DE9411484U1 - Verdrahtungsträger - Google Patents

Verdrahtungsträger

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Description

DR. PÖHNER, DR. LlEDTKE & r^juj^ ........ .. . Dr,Ing.KIausLiedtke
Patent-und Rechtsanwälte * "**· . « I .* . ·..;;.·. Dipl-Phys. Dr. Wilfried Pöhner*
ERFURT - WÜRZBURG* «··«·· "..*J .,* J Europäische Patentvertreter
Rechtsanwältin
Renate Prümer*
Kanzlei Erfurt
Cyriakstrasse 27
Postfach 956
D-99019 Erfurt
Telefon (03 61) 67 2148
(0361)672126
Telefax (0361)672149
Bernd Reichhardt Am Seegraben 4
99099 Erfurt
Verdrahtungsträger
Die Erfindung betrifft einen Verdrahtungsträger zur Konfektionierung von Chipbauelementen, vorzugsweise zur Montage großer Chips mit zentraler Lage der Bondflächen.
Im Stand der Technik ist es bekannt, Chips auf Trägerstreifen oder auf Substratmaterial zu montieren. Die Montage auf Trägerstreifen ermöglicht kurze Bondverbindungen zwischen dem Träger und dem 5 Chip auch bei cproßen Chips mit zentral angeordneten
Bondinseln. Diese Montageart gewährleistet auch die Anwendung einfcicher Montagetechnologien. Nachteilig ist jedoch, daß nur eine zweidimensionale Verdrahtung möglich ist, bei der Kreuzungen innerhalb der 0 Verdrahtungen nicht verwirklicht werden können.
Diese Art der Konfektionierung erlaubt deshalb keine Konfigurierbarkeit der Bauelementefunktionen bei gleicher Trägergeometrie. Zur Verwirklichung verschiedener Funktionen sind jeweils spezielle Fertigungseinrxchtungen notwendig, t, die nur für große Fertigungsstückzahlen kostengünstig ermöglicht werden können.
Kanzlei Würzburg Kaiserstraße 27 · Poitfttfi! 6323 . J &Ggr;>?78&Iacgr;3 Wji*i«b*rg · Telefon (0931) 14566 · Telefax (0931) 1 85
Die Montage auf dem Substratitiaterial gestattet eine mehrdimensionale Verdrahtung zwischen Chip und den Außenkontakten des Bauelementes. Bei dieser Ausführung können verschiedene Anschlußvarianten des Chips mit dem gleichen Träger realisiert werden. Bei dieser Montageart ist nachteilig, daß die Verarbeitung großer Chips mit zentraler Lage der Bondflächen wegen der erforderlichen langen Verbindungen zu den außenliegenden Anschlußflächen des Substrates nicht mehr beherrschbar ist oder gänzlich unmöglich wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde ein Bauelement anzugeben, das eine Konfigurierbarkeit für verschiedene Bauelementefunktionen ermöglicht, bei dem kurze Bondverbindungen für Chips mit zentraler Lage der Bondflächen erreicht werden können und das auch in kleinen Stückzahlen kostengünstig herstell-0 bar ist.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß der Verdrahtungsträger aus einem mehrschichti-5 gen Grundsubstrat mit mindestens zwei Trägermaterialschichten besteht, die unterschiedlich große Durchbrüche aufweisen und daß das Chip mit der Seite, an der sich die Bondflächen befinden, am Substrat angeordnet ist.
Weiterhin ist es möglich, daß die elektrische Kontaktieruncj des Chips mit dem Verdrahtungsträger durch variantenabhängige Bondverbindungen erfolgt,
indem von den Bondflächen des Chips die Bondverbindungen durch einen Durchbruch in der Trägermaterialschicht zu den Bondflächen auf der Trägermaterialschicht geführt werden.
Ferner ist es möglich, daß oberhalb der unteren Trägermaterialschicht eine weitere Trägermaterialschicht angeordnet ist, die größere Durchbrüche als die untere Trägermaterialschicht aufweist.
Eine vorteilhafte Ausfuhrungsform der erfindungsgemäßen Anordnung sieht vor, daß elektrische Verbindungen zwischen den Leitungsebenen des Trägermaterials mittels äußerer Kontaktflächen und/oder Durchverbindungen hergestellt sind.
Desweiteren ist es möglich, daß auf dem Chip eine Abdeckkappe angeordnet ist.
Die erfindungsgemäße Anordnung mit einem mehrschichtigen Grundsubstrat ermöglicht auch die Konfektionierung großer Chips mit zentraler Lage der 0 Bondflächen bei minimalen äußeren Abmessungen und bei konfigurierbaren Bauelementefunktionen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert. In der zuge-5 hörigen Zeichnung zeigen:
Figur 1 eine Schnittdarstellung des erfindungsgemäßen Verdrahtungsträgers
0 und
Figur 2 die zugehörige Draufsicht.
Wie aus Figur 1 ersichtlich ist, wird ein Chip 1 auf dem Verdrahtungsträger befestigt, der aus zwei Schichten besteht, nämlich der unteren Trägermaterialschicht 3, die die Bondflächen 4 enthält, und der oberen Trägermaterialschicht 6. Es können Chips verwendet werden, bei denen die Bondflächen 2 sowohl zentral als auch an den Chiprändern angeordnet sind. Der Chip 1 kann mir einer Abdeckkappe 9 versehen werden, die einen Schutz des Chips 1 gewährleistet. Besonders vorteilhaft ist hierbei, daß die Abdeckkappe 9 sowohl vor als auch nach dem Montagevorgang angebracht werden kann. Die Trägermaterialschicht 3 ist mit Durchbrüchen versehen, durch die die Bondflächen 2 des Chips 1 zugänglich sind. Auf der Trägermaterialschicht 3 sind Bondflächen 4 eingebracht, die zur elektrischen Verbindung mit dem Chip 1 durch die Bondverbindungen 5 vorgesehen sind. Oberhalb der Trägermaterialschicht 3 ist eine 0 zusätzliche Trägermaterialschicht 6 vorgesehen, in die ebenfalls Durchbrüche eingearbeitet sind. Diese Durchbrüche sind jedoch größer ausgeführt als die Durchbrüche in der Trägermaterialschicht 3. Damit wird eine plane Auflagefläche der Gesamtanordnung 5 und der Schutz der Bondverbindungen 5 gewährleistet. Beide Trägermaterialschichten 3 und 6 werden mittels äußerer Kontaktflächen 7 und/oder innenliegender Durchverbindungen 10 elektrisch miteinander verbunden. Damit wird eine leitende Verbindung in 0 mehreren Ebenen erreicht und die. Konfigurierbarkeit der Bauelementefunktionen möglich. Nachdem die Bondverbindungen 5 angebracht si"nd, werden diese mit einer Passivierung 8 in den Durchbrüchen der
Trägermaterialschichten 3 und 6 geschützt. Die erfindungsgemäße Anordnung gewährleistet die Herstellung des Verdrahtungsträgers mit minimalen Abmessungen
BEZUGSZEICHENLISTE
1 Chip
2 Bondflächen des Chips
3 Trägermaterialschicht mit Bondflächen
4 Bondflächen auf dem Trägermaterial
5 Bondverbindungen
6 zusätzliche Trägermaterialschicht
7 Kontaktflächen
8 Passivierung
9 Abdeckkappe

Claims (5)

S C HUTZANSP RUCHE
1. Verdrahtungsträger zur Konfektionierung von Chipbauelementen, vorzugsweise zur Montage großer Chips mit zentraler Lage der Bondflächen, dadurch gekennzeichnet, daß der Verdrahtungsträger aus einem mehrschichtigen Grundsubstrat mit mindestens zwei Trägermaterialschichten (3,6) besteht, die unterschiedlich große Durchbrüche aufweisen und daß das Chip (1) mit der Seite, an der sich die Bondflachen (2) befinden, am Substrat angeordnet ist.
0 2. Verdrahtungsträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrische Kontaktierung des Chips (1) mit dem Verdrahtungsträger durch variantenabhängige Bondverbindungen (5) erfolgt, wobei von den E>ondflachen (2) des Chips (1) die Bond-5 verbindungen (5) durch einen Durchbruch in der Trägermaterialschicht (3) zu den Bondflächen (4) auf der Trägermaterialschicht (3) geführt werden.
3. Verdrahtungsträger nach Anspruch 1 oder 2, da-0 durch gekennzeichnet, daß oberhalb der unteren Trägermaterialschicht (3) eine weitere Trägermaterialschicht (6) angeordnet ist, die größere Durchbrüche als die Trägermaterialschicht (3) aufweist.
4. Verdrahtungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß elektrische Verbindungen zwischen den Leitungsebenen des Trägermaterials mittels äußerer KontcLktflachen (7) und/oder Durchverbindungen (10) hergestellt sind.
5. Verdrahtungsträger nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Chip (1) eine Abdeckkappe (9) angeordnet ist.
DE9411484U 1994-07-15 1994-07-15 Verdrahtungsträger Expired - Lifetime DE9411484U1 (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1039538A1 (de) * 1995-10-24 2000-09-27 Oki Electric Industry Co., Ltd. Halbleitereinrichtung mit verbesserter Struktur zur Vermeidung von Rissen und Herstellungsverfahren

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1039538A1 (de) * 1995-10-24 2000-09-27 Oki Electric Industry Co., Ltd. Halbleitereinrichtung mit verbesserter Struktur zur Vermeidung von Rissen und Herstellungsverfahren
US6177725B1 (en) 1995-10-24 2001-01-23 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, improved small-sized semiconductor and method of manufacturing the same
US6459145B1 (en) 1995-10-24 2002-10-01 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, and improved small-sized semiconductor
US6569755B2 (en) 1995-10-24 2003-05-27 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, improved small sized semiconductor and method of manufacturing the same

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