EP3563412A1 - Elektronikmodul, verfahren - Google Patents

Elektronikmodul, verfahren

Info

Publication number
EP3563412A1
EP3563412A1 EP17837966.5A EP17837966A EP3563412A1 EP 3563412 A1 EP3563412 A1 EP 3563412A1 EP 17837966 A EP17837966 A EP 17837966A EP 3563412 A1 EP3563412 A1 EP 3563412A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
cement
aluminum nitride
cement composite
nitride particles
electronic module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
EP17837966.5A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Bernd Rometsch
Georg Hejtmann
Martin Rittner
Stefan Kaessner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Publication of EP3563412A1 publication Critical patent/EP3563412A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3733—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Definitions

  • the invention relates to an electronic module, in particular power module, with at least one electrical / electronic component and with a housing at least partially surrounding the housing, wherein the housing
  • cement composite is made, and wherein the cement composite comprises cement and at least one particulate filler.
  • the invention relates to a method for producing such
  • Semiconductor module having at least one semiconductor device, which is covered by a coating material consisting of cement.
  • the encapsulant has a filler in the form of aluminum nitride particles or aluminum oxide particles and thus forms a cement composite.
  • the document US 2004/0105980 A1 describes particles which may have a particle core and a multiplicity of coatings enveloping the particle core.
  • the particulate filler is provided that the particulate filler
  • Aluminum nitride particles protected in the cement can be arranged / integrated so that the thermal conductivity of the aluminum nitride particles (thermal conductivity Aluminum nitride: 180 W / mK) can be used to increase the thermal conductivity of the aluminum nitride particles (thermal conductivity Aluminum nitride: 180 W / mK) can be used to increase the thermal conductivity of the aluminum nitride particles (thermal conductivity Aluminum nitride: 180 W / mK) can be used to increase the thermal conductivity of the
  • Aluminum nitride does not react with the cement due to the coating with alumina and thereby dissolves or decomposes. The heightened
  • Thermal conductivity of the cement composite ensures particularly effective heat conduction. If the temperature of a component, for example a transistor, which is enclosed in particular by a housing made of cement composite increases during operation, for example due to power losses during a switching operation, the resulting heat is quickly and reliably dissipated from the component into the cement composite.
  • the filler is evenly distributed in the cement composite.
  • the advantage here is that the thermal conductivity is the same everywhere in the cement composite. This ensures optimum heat conduction from the component into the cement composite.
  • the filler is a granulate or powder.
  • the advantage here is that the filler is easily introduced into the cement and miscible with it.
  • an amount of the filler which is to be introduced into the cement can thus be determined or metered in a simple manner. This ensures accurate meterability of the filler in the cement.
  • the filler in particular the aluminum nitride particles, preferably has at least substantially a spherical shape.
  • the filler is formed void-free in order to avoid entrapment of gas, which in particular can react with the cement in a critical way.
  • the diameter of the aluminum nitride particles themselves or of the aluminum nitride particles, which additionally have the coating of aluminum oxide is at least ⁇ , ⁇ and at most 500 ⁇ .
  • the layer thickness of the coating of aluminum oxide is preferably at least lnm and at most 100 nm.
  • the filler is present as a suspension.
  • the cement or a matrix of the cement composite is made of inorganic material. The advantage here is that the cement or the matrix of the cement composite can be produced cost-effectively and in a simple manner.
  • Inorganic material is preferably cement, for example alumina cement, phosphate cement or Portland cement.
  • the cement or the matrix of the cement composite additionally comprises at least one inorganic additive, for example sand or stone.
  • At least one further filler in particular nitridic ceramic particles or silicon carbide particles, is introduced into the cement composite.
  • Cement composites are specifically adjustable or configurable.
  • a physical property is in particular the thermal conductivity or
  • Thermal conductivity which is configurable by nitridic ceramic particles, such as boron nitride or silicon nitride.
  • nitridic ceramic particles such as boron nitride or silicon nitride.
  • Another property is, for example, a hardness of the cement composite, in particular a
  • the further fillers also have a
  • the housing is associated with at least one heat sink.
  • the advantage here is that overheating of the component is avoided by the heat sink during operation of the component, so that a stable operation of the component is ensured.
  • the heat sink preferably releases the heat produced during operation of the component by heat conduction (conduction) and / or convection to an ambient medium, for example air or water. Alternatively or additionally, the heat sink releases the heat produced by thermal radiation to the surrounding medium.
  • the heat sink preferably has a material with a high thermal conductivity, for example copper. So that the heat sink can deliver or dissipate the heat effectively, it preferably has cooling fins. These increase one
  • the component is preferably arranged on a substrate, for example a ceramic substrate.
  • the heat sink is preferably arranged on a side of the substrate opposite the component and in particular connected to the substrate by means of a joining material, for example a metallic soft solder material or a polymeric TIM material.
  • the heat sink is designed as a coolant channel and extends through the cement composite in such a way that in its longitudinal extent it is completely separated from the part
  • the coolant channel due to its extension through the cement composite or its integration into the cement composite absorbs heat particularly effectively and thus advantageously cools the electronic module.
  • the coolant channel is positively connected by integration into the cement composite and / or materially connected to the cement composite.
  • the coolant channel is a copper tube, which is flowed through by a cooling liquid, for example water, or a cooling gas, for example air, or can be flowed through. Since the coolant channel is only partially completely surrounded by the cement composite, the areas not surrounded by cement composite are in particular assigned to the surrounding medium. This ensures that the coolant channel can be cooled by the surrounding medium, resulting in a heat release from the component to the
  • the coolant channel is arranged completely in the cement composite. It is preferably provided that the electronic module has a plurality of heat sinks, for example a heat sink connected to the substrate and a coolant channel integrated in the cement composite. Preferably, the coolant channel is formed meander-shaped. As an alternative or in addition, the coolant channel preferably gives off the heat produced during operation of the component
  • Base mass and / or the at least one additive, added to this Base mass and / or the at least one additive, added to this.
  • the housing is assigned at least one heat sink.
  • the heat sink is encapsulated with cement composite in a casting over of the component. This ensures a positive and / or cohesive and thus stable connection of the heat sink or the
  • Coolant channel with the cement composite Coolant channel with the cement composite.
  • the aluminum nitride particles are oxidized with a coating of aluminum oxide only for the purpose of providing the aluminum nitride particles. This results in a particularly simple and inexpensive process to provide the aluminum nitride particles with a coating.
  • the aluminum nitride particles are oxidized with a coating of aluminum oxide only for the purpose of providing the aluminum nitride particles.
  • Claim 11 for providing the aluminum nitride particles with a coating only of alumina the alumina is applied by means of a deposition process on the aluminum nitride particles.
  • the advantage here is that it is possible to apply predefinable layer thicknesses of aluminum oxide to the aluminum nitride particles.
  • deposition process is in particular a
  • a deposition process is a chemical vapor deposition or a physical one
  • Coating process include, for example, evaporation methods such as electron beam evaporation methods.
  • FIG. 2 shows an electronic module with a housing, which at least one
  • Heatsink is assigned in a simplified representation
  • Figure 3 is an overview diagram for carrying out the method according to an advantageous embodiment.
  • FIG. 1 shows in a simplified representation a cement composite 1 which comprises cement 18 and a particulate filler 2.
  • the particulate filler 2 comprises aluminum nitride particles 3, each having a coating of only alumina 4.
  • the aluminum nitride particles 3 are preferably spherical and cavity-free.
  • the diameter of the aluminum nitride particles 3 or the aluminum nitride particles 3, which have a coating of aluminum oxide 4, is preferably at least ⁇ , ⁇ and at most 500 ⁇ .
  • the alumina 4 preferably has a layer thickness of at least lnm and at most 100 nm.
  • the coating with alumina 4 prevents the aluminum nitride particles 3 in the cement 18 from decomposing and dissolving. This ensures that the thermal properties, in particular the high thermal conductivity of 180 W / mK of aluminum nitride are advantageous for the thermal conductivity of the
  • Cement composites 1 can be used.
  • the filler 2 is evenly distributed in the cement 18. This ensures in particular a uniform heat conduction through the cement 18.
  • At least one further filler 5 is introduced into the cement composite 1.
  • Nitridic ceramic particles are, for example, bornite (BN) or silicon nitride (Si 3 N 4 ).
  • FIG. 2 shows an electronic module 6, in particular a power module, with at least one electrical / electronic component 7, for example one Transistor or an inductance, such as a transformer or a coil, and with a component 7 at least partially surrounding housing 8.
  • the housing 8 is made of the cement composite 1.
  • the component 7 is preferably by means of a conductive material 9, for example copper, silver or aluminum, on the one hand with an electrical contact 10, for example a metallic wire, and on the other hand with a substrate 11,
  • the conductive material 9 and the substrate 11 are preferably connected to each other by means of DCB (Direct Copper Bonding) or AMG (Active Metal Brazing).
  • the housing 9 is associated with at least one heat sink 12, 13.
  • the heat sink 12 is preferably a copper body and with the substrate 11 in particular by means of a
  • the joining material is for example a
  • the heat sink 13 is preferably formed as a coolant channel 15 and extends through the cementitious composite 1 so that he in his
  • the coolant channel 15 is preferably meander-shaped. To illustrate the meandering shape, it should be mentioned that the sections 16 go out of the plane of the paper and the sections 17 into the plane of the paper.
  • the coolant channel 13 is a copper tube, which is flowed through by a cooling liquid, for example water, or a cooling gas, for example air.
  • the heat generated during operation of the component 7 can be effectively conducted into the / the heat sink 12, 13.
  • an operating temperature of the component 7 can be increased to temperatures of more than 200 ° C.
  • the use of the / the heat sink 12, 13 ensures that both a cooling by the heat sink 12 and a cooling by the heat sink 13 is possible for the component 7.
  • the coolant channel 15 is provided as a single heat sink 13.
  • FIG. 3 shows a flowchart for carrying out a method for
  • a first step Sl at least one electrical / electronic component 7 is provided.
  • This component 7 is for example a transistor, a choke, a transformer or another power module.
  • a cement 18 or a basic mass of the Zementkoposits 1 is provided.
  • the cement 18 or the basic mass of the cement composite 1 is made of inorganic material.
  • the inorganic material is preferably a cement, for example
  • Alumina cement Portland cement or phosphate cement.
  • Base of the cement composite for example, ceramic, stone, sand and / or minerals.
  • a third step S3 aluminum nitride particles 3 are provided.
  • the aluminum nitride particles 3 are present as granules or powder and preferably have a diameter of at least ⁇ , ⁇ to 500 ⁇ . Alternatively or additionally, it is provided that the filler 2 is present as a suspension.
  • a fourth step S4 the aluminum nitride particles 3 are each provided with a coating of only aluminum oxide 4. The mistake with
  • Alumina 4 is preferably carried out by thermal oxidation of the aluminum nitride particles 3 in air at a temperature of preferably 1200 ° C. Alternatively or additionally, it is provided that by means of a
  • the aluminum nitride particles 3 are coated with alumina 4. This makes it possible, on the one hand, to apply the aluminum oxide 4 with a predefinable layer thickness, preferably from 1 nm to 100 nm, onto the aluminum nitride particles 3. On the other hand, it is thereby possible for a second coating, which has a different material, for example silicon oxide, on the aluminum nitride particles 3 applied.
  • Suitable deposition processes are in particular chemical and / or physical deposition processes, for example a chemical or physical vapor deposition.
  • Alumina 4 provided aluminum nitride particles 3 introduced into the cement composite 1.
  • the aluminum nitride particles 3 or the filler 2 are preferably mixed with the still dry cement 18, in particular the matrix.
  • the filler 2 is castable
  • Cement composition consisting of the matrix and / or at least one additive mixed.
  • the additives and / or the fillers 2 are first mixed together and then with water.
  • a monomodal admixture of the aluminum nitride particles 3 in the cement 18 or a multimodal admixture of the aluminum nitride particles 3 is provided.
  • at least one heat sink 12, 13 is assigned to the housing 8.
  • the heat sink 12, 13 is cast together with the component 7 in the cement composite 1. This ensures that the heat sink 12,13 is materially connected to the cement composite 1.
  • Cement composite 1 surrounded, so as to produce a component 7 at least partially surrounding housing 8.
  • the castable, in particular liquid, cement composite material is set and dried.
  • the component 7 is preferably enclosed by a casting mold, not shown here, which is filled with the pourable cement composite mass. After setting and drying the pourable Zementkompositmasse then the mold of the

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Elektronikmodul (6), insbesondere Leistungsmodul, mit zumindest einem elektrischen/elektronischen Bauteil (7) und mit einem das Bauteil (7) zumindest teilweise umgebenden Gehäuse (8), wobei das Gehäuse (8) aus Zementkomposit (1) gefertigt ist, und wobei der Zementkomposit (1) zumindest einen partikelförmigen Füllstoff (2) aufweist. Es ist vorgesehen, dass der partikelförmige Füllstoff (2) Aluminiumnitrid-Partikel (3) aufweist, die jeweils eine Beschichtung nur aus Aluminiumoxid (4) aufweisen.

Description

Beschreibung Titel
Elektronikmodul, Verfahren
Die Erfindung betrifft ein Elektronikmodul, insbesondere Leistungsmodul, mit zumindest einem elektrischen/elektronischen Bauteil und mit einem das Bauteil zumindest teilweise umgebenden Gehäuse, wobei das Gehäuse aus
Zementkomposit gefertigt ist, und wobei das Zementkomposit Zement und zumindest einen partikelförmigen Füllstoff aufweist.
Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines solchen
Elektronikmoduls.
Stand der Technik
Elektronikmodule der eingangs genannten Art sind aus dem Stand der Technik bekannt. So beschreibt die Offenlegungsschrift EP 2 958 139 AI ein
Halbleitermodul mit zumindest einem Halbleiterbauteil, das von einer aus Zement bestehenden Umhüllungsmasse bedeckt ist. Die Umhüllungsmasse weist dabei einen Füllstoff in Form von Aluminiumnitridpartikeln oder Aluminiumoxidpartikeln auf und bildet somit einen Zementkomposit. Das Dokument US 2004/0105980 AI beschreibt Partikel, welche einen Partikelkern und eine Vielzahl von den Partikelkern umhüllende Beschichtungen aufweisen können.
Offenbarung der Erfindung
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass der partikelförmige Füllstoff
Aluminiumnitridpartikel aufweist, die jeweils eine Beschichtung nur aus
Aluminiumoxid aufweisen. Hierdurch ergibt sich der Vorteil, dass die
Aluminiumnitridpartikel geschützt in dem Zement anordenbar/integrierbar sind, so dass die Wärmeleitfähigkeit der Aluminiumnitridpartikel (Wärmeleitfähigkeit Aluminiumnitrid: 180 W/mK) dazu nutzbar ist, die Wärmeleitfähigkeit des
Zementkomposits zu steigern.„Geschützt" bedeutet hierbei, dass das
Aluminiumnitrid aufgrund der Beschichtung mit Aluminiumoxid nicht mit dem Zement reagiert und sich dabei auflöst oder zersetzt. Die gesteigerte
Wärmeleitfähigkeit des Zementkomposits gewährleistet eine besonders effektive Wärmeleitung. Steigt die Temperatur eines insbesondere von einem Gehäuse aus Zementkomposit umhüllten Bauteils, beispielsweise eines Transistors, während eines Betriebes, beispielsweise aufgrund von Verlustleistungen während eines Schaltvorgangs, so wird die dabei entstehende Wärme schnell und sicher von dem Bauteil in das Zementkomposit abgeleitet.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass der Füllstoff gleichmäßig in dem Zementkomposit verteilt ist. Der Vorteil hierbei ist, dass die Wärmeleitfähigkeit überall in dem Zementkomposit gleich ist. Dies gewährleistet eine optimale Wärmeleitung von dem Bauteil in das
Zementkomposit. Insbesondere wird damit vermieden, dass Bereiche in dem Zementkomposit keinen oder nur einen geringen Anteil an Füllstoff aufweisen, so dass das Bauteil aufgrund einer zu geringen Wärmeleitung und damit einer zu hohen Wärmeentwicklung beschädigt wird.
Besonders bevorzugt ist vorgesehen, dass der Füllstoff ein Granulat oder Pulver ist. Der Vorteil hierbei ist, dass der Füllstoff auf einfache Art und Weise in den Zement einbringbar und mit diesem mischbar ist. Zudem ist somit eine Menge des Füllstoffs, welche in den Zement eingebracht werden soll, auf einfache Weise bestimmbar bzw. dosierbar. Dies gewährleistet eine genaue Dosierbarkeit des Füllstoffs in dem Zement. Bevorzugt weist der Füllstoff, insbesondere die Aluminiumnitridpartikel, zumindest im Wesentlichen eine Kugelform auf. Zudem ist vorzugsweise vorgesehen, dass der Füllstoff hohlraumfrei ausgebildet ist, um einen Einschluss von Gas, welches insbesondere mit dem Zement auf kritische Weise reagieren kann, zu vermeiden. Bevorzugt beträgt der Durchmesser der Aluminiumnitridpartikel selbst oder der der Aluminiumnitridpartikel, welche zusätzlich die Beschichtung aus Aluminiumoxid aufweisen, mindestens Ο,ΐμηη und höchstens 500μηη. Die Schichtdicke der Beschichtung aus Aluminiumoxid beträgt vorzugsweise mindestens lnm und höchstens lOOnm. Alternativ liegt der Füllstoff als Suspension vor. Vorzugsweise ist der Zement bzw. eine Grundmasse des Zementkomposits aus anorganischem Material gefertigt. Der Vorteil hierbei ist, dass der Zement bzw. die Grundmasse des Zementkomposits kostengünstig und auf einfache Art und Weise herstellbar ist. Anorganisches Material ist vorzugsweise Zement, beispielsweise Tonerdezement, Phosphat-Zement oder Portland-Zement.
Vorzugsweise weist der Zement bzw. die Grundmasse des Zementkomposits zusätzlich zumindest einen anorganischen Zusatzstoff, beispielsweise Sand oder Stein, auf.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass zumindest ein weiterer Füllstoff, insbesondere nitridische Keramikpartikel oder Siliziumcarbid-Partikel, in das Zementkomposit eingebracht ist. Der Vorteil hierbei ist, dass thermische und/oder physikalische Eigenschaften des
Zementkomposits gezielt einstellbar bzw. konfigurierbar sind. Eine physikalische Eigenschaft ist insbesondere die thermische Leitfähigkeit bzw.
Wärmeleitfähigkeit, welche durch nitridische Keramikpartikel, beispielsweise Bornitrid oder Siliziumnitrid, konfigurierbar ist. Eine weitere Eigenschaft ist beispielsweise eine Härte des Zementkomposits, insbesondere eine
Druckfestigkeit, welche durch das Einbringen von Siliziumcarbid-Partikeln einstellbar ist. Bevorzugt weisen die weiteren Füllstoffe ebenfalls eine
Beschichtung aus Aluminiumoxid auf.
Vorzugsweise ist dem Gehäuse zumindest ein Kühlkörper zugeordnet. Der Vorteil hierbei ist, dass durch den Kühlkörper bei einem Betrieb des Bauteils eine Überhitzung des Bauteils vermieden wird, so dass ein stabiler Betrieb des Bauteils gewährleistet ist. Der Kühlkörper gibt die bei einem Betrieb des Bauteils entstehende Wärme bevorzugt durch Wärmeleitung (Konduktion) und/oder Konvektion an ein Umgebungsmedium, beispielsweise Luft oder Wasser, ab. Alternativ oder zusätzlich gibt der Kühlkörper die entstehende Wärme durch Wärmestrahlung an das Umgebungsmedium ab. Vorzugsweise weist der Kühlkörper ein Material mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit, beispielsweise Kupfer, auf. Damit der Kühlkörper die Wärme effektiv abgeben bzw. abführen kann, weist dieser bevorzugt Kühlrippen auf. Diese erhöhen eine
wärmeabgebende bzw. wärmeabführende Oberfläche des Kühlkörpers, was die Abgabe von Wärme an das Umgebungsmedium verbessert. Bevorzugt ist das Bauteil auf einem Substrat, beispielsweise einem Keramiksubstrat, angeordnet. Der Kühlkörper ist bevorzugt auf einer dem Bauteil gegenüberliegenden Seite des Substrats angeordnet und insbesondere mittels eines Fügematerials, beispielsweise einem metallischen Weichlotwerkstoff oder einem polymeren TIM- Werkstoffs, mit dem Substrat verbunden.
Besonders bevorzugt ist vorgesehen, dass der Kühlkörper als Kühlmittelkanal ausgebildet ist und sich derart durch das Zementkomposit hindurch erstreckt, dass er in seiner Längserstreckung abschnittsweise vollständig von dem
Zementkomposit umgeben ist. Der Vorteil hierbei ist, dass der Kühlmittelkanal aufgrund seiner Erstreckung durch das Zementkomposit hindurch bzw. seiner Integration in das Zementkomposit besonders effektiv Wärme aufnimmt und das Elektronikmodul damit vorteilhaft kühlt. Bevorzugt ist der Kühlmittelkanal durch die Integration in dem Zementkomposit formschlüssig und/oder stoffschlüssig mit dem Zementkomposit verbunden. Vorzugsweise ist der Kühlmittelkanal ein Kupferrohr, welches von einer Kühlflüssigkeit, beispielsweise Wasser, oder einem Kühlgas, beispielsweise Luft, durchströmt wird beziehungsweise durchströmbar ist. Indem der Kühlmittelkanal nur abschnittsweise vollständig von dem Zementkomposit umgeben ist, sind die nicht von Zementkomposit umgebenen Bereiche insbesondere dem Umgebungsmedium zugeordnet. Dies gewährleistet, dass der Kühlmittelkanal durch das Umgebungsmedium kühlbar ist, wodurch sich eine Wärmeabgabe von dem Bauteil an das
Umgebungsmedium zusätzlich verbessert. Alternativ ist vorgesehen, dass der Kühlmittelkanal vollständig in dem Zementkomposit angeordnet ist. Bevorzugt ist vorgesehen, dass das Elektronikmodul mehrere Kühlkörper, beispielsweise einen mit dem Substrat verbundenen Kühlkörper und einen in das Zementkomposit integrierten Kühlmittelkanal aufweist. Bevorzugt ist der Kühlmittelkanal mäanderförmig ausgebildet. Der Kühlmittelkanal gibt alternativ oder zusätzlich die bei einem Betrieb des Bauteils entstehende Wärme bevorzugt durch
Phasenumwandlung an das Umgebungsmedium ab.
Das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen eines Elektronikmoduls, insbesondere Leistungsmoduls, zeichnet sich durch die Merkmale des
Anspruchs 8 aus. Es ergeben sich die bereits genannten Vorteile. Weitere Vorteile und bevorzugte Merkmale ergeben sich insbesondere aus dem zuvor Beschriebenen sowie aus den Ansprüchen. Zur Herstellung einer gießfähigen Zementkompositmasse werden vorzugsweise die Grundmasse, die Zusatzstoffe und/oder die Füllstoffe zunächst miteinander und anschließend mit Wasser vermischt. Alternativ oder zusätzlich werden insbesondere die Füllstoffe erst nach Herstellung einer gießfähigen Zementmasse bestehend aus der
Grundmasse und/oder dem zumindest einen Zusatzstoff, zu dieser hinzugefügt.
Bevorzugt ist vorgesehen, dass gemäß den Merkmalen des Anspruchs 9 dem Gehäuse zumindest ein Kühlkörper zugeordnet wird. Es ergeben sich die bereits genannten Vorteile. Weitere Vorteile und bevorzugte Merkmale ergeben sich insbesondere aus dem zuvor Beschriebenen sowie aus den Ansprüchen.
Bevorzugt wird bei einem Umgießen des Bauteils auch der Kühlkörper mit Zementkomposit umgössen. Dies gewährleistet eine formschlüssige und/oder stoffschlüssige und damit stabile Verbindung des Kühlkörper bzw. des
Kühlmittelkanals mit dem Zementkomposit.
Vorzugsweise ist vorgesehen, dass gemäß den Merkmalen des Anspruchs 10 zum Versehen der Aluminiumnitrid-Partikel mit einer Beschichtung nur aus Aluminiumoxid die Aluminiumnitrid-Partikel oxidiert werden. Hierdurch ergibt sich ein besonders einfacher und kostengünstiger Vorgang, um die Aluminiumnitrid- Partikel mit einer Beschichtung zu versehen. Vorzugsweise werden die
Aluminiumnitrid-Partikel bei einer Temperatur von 1200°C oxidiert.
Besonders bevorzugt ist vorgesehen, dass gemäß den Merkmalen des
Anspruchs 11 zum Versehen der Aluminiumnitrid- Partikel mit einer Beschichtung nur aus Aluminiumoxid das Aluminiumoxid mittels eines Abscheideprozesses auf die Aluminiumnitrid-Partikel aufgebracht wird. Der Vorteil hierbei ist, dass damit vorgebbare Schichtdicken von Aluminiumoxid auf die Aluminiumnitrid-Partikel aufbringbar sind. Mit Abscheideprozess ist insbesondere ein
Beschichtungsprozess gemeint. Beispielsweise ist ein Abscheideprozess eine chemische Gasphasenabscheidung oder auch ein physikalisches
Beschichtungsverfahren. Hierzu gehören beispielsweise Verdampfungsverfahren wie Elektronenstrahlverdampfverfahren.
Im Folgenden soll die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert werden. Dazu zeigen im Folgenden Figur 1 ein Zementkomposit, welcher zumindest einen partikelförmigen Füllstoff aufweist in einer vereinfachten Darstellung,
Figur 2 ein Elektronikmodul mit einem Gehäuse, welchem zumindest ein
Kühlkörper zugeordnet ist in einer vereinfachten Darstellung und
Figur 3 ein Übersichtsdiagramm zur Durchführung des Verfahrens gemäß eines vorteilhaften Ausführungsbeispiels.
Figur 1 zeigt in einer vereinfachten Darstellung einen Zementkomposit 1, welcher Zement 18 und einen partikelförmigen Füllstoff 2 aufweist. Der partikelförmige Füllstoff 2 weist Aluminiumnitrid-Partikel 3 auf, die jeweils eine Beschichtung nur aus Aluminiumoxid 4 aufweisen. Die Aluminiumnitrid-Partikel 3 sind bevorzugt kugelförmig und hohlraumfrei ausgebildet. Der Durchmesser der Aluminiumnitrid- Partikel 3 oder der Aluminiumnitrid-Partikel 3, welche eine Beschichtung aus Aluminiumoxid 4 aufweisen, beträgt bevorzugt mindestens Ο,ΐμηη und höchstens 500μηη. Das Aluminiumoxid 4 weist bevorzugt eine Schichtdicke von mindestens lnm und höchstens lOOnm auf.
Die Beschichtung mit Aluminiumoxid 4 verhindert, dass sich die Aluminiumnitrid- Partikel 3 in dem Zement 18 zersetzen und auflösen. Dies gewährleistet, dass die thermischen Eigenschaften, insbesondere die hohe Wärmeleitfähigkeit von 180 W/mK von Aluminiumnitrid vorteilhaft für die Wärmeleitfähigkeit des
Zementkomposits 1 genutzt werden können.
Bevorzugt ist der Füllstoff 2 gleichmäßig in dem Zement 18 verteilt. Dies gewährleistet insbesondere eine gleichmäßige Wärmeleitung durch das
Zementkomposit 1.
Vorzugsweise ist zumindest ein weiterer Füllstoff 5, insbesondere nitridische Keramikpartikel oder SiC-Partikel, in das Zementkomposit 1 eingebracht.
Nitridische Keramikpartikel sind beispielsweise Bornitird (BN) oder Silizumnitrid (Si3N4).
Figur 2 zeigt ein Elektronikmodul 6, insbesondere ein Leistungsmodul, mit zumindest einem elektrischen/elektronischen Bauteil 7, beispielsweise einem Transistor oder einer Induktivität, beispielsweise einem Transformator oder einer Spule, und mit einem das Bauteil 7 zumindest teilweise umgebenden Gehäuse 8. Das Gehäuse 8 ist aus dem Zementkomposit 1 gefertigt. Das Bauteil 7 ist bevorzugt mittels eines leitfähigen Materials 9, beispielsweise Kupfer, Silber oder Aluminium, einerseits mit einer elektrischen Kontaktierung 10, beispielsweise einem metallischen Draht, und andererseits mit einem Substrat 11,
beispielsweise einem Keramiksubstrat, verbunden. Das leitfähige Material 9 und das Substrat 11 werden bevorzugt mittels DCB (Direct Copper Bonding) oder AMG (Active Metal Brazing) miteinander verbunden. Dem Gehäuse 9 ist zumindest ein Kühlkörper 12, 13 zugeordnet. Der Kühlkörper 12 ist vorzugsweise ein Kupferkörper und mit dem Substrat 11 insbesondere mittels eines
Fügematerials 14 verbunden. Das Fügematerial ist beispielsweise ein
metallischen Weichlotwerkstoff oder ein polymerer TIM- Werkstoff.
Der Kühlkörper 13 ist bevorzugt als Kühlmittelkanal 15 ausgebildet und erstreckt sich derart durch das Zementkomposit 1 hindurch, dass er in seiner
Längserstreckung abschnittsweise vollständig von dem Zementkomposit 1 umgeben. Der Kühlmittelkanal 15 ist bevorzugt mäanderförmig ausgebildet. Zur Veranschaulichung der Mäanderform sei erwähnt, dass die Abschnitte 16 aus der Papierebene hinaus und die Abschnitte 17 in die Papierebene hinein gehen. Vorzugsweise ist der Kühlmittelkanal 13 ein Kupferrohr, welches von einer Kühlflüssigkeit, beispielsweise Wasser, oder einem Kühlgas, beispielsweise Luft, durchströmt wird.
Durch das besonders vorteilhaft Wärme leitende Zementkomposit 1 kann die bei einem Betrieb des Bauteils 7 entstehende Wärme effektiv in den/die Kühlkörper 12, 13 geleitet werden. Dadurch kann eine Einsatztemperatur des Bauteils 7 auf Temperaturen von über 200°C gesteigert werden. Die Verwendung des/der Kühlkörper 12, 13 gewährleistet, dass für das Bauteil 7 sowohl eine Kühlung durch den Kühlkörper 12 als auch eine Kühlung durch den Kühlkörper 13 möglich ist.
Weil sich durch den in dem Zementkomposit 1 integrierten Kühlmittelkanal 15 neue Design- und auch Partitionierungsmöglichkeiten unabhängig von dem mit dem Substrat 11 verbundenen Kühlkörper 12 ergeben, kann auf eine Kühlung durch den Kühlkörper 12 verzichtet werden. Bevorzugt ist daher vorgesehen, dass der Kühlmittelkanal 15 als einziger Kühlkörper 13 vorgesehen ist.
Figur 3 zeigt ein Flussdiagramm zum Durchführen eines Verfahrens zum
Herstellen eines Elektronikmoduls 6, insbesondere Leistungsmoduls, gemäß einem Ausführungsbeispiel.
In einem ersten Schritt Sl wird zumindest ein elektrisches/elektronisches Bauteil 7 bereitgestellt. Dieses Bauteil 7 ist beispielsweise ein Transistor, eine Drossel, ein Transformator oder ein sonstiges Leistungsmodul.
In einem zweiten Schritt S2 wird ein Zement 18 bzw. eine Grundmasse des Zementkoposits 1 bereitgestellt. Vorzugsweise ist der Zement 18 bzw. die Grundmasse des Zementkomposits 1 aus anorganischem Material gefertigt. Das anorganische Material ist vorzugsweise ein Zement, beispielsweise
Tonerdezement, Portland-Zement oder Phosphat-Zement. Weitere anorganische Materialien, insbesondere Zusatzstoffe, welche der Zement 18 bzw. die
Grundmasse des Zementkomposits 1 aufweist, sind beispielsweise Keramik, Stein, Sand und/oder Mineralien.
In einem dritten Schritt S3 werden Aluminiumnitrid-Partikel 3 bereitgestellt. Die Aluminiumnitrid-Partikel 3 liegen dabei als Granulat oder Pulver vor und haben bevorzugt einen Durchmesser von mindestens Ο,ΐμηη bis 500μηη. Alternativ oder zusätzlich ist vorgesehen, dass der Füllstoff 2 als Suspension vorliegt.
In einem vierten Schritt S4 werden die Aluminiumnitrid-Partikel 3 jeweils mit einer Beschichtung nur aus Aluminiumoxid 4 versehen. Das Versehen mit
Aluminiumoxid 4 erfolgt vorzugsweise durch eine thermische Oxidation der Aluminiumnitrid-Partikel 3 an Luft bei einer Temperatur von vorzugsweise 1200°C. Alternativ oder zusätzlich ist vorgesehen, dass mittels eines
Abscheideprozesses bzw. Beschichtungsverfahrens die Aluminiumnitrid-Partikel 3 mit Aluminiumoxid 4 beschichtet werden. Dadurch ist es möglich, zum einen das Aluminiumoxid 4 mit einer vorgebbaren Schichtdicke, vorzugsweise lnm bis lOOnm, auf den Aluminiumnitrid-Partikeln 3 aufzubringen. Zum andere ist es dadurch möglich, eine zweite Beschichtung, welche ein anderes Material, beispielsweise Siliziumoxid, aufweist, auf den Aluminiumnitrid-Partikeln 3 aufzubringen. Geeignete Abscheideprozesse sind insbesondere chemische und/oder physikalische Abscheideprozesse, beispielsweise eine chemische oder physikalische Gasphasenabscheidung.
In einem fünften Schritt S5 werden die mit einer Beschichtung nur aus
Aluminiumoxid 4 versehenen Aluminiumnitrid-Partikel 3 in das Zementkomposit 1 eingebracht. Die Aluminiumnitrid-Partikel 3 bzw. der Füllstoff 2 werden bevorzugt mit dem noch trockenen Zement 18, insbesondere der Grundmasse, vermischt. Alternativ oder zusätzlich wird der Füllstoff 2 mit einer gießfähigen
Zementmasse, bestehend aus der Grundmasse und/oder zumindest einem Zusatzstoff, vermischt. Zur Herstellung der gießfähigen Zementkompositmasse werden vorzugsweise die Grundmasse, die Zusatzstoffe und/oder die Füllstoffe 2 zunächst miteinander und anschließend mit Wasser vermischt. Bevorzugt ist eine monomodale Beimischung der Aluminiumnitrid-Partikel 3 in den Zement 18 oder eine multimodale Beimischung der Aluminiumnitrid-Partikel 3 vorgesehen.
Bevorzugt erfolgt eine bi-oder trimodale Beimischung. Alternativ oder zusätzlich ist vorgesehen, dass zumindest ein Kühlkörper 12, 13 dem Gehäuse 8 zugeordnet wird. Dadurch wird der Kühlkörper 12,13 zusammen mit dem Bauteil 7 in dem Zementkomposit 1 vergossen. Dies gewährleistet, dass der Kühlkörper 12,13 stoffschlüssig mit dem Zementkomposit 1 verbunden ist. Dies
gewährleistet eine stabile Anordnung des Kühlkörpers 12, 13 in dem
Zementkomposit 1 und damit eine besonders vorteilhafte Wärmeleitung von dem Bauteil 7 durch das Zementkomposit 1 zu dem Kühlkörper 12,13.
In einem sechsten Schritt S6 wird das Bauteil 7 und bevorzugt weitere
Komponenten des Elektronikmoduls 5, insbesondere eine elektrische
Kontaktierung 10 und/oder ein Substrat 11, zumindest teilweise mit dem
Zementkomposit 1 umgössen, um damit ein das Bauteil 7 zumindest teilweise umgebendes Gehäuse 8 herzustellen. Nach dem Umgießen des Bauteils 8 wird die gießfähige, insbesondere flüssige, Zementkompositmasse abgebunden und getrocknet. Zum Umgießen des Bauteils 7 wird vorzugsweise das Bauteil 7 von einer hier nicht dargestellten Gussform umschlossen, welche mit der gießfähigen Zementkompositmasse gefüllt wird. Nach Abbinden und Trocknung der gießfähigen Zementkompositmasse wird dann die Gussform von der
getrockneten Zementkompositmasse bzw. dem Zementkomposit 1 entfernt.

Claims

Ansprüche
1. Elektronikmodul (6), insbesondere Leistungsmodul, mit zumindest einem
elektrischen/elektronischen Bauteil (7) und mit einem das Bauteil (7) zumindest teilweise umgebenden Gehäuse (8), wobei das Gehäuse (8) aus Zementkomposit (1) gefertigt ist, und wobei der Zementkomposit (1) Zement (18) und zumindest einen partikelförmigen Füllstoff (2) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass der partikelförmige Füllstoff (2) Aluminiumnitrid- Partikel (3) aufweist, die jeweils eine Beschichtung nur aus Aluminiumoxid (4) aufweisen.
2. Elektronikmodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der
Füllstoff (2) gleichmäßig in dem Zementkomposit (1) verteilt ist.
3. Elektronikmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass der Füllstoff (2) ein Granulat oder Pulver ist.
4. Elektronikmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass der Zement (18) aus anorganischem Material gefertigt ist.
5. Elektronikmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass zumindest ein weiterer Füllstoff (5), insbesondere nitridische Keramikpartikel oder SiC-Partikel, in dem Zementkomposit (1) eingebracht ist.
6. Elektronikmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass dem Gehäuse (8) zumindest ein Kühlkörper (12,13) zugeordnet ist.
7. Elektronikmodul nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der
Kühlkörper (13) als Kühlmittelkanal (15) ausgebildet ist und sich derart durch den Zementkomposit (1) hindurch erstreckt, dass er in seiner Längserstreckung abschnittsweise vollständig von dem Zementkomposit (1) umgeben ist.
8. Verfahren zum Herstellen eines Elektronikmoduls (6), insbesondere
Leistungsmoduls, mit folgenden Schritten:
- Bereitstellen zumindest eines elektrischen/elektronischen Bauteils (7),
- Bereitstellen eines Zementes (18),
- Bereitstellen von Aluminiumnitrid-Partikeln (3),
- Versehen der jeweiligen Aluminiumnitrid-Partikeln (3) mit einer
Beschichtung nur aus Aluminiumoxid (4),
- Einbringen der mit einer Beschichtung nur aus Aluminiumoxid (4) versehenen Aluminiumnitrid-Partikel (3) in den Zement (18) zur Herstellung eines Zementkomposits (1) und
- zumindest teilweises Umgießen des elektrischen/elektronischen Bauteils (7) mit dem Zementkomposit (1) zur Herstellung eines Gehäuses (10)
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass dem Gehäuse (8) zumindest ein Kühlkörper (12,13) zugeordnet wird.
10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass zum Versehen der Aluminiumnitrid-Partikel (3) mit einer Beschichtung nur aus Aluminiumoxid (4) die Aluminiumnitrid-Partikel (3) oxidiert werden.
11. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass zum Versehen der Aluminiumnitrid-Partikel (3) mit einer Beschichtung nur aus Aluminiumoxid (4) das Aluminiumoxid (4) mittels eines Abscheideprozesses auf die Aluminiumnitrid-Partikel (3) aufgebracht wird.
EP17837966.5A 2016-12-28 2017-12-22 Elektronikmodul, verfahren Pending EP3563412A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016226262.9A DE102016226262A1 (de) 2016-12-28 2016-12-28 Elektronikmodul, Verfahren
PCT/EP2017/084292 WO2018122145A1 (de) 2016-12-28 2017-12-22 Elektronikmodul, verfahren

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP3563412A1 true EP3563412A1 (de) 2019-11-06

Family

ID=61148173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP17837966.5A Pending EP3563412A1 (de) 2016-12-28 2017-12-22 Elektronikmodul, verfahren

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10872833B2 (de)
EP (1) EP3563412A1 (de)
JP (1) JP6813685B2 (de)
KR (1) KR102418086B1 (de)
CN (1) CN110114873B (de)
DE (1) DE102016226262A1 (de)
TW (1) TWI756333B (de)
WO (1) WO2018122145A1 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10607919B2 (en) 2017-04-28 2020-03-31 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor package having junction cooling pipes embedded in substrates
DE102018212159A1 (de) * 2018-07-20 2020-01-23 Robert Bosch Gmbh Aufbau und Verfahren zum Verbinden einer ersten und einer zweiten Baugruppe durch Verkleben
DE102019132314B4 (de) * 2019-11-28 2022-03-03 Infineon Technologies Ag Package mit Einkapselung unter Kompressionsbelastung
CN111725161B (zh) * 2020-06-16 2022-04-22 杰群电子科技（东莞）有限公司 一种半导体散热器件、封装方法及电子产品
CN116472601A (zh) * 2020-12-23 2023-07-21 贺利氏德国有限两合公司 用于制造包封半导体管芯和/或包封半导体封装的方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04175209A (ja) 1990-08-29 1992-06-23 Matsushita Electric Works Ltd 窒化アルミニウム及びその製法
US6822018B2 (en) * 2002-02-15 2004-11-23 Delphi Technologies, Inc. Thermally-conductive electrically-insulating polymer-base material
JP4277134B2 (ja) * 2002-08-15 2009-06-10 国立大学法人東京工業大学 酸化アルミニウム被覆窒化アルミニウムの製造方法
US7560160B2 (en) 2002-11-25 2009-07-14 Materials Modification, Inc. Multifunctional particulate material, fluid, and composition
DE102006028675B4 (de) * 2006-06-22 2008-08-21 Siemens Ag Kühlanordnung für auf einer Trägerplatte angeordnete elektrische Bauelemente
DE102007039916A1 (de) * 2007-08-23 2009-02-26 Siemens Ag Aufbau- und Verbindungstechnik von Modulen mittels dreidimensional geformter Leadframes
JP2011111341A (ja) * 2009-11-25 2011-06-09 Panasonic Electric Works Co Ltd 酸化層を有する窒化アルミニウム基板、該基板の製造方法、該基板を用いた回路基板及びｌｅｄモジュール
WO2011102421A1 (ja) 2010-02-18 2011-08-25 日立化成工業株式会社 複合粒子及びその製造方法並びに樹脂組成物
TW201331353A (zh) * 2012-01-17 2013-08-01 Regal Paper Tech Co Ltd 散熱材料、散熱結構、製備方法及其用途
JP6032359B2 (ja) * 2013-06-07 2016-11-24 信越化学工業株式会社 熱伝導性複合シート及び放熱構造体
DE102013112267A1 (de) * 2013-11-07 2015-05-07 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Halbleitermodul mit einer einen Halbleiterbaustein bedeckenden Umhüllungsmasse
JP6378315B2 (ja) * 2014-03-13 2018-08-22 株式会社トクヤマ 耐水性に優れた窒化アルミニウム粉末
HUE051760T2 (hu) * 2014-06-18 2021-03-29 Heraeus Deutschland Gmbh & Co Kg Eljárás félvezetõ modul elõállítására
DE102015102041A1 (de) * 2015-02-12 2016-08-18 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungsmodul

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018122145A1 (de) 2018-07-05
US20190348338A1 (en) 2019-11-14
US10872833B2 (en) 2020-12-22
TWI756333B (zh) 2022-03-01
DE102016226262A1 (de) 2018-06-28
JP6813685B2 (ja) 2021-01-13
KR102418086B1 (ko) 2022-07-07
TW201826908A (zh) 2018-07-16
KR20190097082A (ko) 2019-08-20
CN110114873A (zh) 2019-08-09
CN110114873B (zh) 2023-04-28
JP2020515042A (ja) 2020-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3563412A1 (de) Elektronikmodul, verfahren
DE112008002566B4 (de) Wärmeleitfähige Lage und Verfahren zum Herstellen derselben, und Leistungsmodul
DE112014002796B4 (de) Wärmehärtbare Harzzusammensetzung, Verfahren zur Herstellung einer wärmeleitenden Folie und Leistungsmodul
DE112017002842T5 (de) Kühlkörper und Kühleinrichtung
DE102011077504B4 (de) Isolierelement, metallbasissubstrat und halbleitermodul sowie deren herstellungsverfahren
WO2015193035A1 (de) Halbleitermodul mit einer mindestens einen halbleiterbaustein bedeckenden umhüllungsmasse
DE10320838B4 (de) Faserverstärktes Metall-Keramik/Glas-Verbundmaterial als Substrat für elektrische Anwendungen, Verfahren zum Herstellen eines derartigen Verbundmaterials sowie Verwendung dieses Verbundmaterials
DE102009044863A1 (de) Halbleiter-Bauelement
DE102016121801B4 (de) Baugruppe mit Verbindungen, die verschiedene Schmelztemperaturen aufweisen, Fahrzeug mit der Baugruppe und Verfahren zum Herstellen derselben und Verwendung der Baugruppe für eine Automobilanwendung
DE102015101561A1 (de) Halbleiterpaket und verfahren zur herstellung eines halbleiterpakets
WO2019110219A1 (de) Kühlkörper für eine elektronische komponente, elektronische baugruppe mit einem solchen kühlkörper und verfahren zum erzeugen eines solchen kühlkörpers
EP3381051A1 (de) Elektrische vorrichtung mit einer umhüllmasse
DE102009000882A1 (de) Substrat zur Aufnahme mindestens eines Bauelements und Verfahren zur Herstellung eines Substrats
DE102015223466A1 (de) Elektrische Vorrichtung mit einer Umhüllmasse
DE10345157B4 (de) Wärmeleitende Verpackung von elektronischen Schaltungseinheiten
DE102015100868B4 (de) Integrierte Schaltung und Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung
DE102017217406A1 (de) Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102017216290B4 (de) Verbundwerkstoff und Verfahren zu dessen Herstellung, Kühlkörper und elektronisches Bauteil
DE102016205178A1 (de) Kleber zur Verbindung einer leistungselektronischen Baugruppe mit einem Kühlkörper und Verbund daraus
DE10245266A1 (de) Vorrichtung zur Kühlung von elektronischen Bauelementen
EP2553038B1 (de) Wärmeleitende anordnung zwischen zwei bauteilen und verfahren zum herstellen einer wärmeleitenden anordnung
AT11107U1 (de) Wärmesenke sowie verfahren zu deren herstellung
DE112020006582T5 (de) Wärmeableitungselement und kühlkörper
DE102007039902A1 (de) Wärmeleitmaterial mit zwei Materialbestandteilen und Verwendung des Wärmeleitmaterials
DE102015215374A1 (de) Keramischer Trägerkörper mit Solarzellen

Legal Events

Date Code Title Description
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: UNKNOWN

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE INTERNATIONAL PUBLICATION HAS BEEN MADE

PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: REQUEST FOR EXAMINATION WAS MADE

17P Request for examination filed

Effective date: 20190729

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: BA ME

DAV Request for validation of the european patent (deleted)
DAX Request for extension of the european patent (deleted)
RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: ROBERT BOSCH GMBH

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: EXAMINATION IS IN PROGRESS

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: EXAMINATION IS IN PROGRESS

17Q First examination report despatched

Effective date: 20211130