FI64878C - Kombinationsfilm foer isynnerhet tunnfilmelektroluminensstrukturer - Google Patents

Kombinationsfilm foer isynnerhet tunnfilmelektroluminensstrukturer Download PDF

Info

Publication number
FI64878C
FI64878C FI821647A FI821647A FI64878C FI 64878 C FI64878 C FI 64878C FI 821647 A FI821647 A FI 821647A FI 821647 A FI821647 A FI 821647A FI 64878 C FI64878 C FI 64878C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
film
thickness
composite film
layers
alumina
Prior art date
Application number
FI821647A
Other languages
English (en)
Other versions
FI64878B (fi
FI821647A0 (fi
Inventor
Jarmo Skarp
Original Assignee
Lohja Ab Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lohja Ab Oy filed Critical Lohja Ab Oy
Priority to FI821647A priority Critical patent/FI64878C/fi
Publication of FI821647A0 publication Critical patent/FI821647A0/fi
Priority to US06/488,178 priority patent/US4486487A/en
Priority to GB08311576A priority patent/GB2120845B/en
Priority to DE3316114A priority patent/DE3316114A1/de
Priority to DD83250751A priority patent/DD209845A5/de
Priority to JP58080241A priority patent/JPS58206095A/ja
Priority to FR8307757A priority patent/FR2526622B1/fr
Publication of FI64878B publication Critical patent/FI64878B/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI64878C publication Critical patent/FI64878C/fi

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02186—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing titanium, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
    • Y10T428/24975—No layer or component greater than 5 mils thick

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Description

64878
Varsinkin ohutkalvo-elektroluminenssirakenteissa käytettävä yhdistelmäkalvo Tämän keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 5 1 johdannon mukainen y h di s t e linäkal vo .
Tällainen kalvo on sopivimmin valmistettavissa ns. ALE-(Atomic Layer Epitaxy)-menetelmän avulla kasvattamalla. Tämä menetelmä on selostettu mm. FI-patentti-hakemuskissa 7^3^73 ( US-pat entt i j ulkai sus sa 4 058 1+30 ) 10 ja 790680.
Tekniikan tasona viitattakoon myös seuraaviin julkaisuihin: /1/ Takeuchi, M et ai: "Dielectrics Properties of Sputtered TiFilms", Thin Solid Films, 15 (51), 1978 /2/ De Wit, II, J et al : "The Dielectric Breakdown of Anodic Aluminium Oxide", Journal of Electrochemical Society, vol. 123, No. 10, Oct. 1979 /3/ Maissel, L I ja Glang, R: "Handbook of Thin 20 Film Technology" McGraw-Hill, /1+/ Chopra, K L: "Thin Film Pehnoiena", McGraw-Hill, N.Y. 1969 /5/ Silvestri, V J et al: "Properties of Al^O^
Film Deposited from the AlCl^» CO^ and H^ 25 System", J. Electrochem. Soc. vol 125, n:0 6 , Jun. 1978 /6/ The Merck Index, 9th edition, USA, 1976 111 Nguyen, T 11 et al: "The Chemical Nature of Aluminium Corrosion: III The Dissolution 30 Mechanism of Aluminium Oxide and Aluminium
Powder in Various Electrolytes", J. Electrochem, Soc., vol. 127, n:o 12, Dec. 1980 /8/ Bernard, W J et al: "Trapped Oxygen in' Aluminium Oxide Films and Its Effect on Dielectric Stability." J. Electrochem. Soc., 35 vol. 127, n:0 6, Jun. 1980 2 64878 /9/ Niinistö: yksityinen tieonanto /10/ Feuersanger, A E: "Titanium Dioxide Dielectric
Films Prepared by Vapor Reaction", Proc . of the IEEE, Dec. 1961+ 5 /11/ Hayashi , S et al: "Chemical Vapor Deposition of Rutile Films", Journal of Crystal Growth, 3b, 1976 /12/ Harris, L A and Schumacher, R: "The Influence of Preparation on Semiconducting Rutile 10 (TiO )" J. Electrochem Soc., vol. 127, no 5,
May 1980 /13/ Armigliato, A et al: " Characterization of
TiO^ Films and Their Application as Antireflection Coatings for Silicon Solar Cells" 15 Solar Cells , (3) 1981.
Alumiinioksidi on amorfinen eristeaine, jota käytetään ohutkalvoteollisuudessa laajalti. Sitä valmistetaan kaikilla tyypillisillä ohutkalvovalmistusmenetelmillä alkaen alumiinimetallin anodi so innista ja päätyen erilaisiin 20 CVD-kasvatuksiin.
Alumiinioksidista raportoiduissa tiedoissa on paljon hajontaa, mikä johtuu sekä lukuisista valmistusmenetelmistä että eri mittaussysteemeistä. Taulukossa 1 on esitetty alumiinioksidille ilmoitettuja tyypillisiä arvoja 25 (suluissa vaihteluväli).
ε V. /MV cm 1 Q/MV cm n <x · 10 ^ r br 8,8 (6-10) 6-8 35-70 1,55-1,76 7+1 30 _
Taulukko 1. Al^O^-ohutkalvojen tyypillisiä arvoja /2,3,U,5/
Dielektrisen kertoimen aleneminen tyypillisestä 35 n. 9:stä arvoon 6 selitetään oksidirakenteen vajaasidok- s i suudella.
3 64878
Dielktristen lujuuksien tulosten yhteydessä ei yleensä kerrota mittaussysteemistä, jolloin arvojen vertaaminen toisiinsa on vaikeaa.
Taitekertoiinen muutos heijastaa aineen tiheyden 5 muutoksia, jos rakenne muuten pysyy samanlaisena.
Alumiinioksidi on kemiallisesti hyvin stabiili.
Se ei itsessään liukene veteen /6/. Myöskään alumiinihyd-roksyyli AI(OH)g ei liukene. Sen sijaan jos kalvossa on klooria, voi liukeneminen tapahtua muodossa Al(0H2)Clo“ /7/.
10 Jos alumiinioksidikalvossa on huokosia, voidaan kalvon liu keneminen selittää myös näiden avulla /8/.
Alumiinioksidi on kauimmin valmistettuja ALE-kal-voja, mutta silti sen laadussa on selittämättömiä vaihteluja. Eräs konkre e11isimmista esimerkeistä laadun vaih-15 teinistä on alumiinioksidin liukeneminen veteen. Eräässä vaiheessa (kesällä 1981) alumiinioksidit liukenivat täysin kiehuvaan ionivaihdettuun veteen. Pari kuukautta myöhemmin ei mitään liukenemista enää havaittu.
Titaanioksidilla on kolme kidemuotoa, rutiili, 20 brookiitti ja anataasi. Rutiili on näistä yleisin ja sta biilein. TiOg, χ voi esiintyä myös amorfisena. Eri ominaisuudet ovat kidemuodosta riippuvia ja lisäksi eri kide-suunnissa on eroja.
Ohutkalvoissa voi yhtäaikaa esiintyä monenlaisia 25 kidemuotoja sekä amorfista Ti02:ta. Niinpä eri kalvojen ominaisuudet poikkeavat voimakkaasti toisistaan valmistus-erojen vuoksi. Taulukossa 3 on esitetty eri ohutkalvojen ominaisuuksia.
30 Ti G e V /MV cm n p/Q. cm a/lämpö- r r laaj.kerr.
Ohutkalvo U0-60(25-80) 0,2-0,7 2,2-2,8 10^-107 (10-2-1012) 8.· 10 b
Rutiili 117 2,7 1012 3^, brookiitti 78
Anatuusi 3 1 2,3 5
Taulukko 3. TiO^n raportoituja ominaisuuksia /3,^,10,11/ 64878
Titaanioksidin sähköoptisia tunnusmerkkejä ovat suuri dielektrisyysvakio (εΓ), suuri taitekerroin (n) ja suurella alueella liikkuva ominaisvastus (p). Ominais-vastuksen suuri liikkuma-alue johtuu osaksi kalvojen kide-5 rakenne-eroista, osaksi kalvojen epätäydellisyyksistä.
Happivakanss it vaikuttavat voimakkaasti johtavuuteen, mutta myös eräät seosaineet, mm. fluori ja vety, lisäävät sitä. Happivakan s s eja on raportoitu syntyvän tyhjössä lämpö-käsittelyssä (700 C), jolloin TiO^ luovuttaa happea ja sen 10 johtavuus kasvaa /1H/. Titaanioksidin melko pienen kielle tyn energiavyön leveyden (n. 3 eV) vuoksi on sillä myös vai o j oht avuust aipurnuk siä.
Titaanioksidikalvon kiderakenne on valmistustekniikasta ja -parametreista riippuva. Kasvatus1ämpötilan 15 ollessa alhainen (50-30U°C) kalvo on amorfinen ja päätyy erilaisten sekamuotojen kautta rutiiliin lämpötilan noustessa /13/.
Kiderakenteen vaikutus johtavuuteen on selostettu viitteessä /11/, jossa on esitetty sputteroidun TiO^-kal-20 von resistiivisyys ja dielektrisyysvakio kalvonpaksuuden funkt iona.
Resistiivisyys on pieni 1 ym:n paksuuteen asti, josta se alkaa eksponentiaalisesti kasvaa. Vastaavasti kalvon röntgendi ffraktioanalyysis sä vasta 1 ym:n kohdal-25 la havaitaan merkkejä kiteytyneestä kalvosta (anataasi- ja rutiilisekoitus ) . Mitä paremmin kalvo on kiteytynyt, sitä pienempi on johtavuus ja sitä suurempi dielektrisyysvakio.
Reaktiivisesti höyrystetyn TiO^-kalvon taiteker-toimen kasvu kasvatuslämpötilan funktiona /13/ voidaan se- 30 littaa kalvon kiderakenteen muutoksilla (amorfinen --> ru- t iili ) .
Titaanioksidi on kemiallisilta ominaisuuksiltaan erittäin passiivista. Ge ei liukene veteen, HC1:ään'eikä H!J0,:eeri. Se liukenee kuumaan ilF:äun ja H^S0^:oon /6/.
35 Suoritetuissa kokeissa pyrittiin kirjaamaan 500°C’:n 5 64878 lämpötilassa kasvatetun ALE-TiO^-kalvon ominaisuuksia ja osittain niiden riippuvuutta kasvatuslämpötliasta.
Titaanioksidi valmistetaan titaanit etrakloridi sta ja vedestä. Rerusreaktio on kaavan 1 mukainen 5 (1) Ti Cl^ + 2 H20 -> Ti02 + U HC1
Reaktion on CVD-kasvatuksissa raportoitu tapahtuvan jopa alle huoneenlämpötilan olevissa lämpötiloissa /12/. 10 Kokeiden perusteella Ti02:sta voidaan tiivistel män omaisesti sanoa seuraavasti: ALE-TiOg on voimakkaasti kiteytyvä, dekoratiivinen kalvo. Kalvo vaatii A^O^-kasvualustan.
ALE-titaanioksidi on aineominaisuuksiltaan eris-15 teen ja johteen välissä. Ominaisvastus on 10^ Ω cm. Omi naisvastus on voimakkaasti kasvatuslämpötilan funktio.
Taitekerroinmittaukset eivät olleet luotettavia. Kuitenkin näiden perusteella joko titaanioksidi ei ole kovinkaan tiivistä tai kalvon kidemuoto on jotakin muuta 20 kuin rutiilia.
Kemiallisesti titaanioksidi on hyvin inerttiä.
Kalvo saatiin liukenemaan ainoastaan kuumaan väkevään fluori vety happoon .
Seuraavassa taulukossa on esitetty ALE-Ti02:sta 25 lämpötilassa 500°C mitatut ominaisuudet.
„ #) epävarma ε p/Ω cm n r f *) 30 - 10 2,1~0,2
Taulukko . Mitattuja ALE-Ti02:n ominaisuuksia.
Keksinnön tarkoituksena on kehittää titaanioksi-35 dista ja alumiinioksidista seoskalvo, jonka dielektriset 6 64878 ja optiset ominaisuudet olisivat alkuperäiskalvojen väliltä. Koska yhtäaikaisseostuksella ei ollut saatu aikaan suuria seossuhteita /1/, keksinnön mukainen yhdistelmäkal-vo on valmistettu ohuista vuorottaisista Al^O^- ja TiO^-5 kerroksista. Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaisel le yhdistelmäkalvoi1e on tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosa s sa. Tästä johtuu myös eristerakenteen seuraavassa käytettävä nimi, ATO ,
K
kerroksittain kasvatettu AI^/Ti0^-seoskaivo.
10 Titaanioksidille tiedettiin raportoidun dielektri- syysvakion arvoja 10 - 60 ja taitekerrointa 2,7· Vastaavat alumiinioksidin arvot ovat 9 ja 1,7. IT0:n ja ZnS:n välissä olevan eristemateriaalin opt imit a itekerro in on näiden aineiden taitekertoimien geometrinen keskiarvo, n. 2,17.
15 Jos tätä arvoa pitää lähtökohtana ja laskee ATO :hon tar-
K
vittavan TiO^/Al^O^-seossuhteen , saa täksi arvoksi 0,i+5/0,55. Tällä suhteella laskettuna eristemateriaalin hiiksi saadaan 25· Näitä arvoja voidaan pitää AT0^:n optimit avo itteenä.
20 Keksintöä ryhdytään seuraavassa lähemmin tarkaste lemaan liitteinä olevien piirustusten avulla.
Kuvio 1 esittää graafisesti kahden keksinnön mukaisen kalvosarjan seospitoisuuksia jaksosuhteiden funkt iona.
25 Kuvio 2 esittää graafisesti yhden keksinnön mukai sen yhdistelmäkalvon dielektristä lujuutta seospitoisuuden funktiona.
Kuvio 3 esittää graafisesti yhden keksinnön mukaisen yhdistelmäkalvon dielektristä lujuutta Al^O^-kerrok- 30 sen funktiona.
Kuvio 1 esittää yhtä keksinnön mukaisen kalvon dielektrisiä ominaisuuksia selittävää sijaiskytkentää.
Kuvio 5 esittää toista keksinnön mukaisen kalvon dielektrisiä ominaisuuksia selittävää sijaiskytkentää.
35 Kuvio 6 esittää graafisesti yhden keksinnön mu- 7 64878 kaisen yhdistelmäkalvon taitekertoimen riippuvuutta seos-suhtee sta.
Kerroksittain kasvatettu Al^0^/Ti0^-rakenne käyttää hienosti hyväkseen ALE-tekniikan helppoutta kontrol-5 loida kasvatettavan kalvon paksuutta. Vaikka kerrosraken- teen tekeminen muilla ohutkalvokasvatusmenetelmillä ei olekaan mahdotonta, soveltuu ALE-t ekn i ikka TiO^.-n ja Al^O :n kerroskasvatukseen muita luontevammin.
Titaanioksidi ja alumiinioksidi poikkeavat toisis-10 taan melkoisesti: eriste ja johde, amorfinen ja kiteinen, pieni- ja suuritaitekertoiminen. Kuitenkin, kun näitä sopivasti kerrostetaan, saadaan aikaan ominaisuuksia, jotka osittain ovat lähdekaivojensa ominaisuuksien välissä (taitekerroin, ε , kiderakenne) ja osittain poikkeavat kumroan-15 kin ominaisuuksista (eristysominaisuudet).
ATO -kalvo koostuu hyvin ohuista (n. 50 Ä) Al^O -k d 3 ja Ti0^-kaivoista. Kun kalvon paksuudet ovat näin pieniä, kalvojen ominaisuuksia on vaikea ennustaa lähtien paksumpien kalvojen mittaustuloksista. Hyvin ohuita kalvoja ei 20 ole tutkittu dielektriseltä kannalta, joten kerrosraken- teen ominaisuuksien selvittäminen vaatii omakohtaisia mittauksia. Ainoa tieto, mikä tukee ohuiden kalvojen valmistusta, on se, että eristekalvojen dielektriset ominaisuudet paranevat kalvon paksuuden pienetyessä.
25 ATO^rn eri kerrokset eli Al^O^- ja TiO^-kerrokset valmistetaan kuten vastaavat yksittäiset kalvot, mistä yllä on ollut puhe. Ainoan merkittävän erityispiirteen kal-vonkasvatukseen tuo alumiinikloridin ja titaanioksidin välinen etsausreaktio (3) 30 (3) k A1C1 + 3 TiOg -> 3 TiCl^ + 2 Alg0
Jos reaktio 3 voisi jatkua loputtomiin, ei kerros- rakenne ALE-menetelmällä näistä lähtöaineista olisi mah- 35 . . . . ....
dollinen. Kuitenkin reaktiossa syntyvä Al^O^toimu kemiallisena puskurina titaanioksidin ja AlCl^:n välissä py- 8 64878 säyttäen reaktion.
Syntyvän alumiinioksidikerroksen paksuutta voi arvioida pitoisuusmittausten ja sähköisten mittausten avulla.
5 Kuviossa 1 on esitetty kahden eri ATO^-rakenteen seos suhde jaksosuhteen funktiona.
Kuviosta 1 havaitaan, että jaksosuhteeseen 1,0 eli puhtaaseen TiO^ceen extrapoloitu käyrä jää molemmissa tapauksissa huomattavasti alle 100#:n. Tämä johtuu etsausker-10 roksesta, joka toimii porrasfunktion tavoin. Etsauskerrok- sen paksuus voidaan nyt laskea suhteessa titaanioksidin kasvunopeuteen. 30-sarjan tapauksessa saadaan arvoksi 13 · Ti/j ja 100-sarjan tapauksessa vastaavasti 11 · Ti/j.
Titaanioksidin kasvunopeudella 0.5 A/j etsauskerroksen 15 paksuudeksi saadaan n. 6 Λ. Tämä arvo on myös yhteneväi nen optisten ja sähköisten mittauksien avulla saataviin arvoihin (10 ± 5 A).
. Alumiinioksiidin moolitilavuudeksi ilmoitetaan 26 cmJ ja vastaavasti titaanioksidin (rutiilin) mooli-20 tialvuudeksi 19· Kaavan (¾) mukaan saadaan etsautuvan ti taanioksidin ja syntyvän alumiinioksidin suhteeksi 3/2.
Kun tällä suhteella kerrotaan moolitilavuuksien suhde, saadaan reaktioon osallistuvien tilavuuksien suhde Vm._ /VA1 _ = 1,1. Reaktiossa siis likimain etsau- 25 tuu titaanioksidia yhtä paksulti kuin alumiinioksidia syn tyy ·
Edellä esitetyn pohjalta voidaan esittää seuraava karkeahko kaava seospitoisuuden ja jaksosuhteiden välille 30 ( li ) Ti/ATO = ~ —— %
Ti/j + Al/j
Kerrospaksuuksien kasvaessa etsauskerroks en suhteellinen osuus pienenee. Hyvin ohuilla kerrospaksuuksil-35 la kaava ei enää pidä paikkaansa. Kaavassahan edellyte- 9 64878 tään vakio- ja yhtäsuuria kasvunopeuksia, mutta tämä ei aivan pidä paikkaansa kasvutapahtuman alussa (pintatilan-ne erilainen). Hyvin ohuista TiO^-kerroksista (<12 jaksoa) on löytynyt huomattavasti titaania (n. 30$).
5 Etsautuvan kerroksen paksuus ei näytä riippuvan AI Cl -pui s s in annostuspitoisuudesta. AlCl^-annostusta vaihdeltiin rajoissa 3-6,7 AY, eikä sähköisissä tuloksissa havaittu mitään eroa. Alumiinikloridin diffuusio alumiini-oksidissa on siis pientä.
10 ATO voidaan tehdä hyvin eripaksuisista AI 0 - ja k di
TiO^-kerroksista. Minimikerrospaksuudet saadaan etsireak-tion kautta syntyneiden kerrosten avulla. Titaanioksidia tarvitaan n. 10 A, ja alumiinioksidikerros saadaan pelkän etsireaktion kautta syntyvänä (n. 5 A). Maksimikerrospak-15 suudet määräytyvät optisten ja TiOg-johtavuusominaisuuk- sien pohjalta. Suuruusluokka maksimikerrospaksuudelle on 25 nm. Nämä määräävät kerrospaksuudet, joissa ATO :n
KL
ominaisuuksia voidaan tutkia.
Kalvoista määrättiin dielektrinen lujuus samalla 20 tavoin kuin edellä on kerrottu.
Kuviossa 2 on esitetty mitatut Q-arvot Ti/Al-suhteen funktiona.
Kemialliset pit oisuusmääritykset on tehty 10$:n tarkkuudella. Tästä seuraa epävarmuutta tuloksissa myös 25 x-akselin suunnassa. Kysymyksessä on joko terävä dielektri- sen lujuuden seossuhderiippuvuus, tai sitä ei ole ollenkaan, vaan muut seikat määräävät arvon.
Kuviossa 3 on esitetty Q-arvon riippuvuus alumii-nioksidikerroksen paksuudesta.
30 ATO :n dielektriset ominaisuudet ovat verrannolli-
K
siä yksittäisen Al^O^-kerroksen paksuuteen. Q-arvo nousee hyvin jyrkästi ensimmäisten nanoinetrien aikana (etsauksen kautta syntynee n. 5 A). Arvo saavuttaa maksiminsa ' n.
60 Ä:n paikkeilla ja alkaa hitaasti aleta Al^O^-kalvon 35 paksuntuessa.
10 64878 ΑΤΟ :n dielektrisyysvakiolle ei ole löydettävissä K.
selvää riippuvuutta s eo s sulit e e st a tai alumiinioksidin kerrospaksuudesta. Seossuhteen ja kerrospaksuuden avulla saadaan alumiinioksidin kokonaispaksuus. Jos tätä arvoa käy-5 tetään efektiivisenä eristepaksuutena , voidaan laskea eri rakenteille dielektrisyy svakio ja verrata sitä alumiinioksidin vastaavaan.
Taulukossa 5 on esitetty eräille ATO -rakenteille & näin laskettuja arvoja.
1 0
Jaksosuhde Seossuhde ^ATO^/nm ^Al^O^/nm C/pF Er Ti02/Al203 AI/(AI+Ti)
30/5 0,1*6 123 57 25 6 ,H
100/50 0,1*3 265*) 103 11* 7 ,2 15 100/100 0,56 273 153 13 9,0 100/200 0,67 181 121 15 8,2 *) arvio
Tauluako 5· 20 Tämän taulukon mukaan ATO, :n dielektriset ominai- k suudet johtuisivat yksinomaan ohuista Al20^-kerroksista. Titaanioksidi toimii eri eristekerroksia yhdistävänä pie-niohmisena siteenä, kuvio U.
Kun edellä olevia tuloksia tarkastellaan, niin ai-25 noa ATO^:n ominaisuus, jota ei voida selittää isäntäkal- vojen ominaisuuksien keskiarvona tai yhdistelmänä, on di-elektrinen lujuus.
Titaanioksidi on johde, alumiinioksidi eriste, mutta kuitenkin ΑΤ0^:η eristeominaisuudet ovat parhaimmil- 20 laan kolme kertaa paremmat kuin alumiinioksidin.
Kuten yllä oli puhetta, eristekalvon paksuuden vähetessä sen kentänkestuisuus paranee.
Jos lasketaan, minkälaisia kentänvoimakkuuksia alumiinioksidin kannettavaksi jää esim. ATO ( 1 00 / 100 ) : n “"1 ^ 25 tapauksessa, jossa Q = 6ϋ MV*cm , saadaan läpilyönti- kentäksi 6,7 MV’cm . Tämä arvo on n. kolme kertaa se arvo, mikä paksummilla ALF-Al 0 -kalvoilla on mitattu. Ar- d i " 64878 vo on kuitenkin aivan järkevällä alueella.
Alumiinioksidikerros syntyy kahdella eri tavalla, etsauksen kautta ja ALE-kasvun avulla. Tämä saattaa selittää sen, miten näin ohuet (n. 50 Ä) eristekerrokset 5 voivat olla yhtenäisiä. Toisaalta johtavat TiO^-kerrokset ensinnäkin sekoittavat rakenteen ja saattavat myös sähköisillä ominaisuuksillaan vaikuttaa kokonaisrakenteen ken-tänkestoa parantavasti. Tarkastellaan tätä jälkimmäistä vaihtoehtoa hieman lähemmin.
10 Kalvon läpilyönti tapahtuu aina kalvon heikoimmas ta kohdasta. Tällaisessa pistemäisessä kohdassa kenttä on suurempi kuin muualla ja tässä tapahtuu läpilyönti. Sen seurauksena tämä kalvon kohta kuumenee, mikä yleensä alentaa myös lähiympäristön kentänkestoa. Tätä kautta läpilyön-15 ti voi lähteä etenemään, mutta se voi pysähtyä myös siten, että vain elektrodi läpilyönnin kohdalta höyrystyy pois.
Jos oletetaan, että läpilyönti tapahtuu r-säteis-tä johtavuuskanavaa myöten, voidaan läpilyöntikentälle kirjoittaa seuraava lauseke 20 (5) E -J 1¾ <Td - Ta)'t, v o r missä ε , C ja p ovat eristemateriaalivakioita A = elektrodin ala 25 TA= ympäristön lämpötila T^= eristemateriaalin lämpötila r = läpilyöntijohtavuuskanavan ala Tästä havaitaan, että 1äpilyöntikentän arvo on 30 suoraan verrannollinen johtavuuskanavan säteeseen r.
ATO^-kalvolle voidaan esittää sähköinen sijais-kytkentä RC-verkolla, kuvio 5·
Titaanioksidia voidaan horisontaalisuunnassa pitää vastuksena ja vertikaalisuunnassa oikosulkuna. Vastaa-35 vasti alumiinioksidi muodostaa kondensaattoritasoja verti- 64878 kaalisuunnassa.
Kun kalvossa on jokin heikompi kohta (kuviossa 5 yksi kondensaattori on oikosulkeutunut) , tapahtuu tässä kohden sähkökentän kasvu. Kuitenkin titaanioksidivastukset 5 jakavat kentän nyt laajemmalle alueelle. Siirrettynä kaa vaan 5 tämä tarkoittaa, että vaadittava johtavuuskanavan säde r on kasvanut.
Lisäksi kapasitanssiin varautunut enrgia on jakautunut kaikkien Al^O^-kerrosten kesken, ja oikosulkutapauk-10 sessa tämä energia puretaan TiO^-vastuksen kautta. Nor- raaalieristeen tapauksessa koko kondensaattorin varaama energia pääsee elektrodien kautta läpilyöntikanavaan.
ATO (100/100)-rakenteelle tehtiin röntgendiffrak-tioanalyysi TKK:ssa. Tällä haluttiin selvittää, onko ha-15 väittävissä minkäänasteista kiteytymistä kalvossa. Tässä mittauksessa ei kalvossa voitu havaita mitään diffraktio-piikkejä, vaan kalvo todettiin amorfiseksi.
Kun tällaisen kalvon SEM-kuvia verrattiin sekä sa-manpaksuisten Al^O^-, että TiO^-kalvojen kuviin, voitiin 20 havaita, että näytteen pinnan laatu on em. näytteiden vä lissä. Jonkinasteista kiteytymistä kalvossa on tapahtunut.
Se, että röntgendiffraktio ei antanut mitään kiteytymiseen viittaavaa tulosta, kertoo sen, että eri TiO^-kerrokset eivät olleet samassa kiteytymäsvaiheessa. Koska 25 kuitenkin ATO :ssa oli havaittavissa makroskooppista ki- teytymistä, tarkoittaa se, että ohuet Al^O^-kerrokset eivät kokonaan katkaise informaatiota titaanioksidikerrosten väliltä. Alla olevat kiteytyneet kerrokset vaikuttavat päällä oleviin kerroksiin siten, että paksulla kalvolla 30 on nähtävissä jo kalvon pinnan epätasaisuuksia.
Taitekertoimensa puolesta ATO sijoittuu emäkal-
X
vojensa väliin seossuhteen määräämällä tavalla. Kuviossa 6 on esitetty ATO (100/x )-rakenteiden taitekertoimien riip-
X
puvuus seos suhteesta.
35 Kerrospaksuuksien vaikutuksia ei tutkittu, mutta 13 64878 niillä ei pitäisi olla vaikutusta, kunhan optiset kerrospaksuudet ovat paljon pienempiä kuin valon aallonpituus.
AUO :n etsattavuus on titaanioksidin ja alumiini-K
oksidin ominaisuuksien välillä. HF-etsausnopeus pienenee 5 titaanioksidin osuuden kasvaessa.
ATO : n( 1 00/100 ) irtoaa hiutaleina. Etsiraja on K
erittäin jyrkkä. Tämä aiheuttaa vaikeuksia interfero-metrisiin paksuusmittauksiin. Luultavasti HF tunkeutuu kiderajoja pitkin kalvon läpi ja etsaa joko alla olevan 10 alumiinioksidin tai välikerroksia.
AT0^:n kentänkeston maksimi sijoittuu alumiini-oksidin kerrospaksuuden 55 A kohdalle. Jos tämä arvo kiinnitetään, niin IT0:n ja ZnS:n optinen sovitus vaatii titaanioksidia 73 A. Kasvatusjaksoi ssa tämä tekee n. 16 0 jak-15 soa. Eristeen kestämä jännite on suoraan verrannollinen eristepaksuuteen , ATO :n tapauksessa alumiinioksidikerrok-
K
sen kokonaispaksuuteen. Tästä seuraa, että ATO ( 160/100 ) -rakenne on tehtävä 30% paksummaksi verrattuna 100/100-ra-kenteeseen, jos halutaan säilyttää jännitemarginaali.
20 Jos EL-rakenteen kokonaispaksuus (ja prosessointi- aika) halutaan säilyttää nykyisellään, niin yläeriste on tehtävä suuremmalla Al^O^-suhteella, esim. 75/150 tai 100/200. Tällä Al^O^-kerrospaksuudella eristeen dielektri-nen lujuus on vielä korkea, ja nyt voidaan eristeestä 25 tehdä ohuempi.

Claims (9)

1. Varsinkin ohutkalvo-elektroluminens siraken-teissa käytettävä, alumiinioksidiin (Al^O^) ja titaani- 5 oksidiin (TiO^) perustuva yhdistelmäkalvo, tunnet-t u siitä, että se koostuu useista vuorottaisista Al^O^-ja TiO^-kerroksista, joiden paksuus on 3... 1000 Ä, sopiviramin 5·..250 Ä.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen yhdistelmä- 10 kalvo, tunnettu siitä, että kerrosten paksuus on 20...100 A, sopivimmin UO.,.70 A.
3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen yhdistelmä- kalvo, tunnettu siitä, että kerrosten paksuus on n. 50 A.
15 U. Patenttivaatimuksen 1 mukainen yhdistelmä- kalvo, tunnettu siitä, että se on valmistettu ns. ALE-(Atomic Layer Epitaxy )-menetelmän avulla kasvattamalla.
5. Patenttivaatimuksen 1 mukainen yhdistelmä- 20 kalvo, tunnettu siitä, että kerrokset ovat ainakin likimain samanpaksuiset.
6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen yhdistelmä-kalvo, tunnettu siitä, että yhdistelmäkalvon vuorottaisten kerrosten kokonaismäärä on 10...200, 25 sopivimmin n. 50.
7· Patenttivaatimuksen k mukainen yhdistelmä-kalvo, tunnettu siitä, että jaksosuhde ΛΙ^Ο^/ΤΐΟ^ on välillä 5/500 . . .5/30 .
8. Patenttivaatimuksen 1 mukainen yhdistelmä- 30 kalvo, tunnettu siitä, että painosuhde Ti/(A1+Ti) yhdi stelmäkalvossa on 0 , I* 5 . . . 0,5 5 , sopivimmin n. 0,5-
9. Patenttivaatimuksen 1 mukainen yhdistelmä- kalvo, tunnettu siitä, että Al20^-kerrosten paksuus on 50...70 A, sopivimmin n. 60 A.
FI821647A 1982-05-10 1982-05-10 Kombinationsfilm foer isynnerhet tunnfilmelektroluminensstrukturer FI64878C (fi)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI821647A FI64878C (fi) 1982-05-10 1982-05-10 Kombinationsfilm foer isynnerhet tunnfilmelektroluminensstrukturer
US06/488,178 US4486487A (en) 1982-05-10 1983-04-25 Combination film, in particular for thin film electroluminescent structures
GB08311576A GB2120845B (en) 1982-05-10 1983-04-28 Combination film
DE3316114A DE3316114A1 (de) 1982-05-10 1983-05-03 Verbundfilm, insbesondere fuer elektrolumineszenzstrukturen
DD83250751A DD209845A5 (de) 1982-05-10 1983-05-09 Verbundfilm, insbesondere fuer elektrolumineszenzstrukturen
JP58080241A JPS58206095A (ja) 1982-05-10 1983-05-10 特に薄膜エレクトロルミネセンス構造体用組み合わせ膜
FR8307757A FR2526622B1 (fr) 1982-05-10 1983-05-10 Film composite, en particulier pour structures electroluminescentes a film mince

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI821647 1982-05-10
FI821647A FI64878C (fi) 1982-05-10 1982-05-10 Kombinationsfilm foer isynnerhet tunnfilmelektroluminensstrukturer

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI821647A0 FI821647A0 (fi) 1982-05-10
FI64878B FI64878B (fi) 1983-09-30
FI64878C true FI64878C (fi) 1984-01-10

Family

ID=8515494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI821647A FI64878C (fi) 1982-05-10 1982-05-10 Kombinationsfilm foer isynnerhet tunnfilmelektroluminensstrukturer

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4486487A (fi)
JP (1) JPS58206095A (fi)
DD (1) DD209845A5 (fi)
DE (1) DE3316114A1 (fi)
FI (1) FI64878C (fi)
FR (1) FR2526622B1 (fi)
GB (1) GB2120845B (fi)

Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4794302A (en) * 1986-01-08 1988-12-27 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Thin film el device and method of manufacturing the same
US4681818A (en) * 1986-03-18 1987-07-21 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Oxygen diffusion barrier coating
US5027166A (en) * 1987-12-04 1991-06-25 Sanken Electric Co., Ltd. High voltage, high speed Schottky semiconductor device and method of fabrication
EP0344352B1 (en) * 1988-06-03 1994-09-28 International Business Machines Corporation Method for making artificial layered high-Tc superconductors
JPH02230690A (ja) * 1989-03-03 1990-09-13 Fujitsu Ltd 薄膜ｅｌ素子
JPH0824191B2 (ja) * 1989-03-17 1996-03-06 富士通株式会社 薄膜トランジスタ
US5480818A (en) * 1992-02-10 1996-01-02 Fujitsu Limited Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor
US5458084A (en) * 1992-04-16 1995-10-17 Moxtek, Inc. X-ray wave diffraction optics constructed by atomic layer epitaxy
JP2817590B2 (ja) * 1993-09-24 1998-10-30 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法
JPH10308283A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Denso Corp Ｅｌ素子およびその製造方法
US6965196B2 (en) 1997-08-04 2005-11-15 Lumimove, Inc. Electroluminescent sign
FI108355B (fi) * 1998-07-28 2002-01-15 Planar Systems Oy Nõyt÷n ohutkalvorakenteen eristekalvo sekõ ohutkalvo-elektroluminesessi-nõytt÷laite
US6974766B1 (en) 1998-10-01 2005-12-13 Applied Materials, Inc. In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application
US6358632B1 (en) 1998-11-10 2002-03-19 Planar Systems, Inc. TFEL devices having insulating layers
KR100363084B1 (ko) * 1999-10-19 2002-11-30 삼성전자 주식회사 박막 구조를 위한 다중막을 포함하는 커패시터 및 그 제조 방법
US7419903B2 (en) * 2000-03-07 2008-09-02 Asm International N.V. Thin films
WO2001066832A2 (en) 2000-03-07 2001-09-13 Asm America, Inc. Graded thin films
JP4556282B2 (ja) * 2000-03-31 2010-10-06 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子およびその製造方法
US6620723B1 (en) 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US6551929B1 (en) 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
US6936538B2 (en) 2001-07-16 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing tungsten after surface treatment to improve film characteristics
US7964505B2 (en) 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US7405158B2 (en) 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US7101795B1 (en) 2000-06-28 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer
US6825447B2 (en) 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US6998579B2 (en) 2000-12-29 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6765178B2 (en) 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6589674B2 (en) 2001-01-17 2003-07-08 Ifire Technology Inc. Insertion layer for thick film electroluminescent displays
US6951804B2 (en) 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US7563715B2 (en) 2005-12-05 2009-07-21 Asm International N.V. Method of producing thin films
US9139906B2 (en) 2001-03-06 2015-09-22 Asm America, Inc. Doping with ALD technology
US6734020B2 (en) 2001-03-07 2004-05-11 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
JP2002270371A (ja) 2001-03-14 2002-09-20 Denso Corp Ｅｌ素子およびそれを用いた表示パネル
US7048400B2 (en) 2001-03-22 2006-05-23 Lumimove, Inc. Integrated illumination system
US6811895B2 (en) 2001-03-22 2004-11-02 Lumimove, Inc. Illuminated display system and process
US6596643B2 (en) 2001-05-07 2003-07-22 Applied Materials, Inc. CVD TiSiN barrier for copper integration
JP4483124B2 (ja) 2001-05-09 2010-06-16 株式会社デンソー Ｅｌ素子およびその製造方法並びにｅｌ素子を用いた表示パネル
US7056278B2 (en) * 2001-06-01 2006-06-06 Adamed Sp. Z.O.O. Method of treating overactive bladder in women
US7211144B2 (en) 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US20090004850A1 (en) 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US20030029715A1 (en) 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
US8110489B2 (en) 2001-07-25 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt-containing materials
WO2003030224A2 (en) 2001-07-25 2003-04-10 Applied Materials, Inc. Barrier formation using novel sputter-deposition method
US7085616B2 (en) 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
US7049226B2 (en) 2001-09-26 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization
US6936906B2 (en) 2001-09-26 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US6773507B2 (en) 2001-12-06 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition
US7081271B2 (en) 2001-12-07 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
US6713199B2 (en) 2001-12-31 2004-03-30 Memscap Multilayer structure used especially as a material of high relative permittivity
US6620670B2 (en) 2002-01-18 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3
WO2003065424A2 (en) 2002-01-25 2003-08-07 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6998014B2 (en) 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6827978B2 (en) 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US6833161B2 (en) 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US7439191B2 (en) 2002-04-05 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US6846516B2 (en) 2002-04-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Multiple precursor cyclical deposition system
US6720027B2 (en) 2002-04-08 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer
US6869838B2 (en) 2002-04-09 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Deposition of passivation layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US6875271B2 (en) 2002-04-09 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Simultaneous cyclical deposition in different processing regions
US7279432B2 (en) 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US7041335B2 (en) 2002-06-04 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Titanium tantalum nitride silicide layer
US6838125B2 (en) 2002-07-10 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method of film deposition using activated precursor gases
US20040013803A1 (en) * 2002-07-16 2004-01-22 Applied Materials, Inc. Formation of titanium nitride films using a cyclical deposition process
US6821563B2 (en) 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US7244683B2 (en) 2003-01-07 2007-07-17 Applied Materials, Inc. Integration of ALD/CVD barriers with porous low k materials
US7262133B2 (en) 2003-01-07 2007-08-28 Applied Materials, Inc. Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line
US6955986B2 (en) 2003-03-27 2005-10-18 Asm International N.V. Atomic layer deposition methods for forming a multi-layer adhesion-barrier layer for integrated circuits
US20040198069A1 (en) 2003-04-04 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Method for hafnium nitride deposition
KR20060079144A (ko) 2003-06-18 2006-07-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 배리어 물질의 원자층 증착
US20050252449A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US8323754B2 (en) 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
US7429402B2 (en) 2004-12-10 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Ruthenium as an underlayer for tungsten film deposition
DE102004061464B4 (de) * 2004-12-17 2008-12-11 Schott Ag Substrat mit feinlaminarer Barriereschutzschicht und Verfahren zu dessen Herstellung
FI117728B (fi) * 2004-12-21 2007-01-31 Planar Systems Oy Monikerrosmateriaali ja menetelmä sen valmistamiseksi
KR100620451B1 (ko) * 2005-01-10 2006-09-11 삼성전자주식회사 금속산화 합금막, 금속산화 합금막 형성 방법과 이를이용한 게이트 구조물의 제조 방법 및 커패시터의 제조 방법
US7372610B2 (en) 2005-02-23 2008-05-13 Sage Electrochromics, Inc. Electrochromic devices and methods
JP4470831B2 (ja) * 2005-08-01 2010-06-02 株式会社デンソー Ｅｌ素子およびその製造方法
TWI332532B (en) 2005-11-04 2010-11-01 Applied Materials Inc Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
JP2007287486A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Aitesu:Kk 透明基板と電極の間に微細構造体を有する有機ｅｌ素子
US7798096B2 (en) 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
WO2008042981A2 (en) 2006-10-05 2008-04-10 Asm America, Inc. Ald of metal silicate films
US7521379B2 (en) 2006-10-09 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Deposition and densification process for titanium nitride barrier layers
US7659158B2 (en) 2008-03-31 2010-02-09 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices
US8491967B2 (en) 2008-09-08 2013-07-23 Applied Materials, Inc. In-situ chamber treatment and deposition process
US20100062149A1 (en) 2008-09-08 2010-03-11 Applied Materials, Inc. Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process
US8557702B2 (en) 2009-02-02 2013-10-15 Asm America, Inc. Plasma-enhanced atomic layers deposition of conductive material over dielectric layers
FI20095947A0 (fi) * 2009-09-14 2009-09-14 Beneq Oy Monikerrospinnoite, menetelmä monikerrospinnoitteen valmistamiseksi, ja sen käyttötapoja
FI20096154A0 (fi) * 2009-11-06 2009-11-06 Beneq Oy Menetelmä kalvon muodostamiseksi, kalvo ja sen käyttöjä
FI20096153A0 (fi) * 2009-11-06 2009-11-06 Beneq Oy Menetelmä koristepäällysteen muodostamiseksi, koristepäällyste ja sen käyttötapoja
US8564095B2 (en) 2011-02-07 2013-10-22 Micron Technology, Inc. Capacitors including a rutile titanium dioxide material and semiconductor devices incorporating same
US8609553B2 (en) 2011-02-07 2013-12-17 Micron Technology, Inc. Methods of forming rutile titanium dioxide and associated methods of forming semiconductor structures
CN103827350B (zh) 2011-07-11 2016-01-13 莲花应用技术有限责任公司 混合金属氧化物阻挡膜和用于制备混合金属氧化物阻挡膜的原子层沉积方法
JP5906923B2 (ja) * 2012-04-26 2016-04-20 株式会社デンソー 誘電膜の製造方法
JP6662520B2 (ja) * 2015-10-02 2020-03-11 国立大学法人山形大学 内面コーティング方法及び装置
JP6980324B1 (ja) * 2021-03-08 2021-12-15 株式会社クリエイティブコーティングス チタン酸バリウム膜の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1949174B2 (de) * 1968-10-02 1971-09-23 Halbleiterbauelement
SE393967B (sv) * 1974-11-29 1977-05-31 Sateko Oy Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket
GB1570348A (en) * 1977-04-28 1980-07-02 British Steel Corp Coated graphite dies
FI57975C (fi) * 1979-02-28 1980-11-10 Lohja Ab Oy Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor
JPS5635494A (en) * 1979-08-30 1981-04-08 Showa Denko Kk High heat transfer electric insulating substrate
US4364995A (en) * 1981-02-04 1982-12-21 Minnesota Mining And Manufacturing Company Metal/metal oxide coatings
FI61983C (fi) * 1981-02-23 1982-10-11 Lohja Ab Oy Tunnfilm-elektroluminensstruktur
FI62448C (fi) * 1981-04-22 1982-12-10 Lohja Ab Oy Elektroluminensstruktur

Also Published As

Publication number Publication date
GB2120845A (en) 1983-12-07
US4486487A (en) 1984-12-04
FI64878B (fi) 1983-09-30
DE3316114A1 (de) 1983-12-08
DD209845A5 (de) 1984-05-23
FR2526622A1 (fr) 1983-11-10
JPS645440B2 (fi) 1989-01-30
FR2526622B1 (fr) 1986-01-24
JPS58206095A (ja) 1983-12-01
FI821647A0 (fi) 1982-05-10
GB2120845B (en) 1986-01-29
GB8311576D0 (en) 1983-06-02
DE3316114C2 (fi) 1992-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI64878C (fi) Kombinationsfilm foer isynnerhet tunnfilmelektroluminensstrukturer
Radecka et al. Importance of the band gap energy and flat band potential for application of modified TiO2 photoanodes in water photolysis
Kukli et al. Development of dielectric properties of niobium oxide, tantalum oxide, and aluminum oxide based nanolayered materials
Sieber et al. Porous tantalum oxide prepared by electrochemical anodic oxidation
Morasch et al. Reactively magnetron sputtered Bi2 O 3 thin films: analysis of structure, optoelectronic, interface, and photovoltaic properties
Goossens et al. The nature of electronic states in anodic zirconium oxide films part 1: The potential distribution
Piazza et al. In situ characterization of passive films on Al-Ti alloy by photocurrent and impedance spectroscopy
RU2645221C1 (ru) Перовскитная солнечная ячейка и способ ее изготовления
Nagpure et al. Layer‐by‐Layer Synthesis of Thick Mesoporous TiO2 Films with Vertically Oriented Accessible Nanopores and Their Application for Lithium‐Ion Battery Negative Electrodes
Benmouss et al. Structural, optical and electrochromic properties of sol–gel V2O5 thin films
Mozalev et al. Structure, morphology, and dielectric properties of nanocomposite oxide films formed by anodizing of sputter-deposited Ta-Al bilayers
Zhao et al. Photoelectrochemical properties of sol–gel-derived anatase and rutile TiO2 films
Zoppi et al. Sol–gel titanium dioxide thin films on platinum substrates: preparation and characterization
Nishimae et al. Fabrication of BaTaO2N thin films by interfacial reactions of BaCO3/Ta3N5 layers on a Ta substrate and resulting high photoanode efficiencies during water splitting
Bendova et al. The growth and unique electronic properties of the porous-alumina-assisted hafnium-oxide nanostructured films
Maddocks et al. Properties of evaporated film capacitors
Kalinauskas et al. Electrochemical and photoelectrochemical characterization of Cu2SnSe3 thin films deposited on Mo/glass substrates
Ko et al. Alleviating interfacial recombination of heterojunction electron transport layer via oxygen vacancy engineering for efficient perovskite solar cells over 23%
Jonsson et al. Dielectric permittivity and intercalation parameters of Li ion intercalated atomic layer deposited ZrO2
Varela et al. Characterization of passive layers formed on lead by electrochemical impedance spectroscopy
Kulanthaisami et al. Conduction studies on polyvinyl alcohol films
Poullain et al. Graded ferroelectric thin films: Possible origin of the shift along the polarization axis
US20190221764A1 (en) Photoabsorber and solar cell comprising the same
Kwok et al. Conducting oxide electrodes for ferroelectric films
Kovacs et al. Anodic oxidation of niobium sheets and porous bodies: heat-treatment of the Nb/Nb-oxide system

Legal Events

Date Code Title Description
MA Patent expired

Owner name: ELKOTRADE AG