EP3376267A1 - Interference filter - Google Patents

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EP3376267A1
EP3376267A1 EP18161331.6A EP18161331A EP3376267A1 EP 3376267 A1 EP3376267 A1 EP 3376267A1 EP 18161331 A EP18161331 A EP 18161331A EP 3376267 A1 EP3376267 A1 EP 3376267A1
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filter
thickness
layer
dielectric material
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Definitions

  • the present application relates to an interference filter, in particular for an image sensor, and a method of manufacturing such an interference filter.
  • matrices of interference filters in particular for image sensors, also called imagers, in the visible, infra-red (in particular 650 nm to 1050 nm) and / or ultraviolet, which require to separate several frequency ranges.
  • imagers in the visible, infra-red (in particular 650 nm to 1050 nm) and / or ultraviolet, which require to separate several frequency ranges.
  • a filter matrix is also called a pixellated filter, a filter pixel, or elementary filter, corresponding to the smallest element of the filter having the same filtering properties.
  • a pixelated filter corresponds to a color image sensor.
  • the pixelized filter may then comprise first filter pixels allowing the red light to pass, second filter pixels allowing the green light to pass and third pixels of the filter allowing the blue light to pass.
  • the pixels of the filter can then have substantially the same lateral dimensions as the photodetection sites of the sensor.
  • a pixelated filter corresponds to an image sensor with spectral shift compensation at spatially variable incidence.
  • the radiation that reaches the sensor may have an impact, relative to the exposed face of the sensor, which increases as one moves away from the center of this face.
  • the pixelized filter may then comprise different filter pixels receiving the radiation at different incidences, the spectral responses of each filter pixel being substantially identical regardless of the incidence.
  • An interference filter is formed by a stack of several layers.
  • an interference filter may comprise a stack of metal semi-reflecting layers separated by dielectric layers and / or an alternation of dielectric layers having different refractive indices, also called optical indices thereafter.
  • the thicknesses of the filter layers depend on the desired filtering properties.
  • the production of a pixelated filter requires the realization of dielectric layers having different thicknesses depending on the filter pixel considered.
  • the method of manufacturing the pixelated filter then generally comprises depositing a dielectric layer over the entire structure and etching the dielectric layer to keep the dielectric layer only on certain filter pixels.
  • the next dielectric or metallic layer is then deposited on a surface having reliefs or steps, resulting in a transfer of this layer layer relief to the top of the stack.
  • the layer deposits are at least partially compliant, that is, the layer is deposited not only on the horizontal surfaces in the plane of the layers, but also on the sides of the previously etched layers. It thus forms a lateral spacer, or transition zone, with each successive deposit as soon as a relief is present.
  • the dimension Lateral of the transition zone between two adjacent filter pixels therefore increases as the deposits, between the initial relief and the top of the stack.
  • a disadvantage is that if a portion of the light reaches the spacers, this results in a loss of diffusion signal and / or distortion of the spectral responses of the filter pixels. These losses can become significant when the width of the spacers is not negligible compared to the lateral dimension, or size, of the filter pixel. This can especially occur in the case of small filter pixels, whose lateral dimension is less than 2 microns, even when the layers of the interference filter have a thickness of a few hundred nanometers. This can also occur for larger filter pixels, whose lateral dimension is greater than 2 ⁇ m, with layers of the interference filter of a few micrometers.
  • the document US8933389B2 discloses an optical filter comprising pads of nanometric dimensions made in a first dielectric material and embedded in a layer of a second dielectric material having a different refractive index, the space between the pads and the lateral dimensions of the pads being adjusted according to desired filtering.
  • a disadvantage of such a filter is that the gap between the pads must be well below the wavelength of the filtered radiation.
  • the manufacture of the pads then requires high resolution lithography methods, for example dip lithography methods or electronic lithography methods.
  • immersion lithography processes are generally used on an industrial scale only for the first steps of manufacturing an integrated circuit, in particular for the manufacture of MOS transistors.
  • electronic lithography processes generally have write speeds that are too low for application on an industrial scale.
  • An object of an embodiment is to overcome all or part of the disadvantages of interference filters and their manufacturing processes described above.
  • Another object of an embodiment is that the interference filter can be fabricated with standard optical lithography equipment.
  • Another object of an embodiment is that the lateral dimensions of the spacers of the interference filter are reduced.
  • the interference filter further comprises a fourth dielectric portion of the first dielectric material or first dielectric materials, the fourth dielectric portion resting on the first interface layer at a third location, the fourth dielectric portion having a fourth thickness between the first thickness and the second thickness.
  • the interference filter further comprises a fifth dielectric portion of the second dielectric material, the fifth dielectric portion having a fifth thickness and resting on the fourth dielectric portion, the sum of the fourth thickness and the fifth thickness. being equal to the second thickness.
  • the interference filter further comprises a sixth dielectric portion of the first dielectric material or first dielectric materials, the sixth dielectric portion resting on the first interface layer at a fourth location, the sixth dielectric portion having a sixth thickness between the fourth thickness and the second thickness.
  • the interference filter further comprises a seventh dielectric portion of the second dielectric material, the seventh dielectric portion having a seventh thickness and resting on the sixth dielectric portion, the sum of the sixth thickness and the seventh thickness. being equal to the second thickness.
  • the first dielectric material or the first dielectric materials are chosen from the group comprising silicon nitride, amorphous silicon, hafnium oxide, aluminum oxide, a film based on of aluminum, oxygen and nitrogen, a film based on silicon, oxygen, carbon and nitrogen, silicon nitride, niobium oxide, tantalum oxide, oxide of titanium, hydrogenated amorphous silicon and mixtures of at least two of these compounds.
  • the second dielectric material is selected from the group consisting of silicon dioxide, magnesium fluoride, silicon oxide, silicon oxynitride, hafnium oxide, aluminum, a film based on aluminum, oxygen and nitrogen, a film based on silicon, oxygen, carbon and nitrogen, silicon nitride and mixtures of at least two of these compounds.
  • the interference filter comprises, for each j th and k th dielectric portion of the first dielectric material or first dielectric materials, a transition zone between the j th and k th dielectric portions of the first dielectric material or first dielectric materials, the thickness of the transition zone varying from the thickness of the j th dielectric portion of the first dielectric material or from the first dielectric materials to the thickness of the k th dielectric portion of the first dielectric material or the first dielectric materials , the maximum lateral dimension of the transition zone, measured orthogonally to the stacking direction, being less than 50 nm.
  • An embodiment also provides an image sensor comprising the interference filter as defined above and the interference filter comprises a first elementary filter comprising the first portion and the third portion and a second elementary filter comprising the second portion.
  • the senor is a color image sensor
  • the first elementary filter is a bandpass filter centered on a first wavelength
  • the second elementary filter is a bandpass filter centered on a second length. wave.
  • the senor is a color image sensor
  • the first elementary filter is a bandpass filter centered on a third wavelength for radiation at a first incidence relative to the interference filter and the second filter.
  • elementary is a bandpass filter centered on the third wavelength at 1% for the radiation at a second incidence relative to the interference filter.
  • the etching of the third dielectric layer comprises a chemical mechanical polishing step.
  • the refractive index of the material means the refractive index of the material over the operating range of the interference filter, considering that the refractive index of the material is substantially constant over the range of lengths of the material. operating waves of the interferential filter or the average refractive index of the material over the operating range of the interference filter in the case where the refractive index of the material varies over the operating wavelength range of the interference filter.
  • the first dielectric material is, moreover, preferably transparent, that is to say with an extinction coefficient of less than 5.10 -3 , in the operating range of the filter pixels F 1 and F 2 .
  • the second dielectric material is, moreover, preferably transparent, that is to say with an extinction coefficient of less than 5.10 -3 , in the operating range of the filter pixels F 1 and F 2 .
  • Each interface layer CI 1 and CI 2 may correspond to a single layer (made of a dielectric or metal material), or to a stack of two layers or more than two layers (of dielectric materials).
  • the assembly comprising the stacking of the portion of the interface layer CI 1 under the portion P 1 of the first dielectric material, the portion P 1 of the first dielectric material, the portion P ' 1 of the second dielectric material and of the portion of the IC interface layer 2 on the portion P ' 1 of the second dielectric material forms the filter pixel F 1 .
  • the assembly comprising the stack of the portion of the IC interface layer 1 under the portion P 2 of the first dielectric material, the portion P 2 of the first dielectric material, and the portion of the IC interface layer 2 resting on the portion P 2 of the second dielectric material forms the filter pixel F 2 .
  • the filter 5 receives an incident radiation R in .
  • the filter 5 supplies the support 10 with a first radiation R o1 to the photodetector PH 1 which corresponds to the part of the radiation incident R in filtered by the filter pixel F 1 .
  • the filter 5 supplies the support 10 with a second radiation R o2 to the photodetector PH 2 which corresponds to the part of the incident radiation R in which the filter pixel F 2 has been filtered.
  • the figure 2 represents another embodiment of an optoelectronic circuit 15 comprising an interference filter 20 which corresponds to a generalization of the interference filter 5 to more than two filter pixels.
  • the filter level N 1 comprises N filter pixels F 1 to F N , where N is an integer ranging from 2 to 20.
  • Each filter pixel F i i varying from 1 to N-1, comprises a stack, sandwiched between the interface layers CI 1 and CI 2 , of a portion P i of thickness e i of the first dielectric material covered with a portion P ' i of thickness e' i of the second dielectric material, the portion P ' i delimiting a surface S i in contact with the interface layer CI 2 .
  • the filter pixel F N comprises only a portion P N of the first dielectric material sandwiched between the interface layers CI 1 and CI 2 , the portion P N delimiting a surface S N in contact with the interface layer CI 2 .
  • the thickness e i + 1 is strictly greater than the thickness e i and the thickness e 'i + 1 is strictly less than the thickness e' i.
  • the sum of the thicknesses e i and e ' i is equal to the thickness e N.
  • the surfaces S 1 to S N are substantially coplanar.
  • each portion P i is formed by the stack of layers C 1 to C i of the first dielectric material.
  • the layer C 1 extends over all the filter pixels F 1 to F N and the layer C N extends only over the filter pixel F N.
  • the layer C i extends over the filter pixels F i to F N and does not extend over the filter pixels F 1 to F Ni .
  • the layers C 1 to C i may not all be in the same first dielectric material. They are however all in a dielectric material which the refractive index is strictly greater than the refractive index n B.
  • the interference filter comprises a single level of filtering N 1 .
  • the interference filter may comprise a stack of two filter levels or a stack of more than two filtering levels, each filtering level having the structure described above in relation to the filtering layer.
  • figure 2 an interface layer that can be common at two successive filter levels.
  • the inventors have demonstrated that it is possible to obtain a pixelized filter 20 comprising filter pixels corresponding to pass-band filters adapted to globally filter radiation between two wavelengths ⁇ 1 and ⁇ 2 , when The difference between the refractive index n H at the wavelength ⁇ 2 and the low refractive index n B at the wavelength ⁇ 1 is greater than a given threshold.
  • the interface layers CI 1 , CI 2 are metal semi-reflective layers, the inventors have demonstrated that it is possible to obtain a pixelized filter 20 comprising filter pixels corresponding to pass filters.
  • the first and second interface layers CI 1 , CI 2 are semi-reflective layers, for example metal layers, in particular silver (Ag), possibly doped to improve the mechanical strength or reduce the effects. of aging.
  • the interface layers CI 1 , CI 2 are preferably metal semi-reflective layers.
  • each interface layer CI 1 , CI 2 comprises at least two dielectric layers of different refractive indices with an index contrast of at least 0.5.
  • the refractive index n H may be between 1.8 and 3.8.
  • the refractive index n B can be between 1.3 and 2.5.
  • the first dielectric material may be selected from the group consisting of silicon nitride (SiN), amorphous silicon (aSi), hafnium oxide (HfO x ), aluminum oxide (AlO x ), a film based on aluminum, oxygen and nitrogen (AlO x N y ), a film based on silicon, oxygen, carbon and nitrogen (SiO x C y N z ), silicon nitride (SiN x ), niobium oxide (NbO x ), tantalum oxide (TaO x ), titanium oxide (TiO x ), hydrogenated amorphous silicon (aSiH) and mixtures of at least two of these compounds.
  • Each layer C i may have a thickness of between 5 nm and 100 nm.
  • the thickness e N can be between 50 nm and 150 nm.
  • the second dielectric material may be selected from the group consisting of silicon dioxide (SiO 2 ), magnesium fluoride (MgF 2 ), silicon oxide (SiO x ), silicon oxynitride (SiO x N y ) , hafnium oxide (HfO x ), aluminum oxide (AlO x ), a film based on aluminum, oxygen and nitrogen (AlO x N y ), a film based on silicon, oxygen, carbon and nitrogen (SiO x C y N z ), silicon nitride (SiN x ) and mixtures of at least two of these compounds.
  • the thickness e ' 1 can be between 50 nm and 150 nm.
  • FIGS. 3A to 3G are partial and schematic sectional views of structures obtained at successive stages of another embodiment of the interference filter 5 of the figure 1 .
  • an additional layer not shown in the figures, of a dielectric material or metal, covering the interface layer CI 1 and playing, for example, the role of a protective layer against oxidation and / or adhesion-improving layer of subsequent deposits. It is this layer which then serves as an etch stop layer during etching of the layer C 2 .
  • the formation of the IC interface layer 2 may be preceded by the formation of an additional layer, not shown in the figures, of a dielectric or metallic material, playing, for example, the role of an adhesion-improving layer of the IC interface layer 2 .
  • the etching step in step 5) may be a chemical-mechanical polishing step (CMP), in which case the layer 30 is preferably deposited with a thickness at least twice e ' 1 .
  • steps 5) and 6) previously described are replaced by a step of depositing a polymeric dielectric material at the location of the filter pixels F 1 to F N-1 . In this case, the chemical mechanical polishing step may not be present.
  • the spacers of the interference filter 20 have lower lateral dimensions, preferably at 50 nm. This makes it possible to reduce the portion of the light that reaches the spacers and thus to reduce the diffusion signal losses and / or a distortion of the spectral responses of the filter pixels.
  • the pixelated filter according to the previously described embodiments may be used in an image sensor.
  • the image sensor may then include photon sensors or photodetectors adapted to detect radiation in different wavelength ranges or adapted to detect radiation in the same range of wavelengths. In the latter case, it is only the presence of the filter pixels that allows the detection of radiation in different wavelength ranges.
  • Each filter pixel can then cover at least one photodetector of the sensor and act as an incident radiation bandpass filter which reaches the sensor to provide radiation adapted to the range of wavelengths detected by the associated photodetector.
  • the lateral dimensions of the filter pixels may be equal to the lateral dimensions of the photosensities of the image sensor or equal to a multiple of the lateral dimensions of the photosensities of the image sensor.
  • the arrangement of the filter pixels may follow that of the image sensor photosites.
  • the filter pixels may be arranged according to a Bayer matrix.
  • the reduced dimensions of the spacers of the interference filter 20 allow in particular the use of the interference filter 20 with image sensors whose photosites have a size less than 1.5 microns.
  • the image sensor may be a color sensor or a color and infrared sensor.
  • the inventors have demonstrated that the pixelized filter according to the embodiments described above makes it possible, surprisingly, to carry out a filtering in a range of wavelengths as extensive as that required for a color sensor or a color and infrared sensor. . Indeed, the presence of the portions P ' i increases the optical path of all the filter pixels except the pixel F N. To preserve the same wavelengths filtered by the filter pixels as for a conventional pixilated filter, it is sufficient to keep the same optical path in each filter pixel as for a conventional pixelated filter.
  • the addition in at least one filter pixel of an additional dielectric material having a refractive index greater than the high refractive index n H makes it possible to further enlarge the range of wavelengths accessible up to the infrared , especially up to the wavelength 900 nm.
  • the sensor can be adapted to the detection of an image over a given wavelength range, for example in the infrared range.
  • the pixelated filter according to the embodiments described above can then be used to compensate for variations in the inclination of the radiation that reaches the sensor.
  • Each filter pixel is then located at a location that depends on the inclination of the radiation received by the sensor.
  • Each filter pixel can then act as a radiation bandpass filter with a given inclination centered substantially on the same wavelength.
  • FIGS. 4 to 7 represent embodiments of image sensors comprising an interference filter according to the previously described embodiments.
  • the support 10 corresponds to an integrated circuit comprising a substrate 42 in which and / or on which photon sensors are formed, three photon sensors PH 1 , PH 2 , PH 3 being represented on the Figures 4 to 7 .
  • the support 10 further comprises a stack 44 of electrically insulating layers covering the substrate 42 in which electrically conductive elements 46 are formed, which notably allow electrical connection of the photon sensors.
  • the interference filter 20 comprises, by way of example, three filter pixels F 1 , F 2 and F 3 and a single filter level N 1 .
  • the image sensors comprise lenses 48, for example a lens 48 for each photon sensor PH 1 , PH 2 , PH 3 .
  • the figure 4 represents an embodiment of an image sensor 50 in which the interference filter 20 is disposed on the side of the stack 44 opposite the substrate 42.
  • This type of arrangement is called front-panel mounting, inasmuch as the Indirect radiation reaches the sensors PH 1 , PH 2 , PH 3 on the side of the stack 44.
  • the interference filter 20 is fixed directly to the stack 44, for example by means of a bonding material or preferably, being deposited directly on the stack 44.
  • the lenses 48 rest on the interference filter 20, on the side of the interference filter 20 opposite the support 10.
  • the figure 5 represents an embodiment of an image sensor 55 in which the interference filter 20 is disposed on the front face and in which the lenses 48 are arranged between the support 10 and the interference filter 20 and rest on the stack 44.
  • a air film 56 is provided between the lenses 48 and the interference filter 20.
  • the method of manufacturing the image sensor 55 may comprise the formation of the interference filter 20 on a substrate 58 substantially transparent to the incident radiation and the fixing, for example by bonding, of the interference filter 20 to the stack 44, the air film 56 being maintained, for example by the use of a spacer, not shown, interposed between the stack 44 and the filter 20, at the periphery of the stack 44.
  • the interference filter 20 is deposited over the lenses 48 without an air knife, in which case it is necessary to planarize the lenses 48 beforehand by depositing a layer of very low refractive index, for example a polymer having a refractive index of 1.2.
  • the figure 6 represents an embodiment of an image sensor 60 in which the interference filter 20 is disposed on the side of the substrate 42.
  • This type of arrangement is referred to as rear-panel mounting, insofar as the incident radiation reaches the PH sensors 1 , PH 2 , PH 3 on the substrate side 42.
  • the interference filter 20 is fixed directly to the substrate 42, possibly via a bonding material.
  • the lenses 48 rest on the interference filter 20, on the side of the interference filter 20 opposite the support 10.
  • the figure 7 represents an embodiment of an image sensor 65 in which the interference filter 20 is disposed on the rear face and in which the lenses 48 are arranged between the support 10 and the interference filter 20 and rest on the substrate 42.
  • the image sensor 55 an air film 66 is provided between the lenses 48 and the interference filter 20.
  • the method of manufacturing the image sensor 65 may be similar to that described for the image sensor 55.
  • the image sensor may comprise an antireflection layer, not shown.
  • the use of the interference filter 20 is particularly advantageous insofar as, in these embodiments, the incident radiation which the interference filter 20 has not yet been focused by the lenses 48 and necessarily passes through the spacers between the filter pixels.
  • the reduced dimensions of these spacers improve the operation of the sensor.
  • the figure 8 represents an embodiment of an interference filter 70 whose spectral response has been determined by simulation.
  • the interference filter 70 comprises two filter levels N 1 and N 2 , each filtering level comprising four filter pixels Filter_B, Filter_G, Filter_R and Filter_IR respectively corresponding to a filter passing only the blue light B, to a filter passing only the green light G, a filter passing only the red light R and a filter passing only infrared radiation IR centered substantially on the wavelength of 800 nm.
  • the thicknesses and the materials composing the layers of the interference filter 70 are grouped together in Table I below as a function of the Filter B, Filter_G, Filter_R and Filter_IR filter pixels. In the remainder of the description, a layer is indicated with zero thickness for a given filter pixel if it is not present for that filter pixel.
  • the filter 70 was manufactured by successively depositing each layer A1 to A19 and etching the layers A4 to A6 and A12 to A14 at the locations where they are not present and providing a planarization step after the deposition of the layers A8 and A16 until 'to reach the underlying layers.
  • the TiO 2 layers A3 and A11 serve both to encapsulate the underlying A2 and A2A layer respectively and to etch stop layer upon etching of the subsequent ⁇ Si and SiN layers.
  • the refractive index of SiN over the wavelength range of 450 nm to 600 nm is substantially constant and equal to 2.0 and the refractive index of SiO 2 over the wavelength range of 450 nm at 600 nm is substantially constant and equal to 1.46.
  • the refractive index of the amorphous silicon (aSi) over the wavelength range of the infrared is substantially constant and equal to 3.7.
  • the total thickness of the filter 70 was 0.37 ⁇ m. The thickness of the filter 70 is small compared to the size of the pixels, the phenomenon of optical crosstalk is not pronounced.
  • the figure 9 represents evolution curves of the transmission respectively of the filtering pixel Filter_B (CA curve B ), the filtering pixel Filter_G (CA curve G ), the filtering pixel FilterR (CA curve R ) and the filtering pixel Filter_IR (curve CA IR ) for the interference filter 70.
  • the figure 10 represents an example of comparison of an interference filter 75 whose spectral response has been determined by simulation.
  • the interference filter 75 had the same structure as the filter 70 except that the layers SiO 2 A8 and A16 were not present and the thicknesses of the other layers could be modified.
  • the thicknesses and the materials composing the layers of the interference filter 75 are grouped together in Table II below as a function of the filtering pixels Filter_B, Filter_G, Filter_R and Filter_IR. ⁇ b> Table II ⁇ / b> Filtre_B G_Filter Filter Filtre_IR N ° layer Material Thickness (nm) B1 SiN 41 B2 Ag 22 B3 TiO 2 5 B4 aSi 0 0 0 19 B5 SiN 0 0 20 20 B6 SiN 0 24 24 24 B7 SiN 48 48 48 48 48 48 B8 SiN 5 B9 Ag 33 B10 TiO 2 5 B11 aSi 0 0 0 20 B12 SiN 0 0 21 21 B13 SiN 0 26 26 26 B14 SiN 47 47 47 47 B15 SiN 5 B16 Ag 17 B17 SiN 70
  • the filter 75 was manufactured by successively depositing each layer A1 to A19 and etching the layers B4 to B6 and B11 to B13 at the locations where they are not present.
  • the figure 11 represents evolution curves of the transmission respectively of the Filter_B filter pixel (CB B curve), the Filter_G filter pixel (CB G curve), the Filter_R filter pixel (CB R curve) and the Filter_IR filter pixel (curve CB IR ) for the interference filter 75.
  • the curves of transmission of the filter 70 are substantially identical to the transmission curves of the filter 75.
  • the spectral responses of the filters 70 and 75 are therefore substantially identical.
  • the maximum lateral dimension of the spacers of the filter 75 is greater than that of the spacers of the filter 70.
  • the maximum lateral dimension of the spacers of the filter 75 is for example of the order of 250 nm whereas it is of the order of 50 nm for the filter 70.
  • the filter 70 is therefore particularly suitable for use with an image sensor whose size of the photosites is less than one micrometer.
  • the IR filter filter pixel it is possible to center the IR filter filter pixel at a wavelength greater than that of the filter 70 described above, for example by introducing a layer of aSi in the Filter_R filter pixel.
  • the replacement of a SiN layer by a layer of aSi of higher refractive index in the Filter_R filter pixel makes it possible to reduce the thickness of the step between the Filter_G filter pixel and the Filter_R filter pixel, and the difference Thickness can be used to shift the filter pixel IR Filter to high wavelengths.
  • the filter filter IR since the total thickness of each filter pixel must be kept the same as that of filter B, the filter filter IR can not be increased indefinitely.
  • the spectral response of such an interference filter was determined by simulation with aSi in the Filter_IR and Filter_R filter pixels.
  • the stack of the filter has a total thickness of 0.39 ⁇ m, the operating heights between the filter pixel Filter_B and the filter pixel Filter_G, between the filter pixel Filter_G and the filter pixel Filter_R and between the filter pixel Filter_R and filter pixel IR_Filter were respectively 38 nm, 8 nm, and 38 nm.
  • the maximum width of the spacers is, for example, of the order of 60 nm at the transitions between the Filter_R filter pixel and the Filter_IR filter pixel.
  • the thicknesses and the materials composing the layers of the interference filter are grouped together in Table III below as a function of the filtering pixels Filter_B, Filter_G, Filter_R and Filter_IR. ⁇ b> Table III ⁇ / b> Filter B G filter R filter IR filter N ° layer Material Thickness (nm) C1 SiN 75 C2 Ag 18 C3 TiO 2 5 C4 aSi 0 0 0 38 C5 aSi 0 0 8 8 C6 SiN 0 38 38 38 C7 SiN 5 5 5 5 C8 SiO 2 85 47 38 0 C9 SiN 5 C10 Ag 31 C11 TiO 2 5 C12 aSi 0 0 0 38 C13 aSi 0 0 8 8 C14 SiN 0 38 38 38 C15 SiN 5 5 5 5 5 C16 SiO 2 85 47 38 0 C17 SiN 5 C18 Ag 16 C19 SiN 47
  • the figure 12 represents curves of evolution of the transmission respectively of the filter pixel Filter_B (curve CC B ), the filter Filtre_G (curve CC G ), the filter Filtre_R (curve CC R ) and the filter Filtre_IR (curve CC IR ) for the filter interference defined by Table III.
  • An IR filter filter pixel centered on a wavelength of about 900 nm was obtained.
  • the figure 13 represents an embodiment of an interference filter 80 with spatially variable spectral shift compensation whose spectral response has been determined by simulation.
  • the interference filter 80 comprised four filter pixels F 1 , F 2 , F 3 and F 4 .
  • the filter pixels F 1 , F 2 , F 3 and F 4 are designed to receive a radiation having an incidence respectively between 0 ° and 14 °, between 14 ° and 21 °, between 21 ° and 26 ° and between 26 ° and 30 °.
  • the thicknesses and the materials composing the layers of the interference filter 80 are grouped in Table IV below as a function of the filter pixels. ⁇ b> Table IV ⁇ / b> Filter B G filter R filter IR filter N ° layer Material Thickness (nm) D1 aSi 85 D2 SiO 2 34 D3 aSi 162 D4 SiO 2 142 D5 aSi 68 D6 SiO 2 172 D7 aSi 56 D8 SiO 2 19 D9 aSi 321 D10 SiO 2 169 D11a aSi 0 0 0 19 D11b aSi 0 0 19 19 D11c aSi 0 19 19 19 D11d aSi 33 33 33 33 33 D11e SiN 10 10 10 10 D12a SiO 2 57 38 19 0 D12b SiO 2 131 D13 aSi 99 D14 SiO 2 46 D15 aSi 161 D16 SiO 2 62 D17 aSi 97
  • the filter 80 was manufactured by successively depositing each layer D1 to D17 and etching the layers D11a to D11c at the locations where they are not present and providing a planarization step after the deposition of the layer D12a until reaching the layer underlying.
  • the figure 14 represents evolution curves, for the filter 80, of the transmission respectively of the filter pixel P 1 receiving radiation at zero incidence (curve D0 °), of the filter pixel P 1 receiving an incidence of radiation equal to 30 ° ( curve D30 ° -1) and filter pixel P 4 receiving radiation at incidence equal to 30 ° (curve D30 ° -2).
  • the spectral response of the filter pixel P 4 is substantially centered on 940 nm as the spectral response of the filter pixel P 1 .
  • the figure 15 represents an example of a comparison of an interference filter 85 with spatially variable spectral shift compensation whose spectral response has been determined by simulation.
  • the interference filter 85 had the same structure as the filter 80 with the difference that the SiO 2 layer D12a was not present and that the thicknesses of the other layers could be modified.
  • the thicknesses and the materials composing the layers of the interference filter 80 are grouped in Table IV below as a function of the filter pixels. ⁇ b> Table IV ⁇ / b> Filter B G filter R filter IR filter N ° layer Material Thickness (nm) E1 aSi 85 E2 SiO 2 33 E3 aSi 162 E4 SiO 2 147 E5 aSi 65 E6 SiO 2 150 E7 aSi 95 E8 SiO 2 10 E9 aSi 302 E10 SiO 2 163 Ella aSi 0 0 0 16 E11B aSi 0 0 16 16 E11c aSi 0 16 16 16 E11d aSi 45 45 45 E12 SiO 2 144 E13 aSi 103 E14 SiO 2 45 E15 aSi 158 E16 SiO 2 72 E17 aSi 95
  • Filter 85 was manufactured by successively depositing each layer E1 at E17 and etching layers Ella at E11c at locations where they are not present.
  • the figure 16 represents evolution curves, for the filter 85, of the transmission respectively of the filter pixel P 1 receiving radiation at zero incidence (curve E0 °), of the filter pixel P 1 receiving an incidence of radiation equal to 30 ° ( curve E30 ° -1) and filter pixel P 4 receiving radiation at incidence equal to 30 ° (curve E30 ° -2).
  • the spectral response of the filter pixel P 4 is substantially centered on 940 nm as the spectral response of the filter pixel P 1 .
  • the transmission curves of the filter 85 are substantially identical to the transmission curves of the filter 80.
  • the spectral responses of the filters 85 and 80 are therefore substantially identical.
  • the operating height between the filter pixels F 3 and F 4 for the layers Ella to E11c is 16 nm.
  • this structure is covered by six layers of total thickness equal to 660 nm, which generates a spacer whose lateral dimension is of the order of 500 nm above each step between the filter pixels F 3 and F 4 .
  • the spacer is significantly wider than the walking height, the relief is smooth as the last six deposits.
  • the operating height between the filter pixels F 3 and F 4 for the layers D11a to D11c is 19 nm.
  • the subsequent layers D12b to D17 are deposited on a flat surface.
  • the maximum lateral dimension of the spacers of the filter 85 is of the order of 50 nm, that is to say less than that of the filter 85.

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Abstract

L'invention concerne un filtre interférentiel (5) comprenant :
une première couche d'interface (CI1);
une première portion diélectrique (P1) d'un premier matériau diélectrique, ayant une première épaisseur (e1) et reposant sur la première couche d'interface à un premier emplacement ;
une deuxième portion diélectrique (P2) du premier matériau diélectrique, la deuxième portion diélectrique reposant sur la première couche d'interface à un deuxième emplacement, la deuxième portion diélectrique ayant une deuxième épaisseur (e2) supérieure à la première épaisseur ;
une troisième portion diélectrique (P'1) d'un deuxième matériau diélectrique d'indice de réfraction inférieur à l'indice de réfraction du premier matériau, la troisième portion diélectrique ayant une troisième épaisseur (e'1) et reposant sur la première portion diélectrique, la somme de la première épaisseur et de la troisième épaisseur étant égale à la deuxième épaisseur ; et
une deuxième couche d'interface (CI2), reposant sur les deuxième et troisième portions diélectriques (P2, P'1).

Figure imgaf001
The invention relates to an interference filter (5) comprising:
a first interface layer (CI 1 );
a first dielectric portion (P 1 ) of a first dielectric material, having a first thickness (e 1 ) and resting on the first interface layer at a first location;
a second dielectric portion (P 2 ) of the first dielectric material, the second dielectric portion resting on the first interface layer at a second location, the second dielectric portion having a second thickness (e 2 ) greater than the first thickness;
a third dielectric portion (P ' 1 ) of a second dielectric material of refractive index lower than the refractive index of the first material, the third dielectric portion having a third thickness (e' 1 ) and resting on the first portion; dielectric, the sum of the first thickness and the third thickness being equal to the second thickness; and
a second interface layer (CI 2 ), resting on the second and third dielectric portions (P 2 , P ' 1 ).
Figure imgaf001

Description

DomaineField

La présente demande concerne un filtre interférentiel, notamment pour un capteur d'images, et un procédé de fabrication d'un tel filtre interférentiel.The present application relates to an interference filter, in particular for an image sensor, and a method of manufacturing such an interference filter.

Exposé de l'art antérieurPresentation of the prior art

Il est connu de réaliser des matrices de filtres interférentiels, en particulier pour les capteurs d'images, également appelés imageurs, dans le domaine du visible, de l'infra-rouge (notamment de 650 nm à 1050 nm) et/ou de l'ultraviolet, qui nécessitent de séparer plusieurs plages de fréquence. Une telle matrice de filtres est également appelée filtre pixellisé, un pixel de filtre, ou filtre élémentaire, correspondant au plus petit élément du filtre ayant les mêmes propriétés de filtrage.It is known to make matrices of interference filters, in particular for image sensors, also called imagers, in the visible, infra-red (in particular 650 nm to 1050 nm) and / or ultraviolet, which require to separate several frequency ranges. Such a filter matrix is also called a pixellated filter, a filter pixel, or elementary filter, corresponding to the smallest element of the filter having the same filtering properties.

Un exemple d'application d'un filtre pixélisé correspond à un capteur d'images couleur. Le filtre pixélisé peut alors comprendre des premiers pixels de filtre laissant passer la lumière rouge, des deuxièmes pixels de filtre laissant passer la lumière verte et des troisièmes pixels du filtre laissant passer la lumière bleue. Les pixels du filtre peuvent alors avoir sensiblement les mêmes dimensions latérales que les sites de photodétection du capteur.An example of application of a pixelated filter corresponds to a color image sensor. The pixelized filter may then comprise first filter pixels allowing the red light to pass, second filter pixels allowing the green light to pass and third pixels of the filter allowing the blue light to pass. The pixels of the filter can then have substantially the same lateral dimensions as the photodetection sites of the sensor.

Un autre exemple d'application d'un filtre pixélisé correspond à un capteur d'images à compensation du décalage spectral sous incidence spatialement variable. En effet, le rayonnement qui atteint le capteur peut avoir une incidence, par rapport à la face exposée du capteur, qui augmente au fur et à mesure que l'on s'éloigne du centre de cette face. Le filtre pixélisé peut alors comprendre différents pixels de filtre recevant le rayonnement à des incidences différentes, les réponses spectrales de chaque pixel de filtre étant sensiblement identiques quelle que soit l'incidence.Another example of application of a pixelated filter corresponds to an image sensor with spectral shift compensation at spatially variable incidence. Indeed, the radiation that reaches the sensor may have an impact, relative to the exposed face of the sensor, which increases as one moves away from the center of this face. The pixelized filter may then comprise different filter pixels receiving the radiation at different incidences, the spectral responses of each filter pixel being substantially identical regardless of the incidence.

Un filtre interférentiel est réalisé par un empilement de plusieurs couches. A titre d'exemple, un filtre interférentiel peut comprendre un empilement de couches semi-réfléchissantes métalliques séparées par des couches diélectriques et/ou une alternance de couches diélectriques ayant des indices de réfraction différents, également appelés indices optiques par la suite. Les épaisseurs des couches du filtre dépendent des propriétés de filtrage souhaitées.An interference filter is formed by a stack of several layers. By way of example, an interference filter may comprise a stack of metal semi-reflecting layers separated by dielectric layers and / or an alternation of dielectric layers having different refractive indices, also called optical indices thereafter. The thicknesses of the filter layers depend on the desired filtering properties.

La réalisation d'un filtre pixélisé requiert la réalisation de couches diélectriques ayant des épaisseurs différentes selon le pixel de filtre considéré. Le procédé de fabrication du filtre pixélisé comprend alors généralement le dépôt d'une couche diélectrique sur l'ensemble de la structure et la gravure de la couche diélectrique pour ne conserver la couche diélectrique que sur certains pixels de filtre. La couche diélectrique ou métallique suivante est alors déposée sur une surface présentant des reliefs ou marches, ce qui entraîne un report de ce relief de couche en couche jusqu'au sommet de l'empilement.The production of a pixelated filter requires the realization of dielectric layers having different thicknesses depending on the filter pixel considered. The method of manufacturing the pixelated filter then generally comprises depositing a dielectric layer over the entire structure and etching the dielectric layer to keep the dielectric layer only on certain filter pixels. The next dielectric or metallic layer is then deposited on a surface having reliefs or steps, resulting in a transfer of this layer layer relief to the top of the stack.

De façon générale, les dépôts de couches sont au moins partiellement conformes, c'est-à-dire que la couche se dépose non seulement sur les surfaces horizontales dans le plan des couches, mais également sur les flancs des couches précédemment gravées. Il se forme ainsi un espaceur latéral, ou zone de transition, à chaque dépôt successif dès qu'un relief est présent. La dimension latérale de la zone de transition entre deux pixels de filtre adjacents augmente donc au fur et à mesure des dépôts, entre le relief initial et le haut de l'empilement.In general, the layer deposits are at least partially compliant, that is, the layer is deposited not only on the horizontal surfaces in the plane of the layers, but also on the sides of the previously etched layers. It thus forms a lateral spacer, or transition zone, with each successive deposit as soon as a relief is present. The dimension Lateral of the transition zone between two adjacent filter pixels therefore increases as the deposits, between the initial relief and the top of the stack.

Un inconvénient est que si une partie de la lumière parvient sur les espaceurs, cela entraîne une perte de signal par diffusion et/ou une distorsion des réponses spectrales des pixels de filtre. Ces pertes peuvent devenir importantes lorsque la largeur des espaceurs n'est pas négligeable par rapport à la dimension latérale, ou taille, du pixel de filtre. Ceci peut notamment se produire dans le cas de petits pixels de filtre, dont la dimension latérale est inférieure à 2 µm, même lorsque les couches du filtre interférentiel ont une épaisseur de quelques centaines de nanomètres. Ceci peut également se produire pour des pixels de filtre plus gros, dont la dimension latérale est supérieure à 2 µm, avec des couches du filtre interférentiel de quelques micromètres.A disadvantage is that if a portion of the light reaches the spacers, this results in a loss of diffusion signal and / or distortion of the spectral responses of the filter pixels. These losses can become significant when the width of the spacers is not negligible compared to the lateral dimension, or size, of the filter pixel. This can especially occur in the case of small filter pixels, whose lateral dimension is less than 2 microns, even when the layers of the interference filter have a thickness of a few hundred nanometers. This can also occur for larger filter pixels, whose lateral dimension is greater than 2 μm, with layers of the interference filter of a few micrometers.

Le document US8933389B2 décrit un filtre optique comprenant des plots de dimensions nanométriques réalisés dans un premier matériau diélectrique et noyés dans une couche d'un deuxième matériau diélectrique ayant un indice de réfraction différent, l'espace entre les plots et les dimensions latérales des plots étant ajustés en fonction du filtrage souhaité. Un inconvénient d'un tel filtre est que l'écart entre les plots doit être nettement inférieur à la longueur d'onde du rayonnement filtré. La fabrication des plots requiert alors des procédés de lithographie à haute résolution, par exemple des procédés de lithographie par immersion ou des procédés de lithographie électronique. Toutefois, les procédés de lithographie par immersion ne sont généralement utilisés à une échelle industrielle que pour les premières étapes de fabrication d'un circuit intégré, notamment pour la fabrication de transistors MOS. En outre, les procédés de lithographie électronique ont généralement des vitesses d'écriture trop faibles pour une application à une échelle industrielle.The document US8933389B2 discloses an optical filter comprising pads of nanometric dimensions made in a first dielectric material and embedded in a layer of a second dielectric material having a different refractive index, the space between the pads and the lateral dimensions of the pads being adjusted according to desired filtering. A disadvantage of such a filter is that the gap between the pads must be well below the wavelength of the filtered radiation. The manufacture of the pads then requires high resolution lithography methods, for example dip lithography methods or electronic lithography methods. However, immersion lithography processes are generally used on an industrial scale only for the first steps of manufacturing an integrated circuit, in particular for the manufacture of MOS transistors. In addition, electronic lithography processes generally have write speeds that are too low for application on an industrial scale.

Résumésummary

Un objet d'un mode de réalisation est de pallier tout ou partie des inconvénients des filtres interférentiels et de leurs procédés de fabrication décrits précédemment.An object of an embodiment is to overcome all or part of the disadvantages of interference filters and their manufacturing processes described above.

Un autre objet d'un mode de réalisation est que le filtre interférentiel peut être fabriqué avec des équipements standards de lithographie optique.Another object of an embodiment is that the interference filter can be fabricated with standard optical lithography equipment.

Un autre objet d'un mode de réalisation est que les dimensions latérales des espaceurs du filtre interférentiel sont réduites.Another object of an embodiment is that the lateral dimensions of the spacers of the interference filter are reduced.

Ainsi, un mode de réalisation prévoit un filtre interférentiel comprenant :

  • une première couche d'interface plane, métallique ou comprenant un empilement d'au moins deux couches diélectriques avec une différence d'indices de réfraction supérieure ou égale à 0,5 ;
  • une première portion diélectrique d'un premier matériau diélectrique ou de premiers matériaux diélectriques, la première portion diélectrique ayant une première épaisseur et reposant sur la première couche d'interface à un premier emplacement ;
  • une deuxième portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, la deuxième portion diélectrique reposant sur la première couche d'interface à un deuxième emplacement, la deuxième portion diélectrique ayant une deuxième épaisseur supérieure à la première épaisseur ;
  • une troisième portion diélectrique d'un deuxième matériau diélectrique, l'indice de réfraction du deuxième matériau à une longueur d'onde de fonctionnement du filtre étant inférieur à l'indice de réfraction du premier matériau ou des premiers matériaux à ladite longueur d'onde, la troisième portion diélectrique ayant une troisième épaisseur et reposant sur la première portion diélectrique, la somme de la première épaisseur et de la troisième épaisseur étant égale à la deuxième épaisseur ; et
  • une deuxième couche d'interface plane, métallique ou comprenant un empilement d'au moins deux couches diélectriques avec une différence d'indices de réfraction supérieure ou égale à 0,5, reposant sur les deuxième et troisième portions diélectriques au contact des deuxième et troisième portions diélectriques.
Thus, an embodiment provides an interference filter comprising:
  • a first planar, metallic interface layer or comprising a stack of at least two dielectric layers with a difference in refractive index greater than or equal to 0.5;
  • a first dielectric portion of a first dielectric material or first dielectric materials, the first dielectric portion having a first thickness and resting on the first interface layer at a first location;
  • a second dielectric portion of the first dielectric material or first dielectric materials, the second dielectric portion resting on the first interface layer at a second location, the second dielectric portion having a second thickness greater than the first thickness;
  • a third dielectric portion of a second dielectric material, the refractive index of the second material at an operating wavelength of the filter being less than the refractive index of the first material or first materials at said wavelength the third dielectric portion having a third thickness and resting on the first dielectric portion, the sum of the first thickness and the third thickness being equal to the second thickness; and
  • a second plane interface layer, metallic or comprising a stack of at least two dielectric layers with a difference in refractive index greater than or equal to 0.5, resting on the second and third dielectric portions in contact with the second and third dielectric portions.

Selon un mode de réalisation, le filtre interférentiel comprend, en outre, une quatrième portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, la quatrième portion diélectrique reposant sur la première couche d'interface à un troisième emplacement, la quatrième portion diélectrique ayant une quatrième épaisseur entre la première épaisseur et la deuxième épaisseur.According to one embodiment, the interference filter further comprises a fourth dielectric portion of the first dielectric material or first dielectric materials, the fourth dielectric portion resting on the first interface layer at a third location, the fourth dielectric portion having a fourth thickness between the first thickness and the second thickness.

Selon un mode de réalisation, le filtre interférentiel comprend, en outre, une cinquième portion diélectrique du deuxième matériau diélectrique, la cinquième portion diélectrique ayant une cinquième épaisseur et reposant sur la quatrième portion diélectrique, la somme de la quatrième épaisseur et de la cinquième épaisseur étant égale à la deuxième épaisseur.According to one embodiment, the interference filter further comprises a fifth dielectric portion of the second dielectric material, the fifth dielectric portion having a fifth thickness and resting on the fourth dielectric portion, the sum of the fourth thickness and the fifth thickness. being equal to the second thickness.

Selon un mode de réalisation, le filtre interférentiel comprend, en outre, une sixième portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, la sixième portion diélectrique reposant sur la première couche d'interface à un quatrième emplacement, la sixième portion diélectrique ayant une sixième épaisseur entre la quatrième épaisseur et la deuxième épaisseur.According to one embodiment, the interference filter further comprises a sixth dielectric portion of the first dielectric material or first dielectric materials, the sixth dielectric portion resting on the first interface layer at a fourth location, the sixth dielectric portion having a sixth thickness between the fourth thickness and the second thickness.

Selon un mode de réalisation, le filtre interférentiel comprend, en outre, une septième portion diélectrique du deuxième matériau diélectrique, la septième portion diélectrique ayant une septième épaisseur et reposant sur la sixième portion diélectrique, la somme de la sixième épaisseur et de la septième épaisseur étant égale à la deuxième épaisseur.According to one embodiment, the interference filter further comprises a seventh dielectric portion of the second dielectric material, the seventh dielectric portion having a seventh thickness and resting on the sixth dielectric portion, the sum of the sixth thickness and the seventh thickness. being equal to the second thickness.

Selon un mode de réalisation, le premier matériau diélectrique ou les premiers matériaux diélectriques sont choisis parmi le groupe comprenant le nitrure de silicium, le silicium amorphe, l'oxyde d'hafnium, l'oxyde d'aluminium, un film à base d'aluminium, d'oxygène et d'azote, un film à base de silicium, d'oxygène, de carbone et d'azote, le nitrure de silicium, l'oxyde de niobium, l'oxyde de tantale, l'oxyde de titane, le silicium amorphe hydrogéné et les mélanges d'au moins deux de ces composés.According to one embodiment, the first dielectric material or the first dielectric materials are chosen from the group comprising silicon nitride, amorphous silicon, hafnium oxide, aluminum oxide, a film based on of aluminum, oxygen and nitrogen, a film based on silicon, oxygen, carbon and nitrogen, silicon nitride, niobium oxide, tantalum oxide, oxide of titanium, hydrogenated amorphous silicon and mixtures of at least two of these compounds.

Selon un mode de réalisation, le deuxième matériau diélectrique est choisi parmi le groupe comprenant le dioxyde de silicium, le fluorure de magnésium, l'oxyde de silicium, l'oxynitrure de silicium, l'oxyde d'hafnium, l'oxyde d'aluminium, un film à base d'aluminium, d'oxygène et d'azote, un film à base de silicium, d'oxygène, de carbone et d'azote, le nitrure de silicium et les mélanges d'au moins deux de ces composés.According to one embodiment, the second dielectric material is selected from the group consisting of silicon dioxide, magnesium fluoride, silicon oxide, silicon oxynitride, hafnium oxide, aluminum, a film based on aluminum, oxygen and nitrogen, a film based on silicon, oxygen, carbon and nitrogen, silicon nitride and mixtures of at least two of these compounds.

Selon un mode de réalisation, le filtre interférentiel comprend :

  • N portions diélectriques du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques reposant sur la première couche d'interface, où N est un nombre entier supérieur ou égal à 2, la ième portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, où i est un nombre entier qui varie de 1 à N, comprenant un empilement de i couches du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, l'épaisseur de la jème portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, où j est un nombre entier qui varie de 1 à N-1, étant inférieure à l'épaisseur de la kème portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, où k est égal à j+1 ;
  • N-1 portions diélectriques du deuxième matériau diélectrique, la jème portion diélectrique du deuxième matériau diélectrique reposant sur la jème portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, la somme de l'épaisseur de la jème portion diélectrique du deuxième matériau diélectrique et de l'épaisseur de la jème portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques étant égale à l'épaisseur de la Nème portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques.
According to one embodiment, the interference filter comprises:
  • N dielectric portions of the first dielectric material or first dielectric materials based on the first interface layer, where N is an integer greater than or equal to 2, the i th dielectric portion of the first dielectric material or first dielectric materials, wherein i is an integer which varies from 1 to N, comprising a stack of i layers of the first dielectric material or first dielectric materials, the thickness of the j th dielectric portion of the first dielectric material or first dielectric materials, where j is a an integer which varies from 1 to N-1, being less than the thickness of the k th dielectric portion of the first dielectric material or the first dielectric materials, where k is equal to j + 1;
  • N-1 dielectric portions of the second dielectric material, the j th dielectric portion of the second dielectric material resting on the j th dielectric portion of the first dielectric material or the first dielectric materials, the sum of the thickness of the j th dielectric portion of the second dielectric material and the thickness of the j th dielectric portion of the first dielectric material or the first dielectric materials being equal to the thickness of the N th dielectric portion of the first dielectric material or first dielectric materials.

Selon un mode de réalisation, le filtre interférentiel comprend, pour chaque jème et kème portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, une zone de transition entre les jème et kème portions diélectriques du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, l'épaisseur de la zone de transition variant de l'épaisseur de la jème portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques à l'épaisseur de la kème portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, la dimension latérale maximale de la zone de transition, mesurée orthogonalement à la direction d'empilement, étant inférieure à 50 nm.According to one embodiment, the interference filter comprises, for each j th and k th dielectric portion of the first dielectric material or first dielectric materials, a transition zone between the j th and k th dielectric portions of the first dielectric material or first dielectric materials, the thickness of the transition zone varying from the thickness of the j th dielectric portion of the first dielectric material or from the first dielectric materials to the thickness of the k th dielectric portion of the first dielectric material or the first dielectric materials , the maximum lateral dimension of the transition zone, measured orthogonally to the stacking direction, being less than 50 nm.

Un mode de réalisation prévoit également un capteur d'images comprenant le filtre interférentiel tel que défini précédemment et le filtre interférentiel comprend un premier filtre élémentaire comprenant la première portion et la troisième portion et un deuxième filtre élémentaire comprenant la deuxième portion.An embodiment also provides an image sensor comprising the interference filter as defined above and the interference filter comprises a first elementary filter comprising the first portion and the third portion and a second elementary filter comprising the second portion.

Selon un mode de réalisation, le capteur est un capteur d'images couleur, le premier filtre élémentaire est un filtre passe-bande centré sur une première longueur d'onde et le deuxième filtre élémentaire est un filtre passe-bande centré sur une deuxième longueur d'onde.According to one embodiment, the sensor is a color image sensor, the first elementary filter is a bandpass filter centered on a first wavelength and the second elementary filter is a bandpass filter centered on a second length. wave.

Selon un mode de réalisation, le capteur est un capteur d'images couleur, le premier filtre élémentaire est un filtre passe-bande centré sur une troisième longueur d'onde pour un rayonnement à une première incidence par rapport au filtre interférentiel et le deuxième filtre élémentaire est un filtre passe-bande centré sur la troisième longueur d'onde à 1 % près pour le rayonnement à une deuxième incidence par rapport au filtre interférentiel.According to one embodiment, the sensor is a color image sensor, the first elementary filter is a bandpass filter centered on a third wavelength for radiation at a first incidence relative to the interference filter and the second filter. elementary is a bandpass filter centered on the third wavelength at 1% for the radiation at a second incidence relative to the interference filter.

Un mode de réalisation prévoit également un procédé de fabrication d'un filtre interférentiel tel que défini précédemment, comprenant les étapes successives suivantes :

  1. a) dépôt d'une première couche diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques sur la première couche d'interface ;
  2. b) gravure de la première couche diélectrique pour retirer la première couche diélectrique au premier emplacement et conserver la première couche au deuxième emplacement ;
  3. c) dépôt d'une deuxième couche du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques sur la première couche d'interface au premier emplacement et sur la première couche diélectrique au deuxième emplacement ; et
  4. d) formation de la troisième portion sur la deuxième couche au premier emplacement.
An embodiment also provides a method of manufacturing an interference filter as defined above, comprising the following successive steps:
  1. a) depositing a first dielectric layer of the first dielectric material or first dielectric materials on the first interface layer;
  2. b) etching the first dielectric layer to remove the first dielectric layer at the first location and retain the first layer at the second location;
  3. c) depositing a second layer of the first dielectric material or dielectric materials on the first interface layer at the first location and the first dielectric layer at the second location; and
  4. d) forming the third portion on the second layer at the first location.

Selon un mode de réalisation, l'étape d) comprend les étapes suivantes :

  • dépôt d'une troisième couche diélectrique du deuxième matériau diélectrique sur la deuxième couche ; et
  • gravure de la troisième couche diélectrique jusqu'à atteindre la deuxième couche diélectrique au deuxième emplacement.
According to one embodiment, step d) comprises the following steps:
  • depositing a third dielectric layer of the second dielectric material on the second layer; and
  • etching the third dielectric layer to reach the second dielectric layer at the second location.

Selon un mode de réalisation, la gravure de la troisième couche diélectrique comprend une étape de polissage mécano-chimique.According to one embodiment, the etching of the third dielectric layer comprises a chemical mechanical polishing step.

Brève description des dessinsBrief description of the drawings

Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :

  • les figures 1 et 2 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de modes de réalisation d'un filtre interférentiel ;
  • les figures 3A à 3G sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives du mode de réalisation d'un procédé de fabrication du filtre interférentiel de la figure 1 ;
  • les figures 4 à 7 sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de modes de réalisation d'un capteur d'images comprenant un filtre interférentiel ;
  • la figure 8 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un filtre interférentiel pour un capteur d'images couleur et infra-rouge ;
  • la figure 9 représente des courbes de transmission de pixels de filtre du filtre de la figure 8 ;
  • les figures 10 et 11 sont des figures analogues aux figures 8 et 9 d'un exemple de comparaison d'un filtre interférentiel pour un capteur d'images couleur et infra-rouge ;
  • la figure 12 représente des courbes de transmission de quatre pixels d'un autre mode de réalisation d'un filtre pour un capteur d'images couleur et infra-rouge ;
  • la figure 13 est une vue en coupe, partielle et schématique, d'un mode de réalisation d'un filtre interférentiel pour un capteur infra-rouge à compensation d'inclinaison ;
  • la figure 14 représente des courbes de transmission de pixels de filtre du filtre de la figure 13 ; et
  • les figures 15 et 16 sont des figures analogues aux figures 12 et 13 d'un exemple de comparaison d'un filtre interférentiel pour un capteur infra-rouge à compensation d'inclinaison.
These and other features and advantages will be set forth in detail in the following description of particular embodiments in a non-limiting manner with reference to the accompanying drawings in which:
  • the Figures 1 and 2 are sectional, partial and schematic views of embodiments of an interference filter;
  • the Figures 3A to 3G are sectional, partial and schematic views of structures obtained at successive stages of the embodiment of a method for manufacturing the interference filter of the figure 1 ;
  • the Figures 4 to 7 are sectional, partial and schematic views of embodiments of an image sensor comprising an interference filter;
  • the figure 8 is a sectional view, partial and schematic, of an embodiment of an interference filter for a color image sensor and infra-red;
  • the figure 9 represents transmission curves of filter pixels of the filter of the figure 8 ;
  • the Figures 10 and 11 are figures similar to Figures 8 and 9 an example of comparing an interference filter for a color and infrared image sensor;
  • the figure 12 represents four pixel transmission curves of another embodiment of a filter for a color and infrared image sensor;
  • the figure 13 is a sectional view, partial and schematic, of an embodiment of an interference filter for an infra-red sensor with inclination compensation;
  • the figure 14 represents transmission curves of filter pixels of the filter of the figure 13 ; and
  • the Figures 15 and 16 are figures similar to figures 12 and 13 of an example of comparison of an interference filter for an infrared sensor with tilt compensation.

Description détailléedetailed description

Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, comme cela est habituel dans la représentation des circuits électroniques, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. En outre, seuls les éléments utiles à la compréhension de la présente description ont été représentés et sont décrits. En particulier, les moyens de traitement des signaux fournis par les capteurs décrits ci-après sont à la portée de l'homme de l'art et ne sont pas décrits. Dans la suite de la description, sauf indication contraire, les termes "sensiblement", "environ" et "de l'ordre de" signifient "à 10 % près". En outre, dans la suite de la description, on appelle taille ou dimension latérale d'un élément d'un capteur, la dimension maximale de cet élément dans un plan perpendiculaire à la direction d'empilement des couches formant le capteur.For the sake of clarity, the same elements have been designated by the same references in the various figures and, moreover, as is customary in the representation of the electronic circuits, the various figures are not drawn to scale. In addition, only the elements useful for understanding the present description have been shown and are described. In particular, the signal processing means provided by the sensors described below are within the abilities of those skilled in the art and are not described. In the remainder of the description, except otherwise, the terms "substantially", "about" and "of the order of" mean "within 10%". In addition, in the following description, the size or lateral dimension of an element of a sensor, the maximum dimension of this element in a plane perpendicular to the stack direction of the layers forming the sensor.

Dans la suite de la description, l'indice de réfraction du matériau signifie l'indice de réfraction du matériau sur la plage de fonctionnement du filtre interférentiel en considérant que l'indice de réfraction du matériau est sensiblement constant sur la plage de longueurs d'ondes de fonctionnement du filtre interférentiel ou l'indice de réfraction moyen du matériau sur la plage de fonctionnement du filtre interférentiel dans le cas où l'indice de réfraction du matériau varie sur la plage de longueurs d'ondes de fonctionnement du filtre interférentiel.In the remainder of the description, the refractive index of the material means the refractive index of the material over the operating range of the interference filter, considering that the refractive index of the material is substantially constant over the range of lengths of the material. operating waves of the interferential filter or the average refractive index of the material over the operating range of the interference filter in the case where the refractive index of the material varies over the operating wavelength range of the interference filter.

La figure 1 représente un mode de réalisation d'un circuit optoélectronique 1 comprenant un filtre interférentiel 5 reposant sur un support 10. Le support 10 peut correspondre à un capteur d'images comprenant, par exemple, deux photodétecteurs PH1 et PH2. Dans le présent mode de réalisation, le filtre 5 comprend deux pixels de filtre F1 et F2, le pixel de filtre F1 recouvrant le photodétecteur PH1 et le pixel de filtre F2 recouvrant le photodétecteur PH2. En outre, dans le présent mode de réalisation, le filtre 5 comprend un niveau de filtrage N1. Le niveau de filtrage N1 comprend du bas vers le haut en figure 1 :

  • une première couche d'interface CI1 ;
  • des portions P1 et P2 d'un premier matériau diélectrique ayant un indice de réfraction haut nH reposant sur la couche d'interface CI1, de préférence au contact de la couche d'interface CI1, la portion P1 ayant une épaisseur e1 et étant située au niveau du pixel de filtre F1 et la portion P2 ayant une épaisseur e2, supérieure strictement à l'épaisseur e1, et étant située au niveau du pixel de filtre F2, la portion P2 délimitant une surface S2 sensiblement plane, opposée à la couche d'interface CI1 ;
  • une portion P'1 d'épaisseur e'1 d'un deuxième matériau diélectrique ayant un indice de réfraction bas nB, inférieur strictement à l'indice de réfraction nH, reposant sur la portion P1, de préférence en contact avec la portion P1, et délimitant une surface S1 sensiblement plane, opposée à la couche réfléchissante CI1 sensiblement coplanaire avec la surface S2 ; et
  • une deuxième couche d'interface CI2 reposant sur les portions P'1 et P2, de préférence au contact des portions P'1 et P2.
The figure 1 shows one embodiment of an optoelectronic circuit 1 comprising an interference filter 5 resting on a support 10. The support 10 may correspond to an image sensor comprising, for example, two photodetectors PH 1 and PH 2. In the present embodiment, the filter 5 comprises two filter pixels F 1 and F 2 , the filter pixel F 1 covering the photodetector PH 1 and the filter pixel F 2 covering the photodetector PH 2 . In addition, in the present embodiment, the filter 5 comprises a filter level N 1 . The level of filtering N 1 includes from bottom to top in figure 1 :
  • a first IC interface layer 1 ;
  • portions P 1 and P 2 of a first dielectric material having a high refractive index n H resting on the interface layer CI 1 , preferably in contact with the interface layer CI 1 , the portion P 1 having a thickness e 1 and being located at the filter F 1 and the pixel portion P 2 having a thickness e 2, strictly greater than the thickness e 1, and being located at the filter pixel F 2, the portion P 2 delimiting a substantially planar surface S 2 opposed to the interface layer CI 1 ;
  • a portion P ' 1 of thickness e' 1 of a second dielectric material having a low refractive index n B , less than the refractive index n H , resting on the portion P 1 , preferably in contact with the P 1 portion, and delimiting a substantially planar surface S 1 , opposite to the reflective layer CI 1 substantially coplanar with the surface S 2 ; and
  • a second IC interface layer 2 resting on the portions P ' 1 and P 2 , preferably in contact with the portions P' 1 and P 2 .

Le premier matériau diélectrique est, en outre, de préférence transparent, c'est-à-dire avec un coefficient d'extinction inférieur à 5.10-3, dans la plage de fonctionnement des pixels de filtre F1 et F2. Le deuxième matériau diélectrique est, en outre, de préférence transparent, c'est-à-dire avec un coefficient d'extinction inférieur à 5.10-3, dans la plage de fonctionnement des pixels de filtre F1 et F2.The first dielectric material is, moreover, preferably transparent, that is to say with an extinction coefficient of less than 5.10 -3 , in the operating range of the filter pixels F 1 and F 2 . The second dielectric material is, moreover, preferably transparent, that is to say with an extinction coefficient of less than 5.10 -3 , in the operating range of the filter pixels F 1 and F 2 .

Chaque couche d'interface CI1 et CI2 peut correspondre à une couche unique (en un matériau diélectrique ou métallique), ou à un empilement de deux couches ou de plus de deux couches (en matériaux diélectriques).Each interface layer CI 1 and CI 2 may correspond to a single layer (made of a dielectric or metal material), or to a stack of two layers or more than two layers (of dielectric materials).

L'ensemble comprenant l'empilement de la partie de la couche d'interface CI1 sous la portion P1 du premier matériau diélectrique, de la portion P1 du premier matériau diélectrique, de la portion P'1 du deuxième matériau diélectrique et de la partie de la couche d'interface CI2 sur la portion P'1 du deuxième matériau diélectrique forme le pixel de filtre F1. L'ensemble comprenant l'empilement de la partie de la couche d'interface CI1 sous la portion P2 du premier matériau diélectrique, de la portion P2 du premier matériau diélectrique, et de la partie de la couche d'interface CI2 reposant sur la portion P2 du deuxième matériau diélectrique forme le pixel de filtre F2.The assembly comprising the stacking of the portion of the interface layer CI 1 under the portion P 1 of the first dielectric material, the portion P 1 of the first dielectric material, the portion P ' 1 of the second dielectric material and of the portion of the IC interface layer 2 on the portion P ' 1 of the second dielectric material forms the filter pixel F 1 . The assembly comprising the stack of the portion of the IC interface layer 1 under the portion P 2 of the first dielectric material, the portion P 2 of the first dielectric material, and the portion of the IC interface layer 2 resting on the portion P 2 of the second dielectric material forms the filter pixel F 2 .

Le filtre 5 reçoit un rayonnement incident Rin. Le filtre 5 fournit au support 10 un premier rayonnement Ro1 au photodétecteur PH1 qui correspond à la partie du rayonnement incident Rin filtrée par le pixel de filtre F1. Le filtre 5 fournit au support 10 un deuxième rayonnement Ro2 au photodétecteur PH2 qui correspond à la partie du rayonnement incident Rin filtrée par le pixel de filtre F2.The filter 5 receives an incident radiation R in . The filter 5 supplies the support 10 with a first radiation R o1 to the photodetector PH 1 which corresponds to the part of the radiation incident R in filtered by the filter pixel F 1 . The filter 5 supplies the support 10 with a second radiation R o2 to the photodetector PH 2 which corresponds to the part of the incident radiation R in which the filter pixel F 2 has been filtered.

La figure 2 représente un autre mode de réalisation d'un circuit optoélectronique 15 comprenant un filtre interférentiel 20 qui correspond à une généralisation du filtre interférentiel 5 à plus de deux pixels de filtre. Dans le présent mode de réalisation, le niveau de filtrage N1 comprend N pixels de filtre F1 à FN, où N est un nombre entier variant de 2 à 20.The figure 2 represents another embodiment of an optoelectronic circuit 15 comprising an interference filter 20 which corresponds to a generalization of the interference filter 5 to more than two filter pixels. In the present embodiment, the filter level N 1 comprises N filter pixels F 1 to F N , where N is an integer ranging from 2 to 20.

Chaque pixel de filtre Fi, i variant de 1 à N-1, comprend un empilement, pris en sandwich entre les couches d'interface CI1 et CI2, d'une portion Pi d'épaisseur ei du premier matériau diélectrique recouverte d'une portion P'i d'épaisseur e'i du deuxième matériau diélectrique, la portion P'i délimitant une surface Si en contact avec la couche d'interface CI2. Le pixel de filtre FN comprend seulement une portion PN du premier matériau diélectrique prise en sandwich entre les couches d'interface CI1 et CI2, la portion PN délimitant une surface SN en contact avec la couche d'interface CI2. Pour i variant de 1 à N-2, l'épaisseur ei+1 est supérieure strictement à l'épaisseur ei et l'épaisseur e'i+1 est inférieure strictement à l'épaisseur e'i. Pour i variant de 1 à N-1, la somme des épaisseurs ei et e'i est égale à l'épaisseur eN. De ce fait, les surfaces S1 à SN sont sensiblement coplanaires.Each filter pixel F i , i varying from 1 to N-1, comprises a stack, sandwiched between the interface layers CI 1 and CI 2 , of a portion P i of thickness e i of the first dielectric material covered with a portion P ' i of thickness e' i of the second dielectric material, the portion P ' i delimiting a surface S i in contact with the interface layer CI 2 . The filter pixel F N comprises only a portion P N of the first dielectric material sandwiched between the interface layers CI 1 and CI 2 , the portion P N delimiting a surface S N in contact with the interface layer CI 2 . For i varying from 1 to N-2, the thickness e i + 1 is strictly greater than the thickness e i and the thickness e 'i + 1 is strictly less than the thickness e' i. For i varying from 1 to N-1, the sum of the thicknesses e i and e ' i is equal to the thickness e N. As a result, the surfaces S 1 to S N are substantially coplanar.

Selon un mode de réalisation, chaque portion Pi est formée par l'empilement de couches C1 à Ci du premier matériau diélectrique. Selon un mode de réalisation, la couche C1 s'étend sur tous les pixels de filtre F1 à FN et la couche CN s'étend seulement sur le pixel de filtre FN. La couche Ci s'étend sur les pixels de filtre Fi à FN et ne s'étend pas sur les pixels de filtre F1 à FN-i. A titre de variante, les couches C1 à Ci peuvent ne pas être toutes dans le même premier matériau diélectrique. Elles sont toutefois toutes en un matériau diélectrique dont l'indice de réfraction est supérieur strictement à l'indice de réfraction nB.According to one embodiment, each portion P i is formed by the stack of layers C 1 to C i of the first dielectric material. According to one embodiment, the layer C 1 extends over all the filter pixels F 1 to F N and the layer C N extends only over the filter pixel F N. The layer C i extends over the filter pixels F i to F N and does not extend over the filter pixels F 1 to F Ni . As a variant, the layers C 1 to C i may not all be in the same first dielectric material. They are however all in a dielectric material which the refractive index is strictly greater than the refractive index n B.

Dans les modes de réalisation décrits précédemment, le filtre interférentiel comprend un seul niveau de filtrage N1. Toutefois, le filtre interférentiel peut comprendre un empilement de deux niveaux de filtrage ou un empilement de plus de deux niveaux de filtrage, chaque niveau de filtrage pouvant avoir la structure décrite précédemment en relation avec la figure 2, une couche d'interface pouvant être commune à deux niveaux de filtre successifs.In the embodiments described above, the interference filter comprises a single level of filtering N 1 . However, the interference filter may comprise a stack of two filter levels or a stack of more than two filtering levels, each filtering level having the structure described above in relation to the filtering layer. figure 2 an interface layer that can be common at two successive filter levels.

Les inventeurs ont mis en évidence qu'il est possible d'obtenir un filtre pixélisé 20 comprenant des pixels de filtre correspondant à des filtres passe-bandes adaptés à globalement filtrer un rayonnement entre deux longueurs d'onde λ1 et λ2, lorsque l'écart entre l'indice de réfraction nH à la longueur d'onde λ2 et l'indice de réfraction bas nB à la longueur d'onde λ1 est supérieur à un seuil donné. En particulier, lorsque les couches d'interface CI1, CI2 sont des couches semi-réfléchissantes métalliques, les inventeurs ont mis en évidence qu'il est possible d'obtenir un filtre pixélisé 20 comprenant des pixels de filtre correspondant à des filtres passe-bandes adaptés à globalement filtrer un rayonnement entre deux longueurs d'onde λ1 et λ2 lorsque l'indice de réfraction nH à la longueur d'onde λ2 et l'indice de réfraction bas nB à la longueur d'onde λ1 vérifient la relation suivante : n H λ 2 / n B λ 1 ≥ λ 2 / λ 1

Figure imgb0001
The inventors have demonstrated that it is possible to obtain a pixelized filter 20 comprising filter pixels corresponding to pass-band filters adapted to globally filter radiation between two wavelengths λ 1 and λ 2 , when The difference between the refractive index n H at the wavelength λ 2 and the low refractive index n B at the wavelength λ 1 is greater than a given threshold. In particular, when the interface layers CI 1 , CI 2 are metal semi-reflective layers, the inventors have demonstrated that it is possible to obtain a pixelized filter 20 comprising filter pixels corresponding to pass filters. -bands adapted to globally filter radiation between two wavelengths λ 1 and λ 2 when the refractive index n H at the wavelength λ 2 and the refractive index low n B at the wavelength λ 1 verify the following relation: not H λ 2 / not B λ 1 ≥ λ 2 / λ 1
Figure imgb0001

Selon un mode de réalisation, les première et deuxième couches d'interface CI1, CI2 sont des couches semi-réfléchissantes, par exemple des couches métalliques, notamment en argent (Ag), éventuellement dopé pour améliorer la résistance mécanique ou réduire les effets de vieillissement. En particulier, dans le cas d'une utilisation du filtre interférentiel pour un capteur couleur ou un capteur couleur et infrarouge, les couches d'interface CI1, CI2 sont de préférence des couches semi-réfléchissantes métalliques.According to one embodiment, the first and second interface layers CI 1 , CI 2 are semi-reflective layers, for example metal layers, in particular silver (Ag), possibly doped to improve the mechanical strength or reduce the effects. of aging. In particular, in the case of using the interference filter for a color sensor or a color and infrared sensor, the interface layers CI 1 , CI 2 are preferably metal semi-reflective layers.

Selon un mode de réalisation, chaque couche d'interface CI1, CI2 comprend au moins deux couches diélectriques d'indices de réfraction différents avec un contraste d'indice d'au moins 0,5.According to one embodiment, each interface layer CI 1 , CI 2 comprises at least two dielectric layers of different refractive indices with an index contrast of at least 0.5.

L'indice de réfraction nH peut être compris entre 1,8 et 3,8. L'indice de réfraction nB peut être compris entre 1,3 et 2,5.The refractive index n H may be between 1.8 and 3.8. The refractive index n B can be between 1.3 and 2.5.

Le premier matériau diélectrique peut être choisi parmi le groupe comprenant le nitrure de silicium (SiN), le silicium amorphe (aSi), l'oxyde d'hafnium (HfOx), l'oxyde d'aluminium (AlOx), un film à base d'aluminium, d'oxygène et d'azote (AlOxNy), un film à base de silicium, d'oxygène, de carbone et d'azote (SiOxCyNz), le nitrure de silicium (SiNx), l'oxyde de niobium (NbOx), l'oxyde de tantale (TaOx), l'oxyde de titane (TiOx), le silicium amorphe hydrogéné (aSiH) et les mélanges d'au moins deux de ces composés. Chaque couche Ci peut avoir une épaisseur comprise entre 5 nm et 100 nm. L'épaisseur eN peut être comprise entre 50 nm et 150 nm.The first dielectric material may be selected from the group consisting of silicon nitride (SiN), amorphous silicon (aSi), hafnium oxide (HfO x ), aluminum oxide (AlO x ), a film based on aluminum, oxygen and nitrogen (AlO x N y ), a film based on silicon, oxygen, carbon and nitrogen (SiO x C y N z ), silicon nitride (SiN x ), niobium oxide (NbO x ), tantalum oxide (TaO x ), titanium oxide (TiO x ), hydrogenated amorphous silicon (aSiH) and mixtures of at least two of these compounds. Each layer C i may have a thickness of between 5 nm and 100 nm. The thickness e N can be between 50 nm and 150 nm.

Le deuxième matériau diélectrique peut être choisi parmi le groupe comprenant le dioxyde de silicium (SiO2), le fluorure de magnésium (MgF2), l'oxyde de silicium (SiOx), l'oxynitrure de silicium (SiOxNy), l'oxyde d'hafnium (HfOx), l'oxyde d'aluminium (AlOx), un film à base d'aluminium, d'oxygène et d'azote (AlOxNy), un film à base de silicium, d'oxygène, de carbone et d'azote (SiOxCyNz), le nitrure de silicium (SiNx) et les mélanges d'au moins deux de ces composés. L'épaisseur e'1 peut être comprise entre 50 nm et 150 nm.The second dielectric material may be selected from the group consisting of silicon dioxide (SiO 2 ), magnesium fluoride (MgF 2 ), silicon oxide (SiO x ), silicon oxynitride (SiO x N y ) , hafnium oxide (HfO x ), aluminum oxide (AlO x ), a film based on aluminum, oxygen and nitrogen (AlO x N y ), a film based on silicon, oxygen, carbon and nitrogen (SiO x C y N z ), silicon nitride (SiN x ) and mixtures of at least two of these compounds. The thickness e ' 1 can be between 50 nm and 150 nm.

Les figures 3A à 3G sont des vues en coupe, partielles et schématiques, de structures obtenues à des étapes successives d'un autre mode de réalisation du filtre interférentiel 5 de la figure 1.The Figures 3A to 3G are partial and schematic sectional views of structures obtained at successive stages of another embodiment of the interference filter 5 of the figure 1 .

Dans ce mode de réalisation, le procédé comprend les étapes successives suivantes :

  • formation de la couche d'interface CI1 sur le support 10 (figure 3A) ;
  • formation de la couche C2 d'épaisseur e2-e1 du premier matériau diélectrique sur la première couche d'interface CI1 (figure 3B) ;
  • gravure de la couche C2, avec arrêt de gravure sur la couche d'interface CI1 à l'emplacement du premier pixel de filtre F1 de façon à ne conserver la couche C2 qu'à l'emplacement du deuxième pixel de filtre F2 (figure 3C) ;
  • formation de la couche C1 d'épaisseur e1 du premier matériau diélectrique sur la première couche d'interface CI1 et sur la couche C2 (figure 3D). Il est alors obtenu la portion P1 du premier matériau diélectrique à l'emplacement du premier pixel de filtre F1 et la portion P2 du deuxième matériau diélectrique à l'emplacement du deuxième pixel de filtre F2 ;
  • formation d'une couche 30 d'épaisseur e'1 du deuxième matériau diélectrique sur la couche C1 (figure 3E) ;
  • gravure de la couche 30, avec arrêt de gravure sur la partie de la couche C1 se trouvant à l'emplacement du deuxième pixel de filtre F2, ce qui délimite la portion P'1 du deuxième matériau diélectrique à l'emplacement du premier pixel de filtre F1 (figure 3F) ; et
  • formation de la couche d'interface CI2 sur la portion P'1 du deuxième matériau diélectrique et la portion P2 du premier matériau diélectrique (figure 3G).
In this embodiment, the method comprises the following successive steps:
  • formation of the interface layer CI 1 on the support 10 ( figure 3A );
  • forming the layer C 2 of thickness e 2 -e 1 of the first dielectric material on the first interface layer CI 1 ( figure 3B );
  • etching of the layer C 2 , with etching stop on the interface layer CI 1 at the location of the first filter pixel F 1 so as to keep the layer C 2 at the location of the second filter pixel F 2 ( figure 3C );
  • forming the layer C 1 of thickness e 1 of the first dielectric material on the first interface layer CI 1 and on the layer C 2 ( 3D figure ). It is then obtained the portion P 1 of the first dielectric material at the location of the first filter pixel F 1 and the portion P 2 of the second dielectric material at the location of the second filter pixel F 2 ;
  • forming a layer 30 of thickness e ' 1 of the second dielectric material on the layer C 1 ( figure 3E );
  • etching of the layer 30, with etching stop on the portion of the layer C 1 located at the location of the second filter pixel F 2 , which delimits the portion P ' 1 of the second dielectric material at the location of the first filter pixel F 1 ( figure 3F ); and
  • formation of the IC interface layer 2 on the portion P ' 1 of the second dielectric material and the portion P 2 of the first dielectric material ( figure 3G ).

A titre de variante, il peut être prévu une couche supplémentaire, non représentée sur les figures, d'un matériau diélectrique ou métallique, recouvrant la couche d'interface CI1 et jouant, par exemple, le rôle d'une couche de protection contre l'oxydation et/ou d'une couche améliorant l'adhérence des dépôts suivants. C'est cette couche qui sert alors de couche d'arrêt de gravure lors de la gravure de la couche C2. A titre de variante, la formation de la couche d'interface CI2 peut être précédée par la formation d'une couche supplémentaire, non représentée sur les figures, d'un matériau diélectrique ou métallique, jouant, par exemple, le rôle d'une couche améliorant l'adhérence de la couche d'interface CI2.Alternatively, there may be provided an additional layer, not shown in the figures, of a dielectric material or metal, covering the interface layer CI 1 and playing, for example, the role of a protective layer against oxidation and / or adhesion-improving layer of subsequent deposits. It is this layer which then serves as an etch stop layer during etching of the layer C 2 . Alternatively, the formation of the IC interface layer 2 may be preceded by the formation of an additional layer, not shown in the figures, of a dielectric or metallic material, playing, for example, the role of an adhesion-improving layer of the IC interface layer 2 .

De façon générale, dans le cas du filtre interférentiel 20 comprenant N pixels de filtre F1 à FN, un mode de réalisation d'un procédé de fabrication du filtre interférentiel 20 comprend les étapes suivantes :

  1. 1) formation de la couche d'interface CI1 sur le support 10 ;
    répétition pour i décroissant de N à 2 des étapes 2) et 3) suivantes :
    • 2) formation de la couche Ci d'épaisseur ei-ei-1 du premier matériau diélectrique sur la totalité de la structure ;
    • 3) gravure de la couche Ci formée à l'étape 2), avec arrêt de gravure sur la couche d'interface CI1 à l'emplacement des pixels de filtre F1 à Fi-1 de façon à laisser la couche Ci formée à l'étape 2) aux emplacements des pixels de filtre Fi à FN ;
    • 4) formation d'une couche d'épaisseur e'1 du deuxième matériau diélectrique sur la structure obtenue après la répétition des étapes 2) et 3) ;
    • 5) gravure de la couche du deuxième matériau diélectrique, avec arrêt de gravure sur le premier matériau diélectrique à l'emplacement du pixel de filtre FN de façon à délimiter les portions P'1 à P'N-1 du deuxième matériau diélectrique à l'emplacement des pixels de filtre F1 à FN-1 ; et
    • 6) formation de la couche d'interface CI2 sur la structure obtenue à l'étape 5).
In general, in the case of the interference filter 20 comprising N filter pixels F 1 to F N , an embodiment of a method of manufacturing the interference filter 20 comprises the following steps:
  1. 1) formation of the interface layer CI 1 on the support 10;
    repetition for i decreasing from N to 2 of the following steps 2) and 3):
    • 2) formation of the layer C i of thickness e i -e i-1 of the first dielectric material on the entire structure;
    • 3) etching of the layer C i formed in step 2), with etching stop on the interface layer CI 1 at the location of the filter pixels F 1 to F i-1 so as to leave the layer C i formed in step 2) at the locations of the filter pixels F i to F N ;
    • 4) forming a layer of thickness e ' 1 of the second dielectric material on the structure obtained after the repetition of steps 2) and 3);
    • 5) etching the layer of the second dielectric material, with etching stop on the first dielectric material at the location of the filter pixel F N so as to delimit the portions P ' 1 to P' N-1 of the second dielectric material to the location of the filter pixels F 1 to F N-1 ; and
    • 6) formation of the CI interface layer 2 on the structure obtained in step 5).

Selon un mode de réalisation, l'étape de gravure à l'étape 5) peut être une étape de polissage mécano-chimique (CMP, sigle anglais pour Chemical-Mechanical Planarization), auquel cas la couche 30 est de préférence déposée avec une épaisseur d'au moins deux fois e'1. Selon un autre mode de réalisation, les étapes 5) et 6) décrites précédemment sont remplacées par une étape de dépôt d'un matériau diélectrique polymère à l'emplacement des pixels de filtre F1 à FN-1. Dans ce cas, l'étape de polissage mécano-chimique peut ne pas être présente.According to one embodiment, the etching step in step 5) may be a chemical-mechanical polishing step (CMP), in which case the layer 30 is preferably deposited with a thickness at least twice e ' 1 . According to another embodiment, steps 5) and 6) previously described are replaced by a step of depositing a polymeric dielectric material at the location of the filter pixels F 1 to F N-1 . In this case, the chemical mechanical polishing step may not be present.

De façon avantageuse, les espaceurs du filtre interférentiel 20 ont des dimensions latérales inférieures de préférence à 50 nm. Ceci permet de réduire la partie de la lumière qui parvient sur les espaceurs et donc de réduire les pertes de signal par diffusion et/ou une distorsion des réponses spectrales des pixels de filtre.Advantageously, the spacers of the interference filter 20 have lower lateral dimensions, preferably at 50 nm. This makes it possible to reduce the portion of the light that reaches the spacers and thus to reduce the diffusion signal losses and / or a distortion of the spectral responses of the filter pixels.

Le filtre pixélisé selon les modes de réalisation décrits précédemment peut être utilisé dans un capteur d'images.The pixelated filter according to the previously described embodiments may be used in an image sensor.

Le capteur d'images peut alors comprendre des capteurs de photons ou photodétecteurs adaptés à détecter des rayonnements dans des plages de longueurs d'ondes différentes ou adaptés à détecter des rayonnements dans la même plage de longueurs d'ondes. Dans ce dernier cas, c'est seulement la présence des pixels de filtre qui permet la détection de rayonnements dans des plages de longueurs d'ondes différentes. Chaque pixel de filtre peut alors recouvrir au moins un photodétecteur du capteur et jouer le rôle d'un filtre passe-bande du rayonnement incident qui atteint le capteur pour fournir un rayonnement adapté à la plage de longueurs d'ondes détectées par le photodétecteur associé. Les dimensions latérales des pixels de filtre peuvent être égales aux dimensions latérales des photosites du capteur d'images ou égales à un multiple des dimensions latérales des photosites du capteur d'images. La disposition des pixels de filtre peut suivre celle des photosites du capteur d'images. A titre d'exemple, les pixels de filtre peuvent être disposés selon une matrice de Bayer. Les dimensions réduites des espaceurs du filtre interférentiel 20 permettent notamment l'utilisation du filtre interférentiel 20 avec des capteurs d'images dont les photosites ont une taille inférieure à 1,5 µm. Le capteur d'images peut être un capteur couleur ou un capteur couleur et infrarouge.The image sensor may then include photon sensors or photodetectors adapted to detect radiation in different wavelength ranges or adapted to detect radiation in the same range of wavelengths. In the latter case, it is only the presence of the filter pixels that allows the detection of radiation in different wavelength ranges. Each filter pixel can then cover at least one photodetector of the sensor and act as an incident radiation bandpass filter which reaches the sensor to provide radiation adapted to the range of wavelengths detected by the associated photodetector. The lateral dimensions of the filter pixels may be equal to the lateral dimensions of the photosensities of the image sensor or equal to a multiple of the lateral dimensions of the photosensities of the image sensor. The arrangement of the filter pixels may follow that of the image sensor photosites. For example, the filter pixels may be arranged according to a Bayer matrix. The reduced dimensions of the spacers of the interference filter 20 allow in particular the use of the interference filter 20 with image sensors whose photosites have a size less than 1.5 microns. The image sensor may be a color sensor or a color and infrared sensor.

Les inventeurs ont mis en évidence que le filtre pixélisé selon les modes de réalisation décrits précédemment permet, de façon surprenante, de réaliser un filtrage dans une plage de longueurs d'ondes aussi étendue que celle nécessaire pour un capteur couleur ou un capteur couleur et infrarouge. En effet, la présence des portions P'i augmente le chemin optique de tous les pixels de filtre sauf le pixel FN. Pour conserver les mêmes longueurs d'ondes filtrées par les pixels de filtre que pour un filtre pixélisé classique, il suffit de conserver le même chemin optique dans chaque pixel de filtre que pour un filtre pixélisé classique. Toutefois, un calcul simplifié montrerait, par exemple en considérant l'indice de réfraction du nitrure de silicium pour l'indice de réfraction haut nH et l'indice de réfraction du dioxyde de silicium pour l'indice de réfraction bas nB, que la plage de longueurs d'ondes accessibles irait seulement du bleu au vert. Les inventeurs ont mis en évidence que les portions P'i de faible indice de réfraction nB entraînait un déphasage favorable à la réflexion sur les couches d'interface semi-réfléchissantes et qu'une plage de longueurs d'ondes allant de 450 nm à 600 nm était accessible lorsque l'écart entre l'indice de réfraction haut nH et l'indice de réfraction bas nB était supérieur ou égal à 0,5. L'ajout dans au moins un pixel de filtre d'un matériau diélectrique supplémentaire ayant un indice de réfraction supérieur à l'indice de réfraction haut nH permet d'agrandir encore la plage de longueurs d'ondes accessibles jusqu'à l'infrarouge, notamment jusqu'à la longueur d'onde 900 nm.The inventors have demonstrated that the pixelized filter according to the embodiments described above makes it possible, surprisingly, to carry out a filtering in a range of wavelengths as extensive as that required for a color sensor or a color and infrared sensor. . Indeed, the presence of the portions P ' i increases the optical path of all the filter pixels except the pixel F N. To preserve the same wavelengths filtered by the filter pixels as for a conventional pixilated filter, it is sufficient to keep the same optical path in each filter pixel as for a conventional pixelated filter. However, a simplified calculation would show, for example by considering the refractive index of silicon nitride for the high refractive index n H and the refractive index of silicon dioxide for the low refractive index n B , that the range of accessible wavelengths would only be blue to green. The inventors have demonstrated that the portions P ' i of low refractive index n B cause a phase shift favorable to reflection on the semi-reflecting interface layers and that a wavelength range from 450 nm to 600 nm was accessible when the difference between the high refractive index n H and the low refractive index n B was greater than or equal to 0.5. The addition in at least one filter pixel of an additional dielectric material having a refractive index greater than the high refractive index n H makes it possible to further enlarge the range of wavelengths accessible up to the infrared , especially up to the wavelength 900 nm.

Le capteur peut être adapté à la détection d'une image sur une plage de longueurs d'onde donnée, par exemple dans le domaine infrarouge. Le filtre pixélisé selon les modes de réalisation décrits précédemment peut alors être utilisé pour compenser les variations de l'inclinaison du rayonnement qui atteint le capteur. Chaque pixel de filtre est alors situé à un emplacement qui dépend de l'inclinaison du rayonnement reçu par le capteur. Chaque pixel de filtre peut alors jouer le rôle d'un filtre passe-bande du rayonnement avec une inclinaison donnée centré sensiblement sur la même longueur d'onde.The sensor can be adapted to the detection of an image over a given wavelength range, for example in the infrared range. The pixelated filter according to the embodiments described above can then be used to compensate for variations in the inclination of the radiation that reaches the sensor. Each filter pixel is then located at a location that depends on the inclination of the radiation received by the sensor. Each filter pixel can then act as a radiation bandpass filter with a given inclination centered substantially on the same wavelength.

Les figures 4 à 7 représentent des modes de réalisation de capteurs d'images comprenant un filtre interférentiel selon les modes de réalisation décrits précédemment.The Figures 4 to 7 represent embodiments of image sensors comprising an interference filter according to the previously described embodiments.

Dans les modes de réalisation représentés sur les figures 4 à 7, le support 10 correspond à un circuit intégré comprenant un substrat 42 dans lequel et/ou sur lequel sont formés des capteurs de photons, trois capteurs de photons PH1, PH2, PH3 étant représentés sur les figures 4 à 7. Le support 10 comprend, en outre, un empilement 44 de couches isolantes électriquement recouvrant le substrat 42 dans lequel sont formés des éléments 46 conducteurs électriquement, qui permettent notamment une connexion électrique des capteurs de photons. Dans les modes de réalisation représentés sur les figures 4 à 7, le filtre interférentiel 20 comprend, à titre d'exemple, trois pixels de filtres F1, F2 et F3 et un seul niveau de filtre N1. En outre, les capteurs d'images comprennent des lentilles 48, par exemple une lentille 48 pour chaque capteur de photons PH1, PH2, PH3.In the embodiments shown in Figures 4 to 7 , the support 10 corresponds to an integrated circuit comprising a substrate 42 in which and / or on which photon sensors are formed, three photon sensors PH 1 , PH 2 , PH 3 being represented on the Figures 4 to 7 . The support 10 further comprises a stack 44 of electrically insulating layers covering the substrate 42 in which electrically conductive elements 46 are formed, which notably allow electrical connection of the photon sensors. In the embodiments shown in Figures 4 to 7 the interference filter 20 comprises, by way of example, three filter pixels F 1 , F 2 and F 3 and a single filter level N 1 . In addition, the image sensors comprise lenses 48, for example a lens 48 for each photon sensor PH 1 , PH 2 , PH 3 .

La figure 4 représente un mode de réalisation d'un capteur d'images 50 dans lequel le filtre interférentiel 20 est disposé du côté de l'empilement 44 opposé au substrat 42. Ce type d'agencement est appelé montage en face avant, dans la mesure où le rayonnement indicent atteint les capteurs PH1, PH2, PH3 du côté de l'empilement 44. En figure 4, le filtre interférentiel 20 est fixé directement à l'empilement 44, par exemple par l'intermédiaire d'un matériau de collage ou de préférence, en étant déposé directement sur l'empilement 44. Dans ce mode de réalisation, les lentilles 48 reposent sur le filtre interférentiel 20, du côté du filtre interférentiel 20 opposé au support 10.The figure 4 represents an embodiment of an image sensor 50 in which the interference filter 20 is disposed on the side of the stack 44 opposite the substrate 42. This type of arrangement is called front-panel mounting, inasmuch as the Indirect radiation reaches the sensors PH 1 , PH 2 , PH 3 on the side of the stack 44. figure 4 , the interference filter 20 is fixed directly to the stack 44, for example by means of a bonding material or preferably, being deposited directly on the stack 44. In this embodiment, the lenses 48 rest on the interference filter 20, on the side of the interference filter 20 opposite the support 10.

La figure 5 représente un mode de réalisation d'un capteur d'images 55 dans lequel le filtre interférentiel 20 est disposé en face avant et dans lequel les lentilles 48 sont disposées entre le support 10 et le filtre interférentiel 20 et reposent sur l'empilement 44. Un film d'air 56 est prévu entre les lentilles 48 et le filtre interférentiel 20. Le procédé de fabrication du capteur d'images 55 peut comprendre la formation du filtre interférentiel 20 sur un substrat 58 sensiblement transparent au rayonnement incident et la fixation, par exemple par collage, du filtre interférentiel 20 à l'empilement 44, le film d'air 56 étant maintenu, par exemple par l'utilisation d'une entretoise, non représentée, interposée entre l'empilement 44 et le filtre 20, à la périphérie de l'empilement 44. Selon une variante non représentée, le filtre interférentiel 20 est déposé par-dessus les lentilles 48 sans lame d'air, auquel cas il est nécessaire de planariser au préalable les lentilles 48 par le dépôt d'une couche de très bas indice de réfraction, par exemple en un polymère d'indice de réfraction 1,2.The figure 5 represents an embodiment of an image sensor 55 in which the interference filter 20 is disposed on the front face and in which the lenses 48 are arranged between the support 10 and the interference filter 20 and rest on the stack 44. A air film 56 is provided between the lenses 48 and the interference filter 20. The method of manufacturing the image sensor 55 may comprise the formation of the interference filter 20 on a substrate 58 substantially transparent to the incident radiation and the fixing, for example by bonding, of the interference filter 20 to the stack 44, the air film 56 being maintained, for example by the use of a spacer, not shown, interposed between the stack 44 and the filter 20, at the periphery of the stack 44. According to a variant not shown, the interference filter 20 is deposited over the lenses 48 without an air knife, in which case it is necessary to planarize the lenses 48 beforehand by depositing a layer of very low refractive index, for example a polymer having a refractive index of 1.2.

La figure 6 représente un mode de réalisation d'un capteur d'images 60 dans lequel le filtre interférentiel 20 est disposé du côté du substrat 42. Ce type d'agencement est appelé montage en face arrière, dans la mesure où le rayonnement indicent atteint les capteurs PH1, PH2, PH3 du côté du substrat 42. En figure 6, le filtre interférentiel 20 est fixé directement au substrat 42, éventuellement par l'intermédiaire d'un matériau de collage. Dans le présent mode de réalisation, les lentilles 48 reposent sur le filtre interférentiel 20, du côté du filtre interférentiel 20 opposé au support 10.The figure 6 represents an embodiment of an image sensor 60 in which the interference filter 20 is disposed on the side of the substrate 42. This type of arrangement is referred to as rear-panel mounting, insofar as the incident radiation reaches the PH sensors 1 , PH 2 , PH 3 on the substrate side 42. figure 6 , the interference filter 20 is fixed directly to the substrate 42, possibly via a bonding material. In the present embodiment, the lenses 48 rest on the interference filter 20, on the side of the interference filter 20 opposite the support 10.

La figure 7 représente un mode de réalisation d'un capteur d'images 65 dans lequel le filtre interférentiel 20 est disposé en face arrière et dans lequel les lentilles 48 sont disposées entre le support 10 et le filtre interférentiel 20 et reposent sur le substrat 42. Comme pour le capteur d'images 55, un film d'air 66 est prévu entre les lentilles 48 et le filtre interférentiel 20. Le procédé de fabrication du capteur d'images 65 peut être analogue à ce qui a été décrit pour le capteur d'images 55.The figure 7 represents an embodiment of an image sensor 65 in which the interference filter 20 is disposed on the rear face and in which the lenses 48 are arranged between the support 10 and the interference filter 20 and rest on the substrate 42. the image sensor 55, an air film 66 is provided between the lenses 48 and the interference filter 20. The method of manufacturing the image sensor 65 may be similar to that described for the image sensor 55.

Dans les modes de réalisation décrits précédemment, le capteur d'images peut comprendre une couche antireflet non représentée.In the embodiments described above, the image sensor may comprise an antireflection layer, not shown.

Dans les modes de réalisation décrits précédemment en relation avec les figures 5 et 7, l'utilisation du filtre interférentiel 20 est particulièrement avantageuse dans la mesure où, dans ces modes de réalisation, le rayonnement incident qui atteint le filtre interférentiel 20 n'a pas été encore focalisé par les lentilles 48 et traverse nécessairement les espaceurs entre les pixels de filtre. Les dimensions réduites de ces espaceurs améliorent le fonctionnement du capteur.In the embodiments described above in connection with the Figures 5 and 7 , the use of the interference filter 20 is particularly advantageous insofar as, in these embodiments, the incident radiation which the interference filter 20 has not yet been focused by the lenses 48 and necessarily passes through the spacers between the filter pixels. The reduced dimensions of these spacers improve the operation of the sensor.

La figure 8 représente un mode de réalisation d'un filtre interférentiel 70 dont la réponse spectrale a été déterminée par simulation. Le filtre interférentiel 70 comprenait deux niveaux de filtrage N1 et N2, chaque niveau de filtrage comprenant quatre pixels de filtre Filtre_B, Filtre_G, Filtre_R et Filtre_IR correspondant respectivement à un filtre laissant passer seulement la lumière bleue B, à un filtre laissant passer seulement la lumière verte G, à un filtre laissant passer seulement la lumière rouge R et à un filtre laissant passer seulement le rayonnement infrarouge IR centré sensiblement sur la longueur d'onde de 800 nm.The figure 8 represents an embodiment of an interference filter 70 whose spectral response has been determined by simulation. The interference filter 70 comprises two filter levels N 1 and N 2 , each filtering level comprising four filter pixels Filter_B, Filter_G, Filter_R and Filter_IR respectively corresponding to a filter passing only the blue light B, to a filter passing only the green light G, a filter passing only the red light R and a filter passing only infrared radiation IR centered substantially on the wavelength of 800 nm.

Les épaisseurs et les matériaux composant les couches du filtre interférentiel 70 sont regroupés dans le tableau I ci-dessous en fonction des pixels de filtre Filtre B, Filtre_G, Filtre_R et Filtre_IR. Dans la suite de la description, une couche est indiquée avec une épaisseur nulle pour un pixel de filtre donné si elle n'est pas présente pour ce pixel de filtre. Tableau I Filtre_B Filtre_G Filtre_R Filtre_IR N° couche Matériau Epaisseur (nm) A1 SiN 42 A2 Ag 22 A3 TiO2 5 A4 aSi 0 0 0 25 A5 SiN 0 0 33 33 A6 SiN 0 32 32 32 A7 SiN 6 6 6 6 A8 SiO2 91 59 25 0 A9 SiN 5 A10 Ag 33 A11 TiO2 5 A12 aSi 0 0 0 25 A13 SiN 0 0 33 33 A14 SiN 0 32 32 32 A15 SiN 6 6 6 6 A16 SiO2 91 59 25 0 A17 SiN 5 A18 Ag 16 A19 SiN 46 The thicknesses and the materials composing the layers of the interference filter 70 are grouped together in Table I below as a function of the Filter B, Filter_G, Filter_R and Filter_IR filter pixels. In the remainder of the description, a layer is indicated with zero thickness for a given filter pixel if it is not present for that filter pixel. <b> Table I </ b> Filtre_B Filtre_G Filter Filtre_IR N ° layer Material Thickness (nm) A1 SiN 42 A2 Ag 22 A3 TiO 2 5 A4 aSi 0 0 0 25 AT 5 SiN 0 0 33 33 A6 SiN 0 32 32 32 A7 SiN 6 6 6 6 AT 8 SiO 2 91 59 25 0 A9 SiN 5 A10 Ag 33 A11 TiO 2 5 AT 12 aSi 0 0 0 25 A13 SiN 0 0 33 33 A14 SiN 0 32 32 32 A15 SiN 6 6 6 6 A16 SiO 2 91 59 25 0 A17 SiN 5 A18 Ag 16 A19 SiN 46

Le filtre 70 a été fabriqué en déposant successivement chaque couche A1 à A19 et en gravant les couches A4 à A6 et A12 à A14 aux emplacements où elles ne sont pas présentes et en prévoyant une étape de planarisation après le dépôt des couches A8 et A16 jusqu'à atteindre les couches sous-jacentes.The filter 70 was manufactured by successively depositing each layer A1 to A19 and etching the layers A4 to A6 and A12 to A14 at the locations where they are not present and providing a planarization step after the deposition of the layers A8 and A16 until 'to reach the underlying layers.

Les couches A3 et A11 de TiO2 servent à la fois d'encapsulation de la couche d'Ag A2 et A10 sous-jacente respectivement et de couche d'arrêt de gravure lors de la gravure des couches de aSi et SiN ultérieures. L'indice de réfraction du SiN sur la plage de longueur d'onde de 450 nm à 600 nm est sensiblement constant et égal à 2,0 et l'indice de réfraction du SiO2 sur la plage de longueur d'onde de 450 nm à 600 nm est sensiblement constant et égal à 1,46. L'indice de réfraction du silicium amorphe (aSi) sur la plage de longueur d'onde de l'infrarouge est sensiblement constant et égal à 3,7. L'épaisseur totale du filtre 70 était de 0,37 µm. L'épaisseur du filtre 70 étant faible par rapport à la taille des pixels, le phénomène de diaphonie optique est peu prononcé.The TiO 2 layers A3 and A11 serve both to encapsulate the underlying A2 and A2A layer respectively and to etch stop layer upon etching of the subsequent αSi and SiN layers. The refractive index of SiN over the wavelength range of 450 nm to 600 nm is substantially constant and equal to 2.0 and the refractive index of SiO 2 over the wavelength range of 450 nm at 600 nm is substantially constant and equal to 1.46. The refractive index of the amorphous silicon (aSi) over the wavelength range of the infrared is substantially constant and equal to 3.7. The total thickness of the filter 70 was 0.37 μm. The thickness of the filter 70 is small compared to the size of the pixels, the phenomenon of optical crosstalk is not pronounced.

La figure 9 représente des courbes d'évolution de la transmission respectivement du pixel de filtre Filtre_B (courbe CAB), du pixel de filtre Filtre_G (courbe CAG), du pixel de filtre Filtre_R (courbe CAR) et du pixel de filtre Filtre_IR (courbe CAIR) pour le filtre interférentiel 70.The figure 9 represents evolution curves of the transmission respectively of the filtering pixel Filter_B (CA curve B ), the filtering pixel Filter_G (CA curve G ), the filtering pixel FilterR (CA curve R ) and the filtering pixel Filter_IR (curve CA IR ) for the interference filter 70.

La figure 10 représente un exemple de comparaison d'un filtre interférentiel 75 dont la réponse spectrale a été déterminée par simulation. Le filtre interférentiel 75 avait la même structure que le filtre 70 à la différence que les couches de SiO2 A8 et A16 n'étaient pas présentes et que les épaisseurs des autres couches pouvaient être modifiées.The figure 10 represents an example of comparison of an interference filter 75 whose spectral response has been determined by simulation. The interference filter 75 had the same structure as the filter 70 except that the layers SiO 2 A8 and A16 were not present and the thicknesses of the other layers could be modified.

Les épaisseurs et les matériaux composant les couches du filtre interférentiel 75 sont regroupés dans le tableau II ci-dessous en fonction des pixels de filtre Filtre_B, Filtre_G, Filtre_R et Filtre_IR. Tableau II Filtre_B Filtre_ G Filtre_R Filtre_IR N° couche Matériau Epaisseur (nm) B1 SiN 41 B2 Ag 22 B3 TiO2 5 B4 aSi 0 0 0 19 B5 SiN 0 0 20 20 B6 SiN 0 24 24 24 B7 SiN 48 48 48 48 B8 SiN 5 B9 Ag 33 B10 TiO2 5 B11 aSi 0 0 0 20 B12 SiN 0 0 21 21 B13 SiN 0 26 26 26 B14 SiN 47 47 47 47 B15 SiN 5 B16 Ag 17 B17 SiN 70 The thicknesses and the materials composing the layers of the interference filter 75 are grouped together in Table II below as a function of the filtering pixels Filter_B, Filter_G, Filter_R and Filter_IR. <b> Table II </ b> Filtre_B G_Filter Filter Filtre_IR N ° layer Material Thickness (nm) B1 SiN 41 B2 Ag 22 B3 TiO 2 5 B4 aSi 0 0 0 19 B5 SiN 0 0 20 20 B6 SiN 0 24 24 24 B7 SiN 48 48 48 48 B8 SiN 5 B9 Ag 33 B10 TiO 2 5 B11 aSi 0 0 0 20 B12 SiN 0 0 21 21 B13 SiN 0 26 26 26 B14 SiN 47 47 47 47 B15 SiN 5 B16 Ag 17 B17 SiN 70

Le filtre 75 a été fabriqué en déposant successivement chaque couche A1 à A19 et en gravant les couches B4 à B6 et B11 à B13 aux emplacements où elles ne sont pas présentes.The filter 75 was manufactured by successively depositing each layer A1 to A19 and etching the layers B4 to B6 and B11 to B13 at the locations where they are not present.

La figure 11 représente des courbes d'évolution de la transmission respectivement du pixel de filtre Filtre_B (courbe CBB), du pixel de filtre Filtre_G (courbe CBG), du pixel de filtre Filtre_R (courbe CBR) et du pixel de filtre Filtre_IR (courbe CBIR) pour le filtre interférentiel 75. Les courbes de transmission du filtre 70 sont sensiblement identiques aux courbes de transmission du filtre 75. Les réponses spectrales des filtres 70 et 75 sont donc sensiblement identiques. Toutefois, la dimension latérale maximale des espaceurs du filtre 75 est supérieure à celle des espaceurs du filtre 70. En effet, entre les pixels de filtre Filtre_IR et Filtre_R, la dimension latérale maximale des espaceurs du filtre 75 est par exemple de l'ordre de 250 nm alors qu'elle est de l'ordre de 50 nm pour le filtre 70.The figure 11 represents evolution curves of the transmission respectively of the Filter_B filter pixel (CB B curve), the Filter_G filter pixel (CB G curve), the Filter_R filter pixel (CB R curve) and the Filter_IR filter pixel (curve CB IR ) for the interference filter 75. The curves of transmission of the filter 70 are substantially identical to the transmission curves of the filter 75. The spectral responses of the filters 70 and 75 are therefore substantially identical. However, the maximum lateral dimension of the spacers of the filter 75 is greater than that of the spacers of the filter 70. Indeed, between the filter pixels Filter_IR and Filter_R, the maximum lateral dimension of the spacers of the filter 75 is for example of the order of 250 nm whereas it is of the order of 50 nm for the filter 70.

Le filtre 70 est donc particulièrement adapté à une utilisation avec un capteur d'images dont la taille des photosites est inférieure au micromètre.The filter 70 is therefore particularly suitable for use with an image sensor whose size of the photosites is less than one micrometer.

Il est possible de centrer le pixel de filtre Filtre_IR à une longueur d'onde supérieure à celle du filtre 70 décrit précédemment, par exemple en introduisant une couche de aSi dans le pixel de filtre Filtre_R. Le remplacement d'une couche de SiN par une couche de aSi de plus haut indice de réfraction dans le pixel de filtre Filtre_R permet de réduire l'épaisseur de la marche entre le pixel de filtre Filtre_G et le pixel de filtre Filtre_R, et la différence d'épaisseur peut être utilisée pour décaler le pixel filtre Filtre_IR vers les hautes longueurs d'onde. Toutefois, comme l'épaisseur totale de chaque pixel de filtre doit être maintenue identique à celle du filtre Filtre B, l'épaisseur du pixel de filtre Filtre_IR ne peut pas être indéfiniment augmentée.It is possible to center the IR filter filter pixel at a wavelength greater than that of the filter 70 described above, for example by introducing a layer of aSi in the Filter_R filter pixel. The replacement of a SiN layer by a layer of aSi of higher refractive index in the Filter_R filter pixel makes it possible to reduce the thickness of the step between the Filter_G filter pixel and the Filter_R filter pixel, and the difference Thickness can be used to shift the filter pixel IR Filter to high wavelengths. However, since the total thickness of each filter pixel must be kept the same as that of filter B, the filter filter IR can not be increased indefinitely.

La réponse spectrale d'un tel filtre interférentiel a été déterminée par simulation avec du aSi dans les pixels de filtres Filtre_IR et Filtre_R. L'empilement du filtre a une épaisseur totale de 0,39 µm, les hauteurs de marche entre le pixel de filtre Filtre_B et le pixel de filtre Filtre_G, entre le pixel de filtre Filtre_G et le pixel de filtre Filtre_R et entre le pixel de filtre Filtre_R et le pixel de filtre Filtre_IR étaient respectivement de 38 nm, 8 nm, et 38 nm. La largeur maximale des espaceurs est par exemple de l'ordre de 60 nm aux transitions entre le pixel de filtre Filtre_R et le pixel de filtre Filtre_IR.The spectral response of such an interference filter was determined by simulation with aSi in the Filter_IR and Filter_R filter pixels. The stack of the filter has a total thickness of 0.39 μm, the operating heights between the filter pixel Filter_B and the filter pixel Filter_G, between the filter pixel Filter_G and the filter pixel Filter_R and between the filter pixel Filter_R and filter pixel IR_Filter were respectively 38 nm, 8 nm, and 38 nm. The maximum width of the spacers is, for example, of the order of 60 nm at the transitions between the Filter_R filter pixel and the Filter_IR filter pixel.

Les épaisseurs et les matériaux composant les couches du filtre interférentiel sont regroupés dans le tableau III ci-dessous en fonction des pixels de filtre Filtre_B, Filtre_G, Filtre_R et Filtre_IR. Tableau III Filtre B Filtre G Filtre R Filtre IR N° couche Matériau Epaisseur (nm) C1 SiN 75 C2 Ag 18 C3 TiO2 5 C4 aSi 0 0 0 38 C5 aSi 0 0 8 8 C6 SiN 0 38 38 38 C7 SiN 5 5 5 5 C8 SiO2 85 47 38 0 C9 SiN 5 C10 Ag 31 C11 TiO2 5 C12 aSi 0 0 0 38 C13 aSi 0 0 8 8 C14 SiN 0 38 38 38 C15 SiN 5 5 5 5 C16 SiO2 85 47 38 0 C17 SiN 5 C18 Ag 16 C19 SiN 47 The thicknesses and the materials composing the layers of the interference filter are grouped together in Table III below as a function of the filtering pixels Filter_B, Filter_G, Filter_R and Filter_IR. <b> Table III </ b> Filter B G filter R filter IR filter N ° layer Material Thickness (nm) C1 SiN 75 C2 Ag 18 C3 TiO 2 5 C4 aSi 0 0 0 38 C5 aSi 0 0 8 8 C6 SiN 0 38 38 38 C7 SiN 5 5 5 5 C8 SiO 2 85 47 38 0 C9 SiN 5 C10 Ag 31 C11 TiO 2 5 C12 aSi 0 0 0 38 C13 aSi 0 0 8 8 C14 SiN 0 38 38 38 C15 SiN 5 5 5 5 C16 SiO 2 85 47 38 0 C17 SiN 5 C18 Ag 16 C19 SiN 47

La figure 12 représente des courbes d'évolution de la transmission respectivement du pixel de filtre Filtre_B (courbe CCB), du filtre Filtre_G (courbe CCG), du filtre Filtre_R (courbe CCR) et du filtre Filtre_IR (courbe CCIR) pour le filtre interférentiel défini par le tableau III. Un pixel de filtre Filtre _IR centré sur une longueur d'onde de 900 nm environ a été obtenu.The figure 12 represents curves of evolution of the transmission respectively of the filter pixel Filter_B (curve CC B ), the filter Filtre_G (curve CC G ), the filter Filtre_R (curve CC R ) and the filter Filtre_IR (curve CC IR ) for the filter interference defined by Table III. An IR filter filter pixel centered on a wavelength of about 900 nm was obtained.

La figure 13 représente un mode de réalisation d'un filtre interférentiel 80 à compensation du décalage spectral sous incidence spatialement variable dont la réponse spectrale a été déterminée par simulation. Le filtre interférentiel 80 comprenait quatre pixels de filtre F1, F2, F3 et F4. Les pixels de filtre F1, F2, F3 et F4 sont destinés à recevoir un rayonnement ayant une incidence respectivement comprise entre 0° et 14°, entre 14° et 21°, entre 21° et 26° et entre 26° et 30°.The figure 13 represents an embodiment of an interference filter 80 with spatially variable spectral shift compensation whose spectral response has been determined by simulation. The interference filter 80 comprised four filter pixels F 1 , F 2 , F 3 and F 4 . The filter pixels F 1 , F 2 , F 3 and F 4 are designed to receive a radiation having an incidence respectively between 0 ° and 14 °, between 14 ° and 21 °, between 21 ° and 26 ° and between 26 ° and 30 °.

Les épaisseurs et les matériaux composant les couches du filtre interférentiel 80 sont regroupés dans le tableau IV ci-dessous en fonction des pixels de filtre. Tableau IV Filtre B Filtre G Filtre R Filtre IR N° couche Matériau Epaisseur (nm) D1 aSi 85 D2 SiO2 34 D3 aSi 162 D4 SiO2 142 D5 aSi 68 D6 SiO2 172 D7 aSi 56 D8 SiO2 19 D9 aSi 321 D10 SiO2 169 D11a aSi 0 0 0 19 D11b aSi 0 0 19 19 D11c aSi 0 19 19 19 D11d aSi 33 33 33 33 D11e SiN 10 10 10 10 D12a SiO2 57 38 19 0 D12b SiO2 131 D13 aSi 99 D14 SiO2 46 D15 aSi 161 D16 SiO2 62 D17 aSi 97 The thicknesses and the materials composing the layers of the interference filter 80 are grouped in Table IV below as a function of the filter pixels. <b> Table IV </ b> Filter B G filter R filter IR filter N ° layer Material Thickness (nm) D1 aSi 85 D2 SiO 2 34 D3 aSi 162 D4 SiO 2 142 D5 aSi 68 D6 SiO 2 172 D7 aSi 56 D8 SiO 2 19 D9 aSi 321 D10 SiO 2 169 D11a aSi 0 0 0 19 D11b aSi 0 0 19 19 D11c aSi 0 19 19 19 D11d aSi 33 33 33 33 D11e SiN 10 10 10 10 D12a SiO 2 57 38 19 0 D12b SiO 2 131 D13 aSi 99 D14 SiO 2 46 D15 aSi 161 D16 SiO 2 62 D17 aSi 97

Le filtre 80 a été fabriqué en déposant successivement chaque couche D1 à D17 et en gravant les couches D11a à D11c aux emplacements où elles ne sont pas présentes et en prévoyant une étape de planarisation après le dépôt de la couche D12a jusqu'à atteindre la couche sous-jacente.The filter 80 was manufactured by successively depositing each layer D1 to D17 and etching the layers D11a to D11c at the locations where they are not present and providing a planarization step after the deposition of the layer D12a until reaching the layer underlying.

La figure 14 représente des courbes d'évolution, pour le filtre 80, de la transmission respectivement du pixel de filtre P1 recevant un rayonnement sous incidence nulle (courbe D0°), du pixel de filtre P1 recevant un rayonnement sous incidence égale à 30° (courbe D30°_1) et du pixel de filtre P4 recevant un rayonnement sous incidence égale à 30° (courbe D30°_2). La réponse spectrale du pixel de filtre P4 est sensiblement centrée sur 940 nm comme la réponse spectrale du pixel de filtre P1.The figure 14 represents evolution curves, for the filter 80, of the transmission respectively of the filter pixel P 1 receiving radiation at zero incidence (curve D0 °), of the filter pixel P 1 receiving an incidence of radiation equal to 30 ° ( curve D30 ° -1) and filter pixel P 4 receiving radiation at incidence equal to 30 ° (curve D30 ° -2). The spectral response of the filter pixel P 4 is substantially centered on 940 nm as the spectral response of the filter pixel P 1 .

La figure 15 représente un exemple de comparaison d'un filtre interférentiel 85 à compensation du décalage spectral sous incidence spatialement variable dont la réponse spectrale a été déterminée par simulation. Le filtre interférentiel 85 avait la même structure que le filtre 80 à la différence que la couche de SiO2 D12a n'était pas présente et que les épaisseurs des autres couches pouvaient être modifiées.The figure 15 represents an example of a comparison of an interference filter 85 with spatially variable spectral shift compensation whose spectral response has been determined by simulation. The interference filter 85 had the same structure as the filter 80 with the difference that the SiO 2 layer D12a was not present and that the thicknesses of the other layers could be modified.

Les épaisseurs et les matériaux composant les couches du filtre interférentiel 80 sont regroupés dans le tableau IV ci-dessous en fonction des pixels de filtre. Tableau IV Filtre B Filtre G Filtre R Filtre IR N° couche Matériau Epaisseur (nm) E1 aSi 85 E2 SiO2 33 E3 aSi 162 E4 SiO2 147 E5 aSi 65 E6 SiO2 150 E7 aSi 95 E8 SiO2 10 E9 aSi 302 E10 SiO2 163 Ella aSi 0 0 0 16 E11b aSi 0 0 16 16 E11c aSi 0 16 16 16 E11d aSi 45 45 45 45 E12 SiO2 144 E13 aSi 103 E14 SiO2 45 E15 aSi 158 E16 SiO2 72 E17 aSi 95 The thicknesses and the materials composing the layers of the interference filter 80 are grouped in Table IV below as a function of the filter pixels. <b> Table IV </ b> Filter B G filter R filter IR filter N ° layer Material Thickness (nm) E1 aSi 85 E2 SiO 2 33 E3 aSi 162 E4 SiO 2 147 E5 aSi 65 E6 SiO 2 150 E7 aSi 95 E8 SiO 2 10 E9 aSi 302 E10 SiO 2 163 Ella aSi 0 0 0 16 E11B aSi 0 0 16 16 E11c aSi 0 16 16 16 E11d aSi 45 45 45 45 E12 SiO 2 144 E13 aSi 103 E14 SiO 2 45 E15 aSi 158 E16 SiO 2 72 E17 aSi 95

Le filtre 85 a été fabriqué en déposant successivement chaque couche E1 à E17 et en gravant les couches Ella à E11c aux emplacements où elles ne sont pas présentes.Filter 85 was manufactured by successively depositing each layer E1 at E17 and etching layers Ella at E11c at locations where they are not present.

La figure 16 représente des courbes d'évolution, pour le filtre 85, de la transmission respectivement du pixel de filtre P1 recevant un rayonnement sous incidence nulle (courbe E0°), du pixel de filtre P1 recevant un rayonnement sous incidence égale à 30° (courbe E30°_1) et du pixel de filtre P4 recevant un rayonnement sous incidence égale à 30° (courbe E30°_2). La réponse spectrale du pixel de filtre P4 est sensiblement centrée sur 940 nm comme la réponse spectrale du pixel de filtre P1.The figure 16 represents evolution curves, for the filter 85, of the transmission respectively of the filter pixel P 1 receiving radiation at zero incidence (curve E0 °), of the filter pixel P 1 receiving an incidence of radiation equal to 30 ° ( curve E30 ° -1) and filter pixel P 4 receiving radiation at incidence equal to 30 ° (curve E30 ° -2). The spectral response of the filter pixel P 4 is substantially centered on 940 nm as the spectral response of the filter pixel P 1 .

Les courbes de transmission du filtre 85 sont sensiblement identiques aux courbes de transmission du filtre 80. Les réponses spectrales des filtres 85 et 80 sont donc sensiblement identiques.The transmission curves of the filter 85 are substantially identical to the transmission curves of the filter 80. The spectral responses of the filters 85 and 80 are therefore substantially identical.

Pour le filtre 85, la hauteur de marche entre les pixels de filtre F3 et F4 pour les couches Ella à E11c est de 16 nm. Toutefois, cette structure est recouverte par six couches d'épaisseur totale égale à 660 nm, ce qui génère un espaceur dont la dimension latérale est de l'ordre de 500 nm au-dessus de chaque marche entre les pixels de filtre F3 et F4. Comme l'espaceur est nettement plus large que la hauteur de marche, le relief se lisse au fur et à mesure des six derniers dépôts. Toutefois, il n'est alors pas possible de maîtriser avec précision les épaisseurs déposées dans les zones de transition. De ce fait, les signaux mesurés sur les pixels de l'imageur sous la matrice de filtre, en regard des marches, peuvent être perturbés, jusqu'à des tailles de pixels de plusieurs micromètres.For the filter 85, the operating height between the filter pixels F 3 and F 4 for the layers Ella to E11c is 16 nm. However, this structure is covered by six layers of total thickness equal to 660 nm, which generates a spacer whose lateral dimension is of the order of 500 nm above each step between the filter pixels F 3 and F 4 . As the spacer is significantly wider than the walking height, the relief is smooth as the last six deposits. However, it is not possible to precisely control the thicknesses deposited in the transition zones. As a result, the signals measured on the pixels of the imager under the filter matrix, facing the steps, can be disturbed, up to pixel sizes of several micrometers.

Pour le filtre 80, la hauteur de marche entre les pixels de filtre F3 et F4 pour les couches D11a à D11c est de 19 nm. Toutefois, les couches ultérieures D12b à D17 sont déposées sur une surface plane. La dimension latérale maximale des espaceurs du filtre 85 est de l'ordre de 50 nm, c'est-à-dire inférieure à celle du filtre 85.For the filter 80, the operating height between the filter pixels F 3 and F 4 for the layers D11a to D11c is 19 nm. However, the subsequent layers D12b to D17 are deposited on a flat surface. The maximum lateral dimension of the spacers of the filter 85 is of the order of 50 nm, that is to say less than that of the filter 85.

Divers modes de réalisation avec diverses variantes ont été décrits ci-dessus. On note que l'homme de l'art peut combiner divers éléments de ces divers modes de réalisation et variantes sans faire preuve d'activité inventive.Various embodiments with various variants have been described above. It is noted that one skilled in the art can combine various elements of these various embodiments and variants without being creative.

Claims (15)

Filtre interférentiel (20) comprenant : une première couche d'interface (CI1) plane, métallique ou comprenant un empilement d'au moins deux couches diélectriques avec une différence d'indices de réfraction supérieure ou égale à 0,5 ; une première portion diélectrique (P1) comprenant une couche ou un premier empilement d'un premier nombre de couches d'un premier matériau diélectrique ou de premiers matériaux diélectriques, la première portion diélectrique ayant une première épaisseur (e1) et reposant sur la première couche d'interface à un premier emplacement ; une deuxième portion diélectrique (P2) comprenant un deuxième empilement d'un deuxième nombre de couches du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, la deuxième portion diélectrique reposant sur la première couche d'interface à un deuxième emplacement, la deuxième portion diélectrique ayant une deuxième épaisseur (e2) supérieure à la première épaisseur, le deuxième nombre de couches étant supérieur strictement au premier nombre de couches ; une troisième portion diélectrique (P'1) d'un deuxième matériau diélectrique, l'indice de réfraction du deuxième matériau à une longueur d'onde de fonctionnement du filtre étant inférieur à l'indice de réfraction du premier matériau ou des premiers matériaux à ladite longueur d'onde, la troisième portion diélectrique ayant une troisième épaisseur (e'1) et reposant sur la première portion diélectrique, la somme de la première épaisseur et de la troisième épaisseur étant égale à la deuxième épaisseur ; et une deuxième couche d'interface (CI2) plane, métallique ou comprenant un empilement d'au moins deux couches diélectriques avec une différence d'indices de réfraction supérieure ou égale à 0,5, reposant sur les deuxième et troisième portions diélectriques (P2, P'1) au contact des deuxième et troisième portions diélectriques. An interference filter (20) comprising: a first flat interface layer (CI 1 ), metallic or comprising a stack of at least two dielectric layers with a difference in refractive index greater than or equal to 0.5; a first dielectric portion (P 1 ) comprising a layer or a first stack of a first number of layers of a first dielectric material or first dielectric materials, the first dielectric portion having a first thickness (e 1 ) and resting on the first interface layer at a first location; a second dielectric portion (P 2 ) comprising a second stack of a second number of layers of the first dielectric material or first dielectric materials, the second dielectric portion resting on the first interface layer at a second location, the second dielectric portion having a second thickness (e 2 ) greater than the first thickness, the second number of layers being strictly greater than the first number of layers; a third dielectric portion (P ' 1 ) of a second dielectric material, the refractive index of the second material at an operating wavelength of the filter being less than the refractive index of the first material or first materials; said wavelength, the third dielectric portion having a third thickness (e ' 1 ) and resting on the first dielectric portion, the sum of the first thickness and the third thickness being equal to the second thickness; and a second flat interface layer (CI 2 ), metallic or comprising a stack of at least two dielectric layers with a difference in refractive index greater than or equal to 0.5, resting on the second and third dielectric portions (P 2 , P ' 1 ) in contact with the second and third dielectric portions. Filtre interférentiel selon la revendication 1, comprenant, en outre, une quatrième portion diélectrique comprenant un troisième empilement d'un troisième nombre de couches du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, la quatrième portion diélectrique reposant sur la première couche d'interface à un troisième emplacement, la quatrième portion diélectrique ayant une quatrième épaisseur entre la première épaisseur (e1) et la deuxième épaisseur (e2), le troisième nombre étant supérieur strictement au premier nombre et inférieur strictement au deuxième nombre.An interference filter according to claim 1, further comprising a fourth dielectric portion comprising a third stack of a third number of layers of the first dielectric material or first dielectric materials, the fourth dielectric portion resting on the first dielectric interface layer. a third location, the fourth dielectric portion having a fourth thickness between the first thickness (e 1 ) and the second thickness (e 2 ), the third number being strictly greater than the first number and strictly less than the second number. Filtre interférentiel selon la revendication 2, comprenant, en outre, une cinquième portion diélectrique du deuxième matériau diélectrique, la cinquième portion diélectrique ayant une cinquième épaisseur et reposant sur la quatrième portion diélectrique, la somme de la quatrième épaisseur et de la cinquième épaisseur étant égale à la deuxième épaisseur (e2).An interference filter according to claim 2, further comprising a fifth dielectric portion of the second dielectric material, the fifth dielectric portion having a fifth thickness and resting on the fourth dielectric portion, the sum of the fourth thickness and the fifth thickness being equal at the second thickness (e 2 ). Filtre interférentiel selon la revendication 3, comprenant, en outre, une sixième portion diélectrique comprenant un quatrième empilement d'un quatrième nombre de couches du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, la sixième portion diélectrique reposant sur la première couche d'interface à un quatrième emplacement, la sixième portion diélectrique ayant une sixième épaisseur entre la quatrième épaisseur et la deuxième épaisseur (e2), le quatrième nombre étant supérieur strictement au troisième nombre et inférieur strictement au deuxième nombre.An interference filter according to claim 3, further comprising a sixth dielectric portion comprising a fourth stack of a fourth number of layers of the first dielectric material or first dielectric materials, the sixth dielectric portion resting on the first dielectric interface layer. a fourth location, the sixth dielectric portion having a sixth thickness between the fourth thickness and the second thickness (e 2 ), the fourth number being strictly greater than the third number and strictly less than the second number. Filtre interférentiel selon la revendication 4, comprenant, en outre, une septième portion diélectrique du deuxième matériau diélectrique, la septième portion diélectrique ayant une septième épaisseur et reposant sur la sixième portion diélectrique, la somme de la sixième épaisseur et de la septième épaisseur étant égale à la deuxième épaisseur (e2).An interference filter according to claim 4, further comprising a seventh dielectric portion of the second dielectric material, the seventh dielectric portion having a seventh thickness and resting on the sixth dielectric portion, the sum of the sixth thickness and the seventh thickness being equal at the second thickness (e 2 ). Filtre interférentiel selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le premier matériau diélectrique ou les premiers matériaux diélectriques sont choisis parmi le groupe comprenant le nitrure de silicium (SiN), le silicium amorphe (aSi), l'oxyde d'hafnium (HfOx), l'oxyde d'aluminium (AlOx), un film à base d'aluminium, d'oxygène et d'azote (AlOxNy), un film à base de silicium, d'oxygène, de carbone et d'azote (SiOxCyNz), le nitrure de silicium (SiNx), l'oxyde de niobium (NbOx), l'oxyde de tantale (TaOx), l'oxyde de titane (TiOx), le silicium amorphe hydrogéné (aSiH) et les mélanges d'au moins deux de ces composés.An interference filter according to any of claims 1 to 5, wherein the first dielectric material or the first dielectric materials are selected from the group consisting of group comprising silicon nitride (SiN), amorphous silicon (aSi), hafnium oxide (HfO x ), aluminum oxide (AlO x ), an aluminum-based film, oxygen and nitrogen (AlO x N y ), a film based on silicon, oxygen, carbon and nitrogen (SiO x C y N z ), silicon nitride (SiN x ), niobium (NbO x ), tantalum oxide (TaO x ), titanium oxide (TiO x ), hydrogenated amorphous silicon (aSiH) and mixtures of at least two of these compounds. Filtre interférentiel selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le deuxième matériau diélectrique est choisi parmi le groupe comprenant le dioxyde de silicium (SiO2), le fluorure de magnésium (MgF2), l'oxyde de silicium (SiOx), l'oxynitrure de silicium (SiOxNy), l'oxyde d'hafnium (HfOx), l'oxyde d'aluminium (AlOx), un film à base d'aluminium, d'oxygène et d'azote (AlOxNy), un film à base de silicium, d'oxygène, de carbone et d'azote (SiOxCyNz), le nitrure de silicium (SiNx) et les mélanges d'au moins deux de ces composés.An interference filter according to any one of claims 1 to 6, wherein the second dielectric material is selected from the group consisting of silicon dioxide (SiO 2 ), magnesium fluoride (MgF 2 ), silicon oxide (SiO 2 x ), silicon oxynitride (SiO x N y ), hafnium oxide (HfO x ), aluminum oxide (AlO x ), a film based on aluminum, oxygen and nitrogen (AlO x N y ), a film based on silicon, oxygen, carbon and nitrogen (SiO x C y N z ), silicon nitride (SiN x ) and mixtures of at least two of these compounds. Filtre interférentiel selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant : N portions diélectriques (Pi) du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques reposant sur la première couche d'interface, où N est un nombre entier supérieur ou égal à 2, la ième portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, où i est un nombre entier qui varie de 1 à N, comprenant un empilement de i couches du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, l'épaisseur de la jeme portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, où j est un nombre entier qui varie de 1 à N-1, étant inférieure à l'épaisseur de la kème portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, où k est égal à j+1 ; N-1 portions diélectriques (P'i) du deuxième matériau diélectrique, la jème portion diélectrique du deuxième matériau diélectrique reposant sur la jème portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, la somme de l'épaisseur de la jème portion diélectrique du deuxième matériau diélectrique et de l'épaisseur de la jème portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques étant égale à l'épaisseur de la Nème portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques. An interference filter according to any one of claims 1 to 7 comprising: N dielectric portions (P i ) of the first dielectric material or first dielectric materials resting on the first interface layer, where N is an integer greater than or equal to 2, the i th dielectric portion of the first dielectric material or first materials dielectrics, where i is an integer that varies from 1 to N, comprising a stack of i layers of the first dielectric material or the first dielectric material, the thickness of the j th dielectric portion of the first dielectric material or the first dielectric material, where j is an integer ranging from 1 to N-1, being less than the thickness of the k th dielectric portion of the first dielectric material or the first dielectric materials, where k is equal to j + 1; N-1 dielectric portions (P ' i ) of the second dielectric material, the j th dielectric portion of the second dielectric material resting on the j th dielectric portion of the first dielectric material or first dielectric materials, the sum of the thickness of the j th dielectric portion of the second dielectric material and the thickness of the j th dielectric portion of the first dielectric material or first dielectric materials being equal to the thickness the N th dielectric portion of the first dielectric material or the first dielectric materials. Filtre interférentiel selon la revendication 8, comprenant, pour chaque jème et kème portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, une zone de transition entre les jème et kème portions diélectriques du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, l'épaisseur de la zone de transition variant de l'épaisseur de la jème portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques à l'épaisseur de la kème portion diélectrique du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques, la dimension latérale maximale de la zone de transition, mesurée orthogonalement à la direction d'empilement, étant inférieure à 50 nm.An interference filter according to claim 8, comprising, for each j th and k th dielectric portion of the first dielectric material or first dielectric materials, a transition zone between the j th and k th dielectric portions of the first dielectric material or the first dielectric materials , the thickness of the transition zone varying from the thickness of the j th dielectric portion of the first dielectric material or the first dielectric materials to the thickness of the k th dielectric portion of the first dielectric material or the first dielectric materials, the maximum lateral dimension of the transition zone, measured orthogonally to the stacking direction, being less than 50 nm. Capteur d'images (50 ; 55 ; 60 ; 65) comprenant le filtre interférentiel selon l'une quelconque des revendications 1 à 9 et dans lequel le filtre interférentiel (20) comprend un premier filtre élémentaire (F1) comprenant la première portion (P1) et la troisième portion (P'1) et un deuxième filtre élémentaire (F1) comprenant la deuxième portion (P2).An image sensor (50; 55; 60; 65) comprising the interference filter according to any one of claims 1 to 9 and wherein the interference filter (20) comprises a first elementary filter (F 1 ) comprising the first portion ( P 1 ) and the third portion (P ' 1 ) and a second elementary filter (F 1 ) comprising the second portion (P 2 ). Capteur d'images selon la revendication 10, dans lequel le capteur est un capteur d'images couleur, dans lequel le premier filtre élémentaire (F1) est un filtre passe-bande centré sur une première longueur d'onde et dans lequel le deuxième filtre élémentaire (F2) est un filtre passe-bande centré sur une deuxième longueur d'onde.An image sensor according to claim 10, wherein the sensor is a color image sensor, wherein the first elementary filter (F 1 ) is a bandpass filter centered on a first wavelength and wherein the second elementary filter (F 2 ) is a bandpass filter centered on a second wavelength. Capteur d'images selon la revendication 10, dans lequel le capteur est un capteur d'images couleur, dans lequel le premier filtre élémentaire (F1) est un filtre passe-bande centré sur une troisième longueur d'onde pour un rayonnement à une première incidence par rapport au filtre interférentiel (20) et dans lequel le deuxième filtre élémentaire (F2) est un filtre passe-bande centré sur la troisième longueur d'onde à 1 % près pour le rayonnement à une deuxième incidence par rapport au filtre interférentiel (20).An image sensor according to claim 10, wherein the sensor is a color image sensor, wherein the first elementary filter (F 1 ) is a centered bandpass filter on a third wavelength for radiation at a first incidence with respect to the interference filter (20) and wherein the second elementary filter (F 2 ) is a bandpass filter centered on the third wavelength at 1% close to the radiation at a second incidence relative to the interference filter (20). Procédé de fabrication d'un filtre interférentiel (20) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant les étapes successives suivantes : a) dépôt d'une première couche diélectrique (CN) du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques sur la première couche d'interface (CI1) ; b) gravure de la première couche diélectrique pour retirer la première couche diélectrique au premier emplacement et conserver la première couche au deuxième emplacement ; c) dépôt d'une deuxième couche (C2) du premier matériau diélectrique ou des premiers matériaux diélectriques sur la première couche d'interface au premier emplacement et sur la première couche diélectrique au deuxième emplacement ; et d) formation de la troisième portion (P'1) sur la deuxième couche au premier emplacement. A method of manufacturing an interference filter (20) according to any one of claims 1 to 9, comprising the following successive steps: a) depositing a first dielectric layer (C N ) of the first dielectric material or the first dielectric materials on the first interface layer (CI 1 ); b) etching the first dielectric layer to remove the first dielectric layer at the first location and retain the first layer at the second location; c) depositing a second layer (C 2 ) of the first dielectric material or first dielectric materials on the first interface layer at the first location and the first dielectric layer at the second location; and d) forming the third portion (P ' 1 ) on the second layer at the first location. Procédé selon la revendication 13, dans lequel l'étape d) comprend les étapes suivantes : dépôt d'une troisième couche diélectrique (30) du deuxième matériau diélectrique sur la deuxième couche (C2) ; et gravure de la troisième couche diélectrique jusqu'à atteindre la deuxième couche diélectrique (C2) au deuxième emplacement. The method of claim 13 wherein step d) comprises the steps of: depositing a third dielectric layer (30) of the second dielectric material on the second layer (C 2 ); and etching the third dielectric layer to reach the second dielectric layer (C 2 ) at the second location. Procédé selon la revendication 14, dans lequel la gravure de la troisième couche diélectrique (30) comprend une étape de polissage mécano-chimique.The method of claim 14, wherein etching the third dielectric layer (30) comprises a chemical mechanical polishing step.
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