FR1482952A - Procédé de fabrication, par épitaxie, de dispositifs semiconducteurs, notamment de thyristors - Google Patents

Procédé de fabrication, par épitaxie, de dispositifs semiconducteurs, notamment de thyristors

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FR1482952A
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Authority
FR
France
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epitaxy
manufacturing process
semiconductor devices
particular thyristors
thyristors
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Expired
Application number
FR57323A
Other languages
English (en)
Inventor
Jean-Pierre Biet
Yves Louis
Jean-Claude Hadjab
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Alcatel Lucent SAS
Original Assignee
Compagnie Generale dElectricite SA
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J25/00—Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
    • H01J25/02—Tubes with electron stream modulated in velocity or density in a modulator zone and thereafter giving up energy in an inducing zone, the zones being associated with one or more resonators
    • H01J25/10—Klystrons, i.e. tubes having two or more resonators, without reflection of the electron stream, and in which the stream is modulated mainly by velocity in the zone of the input resonator
    • H01J25/12—Klystrons, i.e. tubes having two or more resonators, without reflection of the electron stream, and in which the stream is modulated mainly by velocity in the zone of the input resonator with pencil-like electron stream in the axis of the resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor

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  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2006089A1 (fr) * 1968-04-11 1969-12-19 Westinghouse Electric Corp Dispositif semi-conducteur et procede de fabrication correspondant

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