EP1419577A1 - Filter system with bulk wave resonator - Google Patents

Filter system with bulk wave resonator

Info

Publication number
EP1419577A1
EP1419577A1 EP02755508A EP02755508A EP1419577A1 EP 1419577 A1 EP1419577 A1 EP 1419577A1 EP 02755508 A EP02755508 A EP 02755508A EP 02755508 A EP02755508 A EP 02755508A EP 1419577 A1 EP1419577 A1 EP 1419577A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layer
electrode
filter arrangement
reflection element
piezoelectric layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP02755508A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Hans P. Loebl
Mareike K. Klee
Robert F. Milsom
Christof Metzmacher
Wolfgang Brand
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NXP BV
Original Assignee
Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Intellectual Property and Standards GmbH, Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Priority to EP02755508A priority Critical patent/EP1419577A1/en
Publication of EP1419577A1 publication Critical patent/EP1419577A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
    • H03H9/586—Means for mounting to a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/589—Acoustic mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
    • H03H9/58—Multiple crystal filters
    • H03H9/581—Multiple crystal filters comprising ceramic piezoelectric layers

Definitions

  • the invention relates to filter arrangements equipped with at least one volume wave resonator, which contains a resonator unit and a reflection element, the resonator unit having a first and a second electrode and a piezoelectric layer between the first and second electrodes. Furthermore, the invention also relates to a wireless data transmission system, a transmitter, a receiver and a mobile radio device equipped with a filter arrangement and a nolumen wave resonator.
  • the piezoelectric layer is a single crystal layer.
  • the material of the piezoelectric layer can be applied in a textured manner by producing a piezoelectric layer on a textured electrode.
  • the reflection element has several layers with alternating high and low acoustic impedance.
  • Such a reflection element is simple and inexpensive to manufacture.
  • the invention also relates to a bulk wave resonator which contains a resonator unit and a reflection element, the resonator unit having first and second electrodes and a textured piezoelectric layer between the first and second electrodes.
  • the reflection element 2 can consist of only a single layer with a sound reflection material which has a low acoustic impedance.
  • This sound reflection material can be an airgel, a xerogel, a glass foam, a foam-like adhesive, a foam or a low-density plastic.
  • the reflection element 2 can contain a plurality of layers 7, 8, 9, each with a mixture of at least two materials, the composition of the mixture, which is preferably amorphous, being continuous and relative to the layer thickness within each layer 7, 8, 9 varies periodically. It is preferred that each layer 7, 8, 9 of the reflection element 2 contains a mixture of SiO and Ta 2 O 5 or SiO and Si 3 N 4 . In this embodiment, the composition of the mixture varies periodically, for example sinusoidally, relative to the layer thickness in a layer 7, 8, 9.
  • the texture of the piezoelectric layer 4 can be improved up to single crystallinity by further methods such as laser annealing.
  • a seed layer for example made of PbZr x Ti 1-x O 3 with 0 ⁇ x 1 1 or PbTiO 3 , can be applied to the first electrode 3.
  • Suitable materials for a textured electrode 3, 5 when using A1N or ZnO as the piezoelectric material in the piezoelectric layer 4 are metals which preferably have a cubic surface-centered or hexagonally densely packed structure and whose surface also has an (III) orientation show hexagonal arrangement of the atoms.
  • Possible materials for a textured electrode 3, 5 with a face-centered cubic packing and an (III) orientation are, for example, Pt, Al, Al: Si, Al: Cu, Ti, Ni, Cu, Rh, Pd, Ag, r, Au , Ce and Yb.
  • Possible materials for a textured electrode 3, 5 with a hexagonally closest packing and a (111) orientation are, for example, Ti, Co, Zn, Y, Zr, Tc, Ru, Hf, Re, Os, Pr, Nd, Pm, Sm , Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm and Lu.
  • layer systems made of different metals are also suitable materials.
  • a textured electrode 3, 5 can contain Ti / Pt, Ti / Al, Ti / Al: Si and Ti / Al: Cu.
  • an alloy made of metals which has a face-centered cubic packing and an (11 l) orientation it is also possible to use an alloy made of metals which has a face-centered cubic packing and an (11 l) orientation. Alloys of metals, which have a face-centered cubic packing and a (11 l) orientation, with metals or
  • Pt (100) oriented By using a barrier layer made of MgO with a (100) orientation, Pt (100) oriented can first be grown as the first electrode 3. As a result, the above-mentioned piezoelectric materials can be grown as a textured layer on the textured first electrode 3. A protective layer made of an organic or an inorganic material or a combination of these materials can be applied over the entire filter arrangement.
  • polybenzocyclobutene or polyimide can be used as the organic material and Si 3 N 4 , SiO 2 or Si x O y N z (0 ⁇ x ⁇ 1.0, 0 ⁇ y ⁇ 1.0, 0 ⁇ z ⁇ 1), for example, can be used as the inorganic material .
  • a thin layer of SiO 2 can be applied to one or more bulk wave resonators of the filter arrangement in order to detune the bulk wave resonator in a targeted manner. It may be preferred that the thin layer of SiO 2 is only applied to the second electrode 5 of a bulk wave resonator.
  • the layer thickness of the thin layer of SiO 2 is preferably between 10 and 100 nm.
  • a filter arrangement according to the invention can be used, for example, for signal filtering in a wireless data transmission system, in a mobile radio device, in a transmitter or in a receiver.
  • embodiments of the invention are explained which represent exemplary implementation options.
  • a filter arrangement made of bulk wave resonators has a substrate 1 made of glass.
  • a reflection element 2 which contains seven layers of alternating SiO 2 and Ta 2 O 5 , is applied to the substrate 1.
  • the first layer 7 contains SiO 2 on the substrate 1.
  • On the uppermost layer 9 of the reflection element 2, which contains SiO 2 there are the individual bulk wave resonators, each comprising a first electrode 3, a piezoelectric layer 4 and a second electrode 5.
  • the first electrode 3 contains Ti / Pt, the Pt-containing layer of the first electrode 3 having been grown with a (111) orientation.
  • a piezoelectric layer 4 made of PbZro is on each first electrode 3. 3 5Ti 0 . ö5 ⁇ 3 applied with (100) orientation and (11 1) orientation.
  • a second Pt electrode 5 is located on each piezoelectric layer 4. There is a thin layer of SiO 2 on the second electrode 5 of each bulk wave resonator.
  • the individual bulk wave resonators are electrically connected on the substrate 1 in such a way that a filter arrangement for signal filtering in the high-frequency part of a mobile radio device was obtained.
  • Embodiment 3 A filter arrangement made of bulk wave resonators has a substrate 1
  • a filter arrangement made of bulk wave resonators has a substrate 1 made of glass.
  • a reflection element 2 which contains a layer of porous SiO 2 , is applied to the substrate 1.
  • the individual bulk wave resonators, each having a first electrode 3, a piezoelectric one, are located on the reflection element 2
  • the first electrode 3 contains Ti / Pt, the Pt-containing layer of the first electrode 3 having been grown with an (III) orientation.
  • a layer of Pb (Mg 1 3 Nb 23 ) O 3 -PbTiO 3 with an (OOl) orientation and with an (III) orientation is grown on each first electrode 3 as the piezoelectric layer 4.
  • a second Pt electrode 5 is located on each piezoelectric layer 4.
  • a thin layer of SiO 2 is located on the second electrode 5 of each volume wave resonator.
  • the individual bulk wave resonators are electrically connected on the substrate 1 in such a way that a filter arrangement for signal filtering in the high-frequency part of a mobile radio device has been obtained.
  • Embodiment 5 Embodiment 5
  • a filter arrangement made of bulk wave resonators has a substrate 1 made of silicon with a passivation layer made of SiO 2 .
  • a reflection element 2 which contains seven layers of alternating SiO 2 and Ta 2 Os, is applied to the substrate 1.
  • the first layer 7 contains SiO 2 on the substrate 1.
  • the individual bulk wave resonators, each comprising a first electrode 3, a piezoelectric layer 4 and a second electrode 5, are located on the uppermost layer 9 of the reflection element 2, which contains SiO 2 .
  • the first electrode 3 contains Ti / Pt, the Pt-containing layer of the first electrode 3 being grown with an (III) orientation.
  • a textured layer of A1N with a (OOOl) orientation is applied to each first electrode 3 as the piezoelectric layer 4.
  • each piezoelectric layer 4 there is a second electrode 5 made of Al.
  • the individual bulk wave resonators are electrically connected on the substrate 1 in such a way that a filter arrangement for signal filtering in the high-frequency part of a mobile radio device has been obtained.
  • a filter arrangement made of bulk wave resonators has a substrate 1 made of silicon with a passivation layer made of SiO 2 .
  • a reflection element 2 which contains nine layers of alternating SiO 2 and Ta 2 O 5 , is applied to the substrate 1.
  • the first layer 7 contains SiO 2 on the substrate 1.
  • the individual bulk wave resonators, each comprising a first electrode 3, a piezoelectric layer 4 and a second electrode 5, are located on the uppermost layer 9 of the reflection element 2, which contains SiO 2 .
  • the first electrode 3 contains Ti / Pt, the Pt-containing layer of the first electrode 3 being grown with an (III) orientation.
  • a textured layer of ZnO with a (OOOl) orientation is applied to each first electrode 3 as the piezoelectric layer 4.

Abstract

The invention relates to a filter system that is provided with at least one bulk wave resonator that contains a resonator unit and a reflection element. The resonator unit comprises a first (3) and a second electrode (5), in addition to a textured piezoelectric layer (4) interposed between the first (3) and the second (5) electrode.

Description

Filteranordnung mit Nolumenwellen-ResonatorFilter arrangement with nolumen wave resonator
Die Erfindung betrifft Filteranordnύng ausgestattet mit wenigstens einem Nolumenwellen-Resonator, welcher eine Resonatoreinheit und ein Reflexionselement enthält, wobei die Resonatoreinheit eine erste und eine zweite Elektrode sowie zwischen der ersten und zweiten Elektrode eine piezoelektrische Schicht aufweist. Weiterhin betrifft die Erfindung noch ein drahtloses Datenübertragungssystem, einen Sender, einen Empfänger sowie ein Mobilfunkgerät ausgerüstet mit einer Filteranordnung sowie einen Nolumenwellen-Resonator.The invention relates to filter arrangements equipped with at least one volume wave resonator, which contains a resonator unit and a reflection element, the resonator unit having a first and a second electrode and a piezoelectric layer between the first and second electrodes. Furthermore, the invention also relates to a wireless data transmission system, a transmitter, a receiver and a mobile radio device equipped with a filter arrangement and a nolumen wave resonator.
Die rasanten Entwicklungen im Mobilfunkbereich und die stete Miniaturisierung der schnurlosen Telefonapparate führen zu erhöhten Anforderungen an die einzelnen Komponenten. So ist eine hohe Selektivität im Hochfrequenzteil nötig, um den Empfänger gegen die steigende Anzahl möglicherweise störender Signale von anderen Systemen zu schützen. Dies wird beispielsweise durch Bandpassfilter erreicht, die nur ein begrenztes Frequenzband durchlassen und alle Frequenzen ober- und unterhalb dieses Bereiches unterdrücken. Ein derartiger Filter kann beispielsweise ein Volumen wellen-Filter ausThe rapid developments in the field of mobile communications and the constant miniaturization of cordless telephones lead to increased demands on the individual components. A high selectivity in the high-frequency part is necessary to protect the receiver against the increasing number of potentially interfering signals from other systems. This is achieved, for example, by means of bandpass filters which only allow a limited frequency band to pass through and which suppress all frequencies above and below this range. Such a filter can for example be a volume wave filter
Nolumenwellen-Resonatoren, die auch als Bulk Acoustic Wave (B AW) Filter bezeichnet werden, sein. Nolumenwellen-Resonatoren sind prinzipiell aus drei Komponenten aufgebaut. Die erste Komponente generiert die akustische Welle und enthält eine piezoelektrische Schicht. Zwei Elektroden, welche ober- und unterhalb der piezoelektrischen Schicht angebracht sind, stellen die zweite Komponente dar. Die dritte Komponente, d. h. das Reflexionselement, hat die Aufgabe das Substrat von den Schwingungen, die die piezoelektrische Schicht erzeugt, akustisch zu isolieren.Volume wave resonators, which are also referred to as bulk acoustic wave (B AW) filters. Nolumen wave resonators are basically made up of three components. The first component generates the acoustic wave and contains a piezoelectric layer. Two electrodes, which are attached above and below the piezoelectric layer, represent the second component. The third component, i. H. the reflection element, has the task of acoustically isolating the substrate from the vibrations generated by the piezoelectric layer.
Aus der WO 98/16957 ist ein derartiger Nolumenwellen-Resonator bekannt. Als Material für die piezoelektrische Schicht werden keramische Materialien wieSuch a nolumen wave resonator is known from WO 98/16957. Ceramic materials such as. Are used as the material for the piezoelectric layer
1 beispielsweise ZnO oder A1Ν eingesetzt.1, for example, ZnO or A1Ν used.
Um eine maximale Bandbreite eines aus Nolumenwellen-Resonatoren aufgebauten Nolumenwellen-Filters zu erreichen, werden piezoelektrische Materialien mit besonders hohem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten k benötigt. Denn der elektro- mechanische Kopplungskoeffizient k bestimmt den Abstand zwischen der Resonanzfrequenz und der Anti-Resonanzfrequenz eines Nolumenwellen-Resonator.In order to achieve a maximum bandwidth of a nolumen wave filter constructed from nolumen wave resonators, piezoelectric materials with a particularly high electromechanical coupling coefficient k are required. Because the electronic mechanical coupling coefficient k determines the distance between the resonance frequency and the anti-resonance frequency of a nolumen wave resonator.
Es ist deshalb eine Aufgabe der Erfindung eine Filteranordnung mit einem verbessertem Nolumenwellen-Resonator, dessen piezoelektrische Schicht einen hohen elektromechanischen Kopplungskoeffizienten k aufweist, bereitzustellen.It is therefore an object of the invention to provide a filter arrangement with an improved nolumen wave resonator, the piezoelectric layer of which has a high electromechanical coupling coefficient k.
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Filteranordnung ausgestattet mit wenigstens einem Nolumenwellen-Resonator, welcher eine Resonatoreinheit und ein Reflexionselement enthält, wobei die Resonatoreinheit eine erste und eine zweite Elektrode sowie zwischen der ersten und zweiten Elektrode eine texturierte piezoelektrische Schicht aufweist.This object is achieved by a filter arrangement equipped with at least one volume wave resonator which contains a resonator unit and a reflection element, the resonator unit having a first and a second electrode and a textured piezoelectric layer between the first and second electrodes.
Durch die Texturierung der piezoelektrischen Schicht wird eine deutliche Erhöhung des elektromechanischen Kopplungskoeffizienten k gegenüber einer polykristallinen, piezoelektrischen Schicht erreicht. Durch den erhöhten elektromechanischen Kopplungskoeffizienten k wird der Abstand zwischen der Resonanzfrequenz und der Anti- Resonanzfrequenz des Nolumenwellen-Resonators vergrößert und somit die Bandbreite der Filteranordnung erweitert.The texturing of the piezoelectric layer significantly increases the electromechanical coupling coefficient k compared to a polycrystalline, piezoelectric layer. Due to the increased electromechanical coupling coefficient k, the distance between the resonance frequency and the anti-resonance frequency of the nolumen wave resonator is increased, and thus the bandwidth of the filter arrangement is expanded.
Es ist bevorzugt, dass die piezoelektrische Schicht eine einkristalline Schicht ist.It is preferred that the piezoelectric layer is a single crystal layer.
Eine einkristalline Schicht ergibt eine absolut ideale Texturausbildung in der piezoelektrischen Schicht.A single-crystalline layer results in an absolutely ideal texture formation in the piezoelectric layer.
Es ist weiterhin bevorzugt, dass das Material einer Elektrode texturiert ist.It is further preferred that the material of an electrode is textured.
Durch Herstellung einer piezoelektrischen Schicht auf einer texturierten Elektrode kann das Material der piezoelektrischen Schicht texturiert aufgebracht werden.The material of the piezoelectric layer can be applied in a textured manner by producing a piezoelectric layer on a textured electrode.
Es ist vorteilhaft, dass das Reflexionselement mehrere Schichten mit abwechselnd hoher und niedriger akustischer Impedanz aufweist.It is advantageous that the reflection element has several layers with alternating high and low acoustic impedance.
Ein derartiges Reflexionselement ist einfach und preiswert herzustellen.Such a reflection element is simple and inexpensive to manufacture.
Es ist besonders vorteilhaft, dass eine Schicht mit hoher akustischer Impedanz ein Material ausgewählt aus der Gruppe Ta2O5, Si3Ν4, TiO2, ZnO, LiNbO3, LiTaO3, Al2O3, SiC, N2O5, Νb2O5, ZrO2, La2O3, WOx (0 < x < 3), MoOx (0 < x < 3), ZrC, WC, MoC, ThO2, CeO2, Nd2O3, Pr2O3, Sm2O3, Gd2O3, ReOx (0 < x < 3.5), RuO2, IrO2, Y2O3, Sc2O3, LiGeO2, Bi12GeO20, GeO2, MgO, Yttrium-Aluminium-Granat, Yttrium-Eisen-Granat, LiGaO2, HfO2, A1N und C enthält.It is particularly advantageous that a layer with high acoustic impedance is a material selected from the group Ta 2 O 5 , Si 3 Ν 4 , TiO 2 , ZnO, LiNbO 3 , LiTaO 3 , Al 2 O 3 , SiC, N 2 O 5 , Νb 2 O 5 , ZrO 2 , La 2 O 3 , WO x (0 <x <3), MoO x (0 <x <3), ZrC, WC, MoC, ThO 2 , CeO 2 , Nd 2 O 3 , Pr 2 O 3 , Sm 2 O 3 , Gd 2 O 3 , ReO x (0 <x <3.5), RuO 2 , IrO 2 , Y 2 O 3 , Sc 2 O 3 , LiGeO 2 , Bi 12 GeO 20 , Contains GeO 2 , MgO, yttrium aluminum garnet, yttrium iron garnet, LiGaO 2 , HfO 2 , A1N and C.
Es ist auch besonders vorteilhaft, dass eine Schicht mit niedriger akustischer Impedanz ein Material ausgewählt aus der Gruppe SiO2, Aerogel und GaAs enthält. Bei Verwendung der vorteilhaften Materialien im Reflexionselement können Material-Kombinationen mit möglichst großen Unterschieden in ihren Impedanzen hergestellt werden. Außerdem weisen die Materialien moderate Schallgeschwindigkeiten auf, so dass nicht zu dicke λ/4-Schichten benutzt werden müssen. Es kann auch bevorzugt sein, dass das Reflexionselement mehrere Schichten mit jeweils einer Mischung aus wenigstens zwei Materialien enthält, wobei innerhalb jeder Schicht die Zusammensetzung der Mischung relativ zur Schichtdicke kontinuierlich und periodisch variiert.It is also particularly advantageous that a layer with a low acoustic impedance contains a material selected from the group SiO 2 , airgel and GaAs. When using the advantageous materials in the reflection element, material combinations with the greatest possible differences in their impedances can be produced. In addition, the materials have moderate sound velocities, so that λ / 4 layers that are not too thick must be used. It can also be preferred that the reflection element contains several layers, each with a mixture of at least two materials, the composition of the mixture varying continuously and periodically relative to the layer thickness within each layer.
Bei einem derartigen Reflexionselement variieren die Schichteigenschaften in jeder Schicht nicht nach einer Rechteckfunktion, sondern kontinuierlich, beispielsweise sinusförmig. Dadurch kann ein Reflexionselement hergestellt werden, welches im Durchlassband der Filteranordnung eine hohe Reflexion aufweist und somit das Substrat, auf dem sich die Filteranordnung befindet, effektiv von der Filteranordnung entkoppelt. Außerhalb des Durchlassbandes der Filteranordnung kann das Reflexionselement eine hohe Transmission für Schallwellen zeigen. Dadurch wird die Filteranordnung außerhalb seines Durchlassbandes an das Substrat akustisch angekoppelt und höhere harmonische Frequenzen außerhalb des Durchlassbandes effektiv unterdrückt.With such a reflection element, the layer properties in each layer do not vary according to a rectangular function, but continuously, for example sinusoidally. As a result, a reflection element can be produced which has a high reflection in the pass band of the filter arrangement and thus effectively decouples the substrate on which the filter arrangement is located from the filter arrangement. Outside the pass band of the filter arrangement, the reflection element can show a high transmission for sound waves. As a result, the filter arrangement is acoustically coupled to the substrate outside its pass band, and higher harmonic frequencies outside the pass band are effectively suppressed.
Außerdem betrifft die Erfindung einen Sender, einen Empfänger, ein Mobilfunkgerät und ein drahtloses Datenübertragungssystem ausgerüstet mit einer Filteranordnung mit wenigstens einem Volumenwellen-Resonator, welcher eineIn addition, the invention relates to a transmitter, a receiver, a mobile radio device and a wireless data transmission system equipped with a filter arrangement with at least one bulk wave resonator, which one
Resonatoreinheit und ein Reflexionselement enthält, wobei die Resonatoreinheit eine erste und eine zweite Elektrode sowie zwischen der ersten und zweiten Elektrode eine texturierte piezoelektrische Schicht aufweist. Die Erfindung betrifft auch einen Volumenwellen- Resonator, welcher eine Resonatoreinheit und ein Reflexionselement enthält, wobei die Resonatoreinheit eine erste und eine zweite Elektrode sowie zwischen der ersten und zweiten Elektrode eine texturierte piezoelektrische Schicht aufweist.Contains resonator unit and a reflection element, wherein the resonator unit has a first and a second electrode and between the first and second electrodes a textured piezoelectric layer. The invention also relates to a bulk wave resonator which contains a resonator unit and a reflection element, the resonator unit having first and second electrodes and a textured piezoelectric layer between the first and second electrodes.
Im folgenden soll die Erfindung anhand von einer Figur und zehn Ausführungsbeispielen erläutert werden. Dabei zeigtThe invention will be explained below with reference to a figure and ten exemplary embodiments. It shows
Fig. 1 im Querschnitt den Aufbau eine Filteranordnung aus Volumenwellen- Resonatoren, Gemäß Fig. 1 weist eine Volumenwellen-Filteranordnung ein Substrat 1 auf, welches zum Beispiel aus einem keramischen Material, einem keramischen Material mit einer Planarisierungsschicht aus Glas, einem glaskeramischen Material, einem Glasmaterial, einem halbleitenden Material, wie beispielsweise Silicium, GaAs, InP, SiC oder GaN, oder Saphir ist. Bei Verwendung von einem halbleitenden Material als Substrat 1 kann noch eine Passivierungsschicht aus beispielsweise SiO2 oder Glas aufgebracht. Auf dem Substrat 1 befindet sich ein Reflexionselement 2. Vorzugsweise enthält das Reflexionselement 2 mehrere Schichten 7, 8, 9 mit abwechselnd hoher und niedriger akustischer Impedanz. Die Dicke der Schichten 7, 8, 9 beträgt jeweils ein Viertel der Resonanzwellenlänge λ. Die Gesamtanzahl der Schichten des Reflexionselementes 2 liegt vorzugsweise zwischen 3 und 12.1 shows in cross section the structure of a filter arrangement made of bulk wave resonators, 1, a bulk wave filter arrangement has a substrate 1 which, for example, consists of a ceramic material, a ceramic material with a planarization layer made of glass, a glass-ceramic material, a glass material, a semiconducting material, such as silicon, GaAs, InP, SiC or GaN, or sapphire. When using a semiconducting material as substrate 1, a passivation layer made of, for example, SiO 2 or glass can also be applied. A reflection element 2 is located on the substrate 1. The reflection element 2 preferably contains a plurality of layers 7, 8, 9 with alternately high and low acoustic impedance. The thickness of the layers 7, 8, 9 is in each case a quarter of the resonance wavelength λ. The total number of layers of the reflection element 2 is preferably between 3 and 12.
Für eine Schicht mit hoher akustischer Impedanz wird bevorzugt ein Material ausgewählt aus der Gruppe Ta2O5, Si3N4, TiO2, ZnO, LiNbO3, LiTaO3, Al2O3, SiC, V2O5, Nb2O5, ZrO2, La2O3, WOx (0 < x < 3), MoOx (0 < x < 3), ZrC, WC, MoC, ThO2, CeO2, Nd2O3, Pr2O3, Sm2O3, Gd2O3, ReOx (0 < x < 3.5), RuO2, IrO2, Y2O3, Sc2O3, LiGeO2,For a layer with high acoustic impedance, a material is preferably selected from the group Ta 2 O 5 , Si 3 N 4 , TiO 2 , ZnO, LiNbO 3 , LiTaO 3 , Al 2 O 3 , SiC, V 2 O 5 , Nb 2 O 5 , ZrO 2 , La 2 O 3 , WO x (0 <x <3), MoO x (0 <x <3), ZrC, WC, MoC, ThO 2 , CeO 2 , Nd 2 O 3 , Pr 2 O 3 , Sm 2 O 3 , Gd 2 O 3 , ReO x (0 <x <3.5), RuO 2 , IrO 2 , Y 2 O 3 , Sc 2 O 3 , LiGeO 2 ,
Bi12GeO 0, GeO2, MgO, Yttrium-Aluminium-Granat, Yttrium-Eisen-Granat, LiGaO2, HfO2, A1N und C verwendet. Für eine Schicht mit niedriger akustischer Impedanz wird bevorzugt ein Material ausgewählt aus der Gruppe SiO2, Aerogel und GaAs. Es ist bevorzugt, dass das Reflexionselement 2 abwechselnd Schichten aus Ta2O5 und SiO2 oder Si3N4 und SiO2 enthält.Bi 12 GeO 0 , GeO 2 , MgO, yttrium aluminum garnet, yttrium iron garnet, LiGaO 2 , HfO 2 , A1N and C are used. For a layer with low acoustic impedance, a material is preferably selected from the group SiO 2 , airgel and GaAs. It is preferred that the reflection element 2 alternately contains layers of Ta 2 O 5 and SiO 2 or Si 3 N 4 and SiO 2 .
Alternativ kann das Reflexionselement 2 nur aus einer einzigen Schicht mit einem Schallreflexionsstoff, welcher eine niedrige akustische Impedanz aufweist, bestehen. Dieser Schallreflexionsstoff kann ein Aerogel, ein Xerogel, ein Glasschaum, ein schaumartiger Klebstoff, ein Schaumstoff oder ein Kunststoff mit geringer Dichte sein. Es ist auch möglich, dass das Reflexionselement 2 mehrere Schichten 7, 8, 9 mit jeweils einer Mischung aus wenigstens zwei Materialien enthält, wobei innerhalb jeder Schicht 7, 8, 9 die Zusammensetzung der Mischung, welche vorzugsweise amorph ist, relativ zur Schichtdicke kontinuierlich und periodisch variiert. Dabei ist es bevorzugt, dass jede Schicht 7, 8, 9 des Reflexionselementes 2 eine Mischung SiO und Ta2O5 oder SiO und Si3N4 enthält. In dieser Ausführungsform variiert die Zusammensetzung der Mischung relativ zur Schichtdicke in einer Schicht 7, 8, 9 periodisch, beispielsweise sinusförmig.Alternatively, the reflection element 2 can consist of only a single layer with a sound reflection material which has a low acoustic impedance. This sound reflection material can be an airgel, a xerogel, a glass foam, a foam-like adhesive, a foam or a low-density plastic. It is also possible for the reflection element 2 to contain a plurality of layers 7, 8, 9, each with a mixture of at least two materials, the composition of the mixture, which is preferably amorphous, being continuous and relative to the layer thickness within each layer 7, 8, 9 varies periodically. It is preferred that each layer 7, 8, 9 of the reflection element 2 contains a mixture of SiO and Ta 2 O 5 or SiO and Si 3 N 4 . In this embodiment, the composition of the mixture varies periodically, for example sinusoidally, relative to the layer thickness in a layer 7, 8, 9.
Auf dem Reflexionselement 2 sind Resonatoreinheiten aufgebracht, welche jeweils eine erste Elektrode 3, eine piezoelektrische Schicht 4 und eine zweite Elektrode 5 enthalten. Die Elektroden 3 und 5 sind vorzugsweise aus einem gut leitendem Material mit geringer akustischer Dämpfung.Resonator units, each having a first electrode 3, a piezoelectric layer 4 and a second electrode 5, are applied to the reflection element 2 contain. The electrodes 3 and 5 are preferably made of a highly conductive material with low acoustic damping.
Als Material für die piezoelektrische Schicht 4 kann zum Beispiel A1N, ZnO, Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, Pb(Sc1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, Pb(Zn1/3Nb2/3)1-x-y(Mn1/2Nb1/2)xTiyO3 (0 < x < 1, 0 < y < 1), Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3, Sr3TaGa3Si2O , K(Sr1-xBax)2Nb5O15 (0 < x < 1), Na(Sr1-xBax)2Nb5O15 (0 < x < 1), BaTiO3, (K1-xNax)NbO3 (0 < x < 1), KTaO3, (Bi,Na,K, Pb,Ba)TiO3, (Bi,Na)TiO3, Bi7Ti4NbO21, (K1-xNax)NbO3-(Bi,Na,K,Pb,Ba)TiO3 (0 < x < 1), a(BixNa1-x)TiO3_b(KNbO3-c)1/2(Bi2O3-Sc2O3) (0 < x < 1, a + b + c = 1),As a material for the piezoelectric layer 4, for example, A1N, ZnO, Pb (Zn 1/3 Nb 2/3) O 3 -PbTiO 3, Pb (Mg 1/3 Nb 2/3) O 3 -PbTiO 3, Pb ( Ni 1/3 Nb 2/3) O 3 -PbTiO 3, Pb (Sc 1/3 Nb 2/3) O 3 -PbTiO 3, Pb (Zn 1/3 Nb 2/3) 1-xy (Mn 1 / 2 Nb 1/2 ) x Ti y O 3 (0 <x <1, 0 <y <1), Pb (In 1/2 Nb 1/2 ) O 3 -PbTiO 3 , Sr 3 TaGa 3 Si 2 O, K (Sr 1-x Ba x ) 2 Nb 5 O 15 (0 <x <1), Na (Sr 1-x Ba x ) 2 Nb 5 O 15 (0 <x <1), BaTiO 3 , (K 1 -x Na x ) NbO 3 (0 <x <1), KTaO 3 , (Bi, Na, K, Pb, Ba) TiO 3 , (Bi, Na) TiO 3 , Bi 7 Ti 4 NbO 21 , (K 1 -x Na x ) NbO 3 - (Bi, Na, K, Pb, Ba) TiO 3 (0 <x <1), a (Bi x Na 1-x ) TiO 3 _ b (KNbO 3-c ) 1 / 2 (Bi 2 O 3 -Sc 2 O 3 ) (0 <x <1, a + b + c = 1),
(BaaSrbCac)TixZr1-xO3 (0 < x < 1, a + b + c = 1), (BaaSrbLac)Bi4Ti4O15 (a + b + c = 1), Bi4Ti3O12, LiNbO3, La3Ga5.5Nbo.5O14, La3Ga5SiO14, La3Ga5.5Tao.5θ14 und PbZrxTi1-xO3 (0 < x < 1) mit und ohne Dotierungen aus La, Mn, Fe, Sb, Sr, Ni oder Kombinationen dieser Dotierungsmittel verwendet werden. Zur Erzielung hoher elektromechanischer Kopplungskoeffizienten k wird das(Ba a Sr b Ca c ) Ti x Zr 1-x O 3 (0 <x <1, a + b + c = 1), (Ba a Sr b La c ) Bi 4 Ti 4 O 15 (a + b + c = 1), Bi 4 Ti 3 O 12 , LiNbO 3 , La 3 Ga 5 . 5 Nbo. 5 O 14 , La 3 Ga 5 SiO 14 , La 3 Ga 5 . 5 Tao. 5 θ 14 and PbZr x Ti 1-x O 3 (0 <x <1) with and without doping from La, Mn, Fe, Sb, Sr, Ni or combinations of these dopants. To achieve high electromechanical coupling coefficients k
Material in der piezoelektrischen Schicht 4 texturiert aufgebracht. In einer texturierten piezoelektrischen Schicht 4 weisen die Kristalle des piezoelektrischen Materials eine bevorzugte Orientierung der Kristallite in bezug auf eine äußere Probengeometrie auf und sind nicht statistisch regellos in ihrer kristallographischen Orientierung zueinander angeordnet. Es ist bevorzugt, dass das Material in der piezoelektrischen Schicht 4 mit einem säulenartigen Wachstum aufgebracht ist.Material applied in the piezoelectric layer 4 textured. In a textured piezoelectric layer 4, the crystals of the piezoelectric material have a preferred orientation of the crystallites with respect to an outer sample geometry and are not randomly arranged in their crystallographic orientation to one another. It is preferred that the material in the piezoelectric layer 4 is applied with a columnar growth.
Eine texturierte, piezoelektrische Schicht 4 kann mittels Dünnschichtverfahren wie zum Beispiel Sol-Gel- Verfahren, Sputtern, CVD(Chemical Vapour Deposition)- Verfahren oder Drucktechniken erreicht werden. Die piezoelektrische Schicht 4 kann auch durch Bonden oder Kleben von bereits gesinterten und mechanisch bearbeiteten Schichten aus den piezoelektrischen Materialien auf der ersten Elektrode 3 aufgebracht werden.A textured, piezoelectric layer 4 can be achieved by means of thin-layer processes such as, for example, sol-gel processes, sputtering, CVD (Chemical Vapor Deposition) processes or printing techniques. The piezoelectric layer 4 can also be applied to the first electrode 3 by bonding or gluing already sintered and mechanically processed layers of the piezoelectric materials.
Eine weitere Alternative stellt die sogenannte „Templated Grain Growth- Methode (TGG)" dar. Bei dieser Methode wird auf einem einkristallinen Templat eine polykristalline Schicht aufgebracht. Durch Erhitzen auf hohe Temperaturen wird die polykristalline Schicht in eine texturierte/einkristalline Schicht überführt.Another alternative is the so-called “Templated Grain Growth Method (TGG)”. In this method, a polycrystalline layer is applied to a single-crystalline template. The polycrystalline layer is converted into a textured / single-crystalline layer by heating to high temperatures.
Die Textur der piezoelektrischen Schicht 4 kann bis hin zur Einkristallinität durch weitere Verfahren wie zum Beispiel Laser- Annealing verbessert werden. Zur Verbesserung des Wachstums, der Kristallinität und der Orientierung des Materials der piezoelektrischen Schicht 4 kann auf der ersten Elektrode 3 eine Keimschicht, beispielsweise aus PbZrxTi1-xO3 mit 0 < x ≤ 1 oder PbTiO3, aufgebracht sein.The texture of the piezoelectric layer 4 can be improved up to single crystallinity by further methods such as laser annealing. To improve the growth, the crystallinity and the orientation of the material of the piezoelectric layer 4, a seed layer, for example made of PbZr x Ti 1-x O 3 with 0 <x 1 1 or PbTiO 3 , can be applied to the first electrode 3.
Durch Abscheiden der piezoelektrischen Schicht 4 auf eine texturierte erste Elektrode 3 ist es möglich, die Textur der piezoelektrischen Schicht 4 zu beeinflussen.By depositing the piezoelectric layer 4 on a textured first electrode 3, it is possible to influence the texture of the piezoelectric layer 4.
Als Materialien für eine texturierte Elektrode 3, 5 bei Verwendung von A1N oder ZnO als piezoelektrisches Material in der piezoelektrischen Schicht 4 kommen Metalle in Frage, welche bevorzugt eine kubisch flächenzentrierte oder hexagonal dichtest gepackte Struktur aufweisen, und deren Oberfläche eine (lll)-Orientierung mit hexagonaler Anordnung der Atome zeigen. Mögliche Materialien für eine texturierte Elektrode 3, 5 mit einer kubisch flächenzentrierten Packung und einer (lll)-Orientierung sind beispielsweise Pt, AI, Al:Si, Al:Cu, Ti, Ni, Cu, Rh, Pd, Ag, r, Au, Ce und Yb. Mögliche Materialien für eine texturierte Elektrode 3, 5 mit einer hexagonal dichtesten Packung und einer (111)- Orientierung sind beispielsweise Ti, Co, Zn, Y, Zr, Tc, Ru, Hf, Re, Os, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm und Lu. Alternativ sind auch Schichtsysteme aus verschiedenen Metallen geeignete Materialien. So kann eine texturierte Elektrode 3, 5 beispielsweise Ti/Pt, Ti/Al, Ti/Al:Si und Ti/Al:Cu enthalten. Weiterhin ist auch die Verwendung einer Legierungen aus Metallen, welche eine kubisch flächenzentrierte Packung und eine (11 l)-Orientierung aufweisen, möglich. Es können auch Legierungen aus Metallen, welche eine kubisch flächenzentrierte Packung und eine (11 l)-Orientierung aufweisen, mit Metallen oderSuitable materials for a textured electrode 3, 5 when using A1N or ZnO as the piezoelectric material in the piezoelectric layer 4 are metals which preferably have a cubic surface-centered or hexagonally densely packed structure and whose surface also has an (III) orientation show hexagonal arrangement of the atoms. Possible materials for a textured electrode 3, 5 with a face-centered cubic packing and an (III) orientation are, for example, Pt, Al, Al: Si, Al: Cu, Ti, Ni, Cu, Rh, Pd, Ag, r, Au , Ce and Yb. Possible materials for a textured electrode 3, 5 with a hexagonally closest packing and a (111) orientation are, for example, Ti, Co, Zn, Y, Zr, Tc, Ru, Hf, Re, Os, Pr, Nd, Pm, Sm , Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm and Lu. Alternatively, layer systems made of different metals are also suitable materials. For example, a textured electrode 3, 5 can contain Ti / Pt, Ti / Al, Ti / Al: Si and Ti / Al: Cu. Furthermore, it is also possible to use an alloy made of metals which has a face-centered cubic packing and an (11 l) orientation. Alloys of metals, which have a face-centered cubic packing and a (11 l) orientation, with metals or
Nichtmetallen, welche beispielsweise eine kubisch innenzentrierte Packung aufweisen und deren Oberfläche sich spontan oder durch Adsorption von Fremdatomen in eine hexagonale Symmetrie umwandelt, verwendet werden. Eine mögliche solche Legierung ist Pto.68Nio.32- Die c- Achsen-Orientierung einer texturierten piezoelektrischen Schicht 4, welche mit der FWHM (Füll Width at Half Maximum)-Breite der Rocking-Kurve des (OOOl)-Peaks bestimmt wird, beträgt für A1N oder ZnO vorzugsweise < 3°.Non-metals that have, for example, a cubic inner-centered packing and whose surface is converted spontaneously or by adsorption of foreign atoms into a hexagonal symmetry are used. Pto is one such alloy. 68 NOK 32 - The c-axis orientation of a textured piezoelectric layer 4, which is determined with the FWHM (filling width at half maximum) width of the rocking curve of the (OOOl) peak, is preferably <3 ° for A1N or ZnO.
Auch bei Verwendung von Pb(Zn1 3Nb2/3)O3-PbTiO3, Pb(Mg1 3Nb2/3)O3-PbTiO3, Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, Pb(Sc1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, Pb(Zn1/3Nb2/3)1-x-y(Mn1/2Nb1/2)xTiyO3 (0 < x < 1 , 0 < y ≤ 1), Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3,Also when using Pb (Zn 1 3 Nb 2/3 ) O 3 -PbTiO 3 , Pb (Mg 1 3 Nb 2/3 ) O 3 -PbTiO 3 , Pb (Ni 1/3 Nb 2/3 ) O 3 - PbTiO 3 , Pb (Sc 1/3 Nb 2/3 ) O 3 -PbTiO 3 , Pb (Zn 1/3 Nb 2/3 ) 1-xy (Mn 1/2 Nb 1/2 ) x Ti y O 3 ( 0 <x <1, 0 <y ≤ 1), Pb (In 1/2 Nb 1/2 ) O 3 -PbTiO 3 ,
Sr3TaGa3Si2O14, K(Sr1-xBax)2Nb5O15 (0 < x < 1), Na(Sr1-xBax)2Nb5O15 (0 ≤ x ≤ 1), BaTiO3, (K1-xNax)NbO3 (0 < x < 1), KTaO3, (Bi,Na,K,Pb,Ba)TiO3, (Bi,Na)TiO3, Bi7Ti4NbO21, (Kx- xNax)NbO3-(Bi,Na,K,Pb,Ba)TiO3 (0 < x ≤ 1), a(BixNa1-x)TiO3_b(KNbO3.c)V2(Bi2O3-Sc2O3) (0 < x < 1, a + b + c = 1), (BaaSrbCac)TixZr1-xO3 (0 < x < 1, a + b + c = 1), (BaaSrbLac)Bi4Ti4O15 (a + b + c = 1), Bi Ti3O12, LiNbO3, La3Ga5.5Nb0.5O1 , La3Ga5SiO14, La3Ga5.5Tao.5θ1 und PbZrxTi1-xO3 (0 < x ≤ 1) mit und ohne Dotierungen aus La, Mn, Fe, Sb, Sr, Ni oder Kombinationen als piezoelektrisches Material kann durch Abscheiden der piezoelektrischen Schicht 4 auf eine texturierte erste Elektrode 3 die Textur der piezoelektrischen Schicht 4 beeinflusst werden. Alternativ kann bei diesen piezoelektrischen Materialien auch mittels einer texturierten Barriereschicht, welche zwischen Reflexionselement 2 und erster Elektrode 3 aufgebracht ist, die Textur der piezoelektrischen Schicht 4 beeinflusst werden. So ist es beispielsweise möglich durch Verwendung einer ersten Elektrode 3 aus Pt mit einer (lll)-Orientierung, die nicht thermisch vorbehandelt ist, eine piezoelektrische Schicht 4 mit einer (lll)-Orientierung aufzuwachsen. Durch den Einsatz einer ersten Elektrode 3 aus Pt mit einer (lll)-Orientierung, die thermisch vorbehandelt ist, ist es möglich, piezoelektrische Schichten 4 mit einer (lOO)-Orientierung und (111)- Orientierung oder ausschließlich einer (lOO)-Orientierung aufzuwachsen.Sr 3 TaGa 3 Si 2 O 14 , K (Sr 1-x Ba x ) 2 Nb 5 O 15 (0 <x <1), Na (Sr 1-x Ba x ) 2 Nb 5 O 15 (0 ≤ x ≤ 1), BaTiO 3 , (K 1-x Na x ) NbO 3 (0 <x <1), KTaO 3 , (Bi, Na, K, Pb, Ba) TiO 3 , (Bi, Na) TiO 3 , Bi 7 Ti 4 NbO 21 , (K x- x Na x ) NbO 3 - (Bi, Na, K, Pb, Ba) TiO 3 (0 <x ≤ 1), a (Bi x Na 1-x ) TiO 3 _ b (KNbO 3. c ) V 2 (Bi 2 O 3 -Sc 2 O 3 ) (0 <x <1, a + b + c = 1), (Ba a Sr b Cac) Ti x Zr 1-x O 3 (0 <x <1, a + b + c = 1), (Ba a Sr b La c ) Bi 4 Ti 4 O 15 (a + b + c = 1), Bi Ti 3 O 12 , LiNbO 3 , La 3 Ga 5 . 5 Nb 0 . 5 O 1 , La 3 Ga 5 SiO 14 , La 3 Ga 5 .5Tao. 5 θ 1 and PbZr x Ti 1-x O 3 (0 <x ≤ 1) with and without doping from La, Mn, Fe, Sb, Sr, Ni or combinations as piezoelectric material can be deposited on a textured by depositing the piezoelectric layer 4 first electrode 3, the texture of the piezoelectric layer 4 can be influenced. Alternatively, in the case of these piezoelectric materials, the texture of the piezoelectric layer 4 can also be influenced by means of a textured barrier layer which is applied between the reflection element 2 and the first electrode 3. For example, by using a first electrode 3 made of Pt with an (III) orientation that is not thermally pretreated, it is possible to grow a piezoelectric layer 4 with an (III) orientation. By using a first electrode 3 made of Pt with a (III) orientation, which is pretreated thermally, it is possible to use piezoelectric layers 4 with a (100) orientation and (111) orientation or exclusively a (100) orientation grow up.
Durch die Verwendung einer Barriereschicht aus MgO mit einer (100)- Orientierung kann zunächst Pt (lOO)-orientiert als erste Elektrode 3 aufgewachsen werden. Dadurch können auf der texturierten ersten Elektrode 3 die oben aufgezeigten piezoelektrischen Materialien als texturierte Schicht aufgewachsen werden. Über der gesamten Filteranordnung kann eine Schutzschicht aus einem organischen oder einem anorganischen Material oder einer Kombination aus diesen Materialien aufgebracht sein. Als organisches Material kann beispielsweise Polybenzocyclobuten oder Polyimid und als anorganisches Material kann zum Beispiel Si3N4, SiO2 oder SixOyNz (0 < x < l, 0 < y ≤ l, 0 < z < l) verwendet werden. Alternativ kann auf einem oder mehreren Volumenwellen-Resonatoren der Filteranordnung eine dünne Schicht aus SiO2 zur gezielten Verstimmung des Volumenwellen-Resonators aufgebracht werden. Es kann bevorzugt sein, dass die dünne Schicht aus SiO2 nur auf der zweiten Elektrode 5 eines Volumenwellen-Resonators aufgebracht ist. Die Schichtdicke der dünnen Schicht aus SiO2 beträgt vorzugsweise zwischen 10 und 100 nm.By using a barrier layer made of MgO with a (100) orientation, Pt (100) oriented can first be grown as the first electrode 3. As a result, the above-mentioned piezoelectric materials can be grown as a textured layer on the textured first electrode 3. A protective layer made of an organic or an inorganic material or a combination of these materials can be applied over the entire filter arrangement. For example, polybenzocyclobutene or polyimide can be used as the organic material and Si 3 N 4 , SiO 2 or Si x O y N z (0 <x <1.0, 0 <y ≤ 1.0, 0 <z <1), for example, can be used as the inorganic material , Alternatively, a thin layer of SiO 2 can be applied to one or more bulk wave resonators of the filter arrangement in order to detune the bulk wave resonator in a targeted manner. It may be preferred that the thin layer of SiO 2 is only applied to the second electrode 5 of a bulk wave resonator. The layer thickness of the thin layer of SiO 2 is preferably between 10 and 100 nm.
Eine erfindungsgemäße Filteranordnung kann beispielsweise zur Signalfilterung in einem drahtlosen Datenübertragungssystem, in einem Mobilfunkgerät, in einem Sender oder in einem Empfänger verwendet werden. Im folgenden werden Ausführungsformen der Erfindung erläutert, die beispielhafte Realisierungsmöglichkeiten darstellen.A filter arrangement according to the invention can be used, for example, for signal filtering in a wireless data transmission system, in a mobile radio device, in a transmitter or in a receiver. In the following, embodiments of the invention are explained which represent exemplary implementation options.
Ausführungsbeispiel 1 Eine Filteranordnung aus Volumenwellen-Resonatoren weist ein Substrat 1 aus Silicium mit einer Passivierungsschicht aus SiO2 auf. Auf dem Substrat 1 ist ein Reflexionselement 2, welches sieben Schichten aus abwechselnd SiO2 und Si3N4 enthält, aufgebracht. Dabei enthält die erste Schicht 7 auf dem Substrat 1 SiO2. Auf der obersten Schicht 9 des Reflexionselements 2, welche SiO2 enthält, befinden sich die einzelnen Volumenwellen-Resonatoren, die jeweils eine erste Elektrode 3, eine piezoelektrischeExemplary embodiment 1 A filter arrangement made of bulk wave resonators has a substrate 1 made of silicon with a passivation layer made of SiO 2 . A reflection element 2, which contains seven layers of alternating SiO 2 and Si 3 N 4 , is applied to the substrate 1. The first layer 7 contains SiO 2 on the substrate 1. On the top layer 9 of the reflection element 2, which contains SiO 2 , there are the individual bulk wave resonators, each having a first electrode 3, a piezoelectric one
Schicht 4 und eine zweite Elektrode 5 umfassen. Die erste Elektrode 3 enthält Ti/Pt, wobei die Pt-haltige Schicht der ersten Elektrode 3 ist mit einer (lll)-Orientierung aufgewachsen ist. Auf jeder ersten Elektrode 3 ist als piezoelektrische Schicht 4 eine Schicht aus PbZr0.35Tio.65θ3 mit (lOO)-Orientierung und (lll)-Orientierung aufgebracht. Auf jeder piezoelektrischen Schicht 4 befindet sich eine zweite Elektrode 5 aus TiW/Al. Auf der zweiten Elektrode 5 jedes Volumenwellen-Resonators befindet sich eine dünne Schicht aus SiO2. Die einzelnen Volumenwellen-Resonatoren sind auf dem Substrat 1 derart elektrisch verbunden, dass eine Filteranordnung zur Signalfilterung im Hochfrequenzteil eines Mobilfunkgerätes erhalten wurde.Layer 4 and a second electrode 5 comprise. The first electrode 3 contains Ti / Pt, the Pt-containing layer of the first electrode 3 being grown with an (III) orientation. On each first electrode 3 there is a layer of PbZr 0 as the piezoelectric layer 4. 35 Tio.65θ 3 with (100) orientation and (III) orientation applied. A second electrode 5 made of TiW / Al is located on each piezoelectric layer 4. There is a thin layer of SiO 2 on the second electrode 5 of each bulk wave resonator. The individual bulk wave resonators are electrically connected on the substrate 1 in such a way that a filter arrangement for signal filtering in the high-frequency part of a mobile radio device has been obtained.
Ausführungsbeispiel 2Embodiment 2
Ein Filteranordnung aus Volumenwellen-Resonatoren weist ein Substrat 1 aus Glas auf. Auf dem Substrat 1 ist ein Reflexionselement 2, welches sieben Schichten aus abwechselnd SiO2 und Ta2O5 enthält, aufgebracht. Dabei enthält die erste Schicht 7 auf dem Substrat 1 SiO2. Auf der obersten Schicht 9 des Reflexionselements 2, welche SiO2 enthält, befinden sich die einzelnen Volumen wellen-Resonatoren, die jeweils eine erste Elektrode 3, eine piezoelektrische Schicht 4 und eine zweite Elektrode 5 umfassen. Die erste Elektrode 3 enthält Ti/Pt, wobei die Pt-haltige Schicht der ersten Elektrode 3 ist mit einer (111)- Orientierung aufgewachsen. Auf jeder ersten Elektrode 3 ist eine piezoelektrische Schicht 4 aus PbZro.35Ti0.ö5θ3 mit (lOO)-Orientierung und (11 l)-Orientierung aufgebracht. Auf jeder piezoelektrischen Schicht 4 befindet sich eine zweite Elektrode 5 aus Pt. Auf der zweiten Elektrode 5 jedes Volumenwellen-Resonators befindet sich eine dünne Schicht aus SiO2. Die einzelnen Volumenwellen-Resonatoren sind auf dem Substrat 1 derart elektrisch verbunden, dass eine Filteranordnung zur Signalfilterung im Hochfrequenzteil eines Mobilfunkgerätes erhalten wurde.A filter arrangement made of bulk wave resonators has a substrate 1 made of glass. A reflection element 2, which contains seven layers of alternating SiO 2 and Ta 2 O 5 , is applied to the substrate 1. The first layer 7 contains SiO 2 on the substrate 1. On the uppermost layer 9 of the reflection element 2, which contains SiO 2 , there are the individual bulk wave resonators, each comprising a first electrode 3, a piezoelectric layer 4 and a second electrode 5. The first electrode 3 contains Ti / Pt, the Pt-containing layer of the first electrode 3 having been grown with a (111) orientation. A piezoelectric layer 4 made of PbZro is on each first electrode 3. 3 5Ti 0 . ö5 θ 3 applied with (100) orientation and (11 1) orientation. A second Pt electrode 5 is located on each piezoelectric layer 4. There is a thin layer of SiO 2 on the second electrode 5 of each bulk wave resonator. The individual bulk wave resonators are electrically connected on the substrate 1 in such a way that a filter arrangement for signal filtering in the high-frequency part of a mobile radio device was obtained.
Ausführungsbeispiel 3 Ein Filteranordnung aus Volumenwellen-Resonatoren weist ein Substrat 1 ausEmbodiment 3 A filter arrangement made of bulk wave resonators has a substrate 1
Silicium mit einer Passivierungsschicht aus SiO2 auf. Auf dem Substrat 1 ist ein Reflexionselement 2, welches sieben Schichten aus abwechselnd SiO2 und Ta2Os enthält, aufgebracht. Dabei enthält die erste Schicht 7 auf dem Substrat 1 SiO2. Auf der obersten Schicht 9 des Reflexionselements 2, welche SiO enthält, befinden sich die einzelnen Volumenwellen-Resonatoren, die jeweils eine erste Elektrode 3, eine piezoelektrischeSilicon with a passivation layer made of SiO 2 . A reflection element 2, which contains seven layers of alternating SiO 2 and Ta 2 Os, is applied to the substrate 1. The first layer 7 contains SiO 2 on the substrate 1. On the uppermost layer 9 of the reflection element 2, which contains SiO, there are the individual bulk wave resonators, each having a first electrode 3, a piezoelectric one
Schicht 4 und eine zweite Elektrode 5 umfassen. Die erste Elektrode 3 enthält Ti/Pt, wobei die Pt-haltige Schicht der ersten Elektrode 3 ist mit einer (11 l)-Orientierung aufgewachsen. Auf jeder ersten Elektrode 3 ist eine dünne Keimschicht aus PbZro.35Tiυ.65θ3 aufgebracht. Auf jeder Keimschicht ist als piezoelektrische Schicht 4 eine Schicht aus KbNO3 mit einer (OOl)-Orientierung aufgewachsen. Auf jeder piezoelektrischen Schicht 4 befindet sich eine zweite Elektrode 5 aus TiW/Al. Auf der zweiten Elektrode 5 jedes Volumenwellen- Resonators befindet sich eine dünne Schicht aus SiO . Die einzelnen Volumenwellen- Resonatoren sind auf dem Substrat 1 derart elektrisch verbunden, dass eine Filteranordnung zur Signalfilterung im Hochfrequenzteil eines Mobilfunkgerätes erhalten wurde.Layer 4 and a second electrode 5 comprise. The first electrode 3 contains Ti / Pt, the Pt-containing layer of the first electrode 3 having been grown with an (11 l) orientation. On each first electrode 3 there is a thin seed layer made of PbZro. 35 Ti υ .65θ 3 applied. A layer of KbNO 3 with an (OOl) orientation has grown on each seed layer as the piezoelectric layer 4. A second electrode 5 made of TiW / Al is located on each piezoelectric layer 4. There is a thin layer of SiO on the second electrode 5 of each bulk wave resonator. The individual bulk wave resonators are electrically connected on the substrate 1 in such a way that a filter arrangement for signal filtering in the high-frequency part of a mobile radio device has been obtained.
Ausführungsbeispiel 4Embodiment 4
Ein Filteranordnung aus Volumenwellen-Resonatoren weist ein Substrat 1 aus Glas auf. Auf dem Substrat 1 ist ein Reflexionselement 2, welches ein Schicht aus porösem SiO2 enthält, aufgebracht. Auf dem Reflexionselement 2 befinden sich die einzelnen Volumenwellen-Resonatoren, die jeweils eine erste Elektrode 3, eine piezoelektrischeA filter arrangement made of bulk wave resonators has a substrate 1 made of glass. A reflection element 2, which contains a layer of porous SiO 2 , is applied to the substrate 1. The individual bulk wave resonators, each having a first electrode 3, a piezoelectric one, are located on the reflection element 2
Schicht 4 und eine zweite Elektrode 5 umfassen. Die erste Elektrode 3 enthält Ti/Pt, wobei die Pt-haltige Schicht der ersten Elektrode 3 ist mit einer (lll)-Orientierung aufgewachsen. Auf jeder ersten Elektrode 3 ist als piezoelektrische Schicht 4 eine Schicht aus Pb(Mg1 3Nb23)O3-PbTiO3 mit einer (OOl)-Orientierung und mit einer (lll)-Orientierung aufgewachsen. Auf jeder piezoelektrischen Schicht 4 befindet sich eine zweite Elektrode 5 aus Pt. Auf der zweiten Elektrode 5 jedes Volumen wellen-Resonators befindet sich eine dünne Schicht aus SiO2. Die einzelnen Volumenwellen-Resonatoren sind auf dem Substrat 1 derart elektrisch verbunden, dass eine Filteranordnung zur Signalfilterung im Hochfrequenzteil eines Mobilfunkgerätes erhalten wurde. Ausführungsbeispiel 5Layer 4 and a second electrode 5 comprise. The first electrode 3 contains Ti / Pt, the Pt-containing layer of the first electrode 3 having been grown with an (III) orientation. A layer of Pb (Mg 1 3 Nb 23 ) O 3 -PbTiO 3 with an (OOl) orientation and with an (III) orientation is grown on each first electrode 3 as the piezoelectric layer 4. A second Pt electrode 5 is located on each piezoelectric layer 4. A thin layer of SiO 2 is located on the second electrode 5 of each volume wave resonator. The individual bulk wave resonators are electrically connected on the substrate 1 in such a way that a filter arrangement for signal filtering in the high-frequency part of a mobile radio device has been obtained. Embodiment 5
Ein Filteranordnung aus Volumenwellen-Resonatoren weist ein Substrat 1 aus Silicium mit einer Passivierungsschicht aus SiO2 auf. Auf dem Substrat 1 ist ein Reflexionselement 2, welches sieben Schichten aus abwechselnd SiO2 und Ta2O5 enthält, aufgebracht. Dabei enthält die erste Schicht 7 auf dem Substrat 1 SiO2. Auf der obersten Schicht 9 des Reflexionselements 2, welche SiO2 enthält, ist eine Barriereschicht aus MgO mit einer (lOO)-Orientierung aufgebracht. Auf der Barriereschicht befinden sich die einzelnen Volumenwellen-Resonatoren, die jeweils eine erste Elektrode 3, eine piezoelektrische Schicht 4 und eine zweite Elektrode 5 umfassen. Die erste Elektrode 3 enthält Ti/Pt, wobei die Pt-haltige Schicht der ersten Elektrode 3 ist mit einer (lOO)-Orientierung aufgewachsen ist. Auf jeder ersten Elektrode 3 ist als piezoelektrische Schicht 4 eine Schicht aus Pb(Zn1/3Nb /3)O3-PbTiO3 mit einer (OOl)-Orientierung aufgebracht. Auf jeder piezoelektrischen Schicht 4 befindet sich eine zweite Elektrode 5 aus Pt. Auf der zweiten Elektrode 5 jedes Volumenwellen-Resonators befindet sich eine dünne Schicht aus SiO2. Die einzelnen Volumenwellen-Resonatoren sind auf dem Substrat 1 derart elektrisch verbunden, dass eine Filteranordnung zur Signalfilterung im Hochfrequenzteil eines Mobilfunkgerätes erhalten wurde.A filter arrangement made of bulk wave resonators has a substrate 1 made of silicon with a passivation layer made of SiO 2 . A reflection element 2, which contains seven layers of alternating SiO 2 and Ta 2 O 5 , is applied to the substrate 1. The first layer 7 contains SiO 2 on the substrate 1. On the top layer 9 of the reflection element 2, which contains SiO 2 , a barrier layer made of MgO is applied with a (100) orientation. The individual bulk wave resonators, each comprising a first electrode 3, a piezoelectric layer 4 and a second electrode 5, are located on the barrier layer. The first electrode 3 contains Ti / Pt, the Pt-containing layer of the first electrode 3 being grown with a (100) orientation. A layer of Pb (Zn 1/3 Nb / 3 ) O 3 -PbTiO 3 with an (OOl) orientation is applied to each first electrode 3 as the piezoelectric layer 4. A second Pt electrode 5 is located on each piezoelectric layer 4. A thin layer of SiO 2 is located on the second electrode 5 of each bulk wave resonator. The individual bulk wave resonators are electrically connected on the substrate 1 in such a way that a filter arrangement for signal filtering in the high-frequency part of a mobile radio device has been obtained.
Ausführungsbeispiel 6Embodiment 6
Ein Filteranordnung aus Volumenwellen-Resonatoren weist ein Substrat 1 aus Glas auf. Auf dem Substrat 1 ist ein Reflexionselement 2, welches sieben Schichten aufgebracht. Jede der Schichten 7, 8, 9 enthielt als Materialen SiO2 und Ta2O5, wobei sich innerhalb jeder Schicht 7, 8, 9 die Zusammensetzung des Materials, sinusförmig mit der Schichtdicke d als Periode von reinem SiO2 nach reinem Ta2Os und zurück nach reinem SiO2 verändert. Die Schichtdicke d jeder Schicht 7, 8, 9 beträgt 466 nm. Auf der obersten Schicht 9 des Reflexionselements 2 befinden sich die einzelnen Volumenwellen-Resonatoren, die jeweils eine erste Elektrode 3, eine piezoelektrische Schicht 4 und eine zweite Elektrode 5 umfassen. Die erste Elektrode 3 enthält Ti/Pt, wobei die Pt-haltige Schicht der ersten Elektrode 3 ist mit einer (11 l)-Orientierung aufgewachsen. Auf jeder ersten Elektrode 3 ist eine dünne Keimschicht aus PbZro.35Tio.65θ3 aufgebracht. Auf jeder Keimschicht ist als piezoelektrische Schicht 4 eine Schicht aus Pb(Zni/3Nb2/3)O3-PbTiO3 mit einer (001)- Orientierung aufgewachsen. Auf jeder piezoelektrischen Schicht 4 befindet sich eine zweite Elektrode 5 aus Pt. Auf der zweiten Elektrode 5 jedes Volumenwellen-Resonators befindet sich eine dünne Schicht aus SiO2. Die einzelnen Volumenwellen-Resonatoren sind auf dem Substrat 1 derart elektrisch verbunden, dass eine Filteranordnung zur Signalfilterung im Hochfrequenzteil eines Mobilfunkgerätes erhalten wurde.A filter arrangement made of bulk wave resonators has a substrate 1 made of glass. A reflection element 2, which applies seven layers, is on the substrate 1. Each of the layers 7, 8, 9 contained SiO 2 and Ta 2 O 5 as materials, the composition of the material within each layer 7, 8, 9 being sinusoidal with the layer thickness d as the period from pure SiO 2 to pure Ta 2 Os and changed back to pure SiO 2 . The layer thickness d of each layer 7, 8, 9 is 466 nm. On the uppermost layer 9 of the reflection element 2 are the individual bulk wave resonators, each comprising a first electrode 3, a piezoelectric layer 4 and a second electrode 5. The first electrode 3 contains Ti / Pt, the Pt-containing layer of the first electrode 3 having been grown with an (11 l) orientation. On each first electrode 3 there is a thin seed layer made of PbZro. 3 5Tio. 6 5θ 3 applied. On each seed layer is a layer of Pb (Zni / 3 Nb 2/3) O 3 -PbTiO 3 with a (001) as the piezoelectric layer 4 - grown orientation. A second Pt electrode 5 is located on each piezoelectric layer 4. Located on the second electrode 5 of each bulk wave resonator a thin layer of SiO 2 . The individual bulk wave resonators are electrically connected on the substrate 1 in such a way that a filter arrangement for signal filtering in the high-frequency part of a mobile radio device has been obtained.
Ausführungsbeispiel 7Embodiment 7
Ein Filteranordnung aus Volumenwellen-Resonatoren weist ein Substrat 1 aus Silicium mit einer Passivierungsschicht aus SiO2 auf. Auf dem Substrat 1 ist ein Reflexionselement 2, welches sieben Schichten aus abwechselnd SiO2 und Ta2Os enthält, aufgebracht. Dabei enthält die erste Schicht 7 auf dem Substrat 1 SiO2. Auf der obersten Schicht 9 des Reflexionselements 2, welche SiO2 enthält, befinden sich die einzelnen Volumenwellen-Resonatoren, die jeweils eine erste Elektrode 3, eine piezoelektrische Schicht 4 und eine zweite Elektrode 5 umfassen. Die erste Elektrode 3 enthält Ti/Pt, wobei die Pt-haltige Schicht der ersten Elektrode 3 ist mit einer (lll)-Orientierung aufgewachsen ist. Auf jeder ersten Elektrode 3 ist als piezoelektrische Schicht 4 eine texturierte Schicht aus A1N mit einer (OOOl)-Orientierung aufgebracht. Auf jeder piezoelektrischen Schicht 4 befindet sich eine zweite Elektrode 5 aus AI. Auf der zweiten Elektrode 5 jedes Volumenwellen-Resonators befindet sich eine dünne Schicht aus SiO2. Die einzelnen Volumenwellen-Resonatoren sind auf dem Substrat 1 derart elektrisch verbunden, dass eine Filteranordnung zur Signalfilterung im Hochfrequenzteil eines Mobilfunkgerätes erhalten wurde.A filter arrangement made of bulk wave resonators has a substrate 1 made of silicon with a passivation layer made of SiO 2 . A reflection element 2, which contains seven layers of alternating SiO 2 and Ta 2 Os, is applied to the substrate 1. The first layer 7 contains SiO 2 on the substrate 1. The individual bulk wave resonators, each comprising a first electrode 3, a piezoelectric layer 4 and a second electrode 5, are located on the uppermost layer 9 of the reflection element 2, which contains SiO 2 . The first electrode 3 contains Ti / Pt, the Pt-containing layer of the first electrode 3 being grown with an (III) orientation. A textured layer of A1N with a (OOOl) orientation is applied to each first electrode 3 as the piezoelectric layer 4. On each piezoelectric layer 4 there is a second electrode 5 made of Al. There is a thin layer of SiO 2 on the second electrode 5 of each bulk wave resonator. The individual bulk wave resonators are electrically connected on the substrate 1 in such a way that a filter arrangement for signal filtering in the high-frequency part of a mobile radio device has been obtained.
Ausführungsbeispiel 8Embodiment 8
Ein Filteranordnung aus Volumenwellen-Resonatoren weist ein Substrat 1 aus Silicium mit einer Passivierungsschicht aus SiO2 auf. Auf dem Substrat 1 ist ein Reflexionselement 2, welches sieben Schichten aus abwechselnd SiO2 und Si3N4 enthält, aufgebracht. Dabei enthält die erste Schicht 7 auf dem Substrat 1 SiO2. Auf der obersten Schicht 9 des Reflexionselements 2, welche SiO2 enthält, befinden sich die einzelnen Volumenwellen-Resonatoren, die jeweils eine erste Elektrode 3, eine piezoelektrische Schicht 4 und eine zweite Elektrode 5 umfassen. Die erste Elektrode 3 enthält Ti/Pt, wobei die Pt-haltige Schicht der ersten Elektrode 3 ist mit einer (11 l)-Orientierung aufgewachsen ist. Auf jeder ersten Elektrode 3 ist als piezoelektrische Schicht 4 eine texturierte Schicht aus A1N mit einer (OOOl)-Orientierung aufgebracht. Auf jeder piezoelektrischen Schicht 4 befindet sich eine zweite Elektrode 5 aus AI. Auf der zweiten Elektrode 5 jedes Volumenwellen-Resonators befindet sich eine dünne Schicht aus SiO2. Die einzelnen Volumenwellen-Resonatoren sind auf dem Substrat 1 derart elektrisch verbunden, dass eine Filteranordnung zur Signalfilterung im Hochfrequenzteil eines Mobilfunkgerätes erhalten wurde.A filter arrangement made of bulk wave resonators has a substrate 1 made of silicon with a passivation layer made of SiO 2 . A reflection element 2, which contains seven layers of alternating SiO 2 and Si 3 N 4 , is applied to the substrate 1. The first layer 7 contains SiO 2 on the substrate 1. The individual bulk wave resonators, each comprising a first electrode 3, a piezoelectric layer 4 and a second electrode 5, are located on the uppermost layer 9 of the reflection element 2, which contains SiO 2 . The first electrode 3 contains Ti / Pt, the Pt-containing layer of the first electrode 3 being grown with an (11 l) orientation. A textured layer of A1N with a (OOOl) orientation is applied to each first electrode 3 as the piezoelectric layer 4. On each piezoelectric layer 4 there is a second electrode 5 made of Al. There is a thin layer of SiO 2 on the second electrode 5 of each bulk wave resonator. The single ones Bulk wave resonators are electrically connected on the substrate 1 in such a way that a filter arrangement for signal filtering in the high-frequency part of a mobile radio device has been obtained.
Ausführungsbeispiel 9Embodiment 9
Ein Filteranordnung aus Volumenwellen-Resonatoren weist ein Substrat 1 aus Silicium mit einer Passivierungsschicht aus SiO2 auf. Auf dem Substrat 1 ist ein Reflexionselement 2, welches neun Schichten aus abwechselnd SiO2 und Ta2O5 enthält, aufgebracht. Dabei enthält die erste Schicht 7 auf dem Substrat 1 SiO2. Auf der obersten Schicht 9 des Reflexionselements 2, welche SiO2 enthält, befinden sich die einzelnen Volumenwellen-Resonatoren, die jeweils eine erste Elektrode 3, eine piezoelektrische Schicht 4 und eine zweite Elektrode 5 umfassen. Die erste Elektrode 4 enthält Ti/Al:Cu mit einer (lll)-Orientierung. Auf jeder ersten Elektrode 3 ist als piezoelektrische Schicht 4 eine texturierte Schicht aus A1N mit einer (OOOl)-Orientierung aufgebracht. Auf jeder piezoelektrischen Schicht 4 befindet sich eine zweite Elektrode 5 aus AI. Auf der zweiten Elektrode 5 jedes Volumenwellen-Resonators befindet sich eine dünne Schicht aus SiO2. Die einzelnen Volumenwellen-Resonatoren sind auf dem Substrat 1 derart elektrisch verbunden, dass eine Filteranordnung zur Signalfilterung im Hochfrequenzteil eines Mobilfunkgerätes erhalten wurde.A filter arrangement made of bulk wave resonators has a substrate 1 made of silicon with a passivation layer made of SiO 2 . A reflection element 2, which contains nine layers of alternating SiO 2 and Ta 2 O 5 , is applied to the substrate 1. The first layer 7 contains SiO 2 on the substrate 1. The individual bulk wave resonators, each comprising a first electrode 3, a piezoelectric layer 4 and a second electrode 5, are located on the uppermost layer 9 of the reflection element 2, which contains SiO 2 . The first electrode 4 contains Ti / Al: Cu with an (III) orientation. A textured layer of A1N with a (OOOl) orientation is applied to each first electrode 3 as the piezoelectric layer 4. On each piezoelectric layer 4 there is a second electrode 5 made of Al. There is a thin layer of SiO 2 on the second electrode 5 of each bulk wave resonator. The individual bulk wave resonators are electrically connected on the substrate 1 in such a way that a filter arrangement for signal filtering in the high-frequency part of a mobile radio device has been obtained.
Ausführungsbeispiel 10Embodiment 10
Ein Filteranordnung aus Volumenwellen-Resonatoren weist ein Substrat 1 aus Silicium mit einer Passivierungsschicht aus SiO2 auf. Auf dem Substrat 1 ist ein Reflexionselement 2, welches neun Schichten aus abwechselnd SiO2 und Ta2O5 enthält, aufgebracht. Dabei enthält die erste Schicht 7 auf dem Substrat 1 SiO2. Auf der obersten Schicht 9 des Reflexionselements 2, welche SiO2 enthält, befinden sich die einzelnen Volumenwellen-Resonatoren, die jeweils eine erste Elektrode 3, eine piezoelektrische Schicht 4 und eine zweite Elektrode 5 umfassen. Die erste Elektrode 3 enthält Ti/Pt, wobei die Pt-haltige Schicht der ersten Elektrode 3 ist mit einer (lll)-Orientierung aufgewachsen ist. Auf jeder ersten Elektrode 3 ist als piezoelektrische Schicht 4 eine texturierte Schicht aus ZnO mit einer (OOOl)-Orientierung aufgebracht. Auf jeder piezoelektrischen Schicht 4 befindet sich eine zweite Elektrode 5 aus AI. Auf der zweiten Elektrode 5 jedes Volumenwellen-Resonators befindet sich eine dünne Schicht aus SiO2. Die einzelnen Volumenwellen-Resonatoren sind auf dem Substrat 1 derart elektrisch verbunden, dass eine Filteranordnung zur Signalfilterung im Hochfrequenzteil eines Mobilfunkgerätes erhalten wurde. A filter arrangement made of bulk wave resonators has a substrate 1 made of silicon with a passivation layer made of SiO 2 . A reflection element 2, which contains nine layers of alternating SiO 2 and Ta 2 O 5 , is applied to the substrate 1. The first layer 7 contains SiO 2 on the substrate 1. The individual bulk wave resonators, each comprising a first electrode 3, a piezoelectric layer 4 and a second electrode 5, are located on the uppermost layer 9 of the reflection element 2, which contains SiO 2 . The first electrode 3 contains Ti / Pt, the Pt-containing layer of the first electrode 3 being grown with an (III) orientation. A textured layer of ZnO with a (OOOl) orientation is applied to each first electrode 3 as the piezoelectric layer 4. On each piezoelectric layer 4 there is a second electrode 5 made of Al. There is a thin layer of SiO 2 on the second electrode 5 of each bulk wave resonator. The individual bulk wave resonators are electrically connected on the substrate 1 such that a Filter arrangement for signal filtering in the high-frequency part of a mobile radio device was obtained.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: CLAIMS:
1. Filteranordnung ausgestattet mit wenigstens einem Volumen wellen-Resonator, welcher eine Resonatoreinheit und ein Reflexionselement (2) enthält, wobei die Resonatoreinheit eine erste und eine zweite Elektrode (3, 5) sowie zwischen der ersten und zweiten Elektrode (3, 5) eine texturierte piezoelektrische Schicht (4) aufweist.1. Filter arrangement equipped with at least one bulk wave resonator, which contains a resonator unit and a reflection element (2), the resonator unit having a first and a second electrode (3, 5) and between the first and second electrodes (3, 5) Textured piezoelectric layer (4).
2. Filteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die piezoelektrische Schicht (4) eine einkristalline Schicht ist.2. Filter arrangement according to claim 1, characterized in that the piezoelectric layer (4) is a single-crystalline layer.
3. Filteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Material einer Elektrode (3, 5) texturiert ist.3. Filter arrangement according to claim 1, characterized in that the material of an electrode (3, 5) is textured.
4. Filteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Reflexionselement (2) mehrere Schichten (7, 8, 9) mit abwechselnd hoher und niedriger akustischer Impedanz aufweist.4. Filter arrangement according to claim 1, characterized in that the reflection element (2) has a plurality of layers (7, 8, 9) with alternating high and low acoustic impedance.
5. Filteranordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass eine Schicht mit hoher akustischer Impedanz ein Material ausgewählt aus der Gruppe Ta2O5, Si3N4, TiO2, ZnO, LiNbO3, LiTaO3, Al2O3, SiC, V2O5, Nb2O5, ZrO2, La2O3, WOx (0 < x ≤ 3), MoOx (0 < x < 3), ZrC, WC, MoC, ThO2, CeO2, Nd2O3, Pr2O3, Sm2O3, Gd2O3, ReOx (0 < x < 3.5), RuO2, IrO2, Y2O3, Sc2O3, LiGeO2, Bi12GeO20, GeO2, MgO, Yttrium- Aluminium-Granat, Yttrium-Eisen-Granat, LiGaO2, HfO2, A1N und C enthält.5. Filter arrangement according to claim 4, characterized in that a layer with high acoustic impedance is a material selected from the group Ta 2 O 5 , Si 3 N 4 , TiO 2 , ZnO, LiNbO 3 , LiTaO 3 , Al 2 O 3 , SiC , V 2 O 5 , Nb 2 O 5 , ZrO 2 , La 2 O 3 , WO x (0 <x ≤ 3), MoO x (0 <x <3), ZrC, WC, MoC, ThO 2 , CeO 2 , Nd 2 O 3 , Pr 2 O 3 , Sm 2 O 3 , Gd 2 O 3 , ReO x (0 <x <3.5), RuO 2 , IrO 2 , Y 2 O 3 , Sc 2 O 3 , LiGeO 2 , Bi 12 GeO 20 , GeO 2 , MgO, yttrium aluminum garnet, yttrium iron garnet, LiGaO 2 , HfO 2 , A1N and C contains.
6. Filteranordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet. dass eine Schicht mit niedriger akustischer Impedanz ein Material ausgewählt aus der Gruppe SiO2, Aerogel und GaAs enthält.6. Filter arrangement according to claim 4, characterized. that a layer with low acoustic impedance contains a material selected from the group consisting of SiO 2 , airgel and GaAs.
7. Filteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Reflexionselement (2) mehrere Schicht (7, 8, 9) mit jeweils einer Mischung aus wenigstens zwei Materialien enthalten, wobei innerhalb jeder Schicht die Zusammensetzung der Mischung relativ zur Schichtdicke kontinuierlich und periodisch variiert7. Filter arrangement according to claim 1, characterized in that the reflection element (2) contains a plurality of layers (7, 8, 9) each with a mixture of at least two materials, the composition of the mixture varying continuously and periodically relative to the layer thickness within each layer
8. Mobilfunkgerät ausgerüstet mit einer Filteranordnung mit wenigstens einem8. Mobile radio device equipped with a filter arrangement with at least one
Volumenwellen-Resonator, welcher eine Resonatoreinheit und ein Reflexionselement (2) enthält, wobei die Resonatoreinheit eine erste und eine zweite Elektrode (3, 5) sowie zwischen der ersten und zweiten Elektrode (3, 5) eine texturierte piezoelektrische Schicht (4) aufweist.Bulk wave resonator, which contains a resonator unit and a reflection element (2), the resonator unit having first and second electrodes (3, 5) and a textured piezoelectric layer (4) between the first and second electrodes (3, 5).
9. Sender ausgerüstet mit einer Filteranordnung mit wenigstens einem Volumenwellen-Resonator, welcher eine Resonatoreinheit und ein Reflexionselement (2) enthält, wobei die Resonatoreinheit eine erste und eine zweite Elektrode (3, 5) sowie zwischen der ersten und zweiten Elektrode (3, 5) eine texturierte piezoelektrische Schicht (4) aufweist.9. Transmitter equipped with a filter arrangement with at least one bulk wave resonator, which contains a resonator unit and a reflection element (2), the resonator unit having first and second electrodes (3, 5) and between the first and second electrodes (3, 5 ) has a textured piezoelectric layer (4).
10. Empfänger ausgerüstet mit einer Filteranordnung mit wenigstens einem Volumenwellen-Resonator, welcher eine Resonatoreinheit und ein Reflexionselement (2) enthält, wobei die Resonatoreinheit eine erste und eine zweite Elektrode (3, 5) sowie zwischen der ersten und zweiten Elektrode (3, 5) eine texturierte piezoelektrische Schicht (4) aufweist.10. Receiver equipped with a filter arrangement with at least one bulk wave resonator, which contains a resonator unit and a reflection element (2), the resonator unit comprising a first and a second electrode (3, 5) and between the first and second electrodes (3, 5 ) has a textured piezoelectric layer (4).
11. Drahtloses Datenübertragungssystem ausgerüstet mit einer Filteranordnung mit wenigstens einem Volumenwellen-Resonator, welcher eine Resonatoreinheit und ein Reflexionselement (2) enthält, wobei die Resonatoreinheit eine erste und eine zweite Elektrode (3, 5) sowie zwischen der ersten und zweiten Elektrode (3, 5) eine texturierte piezoelektrische Schicht (4) aufweist. 11. Wireless data transmission system equipped with a filter arrangement with at least one bulk wave resonator, which contains a resonator unit and a reflection element (2), the resonator unit having first and second electrodes (3, 5) and between the first and second electrodes (3, 5) has a textured piezoelectric layer (4).
12. Volumen wellen-Resonator, welcher eine Resonatoreinheit und ein12. Volume wave resonator, which is a resonator unit and one
Reflexionselement (2) enthält, wobei die Resonatoreinheit eine erste und eine zweite Elektrode (3,5) sowie zwischen der ersten und zweiten Elektrode (3, 5) eine texturierte piezoelektrische Schicht (4) aufweist. Contains reflection element (2), the resonator unit having a first and a second electrode (3, 5) and between the first and second electrodes (3, 5) a textured piezoelectric layer (4).
EP02755508A 2001-08-14 2002-08-05 Filter system with bulk wave resonator Withdrawn EP1419577A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02755508A EP1419577A1 (en) 2001-08-14 2002-08-05 Filter system with bulk wave resonator

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP01306933 2001-08-14
EP01306933 2001-08-14
EP02755508A EP1419577A1 (en) 2001-08-14 2002-08-05 Filter system with bulk wave resonator
PCT/IB2002/003291 WO2003017481A1 (en) 2001-08-14 2002-08-05 Filter system with bulk wave resonator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP1419577A1 true EP1419577A1 (en) 2004-05-19

Family

ID=8182190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP02755508A Withdrawn EP1419577A1 (en) 2001-08-14 2002-08-05 Filter system with bulk wave resonator

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6975182B2 (en)
EP (1) EP1419577A1 (en)
JP (1) JP2005500778A (en)
CN (1) CN1541447B (en)
WO (1) WO2003017481A1 (en)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100361386C (en) * 2001-08-14 2008-01-09 Nxp股份有限公司 Filter system comprising bulk acoustic wave resonator
JP2005197983A (en) * 2004-01-07 2005-07-21 Tdk Corp Thin film bulk wave resonator
JP2005198117A (en) * 2004-01-09 2005-07-21 Tdk Corp Electronic device formation structure, and manufacturing method of electronic device
JP2006019935A (en) * 2004-06-30 2006-01-19 Toshiba Corp Thin film piezoelectric resonator and manufacturing method thereof
KR100671031B1 (en) 2004-07-09 2007-01-18 사공건 Fluid level measuring system using acoustic impedance matching
JP4016983B2 (en) * 2004-12-07 2007-12-05 株式会社村田製作所 Piezoelectric thin film resonator and manufacturing method thereof
EP1829209A1 (en) * 2004-12-15 2007-09-05 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Thin film acoustic reflector stack
JP2007129391A (en) * 2005-11-02 2007-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Acoustic resonator and filter
FR2927743B1 (en) * 2008-02-15 2011-06-03 St Microelectronics Sa FILTERING CIRCUIT COMPRISING COUPLED ACOUSTIC RESONATORS
EP2436049B1 (en) * 2009-05-28 2019-05-01 Northrop Grumman Systems Corporation Lateral over-moded bulk acoustic resonators
CN101924529B (en) * 2010-08-31 2012-10-10 庞慰 Piezoelectric resonator structure
DE102011119660B4 (en) * 2011-11-29 2014-12-11 Epcos Ag Microacoustic device with waveguide layer
CN104917476B (en) * 2015-05-28 2022-04-12 苏州汉天下电子有限公司 Method for manufacturing acoustic wave resonator
JP7036487B2 (en) 2016-07-07 2022-03-15 サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． SAW filter device and its manufacturing method
JP6854891B2 (en) * 2017-07-04 2021-04-07 京セラ株式会社 Elastic wave device, demultiplexer and communication device
GB2578979B (en) * 2017-07-07 2023-01-18 Skyworks Solutions Inc Substituted aluminium nitride for improved acoustic wave filters
WO2020132999A1 (en) * 2018-12-26 2020-07-02 天津大学 Resonator with temperature compensation layer, and filter

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0609555A2 (en) * 1993-02-01 1994-08-10 Motorola, Inc. Frequency selective component and method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5873154A (en) 1996-10-17 1999-02-23 Nokia Mobile Phones Limited Method for fabricating a resonator having an acoustic mirror
US6239536B1 (en) * 1998-09-08 2001-05-29 Tfr Technologies, Inc. Encapsulated thin-film resonator and fabrication method
JP4327942B2 (en) * 1999-05-20 2009-09-09 Ｔｄｋ株式会社 Thin film piezoelectric element
DE19931297A1 (en) * 1999-07-07 2001-01-11 Philips Corp Intellectual Pty Bulk wave filter
US6349454B1 (en) * 1999-07-29 2002-02-26 Agere Systems Guardian Corp. Method of making thin film resonator apparatus
US6339276B1 (en) * 1999-11-01 2002-01-15 Agere Systems Guardian Corp. Incremental tuning process for electrical resonators based on mechanical motion
US6329305B1 (en) * 2000-02-11 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for producing devices having piezoelectric films
US6709776B2 (en) * 2000-04-27 2004-03-23 Tdk Corporation Multilayer thin film and its fabrication process as well as electron device
JP3954395B2 (en) * 2001-10-26 2007-08-08 富士通株式会社 Piezoelectric thin film resonator, filter, and method of manufacturing piezoelectric thin film resonator

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0609555A2 (en) * 1993-02-01 1994-08-10 Motorola, Inc. Frequency selective component and method

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IIJIMA T. ET AL: "Displacement Property of PZT Films Prepared by CSD Method", PROC. OF THE 2000 12TH IEEE INT. SYMPOSIUM ON APPLICATIONS ON FERROELECTRICS, ISAF 2000, 21 July 2000 (2000-07-21) - 2 August 2000 (2000-08-02), pages 945 - 948 *
See also references of WO03017481A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003017481A1 (en) 2003-02-27
JP2005500778A (en) 2005-01-06
CN1541447B (en) 2010-04-21
US6975182B2 (en) 2005-12-13
US20040189423A1 (en) 2004-09-30
CN1541447A (en) 2004-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2003017481A1 (en) Filter system with bulk wave resonator
DE60032410T2 (en) Piezoelectric thin-film component for acoustic resonators
DE112008002199B4 (en) Method for forming a multilayer electrode, which lies under a piezoelectric layer, and corresponding structure
DE102015117953B4 (en) A bulk acoustic wave resonator device comprising a temperature compensation device having a layer of low acoustic impedance
EP1438787B1 (en) Baw resonator
DE10119442B4 (en) Cavity spanning bottom electrode of a bulk acoustic wave resonator
DE102010030623B4 (en) Piezoelectric resonator structures with temperature compensation
DE102018105290B4 (en) Layer system, manufacturing method and SAW component formed on the layer system
DE112010002790T5 (en) METHOD OF MANUFACTURING A PIEZOELECTRIC LAYER AND PIEZOELECTRIC LAYER PRODUCED BY THE MANUFACTURING METHOD
DE19931297A1 (en) Bulk wave filter
EP1111780A2 (en) Filter
DE60120052T2 (en) Thin film, process for producing a thin film and electronic component
EP1418671A2 (en) Acoustic reflector for BAW resonator
WO2014086524A2 (en) Electroacoustic transducer
DE60315286T2 (en) GROUP OF MEMBRANE ULTRASOUND TRANSFORMERS
DE10316716A1 (en) Component with a piezoelectric functional layer
DE102020128197A1 (en) PIEZOELECTRIC THIN FILM DEVICE
WO2002009131A2 (en) Semiconductor element comprising a sequence of layers for converting acoustic or thermal signals and electrical voltage changes into each other and method for producing the same
DE102018104947B3 (en) BAW resonator with an increased quality factor
DE102019104423B4 (en) BAW resonator with an improved crystal quality, HF filter, multiplexer and manufacturing process
EP1419576B1 (en) Filter system comprising a bulk acoustic wave resonator
DE10142268B4 (en) Piezoelectric ceramic composition for a SAW device and its use
DE102022107602A1 (en) PIEZOELECTRICAL FILM, RESONATOR, FILTER, LAMINATE, DETACHED LAMINATE AND METHOD OF MAKING A RESONATOR
DE10150253A1 (en) Piezoelectric component used in mobile communications and data processing comprises a layer stack made from piezoelectric layers and electrodes
DE102020115436A1 (en) Electrode-limited non-pendent acoustic resonator

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20040315

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE SK TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: AL LT LV MK RO SI

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: NXP B.V.

17Q First examination report despatched

Effective date: 20070725

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20100309