FI92441C - Sähköinen impedanssianturi fysikaalisten suureiden, etenkin lämpötilan mittaamiseksi ja menetelmä kyseisen anturin valmistamiseksi - Google Patents

Sähköinen impedanssianturi fysikaalisten suureiden, etenkin lämpötilan mittaamiseksi ja menetelmä kyseisen anturin valmistamiseksi Download PDF

Info

Publication number
FI92441C
FI92441C FI921449A FI921449A FI92441C FI 92441 C FI92441 C FI 92441C FI 921449 A FI921449 A FI 921449A FI 921449 A FI921449 A FI 921449A FI 92441 C FI92441 C FI 92441C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
sensor
glass
fiber
wire
ceramic
Prior art date
Application number
FI921449A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI921449A (fi
FI921449A0 (fi
FI92441B (fi
Inventor
Heikki Turtiainen
Original Assignee
Vaisala Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vaisala Oy filed Critical Vaisala Oy
Publication of FI921449A0 publication Critical patent/FI921449A0/fi
Priority to FI921449A priority Critical patent/FI92441C/fi
Priority to AU34096/93A priority patent/AU662041B2/en
Priority to ZA931727A priority patent/ZA931727B/xx
Priority to CA002092609A priority patent/CA2092609C/en
Priority to DE69318881T priority patent/DE69318881T2/de
Priority to EP93850046A priority patent/EP0564428B1/en
Priority to US08/040,129 priority patent/US5483414A/en
Priority to BR9301390A priority patent/BR9301390A/pt
Priority to RU93004648A priority patent/RU2123174C1/ru
Priority to CN93103892A priority patent/CN1043927C/zh
Priority to JP5075840A priority patent/JPH087103B2/ja
Publication of FI921449A publication Critical patent/FI921449A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI92441B publication Critical patent/FI92441B/fi
Publication of FI92441C publication Critical patent/FI92441C/fi

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/22Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
    • G01N27/223Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance for determining moisture content, e.g. humidity
    • G01N27/225Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance for determining moisture content, e.g. humidity by using hygroscopic materials
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
    • G01D5/14Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/34Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using capacitative elements

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)

Description

92441 Såhkoinen impedanssianturi fysikaalisten suureiden, etenkin låmpotilan, mittaamiseksi ja menetelmå kyseisen anturin valmistamiseksi
Elektrisk impedansgivare for måtning av fysikaliska storhet, 5 specieilt temperatur, och forfarande for tillverkning av ifrågavarande givare 10 Keksinnon kohteena on såhkoinen impedanssianturi fysikaalisten suureiden, etenkin låmpotilan, mittaamiseksi, joka anturi kåsittåå elektro-dit, joiden vålistå mitattavaa fysikaalista suuretta kuvaava såhkoimpe-danssi mitataan ja joiden elektrodien vålisså on aktiivista materiaa-lia, jonka impedanssiominaisuudet ovat mitattavan fysikaalisen suureen 15 funktio.
Lisåksi keksinnon kohteena on menetelmå såhkoisten impedanssianturien valmistamiseksi, joka anturi on tarkoitettu fysikaalisten suureiden, etenkin låmpotilan tai suhteellisen kosteuden mittaamista vårten.
20
Useissa sovelluksissa mittausantureilta, etenkin låmpotilan mittaukseen tarkoitetuilta antureita, vaaditaan suurta nopeutta, pientå kokoa ja pientå såteilyvirhettå. Mainitut vaatimukset ovat erityisen tiukat esim. radiosondien låmpotila-antureissa. Myos suhteellisen kosteuden 25 mittauksessa kåytetyiltå antureilta useissa sovelluksissa vaaditaan vastaavia ominaisuuksia.
Enneståån tunnetusti esim. radiosondien låmpotila-antureina kåytetåån yleenså kapasitiivisia antureita, joiden aktiivisena materiaalina on 30 keraami, jonka dielektrisyys on låmpotilasta riippuvainen. Tunnetut lasikeraamiset låmpotila-anturit ovat kuitenkin verraten suurikokoisia ja sen vuoksi niiden nopeudessa ja såteilyvirheesså on parantamisen varaa. Auringon såteilyn aiheuttama såteilyvirhe on ollut suurin on-gelma radiosondien låmpdtilamittauksessa kåytettåesså enneståån tunnet-35 tuja låmpotila-antureita.
Kapasitiivisten antureiden lisåksi radiosondeissa ja vastaavissa on kåytetty myos resistiivisiå låmpotila-antureita ja termoelementtejå.
•------ -· T“ 92441 2
Enneståån tunnetaan sellaisia kapasitiivisia kosteusantureita, joiden kapasitanssin dielektrimateriaalina kåytetåån polymeeriå, keraamia tai lasikeraaraia, jonka dielektrisyysvakio on sen absorboiman kosteuden funktio. Myos nåiden antureiden nopeudessa ja vastaavissa ominaisuuk-5 sissa on kehittåmistarpeita, etenkin radiosondisovelluksia silmållå pitåen.
Enneståån tunnettujen impedanssianturien ja vastavien valmistusmenetel-måt ovat olleet monimutkaisia, joskus vaikeasti automatisoitavissa ja 10 jatkuviin valmistusprosesseihin sovellettavissa.
On enneståån tunnettua, ettå tiettyjen lasien tai lasikeraamisten ai-neiden dielektrisyys on låmpotilasta riippuvainen. Tåltå osin ja kek-sintoon liittyvån tekniikan tason osalta viitataan julkaisuihin: 15 (1) The Review of Scientific Instruments Volume 42, Number 5, May 1971 W. N. Lawless: "A Low Temperature Glass-Ceramic Capacitance Thremometer" 20 (2) Japanese Journal of Applied Physics
Vol. 30, No. 6A, June 1991, pp. L 988 - L 990 Masashi Onishi, Michihisa Kyoto and Minoru Vatanabe "Properties of Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-0 Glass-Ceramic Fibres • 25 Formed by Glass-Drawing Method" (3) Proceedings Sensor 91 Congress 13. - 16. May 1991 Nurnberg, Vol. IV, pp 237-246 Th. Hubert, U. Banach: "Glaskeramiken fur Kapazi-tive Sensoren zur Messung von Temperatur und Feuchte" 30 (4) Applied Optics, Vol. 12, No. 1/Jan. 1973, pp. 80-83: S.G. Bishop and W.J. Moore: "Chalcogenide Class Bolometers"
Edellå mainitussa julkaisussa (2) on kåsitelty lasinvetomenetelmållå 35 aikaansaatujen lasikeraamisten kuitujen suprajohdeominaisuuksia. Esillå olevassa keksinnosså voidaan soveltuvin osin kåyttåå tåsså julkaisussa 3 92441 esitettyjå lasinvetomenetelmiå ja lasiraaka-aineita. Edellå mainitussa julkaisussa (3) on esitetty lasikeraamiin perustuva kosteusanturi.
Keksintoon liittyvån tekniikan tason osalta viitataan lisåksi 5 US-patenttiin 3 649 891, jossa on esitetty kapsitiivinen låmpotila-anturi etenkin kryogeenisten låmpotilojen (T » 1-20°K) mittaukseen. Viitepatentissa anturikapasitanssin dielektrimateriaalina kåytetåån yhdistettå strontium-titanaatti, SrTi03, joka on valvotusti kiteytetty lasimatriisiin. Kyseinen kapasitiivinen anturi soveltuu erityisen hyvin 10 kryogeenisten låmpotilojen mittaukseen, koska sen lasikeraamimateriaa-lin dielektrisyysvakio pienenee jyrkåsti ja tasaisesti låmpotilan pie-nentyesså kyseisellå låmpotila-alueella. Em. US-patentissa anturikapasitanssin rakenne on kuitenkin varsin suurikokoinen ja muutenkin perinteinen niin, ettei se sovellu hitautensa ja såteilyvirheenså vuok-15 si esim. radiosondien tai vastaavien låmpotila-anturiksi.
Esillå olevan keksinnon tarkoituksena on kehittåå edelleen enneståån tunnettuja såhkoimpedanssiantureita ja niiden valmistusmenetelmiå, etenkin låmpotila-antureiden osalta niin, ettå edellå kosketellut epå-20 kohdat voidaan suurimmaksi osaksi vålttåå.
Keksinnon lisåtarkoituksena on aikaansaada kyseisten impedanssianturei-den valmistusmenetelmå, jolla voidaan valmistaa edullisin yksikkokus-tannuksin kyseisiå antureita, joiden laatu ja ominaisuudet ovat tasai-25 set.
Keksinnon erityistarkoituksena on aikaansaada sellainen impedanssiantu-ri, jonka koko ja massa on pieni ja nåin olien anturi on nopea ja sillå on pieni såteilyvirhe.
30
Edellå esitettyyn liittyen keksinnon tarkoituksena on kehittåå uusi etenkin radiosondien låmpotila-anturiksi soveltuva impedanssianturi, joka on toimintaperiaatteeltaan joko resistiivinen tai kapasitiivinen.
35 Edellå esitettyihin ja myohemmin selviåviin pååmååriin pååsemiseksi keksinnon mukaiselle anturille on pååasiallisesti tunnusomaista se, 4 92441 ettå anturin aktiivisena materiaalina on lasinvetotekniikalla valmis-tettu hyvin ohut lankamainen lasi- tai lasikeraamikuitu.
Keksinnon mukaiselle anturin valmistusmenetelmålle on puolestaan påå-5 asiallisesti tunnusomaista se, ettå menetelmå kåsittåå kombinaationa seuraavat vaiheet: valmistetaan anturin aktiiviselle materiaalille sopivat såhkoiset omi-naisuudet antavalla lisåaineella tai lisåaineilla seostetusta sulasta 10 lasimassasta sinånså tunnetulla lasinvetotekniikalla jatkuvaa olennai-sesti pyoreåpoikkipintaista anturikuitulankaa, ettå mainittu anturikuitulankaa kiteytetåån låmpokåsittelyllå lasike-raamiseen muotoon tai sen materiaali valitaan tai muutoin kåsitellåån 15 niin, ettå saadaan aikaan aktiivista anturimateriaalia, jonka ka- pasitanssi ja/tai resistanssi riippuu låmpotilasta tai erityistapauk-sissa aktiivisen materiaalin absorpoimasta vesimååråstå, ettå mainittua anturikuitulankaa katkotaan yksittåisiå antureita vårten 20 sopiviksi anturikuitulankapåtkiksi, joihin liitetåån ja/tai joiden em. langanvetovaiheessa varustettuihin elektrodeihin kytketåån yhteet, joiden vålistå anturin impedanssi on mitattavissa.
Keksinnon anturit valmistetaan anturikuitulangasta, joka on tehty la-25 sinvetotekniikalla jatkuvana prosessina, edullisesti esim. ns. kaksois-upokasmenetelmåå kåyttåen. Anturikuitulangan veto tapahtuu lasimaisessa muodossa. Jos aktiivisena materiaalina kåytetåån lasikeraamia, tåmån jålkeen tapahtuu anturin aktiivisen kerroksen kiteytys lasikeraamiseen muotoon niin, ettå saadaan aikaan materiaali, jonka dielektrisyys 30 ja/tai resistanssi riippuu aktiivisen materiaalin låmpotilasta.
Tåten keksinnon mukaiset anturit valmistetaan jatkuvasta pyoreåpoikki-pintaisesta anturilangasta, jonka materiaali tai jokin sen komponentti on ainetta, jonka dielektrisyysvakio tai resistiivisyys riippuvat mi-35 tattavasta fysikaalisesta suureesta, yleenså låmpotilasta.
II
5 92441
Joissakin poikkeustapauksissa voidaan keksinnon menetelmållå valmistaa myos suhteellisen kosteuden impedanssianturi, jolloin aktiivisen lasi-keraamimateriaalin dielektrisyysvakio on jårjestetty riippuvaksi mate-riaalin absorboimasta vesimååråstå.
5
Keksinnon edullisin sovellusmuoto on alustavasti arvioituna kapasitii-vinen låmpotila-anturi, joka on tarkoitettu radiosondikåyttdon ja jonka kapasitanssi on tyypillisesti alueella C - 3-10 pF kun mitattava låmpo-tila T vaihtelee vålillå T - -90°C ... +45°C.
10
Lasinvetotekniikalla valmistetusta jatkuvasta anturilangasta påtkitåån yleenså n. 1-5 cm:n pituisia påtkiå, jotka on varustettu joko langanve-toprosessissa keskielektrodilla, joihin liitetåån elektrodit ja/tai jonka kuitulangan ulkopinnalle tehdåån esim. fotolitografisella mene-15 telmållå sopivat johdekuviot, jotta voidaan tehdå myos jatkuvaa anturi-lankaa jatkuvana prosessina.
Seuraavassa keksintoå selostetaan yksityiskohtaisesti viittaamalla oheisen piirustuksen kuvioissa esitettyihin keksinnon eråisiin sovel-20 lusesimerkkeihin, joiden yksityiskohtiin keksintoå ei ole mitenkaån ahtaasti rajoitettu.
Kuvio 1 esittåå poikkileikkausta erååstå keksinnon mukaisesta kapasi-tiivisesta låmpotila-anturikuidusta.
25
Kuvio 2A esittåå poikkileikkausta kahdesta yhteen liitetystå lasikeraa-mikuidusta valmistetusta kapasitiivisesta låmpotila-anturista.
Kuvio 2B esittåå sivultapåin nåhtynå samaa kuin kuvio 2A, joka on sa-, 30 malla leikkaus kuvioon 2B merkitystå kohdasta A-A.
Kuvio 3A esittåå keksinnon mukaista lasikeraamikuidun påtkåstå tehtyå kapasitiivista låmpotila-anturia.
35 Kuvio 3B esittåå sivultapåin nåhtynå samaa kuin kuvio 3A, joka on leikkaus A-A kuviossa 3B.
6 9 2441
Kuvio 4A esittåå poikkileikkausta keksinnon mukaisesta kapasitiivisesta tai resistiivistå anturista.
Kuvio 4B esittåå sivultapåin nåhtynå samaa kuin kuvio 4A, joka on leik-5 kaus A-A kuviossa 4B.
Kuviot 5A ja 5B esittåvåt poikkileikkauksia keksinnon mukaisesta resis-tiivisestå låmpotila-anturista.
10 Kuvio 5C esittåå samaa kuin kuviot 5A ja 5B sivulta nåhtynå ja kuvio 5A on samalla leikkaus A-A ja kuvio 5B leikkaus B-B kuviossa 5C.
Kuvio 6A esittåå keksinnon mukaisen lasikuidun valmistuksessa kåytettyå kaksoisupokasta ja sen pohjassa olevaa suutinjårjestelyå.
15
Kuvio 6B on suurennettu keskeinen aksiaalileikkaus keksinndn mukaisesta kuvion 6A mukaisella suuttimella valmistetusta lasikeraamikuidusta.
Kuvio 6C esittåå kaaviollisesti menetelmåå, jolla kuvion 6A mukaisesti 20 valmistettu lasikeraamikuitu påållystetåån johtavalla materiaalilla.
Kuvio 7 esittåå kuvion 6C mukaisesti fotoresistillå påållystetyn kuidun valotusta, resistin kehitystå, syovytystå ja liuotusta jatkuvana pro-sessina.
25
Kuviot 8A, 8B ja 8C esittåvåt fotoresistin neljåltå eri suunnalta ta-pahtuvassa valotuksessa kåytettåvåå maskia.
Kuviot 9A ja 9B esittåvåt keskenåån kohtisuoria aksiaalileikkauksia , 30 kuvioiden 6-8 mukaisella menetelmållå valmistetun kapsitiivisen kos- teusanturin rakennetta. Kuvio 9A on samalla leikkaus A-A kuviossa 9C ja kuvio 9B leikkaus B-B kuviossa 9C.
Kuvio 9C esittåå leikkausta C-C kuviossa 9B.
35
II
7 92441
Kuvioissa 1-4 on esitetty eråitå edullisia keksinnon mukaisia kapasi-tiivisia tai resistiivisia låmpotila-antureita. Kuvioissa 5A, 5B ja 5C on esitetty erås keksinndn mukainen resistiivinen låmpotila-anturi. Kuvioissa 6-8 on havainnollistettu kaaviollisesti em. antureiden eras 5 edullinen keksinnon mukainen valmistusmenetelmå ja kuvioissa 9 kysei-sellå menetelmållå valmistettu kapsitiivinen låmpotila-anturi.
Kuvion 1 mukaisesti kapasitiivinen låmpotila-anturi on muodostettu poikkileikkaukseltaan pyoreåstå ja lankamaisesta, hyvin ohuesta lasi-10 kuidusta 10, jossa on metallia, esim. platinaa oleva keskielektrodi 11 ja sen ympårillå lasikeraaminen rengaskerros 12. Lasikeraamikerroksen 12 påållå on hermeettinen rengasmainen lasikerros 13 ja sen påållå johtava elektrodikerros 14 niin, ettå rakenne on koaksiaalinen. Mitat-tava kapasitanssi C muodostuu elektrodien 11 ja 14 vålille. Tåmån ka-15 pasitanssin C dielektrinå ovat sarjassa olevat kerrokset 12 ja 13, joista lasikeraamikerros on esim. barium-strontium-titanaattia, BaxSr1.xTi03. Tåmån ja muiden vastaavien lasikeraamien dielektrisyysvakio riippuu låmpotilasta. Lasikeraamia ympåroivå hermeettinen lasikerros 13 eståå kosteuden pååsyn aktiiviseen dielektrikerroksen 12 materiaaliin.
20
Lasikeraamiset aineet absorboivat kosteutta, joka vaikuttaa niiden dielektrisyysvakioon ja aiheuttaa nåin olien virhettå låmpotilan mit-taukseen. Tåtå ilmiotå voidaan kåyttåå hyvåksi suhteellisen kosteuden kapasitiivisessa mittausanturissa. Kuvion 1 mukaisesta jatkuvasta antu-25 rikuidusta leikataan keksinndn menetelmån mukaisesti n. 1-5 cm, sopi-vimmin n. 2 cm, pituisia påtkiå. Anturikuitu 10 on hyvin ohut ja sen ulkohalkaisija D on sopivimmin vålillå D - 25-500 μπι. Esimerkiksi 2 cm:n pituisen anturin sen elektrodien 11 ja 14 våliltå mitattu kapasitanssi låmpotilassa T - 20°C C » 5 pF. Kun låmpétila T vaihtelee 30 vålillå T - -90°C . . . +45°C, kapasitanssi C vaihtelee alueella C - 3-10 pF, ja anturikapasitanssi C kasvaa olennaisesti lineaarisesti anturilla havaittavan låmpbtilan T noustessa.
Kuviossa 2A ja 2B esitetty kapasitiivinen låmpotila-anturi muodostuu 35 kahdesta anturikuidusta 10A ja 10B, jotka ovat pituudeltaan L liitetty esim. liimaliitoksella 15 toisiinsa. Kapasitanssi C muodostuu ja se 8 92441 mitataan keskielektrodien 11a ja 11b våliltå. Anturikapasitanssin C aluetta voidaan sååtåå mittaa L muuttamalla. Mitta L on yleenså L < 5 cm kuitujen 10A ja 10B ulkohalkaisijan D ollessa yleenså alueella D - 25-500 μπι. Kuvioiden 2A ja 2B mukaisessa anturirakenteessa on 5 yleenså etuna se, ettei tarvita lainkaan ulkoelektrodia 14 kuten ku-viossa 1.
Kuvion 3A ja 3B mukainen anturi on muodostettu påtkåstå anturikuitua 10C. Tåsså anturikuidussa ei ole lainkaan metallista keskielektrodia 10 11, vaan sen tilan ottaa kokonaan lasikeraaminen sisåkuitu 12, jonka påållå on lasinen herraeettinen suojakerros 13. Mainitun kerroksen 13 påålle on liitoksin 15a ja 15b pituudelle L liitetty metalliset elekt-rodilangat 16A ja 16B, joiden våliltå anturikapasitanssi C mitataan.
15 Kuvioiden 4A ja 4B mukainen anturi muodostuu lasikeraamia olevasta pituuden L omaavasta anturikuidun påtkåstå 10D, jonka påålle on tehty johdekuviot 14a ja 14b. Nåiden kuvioiden vålillå on aksiaaliset eriste-vålit 17a ja radiaaliset eristevålit 17b, jotka erottavat johdekuviot 14a ja 14b toisistaan. Kuviossa 4A ja 4B esitettyå rakennetta voidaan 20 kåyttåå joko resistiivisenå låmpotila-anturina, kosteusanturina tai hieman modifioituna kapasitiivisena anturina.
Kun kuvion 4A,4B mukaista rakennetta kåytetåån kosteusanturina, on lasikeraamina 12 sellainen materiaali, jonka dielektrisyysvakio on 25 riippuvainen materiaalin absorboimasta kosteudesta. Kosteus pååsee materiaaliin 12 vålialueiden 17a ja 17b kautta sekå tarvittaessa myos pituudella Lq olevien johdekuvioiden kautta, jotka voidaan tehdå niin ohuiksi, ettå ne låpåisevåt kosteutta, mutta ovat kuitenkin vielå såh-koisesti jatkuvia. Kun kuvion 4A ja 4B mukaista rakennetta kåytetåån 30 resistiivisenå kosteusanturina, on materiaalina 12 sellainen lasikeraa-mi, jonka resistanssi riippuu låmpotilasta. Kun kuvion 4A ja 4B mukainen rakenne on kapasitiivisena anturina, on lasikeraamin 12 ympårillå kuvion 3A mukainen hermeettinen kerros 13, jonka påålle johdekuviot 14a ja 14b on tehty. Anturin resistanssi R tai kapasitanssi C mitataan 35 johdekuvioiden 14a ja 14b våliltå.
ii 9 92441
Kuvioissa 5A,5B,5C on esitetty erås keksinnon mukainen resistiivinen låmpotila-anturi, jossa lasikeraamikuidun 10E påålle on tehty johdeku-viot 14c ja 14d, jotka on erotettu toisistaan eristevålillå 17c. Lasi-keraamlmateriaalin 12 resistiivisyys on låmpotilasta riippuva. Anturin 5 resistanssi R on huoneenlåmpotilassa luokkaa 10 kfl ja låmpotilassa -90°C luokkaa 1 ΜΩ. Resistanssi mitataan johdekuvioiden 14c ja 14d våliltå.
Seuraavassa selostetaan kuvioihin 6,7 ja 8 viitaten eras edullinen keksinnon mukainen anturin, etenkin kapasitiivisen låmpotila-anturin, 10 valmistusmenetelmå. Menetelmåsså voidaan kåyttåå monin osin samantapai-sia laitteita ja menetelmåvaiheita kuin enneståån tunnetuissa optisten kuitujen valmistusmenetelmisså ja -laitteissa. Korostettakoon, ettå seuraavassa on esitetty vain erås edullinen valmistusmenetelmå, josta tåmån keksinnon piiriin kuuluvat menetelmåt voivat olennaisestikin 15 poiketa.
Keksinnosså voidaan my6s kåyttåå sellaista materiaalia, johon on lisåt-ty jokin sellainen komponentti, jonka dielektrisyysvakio riippuu mitat-tavasta fysikaalisesta suureesta.
20
Kuvion 6A mukaisesti anturikuitulangan 10 veto tapahtuu kåyttåen optisten kuitujen valmistuksessa sinånså tunnettua ns. kaksoisupokas-menetelmåå. Tåsså menetelmåsså kåytetåån upokas-suutinlaitetta 20, jossa on kaksi sisåkkåistå upokasta nimittåin ulko-upokas 21 ja siså-25 upokas 22. Ulko-upokkaan 21 pohjassa on rengassuutin 23 ja sen siså-puolella siså-upokkaan 22 pohjaan avautuva sisåsuutin 24. Ulko-upok-kaassa 21 on lasimateriaalia G esim. aluminosilikaatti-lasia sulassa tilassa ja siså-upokkaassa 22 on sulaa ydinlasia C.
30 Esimerkkejå kapasitiiviseen anturiin soveltuvista aktiivisista materi-aaleista: a) aluminosilikaattilasipohjainen materiaali 35 Ydinlasi C valmistetaan barium-, strontium-, titaani-, pii- ja alu-miinioksidien seoksesta. Esimerkki seossuhteesta: 10 92441
BaO: 5 %
SrO: 30 %
Ti02: 35 %
Si02: 20 % 5 A1203: 10 %.
Barium- ja Sr-oksidien suhteella pystytåån vaikuttamaan dielektrisyyden låmpotilariippuvuuskåyrån muotoon. Yllå oleva koostumus on sopiva son-disovellukseen. Kuitua 10 vedettåesså kuitu jååhtyy nopeasti, jolloin 10 se jåå lasimaiseen (amorfiseen) muotoon. Låmpokåsittelysså kuitua låm-mitetåån (esim.) 1100°C låmpotilassa 2 h ajan, jolloin syntyy lasikeraa-mista materiaalia, jossa on barium- ja strontiumtianaattikiteitå lasi-matriisissa.
15 b) aluminoboraattipohjainen materiaali
Koostumus sama kuin yllå, paitsi ettå piioksidi on korvattu kokonaisuu-dessaan boorioksidilla B203. Låmpokåsittely on tålloin esim. 1 h, 850°C.
20
Resistiiviseen anturiin soveltuvia aktiivisia materiaaleja ovat esim. chalcogenidilasit, jotka ovat puolijohteita ja voidaan vetåå kuiduksi. Kirjallisuudessa on chalcogenidilasia Ti2SeAs2Te3 kåytetty bolomet-risovelluksessa (viite (4)). Tåmå materiaali on siis Iasi, ei lasike-25 raami.
Kuitulankaa 10 vedettåesså, se jååhtyy nopeasti, jolloin sekå pintaker-ros 13 ettå ydinkerros 12 jååvåt lasimaiseen muotoon. Olennaisena vai-heena keksinnosså on kuitulangan vetåmisen jålkeen siile tehtåvå låm-30 pokåsittely, jolloin ydinlasiosassa 12 syntyy strontium- ja bariumti-tanaattikiteitå. Låmpokåsittelyn låmpotilaprofiililla ja maksimilåmpo-tilalla voidaan vaikuttaa kidekokoon ja sitå kautta voidaan kuitulangan dielektrisiå ominaisuuksia ja låmpotilariippuvuutta hallita ja asetel-la. Kiteyttåmislåmpokåsittely vaatii melko pitkån ajan, joten se on 35 edullista tehdå kelalla olevalle kuidulle, sopivimmin niin, ettå kun erå kuitua on vedetty, koko kela pannaan låmpokåsittelyuuniin.
ti 11 92441
Kuviossa 6B on esitetty aksiaalinen leikkaus kuitulangasta 10, jossa on edellå selostettu ydlnosa 12 ja pintakerros 13. Lasinvetoprosessissa kuitulangasta 10 tulee luontaisesti pyoreå. Edellå mainitun keksinnosså olennaisen låmpokåsittelyn osalta viitataan alussa mainittuun viittee-5 seen (1) ja (3) sekå niisså esitettyihin doping-aineiden pitoisuuksiin.
Kuitulangan 10 edellå selostetun vetoprosessin yhteydesså voidaan vaih-toehtoisesti kuidun sisålle syottåå elektrodilanka 11 lankakelalta 25 (esitetty kuviossa 6A katkoviivon), jolloin syntyy kuvioissa 2A ja 2B 10 esitetyn kaltainen kuitulanka 10A ja 10B, joka poikkeaa kuviossa 6B
esitetystå. Vaihtoehtoisesti sisåelektrodi voidaan saada kuidun sisålle sijoittamalla metallipuikko lasiputkiaihion sisåån ja vetåmållå metal-lipuikko ja lasiputki yhdesså kuiduksi tai valmistamalla ensin ontto kuitu ja metalloimalla sen sisåpuoli jålkeenpåin. Viimemainitussa ta-15 pauksessa kuitulangan rakenne on muutoin kuviossa 1 esitetyn kaltainen paitsi, ettå umpinaisen keskielektrodin 11 asemesta on ontto putkimai-nen keskielektrodi. Viimemainittu sisåltå ontto rakenne on joissakin sovelluksissa siinå suhteessa edullinen, ettå lasikuidun 10 keskireiån kautta låmmonsiirto tehostuu ja anturin toirainta tåten nopeutuu ja 20 vasteajat pienenevåt.
Edellå selostetun lasikuidun 10 ydinosan 12 kiteytyksen jålkeen kuitulanka 10 påållystetåån sopivalla pastalla. Tåmå tehdåån esim. kuvion 6C mukaisella prosessilla. Påållystettåvå esim. kuvion 6B mukainen lasi-25 kuitulanka 10 ohjataan låhtdkelaltaan 28 upokkaaseen 26 ja sen pohjassa olevan reiån 26a kautta edelleen sintrausuunin 27 låpi. Upokkaassa 26 on sopivaa påållystyspastaa P. Sintrausuunin 27 jålkeen kuitu 10P, joka tulee poikkileikkaukseltaan esim. kuviossa 1 esitetyn kaltaiseksi, juoksee tulokelalle 29. Kuviossa 6C esitetty menetelmå on optisten 30 kuitujen påållystyksesså yleisesti kåytetty sinånså tunnettu påållys-tysmenetelmå. Pastapåållystyksen ja sintrauksen asemesta voidaan kåyt-tåå muita sinånså tunnettuja påållystysmenetelmiå, kuten hoyrystyspåål-lystystå.
35 Lasikuitulangan 10 påålle tulevat elektrodit ja elektrodikuviot kuten kuviossa 1 esitetty elektrodi 14, kuvioissa 4A ja 4B esitetyt elektro- 12 92441 dit 14a ja 14b ja kuvioissa 5A,5B,5C ja 9A,9B,9C esitetyt elektrodit 14a,14b,14c ja 14d valmistetaan esim. kuviossa 7 kaaviollisesti esite-tyllå fotolitografisella menetelmållå. Tåsså menetelmåsså kuitu 10 påållystetåån edellå kuvion 6C yhteydesså selostetulla reikåpohjaisella 5 upokkaalla 26. Tåmån jålkeen påållystetty lasikuitulanka 10 syotetåån låhtokelalta 30 valotusyksikkojen 31 låpi, joiden valolåhteet 32 valot-tavat tietyt fotoresistin alueet. Valotusyksikkojen 31 jålkeen kuitu 10 syotetåån johtotelojen 33 yli kehitystankin 34 rununun 35 yli, jossa kehityskemikaaleilla D resisti kehitetåån. Kuitulanka 10 johdetaan 10 edelleen syovytystankin 36 rummun 37 yli, jossa valotetut alueet syovy-tyskemikaaleilla E syovytetåån, minkå jålkeen kuitulanka 10 johdetaan johtotelojen 33 yli edelleen liuotustankin 38 rummun 39 yli, jolloin kemikaalit F liuottavat resistin pois. Tåmån jålkeen kuitu 10P kelataan tulokelalle 40. Kuvion 7 mukaisesti prosessi valotuksesta resistin 15 poistoon tapahtuu jatkuvana prosessina.
Kuvioissa 8A,8B ja 8C on esitetty kolmessa toisiinsa nåhden kohti-suorassa kuvannossa kuidun 10 valotusvaihe. Valotus tapahtuu erityises-så tarkasti kohdistetussa jigisså 41A ja 41B neljåltå eri suunnalta.
20 Valotusmaskit 42a ja 42b on tehty esim. syovyttåmållå piihin sopivat urat, mitå vastaavaa tekniikkaa kåytetåån enneståån tunnetusti valokaa-pelien liitoksia tehtåesså. Viitteellå 43 on esitetty valotettavia alueita.
25 Edellå selostetuilla vaiheilla kuitulangan påålle tehtyjen elektrodien ulkopinnalle muodostetaan vettå låpåisemåton lasikerros 19 (kuviot 9A,9A,9C) esim. lasipastalla. Tålloin påållystysprosessi on esim. samanlainen kuin kuvion 6C yhteydesså selostettu johtavalla pastalla tapahtuva påållystysmenetelmå.
30
Edellå esitetyin menetelmåvaihein saadaan yksikertaisesti ja ta-loudellisesti jatkuvaa anturikuitulankaa 10. Seuraavana vaiheena kek-sinnon mukaisten anturien valmistuksessa on tåmån kuitulangan påtkimi-nen yksittåisiå antureita vårten, joiden aksiaalinen pituus L on yleen-35 så alueella L - 1-5 cm, sopivimmin L = 2 cm. Tåmån jålkeen anturien
II
13 92441 påihin tehdåån juotoskelpoiset kontaktialueet 18a ja 18b, jotka nåkyvåt kuvioissa 9A ja 9B.
Kuvioissa 9A,9B ja 9C onkin esitetty edellå kuvioiden 6-8 mukaisella 5 menetelmållå valmistettu kapasitiivinen anturi, joka on muutoin edellå kuvioissa 4A ja 4B esitetyn kaltainen paitsi, ettå anturi on påållys-tetty vettå låpåisemåttomållå eristekerroksella 19, esim. lasipastalla. Kuvioissa 9 esitetyn anturin aktiivinen alue on sen pituudella L0, johon muodostuu mitattava kapasitanssi C, jonka dielektrinå on edellå selos -10 tettu lasikeraaminen ydinaine 12, jonka dielektrisyysvakio on låmpoti-lan funktio. Anturin kapasitanssi C mitataan elektrodien 18a ja 18b våliltå.
Seuraavassa esitetåån patenttivaatiraukset, joiden måårittelemån keksin-15 nollisen ajatuksen puitteissa keksinnon eri yksityiskohdat voivat vaih-della ja poiketa edellå vain esimerkinomaisesti esitetystå.

Claims (16)

92441
1. Såhkoinen impedanssianturi fysikaalisten suureiden, etenkin låmpoti-lan, mittaamiseksi, joka anturi kåsittåå elektrodit (11,14), joiden 5 vålistå mitattavaa fysikaalista suuretta kuvaava såhkoimpedanssi (C;R) mitataan ja joiden elektrodien (11,14) vålisså on aktiivista materiaa-lia, jonka impedanssiominaisuudet ovat mitattavan fysikaalisen suureen funktio, tunnettu siitå, ettå anturin aktiivisena materiaalina on lasinvetotekniikalla valmistettu hyvin ohut lankamainen lasi- tai 10 lasikeraamikuitu (10).
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen anturi, tunnettu siitå, ettå mainittuna kuituna on sellainen lasikeraamikuitu (10), jota valmistet-taessa veto lasikuitulangaksi on tehty materiaalin ollessa lasimaisessa 15 muodossa ja kiteytys lasikeraamiseen muotoon on tehty låmpokåsittelyl-lå.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen resistiivinen tai kapasitiivi-nen anturi, tunnettu siitå, ettå lasikeraamimateriaalissa on 20 aktiivisena aineosana lasimatriisissa oleva kiteinen barium-strontium-titanaatti, BaxSr1.xTi03, jossa x on vålillå 0...1.
4. Patenttivaatimuksen 1-3 mukainen resistiivinen tai kapasitiivinen anturi, tunnettu siitå, ettå lasikeraamikuitu (10) on ympåroi- 25 ty hermeettisellå lasikerroksella (13), joka eståå kosteuden pååsyn aktiivisen dielektrikerroksen (12) materiaaliin.
5. Jonkin patenttivaatimuksen 1-4 mukainen resistiivinen tai kapasitiivinen anturi, tunnettu siitå, ettå anturikuitulanka on 30 poikkileikkaukseltaan pååasiallisesti ympyrånmuotoinen ja ettå anturi-kuitulangan (10) halkaisija on luokkaa D - 25-500 μπι.
6. Jonkin patenttivaatimuksen 1-5 mukainen resistiivinen tai kapasitiivinen anturi, tunnettu siitå, ettå anturi on rakenteeltaan 35 koaksiaalinen kåsittåen tåytelåisen keskielektrodilangan (11) tai vas-taavan onton elektrodilangan ja sen ympårillå olevan lasi- tai lasike- li 92441 raamikerroksen (12), jonka påållå on hermeettinen lasikerros (13) ja sen påållå elektrodikerros (14) ja/tai elektrodikuviot (14a,14b, 14c,14d).
7. Jonkin patenttivaatimuksen 1-5 raukainen kapasitiivinen anturi, 5 tunnettu siitå, ettå anturi on muodostettu kahdesta anturikui- tulangasta (ΙΟΑ,ΙΟΒ), jotka on liitetty yhdensuuntaisesti liitoksella (15) toisiinsa tietyltå pituudeltaan (L) , jolle pituudelle muodostuu anturikuitulankojen (ΙΟΑ,ΙΟΒ) sisållå olevien keskielektrodien (11a,lib) våliltå mitattava anturikapasitanssi (C) (kuviot 2A ja 2B). 10
8. Jonkin patenttivaatimuksen 1-5 mukainen kapasitiivinen anturi, tunnettu siitå, ettå anturi kåsittåå ilman keskielektrodia olevan anturikuitulankapåtkån (IOC), jonka molemmin puolin on liitetty lankapåt-kån (10C) kanssa yhdensuuntaiset elektrodilangat (16A.16B), joiden 15 våliltå anturikapasitanssi (C) on mitattavissa (kuviot 3A ja 3B).
9. Jonkin patenttivaatimuksen 1-5 mukainen kapasitiivinen tai resistii-vinen anturi, tunnettu siitå, ettå ilman keskielektrodia olevan lasi- tai lasikeraamikuitulangan (10D) påålle on tehty elektrodikuviot 20 (14a,14b), jotka tulevat aksiaalisuunnassa ainakin osittain påållekkåin eristevålin (17a,17b) toisistaan erottamina ja ettå anturikapasitanssi tai resistanssi (C;R) mitataan mainittujen johtavien ulko-elektrodien (14a,14b) våliltå.
10. Jonkin patenttivaatimuksen 1-5 mukainen resistiivinen anturi, tunnettu siitå, ettå lasi- tai lasikeraamilangan (10E), jonka resistanssi on låmpotilan funktio, påålle on tehty johdekuviot (14c,14d), jotka ovat aksiaalisuunnassa toisistaan eristevålin (17c) erottamat (kuviot 5A,5B,5C). 30
11. Menetelmå såhkoisten impedanssianturien valmistamiseksi, joka anturi on tarkoitettu fysikaalisten suureiden, etenkin låmpotilan tai suhteelli-sen kosteuden mittaamista vårten, tunnettu siitå, ettå menetelmå kåsittåå kombinaationa seuraavat vaiheet: 35 92441 valmistetaan anturin aktiiviselle materiaalille sopivat såhkoiset omi-naisuudet antavalla lisåaineella tai lisåaineilla seostetusta sulasta lasimassasta (C) sinånså tunnetulla lasinvetotekniikalla jatkuvaa olen-naisesti pyoreåpoikkipintaista anturikuitulankaa (10), 5 ettå mainittu anturikuitulankaa (10) kiteytetåån låmpokåsittelyllå lasikeraamiseen muotoon tai sen materiaali valitaan tai muutoin kåsi-tellåån niin, ettå saadaan aikaan aktiivista anturimateriaalia, jonka kapasitanssi ja/tai resistanssi riippuu låmpotilasta tai erityistapauk-10 sissa aktiivisen materiaalin absorpoimasta vesimååråstå, ettå mainittua anturikuitulankaa katkotaan yksittåisiå antureita vårten sopiviksi anturikuitulankapåtkiksi, joihin liitetåån ja/tai joiden em. langanvetovaiheessa varustettuihin elektrodeihin (11,11a,11b) kytketåån 15 yhteet, joiden vålistå anturin impedanssi on mitattavissa.
12. Patenttivaatimuksen 11 mukainen menetelmå, tunnettu siitå, ettå anturikuitulangan (10) veto suoritetaan kåyttåen optisten kuitujen valmistuksessa sinånså tunnettua kaksoisupokasmenetelmåfi, jossa siså- 20 upokkaassa (22) kåytetåån sulaa ydinlasia (C), johon on lisåtty strontium-, barium- ja titaanioksidia ja/tai vastaavaa muuta lisåainet-ta ja ettå ulkoupokkaassa (11) kåytetåån sulaa lasimateriaalia kuten aluminosilikaattilasia, josta saadaan anturikuitulangan påålle putki-mainen hermeettinen ulkokerros (kuviot 6A ja 6B). 25
13. Patenttivaatimuksen 11 tai 12 mukainen menetelmå, tunnettu siitå, ettå sulan anturikuidun sisålle syotetåån elektrodilankaa (11) tai sisåelektrodi viedåån lasiputkiaihion sisåån, jotka yhdesså vede-tåån anturikuitulangaksi (10) tai ettå valmistetaan ensin ontto anturi- 30 kuitulanka ja metalloidaan sen sisåpuoli jålkeenpåin.
14. Jonkin patenttivaatimuksen 11-13 mukainen menetelmå, t u η n e t -t u siitå, ettå anturikuitulanka (10) påållystetåån lasikerroksella tai johtavalla elektrodikerroksella ohjaamalla kuitulanka (10) reikå- 35 pohjaisen upokkaan (26) ja uunin (27) låpi, jossa upokkaassa on påål-lystyspastaa kuten johdepastaa tai lasipastaa (kuvio 6C). » II 92441
15. Jonkin patenttivaatimuksen 11-14 mukainen menetelmå, t u η n e t -t u siitå, ettå kuitulangan (10) påålle tehdåån johdekuviot (14a,14b, 14c,14d) hoyryståmållå tai fotolitografisella menetemållå, sopivimmin jatkuvana prosessina. 5
16. Jonkin patenttivaatimuksen 11-15 mukainen menetelmå, t u η n e t -t u siitå, ettå menetelmåsså jatkuvasta anturikuitulangasta (10) kat-kotaan n. 1-5 cm påtkia, jotka liitetåån pituussuuntaisella liitoksella (15) vierekkain toisiinsa (kuviot 2A,2B) tai jonka anturikuitulangan 10 påtkån (10C) molemmin puolin liitetåån anturilangat (16A.16B) (kuviot 3A,3B). 92441
FI921449A 1992-04-01 1992-04-01 Sähköinen impedanssianturi fysikaalisten suureiden, etenkin lämpötilan mittaamiseksi ja menetelmä kyseisen anturin valmistamiseksi FI92441C (fi)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI921449A FI92441C (fi) 1992-04-01 1992-04-01 Sähköinen impedanssianturi fysikaalisten suureiden, etenkin lämpötilan mittaamiseksi ja menetelmä kyseisen anturin valmistamiseksi
AU34096/93A AU662041B2 (en) 1992-04-01 1993-03-09 Electrical detector process of manufacture
ZA931727A ZA931727B (en) 1992-04-01 1993-03-10 Electrical impedance detector for measurement of physical quantities, in particular of temperature, and process for manufacture of said detector.
CA002092609A CA2092609C (en) 1992-04-01 1993-03-12 Electrical impedance detector for measurement of physical quantities
DE69318881T DE69318881T2 (de) 1992-04-01 1993-03-15 Elektrischer Kapazitivdetektor zum Messen physikalischer Grössen, insbesondere der Temperatur und dessen Fabrikation
EP93850046A EP0564428B1 (en) 1992-04-01 1993-03-15 Electrical capacitive detector for measurement of physical quantities, in particular of temperature, and process for manufacture of the said detector
US08/040,129 US5483414A (en) 1992-04-01 1993-03-30 Electrical impedance detector for measurement of physical quantities, in particular of temperature
BR9301390A BR9301390A (pt) 1992-04-01 1993-03-31 Detector de impedancia eletrica para a medicao de quantidades fisicas,em particular de temperatura,e processo para a fabricacao de detectores
RU93004648A RU2123174C1 (ru) 1992-04-01 1993-03-31 Емкостный датчик для измерения физических величин, в частности температуры, и способ его изготовления
CN93103892A CN1043927C (zh) 1992-04-01 1993-04-01 用于测量物理量特别是温度的电阻抗探测元件及其制造方法
JP5075840A JPH087103B2 (ja) 1992-04-01 1993-04-01 物理量特に温度測定用電気インピーダンス検出器及び該検出器の製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI921449A FI92441C (fi) 1992-04-01 1992-04-01 Sähköinen impedanssianturi fysikaalisten suureiden, etenkin lämpötilan mittaamiseksi ja menetelmä kyseisen anturin valmistamiseksi
FI921449 1992-04-01

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI921449A0 FI921449A0 (fi) 1992-04-01
FI921449A FI921449A (fi) 1993-10-02
FI92441B FI92441B (fi) 1994-07-29
FI92441C true FI92441C (fi) 1994-11-10

Family

ID=8535028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI921449A FI92441C (fi) 1992-04-01 1992-04-01 Sähköinen impedanssianturi fysikaalisten suureiden, etenkin lämpötilan mittaamiseksi ja menetelmä kyseisen anturin valmistamiseksi

Country Status (11)

Country Link
US (1) US5483414A (fi)
EP (1) EP0564428B1 (fi)
JP (1) JPH087103B2 (fi)
CN (1) CN1043927C (fi)
AU (1) AU662041B2 (fi)
BR (1) BR9301390A (fi)
CA (1) CA2092609C (fi)
DE (1) DE69318881T2 (fi)
FI (1) FI92441C (fi)
RU (1) RU2123174C1 (fi)
ZA (1) ZA931727B (fi)

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI92439C (fi) * 1993-09-29 1994-11-10 Vaisala Oy Sähköisesti ilmaistu impedanssianturi fysikaalisten suureiden, etenkin lämpötilan tai kosteuden, mittaamiseksi sekä menetelmä kyseisten anturien valmistamiseksi
FI98568C (fi) * 1994-12-28 1997-07-10 Vaisala Oy Sähköisesti ilmaistu impedanssianturi fysikaalisten suureiden, etenkin lämpötilan tai kosteuden, mittaamiseksi sekä menetelmä kyseisten anturien valmistamiseksi
FI100135B (fi) * 1996-01-05 1997-09-30 Vaisala Oy Menetelmä ja lämpötila-anturirakenne säteilyvirheen eliminoimiseksi
US5788376A (en) * 1996-07-01 1998-08-04 General Motors Corporation Temperature sensor
US5913158A (en) * 1997-01-17 1999-06-15 Sullivan; William B. Dynamic temperature measurement
AU763584B2 (en) * 1998-09-02 2003-07-24 Mayekawa Mfg. Co., Ltd. Noncontact article temperature measuring device for food
US6288344B1 (en) * 1999-08-20 2001-09-11 Cardiac Pacemakers, Inc. Integrated EMI shield utilizing a hybrid edge
ATE315715T1 (de) 2000-04-24 2006-02-15 Shell Int Research Vorrichtung und verfahren zur behandlung von erdöllagerstätten
US6680617B2 (en) * 2000-09-20 2004-01-20 Neocera, Inc. Apertured probes for localized measurements of a material's complex permittivity and fabrication method
US7293467B2 (en) 2001-07-09 2007-11-13 Nartron Corporation Anti-entrapment system
NO318250B1 (no) * 2001-07-10 2005-02-21 Harald Benestad Anordning ved en kapasitiv sensor
CA2531822A1 (en) * 2003-07-14 2005-06-02 Massachusetts Institute Of Technology Optoelectronic fiber codrawn from conducting, semiconducting, and insulating materials
US7567740B2 (en) * 2003-07-14 2009-07-28 Massachusetts Institute Of Technology Thermal sensing fiber devices
AU2005238941B2 (en) 2004-04-23 2008-11-13 Shell Internationale Research Maatschappij B.V. Temperature limited heaters used to heat subsurface formations
JP4528943B2 (ja) * 2004-04-27 2010-08-25 独立行政法人産業技術総合研究所 キャパシタンス温度センサ及び温度測定装置
US7312591B2 (en) * 2005-03-11 2007-12-25 Npc Corporation Powered panel moving system
US7860377B2 (en) 2005-04-22 2010-12-28 Shell Oil Company Subsurface connection methods for subsurface heaters
US7342373B2 (en) * 2006-01-04 2008-03-11 Nartron Corporation Vehicle panel control system
JP4780782B2 (ja) * 2006-12-15 2011-09-28 独立行政法人産業技術総合研究所 キャパシタンス温度計
AU2008242797B2 (en) 2007-04-20 2011-07-14 Shell Internationale Research Maatschappij B.V. In situ recovery from residually heated sections in a hydrocarbon containing formation
WO2009052054A1 (en) * 2007-10-19 2009-04-23 Shell Oil Company Systems, methods, and processes utilized for treating subsurface formations
JP2010032493A (ja) * 2008-06-25 2010-02-12 Ngk Spark Plug Co Ltd 温度センサ
BRPI0920141A2 (pt) 2008-10-13 2017-06-27 Shell Int Research sistema e método para tratar uma formação de subsuperfície.
CA2758192A1 (en) 2009-04-10 2010-10-14 Shell Internationale Research Maatschappij B.V. Treatment methodologies for subsurface hydrocarbon containing formations
US8257112B2 (en) 2009-10-09 2012-09-04 Shell Oil Company Press-fit coupling joint for joining insulated conductors
US9466896B2 (en) 2009-10-09 2016-10-11 Shell Oil Company Parallelogram coupling joint for coupling insulated conductors
AU2010303253B2 (en) * 2009-10-09 2014-01-30 Shell Internationale Research Maatschappij B.V. Methods for assessing a temperature in a subsurface formation
US8356935B2 (en) * 2009-10-09 2013-01-22 Shell Oil Company Methods for assessing a temperature in a subsurface formation
US8939207B2 (en) 2010-04-09 2015-01-27 Shell Oil Company Insulated conductor heaters with semiconductor layers
US8502120B2 (en) 2010-04-09 2013-08-06 Shell Oil Company Insulating blocks and methods for installation in insulated conductor heaters
US8943686B2 (en) 2010-10-08 2015-02-03 Shell Oil Company Compaction of electrical insulation for joining insulated conductors
US8857051B2 (en) 2010-10-08 2014-10-14 Shell Oil Company System and method for coupling lead-in conductor to insulated conductor
US8586867B2 (en) 2010-10-08 2013-11-19 Shell Oil Company End termination for three-phase insulated conductors
DE102011003199A1 (de) * 2011-01-26 2012-07-26 Siemens Aktiengesellschaft Elektrooptische Sonde
AU2012240160B2 (en) 2011-04-08 2015-02-19 Shell Internationale Research Maatschappij B.V. Systems for joining insulated conductors
JO3141B1 (ar) 2011-10-07 2017-09-20 Shell Int Research الوصلات المتكاملة للموصلات المعزولة
JO3139B1 (ar) 2011-10-07 2017-09-20 Shell Int Research تشكيل موصلات معزولة باستخدام خطوة اختزال أخيرة بعد المعالجة الحرارية.
US9080917B2 (en) 2011-10-07 2015-07-14 Shell Oil Company System and methods for using dielectric properties of an insulated conductor in a subsurface formation to assess properties of the insulated conductor
CN103438936B (zh) * 2013-09-02 2016-06-15 东南大学 基于soi片器件层硅阳极键合的电容式温度、湿度和气压传感器集成制造方法
CN105891547A (zh) * 2014-09-18 2016-08-24 扬州思必得仪器设备有限公司 一种隧穿纤维
WO2018088082A1 (ja) * 2016-11-08 2018-05-17 日本電気硝子株式会社 ガラスセラミック複合繊維およびその製造方法
KR102621992B1 (ko) * 2016-11-11 2024-01-08 엘지이노텍 주식회사 습도 센서
US10466201B2 (en) * 2018-02-01 2019-11-05 FPG Industries Ohio, Inc. Complex impedance moisture sensor and sensing method
CN109239139B (zh) * 2018-09-29 2021-02-02 厦门大学 一种纱线状湿度传感器
CN111351596B (zh) * 2020-04-21 2021-06-04 上海无线电设备研究所 一种测量温度的电容式传感器
JP2024515537A (ja) 2021-04-30 2024-04-10 ヴェーオーエム ワールド オブ メディスン ゲーエムベーハー 加熱要素、加湿材料、及び含水量を判断するためのデバイスを備えた、腹腔鏡検査の送気管

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2639247A (en) * 1949-11-17 1953-05-19 Specialties Dev Corp Method of making heat or flame detecting elements
US3210607A (en) * 1961-09-07 1965-10-05 Texas Instruments Inc Ferroelectric capacitor apparatus
US3443293A (en) * 1965-09-03 1969-05-13 Sho Masujima Method of manufacturing capacitors
US3649891A (en) * 1970-06-18 1972-03-14 Corning Glass Works Capacitive cryogenic thermometer
GB1411968A (en) * 1972-12-19 1975-10-29 Standard Telephones Cables Ltd Pressure transducer
GB1386200A (en) * 1973-05-21 1975-03-05 Shevinov P A Plant for manufacturing coated glass filament suitable for use as filamentous resistor blanks
GB2158229A (en) * 1984-05-05 1985-11-06 Graviner Ltd Temperature-sensitive arrangement
US4921328A (en) * 1989-05-26 1990-05-01 Alfred University Polycrystalline ferroelectric fiber

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06160201A (ja) 1994-06-07
FI921449A (fi) 1993-10-02
US5483414A (en) 1996-01-09
BR9301390A (pt) 1993-10-13
RU2123174C1 (ru) 1998-12-10
DE69318881T2 (de) 1998-10-01
AU662041B2 (en) 1995-08-17
AU3409693A (en) 1993-10-07
EP0564428A1 (en) 1993-10-06
CA2092609C (en) 2004-05-25
DE69318881D1 (de) 1998-07-09
CN1077023A (zh) 1993-10-06
FI921449A0 (fi) 1992-04-01
JPH087103B2 (ja) 1996-01-29
EP0564428B1 (en) 1998-06-03
CN1043927C (zh) 1999-06-30
ZA931727B (en) 1993-09-27
CA2092609A1 (en) 1993-10-02
FI92441B (fi) 1994-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI92441C (fi) Sähköinen impedanssianturi fysikaalisten suureiden, etenkin lämpötilan mittaamiseksi ja menetelmä kyseisen anturin valmistamiseksi
US5242476A (en) Process for the preparation of glass fiber optical waveguides with increased tensile strength
DE3724966C3 (de) Sensor
US4361597A (en) Process for making sensor for detecting fluid flow velocity or flow amount
CA1257960A (en) Method for manufacturing a preform for drawing optical fibres
CN86101341A (zh) 多芯光导纤维的制造方法
US5553495A (en) Impedance detector, in particular for radiosonde operation and process for manufacture of an impedance detector
CN106950643B (zh) 一种新型大包层传感光纤及其光纤传感环
JP3625874B2 (ja) 温度または湿度などの物理量を測定する電気インピーダンス検知器と、その製造方法
KR940021444A (ko) 고품질 광섬유의 제조방법
JPS6362454B2 (fi)
SE453826B (sv) Sett att framstella stavformat grundmaterial for optiska fibrer
FI98568C (fi) Sähköisesti ilmaistu impedanssianturi fysikaalisten suureiden, etenkin lämpötilan tai kosteuden, mittaamiseksi sekä menetelmä kyseisten anturien valmistamiseksi
EP2024290B1 (en) Method and system for producing an infrared transmitting fiber
CN113551798A (zh) 一种有机硅芯层/磷酸盐微晶玻璃包层光纤及制备工艺
KR100403823B1 (ko) 광섬유의제조방법
DE2623989B2 (de) Monomode-Lichtleiter
Hussein et al. Fiber-optic temperature sensor based on glass Fabry-Perot interferometer
Chen et al. Sol-gel derived WO/sub 3/coatings on Ti: LiNbO/sub 3/optical waveguide for gas sensing
JPS5837259B2 (ja) 光通信用ガラスファイバ−の製造方法
JPH01172288A (ja) 超伝導セラミックス物品
JPH01176610A (ja) 超伝導セラミックス線材の製造方法
PL139042B1 (en) Glasses for producing optical wave-guide fibres

Legal Events

Date Code Title Description
BB Publication of examined application