EA200601327A1 - Способ нанесения пленок нитрида кремния в вакууме (варианты) - Google Patents
Способ нанесения пленок нитрида кремния в вакууме (варианты)Info
- Publication number
- EA200601327A1 EA200601327A1 EA200601327A EA200601327A EA200601327A1 EA 200601327 A1 EA200601327 A1 EA 200601327A1 EA 200601327 A EA200601327 A EA 200601327A EA 200601327 A EA200601327 A EA 200601327A EA 200601327 A1 EA200601327 A1 EA 200601327A1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- vacuum
- target
- silicon nitride
- substrate
- nitride films
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Предлагаемый в качестве изобретения способ нанесения пленок нитрида кремния в вакууме и его варианты относится к области нанесения пленок из нитрида кремния и может быть использован для герметизации пленочных OLED (Organic Light Emitting Diode) - структур в вакууме. Способ нанесения пленок нитрида кремния в вакууме на неподвижно установленную подложку по первому варианту, при котором в вакуумную камеру подают смесь рабочих газов: азота и аргона, формируют ионный пучок по крайней мере из одного источника ионов, мишень из кремния распыляют направленным ионным пучком, а распыленный материал осаждают на подложку послойно путем сканирования ее поверхности, источник ионов вместе с мишенью перемещают возвратно-поступательно относительно подложки, при этом толщину по крайней мере одного слоя формируют в пределах 2-10 нм за один цикл возвратно-поступательного перемещения источника ионов с мишенью относительно подложки, а в состав смеси рабочих газов вводят гелий. Во втором варианте упомянутого способа, в отличие от первого, формирование ионного пучка осуществляют по крайней мере из двух источников ионов, при этом источники ионов вместе с мишенью устанавливают неподвижно относительно поверхности подложки, а распыление мишени из кремния осуществляют в импульсном режиме таким образом, чтобы интервал между предыдущим и последующим импульсами составлял не менее 0,1 с. Кроме того, в обоих вариантах концентрацию гелия в смеси рабочих газов поддерживают в пределах 2-20%, а рабочее давление в камере в процессе нанесения пленок не превышает 10Па. При этом в первом варианте осуществления способа потоку распыленного материала придают линейно-протяженную форму, причем
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EA200601327A EA009303B1 (ru) | 2006-05-15 | 2006-05-15 | Способ нанесения пленок нитрида кремния в вакууме (варианты) |
| JP2007128090A JP5079388B2 (ja) | 2006-05-15 | 2007-05-14 | 真空下で窒化ケイ素薄膜を成膜する方法（変形） |
| TW96117283A TWI434350B (zh) | 2006-05-15 | 2007-05-15 | 在真空中塗覆氮化矽薄膜的方法 |
| CN200710101779.6A CN101074477B (zh) | 2006-05-15 | 2007-05-15 | 在真空中涂覆氮化硅薄膜的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EA200601327A EA009303B1 (ru) | 2006-05-15 | 2006-05-15 | Способ нанесения пленок нитрида кремния в вакууме (варианты) |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA200601327A1 true EA200601327A1 (ru) | 2007-12-28 |
| EA009303B1 EA009303B1 (ru) | 2007-12-28 |
Family
ID=38841923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA200601327A EA009303B1 (ru) | 2006-05-15 | 2006-05-15 | Способ нанесения пленок нитрида кремния в вакууме (варианты) |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5079388B2 (ru) |
| CN (1) | CN101074477B (ru) |
| EA (1) | EA009303B1 (ru) |
| TW (1) | TWI434350B (ru) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103147055A (zh) * | 2013-03-04 | 2013-06-12 | 电子科技大学 | 一种直列多靶磁控溅射镀膜装置 |
| CN104480428A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-04-01 | 中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所 | 一种离子束溅射二氧化硅光学薄膜应力的调控方法 |
| CN106191770B (zh) * | 2015-05-05 | 2019-03-01 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 多孔氮化硅基封孔涂层及其制备方法与应用 |
| CN108441838B (zh) * | 2018-03-21 | 2020-04-17 | 中国兵器科学研究院宁波分院 | 一种中大口径光学元件表面离子束溅射沉积薄膜的方法 |
| EP3591090A1 (de) * | 2018-07-05 | 2020-01-08 | Justus-Liebig-Universität Gießen | Verfahren und vorrichtung zur sputter-deposition beschichtung von einem objekt beliebiger geometrie |
| CN110983279B (zh) * | 2019-11-21 | 2022-04-01 | 天津津航技术物理研究所 | 一种高硬度低吸收氮化硅薄膜的制备方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6462456A (en) * | 1987-08-29 | 1989-03-08 | Nissin Electric Co Ltd | Formation of thin silicon nitride film |
| JPH0222198A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Kyoto Semiconductor Kk | 単結晶の製造方法 |
| JPH06151421A (ja) * | 1992-11-02 | 1994-05-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 窒化ケイ素薄膜の形成方法 |
| RU2052538C1 (ru) * | 1993-04-08 | 1996-01-20 | Сергей Николаевич Кучанов | Способ нанесения вакуумного металлизированного покрытия на диэлектрические подложки |
| JP3627273B2 (ja) * | 1994-02-21 | 2005-03-09 | 旭硝子株式会社 | 透明導電膜付き樹脂基板およびその製造方法 |
| JPH08127869A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-21 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | イオンビームスパッタリング装置 |
| JPH11279756A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-12 | Okura Ind Co Ltd | 透明導電膜の形成方法 |
| JP2000293901A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-10-20 | Canon Inc | 情報記録媒体及びその製造方法 |
| EA003148B1 (ru) * | 2000-07-05 | 2003-02-27 | Владимир Яковлевич ШИРИПОВ | Вакуумный модуль (его варианты) и система модулей для нанесения покрытий на подложку |
| RU2204179C1 (ru) * | 2002-08-19 | 2003-05-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок" | Способ формирования нанорельефа на поверхности пленок |
| EP1808509A4 (en) * | 2004-11-04 | 2009-11-04 | Asahi Glass Co Ltd | ION BEAM SPUTTER DEVICE AND METHOD FOR FORMING A MULTILAYER FILM FOR REFLECTING MASK ROLLS FOR EUV LITHOGRAPHY |
-
2006
- 2006-05-15 EA EA200601327A patent/EA009303B1/ru not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-05-14 JP JP2007128090A patent/JP5079388B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-05-15 CN CN200710101779.6A patent/CN101074477B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-05-15 TW TW96117283A patent/TWI434350B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101074477B (zh) | 2014-10-01 |
| CN101074477A (zh) | 2007-11-21 |
| TW200845217A (en) | 2008-11-16 |
| TWI434350B (zh) | 2014-04-11 |
| JP5079388B2 (ja) | 2012-11-21 |
| JP2007308799A (ja) | 2007-11-29 |
| EA009303B1 (ru) | 2007-12-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EA200601327A1 (ru) | Способ нанесения пленок нитрида кремния в вакууме (варианты) | |
| TWI480415B (zh) | 多模式薄膜沉積設備以及薄膜沉積方法 | |
| US8158012B2 (en) | Film forming apparatus and method for manufacturing light emitting element | |
| TW200502415A (en) | Manufacturing apparatus | |
| US8616930B1 (en) | Depositing apparatus and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same | |
| SG149680A1 (en) | Film formation apparatus and film formation method and cleaning method | |
| WO2007048963A3 (fr) | Procede de traitement d'un substrat | |
| TW201130155A (en) | Thin film and method of forming the same, and semiconductor light emitting device having the thin film | |
| GB2440481A (en) | Electroluminescent device | |
| KR20130095969A (ko) | 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법 | |
| ES2542252A2 (es) | Procedimiento para la preparación de una capa o multicapa barrera y/o dieléctrica sobre un sustrato y dispositivo para su realización | |
| TWI415963B (zh) | 成膜用材料及成膜用材料的推定方法 | |
| KR101881894B1 (ko) | 박막 증착 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법 | |
| AR049884A1 (es) | Procedimiento de deposito al vacio y el sustrato obtenido | |
| ATE417001T1 (de) | Verfahren zur metallisierung eines kunststofftanks und verfahren zur metallisierung einer kunststoffpalette | |
| JP2007039712A (ja) | スパッタリング装置、成膜方法 | |
| TW200606267A (en) | System for vaporizing materials onto a substrate surface | |
| TW201215249A (en) | Film forming device | |
| KR102003151B1 (ko) | 반도체 장비의 박막 형성 방법 및 반도체 장비의 질화 알루미늄 박막 형성 방법 | |
| US8716726B2 (en) | Organic light emitting illuminant, and device and method for the production thereof | |
| KR101472306B1 (ko) | 박막증착장치 | |
| JP2003313655A5 (ja) | 製造装置および発光装置の作製方法 | |
| KR101813499B1 (ko) | 플라즈마 발생장치 | |
| KR100990381B1 (ko) | 휴대 전자기기 케이스의 고기능 블랙칼라 코팅층과코팅방법 및 그 장치 | |
| ATE482474T1 (de) | Verfahren zur herstellung eines nanopunkt- strukturierten siliziumfilms zur lichtemission |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AM AZ KZ KG MD TJ TM |
|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): BY RU |