FI87409C - Anordning och foerfarande foer koppling av en mikrolamellkrets till en haolrumsresonator - Google Patents
Anordning och foerfarande foer koppling av en mikrolamellkrets till en haolrumsresonator Download PDFInfo
- Publication number
- FI87409C FI87409C FI910247A FI910247A FI87409C FI 87409 C FI87409 C FI 87409C FI 910247 A FI910247 A FI 910247A FI 910247 A FI910247 A FI 910247A FI 87409 C FI87409 C FI 87409C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- resonator
- circuit
- cavity resonator
- ground plane
- micro
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title claims description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title claims description 6
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- BWSQKOKULIALEW-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[4-fluoro-3-(trifluoromethyl)phenyl]-3-[2-(piperidin-3-ylamino)pyrimidin-4-yl]imidazol-4-yl]acetonitrile Chemical compound FC1=C(C=C(C=C1)C=1N(C(=CN=1)CC#N)C1=NC(=NC=C1)NC1CNCCC1)C(F)(F)F BWSQKOKULIALEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/02—Coupling devices of the waveguide type with invariable factor of coupling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
- H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/06—Cavity resonators
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
87409
Sovitelma ja menetelmä mikroliuskapiirin kytkemiseksi on-teloresonaattoriin
Keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdannon mukai-5 nen sovitelma mikroliuskapiirin kytkemiseksi ontelo- resonaattoriin .
Keksinnön kohteena on myös menetelmä mikroliuskapiirin kytkemiseksi onteloresonaattoriin.
10
Onteloresonaattori on rakenne, joka voidaan matemaattisesti mallintaa LC-resonaattoripiirinä. Ontelon mitat määräävät resonanssitaajuudet, joita on useita ontelon päämittojen mukaisesti. Onteloresonaattori herätetään transistorilla 15 sekä tähän kytketyllä mikroliuskapiirillä.
Tunnetun tekniikan mukaisesti käytetään mikroliuskapiirejä dielektristen resonaattorien kanssa aina 30 GHzrin taajuuteen saakka. Tämän taajuuden yläpuolella resonaattorin koko 20 tulee niin pieneksi, että Q-arvo (Quality factor = hyvyysar-vo) heikkenee merkittävästi. Korkeilla taajuuksilla dielekt-risen resonaattorin koko tulee lisäksi niin pieneksi, että massavalmistuksen kannalta resonaattorin sijoittaminen luotettavasti mikroliuskapiiriin on erittäin hankalaa.
: 25
Millimetriaalloille käytetään aaltoputki (= waveguide) järjestelmissä pääasiassa diodioskillaattoreita. Nämä ovat kuitenkin kömpelöitä ja kalliita.
30 Mikroliuskapiirien ja onteloresonaattorien yhdistelmiä on käytetty aina useiden gigahertsien taajuuteen saakka, mutta millimetriaalto-alueella tyypillinen kytkemistapa, pieni mittapää, tulee valmistusteknisesti äärirajoilleen.
35 Tämän keksinnön tarkoituksena on poistaa edellä kuvatun tekniikan puutteellisuudet ja aikaansaada aivan uudentyyppinen sovitelma ja menetelmä mikroliuskapiirin kytkemiseksi onteloresonaattoriin.
2 874Ö9
Keksintö perustuu siihen, että kytkentä mikroliuskasta onteloresonaattoriin toteutetaan maatasoon tehdyn kytkentä-tason aukon ja sopivasta dielektrisestä aineesta olevan kytkentäkappaleen pinnalla olevan levysäteilijän avulla.
5 Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle sovitelmalle on tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
10 Keksinnön mukaiselle menetelmälle puolestaan on tun nusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 4 tunnusmerkkiosassa .
Keksinnön avulla saavutetaan huomattavia etuja.
15
Keksinnön mukainen resonaattori on helposti valmistettavissa taajuusalueelle 1 GHz - 100 GHz. Yläsuojusta ei tässä ratkaisussa tarvita, koska levysäteilijä suuntaa säteilyn kohti onteloresonaattoria. Eri resonanssimuotojen valin-20 ta/vaimennus on helposti toteutettavissa muuttamalla levysäteilijän sijaintia ja mittoja sopivasti onteloresonaattoriin nähden. Myös taajuuden lämpötilakompensaatio on helposti toteutettavissa valitsemalla levysäteilijäsubstraa-tille materiaali, jolla on kompensoiva dielektrisyysvakion • . 25 eP lämpötilakerroin.
Keksintöä ryhdytään seuraavassa lähemmin tarkastelemaan oheisten kuvioiden mukaisten suoritusesimerkkien avulla.
30 Kuvio 1 esittää levitettynä perspektiivikuvantona keksinnön mukaista mikroliuskapiirin ja onteloresonaattorin kytkentää.
Kuvio 2a esittää keksinnön mukaisen kytkennän ensimmäistä vaihtoehtoista läpäisykerrointa mikroliuskajohdossa.
Kuvio 2b esittää keksinnön mukaisen kytkennän toista vaihtoehtoista läpäisykerrointa mikroliuskajohdossa.
... 35 3 8 7 409
Kuvio 3 esittää yläkuvantona keksinnön mukaisen ratkaisun kytkentäkokonaisuutta.
Kuviossa 1 käytännössä yhteen liitetyt osat on havainnolli-5 suuden vuoksi piirretty erilleen toisistaan. Käytännössä sekä päälevy 1 ja maataso 2 ovat samaa kokonaisuutta ja esimerkiksi liimatut toisiinsa. Päälevyn 1 yläpinnalla on mikroliuskakytkennän 3 sovitinpiiri 11, jolla piiri 3 sovitetaan resonaattoriin 4. Mikroliuskakytkentä 3 on muodostet-10 tu päälevyn 1 pinnalle esimerkiksi ohutkalvotekniikalla.
Liuskapaksuus on sopivasti 10 - 15 Mm ja liuskaleveys tyypillisesti 0,2 mm. Resonaattori 4 puolestaan sijaitsee maatason 2 alapuolella ja maatason 2 sekä resonaattorin 4 väliin sovitetaan eristelevy 5, joka sijaitsee maatasoon 2 15 tehdyn aukon 6 kohdalla. Eristelevyä 5 kutsutaan tässä myös säteilijäsubstraatiksi. Eristelevy 5 kiinnitetään paikalleen esimerkiksi liimaamalla. Itse johtava levysäteilijä 7 sijaitsee eristelevyn 5 resonaattorin 4 puoleisella sivulla. Näin eristelevy 5 erottaa levysäteilijän 7 galvaanisesti 20 maatasosta 2. Itse levysäteilijä 7 on neliömäinen ja tyypillisesti neliön sivun pituus on 1/2 käytetystä aallonpituudesta. Aallonpituuden siis määrää resonaattorin toimintataajuus. Levysäteilijän 7 sijainti pystysuunnassa, kohtisuoraan päälevyyn 1 nähden, ei ole erityisen kriittinen. Esimerkki-25 tapauksessa levysäteilijä 7 on eristelevyn 5 paksuuden päässä maatasosta 2 ja samalla tasolla onteloresonaattorin 4 yläpinnan 10 kanssa. Toiminnallisesti levysäteilijä 7 on eräänlainen yagi-antenni, joka suuntaa mikroliuskakytkennän 3 energian kohti onteloresonaattoria 4. Sopiva esimerkkiini -30 toitus 39 GHz:n resonaattorille voisi olla vaikka seuraava: päälevyn 1 paksuus = 0,254 mm päälevyn 1 materiaali = alumiinioksidi ai2o3 35 päälevyn 1 dielektrisyysvakio er = 9,9 päälevyn 1 paksuus = 0,254 mm resonaattorin 4 ontelon halkaisija d = 6 mm resonaattorin 4 ontelon korkeus h = 3 mm 4 87409 resonaattorin 4 materiaali = johtava aine, esim. metalli maatason 2 materiaali = kulta tai nikkelilej ee- 5 rinki aukon 6 pituus 1 n. puoli aallonpituutta = 2,0 mm aukon 6 leveys w = 0,3 mm säteilijäsubstraatin 5 materiaali = teflon säteilijäsubstraatin 5 10 dielektrisyysvakio ep = 2,2 säteilijäsubstraatin 5 paksuus = 0,5 mm levysäteilijän 7 koko, a = b = λ/2 = 2,5 mm levysäteilijän 7 materiaali = kulta, kupari levysäteilijän 7 paksuus = 10-15 μιιι 15
Kuvion 2a mukaisesti on kuvion 1 mukaista kytkentää mitattu silloin, kun onteloresonaattorin 4 sijaintia muuhun rakenteeseen nähden on siirretty. Siirto toteutetaan onteloresonaattorin 4 ylätason 10 suuntaisesti. Koordinaatisto on 20 vapaasti valittavissa, tässä tapauksessa onteloresonaattoria 4 on siirretty x-suunnassa 5 mm muuhun rakenteeseen nähden ja y-siirtymää ei ole ollut. Resonanssipiikit ovat sattuneet likimain taajuuksille 35,8 GHz ja 37,8 GHz.
-·· 25 Kuvion 2b mukaisesti on kuvion 1 mukaista kytkentää mitattu silloin, kun onteloresonaattorin 4 sijainti on poikennut alkuasemasta y-suunnassa 1,2 mm eikä x-siirtymää ole ollut. Resonanssipaikki on sattunut likimain taajuudelle 31,5 GHZ.
30 Kuvio 3 esittää todellista mikroliuskakytkentää 39 GHz:n taajuutta varten. Kuvio on mittakaavassa ja yhden millimetrin mittajana on piirretty kuvion vasempaan alanurkkaan. Kuvion 3 mukaisesti MESFET-transistori 20 on sijoitettu mikroliuskakytkentaän siten, että nielu (drain) on kytketty 35 tasavirtalähteeseen 21 johdinten 22 ja (ei-esitetyn) bon-dauksen avulla. Lähde (source) on taas kytketty biasvastuk-sen 23 kautta maahan. Maatasona toimii levy 24, joka puolestaan on kytketty substraatin 1 takana olevaan maatasoon.
5 8 7 4 C 9 MESFETrin 20 vasemmalla puolella on hila (gate), joka on puolestaan kytketty mikroliuskaan 25. Mikroliuska 25 on kytketty toisesta päästään maahan 50 Ω:η vastuksen kautta. Onteloresonaattorin 4 kohdalla mikroliuskassa 25 on sovitin-5 piiri 26 mikroliuskan 25 sovittamiseksi onteloresonaattoriin 4. Sovitinpiirin 26 alla on maatason aukko 6 ja tämän alla puolestaan (ei-esitetty) levysäteilijä. MESFETrin nielu (drain) on kytketty ulostuloliuskaan 28 ohutkalvotekniikalla toteutetun kondensaattorin 27 välityksellä. Kondensaattorin 10 27 tarkoituksena on tasajännitekomponentin poiskytkeminen.
Suurempi resonaattori 4' kuvaa vaihtoehtoista resonaattori-ratkaisua.
15
Claims (4)
1. Sovitelma mikroliuskapiirin (3) kytkemiseksi ontelo-resonaattoriin (4), joka sovitelma käsittää 5 - päälevyn (1), - päälevyn (1) yhdelle pinnalle muodostetun mikro-liuskapiirin (3), 10 - päälevyn (1) toiselle pinnalle muodostetun maa-tason (2), jossa on aukko (6) ja - onteloresonaattorin (4), joka on sijoitettu 15 maatason (2) aukon (6) kohdalle resonaattorin kytkemiseksi mikroliuskapiiriin (3), tunnettu siitä, että 20. mikroliuskapiiri (3) on lisäksi kytketty ontelo- resonaattoriin (4) maatason (2) ja onteloresonaattorin (4) väliin asennettiin levysäteilijän (7) avulla.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen sovitelma, tunnettu siitä, että levysäteilijä (7) on tasomainen ja neliömäinen ja neliön mitat ovat λ/2 x λ/2, jossa λ on resonaattorin toimintataajuutta vastaava aallonpituus.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen sovitelma, tunnettu siitä, että levysäteilijä (7) on muodostettu alustalle (5), joka on teflonia.
4. Menetelmä sellaisen mikroliuskapiirin kytkemiseksi onte-35 loresonaattoriin, joka käsittää - päälevyn (1), 7 87409 - päälevyn (1) yhdelle pinnalle muodostetun mikro-liuskapiirin (3), - päälevyn (1) toiselle pinnalle muodostetun maa- 5 tason (2), jossa on aukko (6) ja - onteloresonaattorin (4), joka on sijoitettu maatason (2) aukon (6) kohdalle resonaattorin kytkemiseksi mikroliuskapiiriin (3), 10 tunnettu siitä, että - mikroliuskapiiri (3) kytketään lisäksi ontelo-resonaattoriin (4) maatason (2) ja onteloreso- 15 naattorin (4) väliin asennettun levysäteilijän (7) avulla. 8 87409
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI910247A FI87409C (fi) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | Anordning och foerfarande foer koppling av en mikrolamellkrets till en haolrumsresonator |
| EP92902229A EP0567485A1 (en) | 1991-01-17 | 1992-01-17 | Assembly and method for coupling a microstrip circuit to a cavity resonator |
| PCT/FI1992/000013 WO1992013371A1 (en) | 1991-01-17 | 1992-01-17 | Assembly and method for coupling a microstrip circuit to a cavity resonator |
| US08/084,225 US5396202A (en) | 1991-01-17 | 1992-01-17 | Assembly and method for coupling a microstrip circuit to a cavity resonator |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI910247A FI87409C (fi) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | Anordning och foerfarande foer koppling av en mikrolamellkrets till en haolrumsresonator |
| FI910247 | 1991-01-17 |
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI910247A0 FI910247A0 (fi) | 1991-01-17 |
| FI910247A FI910247A (fi) | 1992-07-18 |
| FI87409B FI87409B (fi) | 1992-09-15 |
| FI87409C true FI87409C (fi) | 1992-12-28 |
Family
ID=8531755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI910247A FI87409C (fi) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | Anordning och foerfarande foer koppling av en mikrolamellkrets till en haolrumsresonator |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5396202A (fi) |
| EP (1) | EP0567485A1 (fi) |
| FI (1) | FI87409C (fi) |
| WO (1) | WO1992013371A1 (fi) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08222940A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | アンテナ装置 |
| US5793263A (en) * | 1996-05-17 | 1998-08-11 | University Of Massachusetts | Waveguide-microstrip transmission line transition structure having an integral slot and antenna coupling arrangement |
| US5874919A (en) * | 1997-01-09 | 1999-02-23 | Harris Corporation | Stub-tuned, proximity-fed, stacked patch antenna |
| KR100207600B1 (ko) * | 1997-03-31 | 1999-07-15 | 윤종용 | 공진기 부착형 마이크로스트립 다이폴 안테나 어레이 |
| EP0874415B1 (en) * | 1997-04-25 | 2006-08-23 | Kyocera Corporation | High-frequency package |
| US5821836A (en) * | 1997-05-23 | 1998-10-13 | The Regents Of The University Of Michigan | Miniaturized filter assembly |
| US5912598A (en) * | 1997-07-01 | 1999-06-15 | Trw Inc. | Waveguide-to-microstrip transition for mmwave and MMIC applications |
| DE19757892A1 (de) | 1997-12-24 | 1999-07-01 | Bosch Gmbh Robert | Anordnung zur frequenzselektiven Unterdrückung von Hochfrequenzsignalen |
| DE19815003A1 (de) * | 1998-04-03 | 1999-10-14 | Bosch Gmbh Robert | Dual polarisiertes Antennenelement |
| US6147647A (en) * | 1998-09-09 | 2000-11-14 | Qualcomm Incorporated | Circularly polarized dielectric resonator antenna |
| US6486748B1 (en) | 1999-02-24 | 2002-11-26 | Trw Inc. | Side entry E-plane probe waveguide to microstrip transition |
| US6292141B1 (en) | 1999-04-02 | 2001-09-18 | Qualcomm Inc. | Dielectric-patch resonator antenna |
| US6344833B1 (en) | 1999-04-02 | 2002-02-05 | Qualcomm Inc. | Adjusted directivity dielectric resonator antenna |
| US6452565B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-09-17 | Antenova Limited | Steerable-beam multiple-feed dielectric resonator antenna |
| US6870438B1 (en) * | 1999-11-10 | 2005-03-22 | Kyocera Corporation | Multi-layered wiring board for slot coupling a transmission line to a waveguide |
| US6326922B1 (en) | 2000-06-29 | 2001-12-04 | Worldspace Corporation | Yagi antenna coupled with a low noise amplifier on the same printed circuit board |
| JP3830029B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2006-10-04 | 日本電波工業株式会社 | 平面回路 |
| US7333057B2 (en) * | 2004-07-31 | 2008-02-19 | Harris Corporation | Stacked patch antenna with distributed reactive network proximity feed |
| KR100706024B1 (ko) * | 2005-10-19 | 2007-04-12 | 한국전자통신연구원 | 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치 |
| WO2008122831A1 (en) * | 2007-04-10 | 2008-10-16 | Nokia Corporation | An antenna arrangement and antenna housing |
| JP5171819B2 (ja) * | 2007-06-14 | 2013-03-27 | 京セラ株式会社 | 直流阻止回路、ハイブリッド回路装置、送信器、受信器、送受信器およびレーダ装置 |
| WO2009123233A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 京セラ株式会社 | 高周波モジュールおよびその製造方法ならびに該高周波モジュールを備えた送信器、受信器、送受信器およびレーダ装置 |
| DE112009000911B4 (de) * | 2008-03-31 | 2015-06-18 | Kyocera Corp. | Hochfrequenzmodul und Verfahren zu seiner Herstellung und Sender, Empfänger, Sender-Empfänger und Radarvorrichtung, die das Hochfrequenzmodul umfassen |
| US8711044B2 (en) | 2009-11-12 | 2014-04-29 | Nokia Corporation | Antenna arrangement and antenna housing |
| WO2018116416A1 (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 三菱電機株式会社 | 導波管マイクロストリップ線路変換器およびアンテナ装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH533368A (de) * | 1971-10-14 | 1973-01-31 | Siemens Ag Albis | Schaltungsanordnung mit einem Hohlraumresonator |
| US4211987A (en) * | 1977-11-30 | 1980-07-08 | Harris Corporation | Cavity excitation utilizing microstrip, strip, or slot line |
| US4562416A (en) * | 1984-05-31 | 1985-12-31 | Sanders Associates, Inc. | Transition from stripline to waveguide |
| IT1207069B (it) * | 1986-05-14 | 1989-05-17 | Gte Telecom Spa | Linea di trasmissione a microstriscia per accoppiamento a risonatore dielettrico. |
| US4937585A (en) * | 1987-09-09 | 1990-06-26 | Phasar Corporation | Microwave circuit module, such as an antenna, and method of making same |
| US4903033A (en) * | 1988-04-01 | 1990-02-20 | Ford Aerospace Corporation | Planar dual polarization antenna |
-
1991
- 1991-01-17 FI FI910247A patent/FI87409C/fi active
-
1992
- 1992-01-17 WO PCT/FI1992/000013 patent/WO1992013371A1/en not_active Application Discontinuation
- 1992-01-17 US US08/084,225 patent/US5396202A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-17 EP EP92902229A patent/EP0567485A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1992013371A1 (en) | 1992-08-06 |
| FI910247A0 (fi) | 1991-01-17 |
| US5396202A (en) | 1995-03-07 |
| FI87409B (fi) | 1992-09-15 |
| EP0567485A1 (en) | 1993-11-03 |
| FI910247A (fi) | 1992-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI87409C (fi) | Anordning och foerfarande foer koppling av en mikrolamellkrets till en haolrumsresonator | |
| US6127901A (en) | Method and apparatus for coupling a microstrip transmission line to a waveguide transmission line for microwave or millimeter-wave frequency range transmission | |
| US8416030B2 (en) | Impedance tuner systems and probes | |
| US6856131B2 (en) | Magnetic sensor, side-opened TEM cell, and apparatus using such magnetic sensor and side-opened TEM cell | |
| Luo et al. | Development of low profile cavity backed crossed slot antennas for planar integration | |
| TWI414103B (zh) | 建構及包裝供毫米波應用的波導至平面傳輸線轉態之裝置及方法 | |
| US4453142A (en) | Microstrip to waveguide transition | |
| EP0752734A1 (en) | Nonradiative dielectric wave guide apparatus and instrument for measuring characteristics of a circuit board | |
| JPH0666589B2 (ja) | 可同調導波管発振器 | |
| US5157337A (en) | Dielectric constant measurement probe assembly and apparatus and method | |
| US9431713B2 (en) | Circularly-polarized patch antenna | |
| Polat et al. | Liquid crystal phase shifter based on nonradiative dielectric waveguide topology at W-band | |
| US6812800B2 (en) | Atomic oscillator | |
| CN112332840B (zh) | 基于微带线结构的超小型原子频标微波腔 | |
| US4423398A (en) | Internal bi-metallic temperature compensating device for tuned cavities | |
| Dube et al. | Dielectric Measurements on High‐Q Ceramics in the Microwave Region | |
| JPS6141441B2 (fi) | ||
| HU216219B (hu) | Planárantenna | |
| CA1256518A (en) | Coupling device between an electromagnetic surface wave line and an external microstrip line | |
| KR100289618B1 (ko) | 결합전송선로셀 | |
| EP1474842B1 (en) | Waveguide to microstrip transition | |
| Grimault-Jacquin et al. | Characteristics of coplanar waveguide of small cross section on BCB with coplanar ground to conductor-backed plane interconnection | |
| NZ248331A (en) | Cavity resonator with temperature compensator | |
| US7535316B2 (en) | Self-supported strip line coupler | |
| US5798676A (en) | Dual-mode dielectric resonator bandstop filter |