ES2390442B2 - HIGH PERFORMANCE AND WIDE BAND RADIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER - Google Patents

Abstract

Amplificador de potencia de radiofrecuencia de alto rendimiento y banda ancha, que comprende:#- un elemento conmutador (1);#- medios de transformación de admitancia (2) conectados en paralelo al elemento conmutador (1), configurados para aumentar la admitancia de carga presentada al elemento conmutador (1) vista desde una red de terminación de admitancia (3);#- la red de terminación de admitancia (3), encargada de proporcionar la terminación de carga requerida a 2f{sub,0} y 3f{sub,0} para funcionamiento en condiciones de Clase-E nominal y modificar, junto a las capacidades C{sub,OUT} y C1 además de la inductancia L{sub,EQ}, la fase de la admitancia presentada por una carga de terminación (R3) conectada a dicha red (3) vista desde el elemento conmutador (1), hasta un ángulo de fase requerido por dicho elemento conmutador (1) a frecuencia fundamental para funcionamiento en Clase-E nominal.#Utilizable en comunicaciones, calentamiento industrial, fabricación de semiconductores, aplicaciones nucleares, tecnología láser y diagnóstico por imagen en medicina.High performance and broadband radio frequency power amplifier, comprising: # - a switching element (1); # - admittance transformation means (2) connected in parallel to the switching element (1), configured to increase the admittance of load presented to the switching element (1) seen from an admittance termination network (3); # - the admittance termination network (3), responsible for providing the required load termination at 2f {sub, 0} and 3f { sub, 0} for operation in nominal E-Class conditions and modify, together with the capacities C {sub, OUT} and C1 in addition to the inductance L {sub, EQ}, the admittance phase presented by a termination load (R3) connected to said network (3) seen from the switching element (1), up to a phase angle required by said switching element (1) at fundamental frequency for nominal E-Class operation. # Usable in communications, industrial heating , semiconductor manufacturing, apl Nuclear applications, laser technology and diagnostic imaging in medicine.

Description

AMPLIFICADOR DE POTENCIA DE RADIOFRECUENCIA DE ALTO RENDIMIENTO HIGH PERFORMANCE RADIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER

Y BANDA ANCHA AND WIDE BAND

Campo de la Invención Field of the Invention

La The

invención se encuadra en el sector técnico de la electrónica de invention be framing in he sector technical from the electronics from

comunicaciones, communications,

más en concreto en el de amplificadores de potencia de plus in concrete in that of amplifiers from power from

radiofrecuencia. radiofrequency

Los amplificadores de potencia de radiofrecuencia son utilizados en diversas áreas industriales tales como: comunicaciones, calentamiento industrial, fabricación de semiconductores, aplicaciones nucleares, tecnología láser y diagnóstico por imagen en medicina. Radio frequency power amplifiers are used in various industrial areas such as: communications, industrial heating, semiconductor manufacturing, nuclear applications, laser technology and imaging in medicine.

Antecedentes de la Invención Background of the Invention

La industria electrónica ha perseguido constantemente mejorar el rendimiento y el ancho de banda de los amplificadores de potencia de alta frecuencia. Ello es debido a que la mejora de su rendimiento se traduce en una disminución de la energía consumida por los equipos que los integran, de su complejidad, de su peso y del calor a disipar por los mismos. The electronics industry has constantly sought to improve the performance and bandwidth of high frequency power amplifiers. This is because the improvement in their performance translates into a decrease in the energy consumed by the equipment that integrates them, their complexity, their weight and the heat dissipated by them.

A lo largo de los años se han propuesto nuevos circuitos amplificadores capaces, en teoría, de proporcionar un rendimiento energético del 100%, no obstante, en la práctica, es habitual encontrar en el mercado nuevos diseños de amplificadores que proporcionan rendimientos máximos de tan sólo el 15%. Over the years, new amplifier circuits have been proposed capable, in theory, of providing 100% energy efficiency, however, in practice, it is common to find new amplifier designs on the market that provide maximum yields of only the 15%.

El valor del rendimiento máximo de un amplificador de radiofrecuencia en la práctica depende de varios factores, entre los que cabe destacar la frecuencia de trabajo del amplificador, su ancho de banda fracciona!, su máxima potencia de salida y su linealidad, de forma tal que cuanto mayor es la frecuencia de trabajo, mayor es la potencia de salida, mayor es el ancho de banda y mejor es la linealidad, peor es el rendimiento. The value of the maximum performance of a radiofrequency amplifier in practice depends on several factors, among which the working frequency of the amplifier, its bandwidth fractional!, Its maximum output power and its linearity, in such a way that The higher the working frequency, the higher the output power, the greater the bandwidth and the better the linearity, the worse the performance.

Así, los mejores diseños de amplificadores de potencia de radiofrecuencia (no lineales) actuales proporcionan rendimientos máximos alrededor del 80% a frecuencias inferiores a 20 M Hz y con anchos de banda fraccionales inferiores al 10% y potencias de hasta 1Kw. Estas cifras decrecen muy notablemente conforme la frecuencia, potencia, ancho de banda o linealidad del amplificador aumentan de forma tal que es muy difícil encontrar amplificadores para la Banda X, de 8 a 12 GHz, con rendimientos superiores al 30%, que entreguen potencias máximas superiores a 20W en anchos de banda fraccionales mayores que el 25%. Thus, the best designs of current radiofrequency power amplifiers (non-linear) provide maximum yields around 80% at frequencies below 20 M Hz and with fractional bandwidths below 10% and powers of up to 1Kw. These figures decrease very markedly as the frequency, power, bandwidth or linearity of the amplifier increases in such a way that it is very difficult to find amplifiers for the X Band, from 8 to 12 GHz, with yields greater than 30%, that deliver maximum powers greater than 20W in fractional bandwidths greater than 25%.

Las causas de que los amplificadores de radiofrecuencia de potencia prácticos no sean capaces de conseguir los rendimientos máximos previstos teóricamente hay que buscarlas, además de en las pérdidas y limitaciones de los transistores, en la dificultad para sintetizar las cargas requeridas por los transistores y las pérdidas de energía en las redes de carga. Ello es debido, fundamentalmente, a consideraciones de tipo práctico, dentro de las que caben destacar las siguientes: The causes that the practical power radiofrequency amplifiers are not able to achieve the theoretically expected maximum yields must be sought, in addition to the transistor losses and limitations, in the difficulty to synthesize the loads required by the transistors and the losses of energy in the load networks. This is mainly due to practical considerations, which include the following:

a) Las altas admitancias de carga requeridas por los transistores de potencia de alta frecuencia, que son difíciles de sintetizar a frecuencia fundamental y armónicos. a) The high load admittances required by high frequency power transistors, which are difficult to synthesize at fundamental and harmonic frequencies.

b) Las altas corrientes asociadas a admitancias de carga altas, que realzan los efectos parásitos de los componentes y materiales con los que se construyen las redes de carga de los amplificadores de potencia de radiofrecuencia. Estos parásitos en muchos casos imposibilitan la síntesis correcta de la admitancia de carga necesaria por los amplificadores, especialmente a frecuencias armónicas y son la causa de importantes pérdidas de energía. b) The high currents associated with high load admittances, which enhance the parasitic effects of the components and materials with which the load networks of the radiofrequency power amplifiers are constructed. These parasites in many cases prevent the correct synthesis of the necessary load admittance by the amplifiers, especially at harmonic frequencies and are the cause of significant energy losses.

Sería por lo tanto deseable diseñar un amplificador que minimizara el impacto de dichos parásitos, e incluso, si fuese posible, los utilizase en beneficio propio para poder sintetizar con fidelidad las condiciones de carga requeridas por una clase de amplificación de alto rendimiento a frecuencia fundamental y armónicos, en condiciones de banda ancha y con bajas pérdidas. En tal caso sería posible acercarse a los rendimientos energéticos y anchos de banda previstos teóricamente para los amplificadores de potencia de radiofrecuencia de alto rendimiento en general y especialmente las clases de funcionamiento llamadas de alto rendimiento, que requieren perfiles de carga más exigentes que el resto.
It would therefore be desirable to design an amplifier that minimizes the impact of these parasites, and even, if possible, use them for their own benefit to be able to faithfully synthesize the load conditions required by a high-performance amplification class at fundamental frequency and harmonics, in broadband conditions and with low losses. In such a case, it would be possible to approach the energy yields and bandwidths theoretically provided for high-performance radiofrequency power amplifiers in general and especially the so-called high-performance operating classes, which require more demanding load profiles than the rest.

La presente invención consiste en un amplificador de potencia de radiofrecuencia que es capaz de proporcionar alto rendimiento energético y banda ancha de forma simultanea. Está basado en el empleo una red de carga de bajas perdidas que implementa las funciones de transformación de admitancia, giro de fase y terminación de carga a los armónicos para proporcionar las condiciones de funcionamiento requeridas por la clase de amplificación conocida como Clase-E en condiciones nominales, o próximas a las nominales, aprovechando en su propio beneficio también los parásitos de los componentes del circuito, activos y pasivos. The present invention consists of a radiofrequency power amplifier that is capable of providing high energy efficiency and broadband simultaneously. It is based on the use of a low loss load network that implements the functions of admittance transformation, phase rotation and termination of load to the harmonics to provide the operating conditions required by the amplification class known as E-Class in conditions nominal, or close to the nominal, also taking advantage of the parasites of the circuit components, assets and liabilities.

Referencias References

[1] N. O. Sokal, R. Redl, quot;Power Transistor Output Port Modelquot;, RF Design, Vol. 1 O, No. 6, pp. 45-48, 50, 51, 53, June 1987. [1] N. O. Sokal, R. Redl, quot; Power Transistor Output Port Modelquot ;, RF Design, Vol. 1 O, No. 6, pp. 45-48, 50, 51, 53, June 1987.

[2] N. O. Sokal, A. D. Sokal, quot;Ciass-E, a new class of high efficiency tuned single-ended switching power amplifier, quot;IEEE Journal on Sol id State Circuits, vol. SC-1 O, No. 3, pp. 168-176, June 1975. [2] N. O. Sokal, A. D. Sokal, "Ciass-E, a new class of high efficiency tuned single-ended switching power amplifier," IEEE Journal on Sol id State Circuits, vol. SC-1 O, No. 3, pp. 168-176, June 1975.

[3] N. O. Sokal and A. D. Sokal, quot;High-Efficiency Tuned Switching Power Amplifier.quot; [3] N. O. Sokal and A. D. Sokal, quot; High-Efficiency Tuned Switching Power Amplifier.quot;

U.S. Patent 3,919,656, November 1975. U.S. Patent 3,919,656, November 1975.

[4] Ortega-Gonzalez, F.J, quot;Load-Pull Wideband Class-E Amplifierquot;, Microwave and Wireless Components Letters, Vol. 17, No. 3, pp. 235-237, March 2007. [4] Ortega-Gonzalez, F.J, "Load-Pull Wideband Class-E Amplifierquot ;, Microwave and Wireless Components Letters, Vol. 17, No. 3, pp. 235-237, March 2007.

Descripción de la invención La invención se refiere a un amplificador de potencia de radiofrecuencia de alto rendimiento y banda ancha de acuerdo con la reivindicación 1. Realizaciones preferidas
DESCRIPTION OF THE INVENTION The invention relates to a high performance and broadband radio frequency power amplifier according to claim 1. Preferred embodiments

del amplificador se definen en las reivindicaciones dependientes. of the amplifier are defined in the dependent claims.

El amplificador de potencia comprende: The power amplifier comprises:

--

un elemento conmutador, preferiblemente un transistor de potencia; a switching element, preferably a power transistor;

--

medios de transformación de admitancia conectados en paralelo al elemento conmutador, estando configurados dichos medios para aumentar la admitancia de carga presentada al elemento conmutador vista desde una red de terminación de admitancia; admittance transformation means connected in parallel to the switching element, said means being configured to increase the load admittance presented to the switching element seen from an admittance termination network;

--

la red de terminación de admitancia, conectada a los medios de transformación de admitancia y encargada de proporcionar la terminación de carga requerida a 2fo y 3fo para funcionamiento en condiciones de Clase-E nominal y modificar, junto a las capacidades Cour y C1 además de la inductancia LEo, la fase de la admitancia presentada por una carga de terminación conectada a dicha red vista desde el elemento conmutador, hasta un ángulo de fase requerido por dicho elemento conmutador a frecuencia fundamental para funcionamiento en Clase-E nominal. the admittance termination network, connected to the admittance transformation means and responsible for providing the required load termination at 2fo and 3fo for operation under nominal E-Class conditions and modifying, together with the Cour and C1 capabilities in addition to the LEo inductance, the admittance phase presented by a termination load connected to said network seen from the switching element, up to a phase angle required by said fundamental frequency switching element for nominal E-Class operation.

En una realización preferida los medios de transformación de admitancia comprenden un transformador, preferiblemente sin núcleo magnético, el cual puede ser por ejemplo un transformador de acoplamiento magnético o un transformador de línea de transmisión. El transformador está preferentemente conectado a tierra en uno de sus extremos de su primario mediante una batería de condensadores de desacoplo. In a preferred embodiment the admittance transformation means comprise a transformer, preferably without a magnetic core, which can be for example a magnetic coupling transformer or a transmission line transformer. The transformer is preferably grounded at one of its primary ends by a battery of decoupling capacitors.

En una realización preferida la red de terminación de admitancia comprende una pluralidad de bobinas, preferentemente sin núcleo magnético, y una pluralidad de condensadores, preferiblemente condensadores multicapa de dieléctrico de porcelana. In a preferred embodiment the admittance termination network comprises a plurality of coils, preferably without a magnetic core, and a plurality of capacitors, preferably multilayer porcelain dielectric capacitors.

La red de terminación de admitancia está preferiblemente configurada para proporcionar una fase de la admitancia de carga a la frecuencia fundamental de -36°. El amplificador de potencia puede comprender adicionalmente un condensador conectado en paralelo con el elemento conmutador. The admittance termination network is preferably configured to provide a phase of the load admittance at the fundamental frequency of -36 °. The power amplifier may additionally comprise a capacitor connected in parallel with the switching element.

Breve descripción de los dibujos Brief description of the drawings

A continuación se pasa a describir de manera muy breve una serie de dibujos que ayudan a comprender mejor la invención y que se relacionan expresamente con una realización de dicha invención que se presenta como un ejemplo no limitativo de ésta.
A series of drawings that help to better understand the invention and that expressly relate to an embodiment of said invention that is presented as a non-limiting example thereof is described very briefly below.

La figura 1 ilustra un diagrama de bloques del amplificador de potencia de radiofrecuencia de acuerdo a la presente invención. La figura 2 ilustra una realización preferida de la presente invención. Figure 1 illustrates a block diagram of the radio frequency power amplifier according to the present invention. Figure 2 illustrates a preferred embodiment of the present invention.

Descripción detallada de la Invención La presente invención se refiere a un nuevo amplificador de potencia de radiofrecuencia de alto rendimiento y banda ancha. Este nuevo amplificador está compuesto por tres elementos tal y como se muestra en la figura 1 y que seguidamente se describen: DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a new high performance broadband radio frequency power amplifier. This new amplifier is composed of three elements as shown in Figure 1 and described below:

Dispositivo activo o elemento conmutador (1 ): compuesto por un transistor, válvula u otro dispositivo amplificador, suficientemente excitado para poder funcionar como un conmutador. Se considera, no obstante, que este conmutador no funciona de forma perfecta debido a ciertos efectos parásitos que degradan su funcionamiento ideal. Estos efectos parásitos, mostrados en el elemento conmutador (1) de la figura 1, se caracterizan utilizando el modelo para la salida de un transistor de potencia en conmutación propuesto por Sokal y Redl [1] para un transistor en conmutación de radiofrecuencia. Son los siguientes: Active device or switching element (1): composed of a transistor, valve or other amplifying device, sufficiently excited to function as a switch. It is considered, however, that this switch does not work perfectly due to certain parasitic effects that degrade its ideal functioning. These parasitic effects, shown in the switching element (1) of Figure 1, are characterized using the model for the output of a switching power transistor proposed by Sokal and Redl [1] for a radiofrequency switching transistor. They are the following:

Conmutador S: Conmutador ideal utilizado para modelar el transistor del amplificador. Resistencia roN: Esta resistencia modela las pérdidas en conducción del transistor actuando como un conmutador. Las pérdidas producidas por esta resistencia son inevitables y reducen el rendimiento del amplificador. Capacidad Cour: Modela la carga equivalente almacenada por el transistor a su salida. Presenta una admitancia reactiva no lineal en paralelo con el conmutador. Resistencia rcour: Esta resistencia modela las pérdidas introducidas por la capacidad Cour mencionada en el párrafo anterior. Las pérdidas introducidas por este parásito son inevitables y reducen el rendimiento del amplificador. Su contribución a las perdidas totales del amplificador es tanto mayor cuanto mayor es la contribución de Cour a la síntesis de la admitancia de carga requerida por el conmutador quot;Squot;.
Switch S: Ideal switch used to model the amplifier transistor. Resistance roN: This resistance models the conduction losses of the transistor acting as a switch. The losses produced by this resistance are inevitable and reduce the performance of the amplifier. Cour Capacity: Models the equivalent load stored by the transistor at its output. It presents a non-linear reactive admittance in parallel with the switch. Rcour resistance: This resistance models the losses introduced by the Cour capacity mentioned in the previous paragraph. The losses introduced by this parasite are inevitable and reduce the performance of the amplifier. Its contribution to the total losses of the amplifier is all the greater the greater the contribution of Cour to the synthesis of the load admittance required by the switch "Squot ;.

Hay que destacar que el parásito Cour es intrínseco a la naturaleza de cualquier dispositivo activo amplificador y por tanto inevitable. Este parásito proporciona, fundamentalmente, una admitancia capacitiva a los armónicos de la frecuencia de trabajo, que resulta muy difícil de neutralizar, especialmente en condiciones de banda ancha. El amplificador de radiofrecuencia descrito en esta invención trabaja en Clase-E [2, 3] nominal, ya que esta clase de amplificación de alto rendimiento, capaz en teoría de proporcionar un rendimiento del 100%, requiere admitancias capacitivas a los armónicos, compatibles con la admitancia presentada por la capacidad parásita COUT. Una definición de la clase E se encuentra en las referencias [2] y [3]. Más adelante se resumen en la Tabla llas condiciones de carga necesarias para su implementación. It should be noted that the Cour parasite is intrinsic to the nature of any active amplifying device and therefore unavoidable. This parasite provides, fundamentally, a capacitive admittance to the harmonics of the working frequency, which is very difficult to neutralize, especially in broadband conditions. The radiofrequency amplifier described in this invention works in nominal E-Class [2, 3], since this kind of high-performance amplification, theoretically capable of providing 100% efficiency, requires capacitive admits to harmonics, compatible with the admittance presented by the parasitic capacity COUT. A definition of class E is found in references [2] and [3]. The load conditions necessary for its implementation are summarized below in the Table.

Por lo cual, el elemento conmutador (1) consiste en el conmutador ideal (S) en serie con la resistencia de pérdidas de conducción RoN-En paralelo con estos dos elementos se encuentra la capacidad parásita Cour y su resistencia equivalente de pérdidas Rcour. Therefore, the switching element (1) consists of the ideal switch (S) in series with the resistance of conduction losses RoN-In parallel with these two elements is the parasitic capacity Cour and its equivalent resistance of losses Rcour.

Red o medios de transformación de admitancia (2): Esta red se encuentra situada inmediatamente a la salida del elemento conmutador (1) y concretamente entre dicho elemento conmutador (1) y la red de terminación (3) mostradas en la figura 1. Dicha red de transformación de admitancia (2) proporciona una relación de transformación de admitancias 1:n desde el plano de admitancia LP2 al plano de admitancia LP1 y presenta una reactancia parásita en derivación LEo en su lado de baja admitancia. Tiene por objeto transformar la admitancia presentada por la red de terminación (3) en un plano de admitancia LP3 a un valor superior, muy próximo al requerido por el conmutador, en un plano de admitancia LP2. La relación de admitancias entre LP2 y LP3, LP2:LP3, depende de cada amplificador en particular, siendo tanto más elevada cuanto más alta es la potencia del amplificador y menor su tensión de alimentación. Con la tecnología de estado sólido disponible este valor suele oscilar entre 1:4 y 1 :16 en la mayor parte de los casos.
Admittance transformation network (2): This network is located immediately at the exit of the switching element (1) and specifically between said switching element (1) and the termination network (3) shown in Figure 1. Said admittance transformation network (2) provides a 1: n admittance transformation ratio from the admittance plane LP2 to the admittance plane LP1 and has a parasitic reactance in LEo bypass on its low admittance side. Its purpose is to transform the admittance presented by the termination network (3) into an LP3 admittance plane to a higher value, very close to that required by the switch, into an LP2 admittance plane. The ratio of admittances between LP2 and LP3, LP2: LP3, depends on each particular amplifier, the higher being the higher the amplifier power and the lower its supply voltage. With the solid state technology available, this value usually ranges between 1: 4 and 1: 16 in most cases.

Esta red de transformación de admitancia (2) en una realización preferida de la This admittance transformation network (2) in a preferred embodiment of the

invención, está compuesta por un transformador. Invention, it is composed of a transformer.

Red de terminación de admitancia (3): La red de terminación se sitúa inmediatamente después de la red de transformación de admitancia (2), por lo tanto en un plano de relativa baja admitancia. Su función es proporcionar, junto con la capacidad parásita Cour y la inductancia parásita LEo, la carga a los armónicos requerida por el conmutador S en un plano de admitancia LP1. También contribuye a proporcionar la fase de la carga a la frecuencia fundamental para funcionar en condiciones de Clase-E nominal (o muy aproximadas). La fase de la admitancia a 2fo y 3fo debe ser 90°, es decir, reactiva pura y de carácter capacitivo. Admittance termination network (3): The termination network is located immediately after the admittance transformation network (2), therefore in a relatively low admittance plane. Its function is to provide, together with the parasitic capacity Cour and the parasitic inductance LEo, the harmonic load required by the switch S in an admittance plane LP1. It also helps to provide the phase of the load at the fundamental frequency to operate in conditions of nominal (or very approximate) E-Class. The phase of admittance to 2fo and 3fo must be 90 °, that is, pure reactive and capacitive.

Como puede apreciarse en la figura 2, el funcionamiento del amplificador es el siguiente: As can be seen in Figure 2, the operation of the amplifier is as follows:

El amplificador consigue alto rendimiento proporcionando, de forma lo más aproximada posible, las condiciones de carga requeridas para el funcionamiento en Clase-E nominal al conmutador ideal S1 del modelo del transistor mostrado en la Figura 1 (las condiciones de carga se describen en detalle en la referencia [4]), en el plano de admitancia LP1 de la misma figura, dentro de un determinado ancho de banda. La Tabla 1 resume las condiciones de carga (admitancia expresada en forma módulo-argumental) requeridas a frecuencia fundamental (fo), 2fo y 3fo. The amplifier achieves high performance by providing, as closely as possible, the load conditions required for nominal E-Class operation to the ideal switch S1 of the transistor model shown in Figure 1 (the load conditions are described in detail in reference [4]), in the LP1 admittance plane of the same figure, within a given bandwidth. Table 1 summarizes the load conditions (admittance expressed in module-plot form) required at fundamental frequency (fo), 2fo and 3fo.

Para explicar el funcionamiento del amplificador, se denomina quot;red de cargaquot; a la red de transformación de admitancia (2) junto a la red de terminación de admitancia (3), considerando también la capacidad parásita Cour del elemento conmutador (1 ). To explain the operation of the amplifier, it is called quot; network of loadquot; to the admittance transformation network (2) next to the admittance termination network (3), also considering the parasitic Cour capacity of the switching element (1).

La red de carga del amplificador, se encarga de proporcionar la admitancia de carga precisada por el elemento conmutador (1) en el plano LP1; está compuesta por los siguientes elementos: Capacidad parásita Cour, capacidad C1 que solo resulta precisa si la capacidad Cour no es capaz de proporcionar toda la reactancia necesaria para proporcionar la carga necesaria para funcionamiento del dispositivo en clase E (caso habitual a frecuencias bajas), inductancia parásita LEo, transformador de admitancia T (de relación de transformación de admitancia 1 :n) y los componentes L2, C2, L3 y C3.
The amplifier's load network is responsible for providing the load admittance required by the switching element (1) in the LP1 plane; It is composed of the following elements: Cour parasitic capacity, C1 capacity that is only accurate if the Cour capacity is not able to provide all the reactance necessary to provide the necessary load for operation of the device in class E (usual case at low frequencies), parasitic inductance LEo, admittance transformer T (of admittance transformation ratio 1: n) and components L2, C2, L3 and C3.

La red de carga del amplificador realiza las siguientes funciones: The amplifier's load network performs the following functions:

--

Transformación de admitancia a la frecuencia fundamental con giro de fase, desde la carga terminal R3 al valor requerido por el conmutador quot;Squot; en el plano de admitancia quot;LP1quot; para funcionamiento en Clase-E nominal. Esta función es fundamental, ya que es la que permite el uso de redes de terminación de admitancia de bajas pérdidas. Ello es debido a que al disminuir el valor de admitancia de carga las redes de terminación precisan componentes de reactancias elevadas por los que circulan corrientes más bajas y por tanto los efectos de los parásitos de dichos componentes son menores. Transformation of admittance to the fundamental frequency with phase rotation, from the R3 terminal load to the value required by the switch; Squot; in the plane of admittance "; LP1"; for operation in nominal E-Class. This function is fundamental, since it allows the use of low loss admittance termination networks. This is due to the fact that as the load admittance value decreases, the termination networks require high reactance components through which lower currents circulate and therefore the effects of the parasites of said components are less.

--

Terminación de carga al menos para los armónicos 2fo y 3fo, y giro de fase de la admitancia de carga a fo al valor requerido por el conmutador quot;Squot; en el plano de admitancia quot;LP1quot; para funcionamiento en Clase E nominal [4]. Load termination at least for harmonics 2fo and 3fo, and phase rotation of the load admittance to fo at the value required by the switch; Squot; in the plane of admittance "; LP1"; for operation in nominal Class E [4].

Estas funciones se realizan, de forma aproximada, dentro del ancho de banda de trabajo del amplificador que en la realización preferida de la invención llega a una octava. No se debe confundir el ancho de banda del amplificador con el del transformador; para que el amplificador llegue a funcionar en un ancho de banda de una octava necesita que su transformador lo haga en casi tres octavas de forma que pueda transformar admitancias correctamente a 2fo y 3fo desde el inicio al final de la banda de trabajo. Ejemplo: banda de trabajo del amplificador de 100MHz a 200MHz (1 octava), el transformador debe funcionar, al menos, desde 1 OOMHz a 600 M Hz (casi tres octavas). These functions are performed, approximately, within the working bandwidth of the amplifier which in the preferred embodiment of the invention reaches an octave. The bandwidth of the amplifier should not be confused with that of the transformer; In order for the amplifier to operate at a bandwidth of one octave, it needs its transformer to do so at almost three octaves so that it can transform admittances correctly to 2fo and 3fo from the beginning to the end of the working band. Example: 100MHz to 200MHz (1 octave) amplifier working band, the transformer must operate at least from 1 OOMHz to 600MHz (almost three octaves).

Para realizar las funciones expresadas en el párrafo anterior con la máxima precisión y bajas pérdidas, la red de carga del amplificador cumple las especificaciones que se describen a continuación.
To perform the functions expressed in the previous paragraph with maximum precision and low losses, the amplifier's load network complies with the specifications described below.

1.-La función de giro de fase de admitancia desde los 0° proporcionados por la carga de terminación R3 hasta los -36° requeridos en el plano de carga LP1 a la frecuencia fundamental para el funcionamiento del conmutador en Clase-E nominal, según se 1.-The admittance phase rotation function from 0 ° provided by the termination load R3 to the -36 ° required in the LP1 load plane at the fundamental frequency for the operation of the nominal E-Class switch, according to be

5 expresa en la Tabla 1, se realiza mediante la combinación de los efectos de la capacidad parásita Cour y la inductancia parásita del transformador LEo junto con los elementos C2 y L2 de la red de terminación de admitancia (3). Los -36° requeridos es el valor de fase de admitancia a fundamental requerido en LP1 para funcionamiento en Clase-E nominal, según se muestra en la Tabla l. 5 expressed in Table 1, is performed by combining the effects of the parasitic capacity Cour and the parasitic inductance of the LEo transformer together with elements C2 and L2 of the admittance termination network (3). The required -36 ° is the fundamental admittance phase value required in LP1 for operation in nominal E-Class, as shown in Table 1.

Tabla l. Condiciones de carga en clase-E nominal. Table l. Load conditions in nominal E-class.

Frecuencia Frequency

Módulo de la admitancia Fase de la admitancia Admittance module Admittance phase

fo fo

0.931DCNDC -36° 0.931DCNDC -36 °

2fo 2fo

0.651DCNDC 90 0.651DCNDC 90

3fo 3fo

1 IDCNDC 90 1 IDCNDC 90

IDC: Corriente media consumida de la fuente alimentación (para un rendimiento del 100%) 15 VDC: Tensión de alimentación (para un rendimiento del 1 00%). IDC: Average current consumed from the power supply (for a performance of 100%) 15 VDC: Supply voltage (for a performance of 1 00%).

En aquellos casos en que la reactancia de la capacidad parásita Cour proporcionada por el elemento conmutador (1) del amplificador no sea suficiente para proporcionar el giro de fase necesario (-36°) para el funcionamiento en condiciones de In those cases in which the reactance of the parasitic capacity Cour provided by the switching element (1) of the amplifier is not sufficient to provide the necessary phase rotation (-36 °) for operation in conditions of

20 Clase-E nominales, Cour es asistido por el condensador C1, que se encuentra en paralelo con el elemento conmutador (1 ). Este caso puede presentarse al trabajar a frecuencias muy bajas o utilizar transistores de frecuencia de transición muy elevada comparada con la frecuencia de trabajo del amplificador. 20 Nominal E-Class, Cour is assisted by capacitor C1, which is in parallel with the switching element (1). This case can occur when working at very low frequencies or using very high transition frequency transistors compared to the working frequency of the amplifier.

25 2.-Las funciones de transformación de admitancia son separadas de las de terminación de admitancia en la red de carga mediante la red de transformación de admitancia (2) y la red de terminación de carga (3) para reducir el número de componentes de la red de terminación y por tanto reducir sus pérdidas de energía (lo que contribuye a mejorar el rendimiento del amplificador). Estas funciones son realizadas por la red de transformación de admitancia (2) que en la realización preferida de la invención está implementada mediante un transformador.
25 2.-The admittance transformation functions are separated from the admittance termination functions in the load network by means of the admittance transformation network (2) and the load termination network (3) to reduce the number of components of the termination network and therefore reduce its energy losses (which contributes to improving the performance of the amplifier). These functions are performed by the admittance transformation network (2) which in the preferred embodiment of the invention is implemented by a transformer.

Si bien la red de transformación de admitancia (2) engloba prácticamente todas las funciones de transformación de admitancia, se debe hacer notar que los parásitos Cour y LEo pueden presentan un ligero efecto de transformación de admitancia que disminuye ligeramente el módulo de la admitancia presentada al conmutador quot;Squot; en el plano LP1 desde la proporcionada por la red de transformación de admitancia (2) en el plano de admitancia LP2. Although the admittance transformation network (2) encompasses virtually all admittance transformation functions, it should be noted that the Cour and LEo parasites may have a slight admittance transformation effect that slightly decreases the admittance module presented to the switch "Squot; in the LP1 plane from that provided by the admittance transformation network (2) in the admittance plane LP2.

3.-La red de terminación (3) constituida por las bobinas L2, C2, L3, C3, junto a la capacidad parásita del transistor Cour y la inductancia parásita de la red de transformación de admitancia (2), LEo, proporciona, de forma aproximada, la terminación a los armónicos 2fo y 3fo necesarios para el funcionamiento del amplificador en Clase-E nominal. 3.-The termination network (3) consisting of the coils L2, C2, L3, C3, together with the parasitic capacity of the Cour transistor and the parasitic inductance of the admittance transformation network (2), LEo, provides, of approximate form, the termination to the harmonics 2fo and 3fo necessary for the operation of the amplifier in nominal Class-E.

4.-La transformación de admitancia (reducción) proporcionada por la red de transformación de admitancia (2) desde el plano LP2 al plano LP3 permite que en la síntesis de la red de terminación de admitancia (3) se utilicen componentes de reactancia más elevada de los que serían precisos si esta red se implementase en el plano de admitancia LP2, como ocurre en otros amplificadores. En concreto esta transformación de admitancia hace posible: 4.-The admittance transformation (reduction) provided by the admittance transformation network (2) from the LP2 plane to the LP3 plane allows higher reactance components to be used in the synthesis of the admittance termination network (3). of those that would be precise if this network were implemented in the LP2 admittance plane, as in other amplifiers. Specifically, this admittance transformation makes it possible to:

a) Utilizar condensadores de menor capacidad, con frecuencias de resonancia más elevadas, aproximadamente quot;nquot; veces más altas, siendo quot;1 :nquot; la relación de transformación de admitancias de la red de transformación de admitancia (2). Ello facilita que esta red de terminación de admitancia (3) realice la síntesis correcta de la admitancia requerida por el conmutador quot;Squot; en el plano LP1, a 2fo y 3fo y por lo tanto el funcionamiento en condiciones muy próximas a la de Clase-E nominal.
a) Use lower capacity capacitors, with higher resonance frequencies, approximately quot; nquot; times higher, being quot; 1: nquot; the relationship of admittance transformation of the admittance transformation network (2). This makes it easier for this admittance termination network (3) to perform the correct synthesis of the admittance required by the switch; Squot; in the LP1 plane, at 2fo and 3fo and therefore the operation in conditions very close to that of the nominal E-Class.

b) Utilizar bobinas de mayor inductancia, asociadas a factores de calidad más elevados, aproximadamente quot;nquot; veces más altos, siendo quot;1 :nquot; la relación de transformación de admitancias, y por tanto reducir las pérdidas en estos componentes. b) Use coils of higher inductance, associated with higher quality factors, approximately quot; nquot; times higher, being quot; 1: nquot; the relationship of transformation of admittances, and therefore reduce the losses in these components.

e) Es por ello fundamental para el funcionamiento de este amplificador que este transformador se encuentre localizado inmediatamente a la salida del transistor, reduciendo todo lo posible cualquier efecto parásito de conexionado (bonding, encapsulado, etc). e) It is therefore essential for the operation of this amplifier that this transformer is located immediately at the output of the transistor, reducing as much as possible any parasitic connection effect (bonding, encapsulation, etc).

La figura 2 muestra una de las realizaciones preferidas de la invención para un amplificador de potencia en la banda de VHF, apto para la amplificación de la banda de radiodifusión de FM (88-1 08 M Hz) y la banda aeronáutica de VHF baja (1 08-118 M Hz). Se muestran los siguientes componentes: Figure 2 shows one of the preferred embodiments of the invention for a power amplifier in the VHF band, suitable for amplification of the FM broadcasting band (88-1 08 M Hz) and the low VHF aeronautical band ( 1 08-118 M Hz). The following components are shown:

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El elemento conmutador (1) completo con su capacidad parasita Cour y sus resistencias de perdidas roN y rcour. Este elemento conmutador es un transistor de potencia LOMOS MRF6V4300N. The switching element (1) complete with its parasitic capacity Cour and its resistance of losses roN and rcour. This switching element is a LOMOS MRF6V4300N power transistor.

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La red de transformación (2), formada por un transformador de acoplamiento magnético, de relación de transformación de admitancias quot;1 :nquot; e inductancia parasita equivalente en el primario LEo= 7 nH. The transformation network (2), formed by a magnetic coupling transformer, of admittance transformation ratio quot; 1: nquot; and equivalent parasitic inductance in the primary LEo = 7 nH.

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La red de terminación (3), formada por los componentes C2, L2, L3, C3. que operan en combinación con la capacidad parasita Cour y la inductancia parasita LEo para proporcionar la fase de la admitancia de carga a la frecuencia fundamental y armónicos en el plano LP1. The termination network (3), formed by the components C2, L2, L3, C3. which operate in combination with the Cour parasitic capacity and the LEo parasite inductance to provide the phase of the load admittance at the fundamental and harmonic frequencies in the LP1 plane.

Los valores de todos los elementos (de los componentes y de los parásitos del transistor) de este amplificador se muestran en la Tabla 11.
The values of all the elements (of the components and of the transistor parasites) of this amplifier are shown in Table 11.

Cour Cour

125pF 125pF

roN Ron

0,1 Ohm 0.1 Ohm

rcour rcour

0,2 Ohm 0.2 Ohm

C1 C1

OpF Opf

LEo I read

6,5 nH 6.5 nH

1:n 1: n

1:7 1: 7

C2 C2

28 pF 28 pF

L2 L2

100 nH 100 nH

C3 C3

32 pF 32 pF

L3 L3

112nH 112nH

Tabla 11 Table 11

Seguidamente se describe una realización preferida de esta invención para la A preferred embodiment of this invention is described below for the

5 banda de VHF y en concreto para la realización de un amplificador de potencia de alto rendimiento de banda ancha que cubre las bandas de radiodifusión de FM comercial (88-1 08 M Hz) y la banda aeronáutica de VHF baja (1 08 a 118 M Hz). 5 VHF band and specifically for the realization of a high performance broadband power amplifier that covers the commercial FM broadcasting bands (88-1 08 M Hz) and the low VHF aeronautical band (1 08 to 118 M Hz).

Dado el desarrollo de la técnica en el momento de la redacción de este Given the development of the technique at the time of writing this

10 documento se utiliza como elemento conmutador (1) un transistor LOMOS de potencia ya que esta tecnología, en el momento actual, es la que proporciona la combinación más favorable de tensión de ruptura Vsoss máxima y capacidad de salida Cour mínima comparada con las demás tecnologías de estado sólido disponibles a esta frecuencia. En concreto, en la realización preferida de la invención descrita se utiliza el transistor 10 LOMOS power transistor is used as a switching element (1) since this technology, at the present time, is the one that provides the most favorable combination of maximum Vsoss breaking voltage and minimum Cour output capacity compared to the other technologies Solid state available at this frequency. In particular, in the preferred embodiment of the described invention the transistor is used

15 LOMOS MRF6V4300N. 15 LOMOS MRF6V4300N.

Para la realización de red de transformación (2) se utiliza un transformador por acoplamiento magnético diseñado para reducir al mínimo sus parásitos y perdidas de energía. Está construido mediante la conexión de varios anillos de cable coaxial For the realization of the transformation network (2) a magnetic coupling transformer designed to minimize its parasites and energy losses is used. It is built by connecting several coaxial cable rings

20 semirrígido de 15 Ohmios de impedancia característica. Los anillos se conectan en paralelo en el lado de baja impedancia quot;LP2quot; y en serie en el de alta impedancia quot;LP3quot;. El transformador no hace uso de núcleo magnético lo que reduce sus perdidas aunque también, ligeramente, su coeficiente de acoplamiento, dando como resultado que la relación de transformación de admitancias 1 :n es ligeramente inferior a la que tendría en caso de usar dicho núcleo magnético. El ancho de banda de este transformador es de varias octavas, de 1 O M Hz a 350 M Hz, aproximadamente.
20 semi-rigid of 15 Ohms of characteristic impedance. The rings are connected in parallel on the low impedance side "LP2"; and in series in the high impedance quot; LP3quot ;. The transformer does not use a magnetic core which reduces its losses but also, slightly, its coupling coefficient, resulting in the ratio of 1: n admittance transformation being slightly lower than it would have in case of using said magnetic core . The bandwidth of this transformer is several octaves, from 1 OM Hz to approximately 350 M Hz.

La red de terminación (3) utiliza componentes concentrados (bobinas y condensadores). Su diseño está derivado de un filtro paso banda de tipo Chebishev en el que se modifican las admitancias terminales para proporcionar las requeridas por un amplificador en Clase-E nominal. Forman parte de este filtro, la capacidad parasita del transistor Cour, la inductancia parásita del transformador LEo y los componentes C1, C2, L2, L3 y C3. Para realizar el diseño de la red todos los elementos son, desde el punto de vista matemático, traslados al mismo plano de carga. The termination network (3) uses concentrated components (coils and capacitors). Its design is derived from a Chebishev type bandpass filter in which the terminal admits are modified to provide those required by a nominal E-Class amplifier. The parasitic capacity of the Cour transistor, the parasitic inductance of the LEo transformer and components C1, C2, L2, L3 and C3 are part of this filter. To make the design of the network all the elements are, from the mathematical point of view, transfers to the same load plane.

Con los valores de Cour, LEo C1, C2, L2 se proporciona la fase precisa de la admitancia requerida a la frecuencia fundamental en el plano quot;LP1quot; para el funcionamiento en Clase-E nominal. Los valores de todos estos componentes para la realización preferida de la invención descrita se muestran en la Tabla 11. También en esa misma tabla se muestran los parásitos del transistor utilizado MRF6V4300N. With the values of Cour, LEo C1, C2, L2 the precise phase of the required admittance is provided at the fundamental frequency in the plane "LP1"; for operation in nominal E-Class. The values of all these components for the preferred embodiment of the described invention are shown in Table 11. Also in that same table the parasites of the transistor used MRF6V4300N are shown.

Para la implementación de la red de terminación (3) se utilizan componentes pasivos de alto factor de calidad y alta frecuencia de autoresonancia. Con el estado actual de desarrollo de la tecnología, los componentes más eficaces para realizar esta función a esta frecuencia son condensadores multicapa de dieléctrico de porcelana para C2 y C3 y bobinas quot;espiralesquot; sin núcleo magnético, realizadas con hilo de cobre recubierto de plata de gran sección, mayor o igual que 1.5 milímetros cuadrados, para L2 y L3. Todo el amplificador está construido sobre sustrato de laminado de fibra de vidrio-epoxi (FR4) en el que se siguen escrupulosamente buenas prácticas de diseño de circuitos de RF para reducir al mínimo las pérdidas y efectos parásitos en general que pueden desvirtuar las condiciones de carga provistas por la red. For the implementation of the termination network (3) passive components of high quality factor and high frequency of self-resonance are used. With the current state of technology development, the most effective components to perform this function at this frequency are multilayer porcelain dielectric capacitors for C2 and C3 and coils "spirals"; without magnetic core, made with copper wire covered with large section silver, greater than or equal to 1.5 square millimeters, for L2 and L3. The entire amplifier is built on fiberglass-epoxy laminate substrate (FR4) in which good RF circuit design practices are scrupulously followed to minimize losses and parasitic effects in general that can undermine load conditions provided by the network.

El transformador T es puesto a tierra a efectos de señal en uno de sus extremos de su primario mediante la combinación en paralelo de una batería de condensadores de desacoplo Ce de diferentes capacidades para conseguir una alta capacidad total y una frecuencia de resonancia equivalente alta de forma simultánea. La tensión continua de alimentación Voc se inyecta precisamente por ese punto al amplificador.
The transformer T is grounded for signal purposes at one of its primary ends by combining in parallel a battery of decoupling capacitors Ce of different capacities to achieve a high total capacity and a high equivalent resonance frequency so simultaneous. The continuous supply voltage Voc is precisely injected at that point into the amplifier.

Esta invención resulta de aplicación en al menos los siguientes ámbitos industriales: This invention is applicable in at least the following industrial fields:

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Comunicaciones radio: fabricación de amplificadores de potencia de alto rendimiento en general. Radio communications: manufacture of high performance power amplifiers in general.

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Broadcast (radiodifusión): fabricación de amplificadores de potencia para radiodifusión de alto rendimiento, especialmente para la banda de radiodifusión en ondas métricas con modulación de frecuencia FM. Broadcast: manufacture of power amplifiers for high performance broadcasting, especially for the VHF band with FM frequency modulation.

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Comunicaciones aeronáuticas: amplificadores de potencia para comunicaciones aeronáuticas: VOR, ATIS, ASOS, control de tráfico aéreo, voz, datos, IFF, radionavegación, etc. Aeronautical communications: power amplifiers for aeronautical communications: VOR, ATIS, ASOS, air traffic control, voice, data, IFF, radionavigation, etc.

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Radar y radiodeterminación: amplificadores de potencia para aplicaciones radar y radiodeterminación. Radar and radiodetermination: power amplifiers for radar and radiodetermination applications.

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Calentamiento industrial: amplificadores de potencia de alto rendimiento para calentamiento en general. Industrial heating: high performance power amplifiers for heating in general.

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Industria de fabricación de semiconductores y fotovoltaica: amplificadores de potencia de alto rendimiento para la generación de plasma en la fabricación de semiconductores, etc. Semiconductor and photovoltaic manufacturing industry: high performance power amplifiers for plasma generation in semiconductor manufacturing, etc.

-Aplicaciones nucleares: amplificación y generación de campos electromagnéticos de alta potencia requeridos en aplicaciones de fusión y fisión nuclear.
- Nuclear applications: amplification and generation of high power electromagnetic fields required in fusion and nuclear fission applications.

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Electromedicina: amplificación y generación de campos electromagnéticos de alta potencia requeridos en aplicaciones de diagnostico por imagen: Resonancia magnética nuclear NMR, etc. Electromedicine: amplification and generation of high power electromagnetic fields required in diagnostic imaging applications: NMR nuclear magnetic resonance, etc.

-Tecnología laser.
-Laser technology.

Claims (12)

REIVINDICACIONES 1 .-Amplificador de potencia de radiofrecuencia de alto Fréndimiento y banda 1.-High Frequency Radio Frequency Power Amplifier and Band ancha, caracterizado por que comprende: wide, characterized in that it comprises:

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un elemento conmutador (1 ); a switching element (1);

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medios de transformación de admitancia (2) conectados en paralelo al admittance transformation means (2) connected in parallel to the

elemento conmutador (1), estando configurados dichos medios (2) para aumentar la switching element (1), said means (2) being configured to increase the admitancia de carga presentada al elemento conmutador (1) vista desde una red de ·terminación de admitancia (3); load admittance presented to the switching element (1) seen from an admittance termination network (3);

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la red de terminación de admitancia (3), . conectada a los medios de the admittance termination network (3),. connected to the means of

transformación de admitancia (2) y encargada de proporcionar lá terminación de carga admittance transformation (2) and responsible for providing load termination requerida a 2fo y 3fo para funcionamiento en condiciones de Clase-E nominal y required at 2fo and 3fo for operation under nominal E-Class conditions and modificar, junto a las capacidades CouT y C1 además de la inductancia LEa, fa fase de modify, together with the CouT and C1 capacities in addition to the LEa inductance, the phase of la admitancia presentada por una carga de terminación (R3) conectada a dicha red (3). the admittance presented by a termination load (R3) connected to said network (3). vista desde el elemento conmutador -(1 ); hasta un ángulo de fase requerido por dicho view from the switching element - (1); up to a phase angle required by said ' ' elemento conmutador (1) a frecuenciá fundamental para funcionamiento en Clase-E switching element (1) at fundamental frequency for E-Class operation nominal. nominal. 2.-Amplificador de potencia según la reivindicación 1, caracterizado por que el elemento conmutador ( 1) es un transistor de potencia. 2. Power amplifier according to claim 1, characterized in that the switching element (1) is a power transistor. 3.-Amplificador de potencia según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que los medios de transformación de admitancia (2) comprenden un transformador (T). 3. Power amplifier according to any of the preceding claims, characterized in that the admittance transformation means (2) comprise a transformer (T). 4.-Amplificador de potencia según la reivindicación 3, caracterizado por que el 4. Power amplifier according to claim 3, characterized in that the . . transformador (T) es un transformador de acoplamiento magnético. . . Transformer (T) is a magnetic coupling transformer. 5.-Amplificador de potencia según la reivindicación 3, caracterizado por que el transformador (T) es un transformador de línea de transmisión. 5. Power amplifier according to claim 3, characterized in that the transformer (T) is a transmission line transformer. ' . '. 6.-Amplificador de potencia de radiofrecuencia de acuerdo a cualquiera de las reivindicaciones 3 a 5, caracterizado por que dicho transformador (T) no tiene núcleo magnético. 6. Radiofrequency power amplifier according to any of claims 3 to 5, characterized in that said transformer (T) has no magnetic core. 7_.-Amplificador de potenda de radiofrecuencia de· acuerdo a cualquiera de las 7 _.- Radio frequency amplifier amplifier according to any of the reivindicaciones 3 a 6, caracterizado por que dicho transformador. (T) está conectado a claims 3 to 6, characterized in that said transformer. (T) is connected to tierra en uno de sus extremos de su primario mediante una batería de condensadores · de desacoplo (Ce). ground at one end of its primary by a battery of decoupling capacitors (Ce). 8.-Amplificador de potencia según cualquiera de las. reivindicaciones anteriores, caracterizado por que la red d~ terminación de admitancia (3) comprende una 8.-Power amplifier according to any of the. previous claims, characterized in that the admittance termination network (3) comprises a . ' pluralidad de-bobinas (L2, L3) y una pluralidad de condensadores (C2, C3). . ' plurality of coils (L2, L3) and a plurality of capacitors (C2, C3). ' , . ',. 9.-Amplificador de potencia de acuerdo a la reivindicación 8, caracterizado por 9. Power amplifier according to claim 8, characterized by . ' . ' que los condensadores (C2, C3) de la red de terminación de admitancia (3) son condensadores multicapa de dieléctrico de porcelana. that the capacitors (C2, C3) of the admittance termination network (3) are porcelain dielectric multilayer capacitors. 10.: Amplificador de potencia de acuerdo a cualquiera de las reivindicaciones 8 a. 9, caracterizado por que las bobinas (L2, L3) de la red de terminación de admitancia (3) son b9binas sin núcleo magnético. 10 .: Power amplifier according to any of claims 8 a. 9, characterized in that the coils (L2, L3) of the admittance termination network (3) are bins without magnetic core. 11.-Amplificador de potencia según cualquiera de las reiVindicaciones 11.-Power amplifier according to any of the claims

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' '

anteriores, caracterizado por que la red de terminación de admitancia (3) junto a los elementos CoL[T, C1 y LEo. está configurada para proporcionar una fase de la admitancia de carga a la frecuencia fundamental de -36°. above, characterized in that the admittance termination network (3) next to the CoL elements [T, C1 and LEo. It is configured to provide a phase of the load admittance at the fundamental frequency of -36 °.
12.-Amplificador de potencia según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que comprende-adicionalmente un condensador (C1) conectado en paralelo con el elemento conmutador (1 ).
12. Power amplifier according to any of the preceding claims, characterized in that it additionally comprises a capacitor (C1) connected in parallel with the switching element (1).