FI121724B - CCD-sensorarrangemang och metod för panorama- och/eller kefalostatavbildning - Google Patents
CCD-sensorarrangemang och metod för panorama- och/eller kefalostatavbildning Download PDFInfo
- Publication number
- FI121724B FI121724B FI20050374A FI20050374A FI121724B FI 121724 B FI121724 B FI 121724B FI 20050374 A FI20050374 A FI 20050374A FI 20050374 A FI20050374 A FI 20050374A FI 121724 B FI121724 B FI 121724B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- readout
- well
- signal
- sensor
- output
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 8
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 6
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 102100034033 Alpha-adducin Human genes 0.000 description 2
- 101100129499 Arabidopsis thaliana MAX2 gene Proteins 0.000 description 2
- 101000799076 Homo sapiens Alpha-adducin Proteins 0.000 description 2
- 101000629598 Rattus norvegicus Sterol regulatory element-binding protein 1 Proteins 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 210000003625 skull Anatomy 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 210000002966 serum Anatomy 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-NJFSPNSNSA-N silicon-30 atom Chemical compound [30Si] XUIMIQQOPSSXEZ-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 210000004872 soft tissue Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/762—Charge transfer devices
- H01L29/765—Charge-coupled devices
- H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/76816—Output structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
- H04N25/581—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously
- H04N25/583—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously with different integration times
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/711—Time delay and integration [TDI] registers; TDI shift registers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/713—Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14825—Linear CCD imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/30—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming X-rays into image signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Claims (24)
1. Ett CCD-sensorarrangemang (1-1) för panorama- och/eller kefa-lostatavbildning omfattande CCD-sensorn, som omfattar 5. en detektor (1-2) som har ett aktivt omrade innefattande laddningar mottagande pixlar i lodräta rader; - ett läsregister (1-4), som ansluter sig funktionellt till det nämnda aktiva omrädet; - medel för laddningars överföring fran det aktiva omrädet 10 till läsregistret; - medel för laddningars överföring till läsregistrets (1-4) ut-gäng (1-4a, 1-4b); - ätminstone tvä, en första och en andra utläsningsbrunn, som ansluter sig funktionellt till läsregistret (1-4; och 15. medel för laddningars överföring fran läsregistrets (1-4) utgang (1-4a) till utläsningsbrunn (1-6,1-8), kännetecknat av att de nämnda ätminstone tväutläsnings-brunnar (1-6, 1-8) har olika Stora kapacitet och att det i sensorn eller i en funktionellt samband med sensorn har arrangerats medel för mätning av signalen 20 som ästadkommits av ifragavarande laddningar, samt medel för urval av att besluta ätminstone delvis pa basis av den nämnda mätta signalen om den an-vända utläsningsbrunnen (1-6, 1-8) skall bytas under utläsningen av bilden som utläses av sensorn.
2. Ett sensorarrangemang enligt patentkrav 1, kännetecknat 25 av att det dessutom omfattar medel för urval arrangerats i en funktionell samband med utläsningsbrunnar (1-6, 1-8), vilka urvalsmedel är adapterade att väljä via vilken utläsningsbrunn (1-6, 1-8) den av CCD-sensorn (1-1) komman-de signalen läses.
3. Ett sensorarrangemang enligt patentkrav 2, kännetecknat 30 av att det omfattar medel att utföra A/D-konvertering av den valda sensors ut- föringssignalen.
4. Ett sensorarrangemang enligt patentkrav 1,kännetecknat av att det dessutom omfattar A/D-konvertrar arrangerats i en funktionell samband med utläsningsbrunnar (1-6, 1-8), vilka konvertrar är adapterade att utfö- 35 ra konvertering av signalen av ätminstone ett utläsningsbrunn.
5. Ett sensorarrangemang enligt patentkrav 4, kännetecknat av att det dessutom omfattar urvalsmedel som efter den A/D-konverteringen är adapterade att väljä via vilken utläsningsbrunn (1-6, 1-8) den av CCD-sensorn (1-1) kommande signalen läses. 5 6.. Ett sensorarrangemang enligt nägot av de tidigare patentkraven, kännetecknat av att det i sensorn eller i en funktionellt samband med denna har arrangerats medel, som är adapterade att kontrollera (3-4) om ät-minstone en del av de valda signalerna överskrider det pä förhand definierade första gränsvärdet och ifall signaler överskrider det pä förhand definierade för-10 sta gränsvärdet, att ge en signal för att man övergär tili att använda utläs-ningsbrunnen (1-6, 1-8) med den större kapaciteten för utläsning av den föl-jande lodräta raden i stället för användning av utläsningsbrunnen (1-6, 1-8) av den mindre kapaciteten.
7. Ett sensorarrangemang enligt nägot av de tidigare patentkraven, 15 kännetecknat av att det i sensorn eller i en funktionellt samband med denna har arrangerats medel, som är adapterade att kontrollera (3-4) om ät-minstone en del av de valda signalerna underskrider det pä förhand definierade första gränsvärdet och ifall signaler underskrider det pä förhand definierade första gränsvärdet, att ge en signal för att man övergär tili att använda utläs-20 ningsbrunnen (1-6, 1-8) med den mindre kapaciteten för utläsning av den föl-jande lodräta raden i stället för användning av utläsningsbrunnen (1-6, 1-8) av den större kapaciteten.
8. Ett sensorarrangemang enligt nägot av de tidigare patentkraven 1-7, k ä n n e t e c k n a t av att utläsningsbrunnen (1-6,1-8) är en förstärkare. 25 9. Ett sensorarrangemang enligt nägot av de tidigare patentkraven 1-8, kännetecknat av att utläsningsbrunnarna (1-6, 1-8) befinner sig i bäda ändorna av läsregistret (1-4), eller i den ena ändan av läsregistret.
10. Ett sensorarrangemang enligt nägot av de tidigare patentkraven 1-9, kännetecknat av att den andra utläsningsbrunnens (1-6) kapacitet 30 är ungefär dubbelt sä stor som den första utläsningsbrunnens (1-8) kapacitet.
11. Ett sensorarrangemang enligt nägot av de tidigare patentkraven 1-10, k ä n n e t e c k n a t av att det mellan detektorn (1-2) och läsregistret (1-4), i en funktionell samband med dessa, har arrangerats ett register för summering av laddningar innan deras överföring tili läsregistret (1-4).
12. Ett sensorarrangemang enligt nägot av de tidigare patentkraven 1-11, k ä n n e t e c k n a t av att det ytterligare omfattar medel för behandling av laddningar av pixlar innan deras överföring tili läsregistret (1-4).
13. En metod för utvidgning av CCD-sensorns (1-1) dynamikom-5 fang i samband med panorama- och/eller kefalostatavbildning, kanne- t e c k n a d av att i en funktionellt samband med CCD-sensorns (1-1) läsre-gister (1-4), har arrangerats ätminstone tvä, en första och en andra, utläs-ningsbrunnar (1-6, 1-8) med olika Stora kapacitet och vilken metod omfattar föl-jande faser: 10. man mottar laddningar pä ett aktivt omräde innefattande pixlar; - man laser (3-2) det aktiva omradets första lodräta pixelra-dens laddningar ur det aktiva omrädet tili utläsningsre-gistret (1-4); 15. man överför laddningar tili utgängen (1-4a, 1-4b) av utläs- ningsregistret (1-4); - man överför laddningar fran utgängen (1-4a, 1-4b) av ut-läsningsregistret (1-4) tili utläsningsbrunnen (1-6,1-8); - man mäter den signal som förorsakats av laddningarna; 20 och - man avgör ätminstone delvis pä basis av den nämnda matta signalen om utläsningsbrunnen (1-6, 1-8) vilken man använder under utläsning av sensorn skall bytas för utläsning av den följande lodräta raden.
14. En metod enligt patentkrav 13, k ä n n e t e c k n a d av att man väljer via vilken utläsningsbrunn (1-6, 1-8) den fran CCD-sensorn (1-1) kommande signalen läses, och utför en A/D-konvertering av signalen.
15. En metod enligt patentkrav 13, k ä n n e t e c k n a d av att man utför en A/D-konvertering av signalen fran ätminstone en utläsningsbrunn, 30 och efter A/D-konvertering väljer via vilken utläsningsbrunn (1-6, 1-8) den frän CCD-sensorn (1-1) kommande signalen läses.
16. En metod enligt nägot av de tidigare patentkraven 13-15, k ä n -n e t e c k n a d av att man kontrollerar (3-4) om ätminstone en del av den val-da signalen överskrider det pä förhand definierade första gränsvärdet; och ifall 35 den överskrider det pä förhand definierade första gränsvärdet, övergär (3-16) man till att använda den större kapacitetens utläsningsbrunn (1-6, 1-8) vid ut- läsning av den följande lodräta raden istället för att använda den mindre kapa-citetens utläsningsbrunn (1-6, 1-8).
17. En metod enligt nägot av de tidigare patentkraven 13-16, k anne t e c k n a d av att man kontrollerar (3-4)) om ätminstone en del av den 5 valda signalen underskrider det pä förhand definierade första gränsvärdet; och ifall den underskrider det pä förhand definierade första gränsvärdet, övergär (3-16) man till att använda den mindre kapacitetens utläsningsbrunn (1-6, 1-8) vid utläsning av den följande lodräta raden istället för att använda den större kapacitetens utläsningsbrunn (1-6, 1-8).
18. En metod enligt nägot av de tidigare patentkraven 13-17, k ä n - n e t e c k n a d av att utläsningsbrunnen (1-6, 1-8) är en förstärkare.
19. En metod enligt nägot av de tidigare patentkraven 13-18, k ä n -n e t e c k n a d av att utläsningsbrunnarna (1-6, 1-8) befinner sig i bäda än-dorna av läsregistret (1-4), eller i den ena ändan av läsregistret.
20. En metod enligt nägot av de tidigare patentkraven 16-19, k an ne t e c k n a d av att det första pä förhand definierade gränsvärdet är 75%.
21. En metod enligt nägot av de tidigare patentkraven 16-20, k ä n -n e t e c k n a d av att det andra pä förhand definierade gränsvärdet är 25%.
22. En metod enligt nägot av de tidigare patentkraven 13-21, k ä n - 20. e t e c k n a d av att man mäter den frän sensorn utlästa signalens signalni- vä, och ifall signalnivän överskrider det pä förhand definierade gränsvärdet, ju-steras laddningarnas utläsning frän sensorn pä sä sätt, att man innan utläsning av de laddningar som befinner sig i utläsningsbrunnen minskar antalet pixlar som skall överföras tili utläsningsbrunnen, och ifall signalnivän underskrider 25 det pä förhand definierade gränsvärdet, justeras utläsningen av informationen pä sä sätt, att man innan utläsning av de laddningar som befinner sig i utläsningsbrunnen ökar antalet pixlar som skall överföras tili utläsningsbrunnen.
23. En metod enligt patentkrav 22, k ä n n e t e c k n a d av att man definierar ett pä förhand definierat gränsvärde som en funktion av utläs- 30 ningsbrunnens saturationsnivä.
24. En metod enligt nägot av de tidigare patentkraven 13-23, k ä n -n e t e c k n a d av att man för mätning av den utlästa signalens signalnivä an-vänder en sensor, som omfattar ätminstone tvä utläsningsbrunnar av olika ka-pacitet, och ifall utläsningsbrunnen med den mindre kapaciteten satureras un- 35 der mätningen, övergär man till att använda utläsningsbrunnen med den större kapaciteten.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20050374A FI121724B (sv) | 2005-04-12 | 2005-04-12 | CCD-sensorarrangemang och metod för panorama- och/eller kefalostatavbildning |
| EP06725926.7A EP1902470B1 (en) | 2005-04-12 | 2006-04-12 | Ccd sensor and method for expanding dynamic range of ccd sensor |
| PCT/FI2006/050151 WO2006108927A1 (en) | 2005-04-12 | 2006-04-12 | Ccd sensor and method for expanding dynamic range of ccd sensor |
| JP2008505917A JP4799610B2 (ja) | 2005-04-12 | 2006-04-12 | Ｃｃｄセンサおよびｃｃｄセンサのダイナミック・レンジを拡大する方法 |
| US11/871,581 US8279315B2 (en) | 2005-04-12 | 2007-10-12 | CCD sensor and method for expanding dynamic range of CCD sensor |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20050374A FI121724B (sv) | 2005-04-12 | 2005-04-12 | CCD-sensorarrangemang och metod för panorama- och/eller kefalostatavbildning |
| FI20050374 | 2005-04-12 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20050374A0 FI20050374A0 (sv) | 2005-04-12 |
| FI20050374A FI20050374A (sv) | 2006-10-13 |
| FI121724B true FI121724B (sv) | 2011-03-15 |
Family
ID=34508074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20050374A FI121724B (sv) | 2005-04-12 | 2005-04-12 | CCD-sensorarrangemang och metod för panorama- och/eller kefalostatavbildning |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1902470B1 (sv) |
| JP (1) | JP4799610B2 (sv) |
| FI (1) | FI121724B (sv) |
| WO (1) | WO2006108927A1 (sv) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112969913B (zh) * | 2018-08-31 | 2023-08-04 | 生命科技股份有限公司 | 毛细管电泳中单次曝光扩展动态范围的方法和设备 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0834558B2 (ja) * | 1989-09-18 | 1996-03-29 | 日本電気株式会社 | 高品質ビデオカメラ |
| JP2624138B2 (ja) | 1993-08-05 | 1997-06-25 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子 |
| JPH0779385A (ja) * | 1993-09-06 | 1995-03-20 | Sony Corp | Ｃｃｄ撮像素子の電荷検出方法 |
| US5432335A (en) * | 1994-03-14 | 1995-07-11 | Princeton Instruments, Inc. | Charge-coupled device for spectroscopic detection |
| US5867215A (en) * | 1995-04-11 | 1999-02-02 | Eastman Kodak Company | Image sensor having multiple storage wells per pixel |
| JPH08298626A (ja) | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| JP2762059B2 (ja) * | 1995-09-05 | 1998-06-04 | エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド | Ｃｃｄ固体撮像素子及びその信号処理方法 |
| FI97665C (sv) * | 1995-11-21 | 1997-01-27 | Planmed Oy | Förfaranden och anordning vid fotografering av ett objekt |
| JPH09162381A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Sony Corp | リニアセンサ |
| JPH09261541A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | 電荷検出装置 |
| WO1999041904A1 (fr) * | 1998-02-10 | 1999-08-19 | Nikon Corporation | Procede d'entrainement d'un dispositif d'imagerie a semi-conducteurs, dispositif d'imagerie, dispositif d'alignement et procede d'alignement |
| JP4140077B2 (ja) * | 1998-02-18 | 2008-08-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の駆動方法及び固体撮像素子、並びにカメラ |
| US7012644B1 (en) * | 2000-09-06 | 2006-03-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Multiple output node charge coupled device |
| US7139023B2 (en) * | 2001-03-12 | 2006-11-21 | Texas Instruments Incorporated | High dynamic range charge readout system |
| JP4357150B2 (ja) * | 2002-02-20 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | Ｘ線平面検出器のパラメータ調整方法及びその装置、ｘ線診断装置 |
| JP4663956B2 (ja) * | 2002-12-25 | 2011-04-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
| US9386241B2 (en) * | 2003-07-02 | 2016-07-05 | Verity Instruments, Inc. | Apparatus and method for enhancing dynamic range of charge coupled device-based spectrograph |
| US20050012968A1 (en) * | 2003-07-14 | 2005-01-20 | Dialog Semiconductor | Pixel with variable resolution during exposure |
-
2005
- 2005-04-12 FI FI20050374A patent/FI121724B/sv not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-04-12 JP JP2008505917A patent/JP4799610B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-04-12 WO PCT/FI2006/050151 patent/WO2006108927A1/en not_active Application Discontinuation
- 2006-04-12 EP EP06725926.7A patent/EP1902470B1/en not_active Not-in-force
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1902470B1 (en) | 2013-06-05 |
| EP1902470A4 (en) | 2009-10-21 |
| EP1902470A1 (en) | 2008-03-26 |
| JP2008536421A (ja) | 2008-09-04 |
| FI20050374A0 (sv) | 2005-04-12 |
| JP4799610B2 (ja) | 2011-10-26 |
| FI20050374A (sv) | 2006-10-13 |
| WO2006108927A1 (en) | 2006-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10194110B2 (en) | Solid-state imaging device, imaging device, and signal reading method | |
| JP5521721B2 (ja) | 撮像素子およびカメラシステム | |
| US7830435B2 (en) | Image sensor and image capture system with extended dynamic range | |
| US10122945B2 (en) | Image sensor with flexible interconnect capabilities | |
| JP6859553B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、および電子機器 | |
| US6255638B1 (en) | Apparatus for radiation imaging using an array of image cells | |
| US6252217B1 (en) | Device for imaging radiation | |
| EP2088763A2 (en) | Time delay integration in imaging devices | |
| US6201573B1 (en) | Solid state imaging apparatus for imaging a two dimensional optical image having a number of integration circuits | |
| US20100141820A1 (en) | Image sensor having cut-off corners, with a multiplexer between two adjacent rows of pixels | |
| US8279315B2 (en) | CCD sensor and method for expanding dynamic range of CCD sensor | |
| FI120328B (sv) | CCD-sensor och metod för att utvidga en CCD-sensors dynamik | |
| KR20110005770A (ko) | 고체 촬상 장치 및 ｘ선 검사 시스템 | |
| JP2001189891A (ja) | センサのセンサ要素を読み出す方法及びセンサ | |
| FI121724B (sv) | CCD-sensorarrangemang och metod för panorama- och/eller kefalostatavbildning | |
| CA2375637A1 (en) | Cmos/ccd line transfer imager with low dark current | |
| EP2093997B1 (en) | Active pixel array with charge binning | |
| EP3605044B1 (en) | Detector, methods for operating a detector and detector pixel circuit | |
| JP2000078483A (ja) | 固体撮像装置と自動露光装置 | |
| CN115728778A (zh) | 飞行时间传感器的像素合并方法、开关设备和计算机程序 | |
| JP2016042623A (ja) | 撮像素子およびカメラ | |
| JP2017153160A (ja) | 撮像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FD | Application lapsed | ||
| RF | Appeal filed | ||
| FG | Patent granted |
Ref document number: 121724 Country of ref document: FI |
|
| MM | Patent lapsed |