EP2539916A2 - High-frequency supply of a load without impedance matching - Google Patents

High-frequency supply of a load without impedance matching

Info

Publication number
EP2539916A2
EP2539916A2 EP11703848A EP11703848A EP2539916A2 EP 2539916 A2 EP2539916 A2 EP 2539916A2 EP 11703848 A EP11703848 A EP 11703848A EP 11703848 A EP11703848 A EP 11703848A EP 2539916 A2 EP2539916 A2 EP 2539916A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
switching stages
field effect
load
supply device
effect transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP11703848A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Oliver Heid
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of EP2539916A2 publication Critical patent/EP2539916A2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32018—Glow discharge
    • H01J37/32027—DC powered
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32018—Glow discharge
    • H01J37/32045—Circuits specially adapted for controlling the glow discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • H03F3/2178—Class D power amplifiers; Switching amplifiers using more than one switch or switching amplifier in parallel or in series
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M11/00—Power conversion systems not covered by the preceding groups
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • H02M3/158—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
    • H02M3/1584—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load with a plurality of power processing stages connected in parallel

Definitions

  • the present invention relates to a power supply device for a load
  • the power supply device has a DC voltage source, a number of switching stages and a control ⁇ device ,
  • the switching stages are connected to the DC voltage source, the load and the control device, so that the load due to a corresponding control of the switching ⁇ stages by the control device to the DC voltage ⁇ source is connectable
  • the switching stages each have a field effect transistor and a number of the respective field effect transistor pa ⁇ rallel counter-rotating freewheeling diodes
  • Each freewheeling diode has a recovery time.
  • the cutoff frequency is the frequency which the field effect transistor ⁇ can just turn.
  • the freewheeling diode is not Strengthens into account ⁇ in the context of determining the cutoff frequency.
  • the cutoff frequency is an intrinsic property of the field effect transistor.
  • the recovery time of the freewheeling diode is the time that ver ⁇ goes to a switch-off in the direction of ⁇ directed voltage to the freewheeling diode until the blocking effect of the diode is given again.
  • the recovery time is an intrinsic property of the freewheeling diode ⁇ .
  • MOSFETs have an intrinsic body diode as a freewheeling diode, that is a inte in the MOSFET ⁇ th diode.
  • This intrinsic body diode usually has a relatively long recovery time. The time is usually much greater than the reciprocal of the cutoff frequency of the
  • the object of the present invention is to provide a power supply device that is simply placed ⁇ builds and yet with a high frequency - can be operated - into the region near the cutoff frequency.
  • the switching stages at least time ⁇ way controls such that due to a mismatch performance in the switching stages is reflected back. It may be that - towards the load - the
  • Switching stages downstream of a matching circuit Due to the arrangement according to the invention such at ⁇ matching circuit to avoid the mismatch is not mandatory. It is thus possible that between the switching stages and the load no matching circuit to avoid the mismatch is arranged.
  • the field effect transistors are preferably designed as junction field effect transistors (JFET).
  • MesFETs metal-semiconductor
  • SiC silicon carbide
  • GaN gallium nitride
  • the shift stages may - be parallel ge ⁇ switched on - at least partially. In this case, between the parallel switched ⁇ switching stages and the load usually a
  • the groups of two are connected to the load via an outlet point arranged between the two switching stages of the respective group of two.
  • the switching stages can be combined in pairs to push-pull amplifiers in the manner of a circlotron. It is possible that for at least one of the switching stages (at least) one of the respective field effect transistor pa ⁇ rallel against connected freewheeling diodes, based on the per ⁇ donating field effect transistor wheeling diode as externally arranged free-formed. This measure is mandatory if the respective field effect transistor has no integrated free ⁇ running diode. However, it is optionally also reali ⁇ sierbar when the respective field effect transistor has a integ ⁇ oriented freewheeling diode.
  • each field effect transistor in parallel against ⁇ connected freewheeling diodes in the respective field effect ⁇ sistor for at least one of the switching stages, a.
  • an externally mounted freewheeling diode is not required. It may, however, be present.
  • each field effect transistor will be exactly opposite turned a free-wheeling diode in parallel ⁇ .
  • all switching stages will be set up the same, so ent ⁇ not all with external free-wheeling diode or all with integ ⁇ tured freewheeling diode. In principle, however, any mixed forms and combinations are possible.
  • the inventive design of the Energy suppliessein ⁇ direction is particularly advantageous when the load is pulsed by the control device via the switching stages to the DC voltage source is turned on.
  • the DC voltage source has a netzge ⁇ fed rectifier normally.
  • a number of buffer capacitors are preferably arranged between the rectifier and the switching stages.
  • the energy supply device according to the invention is prin ⁇ cially applicable to any loads.
  • a preferred ⁇ An application case is given by the fact that the load as a cavity resonator of a particle accelerator (in particular a linear accelerator) is formed.
  • FIG. 1 shows a power supply device and a
  • a power supply device for a load 1 has a DC voltage source 2, a number of switching stages 3 and a control device 4.
  • the switching stages 3 are connected to the DC voltage source 2, the load 1 and the control device 4.
  • the load 1 can be connected to the DC voltage source 2 by the control device 4 on the basis of a corresponding control of the switching stages 3.
  • the number of switching stages 3 can be selected as needed. In some cases it may suffice that only a single
  • Switching stage 3 is present.
  • the (single) switching stage 3 is preferably connected according to FIG.
  • the switching stage 3 has a field-effect transistor 5.
  • the field effect transistor 5 is (in the direction of
  • DC voltage source 2 a buffer capacitor 6 preceded ⁇ tet.
  • a line 7 from the DC voltage source 2 to the field ⁇ effect transistor 5 has an inductance 8.
  • this inductance 8 is not an inductance provided as such, but rather a parasitic inductance already given as such due to the line 7 and unavoidable.
  • the field effect transistor 5 is wei ⁇ terhin internally (ie integrated into the field effect transistor 5 a freewheeling diode 9 connected in parallel. Alternatively or additionally, the field effect transistor 5 could externally be connected in parallel with a freewheeling diode 9 '.
  • the external freewheeling diode 9 ' is shown in dashed lines in FIG.
  • switching stages 3 may be present.
  • a power combiner 10 is arranged between the parallel-connected switching stages 3 and the load 1 (see also FIG. 1).
  • the power combiner 10 may be formed, for example, as a conventional 90 ° or 180 ° hybrid. If a plurality of switching stages 3 are connected in parallel, it is possible that the switching stages 3 are controlled by the control device 4 simultaneously. Alternatively, a staggered - in particular staggered - control of
  • a pair of buffer capacitors 6 is also present, which - in analogy to the switching stages 3 - in series ⁇ switched. Between the two buffer capacitors 6, a further output point 11 'is arranged, via which the Se ⁇ riensciens the buffer capacitors 6 is also connected to the load 1.
  • the switching stages 3 each have a field effect transistor 5, each of which a free ⁇ running diode 9 is connected in parallel.
  • Shown in FIG. 4 shows internal free-wheeling diodes 9 analogously to FIG. 2.
  • FIG. 2 alternatively or in addition to the internal free-wheeling diodes 9, external free-wheeling diodes 9 'could be present.
  • the external freewheeling diodes 9 ' are shown in dashed lines in FIG.
  • a plurality of groups of two may be present, the groups of two being connected in parallel with one another.
  • This embodiment is not shown in the FIG.
  • analogous to FIG. 3 there is a power combiner which is arranged between the outgoing points 11, 11 'and the load 1.
  • the power combiner can be designed analogously to FIG.
  • the groups of two can be controlled by the control device 4 simultaneously or staggered in time, in particular staggered.
  • 5 be summarized two switching stages 3 to a push-pull amplifier in the manner of a Circlotrons. 5 shows a ⁇ be ferred embodiment of such a push-pull amplifier, wherein the switching stages 3 of the balanced amplifier on (in contrast to FIG 2: physically present) are wired Induktivitä ⁇ th 12th
  • the freewheeling diodes 9 are formed ge ⁇ Telss FIG 5 as the internal free-wheeling diodes.
  • external freewheeling diodes 9 'could be present.
  • the external freewheeling diodes 9 ' are shown in FIG 5 Gestri ⁇ chelt.
  • FIG. 3 Analogously to FIG 3 also several push-pull amplifier can manner of a Circlotrons, for example as they are Darge ⁇ , in Fig 5, be connected in parallel to each other.
  • a power combiner is present, which is ⁇ between the push-pull amplifiers and the load 1 is arranged.
  • a simultaneous or staggered (in particular staggered) operation of the push-pull amplifier can take place.
  • FIG. 6 once again a single switching stage 3 is shown separately-that is to say without associated circuitry. The following comments on FIG. 6 are valid for each of the switching stages 3 of FIGS. 1 to 5.
  • each field effect transistor 5 to a Grenzfre acid sequence fG As shown in FIG 6, each field effect transistor 5 to a Grenzfre acid sequence fG.
  • the cut-off frequency fG of the field-effect transistor 5 is that frequency up to which it can be operated to a maximum. Larger frequencies, the respective field effect Transis ⁇ tor 5 no longer switch.
  • each diode - which also applies to the freewheeling ⁇ diodes 9, 9 'of the switching stage 3 - a recovery time T on.
  • the recovery time T is the time which - starting from the conductive state of the diode - from switching off the forward-biased voltage passes until the pn junction of the diode 9 is again depleted charge, the pn junction has thus rebuilt.
  • the recovery time T is commonly referred to in the art as a switching time, as
  • Reverse delay time or referred to as lock recovery time.
  • the term "reverse recovery time” is usually used and abbreviated to t rr .
  • the recovery time T of the freewheeling diode 9, 9' at least approximately corresponds to the reciprocal of the cut-off frequency fG of the field effect transistor 5 , It is therefore - at least approximately - the relationship
  • the field effect transistors 5 may be formed according to FIG 6 as a junction field effect transistors (JFET). Junction field-effect transistors include, among other things, so-called MeSFETs.
  • junction field-effect transistors entwe ⁇ der an internal freewheeling diode 9 with an extremely small ⁇ recovery time T or no internal freewheeling diode on.
  • the internal free-wheeling diode 9 can be used OF INVENTION ⁇ dung invention.
  • a sufficiently fast external free-wheeling diode 9 must be used ' ⁇ to.
  • Silicon carbide (SiC) or gallium nitride (GaN) is preferably used as the semiconductor material for the field effect transistors 5 and / or the freewheeling diodes 9, 9 '.
  • a possible cause for such a power reflection is that between the switching ⁇ stages 3 and the load 1, no matching circuit is arranged, which would serve to avoid such a power reflection.
  • a matching circuit may be present.
  • a reflection of power may nevertheless occur in some operating states of the load 1 in particular.
  • the power reflection may have the same causes, so the lack of a Anpassschal ⁇ tion or the incomplete effect of the matching circuit in some operating conditions.
  • the DC voltage source 2 may be formed as needed.
  • the DC voltage source 2 according to 1 shows a mains-powered rectifier 13. Between the rectifier 13 and the switching stages 3, a number of buffer capacitors 14 is also arranged as a rule.
  • the buffer capacitors 14, which are the mains-fed rectifier 13 immediately downstream, may be identical to the Pufferkon ⁇ capacitors 6 of Figures 2 to 5th Alternatively, it may be additional capacitors.
  • the load 1 can also be designed as needed. According to FIG 1, the load 1 as a cavity resonator of a sectionchenbe ⁇ Schleuniger (particularly a Linerarbelixer) formed from ⁇ .
  • the present invention has many advantages.
  • the power supply device with high Leis ⁇ processing density and high overall performance can be produced.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)

Abstract

An energy supplying device for a load (1) has a direct current source (2), a number of switching stages (3), and a control device (4). The switching stages (3) are connected to the direct current source (2), the load (1), and the control device (4) such that the load (1) can be connected to the direct current source (2) on the basis of a corresponding control of the switching stages (3) by the control device (4). Each of the switching stages (3) has a field effect transistor (5) and a number of freewheeling diodes (9, 9') that are connected in opposition to the respective field effect transistor (5) in parallel. The field effect transistors (5) have a threshold frequency (fG) to which said transistors can be maximally operated. Each freewheeling diode (9, 9') has a recovery time (T). For each switching stage (3), the recovery times (T) of all the freewheeling diodes (9, 9') that are connected in opposition to the respective field effect transistor (5) in parallel correspond at least approximately with the reciprocal value of the threshold frequency (fG) of the respective field effect transistor (5). The control device (4) controls the switching stages (3) at least intermittently such that power is reflected back into the switching stages (3) on the basis of a mismatch.

Description

Beschreibung description
Hochfrequenzversorgung einer Last ohne Impedanzanpassung Die vorliegende Erfindung betrifft eine Energieversorgungs¬ einrichtung für eine Last, High-frequency supply of a load without impedance adaptation The present invention relates to a power supply device for a load,
- wobei die Energieversorgungseinrichtung eine Gleichspannungsquelle, eine Anzahl von Schaltstufen und eine Steuer¬ einrichtung aufweist, - wherein the power supply device has a DC voltage source, a number of switching stages and a control ¬ device ,
- wobei die Schaltstufen mit der Gleichspannungsquelle, der Last und der Steuereinrichtung verbunden sind, so dass die Last aufgrund einer entsprechenden Ansteuerung der Schalt¬ stufen durch die Steuereinrichtung an die Gleichspannungs¬ quelle anschaltbar ist, - Wherein the switching stages are connected to the DC voltage source, the load and the control device, so that the load due to a corresponding control of the switching ¬ stages by the control device to the DC voltage ¬ source is connectable,
- wobei die Schaltstufen jeweils einen Feldeffekttransistor und eine Anzahl von dem jeweiligen Feldeffekttransistor pa¬ rallel gegengeschalteten Freilaufdioden aufweisen, - Wherein the switching stages each have a field effect transistor and a number of the respective field effect transistor pa ¬ rallel counter-rotating freewheeling diodes,
- wobei die Feldeffekttransistoren eine Grenzfrequenz aufwei¬ sen, bis zu der sie maximal betreibbar sind, - wherein the field effect transistors aufwei ¬ sen a cut-off frequency to which they are maximally operable,
- wobei jede Freilaufdiode eine Erholungszeit aufweist. - Each freewheeling diode has a recovery time.
Derartige Energieversorgungseinrichtungen sind allgemein be¬ kannt . Die Grenzfrequenz ist diejenige Frequenz, die der Feldeffekt¬ transistor gerade noch schalten kann. Die Freilaufdiode wird im Rahmen der Bestimmung der Grenzfrequenz nicht berücksich¬ tigt. Die Grenzfrequenz ist eine intrinsische Eigenschaft des Feldeffekttransistors. Die Erholungszeit der Freilaufdiode ist diejenige Zeit, die nach dem Abschalten einer in Durch¬ lassrichtung gerichteten Spannung an die Freilaufdiode ver¬ geht, bis die Sperrwirkung der Diode wieder gegeben ist. Die Erholungszeit ist eine intrinsische Eigenschaft der Freilauf¬ diode . Such power supplies are generally be ¬ known. The cutoff frequency is the frequency which the field effect transistor ¬ can just turn. The freewheeling diode is not Strengthens into account ¬ in the context of determining the cutoff frequency. The cutoff frequency is an intrinsic property of the field effect transistor. The recovery time of the freewheeling diode is the time that ver ¬ goes to a switch-off in the direction of ¬ directed voltage to the freewheeling diode until the blocking effect of the diode is given again. The recovery time is an intrinsic property of the freewheeling diode ¬.
Bei den Energieversorgungseinrichtungen des Standes der Tech¬ nik wird als Feldeffekttransistor in der Regel ein MOSFET verwendet. Im Falle mehrerer parallel geschalteter MOSFETs wird weiterhin zusätzlich ein Hochfrequenzkombinierer benö¬ tigt . In the power supply devices of the prior Tech ¬ technology, a MOSFET is used as a field effect transistor in the rule. In the case of multiple MOSFETs connected in parallel a Hochfrequenzkombinierer is further additionally Benö ¬ Untitled.
Übliche MOSFETs besitzen als Freilaufdiode eine intrinsische Bodydiode, das heißt eine in den jeweiligen MOSFET integrier¬ te Diode. Diese intrinsische Bodydiode besitzt in der Regel eine relativ große Erholungszeit. Die Zeit ist in der Regel erheblich größer als der Kehrwert der Grenzfrequenz des Conventional MOSFETs have an intrinsic body diode as a freewheeling diode, that is a inte in the MOSFET ¬ th diode. This intrinsic body diode usually has a relatively long recovery time. The time is usually much greater than the reciprocal of the cutoff frequency of the
MOSFET. Im Stand der Technik muss daher dafür gesorgt werden, dass die Betriebsfrequenz des Feldeffekttransistors so klein bleibt, dass deren Kehrwert oberhalb der Erholungszeit der Freilaufdiode liegt. Alternativ oder zusätzlich muss durch eine entsprechende Anpassschaltung (beispielsweise einen so¬ genannten Zirkulator) erreicht werden, dass eine Reflexion von Leistung zurück auf die Schaltstufen vermieden wird. An¬ derenfalls würde die Schaltstufe zerstört werden. MOSFET. In the prior art, it must therefore be ensured that the operating frequency of the field effect transistor remains so small that its reciprocal is above the recovery time of the freewheeling diode. Alternatively or additionally, must (for example a so-called circulator ¬) can be achieved, that a reflection of power back avoided in the switching stages through a corresponding matching circuit. At ¬ the case, the switching stage would be destroyed.
In dem Fall, dass mehrere Schaltstufen parallel geschaltet sind, gestaltet sich die Auslegung der Anpassschaltung äu- ßerst komplex. Dies gilt ganz besonders bei einem gepulsten Betrieb der Last, bei dem Reflexionen in einem weiten Fre¬ quenzspektrum vermieden werden müssen. Entsprechend komplex und teuer gestaltet sich in einem derartigen Fall die Ener¬ gieversorgungseinrichtung insgesamt . In the case that several switching stages are connected in parallel, the design of the matching circuit is extremely complex. This applies particularly to be avoided in a pulsed operation of the load at the reflections in a wide Fri ¬ quenzspektrum. Correspondingly complex and expensive the Ener ¬ gieversorgungseinrichtung designed in such a case as a whole.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Energieversorgungseinrichtung zu schaffen, die einfach aufge¬ baut ist und die dennoch mit einer hohen Frequenz - bis in den Bereich in der Nähe der Grenzfrequenz - betrieben werden kann. The object of the present invention is to provide a power supply device that is simply placed ¬ builds and yet with a high frequency - can be operated - into the region near the cutoff frequency.
Die Aufgabe wird durch eine Energieversorgungseinrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestal¬ tungen der erfindungsgemäßen Energieversorgungseinrichtung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche 2 bis 11. The object is achieved by a power supply device having the features of claim 1. Advantageous Ausgestal ¬ tions of the power supply device according to the invention are the subject of the dependent claims 2 to 11.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, eine Energieversorgungsein¬ richtung der eingangs genannten Art dadurch weiterzubilden, - dass für jede Schaltstufe die Erholungszeiten aller dem je¬ weiligen Feldeffekttransistor parallel gegengeschalteten Freilaufdioden zumindest in etwa mit dem Kehrwert der According to the invention, it is provided to further develop a power supply device of the type mentioned at the outset, - That for each switching stage, the recovery times of all the ¬ respective field effect transistor in parallel counter free-wheeling diodes at least approximately with the reciprocal of the
Grenzfrequenz des jeweiligen Feldeffekttransistors korres- pondieren und  Corresponding limit frequency of the respective field effect transistor and
- dass die Steuereinrichtung die Schaltstufen zumindest zeit¬ weise derart ansteuert, dass aufgrund einer Fehlanpassung Leistung in die Schaltstufen zurück reflektiert wird. Es kann sein, dass - in Richtung auf die Last zu - den - That the control device, the switching stages at least time ¬ way controls such that due to a mismatch performance in the switching stages is reflected back. It may be that - towards the load - the
Schaltstufen eine Anpassschaltung nachgeordnet ist. Auf Grund der erfindungsgemäßen Ausgestaltung ist eine derartige An¬ passschaltung zum Vermeiden der Fehlanpassung jedoch nicht zwingend erforderlich. Es ist also möglich, dass zwischen den Schaltstufen und der Last keine Anpassschaltung zum Vermeiden der Fehlanpassung angeordnet ist. Switching stages downstream of a matching circuit. Due to the arrangement according to the invention such at ¬ matching circuit to avoid the mismatch is not mandatory. It is thus possible that between the switching stages and the load no matching circuit to avoid the mismatch is arranged.
Die Feldeffekttransistoren sind vorzugsweise als junction- Feldeffekttransistoren (JFET) ausgebildet. Junction-Feld- effekttransistoren umfassen unter anderen sogenannte MesFETs (MeS = metal-semiconductor) . Als Halbleitermaterial kommen insbesondere Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) in Frage . Die Schaltstufen können - zumindest teilweise - parallel ge¬ schaltet sein. In diesem Fall ist zwischen den parallel ge¬ schalteten Schaltstufen und der Last in der Regel ein The field effect transistors are preferably designed as junction field effect transistors (JFET). Junction field effect transistors include, among others, so-called MesFETs (MeS = metal-semiconductor). In particular, silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) are suitable as semiconductor material. The shift stages may - be parallel ge ¬ switched on - at least partially. In this case, between the parallel switched ¬ switching stages and the load usually a
Leistungskombinierer angeordnet. Ebenso können die Schaltstufen - zumindest teilweise - inPower combiner arranged. Likewise, the switching stages - at least partially - in
Zweiergruppen in Serie geschaltet sein. In diesem Fall sind die Zweiergruppen über einen zwischen den beiden Schaltstufen der jeweiligen Zweiergruppe angeordneten Abgangspunkt mit der Last verbunden. Be paired in series. In this case, the groups of two are connected to the load via an outlet point arranged between the two switching stages of the respective group of two.
Ebenso können die Schaltstufen paarweise zu Gegentaktverstär- kern nach Art eines Circlotrons zusammengefasst sein. Es ist möglich, dass für mindestens eine der Schaltstufen (mindestens) eine der dem jeweiligen Feldeffekttransistor pa¬ rallel gegengeschalteten Freilaufdioden, bezogen auf den je¬ weiligen Feldeffekttransistor, als extern angeordnete Frei- laufdiode ausgebildet ist. Diese Maßnahme ist zwingend, wenn der jeweilige Feldeffekttransistor keine integrierte Frei¬ laufdiode aufweist. Sie ist jedoch optional auch dann reali¬ sierbar, wenn der jeweilige Feldeffekttransistor eine integ¬ rierte Freilaufdiode aufweist. Likewise, the switching stages can be combined in pairs to push-pull amplifiers in the manner of a circlotron. It is possible that for at least one of the switching stages (at least) one of the respective field effect transistor pa ¬ rallel against connected freewheeling diodes, based on the per ¬ weiligen field effect transistor wheeling diode as externally arranged free-formed. This measure is mandatory if the respective field effect transistor has no integrated free ¬ running diode. However, it is optionally also reali ¬ sierbar when the respective field effect transistor has a integ ¬ oriented freewheeling diode.
Ebenso ist möglich, dass für mindestens eine der Schaltstufen eine der dem jeweiligen Feldeffekttransistor parallel gegen¬ geschalteten Freilaufdioden in den jeweiligen Feldeffekttran¬ sistor integriert ist. In diesem Fall ist eine extern ange- ordnete Freilaufdiode nicht erforderlich. Sie kann jedoch vorhanden sein. It is also possible that the integrated each field effect transistor in parallel against ¬ connected freewheeling diodes in the respective field effect ¬ sistor for at least one of the switching stages, a. In this case, an externally mounted freewheeling diode is not required. It may, however, be present.
In der Regel wird jedem Feldeffekttransistor genau eine Frei¬ laufdiode parallel gegengeschaltet sein. Weiterhin werden in der Regel alle Schaltstufen gleich aufgebaut sein, also ent¬ weder alle mit externer Freilaufdiode oder alle mit integ¬ rierter Freilaufdiode . Prinzipiell sind jedoch beliebige Mischformen und Kombinationen möglich. Die erfindungsgemäße Ausgestaltung der Energieversorgungsein¬ richtung ist besonders dann von Vorteil, wenn die Last von der Steuereinrichtung über die Schaltstufen gepulst an die Gleichspannungsquelle angeschaltet wird. Die Gleichspannungsquelle weist in der Regel einen netzge¬ speisten Gleichrichter auf. In diesem Fall ist vorzugsweise zwischen dem Gleichrichter und den Schaltstufen eine Anzahl von Pufferkondensatoren angeordnet. Die erfindungsgemäße Energieversorgungseinrichtung ist prin¬ zipiell bei beliebigen Lasten einsetzbar. Ein bevorzugter An¬ wendungsfall ist dadurch gegeben, dass die Last als Hohlraum- resonator eines Teilchenbeschleunigers (insbesondere eines Linearbeschleunigers) ausgebildet ist. As a rule, each field effect transistor will be exactly opposite turned a free-wheeling diode in parallel ¬. Furthermore, in general, all switching stages will be set up the same, so ent ¬ not all with external free-wheeling diode or all with integ ¬ tured freewheeling diode. In principle, however, any mixed forms and combinations are possible. The inventive design of the Energieversorgungsein ¬ direction is particularly advantageous when the load is pulsed by the control device via the switching stages to the DC voltage source is turned on. The DC voltage source has a netzge ¬ fed rectifier normally. In this case, a number of buffer capacitors are preferably arranged between the rectifier and the switching stages. The energy supply device according to the invention is prin ¬ cially applicable to any loads. A preferred ¬ An application case is given by the fact that the load as a cavity resonator of a particle accelerator (in particular a linear accelerator) is formed.
Weitere Vorteile und Einzelheiten ergeben sich aus der nach- folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen in Verbin¬ dung mit den Zeichnungen. Es zeigen in Prinzipdarstellung: Further advantages and details result from the following description of embodiments in Verbin ¬ tion with the drawings. In a schematic representation:
FIG 1 eine Energieversorgungseinrichtung und eine 1 shows a power supply device and a
Last,  Load,
FIG 2 eine Schaltstufe mit Beschaltung, 2 shows a switching stage with circuitry,
FIG 3 bis 5 Kombinationen von Schaltstufen mit Beschaltung und  3 to 5 combinations of switching stages with wiring and
FIG 6 eine einzelne Schaltstufe. Gemäß FIG 1 weist eine Energieversorgungseinrichtung für eine Last 1 eine Gleichspannungsquelle 2, eine Anzahl von Schalt¬ stufen 3 und eine Steuereinrichtung 4 auf. Die Schaltstufen 3 sind mit der Gleichspannungsquelle 2, der Last 1 und der Steuereinrichtung 4 verbunden. Dadurch ist die Last 1 auf Grund einer entsprechenden Ansteuerung der Schaltstufen 3 durch die Steuereinrichtung 4 an die Gleichspannungsquelle 2 anschaltbar . 6 shows a single switching stage. According to FIG. 1, a power supply device for a load 1 has a DC voltage source 2, a number of switching stages 3 and a control device 4. The switching stages 3 are connected to the DC voltage source 2, the load 1 and the control device 4. As a result, the load 1 can be connected to the DC voltage source 2 by the control device 4 on the basis of a corresponding control of the switching stages 3.
Die Anzahl an Schaltstufen 3 kann nach Bedarf gewählt sein. In manchen Fällen kann es ausreichen, dass nur eine einzigeThe number of switching stages 3 can be selected as needed. In some cases it may suffice that only a single
Schaltstufe 3 vorhanden ist. In diesem Fall ist die (einzige) Schaltstufe 3 vorzugsweise gemäß FIG 2 beschaltet. Switching stage 3 is present. In this case, the (single) switching stage 3 is preferably connected according to FIG.
Gemäß FIG 2 weist die Schaltstufe 3 einen Feldeffekttransis- tor 5 auf. Dem Feldeffekttransistor 5 ist (in Richtung derAccording to FIG. 2, the switching stage 3 has a field-effect transistor 5. The field effect transistor 5 is (in the direction of
Gleichspannungsquelle 2) ein Pufferkondensator 6 vorgeschal¬ tet. Eine Leitung 7 von der Gleichspannungsquelle 2 zum Feld¬ effekttransistor 5 weist eine Induktivität 8 auf. Bei dieser Induktivität 8 handelt es sich jedoch nicht um eine als sol- che vorgesehene Induktivität, sondern um eine auf Grund der Leitung 7 als solche bereits gegebene und nicht vermeidbare parasitäre Induktivität. Dem Feldeffekttransistor 5 ist wei¬ terhin intern (d. h. in den Feldeffekttransistor 5 integriert eine Freilaufdiode 9 parallel gegengeschaltet. Alternativ oder zusätzlich könnte dem Feldeffekttransistor 5 extern eine Freilaufdiode 9' parallel gegengeschaltet sein. Die externe Freilaufdiode 9' ist in FIG 2 gestrichelt eingezeichnet. DC voltage source 2) a buffer capacitor 6 preceded ¬ tet. A line 7 from the DC voltage source 2 to the field ¬ effect transistor 5 has an inductance 8. However, this inductance 8 is not an inductance provided as such, but rather a parasitic inductance already given as such due to the line 7 and unavoidable. The field effect transistor 5 is wei ¬ terhin internally (ie integrated into the field effect transistor 5 a freewheeling diode 9 connected in parallel. Alternatively or additionally, the field effect transistor 5 could externally be connected in parallel with a freewheeling diode 9 '. The external freewheeling diode 9 'is shown in dashed lines in FIG.
Alternativ zu einer einzigen Schaltstufe 3 können mehrere Schaltstufen 3 vorhanden sein. Beispielsweise ist es möglich, entsprechend der Darstellung von FIG 3 mehrere Schaltstufen 3 parallel zu schalten. In diesem Fall ist zwischen den paral- lel geschalteten Schaltstufen 3 und der Last 1 ein Leistungs- kombinierer 10 angeordnet (siehe auch FIG 1). Der Leistungs- kombinierer 10 kann beispielsweise als übliches 90°- oder 180°-Hybrid ausgebildet sein. Wenn mehrere Schaltstufen 3 parallel geschaltet sind, ist es möglich, dass die Schaltstufen 3 von der Steuereinrichtung 4 simultan angesteuert werden. Alternativ ist eine zeitlich versetzte - insbesondere gestaffelte - Ansteuerung der As an alternative to a single switching stage 3, several switching stages 3 may be present. For example, it is possible, according to the illustration of FIG. 3, to connect a plurality of switching stages 3 in parallel. In this case, a power combiner 10 is arranged between the parallel-connected switching stages 3 and the load 1 (see also FIG. 1). The power combiner 10 may be formed, for example, as a conventional 90 ° or 180 ° hybrid. If a plurality of switching stages 3 are connected in parallel, it is possible that the switching stages 3 are controlled by the control device 4 simultaneously. Alternatively, a staggered - in particular staggered - control of
Schaltstufen 3 möglich. Switching stages 3 possible.
Alternativ zu einer Parallelschaltung können im Falle mehre¬ rer Schaltstufen 3 die Schaltstufen gemäß FIG 4 in einer Zweiergruppe in Serie geschaltet sein (sogenannte totem pole Anordnung) . In diesem Fall ist die Zweiergruppe über einen Abgangspunkt 11 mit der Last 1 verbunden. Der Abgangspunkt 11 ist zwischen den beiden Schaltstufen 3 der Zweiergruppe ange¬ ordnet . As an alternative to a parallel circuit of the switching stages according to FIG 4, in the case several ¬ rer switching stages 3 in a group of two in series be (so-called totem pole arrangement). In this case, the group of two is connected to the load 1 via a departure point 11. The disposal point 11 is arranged ¬ between the two switching stages 3 group of two.
Gemäß FIG 4 ist weiterhin ein Paar von Pufferkondensatoren 6 vorhanden, die - analog zu den Schaltstufen 3 - in Serie ge¬ schaltet sind. Zwischen den beiden Pufferkondensatoren 6 ist ein weiterer Abgangspunkt 11' angeordnet, über den die Se¬ rienschaltung der Pufferkondensatoren 6 ebenfalls mit der Last 1 verbunden ist. According to FIG 4, a pair of buffer capacitors 6 is also present, which - in analogy to the switching stages 3 - in series ¬ switched. Between the two buffer capacitors 6, a further output point 11 'is arranged, via which the Se ¬ rienschaltung the buffer capacitors 6 is also connected to the load 1.
Auch bei der Ausgestaltung von FIG 4 weisen die Schaltstufen 3 jeweils einen Feldeffekttransistor 5 auf, dem je eine Frei¬ laufdiode 9 parallel gegengeschaltet ist. Dargestellt sind in FIG 4 - analog zu FIG 2 - interne Freilaufdioden 9. Analog zu FIG 2 könnten alternativ oder zusätzlich zu den internen Freilaufdioden 9 externe Freilaufdioden 9' vorhanden sein. Die externen Freilaufdioden 9' sind in FIG 4 gestrichelt dar- gestellt. Also in the embodiment of FIG 4, the switching stages 3 each have a field effect transistor 5, each of which a free ¬ running diode 9 is connected in parallel. Shown in FIG. 4 shows internal free-wheeling diodes 9 analogously to FIG. 2. Analogously to FIG. 2, alternatively or in addition to the internal free-wheeling diodes 9, external free-wheeling diodes 9 'could be present. The external freewheeling diodes 9 'are shown in dashed lines in FIG.
Analog zu FIG 3 können mehrere Zweiergruppen vorhanden sein, wobei die Zweiergruppen einander parallel geschaltet sind. Diese Ausgestaltung ist nicht in den FIG dargestellt. In die- sem Fall ist - analog zu FIG 3 - ein Leistungskombinierer vorhanden, der zwischen den Abgangspunkten 11, 11' und der Last 1 angeordnet ist. Der Leistungskombinierer kann analog zu FIG 3 ausgebildet sein. Weiterhin analog zu FIG 3 können in diesem Fall die Zweiergruppen von der Steuereinrichtung 4 simultan oder zeitlich versetzt - insbesondere gestaffelt - angesteuert werden. Analogously to FIG. 3, a plurality of groups of two may be present, the groups of two being connected in parallel with one another. This embodiment is not shown in the FIG. In this case, analogous to FIG. 3, there is a power combiner which is arranged between the outgoing points 11, 11 'and the load 1. The power combiner can be designed analogously to FIG. Furthermore, analogously to FIG. 3, in this case the groups of two can be controlled by the control device 4 simultaneously or staggered in time, in particular staggered.
Wiederum alternativ zu einer Serienschaltung können gemäß FIGAs an alternative to a series connection, according to FIG
5 zwei Schaltstufen 3 zu einem Gegentaktverstärker nach Art eines Circlotrons zusammengefasst sein. FIG 5 zeigt eine be¬ vorzugte Ausgestaltung eines derartigen Gegentaktverstärkers , bei welchem die Schaltstufen 3 des Gegentaktverstärkers über (im Gegensatz zu FIG 2: physikalisch vorhandene) Induktivitä¬ ten 12 beschaltet sind. 5 be summarized two switching stages 3 to a push-pull amplifier in the manner of a Circlotrons. 5 shows a ¬ be ferred embodiment of such a push-pull amplifier, wherein the switching stages 3 of the balanced amplifier on (in contrast to FIG 2: physically present) are wired Induktivitä ¬ th 12th
Auch bei der Ausgestaltung von FIG 5 sind PufferkondensatorenAlso in the embodiment of FIG 5 are buffer capacitors
6 vorhanden, die den Schaltstufen 3 vorgeordnet sind. Weiter¬ hin weisen auch bei der Ausgestaltung von FIG 5 die Schalt¬ stufen 3 Feldeffekttransistoren 5 auf, denen Freilaufdioden 9 parallel gegengeschaltet sind. Die Freilaufdioden 9 sind ge¬ mäß FIG 5 als interne Freilaufdioden ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich könnten externe Freilaufdioden 9' vorhanden sein. Die externen Freilaufdioden 9' sind in FIG 5 gestri¬ chelt eingezeichnet. 6 present, which are upstream of the switching stages 3. Furthermore ¬ even in the embodiment of FIG 5, the switching stages 3 field effect transistors 5, which freewheeling diodes 9 are connected in parallel. The freewheeling diodes 9 are formed ge ¬ Mäss FIG 5 as the internal free-wheeling diodes. Alternatively or additionally, external freewheeling diodes 9 'could be present. The external freewheeling diodes 9 'are shown in FIG 5 Gestri ¬ chelt.
Analog zu FIG 3 können auch mehrere Gegentaktverstärker nach Art eines Circlotrons, beispielsweise wie sie in FIG 5 darge¬ stellt sind, einander parallel geschaltet sein. In diesem Fall ist wieder ein Leistungskombinierer vorhanden, der zwi¬ schen den Gegentaktverstärkern und der Last 1 angeordnet ist. Analog zu den Ausführungen zu FIG 3 kann in diesem Fall ein simultaner oder ein zeitlich versetzter (insbesondere gestaf- felter) Betrieb der Gegentaktverstärker erfolgen. Analogously to FIG 3 also several push-pull amplifier can manner of a Circlotrons, for example as they are Darge ¬, in Fig 5, be connected in parallel to each other. In this Case is again a power combiner is present, which is ¬ between the push-pull amplifiers and the load 1 is arranged. Analogous to the comments on FIG. 3, in this case a simultaneous or staggered (in particular staggered) operation of the push-pull amplifier can take place.
In FIG 6 ist nochmals eine einzelne Schaltstufe 3 separat - das heißt ohne zugehörige Beschaltung - dargestellt. Die nachfolgenden Ausführungen zu FIG 6 sind für jede der Schalt- stufen 3 der FIG 1 bis 5 gültig. In FIG. 6, once again a single switching stage 3 is shown separately-that is to say without associated circuitry. The following comments on FIG. 6 are valid for each of the switching stages 3 of FIGS. 1 to 5.
Gemäß FIG 6 weist jeder Feldeffekttransistor 5 eine Grenzfre¬ quenz fG auf. Die Grenzfrequenz fG des Feldeffekttransistors 5 ist diejenige Frequenz, bis zu der er maximal betreibbar ist. Größere Frequenzen kann der jeweilige Feldeffekttransis¬ tor 5 nicht mehr schalten. Die Grenzfrequenz fG ist dadurch definiert, dass in dem Fall, dass das dem Feldeffekttransis¬ tor 5 von der Steuereinrichtung 4 zugeführte Steuersignal S sinusförmig ist und die Grenzfrequenz fG aufweist, eine mit der Pegeländerung des Steuersignals S korrespondierende Pe¬ geländerung des Ausgangssignals des Feldeffekttransistors 5 nur noch zu 63 % (= 1-1/e; e = Eulersche Zahl = 2,718 ...) erfolgt. Mit 100 % ist in diesem Fall die entsprechende Pe¬ geländerung des Ausgangssignals bezeichnet, die bei einer niederfrequenten, ansonsten aber gleichartigen Änderung des Steuersignals S bewirkt wird. As shown in FIG 6, each field effect transistor 5 to a Grenzfre acid sequence fG. The cut-off frequency fG of the field-effect transistor 5 is that frequency up to which it can be operated to a maximum. Larger frequencies, the respective field effect Transis ¬ tor 5 no longer switch. The limit frequency f G is defined by the fact that in the case that the Feldeffekttransis ¬ tor 5 supplied from the controller 4 control signal S is sinusoidal and has the cut-off frequency f G, one corresponding with the level change of the control signal S Pe ¬ geländerung of the output signal of the field effect transistor 5 only 63% (= 1-1 / e; e = Euler number = 2.718 ...). With 100% in this case, the corresponding Pe ¬ geländerung of the output signal is designated, which is effected at a low-frequency, but otherwise similar change of the control signal S.
Weiterhin weist jede Diode - das gilt auch für die Freilauf¬ dioden 9, 9' der Schaltstufe 3 - eine Erholungszeit T auf. Die Erholungszeit T ist diejenige Zeit, welche - ausgehend vom leitenden Zustand der Diode - ab dem Abschalten der in Durchlassrichtung gerichteten Spannung vergeht, bis der pn- Übergang der Diode 9 wieder ladungsverarmt ist, sich der pn- Übergang also wieder aufgebaut hat. Die Erholungszeit T wird im Stand der Technik üblicherweise auch als Schaltzeit, alsFurthermore, each diode - which also applies to the freewheeling ¬ diodes 9, 9 'of the switching stage 3 - a recovery time T on. The recovery time T is the time which - starting from the conductive state of the diode - from switching off the forward-biased voltage passes until the pn junction of the diode 9 is again depleted charge, the pn junction has thus rebuilt. The recovery time T is commonly referred to in the art as a switching time, as
Sperrverzögerungszeit oder als Sperr-Erholzeit bezeichnet. Im Englischen wird üblicherweise der Begriff „reverse recovery time" verwendet und mit trr abgekürzt. Erfindungsgemäß sind für jede Schaltstufe 3 der Feldeffekt¬ transistor 5 und die Freilaufdiode 9 (bzw. 9') derart aufein¬ ander abgestimmt, dass die Erholungszeit T der Freilaufdiode 9, 9' zumindest in etwa mit dem Kehrwert der Grenzfrequenz fG des Feldeffekttransistors 5 korrespondiert. Es gilt also - zumindest in etwa - die Beziehung Reverse delay time or referred to as lock recovery time. In English, the term "reverse recovery time" is usually used and abbreviated to t rr . According to the invention for each switching stage 3 of the field effect ¬ transistor 5 and the freewheeling diode 9 (or 9 ') aufein ¬ other tuned so that the recovery time T of the freewheeling diode 9, 9' at least approximately corresponds to the reciprocal of the cut-off frequency fG of the field effect transistor 5 , It is therefore - at least approximately - the relationship
T = \ lfG oder fG - T = \ . T = \ lfG or fG - T = \.
Die oben genannte Beziehung gilt für alle dem jeweiligen Feldeffekttransistor 5 parallel gegengeschalteten Freilaufdi¬ oden 9, 9' . Kleine Abweichungen von oben genannten Beziehungen sind zu¬ lässig. Ein Faktor 3 - besser ein Faktor von 2 - sollte aber zumindest nicht nach oben (das heißt in Richtung zu größeren Erholungszeiten T hin) überschritten werden. Die Art und Weise, wie erreicht wird, dass obenstehende Be¬ ziehungen erfüllt sind, kann nach Bedarf gewählt werden. Bei¬ spielsweise können die Feldeffekttransistoren 5 gemäß FIG 6 als junction-Feldeffekttransistoren (JFET) ausgebildet sein. Junction-Feldeffekttransistoren umfassen unter anderem soge- nannte MeSFETs. Junction-Feldeffekttransistoren weisen entwe¬ der eine interne Freilaufdiode 9 mit einer extrem kleinen Er¬ holungszeit T oder gar keine interne Freilaufdiode auf. Im erstgenannten Fall kann die interne Freilaufdiode 9 erfin¬ dungsgemäß verwendet werden. Im zweitgenannten Fall muss eine hinreichend schnelle externe Freilaufdiode 9' verwendet wer¬ den. Als Halbleitermaterial für die Feldeffekttransistoren 5 und/oder die Freilaufdioden 9, 9' wird vorzugsweise Silizium- carbid (SiC) oder Galliumnitrid (GaN) verwendet. Auf Grund der obenstehend in Verbindung mit FIG 6 beschriebe¬ nen Ausgestaltung der Schaltstufe 3 ist es möglich, dass die Steuereinrichtung 4 die Schaltstufen 3 zumindest zeitweise derart ansteuert, dass auf Grund einer Fehlanpassung Leistung in die Schaltstufen 3 zurück reflektiert wird. Denn auf Grund des Vorhandenseins der Freilaufdioden 9, 9' wird die reflek¬ tierte Leistung auf die Gleichspannungsseite (das heißt zur Gleichspannungsquelle 2 hin) zurückgespeist. Auf Grund der extrem kurzen Erholungszeiten T der Freilaufdioden 9, 9' be¬ steht dennoch nicht die Gefahr eines Kurzschlussbetriebes der Freilaufdioden 9, 9' , der zu einer Zerstörung der Energiever¬ sorgungseinrichtung führen würde. Die Leistung kann beispielsweise von der Last 1 zurück re¬ flektiert werden. Eine mögliche Ursache für eine derartige Leistungsreflexion besteht darin, dass zwischen den Schalt¬ stufen 3 und der Last 1 keine Anpassschaltung angeordnet ist, die der Vermeidung einer derartigen Leistungsreflexion dienen würde. Alternativ kann zwar eine derartige Anpassschaltung vorhanden sein. In diesem Fall kann dennoch insbesondere dann eine Reflexion von Leistung in manchen Betriebszuständen der Last 1 auftreten. Alternativ oder zusätzlich kann im Falle des Vorhandenseins eines Leistungskombinierers - beispiels- weise des Leistungskombinierers 10 von FIG 3 - dort Leistung reflektiert werden. Auch hier kann die Leistungsreflexion die gleichen Ursachen haben, also das Fehlen einer Anpassschal¬ tung oder die unvollständige Wirkung der Anpassschaltung in manchen Betriebszuständen. The above-mentioned relationship is true for all the respective field effect transistor 5 connected in parallel to Freilaufdi ¬ diodes 9, 9 '. Small deviations from the above relationships are to ¬ casual. A factor of 3 - better a factor of 2 - should, however, at least not be exceeded (ie towards longer recovery times T). The way as is achieved in that above loading ¬ relations are met, can be chosen as required. In ¬ example, the field effect transistors 5 may be formed according to FIG 6 as a junction field effect transistors (JFET). Junction field-effect transistors include, among other things, so-called MeSFETs. Junction field-effect transistors entwe ¬ der an internal freewheeling diode 9 with an extremely small ¬ recovery time T or no internal freewheeling diode on. In the former case, the internal free-wheeling diode 9 can be used OF INVENTION ¬ dung invention. In the second case, a sufficiently fast external free-wheeling diode 9 must be used '¬ to. Silicon carbide (SiC) or gallium nitride (GaN) is preferably used as the semiconductor material for the field effect transistors 5 and / or the freewheeling diodes 9, 9 '. Due to the above-described ¬ nen in conjunction with FIG 6 embodiment of the switching stage 3, it is possible that the control device 4, the switching stages 3, at least temporarily controls such that due to a mismatch output is reflected back into the switching stages 3. Because due to the presence of the free-wheeling diodes 9, 9 ', the reflectors oriented ¬ power to the DC side (that is, the DC voltage source 2 out) is fed back. , 9 'be ¬ is still no risk of short-circuit operation of the freewheeling diodes 9, 9', which would lead to the destruction of Energiever ¬ sorgungseinrichtung due to the extremely short recovery times T of the free-wheeling diodes. 9 The performance can be attributed re example of the load 1 ¬ inflected. A possible cause for such a power reflection is that between the switching ¬ stages 3 and the load 1, no matching circuit is arranged, which would serve to avoid such a power reflection. Alternatively, although such a matching circuit may be present. In this case, however, a reflection of power may nevertheless occur in some operating states of the load 1 in particular. Alternatively or additionally, in the case of the presence of a power combiner - for example the power combiner 10 of FIG. 3 - power can be reflected there. Again, the power reflection may have the same causes, so the lack of a Anpassschal ¬ tion or the incomplete effect of the matching circuit in some operating conditions.
Der Fall, dass trotz des Vorhandenseins einer Anpassschaltung Leistung in die Schaltstufen 3 zurück reflektiert wird, kann insbesondere dann auftreten, wenn die Last 1 von der Steuer¬ einrichtung 4 über die Schaltstufen 3 gepulst an die Gleich- spannungsquelle 2 angeschaltet wird. Das gepulste Anschalten ist in FIG 2 symbolisch angedeutet. Das gepulste Anschalten ist selbstverständlich aber auch bei den Ausgestaltungen der FIG 3, 4 und 5 sowie bei der Parallelschaltung mehrerer Zwei¬ ergruppen und der Parallelschaltung mehrerer Gegentaktver- stärker nach Art eines Circlotrons möglich. The case that in spite of the presence of a matching circuit power is reflected back into the switching stages 3, may occur in particular when the load 1 is pulsed by the control ¬ device 4 via the switching stages 3 to the DC voltage source 2 is turned on. The pulsed turn-on is symbolically indicated in FIG. The pulsed on is of course but also in the embodiments of Figures 3, 4 and 5 and in the parallel connection of several two ¬ ergruppen and the parallel connection of several push-pull amplifier in the manner of a Circlotrons possible.
Die Gleichspannungsquelle 2 kann nach Bedarf ausgebildet sein. In der Regel weist die Gleichspannungsquelle 2 gemäß FIG 1 einen netzgespeisten Gleichrichter 13 auf. Zwischen dem Gleichrichter 13 und den Schaltstufen 3 ist weiterhin in der Regel eine Anzahl von Pufferkondensatoren 14 angeordnet. Die Pufferkondensatoren 14, die dem netzgespeisten Gleichrichter 13 unmittelbar nachgeschaltet sind, können mit den Pufferkon¬ densatoren 6 der FIG 2 bis 5 identisch sein. Alternativ kann es sich um zusätzliche Kondensatoren handeln. The DC voltage source 2 may be formed as needed. In general, the DC voltage source 2 according to 1 shows a mains-powered rectifier 13. Between the rectifier 13 and the switching stages 3, a number of buffer capacitors 14 is also arranged as a rule. The buffer capacitors 14, which are the mains-fed rectifier 13 immediately downstream, may be identical to the Pufferkon ¬ capacitors 6 of Figures 2 to 5th Alternatively, it may be additional capacitors.
Die Last 1 kann ebenfalls nach Bedarf ausgebildet sein. Gemäß FIG 1 ist die Last 1 als Hohlraumresonator eines Teilchenbe¬ schleunigers (insbesondere eines Linerarbeschleunigers) aus¬ gebildet . The load 1 can also be designed as needed. According to FIG 1, the load 1 as a cavity resonator of a Teilchenbe ¬ Schleuniger (particularly a Linerarbeschleunigers) formed from ¬.
Die vorliegende Erfindung weist viele Vorteile auf. Insbeson- dere kann die Energieversorgungseinrichtung mit hoher Leis¬ tungsdichte und hoher Gesamtleistung hergestellt werden. The present invention has many advantages. In particular, the power supply device with high Leis ¬ processing density and high overall performance can be produced.
Die obige Beschreibung dient ausschließlich der Erläuterung der vorliegenden Erfindung. Der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung soll hingegen ausschließlich durch die beigefügten Ansprüche bestimmt sein. The above description is only for explanation of the present invention. The scope of the present invention, however, is intended to be determined solely by the appended claims.
Bezugs zeichenliste Reference sign list
1 Last 1 load
2 Gleichspannungsquelle 2 DC voltage source
3 Schaltstufen 3 switching stages
4 Steuereinrichtung 4 control device
5 Feldeffekttransistoren 6, 14 Pufferkondensatoren5 field effect transistors 6, 14 buffer capacitors
7 Leitung 7 line
8, 12 Induktivitäten  8, 12 inductors
9, 9' Freilaufdioden  9, 9 'freewheeling diodes
10 Leistungskombinierer 10 power combiners
11, 11' Abgangspunkte 11, 11 'leaving points
13 Gleichrichter fG Grenzfrequenz  13 Rectifier fG cutoff frequency
S Steuersignal  S control signal
T Erholungszeit  T recovery time

Claims

Patentansprüche claims
1. Energieversorgungseinrichtung für eine Last (1), 1. Energy supply device for a load (1),
- wobei die Energieversorgungseinrichtung eine Gleichspan- nungsquelle (2), eine Anzahl von Schaltstufen (3) und eine - Wherein the power supply device a DC voltage source (2), a number of switching stages (3) and a
Steuereinrichtung (4) aufweist, Control device (4),
- wobei die Schaltstufen (3) mit der Gleichspannungsquelle (2), der Last (1) und der Steuereinrichtung (4) verbunden sind, so dass die Last (1) aufgrund einer entsprechenden Ansteuerung der Schaltstufen (3) durch die Steuereinrich¬ tung (4) an die Gleichspannungsquelle (2) anschaltbar ist,- wherein the switching stages (3) with the DC voltage source (2), the load (1) and the control device (4) are connected, so that the load (1) due to a corresponding control of the switching stages (3) by the Steuereinrich ¬ device ( 4) to the DC voltage source (2) is connectable,
- wobei die Schaltstufen (3) jeweils einen Feldeffekttransis¬ tor (5) und eine Anzahl von dem jeweiligen Feldeffekttransistor (5) parallel gegengeschalteten Freilaufdioden (9, 9' ) aufweisen, - Wherein the switching stages (3) each have a Feldeffekttransis ¬ tor (5) and a number of the respective field effect transistor (5) in parallel opposite freewheeling diodes (9, 9 '),
- wobei die Feldeffekttransistoren (5) eine Grenzfrequenz  - Wherein the field effect transistors (5) has a cutoff frequency
(fG) aufweisen, bis zu der sie maximal betreibbar sind, (fG) up to which they are maximally operable,
- wobei jede Freilaufdiode (9, 9') eine Erholungszeit (T) aufweist, - wherein each freewheeling diode (9, 9 ') has a recovery time (T),
dadurch gekennzeichnet, characterized,
- dass für jede Schaltstufe (3) die Erholungszeiten (T) aller dem jeweiligen Feldeffekttransistor (5) parallel gegenge¬ schalteten Freilaufdioden (9, 9') zumindest in etwa mit dem Kehrwert der Grenzfrequenz (fG) des jeweiligen Feldeffekt- transistors (5) korrespondieren und - That for each switching stage (3) the recovery times (T) of all the respective field effect transistor (5) parallel gegenge ¬ switched freewheeling diodes (9, 9 ') at least approximately at the reciprocal of the cutoff frequency (fG) of the respective field effect transistor (5) correspond and
- dass die Steuereinrichtung (4) die Schaltstufen (3) zumindest zeitweise derart ansteuert, dass aufgrund einer Fehlanpassung Leistung in die Schaltstufen (3) zurück reflek¬ tiert wird. - That the control device (4) the switching stages (3) at least temporarily so controls that due to a mismatch performance in the switching stages (3) is reflected back ¬ tiert.
2. Energieversorgungseinrichtung nach Anspruch 1, 2. Power supply device according to claim 1,
dadurch gekennzeichnet, characterized,
dass zwischen den Schaltstufen (3) und der Last (1) keine An¬ passschaltung zum Vermeiden der Fehlanpassung angeordnet ist. that between the switching stages (3) and the load (1) no on ¬ pass circuit to avoid the mismatch is arranged.
3. Energieversorgungseinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldeffekttransistoren (5) als j unction-Feldeffekt- transistoren ausgebildet sind. 3. Energy supply device according to claim 1 or 2, characterized in that the field effect transistors (5) are designed as j unction field effect transistors.
4. Energieversorgungseinrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, 4. Power supply device according to claim 1, 2 or 3, characterized
dass als Halbleitermaterial für die Feldeffekttransistoren (5) und/oder die Freilaufdioden (9, 9') Siliziumcarbid oder Galliumnitrid verwendet wird. in that silicon carbide or gallium nitride is used as the semiconductor material for the field-effect transistors (5) and / or the freewheeling diodes (9, 9 ').
5. Energieversorgungseinrichtung nach einem der obigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, 5. Energy supply device according to one of the above claims, characterized
dass für mindestens eine der Schaltstufen (3) eine der dem jeweiligen Feldeffekttransistor (5) parallel gegengeschalte¬ ten Freilaufdioden (9, 9') , bezogen auf den jeweiligen Feld- effekttransistor (5) , als extern angeordnete Freilaufdiode (9') ausgebildet ist. that for at least one of the switching stages (3) one of the respective field effect transistor (5) parallel gegengeschalte ¬ th freewheeling diodes (9, 9 '), based on the respective field effect transistor (5), as externally arranged freewheeling diode (9') is formed ,
6. Energieversorgungseinrichtung nach einem der obigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, 6. Energy supply device according to one of the above claims, characterized
dass für mindestens eine der Schaltstufen (3) eine der dem jeweiligen Feldeffekttransistor (5) parallel gegengeschalte¬ ten Freilaufdioden (9, 9') in den jeweiligen Feldeffekttran¬ sistor (5) integriert ist. that for at least one of the switching stages (3) of the respective field effect transistor (5) parallel gegengeschalte ¬ th free-wheeling diodes (9, 9 ') is integrated in the respective field effect ¬ sistor (5).
7. Energieversorgungseinrichtung nach einem der obigen An¬ sprüche, dadurch gekennzeichnet, 7. Power supply device according to one of the above claims An ¬, characterized in that
dass die Schaltstufen (3) zumindest teilweise parallel ge¬ schaltet sind und dass zwischen den parallel geschalteten Schaltstufen (3) und der Last (1) ein Leistungskombinierer (10) angeordnet ist. that the switching stage (3) are at least partially ge ¬ connected in parallel and that between the parallel-connected switching stages (3) and the load (1) is a power combiner (10) is arranged.
8. Energieversorgungseinrichtung nach einem der obigen An¬ sprüche, dadurch gekennzeichnet, 8. Power supply device according to one of the above claims An ¬, characterized in that
dass die Schaltstufen (3) zumindest teilweise in Zweiergrup- pen in Serie geschaltet sind und dass die Zweiergruppen über einen zwischen den beiden Schaltstufen (3) der jeweiligen Zweiergruppe angeordneten Abgangspunkt (11) mit der Last (1) verbunden ist. that the switching stages (3) are connected in series at least partially in groups of two and that the groups of two are connected to the load (1) via a point of departure (11) arranged between the two switching stages (3) of the respective group of two.
9. Energieversorgungseinrichtung nach einem der obigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, 9. Energy supply device according to one of the above claims, characterized
dass die Schaltstufen (3) zumindest teilweise paarweise zu Gegentaktverstärkern nach Art eines Circlotrons zusammen ge- fasst sind. the switching stages (3) are at least partially combined in pairs into push-pull amplifiers in the manner of a circlotrone.
10. Energieversorgungseinrichtung nach einem der obigen An¬ sprüche, dadurch gekennzeichnet, 10. Energy supply device according to one of the above claims An ¬, characterized in that
dass die Last (1) von der Steuereinrichtung (4) über diethat the load (1) from the control device (4) via the
Schaltstufen (3) gepulst an die Gleichspannungsquelle (2) an¬ geschaltet wird. Switching stages (3) pulsed to the DC voltage source (2) is switched on ¬ .
11. Energieversorgungseinrichtung nach einem der obigen An- sprüche, dadurch gekennzeichnet, 11. Energy supply device according to one of the preceding claims, characterized
dass die Gleichspannungsquelle (2) einen netzgespeisten that the DC voltage source (2) is a mains-powered
Gleichrichter (13) aufweist und dass zwischen dem Gleichrich¬ ter (13) und den Schaltstufen eine Anzahl von Pufferkondensa¬ toren (14) angeordnet ist. Rectifier (13) and that between the rectifier ¬ ter (13) and the switching stages, a number of Pufferkondensa ¬ gates (14) is arranged.
12. Energieversorgungseinrichtung nach einem der obigen An¬ sprüche, dadurch gekennzeichnet, 12. Energy supply device according to one of the above claims An ¬, characterized in that
dass die Last (1) als Hohlraumresonator eines Teilchenbe¬ schleunigers ausgebildet ist. that the load (1) is designed as a cavity resonator of a Teilchenbe ¬ Schleuniger.
EP11703848A 2010-02-22 2011-01-31 High-frequency supply of a load without impedance matching Withdrawn EP2539916A2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201010008777 DE102010008777A1 (en) 2010-02-22 2010-02-22 High frequency supply to a load without impedance matching
PCT/EP2011/051278 WO2011101226A2 (en) 2010-02-22 2011-01-31 High-frequency supply of a load without impedance matching

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP2539916A2 true EP2539916A2 (en) 2013-01-02

Family

ID=44356606

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP11703848A Withdrawn EP2539916A2 (en) 2010-02-22 2011-01-31 High-frequency supply of a load without impedance matching

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9000738B2 (en)
EP (1) EP2539916A2 (en)
JP (2) JP2013520952A (en)
CN (1) CN102763189B (en)
DE (1) DE102010008777A1 (en)
RU (1) RU2594748C2 (en)
WO (1) WO2011101226A2 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010008777A1 (en) 2010-02-22 2011-08-25 Siemens Aktiengesellschaft, 80333 High frequency supply to a load without impedance matching
WO2016002249A1 (en) * 2014-06-30 2016-01-07 シャープ株式会社 Switching circuit and power supply circuit provided therewith
DE102015110513B3 (en) * 2015-06-30 2016-05-25 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Power semiconductor circuit with a field effect transistor
US10264663B1 (en) * 2017-10-18 2019-04-16 Lam Research Corporation Matchless plasma source for semiconductor wafer fabrication
CN108229023B (en) * 2018-01-03 2021-07-27 河北申科智能制造有限公司 Design method of high-frequency GaN switch device buffer circuit
EP3605582A1 (en) 2018-08-02 2020-02-05 TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. Power converter and power supply system
WO2022021404A1 (en) * 2020-07-31 2022-02-03 华为数字能源技术有限公司 Power conversion circuit, electric power transmission system, and photovoltaic equipment

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4994760A (en) * 1985-02-14 1991-02-19 Signal One Corporation Apparatus and method for combining output signals from parallelly coupled power field effect transistors in high frequency amplifiers
US4633141A (en) * 1985-02-28 1986-12-30 Motorola, Inc. Low voltage power source power inverter for an electroluminescent drive
FR2649841B1 (en) * 1989-07-17 1994-10-14 Sgs Thomson Microelectronics GRID CONTROL CIRCUIT OF A MOS TRANSISTOR
JP3444999B2 (en) * 1994-03-17 2003-09-08 三菱電機株式会社 Gyrotron device
JPH11162697A (en) * 1997-11-28 1999-06-18 Mc Electronics Kk Spiral resonance device for plasma generation
WO2001008288A2 (en) * 1999-07-22 2001-02-01 Eni Technology, Inc. Power supplies having protection circuits
US6469919B1 (en) 1999-07-22 2002-10-22 Eni Technology, Inc. Power supplies having protection circuits
CN1153328C (en) * 2002-01-28 2004-06-09 艾默生网络能源有限公司 UPS and drive method of its converter
RU2297344C2 (en) * 2002-07-03 2007-04-20 Кунт Электроник Санайи Ве Тижарет Аноним Ширкети Electronic changeover module
JP3641785B2 (en) * 2002-08-09 2005-04-27 株式会社京三製作所 Power supply for plasma generation
ATE344973T1 (en) * 2005-03-10 2006-11-15 Huettinger Elektronik Gmbh VACUUM PLASMA GENERATOR
JP2008017237A (en) * 2006-07-07 2008-01-24 Mitsubishi Electric Corp Electronic component and electric power converter using the electronic component
JP5171010B2 (en) 2006-10-27 2013-03-27 東京エレクトロン株式会社 Power supply device, microwave generator using the same, and computer program
GB2449856A (en) * 2007-06-04 2008-12-10 Coutant Lambda Ltd Power conversion circuit
JP4557015B2 (en) * 2008-02-15 2010-10-06 株式会社デンソー Power switching circuit
US8957642B2 (en) * 2008-05-06 2015-02-17 International Rectifier Corporation Enhancement mode III-nitride switch with increased efficiency and operating frequency
US8084783B2 (en) * 2008-11-10 2011-12-27 International Rectifier Corporation GaN-based device cascoded with an integrated FET/Schottky diode device
DE102010008777A1 (en) 2010-02-22 2011-08-25 Siemens Aktiengesellschaft, 80333 High frequency supply to a load without impedance matching

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2011101226A2 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013520952A (en) 2013-06-06
CN102763189B (en) 2016-01-13
US20120313596A1 (en) 2012-12-13
WO2011101226A2 (en) 2011-08-25
US9000738B2 (en) 2015-04-07
CN102763189A (en) 2012-10-31
RU2012103489A (en) 2014-03-27
RU2594748C2 (en) 2016-08-20
JP5931974B2 (en) 2016-06-08
DE102010008777A1 (en) 2011-08-25
JP2014239061A (en) 2014-12-18
WO2011101226A3 (en) 2012-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011101226A2 (en) High-frequency supply of a load without impedance matching
DE102011087434B4 (en) Circuit and three methods of driving a switch
DE102011087368B4 (en) Driver circuit, arrangement and method for bootstrapping a switch driver
EP2342807B1 (en) Converter with at least one normally-on switch
DE102013218670B4 (en) Reverse polarity protection for high-side switches in n-type substrate
DE112018003130T5 (en) Time control for dead time control
DE102013224618B4 (en) power amplifier
DE102015114371A1 (en) SYSTEM AND METHOD FOR A SWITCH WITH A SELF-LEADING TRANSISTOR AND A TRANSISTOR LOCKING TRANSISTOR
DE2851789A1 (en) CIRCUIT FOR SWITCHING AND TRANSMITTING AC VOLTAGES
EP3358735B1 (en) Switching array for an electronic device
EP1052774B1 (en) Circuit arrangement with a half bridge
DE102015114373A1 (en) SYSTEM AND METHOD FOR A SWITCH WITH A SELF-LEADING TRANSISTOR AND A TRANSISTOR LOCKING TRANSISTOR
DE112013001123T5 (en) power circuit
DE102005027442B4 (en) Circuit arrangement for switching a load
DE102011087431A1 (en) Arrangement and method for driving a cascode switch
DE102019118013A1 (en) DRIVER CIRCUIT AND METHOD FOR OPERATING THE SAME
DE102012224336A1 (en) Method for operating an electric power converter and electric power converters
EP2541746B1 (en) Method for discharging a direct link capacitor at a converter and respective electrical circuit
DE102018117528A1 (en) Discharge circuits for discharging inductive elements with temperature protection
WO2014177717A1 (en) Step-up or step-down converter comprising a bypass capacitor
DE102012205335A1 (en) inverter
DE202018000753U1 (en) Starting circuit for energy harvesting circuits
EP3361596B1 (en) Battery with a battery management system which comprises an electronic switching circuit
WO2012163630A1 (en) Power supply circuit and polarity reversal protection circuit
EP3891858A1 (en) Method for precharging a network section

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20120727

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20130522