Verfahren und Vorrichtung zum. Durchtrennen von Halbleitermaterialien
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Durchtrennen von Halbleitermaterialien, insbesondere Silizium. Aus der WO 02/48059 ist ein Verfahren zum Durch- trennen von Bauteilen aus Glas, Keramik, Glaskeramik oder dergleichen durch Erzeugung eines thermisch induzierten Spannungsrisses entlang einer Trennzone bekannt. Bei diesem Verfahren wird ein von einem Nd:YAG- Laser erzeugter Laserstrahl mehrfach durch das zu tren- nende Bauteil geführt, um den Anteil der absorbierten Laserstrahlung zu erhöhen. Um den Spannungsriß weiterzuführen, werden das Bauteil und der Laserstrahl relativ zueinander bewegt. Mit dem aus der WO 02/48059 bekannten Verfahren können jedoch nur Materialien wie Glas, Glaskeramik oder dergleichen bearbeitet werden, die einen amorphen Aufbau aufweisen und bei denen in einem Temperaturbereich von 0 bis 350° Celsius keine relevante Veränderung der optischen Eigenschaften auftritt. Verfahren zum Durchtrennen von Bauteilen aus sprödbrüchigem Material sind ferner durch EP 0 448 168 Bl und JP 10-244386 bekannt. Aus der Veröffentlichung "Thermal Stress Cleaving of Brittle Materials by Laser Beam" von Ueda, T.; et al . von der Faculty of Engineering, Kanazawa Universi-
ty, Japan; CIRP Vol. 51/1/2002 ist ein Verfahren zum Trennen von Silizium mittels thermisch induzierter Spannungen bekannt. Bei diesem Verfahren werden gepulste und kontinuierlich emittierende Nd:YAG-Laser verwen- det. Ferner wird in der Veröffentlichung "Wafer Dicing by Laser Induced Thermal Shock Process" von KaiDong Ye; et al . ; National University of Singapore; SPIE Procee- dings Vol. 4557 (2001) ein Verfahren der betreffenden Art zum Durchtrennen von Siliziumwafern mittels thermisch induzierter Spannungen beschrieben, bei dem ebenfalls ein gepulster Nd:YAG-Laser verwendet wird. Hierbei bewirkt die Laserstrahlung eine Erwärmung der Bauteiloberfläche, wobei durch einen nachgeschalteten Küh- lungsprozeß ein Spannungsprofil erzeugt wird, das eine gezielte Rißbildung zur Folge hat. Die bei diesen bekannten Verfahren verwendeten Nd:YAG-Laser erzeugen einen Laserstrahl mit einer Wellenlänge, die sehr stark von Halbleitermaterialien ab- sorbiert wird und daher nur in den Bereich der Oberfläche des zu durchtrennenden Bauteils eindringt. Somit bildet sich ein Spannungsriß lediglich im Bereich der erwärmten Oberfläche, der sich dann unkontrolliert im Materialinneren weiter fortpflanzt. Ein ähnliches Verfahren ist auch durch US 2002/0115235 AI bekannt. Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren und eine Vorrichtung anzugeben, mit dem ein Durchtrennen von Halbleitermaterialien mit hoher Präzision er- möglicht ist. Diese Aufgabe wird durch das Verfahren gemäß Anspruch 1 bzw. die Vorrichtung gemäß Anspruch 12 gelöst. Erfindungsgemäß liegt die Wellenlägne der Laserstrahlung im Bereich von etwa 1.100 bis etwa 1.150 nm,
insbesondere im Bereich von 1.115 bis 1125 nm, wobei die Wellenlänge der Laserstrahlung derart gewählt ist, daß der Transmissionsgrad des Halbleitermateriales etwa 30 bis etwa 60%, insbesondere etwa 45 bis 55%, beträgt. Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus, daß die optischen Eigenschaften von Halbleitermaterialien temperaturabhängig sind. Insbesondere nimmt in einem großen Wellenlängenbereich die Absorption mit steigender Temperatur zu. Durch die erfindungsgemäße Wahl der Wel- lenlänge des Laserstrahls wird gewährleistet, daß sich auch bei zunehmender Temperatur des Halbleitermaterials die optischen Eigenschaften und damit die Absorption der Laserstrahlung durch das Halbleitermaterial lediglich geringfügig verändert, d. h. zunimmt. Somit ist gewährleistet, daß der Laserstrahl das Halbleitermaterial teilweise unter Teilabsorption vollständig durchdringt und nicht im wesentlichen ausschließlich an der Oberfläche absorbiert wird und dort zu einer lokalen Erwärmung führt . Vielmehr erfährt das zu durchtrennende Halbleitermaterial eine homogene Volumenerwärmung. Auf diese Weise ist vermieden, daß sich ein Spannungsriß lediglich im Bereich der Oberfläche des Halbleitermaterials ausbildet und sich dann unkontrolliert durch das Material fortpflanzt. Es ist erfindungsgemäß vielmehr erreicht, daß die Rißbildung sowohl an der Oberfläche als auch im Volumen des Halbleitermaterials stattfindet. Somit kann das Durchtrennen unter kontrollierten Bedingungen erfolgen. Ein besonderer Vorteil des er indungsgemäßen Ver- fahrens besteht darin, daß eine unerwünschte Bildung von Spalten und Mikrorissen vermieden ist und während des Trennvorganges auch keinerlei Abprodukte entstehen, die sich an das Halbleitermaterial anlagern könnten. Bei dem Halbleitermaterial kann es sich um Germa-
nium, Galliumarsenid oder andere Halbleitermaterialien handeln. Vorzugsweise ist jedoch vorgesehen, daß das Halbleitermaterial Silizium ist, da Silizium in der Halbleiterindustrie den größten Verbreitungsgrad er- langt hat. Somit können insbesondere auf Siliziumwafern gefertigte integrierte Schaltkreise, Solarzellen oder MikroStrukturen vereinzelt werden. Dabei kann im Vergleich zu dem bekannten Vereinzeln der integrierten Schaltkreise, Solarzellen oder MikroStrukturen durch Zersägen des Siliziumwafers die Ausbeute pro Fläche erhöht werden, da im Vergleich zum Zersägen hierfür Schnittbahnbreiten (dicing lines) geringerer Breite ausreichend sind. Vorzugsweise ist vorgesehen, daß die Wellenlänge des Laserstrahls im nahinfrafroten Bereich liegt, in dem das Absorptionsverhalten von Halbleitermaterialien keine oder lediglich eine geringe Temperaturabhängigkeit aufweist . In einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgese- hen, daß der Laserstrahl durch einen Ytterbium-Faser- Laser erzeugt wird, wobei der Ytterbium-Faser-Laser vorzugsweise eine Wellenlänge von 1120 nm aufweist. Dabei wird die den Laserstrahl erzeugende Laserquelle vorzugsweise im CW-Modus betrieben. Das Verfahren kann mit einmaliger Transmission des
Laserstrahls durch das Halbleitermaterial durchgeführt werden. Vorzugsweise ist jedoch vorgesehen, daß der Laserstrahl mehrfach durch die Trennzone des Halbleitermaterials geführt wird. Hierzu wird der transmit- tierte Teil des Laserstrahls nach Austritt aus dem
Halbleitermaterial durch Reflexionsmittel wieder auf die Trennzone des Halbleitermaterials gelenkt. Um die Effektivität und Wirtschaftlichkeit des Trennverfahrens zu erhöhen, ist es möglich, mehrere
Schichten Halbleitermaterial, beispielsweise Wafer aus Silizium, übereinandergestapelt anzuordnen und den Laserstrahl durch diese Mehrzahl von Wafern zu führen. Dabei werden sowohl der oberste Wafer als auch die dar- unter angeordneten Wafer von dem Laserstrahl unter Teilabsorption durchdrungen. Vorzugsweise wird das Halbleitermaterial im Bereich der Trennzone auf 150 bis 500° Celsius, insbesondere bis 350° Celsius, erwärmt, da Untersuchungen ge- zeigt haben, daß bei diesen Temperaturen eine Rißbildung des Halbleitermaterials ausgelöst werden kann. In einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, daß eine Mehrzahl von Laserstrahlen auf eine Mehrzahl von Trennzonen gerichtet wird. Somit kann zeit- gleich ein zu trennendes Halbleitermaterial mehrfach getrennt werden, so daß das Verfahren eine besonders schnelle Vereinzelung der integrierten Schaltkreise, Solarzellen, MikroStrukturen oder dergleichen ermöglicht. Hierzu kann eine entsprechende Mehrzahl von La- serquellen vorgesehen sein, oder es wird alternativ ein Laserstrahl geteilt. In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, daß der Laserstrahl an einer Metallbeschichtung des Halbleitermaterials reflektiert wird. Somit kann auf einen Reflektor verzichtet werden, sondern es kann die
Metallbeschichtung, die üblicherweise auf die Rückseite von Wafern aufgebracht ist, als Reflektor verwendet werden. Somit kann der transmittierte Teil der Laserstrahlung an der Metallbeschichtung reflektiert werden und wieder durch das Innere des Wafers zu der Trennzone geführt werden. Die im Anspruch 12 angegebene Vorrichtung zum Durchtrennen von Halbleitermaterial weist eine Laserquelle, die einen Laserstrahl einer Wellenlänge emit-
tiert, die von dem Halbleitermaterial unter Teilabsorption teilweise transmittiert wird, und Mittel zum Richten des Laserstrahls auf eine Trennzone des Halbleiter- materiales auf. Erfindungsgemäß emittiert die Laser- quelle einen Laserstrahl mit einer Wellenlänge von etwa 1.100 bis etwa 1.150 nm, insbesondere 1.115 bis 1125 nm, wobei erfindungsgemäß die Wellenlänge der Laserstrahlung derart gewählt ist, daß der Transmissionsgrad des Halbleitermateriales etwa 30 bis etwa 60%, insbe- sondere 45 bis 55%, beträgt. Vorzugsweise ist die Vorrichtung zur Bearbeitung der Halbleitermaterialien Silizium, Germanium oder Galliumarsenid ausgebildet. In einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgese- hen, daß das Halbleitermaterial eine Dicke von 30 bis 1000 μm, insbesondere 350 bis 600 μm, aufweist. Somit eignet sich die erfindungsgemäße Vorrichtung insbesondere zur Vereinzelung von integrierten Schaltungen oder MikroStrukturen auf Wafern aus Silizium, Germanium oder Galliumarsenit, die beispielsweise eine Dicke zwischen
350 bis 600 μm aufweisen. In einer bevorzugten Ausführungsform emittiert die Laserquelle Laserstrahlung nahinfraroter Wellenlänge. Vorzugsweise ist vorgesehen, daß die Laserquelle einen Ytterbium-Faser-Laser aufweist, der auf eine Wellenlänge von 1120 nm abgestimmt ist. In einer bevorzugten Ausführungsform ist die den Laserstrahl erzeugende Laserquelle für einen Betrieb im CW-Modus ausgebildet. In einer weiteren Ausführungsform weist die Vorrichtung Reflexionsmittel auf, um den Laserstrahl mehrfach durch das Halbleitermaterial zu führen, so daß der transmittierte Teil der Laserstrahlung umgelenkt wird und das Halbleitermaterial im Bereich der Trennzone
durchläuft und so die Erwärmung verstärkt . Alternativ hierzu kann die Vorrichtung Mittel aufweisen, um den Laserstrahl zu teilen und einen ersten Teilstrahl von der Oberseite auf das Halbleitermaterial zu richten und den zweiten des Halbleitermaterials von der Unterseite auf das Halbleitermaterial zu richten. Anstelle der Mittel zur Teilung des Laserstrahls können auch zwei Laserquellen verwendet werden. Vorzugsweise ist die Vorrichtung zum Durchtrennen einer Mehrzahl von schichtartig angeordneten Halbleitermaterialien, beispielsweise Siliziumwafern, ausgebildet. Somit können wenigstens zwei Wafer zeitgleich unter Verwendung des transmittierten Teils der Laserstrahlung getrennt werden, die den obersten Wafer durchdrungen hat. In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Laserquelle zur Erwärmung des Halbleitermaterials in der Trennzone auf eine Temperatur von 150 bis 500° Celsius, insbesondere auf 350° Celisus ausgebildet. Vorzugsweise weist die Vorrichtung eine Lagerfläche für das Halbleitermaterial auf. Dabei gewährleistet die Lagerung des Halbleitermaterials auf der Lagerfläche, daß der Trennvorgang nicht durch fremdinduzierte mechanische Spannungen beeinträchtigt wird. Unter fremdinduzierten mechanischen Spannungen werden erfindungsgemäß diejenigen mechanischen Spannungen verstanden, die nicht durch die Laserstrahlung thermisch induziert werden. Durch eine Vermeidung oder Verringerung fremdinduzierter mechanischer Spannungen ist sicher- gestellt, daß sich ausschließlich die mittels des Lasers thermisch induzierten mechanischen Spannungen in dem Halbleitermaterial ausbilden und in einer kontrollierten Weise zu einem thermisch induzierten Spannungs- riss führen. Auf diese Weise ist vermieden, daß es zu
einer Überlagerung der mittels des Lasers thermisch induzierten mechanischen Spannungen mit unerwünschten fremdinduzierten mechanischen Spannungen kommt, die den Trennvorgang, insbesondere hinsichtlich seiner Präzi- sion, beeinträchtigen können. In einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, daß die Lagerfläche als Reflektor ausgebildet ist. Dabei kann die Lagerfläche Teil eines elektrostatischen Halters sein, der aus Metall gefertigt ist. Bei dieser Ausführungsform entfällt die Notwendigkeit, dem Reflektor und dem Laserstrahl zu beiden Seiten des zu bearbeitenden Halbleitermaterials bei einer Bewegung entlang einer Trennlinie synchron zu führen. Somit ist dieser Aufbau der Vorrichtung besonders einfach und preisgünstig. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist die Lagerfläche aus einem für den Laserstrahl hoch- transmissiven Material gefertigt, so daß der transmit- tierte Teil des Laserstrahls, nachdem er von einem Re~ flektor wieder in Richtung auf das Halbleitermaterial reflektiert wurde, die Lagerfläche durchquert und erneut die Trennzone des Halbleitermateriales durchläuft . Dabei kann die Lagerfläche durch eine Kunststoffolie gebildet sein, die eine Klebstoffbeschichtung aufweist. Durch diese Materialwahl für die Lagerfläche ist verhindert, daß sich die Lagerfläche durch den transmit- tierten Teil der Laserstrahlung erwärmt und dadurch eine ungewollte Erwärmung des Halbleitermaterials bewirkt . Vorzugsweise weist die Laserquelle eine Ausgangsleistung von 2 bis 200 Watt auf. So können Temperaturen von 150 - 500° Celsius, vorzugsweise 350° Celsius erzeugt werden. Bei diesen Temperaturen kann ohne weiteres ein Spannungsriß in Halbleitermaterialien erzeugt
werden, der ein Durchtrennen zur Folge hat, so daß sich die erfindungsgemäße Vorrichtung vorzugsweise zur Vereinzelung integrierter Schaltkreise, Solarzellen oder MikroStrukturen eignet, die auf einem Wafer gefertigt wurden. In einer bevorzugten Ausführungsform weist die Vorrichtung Mittel zum Richten einer Mehrzahl von Laserstrahlen auf eine Mehrzahl von Trennzonen des Halbleitermaterials auf. Hierfür kann die Vorrichtung eine Mehrzahl von Laserquellen aufweisen oder Mittel zur
Strahlteilung eines Laserstrahls einer Laserquelle. Mit der Vorrichtung kann dann gleichzeitig eine Mehrzahl von Trennvorgängen entlang gewünschter Trennlinien durchgeführt werden, so daß die Vereinzelung von inte- grierten Schaltkreisen, Solarzellen oder Mikrostruktu- ren mit dieser Vorrichtung besonders schnell und damit ökonomisch durchgeführt werden kann. In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, daß Mittel zur wenigstens teilweisen Entfernung einer Metallbeschichtung des Halbleitermaterials vorgesehen sind. Diese Mittel zur wenigstens teilweisen Entfernung können beispielsweise eine weitere Laserquelle umfassen, mit der die Metallbeschichtung wenigstens im Bereich der Trennzone erfernt werden kann, so daß in die- sem Bereich aus dem Wafer austreten kann. Anschließend kann der transmittierte Teil des Laserstrahls durch Reflexionsmittel der transmittierte Teil der Laserstrahlung wieder auf die Trennzone des Halbleitermaterials gerichtet werden. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, daß die Vorrichtung zum Trennen von Metall- beschichtungen aufweisendem Halbleitermaterial ausgebildet ist. Somit kann mit dieser Vorrichtung beispielsweise ein eine Rückseitenmetallisierung aufwei-
- lo sender Wafer bearbeitet werden. Die Rückseitenmetallisierung dient als Reflexionsmittel für den transmit- tierten Teil der Laserstrahlung, der an der Metallbeschichtung reflektiert wird und wieder durch die Trenn- zone des Wafers geführt wird. Somit weist diese Vorrichtung keine weiteren Reflektorvorrichtungen auf und hat daher einen besonders einfachen Aufbau. Die Erfindung wird nachfolgend anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert, in der stark Schema- tisiert ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung dargestellt ist. Dabei bilden alle beschriebenen oder in der Zeichnung dargestellten Merkmale für sich oder in beliebiger Kombination den Gegenstand der Erfindung, unabhängig von ihrer Zusammenfas- sung in den Patentansprüchen oder deren Rückbeziehung sowie unabhängig von ihrer Formulierung bzw. Darstellung in der Beschreibung bzw. in der Zeichnung.
Es zeigt:
Fig. 1 stark schematisch einen Aufbau einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zum Durchtrennen von Halbleitermaterial und Fig. 2 einen Schnitt durch ein Halbleitermate- rial .
Es wird auf die Figuren 1 und 2 Bezug genommen. Eine erfindungsgemäße Vorrichtung 2 zum Durchtrennen von Halbleitermaterial umfaßt einen Bearbeitungs- köpf 8, dem über eine Lichtleitfaser 6 ein Laserstrahl zugeführt wird, der von einer Laserquelle mit einem Ytterbium-Faser-Laser erzeugt wird. Dabei ist der Ytterbium-Faser-Laser auf eine Wellenlänge von 1120 nm abgestimmt .
Der Bearbeitungskopf 8 richtet den aus der Lichtleitfaser 6 austretenden Laserstrahl 10 mit einem im wesentlichen punktförmigen Strahlfleck auf eine Trennzone 18 des zu durchtrennenden Halbleitermaterials, beispielsweise einen Abschnitt eines Silizium-Wafers 4 mit einer Dicke von 350 bis 600 μm. Dabei ist die Wellenlänge des Laserstrahls 10 mit 1120 nm derart gewählt, daß der Laserstrahl 10 nicht auschließlich an der Oberfläche des Wafers 4 absorbiert wird, sondern den Wafer 4 auf seiner ganzen Dicke durchdringt und ein transmittierter Teil der Laserstrahlung 14 auf der Unterseite des Wafers 4 aus diesem austritt . Dabei verändert die zunehmende Erwärmung des Wafers 4 im Wellenlängenbereich der verwendeten Laser- Strahlung die optischen Eigenschaften des Siliziums nicht oder,nur in geringem Maße, so daß sich auch bei fortschreitender Erwärmung auf eine Temperatur von über 150° Celsius das optische Absorptionsverhalten des Siliziums in Bezug auf die verwendete Laserstrahlung nicht wesentlich verändert. Dementsprechend wird auch bei einer entsprechenden Temperaturänderung die Laserstrahlung weiterhin unter Teilabsorption teilweise transmittiert . Während des Trennvorganges ist der Wafer auf einer Lagerfläche 20 gelagert, die bei diesem Ausführungsbeispiel im wesentlichen eben ausgebildet ist und aus einem für die Laserstrahlung der verwendeten Wellenlänge hochtransmissiven Material besteht. Auf diese Weise ist gewährleistet, daß sich die Lagerfläche nicht in nen- nenswertem Maße erwärmt, so daß eine unerwünschte Erwärmung des Wafers 4 verhindert ist . Unterhalb der Lagerfläche 20 ist ein Reflektor 12 angeordnet, mit dem der transmittierte Teil der Laserstrahlung 14 wieder auf die Trennzone 18 des Wafers 4
zurückgeführt werden kann. Dabei durchläuft der transmittierte Teil der Laserstrahlung 14 die Lagerfläche 20 ein zweites Mal, bevor der reflektierte Laserstrahl wieder in den Wafer 4 eindringt . Um den Wafer 4 entlang einer gewünschten Trennlinie zu erwärmen und zu trennen, sind in der Zeichnung nicht dargestellte Mittel vorgesehen, die den Bearbeitungskopf 8 während des BearbeitungsVorganges entsprechend dem Verlauf der Trennlinie relativ zu dem Bauteil bewegen. Hierbei kann der Reflektor 12 zusammen mit dem Bearbeitungskopf 8 bewegt werden. Falls der Reflektor 12 eine ausreichend große Reflexionsfläche aufweist, um während der gesamten Bewegung des Bearbeitungskopfes 8 relativ zu dem Wafer 4 die Laserstrahlung entlang der Trennlinie zu reflektieren, kann der Reflektor 12 jedoch auch ortsfest angeordnet sein. Alternativ kann der Laserstrahl auch unter Verwendung eines Scanners, insbesondere eines Galvoscanners geführt werden. Alternativ hierzu kann auch vorgesehen sein, daß die Lagerfläche 20 als Reflexionsmittel ausgebildet ist und es daher nur erforderlich ist, den Bearbeitungskopf 8 entlang der gewünschten Trennlinie zu verfahren, während die als Reflektor ausgebildete Lagerfläche 20 ortsfest angeordnet ist. Wenn der Wafer 4 eine Rückseitenmetallisierung aufweist, sollte diese vor dem Trennvorgang entfernt werden, damit der transmittierte Teil der Laserstrahlung 14 aus dem Wafer 4 austreten kann. Hierfür kann die Vorrichtung einen weiteren Laser aufweisen, der die Rückseitenmetallisierung des Wafers 4 wenigstens in den
Bereichen der Trennzone bzw. Trennlinie 18 entfernt, damit der transmittierte Teil der Laserstrahlung 14 aus dem Wafer 4 austreten kann. Alternativ hierzu kann jedoch auch die Rückseiten-
metallisierung des Wafers 4 als Reflektorfläche verwendet werden, so daß der transmittierte Teil der Laserstrahlung 14 nicht aus dem Wafer 4 austritt, sondern an der auf der Unterseite des Wafers 4 aufgebrachten Me- tallisierung reflektiert wird und erneut das Innere des Wafers im Bereich der Trennzone 18 durchläuft. Durch die Bildung eines thermisch induzierten Spannungsrisses in dem Wafer 4 erfolgt zugleich eine Durchtrennung der Rückseitenmetallisierng auf der Unterseite des Wafers 4 , so daß eine Durchtrennung der Rückseitenmetallisierung in einem weiteren Arbeitsschritt entfällt. Um beispielsweise einen Wafer 4 zu durchtrennen, der eine Vielzahl integrierter Schaltung oder Mikro- strukturen aufweist, um diese weiterverarbeiten zu kön- nen, wird der Wafer 4 auf der Lagerfläche 20 platziert. Anschließend wird der Bearbeitungskopf 8 ausgerichtet, so daß der Laserstrahl 10 auf die Trennzone 18 des Wafers 4 trifft. Nach Aktivieren des Lasers wird der Laserstrahl 10 unter Teilabsorption von dem den Wafer 4 transmittiert , wobei der transmittierte Teil der Laserstrahlung 14 auf den Reflektor 12 auftrifft und wieder durch die Lagerfläche 20 in das Halbleitermaterial des Wafers 4 eindringt . Dieser mehrfache Durchgang der Laserstrahlung durch den Wafer 4 unter Teilabsorption bewirkt eine homogene Erwärmung des Wafers über seine ganze Dicke, wobei die durch diese Erwärmung erzeugten mechanischen Spannungen ab Erreichen einer bestimmten Temperatur bei einer nachfolgenden Abkühlung eine Rißbildung nach sich ziehen. Durch synchrones Verfahren des Bearbeitungskopfes 8 sowie des Reflektors 12 wird eine gewünschte Trennlinie auf der Oberfläche des Wafers 4 abgefahren und der Wafer 4 in der gewünschten Weise durchtrennt. Die-
ser Vorgang wird so oft wiederholt, bis alle integrierten Schaltungen oder MikroStrukturen, die sich auf dem Wafer befinden, vereinzelt sind. Anschließend können die vereinzelten integrierten Schaltungen oder Mikro- strukturen weiter verarbeitet werden, beispielsweise in Gehäuse eingeklebt und verdrahtet werden.