FR2397720A1 - Soudure et procede de soudage de haute qualite cristallographique applicables aux circuits supraconducteurs - Google Patents
Soudure et procede de soudage de haute qualite cristallographique applicables aux circuits supraconducteursInfo
- Publication number
- FR2397720A1 FR2397720A1 FR7721671A FR7721671A FR2397720A1 FR 2397720 A1 FR2397720 A1 FR 2397720A1 FR 7721671 A FR7721671 A FR 7721671A FR 7721671 A FR7721671 A FR 7721671A FR 2397720 A1 FR2397720 A1 FR 2397720A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- welding
- circuits
- upperconductor
- crystallographic quality
- superconducting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 title abstract 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 abstract 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910001275 Niobium-titanium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 abstract 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract 1
- RJSRQTFBFAJJIL-UHFFFAOYSA-N niobium titanium Chemical compound [Ti].[Nb] RJSRQTFBFAJJIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
- H01R4/58—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation characterised by the form or material of the contacting members
- H01R4/68—Connections to or between superconductive connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
L'invention concerne une technique de soudage de haute qualité cristallographique. Selon l'invention, deux portions de câble supraconducteur 31 et 32 sont disposées côte à côte, de façon à présenter une extrémité commune où la section de leur matrice de cuivre ou de bronze telle 310 définit une surface continue 34, 35, d'où émergent les brins supraconducteurs tels 311 à 314. Une soudure supraconductrice est obtenue par dépôt d'une couche de matière 40 sur la surface continue. Cette couche 40 est déposée par pulvérisation ionique sous vide de Niobium-Titane, après nettoyage de la surface à souder à l'aide d'un bombardement direct par le faisceau d'ions, ces deux opérations s'effectuant dans la même enceinte de bombardement ionique sous vide. Application aux circuits supraconducteurs.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7721671A FR2397720A1 (fr) | 1977-07-13 | 1977-07-13 | Soudure et procede de soudage de haute qualite cristallographique applicables aux circuits supraconducteurs |
GB7829586A GB2001210B (en) | 1977-07-13 | 1978-07-12 | Welds of high crystallographic quality and processes for producing such welds |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7721671A FR2397720A1 (fr) | 1977-07-13 | 1977-07-13 | Soudure et procede de soudage de haute qualite cristallographique applicables aux circuits supraconducteurs |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2397720A1 true FR2397720A1 (fr) | 1979-02-09 |
FR2397720B1 FR2397720B1 (fr) | 1982-04-16 |
Family
ID=9193369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR7721671A Granted FR2397720A1 (fr) | 1977-07-13 | 1977-07-13 | Soudure et procede de soudage de haute qualite cristallographique applicables aux circuits supraconducteurs |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
FR (1) | FR2397720A1 (fr) |
GB (1) | GB2001210B (fr) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4558512A (en) * | 1983-07-05 | 1985-12-17 | Centre National De La Recherche Scientifique | Process for making a connection between superconductive wires and to a connection obtained by this process |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2162207B (en) * | 1984-07-26 | 1989-05-10 | Japan Res Dev Corp | Semiconductor crystal growth apparatus |
US5290638A (en) * | 1992-07-24 | 1994-03-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Superconducting joint with niobium-tin |
-
1977
- 1977-07-13 FR FR7721671A patent/FR2397720A1/fr active Granted
-
1978
- 1978-07-12 GB GB7829586A patent/GB2001210B/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4558512A (en) * | 1983-07-05 | 1985-12-17 | Centre National De La Recherche Scientifique | Process for making a connection between superconductive wires and to a connection obtained by this process |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2001210A (en) | 1979-01-24 |
GB2001210B (en) | 1982-03-31 |
FR2397720B1 (fr) | 1982-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
BE848500A (fr) | Procede pour revetir par deposition ionique reactive un substrat isolant d'une couche d'oxyde d'au moins un metal, | |
FR2418027A1 (fr) | Procede de preparation d'une electrode | |
DE4443800C2 (de) | Supraleitende Feldeffekteinrichtung mit Korngrenzenkanal und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
FR2432561A1 (fr) | Electrode bipolaire et son procede de fabrication | |
FR2357071A1 (fr) | Procede pour former des connexions au travers d'une couche isolante dans la fabrication de circuits integres | |
FR2427685A1 (fr) | Perfectionnements aux transistors a effet de champ et a leur fabrication | |
FR2397720A1 (fr) | Soudure et procede de soudage de haute qualite cristallographique applicables aux circuits supraconducteurs | |
DE69226407T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Sputtern supraleitender Dünnschichten aus Niob auf kupferne Viertelwellen-Resonanzhohlräume zur Beschleunigung schwerer Ionen | |
SE8205395D0 (sv) | Method and apparatus for the vapor deposition of material upon a substrate | |
FR2380635A1 (fr) | Procede pour deposer par pulverisation une couche additionnelle sur une ou plusieurs couches situees a la surface d'un substrat, notamment pour composants a semi-conducteurs | |
FR2378602A1 (fr) | Procede de fabrication d'une piece faconnee plaquee | |
GB1103653A (en) | Method and apparatus for sputtering | |
FR2436820A1 (fr) | Procede pour fabriquer de l'acier dans des fours electriques a partir d'une eponge de fer | |
FR2573441A1 (fr) | Cathode-cible pour depot, par pulverisation, d'un materiau composite sur un substrat | |
DE3545385C2 (fr) | ||
JPS57143876A (en) | Photoelectric transducer | |
DE2243819A1 (de) | Verfahren zum verbinden von draehten aus verbundmaterial | |
FR2355560A1 (fr) | Procede pour produire du gadolinium-gallium mono-cristallin parfait | |
EP0175349A3 (fr) | Interrupteur à vide | |
FR2383243A1 (fr) | Procede de traitement prealable de metaux non ferreux avant leur revetement par des matieres ceramiques | |
Klotsman et al. | The Diffusion of Impurities in Copper. VI.--The Diffusion of Iridium in Copper Single Crystals | |
JPS59100270A (ja) | 薄膜形成方法 | |
JPS6484668A (en) | Thin film transistor | |
JPS5435176A (en) | Depositing method by vacuum evaporation | |
JPS5629383A (en) | Manufacture of tunnel-junction type josephson element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ST | Notification of lapse |