ES2321309T3 - Procedimiento y dispositivo para deteccion de un arco. - Google Patents
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Abstract
Procedimiento para la detección de arcos en un proceso de plasma alimentado por un generador de corriente alterna con una señal de salida del generador de corriente alterna para el aporte de potencia, que comprende las etapas de proceso: a. Determinación de un momento (t1-t5) en el que la señal de salida como señal de evaluación o una señal relacionada con la señal de salida sobrepasa un valor de referencia (R1-R4) con una semionda positiva (30) de la señal de evaluación o no alcanza el mismo con una semionda negativa de la señal de evaluación y/o b. Determinación de un momento (t6-t10) siguiente en el que la señal de evaluación en la misma semionda (30) sobrepasa el valor de referencia (R1-R4) con una semionda positiva (30) o no alcanza el mismo con una semionda negativa de la señal de evaluación. c. Determinación de, como mínimo, un intervalo de tiempo (I1-I5) utilizando, como mínimo, uno de los momentos (t1-t10). d. Repetición de las etapas de proceso a)-c) para una posterior semionda (31) de la señal de evaluación. e. Comparación de los intervalos de tiempo (I1-I5) que se corresponden entre sí. f. Generación de una señal de detección de arcos cuando los intervalos de tiempo (I1-I5) que se corresponden entre sí se desvían entre sí en más de una tolerancia (T) especificada.
Description
Procedimiento y dispositivo para detección de un
arco.
La invención se refiere a un procedimiento para
la detección de un arco en un proceso de plasma alimentado por un
generador de corriente alterna con una señal de salida del generador
de corriente alterna para el aporte de potencia.
El recubrimiento de sustratos como, por ejemplo,
superficies de vidrio mediante pulverización catódica en procesos de
plasma, es decir tanto de modo reactivo como también convencional,
se conoce, por ejemplo, por el recubrimiento de vidrio
arquitectónico. Para este fin se produce un plasma con una fuente
eléctrica o de tensión que quita material de un blanco que se
deposita sobre el sustrato, por ejemplo la plancha de vidrio. Antes
de depositarse los átomos pueden enlazarse todavía en un proceso
reactivo con átomos o moléculas de gas según el recubrimiento
deseado.
Especialmente en el caso de procesos reactivos
se utilizan con frecuencia generadores de FM que trabajan,
normalmente, con una frecuencia de 10-500 Hz. La
tensión de salida de los generadores de FM se conduce, normalmente,
por dos electrodos en una cámara de proceso de plasma que trabajan
de modo alternante como cátodo o ánodo y están conectados ambos cada
uno con un blanco. Existen generadores FM llamados de oscilación
libre o generadores FM con una frecuencia fija.
Especialmente en procesos reactivos se producen
descargas incluso en generadores de FM, descargas que desaparecen
frecuentemente por sí mismas con la próxima inversión de tensión o,
por lo menos, después de algunos pocos períodos en los llamados
microarcos. Sin embargo también pueden producirse arcos de mayor
energía y mayor duración. Con frecuencia se detectan arcos por la
comprobación de la tensión de salida en cuanto a una irrupción de
tensión o por la comprobación de la corriente de salida en cuanto a
una subida de la intensidad. Como alternativa, es posible detectar
un arco por la diferencia entre las corrientes hacia los diferentes
electrodos. El usuario puede ajustar según la técnica actual un
valor límite para la detección de arcos. Para la detección se miden
los valores efectivos de la corriente y tensión. Debido a que esta
medición ha de integrar los valores de tensión e intensidad a lo
largo de los períodos según magnitud para no reconocer pasos por
cero como bajada de tensión, este tipo de detección de un arco,
normalmente, es claramente más lento que la duración de una semionda
de la tensión de salida de FM y, por lo tanto, más larga que 40
\mus.
Sin embargo, al utilizar generadores de FM en
procesos de fabricación de semiconductores, particularmente en la
fabricación del
"flat-panel-display FPD", las
exigencias a los generadores son mayores. Aquí han de detectarse los
arcos en menos \mus o, incluso, por debajo de 1 \mus.
En el procedimiento conocido por la DE 43 26 100
A1 para la detección de arcos se ha previsto subdividir en cada caso
una semionda de la señal de frecuencia media del generador de
frecuencia media en múltiples períodos, registrándose para un
período previamente determinado los valores eléctricos de la
corriente y tensión para generar una señal del valor real e
introduciéndolos en una medición en isla sin toma de tierra. La isla
de medición está integrada en una red anular cuya estación maestra
se encuentra en la unidad de mando existente en el generador
produciéndose el bloqueo del generador al presentarse un arco a
través de una línea de conexión que une la isla de medición con el
generador.
Según la US 7.420.863 B1 se ha previsto medir
los valores de, como mínimo, una corriente de descarga o una tensión
de descarga para cada semionda. Se forma una diferencia de los
valores medidos de la primera y segunda semionda. La diferencia se
compara con tolerancias predeterminadas y cuando se sobrepasan las
tolerancias se reduce el aporte de potencia.
El objetivo de la presente invención consiste en
proporcionar un procedimiento para la detección de arcos y un
dispositivo para la detección de arcos con los cuales se pueden
detectar los arcos más rápidamente y de modo más fiable.
Este objetivo se alcanza según la invención de
manera sorprendente y sencilla mediante un procedimiento para la
detección de arcos en un proceso de plasma con alimentación por un
generador de corriente alterna con una señal de salida del generador
de corriente alterna para el aporte de potencia, que comprende las
etapas de proceso:
- a.
- Determinación del momento en el que la señal de salida como señal de evaluación o una señal relacionada con la señal de salida sobrepasa un valor de referencia con una semionda positiva de la señal de evaluación o no alcanza el mismo con una semionda negativa de la señal de evaluación y/o
- b.
- Determinación de un momento siguiente en el que la señal de evaluación en la misma semionda sobrepasa el valor de referencia con una semionda positiva o no alcanza el mismo con una semionda negativa de la señal de evaluación,
- c.
- Determinación de, como mínimo, un intervalo de tiempo utilizando, como mínimo, uno de los momentos,
- d.
- Repetición de las etapas de proceso a)-c) para una posterior semionda de la señal de evaluación,
- e.
- Comparación de los intervalos de tiempo que se corresponden entre sí,
- f.
- Generación de una señal de detección de arcos cuando los intervalos de tiempo que se corresponden entre sí se desvían entre sí en más de una tolerancia especificada.
Con un procedimiento de este tipo es posible
detectar con seguridad y rapidez incluso los arcos más pequeños sin
reconocer erróneamente como arcos oscilaciones de tensión,
producidas por ejemplo por cambios de presión en la cámara de
plasma. La detección de arcos también se puede realizar
especialmente rápida con este procedimiento. Los arcos pueden
detectarse, particularmente, dentro de unos pocos microsegundos
incluso más rápidamente, es decir en menos de un microsegundo. A
esta detección del arco se puede reaccionar correspondientemente de
manera que se evitan daños, especialmente en la producción de
"flatpanel-display (FPD)", y se pueden reducir
los rechazos. Como señal de evaluación entran en consideración, por
ejemplo, la corriente de salida, la tensión de salida o la potencia
de salida del generador de corriente alterna. De preferencia se
controla la tensión de salida o la tensión que existe directamente
en los electrodos y se utiliza como señal de evaluación. Sin
embargo, también es posible utilizar como señal de evaluación una
señal interna del generador de corriente alterna relacionada con la
señal de salida.
En una variante especialmente preferida del
procedimiento, se puede tener previsto que se determinan y comparan
los intervalos de tiempo para semiondas de la misma polaridad. Con
diferentes desaislamientos de los blancos en un proceso de plasma se
producen diferentes gradientes de tensiones. Se puede impedir el
reconocimiento de las oscilaciones consecuentes como arco si se
utilizan para la detección del arco semiondas con la misma
polaridad.
Además, puede evitarse una reacción errónea a
oscilaciones de la señal de evaluación si los intervalos de tiempo
para semiondas sucesivas directas de la misma polaridad se
determinan y se comparan entre sí.
En una variante preferida del procedimiento se
puede prever que los intervalos de tiempo a comparar se forman como
diferencia de los momentos sucesivos en los que se sobrepasa o no
alcanza el valor de referencia y se genera una señal de detección de
arco si el intervalo de tiempo de la semionda posterior es menor en
más de la tolerancia especificada que el correspondiente intervalo
de tiempo de la semionda anterior. Se averigua así el intervalo
entre el momento en el que se sobrepasa el valor de referencia con
un flanco creciente de una semionda positiva y en el que no se
alcanza el valor de referencia con un flanco decreciente de la
semionda positiva. Correspondientemente se averigua con una semionda
negativa el intervalo entre el momento en el que no se alcanza el
valor de referencia con un flanco decreciente y el momento en el que
se sobrepasa el valor de referencia con un flanco creciente. Si
este intervalo de tiempo para una semionda posterior queda por
debajo del intervalo averiguado para la semionda anterior en más de
una tolerancia predeterminada, esto es un indicio para la existencia
de un arco. La tolerancia total puede componerse aquí de dos valores
de tolerancia diferentes al principio y al final del intervalo
temporal o intervalo de tiempo.
En otra variante del procedimiento se puede
prever que el momento del paso por cero de la señal de evaluación se
detecta al principio de la semionda, que los intervalos temporales a
comparar se forman como diferencia entre el momento de un número
impar (primero, tercero etc.) de veces que se sobrepasa o no alcanza
(pasada) el valor de referencia y el momento del paso por cero y se
genera una señal de detección de arco cuando el intervalo de tiempo
de la semionda posterior es mayor en más de la tolerancia
predeterminada que el intervalo de tiempo de la semionda anterior.
Esta variante del procedimiento puede aplicarse de modo
especialmente sencillo en una unidad lógica programable.
Como alternativa o adicionalmente es posible que
el momento del paso por cero de la señal de evaluación se detecta al
principio de la semionda, que los intervalos de tiempo a comparar
se forman como diferencia entre el momento de un número par
(segundo, cuarto etc.) de veces que se sobrepasa o no alcanza
(pasada) el valor de referencia y el momento del paso por cero y se
genera una señal de detección de arco cuando el intervalo de tiempo
de la semionda posterior es menor en más de la tolerancia
predeterminada que el intervalo de tiempo de la semionda
anterior.
La fiabilidad de la detección de arco puede
aumentarse si no se tiene en cuenta un intervalo de tiempo para la
detección del arco cuando el intervalo de tiempo que resulta como
diferencia entre el momento en el que se sobrepasa o no alcanza el
valor de referencia y el momento siguiente en el que no se alcanza o
sobrepasa el valor de referencia queda por debajo de una duración de
tiempo predeterminable. Por lo tanto, no se tienen en cuenta
oscilaciones de la señal de evaluación no debidas a un arco.
Cuando se predeterminan varios valores de
referencia es posible detectar los arcos con una mayor precisión y
más rápidamente.
En una variante del procedimiento especialmente
preferida se puede prever que se genera un valor medio de amplitud
sacado de varias semiondas y el o los valor(es) de referencia
se predeterminan en función del valor medio de amplitud. Con esta
medida, los valores de referencia no se predeterminan de modo rígido
sino que pueden adaptarse automáticamente a una señal de evaluación
que posiblemente se modifique gradualmente durante el
funcionamiento, Los valores de referencia se eligen, de preferencia
en por cientos del valor medio de amplitud, por ejemplo el 20, 40,
60, 80% del valor medio de amplitud.
Dentro del marco de la invención queda también
un dispositivo de detección de arcos en un proceso de plasma,
diseñado para la realización del procedimiento según la invención,
con, como mínimo, un convertidor analógico-digital
(ADC) al que se conducen como señal de evaluación la señal de salida
o una señal interna de un generador de corriente alterna relacionada
con la señal de salida y un valor de referencia, estando el ADC en
conexión con una unidad lógica que genera una señal para un
dispositivo de supresión del arco. La ventaja del dispositivo de
detección de arcos según la invención consiste en que la unidad
lógica puede generar la señal de detección de arcos directamente
con ayuda de la señal ADC sin interconexión de un sistema de mando.
Esto es considerablemente más rápido de lo que sería posible con un
sistema de mando, por ejemplo un microcontrolador. En cuanto a la
unidad lógica se trata, de preferencia, de una unidad lógica
programable. En el caso más sencillo el ADC consiste en un
comparador.
Una aplicación especialmente sencilla del
procedimiento según la invención, se produce cuando la unidad lógica
está diseñada como FPGA.
En un tipo de ejecución ventajoso se puede
prever un controlador que predetermina parámetros para la unidad
lógica. Así se pueden predeterminar diferentes parámetros, como por
ejemplo valores de tolerancias o la longitud de intervalos de
tiempo, que no se tienen en cuenta para la detección de arcos.
Según el proceso puede ser necesario
predeterminar diferentes valores de tolerancia. Para hacerlo posible
para un usuario, pueden coordinarse ventajosamente con el
controlador un panel de control y una indicación.
Una detección de arcos especialmente rápida y
precisa puede realizarse si se prevén varios, especialmente cuatro,
comparadores alimentados con diferentes valores de referencia. Estos
comparadores están conectados todos con la unidad lógica
programable.
Se ha previsto, ventajosamente, un sistema
generador de valores de referencia, especialmente un potenciómetro.
Este potenciómetro puede recibir un valor medio de amplitud de la
señal de evaluación. Entre las resistencias del potenciómetro es
posible tomar por los comparadores los valores de referencia.
Mediante el número y el dimensionamiento de las resistencias se
pueden ajustar los valores de referencia, especialmente en por
cientos del valor medio de amplitud.
Otras características y ventajas de la invención
resultan de la descripción siguiente de ejemplos de ejecución de la
invención, descripción realizada con ayuda de las figuras adjuntas
que muestran detalles esenciales de la invención, y de las
reivindicaciones. Las distintas características pueden realizarse
por separado o con varias en cualquier combinación discrecional en
una variante de la invención.
En las figuras, se han representado de modo
esquemático ejemplos preferidos de la invención que se explican más
en detalle a continuación haciendo referencia a las mismas. Las
figuras muestran:
La figura 1: Una representación esquemática de
un dispositivo detector de arcos.
La figura 2: La representación de dos
semiondas para explicar el procedimiento de la invención.
\vskip1.000000\baselineskip
En la figura 1 se representa un dispositivo
detector de arcos 1. En la entrada 2 existe una señal de evaluación
que proviene de un generador de corriente alterna o de una medición
directa en los electrodos de la cámara de proceso de plasma. En
cuanto a la señal de evaluación se puede tratar, por ejemplo, de la
tensión alterna generada por el generador de tensión alterna o de
una señal interna del generador de tensión alterna. Esta señal se
introduce en el ejemplo de ejecución en cada caso en una entrada de
convertidores analógico-digitales diseñados como
comparadores (ADC) 3, 4, 5, 6, 25. La señal de evaluación se
introduce, además, en un rectificador de valores punta 7
comprendiendo este rectificador de valores punta 7 un diodo 8, una
resistencia 9 y un condensador 10. En el rectificador de valores
punta 7 se determina una amplitud promediada UA a través de varios
períodos de la señal de evaluación. En el ejemplo de ejecución se
determina una tensión. La misma está en contacto con el sistema
generador de valores de referencia 11 diseñado como potenciómetro.
Las resistencias 12, 13, 14, 15 del sistema generador de valores de
referencia 11 tienen todas el mismo dimensionamiento. Esto significa
que en todas las resistencias cae la misma tensión de manera que se
subdivide la amplitud promediada en cuatro tensiones iguales. Éstas
son conducidas a los ADCs 3-6 como valores de
referencia R1, R2, R3, R4 donde se comparan con la señal de
evaluación actual. El resultado de la comparación es introducido en
una unidad lógica 16 programable la cual averigua sobre la base de
las informaciones de los ADCs 3-6 si existe un arco
o no.
El comparador 25 reconoce el paso por cero
comparando el valor de referencia R5 con la señal de evaluación. El
sistema de conexiones 26 comprende los ADCs 3-6, 25
y el sistema generador de valores de referencia 11. También es
posible realizarlo por un ADC, lo cual reduce el costo en
componentes constructivos. Los valores de referencia, especialmente
la tensión de umbral de referencia, pueden ajustarse, además,
todavía con mayor precisión. Además se puede utilizar un ADC para la
semionda positiva y negativa y pueden ahorrarse así más componentes
constructivos, costes y espacios. Un ADC puede preverse,
adicionalmente, para la medición de la corriente que fluye en el
proceso de plasma. Aquí se pueden controlar la corriente y la
tensión.
Si existe un arco se emite una señal
correspondiente a través de la línea 17, de forma directa sin
interconectar un microcontrolador 18 o un aparato de mando 20. La
línea 17 va directamente hasta un dispositivo de supresión o
eliminación de arcos 23. La unidad lógica programable 16 está
conectada con un microcontrolador 18 mediante el cual se pueden
especificar diferentes valores de parámetros. La unidad lógica
programable 16 está conectada, además, con un secuenciador 19 que
permite el rápido procesamiento de las informaciones en la unidad
lógica programable 16.
El microcontrolador 18 a su vez está conectado
con el aparato de mando 20 de orden superior para intercambio de
datos. El aparato de mando 20 tiene una indicación 21 y un panel de
control 22 de manera que se pueden programar el microcontrolador 18
y, por lo tanto, la unidad lógica 16.
En la figura 2 se representan una primera
semionda positiva 30 y una posterior 31 de una señal de evaluación,
en este caso de la tensión de salida de un generador de FM. Según el
procedimiento de la invención se registra el momento en el que una
señal de evaluación creciente sobrepasa un valor de referencia R1.
De la misma manera se registran los momentos t2-t5
en los que la señal de evaluación creciente con la semionda positiva
30 sobrepasa los valores de referencia R2, R3, R4. Además, se
registran los momentos t6, t7, t8, t9, t10 en los que la señal de
evaluación decreciente no alcanza los valores de referencia
R1-R4. Aquí hay que tener en cuenta que en el
momento t4 se sobrepasa por primera vez el valor de referencia R4 y
en el momento t5 por segunda vez y que en el momento t6 no se
alcanza por primera vez el valor de referencia R4 y en el momento t7
no se alcanza por segunda vez.
Teniendo en cuenta, por lo menos, algunos de los
momentos t1-t10 y, posiblemente, el momento t0 del
paso por cero se forman intervalos de tiempo para cada valor de
referencia R1-R4. Se pueden formar especialmente
intervalos de tiempo sustrayendo los momentos t10 y t1, t9 y t2, t8
y t3, t7 y t5 y t6 y t4 entre sí. Estos intervalos están
identificados con I1-I5. Alternativamente o
adicionalmente se pueden determinar intervalos de tiempo que
resultan de la diferencia de los momentos t1-t10 en
el momento t0 del paso por cero.
Se puede asignar a cada uno de los intervalos de
tiempo así averiguado una tolerancia. Se pueden prever aquí las
mismas tolerancias o, en cada caso, tolerancias diferentes para
todos los valores de referencia. Las tolerancias pueden ajustarse a
través del aparato de control 20. El microcontrolador 18 almacena
los valores ajustados y los transmite a la unidad lógica 16. Las
tolerancias pueden indicarse como valores fijos de tiempo o como
partes de una semionda o parte de un intervalo
I1-I4. La indicación en por cientos de la duración
de la semionda es ventajosa puesto que entonces no es necesario
introducir de nuevo la indicación al cambiar la frecuencia. Los
valores típicos de las tolerancias se sitúan entre un 10 y un 20% de
la duración de la semionda para I1 a I3 y de 20-35%
para I4. Además es posible predeterminar diferentes valores de
tolerancia para el comienzo y el final de un intervalo de tiempo.
Esto se ha representado para la segunda semionda 31. En este caso se
ha previsto para todos los valores de referencia el mismo primer
valor de tolerancia para el comienzo y el mismo segundo valor de
tolerancia, que es mayor que el primer valor de tolerancia, para el
final del intervalo de tiempo I1-I5. Los valores de
tolerancia se indican con T. Mientras que la semionda 31 se mueve
dentro de estos puntos marcados con T o fuera de los mismos no se
produce ninguna detección del arco. Mientras que, sin embargo, si la
semionda 31 se mueve en uno de los campos A1-A4 se
produce una detección del arco.
En cuanto al intervalo de tiempo I5 hay que
señalar que la longitud de este intervalo es menor que una duración
de tiempo mínima predeterminable. Por esta razón este intervalo de
tiempo I5 no se tiene en cuenta para una detección del arco. La
duración mínima puede ajustarse a través del aparato de control 20.
El microcontrolador 18 almacena el valor ajustado y lo transmite a
la unidad lógica 16. La duración puede indicarse como valor fijo del
tiempo o como una parte de una semionda. La indicación en por ciento
de la duración de la semionda es ventajosa debido a que no es
necesario introducir de nuevo la indicación en caso de una
frecuencia que cambia. Los valores típicos quedan situados entre el
10 y el 20% de la duración de la semionda con I1 a I3 y del 5 al
15% en el caso de I4.
Como ya se ha mencionado más arriba es posible
averiguar la diferencia entre los momentos t1-t10 y
el momento t0 del paso por cero alternativamente o adicionalmente a
la formación de los intervalos de tiempo I1-I4 o los
intervalos de tiempo A1-A4 reducidos en los valores
de tolerancia. Aquí se puede especificar un primer valor de
tolerancia para los momentos t1-t5 con una semionda
creciente (el mismo para todos los valores de referencia o para uno
o varios, particularmente para cada valor de referencia diferente).
Si se sobrepasa este valor de tolerancia, por ejemplo porque el
intervalo t1-t0 de la semionda 31 es mayor en más
del valor de tolerancia especificado que el intervalo
t1-t0 de la semionda 30 se detecta un arco. Para que
se utilicen los momentos correctos para la evaluación es necesario
tener en cuenta aquí que en lo que se refiere a los momentos t1, t2,
t3, t4 se trata de la primera vez que se sobrepasa o no alcanza el
correspondiente valor de referencia por semionda y en cuanto al
momento t5 se trata de la tercera pasada del valor de referencia R4.
Para este análisis es necesario utilizar, por lo tanto, los momentos
de la pasada impar del correspondiente valor de referencia.
También se detecta un arco cuando se tienen en
cuenta los intervalos de tiempo formados con los momentos
t6-t10 del flanco decreciente de la semionda 30.
Aquí se puede especificar un segundo valor de tolerancia para los
momentos t6-t10 con la semionda decreciente (el
mismo para todos los valores de referencia o para uno o varios,
particularmente para cada valor de referencia diferente). Si no se
alcanza este valor de tolerancia, por ejemplo porque el intervalo de
tiempo t10-t0 de la semionda 31 es menor en más del
valor de tolerancia especificado que el intervalo de tiempo
t10-t0 de la semionda 30, se detecta un arco. Para
que se utilicen los momentos correctos para la evaluación es
necesario tener en cuenta aquí que en cuanto a los momentos t6, t8,
t9, t10 se trata de la segunda vez que se sobrepasa o no alcanza el
correspondiente valor de referencia por cada semionda y en cuanto al
momento t7 se trata de la cuarta pasada del valor de referencia R4.
Para este análisis es necesario utilizar, por lo tanto, los momentos
de las pasadas pares del correspondiente valor de referencia.
Se entiende que al mismo tiempo que la
comprobación de si la segunda semionda 31 tiene una forma que indica
un arco, se pueden registrar de nuevo los momentos
t0-t10 para esta semionda de manera que esta
semionda puede compararse de nuevo con la siguiente semionda.
Claims (17)
1. Procedimiento para la detección de arcos en
un proceso de plasma alimentado por un generador de corriente
alterna con una señal de salida del generador de corriente alterna
para el aporte de potencia, que comprende las etapas de proceso:
- a.
- Determinación de un momento (t1-t5) en el que la señal de salida como señal de evaluación o una señal relacionada con la señal de salida sobrepasa un valor de referencia (R1-R4) con una semionda positiva (30) de la señal de evaluación o no alcanza el mismo con una semionda negativa de la señal de evaluación y/o
- b.
- Determinación de un momento (t6-t10) siguiente en el que la señal de evaluación en la misma semionda (30) sobrepasa el valor de referencia (R1-R4) con una semionda positiva (30) o no alcanza el mismo con una semionda negativa de la señal de evaluación.
- c.
- Determinación de, como mínimo, un intervalo de tiempo (I1-I5) utilizando, como mínimo, uno de los momentos (t1-t10).
- d.
- Repetición de las etapas de proceso a)-c) para una posterior semionda (31) de la señal de evaluación.
- e.
- Comparación de los intervalos de tiempo (I1-I5) que se corresponden entre sí.
- f.
- Generación de una señal de detección de arcos cuando los intervalos de tiempo (I1-I5) que se corresponden entre sí se desvían entre sí en más de una tolerancia (T) especificada.
2. Procedimiento según la reivindicación 1,
caracterizado porque los intervalos de tiempo
(I1-I5) se determinan y comparan para semiondas (30,
31) de la misma polaridad.
3. Procedimiento según la reivindicación 2,
caracterizado porque los intervalos de tiempo se determinan y
comparan para semiondas (30, 31) directamente sucesivas de la misma
polaridad.
4. Procedimiento según una de las
reivindicaciones anteriores, caracterizado porque los
intervalos de tiempo (I1-I5) a comparar se forman
como diferencia de los momentos sucesivos (t1-t10)
en los que se sobrepasa o no alcanza el valor de referencia
(R1-R4) y se genera una señal de detección de arco
si el intervalo (I1-I5) de una semionda posterior
(31) es menor en más de la tolerancia especificada (T) que el
correspondiente intervalo de tiempo (I1-I5) de la
semionda (30) anterior.
5. Procedimiento según una de las
reivindicaciones anteriores, caracterizado porque se registra
el momento (t0) del paso por cero de la señal de evaluación al
principio de la semionda (30, 31), porque los intervalos de tiempo a
comparar se forman como diferencia entre el momento
(t1-t5) de la vez/las veces de número impar
(primera, tercera, etc.) que se sobrepasa o no alcanza el valor de
referencia (R1-R4) y el momento (t0) del paso por
cero y se genera una señal de detección de arco si el intervalo de
tiempo de la semionda (31) posterior es mayor en más de la
tolerancia (T) especificada que el intervalo de tiempo de la
semionda anterior (30).
6. Procedimiento según una de las
reivindicaciones anteriores, caracterizado porque se registra
el momento (t0) del paso por cero de la señal de evaluación al
principio de la semionda (30, 31), porque los intervalos de tiempo a
comparar se forman como diferencia entre el momento
(t6-t10) de la vez/las veces de número par (segunda,
cuarta, etc.) que se sobrepasa o no alcanza el valor de referencia y
el momento (t0) del paso por cero y se genera una señal de detección
de arco si el intervalo de tiempo de la semionda posterior (31) es
menor en más de la tolerancia (T) especificada que el intervalo de
tiempo de la semionda (30) anterior.
7. Procedimiento según una de las
reivindicaciones anteriores, caracterizado porque no se tiene
en cuenta un intervalo de tiempo (I5) para la detección de arco si
el intervalo de tiempo (I5), que resulta como diferencia entre el
momento (t1-t5) en el que se sobrepasa o no alcanza
el valor de referencia (R1-R4) y el momento
(t6-t10) de la siguiente vez que no se alcanza o
sobrepasa el valor de referencia (R1-R4), queda por
debajo de una duración de tiempo predeterminable.
8. Procedimiento según una de las
reivindicaciones anteriores, caracterizado porque se
especifican varios valores de referencia
(R1-R4).
9. Procedimiento según una de las
reivindicaciones anteriores, caracterizado porque se genera
un valor medio de amplitud (UA) promediado a través de varias
semiondas (30, 31) y porque el o los valores de referencia
(R1-R4) se especifican en función del valor medio de
amplitud (UA).
10. Dispositivo de detección de arcos (1) para
detectar arcos en un proceso de plasma, diseñado para realizar el
procedimiento según una de las reivindicaciones anteriores con, como
mínimo, un convertidor análogico-digital (ADC),
especialmente un comparador (3-6) al que se
transmite como señal de evaluación la señal de salida o una señal
interna en relación con la señal de salida de un generador de
corriente alterna y un valor de referencia (R1-R4)
estando el ADC (3-6) en conexión con una unidad
lógica (16) que genera directamente una señal para un sistema de
supresión de arco (23).
11. Dispositivo de detección de arcos según la
reivindicación 10, caracterizado porque se ha previsto un
controlador (18) que predetermina valores (parámetros) para la
unidad lógica (16).
12. Dispositivo de detección de arcos según la
reivindicación 10 u 11, caracterizado porque el controlador
(18) tiene asignado un panel de control (22) y una indicación
(21).
13. Dispositivo de detección de arcos según una
de las reivindicaciones 10 a 12, caracterizado porque se han
previsto varios, especialmente cuatro comparadores
(3-6) a los que se transmiten diferentes valores de
referencia (R1-R4).
14. Dispositivo de detección de arcos según una
de las reivindicaciones 10 a 13, caracterizado porque se ha
previsto un sistema de generación de valores de referencia (11)
particularmente un potenciómetro.
15. Dispositivo de detección de arcos según una
de las reivindicaciones 10 a 14, caracterizado porque la
unidad lógica (16) averigua intervalos de tiempo y los almacena en
una memoria intermedia.
16. Dispositivo de detección de arcos según una
de las reivindicaciones 10 a 15, caracterizado porque la
unidad lógica (16) está conectada con un secuenciador (19) que
transmite una señal de sincronización a la unidad lógica (16).
17. Dispositivo de detección de arcos según una
de las reivindicaciones 10 a 16, caracterizado porque se ha
previsto un rectificador de valores punta (7).
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DE502006005363D1 (de) * | 2006-11-23 | 2009-12-24 | Huettinger Elektronik Gmbh | Verfahren zum Erkennen einer Bogenentladung in einem Plasmaprozess und Bogenentladungserkennungsvorrichtung |
US7795817B2 (en) * | 2006-11-24 | 2010-09-14 | Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Controlled plasma power supply |
EP1928009B1 (de) * | 2006-11-28 | 2013-04-10 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen |
EP1933362B1 (de) * | 2006-12-14 | 2011-04-13 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen |
DE502007006093D1 (de) | 2007-03-08 | 2011-02-10 | Huettinger Elektronik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Unterdrücken von Bogenentladungen beim Betreiben eines Plasmaprozesses |
US8289029B2 (en) * | 2008-02-14 | 2012-10-16 | Mks Instruments, Inc. | Application of wideband sampling for arc detection with a probabilistic model for quantitatively measuring arc events |
US8076943B2 (en) * | 2008-02-21 | 2011-12-13 | Genesis Medical Imaging, Inc. | Impedance-based arc detector for computed tomography scanner and method of use thereof |
JP5734184B2 (ja) | 2008-07-07 | 2015-06-17 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理チャンバ内のその場(in−situ)アーク放電事象を検出するための構成、及び、アーク放電事象を検出する方法 |
EP2510367A4 (en) * | 2009-12-11 | 2014-07-23 | Alstom Technology Ltd | METHOD FOR ARC DETECTION AND DEVICES THEREFOR |
DE102010031568B4 (de) | 2010-07-20 | 2014-12-11 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Arclöschanordnung und Verfahren zum Löschen von Arcs |
US8502689B2 (en) | 2010-09-23 | 2013-08-06 | Applied Materials, Inc. | System and method for voltage-based plasma excursion detection |
US8587321B2 (en) | 2010-09-24 | 2013-11-19 | Applied Materials, Inc. | System and method for current-based plasma excursion detection |
DE102010048810A1 (de) * | 2010-10-20 | 2012-04-26 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | System zur Bedienung mehrerer Plasma- und/oder Induktionserwärmungsprozesse |
DE102010048809A1 (de) * | 2010-10-20 | 2012-04-26 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Leistungsversorgungssystem für eine Plasmaanwendung und/oder eine Induktionserwärmungsanwendung |
US10461519B2 (en) * | 2013-03-14 | 2019-10-29 | Hubbell Incorporated | Systems and methods for detecting and identifying arcing |
US20140373894A1 (en) * | 2013-06-25 | 2014-12-25 | Volterra Semiconductor Corporation | Photovoltaic Panels Having Electrical Arc Detection Capability, And Associated Systems And Methods |
CN103436851B (zh) * | 2013-08-13 | 2016-02-24 | 西安理工大学 | 一种用于磁控溅射工艺的电弧熄灭方法 |
DE102013110883B3 (de) * | 2013-10-01 | 2015-01-15 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Vorrichtung und Verfahren zur Überwachung einer Entladung in einem Plasmaprozess |
EP2905801B1 (en) * | 2014-02-07 | 2019-05-22 | TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. | Method of monitoring the discharge in a plasma process and monitoring device for monitoring the discharge in a plasma |
US9386680B2 (en) | 2014-09-25 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Detecting plasma arcs by monitoring RF reflected power in a plasma processing chamber |
CN107293465B (zh) * | 2016-03-31 | 2019-02-26 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种等离子体电弧监测方法及装置 |
CN106771531B (zh) * | 2016-12-30 | 2019-08-09 | 西安科技大学 | 电感断开电弧起止时刻检测电路及方法 |
CN106646199B (zh) * | 2016-12-30 | 2019-08-09 | 西安科技大学 | 电感电路分断电弧放电时间检测电路及方法 |
CN106771940B (zh) * | 2017-03-01 | 2019-06-18 | 西安科技大学 | 采用信号分相检测电感分断电弧维持时间的电路及方法 |
CN106707005B (zh) * | 2017-03-01 | 2019-10-08 | 西安科技大学 | 感性电路断开电弧起止时刻检测电路及方法 |
CN109256759B (zh) | 2017-07-14 | 2021-04-16 | 台达电子工业股份有限公司 | 电弧抑制装置与电弧抑制方法 |
EP3796362A1 (en) | 2019-09-23 | 2021-03-24 | TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. | Method of plasma processing a substrate in a plasma chamber and plasma processing system |
Family Cites Families (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4031464A (en) * | 1976-03-01 | 1977-06-21 | Control Data Corporation | Line power distortion detector |
US4031414A (en) * | 1976-06-10 | 1977-06-21 | Gte Automatic Electric Laboratories Incorporated | Circuit arrangement for producing high current pulses |
US4396478A (en) * | 1981-06-15 | 1983-08-02 | Aizenshtein Anatoly G | Method of control of chemico-thermal treatment of workpieces in glow discharge and a device for carrying out the method |
US4625283A (en) * | 1982-05-07 | 1986-11-25 | Cooper Industries, Inc. | Method and apparatus for digitally measuring alternating current |
US4694402A (en) * | 1985-05-28 | 1987-09-15 | Basic Measuring Instruments | Waveform disturbance detection apparatus and method |
US4936960A (en) * | 1989-01-03 | 1990-06-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method and apparatus for recovery from low impedance condition during cathodic arc processes |
US5241152A (en) * | 1990-03-23 | 1993-08-31 | Anderson Glen L | Circuit for detecting and diverting an electrical arc in a glow discharge apparatus |
DE4127504A1 (de) * | 1991-08-20 | 1993-02-25 | Leybold Ag | Einrichtung zur unterdrueckung von lichtboegen |
CH689767A5 (de) * | 1992-03-24 | 1999-10-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur Werkstueckbehandlung in einer Vakuumatmosphaere und Vakuumbehandlungsanlage. |
US5718813A (en) | 1992-12-30 | 1998-02-17 | Advanced Energy Industries, Inc. | Enhanced reactive DC sputtering system |
WO1994025977A1 (en) | 1993-04-28 | 1994-11-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etchback endpoint detection |
DE4326100B4 (de) | 1993-08-04 | 2006-03-23 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten in einer Vakuumkammer, mit einer Einrichtung zur Erkennung und Unterdrückung von unerwünschten Lichtbögen |
US5698082A (en) * | 1993-08-04 | 1997-12-16 | Balzers Und Leybold | Method and apparatus for coating substrates in a vacuum chamber, with a system for the detection and suppression of undesirable arcing |
DE4420951C2 (de) * | 1994-06-16 | 1998-01-22 | Leybold Ag | Einrichtung zum Erfassen von Mikroüberschlägen in Zerstäubungsanlagen |
DE4441206C2 (de) | 1994-11-19 | 1996-09-26 | Leybold Ag | Einrichtung für die Unterdrückung von Überschlägen in Kathoden-Zerstäubungseinrichtungen |
JPH08167500A (ja) | 1994-12-15 | 1996-06-25 | Jeol Ltd | 高周波プラズマ発生装置用電源 |
JP2733454B2 (ja) | 1995-02-16 | 1998-03-30 | 株式会社京三製作所 | 成膜装置用異常放電抑制装置 |
WO1996031899A1 (en) * | 1995-04-07 | 1996-10-10 | Advanced Energy Industries, Inc. | Adjustable energy quantum thin film plasma processing system |
DE19651615C1 (de) * | 1996-12-12 | 1997-07-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Aufbringen von Kohlenstoffschichten durch reaktives Magnetron-Sputtern |
WO1998037257A1 (fr) * | 1997-02-20 | 1998-08-27 | Shibaura Mechatronics Corporation | Bloc d'alimentation pour dispositif de pulverisation cathodique |
US5993615A (en) * | 1997-06-19 | 1999-11-30 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for detecting arcs |
KR100610413B1 (ko) * | 1997-09-17 | 2006-08-09 | 동경 엘렉트론 주식회사 | Rf 플라즈마 시스템에서 아크를 검출하고 방지하기 위한디바이스 및 방법 |
JP2001516963A (ja) * | 1997-09-17 | 2001-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスプラズマ処理を監視しかつ管理するためのシステムおよび方法 |
US6162332A (en) * | 1998-05-07 | 2000-12-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for preventing arcing in sputter chamber |
WO1999058743A1 (fr) * | 1998-05-08 | 1999-11-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Unite source d'alimentation en energie pour traitement de surface par decharges |
JP3036514B2 (ja) | 1998-06-26 | 2000-04-24 | 松下電器産業株式会社 | ガスレーザ発振装置 |
DE19848636C2 (de) | 1998-10-22 | 2001-07-26 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Überwachung einer Wechselspannungs-Entladung an einer Doppelelektrode |
DE19937859C2 (de) | 1999-08-13 | 2003-06-18 | Huettinger Elektronik Gmbh | Elektrische Versorgungseinheit für Plasmaanlagen |
DE19949394A1 (de) * | 1999-10-13 | 2001-04-19 | Balzers Process Systems Gmbh | Elektrische Versorgungseinheit und Verfahren zur Reduktion der Funkenbildung beim Sputtern |
TW505939B (en) * | 2000-03-28 | 2002-10-11 | Kumamoto Technopolis Foundatio | Apparatus for detecting plasma anomalous discharge and method of detecting the same |
DE10034895C2 (de) | 2000-07-18 | 2002-11-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Erkennung von Überschlägen in gepulst betriebenen Plasmen |
DE10119058C2 (de) | 2001-04-18 | 2003-05-08 | Logitex Reinstmedientechnik Gm | Vorrichtung zum Detektieren von Instabilitäten eines hochfrequent angeregten Plasmas, insbesondere von Arcing Ereignissen |
EP1441576B1 (en) | 2001-10-22 | 2011-12-21 | Shibaura Mechatronics Corporation | Method for detecting an arc in a glow discharg apparatus and high-frequency arc discharge suppressor |
JP3689732B2 (ja) * | 2001-12-05 | 2005-08-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置の監視装置 |
US6783495B2 (en) * | 2002-03-19 | 2004-08-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Ultrasonic diagnosing apparatus |
US6736944B2 (en) * | 2002-04-12 | 2004-05-18 | Schneider Automation Inc. | Apparatus and method for arc detection |
JP4443404B2 (ja) * | 2002-05-31 | 2010-03-31 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 放電用電源、スパッタリング用電源及びスパッタリング装置 |
US20040031699A1 (en) * | 2002-08-19 | 2004-02-19 | Applied Materials, Inc. | Method for performing real time arcing detection |
US6967305B2 (en) * | 2003-08-18 | 2005-11-22 | Mks Instruments, Inc. | Control of plasma transitions in sputter processing systems |
JP2005077248A (ja) | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Daihen Corp | 高周波電源装置 |
CN100570805C (zh) * | 2003-09-22 | 2009-12-16 | Mks仪器股份有限公司 | 避免射频等离子加工中的不稳定性的方法和装置 |
WO2005057993A1 (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-23 | Daihen Corporation | 高周波電力供給システム |
US7016172B2 (en) * | 2003-12-20 | 2006-03-21 | Lear Corporation | Method of detecting an arc and protecting the load against said arc |
DE102004015090A1 (de) * | 2004-03-25 | 2005-11-03 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Bogenentladungserkennungseinrichtung |
US6943317B1 (en) * | 2004-07-02 | 2005-09-13 | Advanced Energy Industries, Inc. | Apparatus and method for fast arc extinction with early shunting of arc current in plasma |
US7081598B2 (en) * | 2004-08-24 | 2006-07-25 | Advanced Energy Industries, Inc. | DC-DC converter with over-voltage protection circuit |
US7408750B2 (en) * | 2004-09-09 | 2008-08-05 | Sensata Technologies Massachusetts, Inc. | Methods of detecting arc faults characterized by consecutive periods of arcing |
US20060100824A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-05-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, abnormal discharge detecting method for the same, program for implementing the method, and storage medium storing the program |
PL1705687T3 (pl) | 2005-03-26 | 2007-09-28 | Huettinger Elektronik Gmbh Co Kg | Sposób wykrywania łuku |
US7262606B2 (en) * | 2005-03-26 | 2007-08-28 | Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Method of arc detection |
US7305311B2 (en) | 2005-04-22 | 2007-12-04 | Advanced Energy Industries, Inc. | Arc detection and handling in radio frequency power applications |
EP1720195B1 (de) | 2005-05-06 | 2012-12-12 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Arcunterdrückungsanordnung |
DE102006002333A1 (de) | 2006-01-18 | 2007-07-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Löschen von Bogenentladungen |
US7445695B2 (en) * | 2006-04-28 | 2008-11-04 | Advanced Energy Industries Inc. | Method and system for conditioning a vapor deposition target |
DE502006005363D1 (de) * | 2006-11-23 | 2009-12-24 | Huettinger Elektronik Gmbh | Verfahren zum Erkennen einer Bogenentladung in einem Plasmaprozess und Bogenentladungserkennungsvorrichtung |
US7795817B2 (en) * | 2006-11-24 | 2010-09-14 | Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Controlled plasma power supply |
EP1928009B1 (de) * | 2006-11-28 | 2013-04-10 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen |
EP1933362B1 (de) * | 2006-12-14 | 2011-04-13 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen |
DE502007006093D1 (de) * | 2007-03-08 | 2011-02-10 | Huettinger Elektronik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Unterdrücken von Bogenentladungen beim Betreiben eines Plasmaprozesses |
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