DE976655C - Verfahren zur Herstellung von Photowiderstandszellen aus Pulvern von Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid oder Cadmiumtellurid - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Photowiderstandszellen aus Pulvern von Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid oder CadmiumtelluridInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von photoelektrischen Zellen, genauer
genommen von Photowiderstandszellen mit Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid oder Cadmiumtellurid,
d. h. also Zellen, deren elektrischer Widerstand sich ändert, wenn man Licht auf sie fallen läßt. In
nachstehendem wird insbesondere der Fall der Cadmiumsulfid-Zellen behandelt werden, jedoch ist es
selbstverständlich, daß dabei das Sulfid auch durch das Selenid oder das Tellurid ersetzt werden kann.
Es ist festgestellt worden, daß sich die photoelektrischen Eigenschaften des Cadmiumsulfids in
besonders bemerkenswerter Weise ändern, wenn man in dessen kristallines Gefüge zweckmäßig ausgewählte
Verunreinigungen — »Aktivataren« genannt — in geringer Menge einfügt. Es gibt eine
ganze Menge derartiger Aktivatoren, unter welchen das Kupfer, das Silber, das Gold, das Blei, das
Nickel usw. angeführt werden können.
Um Photowiderstandszellen, auch Kristall-PhotO'zellen genannt, aus aktiviertem Cadmiumsulfid
herzustellen, taucht man bekanntlich einen Cadmiumsulfidkristall oder eine Trägerplatte, ζ. Β.
aus Glas, auf welche eine Cadmiumsulfidschicht
309 805/15
aufgedampft wurde, in ein Pulver aus einem gut homogenen Gemisch aus Cadmiumsulfid und einem
oder mehreren ausgewählten Aktivatoren und erhitzt dann den das Pulver enthaltenden Behälter
auf eine zweckmäßige Temperatur in der Größenordnung von 5000 C. Durch thermische Diffusion
erhält man ein Gleichgewicht zwischen dem Aktivatorengehalt des Kristalls oder der aufgedampften
Schicht einerseits und des das Pulver bildenden
ίο Gemisches andererseits.
Diese Verfahren weisen jedoch einige Mißstände auf. Die Kristalle sind verhältnismäßig mühsam
herzustellen, sie kommen schwer über geringe Abmessungen, in der Größenordnung des Zentimeters,
hinaus, ihre Dicke ist stets sehr gering und bleibt unter ι mm, und infolge ihrer Zerbrechlichkeit
müssen sie sehr vorsichtig behandelt werden.
Die aufgedampften Schichten können eine sehr große Oberfläche einnehmen, bleiben aber immer
sehr dünn; ihre Herstellung ist langwierig und daher mühsam. Überdies besitzen-die aufgedampften
Schichten eine mit Lücken durchsetzte Struktur, und infolge dieser Struktur erscheint gleichzeitig
mit dem unter der Einwirkung des Lichts veränderlichen Widerstand ein von der Beleuchtung
unabhängiger Störwiderstand, der sich praktisch dahin auswirkt, daß die Empfindlichkeit der auf
diese Weise gebildeten Photozelle vermindert wird. Ferner ist dieser Widerstand, welchen die Lücken
der aufgedampften Schicht dem Stromdurchgang entgegensetzen, unregelmäßig, was sich durch ein
Stör-Grundgeräusch, welches die an die Photozelle gelegten photoelektrischen Impulse überlagert, bemerkbar
macht.
Diese Nachteile werden bei dem Verfahren zur Herstellung von Photowiderstandszellen aus Pulvern
von Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid oder Cadmiumtellurid mit Aktivatoren unter Anwendung
einer Wärmebehandlung dadurch vermieden, daß erfindungsgemäß das Pulver bis zu einer Korngröße
unter 5 μ gemahlen und bei einer Temperatur von 550 bis 6oo° C mit einem Druck von mehr als
2 t/cm2 zu Tabletten gepreßt wird.
Um eine solche Photozelle herzustellen, geht man unter Bezugnahme, auf die eine Presse darstellende
Zeichnung in der folgenden Weise vor:
Das Gemisch aus Cadmiumsulfid und dem bzw. den ihm einzuverleibenden Aktivator bzw. Aktivatoren
wird mehrere Tage lang in Apparaten, wie
z. B. Kugelmühlen, derart homogenisiert und zu einem feinen Pulver gemahlen, daß die einzelnen
Körnchen des Pulvers einen Durchmesser von unter 5 μ besitzen, wobei diese Dimension als ungefähre
Größenordnung angegeben wird.
Um die Vorstellungen über die Art und das Gewichtsverhältnis der Aktivatoren näher
darzulegen, sind nachstehend drei Beispiele angeführt :
Zellen mit großer Trägheit in der Größenordnung von einer Sekunde und mit großer Empfindlichkeit
in der Größenordnung von 5 bis 10 Ampere je
Lumen:
CdS 1000
CuS 4
CdSe 20
Te 20
Normale Zellen durchschnittlicher Leistung (Trägheit in der Größenordnung von V100 Sekunde
und Empfindlichkeit in der Größenordnung von ι Ampere je Lumen):
CdS 1000
CuS 2,5 go
NiCl2 5
CdSe 30
Beispiel 3 gg
Zellen mit geringer Trägheit in der Größenordnung von Viooo Sekunde und mit durchschnittlicher
Empfindlichkeit in der Größenordnung von 0,1 bis o,s Ampere je Lumen:
CdS 1000
CuS 3
NiCl2 25
Nach Fertigstellung des Pulvers entnimmt man ihm eine gewisse Menge in der Größenordnung von
0,1 bis ι g und bringt dieselbe in eine Presse ein,
und zwar in eine Aussparung 3 derselben mit einer Oberfläche von einigen Ouadratzentimetern. Diese
Presse ist in der Lage, auf das Pulver einen sehr hohen Druck von mehr als 2 t/cm2 auszuüben.
Diese Presse ist ähnlich gebaut wie eine Tabletten-Komprimiermaschine
und umfaßt einen Kolben i, der sich in einem Zylinder 2 bewegt, an dessen
Boden die Aussparung 3 für das Pulverhäufchen angeordnet ist. Um nicht durch das zwischen
den Pulverteilchen eingeschlossene Gas behindert zu werden, steht der Zylinder der Presse durch eine
Rohrleitung 4 mit einer bei 5 schematisch angedeuteten Vakuumpumpe in Verbindung.
6 ist ein Heizwiderstand, mittels dessen man die Pulvertablette, während auf dieselbe ein Druck
ausgeübt wird, auf eine Temperatur von 550 bis 6oo° C erhitzt.
Die Temperatur von 550 bis 6oo° C liegt unterhalb der Dissoziationstemperatur des Cadmiumsulfids,
und daher ändert sich die Zusammensetzung des Pulvers nicht, ganz im Gegensatz zu gewissen
bisher bekannten Verfahren, bei denen man mit hoher Temperatur, nämlich über 10000 C arbeitet, iao
um eine teilweise Dissoziation zu bewirken und die Tablette mittels eines der Bestandteile des Cadmiumsulfids,
in vorliegendem Falle des Cadmiums, zu aktivieren.
Die Elektroden sind mittels eines Pinsels mit einer Silberfarbe angestrichen.
Die Empfindlichkeit der Zellen hängt außerdem, wie es die nachstehende Tabelle zeigt, von dem
angewandten Druck ab. Diese Tabelle gibt den Widerstand von zwei mittels des vorher
erwähnten Pulvers gemäß Beispiel 2 hergestellten Zellen an.
Zelle I komprimiert bei einem Druck von 8 t/cm2.
Zelle II komprimiert bei einem Druck von 15 t/cm2.
25
Beleuchtungsstärke in Lux
I 100 I 200 1 500
1000
Widerstand der Zelle I in Megohm .
Widerstand der Zelle II in Megohm
Widerstand der Zelle II in Megohm
100
4-5 50
<M5
2,4
0,16
0,16
0,12
1,0 Ο,Ι
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH:Verfahren zur Herstellung von Photowiderstandszellen aus Pulvern von Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid oder Cadmiumtellurid mit Aktivatoren unter Anwendung einer Wärmebehandlung, dadurch gekennzeichnet, daß das Pulver bis zu einer Korngröße unter 5 μ gemahlen und bei einer Temperatur von 550 bis 6oo° C mit einem Druck von mehr als 2 t/cm2 zu Tabletten gepreßt wird.In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 527 789, 529 984, 806876, 814 193;schweizerische Patentschriften Nr. 196791, 250759, 256680, 257868;USA.-Patentschriften Nr. 2213279, 2267954, 2462906;P. Görlich, »Die lichtelektrischen Zellen«, Leipzig 1951, S. 110 bis 117;P. Görlich, »Die Photozellen«, Leipzig 1951, S. 27, 28;Zeitschrift für Physik (1934), Bd. 90, S. 145;Annalen der Physik, 6. Folge, Bd. 3, 1948, S. 235 ff., und 5. Folge, Bd. 22, 1935, S. 375 bis394; Physical Review (1947), Vol. 72, Nr. 7, S. 594, und (1951) Vol.83, S. 879;Annales des Telecommunications, 6, Nr. 11, 1951, S. 325 bis 331.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen©309 805/15 1.64
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR976655X | 1951-11-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE976655C true DE976655C (de) | 1964-01-30 |
Family
ID=9518979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEG10303A Expired DE976655C (de) | 1951-11-24 | 1952-11-23 | Verfahren zur Herstellung von Photowiderstandszellen aus Pulvern von Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid oder Cadmiumtellurid |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE976655C (de) |
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1952
- 1952-11-23 DE DEG10303A patent/DE976655C/de not_active Expired
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