choisissant une résistance suffisamment élevée, on limite le courant débité à une faible valeur par exemple un microampère. Ainsi on peut alimenter ce montage par une source de tension de très faible capacité telle que par exemple une pile au lithium du format d'une pile de montre qui assurerait au disjoncteur une autonomie de plusieurs dizaines d'années. When this circuit breaker is in the open state, the transistor 18 is in short-circuit and the voltage source 8 flows into the resistor 10. By choosing a sufficiently high resistance, the current supplied is limited to a low value, for example a microampere . Thus, this assembly can be supplied by a voltage source of very low capacity such as for example a lithium battery in the format of a watch battery which would provide the circuit breaker with autonomy of several decades.

La figure 3 illustre une variante du mode de réalisation du disjoncteur de la figure 2a. La différence réside dans la présence, dans le circuit de commande 14, d'un transistor MOS 30 à effet de champ de type canal N à appauvrissement. Ce transistor fonctionne avec une tension de grille nulle, ce qui permet de supprimer la connexion 22 du montage de la figure 2a. FIG. 3 illustrates a variant of the embodiment of the circuit breaker of FIG. 2a. The difference lies in the presence, in the control circuit 14, of an MOS transistor 30 with field effect of the N channel type with depletion. This transistor operates with a zero gate voltage, which makes it possible to remove the connection 22 from the assembly of FIG. 2a.

Le disjoncteur de la figure 2b peut être également modifié de la même manière en remplaçant le transistor 20 par un transistor MOS à effet de champ de type canal N à appauvrissement. The circuit breaker of FIG. 2b can also be modified in the same way by replacing the transistor 20 with a MOS transistor with field effect of the N channel type with depletion.

Le demandeur a réalisé deux disjoncteurs tels que représentés sur les figures 2a et 2b. The applicant has produced two circuit breakers as shown in Figures 2a and 2b.

A titre d'exemple, les caractéristiques du disjoncteur de la figure 2a sont les suivantes - puissance commandable de 800 VA sous 220 V. By way of example, the characteristics of the circuit breaker in FIG. 2a are as follows - controllable power from 800 VA to 220 V.

- transistor 4 : transistor Ire450 de Internatio
nal Rectifier
tension de claquage : 500V
résistance à l'état passant : 0,3 - transistor 18 : VN01 de Supertex
tension de claquage : 40V
résistance à l'état passant : - transistor 20 : MTM 1N9S de Motorola
tension de claquage : 1000V
résistance à l'état passant - diode Zener 26 : 4 diodes BZW50-100 de Thomson mon
tées en série
pour chaque diode, tension de veille : 100V
tension d'écrêtage 120V - diode Zener 28 : tension de veille 15V - source de tension 8 : piLe 9 volts - résistance 10 : 10 Wn.
- transistor 4: Internatio's Ire450 transistor
nal Rectify
breakdown voltage: 500V
on-state resistance: 0.3 - transistor 18: VN01 from Supertex
breakdown voltage: 40V
on-state resistance: - transistor 20: MTM 1N9S from Motorola
breakdown voltage: 1000V
on-state resistance - Zener diode 26: 4 diodes BZW50-100 from Thomson mon
serial tees
for each diode, standby voltage: 100V
clipping voltage 120V - Zener diode 28: standby voltage 15V - voltage source 8: piLe 9 volts - resistance 10: 10 Wn.

- résistance 24 : 100
Il peut etre difficile de trouver deux transistors bien adaptés à la réalisation du commutateur du disjoncteur de La figure 2bu On a représenté sur La figure 4 un autre mode de réalisation du disjoncteur de la figure 2b. Dans ce mode de réalisation, le commutateur est inclus dans un circuit intégré 40. Ce circuit est de type CMOS. Il est produit par la société INTERSIL sous La référence 1CM7555.
- resistance 24: 100
It can be difficult to find two transistors well suited to the embodiment of the circuit breaker switch in FIG. 2bu FIG. 4 shows another embodiment of the circuit breaker in FIG. 2b. In this embodiment, the switch is included in an integrated circuit 40. This circuit is of the CMOS type. It is produced by INTERSIL under the reference 1CM7555.

On a indiqué par des références Bl, 82,
B8 les broches du circuit intégré. L'indice numérique correspond au numéro de la broche du circuit intégré
Ce circuit est relié aux éléments du disjoncteur de la manière suivante : la broche B1 est reliée à la sortie
S du disjoncteur ; la broche B2- au point commun de la résistance 24 et de ta diode Zener 28, la broche B3 à la grille du transistor 4, la broche B4 à la grille du transistor 20 à travers une résistance 42, la broche B5 à la grille du transistor 20 à travers une résistance 44, les broches B6 et B8 à La grille du transistor 20. a broche B7 n'est pas utilisée.
We have indicated by references Bl, 82,
B8 the pins of the integrated circuit. The numerical index corresponds to the pin number of the integrated circuit
This circuit is connected to the circuit breaker elements as follows: pin B1 is connected to the output
S of the circuit breaker; pin B2- at the common point of resistor 24 and your Zener diode 28, pin B3 to the gate of transistor 4, pin B4 to the gate of transistor 20 through a resistor 42, pin B5 to the gate of transistor 20 through a resistor 44, pins B6 and B8 to The gate of transistor 20. a pin B7 is not used.

Ce circuit garantit le basculement de l'éta- ge de sortie sans court-circuit de la source de tension 8. En revanche, la tension de commande sur la connexion 46 n'est pas accessible, ce qui diminue quelque peu la rapidité. Le circuit intégré 40 est polarisé par les connexions sur ses broches B4, B5 et 86. Dans ces conditions, tout se passe d'un point de vue fonctionnel comme si la broche 82 était directement reliée à la connexion 46. This circuit guarantees the tilting of the output stage without short circuit of the voltage source 8. On the other hand, the control voltage on the connection 46 is not accessible, which somewhat decreases the speed. The integrated circuit 40 is polarized by the connections on its pins B4, B5 and 86. Under these conditions, everything takes place from a functional point of view as if the pin 82 was directly connected to the connection 46.

Le disjoncteur de la figure 4 peut être élaboré à partir des composants suivants : - transistor 4 : transistor TMOS de MOTOROLA MTM 2N9O
tension de claquage = 900V
courant nominal = 2A - transistor 20 : MTM 2N90 - diode Zener 26 : 4 diodes SZW50-100 de Thomson - diode Zener 28 : tension d'écretage = 9,4 volts - résistance 24 : 100R - source de tension 8 = pile 9 volts - résistance 42 : 330 KSL - résistance 44 : 15 KQ - circuit intégré 40 : circuit TIMER ICM 7555
d'INTERSIL
technologie CMOS
consommation 100 pA.
The circuit breaker of Figure 4 can be developed from the following components: - transistor 4: TMOS transistor of MOTOROLA MTM 2N9O
breakdown voltage = 900V
nominal current = 2A - transistor 20: MTM 2N90 - Zener diode 26: 4 SZW50-100 diodes from Thomson - Zener 28 diode: clipping voltage = 9.4 volts - resistance 24: 100R - voltage source 8 = 9 volt battery - resistor 42: 330 KSL - resistor 44: 15 KQ - integrated circuit 40: TIMER ICM 7555 circuit
INTERSIL
CMOS technology
consumption 100 pA.

La commande d'un disjoncteur conforme à
L'invention est illustrée par le dessin de la figure 4. On a disposé un interrupteur 48, de type boutonpoussoir, entre la broche 84 du circuit intégré 40 et la sortie S du disjoncteur.
The control of a circuit breaker conforming to
The invention is illustrated by the drawing in FIG. 4. A switch 48, of the push button type, has been arranged between pin 84 of the integrated circuit 40 and the output S of the circuit breaker.

La fermeture de cet interrupteur 48 fait basculer le commutateur, ici inclus dans le circuit intégré 40, qui commande le transistor 4 et provoque l'ouverture du disjoncteur. A la différence de la commande d'ouverture, la commande de fermeture doit être effaçable par un éventuel ordre de déclenchement pro venant du moyen de commande 14 ; ceci est nécessaire pour éviter la destruction du dispositif en cas de fermeture sur court-circuit. De nombreuses logiques, bien connues de l'homme de l'art, peuvent assurer cette priorité du moyen de commande 14. Closing this switch 48 switches the switch, here included in the integrated circuit 40, which controls the transistor 4 and causes the circuit breaker to open. Unlike the opening command, the closing command must be erasable by a possible trip order coming from the control means 14; this is necessary to avoid destruction of the device in the event of a short-circuit closure. Numerous logics, well known to those skilled in the art, can ensure this priority of the control means 14.

On a représenté sur la figure 5 un mode de réalisation d'un disjoncteur pour courant alternatif. FIG. 5 shows an embodiment of a circuit breaker for alternating current.

Il comprend un disjoncteur 2 conforme aux disjoncteurs pour courant continu représenté sur les figures 1 à 4 et un pont de diodes comprenant les diodes 32, 34, 36 et 38.It comprises a circuit breaker 2 conforming to the circuit breakers for direct current shown in FIGS. 1 to 4 and a diode bridge comprising the diodes 32, 34, 36 and 38.

On utilise de préférence des diodes rapides afin de limiter les oscillations qui se produisent après l'ouverture du disjoncteur. Le demandeur a équipé le disjoncteur dont les caractéristiques sont décrites ci-dessus avec des diodes BY 212-700R de Thomson. Ce sont des diodes 3 A-700V-30ûns.  Fast diodes are preferably used to limit the oscillations that occur after the circuit breaker opens. The applicant has equipped the circuit breaker, the characteristics of which are described above, with BY 212-700R diodes from Thomson. These are 3 A-700V-30ûns diodes.

La figure 6 illustre un autre mode de réalisation d'un disjoncteur pour courant alternatif. Selon ce mode de réalisation, on a utilisé deux disjoncteurs 2A et 2B, chacun conforme au disjoncteur 2 de la figure la ou lb, ces disjoncteurs étant montés têtebêche, en source commune. Le montage symétrique en drain commun (entrées El et E2 reliées) est également possible. FIG. 6 illustrates another embodiment of a circuit breaker for alternating current. According to this embodiment, two circuit breakers 2A and 2B were used, each conforming to the circuit breaker 2 of FIG. 1a or 1b, these circuit breakers being mounted head to tail, in common source. Symmetrical mounting in common drain (inputs El and E2 connected) is also possible.

La figure 7 illustre la commande du disjoncteur de la figure 5. Dans ce mode de réalisation avantageux, la fermeture du disjoncteur se fait au passage par zéro de la tension. La commande du disjoncteur se fait par un bouton-poussoir 48, une résistance 50 et un circuit 52 en série, et disposés en parallèle sur le disjoncteur 2. Le circuit 52 comprend en parallèle un condensateur 54, une résistance 56 et un ensemble diode Zener 58-lampe 60. FIG. 7 illustrates the control of the circuit breaker of FIG. 5. In this advantageous embodiment, the circuit breaker is closed when the voltage crosses zero. The circuit breaker is controlled by a push button 48, a resistor 50 and a circuit 52 in series, and arranged in parallel on the circuit breaker 2. The circuit 52 comprises in parallel a capacitor 54, a resistor 56 and a Zener diode assembly 58-lamp 60.

La mémorisation de l'état ouvert se fait, en alternatif, par une charge permanente du condensateur drain-source du transistor 4 du disjoncteur 2. La fermeture du bouton-poussoir 49 met la résistance 50 (et la résistance 56) en parallèle avec ce condensateur ; les passages par zéro de La tension alternative apparaissent alors aux bornes du disjoncteur 2. Lorsque celui-ci est réalisé suivant le principe de la figure lb, la remise en conduction du transistor 4 est immédiate et le disjoncteur 2 se ferme au premier passage par zéro. En cas de fermeture sur court-circuit, le moyen de commande 14 du disjoncteur 2 ouvre le disjoncteur immédiatement après cette remise en conduction. The memorization of the open state is done, alternatively, by a permanent charge of the drain-source capacitor of the transistor 4 of the circuit breaker 2. The closing of the push button 49 puts the resistor 50 (and the resistor 56) in parallel with this capacitor; the zero crossings of the alternating voltage then appear at the terminals of the circuit breaker 2. When the latter is produced according to the principle of FIG. 1b, the resetting of the transistor 4 is immediate and the circuit breaker 2 closes at the first passage through zero . In the event of closing on a short circuit, the control means 14 of the circuit breaker 2 opens the circuit breaker immediately after this return to conduction.

Pour éviter des cycles d'enclenchementdéclenchement répétés, le circuit 52 limite le nombre des passages par zéro même si le bouton-poussoir 49 est maintenu fermé. Ceci est obtenu par la charge du condensateur 54. En outre, ce condensateur mémorise la refermeture sur court-circuit et bloque Le disjoncteur 2 à l'état ouvert pendant un temps déterminé par la résistance 56. In order to avoid repeated latching-latching cycles, the circuit 52 limits the number of zero crossings even if the push-button 49 is kept closed. This is obtained by charging the capacitor 54. In addition, this capacitor memorizes the reclosing on short circuit and blocks the circuit breaker 2 in the open state for a time determined by the resistor 56.

Enfin, si le bouton-poussoir 49 reste fermé, la tension aux bornes du condensateur 54 atteint le seuil de la diode Zener 58 et la lampe 60 s'allume l'opérateur est ainsi informé de la présence d'une surcharge ou d'un court-circuit dans l'installation. Finally, if the push button 49 remains closed, the voltage across the capacitor 54 reaches the threshold of the Zener diode 58 and the lamp 60 lights up the operator is thus informed of the presence of an overload or of a short circuit in the installation.

A titre d'exemple, on peut utiliser les com posants suivants : résistance 50 : 22 kn; ; condensa- teur 54 : 100 pF-16V ; résistance 56 : 47 kR; diode
Zener 58 : tension de seuil de 10V ; lampe 60 : diode électroluminescente.
By way of example, the following components can be used: resistance 50: 22 kn; ; capacitor 54: 100 pF-16V; resistance 56: 47 kR; diode
Zener 58: threshold voltage of 10V; lamp 60: light-emitting diode.

Selon l'application, l'utilisateur peut préférer une protection contre les réenclenchements sur court-circuit de type thermique : par exemple, la fonction remplie par l'ensemble 50-52 peut être assu rée par une thermistance à coefficient de température positif, connectée en série avec le bouton-poussoir 48. A froid, la mise en parallèle de cette thermistance avec le condensateur drain-source du transistor 4 du disjoncteur 2 provoque un passage par zéro et une remise en conduction immédiate du disjoncteur. En cas de court-circuit, le disjoncteur ne reste pas fermé et la thermistance est alimentée par la tension redressée ; elle s'échauffe et l'augmentation de la résistance a pour conséquence de supprimer les passages par zéro. L'opérateur doit attendre son refroidissement avant de tenter une nouvelle fermeture. Depending on the application, the user may prefer protection against thermal reclosing on a short-circuit: for example, the function fulfilled by the 50-52 assembly can be ensured by a thermistor with positive temperature coefficient, connected in series with the push button 48. When cold, putting this thermistor in parallel with the drain-source capacitor of transistor 4 of circuit breaker 2 causes a zero crossing and an immediate return to conduction of the circuit breaker. In the event of a short circuit, the circuit breaker does not remain closed and the thermistor is supplied by the rectified voltage; it heats up and the increase in resistance results in the elimination of zero crossings. The operator must wait for it to cool down before trying to close it again.

D'une manière générale, tout contrôle de l'état et modification de la logique du circuit de commande 6 par des thermistances, mises à la même température que le transistor 4, sont réalisables. De nombreuses possibilités existent et sont connues de l'homme de l'art ; elles garantissent la bonne tenue du transistor 4 dans un environnement sévère. In general, any control of the state and modification of the logic of the control circuit 6 by thermistors, brought to the same temperature as the transistor 4, are achievable. Many possibilities exist and are known to those skilled in the art; they guarantee the good behavior of the transistor 4 in a harsh environment.

Le disioncteur de l'invention peut etre con trolle et commandé à distance. Les ordres d'ouverture et de fermeture commandent les boutons poussoirs 48 (figure 4) et, 49 (figure 7). Par conception, ces ordres ne necessitent ni coordination, ni dupée particulière ; il n'y a pas de risque de conflit, de sorte qu'aucune performance n'est exigée au niveau de la transmission et de la génération des ordres. A titre d'exemple, rappelons que le circuit de la figure 7 assure une fermeture au passage par zéro quels que soient l'instant et la durée de fermeture du boutonpoussoir 49. The inventive device can be controlled and controlled remotely. The opening and closing orders control the push buttons 48 (Figure 4) and, 49 (Figure 7). By design, these orders require neither coordination nor particular trick; there is no risk of conflict, so that no performance is required in terms of transmission and generation of orders. By way of example, let us recall that the circuit of FIG. 7 ensures closure on passage through zero whatever the instant and the duration of closure of the push button 49.

La modification du seuil de déclenchement peut être effectuée, par exemple par variation de la résistance 44 de la figure 6 Une mise en parallèle ou en série à L'aide d'un commutateur remplit cette fonc tion. D'une manière générale, la modification du circuit de commande 6 du disjoncteur 2 par basculement permanent ou transitoire d'un commutateur donne la possibilité de réaliser de nombreuses fonctions de contrôle et/ou de commande, sans solliciter pour autant la source de tension 8 du disjoncteur 2, l'éner- gie de manoeuvre du commutateur étant fournie par té lécommande sous forme électrique, optique, magnéti- que, etc... selon l'application. The modification of the triggering threshold can be carried out, for example by variation of the resistor 44 of FIG. 6 A setting in parallel or in series using a switch fulfills this function. Generally, the modification of the control circuit 6 of the circuit breaker 2 by permanent or transient switching of a switch gives the possibility of performing numerous control and / or control functions, without, however, requesting the voltage source 8 of circuit breaker 2, the operating power of the switch being supplied by remote control in electrical, optical, magnetic form, etc., depending on the application.

D'autres fonctions sont réalisables à la condition que les capteurs correspondants soient capables de fournir L'énergie de manoeuvre du commutateur : citons à titre d'exemple la fonction différen- tielle. Other functions can be carried out provided that the corresponding sensors are capable of supplying the operating power of the switch: let us cite the differential function as an example.

Dans le cas de la détection de fermeture sur court-circuit, l'énergie est prélevee sur l'installation électrique protégée par le disjoncteur 2. Cette énergie peut commander la fermeture d'un contact ou allumer la lampe 60 (figure 7) qui émet une lumière dans une fibre optique. In the case of short-circuit closing detection, energy is taken from the electrical installation protected by circuit breaker 2. This energy can command the closing of a contact or light the lamp 60 (figure 7) which emits a light in an optical fiber.

Enfin, l'état du disjoncteur 2 peut être connu par une détection optique utilisant une cellule à cristaux liquides, un signal lumineux étant émis dans une fibre optique qui est interrompue par ladite cellule à cristaux liquides. La très faible énergie de commande de ces cristaux est fournie par la source de tension 8 et l'énergie nécessaire à la transmission de l'inforamtion est fournie par la télécommande. Selon L'état du disjoncteur ou tout autre information, le faisceau lumineux incident est transmis ou bien interrompu par les cristaux liquides. Finally, the state of the circuit breaker 2 can be known by an optical detection using a liquid crystal cell, a light signal being emitted in an optical fiber which is interrupted by said liquid crystal cell. The very low control energy of these crystals is supplied by the voltage source 8 and the energy necessary for transmitting the information is supplied by the remote control. Depending on the state of the circuit breaker or any other information, the incident light beam is transmitted or interrupted by the liquid crystals.

Le demandeur a réalisé une télécommande à l'aide de commutateurs statiques commandés par une diode électroluminescente. On peut utiliser par exemple, des commutateurs OPTO MOS OFM-1A de Theta J Cor poration qui comportent deux transistors à effet de champ tête-bêche. The applicant has produced a remote control using static switches controlled by a light-emitting diode. One can use for example, OPTO MOS OFM-1A switches from Theta J Cor poration which include two head-to-tail field effect transistors.

Ces commutateurs statiques, dont la technologie est compatible avec celle du disjoncteur de l'invention, démontrent que la télécommande peut être réalisée totalement par optique, la transmission de l'information étant assurée par des fibres optiques.  These static switches, the technology of which is compatible with that of the circuit breaker of the invention, demonstrate that the remote control can be produced entirely by optics, the transmission of information being ensured by optical fibers.

Claims (14)

REVENDICATIONS 1. Disjoncteur électronique (2) muni d'une entrée (E) et d'une sortie (S) du genre de ceux comprenant un interrupteur de courant commandable entre cette entrée et cette sortie, un circuit de commande de cet interrupteur de courant et un radiateur de refroidissement, ledit disjoncteur étant caractérisé en ce que l'interrupteur de courant est un transistor 1. Electronic circuit breaker (2) provided with an input (E) and an output (S) of the type comprising those of a controllable current switch between this input and this output, a circuit for controlling this current switch and a cooling radiator, said circuit breaker being characterized in that the current switch is a transistor MOS à effet de champ (4), et en ce que le circuit de commande (6) délivre un signal de tension sur la gril- le dudit transistor en fonction de la tension aux bornes du disjoncteur.Field effect MOS (4), and in that the control circuit (6) delivers a voltage signal on the gate of said transistor as a function of the voltage across the terminals of the circuit breaker. 2. Disjoncteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit de commande (6) comprend - une source de tension (8) pour polariser positive 2. Circuit breaker according to claim 1, characterized in that the control circuit (6) comprises - a voltage source (8) for positive bias ment la jonction grille-source du transistor (4), - un interrupteur (12) en parallèle avec ladite source the gate-source junction of the transistor (4), - a switch (12) in parallel with said source de tension, - un moyen de commande (14) dudit interrupteur mesu voltage, - a control means (14) of said measured switch rant la tension aux bornes du disjoncteur. the voltage across the circuit breaker. 3. Disjoncteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'interrupteur (12) comprend un transistor MOS à effet de champ (18) dont Le drain est relié à la grille du transistor (4) et la source à la source du transistor (4), et en ce que le moyen de commande (14) comprend un transistor MOS à effet de champ (20, 30) dont le drain est relié au drain du transistor (4) et la source à la grille du transistor (18), la polarisation du transistor (20, 30) étant telle que -la tension de commande appliquée sur la grille du transistor (18) est limitée. 3. Circuit breaker according to claim 2, characterized in that the switch (12) comprises a field effect MOS transistor (18), the drain of which is connected to the gate of the transistor (4) and the source to the source of the transistor. (4), and in that the control means (14) comprises a field effect MOS transistor (20, 30) whose drain is connected to the drain of the transistor (4) and the source to the gate of the transistor (18 ), the bias of the transistor (20, 30) being such that the control voltage applied to the gate of the transistor (18) is limited. 4. Disjoncteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit de commande (6) comprend :  4. Circuit breaker according to claim 1, characterized in that the control circuit (6) comprises: - une source de tension (8), - a voltage source (8), - un commutateur (13) à- deux positions pour polariser - a two-position switch (13) for polarizing positivement au moyen de la source de tension (8) ou positively by means of the voltage source (8) or pour court-circuiter la jonction grille-source du to short-circuit the gate-source junction of the transistor (4), transistor (4), - un moyen de commande (14) dudit commutateur mesurant - a control means (14) of said measuring switch la tension aux bornes du disjoncteur. the voltage across the circuit breaker. 5. Disjoncteur selon la revendication 4, 5. Circuit breaker according to claim 4, caractérisé en ce que le commutateur comprend un characterized in that the switch comprises a transistor MOS à effet de champ de type N (15) et un N-type field effect MOS transistor (15) and a transistor MOS à effet de champ de type P (17), les P-type field effect MOS transistor (17), dits transistors étant connectés en drain commun et en said transistors being connected in common drain and in grille commune, et en ce que le moyen de commande (14) common grid, and in that the control means (14) comprend un transistor MOS à effet de champ (20, 30) includes a field effect MOS transistor (20, 30) dont le drain est relié au drain du transistor (4) et the drain of which is connected to the drain of the transistor (4) and la source à la grille commune des transistors (15, the source at the common gate of the transistors (15, 17), la polarisation du transistor (20, 30) étant 17), the bias of the transistor (20, 30) being telle que la tension de commande appliquée sur la such that the control voltage applied to the grille commune des transistors (15, 17) est Limitée. common gate of the transistors (15, 17) is Limited. 6. Disjoncteur selon L'une quelconque ;des 6. Circuit breaker according to any one; revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'il comprend Claims 1 to 5, characterized in that it comprises en outre un moyen de protection (16) du transistor furthermore a means of protection (16) of the transistor contre les surtensions. against overvoltages. 7. Disjoncteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le radiateur de refroidissement est sous-dimensionné. 7. Circuit breaker according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the cooling radiator is undersized. 8. Disjoncteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un moyen de commande externe d'enclenchement et de déclenchement du disjoncteur. 8. A circuit breaker according to any one of claims 1 to 7, characterized in that it further comprises an external control means for switching on and off the circuit breaker. 9. Pisjoncteur selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'un élément du disjoncteur est photosensible et en ce que le moyen de commande externe est de type optique. 9. A circuit breaker according to claim 8, characterized in that an element of the circuit breaker is photosensitive and in that the external control means is of the optical type. 10. Disjoncteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des moyens de contrôle de l'état du disjoncteur. 10. Circuit breaker according to any one of claims 1 to 9, characterized in that it further comprises means for checking the state of the circuit breaker. 11. Disjoncteur selon la revendication 1Qe caractérisé en ce que lesdits moyens de contrôle sont de type optique. 11. A circuit breaker according to claim 1Qe characterized in that said control means are of the optical type. 12. Disjoncteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que lesdits moyens de contrôle comprennent une première fibre optique, une cellule à cristaux liquides et une seconde fibre optique alignée avec la première fibre optique, la polarisation des cristaux Liquides étant fonction de L'état du disjoncteur. 12. Circuit breaker according to claim 11, characterized in that said control means comprise a first optical fiber, a liquid crystal cell and a second optical fiber aligned with the first optical fiber, the polarization of the liquid crystals being a function of the state of the circuit breaker. 13. Disjoncteur pour courant alternatif caractérisé en ce qu'il comporte un disjoncteur conforme à l'une quelconque des revendications I à 12 et un pont de diodes (32, 34, 36, 38). 13. Circuit breaker for alternating current characterized in that it comprises a circuit breaker according to any one of claims I to 12 and a diode bridge (32, 34, 36, 38). 14. Disjoncteur pour courant alternatif caractérisé en ce qu'il comporte deux disjoncteurs (2A, 2B) conformes à l'une quelconque des revendications 1 à 12, lesdits disjoncteurs étant en série, leurs transistors MOS à effet de champ (4) étant têtebêche.  14. Circuit breaker for alternating current characterized in that it comprises two circuit breakers (2A, 2B) according to any one of claims 1 to 12, said circuit breakers being in series, their MOS field effect transistors (4) being head-to-tail .
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