ES2471568A1 - Procedimiento para la creación de contactos eléctricos y contactos as� creados - Google Patents

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M�nica Alejandra COLINA BRITO
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Jos� Mar�a DELGADO S�NCHEZ
Emilio S�NCHEZ CORTEZ�N
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Abstract

La presente invención se refiere a un procedimiento para la creación de contactos eléctricos en dispositivos optoelectrónicos y electrónicos, incluyendo células solares de alta y baja concentración, lámina delgada, diodos emisores de luz orgánicos (OLEDs), y en general, cualquier dispositivo en el que se requiera extraer o inyectar corriente por medio de contactos eléctricos. El procedimiento comprende dos etapas: (a) deposición del material de contacto sobre el sustrato final, mediante la transferencia inducida por láser (LIFT) de dicho material desde un sustrato donante al sustrato final, utilizando preferiblemente láser pulsado y (b) sinterizado del material de contacto mediante una fuente láser, preferiblemente láser continuo. Los contactos así creados presentan unas excelentes propiedades de conductividad y adherencia, así como altas relaciones entre la altura (espesor) y anchura de los mismos.

Description

PROCEDIMIENTO PARA LA CREACiÓN DE CONTACTOS ELÉCTRICOS Y CONTACTOS As� CREADOS
Sector técnico de la invención La presente invención tiene su ámbito de aplicación en la fabricación de dispositivos optoelectr�nicos, incluyendo células solares de alta y baja concentración, lámina delgada, diodos emisores de luz orgánicos (OLED, organic light-emitting diode), y en general, cualquier dispositivo en el que se requiera extraer o inyectar corriente por medio de contactos eléctricos. En particular, la presente invención se refiere a un procedimiento para la creación de contactos eléctricos en dispositivos electrónicos y optoelectr�nicos. Antecedentes de la invención Las técnicas de deposición de contactos eléctricos que se utilizan en la industria actual constan de varias fases en su aplicación hasta conseguir la completa operatividad del contacto. Estas técnicas implican la deposición del conductor sobre el sustrato final, un recrecimiento que se hace necesario en función de la técnica empleada y un sinterizado del depósito a fin de maximizar sus características conductoras y de adherencia al sustrato. Una de las técnicas más ampliamente extendida para la creación de contactos met�licos, especialmente en células solares comerciales, es la serigraf�a, que consiste en trasladar una capa de material con un patrón deseado a la superficie de la oblea (dispositivo optoelectr�nico). Las pantallas y las pastas son los elementos esenciales de esta tecnología. Sin embargo, esta técnica presenta algunos inconvenientes: es una técnica costosa y que necesita cambios de pantalla según la plantilla a utilizar y el control de parámetros del proceso no es fácil, además no permite la deposición de dos pastas met�licas diferentes sin tratamiento térmicos intermedios. Por otra parte, es deseable obtener altas relaciones entre altura (espesor) y anchura de la línea met�lica depositada, denominado "aspect ratio" para tener un contacto eficiente, ya que se desea tener la mínima resistencia del conductor (máxima altura o espesor) con el mínimo área de contacto (el área de contacto en una célula es área perdida en el que
no incide el sol). A mayor altura de línea de capa depositada con la misma achura,
mejores resultados.
Adem�s, la serigraf�a requiere la aplicación de presión sobre el dispositivo, lo que conlleva en ocasiones a la ruptura del mismo.
Aunque también se conoce la deposición mediante transferencia con láser (UFT, laser
induced forward transfer) del depósito del material conductor desde un sustrato donante que lo contiene hasta un sustrato final, esta técnica no pueden considerarse técnicamente completa, puesto que necesita bien de un recrecimiento del contacto mediante técnicas de electrodeposici�n, bien de un sinterizado en horno para la obtención de resistividades y adherencias útiles. El problema de la sinterizaci�n convencional mediante horno es que produce inevitablemente una afectación térmica en todo el dispositivo. Esto hace que cambien las características no sólo de los contactos met�licos, sino también del resto del dispositivo. En la presente invención, se evitan calentamientos que pueden ser perjudiciales para el resto de los componentes de la pieza (ya sean capas semiconductores tipo p o tipo n, la heterouni�n p/n del semiconductor, capas conductoras transparentes o incluso el propio substrato). La invención que se propone resuelve las anteriores debilidades de las técnicas convencionales, proponiendo un procedimiento para la creación de contactos eléctricos de forma efectiva y eficaz, entre las ventajas obtenidas mediante la presente invención, se encuentran las siguientes: -Proceso de deposición de contactos con gran flexibilidad, tanto en valores de anchura y altura del contacto como en posibilidad de variaciones rápidas del estampado utilizado, es decir, existe gran flexibilidad en cuanto al patrón o estampado ("pattern") a crear, -Aumento de resolución en los valores de altura y anchura de los contactos, -Aumento de la velocidad de proceso, -Minimizaci�n de la afectación térmica en el sinterizado, restringiéndola a la zona con contactos y no a la célula/dispositivo optoelectr�nico en s�, -Minimizaci�n del consumo de energía para la creación de los contactos eléctricos. Además, los contactos creados mediante la presente invención permiten tanto conducir como extraer la electricidad. El proceso supone un ahorro de material de contacto, ya que solo se utiliza la cantidad justa para realizar el mismo, no precisando de procesos de limpieza posteriores ni tratamientos térmicos adicionales.
Descripci�n de la invención
La presente invención se refiere a un procedimiento para la creación de contactos eléctricos en los dispositivos electrónicos y optoelectr�nicos. A continuación se definen algunos elementos que se utilizaran para la descripción de las etapas del procedimiento y que ayudarán a la compresión del mismo.
Sustrato final: se trata de la superficie sobre la cual se desea depositar el contacto. Se
trata, pues, de la superficie de cualquier dispositivo electrónico u optoelectr�nico. Sustrato donante: lámina transparente al láser que se utiliza como portadora del material de contacto, y desde la cuál se realiza su transferencia al sustrato final. Predep�sito: es el depósito del material de contacto sobre el sustrato donante. Material de contacto: constituye el material que se desea transferir al sustrato final para servir de contacto, preferiblemente se trata de una pasta de base met�lica y con buenas propiedades conductoras intrínsecamente o tras ser sometida a un proceso de curado. La pasta met�lica debe contener, preferiblemente, un metal con alto grado de conductividad eléctrica, como el cobre, la plata, etc. También se puede utilizar pasta de nanopart�culas de carbono, nanotubos de carbono, pasta de grafeno o film de grafeno como material de contacto. Las pastas met�licas son composiciones que además del metal tienen una serie de componentes como fritas de vidrio en su mayoría, modificadores de reolog�a, disolventes, controladores del sinterizado y otros aditivos. El porcentaje de metal en la pasta puede variar entre el 10 y el 99%. Valores habituales de porcentaje de metal est�n comprendidos entre el 40 y el 90% y preferentemente, entre el 75 y el 85%. La presente invención tiene por objeto describir un procedimiento para la creación de contactos eléctricos mediante la transferencia de una pasta met�lica o material de contacto desde un sustrato donante a un sustrato final y su posterior sinterizado. El procedimiento incluye las siguientes etapas:
Deposici�n del material de contacto o pasta met�lica sobre el sustrato final, mediante la transferencia de dicho material desde un sustrato donante al sustrato final utilizando la técnica de transferencia inducida por láser (LlFT). Preferiblemente se utilizan l�seres pulsados para llevar a cabo la deposición del material de contacto -Sinterizado del material de contacto o pasta met�lica para conseguir la cohesión de dicho material de contacto o pasta met�lica y disminuir su resistencia, de manera que sus características de resistividad eléctrica y adherencia al sustrato final las hace útiles para la inyección o extracción de corriente. Este proceso de sinterizado se realiza mediante un láser, preferiblemente láser continuo. Para realizar la deposición de la pasta met�lica, el sustrato donante se sitúa junto al sustrato final, de manera que la pasta met�lica se sitúe entre ambos. Mediante la radiación selectiva con la fuente láser, la pasta met�lica es transferida al sustrato final, de manera que en él se forman los contactos. En esta etapa se deben tener en cuenta las siguientes variables: -Espesor de predep�sito de pasta met�lica sobre el sustrato donante. Esta variable influye principalmente en el espesor final del depósito en el sustrato final. En el caso de aplicaciones a células fotoeléctricas, los espesores de predep�sito utilizados son de 150 micras o inferiores, preferiblemente entre 40 y 60 micras. -Distancia entre el sustrato donante y el sustrato final. Esta variable influye principalmente en la resolución de la transferencia. Su valor ha de estar relacionado con el espesor de predep�sito, Puede oscilar entre décimas y miles de micras con valores habitualmente comprendidos entre 0,1 Y 1000 micras, preferiblemente entre 50 y 100 micras. -Características del haz láser aplicado (potencia media, velocidad de barrido, diámetro del haz, frecuencia de repetición de pulso, longitud de onda del láser, fluencia del láser, potencia de pico). Los l�seres utilizados, as� como sus características dependerán de las características de las pastas met�licas utilizadas para formar el contacto, del tamaño de depósito final que desee conseguirse, de la velocidad requerida de proceso, etc. El sinterizado de la pasta met�lica es fundamental para disminuir la resistencia del contacto, as� como para obtener una buena adherencia de la pasta met�lica al sustrato debido a que el proceso de sinterizado permite la creación de fuertes enlaces entre las partículas del material de contacto. El proceso de sinterizado se realiza mediante una fuente láser, preferiblemente láser continuo. Las variables del láser (potencia, longitud de onda, diámetro del haz) y de las condiciones de irradiación (velocidad de barrido, tamaño de la mancha focal) son función del espesor del depósito, tipo de material y geometría del depósito. Dependiendo de que el dispositivo incorpore o no una capa diel�ctrica entre la superficie a contactar y el depósito de material descrito, puede ser necesario abrir una ventana en dicha superficie diel�ctrica para que el contacto presente las propiedades eléctricas necesarias. Dicha abertura de la capa diel�ctrica puede realizarse también con láser pulsado, preferiblemente en el rango de los picosegundos. En aquellas tecnologías en las que la pasta met�lica se transfiere a un material con condiciones de conductividad aceptable, como óxidos conductores transparentes, no es necesario realizar una ventana en la superficie diel�ctrica Mediante un haz láser se irradia el depósito de pasta met�lica conductora. Para ello se hace recorrer la luz láser por el depósito de manera que el tiempo de irradiación permita el sinterizado de todo el bloque de pasta met�lica. Con este procedimiento, el calentamiento se produce exclusivamente sobre la pasta
met�lica, no afectando significativamente al resto del dispositivo, ni necesitando de posteriores procesos térmicos, por ello se pueden utilizar tanto dispositivos plásticos como polim�ricos o dispositivos que no soporten altas temperaturas de proceso, como los dispositivos que incorporar heterouniones en su estructura. El láser de luz continua permite un sinterizado profundo y completo de la capa met�lica. A diferencia del sinterizado en hornos, en el caso del sinterizado con láser, la afección térmica es mínima, ya que el haz láser se dirige al contacto del material transferido mientras que el resto del dispositivo se encuentra frío. As� pues, en el procedimiento de la presente invención se realiza una sinterizaci�n selectiva con un consumo de energía inferior y una menor carga térmica global en el dispositivo. La complejidad del proceso de sinterizado se encuentra en la elección del tipo de fuente láser. Dependiendo de la fuente láser y de la pasta met�lica utilizada, se obtienen profundidades de sinterizado distintas. Los l�seres en continuo presentan buenos resultados de penetraci�n, obteniéndose tras el proceso de sinterizaci�n conductividades eléctricas similares a las obtenidas con procesos de sinterizado en horno. Es fundamental la elección de la potencia de la fuente, tamaño del diámetro del haz (habitualmente del orden del ancho de la línea transferida) y velocidad de barrido. En una realización preferida del proceso de sinterizaci�n se utiliza un láser continuo en verde, con potencia en torno a 5-20 vatios y tamaño de spot en torno a 120 micras, con velocidades de barrido comprendidas entre 1 mm/s y 500 mm/s. Las fuentes láser pulsadas hacen más difícil el control de la termodinámica intrínseca al proceso de sinterizado, por lo que es más conveniente utilizar fuentes de láser continuo para esta etapa del procedimiento. Se reserva, sin embargo, el uso de l�seres pulsados a aquellas aplicaciones muy específicas en que el espesor de las líneas depositadas sea extremadamente fino y se necesite limitar la carga térmica en el material a sinterizar. Sin embargo, para las geometrías habitualmente empleadas en dispositivos el�ctronicos y optoelectr�nicos con láser continuo se puede penetrar y sinterizar el depósito en profundidad y homog�neamente. La combinación de estas dos técnicas (LlFT y sinterizado con láser) da lugar a unos contactos con excelentes propiedades conductoras, con gran adherencia, alta relación entre la altura y anchura del contacto, con un sinterizado del contacto completo y profundo y sin necesidad de realizar una etapa adicional de recrecimiento del contacto. Se persigue la menor resistencia eléctrica (mayor altura o sección del contacto) con menor área de contacto (anchura del contacto) para evitar sombreado. Cuando mayor sea el "aspect ratio" o relación entre altura y anchura de la línea del contacto más
eficiente ser� éste. La anchura de los contactos eléctricos creados mediante el proceso de la presente invención oscila entre 4 y 200 micras, preferiblemente entre 50 y 100 micras. En cuanto a la relación ente la altura y anchura de línea, los valores oscilan entre 0,0001 Y0,5 Para anchuras de línea en torno a las 4 micras, utilizadas en contactos para células multi-unión como las empleadas en alta concentración fotovoltaica, se pueden usar l�seres de onda bajas (355nm por ejemplo) para la sinterizaci�n. En el procedimiento de la presente invención se pueden utilizar diferentes pastas met�licas para crear los contactos sin necesidad de realizar un proceso intermedio de secado o sinterizado entre la deposición de una y otra pasta met�lica. As� por ejemplo, puede utilizarse una pasta met�lica de alta conductividad o una pasta met�lica con buena adherencia, o bien las dos pastas para crear un mismo depósito, en función de las necesidades requeridas. También puede aplicarse una única pasta para la formación de tipos de contactos diferentes, por ejemplo superponiendo líneas para conseguir una mayor relación de aspecto ("aspect ratio"). En el caso de una célula solar comercial estándar existen dos áreas diferenciadas de metalización en la parte frontal: por una parte est�n los contactos eléctricos (denominados "dedos" �, del inglés, "fingers') que forman la primera fase de metalización y tienen como misión extraer la corriente de la superficie del dispositivo y conducirla hasta los contactos de la segunda fase de metalización que son los denominados "buses" o "busbars". Los "fingers" han de ser lo más finos posibles, con muy buen contacto con el sustrato, con una alta relación entre la altura y la anchura de línea del contacto, interesa que tengan una alta conductividad y buena unión eléctrica. La misión de los "buses" consiste en recoger la corriente de los "fingers" y cederla a la cinta de soldadura, o del inglés "ribbon" que se suelda en ellos. En el caso de los "buses", lo importante es que la adherencia al sustrato sea muy buena para no tener problemas de fiabilidad en el proceso de soldadura. Luego, en función del tipo de contacto a depositar, puede utilizarse como material de contacto una pasta met�lica con una buena adherencia o una buena conductividad, o bien pueden utilizarse dos pastas diferentes para realizar el mismo tipo de contacto, o una misma pasta para crear los dos tipos de contactos. Los dispositivos electrónicos pueden ser LEOs (diodos emisores de luz, del ingles "light-emitting diodes"), OLED (diodos emisores de luz orgánicos, del inglés "organic light-emitting dioses") y a células III-V, que se trata de células solares formadas por
elementos de la tabla periódica comprendidos en las columnas 111 a V, son las
utilizadas en módulos solares fotovoltaicos de alta concentración. En el caso de éstas
�ltimas, los contactos pueden crearse i) en la parte frontal donde se encuentra la unión
pn (malla met�lica de fingers y salida de corriente de la célula a través de busbars
5
colocados en los laterales), ii) en la parte trasera, colocándose todo igual pero en la
parte trasera (tanto fingers como busbars), iii) colocando los fingers en la parte frontal,
unos conductores/caminos que atraviesa la célula (también de metal) y conectan con
los busbars colocados a la unión pn de la parte trasera".
Descripci�n de los dibujos
1O
Para completar la descripción que se est� realizando y con objeto de ayudar a una
mejor comprensión de la invención, se acompaña un juego de dibujos donde con
car�cter ilustrativo y no limitativo, se ha representado lo siguiente:
Figura 1: Muestra un esquema de la etapa de deposición de la pasta met�lica sobre el
sustrato final (Figura perteneciente al estado del arte)
15
Figura 2: Muestra un diagrama de la altura vs distancia horizontal (anchura) de línea
del contacto depositado mediante la técnica LlFT.
Figura 3: Muestra dos gráficas de la resistencia del contacto depositado con las pastas
de plata comercial SOL 540 Y SOL 550 de la firma Heraeus � respectivamente, en
funci�n de la potencia láser con y sin sinterizado.
20
Las referencias numéricas que aparecen en la figura 1 son las siguientes:
1.-Material de contacto
2.-Sustrato donante
3.-Sustrato final o receptor
4.-Láser
25
Descripción detallada de la invención
A continuación se describe la creación de contactos met�licos utilizando los siguientes
materiales:
Material de contacto (1): se utilizan dos pastas diferentes comercialmente disponibles
de modelos SOL 540 Y SOL 550 de Heraeus �.
30
Características:
Pasta
SOL 540 SOL 550
Viscosidad
40-60 kpcs 30-50 kpcs
Resistividad
< 10 mnlo/25llm < 10 mnlo/25llm
Adhesi�n
>3N -
S�lidos (%)
80 86,5
Tipo de pol�meros
termoestable termopl�stico
Temp. de curado
250-280oC 200-230oC
Tiempo de curado
3-8 min 10-15 min
Sustrato donante (2): es un portamuestras de vidrio, transparente al láser. El espesor de pasta de plata sobre el sustrato donante (espesor de predep�sito) es de entre 40 y 50 micras.
5 Sustrato final o receptor (3): es un óxido conductor transparente (TeO) de lámina delgada (Thin Film). Láser (4) para proceso de transferencia de la pasta met�lica: Se utiliza un láser de Spectra Physics 532-2 de 532 nm y 15 ns de pulso, con frecuencias de 20 a 150KHz y cintura de haz de 30 IJm, con potencia máxima de 2 W.
lO-Para la pasta de plata SoI540:, las variables de láser utilizado para proceso de transferencia de la pasta met�lica son las siguientes: potencia óptima de 3,7 W, con ventana desde 2,2 a 4,0 W, velocidad de barrido de 3 mm/s y tamaño de spot de 120 micras de diámetro Para la pasta de plata So1550, las variables de láser utilizado son las siguientes:
15 Potencia óptima de 3,4 W, con ventana desde 2,0 a 3,8 W, velocidad de barrido de 3 mm/s y tamaño de spot de 120 micras de diámetro Tal y como se muestra en la figura 1, en primer lugar se lleva a cabo la deposición de la pasta de plata (1) situada inicialmente en un portamuestras de vidrio o sustrato donante (2) sobre el sustrato final (3), para lo cual se utiliza el láser pulsado (4)
20 descrito anteriormente. La Figura 2 muestra un diagrama de la altura y distancia horizontal (anchura) de línea del contacto depositado mediante la técnica de transferencia inducida por láser (LlFT), que permite obtener alta relación entre la altura y la anchura del contacto. Es decir, es posible obtener, a diferencia de las técnicas convencionales, líneas de gran altura o
25 espesor (unas 25 micras), pero estrechas o con una distancia horizontal pequeña, del orden de 100 micras. Una vez depositada la pasta met�lica (1) sobre el sustrato final (3), se lleva cabo la sinterizaci�n de la pasta depositada. Para ello se utiliza además una fuente láser de Spectra Physics, Modelo Millennia �. Se trata de un láser en continuo con una
30 potencia máxima de 10W y de 532 nm de longitud de onda y velocidad de escáner de 3 mm/s y un diámetro de spot de 120 micras. Se realizan los sinterizados a distintas potencias, para cada una de las dos pastas, obteniendo resultados muy aceptables en un rango de lo suficientemente ancho como para considerar al proceso robusto. La calidad de los resultados es función de la
35 resistencia. A menor resistencia, mejor se podr� evacuar/inyectar la corriente en el
dispositivo. Como puede verse en la figura 3, la resistencia de las pastas sinterizadas es del orden de 20 veces menores que sin el sinterizado. La gran ventaja del calentamiento por láser es que permite el calentamiento selectivo
5 del contacto met�lico, sin afectar al resto del dispositivo optoelectr�nico. Además, el uso de un láser continuo permite realizar una sinterizaci�n parcial y profunda del contacto y no solo superficial como ocurre en ocasiones con las técnicas convencionales (hornos) limitadas a una temperatura para que no se vea afectado el dispositivo optoelectr�nico en cuestión.
10 As� pues, la combinación de la técnica de transferencia inducida por láser (LlFT) y la sinterizaci�n mediante láser da lugar a contactos con unas características eléctricas óptimas, tal y como se muestra en la figura 3, sin que el sustrato optoelectr�nico se vea afectado durante el proceso. As�, en el caso de la pasta met�lica SOLS40, se obtiene una resistencia de 1,240 para una potencia de láser de 3,4W en el sinterizado.
15 En el caso de la pasta met�lica SOLSSO, obtiene una resistencia de 1,SO para una potencia de láser de 3,7W.

Claims (18)

  1. Reivindicaciones
    1. Procedimiento para la creación de contactos eléctricos en dispositivos
    electr�nicos u optoelectr�nicos caracterizado por comprender las siguientes etapas: -deposición del material de contacto (1) sobre un sustrato final (3), mediante la transferencia inducida por un láser (4) de dicho material desde un sustrato donante
    (2) que contiene un predep�sito del material de contacto (1) al sustrato final (3), que es el dispositivo electrónico u optoelectr�nico, -sinterizado del material de contacto mediante una fuente láser.
  2. 2.
    Procedimiento para la creación de contactos eléctricos, según reivindicación 1 donde la fuente láser utilizada en la etapa de deposición es una fuente de láser pulsado.
  3. 3.
    Procedimiento para la creación de contactos eléctricos, según reivindicación 1 donde la fuente láser utilizada en la etapa de sinterizado es una fuente de láser continuo.
  4. 4.
    Procedimiento para la creación de contactos eléctricos, según reivindicación 3 donde el láser continuo utilizado para el sinterizado es verde, con una potencia entre 5-20 vatios y tamaño de spot de 120 micras, y con velocidades de barrido comprendidas entre 1 mm/s y 500 mm/s.
  5. 5.
    Procedimiento para la creación de contactos eléctricos, según reivindicación 1 donde la fuente láser utilizada en la etapa de sinterizado es una fuente de láser pulsado.
  6. 6.
    Procedimiento para la creación de contactos eléctricos, según reivindicación 1 donde el espesor de predep�sito del material de contacto en el sustrato donante es de 150 micras o inferior.
  7. 7.
    Procedimiento para la creación de contactos eléctricos, según reivindicación 6 donde el espesor de predep�sito del material de contacto en el sustrato donante es de entre 40 y 60 micras.
  8. 8.
    Procedimiento para la creación de contactos eléctricos, según reivindicación 1 donde la distancia entre el sustrato donante y el sustrato final durante el proceso de deposición oscila entre 0,1 Y 1000 micras.
  9. 9.
    Procedimiento para la creación de contactos eléctricos, según reivindicación 8 donde la distancia entre el sustrato donante y el sustrato final durante el proceso de deposición est� entre 50 y 100 micras.
  10. 10.
    Procedimiento para la creación de contactos eléctricos, según reivindicación 1 donde el material de contacto utilizado es una pasta met�lica conductora.
  11. 11.
    Procedimiento para la creación de contactos eléctricos, según reivindicación 1
    donde el material de contacto utilizado es una pasta de nanopart�culas de carbono, 5 nanotubos de carbono, pasta de grafeno, film de grafeno.
  12. 12.
    Procedimiento para la creación de contactos eléctricos, según reivindicación 10 donde la pasta met�lica contiene plata o cobre.
  13. 13.
    Procedimiento para la creación de contactos eléctricos mediante el proceso
    descrito en la reivindicación 1 donde los contactos eléctricos creados tienen una 10 relación entre su altura y anchura de entre 0,0001 y 0,5.
  14. 14. Procedimiento para la creación de contactos eléctricos mediante el proceso descrito en la reivindicación 1 donde los contactos eléctricos creados tienen una anchura que oscila entre 4 y 200 micras.
  15. 15. Procedimiento para la creación de contactos eléctricos según reivindicación 14 15 donde la anchura de los contactos eléctricos est� entre 50 y 100 micras.
  16. 16.
    Procedimiento para la creación de contactos eléctricos, según reivindicación 1, donde los dispositivos electrónicos son LEDs, OLEDs o células solares formadas por elementos de la tabla periódica comprendidos en las columnas 111 a V.
  17. 17.
    Procedimiento para la creación de contactos eléctricos, según reivindicación
    20 16, donde los contactos se crean en la parte frontal o en la parte trasera del dispositivo electrónico, siendo éste una célula solar formada por elementos de la tabla periódica comprendidos en las columnas 111 a V.
  18. 18. Contactos eléctricos creados mediante el procedimiento descrito en cualquiera de las reivindicaciones anteriores.
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