EP1464075A2

EP1464075A2 - Device and method for the treatment of disk-shaped substrates

Info

Publication number: EP1464075A2
Application number: EP02796697A
Authority: EP
Inventors: Ulrich Speh; Eberhard NÄGELE
Original assignee: Mattson Wet Products GmbH
Current assignee: Mattson Wet Products GmbH
Priority date: 2002-01-09
Filing date: 2002-12-20
Publication date: 2004-10-06
Also published as: WO2003058686A3; US20050178504A1; TW200302542A; DE10200525A1; WO2003058686A2

Abstract

In order to carry out simple, low-cost, uniform treatment of substrates, a device is provided for the processing of disk-shaped substrates, especially semiconductor wafers, comprising a substantially flat carrier ring, which can be rotated on a plane about an axis of rotation by means of a rotation device, and at least three support elements extending from the plane of the carrier ring, forming a multi-point support for the support at a distance from the plane of the carrier ring. The invention also relates to a device and a method for the treatment of disk-shaped substrates, especially semiconductor wafers, wherein the substrates are rotated about an axis of rotation which is disposed in a substantially vertical position with respect to the plane of the substrates and whereby at least one first group of nozzles are disposed at various distances from the axis of rotation, enabling a first fluid to be applied, said nozzles being controlled either individually or in sub-groups, in order to carry out selective treatment of surface areas of the substrate.

Description

Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten Device and method for treating disc-shaped substrates

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten.The present invention relates to an apparatus and a method for treating disc-shaped substrates.

In der Halbleiterindustrie ist es bekannt, dass Halbleiterwafer zwischen verschiedenen Herstellungsschritten mit Fluiden, insbesondere Flüssigkeiten, behandelt werden. Hierbei handelt es sich häufig um eine Reinigung der Wafer. Aus der auf dieselbe Anmelderin zurückgehenden DE-A-19830162 ist beispielsweise eine Reinigungsvorrichtung bekannt, die nach einer CMP- Behandlung (chemisches mechanisches Polieren) der Wafer eingesetzt wird. Bei der bekannten Vorrichtung werden die Wafer nach der CMP-Behandlung zunächst grob mit einem Bürstenreiniger vorgereinigt. Anschließend werden die Wafer in einem flüssigkeitsgefüllten Becken gesammelt, um anschließend als Charge gemeinsam in einer Feinreinigungsvorrichtung gereinigt zu werden.It is known in the semiconductor industry that semiconductor wafers are treated with fluids, in particular liquids, between different production steps. This often involves cleaning the wafers. For example, DE-A-19830162, which goes back to the same applicant, discloses a cleaning device which is used after CMP (chemical mechanical polishing) treatment of the wafers. In the known device, the wafers are first roughly pre-cleaned with a brush cleaner after the CMP treatment. The wafers are then collected in a liquid-filled basin in order to subsequently be cleaned together as a batch in a fine cleaning device.

Diese Vorrichtung hat den Nachteil, dass die Wafer vor ihrer Feinreinigung jeweils zu einer Charge gesammelt werden müssen, wodurch der kontinuierliche Bearbeitungsprozeß der Wafer und somit der Durchsatz einer Herstellungsanlage beeinträchtigt wird. Darüber hinaus ist die Anbindung der Reinigungsvorrichtung in eine CMP-Anlage sowie anderen Anlagen, die in der Re- gel im Einzelwaferverfahren arbeiten, schwierig.This device has the disadvantage that the wafers have to be collected into one batch each before their fine cleaning, as a result of which the continuous processing process of the wafers and thus the throughput of a production system are impaired. In addition, the connection of the cleaning device into a CMP system and other systems which generally work in the single wafer process is difficult.

Aus der WO-A-99/16109 ist eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von einzelnen Halbleiterwafern mit einer Behandlungsflüssigkeit bekannt. Bei der bekannten Vorrichtung und dem Verfahren wird ein Halbleiterwafer im Inneren, d.h. in der Ebene eines drehbaren Trägerrings aufgenommen und um eine sich senkrecht zum Substrat erstreckende Drehachse gedreht. Während der Drehung wird über eine erste Vielzahl von Düsen ein Behandlungsfluid auf das Substrat aufgebracht. Aufgrund der Drehung des Substrats und der da- durch erzeugten Fliehkraft strömt die Flüssigkeit nach außen. Die erste Vielzahl von Düsen ist an einem radial zur Drehachse beweglichen Träger angebracht, so dass die Düsen radial zur Drehachse bewegbar sind. An dem Träger ist eine weitere Düse vorgesehen, über die ein erhitztes Gas auf das Sub- strat geleitet werden kann. Das erhitzte Gas besitzt die Funktion, an der Flüssigkeit-Gas-Grenzfläche die Oberflächenspannung der Flüssigkeit zu reduzieren, wodurch ein gutes Abtrocknen des Substrats erreicht werden soll. Während der Trocknung des Substrats wird der die Düsen tragende Träger radial von der Drehachse wegbewegt, um eine Trocknung des Substrats von innen nach außen zu erreichen.From WO-A-99/16109 a device and a method for treating individual semiconductor wafers with a treatment liquid is known. In the known device and the method, a semiconductor wafer is received in the interior, ie in the plane of a rotatable carrier ring, and rotated about an axis of rotation extending perpendicular to the substrate. During the rotation, a treatment fluid is applied to the substrate via a first plurality of nozzles. Due to the rotation of the substrate and the the fluid flows outwards by centrifugal force. The first plurality of nozzles is attached to a carrier which is movable radially to the axis of rotation, so that the nozzles can be moved radially to the axis of rotation. A further nozzle is provided on the carrier, via which a heated gas can be directed onto the substrate. The heated gas has the function of reducing the surface tension of the liquid at the liquid-gas interface, which is to achieve good drying of the substrate. During the drying of the substrate, the carrier carrying the nozzles is moved radially away from the axis of rotation in order to achieve drying of the substrate from the inside to the outside.

Bei der bekannten Vorrichtung ergibt sich einerseits das Problem, dass eine Handhabungsvorrichtung nicht ohne weiteres auf das in dem Trägerring aufgenommene Substrat zugreifen kann, da das Substrat in der Ebene des Trä- gerrings aufgenommen ist. Ferner besteht durch die Aufnahme des Substrats in der Ebene des Trägerrings die Gefahr, dass durch die Zentrifugalkraft nach außen geschleuderte Flüssigkeit auf den Trägerring auftrifft und in Richtung des Substrats zurückspritzt, wodurch eine gleichmäßige Behandlung des Substrats beeinträchtigt werden kann. Zusätzlich ergibt sich das Problem, dass für den die Düsen tragenden Träger ein Bewegungsmechanismus vorgesehen werden muss, der Verunreinigungen in dem Behandlungsraum einführen kann. Darüber hinaus muss innerhalb des Behandlungsraums ein ausreichender Platz für die Bewegung des Trägers vorgesehen sein, wodurch sich ein großer Platzbedarf für die Vorrichtung ergibt.In the known device, on the one hand, there is the problem that a handling device cannot readily access the substrate received in the carrier ring, since the substrate is received in the plane of the carrier ring. Furthermore, the inclusion of the substrate in the plane of the carrier ring leads to the risk that liquid thrown outward by the centrifugal force hits the carrier ring and splashes back in the direction of the substrate, as a result of which uniform treatment of the substrate can be impaired. In addition, there is the problem that a movement mechanism must be provided for the carrier carrying the nozzles that can introduce contaminants into the treatment room. In addition, sufficient space must be provided within the treatment room for the movement of the carrier, which results in a large space requirement for the device.

Ausgehend von dem bekannten Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung daher die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten vorzusehen, die bzw. das auf einfache und kostengünstige Art und Weise eine gleichmäßige Behandlung einzelner Substrate ermöglicht.Starting from the known prior art, the present invention is therefore based on the object of providing a device and a method for treating disk-shaped substrates which, in a simple and inexpensive manner, enable uniform treatment of individual substrates.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei einer Vorrichtung zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, mit einem im Wesentlichen ebenen Trägerring, der über eine Drehvorrichtung in der E- bene um eine Drehachse drehbar ist, dadurch gelöst, dass wenigstens drei sich aus der Ebene des Trägerrings heraus erstreckende Auflageelemente vorgesehen sind, die beabstandet zur Ebene des Trägerrings eine Mehr- punktauflage für das Substrat bilden. Durch Vorsehen einer Mehrpunktauflage beabstandet zur Ebene des Trägerrings wird die Gefahr beseitigt, dass von der Oberfläche des Substrats abgeschleudertes Behandlungsfluid auf den Trägerring trifft und auf das Substrat zurückspritzt. Darüber hinaus wird ermöglicht, dass eine Handhabungsvorrichtung zwischen den Trägerring und die Mehrpunktauflage einfährt, um das Substrat von der Mehrpunktauflage abzuheben, bzw. darauf abzulegen. Daher kann die Handhabungsvorrichtung zum Be- und Entladen des Trägerrings erheblich vereinfacht werden.According to the invention, this object is achieved in a device for treating disk-shaped substrates, in particular semiconductor wafers, with a essentially flat carrier ring, which can be rotated in the plane about an axis of rotation by a rotating device, in that at least three support elements are provided which extend out of the plane of the carrier ring and which are spaced apart from the plane of the carrier ring and provide a multi-point support for the Form substrate. Providing a multi-point support spaced apart from the plane of the carrier ring eliminates the risk that treatment fluid thrown off the surface of the substrate hits the carrier ring and splashes back onto the substrate. It also enables a handling device to be inserted between the carrier ring and the multi-point support in order to lift the substrate from the multi-point support or to place it thereon. Therefore, the handling device for loading and unloading the carrier ring can be considerably simplified.

Vorteilhafterweise sind Auflageflächen der Auflageelemente auf einer Um- fangskontur des Substrats angeordnet, um das Substrat im Wesentlichen nur im Kantenbereich zu kontaktieren. Dies ermöglicht eine gleichzeitige und gleichmäßige Behandlung beider Oberflächen des Substrats. Um eine gleichmäßige Behandlung beider Oberflächen des Substrats zu ermöglichen, erstrecken sich die Auflageelemente vorzugsweise in den Bereich der Mittel- Öffnung des Trägerrings. Somit sind beide Oberflächen des Substrats im Wesentlichen frei zugänglich. Dabei erstrecken sich die Auflageelemente vorzugsweise vom Innenumfang des Trägerrings aus. Vorzugsweise erstrecken sich die Auflageelemente schräg zur Ebene des Trägerrings, um auf einfache Weise eine Anordnung des Substrats im Bereich der Mittelöffnung des Träger- rings zu ermöglichen. Ferner wird durch die schräge Anordnung der Auflageelemente erreicht, dass sie das Substrat möglichst geringfügig überdecken.Advantageously, contact surfaces of the contact elements are arranged on a circumferential contour of the substrate in order to contact the substrate essentially only in the edge area. This enables a simultaneous and uniform treatment of both surfaces of the substrate. In order to enable a uniform treatment of both surfaces of the substrate, the support elements preferably extend into the area of the central opening of the carrier ring. Both surfaces of the substrate are thus essentially freely accessible. The support elements preferably extend from the inner circumference of the carrier ring. The support elements preferably extend obliquely to the plane of the carrier ring in order to enable the substrate to be arranged in a simple manner in the region of the central opening of the carrier ring. Furthermore, the oblique arrangement of the support elements ensures that they cover the substrate as little as possible.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die Auflageflächen der Auflageelemente zur Ebene des Trägerrings geneigt, um eine Selbstzent- rierung eines darauf abgelegten Substrats zu ermöglichen. Darüber hinaus wird durch die schräge Auflagefläche erreicht, dass das Substrat nur mit einer Umfangskante auf den Auflageflächen aufliegt und ein auf das Substrat auf- gebrachtes Behandlungsfluid alle Bereiche der aufliegenden Oberfläche des Substrats erreichen kann.In a preferred embodiment of the invention, the contact surfaces of the contact elements are inclined to the plane of the carrier ring in order to enable self-centering of a substrate placed thereon. In addition, the inclined contact surface ensures that the substrate only rests on the contact surfaces with one peripheral edge and that a brought treatment fluid can reach all areas of the overlying surface of the substrate.

Vorzugsweise weist die Vorrichtung wenigstens zwei sich im Wesentlichen senkrecht zur Ebene des Trägerrings erstreckende Anschlagflächen zum Begrenzen einer seitlichen Bewegung des Substrats auf. Hierdurch wird verhindert, dass sich die Substrate bei der Drehung des Trägerrings seitlich bewegen und gegebenenfalls dadurch beschädigt werden. Bei einer Ausführungsform der Erfindung sind die Anschlagflächen an den Auflageelementen aus- gebildet, was auf besonders einfache und kostengünstige Art und Weise eine seitliche Bewegung des Substrats verhindert.The device preferably has at least two stop surfaces which extend substantially perpendicular to the plane of the carrier ring for limiting lateral movement of the substrate. This prevents the substrates from moving laterally during rotation of the carrier ring and possibly being damaged thereby. In one embodiment of the invention, the stop surfaces are formed on the support elements, which prevents lateral movement of the substrate in a particularly simple and inexpensive manner.

Bei einer alternativen Ausführungsform sind die Anschlagflächen an separat von den Auflageelementen vorgesehenen Anschlagelementen vorgesehen, die vorzugsweise beweglich am Trägerring angebracht und zwischen einer freien und einer das Substrat kontaktierenden Position bewegbar sind. Hierdurch wird ermöglicht, die Substrate zunächst auf den Auflageelementen abzulegen und anschließend eine seitliche Fixierung für das Substrat vorzusehen. Hierdurch wird insbesondere ermöglicht, Substrate mit unterschiedlichen Durchmessern aufzunehmen, da eine seitliche Fixierung durch die beweglichen Anschlagelemente erfolgt.In an alternative embodiment, the stop surfaces are provided on stop elements which are provided separately from the support elements and are preferably movably attached to the carrier ring and can be moved between a free position and a position in contact with the substrate. This makes it possible to first lay the substrates on the support elements and then to provide a lateral fixation for the substrate. This makes it possible, in particular, to hold substrates with different diameters, since the movable stop elements fix the sides.

Vorzugsweise sind die Anschlagelemente durch eine Drehbewegung des Trägerrings in Kontakt mit dem Substrat bewegbar, wodurch ein zusätzlicher An- triebsmechanismus für die Anschlagelemente vermieden wird. Um ein gutes Abströmen eines sich auf dem drehenden Substrat befindlichen Fluids zu ermöglichen, weisen die Anschlagelemente vorzugsweise einen, sich von den Anschlagflächen im Wesentlichen V-förmig erweiternden Querschnitt auf.The stop elements can preferably be moved in contact with the substrate by a rotary movement of the carrier ring, as a result of which an additional drive mechanism for the stop elements is avoided. In order to allow a good flow of a fluid located on the rotating substrate, the stop elements preferably have a cross section which widens from the stop surfaces in a substantially V-shaped manner.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung liegt der Trägerring und die damit assoziierte Drehvorrichtung unterhalb der Auflageflächen der Auflageelemente, um zu verhindern, dass durch die Drehvorrich- tung erzeugte Verunreinigungen, insbesondere Abrieb, auf die behandelten Substrate kommt.In a particularly preferred embodiment of the invention, the carrier ring and the associated rotating device lie below the contact surfaces of the contact elements in order to prevent the rotary device from tion generated impurities, especially abrasion, comes on the treated substrates.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird auch durch eine Vorrich- tung zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten, insbesondere Halblei- terwafern, mit einer Vorrichtung zum Drehen der Substrate um eine Drehachse und wenigstens einer ersten Gruppe von Düsen, bei der die Düsen unterschiedliche Abstände zur Drehachse aufweisen, dadurch gelöst, dass die Düsen einzeln oder in Untergruppen ansteuerbar sind. Durch die Ansteuerung der Düsen einzeln oder in Untergruppen läßt sich eine selektive Behandlung von Oberflächenbereichen, insbesondere von Randbereichen des Substrats erreichen.The object on which the invention is based is also achieved by a device for treating disc-shaped substrates, in particular semiconductor wafers, with a device for rotating the substrates about an axis of rotation and at least one first group of nozzles, in which the nozzles are at different distances from the axis of rotation , solved in that the nozzles can be controlled individually or in sub-groups. By controlling the nozzles individually or in subgroups, selective treatment of surface areas, in particular edge areas of the substrate, can be achieved.

Vorzugsweise besitzt die Vorrichtung wenigstens eine weitere Gruppe von Düsen, bei der die Düsen unterschiedliche Abstände zur Drehachse aufweisen, und wobei die Düsen der zweiten Gruppe vorzugsweise wiederum einzeln oder in Untergruppen ansteuerbar sind. Die zweite Gruppe von Düsen ermöglicht das gleichzeitige und/oder nachträgliche Aufbringen eines weiteren Fluids, wobei die Einzelansteuerung, eine kontrollierte Verdrängung eines durch die ersten Düsen aufgebrachten Fluids durch ein weiteres Fluid ermöglicht. Dabei sind vorzugsweise drei Gruppen vorgesehen, um beispielsweise ein Behandlungsfluid, ein Reinigungsfluid, ein Spülfluid und/oder ein Trocknungsfluid auf das Substrat zu leiten, ohne dass die unterschiedlichen Fluide über gemeinsame Düsen aufgebracht werden müssen. Hierdurch wird eine Vermischung der unterschiedlichen Fluide im Bereich von Zuleitungen und/oder den Düsen verhindert.The device preferably has at least one further group of nozzles, in which the nozzles are at different distances from the axis of rotation, and the nozzles of the second group can in turn preferably be controlled individually or in subgroups. The second group of nozzles enables the simultaneous and / or subsequent application of a further fluid, with the individual actuation allowing a controlled displacement of a fluid applied by the first nozzles by a further fluid. In this case, three groups are preferably provided, for example in order to direct a treatment fluid, a cleaning fluid, a rinsing fluid and / or a drying fluid onto the substrate without the different fluids having to be applied via common nozzles. This prevents mixing of the different fluids in the area of supply lines and / or the nozzles.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die Düsen wenigstens einer weiteren Gruppe im Bereich des Abstands der Düsen der ersten Gruppe zur Drehachse angeordnet. Dies ermöglicht in Kombination mit derIn a preferred embodiment of the invention, the nozzles of at least one further group are arranged in the region of the distance of the nozzles of the first group to the axis of rotation. In combination with the

Drehbewegung des Substrats die Erzeugung unterschiedlicher konzentrischer Aufbringbereiche für jede der Düsen, wobei sich die Aufbringbereiche der Düsen einer Gruppe jeweils mit den Aufbringbereichen der Düsen der anderen Gruppe abwechseln. Dies ermöglicht eine kontrollierte Verdrängung eines durch die Düsen der einen Gruppe aufgebrachten Fluids durch ein durch die andere Gruppe aufgebrachtes Fluid.Rotary motion of the substrate creates different concentric application areas for each of the nozzles, the application areas of the nozzles of one group each being the same as the application areas of the nozzles of the other Alternate group. This enables a controlled displacement of a fluid applied through the nozzles of one group by a fluid applied through the other group.

Vorzugsweise sind die Düsen wenigstens einer Gruppe auf einer sich radial zur Drehachse erstreckenden Geraden angeordnet, was zu einem einfachen Aufbau der Vorrichtung, und insbesondere der Zuleitungen für die Düsen führt. Vorzugsweise liegen für einen kompakten Aufbau der Vorrichtung die Düsen der ersten Gruppe und wenigstens einer weiteren Gruppe auf einer sich radial zur Drehachse erstreckenden Geraden. Dabei wechseln sich die Düsen der ersten Gruppe vorzugsweise mit den Düsen der weiteren Gruppe auf der Geraden ab.The nozzles of at least one group are preferably arranged on a straight line extending radially to the axis of rotation, which leads to a simple construction of the device, and in particular of the feed lines for the nozzles. For a compact construction of the device, the nozzles of the first group and at least one further group preferably lie on a straight line extending radially to the axis of rotation. The nozzles of the first group preferably alternate with the nozzles of the further group on the straight line.

Vorzugsweise sind die Düsen wenigstens einer Gruppe über eine gemeinsa- me Fluidversorgungseinheit mit Fluid beaufschlagbar , wodurch sichergestellt werden kann, dass die Düsen einer Gruppe mit demselben Fluid und mit dem im Wesentlichen gleichen Druck angesteuert werden. Dabei sind die Düsen wenigstens einer Gruppe vorzugsweise über eine gemeinsame Druckleitung mit Fluid beaufschlagbar.Preferably, the nozzles of at least one group can be acted upon with fluid via a common fluid supply unit, which can ensure that the nozzles of a group are actuated with the same fluid and with essentially the same pressure. In this case, the nozzles of at least one group can preferably be acted upon with fluid via a common pressure line.

Bei einer alternativen Ausführungsform der Erfindung sind die Düsen wenigstens einer Gruppe mit unterschiedlichem Fluid beaufschlagbar, wodurch auch bei einer einzelnen Gruppe von Düsen die Behandlung des Substrats mit unterschiedlichen Fluids möglich ist. Um das Aufbringen eines Fluids in be- stimmten Bereichen des Substrats zu ermöglichen, sind die Düsen wenigstens einer Gruppe einzeln oder in Untergruppen zu- und/oder abschaltbar, wodurch beispielsweise eine ausschließliche Behandlung von Randbereich ermöglicht wird. Ferner wird hierdurch eine kontrollierte Verdrängung eines Fluids durch ein weiteres Fluid ermöglicht. Für eine gute Einstellung der Behandlungser- gebnisse ist die Form des Düsenstrahls und/oder die Durchflußmenge wenigstens einer Düse wenigstens einer Gruppe veränderbar. Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist eine Düse auf bzw. im Bereich der Drehachse angeordnet, um zu ermöglichen, dass ein Fluid im Bereich der Drehachse auf das Substrat aufgebracht wird, um eine vollständige Behandlung des Substrats zu gewährleisten. Die Düse kann einer oder mehreren der Gruppen von Düsen zugeordnet sein, oder sie kann als einzelne, unabhängige Düse ausgebildet sein. Vorzugsweise ist die Düse mit unterschiedlichen Fluids beaufschlagbar, um eine gleichmäßige von der Drehachse ausgehende Behandlung des Substrats mit unterschiedlichen Fluids zu ermöglichen. Dabei sind wenigstens zwei getrennte Zuleitungen für un- terschiedliche Fluids vorgesehen, um wenigstens im Bereich der Zuleitungen eine Vermischung der unterschiedlichen Fluids zu vermeiden.In an alternative embodiment of the invention, the nozzles of at least one group can be acted upon with different fluids, whereby the treatment of the substrate with different fluids is also possible with a single group of nozzles. In order to enable the application of a fluid in certain areas of the substrate, the nozzles of at least one group can be switched on and / or off individually or in subgroups, which, for example, enables an exclusive treatment of the edge area. This also enables a controlled displacement of a fluid by another fluid. The shape of the nozzle jet and / or the flow rate of at least one nozzle of at least one group can be changed for a good adjustment of the treatment results. In a particularly preferred embodiment of the invention, a nozzle is arranged on or in the region of the axis of rotation in order to enable a fluid to be applied to the substrate in the region of the axis of rotation in order to ensure complete treatment of the substrate. The nozzle can be assigned to one or more of the groups of nozzles, or it can be designed as a single, independent nozzle. Preferably, different fluids can be applied to the nozzle in order to enable a uniform treatment of the substrate with different fluids starting from the axis of rotation. At least two separate feed lines for different fluids are provided in order to avoid mixing of the different fluids, at least in the area of the feed lines.

Um eine gleichzeitige Behandlung der Ober- und Unterseite eines scheibenförmigen Substrats zu ermöglichen, ist wenigstens eine Gruppe von Düsen oberhalb und unterhalb des Substrats vorgesehen.In order to enable simultaneous treatment of the top and bottom of a disk-shaped substrate, at least one group of nozzles is provided above and below the substrate.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird der erfindungsgemäße Trägerring in Kombination mit der erfindungsgemäßen Düsenanordnung verwendet, da durch die Kombination bei kompakter Bauweise eine besonders gleichmäßige Behandlung beider Oberflächen eines scheibenförmigen Substrats erreicht werden kann.In a particularly preferred embodiment of the invention, the carrier ring according to the invention is used in combination with the nozzle arrangement according to the invention, since the combination with a compact design enables a particularly uniform treatment of both surfaces of a disk-shaped substrate.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird auch bei einem Verfahren zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten, insbesondere Halbleiter- wafern, bei dem die Substrate um eine im Wesentlichen senkrecht zur Ebene der Substrate angeordnete Drehachse gedreht werden und über wenigstens eine erste Gruppe von Düsen, die unterschiedliche Abstände zur Drehachse aufweisen, ein erstes Fluid aufgebracht wird dadurch gelöst, dass die Düsen einzeln oder in Untergruppen angesteuert werden, um eine selektive Behand- lung von Oberflächenbereichen des Substrats zu ermöglichen. Durch die Einzel- oder Gruppenansteuerung der Düsen können selektive Oberflächenbereiche des Substrats behandelt werden, ohne die Düsen bewegen zu müssen, wodurch die Gefahr einer Kontamination eines Behandlungsraums und/oder der Substrate verringert wird. Darüber hinaus kann der Behandlungsraum kompakt ausgeführt werden, da die Düsen feststehen.The object on which the invention is based is also achieved in a method for treating disk-shaped substrates, in particular semiconductor wafers, in which the substrates are rotated about an axis of rotation arranged essentially perpendicular to the plane of the substrates and via at least a first group of nozzles which have different distances to the axis of rotation, a first fluid is applied in that the nozzles are controlled individually or in subgroups in order to enable selective treatment of surface areas of the substrate. The individual or group control of the nozzles allows selective surface areas of the substrate to be treated without having to move the nozzles, which increases the risk of contamination of a treatment room and / or the substrates is reduced. In addition, the treatment room can be made compact because the nozzles are fixed.

Um die Behandlung des Substrats mit dem ersten Fluid zu beenden, wird über wenigstens eine Düse wenigstens ein weiteres Fluid auf das Substrat geleitet, wodurch das erste Fluid vom Substrat verdrängt wird. Dabei wird das weitere Fluid vorzugsweise über wenigstens eine Düse wenigstens einer weiteren Gruppe von Düsen auf das Substrat geleitet, um eine Vermischung der Fluids in den Zuleitungen zu den Düsen bzw. an den Düsen zu verhindern. Ferner wird hierdurch eine kontrollierte Verdrängung des ersten Fluids ermöglicht.In order to end the treatment of the substrate with the first fluid, at least one further fluid is directed onto the substrate via at least one nozzle, as a result of which the first fluid is displaced from the substrate. The further fluid is preferably directed onto the substrate via at least one nozzle of at least one further group of nozzles in order to prevent mixing of the fluids in the feed lines to the nozzles or at the nozzles. This also enables a controlled displacement of the first fluid.

Um eine kontrollierte und gleichmäßige Verdrängung des ersten Fluids sicherzustellen, wird das weitere Fluid vorzugsweise über eine Düse aufgebracht, die näher an der Drehachse liegt als eine Düse über die das erste Flu- id auf das Substrat aufgebracht wird. Hierdurch wird durch die Drehung erzeugte Zentrifugalkraft eine gleichmäßige Verdrängung des ersten Fluids radial nach außen erreicht.In order to ensure a controlled and uniform displacement of the first fluid, the further fluid is preferably applied via a nozzle which is closer to the axis of rotation than a nozzle via which the first fluid is applied to the substrate. In this way, a uniform displacement of the first fluid radially outwards is achieved by the centrifugal force generated by the rotation.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden beim Beenden der Behandlung mit dem ersten Fluid die das erste Fluid aufbringenden Düsen sequentiell von der Drehachse weg abgeschaltet, oder auf das Aufbringen des zweiten Fluids umgeschaltet. Hierdurch wird eine gleichmäßige und gesteuerte Beendigung der Behandlung erreicht. Um dabei eine entsprechende gleichmäßige Verdrängung des ersten Fluids vorzusehen, werden die das weitere Fluid aufbringenden Düsen vorzugsweise sequentiell von der Drehachse weg zugeschaltet, um das weitere Fluid in einem radial größer werdenden Bereich auf das Substrat aufzubringen und das erste Fluid kontrolliert zu verdrängen. Vorzugsweise wird das weitere Fluid anfänglich im Bereich der Drehachse auf das Substrat aufgebracht, um eine vollständige Verdrängung des ersten Fluids zu gewährleisten. Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird die Behandlung mit dem weiteren Fluid durch Aufbringen eines weiteren Fluids in derselben Weise beendet, wie die Behandlung mit dem ersten Fluid beendet wurde.In a particularly preferred embodiment of the invention, when the treatment with the first fluid is ended, the nozzles applying the first fluid are switched off sequentially away from the axis of rotation, or switched over to the application of the second fluid. As a result, the treatment is ended evenly and in a controlled manner. In order to provide a corresponding, uniform displacement of the first fluid, the nozzles which apply the further fluid are preferably switched on sequentially away from the axis of rotation in order to apply the further fluid to the substrate in a radially increasing area and to displace the first fluid in a controlled manner. Preferably, the further fluid is initially applied to the substrate in the region of the axis of rotation in order to ensure complete displacement of the first fluid. In a further embodiment of the invention, the treatment with the further fluid is ended by applying a further fluid in the same manner as the treatment with the first fluid.

Vorzugsweise ist das erste Fluid eine Reinigungs- oder Spülflüssigkeit. Vorzugsweise ist wenigstens ein weiteres Fluid einer Spülflüssigkeit und/oder ein die Oberflächenspannung des auf dem Substrat befindlichen Fluids verringerndes Fluid, um eine gleichmäßige Spülung und/oder Trocknung des Substrats zu erreichen.The first fluid is preferably a cleaning or rinsing liquid. Preferably, at least one further fluid is a rinsing liquid and / or a fluid that reduces the surface tension of the fluid on the substrate in order to achieve a uniform rinsing and / or drying of the substrate.

Vorzugsweise erfolgt eine gleichzeitige Behandlung der Ober- und Unterseite des Substrats.The upper and lower sides of the substrate are preferably treated simultaneously.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert.The invention is explained in more detail below on the basis of preferred exemplary embodiments of the invention with reference to the drawings.

In den Zeichnungen zeigt:In the drawings:

Fig. 1 eine schematische Draufsicht auf einen Trägerring mit An- trieb gemäß der vorliegenden Erfindung;1 shows a schematic top view of a carrier ring with a drive according to the present invention;

Fig. 2 eine schematische Schnittansicht eines Trägerrings mitFig. 2 is a schematic sectional view of a carrier ring

Antrieb gemäß einer alternativen Ausführungsform der Erfindung;Drive according to an alternative embodiment of the invention;

Fig. 3A und B Haltestifte gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfin- düng;3A and B holding pins according to an embodiment of the inven- tion;

Fig. 4A und B bewegbare Anschlagelemente gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;4A and B movable stop elements according to an embodiment of the present invention;

Fig. 5 eine Düsenanordnung für die Behandlung eines scheibenförmigen Substrats gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung;5 shows a nozzle arrangement for the treatment of a disk-shaped substrate according to a first embodiment of the invention;

Fig. 6 eine Düsenanordnung für die Behandlung eines scheibenförmigen Substrats gemäß einer alternativen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; Fig. 7A bis D schematische Schnittansichten durch eine Reinigungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung während unterschiedlicher Behandlungsschritte;6 shows a nozzle arrangement for the treatment of a disk-shaped substrate according to an alternative embodiment of the present invention; 7A to D are schematic sectional views through a cleaning device of the present invention during different treatment steps;

Fig. 8A und B eine schematische Draufsicht auf eine Düsenanordnung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung sowie eine schematische Schnittansicht durch eine einzelne Düse entlang der Linie X-X in Fig. 8A.8A and B show a schematic plan view of a nozzle arrangement according to a further exemplary embodiment of the invention and a schematic sectional view through a single nozzle along the line X-X in FIG. 8A.

Fig. 9A bis I schematische Schnittansichten durch eine Reinigungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung während unterschiedlicher Schritte bei einer Wafertrocknung;9A to I are schematic sectional views through a cleaning device according to the present invention during different steps in a wafer drying;

Fig. 10A bis D eine Schnittansicht ähnlich der Fig. 9, welche Zwischen- schritte zwischen den Fig. 9C und D zeigt;10A to D are a sectional view similar to FIG. 9, showing intermediate steps between FIGS. 9C and D;

Fig. 1 zeigt eine Draufsicht auf einen erfindungsgemäßen Substratträger 1 , zum Halten von scheibenförmigen Halbleiterwafern 3 in einer Vorrichtung zum Behandeln der Halbleiterwafer. Der Substratträger 1 weist einen ebenen Trä- gerring 5 mit einer Innenöffnung 6 auf. Dabei ist der Umfang der Öffnung 6 größer gewählt, als ein Außenumfang der Substrate 3.1 shows a top view of a substrate carrier 1 according to the invention for holding disk-shaped semiconductor wafers 3 in a device for treating the semiconductor wafers. The substrate carrier 1 has a flat carrier ring 5 with an inner opening 6. The circumference of the opening 6 is chosen larger than an outer circumference of the substrates 3.

Der Substratträger 1 weist ferner drei stationär am Trägerring 5 befestigte Auflageelemente 8 in der Form von Auflagestiften auf. Die Auflageelemente 8 erstrecken sich in den Bereich der Mittelöffnung 6, um in diesem Bereich eine Dreipunktauflage für die Substrate zu bilden. Dabei erstrecken sich die Auflageelemente 8 bezüglich des ebenen Trägerrings 5 nach oben, um die Dreipunktauflage bezüglich des Trägerrings 5 in einer senkrecht zur Ebene des Trägerings 5 beabstandeten Ebene anzuordnen.The substrate carrier 1 also has three support elements 8 which are fixed to the support ring 5 in the form of support pins. The support elements 8 extend into the area of the central opening 6 in order to form a three-point support for the substrates in this area. The support elements 8 extend upwards with respect to the flat support ring 5 in order to arrange the three-point support with respect to the support ring 5 in a plane perpendicular to the plane of the support ring 5.

In Fig. 1 ist ferner eine Drehantriebsvorrichtung 10 zum Drehen Trägerrings 5 um eine sich senkrecht zum Trägerring 5 erstreckende Drehachse A vorgesehen. Der Drehantrieb 10 greift bei dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbei- spiel seitlich, d.h. radial an dem Trägerring 5 an. Zum drehbaren Halten des Trägerrings 5 kann eine geeignete nicht näher dargestellte Lagervorrichtung vorgesehen sein.In FIG. 1, a rotary drive device 10 is also provided for rotating carrier ring 5 about an axis of rotation A extending perpendicular to carrier ring 5. The rotary drive 10 engages in the embodiment shown in FIG. play laterally, ie radially on the carrier ring 5. A suitable bearing device, not shown, can be provided for rotatably holding the carrier ring 5.

Fig. 2 zeigt eine alternative Ausführungsform eines Subtratträgers 1 , wobei in Fig. 2 dieselben Bezugszeichen verwendet werden, sofern dieselben oder ähnliche Elemente bezeichnet werden.FIG. 2 shows an alternative embodiment of a substrate carrier 1, the same reference numerals being used in FIG. 2 if the same or similar elements are designated.

Der Substratträger 1 gemäß Fig. 2 weist wiederum einen ebenen Trägerring 5 mit einer Innenöffnung 6 auf, die im Wesentlichen größer ist, als der Außenumfang der aufzunehmenden Substrate. Am Trägerring 5 sind wiederum Auflageelemente 8 vorgesehen, die eine oberhalb des Trägerrings 5 beabstande- te Mehrpunktauflage bilden. Bei dem in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel erstrecken sich die Auflageelemente 8 sowohl schräg zur Drehachse A sowie der Ebene des Trägerrings 5, um die Mehrpunktauflage oberhalb des Trägerrings 5 und im Bereich der Mittelöffnung 6 anzuordnen. Für den Trägerring 5 ist wiederum ein Drehantrieb 10 vorgesehen, der bei dem in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel an einer Unterseite des Trägerrings 5 angreift. Wiederum sind nicht dargestellte Lagerelemente zum drehbaren Halten des Trägerrings 5 vorgesehen. Die Lagerelemente halten den Trägerring 5 vorzugsweise in einer im Wesentlichen horizontalen Ausrichtung in einer Vorrichtung zum Behandeln von Halbleiterwafern, wie nachfolgend noch näher beschrieben wird.The substrate carrier 1 according to FIG. 2 in turn has a flat carrier ring 5 with an inner opening 6 which is substantially larger than the outer circumference of the substrates to be accommodated. In turn, support elements 8 are provided on the carrier ring 5, which form a multi-point support spaced above the carrier ring 5. In the embodiment shown in FIG. 2, the support elements 8 extend both obliquely to the axis of rotation A and the plane of the support ring 5 in order to arrange the multi-point support above the support ring 5 and in the region of the central opening 6. A rotary drive 10 is again provided for the carrier ring 5, which in the exemplary embodiment shown in FIG. 2 engages on an underside of the carrier ring 5. Again, bearing elements, not shown, are provided for rotatably holding the carrier ring 5. The bearing elements preferably hold the carrier ring 5 in a substantially horizontal orientation in a device for treating semiconductor wafers, as will be described in more detail below.

Die Auflageelemente 8 bilden, wie in Fig. 2 zu sehen ist, eine bezüglich der Horizontalen schräge Auflagefläche 12, die einerseits eine Zentrierung der Halbleiterwafer 3 vorsehen kann und andererseits einen möglichst freien Zugriff auf alle Bereiche einer Oberseite 14 sowie einer Unterseite 15 des Halbleiterwafers 3 ermöglicht. Der freie Zugriff auf die Unterseite 15 wird da- durch ermöglicht, dass der Halbleiterwafer 3 im Wesentlichen ausschließlich mit einer unteren Umfangskante auf der schrägen Auflagefläche 12 des Auflagestifts 8 aufliegt. Fig. 3 zeigt eine alternative Ausführungsform eines Auflageelements 8, das an einem Trägerelement 5 befestigt sein kann. In Fig. 3 werden dieselben Bezugszeichen verwendet, insofern dieselben oder ähnliche Elemente bezeichnet werden.As can be seen in FIG. 2, the support elements 8 form a support surface 12 which is oblique with respect to the horizontal, which on the one hand can provide centering of the semiconductor wafers 3 and on the other hand provides as free as possible access to all areas of an upper side 14 and an underside 15 of the semiconductor wafer 3 allows. Free access to the underside 15 is made possible by the fact that the semiconductor wafer 3 rests essentially exclusively with a lower peripheral edge on the inclined contact surface 12 of the contact pin 8. FIG. 3 shows an alternative embodiment of a support element 8 which can be attached to a carrier element 5. The same reference numerals are used in FIG. 3 insofar as the same or similar elements are designated.

In Fig. 3 sind zwei Auflageelemente 8 dargestellt, wobei in Fig. 3A das Auflegen eines Halbleiterwafers 3 dargestellt ist, während in Fig. 3B der Halbleiterwafer 3 auf den Halteelementen 8 aufliegt. Die Halteelemente 8 können senkrecht oder wie in Fig. 2 dargestellt ist, schräg zur Drehachse A an dem Trägerring 5 angebracht sein. Die Auflageelemente 8 weisen Zentrierschrägen 17 auf, an denen ein darauf abgelegter Halbleiterwafer 3 entlang gleiten kann, um abschließend zentriert auf sich im Wesentlichen horizontal erstreckenden Auflageschultern 19 abgelegt zu werden. Bei dieser Ausführungsform des Auflageelements 8 wird die Randüberdeckung zwischen dem Aufla- geelement 8 und dem Halbleiterwafer 3 möglichst klein gehalten und liegt beispielsweise in einem Bereich von 0,5 - 1 ,5 mm vorzugsweise in einem Bereich von 1 mm. Die Auflageelemente 8 weisen ferner Anschlagflächen 20 auf, die eine seitliche Bewegung des Halbleiterwafers einschränken, wenn dieser wie in Fig. 3B gezeigt ist, auf den Auflageschultern 19 aufliegt. Die Anschlagflä- chen 20 weisen eine möglichst geringe Oberfläche auf, um zu verhindern, dass bei einer Drehung der Halbleiterwafer 3 darauf auftreffende Flüssigkeit in Richtung der Halbleiterwafer 3 zurückspritzt. Um ein gutes Ablaufen von Flüssigkeiten in Radialrichtung zu ermöglichen, bildet die Anschlagfläche 20 die Spitze eines sich von der Anschlagfläche 20 weg erweiternden Quer- Schnitts des Auflageelements 8 in diesem Bereich.3 shows two support elements 8, with FIG. 3A showing the placement of a semiconductor wafer 3, while in FIG. 3B the semiconductor wafer 3 rests on the holding elements 8. The holding elements 8 can be attached to the carrier ring 5 perpendicularly or, as shown in FIG. 2, obliquely to the axis of rotation A. The support elements 8 have centering bevels 17, on which a semiconductor wafer 3 placed thereon can slide along, in order to finally be placed centered on essentially horizontally extending support shoulders 19. In this embodiment of the support element 8, the edge overlap between the support element 8 and the semiconductor wafer 3 is kept as small as possible and is, for example, in a range of 0.5-1.5 mm, preferably in a range of 1 mm. The support elements 8 also have stop surfaces 20 which restrict lateral movement of the semiconductor wafer when it rests on the support shoulders 19 as shown in FIG. 3B. The stop surfaces 20 have the smallest possible surface area in order to prevent liquid impinging on the semiconductor wafer 3 from splashing back in the direction of the semiconductor wafer 3 when the semiconductor wafer 3 is rotated. In order to allow liquids to run off well in the radial direction, the stop surface 20 forms the tip of a cross-section of the support element 8 widening away from the stop surface 20 in this area.

Fig. 4 zeigt eine alternative Vorrichtung zum Einschränken einer seitlichen Bewegung eines Halbleiterwafers 3 während einer Drehung des Trägerrings 5. Zur Vereinfachung der Darstellung sind die Auflageelemente 8 nur schematisch als Auflagen dargestellt. Ferner ist auch der Trägerring 5 in Fig. 4 nicht dargestellt. An dem Trägerring 5 sind jedoch neben den nur schematisch angedeuteten Auflageelementen 8 schwenkbare Rückhaltevorrichtungen 23 vorgesehen. In Fig. 4 sind zwei Rückhaltevorrichtungen dargestellt, wobei jedoch vorzugsweise drei oder eine beliebige andere Anzahl vorgesehen sein können. Die Rückhaltevorrichtungen 23 weisen jeweils ein Schwenklager 25, ein Begrenzungs- oder Anschlagelement 27, einen Hebelarm 28 sowie ein Gewicht 30 auf. Das Schwenklager 25 ist in geeigneter weise an dem Träger- ring 5 angebracht, um ein Verschwenken des Begrenzungselements 27 in Richtung der Drehachse A des Trägerrings 5 zu ermöglichen. Fig. 4A zeigt die Position des Begrenzungselements 23 während einer Ruheposition, in der sich der Trägerring 5 nicht um die Drehachse A dreht. Fig. 4B zeigt die Position der Begrenzungselemente 23 während einer Drehung des Trägerring 5 um die Drehachse A. In Folge der, durch die Drehung entstehenden Fliehkraft, wird das Gewicht 30 nach außen gedrückt, wodurch das Anschlagelement 27 in Richtung der Drehachse A bewegt wird. Dabei kommt das Anschlagelement 27 mit einem Außenumfang des auf den Auflageelementen 8 aufliegenden Halbleiterwafers 3 in Kontakt und verhindert eine seitliche Bewegung dessel- ben. Die Verwendung eines fliehkraftgeregelten Anschlags ist insbesondere in Verbindung mit schrägen Auflageflächen der Auflageelemente 8, wie beispielsweise in Fig. 2 gezeigt ist, von Vorteil, da die schrägen Auflageflächen nur eine begrenzte seitliche Haltekraft für die Halbleiterwafer 3 vorsehen.FIG. 4 shows an alternative device for restricting a lateral movement of a semiconductor wafer 3 during a rotation of the carrier ring 5. To simplify the illustration, the support elements 8 are only shown schematically as supports. Furthermore, the carrier ring 5 is also not shown in FIG. 4. However, in addition to the only schematically indicated support elements 8, pivotable retaining devices 23 are provided on the carrier ring 5. 4 two restraint devices are shown, wherein however, preferably three or any other number can be provided. The retaining devices 23 each have a pivot bearing 25, a limiting or stop element 27, a lever arm 28 and a weight 30. The pivot bearing 25 is suitably attached to the carrier ring 5 in order to enable the limiting element 27 to pivot in the direction of the axis of rotation A of the carrier ring 5. 4A shows the position of the limiting element 23 during a rest position, in which the carrier ring 5 does not rotate about the axis of rotation A. 4B shows the position of the limiting elements 23 during a rotation of the carrier ring 5 about the axis of rotation A. As a result of the centrifugal force resulting from the rotation, the weight 30 is pressed outwards, as a result of which the stop element 27 is moved in the direction of the axis of rotation A. The stop element 27 comes into contact with an outer circumference of the semiconductor wafer 3 resting on the support elements 8 and prevents the latter from moving laterally. The use of a centrifugal force-controlled stop is particularly advantageous in connection with inclined support surfaces of the support elements 8, as shown for example in FIG. 2, since the inclined support surfaces only provide a limited lateral holding force for the semiconductor wafer 3.

Die unterschiedlichen Merkmale einzelner Elemente des oben beschriebenen Substratträger 1 können frei kombiniert oder ausgetauscht werden, sofern sie kompatibel sind.The different features of individual elements of the substrate carrier 1 described above can be freely combined or exchanged, provided they are compatible.

Fig. 5 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine Düsenanordnung für eine Vorrichtung zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten gemäß der vorliegenden Erfindung. In Fig. 5 ist ein Halbleiterwafer 3 als das zu behandelnde Substrat gezeigt, der über eine geeignete Vorrichtung, wie beispielsweise den gemäß den Figuren 1 bis 4 beschriebenen Trägerring 1 um eine Drehachse A gedreht wird, wie durch den Pfeil B angezeigt ist.5 shows a schematic top view of a nozzle arrangement for a device for treating disc-shaped substrates according to the present invention. 5 shows a semiconductor wafer 3 as the substrate to be treated, which is rotated about an axis of rotation A via a suitable device, such as, for example, the carrier ring 1 described in FIGS. 1 to 4, as indicated by the arrow B.

Die in Fig. 5 dargestellte Düsenanordnung weist eine erste Gruppe 40 von Düsen 42a bis 42g auf. Die Düsen 42a bis 42g der ersten Düsengruppe 40 erstrecken sich auf einer sich radial zur Drehachse A angeordneten Geraden. Dabei sind die Düsen 42a bis 42g mit unterschiedlichen Abständen zur Drehachse A angeordnet, wobei die Düse 42a am nächsten an der Drehachse A liegt und die Düse 42g am weitesten von der Drehachse entfernt ist.The nozzle arrangement shown in FIG. 5 has a first group 40 of nozzles 42a to 42g. The nozzles 42a to 42g of the first nozzle group 40 extend on a straight line arranged radially to the axis of rotation A. The nozzles 42a to 42g are arranged at different distances from the axis of rotation A, the nozzle 42a being closest to the axis of rotation A and the nozzle 42g being the farthest from the axis of rotation.

Natürlich kann auch je nach Größe des zu behandelnden Halbleiterwafers 3 oder sonstigen Anforderungen an die Behandlungsvorrichtung eine unterschiedliche Anzahl von Düsen für die erste Düsengruppe 40 gewählt werden. Auch ist es nicht notwendig, dass die Düsen 40 auf einer gemeinsamen Geraden angeordnet sind.Of course, depending on the size of the semiconductor wafer 3 to be treated or other requirements on the treatment device, a different number of nozzles can be selected for the first nozzle group 40. It is also not necessary that the nozzles 40 are arranged on a common straight line.

Die Düsen 42a bis 42g stehen über eine nicht dargestellte Gemeinschaftsleitung mit einer nicht dargestellten gemeinsamen Fluidversorgung in Verbindung. Aufgrund der Drehung des Halbleiterwafers 3 können die Düsen 42a bis 42g daher ein Fluid auf unterschiedlichen sich konzentrisch um die Drehachse A erstreckenden Ringen auf den Wafer 3 aufbringen. Dabei ist es möglich, dass über die gemeinsame Fluidversorgung nacheinander unterschiedliche Fluide, wie beispielsweise ein Reinigungs- und ein Spülfluid und/oder Fluidmi- schungen bereitgestellt werden. Natürlich ist es auch möglich, dass die Düsen 42a bis 42g jeweils über einzelne Leitungen mit einer gemeinsamen Fluidver- sorgung bzw. jeweils einzelnen Fluidversorgungen in Verbindung stehen. Auch ist es möglich, die Düsen 42a bis 42g der ersten Gruppe 40 von Düsen in Untergruppen aufzuteilen und jeweils die Düsen der Untergruppen mit einer Gemeinschaftsleitung bzw. einer gemeinsamen Fluidversorgung zu verbinden.The nozzles 42a to 42g are connected via a common line, not shown, to a common fluid supply, not shown. Due to the rotation of the semiconductor wafer 3, the nozzles 42a to 42g can therefore apply a fluid to the wafer 3 on different rings which extend concentrically about the axis of rotation A. It is possible that different fluids, such as a cleaning and a rinsing fluid and / or fluid mixtures, are provided in succession via the common fluid supply. Of course, it is also possible that the nozzles 42a to 42g are each connected to a common fluid supply or individual fluid supplies via individual lines. It is also possible to divide the nozzles 42a to 42g of the first group 40 of nozzles into subgroups and to connect the nozzles of the subgroups to a common line or a common fluid supply.

Die Düsen 42a bis 42g sind jeweils einzeln oder in Untergruppen ansteuerbar.The nozzles 42a to 42g can each be controlled individually or in subgroups.

Beispielsweise können die Düsen einzeln oder in Untergruppen selektiv ein- oder ausgeschaltet werden. Zusätzlich oder alternativ ist es möglich, die Durchflußmenge durch jede einzelne Düse bzw. Düsenuntergruppe und/oder den Öffnungs- bzw. Sprühwinkel einer Düse oder der Düsen einer Untergrup- pe zu steuern. Über die Durchflußmenge lassen sich beispielsweise Konzentrationsunterschiede auf der Waferoberfläche einstellen. Über den Öffnungsbzw. Sprühwinkel lassen sich unterschiedliche Strahlformen wie zum Beispiel ein (Voll-)Kegel-, Fächer- oder Punktstrahl einstellen, um gezielte Prozeßan- forderungen zu erfüllen. Für die Ansteuerung der Düsen ist eine nicht dargestellte Steuereinheit vorgesehen.For example, the nozzles can be selectively switched on or off individually or in subgroups. Additionally or alternatively, it is possible to control the flow rate through each individual nozzle or nozzle sub-group and / or the opening or spray angle of a nozzle or the nozzles of a sub-group. Concentration differences on the wafer surface can be set, for example, via the flow rate. About the opening or Spray angles can be set to different spray shapes, such as a (full) cone, fan or point spray, in order to to meet requirements. A control unit, not shown, is provided for controlling the nozzles.

Die Düsenanordnung gemäß Fig. 5 weist ferner eine zweite Düsengruppe 44 mit Düsen 46a bis 46e auf. Die Düsen 46a bis 46e der zweiten Düsengruppe 44 sind auf derselben Geraden angeordnet, wie die Düsen 42a bis 42g der ersten Gruppe 40 an Düsen jedoch auf einer entgegengesetzten Seite bezüglich der Drehachse A. Die Düsen 46a bis 46e sind wiederum mit unterschiedlichen Abständen bezüglich der Drehachse A angeordnet, wobei die Düse 46a am nächsten an der Drehachse A liegt und die Düse 46e am weitestens hiervon entfernt ist. In Kombination mit der Drehbewegung des Wafers 3 ist über die zweite Düsengruppe 44 ein Fluid in konzentrischen Ringen auf den Wafer 3 aufbringbar, wobei das Fluid beispielsweise eine Spülflüssigkeit wie Dl- Wasser ist.5 also has a second nozzle group 44 with nozzles 46a to 46e. The nozzles 46a to 46e of the second nozzle group 44 are arranged on the same straight line as the nozzles 42a to 42g of the first group 40 of nozzles but on an opposite side with respect to the axis of rotation A. The nozzles 46a to 46e are in turn at different distances with respect to the axis of rotation A is arranged, the nozzle 46a being closest to the axis of rotation A and the nozzle 46e being the farthest away therefrom. In combination with the rotational movement of the wafer 3, a fluid can be applied to the wafer 3 in concentric rings via the second nozzle group 44, the fluid being, for example, a rinsing liquid such as DI water.

Die Düsen 46a bis 46e der zweiten Düsengruppe sind in ähnlicher Weise wie die Düsen der ersten Düsengruppe 40 mit einer Fluidversorgung verbunden. Ferner sind die Düsen der zweiten Düsengruppe jeweils einzeln oder in Untergruppen ansteuerbar, und zwar in gleicher Weise wie die Düsen der ersten Düsengruppe 40.The nozzles 46a to 46e of the second nozzle group are connected to a fluid supply in a manner similar to the nozzles of the first nozzle group 40. Furthermore, the nozzles of the second nozzle group can be controlled individually or in subgroups, in the same way as the nozzles of the first nozzle group 40.

Die Düsenanordnung gemäß Fig. 5 weist zusätzlich eine dritte Düsengruppe 48 mit Düsen 50a bis 50e auf. Die Düsen 50a bis 50e sind auf derselben Geraden wie die Düsen 46a bis 46e der zweiten Düsengruppe 44 angeordnet, wobei sich die Düsen der ersten und zweiten Düsengruppen 44, 48 auf der Geraden abwechseln.5 additionally has a third nozzle group 48 with nozzles 50a to 50e. The nozzles 50a to 50e are arranged on the same straight line as the nozzles 46a to 46e of the second nozzle group 44, the nozzles of the first and second nozzle groups 44, 48 alternating on the straight line.

Über die Düsen der dritten Düsengruppe 48 ist wiederum ein Fluid, insbesondere ein Trocknungsfluid auf den Wafer 3 aufbringbar. Das Trocknungsfluid ist insbesondere ein die Oberflächenspannung eines sich auf dem Wafer befindlichen Fluids verringerndes Fluid, wie beispielsweise IPA (Isopropylalkohol). Die Düsen 50a bis 50e der dritten Düsengruppe 48 sind in gleicher Weise wie die der ersten oder zweiten Düsengruppe 40, 44 mit einer Fluidversorgung verbunden. Darüber hinaus sind die Düsen 50a bis 50e der dritten Düsengruppen 48 in ähnlicher Weise wie die Düsen der ersten bzw. zweiten Düsengruppe 40, 44 einzeln oder in Untergruppen ansteuerbar.A fluid, in particular a drying fluid, can in turn be applied to the wafer 3 via the nozzles of the third nozzle group 48. The drying fluid is in particular a fluid which reduces the surface tension of a fluid located on the wafer, such as IPA (isopropyl alcohol). The nozzles 50a to 50e of the third nozzle group 48 are in the same way as those of the first or second nozzle group 40, 44 with a fluid supply connected. In addition, the nozzles 50a to 50e of the third nozzle groups 48 can be controlled individually or in subgroups in a similar manner to the nozzles of the first and second nozzle groups 40, 44.

Die Düsenanordnung gemäß Fig. 5 weist ferner eine Zentrumsdüse 52 auf, die auf der Drehachse A angeordnet ist. Über die Zentrumsdüse 52 sind unterschiedliche Fluide, insbesondere die durch die drei Düsengruppen 40, 44, 48 aufbringbaren Fluide auf den Wafer aufbringbar. Die Zentrumsdüse weist Zuleitungen für die unterschiedlichen Fluide auf, um ein Vermischen der Flui- de in den Zuleitungen zu verhindern. Wenn eine Vermischung von Fluide nicht schädlich ist, können auch unterschiedliche Fluide über eine gemeinsame Zuleitung zur Zentrumsdüse 52 geleitet werden. Obwohl die in Fig. 5 dargestellte Düsengruppe als oberhalb des Wafers 3 liegend beschrieben wurde, kann die Düsenanordnung in gleicher weise auch unterhalb eines Wafers 3 angeordnet sein. Natürlich können entsprechende Düsengruppen auch oberhalb und unterhalb eines Wafers 3 angeordnet sein, um eine gleichzeitige Behandlung der entgegengesetzten Oberflächen des Wafers 3 zu erlauben. Die Düsen der jeweiligen Grupen sowie die Zentrumsdüse können entlang der Drehachse bewegbar sein, um den Abstand zum Substrat einzustellen. Dabei können die Düsen einzeln, in Gruppen oder gemeinsam bewegt werden.5 also has a center nozzle 52 which is arranged on the axis of rotation A. Different fluids, in particular the fluids that can be applied by the three nozzle groups 40, 44, 48, can be applied to the wafer via the center nozzle 52. The center nozzle has supply lines for the different fluids in order to prevent mixing of the fluids in the supply lines. If a mixing of fluids is not harmful, different fluids can also be fed to the center nozzle 52 via a common feed line. Although the nozzle group shown in FIG. 5 has been described as lying above the wafer 3, the nozzle arrangement can also be arranged below a wafer 3 in the same way. Corresponding nozzle groups can of course also be arranged above and below a wafer 3 in order to allow simultaneous treatment of the opposite surfaces of the wafer 3. The nozzles of the respective groups and the center nozzle can be movable along the axis of rotation in order to adjust the distance to the substrate. The nozzles can be moved individually, in groups or together.

Nachfolgend wird kurz die Funktion der Behandlungsvorrichtung gemäß Fig. 5 beschrieben. Zunächst wird der Wafer 3 über eine nicht näher dargestellte Vorrichtung um die Drehachse A gedreht, wie durch den Pfeil B angedeutet ist. Anschließend wird über die Zentrumsdüse 52 sowie die erste Düsengruppe 40 eine Behandlungsflüssigkeit, wie zum Beispiel eine Behandlungsflüssigkeit, auf den sich drehenden Wafer aufgebracht. Die Behandlungsflüssigkeit wird in sich konzentrisch erstreckenden Ringbereichen auf den Wafer 3 aufgebracht. Infolge der durch die Drehung entstehenden Fliehkraft strömt die Flüssigkeit nach außen ab und wird von der Waferoberfläche nach außen abgeschleudert. Nach einer vorgegebenen Behandlungszeit wird zunächst die Zentrumsdüse 52 auf eine Spülflüssigkeit umgestellt, d.h. statt einer Behandlungsflüssigkeit wird nun über die Zentrumsdüse 52 eine Spülflüssigkeit auf den Wafer 3 geleitet. Die Spülflüssigkeit verdrängt im Bereich der Zentrumsdüse 5 die auf den Wafer befindliche Behandlungsflüssigkeit. Nacheinander werden nun die Düsen 42a bis 42g abgeschaltet, um eine gleichmäßige Verdrängung der Behandlungsflüssigkeit zu erreichen. Alternativ ist es auch mög- lieh, die Düsen 42a bis 42g sequentiell von der Einleitung einer Behandlungsflüssigkeit auf die Einleitung einer Spülflüssigkeit umzustellen, um eine gleichmäßige Verdrängung der Behandlungsflüssigkeit von innen nach außen zu erreichen. Zusätzlich oder alternativ wird über die Düsen der zweiten oder dritten Düsengruppe 44, 48 zusätzlich Spülflüssigkeit auf den Wafer geleitet, wobei die Düsen jeweils sequentiell von innen nach außen zugeschaltet werden, und zwar entsprechend der Abschaltung der Düsen 42a bis 42g der ersten Düsengruppe. Hierdurch soll erreicht werden, dass die Düse über die Spülflüssigkeit eingeleitet wird, näher an der Drehachse A liegt, als die am weitesten innenliegende Düse der ersten Düsengruppe, über die eine Be- handlungsflüssigkeit auf den Wafer geleitet wird. Dies ermöglichst eine gute und gleichmäßige Verdrängung der Behandlungsflüssigkeit nach außen.The function of the treatment device according to FIG. 5 is briefly described below. First, the wafer 3 is rotated about the axis of rotation A via a device, not shown, as indicated by the arrow B. A treatment liquid, such as a treatment liquid, is then applied to the rotating wafer via the center nozzle 52 and the first nozzle group 40. The treatment liquid is applied to the wafer 3 in concentrically extending ring regions. As a result of the centrifugal force generated by the rotation, the liquid flows outward and is thrown outward from the wafer surface. After a predetermined treatment time, the center nozzle 52 is first switched to a rinsing liquid, ie instead of a treatment liquid, a rinsing liquid is now applied via the center nozzle 52 passed the wafer 3. The rinsing liquid displaces the treatment liquid located on the wafer in the region of the center nozzle 5. The nozzles 42a to 42g are now switched off in succession in order to achieve a uniform displacement of the treatment liquid. Alternatively, it is also possible to switch the nozzles 42a to 42g sequentially from the introduction of a treatment liquid to the introduction of a rinsing liquid in order to achieve a uniform displacement of the treatment liquid from the inside to the outside. Additionally or alternatively, additional rinsing liquid is fed onto the wafer via the nozzles of the second or third nozzle group 44, 48, the nozzles being switched on sequentially from the inside out, in accordance with the switching off of the nozzles 42a to 42g of the first nozzle group. This is intended to ensure that the nozzle is introduced via the rinsing liquid and is closer to the axis of rotation A than the innermost nozzle of the first nozzle group, via which a treatment liquid is directed onto the wafer. This enables a good and even displacement of the treatment liquid to the outside.

Nachdem die Behandlungsflüssigkeit vollständig verdrängt und der Wafer 3 ausreichend gespült ist, wird nun über die Zentrumsdüse 52 ein Trocknungsfluid auf die Oberfläche des Wafers 3 geleitet. Das Trocknungsfluid ist beispielsweise eine IPA-Stickstoffmischung (IPA=lsopropylalkohol), die die Oberflächenspannung des auf dem Wafer befindlichen Spülfluids an einer Grenzfläche dazwischen verringert und somit ein gutes Abtrocknen des Wafers erlaubt. Die Trocknungswirkung geht von der Drehachse A aus und brei- tet sich radial nach außen aus. Die das Spülfluid einleitenden Düsen werden von der Drehachse weg, d.h. von innen nach außen abgeschaltet. Als Beispiel nehmen wir an, dass Spülfluid über die zweite Düsengruppe 44 auf die Oberfläche des Wafers 3 eingeleitet wurde, d.h. es wird zunächst als erstes die Düse 46a abgeschaltet und anschließend die Düse 46b usw. Nachdem die Düse 46a abgeschaltet wurde, wird beispielsweise über eine bezüglich derAfter the treatment liquid has been completely displaced and the wafer 3 has been rinsed sufficiently, a drying fluid is now directed onto the surface of the wafer 3 via the center nozzle 52. The drying fluid is, for example, an IPA-nitrogen mixture (IPA = isopropyl alcohol), which reduces the surface tension of the rinsing fluid on the wafer at an interface therebetween and thus allows the wafer to dry well. The drying effect starts from the axis of rotation A and spreads radially outwards. The nozzles introducing the flushing fluid are moved away from the axis of rotation, i.e. switched off from the inside out. As an example, let us assume that rinsing fluid was introduced to the surface of the wafer 3 via the second nozzle group 44, i.e. first the nozzle 46a is switched off and then the nozzle 46b etc. After the nozzle 46a has been switched off, for example, a reference is made to FIG

Düse 46b innenliegende Düse, wie beispielsweise die Düse 50a ebenfalls Trocknungsfluid eingeleitet, um die gleichmäßige, sich radial ausbreitende Trocknung des Wafers zu unterstützen. Der obige Funktionsablauf stellt nur einen der vielen möglichen Funktionsabläufe dar, da die jeweiligen Düsen der einzelnen Düsengruppen 40, 44, 48 jeweils einzeln ansteuerbar sind. Es ist daher beispielsweise nicht notwendig, bei einer Reinigung des Wafers alle Düsen der ersten Düsengruppe, wie es beispielsweise in Fig. 7A gezeigt ist, einzusetzen. Für eine selektive Randreinigung können beispielsweise nur die äußeren Düsen eingesetzt werden, wie in Fig. 7B dargestellt ist. Ferner ist auch eine flächige Reinigung über eine einzelne der Düsen der ersten Düsengruppe 40 denkbar, indem der Öffnungs- oder Sprühwinkel der Düse verändert wird, wie in Fig. 7C angedeutet ist. Auch ist es möglich, dass beispielsweise die Zentrumsdüse allein ein Fluid, wie beispielsweise ein Spülfluid auf im Wesentlichen die gesamte Oberfläche des Wafers 3 aufbringt, wie beispielsweise in Fig. 7D angedeutet ist.Nozzle 46b internal nozzle, such as nozzle 50a, also introduces drying fluid to aid the uniform, radially expanding drying of the wafer. The above functional sequence represents only one of the many possible functional sequences, since the respective nozzles of the individual nozzle groups 40, 44, 48 can each be controlled individually. It is therefore not necessary, for example, to use all the nozzles of the first nozzle group when cleaning the wafer, as is shown, for example, in FIG. 7A. For example, only the outer nozzles can be used for selective edge cleaning, as shown in FIG. 7B. Furthermore, surface cleaning via a single one of the nozzles of the first nozzle group 40 is also conceivable by changing the opening or spray angle of the nozzle, as indicated in FIG. 7C. It is also possible that, for example, the center nozzle alone applies a fluid, such as a rinsing fluid, to substantially the entire surface of the wafer 3, as is indicated, for example, in FIG. 7D.

Fig. 6 zeigt eine alternative Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Düsenanordnung. Bei der Beschreibung der Fig. 6 werden dieselben Bezugszeichen wie in Fig. 5 verwendet, sofern ähnliche oder identische Elemente bezeichnet werden. Fig. 6 zeigt einen Halbleiterwafer 3, der wie durch den Pfeil B angezeigt ist, um eine Drehachse A drehbar ist. Die Düsenanordnung weist eine erste Düsengruppe 40 mit einer Vielzahl von Düsen auf, die im Wesentlichen der erste Düsengruppe gemäß Fig. 5 entspricht. Die Düsenanordnung weist ferner zweite und dritte Düsengruppen 44, 48 mit einer Vielzahl von Düsen auf, und zwar im Wesentlichen entsprechend den zweiten und dritten Düsengruppen 44, 48 gemäß Fig. 5. Bei dem in Fig. 6 dargestellten Ausfüh- rungsbeispiel weisen die Düsengruppen 44, 48 jedoch jeweils sieben statt fünf6 shows an alternative embodiment of a nozzle arrangement according to the invention. The same reference numerals as in FIG. 5 are used in the description of FIG. 6, provided that similar or identical elements are designated. FIG. 6 shows a semiconductor wafer 3 which, as indicated by arrow B, can be rotated about an axis of rotation A. The nozzle arrangement has a first nozzle group 40 with a plurality of nozzles, which essentially corresponds to the first nozzle group according to FIG. 5. The nozzle arrangement furthermore has second and third nozzle groups 44, 48 with a plurality of nozzles, essentially corresponding to the second and third nozzle groups 44, 48 according to FIG. 5. In the exemplary embodiment shown in FIG. 6, the nozzle groups 44 , 48 but seven instead of five

Düsen auf. Darüber hinaus liegen die Düsen der zweiten und dritten Düsengruppen 44, 48 nicht auf einer gemeinsamen Geraden, vielmehr liegen die Düsen auf zueinander versetzten parallelen Geraden. Diese versetzte Anordnung ermöglicht auch die Anordnung mehrerer Düsen entlang der jeweiligen Geraden. Dabei sind die Düsen der Düsengruppen 44, 48 jeweils mit unterschiedlichen Abständen zur Drehachse A angeordnet. Auf einer Abstandslinie ausgehend von der Drehachse A aus wechseln sich die Düsen der zweiten und dritten Düsengruppe 44, 48 jeweils ab. Dies gilt darüber hinaus auch bezüglich der ersten Düsengruppe 40.Nozzles on. In addition, the nozzles of the second and third nozzle groups 44, 48 do not lie on a common straight line, rather the nozzles lie on parallel straight lines offset from one another. This offset arrangement also enables the arrangement of several nozzles along the respective straight line. The nozzles of the nozzle groups 44, 48 are each arranged at different distances from the axis of rotation A. The nozzles of the second alternate on a distance line starting from the axis of rotation A and third nozzle group 44, 48 each. This also applies to the first nozzle group 40.

Die Düsenanordnung weist wiederum eine Zentrumsdüse 52 auf. Die Funkti- onsweise der Düsenanordnung gemäß Fig. 6 entspricht im Wesentlichen der Funktionsweise der Düsenanordnung gemäß Fig. 5.The nozzle arrangement in turn has a center nozzle 52. The function of the nozzle arrangement according to FIG. 6 essentially corresponds to the function of the nozzle arrangement according to FIG. 5.

Fig. 8 zeigt eine weitere erfindungsgemäße Düsenanordnung. Bei der Beschreibung der Fig. 8 werden dieselben Bezugszeichen wie bei Fig. 5 oder 6 verwendet, sofern dieselben oder ähnliche Elemente bezeichnet sind.8 shows a further nozzle arrangement according to the invention. In the description of FIG. 8, the same reference numerals are used as in FIG. 5 or 6, provided that the same or similar elements are identified.

Ein Halbleiterwafer 3 ist unterhalb der Düsenanordnung angeordnet und durch eine nicht näher dargestellte Vorrichtung um eine Drehachse A drehbar, wie durch den Pfeil B angedeutet ist. Die Düsenanordnung weist eine erste Dü- sengruppe 60 sowie eine zweite Düsengruppe 62 auf, die entlang einer sich durch die Drehachse A erstreckenden Geraden angeordnet sind. Wie die zweiten und dritten Düsengruppen gemäß Fig. 5 wechseln sich die jeweiligen Düsen der Düsengruppen 60, 62 entlang der Geraden X-X ab. Die Düsengruppen 60, 62 werden in gleicher Weise wie die zweiten und dritten Düsen- gruppen 44, 48 gemäß Fig. 5 mit Fluid versorgt und angesteuert. Wiederum ist eine Zentrumsdüse 52 vorgesehen, die auf der Drehachse A liegt. Somit gleicht die Düsenanordnung gemäß Fig. 8 im Wesentlichen der Düsenanordnung gemäß Fig. 5, wobei jedoch die erste Düsengruppe 40 gemäß Fig. 5 entfällt.A semiconductor wafer 3 is arranged below the nozzle arrangement and can be rotated about an axis of rotation A by a device, not shown, as indicated by the arrow B. The nozzle arrangement has a first nozzle group 60 and a second nozzle group 62, which are arranged along a straight line extending through the axis of rotation A. Like the second and third nozzle groups according to FIG. 5, the respective nozzles of the nozzle groups 60, 62 alternate along the straight line X-X. The nozzle groups 60, 62 are supplied with fluid and controlled in the same way as the second and third nozzle groups 44, 48 according to FIG. 5. Again, a center nozzle 52 is provided which lies on the axis of rotation A. Thus, the nozzle arrangement according to FIG. 8 essentially corresponds to the nozzle arrangement according to FIG. 5, but the first nozzle group 40 according to FIG. 5 is omitted.

Fig. 8B zeigt einen Schnitt durch eine Düse 64 der ersten Düsengruppe 60 entlang der Linie X-X in Fig. 8A. Wie in der Schnittansicht zu erkennen ist, ist die Düse bezüglich der Drehachse A geneigt, und zwar derart, dass ein von der Düse 64 ausgehender Fluidstrahl von der Drehachse A weggerichtet ist. Hierdurch wird die Verdrängung eines sich auf dem Substrat 3 befindlichen Fluids noch gefördert, da der Strahl 66 in Verdrängungsrichtung weist. Darüber hinaus kann die Düse 64 auch entlang der Linie Y-Y in Fig. 8A geneigt sein, um eine tangentiale Komponente des Düsenstrahls bezüglich eines zur Drehachse A konzentrischen Bereichs auf dem Substrat 3 vorzusehen. Eine derartige Neigung der Düse kann bei allen Düsen der unterschiedlichen Düsengruppen aller Ausführungsbeispiele vorgesehen sein, wobei sich die Neigung zwischen den Düsengruppen und/oder den einzelnen Düsen unterschei- den kann. Ferner ist es möglich die Düsen derart beweglich auszubilden, dass der Winkel der Düsen einzeln und/oder in Gruppen veränderbar ist.FIG. 8B shows a section through a nozzle 64 of the first nozzle group 60 along the line XX in FIG. 8A. As can be seen in the sectional view, the nozzle is inclined with respect to the axis of rotation A in such a way that a fluid jet emanating from the nozzle 64 is directed away from the axis of rotation A. As a result, the displacement of a fluid located on the substrate 3 is further promoted, since the jet 66 points in the direction of displacement. In addition, the nozzle 64 can also be inclined along the line YY in FIG. 8A in order to form a tangential component of the nozzle jet with respect to one Provide axis of rotation A concentric area on the substrate 3. Such an inclination of the nozzle can be provided for all nozzles of the different nozzle groups of all exemplary embodiments, it being possible for the inclination to differ between the nozzle groups and / or the individual nozzles. Furthermore, it is possible to design the nozzles to be movable such that the angle of the nozzles can be changed individually and / or in groups.

Anhand der Figuren 9A bis 9H wird nun eine Spülung und Trocknung eines Halbleiterwafers beschrieben. In Fig. 9 werden dieselben Bezugszeichen wie bei vorhergehenden Figuren verwendet, sofern dieselben oder äquivalente Elemente beschrieben werden.Rinsing and drying of a semiconductor wafer will now be described with reference to FIGS. 9A to 9H. 9, the same reference numerals are used as in previous figures, provided that the same or equivalent elements are described.

Fig. 9A zeigt eine Behandlungsvorrichtung 70 für Halbleiterwafer 3. Die Vorrichtung 70 weist ein, eine Behandlungskammer 72 bildendes Gehäuse, mit einer oberen Wand 74, einer unteren Wand 76 sowie Seitenwänden 78 auf. Das Gehäuse weist eine geeignete Öffnung zum Einführen des Halbleiterwafers 3 auf, die jedoch nicht näher dargestellt ist. Innerhalb der Kammer 72 ist ein Substratträger 1 mit einem Trägerring 5 vorgesehen. Am Trägerring 5 sind wie bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 Auflageelemente 8 vorgese- hen, um einen Halbleiterwafer 3 oberhalb einer durch das Trägerring 5 gebildeten Ebene zu halten. An der oberen Wand 74 sowie der unteren Wand 76 sind jeweils erste und zweite in die Kammer 72 gerichtete Düsengruppen 80, 82 vorgesehen. Die Düsengruppen sind wie bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 8 auf einer gemeinsamen Geraden angeordnet und die Düsen der jeweiligen Düsengruppen wechseln sich ab. Die Düsen der ersten Düsengruppe 80 sind in Fig. 9 mit 80a bis 80f versehen, da die Düsengruppe 80 sechs Düsen aufweist. Die Düsen der zweiten Düsengruppe 82 sind mit 82a bis 82f bezeichnet.9A shows a treatment device 70 for semiconductor wafers 3. The device 70 has a housing forming a treatment chamber 72, with an upper wall 74, a lower wall 76 and side walls 78. The housing has a suitable opening for inserting the semiconductor wafer 3, which is not shown in detail, however. A substrate carrier 1 with a carrier ring 5 is provided within the chamber 72. As in the exemplary embodiment according to FIG. 2, support elements 8 are provided on the carrier ring 5 in order to hold a semiconductor wafer 3 above a plane formed by the carrier ring 5. First and second nozzle groups 80, 82 directed into the chamber 72 are provided on the upper wall 74 and the lower wall 76. As in the exemplary embodiment according to FIG. 8, the nozzle groups are arranged on a common straight line and the nozzles of the respective nozzle groups alternate. The nozzles of the first nozzle group 80 are provided with 80a to 80f in FIG. 9, since the nozzle group 80 has six nozzles. The nozzles of the second nozzle group 82 are denoted by 82a to 82f.

Zur Behandlung des Halbleiterwafers 3 wird dieser zunächst über den Substratträger 1 um eine nicht eingezeichnete Mittelachse gedreht. Über die Düsen 80a und 80b der ersten Düsengruppe 80 wird ein Spülfluid 88, wie beispielsweise Dl-Wasser auf die Ober- und Unterseite des Wafers 3 geleitet. Infolge der Zentrifugalkraft wird das Spülfluid über die Oberflächen des Wafer 3 nach außen geschleudert und deckt somit die gesamte Ober- und Unterseite des Wafers 3 ab, wie deutlich in Fig. 9A zu erkennen ist.To treat the semiconductor wafer 3, it is first rotated about a central axis (not shown) via the substrate carrier 1. A rinsing fluid 88, such as DI water, is directed to the top and bottom of the wafer 3 via the nozzles 80a and 80b of the first nozzle group 80. As a result of the centrifugal force, the rinsing fluid is thrown outwards over the surfaces of the wafer 3 and thus covers the entire top and bottom of the wafer 3, as can be clearly seen in FIG. 9A.

Nach einer bestimmten Spülzeit wird, wie in Fig. 9B zu erkennen ist, über die Zentrumsdüse 52 ein Trocknungsfluid im Bereich der Drehachse auf die Ober- und Unterseite des Wafers 3 aufgebracht. Das Trocknungsfluid 90 ist beispielsweise ein die Oberflächenspannung des Spülfluids 88 verringerndes Fluid. Hierdurch kommt es zu einem zentrischen Abtrocknen des Wafers. An- schließend wird die Düse 80a der ersten Düsengruppe 80 abgeschaltet und die Düse 80c zugeschaltet, so dass nunmehr Spülfluid über die Düsen 80b und 80c auf die Ober- und Unterseite des Wafers geleitet wird, wie in Fig. 9C zu erkennen ist. Ferner wird nunmehr über die Düse 82a der zweiten Düsengruppe 82 das Trocknungsfluid 90 auf die Ober- und Unterseite des Wafers 3 geleitet, um eine radiale Ausdehnung des zentrischen Trocknungsbereichs vorzusehen. Wie in den Figuren 9D bis 9F zu erkennen ist, werden sequentiell jeweils die innerste (d.h. am nächsten an der Drehachse liegende) Düse der ersten Düsengruppe 80 abgeschaltet und eine weiter außen liegende Düse zugeschaltet, um das Spülfluid auf die Ober- und Unterseite des Wafer 3 zu leiten. In gleicher Weise wird jeweils eine weiter von der Drehachse entfernte Düse der zweiten Düsengruppe 82 dazu verwendet, das Trocknungsfluid 90 auf die Ober- und Unterseite des Wafers 3 zu leiten, um einen sich radial ausdehnenden Trocknungsbereich vorzusehen. Bei der Ansicht gemäß Fig. 9F wird über die zwei äußersten Düsen 80e und 80f der ersten Düsengruppe 80 Spülfluid 88 auf die Ober- und Unterseite des Wafers 3 aufgebracht. Wenn nun die Düse 80e abgeschaltet wird, wird keine zusätzliche Düse zugeschaltet, so dass das Spülfluid 88 ausschließlich über die äußerste Düse 80f auf den Wafer 3 geleitet wird, wie in Fig. 9G zu sehen ist. Wie in Fig. 9G ferner zu sehen ist, wird über die bezüglich der Düse 80f innenliegende Düsen 82e der zweiten Düsengruppe 82 weiterhin Trocknungsfluid auf den Wafer 3 geleitet.After a certain rinsing time, as can be seen in FIG. 9B, a drying fluid in the region of the axis of rotation is applied to the top and bottom of the wafer 3 via the center nozzle 52. The drying fluid 90 is, for example, a fluid that reduces the surface tension of the rinsing fluid 88. This results in a central drying of the wafer. The nozzle 80a of the first nozzle group 80 is then switched off and the nozzle 80c switched on, so that rinsing fluid is now directed via the nozzles 80b and 80c onto the top and bottom of the wafer, as can be seen in FIG. 9C. Furthermore, the drying fluid 90 is now directed to the top and bottom of the wafer 3 via the nozzle 82a of the second nozzle group 82 in order to provide a radial expansion of the central drying region. As can be seen in FIGS. 9D to 9F, the innermost (ie closest to the axis of rotation) nozzle of the first nozzle group 80 is switched off sequentially and a nozzle located further out is switched on in order to flush the rinsing fluid onto the top and bottom of the wafer 3 to lead. In the same way, a nozzle of the second nozzle group 82 which is further away from the axis of rotation is used in each case to guide the drying fluid 90 onto the top and bottom of the wafer 3 in order to provide a radially expanding drying area. In the view according to FIG. 9F, rinsing fluid 88 is applied to the top and bottom of the wafer 3 via the two outermost nozzles 80e and 80f of the first nozzle group 80. If the nozzle 80e is now switched off, no additional nozzle is switched on, so that the rinsing fluid 88 is directed onto the wafer 3 exclusively via the outermost nozzle 80f, as can be seen in FIG. 9G. As can also be seen in FIG. 9G, drying fluid continues to be directed onto the wafer 3 via the nozzles 82e of the second nozzle group 82, which nozzles are located inside the nozzle 80f.

Nach dem Abschalten der letzten Düse 80f der ersten Düsengruppe 80 wird Trocknungsfluid über die äußerste Düse 82f auf den Wafer 3 geleitet, wie in Fig. 9H zu sehen ist. Hierdurch wird eine vollständige Trocknung des Wafers auch im Randbereich des Wafers sichergestellt. Fig. 9 zeigt die Vorrichtung 70 nach Beendigung der Trocknung des Wafers 3. Der Wafer 3 ist vollständig abgetrocknet. Alle Düsen befinden sich in einem abgeschalteten Zustand und der Wafer 3 kann nunmehr über eine nicht dargestellte Handhabungsvorrich- tung entnommen werden.After the last nozzle 80f of the first nozzle group 80 has been switched off, drying fluid is directed onto the wafer 3 via the outermost nozzle 82f, as can be seen in FIG. 9H. This will completely dry the wafer also ensured in the edge area of the wafer. FIG. 9 shows the device 70 after the drying of the wafer 3 has ended. The wafer 3 has dried completely. All nozzles are in a switched-off state and the wafer 3 can now be removed using a handling device, not shown.

Anhand der Figuren 10a bis 10d wird nachfolgend die Schaltsequenz der einzelnen Düsen der Vorrichtung 70 zwischen den Ansichten gemäß Fig. 9C und Fig. 9D erklärt. Fig. 10A entspricht der Fig. 9C während Fig. 10D der Fig. 9D entspricht. Die Figuren 10B und 10C stellen Zwischenschritte dar. Wie in Fig. 10A zu erkennen ist, wird über die Düsen 80B und 80C Spülfluid 88 auf die Ober- und Unterseite eines sich drehenden Wafers 3 aufgebracht. Trocknungsfluid wird über die Düse 82A auf den Wafer 3 aufgebracht. Alle anderen Düsen befinden sich in einem abgeschalteten Zustand.The switching sequence of the individual nozzles of the device 70 between the views according to FIGS. 9C and 9D is explained below with reference to FIGS. 10a to 10d. FIG. 10A corresponds to FIG. 9C while FIG. 10D corresponds to FIG. 9D. FIGS. 10B and 10C represent intermediate steps. As can be seen in FIG. 10A, rinsing fluid 88 is applied to the top and bottom of a rotating wafer 3 via the nozzles 80B and 80C. Drying fluid is applied to the wafer 3 via the nozzle 82A. All other nozzles are in a switched off state.

Als nächstes wird, wie in Fig. 10B gezeigt ist, die Düse 80d der ersten Düsengruppe 80 zugeschaltet. Somit wird nun über die Düsen 80b, 80c und 80d Spülfluid 88 auf den Wafer 3 geleitet. Trocknungsfluid wird weiterhin über die Düse 82a auf den Wafer 3 geleitet. Anschließend wird, wie in Fig. 10C zu se- hen ist, die Düse 80b abgeschaltet, so dass das Spülfluid nur noch über die Düsen 80c und 80d auf den Wafer 3 geleitet wird. Trocknungsfluid wird weiterhin über die Düse 82a auf den Wafer 3 geleitet, um zunächst eine Trocknung radial außerhalb des Aufbringbereichs der Düse 82b zu erreichen. Abschließend wird die Düse 82a geschlossen und die Düse 82b geöffnet, um die in Fig. 10D gezeigte Trocknungssituation zu erhalten. Durch die dargestellte Schaltsequenz wird eine gleichmäßige Trocknung von der Mitte des Substrats nach außen hin erreicht. Natürlich ist auch jede andere geeignet Schaltsequenz einsetzbar. Statt der Verwendung eines Spülfluids 88 kann natürlich auch ein weiteres Behandlungsfluid oder ein Trocknungsfluid eingesetzt wer- den.Next, as shown in FIG. 10B, the nozzle 80d of the first nozzle group 80 is switched on. Thus, rinsing fluid 88 is now directed onto the wafer 3 via the nozzles 80b, 80c and 80d. Drying fluid continues to be directed onto the wafer 3 via the nozzle 82a. Subsequently, as can be seen in FIG. 10C, the nozzle 80b is switched off, so that the rinsing fluid is only directed onto the wafer 3 via the nozzles 80c and 80d. Drying fluid is further directed onto the wafer 3 via the nozzle 82a in order to first achieve drying radially outside the application area of the nozzle 82b. Finally, the nozzle 82a is closed and the nozzle 82b is opened in order to maintain the drying situation shown in FIG. 10D. The switching sequence shown results in uniform drying from the center of the substrate to the outside. Of course, any other suitable switching sequence can also be used. Instead of using a rinsing fluid 88, it is of course also possible to use a further treatment fluid or a drying fluid.

Die Erfindung wurde zuvor anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben, ohne auf die konkret dargestellten Ausführungsbeispiele be- schränkt zu sein. Insbesondere sind unterschiedliche Anzahlen von Düsen innerhalb der jeweiligen Düsengruppen denkbar. Auch ist es nicht notwendig, dass die Düsen der jeweiligen Düsengruppen auf einer Geraden angeordnet sind. Sollten die Düsen der jeweiligen Düsengruppen auf Geraden angeordnet sein, ist es nicht notwendig, dass sie auf gemeinsamen oder parallelen Geraden angeordnet sind. Vielmehr können sich die Geraden der jeweiligen Düsengruppen unter einem beliebigen Winkel schneiden. Natürlich ist die erfindungsgemäße Vorrichtung auch nicht auf die Behandlung von Halbleiterwa- fern beschränkt. Vielmehr können beliebige scheibenförmige Substrate, wie beispielsweise Masken für die Halbleiterherstellung etc. in der erfindungsgemäßen Vorrichtung behandelt werden. Erfindungsgemäß kann die erfindungsgemäße Behandlungsvorrichtung mit einer einzelnen Düsengruppe auskommen, wobei die einzelnen Düsen der Düsengruppe mit gleichen und/oder unterschiedlichen Fluids beaufschlagbar sind. Statt einer von den Düsengruppen separaten Zentrumsdüse kann auch eine auf die Drehmitte des Substrats gerichtete Düse einer oder mehrerer der Düsengruppen vorgesehen sein. Unterschiedliche Merkmale der alternativen Düsenanordnungen können miteinander kombiniert werden, sofern sie kompatibel sind. Die Düsenanordnungen können insbesondere vorteilhaft mit dem drehbaren Substratträger eingesetzt werden. The invention has been described above on the basis of preferred exemplary embodiments, without referring to the specifically illustrated exemplary embodiments. to be restricted. In particular, different numbers of nozzles are conceivable within the respective nozzle groups. It is also not necessary for the nozzles of the respective nozzle groups to be arranged on a straight line. If the nozzles of the respective nozzle groups are arranged on straight lines, it is not necessary that they are arranged on common or parallel straight lines. Rather, the straight lines of the respective nozzle groups can intersect at any angle. Of course, the device according to the invention is also not limited to the treatment of semiconductor wafers. Rather, any disk-shaped substrates, such as masks for semiconductor production etc. can be treated in the device according to the invention. According to the invention, the treatment device according to the invention can make do with a single nozzle group, wherein the individual nozzles of the nozzle group can be acted upon with the same and / or different fluids. Instead of a center nozzle separate from the nozzle groups, a nozzle directed towards the center of rotation of the substrate of one or more of the nozzle groups can also be provided. Different features of the alternative nozzle arrangements can be combined as long as they are compatible. The nozzle arrangements can be used particularly advantageously with the rotatable substrate carrier.

Claims

Patentansprüche claims

1. Vorrichtung zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, mit einer Vorrichtung zum Drehen der Substrate (3) um eine Drehachse (A) und wenigstens einer ersten Gruppe (40; 60;1. Device for treating disc-shaped substrates, in particular semiconductor wafers, with a device for rotating the substrates (3) about an axis of rotation (A) and at least one first group (40; 60;

80) von Düsen, bei der die Düsen unterschiedliche Abstände zur Drehachse (A) aufweisen, dadurch gekennzeichnet, dass die Düsen einzeln oder in Untergruppen ansteuerbar sind.80) of nozzles in which the nozzles are at different distances from the axis of rotation (A), characterized in that the nozzles can be controlled individually or in subgroups.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1 , gekennzeichnet durch wenigstens eine weitere Gruppe (44, 48; 62; 82) von Düsen, bei der die Düsen unterschiedliche Abstände zur Drehachse (A) aufweisen.2. Device according to claim 1, characterized by at least one further group (44, 48; 62; 82) of nozzles, in which the nozzles have different distances from the axis of rotation (A).

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Düsen der weiteren Gruppe (44, 48; 62; 82) einzeln oder in Untergruppen ansteuerbar sind.3. Device according to claim 2, characterized in that the nozzles of the further group (44, 48; 62; 82) can be controlled individually or in subgroups.

4. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass drei Gruppen (40, 44, 48) vorgesehen sind.4. Apparatus according to claim 2 or 3, characterized in that three groups (40, 44, 48) are provided.

5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass Düsen wenigstens einer weiteren Gruppe (44, 48; 62; 82) hinsichtlich des Abstandes zur Drehachse (A) versetzt zu den Düsen der ersten Gruppe (40; 60; 80) angeordnet sind.5. Device according to one of claims 2 to 4, characterized in that nozzles of at least one further group (44, 48; 62; 82) with respect to the distance to the axis of rotation (A) offset to the nozzles of the first group (40; 60; 80 ) are arranged.

6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Düsen wenigstens einer Gruppe (40, 44, 48; 60, 62; 80, auf einer sich radial zur Drehachse (A) erstreckenden Geraden angeordnet sind.6. Device according to one of the preceding claims, characterized in that nozzles of at least one group (40, 44, 48; 60, 62; 80, are arranged on a straight line extending radially to the axis of rotation (A).

7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dass die Düsen wenigstens zweier Gruppen (44, 48; 60, 62; 80, 82) auf einer gemeinsamen Geraden liegen. 7. The device according to claim 6, that the nozzles of at least two groups (44, 48; 60, 62; 80, 82) lie on a common straight line.

8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Düsen einer Gruppe (44, 48; 60, 62; 80, 82) zwischen den Düsen der anderen Gruppe (48, 44; 62, 60; 82, 80) liegen.8. The device according to claim 7, characterized in that the nozzles of one group (44, 48; 60, 62; 80, 82) lie between the nozzles of the other group (48, 44; 62, 60; 82, 80).

9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Düsen wenigstens einer Gruppe (40, 44, 48; 60, 62; 80, 82) über eine gemeinsamen Fluidversorgungseinheit mit Fluid beaufschlagbar sind.9. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the nozzles of at least one group (40, 44, 48; 60, 62; 80, 82) can be acted upon with fluid via a common fluid supply unit.

10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Düsen wenigstens einer Gruppe (40, 44, 48; 60, 62; 80, 82) über eine gemeinsame Druckleitung mit Fluid beaufschlagbar sind.10. The device according to claim 9, characterized in that the nozzles of at least one group (40, 44, 48; 60, 62; 80, 82) can be acted upon with fluid via a common pressure line.

11. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge- kennzeichnet, dass die Düsen wenigstens einer Gruppe (40, 44, 48; 60,11. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the nozzles of at least one group (40, 44, 48; 60,

62; 80, 82) mit unterschiedlichen Fluids beaufschlagbar sind.62; 80, 82) can be acted upon with different fluids.

12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Düsen wenigstens einer Gruppe einzeln oder in Untergruppen zu- und abschaltbar sind.12. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the nozzles of at least one group can be switched on and off individually or in subgroups.

13. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Form des Düsenstrahls und/oder die Durchflussmenge wenigstens eine Düse wenigstens einer Gruppe (40, 44, 48; 60, 62; 80, 82) veränderbar ist.13. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the shape of the nozzle jet and / or the flow rate of at least one nozzle of at least one group (40, 44, 48; 60, 62; 80, 82) is variable.

14. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Düse (52) auf bzw. im Bereich der Drehachse (A) angeordnet ist.14. Device according to one of the preceding claims, characterized in that a nozzle (52) is arranged on or in the region of the axis of rotation (A).

15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Düse (52) mit unterschiedlichen Fluids beaufschlagbar ist. 15. The apparatus according to claim 14, characterized in that the nozzle (52) can be acted upon with different fluids.

16. Vorrichtung nach Anspruch 15, gekennzeichnet durch wenigstens zwei getrennte Zuleitungen für unterschiedliche Fluids.16. The apparatus according to claim 15, characterized by at least two separate feed lines for different fluids.

17. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge- kennzeichnet, dass jeweils wenigstens eine Gruppe (40, 44, 48; 60, 62;17. Device according to one of the preceding claims, characterized in that in each case at least one group (40, 44, 48; 60, 62;

80, 82) von Düsen oberhalb und unterhalb des Substrats vorgesehen ist.80, 82) is provided by nozzles above and below the substrate.

18. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche in Kombination mit einer Vorrichtung nach einem der Ansprüche 31 bis 43.18. Device according to one of the preceding claims in combination with a device according to one of claims 31 to 43.

19. Verfahren zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, bei dem die Substrate um eine im wesentlichen senkrecht zur Ebene der Substrate angeordnete Drehachse gedreht werden und über wenigstens eine erste Gruppe von Düsen, die unterschied- liehe Abstände zur Drehachse aufweisen, ein erstes Fluid aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Düsen einzeln oder in Untergruppen angesteuert werden, um eine selektive Behandlung von Oberflächenbereichen des Substrats zu erreichen.19. A method for treating disc-shaped substrates, in particular semiconductor wafers, in which the substrates are rotated about an axis of rotation arranged essentially perpendicular to the plane of the substrates and a first fluid via at least a first group of nozzles which have different distances from the axis of rotation is applied, characterized in that the nozzles are controlled individually or in subgroups in order to achieve a selective treatment of surface areas of the substrate.

20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass zum Beenden der Behandlung mit dem ersten Fluid über wenigstens eine Düse wenigstens ein weiteres Fluid auf das Substrat geleitet wird.20. The method according to claim 19, characterized in that to end the treatment with the first fluid, at least one further fluid is passed onto the substrate via at least one nozzle.

21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass das weitere Fluid über wenigstens eine Düse wenigstens einer weiteren Gruppe von21. The method according to claim 20, characterized in that the further fluid via at least one nozzle of at least one further group of

Düsen auf das Substrat geleitet wird.Nozzles is directed onto the substrate.

22. Verfahren nach einem der Ansprüche 20 oder 21 , dadurch gekennzeichnet, dass das weitere Fluid über eine Düse aufgebracht wird, die näher an der Drehachse liegt als eine Düse über die das erste Fluid auf das22. The method according to any one of claims 20 or 21, characterized in that the further fluid is applied via a nozzle which is closer to the axis of rotation than a nozzle through which the first fluid on the

Substrat aufgebracht wird, um das erste Fluid nach außen zu verdrängen. Substrate is applied to displace the first fluid to the outside.

23. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Fluid aufbringende Düsen sequentiell von der Drehachse weg abgeschaltet oder auf das Aufbringen des zweiten Fluids umgeschaltet werden.23. The method according to claim 20, characterized in that the first fluid-applying nozzles are switched off sequentially away from the axis of rotation or switched to the application of the second fluid.

24. Verfahren nach Anspruch 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, dass das weitere Fluid aufbringende Düsen sequentiell von der Drehachse weg zugeschaltet werden.24. The method according to claim 21 or 22, characterized in that the further fluid-applying nozzles are switched on sequentially away from the axis of rotation.

25. Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das weitere Fluid anfänglich im Bereich der Drehachse auf das25. The method according to any one of claims 20 to 24, characterized in that the further fluid initially in the region of the axis of rotation on the

Substrat aufgebracht wird.Substrate is applied.

26. Verfahren nach einem der Ansprüche einem der Ansprüche 19 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlung mit dem weiteren Fluid durch aufbringen eines noch weiteren Fluids in derselben Weise beendet wird, wie die Behandlung mit dem ersten Fluid.26. The method according to any one of claims 19 to 25, characterized in that the treatment with the further fluid is ended by applying yet another fluid in the same manner as the treatment with the first fluid.

27. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Fluid eine Behandlungs-, Reinigungs- oder Spülflüssigkeit ist.27. The method according to any one of claims 19 to 26, characterized in that the first fluid is a treatment, cleaning or rinsing liquid.

28. Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein weiteres Fluid eine Spülflüssigkeit ist.28. The method according to any one of claims 20 to 27, characterized in that at least one further fluid is a rinsing liquid.

29. Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 38, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein weiteres Fluid ein die Oberflächenspannung des auf dem Substrat befindlichen Fluids verringerndes Fluid ist.29. The method according to any one of claims 20 to 38, characterized in that at least one further fluid is a fluid reducing the surface tension of the fluid located on the substrate.

30. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 29, gekennzeichnet durch eine gleichzeitige Behandlung der Ober- und Unterseite des Substrats.30. The method according to any one of claims 19 to 29, characterized by a simultaneous treatment of the top and bottom of the substrate.

31. Vorrichtung zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten (3), insbesondere Halbleiterwafern, mit einem im Wesentlichen ebenen Trägerring (5), der über eine Drehvorrichtung in der Ebene um eine Drehachse (A) drehbar ist, gekennzeichnet durch wenigstens drei sich aus der Ebene des Trägerrings (5) heraus erstreckende Auflageelemente (8), die beabstandet zur Ebene des Trägerrings (5) eine Mehrpunktauflage für das Substrat (3) bilden.31. Device for treating disc-shaped substrates (3), in particular semiconductor wafers, with an essentially flat carrier ring (5), which can be rotated in the plane about an axis of rotation (A) by means of a rotating device, characterized by at least three support elements (8) extending out of the plane of the carrier ring (5) and spaced apart from the plane of the carrier ring (5) Form a multi-point support for the substrate (3).

32. Vorrichtung nach Anspruch 31 , dadurch gekennzeichnet, dass Auflageflächen der Auflageelemente (8) auf einer Umfangskontur des Substrats (3) angeordnet sind.32. Device according to claim 31, characterized in that contact surfaces of the contact elements (8) are arranged on a peripheral contour of the substrate (3).

33. Vorrichtung nach Anspruch 31 oder 32, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Auflageelemente in den Bereich einer Mittelöffnung (6) des Trägerrings (5) erstrecken.33. Device according to claim 31 or 32, characterized in that the support elements extend into the region of a central opening (6) of the carrier ring (5).

34. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 31 bis 33, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Auflageelemente (8) vom Innenumfang des Trägerrings (5) aus erstrecken.34. Device according to one of claims 31 to 33, characterized in that the support elements (8) extend from the inner circumference of the carrier ring (5).

35. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 31 bis 34, dadurch gekennzeich- net, dass sich die Auflageelemente (8) schräg zur Ebene des Trägerrings35. Device according to one of claims 31 to 34, characterized in that the support elements (8) obliquely to the plane of the carrier ring

(5) erstrecken.(5) extend.

36. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 31 bis 35, dadurch gekennzeichnet, dass die Auflageflächen (12) der Auflageelemente (8) zur Ebene des Trägerrings (5) geneigt sind.36. Device according to one of claims 31 to 35, characterized in that the contact surfaces (12) of the contact elements (8) are inclined to the plane of the carrier ring (5).

37. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 31 bis 36, gekennzeichnet durch wenigstens zwei sich im wesentlichen senkrecht zur Ebene des Trägerrings (5) erstreckende Anschlagflächen (20) zum Begrenzen einer seitli- chen Bewegung des Substrats (3).37. Device according to one of claims 31 to 36, characterized by at least two stop surfaces (20) which extend substantially perpendicular to the plane of the carrier ring (5) to limit lateral movement of the substrate (3).

38. Vorrichtung nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlagflächen (20) an den Auflageelementen (8) ausgebildet sind. 38. Apparatus according to claim 37, characterized in that the stop surfaces (20) are formed on the support elements (8).

39. Vorrichtung nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlagflächen an separat von den Auflageelementen (8) vorgesehenen Anschlagelementen (27) vorgesehen sind.39. Device according to claim 37, characterized in that the stop surfaces are provided on stop elements (27) provided separately from the support elements (8).

40. Vorrichtung nach Anspruch 39, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlagelemente (27) beweglich am Trägerring (5) angebracht und zwischen einer freien und einer das Substrat (3) kontaktierenden Position bewegbar sind.40. Device according to claim 39, characterized in that the stop elements (27) are movably attached to the carrier ring (5) and are movable between a free position and a position contacting the substrate (3).

41. Vorrichtung nach Anspruch 39 oder 40, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlagelemente (27) durch eine Drehbewegung des Trägerrings (5) in Kontakt mit dem Substrat (3) bewegbar sind.41. Device according to claim 39 or 40, characterized in that the stop elements (27) can be moved in contact with the substrate (3) by a rotary movement of the carrier ring (5).

42. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 37 bis 41 , dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlagelemente (27) einen sich von den Anschlagflächen im Wesentlichen V-förmig erweiternden Querschnitt aufweisen.42. Device according to one of claims 37 to 41, characterized in that the stop elements (27) have a cross-section which widens substantially in a V-shape from the stop surfaces.

43. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 31 bis 42, dadurch gekennzeich- net, dass der Trägerring (5) und die damit assoziierte Drehvorrichtung unterhalb der Auflageflächen der Auflageelemente (8) liegt. 43. Device according to one of claims 31 to 42, characterized in that the carrier ring (5) and the rotating device associated therewith lies below the contact surfaces of the contact elements (8).