FR2501727A1 - Procede de traitements thermochimiques de metaux par bombardement ionique - Google Patents

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Abstract

LE PROCEDE DE TRAITEMENT THERMOCHIMIQUE DE METAUX SELON L'INVENTION FAIT INTERVENIR UN FOUR DE STRUCTURE ANALOGUE A CELLE D'UN FOUR CLASSIQUE DE TRAITEMENT THERMIQUE OU THERMOCHIMIQUE A ATMOSPHERE RAREFIEE, EQUIPE DE SES PROPRES MOYENS DE CHAUFFAGE ET DE CONTROLE ET, EVENTUELLEMENT, DE REFROIDISSEMENT ET COMPRENANT EN OUTRE AU MOINS UNE ANODE ET UNE CATHODE SUPPORTANT LES PIECES A TRAITER. IL CONSISTE A GENERER SUR LES PIECES A TRAITER UN PLASMA FROID EN ETABLISSANT ENTRE L'ANODE ET LA CATHODE UNE SUCCESSION D'IMPULSIONS DE COURANT DE FREQUENCE RELATIVEMENT ELEVEE ET DE DUREE TRES BREVE PAR RAPPORT A LA PERIODE. LE CHAUFFAGE EST OBTENU PAR LESDITS MOYENS DE CHAUFFAGE. L'INVENTION PERMET D'OBTENIR UNE BONNE HOMOGENEITE DE TEMPERATURE.

Description

2 5 0 1 7 2 7
La présente invention concerne un procédé de
traitements thermochimiques de métaux tels que la ni-
truration, la carbonitruration, la cémentation, les dép8ts métalliques sous vide etc... par bombardement ionique. D'une manière générale, on sait que ces traitements font intervenir deux facteurs principaux, à savoir le
milieu de traitement et la température de traitement.
Ainsi, par exemple, dans le cas d'un traitement classique de nitruration, le milieu de traitement peut être obtenu en faisant passer sur les pièces un courant de gaz ammoniac, qui, en se décomposant, libère des atomes d'azote actifs. La température de traitement qui est de l'ordre de 5700C est alors obtenue en disposant
les pièces dans un four électrique.
Dans le cas d'un traitement de nitruration par bombardement ionique, les pièces à traiter sont disposées dans une enceinte contenant un gaz (NHi3> azote moléculaireH2 CH4) à basse pression (0,1 à 10 torrs). Cette enceinte est équipée d'un anode et d'une cathode, reliées à un générateur de courant électrique à haute tension (entre 300 et 1500 V). La cathode est conçue de manière à supporter les pièces à traiter qui
se trouvent, par conséquent, portées au cathodique.
Le traitement s'obtient en créant, entre la cathode
et l'anode, une décharge luminescente que l'on entre-
tient à la limite du régime d'arc.
Au cours de ce traitement, il se crée, autour de la pièce à traiter, un plasma composé d'ions azote qui
constitue en fait le milieu de traitement.
La température de traitement est alors obtenue par
la dissipation calorifique engendrée par le bombarde-
ment des ions sur la pièce (énergie cinétique).
Les avantages des procédés de traitement ther-
mochimique par bombardement ionique par rapport aux
autres procédés classiques sont bien connus.
Par contre, cette technique se heurte à de nombreuses difficultés parmi lesquelles on mentionnera:
250 1727
-2- L'imposibilité d'obtenir une bonne homogénéité de la température des pièces à traiter du fait que l'on utilise le plasma comme moyen de chauffage - la difficulté de réaliser des systèmes de rupture d'arc dans le cas de générateurs de haute puissance; - la difficulté de contrôler la température des pièces en raison du fait que c'est le plasma lui-même qui effectue le chauffage des pièces; - la nécessité de ne nitrurer simultanément que des pièces de géométrie très voisines, la température n'étant pas homogène dans le cas de pièces de formes différentes.
Pour supprimer tous ces inconvénients, de n m-
breuses solutions ont été étudiées.
Ainsi, pour tenter de résoudre ces problèmes, on a proposé d'inclure dans l'enceinte du four un dispositif de chauffage destiné à préchauffer la pi+ ctl ou pour fournir un apport calorifique au cours du traitement. Toutefois, une telle solution ne permet pas, dans le cas d'une alimentation classique des électrodes du four, le contrôle efficace de la température des
pièces, et une bonne homogénéité de leur température.
Une autre solution envisagée pour obtenir un fonctionnement exempt du risque de formation d'arcs consiste à utiliser, au lieu d'un courant continu, des
impulsions de courant à haute tension, mais dont I '4ner-
gie totale est maintenue à une valeur prédéterminée, de manière à ce qu'il ne soit pas possible d'atteindre, dans la courbe de décharge tension/intensité, la.'<>rle
correspondant au régime d'arc.
Selon cette technique, pour parvenir à élever l." température des pièces jusqu'à la température de
traitement ou même pour assurer le maintien de cettt-
température dans le cas o les pièces ont été préchauffées, il est nécessaire de prévoir des impulsions
relativement larges par rapport à la période.
Il s'avère toutefois que cette solution ne permet
250 172 7
-3- pas elle non plus d'obtenir une bonne homogénéité de
température des pièces.
Dans le but de supprimer tous ces inconvénients l'invention propose de rendre totalement indépendant les 2 paramètres du traitement à savoir la réalisation du milieu de traitement, c'est-à-dire du plasma, et le
chauffage à la température de traitement des pièces.
A cet effet, elle utilise les propriétés relatives au temps de génération du plasma et à sa durée de vie (rémanence). On sait qu'un plasma généré par une impulsion de courant à haute tension se maintient pendant un temps relativement long (quelques centaines de microsecondes à quelques millisecondes) par rapport
au temps de génération de ce plasma (quelques micro-
secondes).
En conséquence, en créant une succession d'impul-
sions à fréquence élevée (la période de ces impulsions
pouvant avoisiner la durée de vie du plasma, c'est-à-
dire de 100 microsecondes à 10 millisecondes), et de durée très brève, entre 1 à 100 microsecondes (supérieure au temps de création du plasma, on obtient de façon continue un plasma froid, c'est-à-dire un plasma dans lequel l'énergie calorifique dissipée au cours de la dissociation demeure à un niveau très bas et ne peut pas affecter les caractéristiques de température du traitement en cours, dans le cas d'un traitement thermochimique. D'une façon plus précise, le procédé de traitement thermique selon l'invention fait intervenir un four de structure analogue à celle d'un four classique de traitement thermique ou thermochimique à atmosphère raréfiée équipé de ses propres moyens de chauffage et de contrôle et comprenant en outre au moins une anode et une cathode supportant les pièces à traiter. Il consiste à générer sur les pièces à traiter un plasma froid tel que précédemment défini en établissant entre l'anode et la cathode une succession d'impulsions de tension à fréquence relativement élevée et de durée
250 1 727.
-4- très brève et, à chauffer les pièces à l'aide des susdits moyens de chauffage, de manière à les porter
puis à les maintenir à la température de traitement.
Ce procédé présente de multiple avantages: - Du fait que le chauffage des pièces est indépen- dant-de la génération du plasma, il est possible d'utiliser des générateurs d'impulsion de puissance très faible par rapport à celle qui serait autrement nécessaire. - La température de traitement peut être facilement
contr8lée et de façon précise, en utilisant les équi-
pements éprouvés des fours de traitement thermique ou
thermochimiques classiques.
- Le contr8le des autres paramètres de traitement est facilité du fait que l'on peut jouer simultanément sur le rapport cyclique, l'amplitude et la fréquence des impulsions; et
- Le risque de détérioration des pièces par forma-
tion d'arc est totalement supprimé du fait que le plasma
est généré par des impulsions de courte durée.
Ce procédé permet en outre de supprimer les hétéro-
généités de température en fonction des paramètres liés aux pièces tels que la forme, l'état, les phénomènes de cathode creuse pendant la montée en température, les
dimensions de pièces différentes, etc...
L'invention concerne également une installation pour le traitement thermochimique par bombardement
ionique appliquant le procédé selon l'invention.
Comme précédemment mentionné, cette installation fait intervenir un four présentant une structure analogue à celle d'un four classique de traitement thermique ou thermochimique à atmosphère raréfiée, ce four comprenant ses propres moyens de chauffage, par convexionpar rayonnement, cohérent ou nonou par induction, ses propres moyens de régulation, un générateur de gaz de traitement et des passages de courant traversant la
paroi du four et connectés aux électrodes (anodes-
cathodes) servant à la génération du plasma.
250 1727
-5- L'alimentation de ces électrodes peut-être assurée à partir du réseau triphasé ou monophasé industriel au moyen d'un générateur comprenant un redresseur contrôlé permettant d'obtenir une tension continue variable entre O et la tension du secteur, un onduleur permettant de transformer cette tension continue en tension
alternative particulière à amplitude et à rapport cycli-
que variables, puis redressée pour obtenir des impulsions monopolaires à haute tension de l'ordre de 300 à 1500 V et à fréquence élevée de l'ordre de 100 Hz à 10 K Hertz
qui alimentent le four.
On notera que l'adoption d'un générateur de plasma de grande puissance et basé sur un même principe permet d'obtenir un fonctionnement mixte, plasma chaud, plasma
froid.
De même, dans ce cas, on peut utiliser indépendam-
ment, alternativement ou même simultanément au cours du traitement, les deux types de chauffage (moyens de chauffage propres au four et fonctionnement en mode
plasma chaud).
-6-

Claims (8)

REVENDICATIONS
1.- Procédé de traitements thermochimiques de métaux par bombardement ionique faisant intervenir
un four de structure analogue à celle d'un four clas-
sique de traitement thermique ou thermochimique à atmosphère raréfiée, équipé de ses propres moyens de
chauffage et de contrôle et, éventuellement, de refroi-
dissement et comprenant en outre au moins une anode
et une cathode supportant les pièces à traiter, carac-
térisé en ce qu'il consiste à générer sur les pièces à traiter un plasma froid en établissant entre l'anode et la cathode une succession d'impulsions de courant de fréquence relativement élevée (période inférieure à la durée de vie du plasma) et de durée très brève par rapport à la période,(durée supérieure à la durée de génération du plasma) -et à chauffer les pièces à l'aide des susdits moyens de chauffage, de manière à les porter puis à les maintenir à la température de traitement.
2.Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'amplitude, la fréquence et la durée des
impulsions sont variables.
3.- Procédé selon l'une des revendications 1 et 2,
caractérisé en ce qu'il utilise un générateur d'impul-
sions permettant, en jouant sur l'amplitude, la fréquence
et/ou la durée des impulsions, d'obtenir un fonction-
nement mixte, plasma froid, plasma chaud.
4.- Procédé selon l'une des revendications précé-
dentes, caractérisé en ce que l'on utilise indépendam-
ment, alternativement, ou même simultanément, au cours du traitement, le chauffage obtenu par les susdits moyens de chauffage et le chauffage obtenu par le
fonctionnement en mode plasma chaud.
5.- Procédé selon l'une des revendications précé-
dentes, caractérisé en ce que la fréquence des susdites
impulsions est comprise entre 100 Hz et 10 K Hertz.
6.- Procédé selon l'une des revendications précé-
dentes, caractérisé en ce qu'en fonctionnement en mode
0 1 7 2 7
-7- plasma froid, la durée des impulsions peut varier entre 1 à 100 microsecondes, et en ce que la période
des impulsions varie de 100 microsecondes à 10 millise-
condes. 7.- Installation pour le traitement thermochimique par bombardement ionique conformément au procédé selon
l'une des revendications précédentes, caractérisée en
ce qu'elle comprend un four présentant une structure analogue à celle d'un four classique de traitement thermique ou thermochimique à atmosphère raréfiée, ce four comportant ses propres moyens de chauffage par convexion ou par rayonnement, ses propres moyens de régulation, un générateur de gaz de traitement et des passages de courant traversant la paroi du four et prévus pour relier les électrodes servant à la génération du plasma à un générateur délivrant des impulsions à haute tension, à une fréquence réglable de 100 Hz à 10 K Hertz et à largeur d'impulsions réglable de 1 à 100 microsecondes.
8.- Installation selon la revendication 7, carac-
térisée en eqme la susdit générateur fonctionne à partir du réseau triphasé ou monophasé industriel et comprend un redresseur contrôlé permettant d'obtenir une tension continue variable entre 0 et la tension du secteur, un onduleur permettant de transformer cette tension continue en une tension alternative à amplitude et rapport cyclique variables puis redressée pour obtenir des impulsions monopolaires à une tension de l'ordre de 300 à 1500 Volts et une fréquence de l'ordre de 100 Hz
à 10 K Hz.
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US06/355,880 US4490190A (en) 1981-03-13 1982-03-08 Process for thermochemical treatments of metals by ionic bombardment
EP82400407A EP0062550B1 (fr) 1981-03-13 1982-03-09 Procédé de traitements thermochimiques de métaux par bombardement ionique
AT82400407T ATE37907T1 (de) 1981-03-13 1982-03-09 Verfahren fuer die thermochemischen behandlungen von metallen durch ionenbeschuss.
DE8282400407T DE3279106D1 (en) 1981-03-13 1982-03-09 Process for the thermochemical treatments of metals by ion bombardment
JP57039264A JPS57210971A (en) 1981-03-13 1982-03-12 Thermochemical treatment of metal by ion bombardment
US06/657,791 US4672170A (en) 1981-03-13 1984-10-04 Apparatus for thermochemical treatments of metals by ionic bombardment

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Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3322341A1 (de) * 1983-06-22 1985-01-03 Siegfried Dr.-Ing. 5135 Selfkant Strämke Verfahren und vorrichtung zur oberflaechenbehandlung von werkstuecken durch glimmentladung
US4700315A (en) * 1983-08-29 1987-10-13 Wellman Thermal Systems Corporation Method and apparatus for controlling the glow discharge process
US4568396A (en) * 1984-10-03 1986-02-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wear improvement in titanium alloys by ion implantation
FR2587729B1 (fr) * 1985-09-24 1988-12-23 Centre Nat Rech Scient Procede et dispositif de traitement chimique, notamment de traitement thermochimique et de depot chimique dans un plasma homogene de grand volume
US4693760A (en) * 1986-05-12 1987-09-15 Spire Corporation Ion implanation of titanium workpieces without surface discoloration
CH671407A5 (fr) * 1986-06-13 1989-08-31 Balzers Hochvakuum
JPS6333553A (ja) * 1986-07-24 1988-02-13 Masanobu Nunogaki プラズマ源窒化法
GB8625912D0 (en) * 1986-10-29 1986-12-03 Electricity Council Thermochemical treatment
DE3700633C2 (de) * 1987-01-12 1997-02-20 Reinar Dr Gruen Verfahren und Vorrichtung zum schonenden Beschichten elektrisch leitender Gegenstände mittels Plasma
US4764394A (en) * 1987-01-20 1988-08-16 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for plasma source ion implantation
US4777109A (en) * 1987-05-11 1988-10-11 Robert Gumbinner RF plasma treated photosensitive lithographic printing plates
US5127967A (en) * 1987-09-04 1992-07-07 Surface Combustion, Inc. Ion carburizing
US4853046A (en) * 1987-09-04 1989-08-01 Surface Combustion, Inc. Ion carburizing
US4872922A (en) * 1988-03-11 1989-10-10 Spire Corporation Method and apparatus for the ion implantation of spherical surfaces
US5025365A (en) * 1988-11-14 1991-06-18 Unisys Corporation Hardware implemented cache coherency protocol with duplicated distributed directories for high-performance multiprocessors
US4968006A (en) * 1989-07-21 1990-11-06 Spire Corporation Ion implantation of spherical surfaces
US5079032A (en) * 1989-07-21 1992-01-07 Spire Corporation Ion implantation of spherical surfaces
US5152795A (en) * 1990-04-25 1992-10-06 Spire Corporation Surgical implants and method
US5123924A (en) * 1990-04-25 1992-06-23 Spire Corporation Surgical implants and method
US5226975A (en) * 1991-03-20 1993-07-13 Cummins Engine Company, Inc. Plasma nitride chromium plated coating method
FR2679258B1 (fr) * 1991-07-16 1993-11-19 Centre Stephanois Recherc Meca Procede de traitement de pieces en metal ferreux pour ameliorer simultanement leur resistance a la corrosion et leurs proprietes de friction.
FR2681472B1 (fr) 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
DE4238993C1 (fr) * 1992-01-20 1993-07-01 Leybold Durferrit Gmbh, 5000 Koeln, De
CH689767A5 (de) 1992-03-24 1999-10-15 Balzers Hochvakuum Verfahren zur Werkstueckbehandlung in einer Vakuumatmosphaere und Vakuumbehandlungsanlage.
FR2689976B1 (fr) * 1992-04-14 1995-06-30 Innovatique Sa Procede et dispositif pour la determination et le controle de la composition du melange gazeux reactif utilise au cours d'un traitement thermochimique sous atmosphere rarefiee.
US5868878A (en) * 1993-08-27 1999-02-09 Hughes Electronics Corporation Heat treatment by plasma electron heating and solid/gas jet cooling
DE4427902C1 (de) 1994-08-06 1995-03-30 Leybold Durferrit Gmbh Verfahren zum Aufkohlen von Bauteilen aus kohlungsfähigen Werkstoffen mittels einer impulsförmig betriebenen Plasmaentladung
FR2748851B1 (fr) * 1996-05-15 1998-08-07 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur
US6033974A (en) 1997-05-12 2000-03-07 Silicon Genesis Corporation Method for controlled cleaving process
US6159824A (en) 1997-05-12 2000-12-12 Silicon Genesis Corporation Silicon-on-silicon wafer bonding process using a thin film blister-separation method
US6291313B1 (en) 1997-05-12 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Method and device for controlled cleaving process
US20070122997A1 (en) 1998-02-19 2007-05-31 Silicon Genesis Corporation Controlled process and resulting device
US6027988A (en) * 1997-05-28 2000-02-22 The Regents Of The University Of California Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation
US6548382B1 (en) 1997-07-18 2003-04-15 Silicon Genesis Corporation Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process
FR2773261B1 (fr) 1997-12-30 2000-01-28 Commissariat Energie Atomique Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions
JPH11316919A (ja) 1998-04-30 1999-11-16 Hitachi Ltd スピントンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド
US6291326B1 (en) 1998-06-23 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Pre-semiconductor process implant and post-process film separation
AU6905000A (en) 1999-08-10 2001-03-05 Silicon Genesis Corporation A cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses
US6500732B1 (en) 1999-08-10 2002-12-31 Silicon Genesis Corporation Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses
US6263941B1 (en) 1999-08-10 2001-07-24 Silicon Genesis Corporation Nozzle for cleaving substrates
US6221740B1 (en) 1999-08-10 2001-04-24 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving tool and method
FR2823599B1 (fr) 2001-04-13 2004-12-17 Commissariat Energie Atomique Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation
US8187377B2 (en) 2002-10-04 2012-05-29 Silicon Genesis Corporation Non-contact etch annealing of strained layers
FR2848336B1 (fr) 2002-12-09 2005-10-28 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une structure contrainte destinee a etre dissociee
JP4257157B2 (ja) * 2003-06-13 2009-04-22 本田技研工業株式会社 窒化処理方法及び装置
FR2856844B1 (fr) 2003-06-24 2006-02-17 Commissariat Energie Atomique Circuit integre sur puce de hautes performances
FR2857953B1 (fr) 2003-07-21 2006-01-13 Commissariat Energie Atomique Structure empilee, et procede pour la fabriquer
FR2861497B1 (fr) 2003-10-28 2006-02-10 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation
FR2889887B1 (fr) 2005-08-16 2007-11-09 Commissariat Energie Atomique Procede de report d'une couche mince sur un support
US8293619B2 (en) 2008-08-28 2012-10-23 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled propagation
US8993410B2 (en) 2006-09-08 2015-03-31 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving under controlled stress conditions
US9362439B2 (en) 2008-05-07 2016-06-07 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled shear region
US7811900B2 (en) 2006-09-08 2010-10-12 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process
FR2910179B1 (fr) 2006-12-19 2009-03-13 Commissariat Energie Atomique PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART
FR2925221B1 (fr) 2007-12-17 2010-02-19 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince
US8330126B2 (en) 2008-08-25 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Race track configuration and method for wafering silicon solar substrates
US8329557B2 (en) 2009-05-13 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Techniques for forming thin films by implantation with reduced channeling
US20100294751A1 (en) * 2009-05-22 2010-11-25 Innovative Engineering & Product Development, Inc. Variable frequency heating controller
FR2947098A1 (fr) 2009-06-18 2010-12-24 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince
BR102014026134B1 (pt) * 2014-10-20 2022-09-27 Universidade Federal De Santa Catarina Processo e reator de plasma para tratamento termoquímico de superfície de peças metálicas

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1053916A (fr) * 1950-08-03 1954-02-05 Berghaus Elektrophysik Anst Procédé pour la commande de décharges dans des gaz servant à effectuer des opérations industrielles et dispositif pour l'application de ce procédé
US3108900A (en) * 1959-04-13 1963-10-29 Cornelius A Papp Apparatus and process for producing coatings on metals
FR2003632A1 (fr) * 1968-03-11 1969-11-14 Lucas Industries Ltd
FR2332336A1 (fr) * 1975-11-21 1977-06-17 Vide & Traitement Sa Procede et four pour la realisation de traitements de metaux par bombardement ionique
FR2332337A1 (fr) * 1975-11-21 1977-06-17 Vide & Traitement Sa Four de traitement thermique ou thermochimique par bombardement ionique
FR2379615A1 (fr) * 1977-02-08 1978-09-01 Vide & Traitement Sa Procede de traitement thermochimique de metaux

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3228809A (en) * 1953-12-09 1966-01-11 Berghaus Elektrophysik Anst Method of regulating an electric glow discharge and discharge vessel therefor
US3190772A (en) * 1960-02-10 1965-06-22 Berghaus Bernhard Method of hardening work in an electric glow discharge
FR2324755A1 (fr) * 1975-09-19 1977-04-15 Anvar Dispositif de pulverisation cathodique de grande vitesse de depot
CH611938A5 (fr) * 1976-05-19 1979-06-29 Battelle Memorial Institute
JPS5429845A (en) * 1977-08-10 1979-03-06 Kawasaki Heavy Ind Ltd Ion nitriding treatment method
US4331856A (en) * 1978-10-06 1982-05-25 Wellman Thermal Systems Corporation Control system and method of controlling ion nitriding apparatus
US4253907A (en) * 1979-03-28 1981-03-03 Western Electric Company, Inc. Anisotropic plasma etching
JPS5813625B2 (ja) * 1979-12-12 1983-03-15 超エル・エス・アイ技術研究組合 ガスプラズマ食刻法
US4297387A (en) * 1980-06-04 1981-10-27 Battelle Development Corporation Cubic boron nitride preparation
US4342631A (en) * 1980-06-16 1982-08-03 Illinois Tool Works Inc. Gasless ion plating process and apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1053916A (fr) * 1950-08-03 1954-02-05 Berghaus Elektrophysik Anst Procédé pour la commande de décharges dans des gaz servant à effectuer des opérations industrielles et dispositif pour l'application de ce procédé
US3108900A (en) * 1959-04-13 1963-10-29 Cornelius A Papp Apparatus and process for producing coatings on metals
FR2003632A1 (fr) * 1968-03-11 1969-11-14 Lucas Industries Ltd
FR2332336A1 (fr) * 1975-11-21 1977-06-17 Vide & Traitement Sa Procede et four pour la realisation de traitements de metaux par bombardement ionique
FR2332337A1 (fr) * 1975-11-21 1977-06-17 Vide & Traitement Sa Four de traitement thermique ou thermochimique par bombardement ionique
FR2379615A1 (fr) * 1977-02-08 1978-09-01 Vide & Traitement Sa Procede de traitement thermochimique de metaux

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Publication number Publication date
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