FI100540B - Laitteisto sputterointilaitosta varten tarkoitetun tasomaisen magnetro nin magneettijärjestelyn käyttämiseksi - Google Patents

Laitteisto sputterointilaitosta varten tarkoitetun tasomaisen magnetro nin magneettijärjestelyn käyttämiseksi Download PDF

Info

Publication number
FI100540B
FI100540B FI920424A FI920424A FI100540B FI 100540 B FI100540 B FI 100540B FI 920424 A FI920424 A FI 920424A FI 920424 A FI920424 A FI 920424A FI 100540 B FI100540 B FI 100540B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
eccentric
sputtering
drive
motor
magnetic
Prior art date
Application number
FI920424A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI920424A (fi
FI920424A0 (fi
Inventor
Rudolf Latz
Original Assignee
Leybold Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold Ag filed Critical Leybold Ag
Publication of FI920424A0 publication Critical patent/FI920424A0/fi
Publication of FI920424A publication Critical patent/FI920424A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI100540B publication Critical patent/FI100540B/fi

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3455Movable magnets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405Magnetron sputtering
    • H01J37/3408Planar magnetron sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

100540
Laitteisto sputterointilaitosta varten tarkoitetun tasomaisen magnetronin magneettijärjestelyn käyttämiseksi
Keksinnön kohteena on laitteisto sputterointilai-5 tosta varten tarkoitetun tasomaisen magnetronin magneetti- järjestelyn käyttämiseksi, joka laitteisto käsittää kiinteän moottorin, sputterointikohdetta vastapäätä liikkuvasti asennetun magneettijärjestelyn ikeen, ja magneetti-ikeen kanssa vaikutusyhteydessä olevan epäkeskokiekon, 10 jossa on epäkeskonokka. Tämäntyppinen laitteisto tunnetaan julkaisuista EP-A-0 399 70 ja EP-A-0 213 922.
Tällöin käytetään reagoivia kaasuja, kuten 02, N2, CH4, H2S jne. Päällystysprosessin yhteydessä syntyvät vastaavat yhdisteet: oksidi, nitridi, karbidi tai sulfidi, 15 jotka levitetään kerroksina alustakerroksen päälle. Tämä reaktiivinen sputterointiprosessi on osoittautunut valmistustekniikassa sangen luotettavaksi. Se tarjoaa käyttöön mm. sen edun, että se tekee kemiallisten yhdisteiden valmistuksen toistettavaksi. Vain esimerkin vuoksi voidaan 20 mainita, että tällaisten reaktiivisten sputterointiproses- sien avulla on valmistettu sähköä johtavia kerroksia nestekidenäyttöjä (LCD = Liquid Crystal Display) varten.
Tunnetaan tasajännitesputterointi ja suurtaajuus-sputterointi sekä niiden sekamuodot. Lisäksi tunnetaan 25 esimagnetoinnin (esijännitteen) avulla tapahtuva sputte- rointi. Tällöin alustakerros asetetaan sähköisesti eristetylle kantokerrokselle, joka on varustettu katodiin verrattuna pienellä negatiivisella esijännitteellä.
Tasajännitesputterointi on rajoittunut katodina 30 (kohteena) käytettyihin sähköä johtaviin materiaaleihin, koska jos katodi ei johda sähköä, virta tulee katkaistuksi eristeen välityksellä.
Edellä mainitun suurtaajuussputteroinnin yhteydessä hajotetaan myös eristimet. Sputterointilaitteiston elekt-35 rodeihin syötetään tällöin virtaa suurjännitelähteestä.
2 100540
Sputterointiprosesseja sovelletaan käytännössä mm. sellaisissa suurtehoisissa sputterointilaitteissa, joissa ennen katodia olevan magneettikentän avulla lisätään törmäys- ja siten myös ionisointitodennäköisyyttä.
5 Tällainen suurtehoinen sputterointilaite on selos tettu esimerkiksi saksalaisessa patenttijulkaisussa DE 24 17 288.
Tällöin käytetään sputterointiteholtaan suurta ka-todisputterointilaitetta varustettuna katodilla, jonka 10 pinta on varustettu sputteroitavalla ja alustakerrokselle levitettävällä materiaalilla, käyttäen sillä tavoin asetettua magneettilaitetta, että sputterointipinnasta lähtevät ja -siihen palaavat magneettikenttälinjat muodostavat purkauskentän, joka on suljetun silmukan muotoinen, sekä 15 sputteroidun ja sputterointipinnasta alustakerrokseen liikkuvan materiaalin liikeratojen ulkopuolelle asetettua anodia.
Edellä mainitussa patenttijulkaisussa ehdotetaan, että sputteroitava ja sputteroitavaa alustakerrosta päin 20 oleva katodipinta on tasainen, ,että purkausalueen lähei syydessä oleva alustakerros voi liikkua tasaisen sputte-rointipinnan yli sen suuntaisesti, ja että magneettikentän muodostava magneettilaite on asetettu katodin tasaisesta sputterointipinnasta poispäin olevalle sivulle.
25 Edellä mainitun suurtehosputteroinnin (magnetroni- sputteroinnin) etuina ovat kuitenkin alhainen alustaker-roslämpötila, suuri kondensaatioteho ja niihin liittyvä levitetyn kerroksen hyvä puhtaus, mutta toisaalta on epähomogeenisen syövytyksen seurauksena olevaa huono kohde-30 hyödyntämistä pidettävä haitallisena tekijänä.
Esillä olevan keksinnön tarkoituksena on siten mahdollistaa kohteen jatkuva homogeeninen syövytys. Tällöin saavutetaan parempi kohdehyödyntäminen sputteroinnin yhteydessä. Kalliin kohdemateriaalin käyttö tulee siten ta-35 loudellisemmaksi.
3 100540
Keksinnön tarkoituksena on myös välttää reaktiivisen sputteroinnin yhteydessä eristävän päällyskerroksen syntyminen kohdepinnalla.
Keksinnön avulla lisätään periaatteessa reaktii-5 visen sputterointiprosessin stabiilisuutta.
Esillä olevan keksinnön perustana olevan periaatteen toteuttaminen ei ole rajoittunut katodisputteroin-tiin, joka on selostettu edellä mainitussa saksalaisessa patenttijulkaisussa 24 17 288. Keksinnöllistä periaatetta 10 voidaan soveltaa yleisesti aina kun halutaan saavuttaa kohteen homogeeninen syövytys.
Asetettuihin tavoitteisiin päästään keksinnön mukaisella laitteistolla, joka on tunnettu epäkeskokiekon moottorin käyttöakseliin yhdistävästä hihnasta, käyttöak-15 seliin yhdistettävästä, elliptiseksi muodostetusta, pyöri misliikkeen epäkeskokiekkoon siirtävästä hihnapyörästä, ja hihnan päällä pyörivästä, joustavasti asennetusta kiris-tysrullasta.
Keksinnön muut yksityiskohdat, tarkoitukset ja sen 20 avulla saavutetut edut käyvät ilmi keksinnön seuraavasta selostuksesta, joka liittyy piirustuksiin, joissa kuvio 1 esittää tekniikan tason mukaista sputte-rointilaitteistoa ja kuvio 2 esittää keksinnön mukaista laitteistoa si-25 vukuvana.
Keksinnön sovellutusesimerkin seuraavassa selostuksessa lähdetään tekniikan tasosta, joka on selostettu saksalaisessa patenttijulkaisussa DE 24 17 288.
Tämän patenttijulkaisun mukaisiin selostuksiin ja 30 kuvioihin voidaan viitata lähtökohdan havainnollistamiseksi keksinnön seuraavassa selostettujen esimerkkisovellu- tusten yhteydessä.
Kuvio 1 esittää aikaisemmin tunnetun sputterointi-laitteiston olennaisia rakenneosia. Kysymys on tällöin 35 kokooja-astiasta, jota on kokonaisuudessaan merkitty nume- 4 100540 rolla 1. Tähän kokooja-astiaan on asetettu suojauskotelo 2. Kokooja-astian pohjassa on alustakerros 3. Sputteroin-tiprosessin aikana tälle alustakerrokselle levitetään kerros 4. Sputterointiprosessin aikana kokooja-astian tai 5 vastaavasti suojauskotelon sisätila on tyhjön alaisena eli tarkeminin määritellen kokooja-astiassa vallitseva paine saatetaan sputterointiprosessia varten vaaditulle alhaiselle painetasolle.
Kokooja-astian ylemmälle alueelle on asetettu mag-10 netronikatodi, jota on kokonaisuudessaan merkitty numerol la 5. Tämän suurtehokatodin yksityiskohdat käyvät ilmi edellä mainitusta saksalaisesta patenttijulkaisusta DE 24 17 288.
Luonteenomaista tälle suurtehokatodille on magneet-15 tijärjestely, joka käsittää magneetit 6, 7, 8. Tämä mag neetti järjestely on asetettu katodiammeeseen 9.
Katodiammeen kokooja-astian keskustasta poispäin olevalle sivulle on asetettu kohde 10.
Esillä oleva sputterointilaitteisto on varustettu 20 tasavirtaenergialähteellä 11 ja suurtaajuusenergialähteel- lä 12.
Numeroilla 13 ja 14 on merkitty 02-säiliÖtä tai vastaavasti Ar-säiliötä. 02 ja Ar tulevat johtojen 15 ja 16 välityksellä kokooja-astiaan.
25 Ne muodostavat tällöin reaktiivista sputterointi prosessia varten vaaditun reaktiivisen kaasuseoksen tai vastaavasti vaaditun reaktiivisen kaasuilmakehän.
Kohteen pinnasta 17 voidaan havaita syövytetyt alueet 18 ja 19 (syövytysurat).
30 Näiden syövytysurien välissä sijaitsee keskialue 20, jota ei ole syövytetty tai syövytetty vain vähän. Samalla tavoin reuna-alueet 21, 22 ovat vain vähän tai ei ollenkaan syövytettyjä.
Kuvion 1 esittämä epähomogeenisestä syövytetty syö-35 vytyskuva on tyypillinen nykyisen tekniikan tason mukai- 5 100540 sille laitteistoille. Keksinnön avulla on tarkoitus saavuttaa homogeeninen tai suunnilleen homogeeninen syövytys kohteen pinnan kaikilla alueilla.
Keksinnön perusajatus voidaan toteuttaa tarkoituk-5 senmukaisesti ja tehokkaasti monella eri tavalla. Tämä on selostettu esimerkiksi patenttivaatimuksessa ja tämän selityksen yleisessä osassa.
Seuraavassa selostettu sovellutusesimerkki on siten vain yksi useista käytännössä esiintyvistä ratkaisumahdol-10 lisuuksista.
Kuvion 2 mukaisen sovellutusesimerkin yhteydessä liikutetaan sputterointimagneettikenttää, joka on asetettu ikeeseen, edestakaisin ammetilassa määrätyn ohjausominais-käyrän mukaisesti (ei esitetty). Näiden liikkeiden mahdol-15 listamiseksi ikeen mitat on tehty katodiammeen rajoittaman ammetilan mittoja pienemmiksi.
Varsinaista magneettijärjestelyä liikutetaan kier-tokankimekanismin välityksellä, jolloin aikaansaadaan plasman liike ennen sen tuloa kohteen 27 pinnalle. Mag-20 neettijärjestelyn liikkeen avulla saavutetaan plasman syö vyttävä vaikutus myös reuna-alueilla ja keskialueella ja myös plasman pidentynyt pitoaika, jonka ansiosta saavutetaan kohteen suunnilleen homogeeninen hyödyntäminen.
Kuvio 4 esittää kaavamaisesti magneettijärjestelyä 25 edestakaisin liikuttavan hihnavoimansiirron olennaisia yk sityiskohtia. Muodoltaan elliptinen pyörä 59 käyttää käyt-töhihnaa 58. Tämä elliptinen pyörä on asetettu moottoriak-selille 60. Numerolla 61 on merkitty aivan pyöreää ajo-pyörää, joka on varustettu epäkeskonokalla 62. Numerolla 30 63 on merkitty kiristys- tai puristusrullaa, joka pitää esimerkiksi jousen välityksellä käyttöhihnan kiristettynä. Tämä kiristystela kääntyy lisäksi yhdessä vipunsa 64 kanssa akselin 65 ympäri.
Jos nyt elliptistä pyörää 59 käytetään vakiokulma-35 nopeudella, niin aivan pyöreän pyörän 61 yhteydessä saavu- 6 100540 tetaan jatkuvat kulmanopeuden kiihdytykset ja hidastukset. Niitä käytetään magneettijärjestelyn liikuttamiseksi nokkien 62 välityksellä siten, että pitoajat kohteen normaalisti huonosti syövytetyillä alueilla pitenevät.
5

Claims (1)

  1. 7 100540 Patenttivaatimus Laitteisto sputterointilaitosta varten tarkoitetun tasomaisen magnetronin magneettijärjestelyn käyttämiseksi, 5 joka laitteisto käsittää kiinteän moottorin, sputterointi- kohdetta vastapäätä liikkuvasti asennetun magneettijärjestelyn ikeen, ja magneetti-ikeen kanssa vaikutusyhteydessä olevan epäkeskokiekon (61), jossa on epäkeskonokka (62), tunnettu epäkeskokiekon (61) moottorin käyttöakse-10 liin (60) yhdistävästä hihnasta (58); käyttöakseliin (60) yhdistetystä, elliptiseksi muodostetusta, pyörimisliikkeen epäkeskokiekkoon (61) siirtävästä hihnapyörästä (59); ja hihnan (58) päällä pyörivästä, joustavasti asennetusta kiristysrullasta. 15 100540 8 Anordning för drift av ett magnetaggregat i en för en förstoftningsanläggning avsedd plan magnetron, vilken 5 anordning omfattar en fast motor, ett ok för magnetaggre- gatet anordnat att röra sig mittemot förstoftningsföremi-let, och en med en excenternock (62) försedd excenterskiva (61) som stir i verkningsförbindelse med magnetoket, kännetecknad av en rem (58) som förbinder ex-10 centerskivan (61) med motorns drivaxel (60); ett med dri- vaxeln (60) förbundet, elliptiskt utformat remhjul (59) som överför rotationsrörelsen tili excenterskivan (61); och en pa remmen (58) roterande, fjädrande anordnad spänn-rulle. il
FI920424A 1991-03-08 1992-01-30 Laitteisto sputterointilaitosta varten tarkoitetun tasomaisen magnetro nin magneettijärjestelyn käyttämiseksi FI100540B (fi)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4107505 1991-03-08
DE4107505A DE4107505A1 (de) 1991-03-08 1991-03-08 Verfahren zum betrieb einer sputteranlage und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI920424A0 FI920424A0 (fi) 1992-01-30
FI920424A FI920424A (fi) 1992-09-09
FI100540B true FI100540B (fi) 1997-12-31

Family

ID=6426816

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI920424A FI100540B (fi) 1991-03-08 1992-01-30 Laitteisto sputterointilaitosta varten tarkoitetun tasomaisen magnetro nin magneettijärjestelyn käyttämiseksi

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0503138B1 (fi)
JP (1) JPH04329874A (fi)
KR (1) KR920018235A (fi)
DE (2) DE4107505A1 (fi)
FI (1) FI100540B (fi)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5399253A (en) * 1992-12-23 1995-03-21 Balzers Aktiengesellschaft Plasma generating device
DE4415232A1 (de) * 1994-04-30 1995-11-02 Leybold Ag Beschichtungsanlage
US5873989A (en) * 1997-02-06 1999-02-23 Intevac, Inc. Methods and apparatus for linear scan magnetron sputtering
KR100297373B1 (ko) * 1998-10-20 2001-08-07 윤종용 스퍼터링 장치
US6264804B1 (en) 2000-04-12 2001-07-24 Ske Technology Corp. System and method for handling and masking a substrate in a sputter deposition system
TW574385B (en) * 2002-06-25 2004-02-01 Hannstar Display Corp Method of pre-sputtering with an increased rate of use of sputtering target
DE10234858A1 (de) * 2002-07-31 2004-02-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Einrichtung zur Erzeugung einer Magnetron-Entladung
DE102004011583A1 (de) * 2004-03-10 2005-09-29 Audi Ag Kopplungsvorrichtung
DE102005019101A1 (de) * 2005-04-25 2006-10-26 Steag Hama Tech Ag Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten
JP2007092136A (ja) 2005-09-29 2007-04-12 Shin Meiwa Ind Co Ltd マグネトロンスパッタリング用の磁石構造体およびカソード電極ユニット並びにマグネトロンスパッタリング装置
JP2007126722A (ja) 2005-11-04 2007-05-24 Shin Meiwa Ind Co Ltd マグネトロンスパッタリング装置用の磁石構造体およびカソード電極ユニット並びにマグネトロンスパッタリング装置
CN101375366B (zh) 2005-12-13 2011-04-27 欧瑞康太阳Ip股份公司 改良溅射靶应用
DE102009007156A1 (de) 2008-01-31 2009-08-06 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Magnetronsputtereinrichtung mit bewegbarem Magnetfeld
US20140332376A1 (en) * 2011-11-04 2014-11-13 Intevac, Inc. Sputtering system and method using counterweight
SG11201401977UA (en) * 2011-11-04 2014-05-29 Intevac Inc Linear scanning sputtering system and method
US10106883B2 (en) 2011-11-04 2018-10-23 Intevac, Inc. Sputtering system and method using direction-dependent scan speed or power
JPWO2013179548A1 (ja) * 2012-05-31 2016-01-18 東京エレクトロン株式会社 マグネトロンスパッタ装置、マグネトロンスパッタ方法及び記憶媒体
CN113584449B (zh) * 2021-07-30 2023-07-28 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院) 一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7607473A (nl) * 1976-07-07 1978-01-10 Philips Nv Verstuifinrichting en werkwijze voor het ver- stuiven met een dergelijke inrichting.
SU711787A1 (ru) * 1978-06-17 1980-10-07 Предприятие П/Я В-8851 Электродуговой испаритель металлов
DD161138A1 (de) * 1981-05-27 1985-02-20 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zum plasmachemischen aetzen oder zur plasma-cvd
DD217964A3 (de) * 1981-10-02 1985-01-23 Ardenne Manfred Einrichtung zum hochratezerstaeuben nach dem plasmatronprinzip
US4444643A (en) * 1982-09-03 1984-04-24 Gartek Systems, Inc. Planar magnetron sputtering device
US4552639A (en) * 1984-07-20 1985-11-12 Varian Associates, Inc. Magnetron sputter etching system
EP0169680A1 (en) * 1984-07-20 1986-01-29 Varian Associates, Inc. Magnetron sputter etching system
JPS6247478A (ja) * 1985-08-26 1987-03-02 バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド 磁場の円運動と放射状運動を組み合わせたプレ−ナ・マグネトロン・スパツタリング装置
US4995958A (en) * 1989-05-22 1991-02-26 Varian Associates, Inc. Sputtering apparatus with a rotating magnet array having a geometry for specified target erosion profile

Also Published As

Publication number Publication date
DE59108370D1 (de) 1997-01-02
DE4107505A1 (de) 1992-09-10
FI920424A (fi) 1992-09-09
EP0503138B1 (de) 1996-11-20
EP0503138A1 (de) 1992-09-16
KR920018235A (ko) 1992-10-21
FI920424A0 (fi) 1992-01-30
JPH04329874A (ja) 1992-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI100540B (fi) Laitteisto sputterointilaitosta varten tarkoitetun tasomaisen magnetro nin magneettijärjestelyn käyttämiseksi
EP0054201B1 (en) Dry etching device and method
US4631106A (en) Plasma processor
KR100297358B1 (ko) 플라즈마에칭장치
CA1321772C (en) Apparatus for the application of thin layers to a substrate by means of cathode sputtering
KR100244385B1 (ko) 스퍼터링장치 및 방법
US20110068087A1 (en) Plasma processing apparatus and method
EP0081331B1 (en) Vacuum sputtering apparatus
US20200027708A1 (en) Sputtering device
KR19990087693A (ko) 벌크물질 진공코팅 장치
JPH0669026B2 (ja) 半導体処理装置
EP0213922A2 (en) Planar magnetron sputtering device with combined circumferential and radial movement of magnetic fields
JP4450654B2 (ja) スパッタ源及び成膜装置
CN115279938A (zh) 溅镀装置
US5753089A (en) Sputter coating station
US7406925B2 (en) Plasma processing method and apparatus
CN112912535B (zh) 液体溅射目标
US4938859A (en) Ion bombardment device with high frequency
JPS6176673A (ja) スパツタリング方法
KR20050046170A (ko) 스퍼터링 장치
JP2001015297A (ja) プラズマ装置
JPS61187336A (ja) プラズマエッチング装置とエッチング方法
US20090000943A1 (en) Magnetron sputtering apparatus and manufacturing method for structure of thin film
CN214088646U (zh) 一种磁铁旋转靶枪
JPH11140639A (ja) マグネトロン装置及びスパッタリング装置