DE975411C - Process for the production of coverings from elemental silicon on at least one other surface the element silicon, preferably in the form of silicon oxide or silicate, containing materials such as quartz, glass or ceramic products - Google Patents

Process for the production of coverings from elemental silicon on at least one other surface the element silicon, preferably in the form of silicon oxide or silicate, containing materials such as quartz, glass or ceramic products

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DE975411C
DE975411C DES37640A DES0037640A DE975411C DE 975411 C DE975411 C DE 975411C DE S37640 A DES37640 A DE S37640A DE S0037640 A DES0037640 A DE S0037640A DE 975411 C DE975411 C DE 975411C
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Description

Erzeugnissen Für verschiedene Anwendungszwecke, beispielsweise zur Erzeugung von elektrischen Widerständen oder Wärmeleitern oder zur Erzeugung von chemischen Schutzschichten in Reaktionsgefäßen u. dgl., ist es erforderlich, auf Quarz, Glas oder keramischen Werkstoffen Überzüge aus Silizium zu erzeugen. Solche Überzüge können nach verschiedenen Verfahren hergestellt werden, wie durch Auftragen einer Paste aus elementarem Silizium und Oxyden vor dem Sintern, durch thermische Zersetzung von Silanen an den zu überziehenden Gegenständen und durch Aufdampfen von Silizium. Diese Verfahren sind umständlich und kostspielig. Wesentlich einfacher lassen sich Siliziumüberzüge auf den erwähnten Materialien durch das im folgenden beschriebene Verfahren herstellen.Products For various purposes, for example for Generation of electrical resistances or heat conductors or for the generation of chemical protective layers in reaction vessels and the like, it is necessary to Quartz, glass or ceramic materials to produce coatings from silicon. Such Coatings can be made by a variety of methods, such as application a paste of elemental silicon and oxides before sintering, by thermal Decomposition of silanes on the objects to be coated and by vapor deposition of silicon. These procedures are cumbersome and costly. Much easier can be silicon coatings on the materials mentioned by the following process described.

Erfindungsgemäß wird ein Siliziumüberzug auf mindestens an der Oberfläche silizium-, vorzugsweise siliziumoxyd- oder silikathaltigen Werkstoffen, wie Quarz, Glas oder keramischen Erzeugnissen, dadurch hergestellt, daß die Siliziumverbindung bei erhöhter Temperatur durch Metallhydrid zu elementarem Silizium reduziert wird. Als Reduktionsmittel haben sich die Metallhydride der I. Gruppe des Periodischen Systems bewährt, Als besonders geeignetes Reduktionsmittel empfiebli sich Lithiumhydrid. Zwar sind die Metallhydride als starke Reduktionsmittel an sich bekannt; es gehört auch zum Stand der Technik, hochbleihaltige Gläser durch Reduktion mit Wasserstoff an der Oberfläche mit halbleitenden Schichten zu versehen. Zur Herstellung von Überzügen aus elementarem Silizium konnte dieser Stand der Technik jedoch keine Anregung geben.According to the invention, a silicon coating is applied at least on the surface silicon, preferably silicon oxide or silicate-containing materials, such as quartz, Glass or ceramic products, made by using the silicon compound is reduced to elemental silicon by metal hydride at elevated temperature. The metal hydrides have proven themselves as reducing agents of the I. group of the periodic system, recommended as a particularly suitable reducing agent lithium hydride. It is true that the metal hydrides are powerful reducing agents in themselves known; it is also part of the state of the art, high-lead glasses by reduction to provide semiconducting layers with hydrogen on the surface. For the production However, this prior art was unable to cover coatings made of elemental silicon Give suggestion.

Bei der praktischen Anwendung des Verfahrens nach der Erfindung geht man beispielsweise folgendermaßen vor: Erhitzt man buarz, Glas oder keramische Erzeugnisse zusammen mit Lithiumhydrid auf höhere Temperaturen,. so wird dabei von etwa 25o° C ab das Si 02 bzw. die Silikate über die Stufe des Siliziummonoxyds-bis zur. Stufe des elementaren Siliziums reduziert. Dadurch entsteht an der Oberfläche des so behandelten Materials -eine festhaftende Schicht von elementarem Silizium, deren Beschaffenheit von den Reaktionsbedingungen, wie Temperatur, Reaktionszeit und Korngröße des Li H, abhängig ist. Es ist auf diese Weise möglich, von ganz dünnen, hellbraunen bis zu dicken, tiefschwarzen Siliziumüberzügen Schichtdicken verschiedenster Intensität herzustellen. Dies kann so geschehen, daß man das mit Silizium zu überziehende Material in feingepulvertes Lithiumhydrid einbettet und dieses dann, vorteilhaft in eisernen Gefäßen, im Sandbad, Metallbad oder elektrischen Ofen erhitzt, möglichst unter langsamem Drehen. Man kann auch das zu überziehende Material in geschmolzenes Li H oder aber das hocherhitzte Material in feingepulvertes - kaltes Li H eintauchen und so ebenfalls Siliziumüberzüge gewinnen. Ebenso ist es möglich, das Li H mit einer Flüssigkeit, wie Äther, Trichloräthylen usw., zu einer Paste anzurühren, mit dieser Paste den zu überziehenden Gegenstand zu bestreichen und anschließend zu erhitzen. Bei Verwendung von geschmolzenem LiH arbeitet man zweckmäßig in Wasserstoffatmosphäre, während die Reaktionen mit festem Li H sowohl in offenem Gefäß ohne besondere Atmosphäre als auch unter vermindertem Druck durchgeführt werden können. In allen Fällen können dem Lithiumhydrid Streckmittel, wie Calziumhydrid, beigemengt werden. Anwendungsbeispiel Porzellankörper aus Hartporzellan werden in einem eisernen Rohr in gepulvertes Li H eingebettet. Das Rohr wird mit etwas Asbestwolle locker verschlossen und in einem elektrischen Ofen erhitzt. Bei einer Ofentemperatur von 35o bis 40o° C wird das Reaktionsgefäß etwa io Minuten lang langsam gedreht. Nach dem Abkühlen nimmt man die Porzellankörper aus dem Li H und wäscht sie gründlich mit Wasser. Sie sind mit einer tiefschwarzbraunen festhaftenden Siliziumschicht überzogen.In the practical application of the method according to the invention goes For example, do the following: Heat up buarz, glass or ceramic products together with lithium hydride at higher temperatures. so it becomes of about 25o ° C from the Si 02 or the silicates via the silicon monoxide level up to. step of elemental silicon reduced. This creates on the surface of the treated Materials -a firmly adhering layer of elemental silicon, its nature on the reaction conditions, such as temperature, reaction time and grain size of the Li H, is dependent. It is possible in this way, from very thin, light brown to to thick, deep black silicon coatings, layer thicknesses of various intensities to manufacture. This can be done by removing the material to be coated with silicon embedded in finely powdered lithium hydride and then, advantageously in iron Vessels heated in a sand bath, metal bath or electric oven, preferably at a slow rate Turn. The material to be coated can also be converted into molten Li H or else Dip the heated material in finely powdered - cold Li H and so too Win silicon coatings. It is also possible to mix the Li H with a liquid, such as ether, trichlorethylene, etc., to be mixed into a paste, with this paste the to coat the object to be coated and then to heat it. Using of molten LiH one works expediently in a hydrogen atmosphere, while the reactions with solid Li H both in an open vessel without a special atmosphere as well as can be carried out under reduced pressure. In all cases you can the lithium hydride extender, such as calcium hydride, can be added. Application example Porcelain bodies made of hard-paste porcelain are placed in an iron tube in powdered Li H embedded. The pipe is loosely closed with some asbestos wool and in one heated electric furnace. At an oven temperature of 35o to 40o ° C this will be Rotate reaction vessel slowly for about 10 minutes. After cooling down, take Remove the porcelain bodies from the Li H and wash them thoroughly with water. You are with coated with a deep black brown firmly adhering silicon layer.

Die Erfindung ist besonders bedeutungsvoll für die Herstellung von chemisch nicht angreifbaren Gefäßinnen- und -außenwänden, welche beispielsweise als Reduktionsgefäße zur Herstellung von Halbleitersubstanzen benutzt werden sollen. Diese Gefäße enthalten oberflächlich außer Silizium oder einem anderen in Schichtform angeordneten Halbleiter keine Verunreinigungselemente, welche bei der Reaktion in die zu gewinnende Halbleitersubstanz eindringen könnten. Auch als chemisch neutraler, zugleich aber als elektrisch leitender Überzug auf Elektroden in Gasentladungsgefäßen sind nach der Erfindung hergestellte Stäbe mit Siliziumoxydüberzug zu verwenden. Eine weitere Anwendung ist -die Ausbildung von Elektroden in elektrolytischer Reaktionsanordnung. Besonders ist auch in diesen Fällen die nach der Erfindung hergestellte Schicht als Schutzschicht für Reaktionsgefäße mit Vorteil anwendbar, wenn Reaktionen zur Herstellung- oder Reinigung von Halbleitersubstanzen oder Halbleiterverbindungen als Zwischenstufe zur Darstellung der Halbleitersubstanzen, wie Silizium, durchgeführt werden sollen. Bei der Herstellung von elektrischen Widerständen, besonders Hochohmwiderständen, läßtsich die Leitfähigkeit der Schicht durch die Reaktionszeit und Temperatur sehr genau einstellen, die bei der Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung angewandt werden.The invention is particularly useful for the manufacture of chemically non-attackable vessel inner and outer walls, which for example to be used as reduction vessels for the production of semiconductor substances. On the surface, these vessels contain silicon or another in layer form arranged semiconductors do not contain any impurity elements which occur in the reaction in the semiconductor substance to be obtained could penetrate. Also as a chemically neutral, but at the same time as an electrically conductive coating on electrodes in gas discharge vessels rods made according to the invention with a silicon oxide coating are to be used. Another application is the formation of electrodes in an electrolytic reaction arrangement. The layer produced according to the invention is also special in these cases Can be used as a protective layer for reaction vessels with advantage if reactions to Manufacture or cleaning of semiconductor substances or semiconductor compounds carried out as an intermediate stage for the representation of the semiconductor substances such as silicon should be. In the manufacture of electrical resistors, especially high-ohmic resistors, The conductivity of the layer can be greatly increased by the reaction time and temperature precisely set that applied in carrying out the method according to the invention will.

Claims (7)

PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von Überzügen aus elementarem Silizium auf mindestens an der Oberfläche das Element Silizium, vorzugsweise in Form von Siliziumoxyd oder Silikat, enthaltenden Werkstoffen, wie O_uarz, Glas öder keramischen Erzeugnissen, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumverbindung bei erhöhter Temperatur durch Metallhydrid zum Element Silizium reduziert wird. PATENT CLAIMS: i. Process for the production of coatings from elemental Silicon on at least on the surface the element silicon, preferably in Form of silicon oxide or silicate containing materials, such as O_uarz, glass or ceramic products, characterized in that the silicon compound in increased temperature is reduced by metal hydride to the element silicon. 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß als Reduktionsmittel ein Metallhydrid der I. Gruppe des Periodischen Systems verwendet wird. 2. Procedure according to claim i, characterized in that a metal hydride is used as the reducing agent of the I. group of the periodic table is used. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Reduktionsmittel Lithiumhydrid verwendet wird. q.. 3. The method according to claim 2, characterized in that lithium hydride is used as the reducing agent. q .. Verfahren nach einem der Ansprüche i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Reduktionsmittel in Pulverform mit dem zu behandelnden Gegenstand in Berührung gebracht wird. Method according to one of claims i to 3, characterized in that the Brought reducing agent in powder form with the object to be treated in contact will. 5. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch q., dadurch gekennzeichnet, daß als Reduktionsgefäß ein Drehofen dient, in dem das reduzierende Pulver, beispielsweise Lithiumhydridpulver, zusammen mit den zu behandelnden Gegenständen angeordnet ist. 5. Apparatus for performing the method according to claim q., Characterized in that that a rotary kiln is used as a reduction vessel in which the reducing powder, for example Lithium hydride powder, is arranged together with the objects to be treated. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche i bis q., dadurch gekennzeichnet, daß das Reduktionsmittel in fester, vorzugsweise zerkleinerter, gegebenenfalls pulverisierter Form mit einem flüssigen Bindemittel, wie Äther oder Trichloräthylen, zu einer Paste verbunden wird und auf den zu behandelnden Gegenstand aufgetragen wird. 6. The method according to any one of claims i to q., Characterized in that the Reducing agent in solid, preferably comminuted, optionally pulverized Form into a paste with a liquid binder such as ether or trichlorethylene is connected and on applied to the object to be treated will. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Reduktionsmittel in flüssiger bzw. geschmolzener Phase mit den zu behandelnden Gegenständen in Berührung gebracht wird. B. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß dem Reduktionsmittel das Hydrid eines Elements der II. Gruppe des Periodischen Systems, wie Calciumhydrid, beigemengt wird. g. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Reduktion in Wasserstoffatmosphäre und/oder vermindertem Druck durchgeführt wird. In Betracht gezogene Druckschriften: USA.-Patentschriften Nr. 2 6o6 566, 2 636 832; Physical Rev. (2), 83, S. 227/228; Chemisches Zentralblatt, 1953, S.971; J a n d e r u. Spandau, Kurzes Lehrbuch der anorganischen Chemie, 1940, S. 67; Glastechnische Berichte, November 1951, S. 279.7. The method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the reducing agent is brought into contact in the liquid or molten phase with the objects to be treated. B. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that the reducing agent is admixed with the hydride of an element of group II of the Periodic Table, such as calcium hydride. G. Process according to one of Claims 1 to 8, characterized in that the reduction is carried out in a hydrogen atmosphere and / or reduced pressure. References considered: U.S. Patent Nos. 2,6o6,566, 2,636,832; Physical Rev. (2), 83, pp. 227/228; Chemisches Zentralblatt, 1953, p.971; J ande r and Spandau, Kurzes Lehrbuch der Inorganic Chemistry, 1940, p. 67; Glass technical reports, November 1951, p. 279.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2606566A (en) * 1948-01-28 1952-08-12 Pittsburgh Plate Glass Co Treatment of films with liquid
US2636832A (en) * 1949-12-22 1953-04-28 Gen Electric Method of forming semiconducting layers on glass and article formed thereby

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