EP0189087A1 - Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand (Varistor) - Google Patents

Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand (Varistor) Download PDF

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EP0189087A1
EP0189087A1 EP86100376A EP86100376A EP0189087A1 EP 0189087 A1 EP0189087 A1 EP 0189087A1 EP 86100376 A EP86100376 A EP 86100376A EP 86100376 A EP86100376 A EP 86100376A EP 0189087 A1 EP0189087 A1 EP 0189087A1
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EP
European Patent Office
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varistor
layers
voltage
electrical resistance
varistor material
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EP86100376A
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Günter Dipl.-Ing. Ott
Franz Dr. Zettl
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Siemens Bauelemente OHG
Siemens AG
Original Assignee
Siemens Bauelemente OHG
Siemens AG
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/1006—Thick film varistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
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    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
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    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/105—Varistor cores
    • H01C7/108—Metal oxide
    • H01C7/112—ZnO type

Definitions

  • the invention relates to a voltage-dependent electrical resistance (varistor) consisting of a ceramic, monolithic body made of a plurality of layers of 20 to 350 ⁇ m thick made of varistor material with grain sizes of 7 to 20 ⁇ m based on zinc oxide (Zn0) with up to 6 mol%. with additions of oxides of one or more of the metals Bi, Sb, Co, Ni, Cr, Mn, Mg, B, Al, Ba and as a coating serving, at most 10 ⁇ m thick noble metal layers that alternate with the varistor material layers and alternate to different locations of the Lateral surfaces of the body guided and there are electrically conductive and contacted with other metal layers.
  • a voltage-dependent electrical resistance consisting of a ceramic, monolithic body made of a plurality of layers of 20 to 350 ⁇ m thick made of varistor material with grain sizes of 7 to 20 ⁇ m based on zinc oxide (Zn0) with up to 6 mol%. with additions of oxides of one or more of the metals Bi, Sb,
  • Such a varistor is described in the publication "Advances in Ceramics” (American Ceram. Society, Columbus) 1981, Vol. 1, pages 349 to 358.
  • the average grain size is given there as 10 ⁇ m.
  • the response voltage per grain boundary is 2 to 3 V.
  • the data for the thickness of the varistor material layers are 20 to 200 ⁇ m, the properties being measured on varistors with a layer thickness of 40 ⁇ m or 150 ⁇ m with 20 layers stacked one above the other.
  • the non-linearity coefficient ⁇ is given as 20 to 30, while the varistor voltage, measured at 1 mA, is given as 4 to 40 volts.
  • Fired-in silver electrodes are specified as metal layers for contacting the coatings arranged alternately in the monolithic body on its surface. There is no further information about the material of the linings inside the monolithic body. There is also no information about the porosity of the material.
  • the voltage that is measured at 1 mA is defined as the varistor voltage on page 52.
  • the varistor voltage is used to classify varistors.
  • Varistors for low voltages so-called low-voltage varistors, which are manufactured using conventional technology, have grain sizes of approximately 100 .mu.m and even larger in order to keep the number of grain boundaries between the coatings low.
  • a coarsely crystallizing material leads to the problem that the grain size distribution scatters strongly and thus the steepness of the I-U characteristic (non-linearity coefficient a) drops sharply.
  • Low-voltage varistors manufactured in this way cannot generally be used to protect against higher voltages because the heat generated in the ceramic body cannot be dissipated.
  • the present invention has for its object to improve a voltage-dependent electrical resistance (varistor) of the type mentioned in that the range of the varistor voltage is expanded so that in this way and from the same material, varistors with different varistor voltages can be produced that the The amount of the palladium usually used for such components is reduced and, last but not least, improved heat dissipation results.
  • varistor voltage-dependent electrical resistance
  • the low porosity which should preferably be less than 1%, ensures that the metal of the internal electrodes cannot penetrate into pores, as a result of which a shortened electrode path is created, which leads to an early flashover (short circuit) in the event of impulse loading.
  • the reduction in the bismuth content from usually more than 2 mol% to at most 1 mol% and preferably 0.6 mol% has the effect that on the one hand the grain growth is reduced and thus the grain size distribution is evened out, and on the other hand that the reaction of the coatings with the ceramic material in the Sintering temperature is avoided, which avoids alloying of the palladium with the consequence of the island formation of the deposits.
  • the toppings preferably consist of 70% by weight of silver and 30% by weight of palladium.
  • the ceramic body consists of varistor material layers, the thickness of which is in the range from 35 ⁇ m to 350 ⁇ m, with thicker layers resulting in higher varistor voltages in the range from 4 volts to 350 volts.
  • the low bismuth content enables sintering temperatures of up to 1,150 ° C, which means that thin layers and a corresponding number of layers can be used to produce varistors with a varistor voltage down to 4 V.
  • varistors are manufactured using multilayer technology in the same way as is known, for example, for multilayer ceramic capacitors.
  • organic binder materials e.g. polymethylacrylates, methyl cellulose, polyvinyl alcohol
  • solvents e.g. water, ethyl methyl ketone
  • plasticizers phthalates, esters
  • a sample of the inner coverings made from the specified silver-palladium compound is applied to pieces of approximately the size of postcards onto the foils thus produced, after which a corresponding number of such postcard-sized foils are stacked on top of one another in such a way that the alternating displacement of the coverings in the finished product Body results.
  • the layer varistor is separated from the stack in its raw form and - after passing through a tempering and binder burnout cycle customary in multilayer technology - sintered at temperatures up to 1150 ° C.
  • the varistor body 1 is shown schematically, which consists of layers 2 of varistor material.
  • the coverings 3 and 4 alternate with varistor material layers 2, the coverings 3 in the present case being guided to the right outer surface 5 and the coverings 4 to the left outer surface 6 of the ceramic body.
  • the ceramic body 1 consists of a monolithic block, in the interior of which the coatings 3 and 4 are arranged. It is also possible that the pads 3 and 4 protrude on the same side of the monolithic block, where at the ends to be contacted then end alternately at different points in this surface side and are contacted there with opposite poles.
  • opposite-pole means that the coatings 3 on the surface 5 with a further metal layer 7, e.g. made of silver or another solderable metal, which is connected to a pole of the voltage source or the circuit, while the coatings 4 on the surface side 6 by the further metal layer 8, also made of silver or the like, connected to each other The opposite pole of the voltage source or the circuit is connected.
  • Reference number 9 denotes the thickness of the layers 2 made of varistor material.
  • a prerequisite for the operation of the varistor is that the distances 10 and 11 between the top layer 3 and the bottom layer 4 and the surface 14 or the surface 15 and the distances 12 of the layers 3 to the metal layer 8 and the distances 13 of the metal layers 4 to the metal layer 7 are each greater than the thickness 9 of the layers 2 made of varistor material.
  • the varistor according to the invention can be provided with power supply wires 18 and 19, which are soldered to the metal layers 7 or 8 or attached in some other way.
  • the varistor according to the invention is to be used as a chip by placing it on and attaching it to contact points on printed conductor tracks, then instead of the power supply wires there can be contact surfaces which, in the present example, through the extensions 20 and 21 of the metal layer 7 on the surfaces 14 and 15, and are represented by extensions 22 and 23 of the metal layer 8 on the surfaces 14 and 15.
  • the grid spacing 24 between the power supply wires 18 and 19 is to be determined, as is known per se for such components.
  • the necessary grid spacing 25 between the extensions 20 and 22 or 21 and 23 can be determined by appropriate choice of dimensions.
  • the coverings 3 and 4 in their embodiment of the invention in a thickness of up to 5 ⁇ m and preferably 2 ⁇ m ensure good dissipation of the heat generated in the interior of the monolithic block, since they are by using relatively more silver than palladium can be made thicker than is possible for pure palladium layers because of the production and because of the relatively high costs for pure palladium.
  • the UI diagram shown in FIG. 2 shows one of the advantages of the present invention, which consists in the fact that the small amount of bismuth in the varistor material and the possible use of silver in larger amounts for the coatings 3 and 4 compared to the palladium make alloying away of the metal of the coverings and thus an island formation which deteriorates the properties does not occur.
  • the island formation which is caused by alloying away the linings (migration), causes the terminal voltage to rise sharply at high currents, because the series resistance of the linings increases sharply due to this island formation.
  • FIG. 3 shows a U-I diagram in which a varistor of the present invention (curve 30) is compared with known varistors (curves 28 and 29). 3 is taken from FIG. 2 of the publication "Advances in Ceramics" mentioned at the beginning.
  • Curve 28 applies to varistors that consist of 20 varistor material layers each 40 ⁇ m thick, while curve 29 applies to known varistors with 20 varistor material layers each 150 ⁇ m thick.
  • Curve 30 applies to varistors of the present invention made of 50 layers each 30 ⁇ m thick.
  • the heat dissipation from the body with coatings of 70% silver and 30% palladium, each with a thickness of 2.0 pm, is sufficiently large to ensure the functionality of the varistor To ensure even at high currents or voltages.
  • the diagram according to FIG. 4 shows the varistor voltage as a function of the sintering temperature at a sintering time of one hour for varistors which consist of 10 layers, with different layer thicknesses being present.
  • the varistor voltage is given in volts on the ordinate and the sintering temperature t in ° C on the abscissa.
  • the coatings consist of 70% silver and 30% palladium and are 2 ⁇ m thick.
  • Curve 31 applies to varistors consisting of 10 layers with a layer thickness of 165 ⁇ m each.
  • Curve 32 applies to varistors consisting of 10 layers with a layer thickness of 77 ⁇ m each.
  • Curve 33 applies to varistors consisting of 10 layers with a thickness of 37 ⁇ m each, and curve 34 applies to varistors composed of 10 layers with a layer thickness of 23 ⁇ m each.
  • the protection level of varistors is the terminal voltage that occurs at a varistor when a current pulse of the indicated current intensity occurs.
  • the terminal voltage in volts is plotted on the ordinate, while the sintering temperature t s is given in "C on the abscissa.
  • the specified varistor material ensures a dielectric strength of 300 V / mm, which ensures sufficient steepness (non-linearity exponent o () even with thin layers.

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Abstract

Der spannungsabhängige elektrische Widerstand (Varistor) besteht aus einem keramisch hergestellten, monolithischen Körper (1) aus einer Vielzahl von Schichten (2) aus Varistormaterial auf der Basis von Zinkoxid und als Beläge (3, 4) dienenden Edelmetallschichten, die alternierend zu verschiedenen Stellen der Seitenflächen (5, 6) des Körpers (1) geführt und dort mit weiteren Metallschichten (7, 8) kontaktiert sind, wobei die Porosität der Varistormaterialschichten (2) des Körpers (1) 5% nicht übersteigt, der Anteil an Wismuth höchstens 1 Mol% beträgt und die Beläge (2, 4) aus 50 bis 80 Gew% Palladium bestehen.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen spannungsabhängigen elektrischen Widerstand (Varistor) bestehend aus einem keramisch hergestellten, monolithischen Körper aus einer Vielzahl von 20 bis 350 um dicken Schichten aus Varistormaterial mit Korngrößen von 7 bis 20 µm auf der Basis von Zinkoxid (Zn0) mit bis 6 Mol% an Zusätzen von Oxiden eines oder mehrerer der Metalle Bi, Sb, Co, Ni, Cr, Mn, Mg, B, Al, Ba und als Beläge dienenden, höchstens 10 µm dicken Edelmetallschichten, die mit den Varistormaterialschichten abwechseln und alternierend zu verschiedenen Stellen der Seitenflächen des Körpers geführt und dort mit weiteren Metallschichten elektrisch leitend und gegenpolig kontaktiert sind.
  • Es handelt sich somit um einen Varistor, der in Vielschichttechnik hergestellt ist.
  • Ein solcher Varistor ist in der Veröffentlichung "Advances in Ceramics" (American Ceram. Society, Columbus) 1981, Vol. 1, Seiten 349 bis 358 beschrieben. Die durchschnittliche Korngröße ist dort mit 10 um angegeben. Die Ansprechspannung pro Korngrenze beträgt 2 bis 3 V. Die Angaben für die Dicke der Varisormaterialschichten sind 20 bis 200 um, wobei die Eigenschaften an Varistoren mit einer Schichtdicke von 40 um bzw. 150 um bei 20 übereinander gestapelten Schichten gemessen wurden. Der Nichtlinearitäts-Koeffizient α ist mit 20 bis 30 angegeben, während die Varistorspannung, gemessen bei 1 mA, mit 4 bis 40 Volt angegeben ist.
  • Als Metallschichten zur Kontaktierung der alternierend im monolithischen Körper angeordneten Belägen an seiner Oberfläche sind eingebrannte Silberelektroden angegeben. Nähere Angaben über das Material der Beläge im Inneren des monolithischen Körpers sind nicht enthalten. Ebenso fehlen Angaben über die Porosität des Materials.
  • In der Veröffentlichung "Journal of Applied Physics", 54 (5) Mai 1983, Seiten 2764 bis 2772, die sich ebenfalls, wie auch die oben diskutierte Veröffentlichung, mit Niederspannungsvaristoren befasst, ist auf Seite 2765, linke Spalte, unter Bezugnahme auf die oben angegebene Veröffentlichung ausgeführt, Varistoren in Vielschichttechnik würden verringerte Stromdichte bei Überspannungen und hohe Kapazität aufweisen, ohne daß das Grundproblem der Korngrößenverteilung damit gelöst werde.
  • In der SIEMENS-Brochüre "Edelgasgefüllte Überspannungsableiter; Metalloxid-Varistoren SIOV" von November 1984 sind auf den Seiten 44 bis 63 im einzelnen die theoretischen Grundlagen über Metalloxid-Varistoren auf der Basis von Zinkoxid erläutert, und es sind auch die Definitionen für die einzelnen Begriffe enthalten.
  • So ist auf Seite 48 der Nichtlinearitätsexponent α angegeben mit
    Figure imgb0001
    I2 ist dabei ein Ampere, I1 = 1 mA, U2 ist die bei 1 A gemessene Spannung und Ul ist die bei 1 mA gemessene Spannung.
  • Als Varistorspannung ist auf Seite 52 die Spannung definiert, die bei 1 mA gemessen wird. Die Varistorspannung dient zur Klassifizierung von Varistoren.
  • Varistoren für geringe Spannungen, sogenannte Niederspannungsvaristoren, die nach der üblichen Technik hergestellt werden, haben Korngrößen von ca. 100 um und auch noch darüber, um die Zahl der Korngrenzen zwischen den Belägen gering zu halten. Ein derartig grob kristallisierendes Material führt aber zu dem Problem, daß die Korngrößenverteilung stark streut und damit die Steilheit der I-U-Kennlinie (Nichtlinearität-Koeffizient a) stark absinkt.
  • Derartig hergestellte Niederspannungs-Varistoren sind in aller Regel zum Schutz gegen höhere Spannungen nicht einsetzbar, weil dann die Abfuhr der im Keramikkörper entstehenden Wärme nicht gewährleistet ist.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen spannungsabhängigen elektrischen Widerstand (Varistor) der eingangs angegebenen Art dahingehend zu verbessern, daß der Bereich der Varistorspannung erweitert wird, daß auf diesem Wege und aus dem gleichen Material Varistoren mit unterschiedlichen Varistorspannungen hergestellt werden können, daß die Menge des für derartige Bauelemente üblicherweise verwendeten Palladiums verringert wird und daß nicht zuletzt eine verbesserte Wärmeableitung resultiert.
  • Zur Lösung dieser Aufgabe ist der spannungsabhängige elektrische Widerstand der eingangs angegebenen Art erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß
    • a) die Porosität der Varistormaterialschichten des Keramikkörpers 5 % nicht übersteigt,
    • b) der Anteil an Wismuth (Bi, gerechnet als Bi203) im Varistormaterial 0,4 bis höchstens 1 Mol% (entsprechend 2 bis 5 Gew%) beträgt und
    • c) die Beläge aus 50 bis 80 Gew% Silber (Ag) und 50 bis 20 Gew% Palladium (Pd) bestehen.
  • Durch die geringe Porosität, die vorzugsweise weniger als 1 % betragen soll, wird gewährleistet, daß das Metall der Innenelektroden nicht in Poren eindringen kann, wodurch nämlich eine verkürzte Elektrodenstrecke entsteht, die bei Impulsbelastun zu einem frühzeitigen Überschlag (Kurzschluß) führt. Die Verringerung des Wismuthanteiles von üblicherweise mehr als 2 Mol% auf höchstens 1 Mol% und vorzugsweise 0,6 Mol% bewirkt, daß einerseits das Kornwachstum verringert und damit die Korngrößenverteilung vergleichmäßigt wird, und andererseits, daß die Reaktion der Beläge mit dem Keramikmaterial bei der Sintertemperatur vermieden wird, wodurch ein Weglegieren des Palladiums mit der Folge der Inselbildung der Beläge vermieden wird.
  • Vorzugsweise bestehen die Beläge aus 70 Gew% Silber und 30 Gew% Paladium.
  • Ferner ist es vorteilhaft, wenn der Keramikkörper aus Varistormaterialschichten besteht, deren Dicke im Bereich von 35 um bis 350 um liegt, wobei dickere Schichten höhere Varistorspannungen im Bereich von 4 Volt bis 350 Volt ergeben.
  • Der Varistorkörper ist vorzugsweise 1 bis 10 mm lang, 1 bis 3,6 mm breit und 0,5 bis 3 mm dick, wobei die Dicke stets geringer als die geringste Länge bzw. Breite ist. Die bevorzugte Zusammensetzung des Varistormaterials ist wie folgt (Angaben in Mol% und jeweils dahinter in Klammer gesetzt in Gew%):
    • Zn0 94,6 (87,3), Bi203 0,6 (3,2), Sb203 1,6 (5,1), Co304 0,4 (1,1), Ni0 1,3 (1,1), Cr203 0,6 (1,1), MnC03 0,8 (1,02), Mg0 0,06 (0,003), B203 0,033 (0,05), A1203 0,002 (0,017) und BaC03 0,005 (0,001).
  • Der geringe Wismuthanteil ermöglicht Sintertemperaturen bis 1.150° C, wodurch bei dünnen Schichtdicken und entsprechender Anzahl der Schichten Varistoren mit einer Varistorspannung bis herab zu 4 V hergestellt werden können.
  • Die Herstellung dieser Varistoren in Vielschichttechnik.erfolgt in der gleichen Weise, wie dies beispielsweise für keramische Vielschichtkondensatoren bekannt ist. Es wird in diesem Zusammenhang auf die USA-Patentschriften 2,736,080 und 3,235,939 sowie auf die DE-PS 1 282 119 verwiesen.
  • Aus dem Ausgangsmaterial, das durch Feinmahlung eine mittlere Korngröße von etwa 1 um aufweist, wird durch Zuhilfenahme von organischen Bindermaterialien (z.B. Polymethylacrylate, Methylcellulose, Polyvinylalkohol) und Lösungsmitteln (z.B. Wasser, Ethylmethylketon) sowie Weichmachern (Phthalate, Ester) - wie es an sich bekannt ist - ein Schlicker hergestellt, der dann mittels üblicher Technologien (Kalandrierung, Abstreiftechnik - doctor blade) zu einer sehr dünnen Folie ausgezogen wird. Auf diese so hergestellten Folien wird auf Stücke von etwa Postkartengröße ein Muster der inneren Beläge aus der angegebenen Silber-Palladiumverbindung aufgetragen, wonach eine entsprechende Zahl solcher postkartengroßen Folien derart übereinander gestapelt wird, daß die alternierende Versetzung der Beläge im fertigen Körper resultiert. Schließlich wird nach einem Preßvorgang aus dem Stapel der Schichtvaristor in Rohform abgetrennt und - nach dem Durchlauf eines in der Vielschichttechnik üblichen Temper- und Binderausbrennzyklusses - bei Temperaturen bis 1150° C gesintert.
  • Dieses Verfahren ist, wie ausgeführt, hinreichend bekannt, wobei auch Variationen der speziellen Herstellungsweise bekannt sind.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen
    • Fig. 1 schematisch einen Schichtvaristor,
    • Fig. 2 ein U-I-Diagramm, das die Verbesserung durch die Erfindung darstellt,
    • Fig. 3 ein Diagramm zu Vergleich mit dem Stand der Technik,
    • Fig. 4 ein Diagramm über die Abhängigkeit der Varistorspannung von der Sintertemperatur und
    • Fig. 5 ein Diagramm über die Abhängigkeit des Schutzpegels von der Sintertemperatur.
  • In Fig. 1 ist der Varistorkörper 1 schematisch gezeigt, der aus Schichten 2 aus Varistormaterial besteht. Die Beläge 3 und 4 wechseln mit Varistromaterialschichten 2 ab, wobei die Beläge 3 im vorliegenden Fall zur rechten Außenoberfläche 5 und die Beläge 4 zur linken Außenoberfläche 6 des Keramikkörpers geführt sind. Durch den Sintervorgang besteht der Keramikkörper 1 aus einem monolithischen Block, in dessen Innerem die Beläge 3 und 4 angeordnet sind. Es ist auch möglich, daß die Beläge 3 und 4 an der gleichen Seite des monolithischen Blockes herausragen, wobei die zu kontaktierenden Enden dann alternierend an verschiedenen Stellen in dieser Oberflächenseite enden und dort gegenpolig kontaktiert werden.
  • Die Beläge 3 und 4 sind miteinander gegenpolig und elektrisch leitend verbunden. Gegenpolig bedeutet in vorliegendem Fall, daß die Beläge 3 an der Oberfläche 5 mit einer weiteren Metallschicht 7, z.B. aus Silber oder einem anderen lötfähigen Metall, verbunden sind, die an einem Pol der Spannungsquelle oder der Schaltung angeschlossen ist, während die Beläge 4 an der Oberflächenseite 6 durch die weitere Metallschicht 8, ebenfalls aus Silber oder ähnlichem, miteinander verbunden sind, die mit dem Gegenpol der Spannungsquelle oder der Schaltung verbunden ist.
  • Mit dem Bezugszeichen 9 ist die Dicke der Schichten 2 aus Varistormaterial bezeichnet.
  • Voraussetzung für die Wirkungsweise des Varistors ist, daß die Abstände 10 bzw. 11 zwischen dem obersten Belag 3 und dem untersten Belag 4 und der Oberfläche 14 bzw. der Oberfläche 15 sowie die Abstände 12 der Beläge 3 zur Metallschicht 8 und die Abstände 13 der Metallbeläge 4 zur Metallschicht 7 je größer sind als die Dicke 9 der Schichten 2 aus Varistormaterial. Zur Erzielung der notwendigen Größe der Abstände 10 und 11 sind beispielsweise Varistormaterialschichten 2' vorhanden, die keine Beläge 3 bzw. 4 enthalten. In Fig. 1 ist dies durch die Grenzlinien 16 und 17 zwischen der mit einem Belag 3 versehenen oberen Schicht 2 und der ohne Belag vorhandenen Schicht 2' bzw. zwischen der unteren, mit dem Belag 4 versehenen Schicht 2 und der ohne Belag vorhandenen Schicht 2' dargestellt.
  • Der Varistor nach der Erfindung kann mit Stromzuführungsdrähten 18 und 19 versehen sein, die an die Metallschichten 7 bzw. 8 angelötet oder anderweitig befestigt sind.
  • Soll der Varistor nach der Erfindung als Chip durch Auflegen auf und Befestigen an Kontaktstellen gedruckter Leitungsbahnen verwendet werden, dann können anstelle der Stromzuführungsdrähte Kontaktflächen vorhanden sein, die im vorliegenden Beispiel durch die Verlängerungen 20 und 21 der Metallschicht 7 auf die Oberflächen 14 und 15, sowie durch Verlängerungen 22 und 23 der Metallschicht 8 auf die Oberflächen 14 und 15 dargestellt sind.
  • Für den Einsatz in gedruckten Schaltungen, bei denen die Kontaktstellen in einem Rastermaß (einfaches oder gerades Vielfaches von 2,5 mm) angeordnet sind, ist der Rastermaßabstand 24 zwischen den Stromzuführungsdrähten 18 und 19 festzulegen, wie dies an sich für derartige Bauelemente bekannt ist.
  • Andererseits kann der notwendige Rastermaßabstand 25 zwischen den Verlängerungen 20 und 22 bzw. 21 und 23 durch entsprechende Wahl der Abmessungen festgelegt sein.
  • Man erkennt aus Fig. 1, daß die Beläge 3 und 4 bei ihrer Ausführungsform der Erfindung in einer Dicke von bis 5 um und vorzugsweise 2 um für eine gute Ableitung der im Inneren des monolithischen Blockes entstehenden Wärme sorgen, da sie durch die Verwendung von relativ mehr Silber als Palladium dicker ausgeführt sein können, als es für reine Palladiumschichten wegen der Herstellung möglich und wegen der relativ hohen Kosten für reines Palladium sinnvoll ist.
  • Das in Fig. 2 dargestellte U-I-Diagramm zeigt einen der Vorteile der vorliegenden Erfindung, der darin besteht, daß durch die geringe Menge Wismuth im Varistormaterial und die dadurch mögliche Verwendung von Silber in gegenüber dem Palladium größerer Menge für die Beläge 3 und 4 ein Weglegieren des Metalls der Beläge und damit eine die Eigenschaften verschlechternde Inselbildung nicht eintritt.
  • In Fig. 2 kommt dies dadurch zum Ausdruck, daß bei herkömmlichen Varistoren die Kurve 26 bei Stromstärken im oberen Bereich plötzlich steil ansteigt, während die Kurve 27 für Varistoren gemäß der Erfindung in diesem oberen Bereich einen beträchtlich verringerten Anstieg aufweist.
  • Die Inselbildung, die durch Weglegieren der Beläge (Migration) zustande kommt, ruft ein starkes Ansteigen der Klemmenspannung bei hohen Strömen hervor, weil der Serienwiderstand der Beläge durch diese Inselbildung stark ansteigt.
  • In Fig. 3 ist ein U-I-Diagramm gezeigt, in welchem ein Varistor der vorliegenden Erfindung (Kurve 30) mit bekannten Varistoren (Kurven 28 und 29) verglichen wird. Maßstab und Kurvenverlauf der Fig. 3 ist der Fig. 2 der eingangs erwähnten Veröffentlichung "Advances in Ceramics" entnommen.
  • Die Kurve 28 gilt für Varistoren, die aus 20 Varistormaterialschichten je einer Dicke von 40 um bestehen, während die Kurve 29 für bekannte Varistoren mit 20 Varistormaterialschichten je einer Dicke 150 um gilt.
  • Kurve 30 gilt für Varistoren der vorliegenden Erfindung aus 50 Schichten je einer Dicke von 30 µm.
  • Man erkennt aus Fig. 3, daß die bekannten Varistoren bereits bei 10 Ampere eine stark ansteigende Klemmenspannung bis zu 100 Volt ergeben, während ein solcher Anstieg bei Kurve 30 nicht erfolgt. Er würde erfolgen, wie es die Kurve 30' zeigt, wenn die Regeln der vorliegenden Erfindung nicht eingehalten werden.
  • Trotz der hohen Anzahl von 50 Schichten, wodurch die Stabilität des Varistors wesentlich erhöht wird, ist die Wärmeabfuhr aus dem Körper bei Belägen aus 70 % Silber und 30 % Palladium mit einer Dicke von je 2,0 pm ausreichend groß, um die Funktionsfähigkeit des Varistors auch bei hohen Stromstärken bzw. Spannungen zu gewährleisten.
  • Das Diagramm nach Fig. 4 zeigt die Varistorspannung in Abhängigkeit von der Sintertemperatur bei einer Sinterzeit von einer Stunde für Varistoren, die aus 10 Schichten bestehen, wobei unterschiedliche Schichtdicken vorhanden sind.
  • Die Varistorspannung ist in Volt auf der Ordinate und die Sintertemperatur t in °C auf der Abszisse angegeben. Auch hier bestehen die Beläge aus 70 % Silber und 30 % Palladium und sind 2 µm dick.
  • Kurve 31 gilt für Varistoren aus 10 Schichten mit einer Schichtdicke von jeweils 165 um. Kurve 32 gilt für Varistoren aus 10 Schichten mit einer Schichtdicke von je 77 µm.
  • Kurve 33 gilt für Varistoren aus 10 Schichten mit einer Dicke von je 37 um und Kurve 34 gilt für Varistoren aus 10 Schichten mit einer Schichtdicke von je 23 µm.
  • Man erkennt aus Fig. 4, daß mit abnehmender Schichtdicke und zunehmender Sintertemperatur jeweils abnehmende Varistorspannungen erzielt werden können.
  • Durch die relativ hohe Sintertemperatur von bis zu 1080° C wird eine sehr hohe Dichte, d.h. eine sehr geringe Porosität der Schichten aus Keramikmaterial erzielt, wodurch die elektrischen Eigenschaften der Varistoren wesentlich verbessert werden. Die erhöhte Sintertemperatur ist durch den geringen Wismuthanteil möglich.
  • Fig. 5 zeigt Kurven, die den Schutzpegel in Abhängigkeit von der Sintertemperatur verdeutlichen.
  • Der Schutzpegel von Varistoren ist die an einem Varistor auftretende Klemmenspannung bei Auftreten eines Stromimpulses der indizierten Stromstärke.
  • Auf der Ordinate ist die Klemmenspannung in Volt aufgetragen, während auf der Abszisse die Sintertemperatur ts in "C angegeben ist.
  • Es sind 4 Kurvenpaare 35, 36, 37 und 38 angegeben, und zwar für Schichtdicken im gesinterten Zustand von 165, 77, 37 und 23 um. Die jeweils obere Kurve gilt für eine Stromstärke von 10 A und die jeweils untere Kurve gilt für eine Stromstärke von 5 A.
  • Man erkennt auch aus dem Diagramm gemäß Fig. 5, daß mit abnehmender Schichtdicke und zunehmender Sintertemperatur abnnehmende Werte der Klemmenspannung erzielt werden.
  • Das angegebene Varistormaterial gewährleistet eine Spannungsfestigkeit von 300 V/mm, wodurch auch bei dünnen Schichten eine ausreichende Steilheit (Nichtlinearitätsexponent o( ) gewährleistet ist.
  • Bei grobkristallinem Material mit einer Spannungsfestigkeit kleiner als 150 V/mm entstehen Probleme durch zu wenige Körner bei starker Streuung im Durchmesser, wie dies in der oben erwähnten Veröffenlichung "Journal of Applied Physics" erläutert ist.
  • Anlagen:
    • Bezugszeichenliste
    • 7 Patentansprüche
    • 1 Zusammenfassung
    • 5 Figuren
    Bezugszeichenliste
    • 1 keramisch hergestellter, monolithischer Körper
    • 2 Schichten aus keramischem Varistormaterial mit Belägen 3, 4
    • 2' Schichten aus keramischem Varistormaterial ohne Beläge 3 Beläge aus im Körper 1 angeordneten Metallschichten
    • 4 Beläge aus im Körper 1 angeordneten Metallschichten
    • 5 Seitenfläche des Körpers 1
    • 6 Seitenfläche des Körpers 1
    • 7 Weitere Metallschicht auf der Seitenfläche 5
    • 8 Weitere Metallschicht auf der Seitenfläche 6
    • 9 Dicken der Schichten 2
    • 10 Abstand zwischen oberem Belag 3 und Oberfläche 14
    • 11 Abstand zwischen unterm Belag 4 und Oberfläche 15
    • 12 Abstand der Beläge 3 zur Metallschicht 8
    • 13 Abstand der Beläge 4 zur Metallschicht 7
    • 14 Oberfläche des Körpers 1
    • 15 Oberfläche des Körpers 1
    • 16 Grenzlinie zwischen oberer Schicht 2 mit Belag 3 und Schicht 2' ohne Belag
    • 17 Grenzlinie zwischen unterer Schicht 2 mit Belag 4 und Schicht 2' ohne Belag
    • 18 Stromzuführungsdraht, an der Metallschicht 7 befestigt
    • 19 Stromzuführungsdraht, an der Metallschicht 8 befestigt
    • 20 Verlängerung der Metallschicht 7 auf die Oberfläche 14
    • 21 Verlängerung der Metallschicht 7 auf die Oberfläche 15
    • 22 Verlängerung der Metallschicht 8 auf die Oberfläche 14
    • 23 Verlängerung der Metallschicht 8 auf die Oberfläche 15
    • 24 Rastermaßabstand zwischen den Stromzuführungsdrähten 18 und 19
    • 25 Rastermaßabstand zwischen Verlängerungen 20 und 22 bzw. 21 und 23
    • 26 U-I-Kurve für bekannte Varistoren
    • 27 U-I-Kurve für Varistoren gemäß Erfindung
    • 28 U-I-Kurve für bekannte Varistoren aus 20 Schichten, je 40 um dick
    • 29 U-I-Kurve für bekannte Varistoren aus 20 Schichten, je 150 um dick
    • 30 U-I-Kurve für Varistoren gemäß der Erfindung aus 50 Schichten, je 30 um dick
    • 30' U-I-Kurvenverlauf, wenn nicht nach Erfindung
    • 31 V-ts-Kurve für Varistoren aus 10 Schichten, je 165 µm dick
    • 32 V-ts-Kurve für Varistoren aus 10 Schichten, je 77 µm dick
    • 33 V-ts-Kurve für Varistoren aus 10 Schichten, je 37 µm dick
    • 34 v-ts-Kurve für Varistoren aus 10 Schichten, je 23 µm dick
    • 35 V-ts-Kurve für Varistoren aus 10 Schichten, je 165 um dick
    • 36 V-ts-Kurve für Varistoren aus 10 Schichten, je 77 µm dick
    • 37 V-ts-Kurve für Varistoren aus 10 Schichten, je 37 µm dick
    • 38 V-ts-Kurve für Varistoren aus 10 Schichten, je 23 µm dick

Claims (7)

1. Spannungsabhängiger, elektrischer Widerstand (Varistor) bestehend aus einem keramisch hergestellten, monolithischen Körper (1) aus einer Vielzahl von 20 bis 350 um dicken Schichten (2) aus Varistormaterial mit Korngrößen von 7 bis 22 um auf der Basis von Zinkoxid mit bis 6 Mol% an Zusätzen von Oxiden eines oder mehrerer der Metalle Bi, Sb, Co, Ni, Cr, Mn, Mg, 8, Al, Ba und als Beläge (3, 4) dienenden, höchstens 10 µm dicken Edelmetallschichten, die mit den Varistormaterialschichten (2) abwechseln und alternierend zu verschiedenen Stellen der Seitenflächen (5, 6) des Körpers (1) geführt und dort mit weiteren Metallschichten (7, 8) elektrisch leitend und gegenpolig kontaktiert sind, dadurch gekennzeichnet, daß
a) die Porosität der Varistormaterialschichten (2) des Keramikkörpers (1) 5 % nicht übersteigt
b) der Anteil an Wismuth (Bi, gerechnet als Bi203) im Varistormaterial 0,4 bis höchstens 1 Mol% (entsprechend 2 bis 5 Gew%) beträgt und
c) die Beläge aus 50 bis 80 Gew% Silber (Ag) und 50 bis 20 Gew% Palladium (Pd) bestehen.
2. Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Porosität der Varistormaterialschichten (2) weniger als 1 % beträgt.
3. Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand nach Anspruch 1 oder 2, dadurch g+h - net, daß der Wismuth-Anteil 0,6 Mol% (entsprechend 3,2 Gew% Bi203) beträgt.
4. Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeich - net, daß die Beläge (3, 4) aus 70 Gew% Ag und 30 Gew% Pd bestehen.
5. Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeich- net, daß der Keramikköper (1) aus Varistormaterialschichten (2) besteht, deren Dicke (9) im Bereich von 20 µm bis 350 µm liegt, wobei dickere Schichten (2) höhere Varistorspannungen im Bereich von 4 Volt bis 350 Volt ergeben.
6. Spannungsabhängiger elektrischer Widerstand nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeich- net, daß der Varistorkörper (1) vorzugsweise 1 bis 10 mm lang, 1 bis 3,6 mm breit und 0,5 bis 3 mm dick ist, wobei die Dicke (9) stets geringer als die geringste Länge bzw. Breite ist.
7. Spannungsabhäniger elektrischer Widerstand nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekenn- zeichnet, daß das Varistormaterial wie folgt zusammengesetzt ist (Angaben in Mol% und jeweils dahinter in Klammern gesetzt in Gew%):
Zn0 94,6 (87,3), Bi203 0,6 (3,2), Sb203 1,6 (5,1), Co3O4 0,4 (1,1), Ni0 1,3 (1,1), Cr2O3 0,6 (1,1), MnCO3 0,8 (1,02), MgO 0,06 (0,003), B203 0,033 (0,05), A1203 0,002 (0,017), und BaC03 0,005 (0,001).
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4819128A (en) * 1987-07-31 1989-04-04 Siemens Aktiengesellschaft Electrical multilayer component comprising a sintered, monolithic ceramic body and method for its manufacture
EP0316015A2 (de) * 1987-11-12 1989-05-17 Meidensha Kabushiki Kaisha Material für Widerstände und daraus hergestellter nichtlinearer Widerstand
US4906512A (en) * 1987-07-31 1990-03-06 Siemens Aktiengesellschaft Electrical multilayer component comprising a sintered, monolithic ceramic body and method for its manufacture
FR2659785A1 (fr) * 1990-03-16 1991-09-20 Ecco Ltd Matiere utilisable dans la fabrication de varistances et procede d'obtention.
DE4030479A1 (de) * 1990-09-26 1992-04-02 Siemens Ag Nichtlinearer spannungs- oder temperaturabhaengiger elektrischer widerstand in chip-bauform
US5500996A (en) * 1990-09-21 1996-03-26 Siemens Aktiengesellschaft Method for manufacturing a thermistor having a negative temperature coefficient in multi-layer technology
WO1998021754A1 (en) * 1996-11-11 1998-05-22 Zivic Zoran MULTILAYER ZnO POLYCRYSTALLINE DIODE
US5973588A (en) * 1990-06-26 1999-10-26 Ecco Limited Multilayer varistor with pin receiving apertures
US6444504B1 (en) 1997-11-10 2002-09-03 Zoran Zivic Multilayer ZnO polycrystallin diode
US10262778B2 (en) 2015-11-27 2019-04-16 Epcos Ag Multilayer component and process for producing a multilayer component

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0302294B1 (de) * 1987-07-31 1992-07-29 Siemens Aktiengesellschaft Füllschichtbauteil mit einem gesinterten, monolithischen Keramikkörper und Verfahren zu dessen Herstellung
DE3930000A1 (de) * 1988-09-08 1990-03-15 Murata Manufacturing Co Varistor in schichtbauweise
JPH077613B2 (ja) * 1990-02-02 1995-01-30 東京電力株式会社 懸垂型避雷碍子
GB2242066B (en) * 1990-03-16 1994-04-27 Ecco Ltd Varistor structures
GB2242068C (en) * 1990-03-16 1996-01-24 Ecco Ltd Varistor manufacturing method and apparatus
US6183685B1 (en) 1990-06-26 2001-02-06 Littlefuse Inc. Varistor manufacturing method
JP3121119B2 (ja) * 1992-06-16 2000-12-25 ローム株式会社 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法
JP2674523B2 (ja) * 1993-12-16 1997-11-12 日本電気株式会社 セラミック配線基板とその製造方法
JP3077056B2 (ja) * 1996-09-12 2000-08-14 株式会社村田製作所 積層型電子部品
US7321485B2 (en) 1997-04-08 2008-01-22 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US7336468B2 (en) 1997-04-08 2008-02-26 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US9054094B2 (en) 1997-04-08 2015-06-09 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit
JPH11273914A (ja) * 1998-03-26 1999-10-08 Murata Mfg Co Ltd 積層型バリスタ
US5999398A (en) * 1998-06-24 1999-12-07 Avx Corporation Feed-through filter assembly having varistor and capacitor structure
DE19903456A1 (de) * 1999-01-28 2000-08-10 Philips Corp Intellectual Pty Mehrkomponenten-Bauteil
DE19931056B4 (de) 1999-07-06 2005-05-19 Epcos Ag Vielschichtvaristor niedriger Kapazität
JP3498211B2 (ja) * 1999-12-10 2004-02-16 株式会社村田製作所 積層型半導体セラミック電子部品
US6717506B2 (en) * 2000-11-02 2004-04-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Chip-type resistor element
US20050212648A1 (en) * 2004-03-23 2005-09-29 Inpaq Technology Co., Ltd. Low-capacitance laminate varistor
JP2008537843A (ja) 2005-03-01 2008-09-25 エックストゥーワイ アテニュエイターズ，エルエルシー 内部で重なり合った調整器
DE102005028498B4 (de) * 2005-06-20 2015-01-22 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
KR20130128403A (ko) * 2010-11-03 2013-11-26 에프코스 아게 세라믹 다층 소자 및 세라믹 다층 소자의 제조 방법
CN104684869A (zh) * 2012-12-27 2015-06-03 保险丝公司 基于氧化锌的变阻器和制造方法
DE102016104990A1 (de) 2016-03-17 2017-09-21 Epcos Ag Keramikmaterial, Varistor und Verfahren zum Herstellen des Keramikmaterials und des Varistors
TWI667667B (zh) * 2016-09-26 2019-08-01 立昌先進科技股份有限公司 一種提高多層貼片式變阻器通流面積的製法及其製得的變阻器元件
CN113272922B (zh) * 2019-01-16 2023-09-05 松下知识产权经营株式会社 压敏电阻集合体

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4290041A (en) * 1978-02-10 1981-09-15 Nippon Electric Co., Ltd. Voltage dependent nonlinear resistor
FR2523993A1 (fr) * 1982-03-24 1983-09-30 Cables De Lyon Geoffroy Delore Pate serigraphiable a oxydes metalliques et produit obtenu avec cette pate

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2736080A (en) * 1956-02-28 walker etal
US3235939A (en) * 1962-09-06 1966-02-22 Aerovox Corp Process for manufacturing multilayer ceramic capacitors
DE1282119B (de) * 1966-05-18 1968-11-07 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von elektrischen Bauelementen unter Anwendung der Duennfolienmethode

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4290041A (en) * 1978-02-10 1981-09-15 Nippon Electric Co., Ltd. Voltage dependent nonlinear resistor
FR2523993A1 (fr) * 1982-03-24 1983-09-30 Cables De Lyon Geoffroy Delore Pate serigraphiable a oxydes metalliques et produit obtenu avec cette pate

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ADVANCES IN CERAMICS, Band 1, 1981, Seiten 349-358, Columbus, Ohio, US; N. SHOHATA et al.: "Properties of multilayer ZnO ceramic varistors" *

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4819128A (en) * 1987-07-31 1989-04-04 Siemens Aktiengesellschaft Electrical multilayer component comprising a sintered, monolithic ceramic body and method for its manufacture
US4906512A (en) * 1987-07-31 1990-03-06 Siemens Aktiengesellschaft Electrical multilayer component comprising a sintered, monolithic ceramic body and method for its manufacture
EP0316015A2 (de) * 1987-11-12 1989-05-17 Meidensha Kabushiki Kaisha Material für Widerstände und daraus hergestellter nichtlinearer Widerstand
EP0316015A3 (en) * 1987-11-12 1989-11-08 Meidensha Kabushiki Kaisha Material for resistor body and non-linear resistor made thereof
US4920328A (en) * 1987-11-12 1990-04-24 Kabushiki Kaisha Meidensha Material for resistor body and non-linear resistor made thereof
FR2659785A1 (fr) * 1990-03-16 1991-09-20 Ecco Ltd Matiere utilisable dans la fabrication de varistances et procede d'obtention.
US6743381B2 (en) 1990-03-16 2004-06-01 Littlefuse, Inc. Process for forming varistor ink composition
US5973588A (en) * 1990-06-26 1999-10-26 Ecco Limited Multilayer varistor with pin receiving apertures
US5500996A (en) * 1990-09-21 1996-03-26 Siemens Aktiengesellschaft Method for manufacturing a thermistor having a negative temperature coefficient in multi-layer technology
DE4030479A1 (de) * 1990-09-26 1992-04-02 Siemens Ag Nichtlinearer spannungs- oder temperaturabhaengiger elektrischer widerstand in chip-bauform
WO1998021754A1 (en) * 1996-11-11 1998-05-22 Zivic Zoran MULTILAYER ZnO POLYCRYSTALLINE DIODE
US6444504B1 (en) 1997-11-10 2002-09-03 Zoran Zivic Multilayer ZnO polycrystallin diode
US10262778B2 (en) 2015-11-27 2019-04-16 Epcos Ag Multilayer component and process for producing a multilayer component
US10566115B2 (en) 2015-11-27 2020-02-18 Epcos Ag Multilayer component and process for producing a multilayer component

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