EP4306262A1 - Method for polishing semiconductor wafers on both sides between a lower polishing plate and an upper polishing plate - Google Patents

Method for polishing semiconductor wafers on both sides between a lower polishing plate and an upper polishing plate Download PDF

Info

Publication number
EP4306262A1
EP4306262A1 EP22184834.4A EP22184834A EP4306262A1 EP 4306262 A1 EP4306262 A1 EP 4306262A1 EP 22184834 A EP22184834 A EP 22184834A EP 4306262 A1 EP4306262 A1 EP 4306262A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
polishing
cloth
plate
polishing plate
spacers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
EP22184834.4A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Vladimir Dutschke
Andreas Gustke
Albrecht Ihle
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic AG
Original Assignee
Siltronic AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siltronic AG filed Critical Siltronic AG
Priority to EP22184834.4A priority Critical patent/EP4306262A1/en
Publication of EP4306262A1 publication Critical patent/EP4306262A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D9/00—Wheels or drums supporting in exchangeable arrangement a layer of flexible abrasive material, e.g. sandpaper
    • B24D9/08—Circular back-plates for carrying flexible material
    • B24D9/085—Devices for mounting sheets on a backing plate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/10—Single-purpose machines or devices
    • B24B7/16—Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings
    • B24B7/17—Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings for simultaneously grinding opposite and parallel end faces, e.g. double disc grinders

Definitions

  • the subject of the invention is a method for polishing semiconductor wafers on both sides between a lower polishing plate and an upper polishing plate.
  • Polishing workpieces such as semiconductor wafers on both sides is also called double-side polishing (DSP).
  • DSP double-side polishing
  • Basics of the DSP of semiconductor wafers are, for example, in US 2003 0 054 650 A1 and in DE 100 07 390 A1 described.
  • both polishing plates of a DSP system are covered with polishing cloths. These should be glued on without bubbles. It is important that the respective polishing cloth adheres evenly to the polishing plate. In order to achieve the necessary adhesion, the polishing cloths can be pressed together between the polishing plates (cloth pressing). Pressing causes the glue to flow and adhere better.
  • Methods for creating an adhesive connection between the respective polishing cloth and the corresponding polishing plate are out US 2007 0 087 671 A1 , JP 2006 289 523 A , JP 2006 346 808 A and DE 102 39 774 A1 known.
  • EP 4 000 806 A1 describes a method that uses an intermediate ring to temporarily glue the upper polishing cloth to the upper polishing plate in the area of the surface of the intermediate ring in a more adhesive manner than in adjacent areas.
  • the inventors of the invention described below have found that there is still a need for improvement because the use of an intermediate ring has not proven to be sufficiently reliable in allowing bubbles to form between the upper polishing pad and the upper polishing cloth can be easily pressed, in particular, to the inner edge of the upper polishing cloth and removed there, without risking that the adhesion of the upper polishing cloth to the upper polishing plate is lost.
  • spacers instead of an intermediate ring results in an intermediate state being achieved for pressing the upper polishing cloth against the upper polishing plate, in which the upper polishing cloth adheres reliably to the upper polishing plate, but still loose enough to prevent bubbles mechanically from the space between the upper polishing cloth and the upper polishing plate. Because the intermediate pieces are not connected to one another, the path along which a bubble is pressed out of the intermediate space can be radial, leading to the inner edge or the outer edge of the polishing cloth if necessary also have tangential parts.
  • the spacers are used instead of an intermediate ring to achieve the intermediate state, the area of the upper polishing cloth that adheres comparatively firmly to the upper polishing cloth is lower and therefore the risk that bubbles will be trapped that cannot be removed or can only be removed with difficulty.
  • the space between the spacers is used to drive bubbles to the inner edge or outer edge of the upper polishing cloth and eliminate them there.
  • spacers instead of an intermediate ring also reduces the risk of the upper polishing cloth becoming detached from the upper polishing plate after reaching the intermediate state. This danger exists because, on the one hand, the pressure with which the upper polishing plate is pressed against the lower polishing plate must not be too high due to the potential formation of bubbles, but on the other hand it must be sufficient to hold the upper polishing cloth on the upper polishing plate.
  • the scope available for choosing the right print is machine-dependent and narrow. If spacers are used instead of an intermediate ring, this clearance is greater.
  • the spacers are placed on an intermediate cloth so that they lie concentrically to the inner edge of the lower polishing cloth and at approximately the same distance from one another on the intermediate cloth.
  • the distance between the spacers and the inner edge of the lower polishing plate is preferably 0 mm to 5 mm.
  • the spacers lie on an annular surface with a radial width of preferably 10 mm to 100 mm, particularly preferably 30 mm to 50 mm.
  • the degree of coverage of the annular surface by the spacers is preferably 1% to 15%, particularly preferably 3% to 10%.
  • the spacers are preferably not less than 100 ⁇ m and not more than 300 ⁇ m thick. They preferably have the shape of triangles, in particular isosceles or equilateral triangles. Other shapes are also possible, for example the shape of other polygons or circles or semicircles.
  • the spacers are preferably made of a plastic, for example polyethylene.
  • the polishing cloths are ring-shaped and each include a side surface with an adhesive layer.
  • the lower polishing cloth is glued to the lower polishing plate.
  • the lower polishing cloth is pressed against the lower polishing plate pressed manually or by a machine.
  • at least one tool is used to press the lower polishing cloth against the lower polishing plate.
  • the tool is preferably a squeegee or a roller.
  • the direction of the tool movement is preferably radial and, if necessary, also tangential, in order to press bubbles out of the space between the lower polishing plate and the adhesive layer by applying pressure, preferably on the outer edge and/or on the inner edge of the lower polishing cloth.
  • the lower polishing cloth is then covered with an intermediate cloth.
  • the intermediate cloth preferably has the in DE 10 2017 217 490 A1 properties described, in particular a compressibility at room temperature of at least 3%, preferably 3% to 10%.
  • a first and a second intermediate cloth can also be placed on the lower polishing cloth.
  • the spacers are then placed on the intermediate cloth so that they lie concentrically to the inner edge of the lower polishing cloth and at approximately the same distance from one another on the intermediate cloth.
  • the upper polishing cloth is placed over the intermediate cloth and over the spacers so that the side surface with the adhesive layer faces the upper polishing plate.
  • the upper polishing plate is then pressed against the lower polishing plate and this state is maintained for a certain period of time. Because of the presence of the spacers, the upper polishing cloth is pressed against the upper polishing plate with higher pressure in the area of the spacers than in the adjacent areas. After subsequently removing the spacers and the intermediate cloth, the intermediate state then achieved ensures sufficient adhesion of the upper polishing cloth to the upper polishing plate. At the same time, it also makes it possible in the next step to reliably press bubbles over the areas with less pronounced adhesion to the upper polishing plate to the outer edge and/or inner edge of the upper polishing cloth with comparatively little effort. This is preferably done manually using a tool, such as a squeegee or a roller. The direction of the tool movement is preferably radial and, if necessary, also tangential in order to press bubbles out of the space between the upper polishing plate and the adhesive layer by applying pressure on the outer edge and/or on the inner edge of the upper polishing cloth.
  • Cloth pressing is then carried out, during which the upper polishing plate and the upper polishing cloth are pressed against the lower polishing plate and the lower polishing cloth with comparatively high pressure over a longer period of time. If two intermediate cloths were placed on the lower polishing cloth, the lower one of the intermediate cloths remains between the polishing plates when the cloth is pressed and is only removed afterwards.
  • the polishing plates have a temperature of 40 ° C to 50 ° C at the beginning of cloth pressing in order to reduce the viscosity of the adhesive of the adhesive layer, according to another embodiment, room temperature (23 ° C ⁇ 2 ° C).
  • the method according to the invention is continued with the polishing of semiconductor wafers on both sides in the presence of a polishing agent.
  • the DSP is preferably carried out with process parameters that are already in DE 10 2017 217 490 A1 are recommended. Some of these are mentioned again below.
  • the use of polishing cloths that have low or very low compressibility is preferred.
  • the compressibility of the respective polishing cloth is preferably not more than 2.5%, particularly preferably not more than 2.0%, determined at room temperature (23 ° C ⁇ 2 ° C).
  • the compressibility is determined analogously to JIS-L-1096 (Testing Methods for Woven Fabrics).
  • the thickness of the polishing cloths is preferably not less than 0.7 and not more than 1.5 mm.
  • the semiconductor wafers are each placed in a recess in a rotor disk that is dimensioned according to their circumference.
  • the semiconductor wafers preferably consist of single-crystalline silicon and preferably have a diameter of not less than 200 mm, particularly preferably a diameter of at least 300 mm.
  • the polishing agent is expediently a suspension which preferably contains colloidally disperse silica and optionally other compounds, for example those which adjust the pH.
  • the material removal by DSP is preferably not more than 15 ⁇ m, particularly preferably 5 ⁇ m to 12 ⁇ m per polished side surface.
  • Fig. 1 shows the basic structure of a DSP machine: A lower, ring-shaped polishing plate 12 and an upper polishing plate 13 rotate on collinear axes 9 and 10 with rotational speeds n o and n u .
  • An inner pin ring 6 is arranged within the inner diameter of the polishing plates 13 and 12 and an outer pin ring 20 is arranged outside the outer diameter of the annular polishing plates 12 and 13, which are collinear with rotational speeds n i and n a to the polishing plates and thus around the common axis 11 of the DSP -Machine rotate.
  • the inner pin ring 6 and the outer pin ring 20 form a rolling device in which, for example, three or five rotor disks 15 with suitable external teeth are inserted.
  • the rotor disks 15 each have at least one or more disk holders 2 for semiconductor disks 14.
  • the lower polishing plate 12 and the upper polishing plate 13 carry a lower polishing cloth 19 and an upper polishing cloth 16, respectively, on their mutually facing surfaces.
  • the mutually facing surfaces of the lower and upper polishing cloths 19 and 16 form lower and upper work surfaces, respectively. During processing, these come into contact with the front and back of the semiconductor wafers 14.
  • the rotor disks 15 with the semiconductor disks 14 are guided simultaneously over the lower and upper work surfaces on cycloidal paths, with the rotor disks 15 rotating around the axis 11 on planetary paths.
  • the space formed between the working surfaces in which the rotor disks 15 move is referred to as the working gap 17.
  • the upper polishing plate 13 exerts a force on the lower polishing plate 12, and a polishing agent is supplied via channels 18 in the upper polishing plate 13.
  • the DSP machine can have sensors 3 and 4, which are arranged at different radial positions, for example in the upper polishing plate 13, and which measure the distance between the mutually facing surfaces of the polishing plates 12 and 13 during the polishing of semiconductor wafers 14.
  • Fig. 2 shows a top view of the lower polishing plate 12 at the time after spacers 1 have been placed on an intermediate cloth 7, so that they lie concentrically to the inner edge 5 of the lower polishing cloth 19 and at approximately the same distance from one another on the intermediate cloth 7.
  • Fig. 3 shows a sectional view of the vertical arrangement of features during the pressing of the upper polishing plate 13 against the lower polishing plate 12 and before the removal of the intermediate cloth 7 and the spacers 1.
  • the spacers 1 lie on the intermediate cloth 7 and between the lower and upper polishing cloths 19, 16, which are pressed against each other.
  • the upper polishing cloth 16 is glued to the upper polishing plate 13 using the adhesive layer 8. The pressure with which this happens is higher in the areas of the spacers 1 than in their surroundings.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

Verfahren zum beidseitigen Polieren von Halbleiterscheiben zwischen einem unteren Polierteller und einem oberen Polierteller mittels eines unteren und eines oberen Poliertuchs, die jeweils einen Innenrand und einen Außenrand aufweisen, umfassenddas Bekleben des unteren Poliertellers mit dem unteren Poliertuch;das Pressen des unteren Poliertuchs gegen den unteren Polierteller;das Ablegen von Halbleiterscheiben auf dem unteren Poliertuch; unddas beidseitige Polieren der Halbleiterscheiben in Gegenwart eines Poliermittels; gekennzeichnet durchdas Abdecken des unteren Poliertuchs mit einem Zwischentuch nach dem Pressen des unteren Poliertuchs gegen den unteren Polierteller und vor dem Ablegen der Halbleiterscheiben auf dem unteren Poliertuch;das Ablegen von Distanzstücken auf das Zwischentuch, so dass sie konzentrisch zum Innenrand des unteren Poliertuchs und in annähernd gleichem Abstand zueinander auf dem Zwischentuch liegen;das Ablegen des oberen Poliertuchs über das Zwischentuch und über die Distanzstücke, wobei das obere Poliertuch mit einer zum oberen Polierteller weisenden klebenden Schicht versehen ist;das Pressen des oberen Poliertellers gegen den unteren Polierteller;das Entfernen des Zwischentuchs und der Distanzstücke;das Pressen des oberen Poliertuchs gegen den oberen Polierteller; unddas Pressen der Polierteller und Poliertücher gegeneinander.Method for polishing semiconductor wafers on both sides between a lower polishing plate and an upper polishing plate by means of a lower and an upper polishing cloth, each of which has an inner edge and an outer edge, comprising gluing the lower polishing plate with the lower polishing cloth; pressing the lower polishing cloth against the lower polishing plate ;placing semiconductor wafers on the lower polishing cloth; andpolishing the semiconductor wafers on both sides in the presence of a polishing agent; characterized bycovering the lower polishing cloth with an intermediate cloth after pressing the lower polishing cloth against the lower polishing plate and before placing the semiconductor wafers on the lower polishing cloth;placing spacers on the intermediate cloth so that they are concentric with the inner edge of the lower polishing cloth and in approximately lie on the intermediate cloth at the same distance from each other; placing the upper polishing cloth over the intermediate cloth and over the spacers, whereby the upper polishing cloth is provided with an adhesive layer facing the upper polishing plate; pressing the upper polishing plate against the lower polishing plate; removing the intermediate cloth and the spacers;pressing the upper polishing cloth against the upper polishing plate; andpressing the polishing plates and polishing cloths against each other.

Description

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum beidseitigen Polieren von Halbleiterscheiben zwischen einem unteren Polierteller und einem oberen Polierteller.The subject of the invention is a method for polishing semiconductor wafers on both sides between a lower polishing plate and an upper polishing plate.

Stand der Technik / ProblemeState of the art / problems

Das beidseitige Polieren von Werkstücken wie Halbleiterscheiben wird auch Doppelseitenpolitur (DSP) genannt. Grundzüge der DSP von Halbleiterscheiben sind beispielsweise in US 2003 0 054 650 A1 und in DE 100 07 390 A1 beschrieben.Polishing workpieces such as semiconductor wafers on both sides is also called double-side polishing (DSP). Basics of the DSP of semiconductor wafers are, for example, in US 2003 0 054 650 A1 and in DE 100 07 390 A1 described.

In der Regel werden beide Polierteller einer DSP-Anlage mit Poliertüchern beklebt. Diese sollten blasenfrei aufgeklebt sein. Dabei ist es wichtig, dass das jeweilige Poliertuch auf dem Polierteller gleichmäßig stark haftet. Um die notwendige Haftung zu erreichen, können die Poliertücher zwischen den Poliertellern zusammengepresst werden (Tuchpressen). Durch das Pressen verfließt der Kleber und haftet besser. Verfahren zum Schaffen einer klebenden Verbindung zwischen dem jeweiligen Poliertuch und dem entsprechenden Polierteller sind aus US 2007 0 087 671 A1 , JP 2006 289 523 A , JP 2006 346 808 A und DE 102 39 774 A1 bekannt.As a rule, both polishing plates of a DSP system are covered with polishing cloths. These should be glued on without bubbles. It is important that the respective polishing cloth adheres evenly to the polishing plate. In order to achieve the necessary adhesion, the polishing cloths can be pressed together between the polishing plates (cloth pressing). Pressing causes the glue to flow and adhere better. Methods for creating an adhesive connection between the respective polishing cloth and the corresponding polishing plate are out US 2007 0 087 671 A1 , JP 2006 289 523 A , JP 2006 346 808 A and DE 102 39 774 A1 known.

In DE 10 2017 217 490 A1 wird empfohlen, während des Tuchpressens ein Zwischentuch zwischen dem unteren Poliertuch und dem oberen Poliertuch vorzusehen.In DE 10 2017 217 490 A1 It is recommended to provide an intermediate cloth between the lower polishing cloth and the upper polishing cloth during cloth pressing.

EP 4 000 806 A1 beschreibt ein Verfahren, das einen Zwischenring verwendet, um das obere Poliertuch vorübergehend im Bereich der Oberfläche des Zwischenrings stärker haftend auf den oberen Polierteller zu kleben, als in benachbarten Bereichen. EP 4 000 806 A1 describes a method that uses an intermediate ring to temporarily glue the upper polishing cloth to the upper polishing plate in the area of the surface of the intermediate ring in a more adhesive manner than in adjacent areas.

Die Erfinder der nachstehend beschriebenen Erfindung haben festgestellt, dass weiterhin Bedarf an einer Verbesserung besteht, weil das Verwenden eines Zwischenrings sich als nicht ausreichend zuverlässig erwiesen hat, zu ermöglichen, dass Blasen zwischen dem oberen Polierteller und dem oberen Poliertuch auf einfache Weise insbesondere zum Innenrand des oberen Poliertuchs gedrückt und dort entfernt werden können, ohne dabei zu riskieren, dass die Haftung des oberen Poliertuchs auf dem oberen Polierteller verloren geht.The inventors of the invention described below have found that there is still a need for improvement because the use of an intermediate ring has not proven to be sufficiently reliable in allowing bubbles to form between the upper polishing pad and the upper polishing cloth can be easily pressed, in particular, to the inner edge of the upper polishing cloth and removed there, without risking that the adhesion of the upper polishing cloth to the upper polishing plate is lost.

Die Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch ein Verfahren zum beidseitigen Polieren von Halbleiterscheiben zwischen einem unteren Polierteller und einem oberen Polierteller mittels eines unteren und eines oberen Poliertuchs, die jeweils einen Innenrand und einen Außenrand aufweisen, umfassend

  • das Bekleben des unteren Poliertellers mit dem unteren Poliertuch;
  • das Pressen des unteren Poliertuchs gegen den unteren Polierteller;
  • das Ablegen von Halbleiterscheiben auf dem unteren Poliertuch; und
  • das beidseitige Polieren der Halbleiterscheiben in Gegenwart eines Poliermittels; gekennzeichnet durch
  • das Abdecken des unteren Poliertuchs mit einem Zwischentuch nach dem Pressen des unteren Poliertuchs gegen den unteren Polierteller und vor dem Ablegen der Halbleiterscheiben auf dem unteren Poliertuch;
  • das Ablegen von Distanzstücken auf das Zwischentuch, so dass sie konzentrisch zum Innenrand des unteren Poliertuchs und in annähernd gleichem Abstand zueinander auf dem Zwischentuch liegen;
  • das Ablegen des oberen Poliertuchs über das Zwischentuch und über die Distanzstücke, wobei das obere Poliertuch mit einer zum oberen Polierteller weisenden klebenden Schicht versehen ist;
  • das Pressen des oberen Poliertellers gegen den unteren Polierteller;
  • das Entfernen des Zwischentuchs und der Distanzstücke;
  • das Pressen des oberen Poliertuchs gegen den oberen Polierteller; und
  • das Pressen der Polierteller und Poliertücher gegeneinander.
The object of the invention is achieved by a method for polishing semiconductor wafers on both sides between a lower polishing plate and an upper polishing plate by means of a lower and an upper polishing cloth, each of which has an inner edge and an outer edge
  • sticking the lower polishing cloth on the lower polishing plate;
  • pressing the lower polishing cloth against the lower polishing plate;
  • placing semiconductor wafers on the lower polishing cloth; and
  • polishing the semiconductor wafers on both sides in the presence of a polishing agent; marked by
  • covering the lower polishing cloth with an intermediate cloth after pressing the lower polishing cloth against the lower polishing plate and before placing the semiconductor wafers on the lower polishing cloth;
  • placing spacers on the intermediate cloth so that they are concentric with the inner edge of the lower polishing cloth and at approximately the same distance from one another on the intermediate cloth;
  • placing the upper polishing cloth over the intermediate cloth and over the spacers, the upper polishing cloth being provided with an adhesive layer facing the upper polishing plate;
  • pressing the upper polishing plate against the lower polishing plate;
  • removing the intermediate cloth and spacers;
  • pressing the upper polishing cloth against the upper polishing plate; and
  • pressing the polishing plates and polishing cloths against each other.

Das Verwenden von Distanzstücken anstelle eines Zwischenrings führt dazu, dass für das Pressen des oberen Poliertuchs gegen den oberen Polierteller ein Zwischenzustand erreicht wird, in dem das obere Poliertuch auf dem oberen Polierteller zuverlässig haftet, aber dennoch lose genug, um Blasen mechanisch aus dem Zwischenraum zwischen dem oberen Poliertuch und dem oberen Polierteller drücken zu können. Wegen der fehlenden Verbindung der Zwischenstücke zueinander kann der Weg, auf dem eine Blase aus dem Zwischenraum gedrückt wird, radiale, zum Innenrand oder zum Außenrand des Poliertuchs führende Anteile und nötigenfalls auch tangentiale Anteile haben. Wenn anstelle eines Zwischenrings Distanzstücke verwendet werden, um den Zwischenzustand zu erreichen, ist die Fläche des oberen Poliertuchs, die vergleichsweise fest auf dem oberen Poliertuch haftet geringer und damit auch das Risiko, dass Blasen eingeschlossen werden, die sich nicht oder nur schwer beseitigen lassen. Der Zwischenraum zwischen den Distanzstücken wird genutzt, um Blasen bis zum Innenrand oder zum Außenrand des oberen Poliertuchs zu treiben und dort zu beseitigen.The use of spacers instead of an intermediate ring results in an intermediate state being achieved for pressing the upper polishing cloth against the upper polishing plate, in which the upper polishing cloth adheres reliably to the upper polishing plate, but still loose enough to prevent bubbles mechanically from the space between the upper polishing cloth and the upper polishing plate. Because the intermediate pieces are not connected to one another, the path along which a bubble is pressed out of the intermediate space can be radial, leading to the inner edge or the outer edge of the polishing cloth if necessary also have tangential parts. If spacers are used instead of an intermediate ring to achieve the intermediate state, the area of the upper polishing cloth that adheres comparatively firmly to the upper polishing cloth is lower and therefore the risk that bubbles will be trapped that cannot be removed or can only be removed with difficulty. The space between the spacers is used to drive bubbles to the inner edge or outer edge of the upper polishing cloth and eliminate them there.

Die Verwendung von Distanzstücken anstelle eines Zwischenrings verringert auch die Gefahr, dass das obere Poliertuch nach Erreichen des Zwischenzustands sich vom oberen Polierteller löst. Diese Gefahr besteht, weil der Druck, mit dem der obere Polierteller gegen den unteren Polierteller gedrückt wird, wegen der potenziellen Blasenbildung einerseits nicht zu hoch sein darf, andererseits aber ausreichen muss, das obere Poliertuch auf dem oberen Polierteller zu halten. Der Spielraum, der für die Wahl des passenden Drucks zur Verfügung steht, ist maschinenabhängig und eng. Werden Distanzstücke anstelle eines Zwischenrings verwendet, ist dieser Spielraum größer.The use of spacers instead of an intermediate ring also reduces the risk of the upper polishing cloth becoming detached from the upper polishing plate after reaching the intermediate state. This danger exists because, on the one hand, the pressure with which the upper polishing plate is pressed against the lower polishing plate must not be too high due to the potential formation of bubbles, but on the other hand it must be sufficient to hold the upper polishing cloth on the upper polishing plate. The scope available for choosing the right print is machine-dependent and narrow. If spacers are used instead of an intermediate ring, this clearance is greater.

Die Distanzstücke werden auf ein Zwischentuch gelegt, so dass sie konzentrisch zum Innenrand des unteren Poliertuchs und in annähernd gleichem Abstand zueinander auf dem Zwischentuch liegen. Der Abstand der Distanzstücke zum Innenrand des unteren Poliertellers beträgt vorzugsweise 0 mm bis 5 mm. Die Distanzstücke liegen auf einer ringförmigen Fläche mit einer radialen Breite von vorzugsweise 10 mm bis 100 mm, besonders bevorzugt 30 mm bis 50 mm. Der Bedeckungsgrad der ringförmigen Fläche durch die Distanzstücke beträgt vorzugsweise 1 % bis 15 %, besonders bevorzugt 3 % bis 10 %. Die Distanzstücke sind vorzugsweise nicht weniger als 100 µm und nicht mehr als 300 µm dick. Sie haben vorzugsweise die Form von Dreiecken, insbesondere von gleichschenkeligen oder gleichseitigen Dreiecken. Andere Formen sind auch möglich, beispielsweise die Form anderer Polygone oder von Kreisen oder Halbkreisen. Die Distanzstücke bestehen vorzugsweise aus einem Kunststoff, beispielsweise aus Polyethylen.The spacers are placed on an intermediate cloth so that they lie concentrically to the inner edge of the lower polishing cloth and at approximately the same distance from one another on the intermediate cloth. The distance between the spacers and the inner edge of the lower polishing plate is preferably 0 mm to 5 mm. The spacers lie on an annular surface with a radial width of preferably 10 mm to 100 mm, particularly preferably 30 mm to 50 mm. The degree of coverage of the annular surface by the spacers is preferably 1% to 15%, particularly preferably 3% to 10%. The spacers are preferably not less than 100 µm and not more than 300 µm thick. They preferably have the shape of triangles, in particular isosceles or equilateral triangles. Other shapes are also possible, for example the shape of other polygons or circles or semicircles. The spacers are preferably made of a plastic, for example polyethylene.

Die Poliertücher sind ringförmig ausgebildet und umfassen jeweils eine Seitenfläche mit einer klebenden Schicht. Zunächst wird das untere Poliertuch auf den unteren Polierteller geklebt. Danach wird das untere Poliertuch gegen den unteren Polierteller manuell oder durch eine Maschine gepresst. Gemäß einer Ausführungsform wird mindestens ein Werkzeug verwendet, um das untere Poliertuch gegen den unteren Polierteller zu pressen. Das Werkzeug ist vorzugsweise eine Rakel oder eine Walze. Die Richtung der Werkzeugbewegung ist vorzugsweise radial und nötigenfalls zweitweise auch tangential, um Blasen mittels Druckausübung vorzugsweise am Außenrand und/oder am Innenrand des unteren Poliertuchs aus dem Zwischenraum zwischen dem unteren Polierteller und der klebenden Schicht zu drücken.The polishing cloths are ring-shaped and each include a side surface with an adhesive layer. First, the lower polishing cloth is glued to the lower polishing plate. Then the lower polishing cloth is pressed against the lower polishing plate pressed manually or by a machine. According to one embodiment, at least one tool is used to press the lower polishing cloth against the lower polishing plate. The tool is preferably a squeegee or a roller. The direction of the tool movement is preferably radial and, if necessary, also tangential, in order to press bubbles out of the space between the lower polishing plate and the adhesive layer by applying pressure, preferably on the outer edge and/or on the inner edge of the lower polishing cloth.

Danach wird das untere Poliertuch mit einem Zwischentuch abgedeckt. Das Zwischentuch hat vorzugsweise die in DE 10 2017 217 490 A1 beschriebenen Eigenschaften, also insbesondere eine Kompressibilität bei Raumtemperatur von mindestens 3 %, vorzugsweise 3 % bis 10 %. Insbesondere wenn obere und untere Poliertücher verwendet werden, die vergleichsweise hart sind, können auch ein erstes und ein zweites Zwischentuch auf das untere Poliertuch gelegt werden.The lower polishing cloth is then covered with an intermediate cloth. The intermediate cloth preferably has the in DE 10 2017 217 490 A1 properties described, in particular a compressibility at room temperature of at least 3%, preferably 3% to 10%. Particularly if upper and lower polishing cloths are used, which are comparatively hard, a first and a second intermediate cloth can also be placed on the lower polishing cloth.

Anschließend werden die Distanzstücke auf das Zwischentuch gelegt, so dass sie konzentrisch zum Innenrand des unteren Poliertuchs und in annähernd gleichem Abstand zueinander auf dem Zwischentuch liegen.The spacers are then placed on the intermediate cloth so that they lie concentrically to the inner edge of the lower polishing cloth and at approximately the same distance from one another on the intermediate cloth.

Im nächsten Schritt wird das obere Poliertuch über das Zwischentuch und über die Distanzstücke gelegt und zwar so, dass die Seitenfläche mit der klebenden Schicht zum oberen Polierteller weist.In the next step, the upper polishing cloth is placed over the intermediate cloth and over the spacers so that the side surface with the adhesive layer faces the upper polishing plate.

Daraufhin wird der obere Polierteller gegen den unteren Polierteller gepresst und dieser Zustand eine gewisse Zeit aufrechterhalten. Wegen der Anwesenheit der Distanzstücke wird das obere Poliertuch im Bereich der Distanzstücke mit höherem Druck gegen den oberen Polierteller gedrückt, als in den angrenzenden Bereichen. Nach dem nachfolgenden Entfernen der Distanzstücke und des Zwischentuchs sorgt der dann erreichte Zwischenzustand für ausreichend Haftung des oberen Poliertuchs am oberen Polierteller. Gleichzeitig ermöglicht er es auch, dass im nächsten Schritt Blasen mit vergleichsweise geringem Aufwand zuverlässig über die Bereiche mit weniger ausgeprägter Haftung zum oberen Polierteller zum Außenrand und/oder Innenrand des oberen Poliertuchs gedrückt werden können. Das geschieht vorzugsweise manuell mit Hilfe eines Werkzeugs, beispielsweise einer Rakel oder einer Walze. Die Richtung der Werkzeugbewegung ist vorzugsweise radial und nötigenfalls zweitweise auch tangential, um Blasen mittels Druckausübung am Außenrand und/oder am Innenrand des oberen Poliertuchs aus dem Zwischenraum zwischen dem oberen Polierteller und der klebenden Schicht zu drücken.The upper polishing plate is then pressed against the lower polishing plate and this state is maintained for a certain period of time. Because of the presence of the spacers, the upper polishing cloth is pressed against the upper polishing plate with higher pressure in the area of the spacers than in the adjacent areas. After subsequently removing the spacers and the intermediate cloth, the intermediate state then achieved ensures sufficient adhesion of the upper polishing cloth to the upper polishing plate. At the same time, it also makes it possible in the next step to reliably press bubbles over the areas with less pronounced adhesion to the upper polishing plate to the outer edge and/or inner edge of the upper polishing cloth with comparatively little effort. This is preferably done manually using a tool, such as a squeegee or a roller. The direction of the tool movement is preferably radial and, if necessary, also tangential in order to press bubbles out of the space between the upper polishing plate and the adhesive layer by applying pressure on the outer edge and/or on the inner edge of the upper polishing cloth.

Danach wird ein Tuchpressen vorgenommen, im Zuge dessen der obere Polierteller und das obere Poliertuch über einen längeren Zeitraum gegen den unteren Polierteller und das untere Poliertuch mit vergleichsweise hohem Druck gepresst wird. Wurden zwei Zwischentücher auf das untere Poliertuch gelegt, bleibt das untere der Zwischentücher beim Tuchpressen zwischen den Poliertellern und wird erst danach entfernt.Cloth pressing is then carried out, during which the upper polishing plate and the upper polishing cloth are pressed against the lower polishing plate and the lower polishing cloth with comparatively high pressure over a longer period of time. If two intermediate cloths were placed on the lower polishing cloth, the lower one of the intermediate cloths remains between the polishing plates when the cloth is pressed and is only removed afterwards.

Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung haben die Polierteller zu Beginn des Tuchpressens eine Temperatur von 40 °C bis 50 °C, um die Viskosität des Klebers der klebenden Schicht zu verringern, gemäß einer anderen Ausgestaltung Raumtemperatur (23 °C ± 2 °C).According to one embodiment of the invention, the polishing plates have a temperature of 40 ° C to 50 ° C at the beginning of cloth pressing in order to reduce the viscosity of the adhesive of the adhesive layer, according to another embodiment, room temperature (23 ° C ± 2 ° C).

Nach dem blasenfreien Anbringen der Poliertücher und gegebenenfalls nach einem Abrichten (Dressing) der Poliertücher wird das erfindungsgemäße Verfahren mit dem beidseitigen Polieren von Halbleiterscheiben in Gegenwart eines Poliermittels fortgesetzt. Vorzugsweise erfolgt die DSP mit Prozessparametern, die bereits in DE 10 2017 217 490 A1 empfohlen sind. Einige davon seien nachfolgend nochmals genannt.After the polishing cloths have been attached without bubbles and, if necessary, after dressing the polishing cloths, the method according to the invention is continued with the polishing of semiconductor wafers on both sides in the presence of a polishing agent. The DSP is preferably carried out with process parameters that are already in DE 10 2017 217 490 A1 are recommended. Some of these are mentioned again below.

Bevorzugt ist die Verwendung von Poliertüchern, die eine geringe oder sehr geringe Kompressibilität aufweisen. Bevorzugt beträgt die Kompressibilität des jeweiligen Poliertuches nicht mehr als 2,5%, besonders bevorzugt nicht mehr als 2,0%, ermittelt bei Raumtemperatur (23 °C ± 2 °C). Die Bestimmung der Kompressibilität erfolgt analog zur JIS-L-1096 (Testing Methods for Woven Fabrics).The use of polishing cloths that have low or very low compressibility is preferred. The compressibility of the respective polishing cloth is preferably not more than 2.5%, particularly preferably not more than 2.0%, determined at room temperature (23 ° C ± 2 ° C). The compressibility is determined analogously to JIS-L-1096 (Testing Methods for Woven Fabrics).

Die Dicke der Poliertücher beträgt vorzugsweise nicht weniger als 0,7 und nicht mehr als 1,5 mm.The thickness of the polishing cloths is preferably not less than 0.7 and not more than 1.5 mm.

Zum Polieren werden die Halbleiterscheiben jeweils in eine entsprechend deren Umfang dimensionierte Aussparung einer Läuferscheibe gelegt. Die Halbleiterscheiben bestehen vorzugsweise aus einkristallinem Silizium und haben vorzugsweise einen Durchmesser von nicht weniger als 200 mm, besonders bevorzugt einen Durchmesser von mindestens 300 mm.For polishing, the semiconductor wafers are each placed in a recess in a rotor disk that is dimensioned according to their circumference. The semiconductor wafers preferably consist of single-crystalline silicon and preferably have a diameter of not less than 200 mm, particularly preferably a diameter of at least 300 mm.

Das Poliermittel ist zweckmäßigerweise eine Suspension, die vorzugsweise kolloiddisperse Kieselsäure und gegebenenfalls weitere Verbindungen, beispielsweise solche, die den pH-Wert einstellen, enthält.The polishing agent is expediently a suspension which preferably contains colloidally disperse silica and optionally other compounds, for example those which adjust the pH.

Der Materialabtrag durch DSP beträgt vorzugsweise nicht mehr als 15 µm, besonders bevorzugt 5 µm bis 12 µm je polierter Seitenfläche.The material removal by DSP is preferably not more than 15 µm, particularly preferably 5 µm to 12 µm per polished side surface.

Einzelheiten zur Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf Zeichnungen erläutert.Details of the invention are explained below with reference to drawings.

Kurzbeschreibung der FigurenShort description of the characters

  • Fig. 1 zeigt in perspektivischer Darstellung typische Merkmale einer DSP-Maschine. Fig. 1 shows typical features of a DSP machine in a perspective view.
  • Fig. 2 zeigt eine Draufsicht auf den unteren Polierteller. Fig. 2 shows a top view of the lower polishing plate.
  • Fig. 3 zeigt in Schnittdarstellung die vertikale Anordnung von Merkmalen. Fig. 3 shows the vertical arrangement of features in a sectional view.
Liste der verwendeten BezugszeichenList of reference symbols used

11
DistanzstückeSpacers
22
ScheibenaufnahmeDisc recording
33
Sensorsensor
44
Sensorsensor
55
InnenrandInner edge
66
innerer Stiftkranzinner pin wreath
77
ZwischentuchIntermediate cloth
88th
klebende Schichtadhesive layer
99
Achseaxis
1010
Achseaxis
1111
Achseaxis
1212
unterer Poliertellerlower polishing plate
1313
oberer Poliertellerupper polishing plate
1414
Halbleiterscheibensemiconductor wafers
1515
LäuferscheibenRotor disks
1616
oberes Poliertuchtop polishing cloth
1717
Arbeitsspaltworking gap
1818
Kanälechannels
1919
unteres Poliertuchlower polishing cloth
2020
äußerer Stiftkranzouter pin wreath
2121
AußenrandOuter edge
Detaillierte Beschreibung eines erfindungsgemäßen AusführungsbeispielsDetailed description of an exemplary embodiment according to the invention

Fig. 1 zeigt den prinzipiellen Aufbau einer DSP-Maschine: Ein unterer, ringförmiger Polierteller 12 und ein oberer Polierteller 13 rotieren auf kollinearen Achsen 9 und 10 mit Umdrehungsgeschwindigkeiten no und nu. Innerhalb des Innendurchmessers der Polierteller 13 und 12 sind ein innerer Stiftkranz 6 und außerhalb des Außendurchmessers der ringförmigen Polierteller 12 und 13 ein äußerer Stiftkranz 20 angeordnet, die mit Umdrehungsgeschwindigkeiten ni und na kollinear zu den Poliertellern und somit um die gemeinsame Achse 11 der DSP-Maschine rotieren. Der innere Stiftkranz 6 und der äußere Stiftkranz 20 bilden eine Abwälzvorrichtung, in die beispielsweise drei oder fünf Läuferscheiben 15 mit einer passenden Außenverzahnung eingelegt sind. Die Läuferscheiben 15 weisen jeweils mindestens eine oder mehrere Scheibenaufnahmen 2 für Halbleiterscheiben 14 auf. Fig. 1 shows the basic structure of a DSP machine: A lower, ring-shaped polishing plate 12 and an upper polishing plate 13 rotate on collinear axes 9 and 10 with rotational speeds n o and n u . An inner pin ring 6 is arranged within the inner diameter of the polishing plates 13 and 12 and an outer pin ring 20 is arranged outside the outer diameter of the annular polishing plates 12 and 13, which are collinear with rotational speeds n i and n a to the polishing plates and thus around the common axis 11 of the DSP -Machine rotate. The inner pin ring 6 and the outer pin ring 20 form a rolling device in which, for example, three or five rotor disks 15 with suitable external teeth are inserted. The rotor disks 15 each have at least one or more disk holders 2 for semiconductor disks 14.

Der untere Polierteller 12 und der obere Polierteller 13 tragen auf ihren einander zugewandten Oberflächen ein unteres Poliertuch 19 beziehungsweise ein oberes Poliertuch 16. Die einander zugewandten Oberflächen des unteren und oberen Poliertuchs 19 und 16 bilden untere beziehungsweise obere Arbeitsflächen. Diese gelangen während der Bearbeitung in Kontakt mit Vorder- und Rückseite der Halbleiterscheiben 14.The lower polishing plate 12 and the upper polishing plate 13 carry a lower polishing cloth 19 and an upper polishing cloth 16, respectively, on their mutually facing surfaces. The mutually facing surfaces of the lower and upper polishing cloths 19 and 16 form lower and upper work surfaces, respectively. During processing, these come into contact with the front and back of the semiconductor wafers 14.

Mittels der Abwälzvorrichtung und der Außenverzahnung werden die Läuferscheiben 15 mit den Halbleiterscheiben 14 auf zykloidischen Bahnen gleichzeitig über die untere und obere Arbeitsfläche geführt, wobei die Läuferscheiben 15 auf Planetenbahnen um die Achse 11 umlaufen. Der zwischen den Arbeitsflächen gebildete Raum, in dem sich die Läuferscheiben 15 bewegen, wird als Arbeitsspalt 17 bezeichnet. Während der Bearbeitung übt der obere Polierteller 13 eine Kraft auf den unteren Polierteller 12 aus, und es wird über Kanäle 18 im oberen Polierteller 13 ein Poliermittel zugeführt. Die DSP-Maschine kann Sensoren 3 und 4 aufweisen, die an unterschiedlichen Radialpositionen beispielsweise im oberen Polierteller 13 angeordnet sind und die während des Polierens von Halbleiterscheiben 14 den Abstand der einander zugewandten Oberflächen der Polierteller 12 und 13 messen.By means of the rolling device and the external toothing, the rotor disks 15 with the semiconductor disks 14 are guided simultaneously over the lower and upper work surfaces on cycloidal paths, with the rotor disks 15 rotating around the axis 11 on planetary paths. The space formed between the working surfaces in which the rotor disks 15 move is referred to as the working gap 17. During processing, the upper polishing plate 13 exerts a force on the lower polishing plate 12, and a polishing agent is supplied via channels 18 in the upper polishing plate 13. The DSP machine can have sensors 3 and 4, which are arranged at different radial positions, for example in the upper polishing plate 13, and which measure the distance between the mutually facing surfaces of the polishing plates 12 and 13 during the polishing of semiconductor wafers 14.

Fig. 2 zeigt eine Draufsicht auf den unteren Polierteller 12 zum Zeitpunkt nach dem Ablegen von Distanzstücken 1 auf einem Zwischentuch 7, so dass sie konzentrisch zum Innenrand 5 des unteren Poliertuchs 19 und in annähernd gleichem Abstand zueinander auf dem Zwischentuch 7 liegen. Fig. 2 shows a top view of the lower polishing plate 12 at the time after spacers 1 have been placed on an intermediate cloth 7, so that they lie concentrically to the inner edge 5 of the lower polishing cloth 19 and at approximately the same distance from one another on the intermediate cloth 7.

Fig. 3 zeigt in Schnittdarstellung die vertikale Anordnung von Merkmalen während des Pressens des oberen Poliertellers 13 gegen den unteren Polierteller 12 und vor dem Entfernen des Zwischentuchs 7 und der Distanzstücke 1. Zu diesem Zeitpunkt liegen die Distanzstücke 1 auf dem Zwischentuch 7 und zwischen dem unteren und oberen Poliertuch 19, 16, die gegeneinandergepresst werden. Im Zuge dieses Vorgangs wird das obere Poliertuch 16 mittels der klebenden Schicht 8 auf den oberen Polierteller 13 geklebt. Der Druck, mit dem dies geschieht, ist in den Bereichen der Distanzstücke 1 höher, als in deren Umgebung. Fig. 3 shows a sectional view of the vertical arrangement of features during the pressing of the upper polishing plate 13 against the lower polishing plate 12 and before the removal of the intermediate cloth 7 and the spacers 1. At this point, the spacers 1 lie on the intermediate cloth 7 and between the lower and upper polishing cloths 19, 16, which are pressed against each other. In the course of this process, the upper polishing cloth 16 is glued to the upper polishing plate 13 using the adhesive layer 8. The pressure with which this happens is higher in the areas of the spacers 1 than in their surroundings.

Claims (4)

Verfahren zum beidseitigen Polieren von Halbleiterscheiben zwischen einem unteren Polierteller (12) und einem oberen Polierteller (13) mittels eines unteren und eines oberen Poliertuchs (19, 16), die jeweils einen Innenrand (5) und einen Außenrand (21) aufweisen, umfassend das Bekleben des unteren Poliertellers (12) mit dem unteren Poliertuch (19); das Pressen des unteren Poliertuchs (19) gegen den unteren Polierteller (12); das Ablegen von Halbleiterscheiben (14) auf dem unteren Poliertuch (19); und das beidseitige Polieren der Halbleiterscheiben (14) in Gegenwart eines Poliermittels; gekennzeichnet durch das Abdecken des unteren Poliertuchs (19) mit einem Zwischentuch (7) nach dem Pressen des unteren Poliertuchs (19) gegen den unteren Polierteller (12) und vor dem Ablegen der Halbleiterscheiben (14) auf dem unteren Poliertuch (19); das Ablegen von Distanzstücken (1) auf das Zwischentuch (7), so dass sie konzentrisch zum Innenrand (5) des unteren Poliertuchs (19) und in annähernd gleichem Abstand zueinander auf dem Zwischentuch (7) liegen; das Ablegen des oberen Poliertuchs (16) über das Zwischentuch (7) und über die Distanzstücke (1), wobei das obere Poliertuch (16) mit einer zum oberen Polierteller (13) weisenden klebenden Schicht (8) versehen ist; das Pressen des oberen Poliertellers (13) gegen den unteren Polierteller (12); das Entfernen des Zwischentuchs (7) und der Distanzstücke (1); das Pressen des oberen Poliertuchs (16) gegen den oberen Polierteller (12); und das Pressen der Polierteller (12, 13) und Poliertücher (16, 19) gegeneinander. Method for polishing semiconductor wafers on both sides between a lower polishing plate (12) and an upper polishing plate (13) by means of a lower and an upper polishing cloth (19, 16), each of which has an inner edge (5) and an outer edge (21). gluing the lower polishing plate (12) with the lower polishing cloth (19); pressing the lower polishing cloth (19) against the lower polishing plate (12); placing semiconductor wafers (14) on the lower polishing cloth (19); and polishing the semiconductor wafers (14) on both sides in the presence of a polishing agent; marked by covering the lower polishing cloth (19) with an intermediate cloth (7) after pressing the lower polishing cloth (19) against the lower polishing plate (12) and before placing the semiconductor wafers (14) on the lower polishing cloth (19); placing spacers (1) on the intermediate cloth (7) so that they lie concentrically to the inner edge (5) of the lower polishing cloth (19) and at approximately the same distance from one another on the intermediate cloth (7); placing the upper polishing cloth (16) over the intermediate cloth (7) and over the spacers (1), the upper polishing cloth (16) being provided with an adhesive layer (8) facing the upper polishing plate (13); pressing the upper polishing plate (13) against the lower polishing plate (12); removing the intermediate cloth (7) and the spacers (1); pressing the upper polishing cloth (16) against the upper polishing plate (12); and pressing the polishing plates (12, 13) and polishing cloths (16, 19) against each other. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch das Kleben der Distanzstücke (1) auf das Zwischentuch (7).Method according to claim 1, characterized by gluing the spacers (1) to the intermediate cloth (7). Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Poliertücher (16, 19) mittels mindestens eines Werkzeugs gegen die Polierteller (12, 13) gepresst werden, wobei das Werkzeug radial bewegt wird und Blasen zwischen dem jeweiligen Polierteller (12, 13) und dem jeweiligen Poliertuch (16, 19) am Innenrand (5) und/oder Außenrand (21) des jeweiligen Poliertuchs (16, 19) entfernt werden.Method according to claim 1 or claim 2, characterized in that the polishing cloths (16, 19) are pressed against the polishing plates (12, 13) by means of at least one tool, the tool being moved radially and bubbles forming between the respective polishing plates (12, 13 ) and the respective polishing cloth (16, 19) on the inner edge (5) and / or outer edge (21) of the respective polishing cloth (16, 19) are removed. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Distanzstücke (1) eine Höhe haben, die 100 µm bis 300 µm beträgt.Method according to one of claims 1 to 3, characterized in that the spacers (1) have a height of 100 µm to 300 µm.
EP22184834.4A 2022-07-13 2022-07-13 Method for polishing semiconductor wafers on both sides between a lower polishing plate and an upper polishing plate Pending EP4306262A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP22184834.4A EP4306262A1 (en) 2022-07-13 2022-07-13 Method for polishing semiconductor wafers on both sides between a lower polishing plate and an upper polishing plate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP22184834.4A EP4306262A1 (en) 2022-07-13 2022-07-13 Method for polishing semiconductor wafers on both sides between a lower polishing plate and an upper polishing plate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP4306262A1 true EP4306262A1 (en) 2024-01-17

Family

ID=82594878

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP22184834.4A Pending EP4306262A1 (en) 2022-07-13 2022-07-13 Method for polishing semiconductor wafers on both sides between a lower polishing plate and an upper polishing plate

Country Status (1)

Country Link
EP (1) EP4306262A1 (en)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10007390A1 (en) 1999-03-13 2000-10-12 Wolters Peter Werkzeugmasch Dual disc polishing apparatus for semiconductor wafer, has support base which is connected with drive shaft and support disc, so that inclination of upper and lower grinding discs are equal
US20030054650A1 (en) 2001-07-05 2003-03-20 Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbleitermaterialien Ag Process for material-removing machining of both sides of semiconductor wafers
DE10239774A1 (en) 2002-08-29 2003-11-27 Wacker Siltronic Halbleitermat Method and apparatus for attaching polishing cloths to the plates of a polishing machine such as for polishing silicon wafers using grooves or ridges to control application of a vacuum
JP2006289523A (en) 2005-04-06 2006-10-26 Speedfam Co Ltd Double sided polishing device equipped with pressure roller for applying polishing pad, and applying method of polishing pad
JP2006346808A (en) 2005-06-15 2006-12-28 Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd Grinding pad sticking method and workpiece producing method
US20070087671A1 (en) 2005-10-17 2007-04-19 Fujikoshi Machinery Corp. Method of adhering polishing pads and jig for adhering the same
DE102017217490A1 (en) 2017-09-29 2019-04-04 Siltronic Ag Method for polishing both sides of a semiconductor wafer
DE102019213657A1 (en) * 2019-09-09 2021-03-11 Siltronic Ag Method and device for pressing a polishing cloth
WO2021235050A1 (en) * 2020-05-19 2021-11-25 信越半導体株式会社 Method for affixing polishing pad of double-sided polishing device
EP4000802A1 (en) * 2020-11-17 2022-05-25 Siltronic AG Method for polishing semiconductor wafers on both sides between a lower polishing plate and an upper polishing plate
EP4000806A1 (en) 2020-11-16 2022-05-25 Siltronic AG Method for polishing semiconductor wafers on both sides between a lower polishing plate and an upper polishing plate

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10007390A1 (en) 1999-03-13 2000-10-12 Wolters Peter Werkzeugmasch Dual disc polishing apparatus for semiconductor wafer, has support base which is connected with drive shaft and support disc, so that inclination of upper and lower grinding discs are equal
US20030054650A1 (en) 2001-07-05 2003-03-20 Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbleitermaterialien Ag Process for material-removing machining of both sides of semiconductor wafers
DE10239774A1 (en) 2002-08-29 2003-11-27 Wacker Siltronic Halbleitermat Method and apparatus for attaching polishing cloths to the plates of a polishing machine such as for polishing silicon wafers using grooves or ridges to control application of a vacuum
JP2006289523A (en) 2005-04-06 2006-10-26 Speedfam Co Ltd Double sided polishing device equipped with pressure roller for applying polishing pad, and applying method of polishing pad
JP2006346808A (en) 2005-06-15 2006-12-28 Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd Grinding pad sticking method and workpiece producing method
US20070087671A1 (en) 2005-10-17 2007-04-19 Fujikoshi Machinery Corp. Method of adhering polishing pads and jig for adhering the same
DE102017217490A1 (en) 2017-09-29 2019-04-04 Siltronic Ag Method for polishing both sides of a semiconductor wafer
DE102019213657A1 (en) * 2019-09-09 2021-03-11 Siltronic Ag Method and device for pressing a polishing cloth
WO2021235050A1 (en) * 2020-05-19 2021-11-25 信越半導体株式会社 Method for affixing polishing pad of double-sided polishing device
EP4000806A1 (en) 2020-11-16 2022-05-25 Siltronic AG Method for polishing semiconductor wafers on both sides between a lower polishing plate and an upper polishing plate
EP4000802A1 (en) * 2020-11-17 2022-05-25 Siltronic AG Method for polishing semiconductor wafers on both sides between a lower polishing plate and an upper polishing plate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69611851T2 (en) Holding device for a substrate and method and device for polishing a substrate
DE60005270T2 (en) SUPPORT DEVICE FOR A CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING DEVICE, WITH A HOLDING RING AND A SUPPORT PLATE WITH MULTI-ZONE PRESSURE CONTROL DEVICE
DE112008002802B4 (en) Polishing head and this polishing device
DE1425455A1 (en) Seals and processes for producing sealing surfaces that work on one another
DE2462565A1 (en) PROCEDURE FOR FASTENING SEMI-CONDUCTOR WORKS ON A MOUNTING PLATE
DE3120477A1 (en) DEVICE FOR CLAMPING AND FIXING SEMICONDUCTOR PLATES
DE3231895A1 (en) MACHINE FOR BEVELING EDGES OF PANEL-LIKE WORKPIECES
DE1235215T1 (en) Method and device for gluing pane elements together
DE112019002513T5 (en) POLISHING HEAD, WAFER POLISHER USING THIS, AND WAFER POLISHING METHOD USING THIS
DE112014002285T5 (en) A method of manufacturing a polishing head and a polishing apparatus
EP4000806A1 (en) Method for polishing semiconductor wafers on both sides between a lower polishing plate and an upper polishing plate
DE3247145A1 (en) METAL CONTINUOUS PRESS RIBBON WITH STRUCTURED SURFACE FOR DOUBLE BAND PRESSES
EP2414133B1 (en) Method for the material-removing machining of very thin work pieces in a double side grinding machine
DE102019213657A1 (en) Method and device for pressing a polishing cloth
DE102015217279B4 (en) Wafer polishing device
EP4306262A1 (en) Method for polishing semiconductor wafers on both sides between a lower polishing plate and an upper polishing plate
DE102014220888B4 (en) Apparatus and method for double-sided polishing of disc-shaped workpieces
EP4000802A1 (en) Method for polishing semiconductor wafers on both sides between a lower polishing plate and an upper polishing plate
DE69322491T2 (en) GRINDING DEVICE AND METHOD FOR USE THEREOF
DE69902035T2 (en) METHOD FOR gluing supports for optical plates together
DE69029278T2 (en) Device for the production of optical disks
DE60125185T2 (en) METHOD AND DEVICE FOR CONTROLLING THE EQUALITY OF SEMI-FINISHED DISCS IN A CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING TOOL USING CARRIER PLATE IDENTIFICATION MARKS
DE10029399A1 (en) Device and method for coating an optically readable data carrier
AT518573B1 (en) Method for processing an endless belt
DE10356669A1 (en) Material-abrading lapping or machining tool especially for processing semiconductor wafers, has working surface divided into surface elements by mutually crossing grooves

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION HAS BEEN PUBLISHED

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR