FI97575B - Suuren hyötysuhteen lineaarinen UHF-tehovahvistin - Google Patents

Suuren hyötysuhteen lineaarinen UHF-tehovahvistin Download PDF

Info

Publication number
FI97575B
FI97575B FI900989A FI900989A FI97575B FI 97575 B FI97575 B FI 97575B FI 900989 A FI900989 A FI 900989A FI 900989 A FI900989 A FI 900989A FI 97575 B FI97575 B FI 97575B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
envelope
signal
radio frequency
frequency signal
amplifier
Prior art date
Application number
FI900989A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI97575C (fi
FI900989A0 (fi
Inventor
Reed Edward Fisher
Michael Joseph Koch
Original Assignee
At & T Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by At & T Corp filed Critical At & T Corp
Publication of FI900989A0 publication Critical patent/FI900989A0/fi
Publication of FI97575B publication Critical patent/FI97575B/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI97575C publication Critical patent/FI97575C/fi

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • H03F1/0216—Continuous control
    • H03F1/0222—Continuous control by using a signal derived from the input signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/15—Indexing scheme relating to amplifiers the supply or bias voltage or current at the drain side of a FET being continuously controlled by a controlling signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/192—A hybrid coupler being used at the input of an amplifier circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/204—A hybrid coupler being used at the output of an amplifier circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/222—A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/228—A measuring circuit being coupled to the input of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/267—A capacitor based passive circuit, e.g. filter, being used in an amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/351—Pulse width modulation being used in an amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/393—A measuring circuit being coupled to the output of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/75—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier stage being a common source configuration MOSFET
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/99—A diode as rectifier being used as a detecting circuit in an amplifying circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

97575
Suuren hyötysuhteen lineaarinen UHF-tehovahvistin
Keksintö koskee RF-tehovahvistinta (suurtaajuustehovahvis-tin) ja erityisesti sellaisia RF-tehovahvistinjärjestelyjä, 5 joissa vahvistimen lähtösignaali kytketään takaisin särön pienentämiseksi.
Viestintäjärjestelmissä käytetyissä RF-tehovahvistimissa täytyy tavallisesti olla määrätty lineaarisuusaste. Piirit, 10 jotka käyttävät A- tai AB-luokan laitteita, ohjataan ole maan ominaiskäyriensä lineaarisella alueella ja antamaan tällainen lineaarinen vahvistus. Suurempi lineaarisuus voidaan saavuttaa lisäämällä RF-takaisinkytkentä- tai etuvir-tapiiri. On kuitenkin yleisesti tunnettua, että lineaari^ 15 sesti toimivilla laitteilla on suhteellisen pieni keskimääräinen tasavirta-suurtaajuushyötysuhde. Tehon kulutus ja lämmön hajaantuminen kasvavat niin muodoin. Jotta saavutettaisiin suurempi keskimääräinen tasavirta-suurtaajuushyö-tysuhde, on käytetty vahvistimia, jotka käyttävät C-luokan 20 laitteita. C-luokan toiminta käyttää laitteen ei-lineaari-sia ominaiskäyriä, jolloin tasavirta-suurtaajuushyötysuhde paranee huomattavasti, mutta lineaarisuus huononee. Kun käytetään verhokäyrämodulaatiota, C-luokan vahvistimen keskimääräistä tasavirta-suurtaa juushyötysuhdetta voidaan vie-25 lä parantaa liittämällä C-luokan vahvistimeen pulssinle-veysmodulaattori, kuten on esitetty esim. yhdysvaltalaisessa patentissa 4,776,036.
Samalla, kun C-luokan toiminnassa parannetaan hyötysuhdetta 30 merkittävästi ei-lineaaristen ominaiskäyrien käytöllä, ei-lineaarinen toiminta aiheuttaa säröä signaalissa ja jonkinlainen särön alennuspiiri täytyy lisätä, jotta lineaari-suusvaatimukset täyttyvät. Yhdysvaltalainen patentti 4,276,514 esittää vaihekompensoidun laajakaistavahvistimen, 35 jossa on negatiivinen takaisinsyöttö, joka pienentää lähtö-signaalin säröä, ja johon on sijoitettu huokea, tehokas C-luokan vahvistin signaalin ensiökulkutielle, ja takaisin-kytkentäpiiri on kytketty antamaan vahvistetussa lähtösig-naalissa olevien signaalin särökomponenttien negatiivinen 2 97575 takaisinkytkentä. Negatiivinen takaisinkytkentäpiiri on kytketty antamaan signaalin särökomponentit negatiivisena takaisinkytkentänä signaalin ensiökulkutiehen lisäämällä signaalin särökomponentit ensimmäisen vahvistinasteen edel-5 lä olevaan tulosignaaliin. Särön pienennysjärjestely vaatii kuitenkin monimutkaisen takaisinkytkentäkulkutien, joka toimii RF-taajuuksilla vaihesäädön rajallisella aikaviiveellä.
10 Yhdysvaltalainen patentti 3,900,823 esittää tehovahvistin- ja signaalia käsittelevän järjestelmän moduloituja kanto-signaaleja varten, joka käsittelee erikseen järjestelmän tulosignaalin amplitudikomponentin ja taajuus- tai vaihe-komponentin tai sekä taajuuden, että vaiheen, sekä myöhem-15 min yhdistää jälleen erikseen käsitellyt komponentit antaakseen lähtösignaalin. Tulosignaali syötetään tehovahvis-timeen, jonka lähtö antaa järjestelmän ulostulon. Järjestelmän tulo- ja lähtösignaalit syötetään erillisiä kulkuteitä pitkin komparaattoriin, joka vertaa näitä signaaleja 20 ja lähettää virhesignaalin säätimeen. Säädin säätää teho-vahvistimen lähdön amplitudin ja vaiheen tai molemmat mitätöiden virhesignaalin. Toinen tai molemmat signaalin kulkutiet komparaattoriin voivat olla ei-lineaarisessa funktio-generaattorissa, joka toimii sillä signaalilla, jonka tämä 25 kulkutie on syöttänyt komparaattoriin. Samalla, kun järjestelmä säätää modulaatiokomponentteja vastaavaa vahvistimen toimintaa, se on suhteellisen tehoton poistamaan säröä si-sääntulosignaalivaiheessa.
30 Yhdysvaltalainen patentti 4,574,248 esittää lähetin-vas- taanottimen, jossa radiotaajuussignaalilähtö on kytketty tulona tehovahvistimeen suuntakytkimen kautta antamaan näytteen RF-tulosta. Näytetulo kytketään radiotaajuusilmai-simen kautta ilmaisemaan RF-tulon verhokäyrää ja siitä ra-35 joittimen kautta erotusvahvistimen tuloon. Tehovahvistimen lähtö kytketään alipäästösuodattimen kautta antamaan vahvistettu radiotaajuuslähtö toisen suuntakytkimen kautta antaen näytteen tästä radiotaajuusulostulosta. Näytelähtö kytketään myös RF-ilmaisimen kautta ilmaisemaan RF-lähdön 3 97575 verhokäyrää ja antamaan toisen tulon verhokäyrä erotusvah-vistimeen. Erotusvahvistimen lähdön avulla ohjataan sitten RF-tehovahvistimen etujännite tehon lähtöohjausta varten. RF-tulon ja RF-lähdön ilmaistua verhokäyrää kuvaavia sig-5 naaleja verrataan myös erotusvahvistimessa, jolloin saadaan tuotettua lähtö, jota verrataan vikakynnykseen, jotta saadaan vikasignaali, joka kuvaa vikaa ohjauspiirin tai teho-vahvistimen lähdössä. Tämän järjestelyn antama etujännite-ohjaus ei kuitenkaan vaikuta särön korjaukseen signaalivai-10 heessa.
Joissakin viestintäjärjestelmissä RF-tehovahvistimen sig-naalintulo, joka käyttää vaihe- tai taajuusmodulaatiota, osoittaa myös verhokäyrän vaihteluja, jotka täytyy säilyt-15 tää vahvistimen lähdössä niin, että sellaisen C-luokan vah-vistinlaitteen käyttö, jossa on pulssinleveysmodulaattori hyötysuhteen maksimoimiseksi, johtaa lähtösignaalin verho-käyrän säröön. Matkapuhelinjärjestelmissä esimerkiksi yhdistetään useiden taajuus- tai vaihemoduloitujen kanavien 20 lähdöt joskus siten, että yhdistetyt lähdöt voidaan syöt tää yhteistehovahvistimeen. Yhdyskanavasignaalin verhokäyrä osoittaa merkittäviä amplitudin vaihteluja, jotka täytyy säilyttää vahvistimen lähdössä. Järjestelmissä, jotka käyt- ' tävät vaiheavainnusta tai erotusvaiheavainnusta, on edul-25 lista pienentää vaihemodulaatiosignaalin amplitudia ennalta määriteltyjen vaiheiden välisten siirtymien aikana lähtö-signaalin kaistanleveyden minimoimiseksi. Tämän tuloksena moduloidun signaalin verhokäyrä käsittää amplitudimodulaa-tiokomponentin, joka täytyy vahvistaa ilman säröä. Ongelma 30 siitä, miten C-luokan vahvistimelle saadaan suuri hyötysuh de ilman vaihtelevien komponenttien amplitudisäröä, ratkaistaan keksinnön mukaan RF-vahvistimella, joka käyttää C-luokan laitetta muodostamalla signaali, joka vastaa vahvistimen lähdön verhokäyrää ja kytkemällä takaisin osa ver-35 hokäyrää vastaavasta signaalista verhokäyrämodulaatioeli- meen, esim. pulssinleveysmodulaattoriin, joka on kytketty C-luokan laitteeseen pienentämään C-luokan ei-lineaarisuu-desta johtuvaa säröä.
4 97575
Keksintö kohdistuu piiriin, jolla vahvistetaan verhokäyrältään vaihteleva radiotaajuussignaali. Piiri käsittää vah-vistinlaitteen, jossa on ensimmäinen, toinen ja ohjause-lektrodi, syöttöjännitelähde ja kuormituslaite kytkettynä 5 ensimmäiseen elektrodiin. Verhokäyrän vaihtelut erotetaan radiotaajuussignaalista muodostamaan verhokäyrältään vaihteleva signaali sekä suuruudeltaan tasainen signaali ja suuruudeltaan tasainen radiotaajuussignaali syötetään vah-vistinlaitteen ohjauselektrodiin. Modulaattori, joka vastaa 10 tulonapansa vastaanottamiin signaaleihin, kytketään jännitelähteen ja ensimmäisen elektrodin väliin moduloimaan radiotaa juussignaali vahvistinlaitteen ensimmäisessä elektrodissa. Muodostuu signaali, joka vastaa kuormituslaittee-seen kytketyn radiotaajuussignaalin verhokäyrän vaihteluja. 15 Verhokäyrän vaihtelujen signaalin ja kuormituslaitteeseen kytketyn verhokäyrän vaihtelujen signaalin välinen erotus syötetään modulaattorin tulonapaan, jolloin särö verhokäy-rämoduloidussa aallossa kuormituslaitteessa pienenee.
20 Keksinnön yhden näkökohdan mukaan radiotaajuussignaalissa on kulmatyyppisiä vaihteluja ja verhokäyrän vaihteluja. Kulmavaihtelevää radiotaajuussignaalia vastaava signaali syötetään vahvistinlaitteen ohjauselektrodiin. Pulssinle-veysmodulaattori, joka vastaa sen tulonavan vastaaottamia 25 signaaleja, on kytketty jännitelähteen ja ensimmäisen elektrodin väliin moduloimaan radiotaajuussignaali vahvistinlaitteen ensimmäisessä elektrodissa. Muodostuu ensimmäinen signaali, joka vastaa radiotaa juussignaalin verhokäyrän vaihteluja ja toinen signaali, joka vastaa kuormituslait-30 teeseen kytketyn radiotaajuusignaalin verhokäyrän vaihteluja. Ensimmäisen ja toisen signaalin välinen erotus syötetään pulssinleveysmodulaattorin tulonapaan, jolloin verho-käyrämoduloidun aallon särö kuormauslaitteessa pienenee.
35 Kuvio 1 kuvaa yleisen lohkokaavion verhokäyrältään vaihte-levaa FM-signaalia vahvistavasta RF-piiristä, joka kuvaa keksintöä; kuvio 2 esittää aaltomuotoja, jotka kuvaavat kuvion l piirin toimintaa; li 5 97575 kuvio 3 kuvaa yleisen lohkokaavion toisesta RF-vahvistin-piiristä, joka on amplitudiltaan vaihtelevaa erotusvaihe-avainnettua signaalia varten ja joka kuvaa keksintöä; kuvio 4 esittää aaltomuotoja, jotka kuvaavat kuvion 3 pii-5 rin toimintaa; ja kuvio 5 on yksityiskohtaisempi kaavio kuvion 1 piiristä.
Kuvio 1 on lohkokaavio keksintöä kuvaavasta RF-tehovahvis-timesta, joka voidaan liittää matkapuhelimen kennon sijain-10 tipaikkaan vahvistamaan useiden kanavien yhdistetyt lähdöt.
Kukin kanava antaa taajuus- tai vaihemoduloidun signaalin. Kuten tekniikassa hyvin tiedetään, kanavien yhteislähdön verhokäyrässä on ajaltaan vaihteleva verhokäyrä, vaikkakin erillisten kanavien signaalien verhokäyrät ovat tasaiset. 15 Kuvio 2 esittää aaltomuotoja, jotka kuvaavat kuvion 1 piirin toimintaa. Aaltomuoto 201 kuvaa yhteiskanavasignaalia. Vahvistin tuottaa suurempitehoisen muunnelman yhteiskanava-signaalista, joka on kytketty kuormituslaitteeseen, esim. antenniin. Vahvistin käyttää C-luokan puolijohdelaitetta 20 suuren hyötysuhteen saavuttamiseksi. Keksinnön mukaisesti kuvion 1 piiri saavuttaa myös suuren lineaarisuusasteen, jolloin vältetään särö sekä taajuusmodulaatiossa, että ver-hokäyrän vaihteluissa.
25 Viitaten kuvioon 1, kuvion 2 aaltomuodolla 201 kuvattu yh- teiskanavasignaali s(t) syötetään tulokytkimeen 101. Kytkin syöttää osan signaalista s(t) C-luokan vahvistimen 110 tu-lonapaan amplitudin rajoittimen 105 kautta. Toinen osa signaalista s(t) syötetään verhokäyrän ilmaisimeen 120, joka 30 muodostaa signaalin s(t) verhokäyrää vastaavan signaalin S]_ (t). Signaali S! (t) esitetään aaltomuodolla 205. Amplitudin rajoitin 105 poistaa verhokäyrän vaihtelut signaalista johdossa 103-1, mutta ei vaikuta sen taajuus- tai vaihe-muutoksiin, kuten on esitetty aaltomuodossa 203. Verhokäy-35 rältään vaihteleva signaali sj^ (t) syötetään operaatiovahvistimen 130 positiiviseen tuloon ja sen lähtö kulkee piiri kompensaattori n 135 kautta pulssinleveysmodulaattorin 140 tulonapaan. Piirikompensaattori soveltuu vakaannuttamaan kulkutien toiminnan operaatiovahvistimen 130 ja pulssinle- 6 97575 veysmodulaattorin 140 kautta.
Pulssinleveysmodulaattori 140 on asetettu jännitelähteen Vcc ja vahvistimen 110 lähtöelektrodin väliin antamaan ver-5 hokäyrämodulaatio signaalin s(t) verhokäyrän vaihteluiden mukaisesti. Modulaattorissa on lähtönäpä, joka on kytketty jännitelähteeseen Vcc sekä toinen lähtönäpä, joka on kytketty C-luokan vahvistimen 110 amplitudimoduloivaan elektrodiin suodattimen 145 kautta. Kuten yleisesti tiedetään, 10 pulssinleveysmodulaattori soveltuu muuntamaan sen tulona-paan syötetyt verhokäyrän vaihtelut pulsseiksi, joiden leveys on verrannollinen verhokäyrän vaihteluiden suuruuteen, jolloin hyötysuhdetta saadaan parannettua. Suodatin 145 poistaa pulssinleveysmodulaattorin lähdön suurtaajuuskom-15 ponentit niin, että saavutetaan C-luokan tyyppinen modulaatio. Tulee kuitenkin ymmärtää, että muita tekniikassa tunnettuja verhokäyrämodulaatiokaavioita voidaan myös käyttää. Aaltomuodolla 215 esitetty vahvistimen 110 lähtö käsittää komponentteja, jotka vastaavat sekä taajuus- tai vaihemodu-20 laatiosta johtuvia kulman vaihteluja sekä signaalin s(t) verhokäyrän vaihteluja. Kuormituslaitteeseen 180 lähtökyt-kimen 115 kautta syötetyt verhokäyrän vaihtelut säröytyvät kuitenkin johtuen vahvistimessa 110 olevan C-luokan puoli-johdelaitteen kyllästymisestä.
25
Keksinnön mukaan osa kytkimeen 115 syötetystä lähtösignaa-lista kytketään takaisin johdon 118 ja verhokäyrän ilmaisimen 125 kautta operaatiovahvistimen 130 negatiiviseen tuloon. Ilmaisinta 125 voidaan käyttää muodostamaan signaali 30 s2(t), joka vastaa säröytyneitä verhokäyrän vaihteluja vah vistimen lio lähdössä, signaali s2(t) on oleellisesti samanlainen, kuin signaali s^t). Signaalien s^t) ja s2(t) välinen erotus vahvistetaan operaatiovahvistimessa 130 ja sen lähtösignaali (aaltomuoto 206) syötetään pulssinleveys-35 modulaattorin 140 tuloon. Pulssinleveysmodulaattorin lähtö (aaltomuoto 207) suodatetaan suodattimessa 145 siten, että verhokäyrämodulaatiosignaali (aaltomuoto 209) syötetään vahvistimeen 110. Kuvion 1 takaisinkytkentäjärjestely toimii ja alentaa verhokäyrän vaihtelun säröä, jolloin C-luo- I: 7 97575 kan vahvistimeen saadaan sekä suuri hyötysuhde, että lineaarinen vahvistus.
Kuvio 3 on lohkokaavio toisesta RF-tehovahvistimesta, joka 5 kuvaa keksintöä ja joka soveltuu vastaanottamaan signaalin s(t), joka kuvaa ääni-, data- tai muuta informaatiota digitaalisessa muodossa. Informaatiosignaali muutetaan kvater-naariseksi erotusvaiheavainnetuksi (QDPSK) signaaliksi, jolloin peräkkäisiä kaksoisbittejä edustaa vastaava RF-kan-10 toaallon nelivaihemodulaatio. Vahvistuksen jälkeen moduloi tu kantoaalto syötetään viestintäkanavaan, esim. matkapuhelimen radiokanavaan. Vaihesymboli edustaa jokaista peräkkäistä kaksoisbittiä tietokaavassa. Kuten tekniikassa hyvin tiedetään, moduloidun RF-kantoaallon verhokäyrä voi olla 15 vakio. On kuitenkin edullista pienentää vaihesiirtymien välistä verhokäyrää pienentäen viestintäkanavaan syötetyn RF-signaalin kaistanleveys minimiin. Siten sekä QDPSK, että verhokäyrämodulaatio täytyy syöttää samanaikaisesti RF-kan-toaaltoon ja vahvistaa viestintäkanavan vaatimalle tasolle.
20
Samalla, kun A- tai AB-luokan vahvistimessa on riittävä lineaarisuus kompensoimaan kaksoismodulaatio, keskimäärin pieni tasavirta-radiotaa juushyötysuhde vaatii tehonkulutus-tason, joka on suuri kannettaville matkapuhelinyksiköille, 25 jotka käyttävät pientä paristoteholähdettä. Kuvion 3 C-luo- kan vahvistin antaa tarvittavan hyötysuhteen ja verhokäyrä-modulaation takaisinkytkentä antaa vaaditun lineaarisuuden. Viitaten kuvioon 3, tietosignaaligeneraattori 301 antaa kaksoisbittimerkkijonon, joka vastaa tietolähdettä (ei ku-30 vassa). Kaksoisbittimerkki jono syötetään vaihemodulaatioge- neraattoriin 305, joka kehittää QDPSK-moduloidun kantoaallon, jossa on tasainen verhokäyrä esitettynä kuvion 4 aaltomuodolla 401,sekä verhokäyrämodulaatiogeneraattoriin 320, joka tuottaa vaihtelevan verhokäyrän, joka soveltuu mini-35 moiroaan kaistanleveyden, kuten edellä on mainittu.
C-luokan vahvistin 310 vastaanottaa vaiheeltaan vaihtelevan kantosignaalin tulonapaansa. Verhokäyräsignaali generaattorista 320 (aaltomuoto 405) syötetään operaatiovahvistimen 97575 δ 330 positiiviseen tuloon. Operaatiovahvistimen lähtö syötetään sitten pulssinleveysmodulaattorin 340 tuloon piiri-kompensaattorin 335 kautta, jonka lähtö on esitetty aaltomuodolla 415. Pulssinleveysmodulaattorissa 335 on yksi jän-5 nitelähteeseen Vcc kytketty lähtönäpä ja toinen lähtönäpä, joka on kytketty vahvistimeen 310 suodattimen 345 kautta. C-luokan toiminnan hyvin tunnettujen periaatteiden mukaisesti vahvistimen 310 (aaltomuoto 430) lähtö on suuremman tehotason RF-kantoaalto, joka käsittää sekä QDPSK-modulaa-10 tiokomponentin, että verhokäyrämodulaatiokomponentin. Vahvistimen 310 C-luokan puolijohdelaite on alttiina kyllästymiselle ainakin toimijaksonsa osan aikana siten, että on odotettavissa verhokäyrämodulaation särö.
15 Lähtökytkin 315 vastaanottaa vahvistimen 310 lähdön ja joh taa sähköenergian kuormituslaitteeseen 380. Osa tätä lähtöä kytketään verhokäyrän ilmaisimeen 325 johdon 318 kautta. Verhokäyrän ilmaisin 325 kehittää signaalin, joka edustaa verhokäyrän vaihteluja vahvistimen 310 lähdössä, jotka va-20 ihtelut sisältävät särön, joka saa alkunsa vahvistimesta 310. Verhokäyräsignaali ilmaisimesta 325 vähennetään ver-hokäyräraodulaatiogeneraattorin 320 lähdöstä operaatiovahvistimessa 330 ja signaali (aaltomuoto 415) syötetään sieltä pulssinleveysmodulaattorin 340 tulonapaan piirikompen-25 saattorin 335 kautta. Sarja vaihtelevan levyisiä pulsseja (aaltomuoto 420), jotka vastaavat operaatiovahvistimen 330 lähtöä, kehitetään pulssinleveysmodulaattorissa ja kytketään vahvistimeen 310 suodattimen 345 kautta. Suodattimen 345 lähtö esitetään aaltomuodolla 425. Tällä tavalla ope-30 raatiovahvistimessa 330 muodostettu särönkorjaussignaali syötetään C-luokan vahvistimeen korjaamaan säröjä, jotka johtuvat sen ei-lineaarisesta ominaiskäyrästä. Suodattimen 345 ominaissuureet valitaan siten, että saadaan poistettua pulssinleveysmodulaattorin lähdön suurtaajuuskomponentit ja 35 tämä saattaa antaa tulokseksi epätasaisen toiminnan. Piiri-kompensaattori 335 on heilurityyppinen verkko, jonka ominaissuureet vakaannuttavat takaisinkytkentätoiminnan.
Kuvio 5 on yksityiskohtaisempi kaavio kuvion 1 piiristä.
9 97575 C-luokan vahvistin 110 on esitetty kuviossa 5 siten, että se käsittää tuloimpedanssisovittimen 507, transistorin 510, lähtöimpedanssisovittimen 512, sekä induktanssin 557 ja kondensaattorin 559. Verhokäyrän ilmaisimen 120 esitetään 5 käsittävän Shottky-diodin 570, esivastukset 574 ja 576, sekä kondensaattorin 572. Verhokäyrän ilmaisimen 125 esitetään käsittävän Shottky-diodin 560, esivastukset 564 ja 567, sekä kondensaattorin 562. Suodatin 145 käsittää Shottky-diodin 550, induktanssin 552 ja kondensaattorin 554 ja 10 pulssinleveysmodulaattori käsittää modulaattorin 540, puls-sinvahvistimen 542 sekä lähdön kanavatransistorin 544. Pulssinleveysmodulaattori 540 voi olla Signetics-tyyppinen NE/SE5562 hakkuriteholähdeohjauspiiri ja operaatiovahvistin 530 voi olla Motorola-tyyppinen MC34071 integroitu piiri. 15 Laite 544 voi olla p-kanavainen MOS-fetti ja pulssinvahvis-tin 542 voi olla tasonmuutostyyppinen käyttövahvistin, joka tunnetaan tekniikassa hyvin.
Kytkimen 515 päälähtö syötetään kuormituslaitteesen 580. 20 Johdon 518 kytkimen ulostulo syötetään diodiin 560, joka on sen napainen, että se kulkee negatiivisen verhokäyräo-suuden ohi operaatiovahvistimen 530 negatiiviseen tuloon. Kytkimen 501 lähtö syötetään diodiin 570 siten, että signaalin s(t) verhokäyrän netgatiivinen osuus syötetään ope-25 raatiovahvistimen 530 positiiviseen tuloon. Diodien 560 ja 570 esivastukset säädetään, jolloin diodien toiminta seuraa ja estää kaikki niiden verhokäyräsignaalien säröt, jotka syötetään operaatiovahvistimeen 530. Pulssimodulaattori 540, pulssinvahvistin 542 ja FET 544 muodostavat kytkennän 30 tehonlähteen, joka muuttaa tasaisen syöttöjännitteen vcc suurtehoiseksi vaihtelevaksi syöttöjännitteeksi, joka syötetään induktanssiin 557 ja kondensaattoriin 559 syöttöin-duktanssin 552 ja kondensaattorin 554 kautta. Diodi 550 ja induktanssi 552 järjestetään antamaan johtava kulkutie, kun 35 p-kanava MOSFET on katkaistu, jotta transistoriin 510 var mistetaan jatkuva tehonvirtaus. Kun kuviossa 5 esitetyt järjestelyt soveltuvat erityisesti kuvion l lohkokaavion täytäntöönpanoon, kuvion 5 ilmaisinta ja suodatinpiiriä voidaan myös käyttää kuvion 3 piirissä.
10 97575
Keksintö on selitetty viitaten kuvaavaan suoritusmuotoon. Ammatti-ihmiselle on kuitenkin selvää, että eri muunnelmia ja muutoksia voidaan tehdä poikkeamatta keksinnön luonteesta ja suoja-alasta.
5 10 15 20 25 30 35
II

Claims (10)

97575
1. Piiri, jolla vahvistetaan radiotaajuussignaali, jossa on vaihteleva verhokäyrä ja joka käsittää: vahvistinlaitteen (110), jossa on ensimmäinen, toinen ja 5 ohjauselektrodi; syöttöjännitelähteen; kuormituslaitteen (180); välineen (105) radiotaajuussignaalin kytkemiseksi vahvis-tinlaitteeseen; 10 välineen (101, 120) verhokäyrän vaihteluiden erottamiseksi radiotaajuussignaalissa verhokäyrältään vaihtelevan signaalin ja suuruudeltaan tasaisen radiotaajuussignaalin muodos tamis eks i; välineen (115) vahvistinlaitteen ensimmäisen elektrodin 15 kytkemiseksi kuormituslaitteeseen; välineen (125) kytkettynä vahvistinlaitteen toiseen elektrodiin ja kuormituslaitteeseen radiotaajuusignaalin verho-käyrän vaihteluja kuormituslaitteessa vastaavan signaalin muodostamiseksi; 20 välineen (130), joka vastaa erotettua verhokäyrältään vaihtelevaa signaalia ja signaalia, joka vastaa radiotaajuussignaalin verhokäyrän vaihteluja kuormituslaitteessa, näiden välistä eroa vastaavan signaalin kehittämiseksi; modulointivälineen (140), joka käsittää tulonavan kytket-25 tynä kehittämisvälineeseen (130) ja lähtönavan; tunnettu siitä, että vahvistinlaite (110) toimii C-luokan toimintamuodossa; kytkemisväline (105) on järjestetty rajoittamaan radiotaajuussignaalin amplitudia, joka signaali on kytketty erot-30 tamisvälineeltä (101, 120) vahvistinlaitteen (110) oh- jauselektrodille; ja pari lähtönapoja, jotka on kytketty syöttöjännitelähteen ja vahvistinlaitteen ensimmäisen elektrodin väliin, vastaa erotettua verhokäyrältään vaihtelevaa signaalia ja moduloi 35 signaalin vahvistinlaitteen ensimmäisessä elektrodissa; ja väline (135) stabiloi silmukkaa ja syöttää erosignaalin kehittämisvälineeltä (130) modulointivälineen (140) tulo- 97575 napaan pienentämään säröä verhokäyrän vaihteluissa kuormi-tuslaitteessä; ja modulointiväline (140) sisältää toisen lähtönavan, ensimmäinen ja toinen lähtönäpä on kytketty käyttöjänniteläh-5 teen ja vahvistinlaitteen (110) ensimmäisen elektrodin vä liin.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen piiri sellaisen ra-diotaajuussignaalin vahvistamiseksi, jossa on vaihteleva 10 verhokäyrä, tunnettu siitä, että vahvistinlaite (110) on ei-lineaarinen vahvistinlaite, jossa on ensimmäinen, toinen ja ohjauselektrodi.
3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen piiri, jolla vahviste- 15 taan sellainen radiotaajuussignali, jossa on vaihteleva verhokäyrä, tunnettu siitä, että modulointilaite (140, 145) käsittää pulssinleveysmodulaattorin (340).
4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen piiri, jolla vahviste- 20 taan sellainen radiotaajuussignaali, jossa on vaihteleva verhokäyrä, tunnettu lisäksi siitä, että radiotaa-juussignaalilla on kulmavaihteleva kantoaalto, erotuslaite (301, 305, 320) erottaa verhokäyrän vaihtelut kulmavaihte-levasta kantoaallosta, ja kulmavaihteleva kantoaalto syö-25 tetään vahvistinlaitteen (310) ohjauselektrodiin.
5. Patenttivaatimuksen 4 mukainen piiri, jolla vahvistetaan sellainen radiotaajuussignaali, jossa on vaihteleva verhokäyrä, tunnettu edelleen siitä, että kulma- 30 vaihteleva kantoaalto on taajuudeltaan vaihteleva kanto aalto .
6. Patenttivaatimuksen 5 mukainen piiri, jolla vahvistetaan sellainen radiotaajuussignaali, jolla on vaihteleva 35 verhokäyrä, tunnettu edelleen siitä, että taajuu deltaan vaihteleva kantoaalto käsittää useita taajuudeltaan vaihtelevia signaaleita. 97575
7. Patenttivaatimuksen 4 mukainen piiri, jolla vahvistetaan sellainen radiotaajuussignaali, jossa on vaihteleva verhokäyrä, tunnettu edelleen siitä, että kantoaallon kulman vaihtelut ovat vaihevaihteluita. 5
8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen piiri, jolla vahvistetaan sellainen radiotaajuussignaali, jossa on vaihteleva verhokäyrä, tunnettu edelleen siitä, että vaihe-vaihtelu käsittää M-mäisen erovaiheavainnusmodulaation, 10 jossa on ennalta määritellyt vaihesiirtymät ja verhokäyrän vaihtelut ovat MDPSK-modulaation ennalta määriteltyjen vaihesiirtymien välisiä verhokäyrän vaihteluita.
9. Patenttivaatimuksen 1 mukainen piiri, jolla vahviste- 15 taan sellainen radiotaajuussignaali, jossa on vaihteleva verhokäyrä, tunnettu edelleen siitä, että modu-lointilaite (140, 145) käsittää pulssinleveysmodulaattorin (140) sekä suodatinlaitteen (145), joka on kytketty pulssinleveysmodulaattorin ja ensimmäisen elektrodin väliin 20 poistamaan pulssinleveysmodulaattorin lähdön suurtaajuus- osuuksia.
10. Patenttivaatimuksen 1 mukainen piiri, jolla vahvistetaan sellainen radiotaajuussignaali, jossa on vaihteleva 25 verhokäyrä, tunnettu edelleen siitä, että väline (120) , jolla muodostetaan erotetun verhokäyrältään vaihte-levan signaalin laite, käsittää ensimmäisen diodin (570) ja välineen (574, 576) ensimmäisen diodin esimagnetoimi-seksi, väline (125), jolla muodostetaan signaali, joka 30 vastaa radiotaajuussignaalin verhokäyrän vaihteluja kuor- mituslaitteessa, käsittää toisen diodin (560) ja välineen (564, 567), jolla esimagnetoidaan toinen diodi, ja väline (564, 567, 574, 576), jolla esimagnetoidaan ensimmäinen ja toinen diodi (560, 570), asetetaan pitämään ensimmäinen ja 35 toinen diodi (560, 570) oleellisesti samanlaisilla toimin- taominaiskäyrillä. 97575
FI900989A 1989-02-28 1990-02-27 Suuren hyötysuhteen lineaarinen UHF-tehovahvistin FI97575C (fi)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/316,891 US5105164A (en) 1989-02-28 1989-02-28 High efficiency uhf linear power amplifier
US31689189 1989-02-28

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI900989A0 FI900989A0 (fi) 1990-02-27
FI97575B true FI97575B (fi) 1996-09-30
FI97575C FI97575C (fi) 1997-01-10

Family

ID=23231154

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI900989A FI97575C (fi) 1989-02-28 1990-02-27 Suuren hyötysuhteen lineaarinen UHF-tehovahvistin

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5105164A (fi)
EP (1) EP0385641B1 (fi)
JP (1) JPH07101821B2 (fi)
KR (1) KR0135750B1 (fi)
CA (1) CA2006683C (fi)
DE (1) DE69015663T2 (fi)
FI (1) FI97575C (fi)
HK (1) HK5396A (fi)
SG (1) SG30995G (fi)

Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5668837A (en) * 1993-10-14 1997-09-16 Ericsson Inc. Dual-mode radio receiver for receiving narrowband and wideband signals
SG43121A1 (en) * 1993-10-14 1997-10-17 Ericsson Ge Mobile Inc Adaptive bandwidth receiver
US5365187A (en) * 1993-10-29 1994-11-15 Hewlett-Packard Company Power amplifier utilizing the vector addition of two constant envelope carriers
GB2301751B (en) 1995-06-02 2000-02-09 Dsc Communications Control message transmission in telecommunications systems
US5732333A (en) * 1996-02-14 1998-03-24 Glenayre Electronics, Inc. Linear transmitter using predistortion
US5847602A (en) * 1997-03-03 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Method and apparatus for linearizing an efficient class D/E power amplifier using delta modulation
US5886572A (en) * 1997-07-25 1999-03-23 Motorola, Inc. Method and apparatus for reducing distortion in a power amplifier
US6141541A (en) * 1997-12-31 2000-10-31 Motorola, Inc. Method, device, phone and base station for providing envelope-following for variable envelope radio frequency signals
US6078628A (en) * 1998-03-13 2000-06-20 Conexant Systems, Inc. Non-linear constant envelope modulator and transmit architecture
US6133792A (en) * 1998-09-17 2000-10-17 Telefonakteibolaget Lm Ericsson Method and apparatus for preventing power amplifier saturation
FI105609B (fi) 1998-10-27 2000-09-15 Nokia Mobile Phones Ltd Menetelmä ja järjestely lähetyssignaalin muodostamiseksi
JP2000209294A (ja) * 1998-12-30 2000-07-28 Texas Instr Inc <Ti> 振幅位相変調信号を供給するための回路と方法
EP1028522A1 (en) * 1999-02-10 2000-08-16 Semiconductor Ideas to The Market (ItoM) BV Communication device
US6590940B1 (en) * 1999-05-17 2003-07-08 Ericsson Inc. Power modulation systems and methods that separately amplify low and high frequency portions of an amplitude waveform
US6252455B1 (en) * 1999-10-07 2001-06-26 Motorola, Inc. Method and apparatus for efficient signal amplification
US6813319B1 (en) * 1999-10-08 2004-11-02 M/A-Com Eurotec System and method for transmitting digital information using interleaved delta modulation
EP1096670A3 (en) * 1999-10-08 2003-10-29 M/A-Com Eurotec System and method for transmitting digital information using interleaved delta modulation
GB2356756B (en) * 1999-11-25 2004-08-11 Ericsson Telefon Ab L M Power amplifiers
GB2359681B (en) 2000-02-25 2004-03-10 Wireless Systems Int Ltd Switched amplifier
JP2002009556A (ja) * 2000-06-16 2002-01-11 Sony Corp 歪補償装置及び歪補償方法
US6549071B1 (en) 2000-09-12 2003-04-15 Silicon Laboratories, Inc. Power amplifier circuitry and method using an inductance coupled to power amplifier switching devices
US8149062B2 (en) 2000-09-12 2012-04-03 Black Sand Technologies, Inc. Power amplifier circuitry having inductive networks
US6804502B2 (en) 2001-10-10 2004-10-12 Peregrine Semiconductor Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
US7796969B2 (en) 2001-10-10 2010-09-14 Peregrine Semiconductor Corporation Symmetrically and asymmetrically stacked transistor group RF switch
US7058369B1 (en) 2001-11-21 2006-06-06 Pmc-Sierra Inc. Constant gain digital predistortion controller for linearization of non-linear amplifiers
US6794937B1 (en) 2001-11-30 2004-09-21 Alcatel Predistortion linearizer and method for linearizing a nonlinear device
US6674335B1 (en) * 2002-06-28 2004-01-06 Qualcomm Incorporated Blind linearization using cross-modulation
ATE551773T1 (de) * 2003-02-20 2012-04-15 Sony Ericsson Mobile Comm Ab Effizienter modulation von hochfrequenzsignalen
US7719343B2 (en) 2003-09-08 2010-05-18 Peregrine Semiconductor Corporation Low noise charge pump method and apparatus
KR20050069152A (ko) * 2003-12-31 2005-07-05 동부아남반도체 주식회사 횡형 디모스 트랜지스터 소자
US7248120B2 (en) * 2004-06-23 2007-07-24 Peregrine Semiconductor Corporation Stacked transistor method and apparatus
EP3570374B1 (en) 2004-06-23 2022-04-20 pSemi Corporation Integrated rf front end
KR20070043002A (ko) * 2004-08-12 2007-04-24 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 듀얼모드 오디오 증폭기
GB2417626B (en) * 2004-08-26 2007-12-27 Renesas Tech Corp Transmitter and radio communication terminal using the same
US20080076371A1 (en) 2005-07-11 2008-03-27 Alexander Dribinsky Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches
US8742502B2 (en) 2005-07-11 2014-06-03 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction
US7910993B2 (en) 2005-07-11 2011-03-22 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFET's using an accumulated charge sink
US9653601B2 (en) 2005-07-11 2017-05-16 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction
USRE48965E1 (en) 2005-07-11 2022-03-08 Psemi Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
US7890891B2 (en) 2005-07-11 2011-02-15 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
JP4629524B2 (ja) * 2005-07-21 2011-02-09 フォスター電機株式会社 Ｄ級アンプ
US7773695B2 (en) * 2005-08-19 2010-08-10 Dominic Kotab Amplitude modulator
EP2378658B1 (en) * 2006-06-27 2013-03-20 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (publ) Switched mode power amplification
EP1914886A1 (en) * 2006-10-19 2008-04-23 Alcatel Lucent Multi-band power amplifier
US7960772B2 (en) 2007-04-26 2011-06-14 Peregrine Semiconductor Corporation Tuning capacitance to enhance FET stack voltage withstand
EP3346611B1 (en) 2008-02-28 2021-09-22 pSemi Corporation Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device
US9660590B2 (en) 2008-07-18 2017-05-23 Peregrine Semiconductor Corporation Low-noise high efficiency bias generation circuits and method
WO2010008586A2 (en) 2008-07-18 2010-01-21 Peregrine Semiconductor Corporation Low-noise high efficiency bias generation circuits and method
US8723260B1 (en) 2009-03-12 2014-05-13 Rf Micro Devices, Inc. Semiconductor radio frequency switch with body contact
US9166533B2 (en) 2009-07-30 2015-10-20 Qualcomm Incorporated Bias current monitor and control mechanism for amplifiers
KR101213778B1 (ko) 2011-01-11 2012-12-18 (주)펄서스 테크놀러지 노이즈 보상을 위한 전압 가변형 디지털 오디오 증폭 장치 및 그 방법
US8686787B2 (en) 2011-05-11 2014-04-01 Peregrine Semiconductor Corporation High voltage ring pump with inverter stages and voltage boosting stages
US9264053B2 (en) 2011-01-18 2016-02-16 Peregrine Semiconductor Corporation Variable frequency charge pump
US8310308B1 (en) * 2011-05-31 2012-11-13 Texas Instruments Incorporated Wide bandwidth class C amplifier with common-mode feedback
EP2654203A1 (en) * 2012-04-20 2013-10-23 Alcatel-Lucent An amplifier circuit, a method, and a computer program for amplifying a modulated radio-frequency signal
US8829967B2 (en) * 2012-06-27 2014-09-09 Triquint Semiconductor, Inc. Body-contacted partially depleted silicon on insulator transistor
US8729952B2 (en) 2012-08-16 2014-05-20 Triquint Semiconductor, Inc. Switching device with non-negative biasing
US9590674B2 (en) 2012-12-14 2017-03-07 Peregrine Semiconductor Corporation Semiconductor devices with switchable ground-body connection
US8847672B2 (en) 2013-01-15 2014-09-30 Triquint Semiconductor, Inc. Switching device with resistive divider
US9214932B2 (en) 2013-02-11 2015-12-15 Triquint Semiconductor, Inc. Body-biased switching device
US8977217B1 (en) 2013-02-20 2015-03-10 Triquint Semiconductor, Inc. Switching device with negative bias circuit
US8923782B1 (en) 2013-02-20 2014-12-30 Triquint Semiconductor, Inc. Switching device with diode-biased field-effect transistor (FET)
US9203396B1 (en) 2013-02-22 2015-12-01 Triquint Semiconductor, Inc. Radio frequency switch device with source-follower
US20150236798A1 (en) 2013-03-14 2015-08-20 Peregrine Semiconductor Corporation Methods for Increasing RF Throughput Via Usage of Tunable Filters
US9406695B2 (en) 2013-11-20 2016-08-02 Peregrine Semiconductor Corporation Circuit and method for improving ESD tolerance and switching speed
US9379698B2 (en) 2014-02-04 2016-06-28 Triquint Semiconductor, Inc. Field effect transistor switching circuit
US9831857B2 (en) 2015-03-11 2017-11-28 Peregrine Semiconductor Corporation Power splitter with programmable output phase shift
US9948281B2 (en) 2016-09-02 2018-04-17 Peregrine Semiconductor Corporation Positive logic digitally tunable capacitor
US10236872B1 (en) 2018-03-28 2019-03-19 Psemi Corporation AC coupling modules for bias ladders
US10505530B2 (en) 2018-03-28 2019-12-10 Psemi Corporation Positive logic switch with selectable DC blocking circuit
US10886911B2 (en) 2018-03-28 2021-01-05 Psemi Corporation Stacked FET switch bias ladders
US11476849B2 (en) 2020-01-06 2022-10-18 Psemi Corporation High power positive logic switch

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3486128A (en) * 1968-02-07 1969-12-23 Us Army Power amplifier for amplitude modulated transmitter
US3900823A (en) * 1973-03-28 1975-08-19 Nathan O Sokal Amplifying and processing apparatus for modulated carrier signals
US4276514A (en) * 1979-07-09 1981-06-30 Trw Inc. Wideband, phase compensated amplifier with negative feedback of distortion components in the output signal
JPS5999851A (ja) * 1982-11-29 1984-06-08 Nec Corp 信号制御回路
JPS6025310A (ja) * 1983-07-22 1985-02-08 Fujitsu Ltd Ｓｓｂ多重無線装置用ｆｅｔ直線電力増幅装置
US4706262A (en) * 1984-03-30 1987-11-10 Nec Corporation FSK or FM burst signal generating apparatus
US4574248A (en) * 1984-05-07 1986-03-04 Rockwell International Corporation RF Power amplifier for use with VHF transceivers
GB2163311A (en) * 1984-08-17 1986-02-19 Philips Electronic Associated Bipolar transistor rf power amplifier
US4776036A (en) * 1986-02-25 1988-10-04 Varian Associates, Inc. RF-AM transmitter with pulse width modulator

Also Published As

Publication number Publication date
SG30995G (en) 1995-08-18
EP0385641A2 (en) 1990-09-05
DE69015663T2 (de) 1995-05-18
CA2006683A1 (en) 1990-08-31
CA2006683C (en) 1995-06-20
EP0385641A3 (en) 1991-02-27
JPH07101821B2 (ja) 1995-11-01
HK5396A (en) 1996-01-19
KR900013704A (ko) 1990-09-06
KR0135750B1 (ko) 1998-05-15
EP0385641B1 (en) 1995-01-04
FI97575C (fi) 1997-01-10
DE69015663D1 (de) 1995-02-16
FI900989A0 (fi) 1990-02-27
US5105164A (en) 1992-04-14
JPH02291704A (ja) 1990-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI97575B (fi) Suuren hyötysuhteen lineaarinen UHF-tehovahvistin
US7062236B2 (en) Transmitter circuits
EP2097973B1 (en) Dynamic range improvements of load modulated amplifiers
US6438360B1 (en) Amplifier system with load control to produce an amplitude envelope
RU2144260C1 (ru) Сеть, объединяющая усилители мощности сигналов высокой частоты и двухрежимное устройство связи
EP1001529B9 (en) Linear power amplifier arrangement and method for its operation
US6784740B1 (en) Power amplifier
CN100418304C (zh) 发送器和发送器的调整方法
JP3698669B2 (ja) 極ループ送信回路
CA2279077C (en) Method and apparatus for improving efficiency of high-power linear amplifier
US7049887B2 (en) Envelope elimination and restoration linear amplifier
US7583940B2 (en) Transmission circuit and communication apparatus employing the same
KR20010012138A (ko) 효율적 신호 전력 증폭을 위한 장치 및 방법
US6680652B2 (en) Load switching for transmissions with different peak-to-average power ratios
KR19980086858A (ko) 고 효율 전력 증폭기
CA1201492A (en) Distortion compensation for a microwave amplifier
US20050134396A1 (en) Polar modulation using amplitude modulated quadrature signals
BR9913792B1 (pt) circuito amplificador e de controle, processo para controlar um circuito amplificador de potência, e, transmissor para transmitir um sinal que sai.
US11368176B2 (en) Transmission unit
US20030109240A1 (en) Method and polar-loop transmitter with origin offset for zero-crossing signals
WO2003005568A1 (en) Radio frequency power amplifier for cellular telephones
US5247542A (en) QPSK power amplifier distortion correction system
US7209715B2 (en) Power amplifying method, power amplifier, and communication apparatus
US7349679B1 (en) Integrated power amplifier
JPH06276033A (ja) 電力増幅器

Legal Events

Date Code Title Description
HC Name/ company changed in application

Owner name: AT&T CORP.

BB Publication of examined application
MM Patent lapsed

Owner name: AT&T CORP.