DE9217359U1

DE9217359U1 - Schaltungsanordnung für Funktionsprüfung einer mehrstufigen Transistorschaltung

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Publication number: DE9217359U1
Application number: DE9217359U
Authority: DE
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1992-12-22
Filing date: 1992-12-22
Publication date: 1993-02-25
Anticipated expiration: 2002-12-23

Description

Schaltungsanordnung zur Funktionsprüfung einer mehrstufigen Transistorschaltung

Beschreibung

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Funktionsprüfung einer mehrstufigen Transistorschaltung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Mehrstufige Transistorschaltungen, insbesondere Schaltungen vom Darlington-Typ, werden aufgrund ihrer hohen Verstärkung und ihres schaltungstechnisch günstigen Aufbaus in vielen Gebieten zur Steuerung und Schaltung von Lastströmen eingesetzt. Beim Einsatz dieser Schaltungen in sicherheitskritischen Bereichen ist es jedoch oft unumgänglich, die Funktion der Schaltung prüfen zu können, ohne daß dabei nachgeschaltete Sicherheitseinrichtungen ausgelöst werden. Da die Prüfung unter normalen Betriebsbedingungen durchzuführen ist, kann hierbei nicht der normalerweise zur Steuerung oder zum Schalten benötigte volle Laststrom an den den Hauptstrom treibenden Leistungstransistor, angelegt werden. Normalerweise wurde deshalb für die Funktionsprüfung ein reduzierter Laststrom verwendet, der unterhalb der Auslöseschwelle für die nachgeschalteten Sicherheitseinrichtungen bleiben mußte. Es hat sich jedoch herausgestellt, daß diese Art der Funktionsprüfung bei mehrstufigen

Transistorverstärkungsschaltungen mit einer großen Unsicherheit behaftet ist. Weist z.B. der nachgeschaltete Transistor in einer der zweistufigen Grundschaltungen (z.B. in einer Darlington- oder einer komplementären Darlington-Schaltung) der nachgeschaltete Transistor, wie in Fig. 2 dargestellt, einen Kurzschluß zwischen Basis und Emitter auf, kann der durch den vorgeschalteten Transistor, den Ansteuertransistor, verstärkte Strom über die Kurzschlußstrecke fließen und dadurch eine funktionierende Schaltung vortäuschen. Eine Erhöhung des Prüfstroms auf Pegel, die nur durch die kombinierte Verstärkung beider Transistoren zu erreichen ist, birgt die Gefahr ungewollter Betätigung nachgeschalteter Sicherheitseinrichtungen.

Dementsprechend liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 derart zu verbessern, daß die Funktionsprüfung mit erhöhter Sicherheit durchführbar ist und die ungewollte Betätigung nachgeschalteter Einrichtungen vermieden wird.

Die erfindungsgemäße Lösung ist durch die Merkmale des Anspruchs 1 gekennzeichnet.

Der weitere Transistor ist durch die Parallelschaltung seiner Steuerelektrode und seiner ersten Hauptstromelektrode zu der Steuerelektrode und der ersten Hauptstromelektrode des nachgeschalteten Transistors in der Lage, den momentanen Betriebszustand des nachgeschalteten Transistors zu erfassen. Als schaltungstechnisch günstig hat sich die Parallelschaltung der jeweiligen Basis-Emitter-Strecken erwiesen.

Bei korrekt arbeitender Darlington-Schaltung ist dann das Stromsignal am Kollektor des weiteren Transistors bzw. das dort anstehende Potential ein Abbild der Verhältnisse am

nachgeschalteten Transistor. Bei einem Kurzschluß der Basis-Emitter-Strecke des nachgeschalteten Transistors bricht auch die Spannung an der Basis des weiteren Transistors zusammen, und sein Kollektor wird stromlos.

Bei der Funktionsprüfung ist bereits mit geringen Prüfströmen in der Kollektor-Emitter-Strecke des nachgeschalteten Transistors eine sichere Aussage über die Funktion der Darlington-Schaltung möglich. Bei bekannter Last im Lastschaltkreis der Darlington-Schaltung sind ebenfalls Aussagen über die Kennlinie möglich, da festzustellen ist, ob bei einem definierten Eingangssignal an der Basis des Ansteuertransistors die zu erwartenden Steuerspannungen an der Basis des Leistungstransistors erreicht werden.

Wird der Kollektor des weiteren Transistors durch eine erste Stromspiegelschaltung mit der Auswerteschaltung verbunden und wird somit der Auswerteschaltung der gespiegelte Kollektorstrom des weiteren Transistors durch die Stromspiegelschaltung zugeführt, wird dadurch die Beeinflussung der Kollektorströme durch die Auswerteschaltung weitgehend vermieden und durch Verringerung von Störeinflüssen die Funktionssicherheit erhöht.

Mit einem zusätzlichen Transistor, der mit seiner Basis und seinem Emitter parallel zu der Basis-Emitter-Strecke des vorgeschalteten Transistors angeschlossen ist, können auch die Betriebsverhältnisse am Steuereingang des vorgeschalteten Transistors erfaßt werden. Eine zweite Stromspiegelschaltung verbessert die Erfassung der Kollektorströme des nachgeschalteten Transistors in vorstehend beschriebener Weise.

Durch Verbindung des Versorgungsstromanschlusses der ersten Stromspiegelschaltung mit dem Signalausgang der zweiten Stromspiegelschaltung wird der Signalausgang der ersten Stromspiegelschaltung im wesentlichen nur dann stromführend, wenn die Eingänge beider Stromspiegelschaltungen gleichzeitig stromführend sind. Hierdurch ist mit einem einzigen Ausgangssignal am Signalausgang der ersten Stromspiegelschaltung die Funktion beider Transistoren in der Darlington-Schaltung gleichzeitig überprüfbar. Auch ein Kurzschluß der Basis-Emitter-Strecke des vorgeschalteten Transistors wird erfaßt; dieser führt zu einem stromlosen Kollektor des zusätzlichen Transistors, wodurch die zweite Stromspiegelschaltung an ihrem Signalausgang stromlos wird und unabhängig von den Verhältnissen am nachgeschalteten Transistor in der ersten Stromspiegelschaltung kein Strom fließt. Hierdurch wird die Sicherheit der Funktionsprüfung weiter verbessert, denn es wird auch der Fall erfaßt, daß der Kurzschluß in der Basis-Emitter-Strecke des vorgeschalteten Transistors durch eine bauteilbedingte, hohe Stromverstärkung des nachgeschalteten Transistors kompensiert wird.

Die erste und/oder zweite Stromspiegelschaltung lassen sich schaltungstechnisch durch Mehrfachkollektor-Transistoren vereinfachen, bei welchen der Signaleingang und der Signalausgang jeweils an getrennten Kollektoren des Mehrfachkollektor-Transistors angeschlossen sind. Diese Mehrfachkollektor-Transistoren erweisen sich auch als günstig bei der Realisierung der Schaltung in integrierter Form.

Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung kann ebenfalls mit MOS-Transistoren oder mit Kombinationen von bipolaren und MOS-Transistoren verwirklicht werden. Hierbei werden jeweils die Basis-Emitter-Strecken der bipolaren Transistoren durch die Gate-Source-Strecken der MOS-Transistoren ersetzt. Hierdurch

sind auch Leistungsfeldeffekttransistoren, wie z.B. V-MOS-Transistoren, in mehrstufigen Verstärkungs-Schaltungen überprüfbar, die für viele Einsatzzwecke von großem Interesse sind. Die Anpassung der Potentialverhältnisse durch zusätzliche Widerstände ist dem Fachmann hinlänglich bekannt.

Die Realisierung der wesentlichen Baugruppen auf einem einzigen oder mehreren Halbleitersubstraten in integrierter Form ermöglicht die kostengünstige Herstellung von Schaltungen mit geringer Störanfälligkeit. Auch Schaltungen mit Kombinationen von bipolaren und MOS-Transistoren sind in integrierter Form hierzu herstellbar.

Werden durch den nachgeschalteten Transistor Lastströme in einer Kraftfahrzeug-Schaltungsanordnung, insbesondere Auslöseströme in einer Airbag-Auslöseschaltung gesteuert, wird die Funktionssicherheit der Kraftfahrzeug-Schaltungsanordnung, bzw. der Airbag-Auslöseschaltung durch die verbesserte Prüfung erhöht. Die Gefahr ungewollter Auslösungen des Airbags ist durch die reduzierten Prüfströme vermieden. Mit Prüfströmen, die kleiner als ein festgelegter vorgegebener Bruchteil des Lastschaltstroms des nachgeschalteten Transistors sind, kann den jeweiligen Sicherheitsvorgaben für KFZ-Prüfschaltungen entsprochen werden. Die Höhe des Prüfstroms ist dabei beispielsweise durch die Stromverstärkung des oder der weiteren Transistoren und/oder die Ansprechempfindlichkeit der Auswerteschaltung festlegbar.

Mit zwei Darlington-Schaltungen, deren nachgeschaltete Transistoren sowohl den Stromfluß von einer Stromquelle zum Auslöser als auch vom Auslöser zu einer Stromsenke steuern, wird die Gefahr ungewollter Auslösung weiter vermindert, da bei diesem "floating" Betrieb des Auslösers ohne festes Bezugspotential beide Darlington-Schaltungen gleichzeitig

betätigt werden müssen und ein Fehler in nur einer der beiden Darlington-Schaltungen in der Regel nicht zu einer Auslösung führt.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der beigefügten Zeichnungen detailliert beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 das Schaltbild einer erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung eines ersten Ausführungsbeispiels mit einer Stromspiegelschaltung,

Fig. 2 Prinzipschaltbilder von zu prüfenden zweistufigen Transistorschaltungen mit einem Basis-Emitter-Kurzschluß des jeweiligen nachgeschalteten Transistors,

Fig. 3 eine Schaltungsanordnung für den Einsatz von zwei als Schalter betriebenen mehrstufigen Transistorschaltungen ,

Fig. 4 ein Schaltbild eines zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels mit zwei miteinander verbundenen Stromspiegelschaltungen,

Fig. 5 ein Schaltbild eines weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels,

Fig. 6 ein Schaltbild einer zum ersten Ausführungsbeispiel äquivalenten Schaltungsanordnung mit MOS-Feldeffekt-Transistören.

Im Sinne der Erfindung wird jede Schaltungsanordnung, in der ein oder mehrere vorgeschaltete Transistoren einen nachgeschalteten Transistor ansteuern und bei der die elektrischen Signale durch vorgeschaltete und den

nachgeschalteten Transistor verstärkt am Ausgang des nachgeschalteten Transistors anliegen, als Darlington-Schaltung verstanden.

Bei einer derartigen, in Fig. 1 dargestellten, zweistufigen Schaltung ist der Kollektor des vorgeschalteten und des nachgeschalteten Transistors 1, 2 miteinander verbunden, und die Kollektor-Emitter-Strecke des nachgeschalteten Transistors 2 ist im zu schaltenden oder zu steuernden Hauptstromweg angeordnet. Der Emitter des vorgeschalteten Transistors 1 ist mit der Basis des nachgeschalteten Transistors 2 verbunden. Ein von der Basis des nachgeschalteten Transistors 2 zu dessen Emitter angeschlossener Widerstand 4 legt den Arbeitspunkt im Kennlinienfeld des nachgeschalteten Transistors 2 fest. Ein weiterer Transistor 5 ist mit seinem Basis- und seinem Emitteranschluß parallel zur Basis und dem Emitter des nachgeschalteten Transistors 2 der Darlington-Schaltung angeschlossen und ist mit seinem Kollektor mit einer Stromspiegelschaltung 6 verbunden.

Die Stromspiegelschaltung 6 besteht aus zwei Transistoren 7, 8, deren Emitter an das positive Bezugspotential, Vdd, angeschlossen sind und deren Basisanschlüsse miteinander verbunden sind. Auf der Eingangseite der Stromspiegelschaltung 6 ist der Kollektor des weiteren Transistors 5 mit dem Kollektor des Transistors 7 verbunden, der eine Brücke zu den Basisanschlüssen der Transistoren 7, 8 aufweist. Ausgangsseitig ist der Kollektor des Transistors 8 mit einem Widerstand 9 verbunden, der als Pull-Down-Widerstand eine Verbindung zum Masse-Potential 11 der Schaltung herstellt.

Am Signalausgang 10 wird durch eine in den Figuren nicht dargestellte Auswerteschaltung ein Strom abgegriffen, der im wesentlichen dem gespiegelten Kollektorstrom des weiteren

Transistors 5 entspricht oder die am Widerstand 9 abfallende Spannung erfasst. Dieses Ausgangssignal wird in der nachgeschalteten Auswerteschaltung in an sich bekannter Weise ausgewertet.

In Fig. 4 ist ein zweites, erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel dargestellt, das sämtliche Baugruppen des ersten Ausführungsbeispiels enthält, jedoch um einen zusätzlichen Transistor 12 und eine zweite Stromspiegelschaltung 13 erweitert ist.

Der zusätzliche Transistor 12 ist mit seiner Basis und seinem Emitter parallel zu der Basis und dem Emitter des vorgeschalteten Transistors 1 angeschlossen und ist mit seinem Kollektor mit dem Signaleingang der zweiten Stromspiegelschaltung 13 verbunden. Der Aufbau der zweiten Stromspiegelschaltung entspricht in Bezug auf die Transistoren 14 und 15 der ersten Stromspiegelschaltung 6 mit den Transistoren 7, 8. Es sind jedoch die Emitter der Transistoren 7, 8 nicht mit dem Bezugspotential, Vdd, verbunden, sondern mit dem Signalausgang der zweiten Stromspiegelschaltung 13. Die Emitter der Transistoren 14, 15 sind mit dem Bezugspotential, Vdd, verbunden und bilden durch den Kollektor des Transistors 15 die Stromversorgung für die erste Stromspiegelschaltung 6. Der gespiegelte Kollektorstrom des zusätzlichen Transistors 12 speist die zweite Stromspiegelschaltung 6 hierdurch derart, daß der Signalausgang 10 der ersten Stromspiegelschaltung 6 nur dann stromführend ist, wenn sowohl der Kollektor des Transistors 12 als auch der Kollektor des Transistors 5 stromführend sind, was im wesentlichen dem korrekt funktionierenden Betriebszustand der Darlington-Schaltung entspricht.

In Fig. 5 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel dargestellt. Funktional gleichwirkende Elemente sind mit den gleichen Bezugszeichen versehen.

In diesem Ausführungsbeispiel sind die Transistoren 5, 12 mit ihren Basisanschlüssen jeweils mit der Basis des vorgeschalteten und des nachgeschalteten Transistors 1, 2 der Darlington-Schaltung verbunden. In alternativer erfindungsgemäßer Ausgestaltung ist jedoch der Kollektor des vorgeschalteten Transistors 1 mit dem Kollektor des zusätzlichen Transistors 12 verbunden und der Emitter des nachgeschalteten Transistors 2 durch einen Widerstand 18 mit dem Emitter des Transistors 5 verbunden.

Eine Stromspiegelschaltung wird durch einen Mehrfachkollektor-Transistor 17 mit zwei getrennten Kollektoren gebildet. Der Kollektor des weiteren Transistors 5 ist mit dem Emitter des Mehrfachkollektor-Transistors 17 verbunden und ein Kollektor des Mehrfachkollektor-Transistors 17 ist mit dem Kollektor des Transistors 28 der zweiten Stromspiegelschaltung 27 verbunden. Der zusätzliche Transistor 12 ist mit seinem Emitter mit der Basis und dem weiteren Kollektor des Mehrfachkollektor-Transistors 17 verbunden.

In dieser Schaltungsanordnung spiegelt der Mehrfachkollektor-Transistor 17 den Kollektorstrom des zusätzlichen Transistors 12 und wird vom Kollektorstrom des Transistors 5 gespeist. Der Mehrfachkollektor-Transistor 17 gibt nur dann ein Stromsignal an die nachgeschaltete, aus den Transistoren 28, 29 bestehende zweite Stromspiegelschaltung 27 ab, wenn sowohl sein Emitter als auch seine Basis stromführend sind. Da dies nur dann der Fall ist, wenn sowohl der Emitter des Transistors 12 als auch der Kollektor des Transistors 5 stromführend sind, kann am Signalausgang 26 der zweiten Stromspiegelschaltung 27 im

wesentlichen nur dann ein Strom fließen, wenn sowohl der vorgeschaltete Transistor 1 als auch der nachgeschaltete Transistor 2 korrekte Betriebsbedingungen aufweisen. Die Signale am Open-Kollektor-Signalausgang 26 der zweiten Stromspiegelschaltung 27 werden von der nicht näher dargestellten Auswerteschaltung in bekannter Weise erfasst.

Eine zu dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel äquivalente Schaltung ist, wie in Fig. 6 gezeigt, mit den MOS-Feldeffekt-Transistoren 2, 5, 28, 29 ausgestattet. Dabei sind jeweils die Basis-Emitter-Strecken der bipolaren Transistoren 2, 5, 7, 8, durch die Gate-Source-Strecken der MOS-Feldeffekt-Transistoren 2, 5, 28, 29 ersetzt. Der zusätzliche, der Source des Transistors 5 nachgeschaltete Widerstand 18 dient in bekannter Weise der Potentialanpassung für die Ansteuerung der Gate-Elektrode des Transistors 5. Der in Fig. 6 aus Gründen der Vereinfachung nicht dargestellte vorgeschaltete Transistor 1 kann sowohl ein bipolarer als auch ein MOS-Feldeffekt-Transistor sein.

In Fig. 3 ist ein Anwendungsbeispiel einer Airbag-Auslöseschaltung dargestellt. Zwei mehrstufige Transistorschaltungen mit Schaltungsanordnungen zur Prüfung ihrer Funktion sind jeweils als Schalter 19, 20 in der Zündkreiskette einer Auslöseschaltung für einen Airbag in einem Kraftfahrzeug vorgesehen. Die Tansistorschaltungen sind, wie jeweils im ersten und zweiten Ausführungsbeispiel dargestellt, potentialfrei in der Zündkreiskette angeordnet und schalten sowohl den Stromfluß von der Stromquelle 21 zum Auslöser 22 als auch den Stromfluß vom Auslöser 22 zur Stromsenke 23. Ein Zündkondensator 24 stellt beim Schließen der Schalter 19, 20 kurzfristig benötigte Ströme zusammen mit der Stromquelle 21 zur Verfügung. Ein mechanischer Sicherheitsschalter 25 innerhalb der Zündkreiskette stellt

einen weiteren, zusätzlichen Schutz gegen ungewollte Auslösung bereit.

In der Airbag-Auslöseschaltung besteht der Auslöser 22 aus einer Zündpille mit einem Nenn-Zündstrom von 2 A, bei welcher der Prüfstrom der Zündpille 30 mA nicht übersteigen darf. Das Verhältnis zwischen Nenn-Zündstrom und maximalem Prüfstrom kann durch die entsprechende Wahl der Stromverstärkung der Transistoren 5, 12 und/oder durch Einstellung der Ansprechempfindlichkeit der Auswerteschaltung stets eingehalten werden.

Obwohl in der vorstehenden Beschreibung im wesentlichen Schaltungen mit npn-Transistoren diskutiert wurden, können derartige Schaltungen auch pnp-Transistoren oder Kombinationen aus npn- und pnp-Transistoren enthalten. In diesem Fall sind die Transistoren 5, 12 und die Transistoren 7, 8, 14, 15, 17, 28, 29 der Stromspiegelschaltungen 6, 13, 27 mit ihren Polaritäten jeweils entsprechend angepaßt.

Claims

Schutzansprüche

1. Schaltungsanordnung zur Prüfung der Funktion einer mehrstufigen Transistorschaltung, wobei in der mehrstufigen Transistorschaltung ein oder mehrere vorgeschaltete Transistoren einen nachgeschalteten Transistor ansteuern und die elektrischen Signale durch die Transistoren verstärkt am Ausgang des nachgeschalteten Transistors anliegen,

dadurch gekennzeichnet,

daß eine Steuerelektrode und eine erste Hauptstromelektrode eines weiteren Transistors (5) parallel zu der Steuerelektrode und der ersten Hauptstromelektrode des nachgeschalteten Transistors (2) angeschlossen sind und die zweite Hauptstromelektrode des weiteren Transistors (5) mit einer Auswerteschaltung verbunden ist.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,

daß jeweils die Steuerelektrode aus der Basis, die erste Hauptstromelektrode aus dem Emitter und die zweite Hauptstromelektrode aus dem Kollektor der Transistoren (5, 12) besteht.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,

daß der Kollektor des weiteren Transistors (5) durch eine erste Stromspiegelschaltung (6) mit der Auswerteschaltung verbunden ist, wobei der gespiegelte Kollektorstrom des weiteren Transistors (5) der Auswerteschaltung durch die Stromspiegelschaltung (6) zugeführt ist.

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4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet,

daß zu Basis und Emitter des vorgeschalteten Transistors (1) ein zusätzlicher Transistor (12) mit seiner Basis und seinem Emitter parallel angeschlossen ist und der Kollektor dieses weiteren Transistors (12) mit der Auswerteschaltung durch eine zweite Stromspiegelschaltung (13) verbunden ist.

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,

daß der Versorgungsstromanschluß der ersten Stromspiegelschaltung (6) mit dem Signalausgang der zweiten Stromspiegelschaltung (13) verbunden ist und der Signalausgang (10) der ersten Stromspiegelschaltung im wesentlichen nur dann stromführend ist, wenn die Eingänge beider Stromspiegelschaltungen (6, 13) gleichzeitig stromführend sind.

6. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche von 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet,

daß die erste und/oder die zweite Stromspiegelschaltung (6, 13) Mehrfachkollektor-Transistoren (17) enthalten, wobei der Signaleingang und der Signalausgang der Stromspiegelschaltung (6, 13) jeweils einem Kollektor des Mehrfachkollektor-Transistors (17) entsprechen und der Signaleingang mit der Basis des Mehrfachkollektor-Transistors (17) verbunden ist.

7. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche von 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,

daß ein Teil oder sämtliche bipolaren Transistoren (1, 2, 5, 7, 8, 12, 14, 15, 17, 28, 29) durch MOS-Feldeffekt-Transistoren ersetzt sind, wobei jeweils die Basis-

Emitterstrecke des bipolaren Transistors (1, 2, 5, 7, 8, 12, 14, 15, 17, 28, 29) durch die Gate-Source-Strecke des MOS-Feldeffekt-Transistors ersetzt ist.

8. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche von 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet,

daß die wesentlichen Baugruppen (1, 2, 4, 5, 7, 8, 9, 12, 14, 15, 17, 28, 29) auf einem einzigen oder mehreren Halbleitersubstraten in integrierter Form ausgebildet sind.

9. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche von 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet,

daß durch den nachgeschalteten Transistor (2) Lastströme in einer KFZ-Schaltungsanordnung, insbesondere Auslöseströme in einer Air-Bag-Auslöseschaltung, gesteuert sind.

10. Schaltungsanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,

daß die Stromverstärkung der Transistoren (5, 12) und/oder die Ansprechempfindlichkeit der Auswerteschaltung derart festgelegt sind, daß der bei der Funktionsprüfung durch die Kollektor-Emitter-Strecke oder die Drain-Source-Strecke des nachgeschalteten Transistors (2) fließende Strom kleiner als ein vorgegebener Bruchteil des Lastschaltstroms des nachgeschalteten Transistors (2) ist.

11. Schaltungsanordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,

daß durch den nachgeschalteten Transistor (2) der Stromfluß von einer Stromquelle (21) zum Auslöser (22) und durch einen weiteren nachgeschalteten Transistor (2) der

Stromfluß vom Auslöser (22) zu einer Stromsenke (23 gesteuert ist.