EA029937B1 - Single-crystal silicon surface processing method - Google Patents
Single-crystal silicon surface processing method Download PDFInfo
- Publication number
- EA029937B1 EA029937B1 EA201600106A EA201600106A EA029937B1 EA 029937 B1 EA029937 B1 EA 029937B1 EA 201600106 A EA201600106 A EA 201600106A EA 201600106 A EA201600106 A EA 201600106A EA 029937 B1 EA029937 B1 EA 029937B1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- silicon
- plasma flow
- temperature
- emf
- magnetic field
- Prior art date
Links
Abstract
Description
Изобретение относится к области оптоэлектроники и фотовольтаики и может быть использовано при структурировании поверхности и создании фотовольтаических структур на основе кремния дырочного типа проводимости различной кристаллографической ориентации. Задачей изобретения является создание радиационно и термически стойких фотовольтаических структур с развитой поверхностью за счет формирования потенциального барьера, обусловленного образованием дислокаций в модифицированном слое. Задача решается тем, что в способе обработки поверхности монокристаллического кремния, включающем обработку компрессионным плазменным потоком в среде рабочего газа в постоянном магнитном поле, кремний предварительно очищают в спиртосодержащей ультразвуковой ванне, нагревают до температуры 200-400°С, после чего одновременно воздействуют на кремний направленным перпендикулярно его поверхности постоянным электрическим полем напряженностью 10-20 кВ/м, постоянным магнитным полем с индукцией 0.22-100 мТл и компрессионным плазменным потоком длительностью 90-110 мкс с плотностью поглощенной энергии 15-35 Дж/см под углом 40-70° к его поверхности, затем обработанный кремний отжигают при температуре 400°С в течение 30 мин.The invention relates to the field of optoelectronics and photovoltaics and can be used in the structuring of the surface and the creation of photovoltaic structures based on silicon of hole-like conductivity of various crystallographic orientations. The objective of the invention is the creation of radiation and thermally stable photovoltaic structures with a developed surface due to the formation of a potential barrier due to the formation of dislocations in the modified layer. The task is solved by the fact that in the method of treating the surface of monocrystalline silicon, which includes processing a compression plasma flow in a working gas medium in a constant magnetic field, silicon is preliminarily purified in an alcohol-containing ultrasonic bath, heated to a temperature of 200-400 ° C, and then simultaneously directed to silicon perpendicular to its surface by a constant electric field with a strength of 10-20 kV / m, a constant magnetic field with an induction of 0.22-100 mT and a compression plasma flow lasts 90–110 μs with an absorbed energy density of 15–35 J / cm at an angle of 40–70 ° to its surface, then treated silicon is annealed at 400 ° C for 30 min.
029937029937
Изобретение относится к области оптоэлектроники и фотовольтаики и может быть использовано при структурировании поверхности и создании фотовольтаических структур на основе кремния дырочного типа проводимости различной кристаллографической ориентации.The invention relates to the field of optoelectronics and photovoltaics and can be used in the structuring of the surface and the creation of photovoltaic structures based on silicon of hole-like conductivity of various crystallographic orientations.
Известен способ формирования силицидов металлов [1], включающий осаждение металла на кремний и его плавление, при котором плавление осуществляют воздействием компрессионного плазменного потока продолжительностью 50-200 мкс, плотностью энергии 8-20 Дж/см2 в переменном магнитном поле, направленным перпендикулярно плоскости осажденного металла, с частотой 1300-2100 Гц и индукцией 0,22-12,50 мТл.A known method for the formation of metal silicides [1], including the deposition of metal on silicon and its melting, in which the melting is carried out by the action of a compression plasma flow of 50–200 μs, an energy density of 8–20 J / cm 2 in an alternating magnetic field directed perpendicular to the deposited plane metal, with a frequency of 1300-2100 Hz and an induction of 0.22-12.50 mTl.
Известный способ не обеспечивает структурирование поверхности кремния, а также получение фотовольтаического эффекта.The known method does not provide structuring of the silicon surface, as well as obtaining the photovoltaic effect.
Известен способ обработки поверхности монокристаллического кремния ориентации (111) [2], включающий обработку с помощью импульсного излучения лазера, сфокусированного перпендикулярно поверхности обработки с длительностью импульса 15 нс, при котором монокристаллический кремний ориентации (111) предварительно помещают в ультразвуковую ванну и обрабатывают в спирте в течение 30 мин, а обработку лазером ведут импульсами с длиной волны 266 нм и частотой 6 Гц, при этом число импульсов составляет 5500-7000 с плотностью энергии на обрабатываемой поверхности 0,3 Дж/см2.A known method of treating the surface of single crystal silicon orientation (111) [2], includes processing using pulsed laser radiation focused perpendicular to the surface of the treatment with a pulse duration of 15 ns, at which single crystal silicon orientation (111) is pre-placed in an ultrasonic bath and treated in alcohol for 30 minutes, and laser processing is carried out with pulses with a wavelength of 266 nm and a frequency of 6 Hz, while the number of pulses is 5500-7000 with an energy density on the surface being processed styling 0.3 J / cm 2 .
Известный способ обеспечивает структурирование поверхности только для кремния ориентации (111), характеризуется малой площадью обрабатываемой поверхности и большой длительностью, непериодичностью расположения структур и их большими размерами и также не обеспечивает формирования фотовольтаической структуры.The known method provides surface structuring only for silicon of (111) orientation, is characterized by a small area of the surface being treated and a long duration, non-periodic arrangement of structures and their large sizes and also does not ensure the formation of a photovoltaic structure.
Наиболее близким техническим решением к заявляемому является способ структурной модификации поверхности кремния [3], включающий обработку кремния в вакуумной камере компрессионным плазменным потоком под углом 90° к поверхности с плотностью поглощенной энергии 5-25 Дж/см2 при одновременном воздействии внешнего постоянного магнитного поля с индукцией 0,1 Тл.The closest technical solution to the claimed is a method of structural modification of the silicon surface [3], including the processing of silicon in a vacuum chamber with a compression plasma flow at an angle of 90 ° to the surface with an absorbed energy density of 5-25 J / cm 2 while simultaneously acting by an external constant magnetic field induction of 0.1 T.
Известный способ обеспечивает создание на поверхности монокристаллического кремния различной кристаллографической ориентации периодических цилиндрических структур размером 0,3-2 мкм, обработку за один импульс поверхности площадью не менее 1 см2, но не обеспечивает формирование фотовольтаической структуры из-за отсутствия потенциальных барьеров, обусловленных дислокациями.The known method provides for the creation on the surface of monocrystalline silicon of various crystallographic orientations of periodic cylindrical structures with a size of 0.3-2 μm, processing a surface with an area of at least 1 cm 2 per pulse, but does not ensure the formation of a photovoltaic structure due to the absence of potential barriers caused by dislocations.
Задачей изобретения является создание радиационно и термически стойких фотовольтаических структур с развитой поверхностью за счет формирования потенциального барьера, обусловленного образованием дислокаций в модифицированном слое.The objective of the invention is the creation of radiation and thermally stable photovoltaic structures with a developed surface due to the formation of a potential barrier due to the formation of dislocations in the modified layer.
Задача решается тем, что в способе обработки поверхности монокристаллического кремния, включающем обработку компрессионным плазменным потоком в среде рабочего газа в постоянном магнитном поле, кремний предварительно очищают в спиртосодержащей ультразвуковой ванне, нагревают до температуры 200-400°С, после чего одновременно воздействуют на кремний направленным перпендикулярно его поверхности постоянным электрическим полем напряженностью 10-20 кВ/м, постоянным магнитным полем с индукцией 0.22-100 мТл и компрессионным плазменным потоком длительностью 90-110 мкс с плотностью поглощенной энергии 15-35 Дж/см2 под углом 40-70° к его поверхности, затем обработанный кремний отжигают при температуре 400°С в течение 30 мин.The task is solved by the fact that in the method of treating the surface of monocrystalline silicon, which includes processing a compression plasma flow in a working gas medium in a constant magnetic field, silicon is preliminarily purified in an alcohol-containing ultrasonic bath, heated to a temperature of 200-400 ° C, and then simultaneously directed to silicon perpendicular to its surface by a constant electric field with a strength of 10-20 kV / m, a constant magnetic field with an induction of 0.22-100 mT and a compression plasma flow lasts With a capacity of 90–110 μs with an absorbed energy density of 15–35 J / cm 2 at an angle of 40–70 ° to its surface, then the treated silicon is annealed at 400 ° C for 30 min.
Отличием является то, что кремний очищают в спиртосодержащей ультразвуковой ванне, нагревают до температуры 200-400°С, после чего одновременно воздействуют на кремний направленным перпендикулярно его поверхности постоянным электрическим полем напряженностью 10-20 кВ/м, постоянным магнитным полем с индукцией 0.22-100 мТл и компрессионным плазменным потоком длительностью 90-110 мкс с плотностью поглощенной энергии 15-35 Дж/см2 иод углом 40-70° к его поверхности, затем обработанный кремний отжигают при температуре 400°С в течение 30 мин.The difference is that silicon is cleaned in an alcohol-containing ultrasonic bath, heated to a temperature of 200-400 ° C, and then simultaneously exposed to silicon directed perpendicular to its surface with a constant electric field of 10-20 kV / m, a constant magnetic field with an induction of 0.22-100 mT and compression plasma flow with a duration of 90-110 μs with an absorbed energy density of 15-35 J / cm 2 iodine angle of 40-70 ° to its surface, then treated silicon is annealed at 400 ° C for 30 minutes.
Дополнительный нагрев кремния и увеличение плотности поглощенной энергии за счет воздействия под уменьшенным углом обеспечивают формирование дислокационной структуры, являющейся наиболее устойчивой к термическим, радиационным и другим внешним воздействиям. Воздействие внешнего электрического поля обеспечивает удаление акцепторной примеси с поверхностного слоя кремния и компенсацию дырок электронами от дислокационных доноров, что приводит к образованию потенциального барьера и получению фотовольтаического эффекта. При этом одновременно обеспечивается формирование структур на поверхности кремния, размерами которых управляют магнитным полем, что, в свою очередь, обеспечивает возможность управления поглощающей способностью кремния. Термический отжиг обеспечивает устранение точечных дефектов, снижающих уровень фото-ЭДС.Additional heating of silicon and an increase in the density of absorbed energy due to exposure at a reduced angle provide the formation of a dislocation structure that is most resistant to thermal, radiation, and other external influences. The impact of an external electric field removes the acceptor impurity from the surface layer of silicon and compensates holes for electrons from dislocation donors, which leads to the formation of a potential barrier and the photovoltaic effect. At the same time, the formation of structures on the surface of silicon is ensured, the dimensions of which control the magnetic field, which, in turn, provides the ability to control the absorptivity of silicon. Thermal annealing ensures the elimination of point defects that reduce the level of photo-emf.
Способ осуществляют следующим образом. Образцы пластин монокристаллического кремния дырочного типа проводимости (КДБ-4.5, 10 и 12) различной кристаллографической ориентации (для примера взяты ориентации (111) и (100)) размером 10x10 мм очищали от загрязнений в ультразвуковой спиртосодержащей ванне. Очищенные образцы поочередно помещали на держатель в вакуумной камере магнитоплазменного компрессора, который устанавливали под углом 40-70° к оси симметрии катода. На каждый образец поочередно воздействовали постоянным магнитным полем с индукцией 0.22-100 мТл. В вакуумную камеру вводили рабочий газ (азот, или водород, или гелий), образец нагревали посредствомThe method is as follows. Samples of plates of single-crystal silicon of hole-type conductivity (KDB-4.5, 10, and 12) of various crystallographic orientations (for example, (111) and (100) orientations were taken) measuring 10x10 mm were cleaned of impurities in an ultrasonic alcohol-containing bath. The cleaned samples were alternately placed on a holder in a vacuum chamber of a magnetoplasma compressor, which was set at an angle of 40-70 ° to the axis of symmetry of the cathode. Each sample was alternately affected by a constant magnetic field with an induction of 0.22-100 mT. The working gas (nitrogen, or hydrogen, or helium) was introduced into the vacuum chamber, the sample was heated by
- 1 029937- 1 029937
электрического подогрева до температуры 200-400°С и создавали посредством подачи потенциала 1.5-3 кВ перпендикулярное его поверхности постоянное электрическое поле напряженностью 10-20 кВ/м. На образец воздействовали компрессионным плазменным потоком с плотностью поглощенной энергии 1535 Дж/см2 и длительностью импульса 90-110 мкс. Затем поочередно обработанные таким образом образцы отжигали в печи при температуре 400°С для удаления точечных дефектов.electric heating to a temperature of 200–400 ° C and a constant electric field with a strength of 10–20 kV / m perpendicular to its surface was created by supplying a potential of 1.5–3 kV. The sample was affected by a compression plasma flow with an absorbed energy density of 1535 J / cm 2 and a pulse duration of 90-110 μs. Then, the samples thus processed alternately were annealed in a furnace at a temperature of 400 ° C to remove point defects.
Сущность изобретения поясняется фиг. 1-5, где на фиг. 1 показана структура поверхности кремния, обработанного под углом 30°; на фиг. 2 - то же при обработке под углом 40°; на фиг. 3 - то же при обработке под углом 60°; на фиг. 4 приведен график зависимости размера периодических структур от индукции магнитного поля (на вставке указаны значения размеров периодических структур в интервале индукции магнитного поля 0-0.3 мТл); на фиг. 5 приведены дифрактограммы исходного и обработанногоThe invention is illustrated FIG. 1-5, where in FIG. 1 shows the structure of the surface of silicon treated at an angle of 30 °; in fig. 2 - the same when processing at an angle of 40 °; in fig. 3 - the same when processing at an angle of 60 °; in fig. 4 shows a plot of the size of the periodic structures on the magnetic field induction (the inset shows the size values of the periodic structures in the magnetic induction interval of 0-0.3 mT); in fig. 5 shows the diffraction patterns of the original and processed
кремния.silicon.
Полученные образцы охлаждали до температуры окружающей среды и испытывали на наличие фотовольтаического эффекта посредством измерения фото-ЭДС по показаниям вольтметра при освещении симулятором солнечного света. Тип проводимости поверхности образцов определяли прибором для измерения термо-ЭДС, один из контактов которого нагревают до температуры 100-200°С. Морфологию поверхности и структуру поперечного сечения исследовали методом растровой электронной микроскопии на микроскопе БЕО1455УР фирмы "Карл Цейсс" (Каг1 Ζοίδδ). Также структуру поперечного сечения исследовали посредством просвечивающего электронного микроскопа. Фазовый состав кремния исследовали на дифрактометре иШша-1У фирмы Кщаки с использованием медного излучения. Образцы испытывали на термическую стойкость посредством их выдержки при температуре 100-900°С в течение 3 ч, охлаждения и последующего измерения фото-ЭДС, а также испытывали на радиационную стойкость путем облучения электронами и ионами. Электронное облучение проводили с энергией 2 МэВ и дозой 10 -10 см . Ионное облучение проводили ионами Хе с энергией 167 МэВ и дозой 10 -10 см . Затем облученные образцы отжигали при температуре 600°С и измеряли фото-ЭДС.The obtained samples were cooled to ambient temperature and tested for the presence of a photovoltaic effect by measuring the photo-emf from a voltmeter reading when illuminated by sunlight simulator. The type of conductivity of the surface of the samples was determined by a device for measuring thermo-EMF, one of the contacts of which is heated to a temperature of 100-200 ° C. The surface morphology and cross-sectional structure was studied by scanning electron microscopy using a BEO1455UR microscope from Carl Zeiss (Kag1 Ζοίδδ). The structure of the cross section was also examined by means of a transmission electron microscope. The phase composition of silicon was studied on a Kshchaki iShsha-1U diffractometer using copper radiation. Samples were tested for thermal stability by holding them at a temperature of 100-900 ° C for 3 hours, cooling and subsequent measurement of photo-emf, and also tested for radiation resistance by irradiation with electrons and ions. Electron irradiation was carried out with an energy of 2 MeV and a dose of 10 -10 cm. Ion irradiation was performed with Xe ions with an energy of 167 MeV and a dose of 10 -10 cm. Then, the irradiated samples were annealed at a temperature of 600 ° C and the photo-emf was measured.
Результаты испытаний и исследований приведены в таблицах, где в табл. 1 приведены изменения типа проводимости поверхности кремния марки КДБ-4.5 и значения фото-ЭДС в зависимости от температуры предварительного нагрева, угла воздействия компрессионного плазменного потока, напряженности электрического поля и плотности поглощенной энергии; в табл. 2 - значения фото-ЭДС в зависимости от температуры отжига точечных дефектов; в табл. 3 - режимы достижения максимального значения фого-ЭДС для кремния с различной концентрацией бора; в табл. 4 - значения фото-ЭДС при различном термическом воздействии; в табл. 5 - значения фото-ЭДС в зависимости от дозы ионного облучения; в табл. 6 - значения фото-ЭДС в зависимости от дозы электронного облучения; в табл. 7 - значения фотоЭДС в зависимости от времени воздействия плазменным потоком.The results of tests and studies are presented in the tables, where in the table. 1 shows the changes in the conductivity type of the KDB-4.5 brand silicon surface and the photo-emf value depending on the preheating temperature, the impact angle of the compression plasma flow, the electric field strength and the density of the absorbed energy; in tab. 2 — photo-emf values depending on the annealing temperature of point defects; in tab. 3 - modes of achieving the maximum value of phog-emf for silicon with different concentrations of boron; in tab. 4 - photo-emf values at different thermal effects; in tab. 5 - photo-emf values depending on the dose of ion irradiation; in tab. 6 - photo-emf values depending on the electron dose; in tab. 7 - photovoltage values depending on the time of exposure to the plasma flow.
Таблица 1Table 1
- 2 029937- 2 029937
- 3 029937- 3 029937
"-" - образец разрушился после воздействия плазменного потока."-" - the sample was destroyed after exposure to plasma flow.
Таблица 2table 2
Таблица 3Table 3
* - максимальное значение для данной марки кремния.* - the maximum value for this grade of silicon.
Таблица 4Table 4
Таблица 5Table 5
Таблица 6Table 6
Таблица 7Table 7
"-" - образец разрушился после воздействия плазменным потоком."-" - the sample collapsed after exposure to plasma flow.
Данные, приведенные в табл. 1, свидетельствуют о том, что при углах воздействия плазменным потоком 40-70° тип проводимости поверхностного слоя кремния изменяется с дырочного на электронный, что обеспечивает образование барьерной структуры и формирование фото-ЭДС. При значениях напряженности электрического поля 10-20 кВ/м и температуре предварительного нагрева 200-400°С достигается максимальное значение фото-ЭДС. При угле воздействия 80° фото-ЭДС незначительно или не проявляется (<100 мВ). При плотности поглощенной энергии 10 Дж/см2 фотовольтаический эффект отсутствует, а при 40 Дж/см2 образец разрушается.The data given in table. 1 indicate that at angles of exposure to a plasma flow of 40-70 °, the type of conductivity of the surface layer of silicon changes from hole to electronic, which ensures the formation of a barrier structure and the formation of photo-emf. With the values of the electric field strength of 10-20 kV / m and the preheating temperature of 200-400 ° C, the maximum value of the photo-emf is reached. At an impact angle of 80 °, photo-emf is insignificant or does not manifest itself (<100 mV). At an absorbed energy density of 10 J / cm 2, the photovoltaic effect is absent, and at 40 J / cm 2 the sample is destroyed.
Как следует из приведенных в табл. 2 данных, при температуре 400°С обеспечивается отжиг точеч- 4 029937As follows from the table. 2 data, at a temperature of 400 ° С annealing of dots is provided- 4 029937
ных дефектов.defects.
Из данных в табл. 3 следует, что максимальные значения фото-ЭДС для приведенных марок кремния достигаются прл указанных режимах воздействия.From the data in the table. 3 it follows that the maximum values of photo-emf for the given grades of silicon are achieved using the specified exposure modes.
Данные, приведенные в табл. 4, показывают, что в интервале температур 100-700°С обеспечивается термическая стойкость фотовольтаических структур, а при 800-900°С фото-ЭДС уменьшается на 30%.The data given in table. 4 show that in the temperature range of 100–700 ° C, thermal stability of photovoltaic structures is ensured, and at 800–900 ° C, photo-EMF decreases by 30%.
Приведенные в табл. 5 данные показывают, что при облучении высокоэнергетическими ионами с дозой 1 · 1012 см-2 значение фото-ЭДС составляет 56 % от исходного. А из приведенных в табл. 6 данных следует, что фотовольтаическая структура устойчива при дозе электронного облучения 2.5· 1016 см-2, а при дозе облучения 2.5· 1017 см-2 значения фото-ЭДС составляют 67% от исходных.Given in Table. 5 data show that when irradiated with high-energy ions with a dose of 1 · 10 12 cm -2, the value of photo-emf is 56% of the original. And from the table. 6 data shows that the photovoltaic structure is stable at an electron dose of 2.5 · 10 16 cm -2 , and at a dose of 2.5 · 10 17 cm -2, the values of photo-emf are 67% of the original.
Исходя из данных, приведенных в табл. 7, видно, что максимальное значение фото-ЭДС обеспечивается при времени воздействия 90-110 мкс.Based on the data given in table. 7, it can be seen that the maximum value of photo-emf is provided with an exposure time of 90-110 μs.
Как следует из фиг. 1-3, угол воздействия плазменным потоком 30° не обеспечивает формирование на поверхности кремния периодических структур; угол воздействия 40° обеспечивает формирование периодических структур, покрытых порами; угол воздействия 60° обеспечивает формирование периодических структур.As follows from FIG. 1-3, the angle of impact by the plasma flow of 30 ° does not ensure the formation of periodic structures on the silicon surface; angle of 40 ° ensures the formation of periodic structures coated with pores; Angle of impact of 60 ° ensures the formation of periodic structures.
Из графика на фиг. 4 видно, что необходимые размеры периодических структур 0.3-2.0 мкм обеспечиваются при значениях индукции магнитного поля 0.22-100 мТл.From the graph in FIG. 4, it can be seen that the required sizes of periodic structures of 0.3–2.0 μm are provided with magnetic induction values of 0.22–100 mT.
Как видно из рентгенограмм на фиг. 5, кремний ориентации (111) после обработки плазменным потоком остается монокристаллическим.As can be seen from the radiographs in FIG. 5, the orientation of silicon (111) after treatment with a plasma stream remains single-crystal.
Таким образом, заявляемый способ позволяет создать радиационно и термически стойкие фотовольтаические структуры с развитой поверхностью.Thus, the inventive method allows you to create radiation and thermally resistant photovoltaic structures with a developed surface.
Источники информации.Information sources.
1. Патент РФ № 2405228; МПК Н01Ь21/24, бюл. № 33, 27.11.2010.1. RF patent № 2405228; IPC H0121 / 24, bull. No. 33, 11/27/2010.
2. Патент РФ № 2501057; МПК Н01Ь31/18, 21/268, Θ03Ρ7/075, бюл. № 34, 10.12.2013.2. RF patent № 2501057; IPC Hb31 / 18, 21/268, Θ03Ρ7 / 075, bull. No. 34, December 10, 2013
3. В.В. Углов, В.М. Анищик, В.В Асташинский и др. "Структурная модификация поверхности кремния в результате воздействия компрессионным плазменным потоком". Труды XII международного совещания "Радиационная физика твердого тела". Москва, 2002, прототип, с. 16-22.3. V.V. Angles, V.M. Anishchik, V.V. Astashinsky and others. "Structural modification of the silicon surface as a result of exposure to a compression plasma flow." Proceedings of the XII International Conference "Radiation Physics of a Solid Body". Moscow, 2002, prototype, p. 16-22.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EA201600106A EA029937B1 (en) | 2015-12-30 | 2015-12-30 | Single-crystal silicon surface processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EA201600106A EA029937B1 (en) | 2015-12-30 | 2015-12-30 | Single-crystal silicon surface processing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA201600106A1 EA201600106A1 (en) | 2017-07-31 |
| EA029937B1 true EA029937B1 (en) | 2018-05-31 |
Family
ID=59383868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA201600106A EA029937B1 (en) | 2015-12-30 | 2015-12-30 | Single-crystal silicon surface processing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| EA (1) | EA029937B1 (en) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5164324A (en) * | 1990-03-29 | 1992-11-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Laser texturing |
| RU2323503C2 (en) * | 2006-06-05 | 2008-04-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл" (ООО "Кристалл") | Method for treatment of single-crystalline silicon wafer surface |
| CN101661972A (en) * | 2009-09-28 | 2010-03-03 | 浙江大学 | Process for manufacturing monocrystalline silicon solar cell texture with low surface reflectivity |
| RU2405228C2 (en) * | 2008-12-15 | 2010-11-27 | Белорусский государственный университет | Method of producing metal silicides |
| CN101908576A (en) * | 2009-06-04 | 2010-12-08 | 胡本和 | Method for manufacturing textured surface of monocrystalline silicon solar cell |
| RU2501057C1 (en) * | 2012-06-09 | 2013-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургский государственный университет" | Method of treating surface of (111) oriented monocrystalline silicon |
-
2015
- 2015-12-30 EA EA201600106A patent/EA029937B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5164324A (en) * | 1990-03-29 | 1992-11-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Laser texturing |
| RU2323503C2 (en) * | 2006-06-05 | 2008-04-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл" (ООО "Кристалл") | Method for treatment of single-crystalline silicon wafer surface |
| RU2405228C2 (en) * | 2008-12-15 | 2010-11-27 | Белорусский государственный университет | Method of producing metal silicides |
| CN101908576A (en) * | 2009-06-04 | 2010-12-08 | 胡本和 | Method for manufacturing textured surface of monocrystalline silicon solar cell |
| CN101661972A (en) * | 2009-09-28 | 2010-03-03 | 浙江大学 | Process for manufacturing monocrystalline silicon solar cell texture with low surface reflectivity |
| RU2501057C1 (en) * | 2012-06-09 | 2013-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургский государственный университет" | Method of treating surface of (111) oriented monocrystalline silicon |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EA201600106A1 (en) | 2017-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1599668A (en) | Semiconductors | |
| EA029937B1 (en) | Single-crystal silicon surface processing method | |
| Wołowski et al. | Application of pulsed laser deposition and laser-induced ion implantation for formation of semiconductor nano-crystallites | |
| Chantre et al. | Vacancy-diffusion model for quenched-in E-centers in CW laser annealed virgin silicon | |
| KR100841083B1 (en) | A surface treatment method for reactor structure materials | |
| Picciotto et al. | Fabrication of advanced targets for laser driven nuclear fusion reactions through standard microelectronics technology approaches | |
| Zhong et al. | Microstructure characterization and optical properties of sapphire after helium ion implantation | |
| Pensl et al. | Electronic defects in silicon after transient isothermal annealing | |
| RU2756777C1 (en) | Method for obtaining microstructures on the surface of a semiconductor | |
| Eryu et al. | Formation of an ohmic electrode in SiC using a pulsed laser irradiation method | |
| Piekoszewski et al. | A new approach to photovoltaic junction formation by using pulse implantation doping technique | |
| Abed et al. | Study the effect of CO2 laser annealing on silicon nanostructures | |
| Panahibakhsh et al. | Nanostructure formation on the surface of YAG: Nd crystal by ARF laser irradiation | |
| RU2331136C9 (en) | METHOD FOR р-n JUNCTIONS FORMING IN SILICON | |
| Amutha et al. | Investigations on nano-and pico-second laser based annealing combined texturing of amorphous silicon thin films for photovoltaic applications | |
| Razak et al. | Nd: YAG laser texturization on silicon surface | |
| Pagava et al. | Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals | |
| SU1102416A1 (en) | Method of producing planar semiconductor devices and integrated circuits | |
| Ivanov et al. | Structure Changes in Metals During Their Laser Treating | |
| Wang et al. | Effect of Annealing Temperature on the Growth of Helium Bubbles in Silicon | |
| Armstrong et al. | The formation of a ring of blisters in copper irradiated at 120 K: A stress-related phenomenon? | |
| McCallum | Formation of Ti: sapphire via high-temperature processing of Ti-implanted sapphire crystals | |
| Barbier et al. | Pulsed Electron Beam Annealing Induced Deep Level Defects in Virgin Silicon | |
| Zhang et al. | Structural and optical properties of 6H-SiC helium and oxygen implanted at 700 K | |
| Campisano et al. | Impurity redistribution in Bi‐implanted Si after nanosecond and picosecond Nd laser pulse irradiation |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AM AZ BY KZ KG TJ TM RU |