FR2544132A1 - Detecteur photoconducteur en immersion optique - Google Patents
Detecteur photoconducteur en immersion optique Download PDFInfo
- Publication number
- FR2544132A1 FR2544132A1 FR8305801A FR8305801A FR2544132A1 FR 2544132 A1 FR2544132 A1 FR 2544132A1 FR 8305801 A FR8305801 A FR 8305801A FR 8305801 A FR8305801 A FR 8305801A FR 2544132 A1 FR2544132 A1 FR 2544132A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- detector
- lens
- layer
- immersion
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007654 immersion Methods 0.000 title claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
IL COMPREND UNE PLAQUETTE DETECTRICE 2 EN HGCD TE, SUR UN SUBSTRAT EN QUARTZ 1, ET UNE LENTILLE HEMISPHERIQUE 8 EN CDTE, ASSEMBLEES L'UNE A L'AUTRE PAR UNE COUCHE 5 DE RESINE PHOTOSENSIBLE D'EPAISSEUR CALIBREE PAR DEUX CALES 6, 7. LE DETECTEUR EST AVANTAGEUSEMENT UTILISE POUR LA DESIGNATION D'OBJECTIFS.
Description
254413,
La présente invention concerne un détecteur photo-
conducteur en immersion optique, sensible aux rayonnements
infrarouge, comprenant une lentille à-face convexe transpa-
rente aux rayonnements infrarouge, du côté de la lentille opposé à sa face convexe, une plaquette en matériau semi- conducteur de l'un des deux types de conductivité N et P,
et, entre la lentille et la plaquette, une couche d'assem-
blage de la lentille et de la plaquette.
Un tel détecteur est déjà connu, notamment par le
brevet américain 2 964 636.
On réalise aujourd'hui de tels détecteurs avec une lentille en Cd Te, ou Ge, et une plaquette détectrice en Hglx Cdx Te, qui est un alliage de Cd Te, matériau à large bande interdite, et de Hg Te, matériau semi-métal et dont la longueur d'onde de détection dépend de la valeur de x La détectivité de ces détecteurs, définie par le rapport
signal sur bruit, et qui est représentative de leurs per-
formances, dans certains cas, est limitée par leur bruit thermique ou leur bruit capacitif, sans être influencée par le fond ambiant et ses fluctuations Ces photodétecteurs infrarouge non limités par le fond ambiant sont dits non BLIP (background limited infrared photodetectors) On les
utilise notamment dans le domaine militaire pour la dési-
gnation d'objectifs ou la télémétrie.
Augmenter le niveau du signal tout en maintenant
constant celui du bruit,-revient à augmenter la détecti-
vité C'est ce que l'immersion optique permet d'obtenir, en augmentant la surface apparente du détecteur proprement dit. Cette surface apparente peut être multipliée par N, N représentant l'indice de la lentille, si le détecteur est placé au centre d'une lentille hémisphérique, ou par N, si le détecteur est placé au premier point de Weierstrass d'une lentille hyperhémisphérique, s'étendant
au-delà du centre de la sphère correspondante.
Quant à la détectivité elle-même, elle est mul-
tipliée par N en cas d'immersion hémisphérique et par n en cas d'immersion hyperhémisphérique, si elle n'est limitée par n' en cas d'imn Iersion 4 que par le bruit thermique et héemisphérique et par N en cas d'immersion hyperhémisphérique, si elle n'est limitée
que par le bruit capacitif.
En définitive, l'immersion optique permet de réaliser des détecteurs fonctionnant à température élevée
ou à fréquence électrique élevée, et présentant des détec-
tivités plus élevées que celles des détecteurs non immer-
gés dans les mêmes conditions.
En effet, et inversement, pour une surface sensible apparente déterminée, on peut diminuer la surface réelle et donc le bruit thermique,c'est-àdire augmenter
la détectivité.
Pour réaliser ces photodétecteurs, on procédait
jusqu'à aujourd'hui de la façon suivante: on collait pure-
ment et simplement sur une lentille un détecteur réalisé par ailleurs, la couche d'assemblage évoquée plus haut
étant une couche de colle.
C Cependant, cette couche de colle présente des inconvénients. La colle est un milieu intermédiaire d'indice de réfraction faible, qui limite, par réflexion totale, l'angle de vue du détecteur De plus, il n'est pas facile
de choisir une colle satisfaisant simultanément aux exi-
gences d'indice, de transmission des rayonnements infrarouge dans le spectre considéré, de tenue aux cycles thermiques,
de coefficient de dilatation thermique, de solidité méca-
nique, de taux de dégazage, de stabilité, d'inertie chimique, etc. La présente invention vise donc à proposer un détecteur du type mentionné cidessus mais ne présentant
pas les inconvénients énoncés.
A cet effet, le détecteur de l'invention, du type mentionné ci-dessus, est caractérisé par le fait que la couche d'assemblage est une couche de résine photosensible, transparente aux rayonnements infrarouge et chimiquement inerte.
254413 Z
Les résines photosensibles sont surtout utilisées comme matériaux de couches de masquage dans la fabrication
des détecteurs.
L'une des qualités essentielles d'une couche de mas-
quage, c'est de ne pas dégrader les états de surface des couches masquées Or, et le moins qu'on puisse dire, cela
n'est pas le cas d'une colle optique.
Dans une forme de réalisation préférée du détecteur
de l'invention, la résine photosensible de la couche d'as-
semblage est la résine de la marque MICRORESIST 747 de la
Société Kodak.
Cette résine, d'indice 1,5,est transparente dans la
bande spectrale 1 15 ym.
L'assemblage réalisé avec cette résine résiste à des cycles thermiques de + 800 C à -1960 C. L'innocuité de cette résine vis-à-vis du matériau
semiconducteur est très grande.
L'invention sera mieux comprise à l'aide de la des-
cription suivante du détecteur de l'invention et de son pro-
cédé de réalisation, en référence à la figure unique qui re-
présente une vue schématique en coupe du détecteur immergé
de l'invention.
Le détecteur représenté sur la figure comporte un substrat 1, par exemple en alumine ou en quartz, et, collé
sur le substrat 1 servant de base, avec une colle conven-
tionnelle, une plaquette détec trice 2 en matériau semi-
conducteur, en l'occurence en Hg, Cd Te.
De façon connue, le détecteur photoconducteur 2, a été obtenu par amincissement convenable d'une plaquette de départ en matériau homogène Hg x Cdx Te, de type N ou P, x étant choisi en fonction de la longueur d'onde à détecter, de préférence entre 0,2 et 0,7 Dans l'exemple considéré,
l'épaisseur de la plaquette finale 2 est d'environ 10)-m.
42. Le d 6 tecteur repr 6 senté comprend encore deux bandes de contact 3, I 4, en or &vaporisé d 6 pos 4 es sur la plaquette 2 et le substrat 1 et délimitant, sur la plaquette 2, la
surface active de la partie détectrice proprement dite.
Deux cales 6, 7 de mnme épaisseur, sont collées,
avec une colle classique, sur les contacts 3, 4, respective-
ment, de part et d'autre de la plaquette 2, pour calibrer
l'épaisseur de la couche d'assemblage dont il va être ques-
tion plus loin, ainsi que la distance entre la plaquette 2 et
la lentille d'immersioni dont il va atre aussi question.
sont t Ces cales/en matériau isolant, en l'occurrence en ka.pton; elles pourraient etre aussi en verred
Le détecteur comprend également une lentille d'im-
mersion 8,-posée par une face plane 9, sur les cales 6, 7.
Il peut s'agir d'une lentille hémisphérique ou d'une lentil-
le hyperhémisphérique à face convexe 10, opposée à sa face
plane 9, destinée à recevoir les rayonnements infrarouge.
La lentille 8 est de préférence en Cd Te ou en Ge.
Enfin, une couche 5 en MICRORESIST 747, marque d'une photorésine de la Société Kodak, assure l'assemblage, ou
la liaison, de la plaquette 2 et:de la lentille 8 L'épais-
seur de la couche 5, calibrée par les cales 6, 7 est, dans l'exemple considéré, d'environ 100 um; c'est une épaisseur importante qui permet de réduire les pertes optiques par
interférences lumineuses.
La face plane 9 de la lentille 8 est revêtue d'une couche antireflet, bien connue de l'homme de métier, pour limiter les pertes optiques par réflexion sur cette face,
adaptée à la longueur de réponse de la plaquette-
détecteur 2 à la photorésine d'assemblage, d'indice de ré-
fraction 1,5 La face convexe 10 est aussi revêtue d'une
couche antireflet'Lmais adaptée à l' air, d'indice 1.
L'assemblage du détecteur, considéré dans son ensemble, qui vient d'être décrit, s'effectue en ce qui concerne les
seules étapes essentielles pour la compréhension de l'in-
vention, de la manière suivante.
On positionne les cales 6, 7 à l'aide d'un projecteur de profil et on les colle à l'aide d'un outil de collage,
ces équipements étant bien connus de l'homme de métier.
La photorésine ayant été coulée entre les cales 6, 7 et la lentille 8 posée sur les cales, on porte l'ensemble à une
température de 800 C pendant 30 minutes pour que la photoré-
sine polymérise.
Grâce à l'adoption de la photorésine MICRORESIST 747 comme agent de liaison, on réalise des photoconducteurs très performants à 1600 K (-1130 C) dans la bande spectrale 8-12 pm et à la température ambiante 2930 K ( 200 C) dans la bande 3-5 ym, comme l'illustre le tableau ci-dessous S 35 pm 12 pm
2930 K 1600 K I
DI
2| non 8 10 2 10 immergé | l i g 2 1010 8 10 immerge l o Bs représente la bande spectrale, en ym, e représente la température en OK, D représente l'inverse de la puissance équivalente
de bruit (NEP), étoilée, bien connue des spécia-
listes, exprimée en W cm Hz 1/2 W étant l'uni
té de puissance (watt) et Hz, l'unité de fréquen-
ce (Hertz), donnée par la formule D = NP \f 'VX o A est la surface sensible du détecteur,
df est la bande de fréquence de modulation.
Grâce à l'invention, D est donc multipliée par 2,5
entre 3 et 5 pm, et par 4 entre 8 et 12 pm.
On vient de décrire un ensemble photoconducteur à un seul détecteur Il est évident qu'on pourrait tout aussi bien
prendre une mosaïque de détecteurs.
2544 1 32
Claims (2)
1. Détecteur photoconducteur en immersion optique,
sensible aux rayonnements infrarouge, comprenant une len-
tille ( 8) à face convexe ( 10) transparente aux rayonnements infrarouge, du côté ( 9) de la lentille, opposé à sa face convexe, une plaquette ( 2) en matériau semiconducteur de l'un des deux types de conductivité N et P, et, entre la
lentille ( 8) et la plaquette ( 2), une couche ( 5) d'assem-
blage de la lentille ( 8) et de la plaquette ( 2), caracté-
risé par le fait que la couche d'assemblage ( 5) est une
couche de résine photosensible, transparente aux rayonne-
ments infrarouge et chimiquement inerte.
2. Détecteur selon la revendication 1, dans lequel la résine photosensible de la couche d'assemblage ( 5) est la résine de la marque MICRORESIST 747 de la Société Kodak.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8305801A FR2544132B1 (fr) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | Detecteur photoconducteur en immersion optique |
GB08408222A GB2138209B (en) | 1983-04-08 | 1984-03-30 | Photoconducting detector in optical immersion |
US06/596,390 US4636631A (en) | 1983-04-08 | 1984-04-03 | Photoconducting detector in optical immersion |
DE19843413176 DE3413176A1 (de) | 1983-04-08 | 1984-04-07 | Fotoleitender detektor mit optischer immersion |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8305801A FR2544132B1 (fr) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | Detecteur photoconducteur en immersion optique |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2544132A1 true FR2544132A1 (fr) | 1984-10-12 |
FR2544132B1 FR2544132B1 (fr) | 1986-11-21 |
Family
ID=9287666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR8305801A Expired FR2544132B1 (fr) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | Detecteur photoconducteur en immersion optique |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4636631A (fr) |
DE (1) | DE3413176A1 (fr) |
FR (1) | FR2544132B1 (fr) |
GB (1) | GB2138209B (fr) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2598558B1 (fr) * | 1986-05-07 | 1988-11-10 | Telecommunications Sa | Photodiode a avalanche hgcdte sensible aux rayonnements de longueur d'onde superieure a 2 mm |
FR2646559B1 (fr) * | 1989-04-28 | 1991-07-05 | Commissariat Energie Atomique | Systeme de mesure constitue d'un circuit de detection d'un rayonnement, d'un circuit de lecture et d'un support tel qu'un doigt froid de cryostat |
US5489804A (en) * | 1989-08-28 | 1996-02-06 | Lsi Logic Corporation | Flexible preformed planar structures for interposing between a chip and a substrate |
US5504035A (en) * | 1989-08-28 | 1996-04-02 | Lsi Logic Corporation | Process for solder ball interconnecting a semiconductor device to a substrate using a noble metal foil embedded interposer substrate |
US5834799A (en) * | 1989-08-28 | 1998-11-10 | Lsi Logic | Optically transmissive preformed planar structures |
US5299730A (en) * | 1989-08-28 | 1994-04-05 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for isolation of flux materials in flip-chip manufacturing |
GB9116307D0 (en) * | 1991-07-29 | 1991-11-06 | Philips Electronic Associated | Infrared detectors |
FR2683390A1 (fr) * | 1991-10-30 | 1993-05-07 | Sodern | Detecteur d'images a lumiere parasite reduite et application a un senseur de terre. |
WO1993022787A1 (fr) * | 1992-04-28 | 1993-11-11 | Lsi Logic Corporation | Dispositif de montage d'une lentille sur un capteur d'images a semi-conducteurs |
US5340978A (en) * | 1992-09-30 | 1994-08-23 | Lsi Logic Corporation | Image-sensing display panels with LCD display panel and photosensitive element array |
US5529936A (en) * | 1992-09-30 | 1996-06-25 | Lsi Logic Corporation | Method of etching a lens for a semiconductor solid state image sensor |
US5519205A (en) * | 1992-09-30 | 1996-05-21 | Lsi Logic Corporation | Color electronic camera including photosensor array having binary diffractive lens elements |
US5359190A (en) * | 1992-12-31 | 1994-10-25 | Apple Computer, Inc. | Method and apparatus for coupling an optical lens to an imaging electronics array |
US5359189A (en) * | 1993-03-29 | 1994-10-25 | At&T Bell Laboratories | Infrared collector having a flattened convex surface |
US5689106A (en) * | 1994-12-22 | 1997-11-18 | Santa Barbara Research Center | Optical device assembly having a metallic bump bonding together two planar optical components, and its preparation |
US5770889A (en) * | 1995-12-29 | 1998-06-23 | Lsi Logic Corporation | Systems having advanced pre-formed planar structures |
US5828068A (en) * | 1996-04-04 | 1998-10-27 | Raytheon Ti Systems, Inc. | Uncooled mercury cadmium telluride infrared devices with integral optical elements |
US6246045B1 (en) | 1998-09-09 | 2001-06-12 | Mcdonnell Douglas Corporation | Reflected radiance sensors for detection of reflected radiation |
US7072591B1 (en) | 1999-06-23 | 2006-07-04 | Ball Aerospace & Technologies Corp. | Processing of multiple wavelength signals transmitted through free space |
US7177550B1 (en) | 2001-01-24 | 2007-02-13 | Ball Aerospace & Technologies Corp. | On-axis laser receiver wavelength demultiplexer with integral immersion lensed detectors |
US7058306B1 (en) | 2001-01-24 | 2006-06-06 | Ball Aerospace & Technologies Corp. | Asymmetrical laser communication transceiver configuration |
CN100516794C (zh) * | 2007-01-25 | 2009-07-22 | 吉林大学 | 半球形和球形双光子响应半导体光电探测器 |
TWM322104U (en) * | 2007-02-09 | 2007-11-11 | Sin Guang Li Internat Co Ltd | Improved structure of solar cell plate |
JP6483258B2 (ja) * | 2015-07-02 | 2019-03-13 | オリンパス株式会社 | 光信号伝送システム |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4024397A (en) * | 1970-09-28 | 1977-05-17 | Barnes Engineering Company | Shock resistant encapsulated infrared detector |
FR2454110A1 (fr) * | 1979-04-11 | 1980-11-07 | Minnesota Mining & Mfg | Procede pour unir des conducteurs de lumiere et des dispositifs electro-optiques et ensemble optique obtenu par ce procede |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2964636A (en) * | 1956-06-05 | 1960-12-13 | Eastman Kodak Co | Optically immersed photoconductive cells |
DE2401613A1 (de) * | 1974-01-14 | 1975-07-17 | Siemens Ag | Halbleitervorrichtung |
US4339526A (en) * | 1981-06-24 | 1982-07-13 | International Business Machines Corporation | Acetylene terminated, branched polyphenylene resist and protective coating for integrated circuit devices |
-
1983
- 1983-04-08 FR FR8305801A patent/FR2544132B1/fr not_active Expired
-
1984
- 1984-03-30 GB GB08408222A patent/GB2138209B/en not_active Expired
- 1984-04-03 US US06/596,390 patent/US4636631A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-04-07 DE DE19843413176 patent/DE3413176A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4024397A (en) * | 1970-09-28 | 1977-05-17 | Barnes Engineering Company | Shock resistant encapsulated infrared detector |
FR2454110A1 (fr) * | 1979-04-11 | 1980-11-07 | Minnesota Mining & Mfg | Procede pour unir des conducteurs de lumiere et des dispositifs electro-optiques et ensemble optique obtenu par ce procede |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 13, no. 5, octobre 1970, page 1146, New York (USA); * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2544132B1 (fr) | 1986-11-21 |
DE3413176A1 (de) | 1984-10-11 |
GB2138209B (en) | 1986-12-31 |
US4636631A (en) | 1987-01-13 |
GB8408222D0 (en) | 1984-05-10 |
GB2138209A (en) | 1984-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FR2544132A1 (fr) | Detecteur photoconducteur en immersion optique | |
EP0230336B1 (fr) | Dispositif opto-électronique pour montage en surface | |
CA1301319C (fr) | Dispositif de lecture optique de support d'enregistrement optique | |
EP0559501B1 (fr) | Laser de puissance à fenêtre diamant non revêtue | |
EP0033048A1 (fr) | Interféromètre à cavité optique accordable comprenant une fibre optique monomode et application au filtrage et à la spectrographie | |
FR2536197A1 (fr) | Support d'enregistrement d'informations | |
JP4104802B2 (ja) | エアギャップ型エタロンを用いた利得等化装置、波長特性可変装置および光増幅器 | |
FR2586295A1 (fr) | Detecteur optique dielectrique d'humidite | |
EP0540092B1 (fr) | Détecteur d'images à lumière parasite réduite et application à un senseur de terre | |
EP0148703B1 (fr) | Procédé de compensation en température d'un détecteur photoconducteur | |
EP3431964B1 (fr) | Cavité optique à forte dynamique | |
FR2698443A1 (fr) | Procédé et appareil pour mesurer par ellipsométrie la température d'un objet, notamment semi-conducteur. | |
WO2020234404A1 (fr) | Dispositif d'emission et de controle d'une lumiere infra-rouge et capteur de gaz utilisant un tel dispositif | |
FR2776422A1 (fr) | Detecteur de rayonnement electromagnetique, notamment thermique | |
FR2686692A1 (fr) | Capteur de pression a base de semi-conducteur et procede de fabrication. | |
EP0448415B1 (fr) | Dispositif de détection à distance d'une grandeur physique, fonctionnant en réflexion | |
US4636828A (en) | Optical immersed type photovoltaic detector | |
FR2501369A1 (fr) | Detecteur photo-electrique | |
MA50283A1 (fr) | Matériau composite pour collecteur solaire | |
Georgelin | Interference Methods for the Measurements of Radial Velocities. II. Air-gap and All-glass Fabry-Perot Etalons | |
CH625910A5 (fr) | ||
EP0250281B1 (fr) | Capteur de mesure de la temperature de surface d'un corps | |
JPS603165A (ja) | 受光素子 | |
EP0041647A1 (fr) | Convertisseur infrarouge | |
Blue | Degradation of electro-optic components aboard LDEF |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
CL | Concession to grant licences | ||
DL | Decision of the director general to leave to make available licences of right | ||
TP | Transmission of property | ||
ST | Notification of lapse |