DE955606C - Schaltungsanordnung fuer driedimensionalen Magnetkernspeicher - Google Patents
Schaltungsanordnung fuer driedimensionalen MagnetkernspeicherInfo
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Description
AUSGEGEBEN AM 3. JANUAE1957
19062 VIIIa /21a1
Sindelfingen (Württ.)
ist in Anspruch genommen
Es ist bekannt, aus Werkstoffen mit rechteckiger oder annähernd rechteckiger· Hysteresisschleife
toroidförmige Kerne herzustellen und die beiden stabilen Magnetisierungszustände solcher Kerne
zur Speicherung dualer Werte zu verwenden. Zur Verwirklichung einer beispielsweise bei Rechenanlagen
erwünschten großen Speicherkapazität werden viele solcher Kerne in einer Ebene nach
einer Matrix angeordnet und mehrere derartige" Ebenen übereinander vorgesehen. Auf den Kernen
sind Wicklungen, gewöhnlich bestehend aus einer Windung, aufgebracht, die von Auswahleinrichtungen
mit Magnetisierungsstrom versorgt werden-. Im allgemeinen wird nur beim gleichzeitigen Auftreten
von Strömen in zwei oder drei Wicklungen die zum Ummagnetisieren nötige Feldstärke erreicht.
Die Schaltung der Kernwicklungen und die Auswahleinrichtungen sind so beschaffen, daß
jeweils nur ein Kern oder einige aus einer Reihe von Kernen bei einem Aufzeichnungs- oder Entnahmevorgang
ummagnetisiert werden.
Ein wichtiger Gesichtspunkt für den Entwurf" eines Speichers ist die Verkürzung der Zeit, die
für einen Aufzeichnungs- oder Entnahmevorgang·'
verbraucht wird. Da ein beträchtlicher Teil dieser Zeit -ron der Ummagnetisierung des Kerns beansprucht
wird, ist as nützlich, diese zu beschleunigen. Ein Weg dazu ist die Vergrößerung der Ummagnetisierungsfeldstärke.
Bekannte Anordnungen machen diese Feldstärke so groß, daß sie unter Berücksichtigung der Streuung der Werkstoffeigenschaften
mit Sicherheit die Koerzitivkraft überschreitet und die Sättigungsinduktion herstellt.
ίο Durch die Auswahleinrichtungen und die Schaltung der Wicklungen wird erreicht, daß diese
Feldstärke nur in einem Kern (oder in einigen) auftritt, während die anderen nur vom Strom der
einen oder anderen Magnetisierungswicklung beeinflußten Kerne den halben Wert dieser Feldstärke
erreichen, welche auch mit Sicherheit kleiner ist als die Koerzitivkraft. Die letztgenannten· Kerne
. erleiden zwar keine Ummagnetisierung, liefern aber bei einem Entnahmevorgang unerwünschte
ao Beiträge zum Nutzsignal.
In dem Bestreben, den Störbeitrag der nicht ausgewählten Kerne klein zu halten, wurden
Schaltungen entworfen, in denen die Feldstärke dieser Kerne ein Drittel und weniger des Wertes
erreicht, der den ausgewählten Kernen aufgeprägt wird. Der Feldstärkewert der ausgewählten Kerne
hat dabei die oben beschriebene Größe, d. h. er bewirkt Sättigung, und sein halber Wert liegt
unterhalb der Koerzitivkraft.
Mit der Vergrößerung der ummagnetisierenden Feldstärke steigt die Geschwindigkeit der Ummagnetisierung,
aber auch der dazu nötige Strom. Gegenstand der Erfindung ist eine Schaltungsanordnung
für einen dreidimensionalen Magnetkernspeicher zur gleichzeitigen Auswahl einiger
aus einer Reihe von Kernen, bei der an beiden Enden der in Reihe geschalteten Magnetisierungswicklungen Auswahleinrichtungen vorgesehen sind.
Nur die Wicklungen dieser Reihe von Kernen sind stromdurchflossen. Die Feldstärke der nicht ausgewählten
Kerne der Reihe liegt unterhalb der Koerzitivkraft und entspricht der halben Sättigungsfeldstärke,
die der ausgewählten Kerne hat den dreifachen Wert. Zur Erhöhung der Anstiegssteilheit
des Magnetisierungsstromes ist eine mit einem Transistor bestückte Verstärkerstufe mit
Rückkopplung vorgesehen.
Die Erfindung wird nunmehr an Hand· der Figuren im einzelnen näher erläutert.
Fig. ι stellt eine idealisierte Hysteresiskurve eines magnetischen Materials dar, das für die
Kerne in der Schaltung gemäß der Erfindung verwendet wird;
Fig. 2 zeigt, wie eines der beiden magnetischen Schaltelemente veranlaßt werden kann, seinen
magnetischen Zustand zu verändern, während das andere magnetische Schaltelement unbeeinflußt
bleibt;
Fig. 3 ist ein maßstabgerechtes Schaltschema und zeigt, wie acht magnetische Elemente kubisch
in je vier Wortzeilen angeordnet werden können, welche jede zwei Stellen enthalten, und wie diese
Wortzeilen in zwei Dimensionen einer solchen kubischen Anordnung ausgewählt und ihre Stellen
wahlweise in der dritten Dimension bestimmt werden können;
Fig. 4 stellt in einer Teilschaltung dar, wie eine Zustandsänderung eines magnetischen Elementes
durch einen Halbleiterverstärker verstärkt werden kann;
Fig. 5 zeigt eine Schaltung, bei der bestimmte Elemente maßstabgerecht dreidimensional dargestellt
sind und in der Transistoren in den Wortstellenstromkreisen eines einzelnen Wortzeilenstromkreises
vorgesehen sind.
Fig. ι zeigt eine idealisierte Hysteresisschleife
des verwendeten magnetischen Materials, wie sie tatsächlich fast erreicht werden kann. Das Material
weist eine hohe Remanenz auf, so daß es bei seiner positiven Sättigung entsprechend dem Punkt e
einen Kraftlinienfluß entsprechend dem Punkt / besitzt. Wenn nun das Material in dem die binäre O
darstellenden Zustand ist, d. h., wenn es negativ bis zum Punkt ;' gesättigt und dann nach Abschalten
der MMK der Kraftfluß dem Punkt a entspricht, wird beim Anlegen einer MMK, die
ausreicht, um das Material in der positiven Richtung zu sättigen, z.B. -\-2H, die Kurve ab ede
durchlaufen, und es stellt sich beim Abschalten dieser MMK der Punkt f ein. In diesem Zustand
ist im Kern die binäre 1 gespeichert. Beim Anlegen einer starken oder schwachen positiven MMK tritt
dann keine Zustandsänderung ein, und der Kraftfluß nimmt in jedem Fall den Wert / nach Abschalten
dieser positiven MMK wieder ein. Ebenso erfolgt, wenn das Material in negativer Richtung
jedoch nicht bis zum Wert g erregt wird, keine Veränderung des Zustandes, und der Kraftfluß
kehrt nach Abschalten dieser MMK zum Wert / zurück. Wenn jedoch die MMK über den dem
Punkt g entsprechenden Wert erhöht wird, z. B. bis —2 H1, wird die Kurve fghij durchlaufen;
und beim Abschalten dieser MMK stellt sich dann der Kraftfluß auf den durch den Punkt α dargestellten
Wert ein.
In der Schaltung nach Fig. 2 können Angaben in binärer Form gespeichert werden. Auf jedem
der beiden Kerne 1 und 2, die aus Material mit den in Fig. 1 gezeigten Eigenschaften- bestehen,
befinden sich zwei Erregerwicklungen. Die Wicklung .3 von Kern 1 und die Wicklung 4 von Kern 2
sind mit den Röhren 5 und 6 in Reihe geschaltet. Wenn diese Röhren leitend werden, fließt genügend
Strom durch die Wicklungen 3 und 4, um eine positive MMK in den Kernen 1 bzw. 2 mit einem
Wert + 2H1Zu erzeugen. Die beiden anderen Wicklungen
7 bzw. 8 dieser Kerne liegen in getrennten Stromkreisen. Wenn in beiden. Kernen eine 0 gespeichert
ist, d. h., wenn die Kraftflüsse durch beide Kerne dem Punkt α in Fig. 1 entsprechen,
wird sich beim Einschalten der Spule 7 in einen Stromkreis, durch den ein so starker Strom fließt,
daß eine MMK von + H1 entsteht, bei gleichzeitiger
Erregung der Spule 3 eine resultierende MMK +3H1 ergeben; der Kern wird von einem
mindestens dem Wert e entsprechenden Kraftfluß
durchflossen, so daß beim Abschalten dieser MMK vom Kern ι sich der Wert / einstellt, der eine
binäre ι darstellt. Beim Einschalten der Spule 8 in einen Stromkreis, durch den dann ein so starker
S Strom fließt, daß eine MMK—H1 entsteht, wird
sich bei gleichzeitiger Erregung der Spule 4 eine resultierende MMK. + H1 ergeben; der Zustand
von Kern 2 wird somit nicht verändert, so daß beim Zurückgehen der MMK im Kern 2 der Kraf tfluß
den Wert wieder annehmen wird, der die binäre 0 darstellt.
Die genannten Spulen wer.den durch das Relais 9 eingeschaltet, das in einem Stromkreis mit den
Drucktastenkontakten 10 und einer Batterie liegt, so daß beim Niederdrücken der Drucktaste das
Relais 9 betätigt wird. Der Kondensator 11, der einen Widerstand 12 und die Batterie 13· überbrückt,
wird im Ruhezustand aufgeladen. Beim Betätigen des Relais 9 wird der Kondensator 11
in einen Stromkreis mit dem Widerstand 14 und dem Relais 15 eingeschaltet, so· daß sich der Kondensator
über das Relais 15 entlädt, das darauf vorübergehend kurzzeitig anspricht. Während
dieser sehr kurzen Zeit wird eine positive Spannung an die Gitter der Röhren 5 und 6 angelegt,
und ein Stromimpuls fließt durch die Spulen 3 und 4. Gleichzeitig fließt durch die Spule 7 ein
Strom, durch den der Kern 1 positiv erregt wird, und durch die Spule 8 ein Strom, durch den der
Kern 2 negativ erregt wird.
Die Schaltung nach Fig. 2 soll nur zeigen, wie die Kerne durch gleichzeitiges Anlegen geeigneter
positiver oder negativer Impulse an verschiedene Teile der Schaltung in den einen oder den anderen
Zustand gebracht werden können. Diese Schaltung dient nur dazu, die folgenden Schaltschemen bei
möglichst geringer Anzahl von Schaltelementen leichter verständlich zu machen. Das Relais 9
. dient zum Auswählen der betreffenden Röhren, z. B. der Röhren 5 und 6, und zum Anlegen von
Stromimpulsen mit entsprechender Polarität an die Wortstellenspulen, z. B. an die Spulen 7 und 8.
Relais 15 stellt das Mittel dar, das zum gleichzeitigen Erzeugen und Übertragen der verschiedenen
Impulse verwendet wird. In der Praxis könnte natürlich ein Relais wie das dargestellte
Relais 15 nicht für diesen Zweck verwendet werden, weil seine Schaltgeschwindigkeit viel zu
langsam gegenüber der ist, die durch die Verwendung der magnetischen Kerne gemäß der Erfindung
erreicht werden kann. Fig. 2 zeigt jedoch, wie solche magnetischen Schaltelemente gesteuert
werden können.
Bei der erfindungsgemäßen Anordnung sollen nun· viele Spulen mehrere Speicher oder Wortzeilen
bilden, von denen jede mehrere Spulen entsprechend den Wortstellen enthalten, welche in
einer Schaltung zu verbinden sind, die in den drei Dimensionen einer maßstabgerechten Zeichnung
dargestellt werden kann. Eine Zeile, die die Schnittlinie der Ebene, die senkrecht zum Weiterleiten
in der X-Richtung verläuft, mit einer Ebene, .die sich senkrecht zum Weiterleiten in der F-Richtung
erstreckt, sein kann, wird durch den Spulenstromkreis nach Fig. 2 dargestellt. Jede darin ent*
haltene Spule stellt einen Schnittpunkt dieser Zeile mit einer Ebene dar, die sich senkrecht zum
Weiterschalten in der Z-Richtung erstreckt. Die verschiedenen Wortzeilen sind zu einer Matrix
miteinander verbunden, und daher muß eine Diode in jede Wortzeile geschaltet sein, so daß das
Fließen von Kriechströmen verhindert wird.
Fig. 3 ■ stellt eine sogenannte dreidimensionale Anordnung für vier Wortzeilen mit je einem
Speicher für zwei Wortstellen dar. Eine praktische Vorrichtung in einer Großrechenmaschine könnte
4096 Wortzeilen (64 X-Ebenen und 64 F-Ebenen) mit je 40 Stellen (40 Z-Ebenen) aufweisen;, diese
2X2X2-Anordnung nach Fig. 3 dient lediglich zur Veranschaulichung des verwendeten Prinzips. ·
Diese Figur zeigt acht Kerne 20 bis 27. Die Kerne 20, 22, 24 und 26 sind in derselben X-Ebene,
die Kerne 20, 21, 24 und 25 in derselben F-Ebene
.und die Kerne 20, 21, 22 und 23 in derselben Z-Ebene. Durch die X-Auswahl der Leitung 28
und die F-Auswahl der Leitung 29 kann also die aus den Kernen 20 und 24 bestehende Wortzeile
gewählt werden. Durch die wahlweisen an die verschiedenen Z-Ebenen angelegten Verbindungen
kann der Kern 20 bzw. 24 wahlweise beeinflußt werden.
Jeder Kern weist drei Spulen auf, von denen die -eine zum Aufzeichnen, die zweite zum Abfühlen
und die dritte -zum wahlweisen Speichern einer Wortstelle in dem betreffenden Kern dient. Die
Spule 30 des Kerns 20 liegt in dem Aufzeichnungskreis, seine Spule 31 in dem Abfühlkreis und die
Spule 32 in der Zi-Ebene der Zi-Stelle. Jede
Spule ist mit einem die Polarität kennzeichnenden Punkt versehen; die Polarität der Abfühlspule 31
ist der der Aufzeichnungsspule 30 entgegengesetzt. Alle Z-Spulen sind in gleicherweise angeschlossen,
so daß die Polarität der Spulen in den verschiedenen Z-Ebenen außerhalb der Matrix durch wahlweises
Anlegen von Erregungsstrom an die Verbindungen für jede solche Ebene gesteuert wird.
Wenn ein Wort in der durch die Kerne 20 und 24 dargestellten Wortzeile gespeichert werden soll, ,
werden die Verbindungen 28 und 29 ausgewählt und die Röhren 34 und 35 über die Aufzeichnungsleitung
33 gesteuert. Ein Strom fließt von dem Pluspol der Batterie über die Röhre 34, die Spule
30 des Kernes 20, die Spule 36 des Kernes 24, die Diode 37 und über die Röhre 35 zur Erde in einer
solchen Stärke, daß jeder der Kerne 20 und 24 durch eine MMK von +2H1 erregt wird (vgl.
Fig. 1). Wegen der Diode 37 können keine unerwünschten Nebenschlußströme fließen. Diese Erregung
der Kerne ist so stark, daß eine Zustandsänderung auftreten kann, wenn sich die Kerne in
dem die binäre 0 darstellenden Zustand befinden. Diese Zustandsänderung wird jedoch noch durch
die Spulen 32 und 38 beeinflußt. Wenn angenommen wird, daß jetzt die Spule 32 erregt ist und
eine MMK von + H1 in dem Kern 20 erzeugt, dann ergibt sich darin eine- resultierende MMK
von + 3 H1, und es erfolgt eine Zustandsänderung.
Außerdem entsteht in den anderen Kernen 21, 22 und 23 der Zi-Ebene eine MMK- von + H1, jedoch
genügt diese nicht, um den Zustand eines dieser Kerne umzuschalten, und sie stört daher die Wortstellen
nicht, dlie in einem anderen vorhergehenden Arbeitsgang darin eingeführt worden sind. Wenn
außerdem angenommen wird, daß jetzt die Spule 38 so erregt wird, daß eine ^MK von —H1 in dem
ίο Kern zustande kommt, dann entsteht darin insgesamt
die MMK-I-Ti1= (+2H1—H1), und es
tritt keine Zustandsänderung im Kern 24 auf. Gleichzeitig tritt in den anderen Kernen 25, 26
und 27 in der ZiV-Ebene eine MMK —H1 auf;
diese MMK reicht jedoch nicht aus, um eine Zustandsänderung in diesen Kernen herbeizuführen,
unabhängig davon, ob sie vorher eine binäre 0 oder eine binäre 1 gespeichert haben.
Außerdem zeigt Fig. 3, daß bei Beschickung der ao Abnahmeleitung 39 an Stelle der Aufzeichnungsleitung 33 über die Steuerschaltung 40 die Röhre
41 an Stelle der Röhre 35 leitend gemacht wird. In diesem Falle werden die Abnahmespulen 31
und' 42 an Stelle der Aufzeichnungsspulen 30 und 36 erregt. Da die Polarität der Abnahmespulen
der der Aufzeichnungsspulen entgegengesetzt ist, kann jeder der Kerne 20 und 24 durch eine MMK
mit einem Wert von mindestens —2H1 negativ
erregt werden. Die Spulen der Z-iEbene sind an der Entnahme nicht beteiligt, und daher werden alle
Kerne dieser Wortzeile auf den die binäre O1 ausdrückenden
Zustand eingestellt.
Zur Entnahme von Ausgangsimpulsen während der Abnahme- und. Aufzeichnungsvorgänge kann
jeder Kern eine vierte Spule aufweisen, z. B. die Spule 43 auf dem Kern 20. Wenn der Kern 20
seinen positiven Zustand (binäre 1) in seinen negativen (binäre 0) ändert, wird durch den Zusammenbruch
seines · positiven Feldes und durch den Aufbau seines negativen Feldes ein Impuls
in der Spule 43 induziert, dessen Polarität für den Abna'hmevorgang charakteristisch ist. Ein Impuls
entgegengesetzter Polarität wird in der Spule 43 induziert, wenn der Zustand des Kerns von der
binären 0 in die binäre 1 umgeschaltet wird, d. h. während eines Aufzeichnungsvorganges. Die jeweils
erzeugten Ausgangsimpulse können im Bedarfsfall weiteren Stromkreisen zur Auslösung von Arbeitsvorgängen
zugeführt werden.
Bei der. Schaltung gemäß der Erfindung, in der
nur die Spulen der gewählten "Wortzeile erregt werden, kann ein größeres Erregungsverhältnis erreicht
werden. Bisher mußten bei direkter Erregung der Spulen in der Matrix die resultierenden Erregungen
anderer Spulen notwendigerweise so benessen werdien, daß die algebraische Summe der
' Erregungen anderer Spulen in der Matrix, aber nicht in der ausgewählten Wortzeile immer kleiner
war als die, die zum Herbeiführen einer Zustandsänderung nötig war; daher war 2 : 1 das beste zu
erreichende Verhältnis. Bei der gleichzeitigen Auswahl der beiden Endfen eines Wortzeilenstromkreises
gemäß der Erfindung kann ein Verhältnis.
von 3 : ι erreicht werden; ein noch größeres Verhältnis
sogar kann bei der Entnahme erzielt werden. Daher kann die Arbeitsgeschwindigkeit
stark erhöht werden, z. B. von etwa 700 Mikrosekunden auf etwa 50 Mikrosekunden.
Fig. 4 zeigt eine Teilschaltung, in der ein Transistor verwendet wird. Der Kern 50 weist die vier
Wicklungen 51, 52, 53 und 54 auf. Wenn während einer Aufzeichnung eine negative Spannung an die
untere Klemme der Spule 53 angelegt wird, ist die Kollektorelektrode 55 negativ vorgespannt. Wenn
dann ein negativer Umschaltimpuls an die Grundelektrode 56 des Transistors durch Geben eines
Aufzeichnungsimpulses auf die Spule 51 gelegt wird, entsteht eine positive Rückkopplung in den
Wicklungen des Kernes 50, die als Transformator arbeiten. Der Spannungsabfall über die Kollektorelektrodenwicklung
53 induziert nämlich eine Spannung in der Grundelektrodenwicklung 52, wodurch
die Grundelektrode 56 noch negativer vorgespannt wird. Dadurch kann ein größerer Strom in der
Kollektorelektrodenwicklung 53 fließen. Diese positive Rückkopplung hält an, bis der Kern 50 gesättigt
ist; dann kann jedoch keine Spannung mehr in der Grundelektrodenwicklung 52 induziert werden;
die Rückkopplung hört auf. Magnetmotorische Kräfte MMK, die viel größer als H1 sind, können g0
erzielt werden, und es können Aufzeichnungszeiten von etwa 5 Mikrosekunden bei ausgewählten
Kernmaterialien und Transistoren erreicht w-erden. Ein dreidimensionales Speichersystem unter Verwendung
von Transistorrückkopplungsschaltungen ist in Fig. 5 dargestellt. Eine einzelne Wortzeile
besteht nach Fig. 5 aus dem Kern 60 in der Z ι-Ebene für eine Wortstelle, dem Kern 61 in der
Z2-Ebene für eine weitere WortsteMe und dem
Kern 62 in der ZAr-Ebene für eine dritte Wortstelle.
Durch eine X-Auswahl wird die Röhre 63 leitend, und durch eine F-Auswahl und die Betätigung
der Aufnahmesteuerschaltung 64 wird die Röhre 65 leitend. Hierdurch fließt ein so starker
Strom von dem positiven Pol der Stromquelle durch die Röhre 63, über die Spulen 66, 67 und 68,
die Diode 69 und die Röhre 65 zur Erde, daß in den Kernen 60, 61 und 62 eine MMK + H1 auftritt,
die jedoch allein nicht genügt, um den Zustand eines der Kerne zu verändern. Wenn nun nur die
Röhre 70 bei der Z-Auswahl leitend wird, so treten
eine negative Spannung an der Kollektorelektrode
des Transistors 71 und ein negativer Umschaltimpuls an der Grundelektrodenspule 72 infolge des
Impulses über die Spule 67 auf. In diesem Falle lig
wird durch die positive Rückkopplung,, wie bereits beschrieben worden ist, der Aufzeichnungsimpuls
über die Spule 67 stark vergrößert, so daß eine Zustandsänderung im Kern 61 erzeugt wird. Es
wird angenommen, daß die Z-Auswafol die Röhren
und 74 nicht erregt, so daß keine Zustandsänderung in den Kernen 60 und 62 stattfindet.
Wenn das in der Wortzeile gespeicherte Wort entnommen werden soll, werden die Röhren 63 und
leitend gemacht, so daß das Feld jedes Kernes in dieser Zeile, der -eine binäre 1 gespeichert hat,
umgekehrt wird, und infolgedessen wird über die Entnahmespule ein Impuls ausgesandt. Beim Laufen
des Entnahmeimpulses durch die Spule 77 wird ein Entnahmeimpuls von der Spule 78 weitergeleitet,
welche mit allen gleichen Entnahmespulen in derselben Zz-Ebene in Reihe geschaltet ist.
Diese Reihenschaltung kann nützlich z. B. als Recheneinheit einer Rechenmaschine verwendet
werden.
Claims (6)
1. Schaltungsanordnung für dreidimensionalen
Magnetkernspeicher mit in vorgegebenen X-, Y-, Z-Ebenen angeordneten bistabilen Kernen,
die zur Speicherung von binär verschlüsselten Informationen, insbesondere Wort- oder
Zahlenangaben dienen, zur gleichzeitigen Auswahl einer mehrstelligen Wortzeile, dadurch
gekennzeichnet, daß je zwei Wicklungen (30, 31 und 36, 42) aller in Z-Richtung hkitereinanderliegenden
Kerne (20, 24) in Reihe geschaltet und an beiden Enden dieser Reihenschaltung Auswahleinrichtungen (218, 29) zur Wahl der
X- bzw. F-Ebene'und des Aufzeichnungs- oder Entnahmevorgangs (33, 39) angeschlossen sind.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die oberen Enden aller Reihenschaltungen einer X-Ebene an die Kathode
einer Entladungseinrichtung (34) und die unteren Enden der Reihenschaltungen einer
7-Ebene getrennt für Aufzeichnungs- und Entnahmevorgang an die Anode je einer Entladungsvorrichtung
(35, 41) angeschlossen sind.
3· Anordnung nach den Ansprüchen ι und 2,
dadurch gekennzeichnet, daß bei einem Aufzeichnungs- oder Entnahmevorgang nur die
Wicklungen einer Wortzeile von einem zur Ummagnetisierung ausreichenden oder diese
vorbereitenden Magnetisierungsstrom durchflossen werden.
4. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet^ daß die nicht umzuschaltenden Kerne der Feldstärke H, die umzuschaltenden
Kerne dagegen der Feldstärke 3 H ausgesetzt werden, wo 2 H die Sättigungsfeldstärke
und H eine Feldstärke ist, die keine bleibende magnetische Zustandsänderung bewirkt.
.
5. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erhöhung der.
Umschaltgeschwindigkeit der Speicherkerne eine Verstärkerschaltung mit positiver Rückkopplung
an die Speicherkernwicklungen angekoppelt ist.
6. Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Verstärker ein Transistor
dient, der über eine zusätzliche Wicklung des Speicherkerns angekoppelt ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Proceedings of the I. R. E., April 1952, S. 475
Proceedings of the I. R. E., April 1952, S. 475
bis 478;
Journal of Applied Physics, Januar 1951, S. 44
bis 48; "65
RCAReview, Juni 1952, S. 183 bis 201.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 609548/167 6.56 (609 726 12. 56)
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