EP0319080A1 - Tube intensificateur d'images à rayons X - Google Patents

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EP0319080A1
EP0319080A1 EP88202638A EP88202638A EP0319080A1 EP 0319080 A1 EP0319080 A1 EP 0319080A1 EP 88202638 A EP88202638 A EP 88202638A EP 88202638 A EP88202638 A EP 88202638A EP 0319080 A1 EP0319080 A1 EP 0319080A1
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EP
European Patent Office
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scintillator
photocathode
layer
tube according
chosen
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EP88202638A
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German (de)
English (en)
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EP0319080B1 (fr
Inventor
Pierre Marie-André Dolizy
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Laboratoires dElectronique Philips SAS
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Electronique & Physique
Laboratoires dElectronique Philips SAS
Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Koninklijke Philips Electronics NV
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Publication date
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Publication of EP0319080B1 publication Critical patent/EP0319080B1/fr
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
    • H01J29/38—Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode
    • H01J29/385—Photocathodes comprising a layer which modified the wave length of impinging radiation

Definitions

  • the invention relates to an X-ray image intensifier tube comprising an entrance window provided with an aluminum substrate which supports a scintillator which transforms, into visible or near visible light radiation, the X-ray which reaches the scintillator through the substrate, the light radiation being converted by a photocathode into a flow of electrons which, using electronic optics, provides a visible image on an output screen.
  • an invention of this kind is described in document FR 2 515 423. It describes an input screen suitable for use in an image intensifier tube with increased resolution power.
  • the colomnial crystals of cesium iodide which constitute the scintillator come from particles of impurities on the surface of the aluminum substrate.
  • a side effect of these surface impurities is to promote the absorption of the light emitted towards the substrate.
  • the guiding action of the light obtained by the columnar crystals being imperfect, this mechanism of absorption of the light by the particles of impurities improves the contrast of the restored image.
  • These particles of impurities must constitute germs for the growth of the columnar crystals. They therefore form islands scattered on the surface of the aluminum substrate made visible by an appropriate chemical treatment. The light emitted by the scintillator towards the substrate is therefore only incidentally absorbed by these particles of impurities whose presence and nature are random.
  • the problem is therefore to have a tube provided with an input window having a high resolution for the entire surface of the restored image.
  • the performance of the tube must be reproducible and reliable.
  • the solution to this technical problem is that between the aluminum substrate and the scintillator is interposed a layer absorbing the light radiation emitted by the scintillator towards the aluminum substrate, the absorbent layer being made of a material chosen from following materials: titanium nitride, cadmium sulfide, (Cu, PbI2).
  • the invention places a low index layer between the scintillator and the photocatode having a refractive index lower than that of the photocathode.
  • the material of this layer can be chosen from the following materials: MgF2, cryolite (Na3AlF6).
  • the scintillator is chosen from the following materials: CsI (Na), NaI (Tl), CsI (Tl), CdWO4, Bi4Ge3O12, CaWO4.
  • a secondary problem is to have a high brightness while retaining the resolution of the tube.
  • a chemical barrier consisting of a layer chosen from the following materials: Al2O3, Si3N4, SiO2. This chemical barrier prevents the sodium contained in the scintillator from migrating to the photocathode.
  • This layer is chosen from the following materials: palladium, aluminum, In2O3, SnO2, ITO (mixture of In2O3 at 90% and SnO2 at 10%).
  • FIG. 1A represents an X-ray image intensifier tube which comprises, at the input, a separation sheet 23 with the vacuum formed of a suitable material, for example titanium.
  • the separating sheet is followed by an entry window 21.
  • the assembly is mounted in a vacuum envelope which further comprises a cylindrical surface 43 with a conical part 45, a terminal anode support 49 and a window outlet tube 20.
  • the tube is provided at its inlet with a mounting ring 22 to which the separation sheet 23 is connected as well as a support 24 for the inlet screen 21.
  • the photoelectron beams 52 from a photocathode 13 form an image on a luminescent layer 46 which is preferably deposited on an output screen 20 formed of a plate of optical fibers.
  • the electronic image projected onto the output screen generates an optical image in the layer of luminescent material. This optical image is then used in the usual way to be viewed.
  • the entrance window 21 comprises in order an aluminum substrate 10, an absorbent layer 11, a scintillator 12 and a photocathode 13.
  • the incident X-rays arrive on the structure through the substrate 10 and electrons e- are emitted by photocathode 13.
  • the ray 51 penetrates the photocathode 13 which emits electrons 52.
  • the same point 50 can emit rays such as the ray 53 in the direction of the substrate 10.
  • the ray 53 is reflected according to the radius 54 and electrons 55 are emitted by the photocathode.
  • the same point 50 produces several emissions of electrons 52, 55 and this results in a resolution defect in the tube.
  • the rays 53 which are emitted in direction of the substrate are absorbed.
  • absorption must occur in a continuous and homogeneous manner over the entire surface of the entry window in order to restore an image of homogeneous quality.
  • the absorption must be as high as possible for the wavelength of the light emitted by the scintillator.
  • the scintillators can be chosen from the following materials: CsI (Na), NaI (Tl), CsI (Tl), CdWO4, Bi4Ge3 O12, CaWO4.
  • the wavelength of the light emitted is close to 430 nm.
  • the absorbent layer must allow this radiation to be absorbed.
  • the material can be chosen from the following materials: TiN, CdS, (Cu, PbI2).
  • FIG. 2 represents the reflection rate of a TiN layer deposited on an aluminum substrate for light emitted at 430 nm by a CsI (Na) scintillator. This rate is represented as a function of the thickness of the absorbent layer. It is noted that the reflection rate becomes less than 10% as soon as the TiN layer reaches a thickness of approximately 50 nm.
  • FIG. 3 represents the reflection rate of a layer of CdS deposited on an aluminum substrate for a wavelength of 430 nm as a function of the thickness of the layer.
  • the thicknesses of CdS can be chosen in substantially the following ranges: 115 nm to 135 nm, 185 nm at 235 nm, greater than 260 nm for a light emission at 430 nm.
  • Each scintillator will have a light spectrum centered on its own central wavelength. These light spectra are distributed between substantially 400 nm and substantially 600 nm.
  • the thicknesses of CdS layers are therefore to be determined both according to a predetermined admissible value for the reflection rate and according to the central emission wavelength of the scintillator used. Those skilled in the art by preliminary measurements of the reflection rate as a function of the thickness for the wavelength and the material chosen can thus easily choose the thickness according to the tolerated reflection rate.
  • FIG. 4 represents an embodiment of the invention which includes an additional layer 19 with a low refractive index placed between the scintillator 12 and the photocathode 13.
  • an additional layer 19 with a low refractive index placed between the scintillator 12 and the photocathode 13.
  • point 63 can be quite far from the radial direction coming from point 50 perpendicular to the curved surface of the photocathode, a direction which is substantially the axial direction of the columnar crystals.
  • the electrons which come from ray 61 will thus contribute to decrease the resolution of the image of the tube.
  • This second cause of a decrease in resolution is corrected using a low index layer 19 having a refractive index lower than that of the scintillator 12, placed between the scintillator 12 and the photocathode 13.
  • the radius 60 strikes the surface of this layer at point 64 and undergoes a total reflection along the radius 62.
  • the light rays which are substantially distant from the axial direction of the columnar crystals are returned and do not participate in the creation of electrons.
  • This layer 19 must have a low absorption so as not to disturb the luminosity.
  • the material of this layer can be chosen from the following materials: MgF2, cryolite (Na3AlF6). In the useful wavelength range which is between approximately 400 nm and 600 nm, the refractive index of MgF2 is between 1.33 and 1.37 approximately with an extinction index practically zero. The values are substantially similar for the cryolite.
  • This chemical barrier consists of a layer chosen from the following materials: Al2O3, Si3N4, SiO2.
  • the photocathode material is generally not very conductive, it is possible to ensure a homogeneous distribution of the electrical potential by placing a conductive layer on the photocathode on the side of the scintillator. This conductive layer must also be transparent to allow pass the radiation emitted by the scintillator. If a chemical barrier exists, the conductive and transparent layer is placed between the photocathode and the chemical barrier.
  • the following materials can be used: palladium, aluminum, In2O3, SnO2 or the ITO material which a mixture of In2O3 (90%) and SnO2 (10%).
  • FIG. 5 We then obtain an entry window shown in Figure 5.
  • the aluminum substrate 10 the absorbent layer 11, the scintillator 12 and the photocathode 13 which is preferably made of a material with high photoelectric yield.
  • the conductive and transparent layer 18 in contact with the photocathode, is arranged the conductive and transparent layer 18, preceded by the chemical barrier 17.
  • the low index layer 19 shown in Figure 4 can be associated with the conductive and transparent layer 18 and the barrier chemical 17 shown in FIG. 5.
  • the low index layer 19 can be placed between the scintillator 12 and the chemical barrier 17. It can also be placed between the chemical barrier 17 and the conductive and transparent layer 18.
  • the entry window produced with an absorbent layer, for example made of TiN, and a photocathode with a high photoelectric efficiency, for example made of K2CsSb, will generally be able to have a photoelectric yield higher than an entry window made without these materials.
  • FIG. 6 represents the variations in the photoelectric efficiency Y of a photocathode as a function of the thickness of the scintillator.
  • the thickness of the photocathode is such that the photoelectric efficiency is at its maximum.
  • Curve 31 relates to the Al / TiN / CsI, Na / Al2O3 / K2CsSb structure. Its reflection rate of light emitted by the scintillator and reflected by the substrate is less than 10%.
  • Curve 32 relates to the Al / CsI, Na / Al2O3 / K2CsSb structure. Its reflection rate is around 70%. Curve 31 is below curve 32 because indeed, the absorbed light is lost and does not can generate electrons.
  • Curve 33 relates to the Al / CsI, Na / Cs3Sb structure. Curve 31 is located above curve 33. This means that an entrance window with an absorbent layer and a photocathode with high photoelectric efficiency can exhibit increased performance compared to a usual structure. Likewise, it can be seen that an input window corresponding to curve 31 can have performances equal to those obtained with an input window corresponding to curve 33, and this with a much smaller scintillator thickness.
  • this thickness can be reduced from 0.4 to 0.2 mm approximately.
  • This reduction in the thickness of the scintillator also contributes to improving the resolution of the tube.
  • the crystals which constitute the scintillator generally have, over a certain thickness (ten micrometers), dislocations which cause a diffusion of light.
  • the proposed thickness reduction maintains a sufficient scintillator thickness so that this dislocated zone only slightly disturbs the mechanisms.
  • this reduction in thickness is very advantageous since these X-ray detection tubes require crystals to grow on entry window surfaces of several square decimetres. Such a reduction in thickness results in a significant saving of material and an increased manufacturing yield.

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  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Abstract

Tube intensificateur d'images à rayons X comprenant un substrat d'aluminium qui supporte un scintillateur qui transforme un rayonnement X en un rayonnement lumineux visible ou proche du visible, ce dernier étant converti par une photocathode en un flux d'électrons qui, à l'aide de moyens d'optique électronique, fournit une image visible sur un écran de sortie. Selon l'invention on interpose entre le substrat d'aluminium (10) et le scintillateur (12) une couche (11) absorbant le rayonnement lumineux émis par le scintillateur en direction du substrat d'aluminium, la couche absorbante étant constituée d'un matériau choisi parmi les matériaux suivants : nitrure de titane, sulfure de cadmium, (Cu,PbI2). Une couche (19) à bas indice optique peut être interposée entre le scintillateur (12) et la photocathode (13). Une barrière chimique peut également être disposée entre le scintillateur et la photocathode. On peut placer une couche conductrice électriquement et transparente optiquement entre la photocathode et la barrière chimique.

Description

  • L'invention concerne un tube intensificateur d'images à rayons X comprenant une fenêtre d'entrée munie d'un substrat d'aluminium qui supporte un scintillateur qui trans­forme, en un rayonnement lumineux visible ou proche du visi­ble, le rayonnement X qui atteint le scintillateur à travers le substrat, le rayonnement lumineux étant converti par une photocathode en un flux d'électrons qui, à l'aide de moyens d'optique électronique, fournit une image visible sur un écran de sortie.
  • Une invention de ce genre est décrite dans le do­cument FR 2 515 423. Il décrit un écran d'entrée adapté pour être utilisé dans un tube amplificateur de brillance avec un pouvoir de résolution accru. Pour cela les cristaux colomnai­res d'iodure de césium qui constituent le scintillateur sont issus de particules d'impuretés de surface du substrat d'alu­minium. Un effet secondaire de ces impuretés de surface est de favoriser l'absorption de la lumière émise en direction du substrat. L'action de guidage de la lumière obtenue par les cristaux colomnaires étant imparfaite, ce mécanisme d'absorp­tion de la lumière par les particules d'impuretés améliore le contraste de l'image restituée. Ces particules d'impuretés doivent constituer des germes pour la croissance des cristaux colomnaires. Elles forment donc des ilots disséminés en surfa­ce du substrat d'aluminium rendus apparents par un traitement chimique approprié. La lumière émise par le scintillateur en direction du substrat n'est donc qu'accessoirement absorbée par ces particules d'impuretés dont la présence et la nature sont aléatoires.
  • Le problème posé est donc de disposer d'un tube muni d'une fenêtre d'entrée ayant une haute résolution pour la totalité de la surface de l'image restituée. Les performances du tube doivent être reproductibles et fiables.
  • La solution à ce problème technique est qu'entre le substrat d'aluminium et le scintillateur est interposée une couche absorbant le rayonnement lumineux émis par le scin­tillateur en direction du substrat d'aluminium, la couche ab­sorbante étant constituée d'un matériau choisi parmi les ma­tériaux suivants : nitrure de titane, sulfure de cadmium, (Cu,PbI₂).
  • Mais compte tenu de l'indice de réfraction élevé du matériau de photocathode un autre mécanisme contribue à affaiblir la résolution. Il est dû aux rayons lumineux issus du scintillateur qui sont très écartés de la normale à la sur­face de la photocathode et qui peuvent pénétrer dans celle-ci. Pour éliminer ces rayons lumineux très écartés de la normale, l'invention place entre le scintillateur et la photocatode, une couche à bas indice ayant un indice de réfraction infé­rieur à celui de la photocathode. Le matériau de cette couche peut être choisi parmi les matériaux suivants : MgF₂, cryoli­the (Na₃AlF₆).
  • Le scintillateur est choisi parmi les matériaux suivants : CsI(Na), NaI(Tl), CsI(Tl), CdWO₄, Bi₄Ge₃O₁₂, CaWO₄.
  • Le rayonnement qui est dirigé vers le substrat étant absorbé, il peut en résulter une baisse de luminosité du tube avec une photocathode habituelle en Cs₃Sb.
  • Un problème secondaire est de disposer d'une lu­minosité élevée tout en conservant la résolution du tube.
  • La solution à ce problème secondaire est de choi­sir la photocathode parmi les matériaux suivants : K₂CsSb, Rb₂CsSb, (SbNa₂K,Cs), ce dernier matériau pouvant être de type S20 ou S25 selon sa réponse spectrale. Ces appellations sont connues de l'homme du métier. Tous ces matériaux confèrent au tube une grande durée de vie.
  • On obtient ainsi un tube disposant d'une résolu­tion accrue et d'une grande luminosité.
  • Pour donner au tube toutes ses qualités de durée de vie, il est souhaitable de disposer, entre le scintillateur et la photocathode, une barrière chimique constituée d'une couche choisie parmi les matériaux suivants : Al₂O₃, Si₃N₄, SiO₂. Cette barrière chimique évite au sodium contenu dans le scintillateur de migrer vers la photocathode.
  • Il est également possible d'améliorer la collec­tion des charges en disposant une couche conductrice électri­quement et transparente optiquement entre la photocathode et la barrière chimique. Cette couche est choisie parmi les maté­riaux suivants : palladium, aluminium, In₂O₃, SnO₂, ITO (mé­lange de In₂O₃ à 90% et de SnO₂ à 10%).
  • L'invention sera mieux comprise à l'aide des figures suivantes, données à titre d'exemples non limitatifs, qui représentent :
    • figure 1A : un tube intensificateur d'images à rayons X selon l'invention.
    • figure 1B : un schéma d'une fenêtre d'entrée d'un tube d'intensificateur d'images à rayons X selon l'invention.
    • figure 2 : une courbe de variations du taux de réflexion d'une couche de TiN déposée sur un substrat d'alumi­nium en fonction de l'épaisseur de la couche de TiN.
    • figure 3 : une courbe analogue à celle de la fi­gure 2 pour une couche de CdS.
    • figure 4 : un schéma analogue à celui de la figu­re 1 avec en supplément une couche à bas indice entre le scin­tillateur et la photocathode.
    • figure 5 : un schéma analogue à celui de la figu­re 1 avec en plus une barrière chimique et une couche conduc­trice et transparente placée entre le scintillateur et la pho­tocathode.
    • figure 6 : trois courbes de variations du rende­ment photoélectrique pour différentes structures de fenêtre d'entrée en unités arbitraires.
  • Les schémas des figures 1, 4 et 5 ne sont pas représentés à l'échelle afin de mieux mettre en évidence les mécanismes mis en jeu.
  • La figure 1A représente un tube intensificateur d'images à rayons X qui comprend en entrée une feuille de sé­paration 23 avec le vide formée d'un matériau adapté, par exemple le titane. La feuille de séparation est suivie d'une fenêtre d'entrée 21. L'ensemble est monté dans une enveloppe sous vide qui comprend en outre, une surface cylindrique 43 avec une partie conique 45, un support d'anode terminale 49 et une fenêtre de sortie 20. Le tube est muni à son entrée d'un anneau de montage 22 auquel sont connectés la feuille de sépa­ration 23 ainsi qu'un support 24 pour l'écran d'entrée 21. A travers une électrode d'entrée 26 et des électrodes 28, 40, 42 les faisceaux de photoélectrons 52 issus d'une photocathode 13 forment une image sur une couche luminescente 46 qui est pré­férentiellement déposée sur un écran de sortie 20 formé d'une plaque de fibres optiques. L'image électronique projetée sur l'écran de sortie génère une image optique dans la couche de matériau luminescent. Cette image optique est ensuite utilisée de manière habituelle pour être visualisée.
  • Sur la figure 1B, la fenêtre d'entrée 21 comprend dans l'ordre un substrat d'aluminium 10, une couche absorbante 11, un scintillateur 12 et une photocathode 13. Les rayons X incidents arrivent sur la structure à travers le substrat 10 et des électrons e- sont émis par la photocathode 13. Lorsque les rayons X sont absorbés en un point 50 du scintillateur, un rayonnement visible est émis. Par exemple le rayon 51 pénêtre la photocathode 13 qui émet des électrons 52. Mais le même point 50 peut émettre des rayons tel que le rayon 53 en direc­tion du substrat 10. En l'absence de la couche absorbante 11, le rayon 53 se réfléchit selon le rayon 54 et des électrons 55 sont émis par la photocathode. Ainsi un même point 50 produit plusieurs émissions d'électrons 52, 55 et il en résulte un dé­faut de résolution du tube.
  • Selon l'invention les rayons 53 qui sont émis en direction du substrat sont absorbés. Mais l'absorption doit se produire d'une manière continue et homogène sur toute la surface de la fenêtre d'entrée afin de restituer une image de qualité homogène. L'absorption doit être la plus élevée possi­ble pour la longueur d'onde de la lumière émise par le scin­tillateur. Les scintillateurs peuvent être choisis parmi les matériaux suivants : CsI(Na), NaI(Tl), CsI(Tl), CdWO₄, Bi₄Ge₃ O₁₂, CaWO₄. Par exemple pour un scintillateur en CsI(Na), la longueur d'onde de la lumière émise est voisine de 430 nm. La couche absorbante doit permettre d'absorber ce rayonnement. Selon l'invention le matériau peut être choisi parmi les ma­tériaux suivants : TiN, CdS, (Cu,PbI₂). Les indices optiques n* = n-ik, avec n l'indice de réfraction et k l'indice d'ex­tinction, sont respectivement pour TiN, n=1,65 et k=0,79 et pour CdS, n=2,5 et k=0,2. Ils sont donnés à titre d'exemple pour une longueur d'onde de 430 nm et varient peu avec la lon­gueur d'onde.
  • La figure 2 représente le taux de réflexion d'une couche de TiN déposée sur un substrat d'aluminium pour une lu­mière émise à 430 nm par un scintillateur en CsI(Na). Ce taux est représenté en fonction de l'épaisseur de la couche absor­bante. On constate que le taux de réflexion devient inférieur à 10% dès que la couche de TiN atteint une épaisseur d'environ 50 nm.
  • Une situation semblable apparaît pour d'autres matériaux tels que CdS ou (Cu,PbI₂). La figure 3 représente le taux de réflexion d'une couche de CdS déposée sur un subs­trat d'aluminium pour une longueur d'onde de 430 nm en fonc­tion de l'épaisseur de la couche. Pour le sulfure de cadmium on a n=2,5 et k=0,2. Il apparaît donc des oscillations sur la courbe de la figure 3. Il est donc possible de déterminer des épaisseurs de couches de CdS pour lesquelles le taux de réflexion est suffisamment peu important. Ainsi si l'on choi­si un taux inférieur à 10% les épaisseurs de CdS peuvent être choisies dans sensiblement les gammes suivantes : 115 nm à 135 nm, 185 nm à 235 nm, supérieur à 260 nm pour une émission lumineuse à 430 nm.
  • Chaque scintillateur aura un spectre de lumiè­re centré sur une longueur d'onde centrale qui lui est pro­pre. Ces spectres de lumière sont répartis entre sensiblement 400 nm et sensiblement 600 nm. Les épaisseurs de couches de CdS sont donc à déterminer à la fois selon une valeur pré­déterminée admissible pour le taux de réflexion et selon la longueur d'onde centrale d'émission du scintillateur utilisé. L'homme du métier par des mesures préliminaires de taux de ré­flexion en fonction de l'épaisseur pour la longueur d'onde et le matériau choisis peut ainsi aisément choisir l'épaisseur selon le taux de réflexion toléré.
  • La figure 4 représente un mode de réalisation de l'invention qui comprend un supplément une couche 19 à bas in­dice de réfraction placée entre le scintillateur 12 et la pho­tocathode 13. En effet, si l'on considère un rayon lumineux 60 issu du point 50, en l'absence de la couche 19 il arriverait au point 63 et pénêtrerait dans la photocathode 13 selon un rayon lumineux 61 où il produirait des électrons. Mais le point 63 peut être assez éloigné de la direction radiale is­sue du point 50 perpendiculaire à la surface courbe de la photocathode, direction qui est sensiblement la direction axiale des cristaux colomnaires. Les électrons qui sont issus du rayon 61 vont donc contribuer à diminuer la résolution de l'image du tube. Cette deuxième cause d'une diminution de la résolution est corrigée à l'aide d'une couche 19 à bas indice ayant un indice de réfraction inférieur à celui du scintilla­teur 12, placée entre le scintillateur 12 et la photocathode 13. Ainsi le rayon 60 frappe la surface de cette couche au point 64 et subit une réflexion totale selon le rayon 62. Les rayons lumineux éloignés sensiblement de la direction axiale des cristaux colomnaires sont renvoyés et ne participent pas à la création d'électrons. Cette couche 19 doit avoir une absorption faible pour ne pas perturber la luminosité. Le matériau de cette couche peut être choisi parmi les matériaux suivants : MgF₂, cryolithe (Na₃AlF₆). Dans la gamme de longueurs d'ondes utile qui se situe entre environ 400 nm et 600 nm, l'indice de réfraction de MgF₂ est compris entre 1,33 et 1,37 environ avec un indice d'extinction pratiquement nul. Les valeurs sont sensiblement analogues pour la cryolithe.
  • Cette absorption et cette réflexion de lumière qui se traduisent par un accroissement de résolution du tube, sont accompagnées d'une baisse de luminosité du tube. Il peut être souhaitable d'accroître cette luminosité. Pour cela il est possible d'utiliser d'autres matériaux de photocathode tels que : K₂CsSb, Rb₂CsSb, (SbNa₂K, Cs). Ils présentent un meilleur rendement photoélectrique que le matériau Cs₃Sb habi­tuel.
  • En normalisant à 1 le rendement photoélectrique de la structure formée d'une photocathode Cs₃Sb associée à un scintillateur (CsI,Na), on obtient un rendement de 1,60 avec une photocathode (SbNa₂K,Cs) et un rendement de 2,32 avec une photocathode K₂CsSb. Les photocathodes formées des matériaux K₂CsSb, Rb₂CsSb, ou (SbNa₂K, Cs) sont donc bien adaptées pour accroître les performances en luminosité qui sont altérées par les couches absorbantes de TiN. D'autre part elles permettent de donner à la structure une grande durée de vie.
  • Mais pour donner à une telle structure toutes ses qualités potentielles de grande durée de vie, il est souhaita­ble d'interposer une barrière chimique entre le scintillateur et la photocathode afin d'éviter que l'élément Na migre vers la photocathode lors de la fabrication du tube. Cette barrière chimique est constituée d'une couche choisie parmi les maté­riaux suivants : Al₂O₃, Si₃N₄, SiO₂.
  • Le matériau de la photocathode étant généralement peu conducteur, il est possible d'assurer une répartition ho­mogène du potentiel électrique en disposant une couche conduc­trice sur la photocathode du côté du scintillateur. Cette cou­che conductrice doit également être transparente pour laisser passer le rayonnement émis par le scintillateur. Si une bar­rière chimique existe, la couche conductrice et transparente est disposée entre la photocathode et la barrière chimique. Les matériaux suivants peuvent être utilisés : palladium, alu­minium, In₂O₃, SnO₂ ou le matériau ITO qui un mélange de In₂O₃ (90%) et SnO₂ (10%).
  • On obtient alors une fenêtre d'entrée représen­tée sur la figure 5. On y retrouve, comme sur la figure 1, le substrat d'aluminium 10, la couche absorbante 11, le scintil­lateur 12 et la photocathode 13 qui est préférentiellement constituée d'un matériau à rendement photoélectrique élevé. En supplément, en contact avec la photocathode, est disposée la couche conductrice et transparente 18, précédée de la barrière chimique 17. La couche à bas indice 19 représentée sur la fi­gure 4 peut être associée à la couche conductrice et transpa­rente 18 et à la barrière chimique 17 représentées sur la fi­gure 5. Ainsi on peut disposer la couche à bas indice 19 entre le scintillateur 12 et la barrière chimique 17. On peut aussi la disposer entre la barrière chimique 17 et la couche conduc­trice et transparente 18.
  • La fenêtre d'entrée réalisée avec une couche ab­sorbante, par exemple en TiN, et une photocathode à rendement photoélectrique élevé, par exemple en K₂CsSb, va pouvoir pré­senter globalement un rendement photoélectrique supérieur à une fenêtre d'entrée réalisée sans ces matériaux. Ceci est mis en évidence sur la figure 6 qui représente les variations du rendement photoélectrique Y d'une photocathode en fonction de l'épaisseur du scintillateur. L'épaisseur de la photocathode est telle que le rendement photoélectrique est au maximum. La courbe 31 concerne la structure Al/TiN/CsI,Na/Al₂O₃/K₂CsSb. Son taux de réflexion de lumière émise par le scintillateur et réfléchie par le substrat est inférieur à 10%. La courbe 32 concerne la structure Al/CsI,Na/Al₂O₃/K₂CsSb. Son taux de ré­flexion est de 70% environ. La courbe 31 est en dessous de la courbe 32 car en effet, la lumière absorbée est perdue et ne peut générer d'électrons. La courbe 33 concerne la structure Al/CsI,Na/Cs₃Sb. La courbe 31 est située au-dessus de la cour­be 33. Ceci signifie qu'une fenêtre d'entrée avec une couche absorbante et une photocathode à rendement photoélectrique élevée peut présenter des performances accrues par rapport à une structure habituelle. De même on constate qu'une fenêtre d'entrée correspondant à la courbe 31 peut présenter des per­formances égales à celles obtenues avec une fenêtre d'entrée correspondant à la courbe 33, et ceci avec une épaisseur de scintillateur bien plus faible. Sur la figure 6 on constate que cette épaisseur peut être réduite de 0,4 à 0,2 mm envi­ron. Cette réduction de l'épaisseur du scintillateur contribue aussi à l'amélioration de la résolution du tube. Les cristaux qui constituent le scintillateur présentent généralement sur une certaine épaisseur (une dizaine de micromètres) des dislo­cations qui provoque une diffusion de la lumière. La réduction d'épaisseur proposée conserve une épaisseur de scintillateur suffisante pour que cette zone disloquée ne pertube que fai­blement les mécanismes. Mais cette réduction d'épaisseur est très intéressante car ces tubes de détection de rayons X né­cessitent de faire croître des cristaux sur des surfaces de fenêtre d'entrée de plusieurs décimètres carrés. Une telle di­minution d'épaisseur entraine une économie importante de maté­riau et un rendement de fabrication accru.

Claims (11)

1. Tube intensificateur d'images à rayons X compre­nant une fenêtre d'entrée munie d'un substrat d'aluminium qui supporte un scintillateur qui transforme, en un rayonnement lumineux visible ou proche du visible, le rayonnement X qui atteint le scintillateur à travers le substrat, le rayonnement lumineux étant converti par une photocathode en un flux d'é­lectrons qui, à l'aide de moyens d'optique électronique, four­nit une image visible sur un écran de sortie, caractérisé en ce qu'entre le substrat d'aluminium et le scintillateur est interposée une couche absorbant le rayonnement lumineux émis par le scintillateur en direction du substrat d'aluminium, la couche absorbante étant constituée d'un matériau choisi parmi les matériaux suivants : nitrure de titane, sulfure de cad­mium, (Cu,PbI₂).
2. Tube selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une couche à bas indice ayant un indice de réfraction infé­rieur à celui de la photocathode est placée entre le scintil­lateur et la photocathode.
3. Tube selon la revendication 2, caractérisé en ce que le matériau de la couche à bas indice est choisi parmi les matériaux suivants : MgF₂, cryolithe (Na₃AlF₆).
4. Tube selon une des revendications 1 à 3, carac­térisé en ce que la couche de nitrure de titane présente une épaisseur d'au moins 50 nm.
5. Tube selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'épaisseur est comprise entre 75 nm et 120 nm.
6. Tube selon une des revendications 1 à 3, caracté­risé en ce que la couche de sulfure de cadmium présente une épaisseur située dans une des gammes suivantes : entre environ 115 nm et 135 nm, entre environ 185 nm et 235 nm, supérieure à environ 260 nm.
7. Tube selon une des revendications 1 à 6, caracté­risé en ce que la photocathode est choisie parmi les matériaux suivants : K₂CsSb, Rb₂CsSb, SbCs₃, (SbNa₂K, Cs).
8. Tube selon une des revendications 1 à 7, caracté­risé en ce que le scintillateur est choisi parmi les matériaux suivants : CsI(Na), NaI(Tl), CsI(Tl), CdWO₄, Bi₄Ge₃O₁₂, CaWO₄.
9. Tube selon la revendication 8, caractérisé en ce que le scintillateur en CsI(Na) présente une épaisseur compri­se entre 100 et 1000 micromètres environ.
10. Tube selon les revendications 7 et 9, caractéri­sé en ce qu'une barrière chimique est disposée entre le scin­tillateur et la photocathode, la barrière chimique étant choi­sie parmi les matériaux suivants : Al₂O₃, Si₃N₄, SiO₂.
11. Tube selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'une couche conductrice électriquement et transparente optiquement est déposée entre la photocathode et la barrière chimique, cette couche étant choisie parmi les matériaux sui­vants : palladium, aluminium, In₂O₃, SnO₂, mélange de In₂O₃ (90%) et de SnO₂ (10%).
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