EP2652803A2 - Verfahren zum herstellen von elektrisch leitenden kontakten auf solarzellen sowie solarzelle - Google Patents

Verfahren zum herstellen von elektrisch leitenden kontakten auf solarzellen sowie solarzelle

Info

Publication number
EP2652803A2
EP2652803A2 EP11804998.0A EP11804998A EP2652803A2 EP 2652803 A2 EP2652803 A2 EP 2652803A2 EP 11804998 A EP11804998 A EP 11804998A EP 2652803 A2 EP2652803 A2 EP 2652803A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
substrate
electrically conductive
temperature
solar cell
laser radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP11804998.0A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Henning Nagel
Wilfried Schmidt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ecoran GmbH
Original Assignee
Schott Solar AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Schott Solar AG filed Critical Schott Solar AG
Publication of EP2652803A2 publication Critical patent/EP2652803A2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02021—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/0288—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table characterised by the doping material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the invention relates to a method for producing contacts made of electrically conductive material on a group of solar cells. Furthermore, the invention relates to a solar cell comprising a crystalline silicon substrate having an emitter, are formed on the partially electrically conductive contacts.
  • a general problem with the electrical contacting of crystalline silicon solar cells is that high dopant surface concentrations are required for low contact contact resistance. These show the disadvantage that an increased recombination of excess minority charge carriers occurs and thus the short-circuit current is reduced. If the heavily diffused region is located on the front side of the solar cell, the short-circuit current is reduced for short wavelengths of light in the blue spectral range, ie. h., the internal quantum efficiency is low in this spectral range. If the heavily diffused region is located on the back of the solar cell, the short-circuit current is reduced for long wavelengths of light in the near infrared range. Furthermore, the free carriers in the heavily doped region are responsible for parasitic absorption for near infrared light.
  • EP-B-1 738 402 discloses laser doping of solids with a line-focused laser beam and production of solar cell emitters based thereon.
  • a dopant source is applied to a crystalline silicon substrate (wafer) by spin coating method or screen printing or film printing, and then melted with a focused laser beam below the dopant source regions of the substrate, so that the dopant diffused into the molten area and during cooling, the molten area recrystallized.
  • the corresponding method can be used for producing an emitter region or an ohmic contact between a semiconductor and a metal.
  • Radiation of a pulse energy density between 1 J / cm 2 and 18 J / cm 2 at laser pulse durations between 10 ns and 200 ns is used.
  • selective emitters are to be produced in order to improve the efficiency of a solar cell.
  • a doping of silicon solar cells by Las er radiation is also in the reference AMETOWOBLA et al., "Improved Laser Doping For Silicon Solar Cells" described.
  • the present invention is based on the object to develop a method for producing electrically conductive contacts on crystalline silicon solar cells such that avoided the inherent disadvantages of the prior art, especially while avoiding an increased dopant concentration in the region of the electrically conductive contacts reproducible good produce electrically conductive connection between the contacts and the solar cell, ie to minimize contact resistance in the connection area.
  • the invention essentially provides, in procedural terms, for the process steps initially to be carried out in at least one solar cell from the group of solar cells: a) homogeneous application of a dopant source over at least one side of a crystalline silicon substrate, b) formation of Phosphor silicate glass by diffusion of dopant substance into the substrate in a first temperature step at a temperature Ti over a time ti, c) local application of laser radiation to the substrate in areas where the electrically conductive material is applied to form the electrically conductive contact, wherein the phosphorus silicate glass is removed before or after exposure to the laser radiation; and d) measuring the sheet resistance P SH formed in the dopant source side surface region of the substrate both in and laterally outward of the e) applying the electrically conductive material to the lasered areas; f) measuring the specific contact resistance between the lasered area and the electrically conductive material deposited thereon as a function of the pulse energy density of the substrate impinging the laser Laser beam, g
  • the teaching according to the invention aims to reproducibly produce solar cells in series production, resulting in optimum conditions in the region of the electrically conductive contacts, thus reducing the undesirable recombination normally occurring without influencing the internal quantum efficiency such that the efficiency of the solar cell is appreciably negative being affected.
  • the same parameters are used for the other solar cells to be produced, whereby the individual solar cells used for the measurements are correspondingly used in series production during the production steps used.
  • the pulse energy density range it is also possible to apply a plurality of solar cells of the group to laser radiation of different pulse energy density.
  • the measurements on a solar cell or the measurements on several solar cells are to be understood as a synonym.
  • the pulse energy density in order to achieve the desired maximum reduction of the sheet resistance while reducing the contact resistance is in the range between 1.0 J / cm 2 to 2.2 J / cm 2, in particular in the range between
  • the invention is characterized in that a dopant having a dopant concentration is applied to the substrate (wafer) in such a way that, after the thermal diffusion, the content of the electrically active dopant to the total dopant content is between 0.01 and 1, in particular between 0, 05 and 0.5.
  • a dopant having a dopant concentration is applied to the substrate (wafer) in such a way that, after the thermal diffusion, the content of the electrically active dopant to the total dopant content is between 0.01 and 1, in particular between 0, 05 and 0.5.
  • the dopants which are not electrically active, are bound predominantly in precipitates.
  • the removal of the phosphosilicate glass can take place at different stages of the production of the solar cells.
  • a second alternative envisages that after forming the phosphosilicate glass, the laser cell is subjected to the laser radiation, then the phosphosilicate glass is removed, then the substrate is removed in a second temperature treatment step a temperature T 2 is exposed for a time t 2 and then on the substrate formed oxide is removed.
  • the laser cell is exposed to the laser radiation, then the substrate is exposed in a second temperature treatment step a temperature T 2 over a time t 2 and then the phosphosilicate glass is removed.
  • a further variant provides that after forming the phosphosilicate glass this is removed, then the substrate is exposed in a second temperature treatment step a temperature T 2 at a time t 2 , then the solar cell is exposed to laser radiation and finally formed on the substrate oxide is removed ,
  • the substrate is exposed in a second temperature treatment step a temperature T 2 for a time t 2 , then the solar cell is acted upon by the laser radiation and finally the Phosphorsilikatglas is removed.
  • the substrate is exposed in a second temperature treatment step a temperature T 2 for a time t 2 , then the phosphorous silicate glass is removed and finally the solar cell is acted upon by the laser radiation.
  • the electrically conductive material is then applied to form the contacts.
  • This can usual Procedures such as the application of pastes and subsequent sintering or electrodeposition and annealing are used to apply the electrically conductive material and form electrical contacts.
  • a medium from the group of aqueous solution, alcoholic solution, solid with phosphorus as dopant with a concentration C with 2 at% ⁇ C ⁇ 30 at%, in particular 3 at% ⁇ C ⁇ 8 at% is used as the dopant source ,
  • the surface area of the substrate below the dopant source is melted by the application of the laser beam, whereby the dopant can further diffuse into the substrate.
  • the pulse energy density of the laser at preferred laser pulse durations in the range between 1 fs and 300 ns melts to a thickness of 200 nm.
  • the molten layer then recrystallises on cooling. Structural crystal defects therefore occur exclusively in this area.
  • the laser itself should also be done in an oxygen-containing atmosphere.
  • the substrate is iso-textured prior to the thermal diffusion or random pyramids are produced in an alkaline etching solution.
  • the sheet resistance P SH of the substrate outside the lasered regions should be at least 50 ⁇ / to 250 ⁇ / ⁇ , preferably 60 ⁇ / to 200 ⁇ / ⁇ .
  • laser radiation in particular one with a laser pulse duration between 1 fs and 300 ns and / or a repetition rate between 100 Hz and 1 MHz, preferably between 1 kHz and 500 kHz is used.
  • the invention is also characterized in that the first temperature treatment step carried out to form the phosphosilicate glass step at a temperature Ti over a time ti and / or the second temperature treatment step at a temperature T 2 over a time t 2 is carried out in a stack of stacked solar cells.
  • the substrate is hydrophilized before the dopant source is applied.
  • the substrate is hydrophilized before application of the dopant source in an aqueous solution containing NaOH or KOH or H 2 0 2 or ozone with the optional addition of surfactant.
  • the invention provides that the substrate is hydrophilized before application of the dopant source in an aqueous solution containing peroxydisulfate with the optional addition of a surfactant.
  • Another proposal provides that the substrate is hydrophilized before the application of a dopant source in an aqueous solution containing HCl with the possible addition of HF and / or surfactant.
  • a solar cell comprising a crystalline silicon substrate having an emitter and partially formed on this electrically conductive contacts is characterized in that the sheet resistance of the doping side extending surface of the substrate below the electrically conductive contacts 0% to 25% less than the sheet resistance outside of the electrically conductive contacts and the specific contact resistance between the electrically conductive contact and the dopant-source-side edge region is between 0 mHcm 2 and 10 mHcm 2.
  • the sheet resistance of the substrate outside the electrical contacts is 50 ⁇ / to 250 ⁇ /, preferably 60 ⁇ / to 200 ⁇ /.
  • the solar cell is characterized in that crystal defects are present below the electrically conductive contacts starting at a thickness of between 1 nm and 200 nm starting from the edge region on the dopant source side.
  • the sheet resistance of the substrate outside the electrical contacts is 50 ⁇ / to 250 ⁇ / ⁇ , preferably 60 ⁇ / to 200 ⁇ / ⁇ .
  • the surface phosphorus concentration of the solar cell should be greater than 8 x 10 20 cm - "3 be the phosphorus concentration can be determined by secondary ion mass spectrometry (SIMS).
  • Fig. 1 is an illustration of specific contact resistance and sheet resistance as a function of pulse energy density
  • a dopant source in the form of phosphoric acid with a concentration of 15% by weight of phosphorus is ultrasonically applied or dipped onto one side of a substrate (wafer) consisting of crystalline p-silicon.
  • the phosphorus dopant present in the dopant source is driven into the substrate (wafer) in a thermal diffusion process.
  • the substrate is exposed to a temperature in the range between 500 ° C and 1000 ° C over a period of between 30 min and 120 min.
  • a surface region becomes negatively conductive, so that the pn junction required for separating the charge carriers generated by light is formed.
  • the back can be formed in the usual way by diffusion processes, a back-surface field and a full-area backside contact. In that regard, reference is made to known techniques.
  • a dopant source can also be applied to the rear side of the substrate in order to make contact, as in the front side, in the manner described below.
  • the dopant source in the regions in which contacting takes place the dopant source a laser radiation is applied in such a way that in the dopant source-side edge region of the substrate results in a sheet resistance which is at most 20% smaller than the sheet resistance outside the lasered regions. This avoids that the internal quantum efficiency is reduced by an undesirably low sheet resistance so that the efficiency of the solar cell is noticeably negatively affected.
  • the specific contact contact resistance between the lasered region and the electrically conductive contact material to be applied is set in such a way that values between 0 m ⁇ cm 2 and 10 mHcm 2 are obtained.
  • the pulse energy density is plotted on the one hand via the sheet resistance PSH and on the other hand the specific contact resistance with respect to the pulse energy density. It can be seen that when the sheet resistance is reduced by a maximum of 20%, a steep drop in the specific contact resistance occurs at a pulse energy density between 1.3 J / cm 2 and 1.5 J / cm 2.
  • a laser beam with a pulse energy density of between 1.3 J / cm 2 and 1.5 J / cm 2 is to be used.
  • Multicrystalline wafers are iso-textured and then etched for 20 seconds at room temperature in an aqueous solution.
  • the aqueous solution contains NaOH and ⁇ 2 0 2 in a concentration of 5 wt .-% and surfactant in a concentration of less than 0.01% by weight.
  • the wafers are coated, with the aid of absorbent rolls of foam, with an aqueous solution containing 10% by weight of phosphorus in the form of phosphoric acid. Thereafter, phosphorus silicate glass is produced at 920 ° C for 20 min under air atmosphere and phosphorus diffused into the Si substrate.
  • the Si wafers Due to the uniform coverage with dopant and the high diffusion temperature, precipitates form homogeneously on the solar cell surface.
  • the sheet resistance is over 150 ohms / sq ( ⁇ / ⁇ ).
  • the Si wafers are locally exposed to laser light at the locations later printed on the front side metallization.
  • a disk laser with a wavelength of 532 nm is used.
  • the repetition rate is 20 kHz, the pulse duration 30 ns.
  • the laser spot has a round cross-section with a diameter of about 50 ⁇ m.
  • the overlap is 60%.
  • the laser power is varied from cell to cell so that the pulse energy density is in the range of 0.8 J / cm 2 to 3 J / cm 2.
  • an advantageous diffusion profile sets in the intermediate finger area and at the same time a crystal damage present in the lasered area is partially healed.
  • the sheet resistances in the lasered area in the designated measuring field and additionally laterally next to the measuring field by means of 4-point measurement or alternatively by means of infrared thermo - graph measured.
  • antireflective coating with SiN on the front, front and back metallization prepared by screen printing of silver and aluminum pastes and a sintering step at temperatures above 800 ° C, the bus bars of Einrichtwafer z. B.
  • the pulse energy density range of the laser beam is determined, in which the sheet resistance in the lasered region is reduced between 0% and 30% compared to the sheet resistance outside the lasered region and the specific contact resistance between the lasered region and the electrically conductive layer applied thereto Material for forming the electrically conductive contact between see see 0 mQ cm 2 and 10 mO cm 2.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von aus elektrisch leitendem Material bestehenden Kontakten auf eine Gruppe von Solarzellen, wobei bei zumindest einer Solarzelle aus der Gruppe der Solarzellen zumindest die Verfahrensschritte zur Anwendung gelangen: a) ganzflächiges homogenes Aufbringen einer Dotierstoffquelle auf zumindest einer Seite eines aus kristallinem Silicium bestehenden Substrats, b) Ausbilden von Phosphorsilikatglas durch Eindiffundieren von Dotierstoff in das Substrat in einem ersten Temperaturschritt bei einer Temperatur T1 über eine Zeit t1, c) lokale Beaufschlagung des Substrats mit Laserstrahlung in Bereichen, in denen das elektrisch leitende Material zur Ausbildung des elektrisch leitenden Kontakts aufzubringen ist, wobei das Phosphorsilikatglas vor oder nach Beaufschlagung der Laserstrahlung entfernt wird, d) Messen des im dotierstoffquellenseitigen Oberflächenbereich des Substrats ausgebildeten Schichtwiderstands ρSH sowohl im als auch seitlich außerhalb von dem gelaserten Bereich in Abhängigkeit von Pulsenergiedichte des das Substrat beaufschlagenden Laserstrahls, e) Aufbringen des elektrisch leitenden Materials auf die gelaserten Bereiche, f) Messen des spezifischen Kontaktwiderstandes zwischen dem gelaserten Bereich und dem auf diesem aufgebrachten elektrisch leitenden Material in Abhängigkeit von Pulsenergiedichte des das Substrat beaufschlagenden Laserstrahls, g) Ermitteln eines Pulsenergiedichtebereichs des Laserstrahls aus den gemessenen Werten, bei denen der Schichtwiderstand ρSH im gelaserten Bereich zwischen 0 % und 30 % im Vergleich zum Schichtwiderstand außerhalb des gelaserten Bereichs reduziert ist und der spezifische Kontaktwiderstand zwischen dem gelaserten Bereich und dem auf diesem aufgebrachten elektrisch leitendem Material zur Bildung des elektrisch leitenden Kontakts zwischen 0 mΩcm2 und 10 mΩcm2 liegt, h) Beaufschlagen der restlichen Solarzellen aus der Gruppe nach Durchführen zumindest der Verfahrensschritte a) und b) in den zu kontaktierenden Bereichen der Solarzellen mit einer Laserstrahlung, deren Pulsenergiedichte innerhalb des ermittelten Pulsenergiedichtebereichs liegt.

Description

Verfahren zum Herstellen von elektrisch leitenden Kontakten auf Solarzellen sowie Solarzelle
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von aus elektrisch leitendem Material bestehenden Kontakten auf eine Gruppe von Solarzellen. Ferner nimmt die Erfindung Bezug auf eine Solarzelle, umfassend ein aus kristallinem Silicium bestehendes Substrat mit einem Emitter, auf dem bereichsweise elektrisch leitende Kontakte ausgebildet sind.
Ein generelles Problem bei der elektrischen Kontaktierung von kristallinen Silicium- Solarzellen besteht darin, dass für einen niedrigen Kontaktübergangswiderstand hohe Dotierstoff-Oberflächenkonzentrationen erforderlich sind. Diese zeigen den Nachteil, dass eine erhöhte Rekombination von Überschuss-Minoritätsladungsträgern auftritt und somit der Kurzschlussstrom reduziert wird. Befindet sich der stark diffundierte Bereich auf der Vorderseite der Solarzelle, so wird der Kurzschlussstrom für kurze Lichtwellenlängen im blauen Spektralbereich reduziert, d. h., die interne Quantenausbeute ist in diesem Spektralbereich niedrig. Befindet sich der stark diffundierte Bereich auf der Rückseite der Solarzelle, wird der Kurzschlussstrom für lange Lichtwellenlängen im nahen Infrarotbereich reduziert. Ferner sind die freien Ladungsträger im stark dotierten Bereich für parasitäre Absorption für Licht im nahen Infrarotbereich verantwortlich.
Um dieses Problem zu lösen, ist es bekannt, dass im Wesentlichen nur lokal unter der Metallisierung eine hohe Dotierstoffkonzentration erzeugt wird. Allerdings ist hierzu eine technisch sehr anspruchsvolle, positionsgenaue Aufbringung der Metallisierung erforderlich. Aus der EP-B-1 738 402 ist eine Laserdotierung von Festkörpern mit einem linienfo- kussierten Laserstrahl und darauf basierende Herstellung von Solarzellen-Emittern bekannt. Dabei wird durch Schleuderbeschichtungsverfahren oder Siebdruck- oder Filmdruckverfahren eine Dotierstoffquelle auf ein kristallines Siliciumsubstrat (Wafer) aufgebracht, um sodann mit einem fokussierten Laserstrahl unterhalb der Dotierstoffquelle Bereiche des Substrats aufzuschmelzen, so dass der Dotierstoff in den aufgeschmolzenen Bereich eindiffundiert und während des Abkühlens der aufgeschmolzene Bereich rekristallisiert.
Durch diese Maßnahmen kann in gewünschten Bereichen eine hohe Dotierstoffkonzentration erzielt werden. Das entsprechende Verfahren kann zur Herstellung eines Emitterbereichs oder eines ohmschen Kontaktes zwischen einem Halbleiter und einem Metall verwendet werden.
Aus der Literaturstelle KÖHLER et al:„Laser Doped Selective Emitters Yield 0.5 % Efficiency Gain", Proceedings of the 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference 2009, 1847, wird ein entsprechendes Verfahren beschrieben, bei dem eine Laser-
Strahlung einer Pulsenergiedichte zwischen 1 J/cm 2 und 18 J/cm 2 bei Laserpulsdauern zwischen 10 ns und 200 ns zur Anwendung gelangt. Mit einem entsprechenden Verfahren sollen selektive Emitter hergestellt werden, um den Wirkungsgrad einer Solarzelle zu verbessern.
Eine Dotierung von Silicium- Solarzellen mittels Las er Strahlung wird auch in der Literaturstelle AMETOWOBLA et al.,„Improved Laser Doping For Silicon Solar Cells" beschrieben.
Um in einer Solarzelle einen pn-Übergang auszubilden, wird nach der US-A-4, 147,563 eine laserinduzierte Diffusion durchgeführt.
In der Literaturstelle CARLSSON, C. et al.„Laser Doped Selective Emitters Yield 0.5% Efficiency Gain", 21st European Photovoltaic Conference, 4. - 8. September 2006, Dresden, Seite 938 bis 940, wird ein Verfahren zum Ausbilden eines selektiven Emitters mittels Laserbeaufschlagung vorgeschlagen, wobei der Wafer ofendotiert wird. Messergebnisse, die den Schichtwiderstand im gelaserten und ungelaserten Bereich betreffen, werden angegeben.
Aus der US-B-6 429,037 ist eine Solarzelle mit selektivem Emitter bekannt.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, ein Verfahren zum Herstellen von elektrisch leitenden Kontakten auf kristallinen Silicium-Solarzellen derart weiterzubilden, dass die dem Stand der Technik immanenten Nachteile vermieden, insbesondere unter Vermeidung einer erhöhten Dotierstoffkonzentration im Bereich der elektrisch leitenden Kontakte reproduzierbar eine gute elektrisch leitende Verbindung zwischen den Kontakten und der Solarzelle herzustellen, also im Verbindungsbereich den Kontaktübergangswiderstand zu minimieren.
Zur Lösung der Aufgabe sieht die Erfindung verfahrensmäßig im Wesentlichen vor, dass zunächst bei zumindest einer Solarzelle aus der Gruppe der Solarzellen die Verfahrensschritte durchgeführt werden: a) ganzflächiges homogenes Aufbringen einer Dotierstoffquelle auf zumindest einer Seite eines aus kristallinem Silicium bestehenden Substrats, b) Ausbilden von Phosphor silikatglas durch Eindiffundieren von Dotier Stoff in das Substrat in einem ersten Temperaturschritt bei einer Temperatur Ti über eine Zeit ti, c) lokale Beaufschlagung des Substrats mit Laserstrahlung in Bereichen, in denen das elektrisch leitende Material zur Ausbildung des elektrisch leitenden Kontakts aufzubringen ist, wobei das Phosphor silikatglas vor oder nach Beaufschlagung der Laserstrahlung entfernt wird, und d) Messen des im dotierstoffquellenseitigen Oberflächenbereich des Substrats ausgebildeten Schichtwiderstands PSH sowohl im als auch seitlich außerhalb von dem gelaserten Bereich in Abhängigkeit von Pulsenergiedichte des das Substrat beaufschlagenden Laserstrahls, e) Aufbringen des elektrisch leitenden Materials auf die gelaserten Bereiche, f) Messen des spezifischen Kontaktwiderstandes zwischen dem gelaserten Bereich und dem auf diesem aufgebrachten elektrisch leitenden Material in Abhängigkeit von Pulsenergiedichte des das Substrat beaufschlagenden Laserstrahls, g) Ermitteln eines Pulsenergiedichtebereichs des Laserstrahls aus den gemessenen Werten, bei denen der Schichtwiderstand PSH im gelaserten Bereich zwischen 0 % und 30 % im Vergleich zum Schichtwiderstand außerhalb des gelaserten Bereichs reduziert ist und der spezifische Kontaktwiderstand zwischen dem gelaserten Bereich und dem auf diesem aufgebrachten elektrisch leitendem Material zur Bil- dung des elektrisch leitenden Kontakts zwischen 0 mHcm 2 und 10 mHcm 2 liegt, und sodann bei der Serienproduktion die Verfahrensschritte durchgeführt werden: h) Beaufschlagen der restlichen Solarzellen aus der Gruppe nach Durchführen zumindest der Verfahrensschritte a) und b) in den zu kontaktierenden Bereichen der Solarzellen mit einer Laserstrahlung, deren Pulsenergiedichte innerhalb des ermittelten Pulsenergiedichtebereichs liegt.
Es hat sich gezeigt, dass dann, wenn der Schichtwiderstand im gelaserten Bereich im Vergleich zum Schichtwiderstand außerhalb des gelaserten Bereichs maximal um 35 %, insbesondere um 10 % bis 25 % reduziert wird und der Kontaktierungs widerstand im gelaserten Bereich maximal 10 mHcm beträgt, die den Wirkungsgrad der Solarzelle negativ beeinflussenden Rekombinationen stark reduziert werden. Gleichzeitig ist jedoch eine verlustarme Stromsammlung möglich.
Überraschenderweise konnte festgestellt werden, dass sich bei geringfügiger Änderung des Schichtwiderstands im gelaserten Bereich im Vergleich zum nicht gelaserten Be- reich eine plötzliche, quasi sprunghafte Reduzierung des spezifischen Kontaktwiderstandes ergibt, so dass infolgedessen der gewünschte elektrisch leitende Kontakt sichergestellt ist, gleichzeitig die interne Quantenausbeute nicht in einem Umfang negativ beeinflusst wird, dass der Wirkungsgrad der Solarzelle merklich negativ beeinflusst wird.
Messungen haben ergeben, dass unter Berücksichtigung der erfindungsgemäßen Einstellung von Schichtwiderstand und spezifischem Kontaktübergangswiderstand die interne Quantenausbeute im gelaserten Bereich bei Laserung auf der Vorderseite der Solarzelle im Wellenlängenbereich zwischen 400 nm und 600 nm nur maximal um 10 % und die interne Quantenausbeute im gelaserten Bereich bei Laserung auf der Rückseite der Solarzellen im Wellenlängenbereich von 900 nm bis 1200 nm gleichfalls maximal um 10 % reduziert wird.
Die erfindungsgemäße Lehre zielt darauf ab, Solarzellen in einer Serienproduktion reproduzierbar herzustellen, wobei sich optimale Bedingungen im Bereich der elektrisch leitenden Kontakte ergeben, also die üblicherweise auftretende unerwünschte Rekombination reduziert wird, ohne die interne Quantenausbeute derart zu beeinflussen, dass der Wirkungsgrad der Solarzelle merklich negativ beeinflusst wird. Hierzu nutzt man die zuvor erläuterten Erkenntnisse, wobei zunächst an einer oder mehreren Solarzellen der Impulsenergiedichtebereich der die Solarzellen beaufschlagenden Laserstrahlung ermittelt wird, bei dem der gewünschte Schichtwiderstand und Kontaktwiderstand feststellbar ist.
Nachdem die entsprechenden Werte ermittelt worden sind, werden bei den übrigen herzustellenden Solarzellen gleiche Parameter benutzt, wobei die bei den einzelnen für die Messungen bestimmten Solarzellen bei der Herstellung zum Einsatz gelangenden Verfahrensschritte entsprechend bei der Serienproduktion verwendet werden.
Zur Ermittlung des Pulsenergiedichtebereichs können auch mehrere Solarzellen der Gruppe mit Laserstrahlung unterschiedlicher Pulsenergiedichte beaufschlagt werden. Insoweit sind die Messungen an einer Solarzelle oder die Messungen an mehreren Solarzellen als Synonym zu verstehen.
Die Pulsenergiedichte, um die gewünschte maximale Reduzierung des Schichtwiderstands bei gleichzeitiger Reduzierung des Kontaktübergangswiderstandes zu erreichen, liegt im Bereich zwischen 1,0 J/cm 2 bis 2,2 J/cm 2 , insbesondere im Bereich zwischen
1,2 J/cm 2 und 1,6 J/cm 2. Die diesbezüglichen Werte gelten nicht nur für Phosphor als Dotierstoff, sondern auch für As, Sb, Bi, B, AI, In, Ga, Ti.
Insbesondere zeichnet sich die Erfindung dadurch aus, dass auf das Substrat (Wafer) ein Dotierstoff mit einer Dotierstoffkonzentration aufgebracht wird derart, dass nach der thermischen Diffusion der Gehalt des elektrisch aktiven Dotierstoffs zum Gesamtdotier- stoffgehalt zwischen 0,01 und 1, insbesondere zwischen 0,05 und 0,5 liegt. Dies gilt für eine von der Oberfläche des Substrats ausgehende Schicht einer Dicke D mit 90 nm < T < 110 nm, vorzugsweise D in etwa 100 nm.
Die Dotierstoffe, die elektrisch nicht aktiv sind, werden dabei vorwiegend in Präzipitaten gebunden.
Das Entfernen des Phosphorsilikatglases kann in unterschiedlichen Stadien der Herstellung der Solarzellen erfolgen.
So besteht nach einer Alternativen die Möglichkeit, dass nach Ausbilden des Phosphorsilikatglases dieses entfernt wird, sodann die Solarzelle mit der Laserstrahlung beaufschlagt wird, anschließend das Substrat in einem zweiten Temperaturbehandlungsschritt einer Temperatur T2 bei einer Zeit t2 ausgesetzt wird und sodann auf dem Substrat gebildetes Oxid entfernt wird.
Eine zweite Alternative sieht vor, dass nach Ausbilden des Phosphorsilikatglases die Solarzelle mit der Laserstrahlung beaufschlagt wird, anschließend das Phosphorsilikatglas entfernt wird, sodann das Substrat in einem zweiten Temperaturbehandlungsschritt einer Temperatur T2 über eine Zeit t2 ausgesetzt wird und sodann auf dem Substrat gebildetes Oxid entfernt wird.
Nach einer dritten Variante ist vorgesehen, dass nach Ausbilden des Phosphorsilikatglases die Solarzelle mit der Laserstrahlung beaufschlagt wird, anschließend das Substrat in einem zweiten Temperaturbehandlungsschritt einer Temperatur T2 über eine Zeit t2 ausgesetzt wird und sodann das Phosphorsilikatglas entfernt wird.
Eine weitere Variante sieht vor, dass nach Ausbilden des Phosphorsilikatglases dieses entfernt wird, anschließend das Substrat in einem zweiten Temperaturbehandlungsschritt einer Temperatur T2 bei einer Zeit t2 ausgesetzt wird, sodann die Solarzelle mit Laserstrahlung beaufschlagt wird und schließlich auf dem Substrat gebildetes Oxid entfernt wird.
Auch besteht die Möglichkeit, dass nach Ausbilden des Phosphorsilikatglases dieses entfernt wird, anschließend das Substrat in einem zweiten Temperaturbehandlungsschritt einer Temperatur T2 über eine Zeit t2 ausgesetzt wird, sodann auf dem Substrat gebildetes Oxid entfernt wird und schließlich die Solarzelle mit der Laserstrahlung beaufschlagt wird.
Nach einer weiteren Alternative ist vorgesehen, dass nach Ausbilden des Phosphorsilikatglases das Substrat in einem zweiten Temperaturbehandlungsschritt einer Temperatur T2 über eine Zeit t2 ausgesetzt wird, sodann die Solarzelle mit der Laserstrahlung beaufschlagt wird und schließlich das Phosphorsilikatglas entfernt wird.
Auch besteht die Möglichkeit, dass nach Ausbilden des Phosphorsilikatglases das Substrat in einem zweiten Temperaturbehandlungsschritt einer Temperatur T2 über eine Zeit t2 ausgesetzt wird, sodann das Phosphor silikatglas entfernt wird und schließlich die Solarzelle mit der Laser Strahlung beaufschlagt wird.
Nach Beendigung der zuvor erläuterten Verfahrens schritte wird sodann das elektrisch leitende Material zum Ausbilden der Kontakte aufgetragen. Hierbei können übliche Verfahren wie das Auftragen von Pasten und anschließendes Sintern oder galvanisches Abscheiden und Tempern zur Anwendung gelangen, um das elektrisch leitende Material aufzutragen und elektrische Kontakte auszubilden.
Insbesondere ist vorgesehen, dass als Dotierstoffquelle ein Medium aus der Gruppe wässrige Lösung, alkoholische Lösung, Feststoff mit Phosphor als Dotand mit einer Konzentration C mit 2 at% < C < 30 at%, insbesondere 3 at% < C < 8 at% verwendet wird.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird durch die Laserstrahlbeaufschlagung der Oberflächenbereich des Substrats unterhalb der Dotierstoffquelle aufgeschmolzen, wodurch der Dotierstoff weiter in das Substrat hineindiffundieren kann. Durch die Pulsenergiedichte des Lasers bei bevorzugten Laserpulsdauern im Bereich zwischen 1 fs und 300 ns erfolgt ein Aufschmelzen bis zu einer Dicke von 200 nm. Die aufgeschmolzene Schicht rekristallisiert sodann beim Abkühlen. Strukturelle Kristalldefekte treten folglich ausschließlich in diesem Bereich auf.
Das Lasern selbst sollte ferner in sauerstoffhaltiger Atmosphäre erfolgen.
In Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Substrat vor der thermischen Diffusion iso- texturiert wird oder in alkalischer Ätzlösung zufällige Pyramiden erzeugt werden.
Der Schichtwiderstand PSH des Substrats außerhalb der gelaserten Bereiche sollte zumindest 50 Ω/ bis 250 Ω/ , vorzugsweise 60 Ω/ bis 200 Ω/ betragen.
Als Laserstrahlung wird insbesondere eine solche mit einer Laserpulsdauer zwischen 1 fs und 300 ns und/oder eine Repetierrate zwischen 100 Hz und 1 MHz, bevorzugterweise zwischen 1 kHz und 500 kHz verwendet.
Unabhängig hiervon zeichnet sich die Erfindung auch dadurch aus, dass der zum Ausbilden des Phosphorsilikatglases durchgeführte erste Temperaturbehandlungs schritt bei einer Temperatur Ti über eine Zeit ti und/oder der zweite Temperaturbehandlungs schritt bei einer Temperatur T2 über eine Zeit t2 bei in einem Stapel übereinander angeordneten Solarzellen durchgeführt wird.
Es besteht ferner die Möglichkeit, dass das Substrat vor Aufbringen der Dotierstoffquelle hydrophiliert wird.
Ein weiterer Vorschlag sieht vor, dass das Substrat vor Aufbringen der Dotierstoffquelle in einer wässrigen Lösung enthaltend NaOH oder KOH oder H202 oder Ozon unter gegebenenfalls Zugabe von Tensid hydrophiliert wird.
Alternativ sieht die Erfindung vor, dass das Substrat vor Aufbringen der Dotierstoffquelle in einer wässrigen Lösung enthaltend Peroxiddisulfat unter gegebenenfalls Zugabe eines Tensids hydrophiliert wird.
Ein weiterer Vorschlag sieht vor, dass das Substrat vor dem Aufbringen einer Dotierstoffquelle in einer wässrigen Lösung enthaltend HCl unter möglicher Zugabe von HF und/oder Tensid hydrophiliert wird.
Eine Solarzelle umfassend ein aus kristallinem Silicium bestehendes Substrat mit einem Emitter und bereichsweise auf diesen ausgebildeten elektrisch leitenden Kontakten zeichnet sich dadurch aus, dass der Schichtwiderstand der dotier seitig verlaufenden Oberfläche des Substrats unterhalb der elektrisch leitenden Kontakte 0 % bis 25 % geringer als der Schichtwiderstand außerhalb der elektrisch leitenden Kontakte ist und der spezifische Kontaktwiderstand zwischen dem elektrisch leitenden Kontakt und dem dotierstoffquellenseitigen Randbereich zwischen 0 mHcm 2 und 10 mHcm 2 liegt.
Insbesondere ist vorgesehen, dass der Schichtwiderstand des Substrats außerhalb der elektrischen Kontakte 50 Ω/ bis 250 Ω/ , vorzugsweise 60 Ω/ bis 200 Ω/ beträgt.
Des Weiteren zeichnet sich die Solarzelle dadurch aus, dass unterhalb der elektrisch leitenden Kontakte über eine Dicke zwischen 1 nm und 200 nm von dem dotierstoffquellenseitigen Randbereich ausgehend Kristalldefekte vorhanden sind. Der Schichtwiderstand des Substrats außerhalb der elektrischen Kontakte beträgt 50 Ω/ bis 250 Ω/ , vorzugsweise 60 Ω/ bis 200 Ω/ .
Die Oberflächen-Phosphorkonzentration der Solarzelle sollte größer als 8 x 10 20 cm -"3 sein. Die Phosphorkonzentration kann mittels Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) ermittelt werden.
Weitere Einzelheiten, Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich nicht nur aus den Ansprüchen, den diesen zu entnehmenden Merkmalen - für sich und/oder in Kombination-, sondern auch aus der Beschreibung des nachfolgenden Ausführungsbeispiels.
Es zeigen:
Fig. 1 eine Darstellung von spezifischem Kontaktwiderstand und Schichtwiderstand als Funktion der Pulsenergiedichte und
Fig. 2 eine Darstellung interner Quantenausbeuten als Funktion
verschiedener Pulsenergiedichten.
Zur Herstellung einer Solarzelle wird auf eine Seite eines aus kristallinem p-Silicium bestehenden Substrats (Wafer) flächig eine Dotierstoffquelle in Form von Phosphorsäure mit einer Konzentration von 15 Gew.-% Phosphor mittels Ultraschallvernebelung oder Tauchen aufgetragen.
Das in der Dotierstoffquelle vorhandene Phosphor als Dotierstoff wird in einem thermischen Diffusionsprozess in das Substrat (Wafer) eingetrieben. Hierzu wird das Substrat einer Temperatur im Bereich zwischen 500 °C und 1000 °C über einen Zeitraum zwischen 30 min und 120 min ausgesetzt. Hierdurch wird ein Oberflächenbereich negativ leitfähig, so dass der zum Trennen der durch Licht erzeugte Ladungsträger erforderliche pn-Übergang ausgebildet ist. Rückseitig kann in gewohnter Weise durch Diffusionsprozesse ein Back-Surface Field sowie ein ganzflächiger Rückseitenkontakt ausgebildet werden. Insoweit wird auf bekannte Techniken verwiesen.
Alternativ kann jedoch auch auf der Rückseite des Substrats eine Dotierstoffquelle aufgebracht werden, um - wie bei der Frontseite - in nachstehend beschriebener Weise eine Kontaktierung vorzunehmen.
Um zu verhindern, dass im Bereich der erforderlichen elektrischen Kontakte (Finger) durch hohe Oberflächenkonzentration eine erhöhte Rekombination von Überschuss- Minoritätsladungsträgern auftritt und somit der Kurzschlussstrom reduziert wird, ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass in den Bereichen, in denen eine Kontaktierung erfolgt, die Dotierstoffquelle mit einer Laserstrahlung derart beaufschlagt wird, dass sich im dotierstoffquellenseitigen Randbereich des Substrats ein Schichtwiderstand ergibt, der maximal 20 % kleiner als der Schichtwiderstand außerhalb der gelaserten Bereiche ist. Hierdurch wird vermieden, dass durch einen unerwünscht niedrigen Schichtwiderstand die interne Quantenausbeute derart reduziert wird, dass der Wirkungsgrad der Solarzelle merklich negativ beeinflusst wird. Gleichzeitig wird der spezifische Kontaktübergangswiderstand zwischen dem gelaserten Bereich und dem aufzubringenden den elektrisch leitenden Kontakt bildenden elektrisch leitenden Material derart einge- stellt, dass sich Werte zwischen 0 mQcm 2 und 10 mHcm 2 ergeben.
Um diese Abstimmung zwischen Schichtwiderstand und spezifischem Kontaktübergangswiderstand zu erreichen, um also den Wirkungsgrad der Solarzelle zu optimieren, wurden zunächst Versuche durchgeführt, wobei Schichtwiderstand und spezifischer Kontaktwiderstand in Abhängigkeit von der Pulsenergiedichte der Laserstrahlung ermittelt werden.
Dabei wurde auf das kristalline p-Si-Substrat Phosphorsäure mit einer Konzentration von 10 Gew.-% Phosphor mittels Ultraschallvernebelung als Dotierstoffquelle aufgebracht. Danach erfolgten zwei thermische Diffusionen in zwei getrennten Diffusionsöfen. In Fig. 1 sind die Pulsenergiedichte einerseits über den Schichtwiderstand PSH und andererseits der spezifische Kontaktwiderstand gegenüber der Pulsenergiedichte aufgetragen. Man erkennt, dass dann, wenn der Schichtwiderstand um maximal 20 % reduziert wird, ein steiles Abfallen des spezifischen Kontaktübergangswiderstands bei einer Puls- energiedichte zwischen 1,3 J/cm 2 und 1,5 J/cm 2 erfolgt.
Somit ist bei der Produktion von Solarzellen und Kontaktieren dieser eine Laserstrah- lung mit einer Pulsenergiedichte einzusetzen, die zwischen 1,3 J/cm 2 und 1,5 J/cm 2 liegt.
Aus der Fig. 2 ergibt sich des Weiteren die Abhängigkeit von interner Quantenausbeute und Pulsenergiedichte. Die Kurven verdeutlichen, dass bei einem kristallinen p-Si- Substrat und auf dieses wie oben beschrieben aufgetragener Dotierstoffquelle bei Puls- energiedichten bis 1,5 J/cm 2 nahezu keine Verschlechterung und bei 1,78 J/cm 2 nur eine geringe Verschlechterung der internen Quantenausbeute auftritt.
Somit ist aufgrund der erfindungsgemäßen Lehre sichergestellt, dass eine weitgehend verlustfreie Stromableitung erfolgt, ohne dass unerwünschte Rekombinationen von Überschuss-Minoritätsladungsträgern auftreten, die zu einer Verschlechterung des Wirkungsgrades der Solarzelle führen würden.
Ist die erfindungsgemäße Lehre anhand des Emitterbereichs einer Solarzelle beschrieben, so gilt entsprechendes dann, wenn im Basisbereich erfindungsgemäß elektrisch leitende Kontakte hergestellt werden.
Aus dem folgenden Beispiel ergeben sich weitere Vorteile und Merkmale der erfindungsgemäßen Lehre.
Multikristalline Wafer werden isotexturiert und anschließend für 20 s bei Raumtemperatur in einer wässrigen Lösung geätzt. Die wässrige Lösung enthält NaOH und Η202 in einer Konzentration von jeweils 5 Gew.-% und Tensid in einer Konzentration von we- niger als 0,01 Gew.-%. Nach einer Reinigung in einer wässrigen Lösung enthaltend 2 Gew.-% HCl werden die Wafer mit Hilfe von saugfähigen Rollen aus Schaumstoff mit einer wässrigen Lösung enthaltend 10 Gew.-% Phosphor in Form von Phosphorsäure belegt. Danach wird bei 920 °C für 20 min unter Luftatmosphäre Phosphor silikatglas erzeugt und Phosphor in das Si-Substrat diffundiert. Aufgrund der gleichmäßigen Belegung mit Dotierstoff und der hohen Diffusionstemperatur bilden sich Präzipitate homogen auf der Solarzelloberseite aus. Der Schichtwiderstand liegt über 150 Ohm/sq (Ω/ ). Sodann werden die Si- Wafer lokal an den Stellen, auf die später die Vorderseitenmetallisierung gedruckt wird, mit Laserlicht beaufschlagt. Dabei wird ein Scheibenlaser mit einer Wellenlänge von 532 nm verwendet. Die Wiederholrate beträgt 20 kHz, die Pulsdauer 30 ns. Der Laserspot hat einen runden Querschnitt mit einem Durchmesser von ca. 50 μηι. Der Überlapp beträgt 60 %. Die Laserleistung wird von Zelle zu Zelle so variiert, dass die Pulsenergiedichte im Bereich von 0,8 J/cm 2 bis 3 J/cm 2 liegt. Auf den zur Optimierung der Pulsenergiedichte dienenden Wafer werden zusätzlich mehrere nebeneinander liegende Linien so gelasert, dass eine rechteckige Fläche mit den Ab- messungen von ca. 20 x 20 mm vollständig behandelt wird, wobei in der 2. Richtung der Überlapp ebenfalls 60 % beträgt. Dieses Messfeld wird nur auf den Einrichtw afern erzeugt und dient später zur Messung des Schichtwiderstands im gelaserten Bereich. Alternativ kann der Schichtwiderstand auch im Bereich der ebenfalls gelaserten Stromsammeischienen (Busbars) gemessen werden, die in der Regel breiter als 1 mm sind und sich über die gesamte Solarzellenlänge erstrecken. Nach Entfernen des Phosphorsilikatglases in HF mit einer Konzentration von 5 Gew.-% für ca. 2 min werden die Wafer in einem zweiten Diffusionsschritt bei einer Temperatur von 850 °C für 20 min diffundiert. Dabei stellt sich ein vorteilhaftes Diffusionsprofil im Zwischenfingergebiet ein und gleichzeitig wird ein im gelaserten Bereich vorhandener Kristallschaden zum Teil ausgeheilt. Nach Entfernen der im zweiten Diffusionsschritt entstandenen Oxidschicht mittels HF mit einer Konzentration von 5 Gew.-% für ca. 1 min werden die Schichtwiderstände im gelaserten Bereich im dafür vorgesehenen Messfeld und zusätzlich seitlich neben dem Messfeld mittels 4-Punkt- Messung oder alternativ mittels Infrarotthermo- graphie gemessen. Nach Antireflexbeschichtung mit SiN auf der Vorderseite, der Vorder- und Rückseitenmetallisierung, hergestellt mittels Siebdruck von Silber- und Aluminiumpasten und einem Sinterschritt bei Temperaturen über 800 °C, werden die Bus- bars der Einrichtwafer z. B. mittels Laser oder Chipsäge abgetrennt und die Kontaktübergangswiderstände mittels Transferlängenmessungen bestimmt. Nun wird aus den gemessenen Werten der Pulsenergiedichtebereich des Laserstrahls ermittelt, in dem der Schichtwiderstand im gelaserten Bereich zwischen 0 % und 30 % im Vergleich zum Schichtwiderstand außerhalb des gelaserten Bereichs reduziert ist und der spezifische Kontaktwiderstand zwischen dem gelaserten Bereich und dem auf diesem aufgebrachten elektrisch leitendem Material zur Bildung des elektrisch leitenden Kontakts zwi- sehen 0 mQ cm 2 und 10 mO cm 2 liegt. Schließlich werden die restlichen Solarzellen eines Produktionszeitraumes nach Isotextur, Hydrophilierung, Aufbringen von Phosphorsäure, HF-Ätzen und erstem Diffusionsschritt ebenfalls laserbehandelt, allerdings ohne das zusätzliche Messfeld.

Claims

Patentansprüche Verfahren zum Herstellen von elektrisch leitenden Kontakten auf Solarzellen sowie Solarzelle
1. Verfahren zum Herstellen von aus elektrisch leitendem Material bestehenden Kontakten auf eine Gruppe von Solarzellen, wobei bei zumindest einer Solarzelle aus der Gruppe der Solarzellen zumindest die Verfahrensschritte zur Anwendung gelangen: a) ganzflächiges homogenes Aufbringen einer Dotierstoffquelle auf zumindest einer Seite eines aus kristallinem Silicium bestehenden Substrats, b) Ausbilden von Phosphor silikatglas durch Eindiffundieren von Dotier Stoff in das Substrat in einem ersten Temperaturschritt bei einer Temperatur Ti über eine Zeit ti, c) lokale Beaufschlagung des Substrats mit Laserstrahlung in Bereichen, in denen das elektrisch leitende Material zur Ausbildung des elektrisch leitenden Kontakts aufzubringen ist, wobei das Phosphor silikatglas vor oder nach Beaufschlagung der Laserstrahlung entfernt wird, und d) Messen des im dotierstoffquellenseitigen Oberflächenbereich des Substrats ausgebildeten Schichtwiderstands PSH sowohl im als auch seitlich außerhalb von dem gelaserten Bereich in Abhängigkeit von Pulsenergiedichte des das Substrat beaufschlagenden Laserstrahls, e) Aufbringen des elektrisch leitenden Materials auf die gelaserten Bereiche, f) Messen des spezifischen Kontaktwiderstandes zwischen dem gelaserten Bereich und dem auf diesem aufgebrachten elektrisch leitenden Material in Abhängigkeit von Pulsenergiedichte des das Substrat beaufschlagenden Laserstrahls, g) Ermitteln eines Pulsenergiedichtebereichs des Laserstrahls aus den gemessenen Werten, bei denen der Schichtwiderstand PSH im gelaserten Bereich zwischen 0 % und 30 % im Vergleich zum Schichtwiderstand außerhalb des gelaserten Bereichs reduziert ist und der spezifische Kontaktwiderstand zwischen dem gelaserten Bereich und dem auf diesem aufgebrachten elektrisch leitendem Material zur Bil- dung des elektrisch leitenden Kontakts zwischen 0 mQcm 2 und 10 mQcm 2 liegt, h) Beaufschlagen der restlichen Solarzellen aus der Gruppe nach Durchführen zumindest der Verfahrensschritte a) und b) in den zu kontaktierenden Bereichen der Solarzellen mit einer Laserstrahlung, deren Pulsenergiedichte innerhalb des ermittelten Pulsenergiedichtebereichs liegt.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass als Werte für die Reduzierung des Schichtwiderstandes zur Ermittlung des Pulsenergiedichtebereichs diejenigen ausgewählt werden, bei denen der Schichtwiderstand im gelaserten Bereich um 10 % bis 25 % im Vergleich zum Schichtwiderstand außerhalb des gelaserten Bereichs reduziert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
dass als Dotierstoffquelle ein Medium aus der Gruppe wässrige Lösung, alkoholische Lösung, Feststoff mit Phosphor als Dotand mit einer Konzentration C mit 2 at% < C < 30 at%, insbesondere 3 at% < C < 8 at% verwendet wird.
4. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass nach Ausbilden des Phosphorsilikatglases dieses entfernt wird, sodann die Solarzelle mit der Laserstrahlung beaufschlagt wird, anschließend das Substrat in einem zweiten Temperaturbehandlungs schritt einer Temperatur T2 über eine Zeit t2 ausgesetzt wird und sodann auf dem Substrat gebildetes Oxid entfernt wird.
Verfahren nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
dass nach Ausbilden des Phosphorsilikatglases die Solarzelle mit der Laserstrahlung beaufschlagt wird, anschließend das Phosphorsilikatglas entfernt wird, sodann das Substrat in einem zweiten Temperaturbehandlungsschritt einer Temperatur T2 über eine Zeit t2 ausgesetzt wird und sodann auf dem Substrat gebildetes Oxid entfernt wird.
Verfahren nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
dass nach Ausbilden des Phosphorsilikatglases die Solarzelle mit der Laserstrahlung beaufschlagt wird, anschließend das Substrat in einem zweiten Temperaturbehandlungsschritt einer Temperatur T2 über eine Zeit t2 ausgesetzt wird und sodann das Phosphor silikatglas entfernt wird.
Verfahren nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
dass nach Ausbilden des Phosphorsilikatglases dieses entfernt wird, anschließend das Substrat in einem zweiten Temperaturbehandlungs schritt einer Temperatur T2 bei einer Zeit t2 ausgesetzt wird, sodann die Solarzelle mit Laserstrahlung beaufschlagt wird und schließlich auf dem Substrat gebildetes Oxid entfernt wird.
Verfahren nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
dass nach Ausbilden des Phosphorsilikatglases dieses entfernt wird, anschließend das Substrat in einem zweiten Temperaturbehandlungs schritt einer Temperatur T2 über eine Zeit t2 ausgesetzt wird, sodann auf dem Substrat gebildetes Oxid entfernt wird und schließlich die Solarzelle mit der Laserstrahlung beaufschlagt wird.
9. Verfahren nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
dass nach Ausbilden des Phosphorsilikatglases das Substrat in einem zweiten Temperaturbehandlungs schritt einer Temperatur T2 über eine Zeit t2 ausgesetzt wird, sodann die Solarzelle mit der Laserstrahlung beaufschlagt wird und schließlich das Phosphor silikatglas entfernt wird.
10. Verfahren nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
dass nach Ausbilden des Phosphorsilikatglases das Substrat in einem zweiten Temperaturbehandlungs schritt einer Temperatur T2 über eine Zeit t2 ausgesetzt wird, sodann das Phosphorsilikatglas entfernt wird und schließlich die Solarzelle mit der Laserstrahlung beaufschlagt wird.
11. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass der das Substrat beaufschlagende Laserstrahl mit einem Fokus auf dem Substrat projiziert wird, dessen minimale Breitenerstreckung zumindest 20 μιη beträgt.
12. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Substrat mit einer Laserstrahlung mit einer Pulsenergiedichte zwischen
1,0 J/cm 2 und 2,2 J/cm 2 , insbesondere im Bereich zwischen 1,3 J/cm 2 und 1,6 J/cm beaufschlagt wird.
13. Verfahren nach zumindest Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass der erste Temperaturbehandlungsschritt zur Erzeugung des Phosphorsilikatglases bei einer Temperatur Ti mit 800 °C < Ti < 990 °C über eine Zeit ti mit 2 min < ti < 90 min durchgeführt wird.
14. Verfahren nach zumindest einem der Ansprüche 4 bis 10,
dadurch gekennzeichnet,
dass der zweite Temperaturbehandlungsschritt zur Erzeugung von Silicium- phosphid (SixPy, SixPyOz) - Präzipitaten bei einer Temperatur T2 mit 800 °C < T2 < 930 °C über eine Zeit t2 mit 10 min < t2 < 90 min durchgeführt wird.
15. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Ausbilden des Phosphorsilikatglases und ein Auskristallisieren von Präzipitaten in einem gemeinsamen Temperaturbehandlungs schritt bei einer Temperatur T3 mit 800 °C < T3 < 930 °C über eine Zeit t3 mit 10 min < t3 < 120 min durchgeführt wird.
16. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Laserstrahlung mit einer Laserpulsdauer zwischen 1 fs und 300 ns und/oder einer Repitierrate zwischen 100 Hz und 1 MHz, bevorzugterweise zwischen 1 kHZ und 500 kHz verwendet wird.
17. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Laserstrahlung in einem Wellenlängenbereich zwischen 180 nm und 1200 nm, vorzugsweise zwischen 350 nm und 1064 nm verwendet wird.
18. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Substrat vor der Diffusion isotexturiert wird.
19. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass vor dem Aufbringen des elektrisch leitenden Materials das Verhältnis zwischen Gehalt von aktiven Dotanden und Gesamtdotandengehalt in einer von der Oberfläche des Substrats ausgehenden Schicht einer Dicke D mit 90 nm < T < 110 nm, vorzugsweise D in etwa 100 nm, 0,01 bis 0,8 , vorzugsweise 0,05 bis 0,5 beträgt.
20. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass die zur Ermittlung des Pulsenergiedichtebereichs an der oder den Solarzellen durchgeführten Verfahrens schritte entsprechend bei den restlichen Solarzellen aus der Gruppe durchgeführt werden.
21. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass der zum Ausbilden des Phosphorsilikatglases durchgeführte erste Temperaturbehandlungsschritt bei einer Temperatur Ti über eine Zeit ti und/oder der zweite Temperaturbehandlungsschritt bei einer Temperatur T2 über eine Zeit t2 bei in einem Stapel übereinander angeordneten Solarzellen durchgeführt wird.
22. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Substrat vor Aufbringen der Dotierstoffquelle hydrophiliert wird.
23. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Substrat vor Aufbringen der Dotierstoffquelle in einer wässrigen Lösung enthaltend NaOH oder KOH oder H202 oder Ozon unter gegebenenfalls Zugabe von Tensid hydrophiliert wird.
24. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Substrat vor Aufbringen der Dotierstoffquelle in einer wässrigen Lösung enthaltend Peroxiddisulfat unter gegebenenfalls Zugabe eines Tensids hydrophiliert wird.
25. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
dass das Substrat vor dem Aufbringen einer Dotierstoffquelle in einer wässrigen Lösung enthaltend HCl unter möglicher Zugabe von HF und/oder Tensid hydrophiliert wird.
26. Solarzelle umfassend ein aus kristallinem Silicium bestehendes Substrat mit einem Emitter, auf dem bereichsweise elektrisch leitende Kontakte ausgebildet sind, dadurch gekennzeichnet,
dass der Schichtwiderstand der dotierseitig verlaufenden Oberfläche des Substrats unterhalb der elektrisch leitenden Kontakte 0 bis 25 % geringer als der Schichtwiderstand außerhalb der elektrisch leitenden Kontakte ist und der spezifische Kontaktwiderstand zwischen dem elektrisch leitenden Kontakt und dem dotier- stoff quellenseitigen Randbereich zwischen 0 mQcm 2 und 10 mHcm 2 liegt.
27. Solarzelle nach Anspruch 26,
dadurch gekennzeichnet,
dass unterhalb der elektrisch leitenden Kontakte über eine Dicke zwischen 1 nm und 200 nm von dem dotierstoffquellenseitigen Randbereich ausgehend Kristalldefekte vorhanden sind.
28. Solarzelle nach Anspruch 26 oder 27,
dadurch gekennzeichnet,
dass der Schichtwiderstand des Substrats außerhalb der elektrischen Kontakte 50 Ω/ bis 250 Ω/ , vorzugsweise 60 Ω/ bis 200 Ω/ beträgt.
29. Solarzelle nach einem der Ansprüche 26 bis 28,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Oberflächen-Phosphorkonzentration der Solarzelle größer als 8 x 1020 cm"3 ist.
EP11804998.0A 2010-12-16 2011-12-15 Verfahren zum herstellen von elektrisch leitenden kontakten auf solarzellen sowie solarzelle Withdrawn EP2652803A2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010061296A DE102010061296A1 (de) 2010-12-16 2010-12-16 Verfahren zum Herstellen von elektrisch leitenden Kontakten auf Solarzellen sowie Solarzelle
PCT/EP2011/072978 WO2012080428A2 (de) 2010-12-16 2011-12-15 Verfahren zum herstellen von elektrisch leitenden kontakten auf solarzellen sowie solarzelle

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP2652803A2 true EP2652803A2 (de) 2013-10-23

Family

ID=45446006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP11804998.0A Withdrawn EP2652803A2 (de) 2010-12-16 2011-12-15 Verfahren zum herstellen von elektrisch leitenden kontakten auf solarzellen sowie solarzelle

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20140000698A1 (de)
EP (1) EP2652803A2 (de)
CN (1) CN103339746B (de)
DE (1) DE102010061296A1 (de)
WO (1) WO2012080428A2 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011006624A1 (de) * 2011-04-01 2012-10-04 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
US20150121204A1 (en) * 2013-10-28 2015-04-30 Kobo Incorporated Method and system for a visual indicator a displayed page enablement for guided reading
US10585576B2 (en) * 2015-10-26 2020-03-10 Google Llc Systems and methods for attributing a scroll event in an infinite scroll graphical user interface

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4147563A (en) 1978-08-09 1979-04-03 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method for forming p-n junctions and solar-cells by laser-beam processing
JP2000031488A (ja) * 1997-08-26 2000-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
FR2775280B1 (fr) * 1998-02-23 2000-04-14 Saint Gobain Vitrage Procede de gravure d'une couche conductrice
AUPP437598A0 (en) * 1998-06-29 1998-07-23 Unisearch Limited A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell
WO2003046659A1 (en) * 2001-11-27 2003-06-05 Hoya Corporation Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and manufacturing method thereof
JP2004193350A (ja) * 2002-12-11 2004-07-08 Sharp Corp 太陽電池セルおよびその製造方法
US20050189015A1 (en) * 2003-10-30 2005-09-01 Ajeet Rohatgi Silicon solar cells and methods of fabrication
DE102004036220B4 (de) 2004-07-26 2009-04-02 Jürgen H. Werner Verfahren zur Laserdotierung von Festkörpern mit einem linienfokussierten Laserstrahl
US7485245B1 (en) * 2007-10-18 2009-02-03 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrode paste for solar cell and solar cell electrode using the paste
US7820540B2 (en) * 2007-12-21 2010-10-26 Palo Alto Research Center Incorporated Metallization contact structures and methods for forming multiple-layer electrode structures for silicon solar cells
US8053343B2 (en) * 2009-02-05 2011-11-08 Snt. Co., Ltd. Method for forming selective emitter of solar cell and diffusion apparatus for forming the same

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2012080428A2 *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012080428A3 (de) 2013-01-24
CN103339746B (zh) 2015-12-09
US20140000698A1 (en) 2014-01-02
CN103339746A (zh) 2013-10-02
DE102010061296A1 (de) 2012-06-21
WO2012080428A2 (de) 2012-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0813753B1 (de) Solarzelle mit back-surface-field und verfahren zur herstellung
EP0219763B1 (de) Solarzelle
DE69731485T2 (de) Halbleitervorrichtung mit selektiv diffundierten bereichen
DE102011050089B4 (de) Verfahren zum Herstellen von elektrischen Kontakten an einer Solarzelle, Solarzelle und Verfahren zum Herstellen eines Rückseiten-Kontaktes einer Solarzelle
DE19744197A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Solarelektrode, Solarelektrode und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE10237515A1 (de) Stapelförmiger photoelektrischer Wandler
DE202010018467U1 (de) Solarzelle
EP3930013A1 (de) Verfahren zum herstellen einer photovoltaischen solarzelle mit zumindest einem heteroübergang
DE19634617A1 (de) Solarzelle
DE102011075352A1 (de) Verfahren zum Rückseitenkontaktieren einer Silizium-Solarzelle und Silizium-Solarzelle mit einer solchen Rückseitenkontaktierung
DE112012006015T5 (de) Herstellungsverfahren für Solarzelle
DE3790981B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Photovoltaik-Solarzelle
EP2737543A2 (de) Verfahren zur herstellung einer solarzelle sowie solarzelle
WO2011107092A2 (de) Verfahren zur dotierung eines halbleitersubstrats und solarzelle mit zweistufiger dotierung
EP2347448B1 (de) Verfahren zur herstellung einer waferbasierten, rückseitenkontaktierten hetero-solarzelle und mit dem verfahren hergestellte hetero-solarzelle
DE102011115581B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
EP2652803A2 (de) Verfahren zum herstellen von elektrisch leitenden kontakten auf solarzellen sowie solarzelle
EP3449512B1 (de) Verfahren zur herstellung rückseitenkontaktierter solarzellen aus kristallinem silizium
WO2023041177A1 (de) Dotieren eines siliziumsubstrats durch laserdotierung mit anschliessendem hochtemperaturschritt
DE102019122637B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktierungsstruktur einer photovoltaischen Solarzelle
DE102010020557A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer einseitig kontaktierbaren Solarzelle aus einem Silizium-Halbleitersubstrat
EP4256619A1 (de) Rückseitenkontaktierte solarzelle und herstellung einer solchen
EP4147277B1 (de) Rückseitenkontaktierte solarzelle
DE102011015283B4 (de) Herstellung eines Halbleiter-Bauelements durch Laser-unterstütztes Bonden und damit hergestelltes Halbleiter-Bauelement
DE102022130052A1 (de) Solarzelle mit einer eine Siliziumkarbidschicht umfassenden Frontkontaktstruktur und Verfahren zu deren Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20130712

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
RIC1 Information provided on ipc code assigned before grant

Ipc: H01L 31/18 20060101AFI20160112BHEP

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20160701