EP0073165A1 - Commutateur d'ondes électromagnétiques - Google Patents
Commutateur d'ondes électromagnétiques Download PDFInfo
- Publication number
- EP0073165A1 EP0073165A1 EP82401514A EP82401514A EP0073165A1 EP 0073165 A1 EP0073165 A1 EP 0073165A1 EP 82401514 A EP82401514 A EP 82401514A EP 82401514 A EP82401514 A EP 82401514A EP 0073165 A1 EP0073165 A1 EP 0073165A1
- Authority
- EP
- European Patent Office
- Prior art keywords
- waveguide
- switch
- switch according
- guide
- pin diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
Definitions
- the invention relates to an electromagnetic wave switch made from a semiconductor placed in a waveguide and operating for millimeter waves.
- the aim of such a device is to transmit certain microwave signals without loss of power and to attenuate certain others.
- FIG. 1 represents a cross section of a rectangular waveguide 1 comprising a PIN diode 2 placed on one of the internal faces 3 of the guide.
- the bias voltage V of the diode is introduced by a coaxial line 4, which is connected to the housing of the diode by a microwave trap 5 and by a metal bar 6, the trap being separated from the coaxial line by a piece of insulation. 50.
- microwave switch close to the previous one, and comprising a PIN diode. It operates in mode 2, that is to say that the PIN diode and its circuit have a series resonant circuit when the diode is blocked and a parallel resonant circuit when it conducts.
- the object of the present invention is a millimeter electromagnetic wave switch, produced as a waveguide, making it possible to avoid the abovementioned drawbacks.
- the electromagnetic wave switch is constituted by a rectangular waveguide whose dimensions allow the propagation of millimeter waves comprising a step providing a so-called ridged space, of determined volume, in which is placed a bar of material semiconductor with high breakdown voltage and low thermal resistance, the volume of which is identical to that of the wrinkled space.
- FIG. 2 represents a switch according to the invention, seen in section along a cross section. It is produced from a rectangular waveguide 7, built in two parts, one being a flat metal plate 70 and the other being a metal plate 72 U-shaped, the meeting of the two forming the cavity of the waveguide. They are insulated from each other by a layer of insulating material 71.
- the part 72 includes a step 73 in its central part, providing in the guide a space called ridged according to English terminology, space in which is concentrated the electric field.
- a semiconductor bar 10 with high breakdown voltage - several hundred volts - and low thermal resistance, this bar having a volume identical to the volume defined by the wrinkled space.
- a semiconductor chip such as a PIN diode can be placed in the wrinkled space.
- the dimensions of the cross section of the guide 7 are: and those of the wrinkled space are:
- the cathode 101 of the diode 10 is connected to the step 73 while its anode 102 is connected to the other part 70.
- a voltage ⁇ V is applied between these two parts.
- the guide when the diode is blocked, the guide, on the one hand, can be considered to be filled with a dielectric material of high dielectric constant e ( ⁇ ⁇ 12 for a PIN diode) and on the other hand to dimensions such as propagation of a millimeter wave is possible. In this case, such a wave is transmitted through the switch.
- e dielectric constant
- a conventional PIN diode is used, the dimensions of which are adjusted to those of the guide and the two faces of which are metallized. To ensure good thermal dissipation, the two metallized faces of the diode are welded to the walls of the guide.
- FIG. 3 represents a switch according to the invention, according to a perspective view.
- the elements identical to those of FIG. 2 provide the same functions and have the same references.
- the transitions are ensured by bevels 9, or tapers in Anglo-Saxon terms, which are equivalent to transformers adapting the discontinuities.
- the dimension of the PIN diode 10, L 5 along the longitudinal axis ⁇ of the waveguide, is a multiple of a quarter of the guided wavelength ⁇ g at the central frequency of the operating band.
- this dimension is equal to 3 ⁇ g / 4 rather than to ⁇ g / 4, because the dimension of the PIN diodes commonly used is of the order of 0.6 to 0.7 mm.
- Figure 4 is a view along a longitudinal section of the waveguide 7, having the same references as the two previous figures. The dimensions, along the axis ⁇ , of the PIN diode 10 and the bevels 9 are also carried there.
- the lengths L 5 and L 6 take the following values:
- FIG. 5 a particular embodiment of a switch according to the invention.
- the two parts 70 and 72, separated by the insulator 71, are screwed together by screws 15 of nylon for example.
- These two traps 18, the depth d of which is a multiple of ⁇ / 4 bring an open circuit to the level of the insulating plate, therefore bring a short circuit to the edges 19 of the waveguide.
- This electric short-circuit makes it possible to achieve continuity from the microwave point of view while being an insulator from the continuous point of view.
- This device can be used in all systems where it is necessary to attenuate or switch an electromagnetic signal. Thus it can either protect a receiver by acting as a controlled protective circuit, or be associated with a switch to switch a signal in a determined channel.
- the switch 20 is on, the other 21 being blocked, an incoming signal through channel 22 is directed towards the switch 20 and vice versa when the switch is blocked, the other 21 being on.
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Push-Button Switches (AREA)
- Control Of Combustion (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Abstract
Description
- L'invention est relative à un commutateur d'ondes électromagnétiques réalisé à partir d'un semiconducteur placé dans un guide d'ondes et fonctionnant pour des ondes millimétriques. Le but d'un tel dispositif est de transmettre sans pertes de puissance certains signaux hyperfréquence et d'en atténuer certains autres.
- L'art antérieur fournit des exemples de réalisation de commutateurs hyperfréquence, constitués notamment d'une diode PIN associée à un circuit de polarisation et montée dans un guide d'ondes. La figure 1 représente une section droite d'un guide d'ondes 1 rectangulaire comportant une diode PIN 2 placée sur une des faces internes 3 du guide. La tension de polarisation V de la diode est introduite par une ligne coaxiale 4, qui est reliée au boîtier de la diode par un piège hyperfréquence 5 et par un barreau métallique 6, le piège étant séparé de la ligne coaxiale par un morceau d'isolant 50. Le fonctionnement d'un tel commutateur est le suivant : lorsque la diode est bloquée, elle est équivalente avec son circuit de polarisation à un circuit résonnant parallèle, tandis que lorsqu'elle conduit, elle est équivalente à un circuit résonnant série, laissant ainsi passer le signal hyperfréquence se propageant dans le guide d'ondes, ou l'atténuant.
- Il existe un autre type de commutateur hyperfréquence, voisin du précédent, et comportant une diode PIN. Il fonctionne en mode 2, c'est-à-dire que la diode PIN et son circuit présentent un circuit résonnant série lorsque la diode est bloquée et un circuit résonnant parallèle quand elle conduit.
- Deux inconvénients principaux apparaissent lors du fonctionnement de ce genre de commutateur. L'un vient du fait que les boîtiers protégeant les diodes PIN ainsi que les différents éléments comme le barreau métallique qui assure à la fois le montage mécanique et l'arrivée de la polarisation de la diode, sont des , éléments parasites selfiques et/ou capacitifs limitant la bande passante de fonctionnement du commutateur.
- . L'autre inconvénient est dû à l'impossibilité d'utiliser un tel commutateur en ondes millimétriques. En effet, pour le bon fonctionnement du commutateur, il faut une diode PIN ayant une capacité de jonction très faible, ce qui est très difficilement réalisable et ce qui peut entraîner une mauvaise tenue en puissance due à une tension de claquage trop basse et/ou à une mauvaise résistance thermique de la diode.
- L'objet de la présente invention est un commutateur d'ondes électromagnétiques millimétriques, réalisé en guide d'ondes, permettant d'éviter les inconvénients précités.
- Suivant l'invention le commutateur d'ondes électromagnétiques est constitué par un guide d'ondes rectangulaire dont les dimensions permettent la propagation d'ondes millimétriques comportant un redan ménageant un espace dit ridgé, de volume déterminé, dans lequel est disposé un barreau de matériau semiconducteur à forte tension de claquage et à faible résistance thermique, dont le volume est identique à celui de l'espace ridgé.
- D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront lors de la description qui suit, illustrée par les figures 2 à 6, qui outre la figure 1 déjà mentionnée, représentent :
- - la figure 2, une vue en coupe d'un tel commutateur suivant une section droite du guide ;
- - la figure 3, une vue en perspective du commutateur de la figure 2 ;
- - la figure 4, une vue en coupe longitudinale du commutateur des figures précédentes ;
- -la figure 5, une variante d'un commutateur selon l'invention vue en coupe et
- - la figure 6, un dispositif utilisant un commutateur selon l'invention
- La figure 2 représente un commutateur selon l'invention, vu en coupe selon une section droite. Il est réalisé à partir d'un guide d'ondes 7 rectangulaire, construit en deux parties, l'une étant une plaque métallique plane 70 et l'autre étant une plaque métallique 72 en forme de U, la réunion des deux réalisant la cavité du guide d'ondes. Elles sont isolées l'une par rapport à l'autre par une couche de matériau isolant 71. La partie 72 comporte un redan 73 dans sa partie centrale, ménageant dans le guide un espace dit ridgé selon la terminologie anglo-saxonne, espace dans lequel est concentré le champ électrique. Dans cet espace ridgé est disposé un barreau semiconducteur 10 à forte tension de claquage - plusieurs centaines de volts - et à faible résistance thermique, ce barreau ayant un volume identique au volume défini par l'espace ridgé.
- Etant données les dimensions du guide d'ondes fonctionnant en ondes millimétriques, on peut mettre une puce de semiconducteur telle qu'une diode PIN dans l'espace ridgé. Dans un exemple particulier de réalisation, les dimensions de la section droite du guide 7 sont :
- La cathode 101 de la diode 10 est reliée au redan 73 tandis que son anode 102 est reliée à l'autre partie 70. Pour polariser la diode, on applique une tension ±V entre ces deux parties.
- Ainsi, lorsque la diode est bloquée, le guide, d'une part, peut être considéré comme rempli d'un matériau diélectrique de constante diélectrique é élevée (ε ~ 12 pour une diode PIN) et d'autre part à des dimensions telles que la propagation d'une onde millimétrique est possible. Dans ce cas, une telle onde est transmise à travers le commutateur.
- . Par contre, lorsque la diode conduit, elle est équivalente à un court-circuit et l'onde millimétrique incidente est réfléchie par le commutateur.
- En ce qui concerne la réalisation pratique, on utilise une diode PIN classique dont on ajuste les dimensions à celles du guide et dont les deux faces sont métallisées. Pour assurer une bonne dissipation ,thermique, on soude les deux faces métallisées de la diode aux parois du guide.
- . La figure 3 représente un commutateur selon l'invention, selon une vue en perspective. Les éléments identiques à ceux de la figure 2 assurent les mêmes fonctions et portent les mêmes références. Entre l'espace ridgé et le guide d'ondes, les transitions sont assurées par des biseaux 9, ou tapers en vocable anglo-saxon, qui sont équivalents à des transformateurs adaptant les discontinuités. Pour compenser en plus ces transitions, la dimension de la diode PIN 10, L5, selon l'axe longitudinal Δ du guide d'ondes, est un multiple du quart de la longueur d'onde guidée À g à la fréquence centrale de la bande de fonctionnement. De façon préférentielle, cette dimension est égale à 3λ g/4 plutôt qu'à λ g/4, car la dimension des diodes PIN utilisées couramment est de l'ordre de 0,6 à 0,7 mm.
- La figure 4 est une vue selon une coupe longitudinale du guide d'ondes 7, comportant les mêmes références que les deux figures précédentes. Y sont portées de plus les dimensions, selon l'axe Δ, de la diode PIN 10 et des biseaux 9.
-
- Sur la figure 5 est représentée une réalisation particulière d'un commutateur selon l'invention. -Les deux parties 70 et 72, séparées par l'isolant 71, sont vissées ensemble par des vis 15 en nylon par exemple. Afin d'assurer les contacts hyperfréquences, en plus de la couche d'isolant 71, on a creusé un sillon 18 de part et d'autre du guide, à une distance 1 = (2n +1)
- Ainsi vient d'être décrit un commutateur d'ondes électro- , magnétiques millimétriques, ayant une bonne tenue en puissance. Par rapport aux dispositifs antérieurs, les éléments parasites du montage sont considérablement réduits et les semiconducteurs utilisés sont des semiconducteurs fonctionnant dans des gammes de fréquences beaucoup plus basses et ayant une forte tension de claquage et une faible résistance thermique.
- Ce dispositif peut être utilisé dans tous les systèmes où il est nécessaire d'atténuer ou de commuter un signal électromagnétique. Ainsi il peut soit protéger un récepteur en agissant comme un circuit protecteur commandé, soit être associé à un aiguillage pour commuter un signal dans une voie déterminée. C'est ce qui est représenté sur la figure 6 : deux commutateurs 20 et 21 sont reliés à une voie d'entrée 22, par l'intermédiaire de deux lignes hyperfréquences 23 de longueur égale à un multiple impair du quart de la longueur d'onde guidée À g. Lorsque le commutateur 20 est passant, l'autre 21 étant bloqué, un signal entrant par la voie 22 est orienté vers le commutateur 20 et inversement lorsque le commutateur est bloqué, l'autre 21 étant passant.
Claims (7)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT82401514T ATE26506T1 (de) | 1981-08-21 | 1982-08-10 | Mikrowellenschalter. |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8116120 | 1981-08-21 | ||
FR8116120A FR2511812A1 (fr) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | Commutateur d'ondes electromagnetiques |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
EP0073165A1 true EP0073165A1 (fr) | 1983-03-02 |
EP0073165B1 EP0073165B1 (fr) | 1987-04-08 |
Family
ID=9261619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
EP82401514A Expired EP0073165B1 (fr) | 1981-08-21 | 1982-08-10 | Commutateur d'ondes électromagnétiques |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4507632A (fr) |
EP (1) | EP0073165B1 (fr) |
JP (1) | JPS5840901A (fr) |
AT (1) | ATE26506T1 (fr) |
CA (1) | CA1197578A (fr) |
DE (1) | DE3276039D1 (fr) |
FR (1) | FR2511812A1 (fr) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0126811A1 (fr) * | 1983-05-20 | 1984-12-05 | The Marconi Company Limited | Commutateur à microondes |
FR2552935A1 (fr) * | 1983-09-30 | 1985-04-05 | Thomson Csf | Perfectionnement aux commutateurs d'ondes electromagnetiques millimetriques |
FR2570904A1 (fr) * | 1984-09-25 | 1986-03-28 | Thomson Csf | Dispositif de protection pour sortie d'emetteur |
US10802375B2 (en) | 2017-09-15 | 2020-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optically-controlled switch |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4613839A (en) * | 1984-08-09 | 1986-09-23 | Itt Corporation | Machined waveguide |
DE3534980A1 (de) * | 1985-10-01 | 1987-04-02 | Licentia Gmbh | Hohlleiterschalter |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR942848A (fr) * | 1941-09-12 | 1949-02-18 | Emi Ltd | Perfectionnements relatifs aux moyens pour empêcher ou réduire les pertes d'énergie de haute fréquence |
FR944067A (fr) * | 1943-06-11 | 1949-03-25 | Emi Ltd | Dispositif électrique à haute fréquence comportant une enveloppe hermétique |
US2951217A (en) * | 1956-12-31 | 1960-08-30 | Hughes Aircraft Co | Waveguide motional joint |
US3050702A (en) * | 1960-12-28 | 1962-08-21 | Bell Telephone Labor Inc | Capacitively loaded waveguide |
US3346825A (en) * | 1965-06-28 | 1967-10-10 | Ass Elect Ind | Waveguide switch with semiconductor in thermal contact with waveguide walls |
FR2185866A1 (fr) * | 1972-05-23 | 1974-01-04 | Japan Broadcasting Corp |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB902128A (en) * | 1959-08-19 | 1962-07-25 | Decca Ltd | Improvements in or relating to waveguide couplings |
US3553610A (en) * | 1969-05-23 | 1971-01-05 | Bell Telephone Labor Inc | Diode mount having integral resonant circuit |
GB1318049A (en) * | 1970-07-08 | 1973-05-23 | Rank Organisation Ltd | Waveguides |
US3710286A (en) * | 1971-07-28 | 1973-01-09 | Hitachi Ltd | Control of microwave power by applying stress to gadolinium molydate single crystal |
US3701055A (en) * | 1972-01-26 | 1972-10-24 | Motorola Inc | Ka-band solid-state switching circuit |
-
1981
- 1981-08-21 FR FR8116120A patent/FR2511812A1/fr active Granted
-
1982
- 1982-08-10 DE DE8282401514T patent/DE3276039D1/de not_active Expired
- 1982-08-10 EP EP82401514A patent/EP0073165B1/fr not_active Expired
- 1982-08-10 AT AT82401514T patent/ATE26506T1/de not_active IP Right Cessation
- 1982-08-17 JP JP57141786A patent/JPS5840901A/ja active Granted
- 1982-08-18 CA CA000409659A patent/CA1197578A/fr not_active Expired
- 1982-08-23 US US06/410,708 patent/US4507632A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR942848A (fr) * | 1941-09-12 | 1949-02-18 | Emi Ltd | Perfectionnements relatifs aux moyens pour empêcher ou réduire les pertes d'énergie de haute fréquence |
FR944067A (fr) * | 1943-06-11 | 1949-03-25 | Emi Ltd | Dispositif électrique à haute fréquence comportant une enveloppe hermétique |
US2951217A (en) * | 1956-12-31 | 1960-08-30 | Hughes Aircraft Co | Waveguide motional joint |
US3050702A (en) * | 1960-12-28 | 1962-08-21 | Bell Telephone Labor Inc | Capacitively loaded waveguide |
US3346825A (en) * | 1965-06-28 | 1967-10-10 | Ass Elect Ind | Waveguide switch with semiconductor in thermal contact with waveguide walls |
FR2185866A1 (fr) * | 1972-05-23 | 1974-01-04 | Japan Broadcasting Corp |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
1979 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICRO-WAVE SYMPOSIUM, 1979, pages 249-252, IEEE, New York (USA); * |
IRE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES. vol. MTT-10, no. 1, janvier 1962, pages 41-50, New York (USA); * |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0126811A1 (fr) * | 1983-05-20 | 1984-12-05 | The Marconi Company Limited | Commutateur à microondes |
FR2552935A1 (fr) * | 1983-09-30 | 1985-04-05 | Thomson Csf | Perfectionnement aux commutateurs d'ondes electromagnetiques millimetriques |
EP0136941A2 (fr) * | 1983-09-30 | 1985-04-10 | Thomson-Csf | Perfectionnement aux commutateurs d'ondes électromagnétiques millimétriques |
EP0136941A3 (en) * | 1983-09-30 | 1985-07-10 | Thomson-Csf | Millimeter-wave switch |
US4660008A (en) * | 1983-09-30 | 1987-04-21 | Thomson-Csf | Pin diode switch mounted in a ridge waveguide |
FR2570904A1 (fr) * | 1984-09-25 | 1986-03-28 | Thomson Csf | Dispositif de protection pour sortie d'emetteur |
EP0176440A1 (fr) * | 1984-09-25 | 1986-04-02 | Thomson-Csf | Dispositif de protection pour sortie d'émetteur. |
US10802375B2 (en) | 2017-09-15 | 2020-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optically-controlled switch |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2511812A1 (fr) | 1983-02-25 |
JPS6322721B2 (fr) | 1988-05-13 |
DE3276039D1 (en) | 1987-05-14 |
FR2511812B1 (fr) | 1984-11-30 |
ATE26506T1 (de) | 1987-04-15 |
US4507632A (en) | 1985-03-26 |
EP0073165B1 (fr) | 1987-04-08 |
CA1197578A (fr) | 1985-12-03 |
JPS5840901A (ja) | 1983-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0013222B1 (fr) | Déphaseur hyperfréquence à diodes et antenne à balayage électronique comportant un tel déphaseur | |
FR2778272A1 (fr) | Dispositif de radiocommunication et antenne bifrequence realisee selon la technique des microrubans | |
EP0375506A1 (fr) | Câble semi-rigide de transmission d'ondes hyperfréquence | |
FR2704358A1 (fr) | Duplexeur de polarissation à guide d'ondes. | |
EP0074295B1 (fr) | Duplexeur d'ondes électromagnétiques passif à semi-conducteur | |
EP0073165B1 (fr) | Commutateur d'ondes électromagnétiques | |
EP0084311B1 (fr) | Dispositif de protection d'un câble coaxial contre les impulsions parasites de basse fréquence et de forte puissance | |
CA2215480A1 (fr) | Transition entre un guide d'ondes a crete et un circuit planaire | |
FR2773270A1 (fr) | Emetteur/recepteur d'ondes hyperfrequences | |
EP0023873B1 (fr) | Limiteur passif de puissance à semi-conducteurs réalisé sur des lignes à structure plane, et circuit hyperfréquence utilisant un tel limiteur | |
EP0127526B1 (fr) | Dispositif de filtrage à ondes magnétostatiques | |
CA1260082A (fr) | Dispositif a joint tournant hyperfrequence | |
EP0021872B1 (fr) | Tête hyperfréquence d'émission et de réception simultanées, émetteur-récepteur en ondes millimétriques et radar utilisant une telle tête | |
EP0015610B1 (fr) | Filtre de réflexion de fréquence image en hyperfréquence et récepteur hyperfréquence comprenant un tel filtre | |
EP0136941B1 (fr) | Perfectionnement aux commutateurs d'ondes électromagnétiques millimétriques | |
FR2779294A1 (fr) | Dispositif d'emission/reception de signaux | |
EP0020235A1 (fr) | Limiteur passif d'ondes électromagnétiques et duplexeur constitué à l'aide d'un tel limiteur | |
EP0286464B1 (fr) | Dispositif hyperfréquence à diodes comportant une ligne triplaque | |
EP0223673A1 (fr) | Dispositif de couplage entre une ligne à ondes de surface électromagnétiques et une ligne microbande extérieure | |
EP0430136A1 (fr) | Filtre éliminateur de bande pour guide d'ondes hyperfréquences | |
FR2483119A1 (fr) | Element resistif en technique microbande et circuit comportant au moins un tel element | |
FR2519475A1 (fr) | Dispositif selectif accordable a ondes magnetostatiques de volume | |
EP0041877A1 (fr) | Coupleur hyperfréquence à guide d'onde | |
FR2796467A1 (fr) | Dispositif de limitation de puissance dans un recepteur | |
EP3301751B1 (fr) | Dispositif électronique à antenne isolée |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PUAI | Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012 |
|
AK | Designated contracting states |
Designated state(s): AT BE CH DE FR GB IT LI LU NL SE |
|
17P | Request for examination filed |
Effective date: 19830722 |
|
GRAA | (expected) grant |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210 |
|
AK | Designated contracting states |
Kind code of ref document: B1 Designated state(s): AT BE CH DE FR GB IT LI LU NL SE |
|
REF | Corresponds to: |
Ref document number: 26506 Country of ref document: AT Date of ref document: 19870415 Kind code of ref document: T |
|
ITF | It: translation for a ep patent filed |
Owner name: JACOBACCI & PERANI S.P.A. |
|
REF | Corresponds to: |
Ref document number: 3276039 Country of ref document: DE Date of ref document: 19870514 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: LU Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 19870831 |
|
PLBE | No opposition filed within time limit |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261 |
|
STAA | Information on the status of an ep patent application or granted ep patent |
Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT |
|
26N | No opposition filed | ||
PGFP | Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: LU Payment date: 19890425 Year of fee payment: 7 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: AT Effective date: 19890810 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: LI Effective date: 19890831 Ref country code: CH Effective date: 19890831 Ref country code: BE Effective date: 19890831 |
|
PGFP | Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: NL Payment date: 19890831 Year of fee payment: 8 |
|
BERE | Be: lapsed |
Owner name: THOMSON-CSF Effective date: 19890831 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: FR Effective date: 19900427 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: CH Ref legal event code: PL |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: FR Ref legal event code: ST |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: NL Effective date: 19910301 |
|
NLV4 | Nl: lapsed or anulled due to non-payment of the annual fee | ||
PGFP | Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: SE Payment date: 19920713 Year of fee payment: 11 |
|
PGFP | Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: GB Payment date: 19930716 Year of fee payment: 12 |
|
PGFP | Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: DE Payment date: 19930719 Year of fee payment: 12 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: SE Effective date: 19930811 |
|
ITTA | It: last paid annual fee | ||
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: GB Effective date: 19940810 |
|
EUG | Se: european patent has lapsed |
Ref document number: 82401514.3 Effective date: 19940310 |
|
GBPC | Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee |
Effective date: 19940810 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: DE Effective date: 19950503 |