EP3449033A1 - Device and method for vacuum coating - Google Patents

Device and method for vacuum coating

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Publication number
EP3449033A1
EP3449033A1 EP16791044.7A EP16791044A EP3449033A1 EP 3449033 A1 EP3449033 A1 EP 3449033A1 EP 16791044 A EP16791044 A EP 16791044A EP 3449033 A1 EP3449033 A1 EP 3449033A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
electrode
electrodes
members
excitation
pylon
Prior art date
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Pending
Application number
EP16791044.7A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Torsten Schmauder
Ludger Urban
Wilfried Dicken
Jutta Trube
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Buehler Alzenau GmbH
Original Assignee
Buehler Alzenau GmbH
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Filing date
Publication date
Application filed by Buehler Alzenau GmbH filed Critical Buehler Alzenau GmbH
Publication of EP3449033A1 publication Critical patent/EP3449033A1/en
Pending legal-status Critical Current

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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4587Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32018Glow discharge
    • HELECTRICITY
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    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32403Treating multiple sides of workpieces, e.g. 3D workpieces
    • HELECTRICITY
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    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • H01J37/32568Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means

Definitions

  • the invention relates to an apparatus and a method for vacuum treatment of substrates having the features of the preambles of the independent claims.
  • Plasma CVD systems with a plasma CVD discharge device are often used in systems for coating reflectors with aluminum as a reflector layer to provide on the aluminum a protective layer of e.g. plasma-polymerized hexamethyldisiloxane (HMDSO).
  • HMDSO plasma-polymerized hexamethyldisiloxane
  • the plasma CVD discharge device for applying the plasma-polymerized protective layers and a number of rotating about a central axis planetary substrate holders are arranged.
  • the plasma CVD discharge device consists of a pair of plate electrodes, which are arranged around the rotating workpiece holders. Due to the high space requirement of the substrate holder only a relatively long batch time in the range greater than 10 minutes can be achieved.
  • DE 10 2010 032 591 A1 discloses a device for vacuum coating substrates with a first pylon rotatable about a first axis and holding means for substrates.
  • a second substrate support device associated with the evaporator bank is provided with a second pylon rotatable about a second axis and with support means for substrates.
  • the plasma CVD process step is the longest single process, so that acceleration seems to be particularly desirable.
  • the object of the present invention is to provide an apparatus and a method in which a plasma treatment of the substrates with high quality, short batch time and high productivity can be carried out with little effort.
  • Vacuum chamber comprises a substrate support means with a rotatable about a longitudinal axis pylon with support means for substrates and a pylon associated plasma CVD discharge device.
  • a plate-shaped electrode is understood in the following to mean a planar component made of a metal material which, when connected to an electrical power supply, is suitable for generating a plasma discharge.
  • the electrodes have excitation surfaces, which are preferably elongated in the direction of the longitudinal axis of the pylon.
  • the excitation surface is here the surface located on excitation of the plasma discharge in contact with the plasma.
  • the excitation surfaces can be flat or curved.
  • the electrodes and the excitation surfaces of the plasma CVD discharge device are associated with the pylon in such a way that substrates held on it are at least a part of the substrate when operating the device
  • Vacuum chamber generated plasma are exposed.
  • Plasma power is understood here to be the electrical power supplied to the device for plasma generation by an electrical power supply device.
  • the term quality refers to parameters of the properties of the coating, in particular a layer thickness, a reflection factor and / or a color impression.
  • Plasma treatment in particular includes the glow treatment.
  • the device is characterized in that the plasma CVD discharge device has more than two plate-shaped,
  • a power supply device for exciting a plasma discharge is provided by means of at least one electrical voltage applied to at least two of the electrodes, wherein the excited plasma acts on at least parts of the pylon and substrates which can be arranged thereon.
  • An electrode is referred to in this text as being pylon-oriented if it is in a geometric configuration to the pylon such that its excitation surface can be connected to a partial surface of the pylon with a straight line.
  • this can be understood as a geometric configuration in which the electrode is in optical visual contact with the pylon.
  • the geometric configuration of electrode and pylon is their spatial arrangement, independent of others
  • the geometrical configuration of the electrodes relative to one another is their spatial arrangement relative to one another, independent of further physical parameters that can occur per se during operation of the device.
  • the invention is in accordance with the consideration that, for example, the total coating rate of the workpieces is increased if, for the same plasma CVD performance and quality of the coating, the time during which the workpiece to be coated is in sight of the excitation surface of the plasma generating electrodes is increased.
  • the plasma CVD discharge device has at least three plate-shaped electrodes, wherein a first electrode having a first excitation surface, a second electrode having a second excitation surface and a third electrode having a third excitation surface, wherein the excitation surfaces are all oriented on the pylon,
  • a power supply device for exciting a plasma discharge in the region between the first, second and third excitation areas by means of at least one electrical voltage applied to at least two electrodes.
  • the device is characterized in that b) the plasma CVD discharge device has at least four plate-shaped electrodes, wherein
  • first electrode having a first excitation surface
  • second electrode having a second excitation surface
  • third electrode having a third excitation surface
  • fourth electrode having a fourth excitation surface
  • Plasma discharge is provided in the region between the first, second, third and fourth excitation surface by means of at least one applied to at least two of the electrodes voltage.
  • the invention also encompasses the case of more than four electrodes, generally with more than four electrodes increasingly encountering packaging problems of the components housed in the vacuum chamber of the device. It is further understood that the person skilled in the art, for example by trial and error, can determine the optimum position of the excitation surfaces of the electrodes relative to each other and to the pylon with regard to batch time and quality for coating or other processing of the substrates.
  • the substrates are preferably three-dimensional substrates, for example for applications in the automotive sector, computer communications or consumer electronics, in particular made of plastic material, but also of metal material or glass, some of which are also ordered in relatively small batches.
  • the invention generally encompasses a configuration of the electrodes in which higher coating rates and same coating quality are achieved Substrates can be achieved with the same plasma power, as in a configuration of only two electrodes in an otherwise same vacuum chamber.
  • An embodiment of the device is characterized in that, in case a), the first, second and third electrodes are arranged relative to each other in such a geometric configuration that the device is operable at a higher plasma deposition rate for a given plasma power than that maximum
  • the first, second, third and fourth electrodes may be disposed relative to one another in such a geometric configuration that the device is operable at a higher plasma coating rate for a given plasma power than the maximum coating rate of the substrates at one geometric configuration of only two members of the group consisting of the first, second third and fourth electrodes in the vacuum chamber.
  • first, second and third electrodes are arranged relative to each other in such a geometric configuration that for at most two members of the group consisting of the first, second and third electrodes, the excitation surfaces of these members not in pairs a geometrically straight line are connected to each other.
  • first, second, third and fourth electrodes are arranged relative to one another in such a geometric configuration that for at most three members of the group consisting of the first, second, third and fourth electrodes the excitation surfaces of these Members can not be connected in pairs by a geometrically straight line.
  • the number of electrodes whose excitation surface is oriented on the pylon is increased to at least three or four per associated pylon, wherein for at most two or three members of the electrodes the respective excitation surfaces are not connectable by a geometrically straight line, to increase the overall plasma CVD coating rate of the pylon retained workpieces.
  • This aspect of the invention reflects the consideration that the injected plasma power is increased when the largest possible part of the excitation areas of the plasma-generating electrodes are in visual contact with each other.
  • the region of the volume of the chamber is defined as the space region lying between two excitation surfaces, which is arranged between these on projection of the respective excitation surfaces, or which is enclosed by the respective excitation surfaces and the surfaces which are formed by the straight-line connection mutually corresponding side and top edges of the two
  • the density of the plasma generated during operation of the device is generally higher than in other areas of the vacuum chamber, at least when influenced
  • the space area has a cuboid shape.
  • An embodiment of the device is characterized in that, depending on the parameters of the desired plasma treatment of the substrates, the at least one voltage is an alternating voltage, preferably with a defined frequency, amplitude or phase, or a pulsed voltage, preferably with a defined pulse frequency or amplitude.
  • Amperage is separately controllable or controllable.
  • An embodiment of the device is characterized in that, in particular for improving the homogeneity of the coating in case a), the first, second and third electrodes are arranged relative to each other and to the pylon in such a geometric configuration that for at least two members of the first, second and third electrode group at least partial areas of the pylon with can be arranged in these areas substrates extend into lying between the excitation surfaces of the at least two members space area.
  • the first, second, third and fourth electrodes are arranged relative to each other and to the pylon in such a geometric configuration that for at least two members the group consisting of the first, second, third and fourth electrodes at least partial areas of the pylon with substrates that can be arranged in these areas extend into the spatial area lying between the excitation areas of the at least two members.
  • the space area between two excitation areas also generally includes areas of the vacuum chamber that are filled by non-pylon and pylon supported substrates.
  • areas of the excitation surfaces are provided, in which the
  • a further embodiment of the device is characterized in that in the case of item a) for at least one electrode of the first, second and third electrode
  • the voltage is separately controllable or controllable, whereby a better adaptation of the coating plasma to the spatial and dynamic conditions of the interior of the vacuum chamber, in particular the position of the excitation surfaces of the electrodes to each other and to the pylon, can be reached.
  • a further embodiment of the device is characterized in that, in case a), the first, second and third electrodes are arranged relative to one another in such a geometric configuration that for at least two members of the group consisting of the first, second and third electrodes Surface normal vectors of the excitation surfaces are substantially perpendicular to each other.
  • the first, second, third and fourth electrodes are arranged relative to each other in such a geometric configuration that for at least two members of the group consisting of the first, second, third and fourth electrodes
  • At least one of the excitation surfaces extends parallel to the longitudinal axis of the pylon or has a partial region which is arranged parallel to the longitudinal axis of the pylon.
  • all or at least part of the electrodes are directly on
  • Longitudinal axis of the pylon and the third and fourth electrodes are arranged substantially opposite each other on the other side of the plane.
  • the chamber walls extend as flat surfaces parallel to the longitudinal axis of the pylon or have planar surfaces parallel to the longitudinal axis of the pylon.
  • a further embodiment of the device is characterized in that at least one electrode is assigned to a fastening region of the vacuum chamber wall and has a shape configuration which corresponds to the shape design of the chamber wall in the associated fastening region.
  • the at least one electrode is fastened to the vacuum chamber with fastening means that are electrically insulating with respect to the vacuum chamber, such that the rear side surface of this at least one electrode has a distance from the chamber wall in the associated fastening region of the chamber wall, which is less than the dark space distance during normal operation of the chamber
  • the distance between an electrode and another object is already smaller per se, for example from DE 41 09 619 C1 or EP 0 502 385 B1
  • the dark space distance must be substantially smaller than the free path length to prevent a discharge cascade.
  • the size of the dark space distance is generally dependent on the potential difference between plasma and one to the plasma
  • Chamber wall in at least one associated mounting region has a flat surface and the at least one electrode has a flat rear surface.
  • Attachment formed as a flat surface. Particularly preferred is an embodiment in which at least the walls of the vacuum chamber, in which the
  • Plates are formed with a flat back surface.
  • the vacuum chamber comprises a first and a second, the first
  • the vacuum chamber is designed as a kind of box with straight walls and rectangular base. A deviating from the rectangular shape base of the vacuum chamber is also included in the invention.
  • Chamber wall in at least one associated mounting region has a curved surface and the at least one electrode has a correspondingly curved in accordance with the mounting area back surface.
  • the curvature of the surfaces here is preferably concave with respect to the longitudinal axis of the pylon, so that a high utilization of the excitation surface of the electrode is possible.
  • the terminology for concave used here is as follows: when a surface in an environment of a point lies on the same side of the tangent plane like the reference point or an observer, then it is concavely curved relative to the reference point or to the observer.
  • Particularly preferred is an embodiment in which at least the walls of the vacuum chamber, in which the
  • Electrodes are fixed, formed in cross-section circular or part-circular and the electrodes are formed as a circular or partially circular in cross-section plates or plates with a circular or partially circular in cross-section rear side surface.
  • At least one electrode is provided whose excitation surface is arranged obliquely to a wall of the vacuum chamber.
  • the excitation surface of the at least one electrode is oriented in the direction of the longitudinal axis of the pylon.
  • An embodiment of the device is characterized in that the pylon is additionally associated with an elongate sputtering or evaporation coating device, in particular for the metallization of substrates. This allows an integrated treatment of substrates in batch mode with regard to metallization and application of a protective or other functional layer within a vacuum chamber.
  • Evaporator device is arranged in a region of the vacuum chamber, which in case a) between two members of the first, second and third electrode group and in case b) between two members of the first, second, third and fourth electrode Group is arranged.
  • additional components of the device such as, for example, metal evaporator, can advantageously be provided in regions between adjacent electrodes
  • Coating and height of the coating rate advantageous symmetry of the arrangement of the electrodes, since the electrodes are given particular advantageous certain relative distances and angular relationships to the pylon.
  • An embodiment of the device is characterized in that, in case a), the first electrode in the first segment, the second electrode in the second, in projection onto a plane trigonal circular reference system arranged perpendicular to the longitudinal axis Segment and the third electrode in the third segment or the first electrode in the first segment, the second electrode in the third segment and the third electrode in the second segment is arranged, wherein the segments are numbered in the clockwise direction and the reference frame is further defined by a circle, which rewrites the projection of all electrodes. As the circle radius, the smallest circle radius can be selected, so that the circle straight projection still circumscribes the electrodes.
  • Clockwise direction are numbered and the reference system is further defined by a square which circumscribes the projection of all electrodes.
  • the square may be the smallest square circumscribing the projection of all the electrodes.
  • An embodiment of the device is characterized in that in case a) a member of the group consisting of the first, second and third electrodes is a
  • the size 3G may be substantially equal to the size 3G2.
  • An embodiment of the device is characterized in that, in case (b), two or three members of the group consisting of the first, second, third and fourth electrodes have excitation areas with a total area of G, where G is between 0.5 * G 'and 1, 5 * G ', where G' is the total area of the excitation surfaces of the other
  • the size G may be substantially equal to the size G '.
  • An embodiment of the device is characterized in that, in case a), two members of the group consisting of the first, second and third electrodes are operated with alternating voltage having the same phase.
  • the size of the excitation surfaces of the two members in the sum is equal to the size of the excitation surface of the other member of the group.
  • An embodiment of the device is characterized in that, in case a), two members of the group consisting of the first, second, third and fourth electrodes are operated with an alternating voltage having the same phase.
  • the two other members of the group can be operated with an alternating voltage with the same phase, but different phase than the first two members.
  • first two members in the first and / or second quadrant and the other two members in the third and / or fourth quadrant may be projected onto a planar Cartesian frame of reference having a first, second, third and fourth quadrant arranged perpendicular to the longitudinal axis.
  • Vacuum chamber is characterized in that the vacuum treatment is carried out by means of a device according to the invention.
  • a further embodiment of the method is characterized in that the substrates are treated by a plasma CVD process by means of the plasma CVD discharge device, in particular for applying a top coat layer to metallized substrate surfaces.
  • the coating is preferably, but not exclusively or necessarily, with the following process parameters:
  • Process gas density 10 ** -3 mbar to 10 ** -2 mbar Power ranges: 1 kW / m ** 2 to 8kW / m ** 2 based on the total area of the
  • Frequency of AC supply voltage 1 Hz to 30 MHz, preferably 40 kHz
  • the distance between excitation surface and substrate surface is preferably in the range 10cm-30cm.
  • Another embodiment of the invention is characterized in that by means of the plasma CVD discharge device, a treatment of the substrates by means of a
  • Glow discharge takes place, with which in particular a pretreatment of the substrates can take place before the coating.
  • the process parameters are to be selected similarly to the coating, wherein the glow discharge preferably takes place in an atmosphere of nitrogen and / or oxygen.
  • Figure 1 a, b in projection on a plane perpendicular to the longitudinal axis of a pylon arranged flat trigonal circular reference system components of a device according to the invention with a pylon and three electrodes;
  • Figure 1 c in projection onto a arranged in a plane perpendicular to the longitudinal axis of a planar Cartesian reference system with components of a device according to the invention with a pylon and four electrodes;
  • Figure 2a is a cross-sectional view in plan view with components of a
  • Figure 2b is a cross-sectional view in plan view with components of a device according to the invention with a pylon and arranged in the corners of chamber walls in a vacuum chamber electrodes;
  • FIG. 3 is an illustration of an interconnection of the device according to the invention for
  • FIG. 4 is an illustration of a further interconnection of the invention
  • FIG. 5 is an illustration of a further interconnection of the invention
  • Figure 6 is an illustration of comparative results of test coatings with various vacuum coating apparatus.
  • FIGS. 1 a, b show diagrammatically in projection onto a plane trigonal circular reference system with equal segments I, II, III, arranged perpendicular to the longitudinal axis 40 of a pylon 41, components of a device according to the invention with electrodes 30a, 30b, 30c for two typical arrangements.
  • the segments I, II, III are defined by the circle radius and the points A, B, C on the circular line.
  • the electrodes 30a, 30b, 30c have excitation surfaces 30a1, 30b1, 30c1 all of which are oriented on the pylon 41.
  • the electrodes 30a, 30b, 32a are arranged relative to each other in such a geometric configuration that the excitation surfaces 30a1, 30b1, 32a1 are connected in pairs by a geometrically straight line. In other embodiments, for at most two electrodes, the respective excitation surfaces can not be connected to one another by a geometrically straight line in order to achieve an increase in the total plasma CVD coating rate of the workpieces held on the pylon. For example, two electrodes may have parallel to each other aligned excitation surfaces.
  • the electrodes 30a, 30b, 30c are connected via electrical connection lines 171, 172, 173 to an electrical power supply 170 and are preferably operated with alternating voltage. In Figure 1a, each electrode 30a, 30b, 30c is connected separately to the power supply. In FIG. 1b, two electrodes 30b, 30c are connected to one
  • the electrodes 30b, 30c are therefore operated with the same phase and the same amplitude.
  • the electrodes 30a-30c in the arrangement according to FIG. 1a can also be correspondingly connected so that, for example, the electrodes 30a, 30b are operated with the same phase and amplitude.
  • the excitation surfaces 30a1, 30b1 preferably have the same or approximately the same size.
  • the excitation surface 30c1 has a size that is preferably equal to or approximately equal to the sum of the two other excitation surfaces 30a1, 30b1.
  • excitation surfaces can also be advantageous in other arrangements of the electrodes.
  • FIG. 1 c shows components of a device according to the invention with a pylon 41 and four electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b of a plasma CVD discharge device in projection onto a planar Cartesian reference system arranged perpendicular to the longitudinal axis 40.
  • the first electrode 31 a in the first quadrant I, the second electrode 31 b in the second quadrant II, the third electrode 32 a in the third quadrant III and the fourth electrode 32) are arranged in the fourth quadrant IV, wherein the quadrants I, II, III, IV are numbered in the clockwise direction.
  • the reference frame is a square which circumscribes the projection of all the electrodes 31a, 31b, 32a, 32b It may also be provided that the electrodes are arranged in one of the permutations of this arrangement.
  • the pylon 41 is rotatable about a longitudinal axis 40.
  • the pylon typically has a length of 150cm to 200cm.
  • FIG. 1 c for the sake of simplicity, no further details of the substrate carrier device and also no substrates recorded by the device are shown. For simplicity, other components of the device, such as chamber walls, etc. are not shown, but will be discussed in connection with FIG. 2a.
  • electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b are formed as flat plates, which preferably have the same or approximately the same size excitation surfaces 31 a1, 31 b1, 32a1, 32b1, but also
  • the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b extend longitudinally along the longitudinal axis 40 of the pylon 41.
  • the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b extend over the entire length of the pylon 41, as far as there substrates are supported or halterbar.
  • the electrodes 31a, 31b, 32a, 32b may also be divided even further, it being understood that the distances between the divided elements are to be kept small in order to avoid inhomogeneity of the generated plasma.
  • the first electrode 31 a and the second electrode 31 b are oriented to each other
  • Excitation surfaces 31 a1, 31 b1, which are arranged such that portions of the pylon 41 with in these areas can be arranged substrates in the between the
  • Excitation surfaces 31 a1, 31 b1 of the first electrode 31 a and the second electrode 31 b lying space region 25 extend.
  • the third electrode 32a and the fourth electrode 32b have mutually oriented excitation surfaces 34a, 34b arranged such that portions of the pylon 41 having substrates disposable in these regions are located between the excitation surfaces 34a, 34b of the third electrode 32a and the third electrode 32a extending fourth electrode 32b space region 26 extend.
  • the plasma CVD discharge device is connected via lines, not shown in FIG. 1 c, to an electrical power supply for exciting a plasma discharge, at least in a region in which the substrate carrier device 41 and during operation of the device the substrates are arranged, in order to carry out a plasma treatment To enable substrates.
  • the wiring of the electrodes will be described later in the text.
  • FIG. 2 a shows, in a simplified representation, a device 1 for vacuum coating substrates in a vacuum chamber 175 with a rectangular base area, preferably three-dimensional substrates, for example for applications in the automotive sector, computers, communications or consumer electronics or the like.
  • the substrates are preferably made of a plastic material, but other materials are possible.
  • the vacuum chamber 175 comprises chamber walls 175a, 175b, 175c, wherein in the region of the chamber wall 175c are connections 13 for pumps
  • a loading door 12 is provided.
  • the longitudinal axis 40 of the sputtering or evaporator device 10, 10 ' is preferably aligned parallel to the longitudinal axis 40, it being understood that an orientation with a small angular offset, for example, less than 10 ° of the invention is included.
  • the invention includes embodiments comprising substrate support means with planetary support means for substrates which are rotatable about different axes from the longitudinal axis 40 about which the pylon 41 is rotatable.
  • the electrodes 31 a, 32 a and 31 b, 32 b are spaced from each other at the opposite chamber walls 175 a and 175 b attached.
  • Subareas of the excitation surfaces 31 a1, 31 b1 extend beyond the projection of the pylon 41 onto the chamber walls 175a and 175b, respectively.
  • the plasma CVD discharge device is, as in FIG. 1 c, via lines, not shown in FIG. 2 a, with an electrical power supply for exciting a plasma discharge, at least in a region in which the substrate carrier device 41 and in the operation of the device the substrates are arranged, connected to allow a plasma treatment of the substrates.
  • the wiring of the electrodes will be described later in the text.
  • the plasma CVD discharge device can be designed for the pretreatment of the substrate surfaces and / or for the plasma coating, in particular by means of plasma CVD.
  • an inlet for reaction gases for example
  • HMDSO hexamethyldisiloxane
  • the device 1 further comprises, in addition to not shown components such as
  • Feeders for process gases parallel to the longitudinal axis 40 elongated
  • Sputtering devices 10, 10 ' which are arranged on opposite chamber walls 175 a, 175 b between the spaced electrodes 31 a and 32 a and 31 b and 32 b. Other positions of the sputtering devices 10, 10 'or of evaporation devices are also possible.
  • elongated evaporator devices can also be provided in an evaporator device, usually with a number of longitudinal axes arranged along a non-illustrated arrangement
  • Evaporator elements which are arranged, for example harp-like in a frame-like construction with elongated support elements.
  • the filling of the evaporator elements with aluminum wire.
  • the metal evaporates, so that metal vapors escape from the area of the evaporator bank and diffuse into the surrounding space and precipitate on the workpieces.
  • the electrodes 31a, 31b, 32a, 32b are secured to the vacuum chamber walls 175a, 175b by means of electrically insulating fasteners in their associated attachment areas.
  • the rear side surfaces of the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b in this case have a distance from the chamber wall 175 a, 175 b in the associated mounting area, which is less than the dark space distance during normal operation of the
  • Attachment formed as a plane corresponding surfaces. It is understood that embodiments with curved surfaces of the back surfaces and the chamber walls are also covered by the invention. Examples include vacuum chambers with a cylindrical or oval base.
  • FIG. 2 b is a sectional view of another embodiment of the invention.
  • the electrodes 32a, 32b may be movable to easily transport the pylon 41 into the vacuum chamber 175 or out of the vacuum chamber 175.
  • the attachment of the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b and the formation of the dark space shielding means here more expensive.
  • FIGS. 3 to 5 show illustrations of an interconnection of the device 1 according to the invention for vacuum coating according to FIG. 2 with electrodes arranged parallel to the walls of the vacuum chamber. Furthermore, devices with at least one obliquely oriented to the walls of the vacuum chamber electrode, as shown in Figure 2b, and with interconnections of the electrodes as shown in Figures 3 to 5, of the invention. Intermediate positions of the electrodes relative to the walls, to each other and to the pylon are also included according to the invention with the interconnections of the electrodes of the invention shown below.
  • Plasma discharge between the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b provided.
  • the excitation of the plasma discharge is effected by applying at least one voltage to the first, second, third and / or fourth electrode 31 a, 31 b, 32 a, 32 b. This includes the electrical
  • Power supply 170 preferably one or more generators for generating electrical power, a matching network and a transmitter for coupling the electrical power to the double electrodes.
  • the coupling takes place via electrical connection lines 161, 162, 163 and 164, which are connected to the power supply 170 and the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b.
  • Preference is the
  • Power supply 170 designed so that frequency, amplitude and phase of the electrical power for each electrode 31 a, 31 b, 32 a, 32 b are individually controllable or regulated. Accordingly, the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b via electrical
  • an interconnection of the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b is provided at floating potential, so that none of the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b to ground electrically connected.
  • the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b are thus opposite the vacuum chamber 175
  • the arrows illustrate the simplified distribution of the electric fields in the plasma-free case and the instantaneous polarity of the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b in preferred operation of Contraption.
  • the arrows point from a location from lower to a location with higher potential and, in a simplified manner, correspond to a direction of movement of negative charge carriers between such locations.
  • the arrows point from a location from lower to a location with higher potential and, in a simplified manner, correspond to a direction of movement of negative charge carriers between such locations.
  • the electrodes 31 a and 32 b and the electrodes 32 a and 31 b operated with voltage the same phase, optionally also the same amplitude.
  • Power supply 170 and the electrodes 32 a and 31 b connected to a common electrical connection of the power supply 170.
  • the electrical power supply 170 is designed in particular in FIG. 3 in such a way that the first electrode 31a is the opposite pole to the second and fourth electrodes 31b, 32b and the third electrode 32a is the opposite pole to the second and fourth electrodes 31b, 32b.
  • the term opposite pole of a first electrode is understood to mean a second electrode which is at a higher potential than the first electrode, that is to say in particular has a different polarity.
  • this definition refers to the instantaneous potential or the instantaneous polarity at a certain point in time.
  • FIG 4 shows an embodiment of the invention, in which the electrical
  • Power supply 170 are designed such that the electrodes 31 a, 32 a
  • 31 b, 32 b are operated with voltage equal phase, optionally the same amplitude.
  • FIG. 5 shows a preferred embodiment of the invention in which the electrical power supply 170 is designed such that the electrodes 31 a, 31 b or 32 a, 32 b are operated with voltage of the same phase, optionally also the same amplitude.
  • FIG. 6 shows the results K, L and M of test coatings with different devices for vacuum coating, K, L the results for systems with two electrodes and M the results with a device according to the invention

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Abstract

The invention relates to a for the vacuum coating of substrates in a vacuum chamber (175), comprising a substrate carrier apparatus (21) having a pylon (41), which can be rotated about a longitudinal axis (40) and which has holding means for substrates and a plasma discharge apparatus associated with the pylon (41). According to the invention, the plasma discharge apparatus comprises more than two planar electrodes having excitation surfaces, the excitation surfaces of which are all oriented toward the pylon (41), and a power supply apparatus for exciting a plasma discharge, by means of at least one voltage applied to at least two of the electrodes, is provided, wherein the excited plasma is applied to at least parts of the pylon (41) and to substrates that can be arranged on the pylon. In the method according to the invention, the vacuum coating occurs by means of a device according to one of the preceding claims.

Description

Beschreibung  description
Vorrichtung und Verfahren zur Vakuumbeschichtung Apparatus and method for vacuum coating
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Vakuumbehandlung von Substraten mit den Merkmalen der Oberbegriffe der unabhängigen Patentansprüche. The invention relates to an apparatus and a method for vacuum treatment of substrates having the features of the preambles of the independent claims.
Plasma-CVD-Systeme mit einer Plasma-CVD-Entladungseinrichtung werden häufig in Anlagen zur Beschichtung von Reflektoren mit Aluminium als Reflektorschicht eingesetzt, um auf dem Aluminium eine Schutzschicht aus z.B. plasmapolymerisiertem Hexamethyldisiloxan (HMDSO) herzustellen. Plasma CVD systems with a plasma CVD discharge device are often used in systems for coating reflectors with aluminum as a reflector layer to provide on the aluminum a protective layer of e.g. plasma-polymerized hexamethyldisiloxane (HMDSO).
Beispielsweise sind aus der EP 1 947 21 1 A1 Batch-Anlagen zum Vakuumbeschichten bekannt, wobei zur Metallisierung der Substrate in der Vakuumkammer eine For example, from EP 1 947 21 1 A1 batch systems for vacuum coating are known, wherein for the metallization of the substrates in the vacuum chamber a
Verdampferbeschichtungseinrichtung, sowie eine - in beiden Schriften jeweils in Evaporator coating device, and one - in both documents each in
Einzelheiten verschieden gestaltete - Plasma-CVD-Entladungseinrichtung zum Aufbringen der plasmapolymerisierten Schutzschichten und eine Anzahl von um eine Zentralachse rotierenden Planeten-Substrathaltern angeordnet sind. Die Plasma-CVD- Entladungseinrichtung besteht dabei aus einem Paar Plattenelektroden, die um die rotierenden Werkstückhalterungen angeordnet sind. Wegen des hohen Raumbedarfs der Substrathalter ist dabei nur eine relativ lange Chargenzeit im Bereich größer als 10 Minuten zu erreichen. Details variously designed - plasma CVD discharge device for applying the plasma-polymerized protective layers and a number of rotating about a central axis planetary substrate holders are arranged. The plasma CVD discharge device consists of a pair of plate electrodes, which are arranged around the rotating workpiece holders. Due to the high space requirement of the substrate holder only a relatively long batch time in the range greater than 10 minutes can be achieved.
Ferner ist aus der DE 10 2010 032 591 A1 eine Vorrichtung zur Vakuumbeschichtung von Substraten mit einem um eine erste Achse drehbaren ersten Pylon mit Halterungsmitteln für Substrate bekannt. Dabei ist zur Erhöhung der Produktivität zumindest eine zweite der Verdampferbank zugeordnete Substratträgereinrichtung mit einem um eine zweite Achse drehbaren zweiten Pylon mit Halterungsmitteln für Substrate vorgesehen. Furthermore, DE 10 2010 032 591 A1 discloses a device for vacuum coating substrates with a first pylon rotatable about a first axis and holding means for substrates. In this case, to increase the productivity, at least a second substrate support device associated with the evaporator bank is provided with a second pylon rotatable about a second axis and with support means for substrates.
Weitere Batch-Anlagen mit deutlich kürzerer Chargenzeit sind ebenfalls bekannt - etwa 4-5 Minuten bei Sputter-Anlagen des Typs PylonMet der Anmelderin. Other batch systems with a significantly shorter batch time are also known - about 4-5 minutes for sputtering systems of the type PylonMet the applicant.
Bei diesen Anlagen ist der Plasma-CVD-Prozessschritt der längste Einzelprozess, so dass eine Beschleunigung hierbei besonders wünschenswert erscheint. In these systems, the plasma CVD process step is the longest single process, so that acceleration seems to be particularly desirable.
Aus den Druckschriften US 2006/0124455 A1 , US 5,750,207 A, DE 197 54 821 A1 , US 8,101 ,246 B2, JP H06-45097 A und DE 296 00 991 U1 sind jeweils Plasma-PVD-Anlagen mit Mehrfach-Magnetron-Elektroden-Konfigurationen bekannt, bei denen in geringem Abstand an den Magnetron- Elektroden vorbeigeführte Substrate einer Plasma-behandlung ausgesetzt werden. The documents US 2006/0124455 A1, US Pat. No. 5,750,207 A, DE 197 54 821 A1, US Pat. No. 8,101,246 B2, JP H06-45097 A and DE 296 00 991 U1 each disclose plasma PVD systems with multiple magnetron electrode electrodes. Configurations are known in which in low Spaced at the magnetron electrodes passing substrates of a plasma treatment are exposed.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung und ein Verfahren anzugeben, bei dem mit geringem Aufwand eine Plasmabehandlung der Substrate mit hoher Qualität, kurzer Chargenzeit und hoher Produktivität erfolgen kann. The object of the present invention is to provide an apparatus and a method in which a plasma treatment of the substrates with high quality, short batch time and high productivity can be carried out with little effort.
Die Aufgabe wird mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen sind den abhängigen Ansprüchen zu entnehmen. The object is achieved with the features of the independent claims. Advantageous embodiments can be found in the dependent claims.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Vakuumbehandlung von Substraten in einer The device according to the invention for the vacuum treatment of substrates in one
Vakuumkammer umfasst eine Substratträgereinrichtung mit einem um eine Längsachse drehbaren Pylon mit Halterungsmitteln für Substrate und eine dem Pylon zugeordnete Plasma-CVD-Entladungseinrichtung. Vacuum chamber comprises a substrate support means with a rotatable about a longitudinal axis pylon with support means for substrates and a pylon associated plasma CVD discharge device.
Als Pylon wird in diesem Text eine längsgestreckte säulenartige Gerüststruktur bezeichnet. Die Längsachse des Pylons ist vorzugsweise vertikal, bezogen auf die Vakuumkammer als Bezugssystem, angeordnet. Unter plattenformiger Elektrode wird im Folgenden ein flächiges Bauteil aus einem Metallwerkstoff verstanden, das bei Anschluss an eine elektrische Leistungsversorgung zur Erzeugung einer Plasmaentladung geeignet ist. Die Elektroden weisen Anregungsflächen auf, die bevorzugt in Richtung der Längsachse des Pylon langgestreckt sind. Als Anregungsfläche wird hier die bei Anregung der Plasmaentladung in Kontakt mit dem Plasma befindliche Fläche bezeichnet. Die Anregungsflächen können eben oder gekrümmt sein. Die Elektroden und die Anregungsflächen der Plasma-CVD- Entladungseinrichtung sind dem Pylon derart zugeordnet, dass an ihm gehalterte Substrate zumindest einem Teil des bei Betrieb der Vorrichtung von den Elektroden in der As pylon in this text an elongated columnar framework structure is referred to. The longitudinal axis of the pylon is preferably arranged vertically relative to the vacuum chamber as a reference system. A plate-shaped electrode is understood in the following to mean a planar component made of a metal material which, when connected to an electrical power supply, is suitable for generating a plasma discharge. The electrodes have excitation surfaces, which are preferably elongated in the direction of the longitudinal axis of the pylon. The excitation surface is here the surface located on excitation of the plasma discharge in contact with the plasma. The excitation surfaces can be flat or curved. The electrodes and the excitation surfaces of the plasma CVD discharge device are associated with the pylon in such a way that substrates held on it are at least a part of the substrate when operating the device
Vakuumkammer erzeugten Plasma ausgesetzt sind. Vacuum chamber generated plasma are exposed.
Als Plasma-Leistung wird hier die der Vorrichtung zur Plasmaerzeugung durch eine elektrische Leistungs-Versorgungseinrichtung zugeführte elektrische Leistung verstanden. Plasma power is understood here to be the electrical power supplied to the device for plasma generation by an electrical power supply device.
Der Ausdruck Qualität bezieht sich auf Parameter der Eigenschaften der Beschichtung, insbesondere eine Schichtdicke, einen Reflexionsfaktor und/oder einen Farbeindruck. The term quality refers to parameters of the properties of the coating, in particular a layer thickness, a reflection factor and / or a color impression.
Im Folgenden wird die Erfindung im Wesentlichen unter dem Aspekt der CVD-Beschichtung dargestellt, wobei es sich versteht, dass die Erfindung auch andere Arten der In the following, the invention is presented essentially in terms of the CVD coating, it being understood that the invention also other types of
Plasmabehandlung, wie insbesondere die Glimmbehandlung umfasst. Plasma treatment, in particular includes the glow treatment.
Die Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass - die Plasma-CVD-Entladungseinrichtung mehr als zwei plattenförmige,The device is characterized in that the plasma CVD discharge device has more than two plate-shaped,
Anregungsflächen aufweisende Elektroden umfasst, deren Anregungsflächen sämtlich auf den Pylon orientiert sind und Includes electrodes having excitation surfaces whose excitation surfaces are all oriented on the pylon and
eine Leistungsversorgungseinrichtung zur Anregung einer Plasmaentladung, mittels zumindest einer an wenigsten zwei der Elektroden angelegten elektrischen Spannung vorgesehen ist, wobei das angeregte Plasma zumindest Teile des Pylon und an diesen anordenbaren Substraten beaufschlagt.  a power supply device for exciting a plasma discharge is provided by means of at least one electrical voltage applied to at least two of the electrodes, wherein the excited plasma acts on at least parts of the pylon and substrates which can be arranged thereon.
Eine Elektrode wird in diesem Text als auf den Pylon orientiert bezeichnet, falls sie derart in einer geometrischen Konfiguration zum Pylon steht, dass ihre Anregungsfläche mit einer Teiloberfläche des Pylon mit einer geraden Linie verbunden werden kann. Anschaulich kann dies als eine geometrische Konfiguration verstanden werden, in der die Elektrode in optischem Sichtkontakt mit dem Pylon steht. Als geometrische Konfiguration von Elektrode und Pylon wird ihre räumliche Anordnung bezeichnet, unabhängig von weiteren An electrode is referred to in this text as being pylon-oriented if it is in a geometric configuration to the pylon such that its excitation surface can be connected to a partial surface of the pylon with a straight line. Illustratively, this can be understood as a geometric configuration in which the electrode is in optical visual contact with the pylon. The geometric configuration of electrode and pylon is their spatial arrangement, independent of others
physikalischen Parametern die an sich bei Betrieb der Vorrichtung auftreten können, wie Gasströmungen. Als geometrische Konfiguration der Elektroden relativ zu einander wird ihre räumliche Anordnung zu einander bezeichnet, unabhängig von weiteren physikalischen Parametern die an sich bei Betrieb der Vorrichtung auftreten können. physical parameters that can occur per se during operation of the device, such as gas flows. The geometrical configuration of the electrodes relative to one another is their spatial arrangement relative to one another, independent of further physical parameters that can occur per se during operation of the device.
Durch die Erhöhung der Anzahl der Elektroden wird die Gesamtgröße der Anregungsflächen, also die in Bezug auf die Plasmaerzeugung effektive Elektrodenfläche erhöht, welche den bei der Plasmaentladung fließenden Strom begrenzt. Es ist also insbesondere möglich, dieselbe Plasma-Leistung— welche die Plasmatemperatur und damit die chemische Increasing the number of electrodes increases the total size of the excitation areas, that is to say the effective electrode area in relation to the plasma generation, which limits the current flowing during the plasma discharge. It is therefore possible in particular, the same plasma power- which the plasma temperature and thus the chemical
Anregung des Prozessgases bestimmt— bei höherem Strom und damit niedrigerer Excitation of the process gas determines- at higher power and thus lower
Spannung in das Plasma einzuspeisen. Dies verringert die Anforderungen sowohl an die Isolationsmaßnahmen der luftseitigen Zuleitungen als auch der Stromdurchführungen durch die Wände der Vakuumkammer zu den Elektroden. Die Erfindung entspricht der Überlegung, dass beispielsweise die Gesamtbeschichtungsrate der Werkstücke erhöht wird, wenn bei gleicher Plasma-CVD-Leistung und Qualität der Beschichtung der Zeitraum, während dem das zu beschichtende Werkstück in Sichtweite der Anregungsfläche der das Plasma erzeugenden Elektroden ist, vergrößert wird. To feed voltage into the plasma. This reduces the demands on both the insulation measures of the air-side supply lines and the current feedthroughs through the walls of the vacuum chamber to the electrodes. The invention is in accordance with the consideration that, for example, the total coating rate of the workpieces is increased if, for the same plasma CVD performance and quality of the coating, the time during which the workpiece to be coated is in sight of the excitation surface of the plasma generating electrodes is increased.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass a) die Plasma-CVD-Entladungseinrichtung zumindest drei plattenförmige Elektroden aufweist, wobei - eine erste Elektrode mit einer ersten Anregungsfläche, eine zweite Elektrode mit einer zweiten Anregungsfläche und eine dritte Elektrode mit einer dritten Anregungsfläche vorgesehen ist, wobei die Anregungsflächen sämtlich auf den Pylon orientiert sind, In a further embodiment of the invention it is provided that a) the plasma CVD discharge device has at least three plate-shaped electrodes, wherein a first electrode having a first excitation surface, a second electrode having a second excitation surface and a third electrode having a third excitation surface, wherein the excitation surfaces are all oriented on the pylon,
eine Leistungsversorgungseinrichtung zur Anregung einer Plasmaentladung im Bereich zwischen der ersten, zweiten und dritten Anregungsfläche mittels zumindest einer an wenigstens zwei Elektroden angelegten elektrischen Spannung vorgesehen ist.  a power supply device is provided for exciting a plasma discharge in the region between the first, second and third excitation areas by means of at least one electrical voltage applied to at least two electrodes.
Alternativ zeichnet sich die Vorrichtung dadurch aus, dass b) die Plasma-CVD-Entladungseinrichtung zumindest vier plattenförmige Elektroden aufweist, wobei Alternatively, the device is characterized in that b) the plasma CVD discharge device has at least four plate-shaped electrodes, wherein
eine erste Elektrode mit einer ersten Anregungsfläche, eine zweite Elektrode mit einer zweiten Anregungsfläche, eine dritte Elektrode mit einer dritten Anregungsfläche und eine vierte Elektrode mit einer vierten Anregungsfläche vorgesehen ist, wobei die Anregungsflächen sämtlich auf den Pylon orientiert sind,  a first electrode having a first excitation surface, a second electrode having a second excitation surface, a third electrode having a third excitation surface and a fourth electrode having a fourth excitation surface, the excitation surfaces being all oriented on the pylon,
wobei eine Leistungsversorgungseinrichtung zur Anregung einer  wherein a power supply means for exciting a
Plasmaentladung im Bereich zwischen der ersten, zweiten, dritten und vierten Anregungsfläche mittels zumindest einer an wenigstens zwei der Elektroden angelegten Spannung vorgesehen ist.  Plasma discharge is provided in the region between the first, second, third and fourth excitation surface by means of at least one applied to at least two of the electrodes voltage.
Es versteht sich, dass die Erfindung auch den Fall von mehr als vier Elektroden umfasst, wobei im Allgemeinen bei mehr als vier Elektroden zunehmend Packaging-Probleme der in der Vakuumkammer der Vorrichtung untergebrachten Komponenten auftreten. Es versteht sich ferner, dass der Fachmann, beispielsweise durch Ausprobieren oder Simulation, die für die Beschichtung oder eine andere Bearbeitung der Substrate in Hinblick auf Chargenzeit und Qualität optimale Position der Anregungsflächen der Elektroden zueinander und zum Pylon festlegen kann. It should be understood that the invention also encompasses the case of more than four electrodes, generally with more than four electrodes increasingly encountering packaging problems of the components housed in the vacuum chamber of the device. It is further understood that the person skilled in the art, for example by trial and error, can determine the optimum position of the excitation surfaces of the electrodes relative to each other and to the pylon with regard to batch time and quality for coating or other processing of the substrates.
Bevorzugt handelt es sich bei den Substraten um dreidimensionale Substrate, beispielsweise für Anwendungen im Automotive-Bereich, Computer-Kommunikation- oder Konsumer- Elektronik, insbesondere aus Kunststoffmaterial, aber auch aus Metallmaterial oder Glas, die teilweise auch in relativ kleinen Chargen bestellt werden. The substrates are preferably three-dimensional substrates, for example for applications in the automotive sector, computer communications or consumer electronics, in particular made of plastic material, but also of metal material or glass, some of which are also ordered in relatively small batches.
Es versteht sich, dass von der Erfindung generell eine Konfiguration der Elektroden umfasst wird, bei der höhere Beschichtungsraten und gleiche Qualität der Beschichtung der Substrate bei gleicher Plasmaleistung erreicht werden, als bei einer Konfiguration von nur zwei Elektroden in einer ansonsten gleichen Vakuumkammer. It is understood that the invention generally encompasses a configuration of the electrodes in which higher coating rates and same coating quality are achieved Substrates can be achieved with the same plasma power, as in a configuration of only two electrodes in an otherwise same vacuum chamber.
Eine Ausführungsform der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass im Fall Ziffer a) die erste, zweite und dritte Elektrode relativ zueinander in einer derartigen geometrischen Konfiguration angeordnet sind, dass die Vorrichtung bei einer gegebenen Plasmaleistung mit einer höheren Beschichtungsrate der Substrate betreibbar ist, als der maximalen An embodiment of the device is characterized in that, in case a), the first, second and third electrodes are arranged relative to each other in such a geometric configuration that the device is operable at a higher plasma deposition rate for a given plasma power than that maximum
Beschichtungsrate der Substrate bei einer geometrischen Konfiguration von nur zwei Mitgliedern der aus der ersten, zweiten und dritten Elektrode bestehenden Gruppe in der Vakuumkammer. Coating rate of substrates in a geometric configuration of only two members of the first, second and third electrode groups in the vacuum chamber.
Ebenso können im Fall Ziffer b) die erste, zweite, dritte und vierte Elektrode relativ zueinander in einer derartigen geometrischen Konfiguration angeordnet sein, dass die Vorrichtung bei einer gegebenen Plasmaleistung mit einer höheren Beschichtungsrate der Substrate betreibbar ist, als der maximalen Beschichtungsrate der Substrate bei einer geometrischen Konfiguration von nur zwei Mitgliedern der aus der ersten, zweiten dritten und vierten Elektrode bestehenden Gruppe in der Vakuumkammer. Similarly, in case (b), the first, second, third and fourth electrodes may be disposed relative to one another in such a geometric configuration that the device is operable at a higher plasma coating rate for a given plasma power than the maximum coating rate of the substrates at one geometric configuration of only two members of the group consisting of the first, second third and fourth electrodes in the vacuum chamber.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die erste, zweite und dritte Elektrode relativ zueinander in einer derartigen geometrischen Konfiguration angeordnet sind, dass für höchstens zwei Mitglieder der aus der ersten, zweiten und dritten Elektroden bestehenden Gruppe die Anregungsflächen dieser Mitglieder nicht paarweise durch eine geometrisch gerade Linie miteinander verbindbar sind. In a further embodiment of the invention, it is provided that the first, second and third electrodes are arranged relative to each other in such a geometric configuration that for at most two members of the group consisting of the first, second and third electrodes, the excitation surfaces of these members not in pairs a geometrically straight line are connected to each other.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die erste, zweite, dritte und vierte Elektrode relativ zueinander in einer derartigen geometrischen Konfiguration angeordnet sind, dass für höchstens drei Mitglieder der aus der ersten, zweiten, dritten und vierten Elektrode bestehenden Gruppe die Anregungsflächen dieser Mitglieder nicht paarweise durch eine geometrisch gerade Linie miteinander verbindbar sind. In a further embodiment of the invention, it is provided that the first, second, third and fourth electrodes are arranged relative to one another in such a geometric configuration that for at most three members of the group consisting of the first, second, third and fourth electrodes the excitation surfaces of these Members can not be connected in pairs by a geometrically straight line.
Es wird definiert, dass zwei Anregungsflächen auch dann mit einander durch eine gerade Linie verbunden sind, wenn diese Linie durch den Bereich verläuft, in dem der Pylon angeordnet ist. It is defined that two excitation surfaces are connected to each other by a straight line even if this line passes through the region in which the pylon is arranged.
Gemäß der Erfindung wird die Anzahl der Elektroden, deren Anregungsfläche auf den Pylon orientiert ist, auf mindestens drei oder vier pro zugeordnetem Pylon erhöht, wobei für höchstens zwei bzw. drei Mitglieder der Elektroden die jeweiligen Anregungsflächen nicht durch eine geometrisch gerade Linie miteinander verbindbar sind, um eine Erhöhung der Gesamtplasma-CVD-Beschichtungsrate der am Pylon gehalterten Werkstücke zu erreichen. Es handelt sich dabei um jeweils Verbindungen zwischen den Punkten der According to the invention, the number of electrodes whose excitation surface is oriented on the pylon is increased to at least three or four per associated pylon, wherein for at most two or three members of the electrodes the respective excitation surfaces are not connectable by a geometrically straight line, to increase the overall plasma CVD coating rate of the pylon retained workpieces. These are each connections between the points of
Anregungsflächen von Paaren von Elektroden; beispielsweise den Punkten der Excitation surfaces of pairs of electrodes; for example, the points of
Anregungsfläche der ersten und der dritten Elektrode oder der Anregungsfläche der ersten und der zweiten Elektrode, jeweils durch eine gerade Linie zwischen diesen Punkten. Dieser Aspekt der Erfindung reflektiert die Überlegung, dass, die eingespeiste Plasmaleistung erhöht wird, wenn ein möglichst großer Teil der Anregungsflächen der das Plasma erzeugenden Elektroden in Sichtkontakt zu einander steht. Excitation surface of the first and the third electrode or the excitation surface of the first and the second electrode, each by a straight line between these points. This aspect of the invention reflects the consideration that the injected plasma power is increased when the largest possible part of the excitation areas of the plasma-generating electrodes are in visual contact with each other.
Als zwischen zwei Anregungsflächen liegender Raumbereich wird im Folgenden der Bereich der Volumens der Kammer definiert, der bei Projektion der jeweiligen Anregungsflächen aufeinander zwischen diesen angeordnet ist, beziehungsweise, der umschlossen ist von den jeweiligen Anregungsflächen und den Flächen, die gebildet werden durch die geradlinige Verbindung der einander korrespondierenden Seiten- und Oberkanten der beiden In the following, the region of the volume of the chamber is defined as the space region lying between two excitation surfaces, which is arranged between these on projection of the respective excitation surfaces, or which is enclosed by the respective excitation surfaces and the surfaces which are formed by the straight-line connection mutually corresponding side and top edges of the two
Anregungsflächen. In dem zwischen zwei Anregungsflächen liegenden Raumbereich ist die Dichte des bei Betrieb der Vorrichtung erzeugten Plasmas im Allgemeinen höher als in anderen Bereichen der Vakuumkammer, zumindest wenn man von Einflüssen Stimulation surfaces. In the space area between two excitation areas, the density of the plasma generated during operation of the device is generally higher than in other areas of the vacuum chamber, at least when influenced
Gasströmungen innerhalb der Vakuumkammer bei Betrieb der Vorrichtung absieht. Im Fall von gegenüberliegenden rechteckigen Anregungsflächen mit zueinander parallelen Gas flows within the vacuum chamber during operation of the device disregards. In the case of opposite rectangular excitation surfaces with mutually parallel
Flächennormalen hat der Raumbereich eine Quaderform. Surface normals, the space area has a cuboid shape.
Eine Ausführungsform der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass in Abhängigkeit von den Parametern der gewünschten Plasmabehandlung der Substrate die zumindest eine Spannung eine Wechselspannung, vorzugsweise mit definierter Frequenz, Amplitude oder Phase, oder eine gepulste Spannung, vorzugsweise mit definierter Pulsfrequenz oder Amplitude, ist. An embodiment of the device is characterized in that, depending on the parameters of the desired plasma treatment of the substrates, the at least one voltage is an alternating voltage, preferably with a defined frequency, amplitude or phase, or a pulsed voltage, preferably with a defined pulse frequency or amplitude.
Ferner ist vorgesehen, dass zur Erreichung hoher Beschichtungsraten und hoher Qualität im Fall Ziffer a) für zumindest eine Elektrode der aus der ersten, zweiten und dritten Elektrode bestehenden Gruppe und im Fall Ziffer b) für zumindest eine Elektrode der aus der ersten, zweiten, dritten und vierten Elektrode bestehenden Gruppe die Spannung oder eine It is further provided that in order to achieve high coating rates and high quality in case a) for at least one electrode of the first, second and third electrode group and in case b) for at least one electrode of the first, second, third and fourth electrode group consisting of the voltage or a
Stromstärke separat regelbar oder steuerbar ist. Amperage is separately controllable or controllable.
Eine Ausführungsform der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass insbesondere zur Verbesserung der Homogenität der Beschichtung im Fall Ziffer a) die erste, zweite und dritte Elektrode relativ zueinander und zum Pylon in einer derartigen geometrischen Konfiguration angeordnet sind, dass für zumindest zwei Mitglieder der aus der ersten, zweiten und dritten Elektrode bestehenden Gruppe zumindest Teilbereiche des Pylon mit in diesen Bereichen anordenbaren Substraten sich in den zwischen den Anregungsflächen der zumindest zwei Mitglieder liegenden Raumbereich erstrecken. Alternativ ist vorgesehen, dass im Fall Ziffer b) die erste, zweite, dritte und vierte Elektrode relativ zueinander und zum Pylon in einer derartigen geometrischen Konfiguration angeordnet sind, dass für zumindest zwei Mitglieder der aus der ersten, zweiten, dritten und vierten Elektrode bestehenden Gruppe zumindest Teilbereiche des Pylon mit in diesen Bereichen anordenbaren Substraten sich in den zwischen den Anregungsflächen der zumindest zwei Mitglieder liegenden Raumbereich erstrecken. An embodiment of the device is characterized in that, in particular for improving the homogeneity of the coating in case a), the first, second and third electrodes are arranged relative to each other and to the pylon in such a geometric configuration that for at least two members of the first, second and third electrode group at least partial areas of the pylon with can be arranged in these areas substrates extend into lying between the excitation surfaces of the at least two members space area. Alternatively, it is envisaged that in case b) the first, second, third and fourth electrodes are arranged relative to each other and to the pylon in such a geometric configuration that for at least two members the group consisting of the first, second, third and fourth electrodes at least partial areas of the pylon with substrates that can be arranged in these areas extend into the spatial area lying between the excitation areas of the at least two members.
Der zwischen zwei Anregungsflächen liegende Raumbereich umfasst im Allgemeinen auch Bereiche der Vakuumkammer, die nicht vom Pylon und vom Pylon gehalterte Substrate ausgefüllt werden. Anders ausgedrückt kann man sagen, dass bei der Erfindung vorgesehen sein kann, dass Bereiche der Anregungsflächen vorgesehen sind, bei denen die The space area between two excitation areas also generally includes areas of the vacuum chamber that are filled by non-pylon and pylon supported substrates. In other words, it can be said that it can be provided in the invention that areas of the excitation surfaces are provided, in which the
Flächennormale zumindest einer der Anregungsflächen nicht auf den Pylon und an dem Pylon gehalterte Substrate zeigt. Es wird im Allgemeinen auch Plasma in einem Teil des Kammervolumens vorhanden sein, in dem sich keine zu beschichtende Substrate befinden. Dennoch erhöht sich, zumindest solange noch Teilbereiche des Pylon mit an dem Pylon angebrachten Substraten in dem besagten Raumbereich angeordnet sind, die Surface normal of at least one of the excitation surfaces does not point to the pylon and on the pylon supported substrates. In general, plasma will also be present in a part of the chamber volume in which there are no substrates to be coated. Nevertheless, at least as long as partial areas of the pylon with substrates attached to the pylon are arranged in said spatial area, the
Gesamtbeschichtungsrate der Substrate. Es versteht sich, dass der Fachmann, Total coating rate of the substrates. It is understood that the skilled person,
beispielsweise durch Ausprobieren oder Simulation, die für die Beschichtung oder eine andere Bearbeitung der Substrate in Hinblick auf Chargenzeit und Qualität optimale Position der Anregungsflächen der Elektroden zueinander und zum Pylon festlegen kann. for example, by trial and error, which can set for the coating or other processing of the substrates in terms of batch time and quality optimal position of the excitation surfaces of the electrodes to each other and to the pylon.
Eine weitere Ausführungsform der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass im Fall Ziffer a) für zumindest eine Elektrode der aus der ersten, zweiten und dritten Elektrode A further embodiment of the device is characterized in that in the case of item a) for at least one electrode of the first, second and third electrode
bestehenden Gruppe und im Fall Ziffer b) für zumindest eine Elektrode der aus der ersten, zweiten, dritten und vierten Elektrode bestehenden Gruppe die Spannung separat regelbar oder steuerbar ist, womit eine bessere Anpassung des Beschichtungsplasmas an die räumlichen und dynamischen Bedingungen des Inneren der Vakuumkammer, insbesondere der Position der Anregungsflächen der Elektroden zueinander und zum Pylon, erreichbar ist. existing group and in case (b) for at least one electrode of the group consisting of the first, second, third and fourth electrodes, the voltage is separately controllable or controllable, whereby a better adaptation of the coating plasma to the spatial and dynamic conditions of the interior of the vacuum chamber, in particular the position of the excitation surfaces of the electrodes to each other and to the pylon, can be reached.
Eine weitere Ausführungsform der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass im Fall Ziffer a) die erste, zweite und dritte Elektrode relativ zueinander in einer derartigen geometrischen Konfiguration angeordnet sind, dass für zumindest zwei Mitglieder der aus der ersten, zweiten und dritten Elektrode bestehenden Gruppe die Flächennormalen-Vektoren der Anregungsflächen im wesentlich senkrecht zueinander stehen. Alternativ ist vorgesehen, dass im Fall Ziffer b) die erste, zweite, dritte und vierte Elektrode relativ zueinander in einer derartigen geometrischen Konfiguration angeordnet sind, dass für zumindest zwei Mitglieder der aus der ersten, zweiten, dritten und vierten Elektrode bestehenden Gruppe die A further embodiment of the device is characterized in that, in case a), the first, second and third electrodes are arranged relative to one another in such a geometric configuration that for at least two members of the group consisting of the first, second and third electrodes Surface normal vectors of the excitation surfaces are substantially perpendicular to each other. Alternatively, it is envisaged that in case b) the first, second, third and fourth electrodes are arranged relative to each other in such a geometric configuration that for at least two members of the group consisting of the first, second, third and fourth electrodes
Flächennormalen-Vektoren der Anregungsflächen im wesentlich senkrecht zueinander stehen. Bei diesen Ausführungsformen wird eine besonders hohe Plasmadichte erreicht, da das Verhältnis Größe Anregungsflächen zur Größe des zwischen den Anregungsflächen liegendem Volumen günstig ist. Surface normal vectors of the excitation surfaces substantially perpendicular to each other stand. In these embodiments, a particularly high plasma density is achieved since the ratio of size of excitation surfaces to the size of the volume lying between the excitation surfaces is favorable.
Bevorzugt erstreckt sich zumindest einer der Anregungsflächen parallel zur Längsachse des Pylon oder weist einen Teilbereich auf, der parallel zur Längsachse des Pylon angeordnet ist. Preferably, at least one of the excitation surfaces extends parallel to the longitudinal axis of the pylon or has a partial region which is arranged parallel to the longitudinal axis of the pylon.
Bevorzugt sind alle oder zumindest ein Teil der Elektroden unmittelbar an Preferably, all or at least part of the electrodes are directly on
gegenüberliegenden Kammerwänden angebracht. attached to opposite chamber walls.
Die Erfindung umfasst bei vier Elektroden zumindest die Ausführungsformen, bei denen die Elektroden so angeordnet sind, dass die erste und zweite Elektrode im Wesentlichen einander gegenüberliegend auf einer Seite einer Ebene angeordnet sind, in der die The invention in four electrodes comprises at least the embodiments in which the electrodes are arranged such that the first and second electrodes are arranged substantially opposite one another on one side of a plane in which the
Längsachse des Pylon liegt und die dritte und vierte Elektrode im Wesentlichen einander gegenüberliegend auf der anderen Seite der Ebene angeordnet sind. Longitudinal axis of the pylon and the third and fourth electrodes are arranged substantially opposite each other on the other side of the plane.
Bevorzugt erstrecken sich die Kammerwände als ebene Flächen parallel zur Längsachse des Pylon oder weisen ebene Flächen parallel zur Längsachse des Pylon auf. Preferably, the chamber walls extend as flat surfaces parallel to the longitudinal axis of the pylon or have planar surfaces parallel to the longitudinal axis of the pylon.
Eine weitere Ausführungsform der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass zumindest eine Elektrode einem Befestigungsbereich der Vakuumkammerwand zugeordnet ist und eine Formgestaltung aufweist, die der Formgestaltung der Kammerwand in dem zugeordneten Befestigungsbereich entspricht. Dabei ist die zumindest eine Elektrode mit gegenüber der Vakuumkammer elektrisch isolierenden Befestigungsmitteln an der Vakuumkammer befestigt, derart dass die Rückseitenfläche dieser zumindest einen Elektrode einen Abstand von der Kammerwand in dem zugeordneten Befestigungsbereich der Kammerwand aufweist, der geringer ist als der Dunkelraumabstand bei bestimmungsgemäßem Betrieb der A further embodiment of the device is characterized in that at least one electrode is assigned to a fastening region of the vacuum chamber wall and has a shape configuration which corresponds to the shape design of the chamber wall in the associated fastening region. In this case, the at least one electrode is fastened to the vacuum chamber with fastening means that are electrically insulating with respect to the vacuum chamber, such that the rear side surface of this at least one electrode has a distance from the chamber wall in the associated fastening region of the chamber wall, which is less than the dark space distance during normal operation of the chamber
Vorrichtung. Contraption.
Um die Ausbildung von parasitären Plasmen in der Nähe einer Elektrode zu verhindern, ist bereits an sich, zum Beispiel aus der DE 41 09 619 C1 oder der EP 0 502 385 B1 bekannt, den Abstand zwischen einer Elektrode und einem anderen Objekt kleiner als den In order to prevent the formation of parasitic plasmas in the vicinity of an electrode, the distance between an electrode and another object is already smaller per se, for example from DE 41 09 619 C1 or EP 0 502 385 B1
Dunkelraumabstand zu wählen. Dark room distance to choose.
Der Dunkelraumabstand muss im Wesentlichen kleiner als die freie Weglänge sein, um eine Entladungskaskade zu verhindern. Die Größe des Dunkelraumabstandes ist allgemein abhängig von der Potentialdifferenz zwischen Plasma und einer an das Plasma The dark space distance must be substantially smaller than the free path length to prevent a discharge cascade. The size of the dark space distance is generally dependent on the potential difference between plasma and one to the plasma
angrenzenden Oberfläche und dem Prozessgasdruck sowie weiteren Parametern. Bei den üblichen Betriebsparametern von Plasma-Beschichtungseinrichtungen beträgt der adjacent surface and the process gas pressure and other parameters. Both usual operating parameters of plasma coating equipment is the
Dunkelraumabstand zwischen 1 mm und mehreren Millimetern. Dark room distance between 1 mm and several millimeters.
Üblicherweise sind die für Plattenelektroden bei Plasma-CVD_Entladungseinrichtungen verwendeten Dunkelraumabschirmungen technisch aufwendig und erhöhen die Usually, the dark space shields used for plate electrodes in plasma CVD discharge devices are technically complicated and increase the
Konstruktions-, Herstellungs- und Betriebskosten beträchtlich, da die Elektroden nicht unmittelbar an der Kammerwand befestigt sind. Im Unterschied zum Stand der Technik benötigen die Elektroden bei dieser Ausführungsform keine separate Design, manufacturing and operating costs considerably, since the electrodes are not directly attached to the chamber wall. Unlike the prior art, the electrodes do not require separate in this embodiment
Dunkelraumabschirmung gegenüber den Kammerwänden, da sie mit ihrer Rückseitenfläche in ihrem Befestigungsbereich der Krümmung der Kammerwand mit einem Abstand kleiner als der Dunkelraumabstand folgen. Die Ausbildung von parasitären Plasmen wird also im Bereich der Elektrode quasi automatisch verhindert. Dark space shield against the chamber walls, since they follow with their rear side surface in its attachment region of the curvature of the chamber wall with a distance smaller than the dark space distance. The formation of parasitic plasmas is therefore virtually automatically prevented in the region of the electrode.
Eine weitere Ausführungsform der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass die Another embodiment of the device is characterized in that the
Kammerwand in zumindest einem zugeordneten Befestigungsbereich eine ebene Oberfläche und die zumindest eine Elektrode eine ebene Rückseitenfläche aufweist. Chamber wall in at least one associated mounting region has a flat surface and the at least one electrode has a flat rear surface.
Eine weitere Ausführungsform der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass zumindest eine Elektrode als ebene Platte und die Kammerwand in dem zugeordneten Another embodiment of the device is characterized in that at least one electrode as a flat plate and the chamber wall in the associated
Befestigungsbereich als ebene Oberfläche ausgebildet. Bevorzugt ist insbesondere eine Ausführungsform, bei der zumindest die Wände der Vakuumkammer, an denen die Attachment formed as a flat surface. Particularly preferred is an embodiment in which at least the walls of the vacuum chamber, in which the
Elektroden befestigt sind, eben ausgebildet und die Elektroden als ebene Platten bzw. Are mounted electrodes, planar and the electrodes as flat plates or
Platten mit einer ebenen Rückseitenfläche ausgebildet sind. Plates are formed with a flat back surface.
Bevorzugt umfasst die Vakuumkammer eine erste und eine zweite, der ersten Preferably, the vacuum chamber comprises a first and a second, the first
gegenüberliegende senkrechte ebene Wand. Bevorzugt ist die Vakuumkammer als eine Art Box mit geraden Wänden und rechteckiger Grundfläche ausgebildet. Eine von der rechteckigen Form abweichend Grundfläche der Vakuumkammer ist ebenfalls von der Erfindung umfasst. opposite vertical flat wall. Preferably, the vacuum chamber is designed as a kind of box with straight walls and rectangular base. A deviating from the rectangular shape base of the vacuum chamber is also included in the invention.
Eine weitere Ausführungsform der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass die Another embodiment of the device is characterized in that the
Kammerwand in zumindest einem zugeordneten Befestigungsbereich eine gekrümmte Oberfläche und die zumindest eine Elektrode eine entsprechend dem Befestigungsbereich gekrümmte Rückseitenfläche aufweist. Chamber wall in at least one associated mounting region has a curved surface and the at least one electrode has a correspondingly curved in accordance with the mounting area back surface.
Es versteht sich, dass die Krümmung der Oberflächen hier bevorzugt konkav in Bezug auf die Längsachse des Pylon ausgebildet ist, damit eine hohe Ausnutzung der Anregungsfläche der Elektrode möglich ist. Die hier verwendete Terminologie für konkav ist folgende: wenn eine Fläche in einer Umgebung eines Punktes auf derselben Seite der Tangentialebene liegt wie der Bezugspunkt oder ein Beobachter, dann ist sie relativ zum Bezugspunkt beziehungsweise zum Beobachter konkav gekrümmt. Bevorzugt ist insbesondere eine Ausführungsform, bei der zumindest die Wände der Vakuumkammer, an denen die It is understood that the curvature of the surfaces here is preferably concave with respect to the longitudinal axis of the pylon, so that a high utilization of the excitation surface of the electrode is possible. The terminology for concave used here is as follows: when a surface in an environment of a point lies on the same side of the tangent plane like the reference point or an observer, then it is concavely curved relative to the reference point or to the observer. Particularly preferred is an embodiment in which at least the walls of the vacuum chamber, in which the
Elektroden befestigt sind, im Querschnitt kreisförmig oder teilkreisförmig ausgebildet und die Elektroden als im Querschnitt kreisförmig oder teilkreisförmige Platten bzw. Platten mit einer im Querschnitt kreisförmig oder teilkreisförmigen Rückseitenfläche ausgebildet sind. Electrodes are fixed, formed in cross-section circular or part-circular and the electrodes are formed as a circular or partially circular in cross-section plates or plates with a circular or partially circular in cross-section rear side surface.
Bei einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist zumindest eine Elektrode vorgesehen, deren Anregungsfläche schräg zu einer Wand der Vakuumkammer angeordnet ist. Vorteilhaft ist die Anregungsfläche der zumindest einen Elektrode in Richtung der Längsachse des Pylon orientiert. Gegenüber den vorher beschriebenen In a further embodiment of the device according to the invention, at least one electrode is provided whose excitation surface is arranged obliquely to a wall of the vacuum chamber. Advantageously, the excitation surface of the at least one electrode is oriented in the direction of the longitudinal axis of the pylon. Compared to the previously described
Ausführungsformen der Erfindung ist die Befestigung der betreffenden Elektroden sowie die Ausbildung der Mittel zur Dunkelraumabschirmung hierbei im Allgemeinen aufwendiger. Embodiments of the invention, the attachment of the respective electrodes and the formation of the dark space shielding means here in general more expensive.
Eine Ausführungsform der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass dem Pylon zusätzlich eine langgestreckte Sputter- oder Verdampfungsbeschichtungseinrichtung, insbesondere zur Metallisierung von Substraten zugeordnet ist. Hiermit ist eine integrierte Behandlung von Substraten im Batchbetrieb hinsichtlich Metallisierung und Aufbringung einer Schutz- oder anderen Funktionsschicht innerhalb einer Vakuumkammer möglich. An embodiment of the device is characterized in that the pylon is additionally associated with an elongate sputtering or evaporation coating device, in particular for the metallization of substrates. This allows an integrated treatment of substrates in batch mode with regard to metallization and application of a protective or other functional layer within a vacuum chamber.
Eine Ausführungsform der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass zumindest ein Sputterelement der Sputtereinrichtung oder ein Verdampferelement der An embodiment of the device is characterized in that at least one sputtering element of the sputtering device or an evaporator element of the
Verdampfereinrichtung in einem Bereich der Vakuumkammer angeordnet ist, der im Fall Ziffer a) zwischen zwei Mitgliedern der aus der ersten, zweiten und dritten Elektrode bestehenden Gruppe und im Fall Ziffer b) zwischen zwei Mitgliedern der aus der ersten, zweiten, dritten und vierten Elektrode bestehenden Gruppe angeordnet ist. Evaporator device is arranged in a region of the vacuum chamber, which in case a) between two members of the first, second and third electrode group and in case b) between two members of the first, second, third and fourth electrode Group is arranged.
Generell können in Bereichen zwischen nebeneinander liegenden Elektroden vorteilhaft weitere Komponenten der Vorrichtung, wie beispielsweise Metallverdampfer oder In general, additional components of the device, such as, for example, metal evaporator, can advantageously be provided in regions between adjacent electrodes
Abpumpöffnungen, angeordnet sein. Abpumpöffnungen, be arranged.
Die folgenden Ausführungsformen der Erfindung weisen eine für die Qualität der The following embodiments of the invention have one for the quality of
Beschichtung und Höhe der Beschichtungsrate vorteilhafte Symmetrie der Anordnung der Elektroden auf, da den Elektroden insbesondere vorteilhaft bestimmte relative Abstände und Winkelbeziehungen zum Pylon vorgegeben werden. Coating and height of the coating rate advantageous symmetry of the arrangement of the electrodes, since the electrodes are given particular advantageous certain relative distances and angular relationships to the pylon.
Eine Ausführungsform der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass im Fall Ziffer a) in Projektion auf ein senkrecht zur Längssache angeordnetes ebenes trigonales kreisförmiges Bezugssystem die erste Elektrode im ersten Segment, die zweite Elektrode im zweiten Segment und die dritte Elektrode im dritten Segment oder die erste Elektrode im ersten Segment, die zweite Elektrode im dritten Segment und die dritte Elektrode im zweiten Segment angeordnet ist, wobei die Segmente in Uhrzeigerrichtung nummeriert sind und das Bezugssystem ferner durch einen Kreis festgelegt ist, welcher die Projektion aller Elektroden umschreibt. Als Kreisradius kann der kleinste Kreisradius gewählt werden, so dass der Kreis gerade Projektion noch die Elektroden umschreibt. An embodiment of the device is characterized in that, in case a), the first electrode in the first segment, the second electrode in the second, in projection onto a plane trigonal circular reference system arranged perpendicular to the longitudinal axis Segment and the third electrode in the third segment or the first electrode in the first segment, the second electrode in the third segment and the third electrode in the second segment is arranged, wherein the segments are numbered in the clockwise direction and the reference frame is further defined by a circle, which rewrites the projection of all electrodes. As the circle radius, the smallest circle radius can be selected, so that the circle straight projection still circumscribes the electrodes.
Ferner kann im Fall Ziffer b) vorgesehen sein, dass in Projektion auf ein in einer senkrecht zur Längsachse angeordnetes ebenes kartesisches Bezugssystem mit einem ersten, zweiten, dritten und vierten Quadranten die erste Elektrode im ersten Quadranten, die zweite Elektrode im zweiten Quadranten, die dritte Elektrode im dritten Quadranten und die vierte Elektrode im vierten Quadranten angeordnet ist oder dass die Elektroden in einer der Permutationen dieser Anordnung angeordnet sind, wobei die Quadranten in Furthermore, in case (b), it may be provided that in projection onto a planar Cartesian reference system with a first, second, third and fourth quadrant arranged perpendicular to the longitudinal axis, the first electrode in the first quadrant, the second electrode in the second quadrant, the third In the third quadrant and the fourth electrode in the fourth quadrant or that the electrodes are arranged in one of the permutations of this arrangement, wherein the quadrants in
Uhrzeigerrichtung nummeriert sind und das Bezugssystem ferner dadurch festgelegt ist durch ein Quadrat, welches die Projektion aller Elektroden umschreibt. Das Quadrat kann das kleinste Quadrat sein, welches die Projektion aller Elektroden umschreibt. Clockwise direction are numbered and the reference system is further defined by a square which circumscribes the projection of all electrodes. The square may be the smallest square circumscribing the projection of all the electrodes.
Eine Ausführungsform der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass im Fall Ziffer a) ein Mitglied der aus der ersten, zweiten und dritten Elektrode bestehenden Gruppe eine An embodiment of the device is characterized in that in case a) a member of the group consisting of the first, second and third electrodes is a
Anregungsfläche aufweist, die eine Größe 3G aufweist, die zwischen 0,5* 3G2 und 1 ,5* 3G2 liegt, wobei 3G2 die Gesamtfläche der Anregungsflächen der beiden anderen Has an area 3G that is between 0.5 * 3G2 and 1.5 * 3G2, where 3G2 is the total area of the excitation areas of the other two
Mitglieder der Gruppe ist. Members of the group is.
Dabei kann die Größe 3G im Wesentlichen gleich der Größe 3G2 sein. The size 3G may be substantially equal to the size 3G2.
Eine Ausführungsform der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass im Fall Ziffer b) zwei oder drei Mitglieder der aus der ersten, zweiten, dritten und vierten Elektrode bestehenden Gruppe Anregungsflächen mit einer Gesamtfläche von G aufweisen, wobei G zwischen 0,5* G' und 1 ,5* G' liegt, wobei G' die Gesamtfläche der Anregungsflächen der anderen An embodiment of the device is characterized in that, in case (b), two or three members of the group consisting of the first, second, third and fourth electrodes have excitation areas with a total area of G, where G is between 0.5 * G 'and 1, 5 * G ', where G' is the total area of the excitation surfaces of the other
Mitglieder oder des anderen Mitglieds der Gruppe ist. Members or the other member of the group.
Dabei kann die Größe G im Wesentlichen gleich der Größe G' sein. The size G may be substantially equal to the size G '.
Eine Ausführungsform der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass im Fall Ziffer a) zwei Mitglieder der aus der ersten, zweiten und dritten Elektrode bestehenden Gruppe mit Wechselspannung mit gleicher Phase betrieben werden. An embodiment of the device is characterized in that, in case a), two members of the group consisting of the first, second and third electrodes are operated with alternating voltage having the same phase.
Dabei kann vorgesehen sein, dass die Größe der Anregungsflächen der zwei Mitglieder in der Summe gleich der Größe der Anregungsfläche des anderen Mitglieds der Gruppe ist. Eine Ausführungsform der Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass im Fall Ziffer a) zwei Mitglieder der aus der ersten, zweiten, dritten und vierten Elektrode bestehenden Gruppe mit einer Wechselspannung mit gleicher Phase betrieben werden. It can be provided that the size of the excitation surfaces of the two members in the sum is equal to the size of the excitation surface of the other member of the group. An embodiment of the device is characterized in that, in case a), two members of the group consisting of the first, second, third and fourth electrodes are operated with an alternating voltage having the same phase.
Dabei können die beiden anderen Mitglieder der Gruppe mit einer Wechselspannung mit gleicher Phase, aber anderer Phase als die ersten zwei Mitglieder betrieben werden. The two other members of the group can be operated with an alternating voltage with the same phase, but different phase than the first two members.
Dabei können in Projektion auf ein in einer senkrecht zur Längsachse angeordnetes ebenes kartesisches Bezugssystem mit einem ersten, zweiten, dritten und vierten Quadranten die ersten zwei Mitglieder im ersten und/oder zweiten Quadranten und die beiden anderen Mitglieder im dritten und/oder vierten Quadranten liegen. In this case, the first two members in the first and / or second quadrant and the other two members in the third and / or fourth quadrant may be projected onto a planar Cartesian frame of reference having a first, second, third and fourth quadrant arranged perpendicular to the longitudinal axis.
Ferner kann vorgesehen sein, dass in Projektion auf ein in einer senkrecht zur Längsachse angeordnetes ebenes kartesisches Bezugssystem mit einem ersten, zweiten, dritten und vierten Quadranten die ersten zwei Mitglieder im ersten und/oder dritten Quadranten und die beiden anderen Mitglieder im zweiten und/oder vierten Quadranten liegen. Furthermore, it can be provided that in projection onto a plane Cartesian reference system arranged perpendicular to the longitudinal axis with a first, second, third and fourth quadrant the first two members in the first and / or third quadrant and the two other members in the second and / or fourth quadrant lie.
Ferner kann vorgesehen sein, dass in Projektion auf ein in einer senkrecht zur Längsachse angeordnetes ebenes kartesisches Bezugssystem mit einem ersten, zweiten, dritten und vierten Quadranten die ersten zwei Mitglieder im ersten und/oder vierten Quadranten und die beiden anderen Mitglieder im zweiten und/oder dritten Quadranten liegen. Dabei können alle Mitglieder der Gruppe im Wesentlichen gleich große Anregungsflächen aufweisen. It can further be provided that in projection onto a plane Cartesian reference system arranged perpendicular to the longitudinal axis with a first, second, third and fourth quadrant the first two members in the first and / or fourth quadrant and the two other members in the second and / or third quadrants lie. All members of the group can have essentially the same size of stimulation surfaces.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Vakuumbehandlung von Substraten in einer The inventive method for vacuum treatment of substrates in one
Vakuumkammer zeichnet sich dadurch aus, dass die Vakuumbehandlung mittels einer erfindungsgemäßen Vorrichtung erfolgt. Vacuum chamber is characterized in that the vacuum treatment is carried out by means of a device according to the invention.
Eine weitere Ausführungsform des Verfahrens zeichnet sich dadurch aus, dass mittels der Plasma-CVD_Entladungseinrichtung eine Behandlung der Substrate durch einen Plasma- CVD-Prozess erfolgt, insbesondere zur Aufbringung einer Top Coat-Schicht auf metallisierte Substratoberflächen. A further embodiment of the method is characterized in that the substrates are treated by a plasma CVD process by means of the plasma CVD discharge device, in particular for applying a top coat layer to metallized substrate surfaces.
Die Beschichtung erfolgt bevorzugt, jedoch nicht ausschließlich oder notwendiger weise, mit folgenden Verfahrensparametern: The coating is preferably, but not exclusively or necessarily, with the following process parameters:
Prozessgasdichte: 10**-3 mbar bis 10**-2 mbar Leistungsbereiche: 1 kW/m**2 bis 8kW/m**2 bezogen auf die Gesamtfläche der Process gas density: 10 ** -3 mbar to 10 ** -2 mbar Power ranges: 1 kW / m ** 2 to 8kW / m ** 2 based on the total area of the
Teileelektroden  parts electrodes
Spannungsbereich: 500V bis 5kV Spitzenspannung zwischen Elektroden Voltage range: 500V to 5kV peak voltage between electrodes
Frequenz der Versorgungswechselspannung: 1 Hz bis 30MHz, bevorzugt 40KHz Frequency of AC supply voltage: 1 Hz to 30 MHz, preferably 40 kHz
Der Abstand zwischen Anregungsfläche und Substratoberfläche liegt bevorzugt im Bereich 10cm-30cm. The distance between excitation surface and substrate surface is preferably in the range 10cm-30cm.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass mittels der Plasma-CVD-Entladungseinrichtung eine Behandlung der Substrate mit Hilfe einer Another embodiment of the invention is characterized in that by means of the plasma CVD discharge device, a treatment of the substrates by means of a
Glimmentladung erfolgt, mit dem insbesondere eine Vorbehandlung der Substrate vor der Beschichtung erfolgen kann. Die Verfahrensparameter sind ähnlich zu wählen wie bei der Beschichtung, wobei die Glimmentladung vorzugsweise in einer Atmosphäre von Stickstoff und/oder Sauerstoff erfolgt. Allgemein ist üblicherweise bei dieser Behandlung ein Druck zwischen 1x10"3 mbar und 1x10"1mbar, bevorzugt zwischen 2x10"2 mbar und 8x10"2 mbar vorgesehen. Glow discharge takes place, with which in particular a pretreatment of the substrates can take place before the coating. The process parameters are to be selected similarly to the coating, wherein the glow discharge preferably takes place in an atmosphere of nitrogen and / or oxygen. Generally, usually at this treatment, a pressure of between 1x10 "3 mbar and 1x10" 1 mbar, preferably provided between 2x10 "2 mbar and 8x10" 2 mbar.
Im Folgenden wird die Erfindung in Zeichnungen anhand von Ausführungsbeispielen und Zeichnungen näher beschrieben, denen auch unabhängig von der Zusammenfassung in den Patentansprüchen weitere Aspekte und Vorteile der Erfindung zu entnehmen sind. Gleiche oder entsprechende Elemente oder Komponenten sind mit gleichen Bezugszeichen versehen. In the following the invention will be described in more detail in drawings with reference to embodiments and drawings, which are also independent of the summary in the claims further aspects and advantages of the invention can be found. The same or corresponding elements or components are provided with the same reference numerals.
Es zeigen in schematischer Darstellung: In a schematic representation:
Figur 1 a, b in Projektion auf ein senkrecht zur Längssache eines Pylons angeordnetes ebenes trigonales kreisförmiges Bezugssystem Komponenten einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einem Pylon und drei Elektroden; Figure 1 a, b in projection on a plane perpendicular to the longitudinal axis of a pylon arranged flat trigonal circular reference system components of a device according to the invention with a pylon and three electrodes;
Figur 1 c in Projektion auf ein in einer senkrecht zur Längsachse angeordnetes ebenes kartesisches Bezugssystem mit Komponenten einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einem Pylon und vier Elektroden; Figure 1 c in projection onto a arranged in a plane perpendicular to the longitudinal axis of a planar Cartesian reference system with components of a device according to the invention with a pylon and four electrodes;
Figur 2a eine Querschnittsdarstellung in Draufsicht mit Komponenten einer Figure 2a is a cross-sectional view in plan view with components of a
erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einem Pylon und parallel zu den  Device according to the invention with a pylon and parallel to the
Kammerwänden in einer Vakuumkammer angeordneten Elektroden; Figur 2b eine Querschnittsdarstellung in Draufsicht mit Komponenten einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einem Pylon und in den Ecken von Kammerwänden in einer Vakuumkammer angeordneten Elektroden; Chamber walls arranged in a vacuum chamber electrodes; Figure 2b is a cross-sectional view in plan view with components of a device according to the invention with a pylon and arranged in the corners of chamber walls in a vacuum chamber electrodes;
Figur 3 eine Darstellung einer Verschaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Figure 3 is an illustration of an interconnection of the device according to the invention for
Vakuumbeschichtung gemäß Figur 2a;  Vacuum coating according to Figure 2a;
Figur 4 eine Darstellung einer weiteren Verschaltung der erfindungsgemäßen Figure 4 is an illustration of a further interconnection of the invention
Vorrichtung zur Vakuumbeschichtung gemäß Figur 2a;  Apparatus for vacuum coating according to Figure 2a;
Figur 5 eine Darstellung einer weiteren Verschaltung der erfindungsgemäßen Figure 5 is an illustration of a further interconnection of the invention
Vorrichtung zur Vakuumbeschichtung gemäß Figur 2a; und  Apparatus for vacuum coating according to Figure 2a; and
Figur 6 eine Darstellung von Vergleichsergebnissen von Testbeschichtungen mit verschiedenen Vorrichtungen zur Vakuumbeschichtung. Figure 6 is an illustration of comparative results of test coatings with various vacuum coating apparatus.
In Figur 1 a, b sind schematisch in Projektion auf ein senkrecht zur Längssache 40 eines Pylons 41 angeordnetes ebenes trigonales kreisförmiges Bezugssystem mit gleichgroßen Segmenten I, II, III Komponenten einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit Elektroden 30a, 30b, 30c für zwei typische Anordnungen dargestellt. Die Segmente I, II, III sind durch den Kreisradius und die Punkte A, B, C auf der Kreislinie festgelegt. FIGS. 1 a, b show diagrammatically in projection onto a plane trigonal circular reference system with equal segments I, II, III, arranged perpendicular to the longitudinal axis 40 of a pylon 41, components of a device according to the invention with electrodes 30a, 30b, 30c for two typical arrangements. The segments I, II, III are defined by the circle radius and the points A, B, C on the circular line.
Zur Vereinfachung sind weitere Komponenten der Vorrichtung, wie Kammerwände usw. nicht dargestellt. Es versteht sich, dass auch andere Anordnungen der Elektroden möglich sind; zum Beispiel Anordnungen, bei denen die Segmente I, II, III unterschiedlich groß sind. For simplicity, other components of the device, such as chamber walls, etc. are not shown. It is understood that other arrangements of the electrodes are possible; For example, arrangements in which the segments I, II, III are different in size.
Die Elektroden 30a, 30b, 30c weisen Anregungsflächen 30a1 , 30b1 , 30c1 auf die sämtlich auf den Pylon 41 orientiert sind. The electrodes 30a, 30b, 30c have excitation surfaces 30a1, 30b1, 30c1 all of which are oriented on the pylon 41.
Die Elektroden 30a, 30b, 32a sind relativ zueinander in einer derartigen geometrischen Konfiguration angeordnet, dass die Anregungsflächen 30a1 , 30b1 , 32a1 paarweise durch eine geometrisch gerade Linie verbunden sind. Bei anderen Ausführungsformen sind für höchstens zwei Elektroden die jeweiligen Anregungsflächen nicht durch eine geometrisch gerade Linie miteinander verbindbar um eine Erhöhung der Gesamtplasma-CVD- Beschichtungsrate der am Pylon gehalterten Werkstücke zu erreichen. Beispielsweise können zwei Elektroden parallel zu einander ausgerichtete Anregungsflächen aufweisen. Die Elektroden 30a, 30b, 30c sind über elektrische Verbindungsleitungen 171 , 172, 173 mit einer elektrischen Leistungsversorgung 170 verbunden und werden vorzugsweise mit Wechselspannung betrieben. In Figur 1 a ist jede Elektrode 30a, 30b, 30c separat mit der Leistungsversorgung verbunden. In Figur 1 b sind zwei Elektroden 30b, 30c an einen The electrodes 30a, 30b, 32a are arranged relative to each other in such a geometric configuration that the excitation surfaces 30a1, 30b1, 32a1 are connected in pairs by a geometrically straight line. In other embodiments, for at most two electrodes, the respective excitation surfaces can not be connected to one another by a geometrically straight line in order to achieve an increase in the total plasma CVD coating rate of the workpieces held on the pylon. For example, two electrodes may have parallel to each other aligned excitation surfaces. The electrodes 30a, 30b, 30c are connected via electrical connection lines 171, 172, 173 to an electrical power supply 170 and are preferably operated with alternating voltage. In Figure 1a, each electrode 30a, 30b, 30c is connected separately to the power supply. In FIG. 1b, two electrodes 30b, 30c are connected to one
Anschluss der Leistungsversorgung 170 angeschlossen. In Figur 1 b werden die Elektroden 30b, 30c daher mit gleicher Phase und gleicher Amplitude betrieben. Connection of the power supply 170 connected. In FIG. 1b, the electrodes 30b, 30c are therefore operated with the same phase and the same amplitude.
Es versteht sich, dass auch die Elektroden 30a-30c in der Anordnung nach Figur 1 a entsprechend verschaltet sein können, so dass beispielsweise die Elektroden 30a, 30b mit gleicher Phase und Amplitude betrieben werden. Insbesondere im letzten Fall gilt: Die Anregungsflächen 30a1 , 30b1 haben vorzugsweise gleiche oder annähernd gleiche Größe. Die Anregungsfläche 30c1 hat eine Größe, die vorzugsweise gleich oder ungefähr gleich der Summe der beiden anderen Anregungsflächen 30a1 , 30b1 ist. Diese Auslegung der It goes without saying that the electrodes 30a-30c in the arrangement according to FIG. 1a can also be correspondingly connected so that, for example, the electrodes 30a, 30b are operated with the same phase and amplitude. In particular in the last case, the excitation surfaces 30a1, 30b1 preferably have the same or approximately the same size. The excitation surface 30c1 has a size that is preferably equal to or approximately equal to the sum of the two other excitation surfaces 30a1, 30b1. This interpretation of
Anregungsflächen kann aber auch bei anderen Anordnungen der Elektroden vorteilhaft sein. However, excitation surfaces can also be advantageous in other arrangements of the electrodes.
In Figur 1 c sind in Projektion auf ein in einer senkrecht zur Längsachse 40 angeordnetes ebenes kartesisches Bezugssystem Komponenten einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einem Pylon 41 und vier Elektroden 31 a, 31 b, 32a, 32b einer Plasma-CVD- Entladungseinrichtung dargestellt. FIG. 1 c shows components of a device according to the invention with a pylon 41 and four electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b of a plasma CVD discharge device in projection onto a planar Cartesian reference system arranged perpendicular to the longitudinal axis 40.
In dem Bezugssystem, mit einem ersten, zweiten, dritten und vierten Quadranten I, II, III, IV ist die erste Elektrode 31 a im ersten Quadranten I, die zweite Elektrode 31 b im zweiten Quadranten II, die dritte Elektrode 32a im dritten Quadranten III und die vierte Elektrode 32) im vierten Quadranten IV angeordnet, wobei die Quadranten I, II, III, IV in Uhrzeigerrichtung numeriert sind. Das Bezugssystem ist ein Quadrat, welches die Projektion aller Elektroden (31 a, 31 b, 32a, 32b umschreibt. Es kann auch vorgesehen sein, dass die Elektroden in einer der Permutationen dieser Anordnung angeordnet sind. In the reference system, with a first, second, third and fourth quadrant I, II, III, IV, the first electrode 31 a in the first quadrant I, the second electrode 31 b in the second quadrant II, the third electrode 32 a in the third quadrant III and the fourth electrode 32) are arranged in the fourth quadrant IV, wherein the quadrants I, II, III, IV are numbered in the clockwise direction. The reference frame is a square which circumscribes the projection of all the electrodes 31a, 31b, 32a, 32b It may also be provided that the electrodes are arranged in one of the permutations of this arrangement.
Das Pylon 41 ist um eine Längsachse 40 drehbar. Der Pylon hat typischerweise eine Länge von 150cm bis 200cm. In Figur 1 c sind zur Vereinfachung keine weiteren Details der Substratträgereinrichtung sowie auch keine von der Einrichtung aufgenommenen Substrate dargestellt. Zur Vereinfachung sind ferner weitere Komponenten der Vorrichtung, wie Kammerwände usw. nicht dargestellt, auf die jedoch im Zusammenhang mit Figur 2a eingegangen wird. The pylon 41 is rotatable about a longitudinal axis 40. The pylon typically has a length of 150cm to 200cm. In FIG. 1 c, for the sake of simplicity, no further details of the substrate carrier device and also no substrates recorded by the device are shown. For simplicity, other components of the device, such as chamber walls, etc. are not shown, but will be discussed in connection with FIG. 2a.
Die Elektroden sind aus einem geeigneten Metall gefertigt. Vorzugsweise sind Elektroden 31 a, 31 b, 32a, 32b als ebene Platten ausgebildet, die vorzugsweise gleich oder ungefähr gleich große Anregungsflächen 31 a1 , 31 b1 , 32a1 , 32b1 aufweisen, jedoch auch The electrodes are made of a suitable metal. Preferably, electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b are formed as flat plates, which preferably have the same or approximately the same size excitation surfaces 31 a1, 31 b1, 32a1, 32b1, but also
unterschiedlich groß sein können. Die Elektroden 31 a, 31 b, 32a, 32b erstrecken sich länglich entlang der Längsachse 40 des Pylon 41 . Vorzugsweise erstrecken sich die Elektroden 31 a, 31 b, 32a, 32b über die gesamte Länge des Pylon 41 , soweit dort Substrate gehaltert sind oder halterbar sind. Die Elektroden 31 a, 31 b, 32a, 32b können auch selbst noch weiter unterteilt sein, wobei es sich versteht, dass die Abstände zwischen den unterteilten Elementen gering zu halten sind, um eine Inhomogenität des erzeugten Plasmas zu vermeiden. can be different in size. The electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b extend longitudinally along the longitudinal axis 40 of the pylon 41. Preferably, the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b extend over the entire length of the pylon 41, as far as there substrates are supported or halterbar. The electrodes 31a, 31b, 32a, 32b may also be divided even further, it being understood that the distances between the divided elements are to be kept small in order to avoid inhomogeneity of the generated plasma.
Die erste Elektrode 31 a und die zweite Elektrode 31 b weisen zueinander orientierte The first electrode 31 a and the second electrode 31 b are oriented to each other
Anregungsflächen 31 a1 , 31 b1 auf, die derart angeordnet sind, dass Bereiche des Pylon 41 mit in diesen Bereichen anordenbaren Substraten sich in den zwischen den Excitation surfaces 31 a1, 31 b1, which are arranged such that portions of the pylon 41 with in these areas can be arranged substrates in the between the
Anregungsflächen 31 a1 , 31 b1 der ersten Elektrode 31 a und der zweiten Elektrode 31 b liegenden Raumbereich 25 erstrecken. Ebenso weisen die dritte Elektrode 32a und die vierte Elektrode 32b zueinander orientierte Anregungsflächen 34a, 34b auf, die derart angeordnet sind, dass Bereiche des Pylon 41 mit in diesen Bereichen anordenbaren Substraten sich in den zwischen den Anregungsflächen 34a, 34b der dritten Elektrode 32a und der vierten Elektrode 32b liegenden Raumbereich 26 erstrecken. Excitation surfaces 31 a1, 31 b1 of the first electrode 31 a and the second electrode 31 b lying space region 25 extend. Likewise, the third electrode 32a and the fourth electrode 32b have mutually oriented excitation surfaces 34a, 34b arranged such that portions of the pylon 41 having substrates disposable in these regions are located between the excitation surfaces 34a, 34b of the third electrode 32a and the third electrode 32a extending fourth electrode 32b space region 26 extend.
Die Plasma-CVD-Entladungseinrichtung ist über in Figur 1 c nicht dargestellte Leitungen mit einer elektrischen Leistungsversorgung zur Anregung einer Plasmaentladung, zumindest in einem Bereich, in dem die Substratträgereinrichtung 41 und im Betrieb der Vorrichtung die Substrate angeordnet sind, verbunden, um eine Plasmabehandlung der Substrate zu ermöglichen. Die Verschaltung der Elektroden wird weiter unten im Text beschrieben. The plasma CVD discharge device is connected via lines, not shown in FIG. 1 c, to an electrical power supply for exciting a plasma discharge, at least in a region in which the substrate carrier device 41 and during operation of the device the substrates are arranged, in order to carry out a plasma treatment To enable substrates. The wiring of the electrodes will be described later in the text.
In Figur 2a ist in vereinfachter Darstellung eine Vorrichtung 1 zur Vakuumbeschichtung von Substraten in einer Vakuumkammer 175 mit rechteckiger Grundfläche, vorzugsweise dreidimensionalen Substraten, beispielsweise für Anwendungen im Automotive-Bereich, Computer, Kommunikation- oder Konsumer-Elektronik oder dergleichen dargestellt. Die Substrate bestehen vorzugsweise aus einem Kunststoffmaterial, wobei jedoch auch andere Materialien möglich sind. Die Vakuumkammer 175 umfasst Kammerwände 175a, 175b, 175c, wobei im Bereich der Kammerwand 175c sind Anschlüsse 13 für Pumpen FIG. 2 a shows, in a simplified representation, a device 1 for vacuum coating substrates in a vacuum chamber 175 with a rectangular base area, preferably three-dimensional substrates, for example for applications in the automotive sector, computers, communications or consumer electronics or the like. The substrates are preferably made of a plastic material, but other materials are possible. The vacuum chamber 175 comprises chamber walls 175a, 175b, 175c, wherein in the region of the chamber wall 175c are connections 13 for pumps
vorgesehen. Senkrecht im Bereich der Stirnseiten der Kammerwände 175a, 175b ist eine Ladetür 12 vorgesehen. intended. Vertically in the region of the end faces of the chamber walls 175a, 175b, a loading door 12 is provided.
Die Längsachse 40 der Sputter- oder Verdampfereinrichtung 10, 10' ist vorzugsweise parallel zur Längsachse 40 ausgerichtet, wobei es sich versteht, dass auch eine Ausrichtung mit einem geringen Winkelversatz, beispielsweise von weniger als 10° von der Erfindung umfasst ist. Ferner umfasst die Erfindung Ausführungsformen, die Substratträgereinrichtungen mit Planeten-Halterungsmittel für Substrate aufweisen, die um von der Längsachse 40, um die der Pylon 41 drehbar ist, verschiedene Achsen drehbar sind. The longitudinal axis 40 of the sputtering or evaporator device 10, 10 'is preferably aligned parallel to the longitudinal axis 40, it being understood that an orientation with a small angular offset, for example, less than 10 ° of the invention is included. Further, the invention includes embodiments comprising substrate support means with planetary support means for substrates which are rotatable about different axes from the longitudinal axis 40 about which the pylon 41 is rotatable.
Die Elektroden 31 a, 32a bzw.31 b, 32b sind von einander beabstandet an den einander gegenüberliegenden Kammerwänden 175a bzw. 175b angebracht. The electrodes 31 a, 32 a and 31 b, 32 b are spaced from each other at the opposite chamber walls 175 a and 175 b attached.
Teilbereiche der Anregungsflächen 31 a1 , 31 b1 erstrecken sich über die Projektion des Pylon 41 auf die Kammerwände 175a bzw. 175b hinaus. Subareas of the excitation surfaces 31 a1, 31 b1 extend beyond the projection of the pylon 41 onto the chamber walls 175a and 175b, respectively.
Die Plasma-CVD-Entladungseinrichtung ist, wie in Figur 1 c, über in Figur 2a nicht dargestellte Leitungen mit einer elektrischen Leistungsversorgung zur Anregung einer Plasmaentladung, zumindest in einem Bereich, in dem die Substratträgereinrichtung 41 und im Betrieb der Vorrichtung die Substrate angeordnet sind, verbunden, um eine Plasmabehandlung der Substrate zu ermöglichen. Die Verschaltung der Elektroden wird weiter unten im Text beschrieben. The plasma CVD discharge device is, as in FIG. 1 c, via lines, not shown in FIG. 2 a, with an electrical power supply for exciting a plasma discharge, at least in a region in which the substrate carrier device 41 and in the operation of the device the substrates are arranged, connected to allow a plasma treatment of the substrates. The wiring of the electrodes will be described later in the text.
Die Plasma-CVD-Entladungseinrichtung kann zur Vorbehandlung der Substratoberflächen und/ oder zur Plasmabeschichtung, insbesondere mittels Plasma-CVD ausgebildet sein. Insbesondere kann ferner ein Einlass für Reaktionsgase, beispielsweise The plasma CVD discharge device can be designed for the pretreatment of the substrate surfaces and / or for the plasma coating, in particular by means of plasma CVD. In particular, an inlet for reaction gases, for example
Hexamethyldisiloxan (HMDSO) vorgesehen sein. Be provided hexamethyldisiloxane (HMDSO).
Die Vorrichtung 1 umfasst ferner, neben nicht dargestellten Komponenten wie The device 1 further comprises, in addition to not shown components such as
Zuführeinrichtungen für Prozessgase, parallel zur Längsachse 40 langgestreckte Feeders for process gases, parallel to the longitudinal axis 40 elongated
Sputtereinrichtungen 10, 10', die an gegenüberliegenden Kammerwänden 175a, 175b zwischen den beabstandeten Elektroden 31 a und 32a bzw. 31 b und 32b angeordnet sind. Andere Positionen der Sputtereinrichtungen 10, 10' oder von Verdampfungseinrichtungen sind ebenfalls möglich. Sputtering devices 10, 10 ', which are arranged on opposite chamber walls 175 a, 175 b between the spaced electrodes 31 a and 32 a and 31 b and 32 b. Other positions of the sputtering devices 10, 10 'or of evaporation devices are also possible.
Statt der dargestellten Sputtereinrichtungen 10, 10' können bei einer Verdampfervorrichtung auch langgestreckte Verdampfereinrichtungen vorgesehen sein, üblicherweise mit einer Anzahl von entlang einer nicht dargestellten Längsachse angeordneten Instead of the sputtering devices 10, 10 'shown, elongated evaporator devices can also be provided in an evaporator device, usually with a number of longitudinal axes arranged along a non-illustrated arrangement
Verdampferelementen, die beispielsweise harfenartig in einer rahmenartigen Konstruktion mit langgestreckten Trägerelementen angeordnet sind. Bevorzugt ist die Befüllung der Verdampferelemente mit Aluminiumdraht. Bei Erwärmung, beispielsweise als Ergebnis eines Durchleitens eines elektrischen Stroms, verdampft das Metall, so dass Metalldämpfe aus dem Bereich der Verdampferbank austreten und in den umgebenden Raum diffundieren und sich auf den Werkstücken niederschlagen. Die Elektroden 31 a, 31 b, 32a, 32b sind mittels elektrisch isolierenden Befestigungsmitteln in ihren zugeordneten Befestigungsbereichen an den Vakuumkammerwänden 175a, 175b befestigt. Die Rückseitenflächen der Elektroden 31 a, 31 b, 32a, 32b weisen dabei einen Abstand von der Kammerwand 175a, 175b in dem zugeordneten Befestigungsbereich auf, der geringer ist als der Dunkelraumabstand bei bestimmungsgemäßem Betrieb der Evaporator elements, which are arranged, for example harp-like in a frame-like construction with elongated support elements. Preferably, the filling of the evaporator elements with aluminum wire. When heated, for example, as a result of passing an electrical current, the metal evaporates, so that metal vapors escape from the area of the evaporator bank and diffuse into the surrounding space and precipitate on the workpieces. The electrodes 31a, 31b, 32a, 32b are secured to the vacuum chamber walls 175a, 175b by means of electrically insulating fasteners in their associated attachment areas. The rear side surfaces of the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b in this case have a distance from the chamber wall 175 a, 175 b in the associated mounting area, which is less than the dark space distance during normal operation of the
Vorrichtung. In der dargestellten Ausführungsform sind Rückseitenflächen und Contraption. In the illustrated embodiment are back surfaces and
Befestigungsbereich als ebene korrespondierende Flächen ausgebildet. Es versteht sich, dass auch Ausführungsformen mit gekrümmten Flächen der Rückseitenflächen und den Kammerwänden von der Erfindung erfasst werden. Beispiele hierfür sind Vakuumkammern mit zylinderförmiger oder ovaler Grundfläche. Attachment formed as a plane corresponding surfaces. It is understood that embodiments with curved surfaces of the back surfaces and the chamber walls are also covered by the invention. Examples include vacuum chambers with a cylindrical or oval base.
In Figur 2b ist in einer Schnittdarstellung eine weitere Ausführungsform der FIG. 2 b is a sectional view of another embodiment of the invention
erfindungsgemäßen Vorrichtung 1 zur Vakuumbeschichtung von Substraten mit zwei Doppelelektroden mit schräg in den Ecken einer Vakuumkammer 175 angeordneten Inventive device 1 for vacuum coating of substrates with two double electrodes arranged obliquely in the corners of a vacuum chamber 175
Elektroden 31 a, 31 b, 32a, 32b und einem Pylon 41 mit einer Längsachse 40 dargestellt. Die Elektroden 32a, 32b können bewegbar sein, um den Pylon 41 einfach in die Vakuumkammer 175 hinein oder aus der Vakuumkammer 175 hinaus zu transportieren. Gegenüber der Ausführungsform der Figur 2a ist die Befestigung der Elektroden 31 a, 31 b, 32a, 32b sowie die Ausbildung der Mittel zur Dunkelraumabschirmung hier aufwendiger. Andererseits erhält man eine bessere Ausnutzung des zum Packaging zur Verfügung stehenden Raums. Electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b and a pylon 41 shown with a longitudinal axis 40. The electrodes 32a, 32b may be movable to easily transport the pylon 41 into the vacuum chamber 175 or out of the vacuum chamber 175. Compared to the embodiment of Figure 2a, the attachment of the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b and the formation of the dark space shielding means here more expensive. On the other hand, one obtains better utilization of the space available for packaging.
Figuren 3 - 5 zeigen Darstellungen einer Verschaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung 1 zur Vakuumbeschichtung gemäß Figur 2 mit parallel an den Wänden der Vakuumkammer angeordneten Elektroden. Ferner sind auch Vorrichtungen mit zumindest einer schräg zu den Wänden der Vakuumkammer orientierten Elektrode, wie in Figur 2b dargestellt, sowie mit Verschaltungen der Elektroden wie in den Figuren 3 bis 5 dargestellt, von der Erfindung umfasst. Auch Zwischenpositionen der Elektroden relativ zu den Wänden, zu einander und zum Pylon sind erfindungsgemäß mit den nachfolgend dargestellten Verschaltungen der Elektroden von der Erfindung umfasst. FIGS. 3 to 5 show illustrations of an interconnection of the device 1 according to the invention for vacuum coating according to FIG. 2 with electrodes arranged parallel to the walls of the vacuum chamber. Furthermore, devices with at least one obliquely oriented to the walls of the vacuum chamber electrode, as shown in Figure 2b, and with interconnections of the electrodes as shown in Figures 3 to 5, of the invention. Intermediate positions of the electrodes relative to the walls, to each other and to the pylon are also included according to the invention with the interconnections of the electrodes of the invention shown below.
Nach Figur 3 ist eine elektrische Leistungsversorgung 170 zur Anregung der According to FIG. 3, an electrical power supply 170 for exciting the
Plasmaentladung zwischen den Elektroden 31 a, 31 b, 32a, 32b vorgesehen. Die Anregung der Plasmaentladung erfolgt durch Anlegung zumindest einer Spannung an die erste, zweite, dritte und/oder vierte Elektrode 31 a, 31 b, 32a, 32b. Dazu umfasst die elektrische Plasma discharge between the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b provided. The excitation of the plasma discharge is effected by applying at least one voltage to the first, second, third and / or fourth electrode 31 a, 31 b, 32 a, 32 b. This includes the electrical
Leistungsversorgung 170 vorzugsweise einen oder mehrere Generatoren zur Erzeugung elektrischer Leistung, ein Anpassungsnetzwerk sowie einen Sender zur Ankopplung der elektrischen Leistung an die Doppelelektroden. Die Ankopplung erfolgt über elektrische Verbindungsleitungen 161 , 162, 163 und 164, die mit der Leistungsversorgung 170 sowie den Elektroden 31 a, 31 b, 32a, 32b verbunden sind. Vorzugsweise wird elektrische Spannung mit definierter Frequenz, Amplitude und Phase an die erste, zweite, dritte und/oder vierte Elektrode 31 a, 31 b, 32a, 32b angelegt. Bevorzugt sind ist die Power supply 170 preferably one or more generators for generating electrical power, a matching network and a transmitter for coupling the electrical power to the double electrodes. The coupling takes place via electrical connection lines 161, 162, 163 and 164, which are connected to the power supply 170 and the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b. Preferably, electrical Voltage with defined frequency, amplitude and phase to the first, second, third and / or fourth electrode 31 a, 31 b, 32 a, 32 b applied. Preference is the
Leistungsversorgung 170 so ausgelegt, dass Frequenz, Amplitude und Phase der elektrischen Leistung für jede Elektrode 31 a, 31 b, 32a, 32b einzeln steuerbar oder regelbar sind. Entsprechend sind die Elektroden 31 a, 31 b, 32a, 32b über elektrische Power supply 170 designed so that frequency, amplitude and phase of the electrical power for each electrode 31 a, 31 b, 32 a, 32 b are individually controllable or regulated. Accordingly, the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b via electrical
Verbindungsleitungen 161 , 162, 163 und 164 mit Anschlüssen 170a - 170d der Connecting lines 161, 162, 163 and 164 with terminals 170a - 170d of
Leistungsversorgung 170 verbunden. Power supply 170 connected.
Bevorzugt ist, wie auch bei den Ausführungsformen der noch folgenden Figuren 4 und 5, eine Verschaltung der Elektroden 31 a, 31 b, 32a, 32b auf floatendem Potential vorgesehen, wobei also keine der Elektroden 31 a, 31 b, 32a, 32b mit Masse elektrisch verbunden ist. Die Elektroden 31 a, 31 b, 32a, 32b sind also gegenüber der Vakuumkammer 175 Preferably, as in the embodiments of Figures 4 and 5, an interconnection of the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b is provided at floating potential, so that none of the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b to ground electrically connected. The electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b are thus opposite the vacuum chamber 175
beziehungsweise anderen elektrischen Massepunkten elektrisch isoliert. or other electrical ground points electrically isolated.
In Figur 3, wie auch bei den Ausführungsformen der noch folgenden Figuren 4 und 5, illustrieren die Pfeile die vereinfachte Verteilung der elektrischen Felder im Plasma -freien Fall sowie die momentane Polarität der Elektroden 31 a, 31 b, 32a, 32b bei bevorzugtem Betrieb der Vorrichtung. Die Pfeile zeigen dabei von einem Ort von niedrigeren zu einem Ort mit höherem Potential und entsprechen vereinfacht betrachtet einer Bewegungsrichtung von negativen Ladungsträgern zwischen derartigen Orten. Insbesondere werden in der In Figure 3, as well as in the embodiments of Figures 4 and 5, the arrows illustrate the simplified distribution of the electric fields in the plasma-free case and the instantaneous polarity of the electrodes 31 a, 31 b, 32 a, 32 b in preferred operation of Contraption. In this case, the arrows point from a location from lower to a location with higher potential and, in a simplified manner, correspond to a direction of movement of negative charge carriers between such locations. In particular, in the
Darstellung der Figur 3, die Elektroden 31 a und 32b sowie die Elektroden 32a und 31 b mit Spannung gleicher Phase, optional auch gleicher Amplitude betrieben. In diesem Fall sind die Elektroden 31 a und 32b an einem gemeinsamen elektrischen Anschluss der Representation of Figure 3, the electrodes 31 a and 32 b and the electrodes 32 a and 31 b operated with voltage the same phase, optionally also the same amplitude. In this case, the electrodes 31 a and 32 b at a common electrical connection of
Leistungsversorgung 170 und die Elektroden 32a und 31 b an einem gemeinsamen elektrischen Anschluss der Leistungsversorgung 170 angeschlossen. Power supply 170 and the electrodes 32 a and 31 b connected to a common electrical connection of the power supply 170.
Die elektrische Leistungsversorgung 170 ist in Figur 3 insbesondere derart ausgelegt, dass die erste Elektrode 31 a Gegenpol zur zweiten und vierten Elektrode 31 b, 32b und die dritte Elektrode 32a Gegenpol zur zweiten und vierten Elektrode 31 b, 32b ist. In diesem Text wird unter Gegenpol einer ersten Elektrode eine zweite Elektrode verstanden, die auf einem höheren Potential liegt als die erste Elektrode, insbesondere also eine andere Polarität aufweist. Bei Wechselspannung bezieht sich diese Definition auf das momentane Potential beziehungsweise die momentane Polarität zu einem bestimmten Zeitpunkt. The electrical power supply 170 is designed in particular in FIG. 3 in such a way that the first electrode 31a is the opposite pole to the second and fourth electrodes 31b, 32b and the third electrode 32a is the opposite pole to the second and fourth electrodes 31b, 32b. In this text, the term opposite pole of a first electrode is understood to mean a second electrode which is at a higher potential than the first electrode, that is to say in particular has a different polarity. In the case of AC voltage, this definition refers to the instantaneous potential or the instantaneous polarity at a certain point in time.
Figur 4 zeigt eine Ausführungsform der Erfindung, bei der die elektrische Figure 4 shows an embodiment of the invention, in which the electrical
Leistungsversorgung 170 derart ausgelegt sind, dass die Elektroden 31 a, 32a Power supply 170 are designed such that the electrodes 31 a, 32 a
beziehungsweise 31 b, 32b mit Spannung gleicher Phase, optional auch gleicher Amplitude betrieben werden. Anders ausgedrückt, ist die erste Elektrode 31 a Gegenpol zur zweiten und vierten Elektrode 31 b, 32b und die dritte Elektrode 32a Gegenpol zur zweiten und vierten Elektrode 31 b, 32b. or 31 b, 32 b are operated with voltage equal phase, optionally the same amplitude. In other words, the first electrode 31 a opposite pole to the second and Fourth electrode 31 b, 32 b and the third electrode 32 a opposite pole to the second and fourth electrodes 31 b, 32 b.
Figur 5 zeigt eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung, bei der die elektrischen Leistungsversorgung 170 derart ausgelegt, dass die Elektroden 31 a, 31 b beziehungsweise 32a, 32b mit Spannung gleicher Phase, optional auch gleicher Amplitude betrieben werden. Anders ausgedrückt ist die erste Elektrode 31 a Gegenpol zur vierten Elektrode 32b und die dritte Elektrode 32a Gegenpol zur zweiten Elektrode 31 b. FIG. 5 shows a preferred embodiment of the invention in which the electrical power supply 170 is designed such that the electrodes 31 a, 31 b or 32 a, 32 b are operated with voltage of the same phase, optionally also the same amplitude. In other words, the first electrode 31 a opposite pole to the fourth electrode 32 b and the third electrode 32 a opposite pole to the second electrode 31 b.
Die Erfindung ermöglicht eine signifikante Erhöhung der Plasma-CVD-Beschichtungsrate gegenüber bestehenden Anlagen bei Einsatz gleicher Menge an Reaktivgas und gleicher Plasmaleistung. Hierzu zeigt Figur 6 die Ergebnisse K, L und M von Testbeschichtungen mit verschiedenen Vorrichtungen zur Vakuumbeschichtung, wobei K, L die Ergebnisse für Anlagen mit zwei Elektroden und M die Ergebnisse mit einer erfindungsgemäßen The invention enables a significant increase in the plasma CVD coating rate over existing systems using the same amount of reactive gas and the same plasma power. For this purpose, FIG. 6 shows the results K, L and M of test coatings with different devices for vacuum coating, K, L the results for systems with two electrodes and M the results with a device according to the invention
Vorrichtung mit vier Elektroden, in einer Anordnung wie in Figur 2a bezeichnet. Dargestellt sind Ergebnisse für die Dicke der abgeschiedenen Schichten für die Abscheidung von plasmapolymerisiertem Hexamethyldisiloxan (HMDSO) auf Aluminium-Substraten bei einem Reaktivgasfluss von l OOsccm HMDSO innerhalb von 150 sec. und ansonsten gleichen Prozessparametern. Erkennbar ist die Verdoppelung der Schichtdicke bei der Erfindung. Die Qualität der Beschichtung war in allen Fällen gleich. Device with four electrodes, in an arrangement as indicated in Figure 2a. Shown are results for the thickness of the deposited layers for the deposition of plasma-polymerized hexamethyldisiloxane (HMDSO) on aluminum substrates at a reactive gas flow of 10 OOsccm HMDSO within 150 sec. And otherwise the same process parameters. Visible is the doubling of the layer thickness in the invention. The quality of the coating was the same in all cases.
Bezugszeichenliste LIST OF REFERENCE NUMBERS
Vorrichtung contraption
Sputterbeschichtungseinrichtung Sputterbeschichtungseinrichtung
' Verdampfungsbeschichtungseinrichtung Evaporative coating device
Ladetür  loading door
Anschlüsse  connections
Substratträgereinrichtung  Substrate support means
Raumbereich  space area
Raumbereich  space area
Raumbereich space area
a Elektrodea electrode
a1 Anregungsflächea1 excitation surface
b Elektrodeb electrode
b1 Anregungsflächeb1 excitation area
c Elektrodec electrode
c1 Anregungsflächec1 excitation surface
d Verbindungslinie zwischen Kanten der Elektroden 30b und 30ce Verbindungslinie zwischen Kanten der Elektroden 30b und 30ca erste Elektrode d connecting line between edges of the electrodes 30b and 30ce connecting line between edges of the electrodes 30b and 30ca first electrode
a1 Anregungsflächea1 excitation surface
b zweite Elektrode b second electrode
b1 Anregungsflächeb1 excitation area
a dritte Elektrodea third electrode
a1 Anregungsflächea1 excitation surface
b vierte Elektrodeb fourth electrode
b1 Anregungsfläche b1 excitation area
Längsachse  longitudinal axis
Pylon pylon
1 elektrische Verbindungsleitung1 electrical connection line
2 elektrische Verbindungsleitung2 electrical connection line
3 elektrische Verbindungsleitung3 electrical connection line
4 elektrische Verbindungsleitung4 electrical connection line
0 elektrische Leistungsversorgung0 electrical power supply
0a Anschluss0a connection
0b Anschluss0b connection
1 elektrische Verbindungsleitung 172 elektrische Verbindungsleitung 1 electrical connection line 172 electrical connection line
173 elektrische Verbindungsleitung  173 electrical connection line
175 Vakuumkammer 175 vacuum chamber
175a,b,c Kammerwand  175a, b, c chamber wall
I Teilbereich in Bezugssystem  I subarea in reference system
II Teilbereich in Bezugssystem  II subarea in reference system
III Teilbereich in Bezugssystem  III subarea in reference system
A, B, C Teilungspunkte in trigonalen Bezugssystem A, B, C Division points in trigonal frame of reference
K, L, M Messwerte von Plasma-Beschichtungsanlagen K, L, M Measured values of plasma coating equipment

Claims

Neue Patentansprüche New claims
Vorrichtung zur Vakuumbeschichtung von Substraten in einer Vakuumkammer (175) mit Device for vacuum coating of substrates in a vacuum chamber (175) with
- einer Substratträgereinrichtung (21 ) mit einem um eine Längsachse (40) drehbaren Pylon (41 ) mit Halterungsmitteln für Substrate und - A substrate support means (21) having a about a longitudinal axis (40) rotatable pylon (41) with support means for substrates and
- einer dem Pylon (41 ) zugeordneten Plasma-CVD-Entladungseinrichtung dadurch gekennzeichnet, dass  - One of the pylon (41) associated with plasma CVD discharge device characterized in that
- die Plasma-CVD-Entladungseinrichtung mehr als zwei plattenförmige - The plasma CVD discharge device more than two plate-shaped
Anregungsflächen aufweisende Elektroden umfasst, deren Anregungsflächen sämtlich auf den Pylon (41 ) orientiert sind und  Includes electrodes having excitation surfaces whose excitation surfaces are all oriented on the pylon (41) and
- eine Leistungsversorgungseinrichtung zur Anregung einer Plasmaentladung, mittels zumindest einer an wenigsten zwei der Elektroden angelegten elektrischen Spannung vorgesehen ist, wobei das angeregte Plasma zumindest Teile des Pylon (41 ) und an diesen anordenbaren Substraten beaufschlagt.  a power supply device is provided for exciting a plasma discharge by means of at least one electrical voltage applied to at least two of the electrodes, the excited plasma acting on at least parts of the pylon (41) and substrates arranged thereon.
Vorrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass Apparatus according to claim 1, characterized in that
a) die Plasma-CVD-Entladungseinrichtung eine Gruppe von zumindest drei a) the plasma CVD discharge device is a group of at least three
plattenförmigen Elektroden aufweist, wobei  plate-shaped electrodes, wherein
- eine erste Elektrode (30a) mit einer ersten Anregungsfläche (30a1 ), eine  a first electrode (30a) having a first excitation surface (30a1), a
zweite Elektrode (30b) mit einer zweiten Anregungsfläche (30b1 ) und eine dritte Elektrode (30c) mit einer dritten Anregungsfläche (30c1 ) vorgesehen ist, wobei die Anregungsflächen (30a1 , 30b1 , 30c1 ) sämtlich auf den Pylon (41 ) orientiert sind und  second electrode (30b) having a second excitation surface (30b1) and a third electrode (30c) having a third excitation surface (30c1), wherein the excitation surfaces (30a1, 30b1, 30c1) are all oriented on the pylon (41) and
- eine Leistungsversorgungseinrichtung (170) zur Anregung einer  - A power supply means (170) for exciting a
Plasmaentladung, mittels zumindest einer an wenigsten zwei der Elektroden (30a, 30b, 30c) angelegten elektrischen Spannung vorgesehen ist, wobei das angeregte Plasma zumindest Teile des Pylon (41 ) und an diesen  Plasma discharge, by means of at least one of at least two of the electrodes (30a, 30b, 30c) applied electrical voltage is provided, wherein the excited plasma at least parts of the pylon (41) and to this
anordenbaren Substraten beaufschlagt,  applied to arranged substrates,
oder or
b) die Plasma-CVD-Entladungseinrichtung eine Gruppe von zumindest vier b) the plasma CVD discharger is a group of at least four
plattenförmigen Elektroden aufweist, wobei - eine erste Elektrode (30a) mit einer ersten Anregungsfläche (30a1 ), eine zweite Elektrode (31 b) mit einer zweiten Anregungsfläche (31 b1 ), eine dritte Elektrode (32a) mit einer dritten Anregungsfläche (32a1 ) und eine vierte Elektrode (32b) mit einer vierten Anregungsfläche (32b1 ) vorgesehen ist, wobei die Anregungsflächen (30a1 , 31 b1 , 32a1 , 32b1 ) sämtlich auf den Pylon (41 ) orientiert sind, plate-shaped electrodes, wherein a first electrode (30a) having a first excitation surface (30a1), a second electrode (31b) having a second excitation surface (31b1), a third electrode (32a) having a third excitation surface (32a1) and a fourth electrode (32b ) is provided with a fourth excitation surface (32b1), wherein the excitation surfaces (30a1, 31b1, 32a1, 32b1) are all oriented on the pylon (41),
- wobei eine Leistungsversorgungseinrichtung (170) zur Anregung einer  - wherein a power supply means (170) for exciting a
Plasmaentladung mittels zumindest einer an wenigstens zwei der Elektroden (31 a, 31 b, 32a, 32b) angelegten Spannung vorgesehen ist, wobei das angeregte Plasma zumindest Teile des Pylon (41 ) und an diesen anordenbaren Substraten beaufschlagt.  Plasma discharge is provided by means of at least one of at least two of the electrodes (31 a, 31 b, 32 a, 32 b) applied voltage, wherein the excited plasma acts on at least parts of the pylon (41) and these can be arranged on substrates.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2 Ziffer a), dadurch gekennzeichnet, dass die erste, 3. Apparatus according to claim 2, numeral a), characterized in that the first,
zweite und dritte Elektrode (30a, 30b, 30c) relativ zueinander in einer derartigen geometrischen Konfiguration angeordnet sind, dass die Vorrichtung bei einer gegebenen Plasmaleistung mit einer höheren Beschichtungsrate der Substrate betreibbar ist, als der maximalen Beschichtungsrate der Substrate bei nur zwei Mitgliedern der aus der ersten, zweiten und dritten Elektrode (30a, 30b, 30c) bestehenden Gruppe in der Vakuumkammer (175).  second and third electrodes (30a, 30b, 30c) are disposed relative to one another in such a geometric configuration that the device is operable at a given plasma power with a higher coating rate of the substrates than the maximum coating rate of the substrates for only two members of first, second and third electrode (30a, 30b, 30c) existing group in the vacuum chamber (175).
4. Vorrichtung nach Anspruch 2 Ziffer b), dadurch gekennzeichnet, dass, 4. Device according to claim 2 number b), characterized in that,
die erste, zweite, dritte und vierte Elektrode (31 a, 30b, 32a, 32b) relativ zueinander in einer derartigen geometrischen Konfiguration angeordnet sind, dass die Vorrichtung bei einer gegebenen Plasmaleistung mit einer höheren Beschichtungsrate der Substrate betreibbar ist, als der maximalen Beschichtungsrate der Substrate bei nur zwei Mitgliedern der aus der ersten, zweiten dritten und vierten Elektrode (31 a, 31 b, 32a, 32b) bestehenden Gruppe in der Vakuumkammer (175).  the first, second, third and fourth electrodes (31a, 30b, 32a, 32b) are disposed relative to one another in such a geometric configuration that the device is operable at a higher plasma coating rate for a given plasma power than the maximum coating rate of the substrates Substrates in only two members of the first, second third and fourth electrode (31 a, 31 b, 32 a, 32 b) existing group in the vacuum chamber (175).
5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 2 bis 4, dadurch 5. Device according to one of the preceding claims 2 to 4, characterized
gekennzeichnet, dass im Fall Ziffer a) die erste, zweite und dritte Elektrode (30a, 30b, 32a) relativ zueinander in einer derartigen geometrischen Konfiguration angeordnet sind, dass für höchstens zwei Mitglieder der aus der ersten, zweiten und dritten Elektrode (30a, 30b, 32a) bestehenden Gruppe die Anregungsflächen (30a1 , 30b1 , 32a1 ) dieser Mitglieder nicht durch eine geometrisch gerade Linie verbindbar sind oder  characterized in that, in case a), the first, second and third electrodes (30a, 30b, 32a) are arranged relative to each other in such a geometric configuration that for at most two members of the first, second and third electrodes (30a, 30b , 32a) existing group, the excitation surfaces (30a1, 30b1, 32a1) of these members are not connectable by a geometrically straight line, or
im Fall Ziffer b) die erste, zweite, dritte und vierte Elektroden (31 a, 31 b, 32a, 32b) relativ zueinander in einer derartigen geometrischen Konfiguration angeordnet sind, dass für höchstens drei Mitglieder der aus der ersten, zweiten, dritten und vierten Elektrode (31 a, 31 b, 32a, 32b) bestehenden Gruppe die Anregungsflächen (31 a1 , 31 b1 , 32a1 , 32b1 ) dieser Mitglieder nicht durch eine geometrisch gerade Linie verbindbar sind. in the case of (b), the first, second, third and fourth electrodes (31a, 31b, 32a, 32b) are arranged relative to each other in such a geometric configuration that, for at most three members, those of the first, second, third and fourth Electrode (31 a, 31 b, 32 a, 32 b) group the excitation surfaces (31 a1, 31 b1, 32a1, 32b1) of these members are not connectable by a geometrically straight line.
6. Vorrichtung nach einem der auf Anspruch 2 folgenden Ansprüche, dadurch 6. Device according to one of the claims 2 to claim, characterized
gekennzeichnet, dass  marked that
- im Fall Ziffer a) die erste, zweite und dritte Elektrode (30a, 30b, 30c) relativ  in case a), the first, second and third electrodes (30a, 30b, 30c) are relative
zueinander und zum Pylon (41 ) in einer derartigen geometrischen Konfiguration angeordnet sind, dass für zumindest zwei Mitglieder der aus der ersten, zweiten und dritten Elektrode (30a, 30b, 30c) bestehenden Gruppe zumindest Teilbereiche des Pylon (41 ) mit in diesen Bereichen anordenbaren Substraten sich in den zwischen den Anregungsflächen (30a1 , 30b1 , 30c1 ) der zumindest zwei Mitglieder liegenden Raumbereich (30e) erstrecken, oder  to each other and to the pylon (41) are arranged in such a geometric configuration that at least two members of the group consisting of the first, second and third electrode (30a, 30b, 30c) at least portions of the pylon (41) with in these areas can be arranged Substrates extend into the space region (30e) lying between the excitation surfaces (30a1, 30b1, 30c1) of the at least two members, or
- dass im Fall Ziffer b) die erste, zweite, dritte und vierte Elektrode (31 a, 31 b, 32a, 32b) relativ zueinander und zum Pylon (41 ) in einer derartigen geometrischen Konfiguration angeordnet sind, dass für zumindest zwei Mitglieder der aus der ersten, zweiten, dritten und vierten Elektrode (31 a, 31 b, 32a, 32b) bestehenden Gruppe zumindest Teilbereiche des Pylon (41 ) mit in diesen Bereichen  - That in case b) the first, second, third and fourth electrodes (31 a, 31 b, 32 a, 32 b) relative to each other and the pylon (41) are arranged in such a geometric configuration that for at least two members of The first, second, third and fourth electrode (31 a, 31 b, 32 a, 32 b) existing group at least partial areas of the pylon (41) with in these areas
anordenbaren Substraten sich in den zwischen den Anregungsflächen (31 a1 , 31 b1 , 32a1 , 32b1 ) der zumindest zwei Mitglieder liegenden Raumbereich (25, 26) erstrecken.  can be arranged substrates in the lying between the excitation surfaces (31 a1, 31 b1, 32a1, 32b1) of the at least two members space area (25, 26) extend.
7. Vorrichtung nach einem der auf Anspruch 2 folgenden Ansprüche, dadurch 7. Device according to one of the claims 2 to claim, characterized
gekennzeichnet, dass die zumindest eine Spannung eine Wechselspannung, vorzugsweise mit definierter Frequenz, Amplitude oder Phase, oder eine gepulste Spannung, vorzugsweise mit definierter Pulsfrequenz oder Amplitude, ist.  in that the at least one voltage is an alternating voltage, preferably with a defined frequency, amplitude or phase, or a pulsed voltage, preferably with a defined pulse frequency or amplitude.
8. Vorrichtung nach einem der auf Anspruch 2 folgenden Ansprüche, dadurch 8. Device according to one of the claims 2 to claim, characterized
gekennzeichnet, dass soweit zurückbezogen auf Ziffer a) für zumindest eine  characterized in that as far as referring back to item a) for at least one
Elektrode (30a, 30b, 30c) der aus der ersten, zweiten und dritten Elektrode (30a, 30b, 30c) bestehenden Gruppe und soweit zurückbezogen auf Ziffer b) für zumindest eine Elektrode (31 a, 31 b, 32a, 32b) der aus der ersten, zweiten, dritten und vierten Elektrode (31 a, 31 b, 32a, 32b) bestehenden Gruppe die Spannung separat regelbar oder steuerbar ist.  Electrode (30a, 30b, 30c) of the group consisting of the first, second and third electrodes (30a, 30b, 30c) and as far as referring back to item b) for at least one electrode (31 a, 31 b, 32 a, 32 b) of the first, second, third and fourth electrode (31 a, 31 b, 32 a, 32 b) group, the voltage is separately controlled or controlled.
9. Vorrichtung nach einem der auf Anspruch 2 folgenden Ansprüche, dadurch 9. Device according to one of the claims 2 to claim, characterized
gekennzeichnet, dass  marked that
- im Fall Ziffer a) die erste, zweite und dritte Elektrode (30a, 30b, 30c) relativ zueinander in einer derartigen geometrischen Konfiguration angeordnet sind, dass für zumindest zwei Mitglieder der aus der ersten, zweiten und dritten Elektrode (30a, 30b, 30c) bestehenden Gruppe die Flächennormalen-Vektoren der in case a), the first, second and third electrodes (30a, 30b, 30c) are arranged relative to each other in such a geometric configuration that for at least two members of the first, second and third electrodes (30a, 30b, 30c) group the surface normal vectors of
Anregungsflächen (30a1 , 30b1 , 30c1 ) im wesentlich senkrecht zueinander stehen,  Excitation surfaces (30a1, 30b1, 30c1) are substantially perpendicular to each other,
- im Fall Ziffer b) die erste, zweite, dritte und vierte Elektrode (31 a, 31 b, 32a, 32b) relativ zueinander in einer derartigen geometrischen Konfiguration angeordnet ist, dass für zumindest zwei Mitglieder der aus der ersten, zweiten, dritten und vierten Elektrode (31 a, 31 b, 32a, 32b) bestehenden Gruppe die Flächennormalen- Vektoren der Anregungsflächen (31 a1 , 31 b1 , 32a1 ) im wesentlich senkrecht zu einander stehen, - In the case of paragraph b), the first, second, third and fourth electrodes (31 a, 31 b, 32 a, 32 b) is arranged relative to each other in such a geometric configuration that for at least two members of the first, second, third and Fourth electrode (31 a, 31 b, 32 a, 32 b) group, the surface normal vectors of the excitation surfaces (31 a1, 31 b1, 32 a1) are substantially perpendicular to each other,
10. Vorrichtung nach einem der auf Anspruch 2 folgenden Ansprüche, dadurch 10. Device according to one of the claims 2 to claim, characterized
gekennzeichnet, dass  marked that
- im Fall Ziffer a) zumindest eine Elektrode (30a, 30b, 32a) der aus der ersten, zweiten und dritten Elektrode (30a, 30b, 30c, 32b) bestehenden Gruppe und in case a), at least one electrode (30a, 30b, 32a) of the group consisting of the first, second and third electrodes (30a, 30b, 30c, 32b) and
- im Fall Ziffer b) zumindest eine Elektrode (31 a, 31 b, 30c, 32b) der aus der ersten, zweiten, dritten und vierten Elektrode (31 a, 31 b, 32a, 32b) bestehenden Gruppe- In the case of paragraph b) at least one electrode (31 a, 31 b, 30 c, 32 b) of the first, second, third and fourth electrode (31 a, 31 b, 32 a, 32 b) existing group
- einem Befestigungsbereich der Vakuumkammerwand (175a, 175b) zugeordnet ist und eine Formgestaltung aufweist, die der Formgestaltung der Kammerwand (175a, 175b) in dem zugeordneten Befestigungsbereich entspricht, an attachment region of the vacuum chamber wall (175a, 175b) is associated and has a shape that corresponds to the shape of the chamber wall (175a, 175b) in the associated attachment region,
- wobei die zumindest eine Elektrode mit gegenüber der Vakuumkammer elektrisch isolierenden Befestigungsmitteln an der Vakuumkammer (175) befestigt ist, derart dass die Rückseitenfläche dieser zumindest einen Elektrode einen Abstand von der Kammerwand (175a, 175b) in dem zugeordneten Befestigungsbereich der Kammerwand (175a, 175b) aufweist, der geringer ist als der Dunkelraumabstand bei bestimmungsgemäßem Betrieb der Vorrichtung.  wherein the at least one electrode is fastened to the vacuum chamber (175) with fixing means electrically insulated from the vacuum chamber, such that the rear surface of said at least one electrode is spaced from the chamber wall (175a, 175b) in the associated mounting area of the chamber wall (175a, 175b ), which is less than the dark space distance during normal operation of the device.
1 1 . Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Kammerwand (175a, 175b) in zumindest einem zugeordneten Befestigungsbereich eine ebene Oberfläche und die zumindest eine Elektrode eine ebene Rückseitenfläche aufweist. 1 1. Apparatus according to claim 10, characterized in that the chamber wall (175a, 175b) in at least one associated mounting region has a flat surface and the at least one electrode has a flat rear side surface.
12. Vorrichtung nach Anspruch 10 oder 1 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die 12. The apparatus of claim 10 or 1 1, characterized in that the
Kammerwand (175a, 175b) in zumindest einem zugeordneten Befestigungsbereich eine gekrümmte Oberfläche und die zumindest eine Elektrode eine entsprechend dem Befestigungsbereich gekrümmte Rückseitenfläche aufweist.  Chamber wall (175a, 175b) in at least one associated mounting region has a curved surface and the at least one electrode has a correspondingly curved in accordance with the mounting area back surface.
13. Vorrichtung nach einem der auf Anspruch 2 folgenden Ansprüche, dadurch 13. Device according to one of the claims 2 to claim, characterized
gekennzeichnet, dass die Vorrichtung eine dem Pylon (41 ), vorzugsweise zur Metallisierung der Substrate, zugeordnete Sputter- oder  in that the device has a sputtering or pylon (41), preferably for the metallization of the substrates
Verdampferbeschichtungseinrichtung (10, 10') umfasst. Evaporator coating device (10, 10 ') comprises.
14. Vorrichtung nach einem der auf Anspruch 2 folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Sputterelement der Sputtereinrichtung (10) oder ein Verdampferelement der Verdampfereinrichtung (10') in einem Bereich der Vakuumkammer (175) angeordnet ist, der im Fall Ziffer a) zwischen zwei Mitgliedern der aus der ersten, zweiten und dritten Elektrode (31 a, 30b, 30c, 32b) bestehenden Gruppe und im Fall Ziffer b) zwischen zwei Mitgliedern der aus der ersten, zweiten, dritten und vierten Elektrode (31 a, 31 b, 30c, 32b) bestehenden Gruppe angeordnet ist. 14. Device according to one of the claims 2 to claim 2, characterized in that at least one sputtering element of the sputtering device (10) or an evaporator element of the evaporator device (10 ') is arranged in a region of the vacuum chamber (175) which in case a) between two members of the group consisting of the first, second and third electrodes (31a, 30b, 30c, 32b) and in the case of item b) between two members of the first, second, third and fourth electrodes (31a, 31b , 30c, 32b) existing group is arranged.
15. Vorrichtung nach einem der auf Anspruch 2 folgenden Ansprüche, dadurch 15. Device according to one of the claims 2 to claim, characterized
gekennzeichnet, dass im Fall Ziffer a) in Projektion auf ein senkrecht zur Längssache (40) angeordnetes ebenes trigonales kreisförmiges Bezugssystem die erste Elektrode (30a) im ersten Segment (I), die zweite Elektrode (30b) im zweiten Segment (II) und die dritte Elektrode (30c) im dritten Segment (III) oder die erste Elektrode (30a) im ersten Segment (I), die zweite Elektrode (30b) im dritten Segment (III) und die dritte Elektrode (30c) im zweiten Segment (II) angeordnet ist, wobei die Segmente (I, II, III) in Uhrzeigerrichtung nummeriert sind und das Bezugssystem ferner durch den kleinsten Kreis festgelegt ist, welcher die Projektion aller Elektroden (30a, 30b, 30c) umschreibt.  characterized in that, in case a), the first electrode (30a) in the first segment (I), the second electrode (30b) in the second segment (II) and in projection on a plane trigonal circular reference system arranged perpendicular to the longitudinal axis (40) third electrode (30c) in the third segment (III) or the first electrode (30a) in the first segment (I), the second electrode (30b) in the third segment (III) and the third electrode (30c) in the second segment (II) is arranged, wherein the segments (I, II, III) are numbered in the clockwise direction and the reference system is further defined by the smallest circle, which circumscribes the projection of all the electrodes (30a, 30b, 30c).
16. Vorrichtung nach einem der auf Anspruch 2 folgenden Ansprüche, dadurch 16. Device according to one of the claims 2 to claim, characterized
gekennzeichnet, dass im Fall b) in Projektion auf ein in einer senkrecht zur  characterized in that in case b) in projection on a in a perpendicular to
Längsachse (40) angeordnetes ebenes kartesisches Bezugssystem mit einem ersten, zweiten, dritten und vierten Quadranten (I, II, III, IV) die erste Elektrode (31 a) im ersten Quadranten (I), die zweite Elektrode (31 b) im zweiten Quadranten (II), die dritte Elektrode (32a) im dritten Quadranten (III) und die vierte Elektrode (32b) im vierten Quadranten (IV) angeordnet ist, oder dass die Elektroden in einer der  Longitudinal axis (40) arranged planar Cartesian reference system having a first, second, third and fourth quadrant (I, II, III, IV), the first electrode (31 a) in the first quadrant (I), the second electrode (31 b) in the second Quadrant (II), the third electrode (32a) in the third quadrant (III) and the fourth electrode (32b) in the fourth quadrant (IV) is arranged, or that the electrodes in one of
Permutationen dieser Anordnung angeordnet sind, wobei die Quadranten (I, II, III, IV) in Uhrzeigerrichtung nummeriert sind und das Bezugssystem ferner dadurch festgelegt ist durch das kleinste Quadrat, welches die Projektion aller Elektroden (31 a, 31 b, 32a, 32b) umschreibt.  Permutations of this arrangement are arranged, wherein the quadrants (I, II, III, IV) are numbered in the clockwise direction and the reference system is further defined by the smallest square which the projection of all electrodes (31 a, 31 b, 32 a, 32 b) rewrites.
17. Vorrichtung nach einem der auf Anspruch 2 folgenden Ansprüche, dadurch 17. Device according to one of the claims 2 to claim, characterized
gekennzeichnet, dass im Fall Ziffer a) ein Mitglied der aus der ersten, zweiten und dritten Elektrode (30a, 30b, 30c) bestehenden Gruppe eine Anregungsfläche aufweist, die eine Größe 3G aufweist, die zwischen 0,5* 3G2 und 1 ,5* 3G2 liegt, wobei 3G2 die Gesamtfläche der Anregungsflächen der beiden anderen Mitglieder der Gruppe ist. characterized in that, in case a), a member of the group consisting of the first, second and third electrodes (30a, 30b, 30c) has an excitation surface having a size 3G between 0.5 * 3G2 and 1, 5 * 3G2, where 3G2 is the total area of the excitation areas of the other two members of the group.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Größe 3G im Wesentlichen gleich der Größe 3G2 ist. Device according to claim 17, characterized in that the size 3G is substantially equal to the size 3G2.
19. Vorrichtung nach einem der auf Anspruch 2 folgenden Ansprüche, dadurch 19. Device according to one of the claims 2 to claim, characterized
gekennzeichnet, dass im Fall Ziffer b) zwei oder drei Mitglieder der aus der ersten, zweiten, dritten und vierten Elektrode (31 a, 31 b, 32a, 32b) bestehenden Gruppe Anregungsflächen mit einer Gesamtfläche von G aufweisen, wobei G zwischen 0,5* G' und 1 ,5* G' liegt, wobei G' die Gesamtfläche der Anregungsflächen der anderen Mitglieder oder des anderen Mitglieds der Gruppe ist. characterized in that, in case (b), two or three members of the group consisting of the first, second, third and fourth electrodes (31a, 31b, 32a, 32b) have excitation areas with a total area of G, where G is between 0.5 * G 'and 1, 5 * G', where G 'is the total area of the excitation surfaces of the other members or the other member of the group.
20. Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Größe G im 20. The apparatus according to claim 19, characterized in that the size G in
Wesentlichen gleich der Größe G' ist.  Is substantially equal to the size G '.
21 . Vorrichtung nach einem der auf Anspruch 2 folgenden Ansprüche, dadurch 21. Device according to one of the claims following claim 2, characterized
gekennzeichnet, dass im Fall Ziffer a) zwei Mitglieder der aus der ersten, zweiten und dritten Elektrode (30a, 30b, 30c) bestehenden Gruppe mit Wechselspannung mit gleicher Phase betrieben werden.  characterized in that, in case a), two members of the group consisting of the first, second and third electrodes (30a, 30b, 30c) are operated with alternating voltage having the same phase.
22. Vorrichtung nach Anspruch 21 , dadurch gekennzeichnet, dass die Größe der 22. The apparatus according to claim 21, characterized in that the size of
Anregungsflächen der zwei Mitglieder in der Summe gleich der Größe der  Excitation areas of the two members in the sum equal to the size of the
Anregungsfläche des anderen Mitglieds der Gruppe ist.  Is the stimulus of the other member of the group.
23. Vorrichtung nach einem der auf Anspruch 2 folgenden Ansprüche, dadurch 23. Device according to one of the claims 2 to claim, characterized
gekennzeichnet, dass im Fall Ziffer b) zwei Mitglieder der aus der ersten, zweiten, dritten und vierten Elektrode (31 a, 31 b, 32a, 32b) bestehenden Gruppe mit einer Wechselspannung mit gleicher Phase betrieben werden.  characterized in that in case number b) two members of the first, second, third and fourth electrode (31 a, 31 b, 32 a, 32 b) existing group are operated with an AC voltage with the same phase.
24. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden anderen Mitglieder der Gruppe mit einer Wechselspannung mit gleicher Phase, aber anderer Phase als die ersten zwei Mitglieder betrieben werden. 24. The device according to claim 23, characterized in that the other two members of the group are operated with an AC voltage having the same phase but different phase than the first two members.
25. Vorrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass in Projektion auf ein in einer senkrecht zur Längsachse (40) angeordnetes ebenes kartesisches 25. The apparatus according to claim 24, characterized in that in projection on a in a direction perpendicular to the longitudinal axis (40) arranged flat Cartesian
Bezugssystem mit einem ersten, zweiten, dritten und vierten Quadranten (I, II, III, IV) die ersten zwei Mitglieder im ersten und/oder zweiten Quadranten und die beiden anderen Mitglieder im dritten und/oder vierten Quadranten liegen. Reference system with a first, second, third and fourth quadrant (I, II, III, IV) are the first two members in the first and / or second quadrant and the other two members in the third and / or fourth quadrant.
26. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass in Projektion auf ein in einer senkrecht zur Längsachse (40) angeordnetes ebenes kartesisches 26. The device according to claim 25, characterized in that in projection on a in a direction perpendicular to the longitudinal axis (40) arranged flat Cartesian
Bezugssystem mit einem ersten, zweiten, dritten und vierten Quadranten (I, II, III, IV) die ersten zwei Mitglieder im ersten und/oder dritten Quadranten und die beiden anderen Mitglieder im zweiten und/oder vierten Quadranten liegen.  Reference system with a first, second, third and fourth quadrant (I, II, III, IV) are the first two members in the first and / or third quadrant and the other two members in the second and / or fourth quadrant.
27. Vorrichtung nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass in Projektion auf ein in einer senkrecht zur Längsachse (40) angeordnetes ebenes kartesisches 27. The device according to claim 26, characterized in that in projection on a in a direction perpendicular to the longitudinal axis (40) arranged flat Cartesian
Bezugssystem mit einem ersten, zweiten, dritten und vierten Quadranten (I, II, III, IV) die ersten zwei Mitglieder im ersten und/oder vierten Quadranten und die beiden anderen Mitglieder im zweiten und/oder dritten Quadranten liegen.  Reference system with a first, second, third and fourth quadrant (I, II, III, IV) are the first two members in the first and / or fourth quadrant and the other two members in the second and / or third quadrant.
28. Vorrichtung nach Anspruch 25 bist 27, dadurch gekennzeichnet, dass alle Mitglieder der Gruppe im Wesentlichen gleich große Anregungsflächen aufweisen. 28. The apparatus of claim 25 is 27, characterized in that all members of the group have substantially equal sized excitation surfaces.
29. Verfahren zur Vakuumbeschichtung von Substraten in einer Vakuumkammer (175), dadurch gekennzeichnet, dass die Vakuumbeschichtung mittels einer Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche erfolgt. 29. A method for vacuum coating of substrates in a vacuum chamber (175), characterized in that the vacuum coating is carried out by means of a device according to one of the preceding claims.
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